JP2022104103A - 半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法 - Google Patents

半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022104103A
JP2022104103A JP2020219109A JP2020219109A JP2022104103A JP 2022104103 A JP2022104103 A JP 2022104103A JP 2020219109 A JP2020219109 A JP 2020219109A JP 2020219109 A JP2020219109 A JP 2020219109A JP 2022104103 A JP2022104103 A JP 2022104103A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
flat plate
terminal
plate terminal
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020219109A
Other languages
English (en)
Inventor
仁泰 芦野
Kimiyasu Ashino
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2020219109A priority Critical patent/JP2022104103A/ja
Priority to CN202111385892.8A priority patent/CN114695128A/zh
Priority to US17/538,480 priority patent/US20220208622A1/en
Publication of JP2022104103A publication Critical patent/JP2022104103A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26—Moulds
    • B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4885—Wire-like parts or pins
    • H01L21/4889—Connection or disconnection of other leads to or from wire-like parts, e.g. wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48249—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
    • H01L2924/15159—Side view

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】品質を向上させることができる半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法を提供すること。【解決手段】半導体パッケージ１０は、半導体チップのハウジング部に一体成形された平板状の平板端子１と、平板端子１の貫通孔２を貫通する丸棒状の端子ピン２１と、を備える。平板端子１の一方の面１ａに、端子ピン２１を平板端子１の貫通孔２へ導くための樹脂ガイド部１１が設けられる。樹脂ガイド部１１は、半導体チップを収容するハウジング部の一部であり、平板端子１の貫通孔２に連続して１つの孔をなす貫通孔１２を有する。半導体パッケージ１０の組み立て時、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２を介して平板端子１の貫通孔２に端子ピン２１が挿入される。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の側壁と平板端子１の貫通孔２の側壁とは同じ斜度で連続する同一面であり、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２と平板端子１の貫通孔２との境界に段差は存在しない。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法に関する。
従来、半導体パッケージとして、半導体チップのハウジング部（収容部）となる樹脂成形品に一体成形されて一方の端部が外部に露出した平板状の平板端子と、平板端子と半導体チップの表面電極とを電気的に接続する丸棒状（円柱状）の端子ピンと、で半導体チップの出力信号を外部に引き出す金属配線を構成したセンサ装置が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。下記特許文献１では、端子ピンの一方の端部は、平板端子の他方の端部に形成された貫通孔に挿入されて平板端子にレーザー溶接されている。端子ピンの他方の端部は、半導体チップの表面電極にワイヤボンディングされている。
図２０は、従来の半導体パッケージの製造途中（組立途中）の状態を示す断面図である。図２０には、従来の半導体パッケージ１１０の金属配線を構成する平板端子１０１の貫通孔１０２付近を示す。図２０に示す従来の半導体パッケージ１１０は、半導体チップ（不図示）のハウジング部に一体成形された平板状の平板端子１０１を備える。平板端子１０１は、丸棒状の端子ピン１２１が貫通する貫通孔１０２を有する。平板端子１０１の貫通孔１０２の幅（直径）ｄ１０１は平板端子１０１の両面１０１ａ，１０１ｂ間にわたって略一様であり、端子ピン１２１の直径ｄ１２１よりも広い。
平板端子１０１の一方の面（以下、第１面とする）１０１ａには、平板端子１０１の貫通孔１０２に挿入する端子ピン１２１を平板端子１０１の貫通孔１０２へ導くための樹脂ガイド部１１１が設けられている。樹脂ガイド部１１１は、半導体チップのハウジング部の一部である。樹脂ガイド部１１１は、平板端子１０１の貫通孔１０２に連続して当該貫通孔１０２と同じ中心軸をもつ貫通孔１１２を有する。樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２は、端子ピン１２１の挿入口側（平板端子１０１から離れた側）で最も幅（直径）ｄ１１１が広く、端子ピン１２１を挿入しやすくなっている。
また、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２は、平板端子１０１に近づくにしたがって幅（直径）が狭くなっており、平板端子１０１との境界で最も幅ｄ１１２が狭いテーパー形状（円錐台形状）である。端子ピン１２１は、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２を介して、平板端子１０１の貫通孔１０２に挿入される。このとき、端子ピン１２１は、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２のテーパー状の側壁に接触し、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２の側壁に沿って平板端子１０１側へ誘導されて、平板端子１０１の貫通孔１０２の側壁に沿って平板端子１０１の貫通孔１０２に挿入される。
端子ピン１２１は、端部が平板端子１０１の他方の面（以下、第２面とする）１０１ｂに露出するか、または端部が平板端子１０１の第２面１０１ｂから突出するように平板端子１０１の貫通孔１０２を貫通する。端子ピン１２１は、平板端子１０１の貫通孔１０２を貫通した状態で、平板端子１０１の第２面１０１ｂ側からのレーザー照射により溶融されて平板端子１０１に溶接される。図２０には、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２への挿入時の端子ピン１２１を実線および符号１２１ａで示し、平板端子１０１の貫通孔１０２を貫通した状態の端子ピン１２１を破線および符号１２１ｂで示す。
特開２０１８－１３６２７７号公報
しかしながら、上述した特許文献１や図２０に示す従来構造では、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２の側壁と平板端子１０１の貫通孔１０２の側壁との間に段差１１３が生じる。当該段差１１３は、ハウジング部に平板端子１０１を一体成形する際に、平板端子１０１の位置ずれ防止のために、ハウジング部の樹脂成形用の金型（不図示）の、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２を成形する部分の幅（直径）を平板端子１０１の貫通孔１０２の幅（直径）ｄ１０１よりも広くして、平板端子１０１の貫通孔１０２の周囲１０１ｃを金型で支持した状態で当該金型に樹脂を流し込むことで生じる。
この段差１１３は、平板端子１０１の貫通孔１０２の側壁と樹脂ガイド部１１１側の面１０１ａとで形成される角部であり、樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２の内部に露出される。このため、端子ピン１２１が樹脂ガイド部１１１の貫通孔１１２の側壁に沿って平板端子１０１側へ誘導されて当該段差１１３に到達すると、金属部材同士（端子ピン１２１および平板端子１０１）が接触する。端子ピン１２１の材料は平板端子１０１の材料よりもやわらかいため、端子ピン１２１の端部コーナー部１２１ｃが当該段差１１３に引っかかって削り取られ、この削り取られた金属屑によって短絡不良が生じる虞がある。
本発明は、上述した従来技術による課題を解消するため、品質を向上させることができる半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる樹脂成形品は、次の特徴を有する。平坦な両面を有する平板状の平板端子に、前記平板端子の両面間を貫通する第１貫通孔が設けられている。前記第１貫通孔には、前記平板端子に接合される棒状の端子ピンを貫通される。樹脂を材料として前記平板端子の一方の面にガイド部が一体成形されている。前記ガイド部には、前記第１貫通孔と同じ中心軸を有し、前記ガイド部を貫通して前記第１貫通孔と連続する１つの孔をなす第２貫通孔が設けられている。前記孔は、前記第２貫通孔側の開放端から前記第１貫通孔側の開放端へ向かうにしたがって幅を狭くしたテーパー形状である。前記第２貫通孔の側壁と前記第１貫通孔の側壁とが同じ角度で連続する同一面である。
また、この発明にかかる樹脂成形品は、上述した発明において、前記第２貫通孔の側壁の角度は、０°以上３０°以下であることを特徴とする。
また、この発明にかかる樹脂成形品は、上述した発明において、前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔から離れた部分で、前記第１貫通孔に連続する部分よりも側壁の角度が大きくなっていることを特徴とする。
また、この発明にかかる樹脂成形品は、上述した発明において、前記第１貫通孔は、前記第２貫通孔から離れた部分で、前記第２貫通孔に連続する部分よりも幅が狭く、かつ幅が一様であることを特徴とする。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体パッケージは、上述した樹脂成形品を備えた半導体パッケージであって、半導体チップと、前記ガイド部と、前記端子ピンと、を備え、次の特徴を有する。前記収容部は、樹脂を材料として前記平板端子と一体成形された、前記半導体チップを収容する。前記ガイド部は、前記収容部の一部である。前記端子ピンは、前記第２貫通孔および前記第１貫通孔を貫通して前記平板端子の他方の面に露出する。前記端子ピンの一方の端部は、前記平板端子の他方の面で前記平板端子に接合されている。前記端子ピンの他方の端部は、前記半導体チップの電極に電気的に接続されている。
また、この発明にかかる半導体パッケージは、上述した発明において、前記端子ピンは、前記ガイド部から離れた部分で前記平板端子の前記第１貫通孔の側壁に接することを特徴とする。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる樹脂成形品の成形方法は、平坦な両面を有する平板状の平板端子と、前記平板端子の両面間を貫通する、前記平板端子に接合される棒状の端子ピンを貫通させるための第１貫通孔と、前記平板端子の一方の面に一体成形されたガイド部と、前記第１貫通孔と同じ中心軸を有し、前記ガイド部を貫通して前記第１貫通孔と連続する１つの孔をなす第２貫通孔と、を備えた樹脂成形品の成形方法であって、次の特徴を有する。第１金型によって他方の面が支持された前記平板端子の一方の面と、第２金型と、の間に前記ガイド部の外形と同じ外形の空間を形成する第１工程を行う。
前記空間に樹脂を流し込んで充填して固化し、前記平板端子の一方の面に一体成形された前記ガイド部を形成する第２工程を行う。前記第２金型は、前記ガイド部の前記第２貫通孔を成形する箇所に、前記平板端子の一方の面側に突出し、かつ前記平板端子に近づくにしたがって幅を狭くしたテーパー形状の突出部を有する。前記第１工程では、前記第２金型の前記突出部を前記平板端子の一方の面側から前記平板端子の前記第１貫通孔に挿入して前記第１貫通孔の開放端に圧接し、前記突出部で前記平板端子を支持するとともに、前記平板端子の前記第１貫通孔の、前記突出部で圧接した側壁の角度を前記突出部の側面と同じ角度にする。
また、この発明にかかる樹脂成形品の成形方法は、上述した発明において、前記突出部の側面の角度は、０°以上３０°以下であることを特徴とする。
上述した発明によれば、平板端子の貫通孔（第１貫通孔）の側壁と、平板端子の一方の面に密着するガイド部の貫通孔（第２貫通孔）の側壁と、が同じ斜度で連続する同一面であり、ガイド部の貫通孔と平板端子の貫通孔との境界に従来構造のような段差（図２０参照の符号１１３に相当）は存在しない。このため、ガイド部の貫通孔に挿入した端子ピンを、ガイド部と平板端子との境界で平板端子に引っかけることなく、ガイド部の貫通孔の側壁から平板端子の貫通孔の側壁に滑らかに移動させて、平板端子の貫通孔に挿入することができる。これによって、平板端子の貫通孔に端子ピンを挿入する際に、端子ピンの端部コーナー部が平板端子に削り取られて金属屑が生じたり、端子ピンの端部に金属ばりが生じることがなく、これら金属屑や金属ばりによる短絡不良等を防止することができる。
本発明にかかる半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法によれば、品質を向上させることができるという効果を奏する。
実施の形態にかかる半導体パッケージの製造途中（組立途中）の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体パッケージの製造途中（樹脂成形途中）の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体パッケージの製造途中（組立途中）の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体パッケージの製造途中（組立途中）の状態を示す断面図である。 実施の形態にかかる半導体パッケージを適用した物理量センサ装置の構成を示す断面図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。 従来の半導体パッケージの製造途中（組立途中）の状態を示す断面図である。
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の各実施の形態の説明において、他の実施の形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
（実施の形態）
図１，３，４は、実施の形態にかかる半導体パッケージの製造途中（組立途中）の状態を示す断面図である。図２は、実施の形態にかかる半導体パッケージの製造途中（樹脂成形途中）の状態を示す断面図である。図１に示す実施の形態にかかる半導体パッケージ１０は、半導体チップ（例えば後述する図５の圧力センサチップ６１に相当）のハウジング部（例えば後述する図５のインナーハウジング部５３に相当：樹脂成形品）に一体成形（インサート成形）された平板状の平板端子１（例えば後述する図５のコネクタピン８１に相当）と、平板端子１の貫通孔（第１貫通孔）２を貫通する丸棒状の端子ピン２１（例えば後述する図５のリードピン６５に相当）と、を備える。
平板端子１は、半導体チップの出力信号を外部に引き出す金属配線である。平板端子１は、例えばリン（Ｐ）および銅（Ｃｕ）を含む金属部材であり、少なくとも後述する貫通孔２が形成された部分に平坦な両面１ａ，１ｂを有する。平板端子１の表面は、例えば錫（Ｓｎ）めっき処理されていてもよい。平板端子１は、両面１ａ，１ｂ間を貫通する貫通孔２を有する。平板端子１の貫通孔２には、半導体パッケージ１０の組み立て時に、樹脂ガイド部１１の貫通孔（第２貫通孔）１２を介して挿入された端子ピン２１（後述する図５の第１リードピン６５ａに相当）が貫通する。符号Ｚは、端子ピン２１の挿入方向である。図１～４には、平板端子１の貫通孔２付近を拡大して示す。
平板端子１の貫通孔２は、端子ピン２１の挿入口側（後述する樹脂ガイド部１１側）の第１部分２ａで他の第２部分（第１部分２ａを除く部分）２ｂよりも幅（直径）ｄ１が広くなっている。平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａは、後述する下部金型３２（図２参照）の突出部３３が押し付けられることで生じた圧接痕である。平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａは、下部金型３２の突出部３３の側面と同じ斜度を有し、端子ピン２１の挿入口側から貫通孔２の内部へ進むにしたがって幅が狭くなる略テーパー状（円錐台形状）になっている。
平板端子１の貫通孔２の、端子ピン２１の挿入口から離れた第２部分２ｂの幅（直径）ｄ２は略一様であり、かつ端子ピン２１の直径ｄ２１と略同じ幅か、または端子ピン２１の直径ｄ２１よりも若干大きい寸法となっている。略同じ幅とは、プロセスのばらつきによる許容誤差を含む範囲で同じ幅であることを意味する。平板端子１の貫通孔２の第２部分２ｂには、平板端子１の貫通孔２を貫通する端子ピン２１が接触する。平板端子１の貫通孔２の第２部分２ｂの幅ｄ２は、端子ピン２１を挿入可能な幅で可能な限り狭いことがよい。
端子ピン２１は、平板端子１と半導体チップの電極とを電気的に接続する。端子ピン２１は、例えば鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）合金を含む金属部材である。端子ピン２１の表面はニッケルめっき処理されていてもよい。平板端子１の一方の面（第１面）１ａには、端子ピン２１を平板端子１の貫通孔２へ導くための樹脂ガイド部１１が設けられている。樹脂ガイド部１１は、半導体チップを収容するハウジング部（収容部）の一部であり、ハウジング部の樹脂成形時に一体成形された平板端子１の第１面１ａに密着している。樹脂ガイド部１１は、平板端子１の貫通孔２に連続して当該貫通孔２と同じ中心軸をもつ貫通孔１２を有する。
樹脂ガイド部１１の貫通孔１２は、端子ピン２１の挿入口側（平板端子１から離れた側）で最も幅（直径）ｄ１１が広く、端子ピン２１を挿入しやすくなっている。また、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の側壁は、端子ピン２１の挿入口側の第１部分１２ａで平板端子１側の第２部分１２ｂよりも、平板端子１の貫通孔２の第２部分２ｂの側壁（平板端子１の面１ａ，１ｂに対して略垂直）に対する傾斜角度が大きくなっている。具体的には、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａは、端子ピン２１の挿入口から樹脂ガイド部１１の所定厚さまでの部分であり、端子ピン２１の挿入口から平板端子１に近づくにしたがって幅が狭くなるテーパー形状（円錐台形状）である。
樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂは、樹脂ガイド部１１の所定厚さの位置（第１，２部分１２ａ，１２ｂの境界）から樹脂ガイド部１１と平板端子１との境界までの部分（樹脂ガイド部１１の残り厚さの部分）である。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂは、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１，２部分１２ａ，１２ｂの境界から平板端子１に近づくにしたがって幅が狭くなるテーパー形状である。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁は、平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁と同じ斜度で、平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁に連続する。
樹脂ガイド部１１と平板端子１との境界で樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の幅ｄ１３と平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの幅ｄ１とは等しく、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２に平板端子１の第１面１ａは露出されない。このため、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２と平板端子１の貫通孔２との境界に従来構造のような段差１１３（図２０参照）は存在しない。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の幅（端子ピン２１の挿入口の幅ｄ１１、第１，２部分１２ａ，１２ｂの境界における幅ｄ１２、樹脂ガイド部１１と平板端子１との境界における幅ｄ１３）は、平板端子１の貫通孔２の第２部分２ｂの幅ｄ２よりも広い。
樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度（斜度）θ２は、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａの側壁の角度（斜度）θ１よりも小さく、かつ例えば３０°以下程度であることがよい。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａの側壁の角度θ１とは、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａの側壁（円錐台の側壁）の稜線の延長線のなす角度（円錐の頂角）である。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度θ２とは、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の稜線の延長線のなす角度である。
樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度θ２は０°（すなわち平板端子１の面１ａ，１ｂに垂直）であってもよい。この場合、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂおよび平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａは、端子ピン２１の挿入方向Ｚに幅が略一様な円筒状である。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１，２部分１２ａ，１２ｂの境界にこれらの側壁の角度θ１，θ２の違いによって貫通孔１２内に突出する角部が成形されたとしても、端子ピン２１は樹脂ガイド部１１よりも硬いため、当該樹脂による角部で端子ピン２１の端部コーナー部２１ｃが削り取られることはない。
また、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度θ２が０°であっても、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａが端子ピン２１の挿入口から平板端子１に近づくにしたがって幅が狭くなるテーパー形状であるため、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２に端子ピン２１を挿入しやすくすることができる。樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁に連続して、平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁の角度も０°となるため樹脂ガイド部１１の貫通孔１２と平板端子１の貫通孔２との境界に従来構造のような段差が存在しない。
また、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度θ２を上記上限値以下とすることがよい理由は、次の通りである。図２に示すように、半導体パッケージ１０のハウジング部は、金型（第１，２金型）３１，３２間の所定位置に当該金型３１，３２によって平板端子１を支持して固定した状態で、当該金型３１，３２間に形成される空間に樹脂を流し込んで冷却して固化することで樹脂成形される。図２には、金型３１，３２の、平板端子１の貫通孔２付近の形状のみを示すが、金型３１，３２間に形成される空間の外形は所定のハウジング部の全体の外形（図７、図８（１）、図８（２）参照）と同じである。
２つの金型３１，３２のうち、一方の金型（以下、上部金型とする）３１は、平板端子１の他方の面（第２面）１ｂの一部に当接して平板端子１を支持する。平板端子１の第２面１ｂの上部金型３１が当接する部分は、ハウジング部完成時に平板端子１が露出される部分である。他方の金型（以下、下部金型とする）３２は、平板端子１側（上方）へ凸状に突出した、平板端子１の貫通孔２の外形と同じ外形の突出部３３を有する。下部金型３２の突出部３３は、上部を平板端子１の第１面１ａ側から平板端子１の貫通孔２に挿入され、平板端子１の貫通孔２の開放端に圧接される。下部金型３２の突出部３３は、平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁に当接して平板端子１を支持する。
下部金型３２の突出部３３は、コーナー部が面取りされた頂点部である第１部分３３ａと、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２，１部分１２ｂ，１２ａをそれぞれ成形する第２，３部分３３ｂ，３３ｃと、で構成されている。下部金型３２の突出部３３の第１部分３３ａは、コーナー部が面取りされて平板端子１の貫通孔２に挿入されやすくなっている。下部金型３２の突出部３３の第３部分３３ｃは、下部金型３２の台座部３３ｄとの連結部であり、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａと同じテーパー形状をなす。すなわち、下部金型３２の突出部３３の第３部分３３ｃは、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第１部分１２ａと同じ角度θ１の側面を有する。
下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂは、下部金型３２の突出部３３の第１，２部分３３ａ，３３ｃ間の部分であり、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂと同じテーパー形状をなす。すなわち、下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂは、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂと同じ角度θ２の側面を有する。下部金型３２の突出部３３の第１部分３３ａから第２部分３３ｂの上部（第１部分３３ａとの境界付近の部分）までが平板端子１の貫通孔２に挿入される。下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂの上部は、平板端子１の貫通孔２の開放端で平板端子１の貫通孔２の側壁に圧接される。当該圧接された部分において平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁が下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂの側面と同じ角度θ２で傾斜する。
下部金型３２の突出部３３に圧接された平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの幅ｄ１は、平板端子１の貫通孔２の第２部分２ｂの幅ｄ２よりも広くなる。上部金型３１と下部金型３２との間に形成される空間の外形は、下部金型３２の突出部３３の当たり代ｄ３２を予め算出して最適化する。下部金型３２の突出部３３の当たり代ｄ３２とは、下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂが平板端子１の貫通孔２の側壁に接する幅であり、平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの厚さである。このように平板端子１を固定した状態で上部金型３１と下部金型３２とを合わせることで、上部金型３１と下部金型３２との間にハウジング部の外形と同じ外形の空間が形成され、平板端子１の第１面１ａと下部金型３２との間に樹脂ガイド部１１の外形と同じ外形の空間が形成される（第１工程）。金型３１，３２間の空間に樹脂を流し込んで充填し固化することで、ハウジング部（樹脂ガイド部１１を含む）に平板端子１が一体成形される（第２工程）。
下部金型３２の突出部３３の当たり代ｄ３２とは、下部金型３２の突出部３３を平板端子１の貫通孔２に挿入したときに、下部金型３２の突出部３３の側面と、平板端子１の貫通孔２の側壁と、の接触部（下部金型３２の突出部３３による平板端子１の貫通孔２の側壁の圧接部）の縦方向（下部金型３２の突出部３３の挿入方向）の長さである。下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂが平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁に圧接されていることで、平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁と、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁と、が同じ傾斜で連続する同一面となる。
樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度θ２を大きくするほど、下部金型３２の突出部３３の第２部分３３ｂの上部の幅ｄ３１が広くなる。このため、下部金型３２の突出部３３によって圧接されて変形する、平板端子１の貫通孔１２の第１部分１２ａの変形量が大きくなる。この平板端子１の貫通孔１２の第１部分１２ａの変形した部分が第２部分２ｂへ移動するため、変形量が大きいほど平板端子１の貫通孔２の第２部分２ｂの幅ｄ２が狭くなる。したがって、上述したように樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁の角度θ２は３０°以下程度であることがよい。
端子ピン２１は、半導体パッケージ１０の組み立て時に、樹脂ガイド部１１の貫通孔１２に挿入され、当該貫通孔１２の第２部分１２ｂのテーパー状の側壁に接触し（図３参照）、当該貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁に沿って平板端子１側へ誘導される（図４参照）。図３，４では、端子ピン２１の端部コーナー部２１ｃと貫通孔１２，２の側壁との接触箇所３を破線の円で囲む。上述したように樹脂ガイド部１１の貫通孔１２と平板端子１の貫通孔２との境界に段差がないため、端子ピン２１の端部コーナー部２１ｃを樹脂ガイド部１１の貫通孔１２と平板端子１の貫通孔２との境界で平板端子１に引っかけることなく、端子ピン２１を樹脂ガイド部１１の貫通孔１２から平板端子１の貫通孔２へ移動させることができる。
端子ピン２１は、平板端子１の貫通孔２を貫通するまで挿入され、端部が平板端子１の第２面１ｂに露出するか、または平板端子１の第２面１ｂから突出するまで挿入される。これにより、端子ピン２１と平板端子１の第２部分２ｂの側壁とが接触した状態か、または端子ピン２１と平板端子１の第２部分２ｂの側壁との間に若干隙間が生じた状態となる。端子ピン２１は、平板端子１の貫通孔２を貫通した状態で、平板端子１の第２面１ｂ側からのレーザー照射により溶融されて平板端子１に溶接される。平板端子１の貫通孔２に沿ってレーザー照射して、端子ピン２１の側面と平板端子１の第２部分２ｂの側壁とが溶接されてもよい。
実施の形態にかかる半導体パッケージ１０を適用した物理量センサ装置の構成について、圧力センサ装置を例に説明する。図５は、実施の形態にかかる半導体パッケージを適用した物理量センサ装置の構成を示す断面図である。図５に示す物理量センサ装置５０は、センサエレメント５１、ネジ部５２、インナーハウジング部５３およびソケットハウジング部（コネクタハウジング部）５４を備える。本実施の形態では、センサエレメントの信号を外部に伝達するためのインタフェースとなるソケット部が、インナーハウジング部５３と、ソケットハウジング部５４との２つに分離する構成とする。
センサエレメント５１は、収納箱６０、圧力センサチップ（半導体チップ）６１、台座部材６２、およびダイアフラム６３を備える。なお、図５には、後述する図１５（２）に示す切断線Ｂ－Ｂ’における半導体パッケージ１０の断面構造を示している。収納箱６０は、例えばステンレス鋼材（ＳＵＳ）などの金属でできている。圧力センサチップ６１、台座部材６２およびダイアフラム６３は、収納箱６０の凹部６０ａに収納されている。圧力センサチップ６１は、例えば、ダイアフラムと、４つのゲージ抵抗（不図示）と、パッド部（不図示）と、を有する。
圧力センサチップ６１には、上記ゲージ抵抗によって構成されるホイートストーンブリッジ回路などの圧力センサ素子や、制御回路、サージ保護素子、フィルタなどが形成されている。制御回路とは、圧力センサ素子の出力信号の増幅や感度補正、オフセット補正を行う回路、およびこれらの回路の温度特性補正を行う回路などである。圧力センサチップ６１のダイアフラムは、圧力センサチップ６１の第１主面（図５の上面）から凹加工して形成された受圧部である。圧力センサチップ６１のゲージ抵抗およびパッド部は、圧力センサチップ６１の第２主面（図５の下面）に形成されている。
圧力センサチップ６１のゲージ抵抗は、ダイアフラムで受けた圧力により発生する歪を抵抗値に変換する。圧力センサチップ６１のパッド部に設けられた各電極は、それぞれ、ボンディングワイヤ６４により後述する各リードピン６５に接続されている。パッド部に設けられた各電極は、金属などの配線（図示省略）によって各制御回路に接続されている。すなわち、各リードピン６５は、ボンディングワイヤ６４およびパッド部に設けられた各電極を介して各制御回路に接続されている。パッド部および制御回路は、圧力センサチップ６１の第２主面のうち、ダイアフラム以外の部分に配置される。
圧力センサチップ６１の第１主面は、収納箱６０の凹部６０ａの底面に台座部材６２を介して固着されている。台座部材６２は、例えばガラス材料などでできている。台座部材６２と圧力センサチップ６１とは、静電接合によって接合されている。台座部材６２と収納箱６０とは、接着剤（不図示）によって接着されている。圧力センサチップ６１の第２主面上の各電極は、それぞれ、ボンディングワイヤ６４により後述する異なるリードピン６５に接続されている。複数のリードピン６５は、センサエレメント５１の信号を取り出すための端子ピンであり、すべて同じ長さである。
各リードピン６５は、それぞれ、収納箱６０の異なる貫通孔６０ｂを通って収納箱６０を貫通し、当該貫通孔６０ｂを塞ぐ例えばガラスなどの絶縁性部材６６により収納箱６０に固定されている。リードピン６５の一方の端部（以下、下端部とする）は、収納箱６０の凹部６０ａから下方（ネジ部５２側）に突出し、圧力センサチップ６１の第２主面上のパッド部に設けられた各電極にボンディングワイヤ６４により接続されている。リードピン６５の他方の端部（以下、上端部とする）は、収納箱６０の凹部６０ａ側に対して反対側から上方（ソケットハウジング部５４側）に突出している。
具体的には、複数のリードピン６５のうち、電源端子、グランド端子および出力端子である各リードピン（以下、第１リードピンとする）６５ａの下端部は、それぞれ圧力センサ素子の各電極に電気的に接続される。第１リードピン６５ａの上端部は、インナーハウジング部５３の貫通孔５３ｂを貫通する。複数のリードピン６５のうち、残りのリードピン（以下、第２リードピンとする）１５ｂの下端部は、それぞれ所定の制御回路の各電極に接続される。第２リードピン６５ｂは、物理量センサ装置５０の組み立て途中に特性調整・トリミングを行うために用いられ、特性調整・トリミング後には用いられない。
リードピン６５は、例えば、４２アロイ（４２Ａｌｌｏｙ）で形成されているか、またはニッケル（Ｎｉ）を５０ｗｔ％程度含み、かつ残りの割合で鉄（Ｆｅ）を含む鉄ニッケル合金（５０Ｎｉ－Ｆｅ）などの金属で形成されている。収納箱６０の凹部６０ａ側に対して反対側には、凹み部７７が設けられている。凹み部７７は、収納箱６０の貫通孔６０ｂの内部の絶縁性部材６６に応力が集中するのを抑制する機能を有する。ネジ部５２は、例えばＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ：ステンレス鋼材）などの金属でできている。
ネジ部５２の中心には、縦方向（リードピン６５の軸方向）に被圧力測定気体である空気や被圧力測定液体である油（オイル）等の被測定媒体が通る貫通孔（導入孔）７３が設けられている。ネジ部５２の一方の開放端における貫通孔７３の開口部が圧力導入口７４である。ネジ部５２の他方の開放端における貫通孔７３の開口部７５と収納箱６０の凹部６０ａとが対向するように、ネジ部５２の他方の開放端に設けられた台座部７１上に、ダイアフラム６３を挟んで収納箱６０が載置されている。ネジ部５２の台座部７１、ダイアフラム６３および収納箱６０の積層箇所の周囲は、レーザー溶接により接合されている。
ダイアフラム６３は、波打った薄い金属板であり、例えばＳＵＳなどの金属でできている。ダイアフラム６３は、収納箱６０の凹部６０ａの開口部、および、ネジ部５２の他方の開放端を塞ぐように配置される。収納箱６０の凹部６０ａとダイアフラム６３とに囲まれた空間には、圧力センサチップ６１に圧力を伝達するシリコンオイルなどの液体（圧力媒体）７０が充填されている。ネジ部５２の台座部７１、ダイアフラム６３および収納箱６０の積層箇所（接合部）の周囲の符号７２は、ネジ部５２の台座部７１と収納箱６０との溶接部である。符号７６は、オーリングである。
インナーハウジング部５３は、コネクタピン８１と一体成形された樹脂部材であり、センサエレメント５１の上方および周囲を囲む略凹部状をなす。インナーハウジング部５３は、収納箱６０の凹部６０ａ側に対して反対側の外周部に接着剤７８により接着されている。収納箱６０とインナーハウジング部５３との接触面のほぼ全面に接着剤７８が介在する。インナーハウジング部５３の凹部５３ｅには、第２リードピン６５ｂを収容可能な深さの溝が設けられている。当該溝の開口形状（第２リードピン６５ｂの挿入口）は、後述する貫通孔５３ｂと同じである。
インナーハウジング部５３の、センサエレメント５１の上方を覆う部分（以下、上部とする）５３ａには、第１リードピン６５ａを貫通させるための貫通孔５３ｂが設けられている。インナーハウジング部５３の上部５３ａは図１の樹脂ガイド部１１に相当し、貫通孔５３ｂは図１の樹脂ガイド部１１の貫通孔１２に相当する。インナーハウジング部５３の上部５３ａには、コネクタピン８１が一体成形されている。コネクタピン８１は図１の平板端子１に相当し、インナーハウジング部５３の上部５３ａに一体化された水平部８１ａ（後述する図６参照）に平坦な両面（図１の面１ａ，１ｂに相当）を有する。
コネクタピン８１は、物理量センサ装置５０と外部との信号のやり取りを行う信号端子である。コネクタピン８１の水平部８１ａは、インナーハウジング部５３の貫通孔５３ｂに接続する貫通孔８１ｃを備える。コネクタピン８１の貫通孔８１ｃは、図１の図１の平板端子１の貫通孔２に相当する。コネクタピン８１の構成については後述する（図６～８参照）。コネクタピン８１は、例えば燐青銅（銅（Ｃｕ）に錫（Ｓｎ）を含む合金）、４２アロイや５０Ｎｉ－Ｆｅなどの金属でできており、レーザー溶接によりコネクタピン８１とリードピン６５とが互いに溶け合うように接合される。
ソケットハウジング部５４は、コネクタピン８１の垂直部８１ｂ（後述する図６参照）を収容した、外部配線との接続部である。ソケットハウジング部５４は、コネクタピン８１の垂直部８１ｂの周囲を囲む例えば略筒状をなす。例えば、コネクタピン８１は、ソケットハウジング部５４の底部５４ｂの貫通孔５４ｃを貫通して、ソケットハウジング部５４に囲まれた空間５５に突出している。ソケットハウジング部５４は、インナーハウジング部５３の上部５３ａの上面の外周部に接着剤（不図示）で接着されている。インナーハウジング部５３とソケットハウジング部５４との接触面のほぼ全面に接着剤が介在する。
上述した構成の物理量センサ装置５０では、圧力導入口７４から圧力媒体が導入され、圧力センサチップ６１のダイアフラムで圧力を受けると、ダイアフラムが変形する。そして、圧力センサチップ６１のダイアフラム上のゲージ抵抗の抵抗値が変化し、それに応じた電圧信号が発生する。その電圧信号は、感度補正回路やオフセット補正回路や温度特性補正回路などの調整回路によって調整された増幅回路により増幅され、圧力センサチップ６１から出力される。そして、圧力センサチップ６１の出力信号は、ボンディングワイヤ６４、第１リードピン６５ａおよびコネクタピン８１を介して外部へ出力される。
次に、図５に示す物理量センサ装置５０の製造方法（組立方法）について説明する。図６～１９は、図５の物理量センサ装置の製造途中（組立途中）の状態を示す説明図である。図６は、インナーハウジング部５３を省いたコネクタピン８１のみを示している。図６（１），図６（３）には、それぞれ、コネクタピン８１を、コネクタピン８１の水平部８１ａの上面（図１の平板端子１の面１ａ，１ｂに相当）に平行で互いに直交する方向から見た状態を示す。図６（２）には、コネクタピン８１の水平部８１ａを、当該水平部８１ａの上面側から見た状態を示す。
まず、コネクタピン８１の構成について図６～８を参照して説明する。物理量センサ装置５０は、少なくとも３つのコネクタピン８１を有する。複数のコネクタピン８１のうち、１つのコネクタピン８１は、電源電圧を供給するための電源信号を供給する信号端子ピンであり、電源端子である第１リードピン６５ａと接続される。もう１つのコネクタピン８１は、センサ信号を取り出すための信号端子ピンであり、出力端子である第１リードピン６５ａと接続される。もう１つのコネクタピン８１は、グランド（接地）のための信号端子ピンであり、グランド端子である第１リードピン６５ａと接続される。
コネクタピン８１は、インナーハウジング部５３の上部５３ａに埋め込まれる水平部８１ａと、当該水平部８１ａに連結され、当該水平部８１ａと直交する垂直部８１ｂと、からなる略Ｌ字状の断面形状を有する。すべてのコネクタピン８１は、互いに電気的に絶縁された状態で一体化されていてもよい。インナーハウジング部５３の成形時、すべてのコネクタピン８１が、インナーハウジング部５３の成形用の金型（図２の金型３１，３２に相当）内の所定位置に固定される。この金型に樹脂材料を流し込むことにより、インナーハウジング部５３にコネクタピン８１が一体成形（インサート成形）される。
コネクタピン８１の水平部８１ａは、インナーハウジング部５３の上部５３ａに埋め込まれる。コネクタピン８１の水平部８１ａの貫通孔８１ｃおよび当該貫通孔８１ｃの周囲は、インナーハウジング部５３の上部５３ａから露出される。コネクタピン８１の垂直部８１ｂは、インナーハウジング部５３の上部５３ａから上方に突出して露出されている。図７，８には、それぞれ、コネクタピン８１を一体成形したインナーハウジング部５３の断面構造および外観を示す。インナーハウジング部５３には、ソケットハウジング部５４との接合面に嵌合する凹５３ｃが設けられている（図７、図８（１）、図８（２））。
インナーハウジング部５３の上部５３ａの貫通孔５３ｂ（図８（２））は、コネクタピン８１の貫通孔８１ｃ（図６参照）と同じ中心軸を有し、コネクタピン８１の貫通孔８１ｃと連続して１つの貫通孔をなす。このため、インナーハウジング部５３の、ソケットハウジング部５４側から見たおもて面の貫通孔５３ｂは、コネクタピン８１の貫通孔８１ｃと一体化されている。後述する図１５に示すようにインナーハウジング部５３の、収納箱６０側から見た裏面の貫通孔５３ｂは樹脂成形された貫通孔であり、図１の樹脂ガイド部１１の貫通孔１２に相当する。
次に、リードピン６５の取り付けから圧力媒体の注入・封止までの工程について、図９～１４を参照して説明する。ここでは、略円形状の平面形状を有する収納箱６０の外周に沿って貫通孔６０ｂが設けられた場合を例に説明する。収納箱６０の複数の孔のうち、１つの孔は圧力媒体であるオイルを注入するための注入孔６０ｃであり、残りの孔がリードピン６５を貫通させる貫通孔６０ｂである。図９に示すように、収納箱６０の各貫通孔６０ｂにそれぞれリードピン６５を貫通させた後、各貫通孔６０ｂにガラスなどの絶縁性部材６６を流し込んでリードピン６５と収納箱６０とを接合（気密封止）する。
次に、収納箱６０の凹部６０ａの底面の、貫通孔６０ｂが設けられていない例えば中心に接着剤９１を塗布する。次に、図１０に示すように、収納箱６０の凹部６０ａの底面の接着剤９１上に、圧力センサチップ６１を搭載して接着する。次に、図１１に示すように、圧力センサチップ６１の各電極とリードピン６５とをボンディングワイヤ６４により電気的に接続する。次に、図１２に示すように、ネジ部５２の台座部７１上に、ダイアフラム６３を挟んで、凹部６０ａ側が下（ネジ部５２側）になるように収納箱６０を載置し、これらの部材の積層部分を例えばレーザーシーム溶接により接合する。
次に、図１３に示すように、真空雰囲気下で、収納箱６０の注入孔６０ｃから収納箱６０の凹部６０ａとダイアフラム６３とに囲まれた空間にシリコンオイルなどの液体７０を注入する。次に、図１４に示すように、収納箱６０の注入孔６０ｃに例えばＳＵＳなどの金属でできた金属球９２を押し当てて、金属球９２に電圧を加える。これにより、収納箱６０の注入孔６０ｃの開口部に金属球９２が溶接され（抵抗溶接）、収納箱６０の凹部６０ａとダイアフラム６３とに囲まれた空間に液体７０が封止される。次に、一般的な方法により、センサエレメント５１の特性調整・トリミングを行う。
次に、図１５～１７を用いて、インナーハウジング部５３と収納箱６０とを接着する工程について説明する。図１５（１）には、コネクタピン８１を一体成形したインナーハウジング部５３の上部５３ａの上面（コネクタピン８１が露出されている面）に対して反対側の下面側から見た状態を示す。図１５（２）には、ネジ部５２の台座部７１上に溶接された収納箱６０を収納箱６０側から見た状態（リードピン６５が露出している面）を示す。図１５に示すように、インナーハウジング部５３の上部５３ａには、複数（ここでは３つ）の貫通孔５３ｂと、複数（ここでは５つ）の溝５３ｄとが設けられている。
図１６に示すように、収納箱６０の凹部６０ａ側に対して反対側の外周部に接着剤７８（図５参照）を塗布して、収納箱６０上に接着剤７８を介してインナーハウジング部５３を接着する。このとき、第１リードピン６５ａを、インナーハウジング部５３の上部５３ａの貫通孔５３ｂに下面側から挿入して、インナーハウジング部５３の上部５３ａの貫通孔５３ｂを介してコネクタピン８１の貫通孔８１ｃに貫通させる。第１リードピン６５ａは、インナーハウジング部５３の上部５３ａの上面に露出するコネクタピン８１の貫通孔８１ｃでコネクタピン８１と接触する。
また、第２リードピン６５ｂをインナーハウジング部５３の溝５３ｄに嵌め込んで、インナーハウジング部５３の縦方向の位置を固定する。例えば、熱硬化の接着剤７８を用いた場合、接着剤７８が硬化するまでに、接着剤７８を介して密着させたインナーハウジング部５３と収納箱６０とを高温状態で放置すればよい。この際、第２リードピン６５ｂがインナーハウジング部５３の上部５３ａの溝５３ｄに嵌め込まれていることで、接着剤７８の熱硬化時のインナーハウジング部５３の浮き上がりを防止することができるため、インナーハウジング部５３と収納箱６０とを押さえ込まなくてもよい。
また、インナーハウジング部５３の上部５３ａの貫通孔５３ｂの側壁（図１の樹脂ガイド部１１の貫通孔１２の第２部分１２ｂの側壁に相当）と、コネクタピン８１の貫通孔８１ｃの側壁（図１の平板端子１の貫通孔２の第１部分２ａの側壁に相当）と、は同じ所定角度（図１の符号θ２に相当）の傾斜で連続する同一面であり、これらの貫通孔５３ｂ，８１ｃ間の境界に従来構造のような段差１１３（図２０参照）は存在しない。このため、インナーハウジング部５３とコネクタピン８１との境界でコネクタピン８１に第１リードピン６５ａの端部コーナー部が引っかかって削り取られることを防止することができる。
この段階では、コネクタピン８１の周囲を覆うソケットハウジング部５４がインナーハウジング部５３と接合されていない。図１６には、接着した後のインナーハウジング部５３と収納箱６０との断面を示す。断面は図１５（２）に示した切断線Ａ－Ａ’の位置の断面である。なお、図１６では、ネジ部５２や圧力センサチップ６１などを省略してある。次に、図１７に示すように、インナーハウジング部５３の貫通孔５３ｂに上方から所定の入射角でレーザー光９３を照射し、第１リードピン６５ａの上端部とコネクタピン８１の水平部８１ａとの接触部を溶接（接合）する。
次に、ソケットハウジング部５４について図１８を参照して説明する。図１８の（１）、（２）には、それぞれソケットハウジング部５４の斜視図および断面図を示す。ソケットハウジング部５４は、インナーハウジング部５３と接合する面にインナーハウジング部５３の凹５３ｃと嵌合する凸５４ａを有し、インナーハウジング部５３と接合されて内部にコネクタピン８１の垂直部８１ｂを収容する。ソケットハウジング部５４は、内部が凹部になっており、当該凹部の底部５４ｂに複数の貫通孔５４ｃを有する。ソケットハウジング部５４の各貫通孔５４ｃには、それぞれ異なるコネクタピン８１が貫通される。
次に、ソケットハウジング部５４とインナーハウジング部５３とを接合する工程について図１９を参照して説明する。図１９に示すように、接着剤によりソケットハウジング部５４とインナーハウジング部５３とを接合する。これにより、コネクタピン８１の周囲を囲むように、インナーハウジング部５３の上部５３ａの上面にソケットハウジング部５４が接合される。このとき、ソケットハウジング部５４の各貫通孔５４ｃには、それぞれ異なるコネクタピン８１が貫通される。その後、ネジ部５２の台座部７１の下面にオーリング７６（図５）を装着することで、図５に示す物理量センサ装置５０が完成する。
以上、説明したように、本実施の形態によれば、平板端子の貫通孔の側壁と、平板端子の一方の面に密着する樹脂ガイド部の貫通孔の側壁と、が同じ斜度で連続する同一面であり、樹脂ガイド部の貫通孔と平板端子の貫通孔との境界に従来構造のような段差（図２０参照の符号１１３に相当）は存在しない。このため、樹脂ガイド部の貫通孔に挿入した端子ピンを、樹脂ガイド部と平板端子との境界で平板端子に引っかけることなく、樹脂ガイド部の貫通孔の側壁から平板端子の貫通孔の側壁に滑らかに移動させて、平板端子の貫通孔に挿入することができる。
これによって、平板端子の貫通孔に端子ピンを挿入する際に、端子ピンの端部コーナー部が平板端子に削り取られて金属屑が生じたり、端子ピンの端部に金属ばりが生じることがなく、これら金属屑や金属ばりによる短絡不良等を防止することができる。これにより、製品（半導体パッケージ）品質を向上させることができる。また、実施の形態によれば、ハウジング部を成形するための金型の同一面（下部金型の突出部の側面）で、平板端子の貫通孔の側壁と、平板端子の一方の面に密着する樹脂ガイド部の貫通孔の側壁と、を同じ斜度の同一面にすることができるため、樹脂ガイド部の成形が容易である。
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、本発明は、平坦な両面間を貫通する貫通孔を有する平板端子と、当該平板端子の貫通孔を貫通して当該平板端子に溶接される端子ピンと、で構成された金属部材を備えた様々な構成の半導体パッケージに適用可能である。また、半導体パッケージのハウジング部の形状および外観は、半導体パッケージの用途に応じて種々変更される。半導体パッケージのハウジング部は、ソケットハウジング部とインナーハウジング部とに分割されていなくてもよい。
以上のように、本発明にかかる半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法は、平板端子と、当該平板端子の貫通孔を貫通して当該平板端子に接合される端子ピンと、備えた半導体パッケージに有用であり、特に物理センサ装置に適している。
１ 平板端子
１ａ 平板端子の第１面
１ｂ 平板端子の第２面
２ 平板端子の貫通孔
２ａ 平板端子の貫通孔の第１部分
２ｂ 平板端子の貫通孔の第２部分
１０ 半導体パッケージ
１１ 樹脂ガイド部
１２ 樹脂ガイド部の貫通孔
１２ａ 樹脂ガイド部の貫通孔の第１部分
１２ｂ 樹脂ガイド部の貫通孔の第２部分
２１ 端子ピン
３１ 上部金型
３２ 下部金型
３３ 下部金型の突出部
３３ａ 下部金型の突出部の第１部分
３３ｂ 下部金型の突出部の第２部分
３３ｃ 下部金型の突出部の第３部分
３３ｄ 下部金型の台座部
５０ 物理量センサ装置
５１ センサエレメント
５２ ネジ部（被測定媒体導入部）
５３ インナーハウジング部
５３ａ インナーハウジング部の上部
５３ｂ インナーハウジング部の上部の貫通孔
５３ｃ インナーハウジング部の上部の外周部の凹凸
５３ｄ インナーハウジング部の上部の溝
５３ｅ インナーハウジング部の凹部
５４ ソケットハウジング部
５４ａ ソケットハウジング部の下端部の凹凸
５４ｂ ソケットハウジング部の底部
５４ｃ ソケットハウジング部の底部の貫通孔
５５ ソケットハウジング部に囲まれた空間
６０ 収納箱
６０ａ 収納箱の凹部
６０ｂ 収納箱の貫通孔
６０ｃ 収納箱の注入孔
６１ 圧力センサチップ
６２ 台座部材
６３ ダイアフラム
６４ ボンディングワイヤ
６５，６５ａ，６５ｂ リードピン
６６ 絶縁性部材
７０ 液体
７１ ネジ部の台座部
７２ ネジ部の台座部と収納箱との溶接部
７３ ネジ部の貫通孔
７４ ネジ部の一方の開放端の圧力導入口（導入孔）
７５ ネジ部の他方の開放端の開口部
７６ オーリング
７７ 収納箱の凹み部
７８，９１ 接着剤
８１ コネクタピン
８１ａ コネクタピンの水平部
８１ｂ コネクタピンの垂直部
８１ｃ コネクタピンの貫通孔
９２ 金属球
９３ レーザー光

Claims (8)

  1. 平坦な両面を有する平板状の平板端子と、
    前記平板端子の両面間を貫通する、前記平板端子に接合される棒状の端子ピンを貫通させるための第１貫通孔と、
    樹脂を材料として前記平板端子の一方の面に一体成形されたガイド部と、
    前記第１貫通孔と同じ中心軸を有し、前記ガイド部を貫通して前記第１貫通孔と連続する１つの孔をなす第２貫通孔と、
    を備え、
    前記孔は、前記第２貫通孔側の開放端から前記第１貫通孔側の開放端へ向かうにしたがって幅を狭くしたテーパー形状であり、
    前記第２貫通孔の側壁と前記第１貫通孔の側壁とが同じ角度で連続する同一面であることを特徴とする樹脂成形品。
  2. 前記第２貫通孔の側壁の角度は、０°以上３０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂成形品。
  3. 前記第２貫通孔は、前記第１貫通孔から離れた部分で、前記第１貫通孔に連続する部分よりも側壁の角度が大きくなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂成形品。
  4. 前記第１貫通孔は、前記第２貫通孔から離れた部分で、前記第２貫通孔に連続する部分よりも幅が狭く、かつ幅が一様であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載の樹脂成形品。
  5. 請求項１～４のいずれか一つに記載の樹脂成形品を備えた半導体パッケージであって、
    半導体チップと、
    樹脂を材料として前記平板端子と一体成形された、前記半導体チップを収容する収容部と、
    前記収容部の一部である前記ガイド部と、
    前記第２貫通孔および前記第１貫通孔を貫通して前記平板端子の他方の面に露出する前記端子ピンと、
    を備え、
    前記端子ピンの一方の端部は、前記平板端子の他方の面で前記平板端子に接合され、
    前記端子ピンの他方の端部は、前記半導体チップの電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
  6. 前記端子ピンは、前記ガイド部から離れた部分で前記平板端子の前記第１貫通孔の側壁に接することを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
  7. 平坦な両面を有する平板状の平板端子と、前記平板端子の両面間を貫通する、前記平板端子に接合される棒状の端子ピンを貫通させるための第１貫通孔と、前記平板端子の一方の面に一体成形されたガイド部と、前記第１貫通孔と同じ中心軸を有し、前記ガイド部を貫通して前記第１貫通孔と連続する１つの孔をなす第２貫通孔と、を備えた樹脂成形品の成形方法であって、
    第１金型によって他方の面が支持された前記平板端子の一方の面と、第２金型と、の間に前記ガイド部の外形と同じ外形の空間を形成する第１工程と、
    前記空間に樹脂を流し込んで充填して固化し、前記平板端子の一方の面に一体成形された前記ガイド部を形成する第２工程と、
    を含み、
    前記第２金型は、前記ガイド部の前記第２貫通孔を成形する箇所に、前記平板端子の一方の面側に突出し、かつ前記平板端子に近づくにしたがって幅を狭くしたテーパー形状の突出部を有し、
    前記第１工程では、前記第２金型の前記突出部を前記平板端子の一方の面側から前記平板端子の前記第１貫通孔に挿入して前記第１貫通孔の開放端に圧接し、前記突出部で前記平板端子を支持するとともに、前記平板端子の前記第１貫通孔の、前記突出部で圧接した側壁の角度を前記突出部の側面と同じ角度にすることを特徴とする樹脂成形品の成形方法。
  8. 前記突出部の側面の角度は、０°以上３０°以下であることを特徴とする請求項７に記載の樹脂成形品の成形方法。
JP2020219109A 2020-12-28 2020-12-28 半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法 Pending JP2022104103A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020219109A JP2022104103A (ja) 2020-12-28 2020-12-28 半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法
CN202111385892.8A CN114695128A (zh) 2020-12-28 2021-11-22 半导体封装、树脂成型品及树脂成型品的成型方法
US17/538,480 US20220208622A1 (en) 2020-12-28 2021-11-30 Semiconductor package, resin molded product, and method of molding resin molded product

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020219109A JP2022104103A (ja) 2020-12-28 2020-12-28 半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022104103A true JP2022104103A (ja) 2022-07-08

Family

ID=82118458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020219109A Pending JP2022104103A (ja) 2020-12-28 2020-12-28 半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220208622A1 (ja)
JP (1) JP2022104103A (ja)
CN (1) CN114695128A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
US20220208622A1 (en) 2022-06-30
CN114695128A (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003337073A (ja) センサ装置
JP3752444B2 (ja) 圧力検出装置
JPH06268101A (ja) 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板
US7420754B2 (en) Optical module and method for manufacturing the same
JP4908411B2 (ja) 圧力センサ及びその製造方法
US7389026B2 (en) Method for manufacturing optical module
EP3124935B1 (en) Sensor package
JPS61176832A (ja) トランスジユーサ・インサート、その製造方法、および機械的変動測定センサ
JP6809284B2 (ja) 物理量センサ装置の製造方法および物理量センサ装置
US20070184584A1 (en) Method for manufacturing physical quantity sensor
JP2017037039A (ja) 物理量センサ装置および物理量センサ装置の製造方法
WO2009087767A1 (ja) 圧力センサ及びその製造方法
JP2022104103A (ja) 半導体パッケージ、樹脂成形品および樹脂成形品の成形方法
KR20130138666A (ko) 압력 센서 및 압력 센서의 제조 방법
US11835415B2 (en) Physical quantity sensor device including curved through-hole
JP3232598U (ja) 端子構造および物理量センサ装置
US9964718B2 (en) Optical module including optical block for passive optical alignment, and manufacturing method thereof
JP2006332685A (ja) 固体撮像装置
JP6809285B2 (ja) 物理量センサ装置の製造方法および物理量センサ装置
JP3232486U (ja) 物理量センサ装置
JP4049176B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR101734383B1 (ko) 반도체 테스트 소켓 제조 방법
CN112701108A (zh) 芯片封装结构及其制备方法
JP2002344004A (ja) 光結合素子およびその製造方法、ならびに光結合素子製造装置
JP3997798B2 (ja) 光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231113