JP2022088076A - 配線異常の検知方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置の直流電源系における配線異常を適切に検知する方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、内部で基板のプラズマ処理を行うチャンバと、チャンバの内部に設けられ、基板を吸着保持する静電チャックを有するステージと、チャンバの内部に生成されるプラズマを制御するための直流電源系と、直流電源系に流れる電流を測定する電流計と、を有する。直流電源系は、該直流電源系に直流電圧を印加する直流電源と、直流電源からの高周波成分を除去する高周波フィルタと、直流電圧の印加対象である直流電圧印加部材とを有する。検知方法は、直流電源により直流電圧を印加する工程と、直流電源系を構成する回路に流れる電流を測定する工程と、電流の測定値と予め定められた閾値とを比較する工程と、を含む。測定値が閾値以上である場合に、直流電源系を構成する回路に配線異常が生じていると判定する。【選択図】図７

Description

本開示は、配線異常の検知方法及びプラズマ処理装置に関する。

特許文献１には、静電チャック回路の断線検知方法であって、静電チャックが基板を載せていないときに、直流電流から静電チャックに対して、基板の吸着保持時よりも高い電圧を印加することが開示されている。特許文献１に記載の方法によれば、前記電圧の印加により直流電源と静電チャックとの間に流れる電流を測定することで、その大小によって静電チャック回路の断線検知を行う。

特開平１０－３０８４３９号公報

本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置の直流電源系における配線異常を適切に検知する。

本開示の一態様は、プラズマ処理装置における配線異常の検知方法であって、前記プラズマ処理装置は、内部で基板のプラズマ処理を行うチャンバと、前記チャンバの内部に設けられ、前記基板を吸着保持する静電チャックを有するステージと、前記チャンバの内部に生成されるプラズマを制御するための直流電源系と、前記直流電源系に流れる電流を測定する電流計と、を有し、前記直流電源系は、該直流電源系に直流電圧を印加する直流電源と、前記直流電源からの高周波成分を除去する高周波フィルタと、前記直流電圧の印加対象である直流電圧印加部材と、がこの順で電気的に接続された回路を構成し、前記検知方法は、前記直流電源により直流電圧を印加する工程と、前記直流電源系を構成する回路に流れる電流を測定する工程と、前記電流の測定値と予め定められた閾値とを比較する工程と、を含み、前記測定値が前記閾値以上である場合に、前記直流電源系を構成する回路に配線異常が生じていると判定する。

本開示によれば、プラズマ処理装置の直流電源系における配線異常を適切に検知することができる。

本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかるプラズマ処理装置の直流電源系の構成例を示す説明図である。 本実施形態にかかるプラズマ処理装置の直流電源系の他の構成例を示す説明図である。 直流電源系における配線異常の発生の様子を模式的に示す説明図である。 本実施形態にかかる配線異常検知方法の主な工程を示すフロー図である。 ＶＩ特性の一例を示すグラフである。 第２の実施形態にかかる配線異常検知方法の主な工程を示すフロー図である。 ＶＩ特性の一例を示すグラフである。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）に対して処理ガスを供給し、当該ウェハにエッチング処理、成膜処理、拡散処理などの各種プラズマ処理が行われる。近年、これらプラズマ処理においては、大電力化や高電圧化の影響により安全審査が厳格化されており、特に活電中における活電部へのアクセスを禁止、或いはアクセスを検知した際に電源出力を停止するようなインターロック機構が必要になる。

従来、上述のインターロック機構としては、例えばプラズマ処理装置の伝送路のコネクタにインターロックキーを設けることや、該コネクタにインターロックカバーを被せ、このカバーを外さなければコネクタの着脱をできなくすることが提案されている。また例えば、該インターロックカバーをプラズマ処理装置の電源出力動作と連動したスイッチを押下する位置に設けることで、活電中にカバーが外されると自動的に電源出力が切断されるように構成することも提案されている。

しかしながら、これら従来のインターロック機構においては、例えば配線が抜けている場合や断線している場合（以下、これら配線の未接続、及び断線を併せて「配線異常」という場合がある。）であってもインターロック機構を有効にすることが可能であった。すなわち、配線異常が生じていたとしてもインターロック機構が異常を検知できずに電源出力できる場合があったため、異常放電や作業者の感電等のリスクがあった。特にプラズマ処理装置においては、プラズマ制御を行うための直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源系（例えば上部電極回路やエッジリング回路等）ではプラズマ電位が各配線に直接に見られるため、配線異常が生じていた場合には、プラズマ生成時に異常放電するリスクが大きい。

かかる事情に鑑み、プラズマ処理装置においては直流電源系における配線異常の検知を適切に行うことが求められている。上述した特許文献１には、静電チャック回路における断線検知方法が開示されている。しかしながら特許文献１には、ウェハを保持するための静電チャック回路における断線検知については記載があるものの、上述のようなプラズマ制御を行うための直流電源系で断線検知を行うことについては記載がない。

本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置の直流電源系、特に上部電極回路やエッジリング回路、における配線異常を適切に検知する。以下、本実施形態にかかる基板処理システムとしてのプラズマ処理装置及び基板処理方法としてのウェハ処理方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理装置＞
先ず、本実施形態にかかるプラズマ処理装置について説明する。図１は、プラズマ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、プラズマ処理装置１の電源系の一例を示す説明図である。プラズマ処理装置１では、基板としてのウェハＷに対して、例えばエッチング処理、成膜処理、拡散処理などのプラズマ処理を行う。

図１に示すようにプラズマ処理装置１は、略円筒形状のチャンバ１０を有している。チャンバ１０は、その内部においてプラズマが生成される処理空間Ｓを画成する。チャンバ１０は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ１０は接地電位に接続されている。

チャンバ１０の内部には、ウェハＷを載置するステージ１１が収容されている。ステージ１１は、下部電極１２、静電チャック１３、及びエッジリング１４を有している。なお、下部電極１２の下面側には、例えばアルミニウムから構成される電極プレート（図示せず）が設けられていてもよい。

下部電極１２は、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、略円板形状を有している。

下部電極１２の内部には、冷媒流路１５ａが形成されている。冷媒流路１５ａには、チャンバ１０の外部に設けられたチラーユニット（図示せず）から冷媒入口配管１５ｂを介して冷媒が供給される。冷媒流路１５ａに供給された冷媒は、冷媒出口流路１５ｃを介してチラーユニットに戻るようになっている。冷媒流路１５ａに冷媒、例えば冷却水等を循環させることにより、静電チャック１３、エッジリング１４、及びウェハＷを所望の温度に冷却することができる。

静電チャック１３は、下部電極１２上に設けられている。静電チャック１３は、ウェハＷとエッジリング１４の両方を静電力により吸着保持可能に構成された部材である。静電チャック１３は、周縁部の上面に比べて中央部の上面が高く形成されている。静電チャック１３の中央部の上面は、ウェハＷが載置されるウェハ載置面となり、静電チャック１３の周縁部の上面は、エッジリング１４が載置されるエッジリング載置面となる。

静電チャック１３の内部において中央部には、ウェハＷを吸着保持するための第１の電極１６ａが設けられている。静電チャック１３の内部において周縁部には、エッジリング１４を吸着保持するための第２の電極１６ｂが設けられている。静電チャック１３は、絶縁材料からなる絶縁材の間に電極１６ａ、１６ｂを挟んだ構成を有する。

第１の電極１６ａには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１３の中央部の上面にウェハＷが吸着保持される。同様に、第２の電極１６ｂには、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１３の周縁部の上面にエッジリング１４が吸着保持される。

なお、本実施形態において、第１の電極１６ａが設けられる静電チャック１３の中央部と、第２の電極１６ｂが設けられる周縁部とは一体となっているが、これら中央部と周縁部とは別体であってもよい。

直流電圧印加部材としてのエッジリング１４は、静電チャック１３の中央部の上面に載置されたウェハＷを囲むように配置される環状部材であり、後述の直流電源６０からの直流電圧が印加される。エッジリング１４は、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられる。このため、エッジリング１４は、プラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されており、例えばＳｉやＳｉＣから構成され得る。

以上のように構成されたステージ１１は、チャンバ１０の底部に設けられた略円筒形状の支持部材１７に締結される。支持部材１７は、例えばセラミックや石英等の絶縁体により構成される。

なお、図示は省略するが、ステージ１１は、静電チャック１３、エッジリング１４、及びウェハＷのうち少なくとも１つを所望の温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調流体が流れる。

ステージ１１の上方には、ステージ１１と対向するように、シャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに面して配置される電極板２１、及び電極板２１の上方に設けられる電極支持体２２を有している。電極板２１は、下部電極１２と一対の上部電極として機能する。後述するように第１の高周波電源５０が下部電極１２に電気的に接続されている場合には、シャワーヘッド２０は、接地電位に接続される。なお、シャワーヘッド２０は、絶縁性遮蔽部材２３を介して、チャンバ１０の上部（天井面）に支持されている。

電極板２１には、後述のガス拡散室２２ａから送られる処理ガスを処理空間Ｓに供給するための複数のガス噴出口２１ａが形成されている。電極板２１は、例えば、発生するジュール熱の少ない低い電気抵抗率を有する導電体又は半導体から構成される。また電極板２１には、後述の第２の直流電源７０からの直流電圧が印加される。

電極支持体２２は、電極板２１を着脱自在に支持するものである。電極支持体２２は、例えばアルミニウム等の導電性材料の表面に耐プラズマ性を有する膜が形成された構成を有している。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。電極支持体２２の内部には、ガス拡散室２２ａが形成されている。ガス拡散室２２ａからは、ガス噴出口２１ａに連通する複数のガス流通孔２２ｂが形成されている。また、ガス拡散室２２ａには、後述するガス供給管３３に接続されるガス導入孔２２ｃが形成されている。

また、電極支持体２２には、ガス拡散室２２ａに処理ガスを供給するガス供給源群３０が、流量制御機器群３１、バルブ群３２、ガス供給管３３、ガス導入孔２２ｃを介して接続されている。

ガス供給源群３０は、プラズマ処理に必要な複数種のガス供給源を有している。流量制御機器群３１は複数の流量制御器を含み、バルブ群３２は複数のバルブを含んでいる。流量制御機器群３１の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。プラズマ処理装置１においては、ガス供給源群３０から選択された一以上のガス供給源からの処理ガスが、流量制御機器群３１、バルブ群３２、ガス供給管３３、ガス導入孔２２ｃを介してガス拡散室２２ａに供給される。そして、ガス拡散室２２ａに供給された処理ガスは、ガス流通孔２２ｂ、ガス噴出口２１ａを介して、処理空間Ｓ内にシャワー状に分散されて供給される。

チャンバ１０の底部であって、チャンバ１０の内壁と支持部材１７との間には、バッフルプレート４０が設けられている。バッフルプレート４０は、例えばアルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成される。バッフルプレート４０には、複数の貫通孔が形成されている。処理空間Ｓは当該バッフルプレート４０を介して排気口４１に連通されている。排気口４１には例えば真空ポンプ等の排気装置４２が接続され、当該排気装置４２により処理空間Ｓ内を減圧可能に構成されている。

また、チャンバ１０の側壁にはウェハＷの搬入出口４３が形成され、当該搬入出口４３はゲートバルブ４４により開閉可能となっている。

図１及び図２に示すように、プラズマ処理装置１は、第１の高周波電源５０、第２の高周波電源５１、及び整合器５２を更に有している。第１の高周波電源５０と第２の高周波電源５１は、整合器５２を介して下部電極１２に接続されている。

第１の高周波電源５０は、プラズマ発生用の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電源５０からは２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの周波数であってよく、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力ＨＦが下部電極１２に供給される。第１の高周波電源５０は、整合器５２の第１の整合回路５３を介して、下部電極１２に接続されている。第１の整合回路５３は、第１の高周波電源５０の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。なお、第１の高周波電源５０は、下部電極１２に電気的に接続されていなくてもよく、第１の整合回路５３を介して上部電極であるシャワーヘッド２０に接続されていてもよい。

第２の高周波電源５１は、ウェハＷにイオンを引き込むための高周波電力（高周波バイアス電力）ＬＦを発生して、当該高周波電力ＬＦを下部電極１２に供給する。高周波電力ＬＦの周波数は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であってよく、一例においては４００ｋＨｚである。第２の高周波電源５１は、整合器５２の第２の整合回路５４を介して、下部電極１２に接続されている。第２の整合回路５４は、第２の高周波電源５１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１２側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。なお、第２の高周波電源５１に代えて、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）パルス生成部を用いてもよい。

プラズマ処理装置１は、直流電源６０、切替ユニット６１、ＲＦフィルタ６２を更に有している。直流電源６０は、切替ユニット６１、ＲＦフィルタ６２を介して、エッジリング１４に電気的に接続されている。なお以下の説明においては、これら直流電源６０、切替ユニット６１、ＲＦフィルタ６２及びエッジリング１４を併せて、本実施形態にかかる配線異常検知対象の直流電源系としての「エッジリング回路」という場合がある。また、当該エッジリング回路における電流の通流方向の上流側、すなわち直流電源６０側を単に「上流側」、通流方向の下流側、すなわちエッジリング１４側を単に「下流側」とそれぞれいう場合がある。

直流電源６０は、プラズマ制御用の負極性の直流電圧をエッジリング１４に印加する電源である。直流電源６０は、可変直流電源であり、直流電圧の高低を調整可能である。また直流電源６０は、エッジリング１４に印加する電圧波形を、パルス波と連続波（ＣＷ：Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）とで切り替え可能に構成されている。

切替ユニット６１は、エッジリング１４に対する直流電源６０からの直流電圧の印加を停止可能に構成されている。なお、切替ユニット６１の回路構成は、当業者が任意に設計することができる。

ＲＦフィルタ６２は直流電源６０を保護するために設けられ、高周波を低減又は遮断するための、ＨＦフィルタ６３及びＬＦフィルタ６４を有している。ＨＦフィルタ６３は、例えば第１の高周波電源５０からの４０ＭＨｚの高周波を低減又は遮断する。ＬＦフィルタ６４は、例えば第２の高周波電源５１からの４００ｋＨｚの高周波を低減又は遮断する。

一例においては、ＬＦフィルタ６４は、インピーダンスが可変に構成されている。すなわち、ＬＦフィルタ６４の一部の素子を可変素子とすることで、インピーダンスが可変になっている。可変素子は、例えばコイル又はコンデンサのいずれかであってもよい。また、コイル、コンデンサに限らず、ダイオード等の素子など可変インピーダンス素子であればどのようなものであっても同様の機能を達成できる。さらに、素子自体が可変である必要はなく、切替回路を用いて固定値の素子の組み合わせを切り替えることでインピーダンスを可変してもよい。なお、このＬＦフィルタ６４及び上記ＨＦフィルタ６３の回路構成はそれぞれ、当業者が任意に設計することができる。

プラズマ処理装置１は、エッジリング１４の自己バイアス電圧（又は、下部電極１２もしくはウェハＷの自己バイアス電圧）を測定する測定器（図示せず）を更に有している。なお、測定器の構成は、当業者が任意に設計することができる。

また、このように構成されるエッジリング回路には、該エッジリング回路に流れる電流を計測するための電流計Ａが設けられている。電流計Ａの設置位置は特に限定されるものではなく、例えば図１及び図２に示すように直流電源６０の内部に設けられていてもよいし、直流電源６０の下流側直後の外部に設けられていてもよい。

またプラズマ処理装置１は、第２の直流電源７０、第２の切替ユニット７１、第２のＲＦフィルタ７２を更に有している。第２の直流電源７０は、第２の切替ユニット７１、第２のＲＦフィルタ７２を介して、電極板２１に電気的に接続されている。なお以下の説明においては、これら第２の直流電源７０、第２の切替ユニット７１、第２のＲＦフィルタ７２及び電極板２１を併せて、本実施形態にかかる配線異常検知対象の直流電源系としての「上部電極回路」という場合がある。

第２の直流電源７０は、プラズマ制御用の負極性の直流電圧を電極板２１に印加する電源である。第２の直流電源７０は、可変直流電源であり、直流電圧の高低を調整可能である。また第２の直流電源７０は、電極板２１に印加する電圧波形を、パルス波と連続波とで切り替え可能に構成されている。

第２の切替ユニット７１は、電極板２１に対する第２の直流電源７０からの直流電圧の印加を停止可能に構成されている。なお、第２の切替ユニット７１の回路構成は、当業者が任意に設計することができる。

第２のＲＦフィルタ７２は第２の直流電源７０を保護するために設けられ、高周波を低減又は遮断するための、ＨＦフィルタ７３及びＬＦフィルタ７４を有している。ＨＦフィルタ６３は、例えば第１の高周波電源５０からの４０ＭＨｚの高周波を低減又は遮断する。ＬＦフィルタ７４は、例えば第２の高周波電源５１からの４００ｋＨｚの高周波を低減又は遮断する。なお、このＨＦフィルタ７３及びＬＦフィルタ７４の回路構成はそれぞれ、当業者が任意に設計することができる。

また、このように構成される上部電極回路には、該上部電極回路に流れる電流を計測するための電流計Ａが設けられている。電流計Ａの設置位置は特に限定されるものではなく、例えば図１及び図２に示すように第２の直流電源７０の内部に設けられていてもよいし、第２の直流電源７０の下流側直後の外部に設けられていてもよい。

以上のプラズマ処理装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、上記実施形態においてはエッジリング回路をエッジリング１４に対して直接的に接続したが、図３に示すように、下部電極１２を介してエッジリング１４にエッジリング回路を接続してもよい。かかる場合、プラズマ制御用の直流電源は、下部電極１２を介してエッジリング１４に印加される。

＜配線異常の検知方法＞
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１における上部電極回路及びエッジリング回路の配線異常の検知方法について説明する。なお、上部電極回路とエッジリング回路の配線異常の検知方法はそれぞれ同様であるため、以下においてはエッジリング回路における配線異常の検知方法を一例に説明を行う。

図４は、エッジリング回路の配線異常パターンを模式的に例示する説明図であり、（ａ）正常な接続状態、（ｂ）～（ｄ）配線異常が発生している状態、をそれぞれ示している。本実施形態にかかる配線異常検知においては、後述するようにエッジリング回路を構成する各要素の接続状態に応じた回路定数の変化、より具体的には、接続状態に応じた静電容量の変化に基づいて、該エッジリング回路の配線異常を検知する。なお、図４に示すエッジリング回路においては、配線異常時における回路定数に対する影響が無視できるほど小さいため、切替ユニット６１の図示を省略する。

図４（ａ）に示すようにエッジリング回路は、通常、直流電源６０、ＬＦフィルタ６４、ＨＦフィルタ６３及びエッジリング１４（チャンバ１０）が、配線（例えば同軸ケーブル）を介して相互に電気的に接続された構成を有している。このように構成されたエッジリング回路においては、配線異常時における回路定数の変化に応じて、（ｂ）ＬＦフィルタ６４とＨＦフィルタ６３を接続する配線における配線異常、（ｃ）ＬＦフィルタ６４の上流側における配線異常、（ｄ）直流電源６０の下流側直後における配線異常を、それぞれ図４（ａ）に示した正常な接続状態と区別して検知する。

なお、ＨＦフィルタ６３とエッジリング１４（チャンバ１０）を接続する配線において配線異常が生じた場合においては、図４（ａ）に示した正常な接続状態からの回路定数の変化量が、図４（ｂ）に示した配線異常時とほぼ同様であるため、該図４（ｂ）に示した配線異常と同様の条件により検知を行う。

図５は、本実施形態にかかるエッジリング回路の配線異常検知の主な工程を示すフロー図である。なお、図５のフロー図中に示す（ａ）～（ｄ）は、図４に示した（ａ）正常な接続状態、（ｂ）～（ｄ）配線異常が発生している状態、とそれぞれ対応している。

図５に示すようにエッジリング回路の配線異常検知においては、先ず、プラズマ処理装置１の内部にウェハＷが搬入されていない状態で、短絡検知用の直流電圧（以下、「短絡検知用電圧Ｖ１」という場合がある。）を直流電源６０からエッジリング１４に印加する（図５のステップＳ１）。短絡検知用電圧Ｖ１としては、例えばウェハＷへのプラズマ処理に際してエッジリング１４に印加する電圧よりも低電圧（例えば１２０Ｖ）を、周波数２０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比６０％のパルス条件で印加することができる。なお、短絡検知用電圧Ｖ１の波形はパルス波には限定されず、連続波で印加されてもよい。

次に、ステップＳ１における短絡検知用電圧Ｖ１の印加によりエッジリング回路に流れる電流を電流計Ａにより測定し、測定された電流値（以下、「電流値Ｉ１」という場合がある。）と予め定められた閾値Ｂ１を比較することにより、該エッジリング回路が短絡しているか否かを検知する。なお、かかる短絡検知に用いられる閾値Ｂ１は、例えば配線異常検知に先立って短絡検知用電圧Ｖ１をエッジリング回路に印加した際に流れる電流値を測定することで、予め決定することができる。

具体的には、例えば電流値Ｉ１が測定されなかった場合、すなわち測定された電流値Ｉ１が０Ａであった場合、図４（ｄ）に示したように直流電源６０に対して配線が未接続である、又は直流電源６０の下流側直後で断線が生じていると判断する（図５のステップＳ２－１）。かかる場合、例えばエッジリング回路に（ｄ）配線異常がある旨をアラーム発報した後、直流電源６０からの短絡検知用電圧Ｖ１の印加を停止する。

また例えば、測定された電流値Ｉ１が閾値Ｂ１以上であった場合、エッジリング回路が短絡して過剰電流が流れていると判断する（図５のステップＳ２－２）。かかる場合、例えばエッジリング回路が短絡している旨をアラーム発報した後、直流電源６０からの短絡検知用電圧Ｖ１の印加を停止する。

測定された電流値Ｉ１が閾値Ｂ１未満であった場合、エッジリング回路は短絡しておらず、また、少なくとも直流電源６０に配線が接続されているものと判断し、短絡検知合格を通知する（図５のステップＳ２－３）。

続けて、直流電源６０からの短絡検知用電圧Ｖ１の印加を停止した後、断線検知用の直流パルス電圧（以下、「断線検知用電圧Ｖ２」という場合がある。）を直流電源６０からエッジリング１４に印加する（図５のステップＳ３）。断線検知用電圧Ｖ２としては、後述する任意の電圧を、例えば周波数２０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比６０％のパルス条件で印加する。

次に、ステップＳ３における断線検知用電圧Ｖ２の印加によりエッジリング回路に流れる電流を電流計Ａにより測定し、測定された電流値（以下、「電流値Ｉ２」という場合がある。）と予め定められた閾値Ｂ２を比較することにより、該エッジリング回路に断線が生じているか否かを検知する。またこの時、電流値Ｉ２と閾値Ｂ２との比較を、予め定められた時間ｔ（図５の例においては例えば３秒）以内で行うことにより、エッジリング回路における立ち上げ不良の有無を検知する。

具体的には、例えば電流値Ｉ２が閾値Ｂ２に達した、すなわちエッジリング１４（チャンバ１０）まで電流が流れたものの、該閾値Ｂ２に達するまでに３秒以上の時間を要した場合、エッジリング回路において立ち上げ不良が発生したと判断する（図５のステップＳ４－１）。すなわち、エッジリング１４まで配線が接続されているものの、例えば接続不良等により電流が適切に流れていないものと判断する。かかる場合、例えばエッジリング回路に立ち上げ不良が発生した旨をアラーム発報した後、直流電源６０からの断線検知用電圧Ｖ２の印加を停止する。

また例えば、測定された電流値Ｉ２が閾値Ｂ２未満であった場合、エッジリング回路において配線異常（断線、又は各要素に対する未接続）が生じていると判断する（図５のステップＳ４－２）。かかる場合、例えばエッジリング回路に配線異常が生じている旨、より好ましくは、更に該配線異常がエッジリング回路のどこで生じているか、をアラーム発報した後、直流電源６０からの断線検知用電圧Ｖ２の印加を停止する。

ステップＳ４－２におけるエッジリング回路の配線異常の検知についてより具体的に説明する。図６は、断線検知用電圧Ｖ２と電流値Ｉ２の関係を示したＶＩ特性の一例を示すグラフである。なお、図６の凡例に示す（ａ）～（ｄ）は、図４に示した（ａ）正常な接続状態、（ｂ）～（ｄ）配線異常が発生している状態、とそれぞれ対応している。

図６（ａ）に示すように、エッジリング回路に配線異常が生じていない場合、断線検知用電圧Ｖ２の印加によりエッジリング回路の全体、すなわち直流電源６０からエッジリング１４（チャンバ１０）まで、電流が適切に流れる。この時、電流計Ａで測定される電流値Ｉ２は、図６（ａ）のＶＩ特性に示されるように断線検知用電圧Ｖ２に応じて決定される。

一方、図６（ｂ）～（ｄ）に示すように、エッジリング回路に配線異常が生じていた場合、断線検知用電圧Ｖ２を印加すると、直流電源６０から該配線異常箇所まで、電流が流れる。換言すれば、エッジリング回路における配線異常箇所よりも下流側には電流が流れないため、回路定数が変化（該配線異常箇所よりも下流側に位置する要素分の静電容量が減少）し、（ａ）正常な接続状態時と比較して測定される電流値Ｉ２が減少する。そこで図６に示したように、予め取得されたＶＩ特性に基づいて、閾値Ｂ２を、正常時に測定される第１のＶＩ特性としての電流値Ｉ（ａ）と、配線異常時に測定される第２のＶＩ特性としての電流値Ｉ（ｂ）との間に予め設定しておく。これにより、実際に電流計Ａで測定された電流値Ｉ２と閾値Ｂ２とを比較することで、エッジリング回路において配線異常が生じているか否かを検知することができる。

また上述したように、エッジリング回路に配線異常が生じていた場合、該配線異常箇所よりも下流側には電流が流れないため、該配線異常箇所よりも下流側に位置する要素分の静電容量に応じて、測定される電流値Ｉ２が減少する。このことから、電流計Ａにより測定された電流値Ｉ２に基づいて、（ｂ）ＬＦフィルタ６４とＨＦフィルタ６３を接続する配線、（ｃ）ＬＦフィルタ６４の上流側における配線、（ｄ）直流電源６０の下流側直後における配線、のいずれで配線異常箇所が生じたのかを検知することができる。

なお、図６にも示したようにエッジリング回路に印加する断線検知用電圧Ｖ２の電圧値は任意に決定することができる。この時、印加する断線検知用電圧Ｖ２を大きくすることで、閾値Ｂ２の設定可能範囲、すなわち電流値Ｉ（ａ）と電流値Ｉ（ｂ）との差を大きくすることができ、より適切に（ａ）正常な接続状態と（ｂ）～（ｄ）配線異常を区別して配線異常を検知できる。一方、印加する断線検知用電圧Ｖ２を小さくすることで、断線検知用電圧Ｖ２の印加による静電チャック１３への影響、及び特許文献１に示したような残留電荷の発生を低減することができる。これら事情に鑑み、本実施形態における断線検知用電圧Ｖ２の電圧値は、通常のプラズマ処理プロセスに際してエッジリング１４に印加する電圧よりも低電圧であり、かつ閾値Ｂ２を適切に設定できる電圧値（例えば３００Ｖ～５００Ｖ）であることが好ましい。

図５の説明に戻る。測定された電流値Ｉ２が閾値Ｂ２以上となり、また該閾値Ｂ２に達するまでの時間が３秒以内であった場合、エッジリング回路には配線異常が生じていないと判断し、断線検知合格を通知する（図５のステップＳ４－３）。そして、このようにエッジリング回路に配線異常が生じていないと判断されると、直流電源６０からの断線検知用電圧Ｖ２の印加を停止し、一連の配線異常検知を完了する。

本実施形態にかかる配線異常検知によれば、エッジリング回路に断線検知用電圧Ｖ２を印加することで流れる電流を電流計Ａにより測定し、測定された電流値Ｉ２を予め定められた閾値Ｂ２と比較することで、該エッジリング回路における配線異常、例えば配線の未接続や断線を検知することができる。

またこの時、測定された電流値Ｉ２の、正常な配線接続時に測定される電流値Ｉ（ａ）からの減少量を見ることで、断線検知用電圧Ｖ２の印加により電流が流れた部分の静電容量を予測することができ、すなわち、配線異常箇所の特定を行うことができる。

また本実施形態によれば、エッジリング回路に接続された直流電源６０から短絡検知用電圧Ｖ１及び断線検知用電圧Ｖ２を印加することのみによって、該エッジリング回路における各種配線異常を検知することができる。すなわち、プラズマ処理装置１に対して新たにインターロック機構等を設けることなく、既存のインターロック機構のまま、様々な配線異常を検知することができるため、既存のプラズマ処理装置１に対する適用が容易である。

なお、本実施形態によれば、断線検知用電圧Ｖ２は、通常のプラズマ処理プロセスに際してエッジリング１４に印加する電圧よりも低電圧であり、かつ閾値Ｂ２を適切に設定できる電圧値（例えば３００Ｖ～５００Ｖ）を、例えば周波数２０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比６０％のパルス条件で印加する。なお、断線検知用電圧Ｖ２のパルス条件はこれに限定されるものではなく、例えば周波数は０．１ｋＨｚ～１００ｋＨｚ、好ましくは１ｋＨｚ～５０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比は１０％～９０％の間で決定されることが好ましい。

ここで、断線検知用電圧Ｖ２をパルス波ではなく連続波でエッジリング回路に印加して配線異常検知を行った場合、上記例に示したような低電圧（例えば３００Ｖ～５００Ｖ）では回路に電流が流れず、電流値Ｉ２を測定することができない。すなわち特許文献１にも示されるように、連続波を用いてエッジリング回路における電流値Ｉ２を測定するためには、通常の作動時よりも高電圧の印加が必要になり、かかる場合、電流の印加経路上における異常放電や、静電チャック１３とエッジリング１４の間における異常放電の発生等が懸念される。

この点本実施形態においては、連続波とは異なり高周波成分を含むパルス波により、エッジリング回路に断線検知用電圧Ｖ２を印加する。これにより、上記例に示したような低電圧（例えば３００Ｖ～５００Ｖ）でも回路に検知可能な十分量の電流を流すことができ、すなわち配線異常の検知を行うことが可能になる。この結果、連続波を用いる場合と比較して電流値Ｉ２の検知のための閾値を適切に設定して配線異常検知を適切に行うことができるとともに、異常放電の発生を抑制することができる。

また本実施形態によれば、上述の断線検知用電圧Ｖ２の印加に先立ち、該断線検知用電圧Ｖ２よりも更に低電圧の短絡検知用電圧Ｖ１を印加することにより、エッジリング回路の短絡検知を行っている。該エッジリング回路が短絡した状態で断線検知用電圧Ｖ２を印加した場合、該断線検知用電圧Ｖ２の印加によりエッジリング回路において異常放電が発生する恐れがある。この点、本実施形態においては、このように低電圧での短絡検知を事前に行うため、断線検知用電圧Ｖ２の印加による異常放電の発生リスクが低減される。

なお、このように本実施形態にかかる配線異常検知においては、断線検知用電圧Ｖ２の印加に先立って短絡検知用電圧Ｖ１を印加して短絡検知を行ったが、例えば断線検知用電圧Ｖ２を異常放電リスクの小さい電圧で印加する場合、又は既にエッジリング回路の短絡検知が完了している場合等には、適宜、短絡検知の工程（図５のステップＳ１、ステップＳ２）を適宜省略してもよい。

なお、上述したように、本実施形態にかかる配線異常検知においては、エッジリング回路を構成する各要素の接続状態に応じた回路定数の変化、より具体的には、接続状態に応じた静電容量の変化に基づいて、該エッジリング回路の配線異常を検知している。このため、例えば装置特性の変化等により、図６に示した（ａ）正常な接続状態で測定される電流値Ｉ（ａ）と、（ｂ）配線異常の発生時に測定される電流値Ｉ（ｂ）との差が小さくなった場合には、適切に閾値Ｂ２を設定することができず、適切に配線異常を検知できなくなるおそれがある。より具体的には、例えばチャンバ１０の静電容量が小さい場合や、ＲＦフィルタ６２の静電容量が大きい場合等、チャンバ１０とエッジリング回路との静電容量の差が小さくなった場合には、適切に閾値Ｂ２を設定できず、（ａ）正常な接続状態と（ｂ）配線異常の発生を区別できなくなるおそれがある。

＜第２の実施形態にかかる配線異常検知＞
そこで次に、このようにチャンバ１０とエッジリング回路との静電容量の差が小さい場合における第２の実施形態にかかる配線異常検知について説明する。図７は、第２の実施形態にかかるエッジリング回路の配線異常検知の主な工程を示すフロー図である。図７のフロー図中に示す（ａ）～（ｄ）は、図４に示した（ａ）正常な接続状態、（ｂ）～（ｄ）配線異常が発生している状態、とそれぞれ対応している。なお、以下の説明において図５に示した第１の実施形態にかかる配線異常検知と同様の工程については、重複説明を省略する場合がある。

図７に示すように第２の実施形態にかかるエッジリング回路の配線異常検知においては、先ず、プラズマ処理装置１の内部にウェハＷが搬入されていない状態で、短絡検知用電圧Ｖ１を直流電源６０からエッジリング１４に印加する（図７のステップＰ１）。エッジリング回路に対する短絡検知用電圧Ｖ１の印加条件は、第１の実施形態にかかる配線異常検知と同様である。

次に、ステップＰ１における短絡検知用電圧Ｖ１の印加によりエッジリング回路に流れる電流を電流計Ａにより測定し、測定された電流値Ｉ１と予め定められた閾値Ｂ１を比較することにより、該エッジリング回路が短絡しているか否かを検知する（図７のステップＰ２）。

本実施形態にかかるエッジリング回路の短絡検知方法は、第１の実施形態にかかるエッジリング回路の短絡検知方法と同様である。すなわち、例えば電流値Ｉ１が測定されなかった場合には直流電源６０に対して配線が未接続である、又は直流電源６０の下流側直後で断線が生じていると判断する（図７のステップＰ２－１）。また例えば、測定された電流値Ｉ１が閾値Ｂ１以上であった場合には、エッジリング回路が短絡して過剰電流が流れていると判断する（図７のステップＰ２－２）。

測定された電流値Ｉ１が閾値Ｂ１未満であった場合、エッジリング回路は短絡しておらず、また、少なくとも直流電源６０に配線が接続されているものと判断し、短絡検知合格を通知する（図７のステップＰ２－３）。

続けて、直流電源６０からの短絡検知用電圧Ｖ１の印加を停止した後、チャンバ１０の内部にプラズマを生成する（図７のステップＰ３）。具体的には、先ず、ガス供給源群３０からシャワーヘッド２０を介して処理空間Ｓに処理ガスを供給する。また、第１の高周波電源５０によりプラズマ生成用の高周波電力ＨＦを下部電極１２に供給し、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。

なお、ステップＰ３におけるプラズマの生成は、エッジリング回路に配線異常が生じていた場合であっても、プラズマの生成により異常放電等の発生リスクが低い条件で行われる。該条件としては、例えば、Ｏ_２ガス流量を８００ｓｃｃｍ、チャンバ１０の内部圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上、１０００ｍＴｏｒｒ以下、高周波電力ＨＦの印加電力を連続波で５００Ｗ以下とし、Ｖｄｃが１００Ｖ未満であることが望ましい。また、プラズマを発生させる時間は、例えば５秒以内であることが好ましい。

なお、プラズマの生成に際してのチャンバ１０の内部圧力の下限値は、当該チャンバ１０の内部にウェハＷが搬入された条件下においては更に下げることが可能である。すなわち、ウェハＷが搬入されていない条件下においては、上述のようにチャンバ１０の内部圧力は１００ｍＴｏｒｒ以上であることが望ましいが、例えばチャンバ１０の内部にウェハＷが搬入された状態で配線異常検知を行う場合には、当該チャンバ１０の内部圧力は５ｍＴｏｒｒ以上に制御することができる。

チャンバ１０の内部にプラズマを生成すると、次に、断線検知用電圧Ｖ３を直流電源６０からエッジリング１４に印加する（図７のステップＰ４）。断線検知用電圧Ｖ３としては、後述する任意の電圧を、任意の印加方式（印加波形：パルス波又は連続波）で印加する。なお、断線検知用電圧Ｖ３をパルス波により印加する場合、パルス条件は例えば周波数２０ｋＨｚ、Ｄｕｔｙ比６０％とすることができる。

次に、ステップＰ４における断線検知用電圧Ｖ３の印加によりエッジリング回路に流れる電流を電流計Ａにより測定し、測定された電流値（以下、「電流値Ｉ３」という場合がある。）と予め定められた閾値Ｂ３を比較することにより、該エッジリング回路に断線が生じているか否かを検知する。またこの時、電流値Ｉ３と閾値Ｂ３との比較を、予め定められた時間ｔ（図７の例においては例えば３秒）以内で行うことにより、エッジリング回路における立ち上げ不良の有無を検知する。

本実施形態にかかるエッジリング回路の短絡検知方法は、第１の実施形態にかかるエッジリング回路の短絡検知方法と同様である。すなわち、例えば電流値Ｉ３が閾値Ｂ３に達したものの、該閾値Ｂ３に達するまでに３秒以上の時間を要した場合、エッジリング回路において立ち上げ不良が発生したと判断する（図７のステップＳ５－１）。また例えば、測定された電流値Ｉ３が閾値Ｂ３未満であった場合、エッジリング回路において配線異常が生じていると判断する（図７のステップＰ５－２）。

ステップＰ５－２におけるエッジリング回路の配線異常の検知についてより具体的に説明する。図８は、断線検知用電圧Ｖ３と電流値Ｉ３の関係を示したＶＩ特性の一例を示すグラフである。なお、図８の凡例に示す（ａ）、（ｂ）は、図４に示した（ａ）正常な接続状態、（ｂ）配線異常が発生している状態、とそれぞれ対応している。

図８（ａ）に示すように、エッジリング回路に配線異常が生じていない場合、断線検知用電圧Ｖ３の印加によりエッジリング回路の全体、すなわち直流電源６０からエッジリング１４まで、電流が適切に流れる。ここで、エッジリング１４はチャンバ１０の内部に画成される処理空間Ｓと隣接して配置されている。このため、本実施形態にかかるプラズマ処理装置１においては、エッジリング１４を介して直流電源６０とチャンバ１０の内部に生成されたプラズマとが等価回路上で接続されており、これによりエッジリング回路に流れる電流は該プラズマに対しても通流する。換言すれば、エッジリング回路が正常に接続されてエッジリング１４まで電流が流れれば、チャンバ１０の内部に生成されたプラズマを低抵抗を有する負荷として疑似的に扱うことができ、電流計Ａで測定される電流値Ｉ３を大きくすることができる。

一方、図８（ｂ）に示すように、エッジリング回路に配線異常が生じていた場合、断線検知用電圧Ｖ３を印加しても、エッジリング１４まで、すなわちチャンバ１０の内部に形成されたプラズマまでは電流が流れないため、電流計Ａで測定される電流値Ｉ３が減少する。そこで図８に示したように、予め取得されたＶＩ特性に基づいて、閾値Ｂ３を、正常時に測定される電流値Ｉ（ａ）と配線異常時に測定される電流値Ｉ（ｂ）との間に予め設定しておく。これにより、実際に電流計Ａで測定された電流値Ｉ３と閾値Ｂ３とを比較することで、エッジリング回路において配線異常が生じているか否かを検知することができる。

図７の説明に戻る。測定された電流値Ｉ３が閾値Ｂ３以上となり、また該閾値Ｂ３に達するまでの時間が３秒以内であった場合、エッジリング回路には配線異常が生じていないと判断し、断線検知合格を通知する（図７のステップＰ５－３）。そして、このようにエッジリング回路に配線異常が生じていないと判断されると、処理空間Ｓへの処理ガスの供給、及び下部電極１２への高周波電力ＨＦの供給を停止して、チャンバ１０の内部におけるプラズマの生成を停止する（図７のステップＰ６）。そしてその後、直流電源６０からの断線検知用電圧Ｖ３の印加を停止し、一連の配線異常検知を完了する。

第２の実施形態にかかる配線異常検知によれば、直流電源６０とチャンバ１０の内部に生成されるプラズマとが等価回路上接続されており、容量的、或いは直接的に、プラズマに電流が流れる構成であれば、チャンバ１０の内部にプラズマを生成することで、該プラズマを低抵抗の負荷とみなして電流を流すことができる。すなわち、上述したようにチャンバ１０とエッジリング回路との静電容量の差が小さい場合であっても、（ａ）正常な接続状態で測定される電流値Ｉ（ａ）と、（ｂ）配線異常が生じている場合に測定される電流値Ｉ（ｂ）との差を大きくできるため、適切にエッジリング回路における配線異常を検知することができる。

またこの時、チャンバ１０の内部に対するプラズマの生成条件を適切に制御することで、エッジリング回路に配線異常が生じていた場合であっても、プラズマの生成による異常放電等の発生リスクを低減することができる。なお、該プラズマ生成条件は、予め、異常放電等が発生しないプラズマ生成条件を、使用するプラズマ処理装置１に応じて実験等により求めておくことが望ましい。

また本実施形態によれば、チャンバ１０の内部に生成されたプラズマを低抵抗の負荷とみなして電流を流すことができるため、直流電源６０からエッジリング回路に印加する断線検知用電圧Ｖ３の電圧値を小さくすることができる。このため、静電チャック１３への負荷や、残留電荷の発生を適切に低減することができる。

また更に、このように断線検知用電圧Ｖ３の電圧値を小さくできることと関連し、第１の実施形態にかかる配線異常検知の方法とは異なり、断線検知用電圧Ｖ３の電圧波形がパルス波には限定されず、連続波を用いることができる。

なお、上述したように、第２の直流電源７０が接続された上部電極回路においても、同様の方法により配線異常の検知を行うことができる。すなわち、エッジリング１４（チャンバ１０）に代えて上部電極を構成する電極板２１に直流電圧を印加し、該直流電圧の印加により流れた電流の測定値を閾値と比較することで、上部電極回路における配線異常を検知できる。かかる場合、上部電極を構成する電極板２１が、本開示の技術にかかる直流電圧印加部材に相当する。

また、以上の実施形態においてはエッジリング回路又は上部電極回路における配線異常を検知する場合を例に説明を行ったが、本開示にかかる配線異常検知方法が適用される回路は上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、直流電源が接続された電源回路であれば任意の回路において配線異常の検知を行うことができる。また特に、配線異常の検知対象である電源回路が、低抵抗の負荷とみなすことができる任意の物体（本実施形態においてはチャンバ１０の内部に生成されるプラズマ）と等価回路上で接続されるものであれば、該電源回路の正常な接続状態と配線異常の発生時とで電流の測定値に差がない場合であっても、適切に配線異常の検知を行うことができる。

なお、以上の実施形態において用いた閾値は一例である。すなわち、例えば電流の測定値に代えて他の要素を閾値として用いてもよい。また、閾値として用いる値も配線異常の検知方式等に基づいて適宜変更することが可能である。

なお、本開示に係る配線異常検知が行われるタイミングは任意に決定することができる。すなわち、例えばプラズマ処理装置１において行われるウェハＷに対するプラズマ処理のプロセス間において定期的に行われてもよいし、例えばプラズマ処理装置１の立ち上げ等のセットアップ時に行われてもよい。ただし、上述した配線の未接続や断線などの配線異常は、装置のセットアップにより生じる場合が多い。このため、少なくともプラズマ処理装置１の立ち上げ等のセットアップ時においては、本開示にかかる配線異常検知が行われることが望ましい。

なお、以上の実施形態では、チャンバ１０の内部にウェハＷが搬入されていない状態で配線異常検知を行う場合を例に説明を行ったが、当該配線異常検知は、ウェハＷがチャンバ１０の内部に搬入された状態において実施されてもよい。すなわち、例えばウェハ処理工程の途中で不具合が確認された際に、適宜、配線異常検知が行われてもよい。かかる場合、チャンバ１０の内部にプラズマを生成する場合においては、上述したように、当該プラズマ生成に係る諸条件のうちチャンバ１０の内部圧力の下限値を下げることができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ プラズマ処理装置
１０ チャンバ
１１ ステージ
１３ 静電チャック
１４ エッジリング
２１ 電極板
６０ 直流電源
６２ ＲＦフィルタ
７０ 第２の直流電源
７２ 第２のＲＦフィルタ
Ａ 電流計
Ｂ２ 閾値
Ｂ３ 閾値
Ｉ２ 電流値
Ｉ３ 電流値
Ｗ ウェハ

Claims (13)

1. プラズマ処理装置における配線異常の検知方法であって、
   前記プラズマ処理装置は、
   内部で基板のプラズマ処理を行うチャンバと、
   前記チャンバの内部に設けられ、前記基板を吸着保持する静電チャックを有するステージと、
   前記チャンバの内部に生成されるプラズマを制御するための直流電源系と、
   前記直流電源系に流れる電流を測定する電流計と、を有し、
   前記直流電源系は、
   該直流電源系に直流電圧を印加する直流電源と、
   前記直流電源からの高周波成分を除去する高周波フィルタと、
   前記直流電圧の印加対象である直流電圧印加部材と、がこの順で電気的に接続された回路を構成し、
   前記検知方法は、
   前記直流電源により直流電圧を印加する工程と、
   前記直流電源系を構成する回路に流れる電流を測定する工程と、
   前記電流の測定値と予め定められた閾値とを比較する工程と、を含み、
   前記測定値が前記閾値以上である場合に、前記直流電源系を構成する回路に配線異常が生じていると判定する、配線異常の検知方法。
2. 前記直流電源は、前記直流電圧をパルス波により印加する、請求項１に記載の配線異常の検知方法。
3. 前記電流の測定値に基づいて、前記回路における配線異常の発生箇所を特定することを更に含む、請求項１又は２に記載の配線異常の検知方法。
4. 前記直流電源からの直流電圧の印加に先立ち、前記チャンバの内部にプラズマを生成する工程を更に含む、請求項１に記載の配線異常の検知方法。
5. 前記プラズマの生成は、前記チャンバの内部圧力が１０００ｍＴｏｒｒ以下、印加電圧が５００Ｗ以下の条件で行われる、請求項４に記載の配線異常の検知方法。
6. 前記直流電源は、前記直流電圧をパルス波又は連続波により印加する、請求項４又は５に記載の配線異常の検知方法。
7. 前記閾値は、前記直流電源系に配線異常が生じていない状態で前記直流電圧を印加して得られる第１のＶＩ特性と、前記直流電源系に配線異常が生じている状態で前記直流電圧を印加して得られる第２のＶＩ特性と、を比較することにより予め決定される、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線異常の検知方法。
8. 前記直流電源からの直流電圧の印加に先立ち、前記回路の短絡検知を行うことを更に含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線異常の検知方法。
9. 前記直流電圧印加部材は、前記ステージに載置される基板の周囲に配置されるエッジリング、又は前記ステージの上方に配置される上部電極である、請求項１～８のいずれか一項に記載の配線異常の検知方法。
10. 基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
    内部で前記基板のプラズマ処理を行うチャンバと、
    前記チャンバの内部に設けられ、前記基板を吸着保持する静電チャックを有するステージと、
    前記チャンバの内部にプラズマを生成するための高周波電源と、
    前記チャンバの内部に生成されるプラズマを制御するための直流電源系と、
    前記直流電源系に流れる電流を測定する電流計と、
    前記直流電源系の動作を制御する制御部と、を有し、
    前記直流電源系は、
    該直流電源系に直流電圧を印加する直流電源と、
    前記直流電源からの高周波成分を除去する高周波フィルタと、
    前記直流電圧の印加対象である直流電圧印加部材と、がこの順で電気的に接続された回路を構成し、
    前記制御部は、
    前記直流電源により直流電圧を印加する工程と、
    前記直流電源系を構成する回路に流れる電流を測定する工程と、
    前記電流の測定値と予め定められた閾値とを比較する工程と、を行うように前記直流電源系を制御し、
    前記測定値が前記閾値以上である場合に、前記直流電源系を構成する回路に配線異常が生じていると判定する、プラズマ処理装置。
11. 前記プラズマ処理装置は、
    前記制御部は、前記直流電源からの直流電圧の印加に先立ち、前記チャンバの内部にプラズマを生成する工程を行うように、前記高周波電源の動作を制御する、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記直流電源は、前記直流電圧の印加波形をパルス波と連続波で切り替え可能に構成される、請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記直流電圧印加部材は、前記ステージに載置される基板の周囲に配置されるエッジリング、又は前記ステージの上方に配置される上部電極である、請求項１０～１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
    
    
    
    
    
    

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