JP2022092111A - 二次電池の制御システム、電池パック及び二次電池の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
正極活物質にリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物(NCM)を含む二次電池において、前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.65V以上3.9V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第1の極値点、または低電圧側から数えて2番目に表れる極大点である第1の極大点、または、前記第1の極値点または前記第1の極大点と数学的に等価な点を第1点とし、
前記V-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.65V以上3.9V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が減少から増加に転じる最初の極値点である第2の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極小点である第1の極小点、または、前記第2の極値点または前記第1の極小点と数学的に等価な点を第2点とし、
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、前記二次電池のSOCを、下記の式(I)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1-A×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(1+C)-A×B・・・(I)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-1≦C≦-0.001、または、0.004≦C≦0.4を満足する数を表す。)
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(II)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1-A×B+(dQ1/dV1-A×B)×C=(dQ1/dV1-A×B)×(1+C)・・・(II)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-1≦C≦-0.001、または、0.004≦C≦0.6を満足する数を表す。)
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(III)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(B+C)・・・(III)
(但し、Bは、0.3≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.005、または、0.004≦C≦0.5を満足する数を表す。)
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(IV)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×B×C=(dQ1/dV1×B)×(1+C)・・・(IV)
(但し、Bは、0.3≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.005、または、0.004≦C≦1を満足する数を表す。)
前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.9V以上4.05V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第3の極値点、または、低電圧側から数えて3番目に表れる極大点である第2の極大点、または、前記第3の極値点または第2の極大点と数学的に等価な点を第3点とし、
前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(V)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×C=dQ3/dV3×(B+C)・・・(V)
(但し、Bは、0.6≦B≦1、Cは、-0.4≦C≦-0.03、または、0.005≦C≦0.3を満足する数を表す。)
前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(VI)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×B×C=(dQ3/dV3×B)×(1+C)・・・(VI)
(但し、Bは、0.6≦B≦1、Cは、-0.5≦C≦-0.03、または、0.005≦C≦0.4を満足する数を表す。)
正極活物質にリン酸鉄リチウム化合物(LFP)を含む二次電池において、前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.34V以上3.38V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第4の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極大点である第3の極大点、または、前記第4の極値点または前記第3の極大点と数学的に等価な点を第1点とし、
前記V-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.34V以上3.38V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が減少から増加に転じる最初の極値点である第5の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極小点である第2の極小点、または、前記第5の極値点または前記第2の極小点と数学的に等価な点を第2点とし、
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、前記二次電池のSOCを、下記の式(I)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1-A×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(1+C)-A×B・・・(I)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦0.8を満足する数を表す。)
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(II)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1-A×B+(dQ1/dV1-A×B)×C=(dQ1/dV1-A×B)×(1+C)・・・(II)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦5を満足する数を表す。)
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(III)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(B+C)・・・(III)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦0.8を満足する数を表す。)
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(IV)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×B×C=(dQ1/dV1×B)×(1+C)・・・(IV)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦5を満足する数を表す。)
前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.38V以上の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第6の極値点、または、低電圧側から数えて3番目に表れる極大点である第4の極大点、または、前記第6の極値点または第4の極大点と数学的に等価な点を第3点とし、
前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(V)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×C=dQ3/dV3×(B+C)・・・(V)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦0.7を満足する数を表す。)
前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(VI)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×B×C=(dQ3/dV3×B)×(1+C)・・・(VI)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.03、または、0.005≦C≦1.5を満足する数を表す。)
更に、本発明によれば、二次電池の安全性を高め、エネルギーの安定供給に寄与し、持続可能な開発目標に貢献することができる。
図1は、本発明の一実施形態にかかる電池パックのブロック図である。図1に示すように、電池パック100は、二次電池10と、充電手段20と、制御システム30とを備える。二次電池10と制御システム30との間及び充電手段20と制御システム30との間では信号の通信が行われる。信号の通信は、有線でも無線でもよい。
P=dQ1/dV1-A×B+dQ1/dV1×C =dQ1/dV1×(1+C)-A×B・・・(I)
但し、式(I)において、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2であり、dQ1/dV1は第1点におけるdQ/dV値を二次電池10の初期の満充電容量で割って規格化した値であり、dQ2/dV2は第2点におけるdQ/dV値を二次電池10の初期の満充電容量で割って規格化した値である。Bは、0≦B≦0.9、Cは、-1≦C≦-0.001、0.004≦C≦0.4を満足する値である。
規定値は、基準二次電池を用い、満放電状態から充電した際の基準二次電池のSOCと、基準二次電池の充電量Qを基準二次電池の電圧Vで微分して得たdQ/dVとの関係を示すSOC-dQ/dV曲線を用いて算出してもよい。この場合、規定値は、例えば、基準二次電池のSOC-dQ/dV曲線から第1点と、第2点と、第1点と第2点から算出される第1点と第2点の間の任意の位置に対応するSOC値を読み取ることによって得ることができる。基準二次電池は、電池を構成する各材料が二次電池10と同一で、電池を充電したときのSOC-dQ/dV曲線が二次電池10と同一の電池であるのが好ましい。基準二次電池は、電池パック100に組み込まれた二次電池10の室温環境下で測定された初期状態であってもよいし、充電中の二次電池10とは別の電池であってもよい。なお、二次電池10の初期状態とは、充放電サイクルの回数が10回以下の状態である。
始めに、二次電池10を、充電手段20を用いて充電しながら、検出手段31にて二次電池10の充電量Q(二次電池10に供給した電気量あるいは電力量)と二次電池10の電圧Vとを検出する。二次電池10の充電は、定電流充電で行なうことが好ましい。充電時の電流値は、二次電池10を満放電状態から1時間で満充電状態となるように充電するときの電流量を1Cとして、0.1C以上2C以下の範囲内にあることが好ましい。
極値点は、二次電池10の充電反応に寄与する正極活物質もしくは負極活物質の反応が切り替わることを示す。したがって、ピークの形状及び位置は、二次電池10の正極活物質及び負極活物質の材料によって異なる。
先ず、初期状態の二次電池10のデータ10iから規定値を、次のようにして算出する。極値点(P2i)(第1点)と、極値点(P2i)(第1点)と極値点(B2i)(第2点)の間の任意の点(PB2i)に対応するSOCの値を読み取る。図5においては、極値点(P2i)(第1点)に対応するSOCの値は25%である。図6においては、極値点(P2i)(第1点)と極値点(B2i)(第2点)の間の任意の点(PB2i)に対応するSOCは36%、図7においては40%である。これらSOCの値(25%)、(36%)、(40%)を規定値として記憶手段35へ記憶させる。
第2実施形態にかかる二次電池の制御方法は、点Pを算出する関係式を式(I)から以下の式(II)に置き換えた点が、第1実施形態にかかる二次電池の制御方法と異なる。補正算出項を第1点のdQ/dV値から算出される(dQ1/dV1×C)から第1点と第2点の間の任意の点のdQ/dV値から(dQ1/dV1-A×B)×Cへ置き換えた。その他の手順は第1実施形態と同様であり、同様の構成については、説明を省く。
第3実施形態にかかる二次電池の制御方法は、点Pを算出する関係式を式(I)から以下の式(III)に置き換えた点が、第1実施形態にかかる二次電池の制御方法と異なる。第1点または第1点と第2点の間の任意の点のdQ/dV値の算出を(dQ1/dV1-A×B)からdQ1/dV1×Bへ置き換えた。その他の手順は第1実施形態と同様であり、同様の構成については、説明を省く。
第4実施形態にかかる二次電池の制御方法は、点Pを算出する関係式を式(I)から以下の式(IV)に置き換えた点が、第1実施形態にかかる二次電池の制御方法と異なる。第1点または第1点と第2点の間の任意の点のdQ/dV値の算出を(dQ1/dV1-A×B)からdQ1/dV1×Bへ、補正算出項をdQ1/dV1×B×Cへ置き換えた。その他の手順は第1実施形態と同様であり、同様の構成については、説明を省く。
第5実施形態にかかる二次電池の制御方法は、点Pを算出する関係式を式(I)から以下の式(V)に置き換えた点が、第1実施形態にかかる二次電池の制御方法と異なる。第1点と第2点のdQ/dV値を利用したのに対し、第3点のdQ/dVを利用した。その他の手順は第1実施形態と同様であり、同様の構成については、説明を省く。
第6実施形態にかかる二次電池の制御方法は、点Pを算出する関係式を式(I)から以下の式(VI)に置き換えた点が、第1実施形態にかかる二次電池の制御方法と異なる。第1点と第2点のdQ/dV値を利用したのに対し、第3点のdQ/dVを利用した。その他の手順は第1実施形態と同様であり、同様の構成については、説明を省く。
(二次電池の作製)
二次電池としてリチウムイオン二次電池を作製した。
正極は次のようにして作製した。まず、正極を準備した。正極活物質としてリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物(NCM)(LiNi0.33Mn0.33Co0.33O2)およびリチウムマンガン酸化物(LMO)(LiMn2O4)、、導電助剤としてカーボンブラック、バインダーとしてポリフッ化ビニリデン(PVDF)を準備した。これらの材料を溶媒中で混合し、塗料を作製し、アルミ箔からなる正極集電体上に塗布した。正極活物質であるNCMと、LMOと導電材とバインダーの質量比(NCM:LMO:導電材:バインダー)は、76:19:2:3とした。塗布後に、溶媒は除去した。正極活物質の担持量が10.0mg/Cm2の正極シートを作製した。
上記で作製したリチウムイオン二次電池に、定電流充電装置と制御システムとをそれぞれ接続して電池パックを作製した。制御システムは、クーロンカウンター及び電圧計測器を有する検出手段と、dQ/dV算出手段、抽出手段と、補正手段と、記憶手段と、SOC表示手段とを有する。
上記で作製した電池パックのリチウムイオン二次電池を、0.1Cに相当する定電流で終止電圧4.2Vまで充電し、その後0.1Cに相当する定電流で2.5Vまで放電した。充放電は25℃の環境下に行なった。リチウムイオン二次電池の充放電を行ないながら、クーロンカウンターと電圧計測器を用いて充電量Qと電圧値Vを測定した。そして、dQ/dV算出部にて、dQ/dVを算出し、SOC-dQ/dV曲線を作成した。また、リチウムイオン二次電池の室温環境下で測定した初期状態の第1点と各定数Bに対応する第1点と第2点の間の任意の点に対応する各SOCを規定値とした。
上記のSOC-dQ/dV曲線の作成と同じ条件でリチウムイオン二次電池の充放電サイクルを行なった。500サイクル後に0℃(以下「低温」という。)および45℃(以下「高温」という。)の温度環境で充電を行い、第1点(極値点(P2))と第2点(極値点(B2))とを抽出した。第1点におけるdQ/dV値と、各定数Bに対応する第1点と第2点の間の任意の点のdQ/dV値とを読み取り、各定数Cに対して、上記式(I)の補正算出項により補正時期を算出した。そして、算出された補正算出高からSOC値を規定値とした。満充電容量まで充電を行い、SOC-dQ/dV曲線および実測SOC値を取得した。規定値と実測SOC値の差分を推定誤差とした。その結果を下記の表1に示す。
式(I)から式(IV)を用い、実施例1と同様に、各定数B、定数Cおよび規定値を用いて補正を行い、推定誤差を測定した。その結果を下記の表1から表8に示す。
正極活物質をリン酸鉄リチウム化合物(LFP)(LiFePO4)として、補正を行い推定誤差を測定した。正極活物質と導電助材とバインダーの質量比を、95:2:3とした。充放電サイクルは、0.1Cに相当する定電流で終止電圧3.7Vまで充電(満充電)し、その後0.1Cに相当する定電流で2.5Vまで放電(満放電)する条件で行なった。図9~図11は、正極がLFPの場合の Q-V曲線およびSOC-dQ/dV曲線である。式(I)から式(IV)を用い、実施例1と同様に、各定数B、Cおよび規定値を用いて補正を行い、推定誤差を測定した。その結果を下記の表9から表15に示す
式(V)と式(VI)を用い、正極活物質をNCMまたはLFPとして、実施例1と同様に、各定数B、定数Cおよび規定値を用いて補正を行い、推定誤差を測定した。その結果を下記の表16から表21に示す。
2 正極(2A 正極集電体、2B 正極活物質層)
3 負極(3A 負極集電体、3B 負極活物質層)
4 発電素子
5 外装体(5A 金属箔、5B 樹脂層)
6 端子
10 二次電池
20 充電手段
30 制御システム
31 検出手段
32 dQ/dV算出手段
33 抽出手段
34 補正手段
35 記憶手段
100 電池パック
Claims (15)
- 正極活物質にリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物(NCM)を含む二次電池において、前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.65V以上3.9V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第1の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極大点である第1の極大点、または、前記第1の極値点または前記第1の極大点と数学的に等価な点を第1点とし、
前記V-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.65V以上3.9V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が減少から増加に転じる最初の極値点である第2の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極小点である第1の極小点、または、前記第2の極値点または前記第1の極小点と数学的に等価な点を第2点とし、
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、前記二次電池のSOCを、下記の式(I)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1-A×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(1+C)-A×B・・・(I)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-1≦C≦-0.001、または、0.004≦C≦0.4を満足する数を表す。) - 請求項1に記載の第1点および第2点において、
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(II)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1-A×B+(dQ1/dV1-A×B)×C=(dQ1/dV1-A×B)×(1+C)・・・(II)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-1≦C≦-0.001、または、0.004≦C≦0.6を満足する数を表す。) - 請求項1に記載の第1点において、前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(III)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(B+C)・・・(III)
(但し、Bは、0.3≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.005、または、0.004≦C≦0.5を満足する数を表す。) - 請求項1に記載の第1点において、前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(IV)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×B×C=(dQ1/dV1×B)×(1+C)・・・(IV)
(但し、Bは、0.3≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.005、または、0.004≦C≦1を満足する数を表す。) - 請求項1に記載の二次電池において、前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.9V以上4.05V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第3の極値点、または、低電圧側から数えて3番目に表れる極大点である第2の極大点、または、前記第3の極値点または第2の極大点と数学的に等価な点を第3点とし、
前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(V)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×C=dQ3/dV3×(B+C)・・・(V)
(但し、Bは、0.6≦B≦1、Cは、-0.4≦C≦-0.03、または、0.005≦C≦0.3を満足する数を表す。) - 請求項5に記載の第3点において、前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(VI)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×B×C=(dQ3/dV3×B)×(1+C)・・・(VI)
(但し、Bは、0.6≦B≦1、Cは、-0.5≦C≦-0.03、または、0.005≦C≦0.4を満足する数を表す。) - 正極活物質にリン酸鉄リチウム化合物(LFP)を含む二次電池において、前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.34V以上3.38V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第4の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極大点である第3の極大点、または、前記第4の極値点または前記第3の極大点と数学的に等価な点を第1点とし、
前記V-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.34V以上3.38V以下の範囲内に現れる、dQ/dVの値が減少から増加に転じる最初の極値点である第5の極値点、または、低電圧側から数えて2番目に表れる極小点である第2の極小点、または、前記第5の極値点または前記第2の極小点と数学的に等価な点を第2点とし、
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、前記二次電池のSOCを、下記の式(I)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1-A×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(1+C)-A×B・・・(I)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦0.8を満足する数を表す。) - 請求項7に記載の第1点および第2点において、
前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1、前記第2点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ2/dV2、前記dQ1/dV1とdQ2/dV2の差をAとした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(II)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1-A×B+(dQ1/dV1-A×B)×C=(dQ1/dV1-A×B)×(1+C)・・・(II)
(但し、AはdQ1/dV1-dQ2/dV2、Bは、0≦B≦0.9、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦5を満足する数を表す。) - 請求項7に記載の第1点において、前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(III)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×C=dQ1/dV1×(B+C)・・・(III)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦0.8を満足する数を表す。) - 請求項7に記載の第1点において、前記第1点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ1/dV1とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(IV)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ1/dV1×B+dQ1/dV1×B×C=(dQ1/dV1×B)×(1+C)・・・(IV)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-0.9≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦5を満足する数を表す。) - 請求項7に記載の二次電池において、前記二次電池の充電電圧と、前記二次電池の充電電圧に対する充電量の変化量の割合であるdQ/dVとの関係を示すV-dQ/dV曲線において、室温で、前記二次電池の電圧Vが3.38V以上の範囲内に現れる、dQ/dVの値が増加から減少に転じる最初の極値点である第6の極値点、または低電圧側から数えて3番目に表れる第4の極大点、または前記第6の極値点または第4の極大点と数学的に等価な点を第3点とし、
前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(V)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×C=dQ3/dV3×(B+C)・・・(V)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.05、または、0.005≦C≦0.7を満足する数を表す。) - 請求項11に記載の第3点において、前記第3点におけるdQ/dV値を前記二次電池の初期の満充電容量で割って規格化した値をdQ3/dV3、とした際に、
前記二次電池のSOCを、下記の式(VI)で求められる点Pの位置でのSOCが規定値となるように補正する、二次電池の制御方法。
P=dQ3/dV3×B+dQ3/dV3×B×C=(dQ3/dV3×B)×(1+C)・・・(VI)
(但し、Bは、0.2≦B≦1、Cは、-1≦C≦-0.03、または、0.005≦C≦1.5を満足する数を表す。) - 請求項1~12のいずれか一項に記載の二次電池の制御方法を用いる、二次電池の制御システム。
- 二次電池と、請求項13に記載の二次電池の制御システムと、を備える電池パック。
- 正極活物質にリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物(NCM)またはリン酸鉄リチウム化合物(LFP)のうち少なくとも一つを含み、負極活物質に炭素材料を含む二次電池を用いた請求項14記載の電池パック。
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