JP2022097638A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、ブロードなスペクトルを示す白色発光が得られる発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、高精細な発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装置を提供する。【解決手段】白色カラーフィルタ方式のトップエミッション構造を有する発光装置において、１つの画素がＲＧＢＹの４つの副画素で構成され、ＥＬ層は、赤色発光を呈する第１の発光物質と、緑色発光を呈する第２の発光物質と、青色発光を呈する第３の発光物質を有し、半透過・半反射電極（上部電極）がＥＬ層の端部を覆って形成される発光装置を提供する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる有機化合物を一対の電極間に
挟んでなる発光素子、また、このような発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明
装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。そのため、より具体的に本明
細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装
置、発光装置、照明装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として
挙げることができる。

薄型軽量、入力信号に対する高速な応答性、低消費電力などのポテンシャルから、次世代
の照明装置や表示装置として有機化合物を発光物質とする発光素子（有機ＥＬ素子）を用
いた表示装置が開発され、一部商品化されている。

発光素子は電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、電極から注入された電子
および正孔（ホール）が再結合して有機化合物である発光物質が励起状態となり、その励
起状態が基底状態に戻る際に発光する。発光物質が発する光のスペクトルはその発光物質
特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発光物質として用いることによって、様々
な色の発光を呈する発光素子を得ることができる。

ディスプレイなど、画像を表示することを念頭においた発光装置の場合、フルカラーの映
像を再現するためには、少なくとも赤、緑、青の３色の光を得ることが必要になる。さら
に、色の再現性を良好なものとし画質を高めるために、マイクロキャビティ（微小光共振
器）構造や、カラーフィルタ（着色層）を用いることで発光の色純度を高める工夫もなさ
れる。

また、赤、緑、青の３色の光の他に白色発光を追加することによって、消費電力が低減さ
れた発光装置も提案及び実用化されている。

上述のような発光素子を用いて、フルカラー表示を実現する方式としては、各々の光を発
する発光素子を別々に形成するいわゆる塗り分け方式と、白色発光素子にカラーフィルタ
を組み合わせた白色カラーフィルタ方式、青色発光素子などの単色発光素子に色変換フィ
ルタを組み合わせた色変換方式などがあり、それぞれメリット、デメリットを有する。

特開２００７－５３０９０号公報

白色カラーフィルタ方式は、複数の異なる発光色（例えば赤、緑、青）の発光素子が一つ
の発光層を共有するため、塗り分け方式と比較して高精細化が容易である。また、ボトム
エミッション構造よりも開口率を高くすることが容易なトップエミッション構造を採用す
ることによって、より高精細化することも可能である。このため、白色カラーフィルタ方
式とトップエミッション構造の組み合わせ（以下白色カラーフィルタトップエミッション
構造とも称する）は、依然高精細化が求められているディスプレイ市場に適合した表示方
式であるといえる。

この白色カラーフィルタトップエミッション構造を有する発光装置に、上述のように赤、
緑、青の３色の光を発する発光素子の他に、白色発光を呈する発光素子を追加することで
消費電力を低減させることもできる。しかし、赤、緑、青の発光素子と比較して白色発光
素子は色度の視野角依存性が大きいという不都合が生じることがあった。

トップエミッション構造では、発光素子の上部電極を介して発光を取り出す都合上、上部
電極は透光性を有する部材で形成する。しかし、ＩＴＯに代表される透明導電膜は、電極
材料として用いる導電性材料の中でも高抵抗であるため、通常、透明導電膜と低抵抗な金
属薄膜との組み合わせにより上部電極が形成される。

上述の金属薄膜は透光性を有する程度に薄く形成されるが、光を反射するため、上部電極
は半透過・半反射電極となる。そのため、このような構造を有する発光素子においては、
下部電極である反射電極と、上部電極である半透過・半反射電極によって必然的にマイク
ロキャビティ構造が形成される。

従って、赤、緑、青の発光素子の場合はそれぞれ上部電極と下部電極との間の光学距離を
各々の発光を強めるべく調整することで、正面輝度及び色純度の両方を向上させることが
できる。しかし、白色発光の場合、特定の発光が強められると白色発光を得ることが難し
い。

また、上述したように、赤、緑、青の発光素子と比較して白色発光素子は色度の視野角依
存性が大きい。赤、緑、青の発光素子であればカラーフィルタを用いることによって、色
度の視野角依存性を抑えることが可能であるが、白色発光素子の場合、カラーフィルタを
用いないため、斜めから見ると大きく色ずれを起こす。

そこで、本発明の一態様では、マイクロキャビティ効果によって色純度の高い単色光を示
すことができ、かつ、これらの光を複数組み合わせた際には、ブロードなスペクトルを示
す白色発光が得られる発光装置を提供する。また、消費電力の低い白色発光が得られる発
光装置を提供する。また、本発明の一態様では、色度及び輝度の視野角依存性の低い発光
装置を提供する。また、本発明の一態様では、高精細な発光装置を提供する。また、本発
明の一態様では、高精細な電子機器および照明装置を提供する。なお、これらの課題の記
載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これ
らの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求
項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載か
ら、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、発光素子ごとに形成される反射電極と、各発光素子に共通の半透過・
半反射電極との間に共通のＥＬ層を有する複数の発光素子を有し、マイクロキャビティ構
造とカラーフィルタを組み合わせてなる発光装置であって、ＥＬ層には、第１の発光物質
と、第２の発光物質と、第３の発光物質と、を有し、複数の発光素子のそれぞれから得ら
れる光は異なる単色光を呈し、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成される
ことを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４
の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射
電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極と
を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し
、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１
の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の
反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反
射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射
電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素
子の半透過・半反射電極上には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過
・半反射電極上には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電
極上には、第３のカラーフィルタを有し、第４の発光素子の半透過・半反射電極上には、
第４のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、第１の発光物質と、第２の発光物質と、第３の
発光物質と、を有し、第１の発光素子は、第１のカラーフィルタを介して第１の単色光を
呈し、第２の発光素子は、第２のカラーフィルタを介して第２の単色光を呈し、第３の発
光素子は、第３のカラーフィルタを介して第３の単色光を呈し、第４の発光素子は、第４
のカラーフィルタを介して第１の単色光の補色に相当する発光を呈し、第４の反射電極と
半透過・半反射電極との光学距離は、第１の単色光の補色に相当する発光を強めるべく形
成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光
装置である。

また、本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と
、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・
半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射
電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極と
を有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し
、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第
３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４
の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の
発光素子の半透過・半反射電極上には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の
半透過・半反射電極上には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半
反射電極上には、第３のカラーフィルタを有し、第４の発光素子の半透過・半反射電極上
には、第４のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、第１の発光物質と、第２の発光物質と、
第３の発光物質と、を有し、第１の発光素子は、第１のカラーフィルタを介して第１の単
色光を呈し、第２の発光素子は、第２のカラーフィルタを介して第２の単色光を呈し、第
３の発光素子は、第３のカラーフィルタを介して第３の単色光を呈し、第４の発光素子は
、第４のカラーフィルタを介して５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピー
クを有する発光を呈し、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離は、５４０ｎ
ｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する発光を強めるべく形成され、半
透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である
。

また、本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と
、第４の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・
半反射電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射
電極とを有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極と
を有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し
、第１の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、
第２の反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第
３の反射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４
の反射電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の
発光素子の半透過・半反射電極上には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の
半透過・半反射電極上には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半
反射電極上には、第３のカラーフィルタを有し、第４の発光素子の半透過・半反射電極上
には、第４のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、第１の発光物質と、第２の発光物質と、
第３の発光物質と、を有し、第１の発光素子は、第１のカラーフィルタを介して第１の単
色光を呈し、第２の発光素子は、第２のカラーフィルタを介して第２の単色光を呈し、第
３の発光素子は、第３のカラーフィルタを介して第３の単色光を呈し、第４の発光素子は
、第４のカラーフィルタを介して黄色発光を呈し、第４の反射電極と半透過・半反射電極
との光学距離は、黄色発光を強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部
を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４
の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射
電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極と
を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し
、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１
の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の
反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反
射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射
電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素
子の半透過・半反射電極上には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過
・半反射電極上には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電
極上には、第３のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、第１の発光を呈する第１の発光物質
と、第２の発光を呈する第２の発光物質と、第３の発光を呈する第３の発光物質とを有し
、第４の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が黄色発光を強めるべく形成され、
半透過・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置であ
る。

本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４
の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射
電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極と
を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し
、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１
の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の
反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反
射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射
電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素
子の半透過・半反射電極上には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過
・半反射電極上には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電
極上には、第３のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、赤色発光を呈する第１の発光物質と
、緑色発光を呈する第２の発光物質と、青色発光を呈する第３の発光物質とを有し、第４
の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が黄色発光を強めるべく形成され、半透過
・半反射電極は、ＥＬ層の端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４
の発光素子とを有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射
電極とを有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極と
を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し
、第４の発光素子は、第４の反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、第１
の反射電極とＥＬ層との間には第１の反射電極と接して第１の透明導電膜を有し、第２の
反射電極とＥＬ層との間には第２の反射電極と接して第２の透明導電膜を有し、第３の反
射電極とＥＬ層との間には第３の反射電極と接して第３の透明導電膜を有し、第４の反射
電極とＥＬ層との間には第４の反射電極と接して第４の透明導電膜を有し、第１の発光素
子の半透過・半反射電極上には、第１のカラーフィルタを有し、第２の発光素子の半透過
・半反射電極上には、第２のカラーフィルタを有し、第３の発光素子の半透過・半反射電
極上には、第３のカラーフィルタを有し、ＥＬ層は、赤色発光を呈する第１の発光物質と
、緑色発光を呈する第２の発光物質と、青色発光を呈する第３の発光物質とを有し、第４
の反射電極と半透過・半反射電極との光学距離が５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲に
スペクトルピークを有する発光を強めるべく形成され、半透過・半反射電極は、ＥＬ層の
端部を覆って形成されることを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、上記各構成において、第１の発光素子は、赤色発光を呈し、第２
の発光素子は、緑色発光を呈し、第３の発光素子は、青色発光を呈することを特徴とする
発光装置である。

本発明の別の一態様は、上記各構成において、第１の発光物質は、５７０ｎｍ以上６８０
ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、上記各構成において、第２の発光物質は４９０ｎｍ以上５８０ｎ
ｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、上記各構成において、第３の発光物質は４００ｎｍ以上４９０ｎ
ｍ以下の範囲にスペクトルピークを有することを特徴とする発光装置である。

本発明の別の一態様は、上記各構成において、第１の反射電極と半透過・半反射電極との
光学距離は赤色発光を相対的に強めるべく形成され、第２の反射電極と半透過・半反射電
極との光学距離は緑色発光を相対的に強めるべく形成され、第３の反射電極と半透過・半
反射電極との光学距離は青色発光を相対的に強めるべく形成されることを特徴とする発光
装置である。

本発明の別の一態様は、上記構成において、ＥＬ層は第１のＥＬ層、中間層及び第２のＥ
Ｌ層を有するタンデム構造を有し、第１のＥＬ層には第１の発光物質を含む第１の発光層
と第２の発光物質を含む第２の発光層とが接して設けられ、第２のＥＬ層は第３の発光物
質を含む第３の発光層を有し、第１の発光層と第２の発光層との界面から半透過・半反射
電極との光学的距離は、λ_ＲＹＧ／４（但しλ_ＲＹＧは５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下）
であることを特徴とする発光装置である。

本発明の別の構成は、上記構成を有する発光装置を用いた電子機器である。

本発明の別の構成は、上記構成を有する発光装置を用いた照明装置である。

また、本発明の一態様は、上記各構成に示した発光装置を有する電子機器および照明装置
も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイ
ス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃ
ａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配
線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）
方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある
。

本発明の一態様では、単色光としてはマイクロキャビティ効果による色純度の高い光を示
しつつ、これらの光を複数組み合わせた際には、白色発光が得られる発光装置を提供する
。また、消費電力の低い白色発光が得られる発光装置を提供する。また、本発明の一態様
では、色度及び輝度の視野角依存性の低い発光装置を提供する。また、本発明の一態様で
は、高精細な発光装置を提供する。また、本発明の一態様では、高精細な電子機器および
照明装置を提供する。また、本発明の一態様では、消費電力の低い電子機器および照明装
置を提供する。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。な
お、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これ
ら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり
、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である
。

発光素子の構造について説明する図。 発光装置の画素部の構成について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。 発光素子１乃至発光素子５の輝度－電流効率特性を表す図。 発光素子１乃至発光素子５の電圧－輝度特性を表す図。 発光素子１乃至発光素子５の色度を表す図。 発光素子１乃至発光素子５の発光スペクトルを表す図。 発光素子１乃至発光素子５の輝度の配光特性を表す図。 発光装置の画素部の構成について説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容
に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置に含まれる発光素子について説明する
。

本実施の形態で説明する発光素子は、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を挟んで形成さ
れた構造を有する。なお、発光素子に含まれるＥＬ層は、単層のみならず電荷発生層を挟
んで積層された構造（タンデム構造）であってもよく、本実施の形態では、ＥＬ層が２層
積層されたタンデム構造の発光素子について、図１により説明する。

図１に示す発光素子は、一対の電極（第１の電極１０１、第２の電極１０２）間に発光層
を含む２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）が挟まれており、各ＥＬ層（１０３ａ、１０
３ｂ）は、第１の電極（陽極）１０１側から正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）、正孔輸
送層（１０５ａ、１０５ｂ）、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）、電子輸送
層（１０７ａ、１０７ｂ）、電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）等が順次積層された構造
を有する。また、ＥＬ層１０３ａとＥＬ層１０３ｂとの間には、電子リレー層１０９を有
する。なお、図示していないが、電子リレー層１０９を用いず、電子注入層１０８ａと正
孔注入層１０４ｂが接していても良い。ここで、電子注入層１０８ａから正孔注入層１０
４ｂに至る領域、あるいはその一部が電荷発生層として機能する。電荷発生層は中間層と
も呼ばれる。第１の電極１０１と第２の電極１０２のうち一方は反射電極であり、他方は
半透過・半反射電極である。以下、前者を反射電極、後者を半透過・半反射電極として説
明する。

なお、本発明の一態様である発光装置に含まれる発光素子のＥＬ層は、各々発光色が異な
る第１の発光物質、第２の発光物質及び第３の発光物質を含む構成を有する。従って、図
１に示すタンデム構造の発光素子の場合には、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ
２）の各々に第１の発光物質、第２の発光物質及び第３の発光物質をそれぞれ含む構成と
し、その他の物質を適宜組み合わせて含めることもできる。また、第１の発光物質乃至第
３の発光物質から発する光は、蛍光発光でも燐光発光でもよい。また、ＥＬ層が単層であ
る場合、第１の発光物質を含む発光層と、第２の発光物質を含む発光層と、第３の発光物
質を含む発光層とが積層された構造としても良い。

また、電荷発生層は、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、一
方のＥＬ層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１０３ｂまたは
１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図１において、第１の電極１０１に
第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層からＥＬ層
１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。

なお、電荷発生層は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体
的には、電荷発生層に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電
荷発生層は、第１の電極１０１や第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する
。

また、図１に示す発光素子において、各ＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる各発光
層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）から射出される発光は、マイクロキャビティと
しての機能を有する第１の電極（反射電極）１０１と、第２の電極（半透過・半反射電極
）１０２とによって共振させることができる。そして、いずれ第２の電極１０２側から射
出される。なお、第１の電極１０１は反射性を有する導電膜とその上に積層された透明導
電膜を有し、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行っている。また、場合
によっては、第１のＥＬ層１０３ａに含まれる正孔注入層１０４ａの膜厚制御で光学調整
を行うこともできる。

このように、第１の電極１０１や正孔注入層１０４ａの膜厚を制御して光学調整を行うこ
とで、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）から得られる複数スペクトルのうち
任意に選ばれたスペクトルを選択的に強め、狭線化させることができる。したがって、発
光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）全体としてはブロードなスペクトルを与える
にもかかわらず、発光素子からは色純度の良い発光を得ることができる。

なお、各発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）から得られる発光は、第１の電極
１０１と第２の電極１０２とで形成されるマイクロキャビティ効果により、青色（例えば
、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲、より好ましくは４５０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下
の範囲に発光スペクトルのピークを有する）、緑色（例えば、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ
以下の範囲、より好ましくは５２０ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルのピ
ークを有する）、赤色（例えば、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の範囲、より好ましくは
６００ｎｍ以上６２０ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルのピークを有する）、あるいは黄
色（例えば、５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲、より好ましくは５４０ｎｍ以上５８
０ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルのピークを有し、黄緑から橙色までを含む）の発光色
を示す。

また、各発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）に用いる発光性物質としては、赤
色、緑色、青色に発光する物質を用いることができる。これらの具体的な組み合わせとし
ては、「１０６ａ＼１０６ｂ１・１０６ｂ２」で表すと、例えば「青色＼緑色・赤色」、
「青色＼赤色・緑色」、「青色＼黄色・緑色」、「青色＼緑色・黄色」、「青色＼黄色・
赤色」、「緑色＼青色・赤色」、「緑色＼赤色・青色」、「緑色＼黄色・赤色」、「緑色
＼青色・黄色」、「緑色＼黄色・青色」、「赤色＼緑色・青色」、「赤色＼青色・緑色」
、「赤色＼黄色・青色」、「赤色＼青色・黄色」、「赤色＼黄色・緑色」などが挙げられ
る。なお、本明細書においては、赤色、緑色、青色の発光物質とは、それぞれ、５７０ｎ
ｍ以上６８０ｎｍ以下、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ以下
の波長範囲に発光ピークを有する物質である。

なお、上述した発光素子にマイクロキャビティ効果を利用して取り出す発光色に応じたカ
ラーフィルタを組み合わせることで、発光素子から得られる発光スペクトルを狭線化させ
ることができる。

次に、上記の発光素子を作製する上での具体例について説明する。

第１の電極１０１は、反射電極であることから反射性を有する導電性材料により形成され
、その膜に対する可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１０
０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、第
２の電極１０２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形
成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上
７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

また、所望の光を共振させ、強めることができるように、所望の光の波長毎に第１の電極
１０１と第２の電極１０２との光学距離を調整する。具体的には、第１の電極１０１の一
部に用いる透明導電膜の膜厚を変え、所望の光の波長λに対して、電極間の光学距離がｍ
λ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。

さらに、所望の光を与える発光層からの光を選択的に共振・増幅させるために、第１の電
極１０１と、所望の光を射出する発光層との光学距離を調整する。具体的には、第１の電
極１０１の一部に用いる透明導電膜、もしくは正孔注入層１０４ａを形成する有機膜の膜
厚を変え、光学距離が（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）となるように調節
する。

なお、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、第１の電極１０１における
反射領域から、第２の電極１０２における反射領域までの領域の厚さと屈折率の積である
。また、第１の電極１０１と所望の光を射出する発光層との光学距離は、第１の電極１０
１における反射領域から、所望の光を射出する発光層の発光領域までの領域の厚さと屈折
率の積である。本明細書では、第１の電極１０１中、第２の電極１０２中、および発光層
中の任意の位置をそれぞれ反射領域、発光領域として選択し、光学距離を導出すれば良い
。

なお、上記の条件を満たす第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料とし
ては、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることがで
きる。具体的には、酸化インジウム－酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、
珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸
化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ク
ロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、
すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃ
ａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）、およびこ
れらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ
）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
なお、第１の電極１０１および第２の電極１０２は、例えばスパッタリング法や蒸着法（
真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）は、正孔輸送性の高い正孔輸送層（１０５ａ、１０５
ｂ）を介して発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）に正孔を注入する層であり、
正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。これにより、アクセプター性物質
により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔が発生し、正孔輸送層（１０５ａ、１
０５ｂ）を介して発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）に正孔が注入される。な
お、正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）は、正孔輸送性材料を用いて形成される。

正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）および正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）に用いる正
孔輸送性材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル
アミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフ
ェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略
称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェ
ニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－
ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフ
ェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバ
ゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナ
フチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバ
ゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１等が挙げられる。その他、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリ
ル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェ
ニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル
）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用
いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を
有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のも
のを用いてもよい。

さらに、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることも
できる。

また、正孔注入層（１０５ａ、１０５ｂ）に用いるアクセプター性物質としては、元素周
期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には
、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タン
グステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、
酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。金属
の酸化物以外に、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノ
ジメタン（略称：Ｆ_４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等もアクセプター性物質として挙げるこ
とができる。

発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）は、発光性物質を含む層である。なお、発
光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）には、発光性物質に加えて、電子輸送性材料
、正孔輸送性材料の一方または両方を含んで構成される。

また、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）に用いることが可能な発光性物質と
しては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光
に変える発光性物質を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、例えば、以
下のようなものが挙げられる。

一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げられ
る。物質の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）
、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）
トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４
’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰ
ＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル
］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１
１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－
アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルア
ミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，
１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－
フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，
１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略
称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル
］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰ
Ａ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベ
ンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマ
リン３０、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ
－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’
－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アント
リル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡ
ＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］
－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈ
Ａ）、９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバ
ゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧ
ＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰ
ｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ル
ブレン、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテ
トラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテ
ニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ
１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベ
ンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパ
ンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニ
ル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル
－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フ
ルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピ
ル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ
，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデ
ン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２
－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベン
ゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパン
ジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）
フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：Ｂｉ
ｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル
－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）
エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴ
Ｍ）などを用いることができる。特に、Ｎ，Ｎ’－ビス〔４－（９－フェニル－９Ｈ－フ
ルオレン－９－イル）フェニル〕－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ピレン－１，６－ジアミン（
略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビ
ス〔３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル〕ピレン－１，６－ジ
アミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）のようなピレンジアミン化合物に代表さ
れる縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れる
発光素子を与えるため好ましい。

また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発する
物質が挙げられる。青色発光を示す燐光を発する物質の具体例としては、トリス｛２－［
５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－
トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）_３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１
，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、ト
リス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－
トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）_３］）、ト
リス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－
トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３）のような４Ｈ
－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－
メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）_３］）、トリス（１－メチル－５－フェニル－
３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジ
ウム錯体、ｆａｃ－トリス［（１－２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－
１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、ト
リス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナン
トリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）_３］）のよ
うなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフ
ルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラ
ゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）
ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、
ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２
’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］
）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウ
ム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を
有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体等が挙げられる。

また、緑色発光を示す物質の具体例としてはトリス（４－メチル－６－フェニルピリミジ
ナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４－ｔ－ブチ
ル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）
_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［２－（６－ｔｅ
ｒｔ－ブチル－４－ピリミジニル－κＮ３）フェニル－κＣ］（２，４－ペンタンジオナ
ト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ
）］）、（アセチルアセトナト）ビス［４－（２－ノルボルニル）－６－フェニルピリミ
ジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（ｅｎｄｏ－，ｅｘｏ－混合物）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐ
ｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチ
ルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐ
ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリ
ミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（ア
セチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチルフェニル）
－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ
ｍｐｐｍ－ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウ
ム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチル
アセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン
骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２－フェニルピリジナト
－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２
（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセ
トナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナ
ト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２－フェニルキノ
リナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２－
フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フェ
ニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉ
ｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）_２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウ
ム錯体の他、ビス（２，４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウ
ム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））のようなオ
キサゾール骨格を有する有機イリジウム錯体、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ
，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａ
ｃ））のようなチアゾール骨格を有する有機イリジウム錯体、トリス（アセチルアセトナ
ト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐ
ｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体等が挙げられる。なお、ピリミジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れる発光素子を与えるため、
特に好ましい。

また、赤色発光を示す物質の具体例としては（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－
ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍ
ｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナ
ト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２
（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロ
イルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）の
ようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（
２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ
）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメ
タナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチ
ルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有
する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト
－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２
（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、２，３，７，
８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ
）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロ
パンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢ
Ｍ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロア
セトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）
_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体等が挙げられる。また、ピラジン骨格を有す
る有機金属イリジウム錯体からは、色度の良い赤色発光が得られる。

また、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）には、上記発光性物質以外の化合物
が含まれていても良い。当該化合物は、例えば、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６
ｂ２）の輸送性やキャリアトラップ性を調整する補助的役割や、ホスト材料としての役割
を担い、電子輸送性材料であっても、正孔輸送性材料であっても良い。例えば、含窒素複
素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物等の有機化合物を用いることがで
き、具体的には、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ
，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－
９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ
）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキ
サリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－
４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－Ｉ
Ｉ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体などの電子輸送性材料を用い
ることができる。また、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やイ
ンドール誘導体）や芳香族アミン化合物を用いることもでき、具体的には、４－フェニル
－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カ
ルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、ＰＣｚＰＣＮ１、
４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニル
アミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、２，７－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニ
ル）－Ｎ－フェニルアミノ］－スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）
、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベン
ゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニ
ルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ
’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３
－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２－［Ｎ－（９－フ
ェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレ
ン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニル
アミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－
（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチルフル
オレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、ＴＰＤ、４，４’－ビス［Ｎ－（４－
ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ
－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－
［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］
－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、ＰＣｚＰＣ
Ａ１、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェ
ニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミ
ノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ
２）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ
’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）
、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ
］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フ
ェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（
略称：ＰＣｚＰＣＡ２）などの正孔輸送性材料が挙げられる。その他にも９－フェニル－
３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称
：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール（略称：ＰＣＰＮ）、ＣｚＰＡ、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル
）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６
－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベンゾ［ｂ］ナフト［
１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－｛４－（９－フ
ェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）－ビフェニル－４’－イル｝－アントラセン（略
称：ＦＬＰＰＡ）等のアントラセン化合物等を用いることもできる。

電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送
層（１０７ａ、１０７ｂ）には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌ
ｑ_３）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、
ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビ
ス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：ＢＡｌｑ）、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベン
ゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。
また、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４
－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェ
ニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３
－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，
２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－
（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称
：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（
略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベ
ン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，
５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，
７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（
９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６
，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる
。ここに述べた物質は、主に１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質で
ある。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層
（１０７ａ、１０７ｂ）として用いてもよい。

また、電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる
層が２層以上積層したものとしてもよい。

電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入
層（１０８ａ、１０８ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）
、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属
、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビ
ウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１
０８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウム
とアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述し
た電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混
合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化
合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機
化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、
例えば上述した電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）を構成する物質（金属錯体や複素芳香
族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性
を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が
好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウ
ム等が挙げられる。また、これらの金属の酸化物や炭酸塩が好ましく、リチウム酸化物、
カルシウム酸化物、バリウム酸化物、炭酸セシウム等が挙げられる。また、酸化マグネシ
ウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：Ｔ
ＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

電子リレー層１０９には、フタロシアニン系の材料、あるいは金属－酸素結合と芳香族配
位子を有する金属錯体などを用いることができる。

なお、上述した正孔注入層（１０４ａ、１０４ｂ）、正孔輸送層（１０５ａ、１０５ｂ）
、発光層（１０６ａ、１０６ｂ１、１０６ｂ２）、電子輸送層（１０７ａ、１０７ｂ）、
電子注入層（１０８ａ、１０８ｂ）、および電子リレー層１０９は、それぞれ、蒸着法（
真空蒸着法を含む）、印刷法（例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版
印刷法、孔版印刷法等）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

なお、本実施の形態では、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、３層以上の
ＥＬ層を積層することも可能である。このようなタンデム型の発光素子は、低い電流値で
高輝度の発光を与えることができる。

また、本実施の形態で示した発光素子は、マイクロキャビティ構造を有しており、同じＥ
Ｌ層を有していても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが
できるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した発光素子にカラーフィルタ等を組み合わせる
場合の発光装置の一態様について説明する。なお、本実施の形態では、発光装置の画素部
の構成について図２を用いて説明する。

図２では、基板２０１上に複数のＦＥＴ２０２が形成されており、各ＦＥＴ２０２は、各
発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）と電気的に接続されている。具体
的には、各ＦＥＴ２０２が発光素子の画素電極である第１の電極２０３と電気的に接続さ
れている。また、隣り合う第１の電極２０３の端部を埋めるべく隔壁２０４が設けられて
いる。

なお、本実施の形態における第１の電極２０３の構成は、実施の形態１で示したものと共
通であり、反射電極としての機能を有する。また、第１の電極２０３の一部として、透明
導電膜からなる導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）が形成されており、
各導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）の膜厚は、各発光素子（２０７Ｒ
、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）の第１の電極２０３と第２の電極２１０との光学距離
が、取り出したい光の増幅が許容されるように調整される。（但し、導電膜を形成せず、
各ＥＬ層によって光学調整しても良い。）また、第１の電極２０３および導電膜（２１２
Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）上にはＥＬ層２０５が形成され、ＥＬ層２０５上に
は第２の電極２１０が形成されている。ＥＬ層２０５および第２の電極２１０の構成につ
いても実施の形態１で説明したものと共通であり、ＥＬ層については複数の単色光を呈す
る複数の発光層を有する構成であり、第２の電極２１０については、半透過・半反射電極
として機能する電極である。

各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）からは、それぞれ異なる発光が
得られる。具体的には、発光素子２０７Ｒは、赤色発光が選択的に得られるように光学調
整されており、２０６Ｒで示される領域においてカラーフィルタ２０８Ｒを通って矢印の
方向に赤色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｇは、緑色発光が選択的に得られる
ように光学調整されており、２０６Ｇで示される領域においてカラーフィルタ２０８Ｇを
通って矢印の方向に緑色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｂは、青色発光が選択
的に得られるように光学調整されており、２０６Ｂで示される領域においてカラーフィル
タ２０８Ｂを通って矢印の方向に青色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｙは、黄
色発光が選択的に得られるように光学調整されており、２０６Ｙで示される領域において
カラーフィルタ２０８Ｙを通って矢印の方向に黄色の光が射出される。

なお、各カラーフィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）は、図２に示すよ
うに各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）が設けられた基板２０１の
上方に配置された透明な封止基板２１１に設けられている。なお、各カラーフィルタ（２
０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）は、それぞれの発光色を呈する各発光素子（２
０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）と重なる位置にそれぞれ設けられている。

また、隣り合う各カラーフィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）の端部を
埋めるべく黒色層（ブラックマトリックス）２０９が設けられている。なお、各カラーフ
ィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ）と黒色層２０９は、透明な材料を用
いたオーバーコート層で覆われていても良い。

以上に説明した構成では、封止基板２１１側に発光を取り出す構造（トップエミッション
型）の発光装置となる。従って、基板２０１として遮光性の基板および透光性の基板を用
いることができる。

以上のような構成とすることにより、同じＥＬ層を共有していても複数の発光色（赤色、
青色、緑色、黄色）を呈する発光素子が得られるとともに、消費電力の低い白色発光を呈
する発光装置を得ることができる。従って、塗り分けが不要であり、高精細化を実現する
ことが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。さらに、ＲＧ
ＢにＹ（黄）の画素が追加された構成は、ＲＧＢにＷ（白）の画素が追加された構成と比
較して、色度の視野角依存性を低減させることができる。また、カラーフィルタと組み合
わせることにより色度の視野角依存を低減させることができる。この構成は、３色以上の
画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが
、これらのバックライトやフロントライトの他、照明装置などの用途に用いても良い。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した発光素子にカラーフィルタ等を組み合わせる
場合の発光装置の一態様について説明する。なお、本実施の形態では、発光装置の画素部
の構成について図１２を用いて説明する。

図１２では、基板２０１上に複数のＦＥＴ２０２が形成されており、各ＦＥＴ２０２は、
各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）と電気的に接続されている。具
体的には、各ＦＥＴ２０２が発光素子の画素電極である第１の電極２０３と電気的に接続
されている。また、隣り合う第１の電極２０３の端部を埋めるべく隔壁２０４が設けられ
ている。

なお、本実施の形態における第１の電極２０３の構成は、実施の形態１で示したものと共
通であり、反射電極としての機能を有する。また、第１の電極２０３の一部として、透明
導電膜からなる導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）が形成されており、
各導電膜（２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）の膜厚は、各発光素子（２０７Ｒ
、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）の第１の電極２０３と第２の電極２１０との光学距離
が、取り出したい光の増幅が許容されるように調整される。（但し、導電膜を形成せず、
各ＥＬ層によって光学調整しても良い。）また、第１の電極２０３および導電膜（２１２
Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ）上にはＥＬ層２０５が形成され、ＥＬ層２０５上に
は第２の電極２１０が形成されている。ＥＬ層２０５および第２の電極２１０の構成につ
いても実施の形態１で説明したものと共通であり、ＥＬ層については複数の単色光を呈す
る複数の発光層を有する構成であり、第２の電極２１０については、半透過・半反射電極
として機能する電極である。

各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ）からは、それぞれ異なる発光が
得られる。具体的には、発光素子２０７Ｒは、赤色発光が得られるように光学調整されて
おり、２０６Ｒで示される領域においてカラーフィルタ２０８Ｒを通って矢印の方向に赤
色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｇは、緑色発光が得られるように光学調整さ
れており、２０６Ｇで示される領域においてカラーフィルタ２０８Ｇを通って矢印の方向
に緑色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｂは、青色発光が得られるように光学調
整されており、２０６Ｂで示される領域においてカラーフィルタ２０８Ｂを通って矢印の
方向に青色の光が射出される。また、発光素子２０７Ｙは、黄色発光が得られるように光
学調整されており、２０６Ｙで示される領域においてカラーフィルタを透過することなく
、矢印の方向に黄色の光が射出される。

なお、各カラーフィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ）は、図１２に示すように各発
光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ）が設けられた基板２０１の上方に配置された透
明な封止基板２１１に設けられている。なお、各カラーフィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、
２０８Ｂ）は、それぞれの発光色を呈する各発光素子（２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ）
と重なる位置にそれぞれ設けられている。

また、隣り合う各カラーフィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ）の端部を埋めるべく
黒色層２０９が設けられている。なお、各カラーフィルタ（２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８
Ｂ）と黒色層２０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆われていても良い。

以上に説明した構成では、封止基板２１１側に発光を取り出す構造（トップエミッション
型）の発光装置となる。従って、基板２０１として遮光性の基板および透光性の基板を用
いることができる。

以上のような構成とすることにより、複数の発光色（赤色、青色、緑色、黄色）を呈する
発光素子が得られるとともに、これらの発光を合わせた発光効率の高い白色発光を呈する
発光装置を得ることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置の一例として、アクティブマトリクス
型の発光装置について図３を用いて説明する。なお、本実施の形態に示す発光装置には、
実施の形態１で説明した発光素子を適用することが可能である。なお、アクティブマトリ
クス型の発光装置だけでなく、パッシブマトリクス型の発光装置も本発明の一態様に含ま
れる。

なお、図３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）を鎖線Ａ－Ａ
’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、
素子基板３０１上に設けられた画素部３０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）３０３
と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）３０４（３０４ａ及び３０４ｂ）と、を有する。画
素部３０２、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４は、シール材３０５によって、素
子基板３０１と封止基板３０６との間に封止されている。

また、素子基板３０１上には、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４に外部からの信
号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を
伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線３０７が設けられる。ここでは、外
部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）３０８を設ける例を示して
いる。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板
（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体
だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板３０１上には駆動回路部
及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部３０３と
、画素部３０２が示されている。

駆動回路部３０３はＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０とを組み合わせた構成について例示して
いる。なお、ＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０を含む駆動回路部３０３は、単極性（Ｎ型また
はＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のト
ランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、本実施
の形態では、素子基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその
必要はなく、素子基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部３０２はスイッチング用ＦＥＴ（図示せず）と、電流制御用ＦＥＴ３１２と
を有し、電流制御用ＦＥＴ３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）は、発光素子３
１７ａおよび発光素子３１７ｂの第１の電極（陽極）（３１３ａ、３１３ｂ）と電気的に
接続されている。本実施の形態においては、各発光素子に対して２つのＦＥＴ（スイッチ
ング用ＦＥＴ、電流制御用ＦＥＴ３１２を用いる構成を示したが、これに限定されない。
各発光素子に３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせてもよい。

ＦＥＴ３０９、３１０、３１２としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタ
を適用することができる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１２に用いることのできる半導体材
料としては、例えば、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（ケイ素等）半導体、化
合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いることができる。また、該半導体材料
の結晶性については、特に限定されず、例えば、非晶質半導体膜、または結晶性半導体膜
を用いることができる。特に、ＦＥＴ３０９、３１０、３１２としては、酸化物半導体を
用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚ
ｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。Ｆ
ＥＴ３０９、３１０、３１２として、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好まし
くは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、
トランジスタのオフ電流を低減することができる。

素子基板３０１の種類は、特定のものに限定されることはない。一例としては、半導体基
板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラス
チック基板、ステンレス・スチル基板やタングステン基板などの金属基板、貼り合わせフ
ィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどの可撓性基板が挙げられる。ガラ
ス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソ
ーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、以下のものが挙げられる。例
えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、
ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル
、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ樹脂などに代表される
プラスチックがある。または、アクリル樹脂等の合成樹脂などがある。さらに、無機蒸着
フィルム、又は紙類などがある。

半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いることによって、特性、サイズ、又
は形状などのばらつきが少なく、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。
また、このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回
路の高集積化を図ることができる。

素子基板３０１として上述した可撓性基板を用いる場合には、可撓性基板上に発光素子や
トランジスタを直接形成してもよいし、ベース基板上に剥離層を介して発光素子やトラン
ジスタを一部または全部形成した後、ベース基板より分離し、他の基板に転載してもよい
。このような剥離層を用いて別の基板に転載して作製する場合には、耐熱性の劣る基板や
直接形成が難しい可撓性基板上に発光素子やトランジスタを形成することができる。上述
の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造や、ポリ
イミド等の有機樹脂膜を用いることができる。

また、第１の電極は、反射電極である導電膜３１３と光学調整のための導電膜３２０が積
層された構造を有する。例えば、図３（Ｂ）に示すように発光素子３１７ａと発光素子３
１７ｂは、取り出す光の波長が異なるため、導電膜３２０ａと導電膜３２０ｂとは膜厚を
変えて形成される。また、第１の電極（３１３、３２０）の端部を覆うように絶縁物から
なる隔壁３１４が形成される。ここでは、隔壁３１４として、ポジ型の感光性アクリル樹
脂を用いて形成する。また、本実施の形態では、第１の電極（３１３、３２０）を陽極と
して用いる。

また、隔壁３１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが
好ましい。隔壁３１４の形状を上記のように形成することで、隔壁３１４の上層に形成さ
れる膜の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、隔壁３１４の材料として、ネ
ガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化
合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を
使用することができる。

第１の電極（３１３、３２０）上には、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６が積層形成さ
れている。発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）が共有するＥＬ層３１５の端部が、第２の電
極３１６で覆われた構造を有する。また、ＥＬ層３１５の構成については、実施の形態１
と同様とする。

なお、第１の電極、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６に用いる材料としては、実施の形
態１に示す材料を用いることができる。また、発光素子（３１７ａ、３１７ｂ）の第１の
電極（３１３、３２０）は、領域３２１において、駆動回路部３０３を通して引き回し配
線３０７と電気的に接続され、ＦＰＣ３０８を介して外部信号が入力される。さらに、発
光素子（３１７ａ、３１７ｂ）の第２の電極３１６は、領域３２２において、引き回し配
線３２３と電気的に接続され、ここでは図示しないが、ＦＰＣ３０８を介して外部信号が
入力される。

また、図３（Ｂ）に示す断面図では発光素子３１７を２つのみ図示しているが、画素部３
０２においては、実施の形態２で示した複数の発光素子がマトリクス状に配置されている
ものとする。すなわち、画素部３０２には、４種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの発光が得られる発
光素子をそれぞれ形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。

さらに、シール材３０５で封止基板３０６を素子基板３０１と貼り合わせることにより、
素子基板３０１、封止基板３０６、およびシール材３０５で囲まれた空間３１８に発光素
子３１７が備えられた構造になっている。

また、封止基板３０６には、カラーフィルタ３２４が設けられており、隣り合うカラーフ
ィルタの間には、黒色層３２５が設けられている。なお、発光素子３１７ａ、３１７ｂで
得られた発光は、カラーフィルタ３２４を介して外部に取り出される。

なお、空間３１８は、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材
３０５で充填される構成も含むものとする。

また、シール材３０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また
、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、
封止基板３０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ－Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエス
テルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材と
してガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板３０１及び封止基板３
０６はガラス基板であることが好ましい。

また、発光素子と電気的に接続されるＦＥＴの構造は、図３（Ｃ）に示すＦＥＴ３２６、
ＦＥＴ３２７、ＦＥＴ３２８で示す構造としてもよい。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の
一例について、図４を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジ
ョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの固定型ゲーム機などが挙
げられる。

図４（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐
体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示す
ることが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは
、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー
７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機
７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成としても良い。受
信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方
向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である
。

図４（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キー
ボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。
なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製すること
ができる。

図４（Ｃ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタ
ン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有す
る。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領
域を有している。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコ
ン７３０６等を表示することができる。

なお、図４（Ｃ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば
、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラ
ム）によって処理を制御する機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワー
クに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録
媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有
することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定あるいは検知する
機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは
、発光装置をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

図４（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７
４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメ
ラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発
明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、
図４（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。

図４（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ま
しい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設ける
ことで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示
を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１のボタ
ン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によっ
て切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデー
タであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサを用い、表示部７４０２のタッチ
操作による入力が一定期間ないと判断される場合には、画面のモードを入力モードから表
示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図４（Ｄ’－１）や図
４（Ｄ’－２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。

なお、図４（Ｄ’－１）や図４（Ｄ’－２）のような構造を有する場合には、文字情報や
画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１
（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。
このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、
第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用
者が容易に確認することができる。

また、図５（Ａ）～（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ａ
）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ｂ）に展開した状態又は折りた
たんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図５（
Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折り
たたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表
示の一覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持され
ている。ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情
報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる
。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。表示パネル９
３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位
置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報アイコンや使用頻度の高いプログラ
ムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動をスム
ーズに行うことができる。

以上のようにして、本発明の一態様である発光装置は、本実施の形態に示したものに限ら
ず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、
図６を用いて説明する。

図６は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大
面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有
する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもで
きる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザイン
の自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。
さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。

また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明
装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることに
より、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置
は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。

なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。

なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除く
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。

具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であ
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、－２Ｖ
以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」などと記載されていたとしても、
ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」などと
記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、－２Ｖ以上１Ｖ以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。

別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。

なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施すること
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および
販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。

このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明
の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。

なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子な
ど）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。

なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、
抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、また
は、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、
ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、
または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。

なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子１乃至発光素子５を作製した。なお、素子
構造の詳細について、図１を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以
下に示す。

≪発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４、および発光素子５の作製≫
図１は、本実施例で説明する発光素子１乃至発光素子５の積層構造を示すものであるが、
発光素子１は赤色発光を示し、発光素子２は緑色発光を示し、発光素子３は青色発光を示
し、発光素子４および発光素子５が黄色発光を示すという構成であるため、それぞれの発
光色が得られるように光学調整がなされている。具体的には、基板上に形成された第１の
電極１０１と正孔注入層１０４ａの膜厚を発光素子ごとに変えることにより光学調整を行
った。また、これらの発光素子は、いずれも第２の電極１０２側から光が出る構造を有す
る。なお、図１には示していないが、発光素子１の第２の電極１０２上には、赤色の発光
を取り出すためのカラーフィルタが備えられており、発光素子２の第２の電極１０２上に
は、緑色の発光を取り出すためのカラーフィルタが備えられており、発光素子３の第２の
電極１０２上には、青色の発光を取り出すためのカラーフィルタが備えられており、それ
ぞれの発光色に応じた色純度の高い発光が得られる。また、発光素子４の第２の電極１０
２上には、黄色の発光を取り出すためのカラーフィルタが備えられており、第２の電極１
０２側から黄色発光が得られる。また、発光素子５の第２の電極１０２上にはこのような
カラーフィルタは設けられていない。従って、発光素子５の光はカラーフィルタを通さず
に外部に取り出される。

第１の電極１０１は、陽極として機能する電極であり、ガラス製の基板上にアルミニウム
（Ａｌ）とニッケル（Ｎｉ）とランタン（Ｌａ）の合金膜（Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ）をスパッ
タリング法により、２００ｎｍの膜厚で成膜した後、チタン（Ｔｉ）をスパッタリング法
により６ｎｍの膜厚で成膜し、さらに酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を
スパッタリング法により成膜して形成した。なお、ＩＴＳＯの膜厚は、発光素子１の場合
は７５ｎｍ、発光素子２の場合は４０ｎｍ、発光素子３の場合は１０ｎｍ、発光素子４と
発光素子５の場合は４０ｎｍとした。また、成膜したＴｉは一部または全部が酸化されて
おり、酸化チタンを含んでいる。電極面積は４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオ
ゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装
置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を
行った後、基板を３０分程度放冷した。

第１の電極１０１上には、第１のＥＬ層１０３ａ、電子リレー層１０９、第２のＥＬ層１
０３ｂ、第２の電極１０２が順次、形成される。なお、第１のＥＬ層１０３ａには、正孔
注入層１０４ａ、正孔輸送層１０５ａ、発光層１０６ａ、電子輸送層１０７ａ、電子注入
層１０８ａが含まれ、第２のＥＬ層１０３ｂには、正孔注入層１０４ｂ、正孔輸送層１０
５ｂ、発光層１０６ｂ、電子輸送層１０７ｂ、電子注入層１０８ｂが含まれる。なお、本
実施例では、正孔注入層１０４ａを第１の正孔注入層、正孔輸送層１０５ａを第１の正孔
輸送層、発光層１０６ａを発光層（Ａ）、電子輸送層１０７ａを第１の電子輸送層、電子
注入層１０８ａを第１の電子注入層、正孔注入層１０４ｂを第２の正孔注入層、正孔輸送
層１０５ｂを第２の正孔輸送層、発光層１０６ｂ１と１０６ｂ２を発光層（Ｂ）、電子輸
送層１０７ｂを第２の電子輸送層、電子注入層１０８ｂを第２の電子注入層と記す。

第１の正孔注入層１０４ａは、真空装置内を１０^－４Ｐａに減圧した後、３－〔［４－（
９－フェナントリル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰ
Ｐｎ）と酸化モリブデンとを、ＰＣＰＰｎ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）とな
るように共蒸着して第１の電極１０１上に形成した。共蒸着とは、異なる複数の物質をそ
れぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。第１の正孔注入層１０４ａの膜
厚は、発光素子１の場合は２０ｎｍ、発光素子２の場合は２５ｎｍ、発光素子３の場合は
１０ｎｍ、発光素子４と発光素子５の場合は３０ｎｍとした。

第１の正孔輸送層１０５ａは、第１の正孔注入層１０４ａ上にＰｃＰＰｎを蒸着して形成
した。なお、膜厚は１０ｎｍとした。

発光層（Ａ）１０６ａは、第１の正孔輸送層１０５ａ上に９－［４－（１０－フェニル－
９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）とＮ，Ｎ’－
ビス（ジベンゾフラン－４－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ピレン－１，６－ジアミン
（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩ）を、ＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩ＝１：０
．０５（質量比）となるように共蒸着して形成した。なお、膜厚は２５ｎｍとした。

第１の電子輸送層１０７ａは、発光層（Ａ）１０６ａ上にＣｚＰＡを５ｎｍの膜厚で蒸着
した後、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を１５ｎｍ蒸着して形成した。

第１の電子輸送層１０７ａ上に酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を０．１ｎｍの膜厚で蒸着して
第１の電子注入層１０８ａを形成した後、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍ
の膜厚で蒸着して電子リレー層１０９を形成し、その後１，３，５－トリ（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）－ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と酸化モリブデンとを、ＤＢ
Ｔ３Ｐ－ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように、１２．５ｎｍの膜
厚で共蒸着して第２の正孔注入層１０４ｂを形成した。第１の電子注入層１０８ａから第
２の正孔注入層１０４ｂに至る層の全体、あるいは一部が電荷発生層として機能する。

第２の正孔輸送層１０５ｂは、第２の正孔注入層１０４ｂ上にＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの
膜厚で蒸着して形成した。

発光層（Ｂ）１０６ｂは、発光層１０６ｂ１と発光層１０６ｂ２の２層からなる積層構造
を有する。本実施例では、これらをそれぞれ第１の発光層、第２の発光層と記す。

第１の発光層１０６ｂ１は、第２の正孔輸送層１０５ｂ上に、２－［３’－（ジベンゾチ
オフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、４、４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニ
ル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、（ア
セチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）を、２ｍＤＢＴＢＰＤ
Ｂｑ－ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．７：０．３
：０．０６（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎｍとした。

第２の発光層１０６ｂ２は、第１の発光層１０６ｂ１上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ、
ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－（２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジ
メチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，４－ペンタンジオナ
ト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）_２（
ａｃａｃ）］）を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）_２（
ａｃａｃ）］＝１：０．０６（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎ
ｍとした。

第２の電子輸送層１０７ｂは、第２の発光層１０６ｂ２上に２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩを
３０ｎｍ蒸着した後、ＢＰｈｅｎを１５ｎｍ蒸着して形成した。

第２の電子注入層１０８ｂは、第２の電子輸送層１０７ｂ上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）
を１ｎｍ蒸着して形成した。

第２の電極１０２は、陰極として機能する電極であり、第２の電子注入層１０８ｂ上に銀
（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを０．５：０．０５で共蒸着して１５ｎｍの膜厚で形
成した後、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により７０ｎｍの膜厚で成
膜して形成した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。第
１の正孔輸送層１０５ａから第２の電極１０２までの各層の膜厚は、発光素子１から５で
同一である。

なお、図１には示さないが、発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４にそれぞ
れ設けられるカラーフィルタは、いずれも対向基板に形成されており、各発光素子とカラ
ーフィルタの位置とが重なるように配置した後、大気に曝されないように窒素雰囲気のグ
ローブボックス内においてこれらの対向基板と張り合わせることにより封止した（シール
材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃に
て１時間熱処理した）。

以上により得られた発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４、および発光素子
５の素子構造を表１に示す。

≪発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４、および発光素子５の動作特性≫
作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。また、結果を図７乃至図９に示す。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子
４および発光素子５の主な初期特性値を以下の表２に示す。

上記結果から、本実施例で作製した発光素子１は、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌ
ｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）で定められた赤色の色度付
近の色純度の良い赤色発光を得ることができる。発光素子２は、電流効率が高く、ＮＴＳ
Ｃで定められた緑色の色度付近の色純度の良い緑色発光を得ることができる。発光素子３
は、ＮＴＳＣで定められた青色の色度付近の色純度の良い青色発光を得ることができる。
発光素子４および発光素子５は黄色に発光し、上記３つの発光素子に比べ電流効率が良好
な発光素子であった。従って、発光素子１の赤色発光、発光素子２の緑色発光、発光素子
３の青色発光、および発光素子４もしくは発光素子５の黄色発光を組み合わせて得られる
白色発光は、電流効率の高い発光素子４もしくは発光素子５を含むため、赤色発光、緑色
発光、及び青色発光の三色を組み合わせることによって得られる白色発光よりも良好な電
流効率を示す。

また、発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４、および発光素子５に２．５ｍ
Ａ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図１０に示す。図１０に示
す通り、赤色発光を示す発光素子１の発光スペクトルは６１３ｎｍ、緑色発光を示す発光
素子２の発光スペクトルは５４１ｎｍ、青色発光を示す発光素子３の発光スペクトルは４
６４ｎｍにそれぞれピークを有しており、いずれも狭線化されたスペクトル形状を示す。
黄色発光を示す発光素子４の発光スペクトルは５５３ｎｍ、発光素子５は５５２ｎｍ付近
にピークを有している。

また、発光素子１乃至発光素子５における輝度の配光特性を測定した結果を図１１に示す
。図１１のように、発光素子１乃至発光素子５で同程度の配光特性を示している。また、
発光素子１から５の正面方向からの色度と正面から斜め方向７０°までの間における色度
の変化Δｕ’ｖ’の最大値はそれぞれ、０．０４４、０．０３８、０．０５２、０．０５
９、０．０６７と小さい値であった。ことから、発光素子１乃至発光素子４、もしくは発
光素子１乃至発光素子３および発光素子５を組み合わせることで、輝度及び色度の視野角
特性が非常に良好な白色発光を得られることが分かった。

本実施例に示す発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４は、同一基板上
に形成された発光素子である。発光素子１から５は第２の電極１０２から、発光層（Ｂ）
における第１の発光層１０６ｂ１と第２の発光層１０６ｂ２との界面までの光学距離をλ
／４未満となるように光学調整された構造を有する。上記結果は、このような素子構造と
することにより、ＮＴＳＣに定める色純度の良い赤色発光素子、緑色発光素子、および青
色発光素子だけでなく、輝度が高く、消費電力低減効果のある黄色発光素子を同一基板上
に形成可能であることが示された。

続いて、発光素子１乃至発光素子４を用いて作製したディスプレイにおける全白表示時消
費電力をパネルサイズ４．３インチ、縦横比１６：９、開口率３５％、実効輝度５００ｃ
ｄ／ｍ^２、円偏光板なし、白色発光のＤ６５（色度ｘ＝０．３１３、色度ｙ＝０．３２９
）の条件で試算したところ７７６ｍＷであった。また、同様の条件で、発光素子１乃至発
光素子３を用いて作製したディスプレイにおける全白表示時消費電力を試算したところ、
９９５ｍＷであり、発光素子１乃至発光素子４を用いて作製したディスプレイは、発光素
子１乃至発光素子３を用いて作製したディスプレイよりも約２２％消費電力が小さくなる
という結果が得られた。

また、発光素子１乃至発光素子３および発光素子５を用いて作製したディスプレイにおけ
る全白表示時消費電力をパネルサイズ４．３インチ、縦横比１６：９、開口率３５％、実
効輝度５００ｃｄ／ｍ^２、円偏光板なし、白色発光のＤ６５（色度ｘ＝０．３１３、色度
ｙ＝０．３２９）の条件で試算したところ７４９ｍＷであった。このことから、発光素子
１乃至発光素子３および発光素子５を用いて作製したディスプレイにおいても約２５％消
費電力が小さくなることがわかった。また、発光素子１乃至発光素子４を用いて作製した
ディスプレイよりも、発光素子１乃至発光素子３およびカラーフィルタを持たない発光素
子５を用いて作製したディスプレイでは、全白表示時消費電力が低減することがわかった
。

１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ａ、１０３ｂ ＥＬ層
１０４ａ、１０４ｂ 正孔注入層
１０５ａ、１０５ｂ 正孔輸送層
１０６ａ 発光層
１０６ｂ 発光層
１０６ｂ１、１０６ｂ２ 発光層
１０７ａ、１０７ｂ 電子輸送層
１０８ａ、１０８ｂ 電子注入層
１０９ 電子リレー層
２０１ 基板
２０２ ＦＥＴ
２０３ 第１の電極
２０４ 隔壁
２０５ ＥＬ層
２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ、２０６Ｙ 発光領域
２０７Ｒ、２０７Ｇ、２０７Ｂ、２０７Ｙ 発光素子
２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ、２０８Ｙ カラーフィルタ
２０９ 黒色層（ブラックマトリクス）
２１０ 第２の電極
２１１ 封止基板
２１２Ｂ、２１２Ｇ、２１２Ｒ、２１２Ｙ 導電膜
３０１ 素子基板
３０２ 画素部
３０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
３０４ａ、３０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
３０５ シール材
３０６ 封止基板
３０７ 配線
３０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
３０９ ＦＥＴ
３１０ ＦＥＴ
３１２ ＦＥＴ
３１３ａ、３１３ｂ 第１の電極
３１４ 隔壁
３１５ ＥＬ層
３１６ 第２の電極
３１７ａ、３１７ｂ 発光素子
３１８ 空間
３２０ａ、３２０ｂ 導電膜
３２１ 領域
３２２ 領域
３２３ 配線
３２４ カラーフィルタ
３２５ 黒色層
３２６ ＦＥＴ
３２７ ＦＥＴ
３２８ ＦＥＴ
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ 時刻を表すアイコン
７３０６ その他のアイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００（１）、７５００（２） 筐体
７５０１（１）、７５０１（２） 第１面
７５０２（１）、７５０２（２） 第２面
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (2)

1. 第１乃至第４の発光素子を有し、白色を呈する発光装置であって、
   前記第１乃至第４の発光素子は、それぞれ、陽極と陰極との間に、第１乃至第３の発光層と、電荷発生層と、を有し、
   前記第１の発光層は、前記陽極と前記電荷発生層との間に設けられ、
   前記第２の発光層及び前記第３の発光層は、前記電荷発生層と前記陰極との間に設けられ、
   前記第１の発光層は、第１のホスト材料と、第１の発光物質と、を有し、
   前記第１のホスト材料は、アントラセン化合物であり、
   前記第１の発光物質は、青色に発光する物質であり、
   前記第２の発光層は、第２のホスト材料と、第３のホスト材料と、第２の発光物質と、を有し、
   前記第２のホスト材料は、π電子不足型複素芳香族化合物であり、
   前記第３のホスト材料は、π電子過剰型複素芳香族化合物であり、
   前記第２の発光物質は、緑色に発光する物質であり、
   前記第３の発光層は、第４のホスト材料と、第３の発光物質と、を有し、
   前記第３の発光物質は、赤色に発光する物質であり、
   前記第１の発光素子から第１のカラーフィルタを通って赤色の光が射出され、
   前記第２の発光素子から第２のカラーフィルタを通って緑色の光が射出され、
   前記第３の発光素子から第３のカラーフィルタを通って青色の光が射出され、
   前記第４の発光素子からカラーフィルタを通さずに光が射出される、発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の発光物質は、ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体である、発光装置。

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