JP2022101153A - 流量制御弁 - Google Patents

Abstract

【課題】小流量で脈動音抑制し、大流量の流体を短時間で流すこと。
【解決手段】通路部材１１０と、ケース１４０と、ソレノイド部材１３０と、弁体１５０と、第１ストッパ１６０と、第２ストッパ１７０と、電磁石１８０を備える流量制御弁で、電磁石によって第２ストッパの位置を第１位置と第２位置に切り替える。第１位置では、弁体は閉弁位置と可動子１３５が第１距離以内で移動した状態でケース弁座から弁体シール面が離脱すると共にケースシール面を通路弁座１１５に当接させた状態を維持する小流量開弁位置との間で移動する。第２位置では、閉弁位置と可動子が第１距離以上移動した状態でケース弁座から弁体シール面が離脱すると共にケースシール面も通路弁座１１５から離脱する大流量開弁位置との間で移動する。小流量開弁位置では圧力変動を緩やかにして脈動音を抑制でき、大流量開弁位置では小流量開弁位置に比べてより多くの流体を流せる。
【選択図】図２

Description

本開示は、流体の流量を制御する電磁弁に関する。例えば、キャニスタからのパージ空気の流量を制御するパージバルブとして用いることが可能である。

例えばパージバルブでは、アイドリング時にパージ空気が流れることで脈動音が生じることが問題となり、特許文献１に記載の流量制御弁ではその対策として、可動コアを２部品として作動時の圧力変動を緩やかにしている。

アイドリング時のように、エンジン吸気管の負圧が大きい状態で気流音や脈動音が大きくならないよう比較的少ない流量や緩やかな圧力変動での流量制御を行うことは重要である。

しかしながら、一方では短時間でキャニスタからパージ空気を吸入できるよう大流量化のニーズがある。通常の流量の２倍程度の大流量まで制御することも望まれている。

特開２０１８－７１７４５号公報

本開示は、比較的少ない流量での気流音や脈動音の発生を抑制するという要請と、短時間で大流量の流体を流すという要請との相反する要請を解決することを課題としている。

本開示の第１は、通路部材（１１０）と、ケース（１４０）と、ソレノイド部材（１３０）と、弁体（１５０）と、第１ストッパ（１６０）と、第２ストッパ（１７０）と、電磁石（１８０）を備える流量制御弁である。

通路部材（１１０）は、流体が流入する入口（１１１）と、流体が流出する出口（１１４）と、この出口（１１４）と入口と（１１１）の間に形成され流体が通過する通路室と、この通路室の出口周囲に突出形成された通路弁座（１１５）とを備えている。

ケース（１４０）は通路室内に配設され、通路室内の流体が流入するケース入口（１４４）と、流体を通路室に流出するケース出口（１４５）と、このケース出口（１４５）とケース入口（１４４）との間に形成され流体が通過するケース内通路と、このケース内通路のケース出口周囲に突出形成されたケース弁座（１４７）と、通路弁座（１１５）と当接するケースシール面とを備えている。

ソレノイド部材（１３０）は、通電時に励磁するコイル（１３２）と、このコイル（１３２）の磁気回路を形成するヨーク（１３３）と、このヨーク（１３３）と共にコイル（１３２）の磁気回路を形成するステータコア（１３４）と、このステータコア（１３４）と磁気ギャップを介して配置されコイル（１３２）の励磁時に第１方向に移動する可動子（１３５）と、この可動子（１３５）を第１方向とは逆の第２方向に付勢するバネ（１３６）とを備えている。

弁体（１５０）は可動子（１３５）と共に移動し、可動子（１３５）が第１方向に移動していない状態でケース弁座（１４７）に弁体シール面が当接すると共にケースシール面を通路弁座（１１５）に当接させ、可動子（１３５）が第１方向に第１距離未満で移動した状態でケース弁座（１４７）から弁体シール面が離脱すると共にケースシール面を通路弁座（１１５）に当接させた状態を維持し、可動子（１３５）が第１方向に第１距離以上移動した状態ではケース弁座（１４７）から弁体シール面が離脱すると共にケースシール面も通路弁座（１１５）から離脱させる構成である。

第１ストッパ（１６０）は、この弁体の第１方向の移動を規制すると共に自身は第１方向に移動可能な構成であり、第２ストッパ（１７０）は、この第１ストッパ（１６０）の第１方向の移動を規制すると共に自身は第１方向に移動可能な構成となっている。

そして、電磁石（１８０）は、この第２ストッパ（１７０）の位置を、弁体（１５０）の第１距離未満での移動を許容し第１距離以上に弁体（１５０）が移動した際には弁体が第１ストッパ（１６０）に当接して弁体（１５０）の移動を規制する第１位置（Ｐ１）と、第１距離以上に弁体（１５０）が移動した際にも弁体（１５０）の移動を許容する第２位置（Ｐ２）とに切り替えるものである。

本開示の第１によれば、電磁石（１８０）によって、第２ストッパ（１７０）の位置を第１位置（Ｐ１）と第２位置（Ｐ２）に切り替えることが可能である。そして、第１位置（Ｐ１）にあるときは、弁体（１５０）は、可動子（１３５）が第１方向に移動していない状態でケース弁座（１４７）に弁体シール面が当接すると共にケースシール面を通路弁座（１１５）に当接させる閉弁位置と、可動子（１３５）が第１方向に第１距離未満で移動した状態でケース弁座（１４７）から弁体シール面が離脱すると共にケースシール面を通路弁座（１１５）に当接させた状態を維持する小流量開弁位置との間で移動することになる。

一方、第２位置（Ｐ２）にあるときは、可動子（１３５）が第１方向に移動していない状態でケース弁座（１４７）に弁体シール面が当接すると共にケースシール面を通路弁座（１１５）に当接させる閉弁位置と、可動子（１３５）が第１方向に第１距離以上移動した状態でケース弁座（１４７）から弁体シール面が離脱すると共にケースシール面も通路弁座（１１５）から離脱する大流量開弁位置との間で移動することになる。

小流量開弁位置では、ケース内通路（１４３）からケース出口（１４５）に向かう流体のみが流れることになり、全体として流体流量は少ない。そのため、低流量時の流体の流れを弁体（１５０）によって適切に制御でき、圧力変動を緩やかにして大きな脈動音が発生することを抑制できる。

逆に、大流量開弁位置では、ケース内通路（１４３）からケース出口（１４５）に向かう流体のみではなく、通路室（１１２）から通路弁座（１１５）を経て出口（１１４）に向かう流体も存在する。そのため、小流量開弁位置に比べてより多くの流体を流すことが可能である。

本開示の第２では、通路弁座（１１５）とケースシール面とで規制される流体の流量の方が、ケース弁座（１４７）と弁体シール面とで規制される流量より大きくなっている。そのため、小流量開弁位置で流れる流体の流量をより少なくすることが可能で、低流量時の弁体の制御がより適切となり、脈動音や気流音の発生がより抑制される。換言すれば、大流量開弁位置における流量をより多くすることが可能で、大流量時に流すことができる流体の流量を増すことができる。

本開示の第３では、通路部材（１１０）の出口（１１４）は流体の流量を規制するソニック形状に形成されている。そのため、ケースシール面と通路弁座（１１５）との間の距離が第１方向に所定距離離れると流体の流量はこのソニック形状に規制されて、所定距離以上離れた際に流体の流量が直線的に増加することが抑制される。その結果、所定距離以上弁体が離れれば、出口より流出する流体の流量を弁体の位置に拘わらず略所定量に維持することが可能である。

本開示の第４では、ケース（１４０）のケース出口（１４５）を、流体の流量を規制するソニック形状に形成している。そのため、弁体シール面とケース弁座（１４７）との間の距離が第１方向に所定距離離れると流体の流量はこのソニック形状に規制されて、所定距離以上離れても流体の流量が直線的に増加することが抑制される。その結果、所定距離以上弁体が離れれば、出口より流出する流体の流量を弁体の位置に拘わらず略所定量に維持することが可能となる。

本開示の第５では、第２ストッパ（１７０）を永久磁石とすると共に、第２ストッパ（１７０）を第１方向に付勢するストッパバネを備えている。そして、電磁石（１８０）の励磁時には第２ストッパ（１７０）は、電磁石と反発して第２位置（Ｐ２）となり、電磁石の非励磁時にはストッパバネの付勢力で第１位置（Ｐ１）となる。即ち、本開示の第５では、第２ストッパ（１７０）の位置を永久磁石の反発力を利用して切り替えることが可能となっている。

本開示の第６は、ケース（１４０）の構造をより具体的に特定している。即ち、ケース（１４０）は、内部にケース内通路（１４３）を形成する有蓋有底の円筒形状であり、ケース入口（１４４）はケースの側面に形成され、ケース出口（１４５）はケースの蓋面に形成され、弁体（１５０）が第１距離以上第１方向に移動した際には、弁体（１５０）がケースの底面と係合する構造としている。

本開示の第６では、ケース（１４０）を内部にケース内通路（１４３）を形成する有蓋有底の円筒形状とすることで、ケース（１４０）が通路部材の通路室内に保持されやすくしている。

本開示の第７は、通路部材（１１０）の通路室（１１２）に、ケース（１４０）をケースシール面（１４６）が通路弁座（１１５）と当接する第２方向に付勢するケースバネ（１４９）を配している。ケースバネ（１４９）を配置することで、通路弁座（１１５）のシール性を高めると共に、通路室内（１１２）におけるケース（１４０）の位置を安定させることができる。

本開示の第８では、ソレノイド部材（１３０）をコイル（１３２）の励磁状態とコイル（１３２）の非励磁状態とをデューティ比制御としている。そして、第２ストッパ（１７０）の位置が第１位置（Ｐ１）にある状態ではデューティ比が０％と１００％との間でデューティ比制御を行い、第２ストッパ（１７０）の位置が第２位置（Ｐ２）にある状態ではデューティ比が所定値Ｘ％と１００％との間でデューティ比制御を行うようにしている。そして、所定値Ｘ％を、第２ストッパ（１７０）の位置が第１位置（Ｐ１）にある状態での１００％のデューティ比制御で流れる流体の流量が、第２ストッパ（１７０）の位置が第２位置（Ｐ２）にある状態でのデューティ比が所定値Ｘ％のデューティ比制御で流れる流体の流量と略同じとなるように規定している。

本開示の第８によれば、第２ストッパ（１７０）の位置が第１位置（Ｐ１）にあるときの、弁体（１５０）の小流量開弁位置での最大流量（デューティ比１００％）と、第２位置（Ｐ２）にあるときの弁体（１５０）の大流量開弁位置での使用最小流量（デューティ比Ｘ％）とを略一致させることができる。そのため、第２ストッパ（１７０）の位置を第１位置（Ｐ１）から第２位置（Ｐ２）に切り替えても、弁体（１５０）は連続的に流体の流量を増加させることができる。逆に、第２ストッパ（１７０）の位置を第２位置（Ｐ２）から第１位置（Ｐ１）に切り替えた際には、弁体（１５０）は連続的に流体の流量を減少させることができる。

本開示の流量制御弁が用いられるパージシステムを示す構成図である。 本開示の流量制御弁の断面図である。 図２図示流量制御弁の通路室及びケースを断面図示する斜視図である。 図２図示流量制御弁のケースの平面図である。 図２図示流量制御弁のケースの側面図である。 図２図示流量制御弁の弁体の断面図である。 図２図示流量制御弁の第２ストッパが第２位置Ｐ２にある状態を示す断面図である。 弁体の閉弁位置と小流量開弁位置とを示す断面図である。 弁体の閉弁位置と大流量開弁位置とを示す断面図である。 デューティ比と流量との一般的な関係において最大流量増加による流量増加△Ｑを示す図である。 本開示におけるデューティ比と流量との関係を示す図である。 本開示における流量特性の切り替わり方法を示す図である。 本開示の制御を示すフローチャートである。 本開示の弁体の移動量と流量との関係を示す図である。

パージ制御弁装置は、車両に搭載される蒸発燃料パージシステムである蒸発燃料処理装置に用いられる。パージバルブ１００は、パージ制御弁装置の一例である。蒸発燃料処理装置は、図１に示すように、キャニスタ１３に吸着した燃料中のＨＣガス等をエンジン２０の吸気管２１に供給する。これにより、燃料タンク１０からの蒸発燃料が大気に放出されることを防止できる。蒸発燃料処理装置は、内燃機関であるエンジン２０の吸気通路を構成するエンジン２０の吸気系と、蒸発燃料をエンジン２０の吸気系に供給する蒸発燃料パージ系とを備える。

エンジン２０の吸気圧によって吸気通路に導入された蒸発燃料は、インジェクタ等からエンジン２０に供給される燃焼用燃料と混合されてエンジン２０の燃焼室で燃焼される。エンジン２０は少なくともキャニスタ１３から脱離された蒸発燃料と燃焼用燃料とを混合して燃焼する。エンジン２０の吸気系は、吸気通路を構成する吸気管２１が吸気マニホールドに接続されている。この吸気系は、さらに吸気管２１の途中にスロットルバルブ２５、エアフィルタ２４等が設けられて構成されている。

蒸発燃料パージ系において燃料タンク１０とキャニスタ１３は、ベーパ通路を構成する配管１１によって接続されている。蒸発燃料パージ系においてキャニスタ１３と吸気管２１は、パージ通路を構成する配管１４とパージバルブ３とを介して接続されている。また、パージ通路の途中には、パージポンプを設けるように構成してもよい。エアフィルタ２４は、吸気管２１の上流部に設けられ、吸気中の塵や埃等を捕捉する。スロットルバルブ２５は、吸気マニホールド２２の入口部の開度を調節して、吸気マニホールド２２内に流入する吸気量を調節する吸気量調節弁である。吸気は、吸気通路を通過して吸気マニホールド２２内に流入し、インジェクタ等から噴射される燃焼用燃料と所定の空燃比となるように混合されて燃焼室で燃焼される。

燃料タンク１０は、例えばガソリン等の燃料を貯留する容器である。燃料タンク１０は、ベーパ通路を形成する配管１１によってキャニスタ１３の流入部に接続されている。ＯＲＶＲバルブ１５は、燃料タンク１０に設けられている。ＯＲＶＲバルブ１５は、燃料給油中に燃料タンク１０内の蒸発燃料が給油口から大気中に排出されることを防止する。ＯＲＶＲバルブ１５は、燃料の液面高さに応じて位置が変位するフロート弁である。燃料タンク１０内の燃料が少ない場合は、ＯＲＶＲバルブ１５は開弁し、給油時の圧力によってベーパを燃料タンク１０からキャニスタ１３へ排出する。燃料タンク１０内に所定量以上の燃料が存在する場合は、ＯＲＶＲバルブ１５が燃料による浮力によって閉弁し、蒸発燃料がキャニスタ１３へ流出することを防止する。

キャニスタ１３は、内部に活性炭等の吸着材が封入された容器である。キャニスタ１３は、燃料タンク１０内で発生する蒸発燃料を、ベーパ通路を介して取り入れて吸着材に一時的に吸着する。キャニスタ１３には、バルブモジュール１２が、一体に設けられまたはダクト部を介して設けられている。バルブモジュール１２には、キャニスタクローズバルブと内部ポンプとを含んでいる。キャニスタクローズバルブは、外部の新鮮な空気を吸入するための吸入部を開閉する。キャニスタ１３はキャニスタクローズバルブを備えることにより、キャニスタ１３内に大気圧を作用させることができる。キャニスタ１３は、吸入された新鮮な空気によって吸着材に吸着した蒸発燃料を容易に脱離可能、すなわちパージすることができる。

パージバルブ１００は、パージ通路の一部であるハウジング内のハウジング内部通路を開閉する複数の弁体を備えたパージ制御弁装置である。パージバルブ１００は、キャニスタ１３からの蒸発燃料をエンジン２０へ供給することを許可および阻止できる。

車両の走行時に、制御装置５０によって許可状態に制御されると、ピストンの吸入作用によって発生する吸気マニホールド２２内の負圧とキャニスタ１３にかかる大気圧との差が生じる。この圧力差によって、キャニスタ１３内に吸着された蒸気燃料は、パージ通路、パージバルブ１００を流れ、吸気管２１内を通じてエンジン２０の吸気マニホールド２２内に吸引される。

吸気マニホールド２２内に吸引された蒸発燃料は、インジェクタ等からエンジン２０に供給される本来の燃焼用燃料と混合されて、エンジン２０のシリンダ内で燃焼される。エンジン２０のシリンダ内においては、燃焼用燃料と吸気との混合割合である空燃比が予め定めた所定の空燃比となるように制御される。制御装置５０は、所定の空燃比が維持されるように蒸発燃料のパージ量を調節する。

制御装置５０は、少なくとも一つの演算処理装置（ＣＰＵ）と、プログラムとデータとを記憶する記憶媒体としての少なくとも一つのメモリ装置とを有する。制御装置５０は、例えばコンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を備えるマイクロコンピュータによって提供される。記憶媒体は、コンピュータによって読み取り可能なプログラムを非一時的に格納する非遷移的実体的記憶媒体である。記憶媒体は、半導体メモリまたは磁気ディスクなどによって提供されうる。制御装置５０は、一つのコンピュータ、またはデータ通信装置によってリンクされた一組のコンピュータによって提供されうる。プログラムは、制御装置５０によって実行されることにより、制御装置５０をこの明細書に記載される装置として機能させ、この明細書に記載される方法を実行するように制御装置５０を機能させる。

制御装置５０が提供する手段および／または機能は、実体的なメモリ装置に記録されたソフトウェアおよびそれを実行するコンピュータ、ソフトウェアのみ、ハードウェアのみ、あるいはそれらの組合せによって提供することができる。例えば、制御装置５０がハードウェアである電子回路によって提供される場合、それは多数の論理回路を含むデジタル回路、またはアナログ回路によって提供することができる。

近年、低燃費化によるエンジン負圧の減少傾向やハイブリッド車などのエンジン稼働時間の減少傾向により、パージバルブ３には大流量を調整可能な性能が要求されている。パージバルブ１００の大流量化を実現しようとすると、パージバルブ１００とキャニスタ１３とを連結する流路において圧力の変動幅が大きくなりうる。圧力変動幅の増大は、脈動による配管の振動をもたらし車両における騒音の要因になる。また、パージバルブ１００の大流量化の実現に伴い、ＯＲＶＲバルブ１５のばたつき音が発生しうる。パージバルブ１００とキャニスタ１３とを接続する配管１４は、例えば車室内の床下に設けられている。このため、配管の振動による騒音、ＯＲＶＲバルブ１５のばたつき音は、車室内に伝わりやすい。そこで蒸発燃料処理装置はキャニスタ１３側の流路における圧力変動幅やＯＲＶＲバルブ１５のばたつき音を抑制する効果を奏する。また、パージバルブ３の大流量化を実現しようとすると、流量制御の精度が低下することによって、蒸発燃料の濃度学習の精度が低下する傾向になる。そこで蒸発燃料処理装置１は、蒸発燃料の濃度学習の精度を確保する効果を奏する。

パージバルブ１００は、図２に示すように、通路部材１１０とソレノイド部材１３０を有している。

ソレノイド部材１３０は、樹脂製のボビン１３１に多数回巻装されたコイル１３２を備えている。図示しないコネクタより駆動電圧を受けてコイル１３２に通電された際にはコイル１３２は励磁する。その際の磁気回路を形成するようにコイル１３２の外側には鉄製のヨーク１３３が配置され、コイル１３２の内周側には同じく鉄製のステータコア１３４が配置されている。

ステータコア１３４は円筒形状をしており、内部には鉄製でコップ形状をした可動子１３５が移動可能に配置されている。ステータコア１３４には磁気回路を絞る絞り部１３４ａが形成されているので、ステータコア１３４と可動子１３５との間に磁気ギャップ１３４ｂが形成され、コイル１３２の励磁時にはこの磁気ギャップ１３４ｂを縮めるべく、可動子１３５は図中下方に吸引される。この可動子１３５の吸引方向が第１方向である。そして、吸引方向（第１方向）と反する方向が第２方向で、バネ１３６は可動子１３５を第２方向に付勢している。

これらのボビン１３１、コイル１３２、ヨーク１３３、ステータコア１３４は樹脂製のハウジング１２０に二次成形されている。ハウジング１２０は全体として円柱形状をしており、その直径は５センチメートル程度で、高さは７センチメートル程度である。

ハウジング１２０のうち図２の上方部が通路部材１１０を形成している。ハウジング１２０には出口側パージ空気通路をなすホース（配管１４）が連結される入口１１１が形成されている。入口１１１の内径は１３ミリメートル程度である。ハウジング１２０のうち、入口１１１が連通する部位が通路室１１２であり、通路室１１２はキャップ１１３により閉じられている。キャップ１１３はハウジング１２０と同じく樹脂製で、両者は溶着している。従って、通路部材１１０はハウジング１２０の上方部とキャップ１１３とにより構成される。

キャップ１１３には出口側パージ空気通路のホース（配管１４）のうちパージバルブ１００と吸気管２１とを連通するホースが連結する出口１１４が形成され、この出口１１４の周囲に通路弁座１１５が図中下方に向けて突出形成されている。出口１１４のうち通路弁座１１５側の位置では入口１１１、通路室１１２に比べてパージ空気の流路面積を小さくするソニック形状とした通路ソニック部１１６が形成されている。そのため、パージ空気の流量はこの通路ソニック部１１６により規制される。

図３はこの通路部材１１０部分を断面図示する斜視図であるが、図３に示すように通路室１１２内にはケース１４０が配置されている。ケース１４０は直径が２２ミリメートル程度の円筒状をしており、蓋部１４１と底部１４２を備え、内部にケース内通路１４３を形成している。ケース１４０の蓋部１４１にはケース内通路１４３のパージ空気を通路室１１２に戻すケース出口１４５が開口し（図４図示）、ケース１４０の側面には通路室１１２内のパージ空気をケース内通路１４３に流入させるケース入口１４４が開口している（図５図示）。また、ケース１４０の蓋部１４１は通路弁座１１５と対向し、通路弁座１１５との当接するケースシール面１４６はゴム材料製のシートが添付してある。

ケース１４０の蓋部１４１のケース出口１４５の周囲にはケース弁座１４７が下方に向けて突出形成されている。ケース出口１４５のうちケース弁座１４７側の位置ではケース入口１４４やケース内通路１４３に比べてパージ空気の流路面積を小さくするソニック形状としたケースソニック部１４８が形成されている（図３図示）。そのため、ケース１４０内を流れるパージ空気の流量はこのケースソニック部１４８により規制される。ケース１４０の底部１４２とハウジング１２０との間には、ケース１４０を通路弁座１１５側に付勢するケースバネ１４９が配置されている。ケースバネ１４９は通路室１１２内でのケース１４０の移動を安定させると共に、ケース１４０を通路弁座１１５側に押圧して通路弁座１１５のシール性を確保するものである。

１５０は樹脂製の弁体で、図６に示すように、ロット部１５１と頭部１５２とからなる。弁体の高さは１５ミリメートル程度で、頭部１５２の直径は５ミリメートル程度である。弁体１５０のロット部１５１は可動子１３５の中心軸部分に圧着し、弁体１５０は可動子１３５と一体に移動する。

弁体１５０の頭部１５２は、ケース１４０のケース内通路１４３に位置し、頭部１５２の上面はケース弁座１４７と当接する弁体シール面１５３をなしており、この弁体シール面１５３にはゴム製のシート１５５が二次成形されている。頭部１５２の下面はケース１４０の底部１４２と当接する。ゴム製のシート１５５はこの下面にも形成されている。

従って、弁体１５０は、ケース１４０の蓋部１４１と底部１４２との間で移動するが、その移動距離は第１ストッパ１６０によって規制される。ただ、弁体１５０は底部１４２にも当接可能である。このケース１４０の蓋部１４１と底部１４２との間の距離が第１距離に対応する。

また、弁体１５０のロット部１５１の下端は第１ストッパ１６０と当接するので、当接時の衝撃を緩和すべくゴム製の緩衝材１５４が貼付されている。

第１ストッパ１６０は、コップ状をした可動子１３５と円柱形状をしたステータコア１３４との内側に配置され、バネ１３６はこの第１ストッパ１６０の肩部１６１に係止されている。弁体１５０の緩衝材１５４は第１ストッパ１６０の頂面１６２に当接する。第１ストッパ１６０の下端１６３は第２ストッパ１７０に当接している。従って、第１ストッパ１６０の位置は第２ストッパ１７０の位置により変移する。

第２ストッパ１７０は永久磁石であり、ストッパバネ１７１により第１ストッパ１６０の下端１６３に押し付けられている。そして、ストッパバネ１７１は下方キャップ１７２によって係止されている。下方キャップ１７２は、ハウジング１２０やキャップ１１３と同じく樹脂材料製である。

１８０は電磁石で、電磁石ボビン１８１上に多数回巻装された電磁石コイル１８２からなる。電磁石１８０も、ソレノイド部材１３０と同様、ハウジング１２０に二次成形されている。

電磁石１８０の電磁石コイル１８２に通電されず、電磁石１８０が励磁していない状態では、電磁石１８０と永久磁石製の第２ストッパ１７０とは反発せず、ストッパバネ１７１により押し上げられた図２の位置にある。この第２ストッパ１７０と第１ストッパ１６０の下端１６３とが当接する位置が第１位置Ｐ１である。電磁石１８０が励磁した状態では、電磁石１８０と永久磁石である第２ストッパ１７０とが反発し、第２ストッパ１７０は図７に示すようにストッパバネ１７１の付勢力に反して下方に移動する。その結果、第２ストッパ１７０は第１ストッパ１６０の下端１６３から離れる。この第１ストッパ１６０の下端１６３から離れた位置が第２位置Ｐ２である。

次に、上記構成の流量制御弁（パージバルブ１００）の組付け手順を説明する。ボビン１３１にコイル１３２を巻装し、その周囲にヨーク１３３とステータコア１３４を配置する。また、電磁石ボビン１８１に電磁石コイル１８２を巻装する。その状態で、ソレノイド部材１３０と電磁石１８０とを一体としてハウジング１２０に二次成形する。

ケース１４０は蓋部１４１のみが別部材であり、蓋部１４１が装着されていない状態で、弁体１５０のロット部１５１をケース１４０の底部１４２の中心軸周りの穴に挿入する。次に、弁体１５０のロット部１５１を可動子１３５の中心軸穴に圧入する。なお、弁体１５０には予めシート１５５と緩衝材１５４が貼着されている。その後、蓋部１４１をケース１４０に溶着する。

このようにして、ケース１４０、弁体１５０及び可動子１３５が組付けられた状態で、第１ストッパ１６０、バネ１３６及びケースバネ１４９と共に、図２の上方より組付けられたケース１４０等の部材を挿入する。ケース１４０等の各部材が挿入された状態で、ハウジング１２０の上方にキャップ１１３を溶着する。このキャップ１１３の溶着により、ハウジング１２０の上方部に通路室１１２が形成される。

ハウジング１２０の下方からは、第２ストッパ１７０とストッパバネ１７１が挿入され、挿入された状態で下方キャップ１７２がハウジング１２０に溶着する。この下方キャップ１７２とキャップ１１３の溶着によって、パージバルブ１００の組付けが終了する。

次に、上記構成の流量制御弁（パージバルブ１００）の作動を説明する。電磁石１８０に通電されていない状態が、図２図示の第１位置Ｐ１で、第１位置Ｐ１は小流量の位置でもある。第１位置Ｐ１において、ソレノイド部材１３０のコイル１３２に通電されていない状態では、可動子１３５はバネ１３６によって上方（第２方向）に押し上げられ、弁体１５０の弁体シール面１５３がケース弁座１４７に当接して、ケース出口１４５を閉じる。バネ１３６の付勢力は弁体１５０を介してケース１４０にも伝わり、ケースシール面１４６が通路弁座１１５と当接して、出口１１４も閉じる。この状態が閉弁状態で、図８で（ａ）で示している。なお、閉弁状態では、ケースバネ１４９も付勢力として働くが、それに加えケースバネ１４９はケース１４０の傾きや軸ずれを抑制してケース１４０を安定させるのに用いられている。

第１位置Ｐ１において、コイル１３２に通電されると、コイル１３２が励磁し、磁気ギャップ１３４ｂによって、可動子１３５がステータコア１３４側に吸引される。これにより弁体１５０も図２の下方（第１方向）に移動する。この可動子１３５と弁体１５０との移動は、弁体１５０の下端の緩衝材１５４が第１ストッパ１６０の頂面１６２に当接するまでで、それ以上の移動は第１ストッパ１６０により規制される。この際の移動距離は、弁体１５０の頭部１５２がケース１４０の底部１４２に当接するまでの距離である第１距離よりも短い。そのため、弁体１５０の弁体シール面１５３はケース弁座１４７から離脱して、ケース出口１４５を開くが、ケースシール面１４６が通路弁座１１５と当接して出口１１４を閉じる状態は維持される。これが、小流量開弁状態で、図８で（ｂ）で示している。

電磁石コイル１８２に通電されると、電磁石１８０が励磁し、永久磁石製の第２ストッパ１７０は反発して、ストッパバネ１７１の付勢力に抗して、下方に移動する。この状態が図７で示された第２位置Ｐ２である。第２位置Ｐ２では、第１ストッパ１６０はステータコア１３４に係止される位置まで下方（第１方向）に変移している。

この第２位置Ｐ２でも、ソレノイド部材１３０のコイル１３２に通電されていない状態では、可動子１３５はバネ１３６によって上方（第２方向）に押し上げられ、ケース弁座１４７と通路弁座１１５とを閉じる閉弁状態となる。この閉弁状態は、図９で（ａ）で示しているが、状態としては図８（ａ）の閉弁状態と同じである。

第２位置Ｐ２において、コイル１３２に通電されると、コイル１３２が励磁し、磁気ギャップ１３４ｂによって、可動子１３５がステータコア１３４側に吸引され、弁体１５０も図２の下方（第１方向）に移動する。この際、第１ストッパ１６０は下方に移動しているので、可動子１３５と弁体１５０との移動が第１ストッパ１６０により規制されるまでの移動距離は、第１距離よりも長くなる。

そのため、弁体１５０の頭部１５２がケース１４０の底部１４２に当接した状態で、弁体１５０はケース１４０も下方（第１方向）に移動させる。その結果、弁体１５０の弁体シール面１５３はケース弁座１４７から離脱してケース出口１４５を開くと共に、ケースシール面１４６も通路弁座１１５から離脱して出口１１４を開く状態となる。これが、大流量開弁状態で、図９で（ｂ）で示している。

大流量開弁状態では、小流量開弁状態で流れていたケース出口１４５からのパージ空気に加えて、通路弁座１１５からのパージ空気も出口１１４に向かうこととなるので、流量が増大する。特に、本開示では、通路弁座１１５を通過して通路ソニック部１１６で規制される流体の流量の方が、ケース弁座１４７を通過してケースソニック部１４８で規制される流量より大きくなるように設定されている。例えば、通路弁座１１５とケースシール面１４６とで規制される流体の流量が毎分１７０リットル程度で、ケース弁座１４７と弁体シール面１５３とで規制される流量が毎分１２０リットル程度である。そのため、大流量開弁状態でのパージ空気の流量は小流量開弁状態での流量に比べて特に大きな流量とすることができている。

ここで、単純に流量を増すのみであれば、弁座とシール面との間を通過可能なパージ空気の流量を増やすことで解決できる。図１０に示すように、線ａで示す制御の最大流量Ａに対し、線ｂで示すように最大流量がＢとなるように大流量となるような設定とすれば流量Ｑを増やすことが可能である。

しかしながら、単純に弁座とシール面との間を通過可能なパージ空気の流量Ｑを増やしたのでは、小流量域での制御特性が悪化することになる。コイル１３２が励磁して弁の開度が最大となるデューティ比１００％（開弁状態）とコイル１３２が励磁せず弁が閉じているデューティ比０％（閉弁状態）との間でデューティ比制御を行う場合、小流量域で△Ｄのデューティ比変化が生じた際、線ａの制御ではその変動が△Ｑ１で済むのに対し、線ｂの制御の場合その変動は△Ｑ２となって、流量増加に比例して圧力変動も大きくなる。特にエンジン２０のアイドリング時で吸気管２１の負圧が大きい時には、小流量域で大きな圧力変動が生じると、気流音や脈動音の原因となって、乗員に不快感を与えることとなる。

それに対し、本開示は小流量開弁状態と大流量開弁状態とで通過可能な流量Ｑを異ならせているので、図１１に示すように、デューティ比制御を行う場合も、小流量開弁状態での制御（線ｃ）と大流量開弁状態での制御（線ｄ）とを異なる制御とすることができる。小流量域での制御には小流量開弁状態（線ｃ）を用いるので、△Ｄのデューティ比変化に対応する流量変化は△Ｑ１で済み、その圧力変動は相対的に小さく、大きな気流音や脈動音が発生することが抑制できる。

また、本開示では、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２への切り替わりに際して、パージ空気の流量が連続して増加するようにしている。図１２に線ｃで示すように、第１位置Ｐ１ではデューティ比０％（閉弁状態）とデューティ比１００％（小流量開弁状態）との間でデューティ比制御を行い、最大流量のデューティ比１００％（小流量開弁状態）で、最大流量Ａを流すことができる。流量Ａ以上のパージ空気を流す場合には、第２位置Ｐ２に切り替わり線ｄで示すデューティ比制御となる。

ここで、第２位置Ｐ２でデューティ比制御してもデューティ比０％（閉弁状態）とデューティ比１００％（小流量開弁状態）との間でデューティ比制御を行ったのでは、デューティ比０％（閉弁状態）となればパージ空気は流れなくなる。即ち、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２への切り替わりに応じて、流量Ｑが流量Ａから流量無し（０）に変化してしまうこととなる。

そこで、本開示では、第２位置Ｐ２でのデューティ比制御は、デューティ比０％（閉弁状態）とデューティ比１００％（小流量開弁状態）との間で行うのではなく、デューティ比Ｘ％（流量Ａの状態）とデューティ比１００％（大流量開弁状態）との間で行うようにしている。即ち、第２位置Ｐ２にある場合には、デューティ比が０％からＸ％（図１２で破線ｅで示す領域）での制御は使用しない。ここで、第２位置Ｐ２におけるデューティ比Ｘ％でのパージ空気の流量Ｑは、第１位置Ｐ１のデューティ比１００％（小流量開弁状態）での流量Ａと略同一であるように設定するので、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２への切り替え時に過渡領域ＴＲのように推移し、パージ空気の流量Ｑが不連続に変化することは無い。

本開示の流量制御をフローチャートで示せば、図１３のようになる。本フローチャートは、蒸発燃料をエンジン２０へ向けて流下させる場合に開始する。パージバルブ１００は、デューティ比を０％から徐々に増加していくデューティ通電によって制御される。

本フローチャートが開始されると、制御装置５０は、ステップＳ１００で蒸発燃料の濃度学習を行う状態か否かを判定する。ステップＳ１００で濃度学習を行う状態であると判定すると、制御装置５０は、ステップＳ１２０で電磁石１８０が非通電状態（第１位置Ｐ１）であるか否かを判定する。ステップＳ１２０で電磁石１８０が非通電状態（第１位置Ｐ１）であると判定すると、再びステップＳ１００に戻り、ステップＳ１００の判定処理を実行する。ステップＳ１２０で電磁石１８０が非通電状態でない（第２位置Ｐ２）と判定すると、ステップＳ１２５で電磁石１８０を非通電状態に制御して第１位置Ｐ１とし、ステップＳ１００の判定処理を実行する。

ステップＳ１００で濃度学習を行う状態でないと判定すると、制御装置５０は、ステップＳ１１０で騒音発生条件が成立するか否かを判定する。騒音発生条件は、蒸発燃料が流れる通路における圧力変動やＯＲＶＲバルブ１５のばたつき音の発生に伴って騒音の発生が想定できる、予め設定された条件である。騒音発生条件は、例えば、現在の車速が所定速度以下である場合に成立すると設定することができる。この場合、制御装置５０は、車速センサ６１によって検出される車速情報に基づいて現在の車速を取得する。車速センサ６１は、車両の走行制御や車両の走行に必要な冷却系統等の制御を行う車両ＥＣＵ６０に車速情報を出力し、車速情報は車両ＥＣＵ６０から制御装置５０に出力される。所定速度は、実験結果または経験則に基づいて設定されることが好ましく、騒音が走行音にかき消されて車室内の乗員に認識しにくいような車速に設定されるものとする。現在の車速が所定速度を下回っている場合に騒音発生条件の成立を設定することにより、車速が小さく走行音が小さいときに発生しやすい騒音を抑えることができる。

例えば、車両の停止時、低速走行時、エンジン２０のアイドリング状態などに該当すると、制御装置５０は、ステップＳ１１０で騒音発生条件が成立すると判定する。ステップＳ１１０で騒音発生条件が成立すると判定すると、ステップＳ１２０に進み、ステップＳ１２０の判定処理を実行する。

ステップＳ１２０からステップＳ１００に戻る流れ、ステップＳ１２５を実行後にステップＳ１００に戻る流れは、第１位置Ｐ１でデューティ比制御する。この時は、流体の流量増加率が小さいため、蒸発燃料の濃度学習精度の向上を図ることができる。第１位置Ｐ１のモードによれば、小流量域における流量変化を小さくすることができる。さらに第１位置Ｐ１のモード時は、小流量を実施できるため、脈動の低減を図り、騒音を抑制する効果が得られる。さらに第１位置Ｐ１のモード時は、流体流量が抑えられるため、ＯＲＶＲバルブ１５のばたつき低減を図り、騒音を抑制する効果が得られる。

ステップＳ１１０で騒音発生条件が成立しないと判定すると、制御装置５０は、ステップＳ１３０でパージバルブ１００のデューティ比が１００％に達したか否かを判定する。ステップＳ１３０でデューティ比が１００％に達していないと判定すると、ステップＳ１００に戻り、ステップＳ１００の判定処理を実行する。ステップＳ１３０でデューティ比が１００％に達していると判定すると、ステップＳ１４０で電磁石１８０が非通電状態（第１位置Ｐ１）であるか否かを判定する。

ステップＳ１４０で電磁石１８０が非通電状態でない（第２位置Ｐ２）と判定すると、ステップＳ１００に戻り、ステップＳ１００の判定処理を実行する。ステップＳ１４０で電磁石１８０が非通電状態（第１位置Ｐ１）であると判定すると、制御装置５０は、ステップＳ１５０で電磁石１８０を通電状態（第２位置Ｐ２）に制御する。制御装置５０は、ステップＳ１６０において、所定値であるＸ％にパージバルブ１００のデューティ比を低下させ、ステップＳ１００に戻る。制御装置５０は、パージバルブ１００のデューティ比を所定値から１００％に向けて徐々に増加していく制御を実行する。ステップＳ１５０、Ｓ１６０の処理により、パージバルブ１００が制御する流体流量を図１２に示すように第１位置Ｐ１における増加率域から第２位置Ｐ２における増加率域へ滑らかに移行させることができる。第２位置Ｐ２における増加率域のモード時は、大きな流量域における流量変化を大きくすることができる。このため、騒音が発生しにくい状態において迅速に流体流量を増加でき、エンジン２０の出力要求を満たす運転を実現できる。図１３のフローチャートに従った制御によれば、脈動等に起因する騒音を抑制するとともに、大流量化も図れる流量制御を提供できる。

また、制御装置５０は、ステップＳ１１０で現在のエンジン２０の回転数が所定回転数を下回っている場合に騒音発生条件が成立すると判定してもよい。この判定処理を採用する場合、所定回転数は、実験結果または経験則に基づいて設定されることが好ましく、騒音がエンジン音にかき消されて乗員に認識されにくいような回転数に設定されるものとする。現在のエンジン２０の回転数が所定回転数を下回っている場合に騒音発生条件の成立を設定することにより、エンジン回転数が小さく静かなときに、圧力変動等に伴う音が騒音になることを抑えることができる。

図１１及び図１２では、デューティ比制御では、デューティ比０％からデューティ比１００％にかけて流量Ｑが直線的に増加する例を示した。これを弁体１５０の移動量（ストロークＳＫ）と流量Ｑとの関係で示すと、本開示の場合には、通路室１１２からの出口１１４に通路ソニック部１１６を形成し、ケース内通路１４３からのケース出口１４５にケースソニック部１４８を形成しているので、流量Ｑは直線的には増加しない。図１４に示すように、弁体１５０の移動量（ストロークＳＫ）が所定距離に達すると、パージ空気の流量Ｑはソニック形状（通路ソニック部１１６、ケースソニック部１４８）に規制されて、所定距離以上離れても流体の流量増加が抑制される構造となっている。即ち、弁座（通路弁座１１５、ケース弁座１４７）の周囲長さに所定距離を乗じた断面積より、ソニック形状（通路ソニック部１１６、ケースソニック部１４８）の通路断面積の方が小さくなるので、パージ空気の流量Ｑはソニック形状（通路ソニック部１１６、ケースソニック部１４８）に規制される。

なお、図１４でＸはデューティ比０％（閉弁状態）を示している。Ｎは第１位置Ｐ１におけるデューティ比１００％（小流量開弁状態）を示している。そして、Ｚは第２位置Ｐ２における１００％（大流量開弁状態）を示している。また、Ｌはケースソニック部１４８の通路断面積による流量規制の影響の方がケース弁座１４７の周囲長さに所定距離を乗じた通路断面積による流量規制の影響より大きくなり始める所定距離のストロークＳＫを示し、Ｍは通路ソニック部１１６の通路断面積による流量規制の影響の方が通路弁座１１５の周囲長さに所定距離を乗じた通路断面積による流量規制の影響より大きくなり始める所定距離のストロークＳＫ示している。

従って、第１位置Ｐ１では、ＸとＬとの間のストロークＳＫはストロークＳＫに応じて流量Ｑは略直線的に増加するが、ＬとＮとの間のストロークでは略一定の流量Ｑとなる。また、第２位置Ｐ２では、ＸとＬとの間及びＹとＭとの間はストロークＳＫに応じて流量Ｑは略直線的に増加するが、ＬとＹとの間及びＭとＺでは略一定の流量Ｑとなる。

第１位置Ｐ１では、弁体１５０が第１方向（図２の下方）に第１距離以上移動する前に弁体１５０のロット部１５１の下端が第１ストッパ１６０と当接するので、実際にはゴム製の緩衝材１５４が第１ストッパ１６０と当接するので（図１４のＮ）、弁体１５０は第１距離（図１４のＹ）まで移動することが出来ない。それに対し、第２位置Ｐ２では、弁体１５０の頭部１５２がケース１４０の底部１４２と当接する第１距離まで移動しても、緩衝材１５４が第１ストッパ１６０と当接することは無く、弁体１５０はＺの位置まで移動して第１ストッパ１６０に当接する。

第１位置Ｐ１での最大ストロークＳＫ（Ｎ）が第１距離（Ｙ）より短いことは、本開示のソレノイド部材１３０のコイル１３２のデューティ比制御において、第２位置Ｐ２におけるデューティ比Ｘ％を定めるのに有用である。即ち、デューティ比Ｘ％は、第１位置Ｐ１におけるデューティ比１００％（小流量開弁状態）の流量Ａと略同じ流量Ｑが得られるように選定する。これは、可動子１３５や弁体１５０の移動量（ストロークＳＫ）であればＬからＹの間であればよく、微小誤差を許容できる。

本開示ではソニック形状（通路ソニック部１１６、ケースソニック部１４８）を用いているので、要求される流量Ｑが小流量であっても、大流量であっても、共に最大ストロークＳＫ（Ｎ、Ｚ）では、ソニック形状（通路ソニック部１１６、ケースソニック部１４８）で流量Ｑを規定することができる。デューティ比制御は単位時間（例えば、０．１秒）内で、ストローク最大の状態（Ｎ、Ｚ）と弁体１５０が弁座（通路弁座１１５、ケース弁座１４７）を閉じた状態（Ｘ）との切り替えを多数回行うので、最大ストローク（Ｎ、Ｚ）の流量が一定であることは制御性を向上させる。尤も、低デューティ比の場合は可動子１３５や弁体１５０の移動量は流量特性に影響を与える。

なお、上述したのは本開示の望ましい例であるが、本開示は種々に変更可能である。寸法や材質は要求仕様に応じて適宜変更できる。

第２ストッパ１７０として、上述の例では永久磁石を用い電磁石１８０との反発を利用したが、電磁石１８０に吸引されるような配置としても良い。電磁石１８０との吸引を利用する場合には、第２ストッパ１７０は永久磁石ではなく、鉄等の磁性材としてもよい。

また、上述の例では、ソニック形状を通路ソニック部１１６とケースソニック部１４８の両方に形成したが、いずれか一方としても良く、いずれにも形成しないとする態様もありうる。ソニック形状を形成する場合でも、図１４に示した所定距離（Ｌ、Ｍ）は一例であり、より長いストロークとすることも可能である。

ケース１４０の形状も上述した円筒形状以外の形状も可能である。ケース入口１４４の形成位置も側面以外とすることも可能であり、ケース入口１４４の数を複数にしてもよい。ケースバネ１４９はケース１４０を安定化するうえで望ましいが、必要に応じて廃止することの可能である。

また、上述の例では、第１位置Ｐ１でも第２位置Ｐ２でも弁体１５０は第１ストッパ１６０に当接する構造としていたが、第２位置Ｐ２では通路弁座１１５を開いておればよく、必ずしも第１ストッパ１６０に当接する必要はない。

また、上述の例では本開示の流量制御弁をパージバルブ１００として用いたが、パージバルブ１００以外の用途に用いることは勿論可能である。

１００ パージバルブ
１１０ 通路部材
１１１ 入口
１１４ 出口
１１５ 通路弁座
１３０ ソレノイド部材
１３２ コイル
１３４ ステータコア
１３５ 可動子
１４０ ケース
１４４ ケース入口
１４５ ケース出口
１４７ ケース弁座
１５０ 弁体
１６０ 第１ストッパ
１７０ 第２ストッパ
１８０ 電磁石

Claims (8)

1. 流体が流入する入口と、流体が流出する出口と、この出口と前記入口との間に形成され流体が通過する通路室と、この通路室の前記出口周囲に突出形成された通路弁座とを備える通路部材と、
   前記通路室内に配設され、前記通路室内の流体が流入するケース入口と、流体を前記通路室に流出するケース出口と、このケース出口と前記ケース入口との間に形成され流体が通過するケース内通路と、このケース内通路の前記ケース出口周囲に突出形成されたケース弁座と、前記通路弁座と当接するケースシール面とを備えるケースと、
   通電時に励磁するコイルと、このコイルの磁気回路を形成するヨークと、このヨークと共に前記コイルの磁気回路を形成するステータコアと、このステータコアと磁気ギャップを介して配置され前記コイルの励磁時に第１方向に移動する可動子と、この可動子を前記第１方向とは逆の第２方向に付勢するバネとを備えるソレノイド部材と、
   前記可動子と共に移動して、前記可動子が前記第１方向に移動していない状態で前記ケース弁座に弁体シール面が当接すると共に前記ケースシール面を前記通路弁座に当接させ、前記可動子が前記第１方向に第１距離以内で移動した状態で前記ケース弁座から前記弁体シール面が離脱すると共に前記ケースシール面を前記通路弁座に当接させた状態を維持し、前記可動子が前記第１方向に前記第１距離以上移動した状態では前記ケース弁座から前記弁体シール面が離脱すると共に前記ケースシール面も前記通路弁座から離脱させる弁体と、
   この弁体の前記第１方向の移動を規制すると共に自身は前記第１方向に移動可能な第１ストッパと、
   この第１ストッパの前記第１方向の移動を規制すると共に自身は前記第１方向に移動可能な第２ストッパと、
   この第２ストッパの位置を、前記弁体の前記第１距離未満での移動を許容し前記第１距離以上に前記弁体が移動する際には前記弁体が前記第１ストッパに当接して前記弁体の移動を規制する第１位置（Ｐ１）と、前記第１距離以上に前記弁体が移動した際にも前記弁体の移動を許容する第２位置（Ｐ２）とに切り替える電磁石とを備える、
   流量制御弁。
2. 前記通路弁座と前記ケースシール面とで規制される流体の流量の方が、前記ケース弁座と前記弁体シール面とで規制される流量より大きい
   ことを特徴とする請求項１記載の流量制御弁。
3. 前記通路部材の前記出口は流体の流量を規制するソニック形状に形成され、前記ケースシール面と前記通路弁座との間の距離が前記第１方向に所定距離離れると流体の流量はこのソニック形状に規制されて、所定距離以上離れても流体の流量増加が抑制される
   ことを特徴とする請求項１若しくは２に記載の流量制御弁。
4. 前記ケースの前記ケース出口は流体の流量を規制するソニック形状に形成され、前記弁体シール面と前記ケース弁座との間の距離が前記第１方向に所定距離離れると流体の流量はこのソニック形状に規制されて、所定距離以上離れても流体の流量増加が抑制される
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の流量制御弁。
5. 前記第２ストッパは永久磁石で構成されると共に、前記第２ストッパを前記第１方向に付勢するストッパバネを備え、
   前記電磁石の励磁時には前記電磁石と反発して前記第２位置（Ｐ２）となり、前記電磁石の非励磁時には前記ストッパバネの付勢力で前記第１位置（Ｐ１）となる
   ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の流量制御弁。
6. 前記ケースは、内部に前記ケース内通路を形成する有蓋有底の円筒形状であり、
   前記ケース入口は前記ケースの側面に形成され、
   前記ケース出口は前記ケースの蓋面に形成され、
   前記弁体が前記第１距離以上前記第１方向に移動した際には、前記弁体が前記ケースの底面と係合する
   ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の流量制御弁。
7. 前記通路部材の前記通路室には、前記ケースを前記ケースシール面が前記通路弁座と当接する前記第２方向に付勢するケースバネが配されている
   ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の流量制御弁。
8. 前記ソレノイド部材は、前記コイルの励磁状態と前記コイルの非励磁状態とをデューティ比制御しており、
   前記第２ストッパの位置が前記第１位置（Ｐ１）にある状態ではデューティ比が０％と１００％との間でデューティ比制御を行い、
   前記第２ストッパの位置が前記第２位置（Ｐ２）にある状態ではデューティ比が所定値Ｘ％と１００％との間でデューティ比制御を行い、
   前記第２ストッパの位置が前記第１位置（Ｐ１）にある状態での１００％のデューティ比制御で流れる流体の流量が、前記第２ストッパの位置が前記第２位置（Ｐ２）にある状態でのデューティ比が所定値Ｘ％のデューティ比制御で流れる流体の流量と略同じである
   ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の流量制御弁。

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