JP2022087998A - 設計支援装置、設計支援方法、設計支援システムおよび設計支援プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】基板の熱解析を行うことができる設計支援装置を提供する。【解決手段】設計支援装置１００において、熱解析対象の基板情報および電流検出素子情報を含む解析条件を入力する入力手段と、熱解析手段により熱解析された熱解析結果の出力形式を設定する設定手段と、解析条件に基づく熱解析結果を、設定手段により設定された出力形式で表示部に表示するように表示部を制御する表示制御手段と、を備える。表示制御手段は、入力手段により入力された第１の解析条件に基づく第１熱解析結果と、第１の解析条件から基板情報および電流検出素子情報の少なくとも一方を変更した第２の解析条件に基づく第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で表示部に表示するように表示部を制御する、設計支援装置を提供する。【選択図】図４

Description

本発明は、設計支援装置、設計支援方法、設計支援システムおよび設計支援プログラムに関する。

特許文献１には、「配置画面上で基板に発熱素子を配置させ、配置された位置に応じて基板上での温度分布を計算し、それを表示するので簡単に熱検討を行うことができる。」と記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２００５－８４８９５

本発明の第１の態様においては、設計支援装置を提供する。設計支援装置は、熱解析対象の基板情報および電流検出素子情報を含む解析条件を入力する入力手段と、熱解析手段により熱解析された熱解析結果の出力形式を設定する設定手段と、解析条件に基づく熱解析結果を、設定手段により設定された出力形式で表示部に表示するように表示部を制御する表示制御手段と、を備える。表示制御手段は、入力手段により入力された第１の解析条件に基づく第１熱解析結果と、第１の解析条件から基板情報および電流検出素子情報の少なくとも一方を変更した第２の解析条件に基づく第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で表示部に表示するように表示部を制御する。

入力手段により第１の解析条件が入力された場合、第１の解析条件と同一の基板情報および第１の解析条件と異なる電流検出素子情報が第２の解析条件として入力されたことを条件として、表示制御手段は、第１熱解析結果と第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で表示部に表示するように表示部を制御してよい。

入力手段により第１の解析条件が入力された場合、第１の解析条件と異なる基板情報および第１の解析条件と同一の電流検出素子情報が第２の解析条件として入力されたことを条件として、表示制御手段は、第１熱解析結果と第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で表示部に表示するように表示部を制御してよい。

電流検出素子情報は、電流検出素子の抵抗温度係数を含んでよい。表示制御手段は、電流検出素子情報を表示部に表示するように表示部を制御してよい。

電流検出素子情報は、電流検出素子の大きさ、および、電流検出素子の抵抗値の少なくとも一方を含んでよい。表示制御手段は、電流検出素子情報を表示部に表示するように表示部を制御してよい。

解析条件は、熱解析対象の環境情報をさらに含んでよい。環境情報は、熱解析対象の環境の温度、環境の対流熱伝達率、および、環境の輻射熱伝達率の少なくとも１つを含んでよい。

熱解析対象に係る基板は、１つの導体層、または、基板の厚さ方向に設けられた複数の導体層を有してよい。基板情報は、導体層の数、導体層の厚さおよび導体層の面積の少なくとも１つを含んでよい。表示制御手段は、基板情報を表示部に表示するように表示部を制御してよい。

基板の平面視において、複数の導体層の形状は同じであってよい。

基板の平面視において、複数の導体層のうちの第１導体層と第２導体層との形状が異なる場合、基板情報は、第１導体層の情報および第２導体層の情報を含んでよい。

環境情報は、基板の表面状態および基板の配置方向の少なくとも一方をさらに含んでよい。

環境情報は、導体層に流れる実効電流の値をさらに含んでよい。

入力手段は、基板情報、電流検出素子情報および環境情報から選択された、第１の情報および第１の情報と異なる第２の情報を入力してよい。設定手段は、出力形式を、第１の情報と第２の情報との関係を示す形式に設定してよい。表示制御手段は、第１熱解析結果と第２熱解析結果とを、設定手段により設定された形式により、表示部に表示するように表示部を制御してよい。

熱解析手段が熱解析対象を熱解析した場合、設定手段は、第１の情報と第２の情報との関係を示す形式を変更不可能に設定してよい。

設定手段が、第１の情報と第２の情報との関係を示す形式を変更不可能に設定している場合において、入力手段が、基板情報、電流検出素子情報および環境情報から選択された、第１の情報と異なり且つ第２の情報と異なる第３の情報を入力した場合、表示制御手段は、表示部に警告を表示するように、表示部を制御してよい。

入力手段が形式の初期化を入力した場合、設定手段は、第１の情報と第２の情報との関係を示す形式を変更可能に設定してよい。

出力形式が第１の情報と第２の情報との関係を示す形式に設定されている場合において、入力手段が、基板情報、電流検出素子情報および環境情報から選択された、第１の情報と異なり且つ第２の情報と異なる第３の情報を入力した場合、設定手段は、出力形式を、第１の情報と第２の情報との関係を示す形式から、第３の情報と第２の情報との関係を示す形式に設定してよい。表示制御手段は、第１熱解析結果と第２熱解析結果とを、第３の情報と第２の情報との関係を示す形式により、表示部に表示するように表示部を制御してよい。

熱解析手段は、入力手段により第２の解析条件が入力されるごとに、熱解析対象を熱解析してよい。表示制御手段は、熱解析手段が熱解析対象を熱解析するごとに、第２熱解析結果を表示部に表示するように表示部を制御してよい。

表示制御手段は、表示部に第１熱解析結果を表示した状態で、表示部に第２熱解析結果を表示するように表示部を制御してよい。

表示制御手段は、第１の解析条件および第２の解析条件を表示部にさらに表示するように表示部を制御し、且つ、第１の解析条件と第２の解析条件との相違点が互いに識別可能な態様で表示部に表示するように、表示部を制御してよい。

入力手段は、第１電流検出素子に係る電流検出素子情報である第１電流検出素子情報、および、第１電流検出素子と異なる第２電流検出素子に係る電流検出素子情報である第２電流検出素子情報の少なくとも一方を入力してよい。入力手段が、第１電流検出素子を含む熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、熱解析手段は、第１電流検出素子情報を含む第１の解析条件に基づいて、熱解析対象を熱解析してよい。入力手段が、第２電流検出素子を含む熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、熱解析手段は、第２電流検出素子情報を含む第２の解析条件に基づいて、熱解析対象を熱解析してよい。

本発明の第２の態様においては、設計支援方法を提供する。設計支援方法は、入力手段が、熱解析対象の基板情報および電流検出素子情報を含む解析条件を入力する解析条件入力ステップと、設定手段が、熱解析手段により熱解析された熱解析結果の出力形式を設定する出力形式設定ステップと、表示制御手段が、解析条件に基づく熱解析結果を、出力形式設定ステップにおいて設定された出力形式で表示部に表示する表示ステップと、を備えてよい。表示ステップは、解析条件入力ステップにおいて入力された第１の解析条件に基づく第１熱解析結果と、第１の解析条件から基板情報および電流検出素子情報の少なくとも一方を変更した第２の解析条件に基づく第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で表示部に表示するステップであってよい。

電流検出素子情報は、電流検出素子の抵抗温度係数を含んでよい。

解析条件は、熱解析対象の環境情報をさらに含んでよい。環境情報は、熱解析対象の環境の温度、環境の対流熱伝達率、および、環境の輻射熱伝達率の少なくとも１つを含んでよい。

設計支援方法は、入力手段が、基板情報、電流検出素子情報および環境情報から、第１の情報と、第１の情報と異なる第２の情報とを入力する出力形式入力ステップをさらに備えてよい。出力形式設定ステップは、出力形式を、第１の情報と第２の情報との関係を示す形式に設定するステップであってよい。

解析条件入力ステップは、入力手段が、第１電流検出素子に係る電流検出素子情報である第１電流検出素子情報、および、第１電流検出素子と異なる第２電流検出素子に係る電流検出素子情報である第２電流検出素子情報の少なくとも一方を入力するステップであってよい。設計支援方法は、入力手段が、第１電流検出素子を含む熱解析対象または第２電流検出素子を含む熱解析対象の熱解析の開始を入力する開始入力ステップと、熱解析手段が、熱解析対象を熱解析する熱解析ステップと、をさらに備えてよい。開始入力ステップにおいて、入力手段が、第１電流検出素子を含む熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、熱解析手段は、第１電流検出素子情報を含む第１の解析条件に基づいて、熱解析対象を熱解析してよい。開始入力ステップにおいて、入力手段が、第２電流検出素子を含む熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、熱解析手段は、第２電流検出素子情報を含む第２の解析条件に基づいて、熱解析対象を熱解析してよい。

熱解析ステップは、熱解析手段が、第１の解析条件に基づいて熱解析対象を熱解析する第１熱解析ステップと、第２の解析条件に基づいて熱解析対象を熱解析する第２熱解析ステップと、を含んでよい。設計支援方法は、制御手段が、第１熱解析ステップの後、解析条件入力ステップに戻るかを判断する判断ステップをさらに備えてよい。判断ステップにおいて、制御手段が解析条件入力ステップに戻ると判断した場合、熱解析手段が第２熱解析ステップを実施してよい。

本発明の第３の態様においては、設計支援プログラムを提供する。設計支援プログラムは、コンピュータを設計支援装置として機能させる。

本発明の第４の態様においては、設計支援システムを提供する。設計支援システムは、設計支援装置と、熱解析手段と、表示部と、記憶手段と、を備える。記憶手段は、基板情報、電流検出素子情報および熱解析結果の少なくとも１つを記憶する。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本発明の一つの実施形態に係る熱解析対象４１の一例を示す図である。 図１におけるａ－ａ'線を通る、基板４２の断面の一例を示す図である。 本発明の一つの実施形態に係る熱解析対象１４１を示す図である。 本発明の一つの実施形態に係る設計支援システム２００の一例を示す図である。 表示部５０に表示される表示態様の一例を示す図である。 図５における出力形式入力領域５１および解析条件入力領域５９の拡大図である。 図５における熱解析実行領域５６、保存実行領域５７および熱解析結果表示領域５８の拡大図である。 図５に示される熱解析結果表示領域５８の拡大図である。 図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。 図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。 図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。 図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。 図１２に示される解析条件表示領域６６の一例を示す図である。 本発明の一つの実施形態に係る設計支援システム２００の他の一例を示す図である。 本発明の一つの実施形態に係る設計支援方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る設計支援装置１００が全体的または部分的に具現化されてよいコンピュータ２２００の一例を示す図である。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本発明の一つの実施形態に係る熱解析対象４１の一例を示す図である。熱解析対象４１は、例えば、電子機器等に使用されるプリント基板である。熱解析対象４１は、基板４２および電流検出素子４３を含む。基板４２は、導体層４４を有する。基板４２は、導体層４７を有してよい。導体層４４および導体層４７は、例えば銅箔である。

本明細書においては、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の直交座標軸を用いて技術的事項を説明する場合がある。本明細書においては、基板４２の平面と平行な面をＸＹ面とする。本明細書において、基板４２の平面に直交する方向（基板４２の厚さ方向）をＺ軸方向とする。本明細書において、ＸＹ面内における所定の方向をＸ軸方向とし、ＸＹ面内においてＸ軸に直交する方向をＹ軸方向とする。

本明細書において、Ｘ軸方向とは、Ｘ軸に平行な方向における一方から他方への方向、および、他方から一方への方向を指す。即ち、本明細書において、Ｘ軸方向とは、Ｘ軸に平行な２つの方向のいずれか一方を指さず、Ｘ軸に平行な方向を指す。本明細書において、Ｙ軸方向およびＺ軸方向も同様である。

本明細書において、平面視とは、基板４２をＺ軸方向から見た場合を指す。本明細書において、側面視とは、基板４２をＺ軸に垂直な方向（ＸＹ面内における所定の方向）から見た場合を指す。

電流検出素子４３は、導体層４４に流れる電流Ｉを測定する場合において、電流Ｉを検出する素子である。電流検出素子４３は、磁場検出式の電流センサであってよい。磁場検出式の電流センサとは、電流Ｉにより発生する磁場を検知する磁気センサを指す。電流検出素子４３は、例えばホール素子である。図１において、電流Ｉの向きが太い矢印にて示されている。

電流検出素子４３が磁気センサである場合、電流検出素子４３は、当該磁気センサからの信号を増幅するＩＣ（集積回路）が設けられていてよい。基板４２は、２つの導体層４７（導体層４７－１および導体層４７－２）を有してよい。導体層４７には、当該ＩＣに流れる電流が流れてよい。

電流検出素子４３は、接続端子４６を有してよい。本例においては、電流検出素子４３は２つの接続端子４６（接続端子４６－１および接続端子４６－２）を有する。本例の基板４２は、平面視において、２つの導体層４４（導体層４４－１および導体層４４－２）を有する。接続端子４６－１は、導体層４４－１に接続されてよい。接続端子４６－２は、導体層４４－２に接続されてよい。

基板４２は、導体層４４に電流Ｉが流れることにより、発熱する。導体層４４に電流Ｉが流れることにより、電流検出素子４３は発熱する。熱解析手段４０（後述）は、基板４２および電流検出素子４３の発熱を熱解析する。

基板４２および導体層４４－１には、開口４８が設けられてよい。基板４２および導体層４４－２には、開口４９が設けられてよい。開口４８には、ビア９１が設けられてよい。開口４９には、ビア９２が設けられてよい。

基板４２は、１または複数の導体層４４を有してよい。複数の導体層４４は、基板４２の厚さ方向に設けられてよい。ビア９１は、一の導体層４４－１と他の導体層４４－１とを電気的に接続してよい。ビア９２は、一の導体層４４－２と他の導体層４４－２とを電気的に接続してよい。

Ｘ軸方向における導体層４４－１の端部位置であって、電流検出素子４３側の端部位置を位置Ｐｘ１とする。Ｘ軸方向における導体層４４－１の位置であって、平面視におけるビア９１の中心位置を、位置Ｐｘ２とする。平面視におけるビア９１の中心位置とは、ビア９１をＺ軸方向に流れる電流Ｉの経路における中心の位置を指す。位置Ｐｘ１から位置Ｐｘ２までのＸ軸方向における長さを、長さＬとする。

Ｘ軸方向における導体層４４－２の端部位置であって、電流検出素子４３側の端部位置を位置Ｐｘ１'とする。Ｘ軸方向における導体層４４－２の位置であって、平面視におけるビア９２の中心位置を、位置Ｐｘ２'とする。平面視におけるビア９２の中心位置とは、ビア９２をＺ軸方向に流れる電流Ｉの経路における中心の位置を指す。位置Ｐｘ１'から位置Ｐｘ２'までのＸ軸方向における長さを、長さＬ'とする。

Ｙ軸方向における導体層４４－１の一方の端部位置であって、電流検出素子４３側の端部位置を、位置Ｐｙ１とする。Ｙ軸方向における導体層４４－１の他方の端部位置を、位置Ｐｙ２とする。位置Ｐｙ１から位置Ｐｙ２までのＹ軸方向における幅を、幅Ｗとする。

Ｙ軸方向における導体層４４－２の一方の端部位置であって、電流検出素子４３側の端部位置を、位置Ｐｙ１'とする。Ｙ軸方向における導体層４４－２の他方の端部位置を、位置Ｐｙ２'とする。位置Ｐｙ１'から位置Ｐｙ２'までのＹ軸方向における幅を、幅Ｗ'とする。

なお、Ｙ軸方向において、位置Ｐｙ１と位置Ｐｙ１'とは同じ位置であってよく、異なる位置であってもよい。Ｙ軸方向において、位置Ｐｙ２と位置Ｐｙ２'とは同じ位置であってよく、異なる位置であってもよい。幅Ｗと幅Ｗ'とは、等しくてよく、異なっていてもよい。本例においては、Ｙ軸方向において位置Ｐｙ１と位置Ｐｙ１'とは同じ位置であり、位置Ｐｙ２と位置Ｐｙ２'とは同じ位置である。本例においては、幅Ｗと幅Ｗ'とは、等しい。

長さＬが、Ｙ軸方向に沿って位置Ｐｙ１から位置Ｐｙ２まで変化する場合は、長さＬは、位置Ｐｙ１から位置Ｐｙ２までの間における、位置Ｐｘ１から位置Ｐｘ２までの長さの平均値であってよく、最大値であってもよく、最小値であってもよく、中央値であってもよい。長さＬ'についても、同様である。

幅Ｗが、Ｘ軸方向に沿って位置Ｐｘ１から位置Ｐｘ２まで変化する場合は、幅Ｗは、位置Ｐｘ１から位置Ｐｘ２までの間における、位置Ｐｙ１から位置Ｐｙ２までの幅の平均値であってよく、最大値であってもよく、最小値であってもよく、中央値であってもよい。幅Ｗ'についても、同様である。

導体層４４－１の平面視における面積を、面積Ｓ１とする。導体層４４－２の平面視における面積を、面積Ｓ１'とする。図１において、面積Ｓ１および面積Ｓ１'の範囲が、それぞれハッチングで示されている。

電流検出素子４３は、電流Ｉの検出に伴い発熱しやすい。電流検出素子４３の熱は、導体層４４に伝搬することにより、基板４２の平面方向（ＸＹ面内）に伝搬しやすい。面積Ｓ１および面積Ｓ１'が大きいほど、電流検出素子４３の熱は基板４２の平面方向に拡散しやすい。面積Ｓ１および面積Ｓ１'は、電流検出素子４３が発生した熱の放熱面積である。

面積Ｓ１と面積Ｓ１'とは、等しくてよく、異なっていてもよい。本例においては、面積Ｓ１と面積Ｓ１'とは、等しい。

図２は、図１におけるａ－ａ'線を通る、基板４２の断面の一例を示す図である。ａ－ａ'線は、基板４２、導体層４４－２、開口４９およびビア９２を通るＹＺ断面である。基板４２は、ｎ層の導体層４４－２（導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎ）を有してよい。ここで、ｎは２以上の整数である。ｎは、導体層４４－２の数である。

本明細書において、Ｚ軸方向における導体層４４－２－１側を上側と称し、導体層４４－２－ｎ側を下側と称する。導体層４４－２－１は、基板４２の上面９３に設けられてよい。導体層４４－２－ｎは、基板４２の下面９４に設けられてよい。開口４９は、基板４２を上面９３から下面９４まで貫通していてよい。ビア９２は、導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎを電気的に接続してよい。

導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎの厚さを、それぞれ厚さｄ１～厚さｄｎとする。厚さｄ１～厚さｄｎは、全て等しくてよく、全て異なっていてもよい。本例においては、厚さｄ１～厚さｄｎは、全て等しい。本例において、導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎにおけるそれぞれの厚さを、厚さｄとする。

基板４２は、導体層４４－２と同様に、ｎ層の導体層４４－１を有してよい。導体層４４－１－１は、基板４２の上面９３に設けられてよい。導体層４４－１－ｎは、基板４２の下面９４に設けられてよい。開口４８は、基板４２を上面９３から下面９４まで貫通していてよい。ビア９１は、導体層４４－１－１～導体層４４－１－ｎを電気的に接続してよい。

導体層４４－１－１～導体層４４－１－ｎの厚さは、導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎの厚さと同様に、それぞれ厚さｄ１～厚さｄｎであってよい。本例において、導体層４４－１－１～導体層４４－１－ｎにおけるそれぞれの厚さは、導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎと同様に、厚さｄである。

基板４２の平面視において、複数の導体層４４－２の形状は、同じであってよい。図２に示される例において、導体層４４－２－２～導体層４４－２－ｎの平面視における形状は、導体層４４－２－１の平面視における形状と同じであってよい。基板４２の平面視において、複数の導体層４４－２の形状は、異なっていてもよい。

図３は、本発明の一つの実施形態に係る熱解析対象１４１を示す図である。熱解析対象１４１は、電流検出素子１４３を含む。電流検出素子１４３は、電流電圧変換式の電流センサであってよい。電流電圧変換式の電流センサとは、抵抗に流れる電流を電圧に変換することにより、電流を検知する電流センサを指す。電流検出素子１４３は、例えばシャント抵抗である。熱解析対象１４１は、係る点で熱解析対象４１（図１参照）と異なる。電流検出素子１４３は、導体層４４－１と電気的に接続され、導体層４４－２と電気的に接続されている。

電流電圧変換式の電流センサは、抵抗に流れる電流を電圧に変換することにより電流を検知するので、当該抵抗の抵抗値は、変換される電圧が検出可能となる大きさであることが好ましい。このため、電流電圧変換式の電流センサにおける単位時間当たりの発熱量は、磁気検出式の電流センサにおける単位時間当たりの発熱量よりも大きくなりやすい。熱解析対象１４１は、熱解析対象４１との比較対象の熱解析対象であってよい。

図４は、本発明の一つの実施形態に係る設計支援システム２００の一例を示す図である。設計支援システム２００は、設計支援装置１００、熱解析手段４０、表示部５０および記憶手段６０を備える。熱解析手段４０は、熱解析対象４１（図１参照）を熱解析する手段である。表示部５０は、例えばディスプレイ、モニタ等である。記憶手段６０は、例えばハードディスクドライブ等の記憶装置である。記憶手段６０は、基板４２の情報である基板情報（後述）、電流検出素子４３の情報である電流検出素子情報、および、熱解析手段４０による熱解析対象４１の熱解析結果の少なくとも一つを記憶する。記憶手段６０は、電流検出素子４３の製品情報を記憶していてもよい。

なお、設計支援システム２００は、記憶手段６０を備えなくてもよい。設計支援システム２００が記憶手段６０を備えない場合、設計支援システム２００には、設計支援システム２００とは別途の記憶手段６０が接続されてよい。

設計支援装置１００は、入力手段１０、設定手段２０、制御手段３０および表示制御手段３２を備える。入力手段１０は、例えばマウス、キーボード等である。制御手段３０は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）である。設計支援装置１００は、例えば、当該ＣＰＵ、メモリおよびインターフェース等を備えるコンピュータである。

入力手段１０は、熱解析対象４１（図１参照）の解析条件を入力する。当該解析条件を、解析条件Ｉａとする。解析条件Ｉａは、基板４２に関する情報である基板情報（後述）、および、電流検出素子４３の情報である電流検出素子情報（後述）を含む。熱解析対象４１は、解析条件Ｉａに基づいて、熱解析手段４０により熱解析される。設定手段２０は、熱解析対象４１の熱解析結果の出力形式を設定する。出力形式については、後述する。

表示制御手段３２は、表示部５０を制御する。表示制御手段３２は、例えばＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）である。表示制御手段３２は、熱解析対象４１（図１参照）の熱解析結果を、設定手段２０により設定された出力形式で表示部５０に表示するように、表示部５０を制御する。

なお、表示制御手段３２は、制御手段３０に含まれていてもよい。制御手段３０および表示制御手段３２は、例えば１つのＣＰＵであってもよい。

図５は、表示部５０に表示される表示態様の一例を示す図である。表示制御手段３２（図４参照）は、出力形式入力領域５１、解析条件入力領域５９、電流検出素子情報入力領域５２、基板情報入力領域５４、環境情報入力領域５５、熱解析実行領域５６、結果保存実行領域５７および熱解析結果表示領域５８を表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。

熱解析結果表示領域５８は、熱解析対象４１および熱解析対象１４１の少なくとも一方が、解析条件Ｉａ（後述）に基づいて、熱解析手段４０（図４参照）により熱解析された結果を表示するための領域である。当該結果を、熱解析結果Ｉｒとする。熱解析結果表示領域５８において、熱解析結果Ｉｒはグラフ形式で表示されてよく、表形式で表示されてもよい。

出力形式入力領域５１は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を入力するための領域である。当該出力形式は、入力手段１０（図４参照）により入力されてよい。当該出力形式とは、熱解析結果表示領域５８（後述）に表示される、熱解析結果Ｉｒの表示形式を指す。後述するとおり、当該表示形式は、グラフ形式であってよく、表形式であってもよい。当該表示形式がグラフ形式である場合、出力形式入力領域５１は、当該グラフ形式における２つのパラメータを入力するための領域であってよい。

解析条件入力領域５９は、解析条件Ｉａを入力するための領域である。本例において、解析条件入力領域５９は、電流検出素子情報入力領域５２、基板情報入力領域５４および環境情報入力領域５５を含む。

電流検出素子情報入力領域５２は、電流検出素子情報を入力するための領域である。当該電流検出素子情報とは、電流検出素子４３に関する情報、および、電流検出素子１４３に関する情報の少なくとも一方である。当該電流検出素子情報を、電流検出素子情報Ｉｄとする。電流検出素子情報Ｉｄの詳細については、後述する。電流検出素子情報Ｉｄは、入力手段１０（図４参照）により入力されてよい。

本例において、電流検出素子情報入力領域５２は、２つの入力領域５３を含む。当該２つの入力領域５３を、第１入力領域５３－１および第２入力領域５３－２とする。本例において、第１入力領域５３－１は、電流検出素子４３に関する情報を入力するための領域である。本例において、第２入力領域５３－２は、電流検出素子１４３に関する情報を入力するための領域である。

基板情報入力領域５４は、基板情報を入力するための領域である。当該基板情報とは、基板４２（図１および図３参照）に関する情報である。当該基板情報を、基板情報Ｉｓとする。基板情報Ｉｓの詳細については、後述する。基板情報Ｉｓは、入力手段１０（図４参照）により入力されてよい。

環境情報入力領域５５は、環境情報を入力するための領域である。当該環境情報とは、熱解析対象４１が配置されている環境の情報、および、熱解析対象１４１が配置されている環境の情報の少なくとも一方である。当該環境情報を、環境情報Ｉｅとする。解析条件Ｉａは、環境情報Ｉｅを含んでよい。環境情報Ｉｅの詳細については、後述する。環境情報Ｉｅは、入力手段１０（図４参照）により入力されてよい。

熱解析実行領域５６は、熱解析の開始を入力するための領域である。保存実行領域５７は、熱解析結果保存の開始を入力するための領域である。熱解析実行領域５６および保存実行領域５７については、後述する。

図６は、図５における出力形式入力領域５１および解析条件入力領域５９の拡大図である。本例においては、熱解析結果表示領域５８（図５参照）には熱解析結果Ｉｒがグラフ形式にて表示される。本例の出力形式入力領域５１は、に、当該グラフ形式における縦軸および横軸を入力する領域である。縦軸および横軸のパラメータは、プルダウン形式で表示されてよい。縦軸および横軸のパラメータは、それぞれ、基板情報Ｉｓおよび環境情報Ｉｅから選択される１つのパラメータであってよい。

第１入力領域５３－１は、電流検出素子４３に関する情報を入力するための領域である。電流検出素子４３に関する情報を、第１電流検出素子情報Ｉｄ１とする。第１電流検出素子情報Ｉｄ１は、電流検出素子４３の名称および導体抵抗値の少なくとも一方であってよい。電流検出素子の名称および当該名称に係る製品情報は、記憶手段６０（図４）に記憶されていてよい。電流検出素子４３の名称とは、例えば、電流検出素子４３の製品名である。電流検出素子４３が磁気センサである場合、当該磁気センサには、電流による磁場が印加される。電流検出素子４３の導体抵抗値は、当該電流を流すための導体の抵抗値であってよい。なお、第１入力領域５３－１において電流検出素子４３の名称が入力された場合、電流検出素子４３の導体抵抗値は入力不可能にされてよい。

第２入力領域５３－２は、電流検出素子１４３に関する情報を入力するための領域である。電流検出素子１４３に関する情報を、第２電流検出素子情報Ｉｄ２とする。電流検出素子情報Ｉｄ２は、電流検出素子１４３の抵抗温度係数を含んでよい。電流検出素子情報Ｉｄ２は、電流検出素子１４３の大きさおよび抵抗値の少なくとも一方をさらに含んでよい。本例においては、電流検出素子情報Ｉｄ２は、電流検出素子１４３の大きさ、抵抗値および抵抗温度係数を含む。電流検出素子１４３がシャント抵抗である場合、電流検出素子情報Ｉｄ２は、シャント抵抗の大きさ［ｍｍ］、抵抗値［ｍΩ］および抵抗温度係数［ｐｐｍ／℃］である。

基板情報入力領域５４は、基板情報Ｉｓを入力するための領域である。基板情報Ｉｓは、導体層４４の数（図２参照）、導体層４４の厚さｄ（図２参照）［μｍ］および導体層４４の面積［ｍｍ^２］の少なくとも一つを含んでよい。導体層４４の面積を、導体層面積Ｓとする。導体層面積Ｓは、導体層４４の放熱面積である。本例において、導体層面積Ｓは、面積Ｓ１と面積Ｓ１'（図１および図３参照）との和である。

基板情報Ｉｓは、導体幅を含んでもよい。当該導体幅は、導体層４４の幅Ｗおよび幅Ｗ'（図１および図３参照）である。基板情報Ｉｓは、導体長さを含んでもよい。当該導体長さは、導体層４４の長さＬと長さＬ'（図１および図３参照）との和であってよい。なお、基板情報入力領域５４において導体層面積Ｓが入力された場合、導体幅および導体長さは入力不可能にされてよい。

環境情報入力領域５５は、環境情報Ｉｅを入力するための領域である。環境情報Ｉｅは、熱解析対象４１および熱解析対象１４１の少なくとも一方が配置された環境の、温度、対流熱伝達率および輻射熱伝達率の少なくとも１つを含んでよい。

熱解析対象４１が配置された環境の温度とは、熱解析対象４１における基板４２の上方において、電流検出素子４３が配置された場所の温度であってよい。熱解析対象１４１が配置された環境の温度とは、熱解析対象１４１における基板４２の上方において、電流検出素子１４３が配置された場所の温度であってよい。電流検出素子４３が配置された場所の温度、および、電流検出素子１４３が配置された場所の温度は、１００℃に達する場合がある。

熱解析対象４１が配置された環境の対流熱伝達率とは、当該環境における空気や水などの流れによるエネルギーの伝搬の度合いを表す係数である。熱解析対象４１が、例えば風冷ファンによる風にさらされている場合、当該対流熱伝達率は、熱解析対象４１が当該風にさらされていない場合よりも、高い。

熱解析対象４１が配置された環境の輻射熱伝達率とは、対象物から放出される電磁波のエネルギーの、輻射の度合いを表す係数である。本例において、当該対象物は、基板４２、電流検出素子４３等である。当該輻射熱伝達率は、温度が予め定められた温度よりも低い場合、無視され得る。当該予め定められた温度とは、例えば９０℃である。しかしながら、基板４２、電流検出素子４３等の温度は１００℃以上になる場合がある。このため、熱解析手段４０は、基板４２、電流検出素子４３等から放出される電磁波の輻射熱伝達率を考慮することにより、当該輻射熱伝達率を考慮しない場合よりも、熱解析対象４１が配置された環境における上昇温度ΔＴ（後述）をより正確に計算できる。

環境情報Ｉｅは、基板４２の表面状態および基板４２の配置方向の少なくとも一方をさらに含んでよい。基板４２の表面状態とは、例えば、基板４２の上面９３に配置された導体層４４が剥き出しの状態と、ソルダーレジストが塗布されている状態か等、基板４２の放熱に係る情報を指す。基板４２の配置方向とは、基板４２の上面９３（図２参照）が水平方向に平行か鉛直方向に平行か等、基板４２の配置に関する情報を指す。基板４２からの放熱により、基板４２の周囲の空気には対流が生じやすい。上面９３が水平方向に平行であるよりも垂直方向に平行である方が、対流する空気と上面９３とが交差しやすい。このため、上面９３が水平方向に平行であるよりも垂直方向に平行である方が、基板４２は冷却されやすい。

環境情報Ｉｅは、実効電流および上昇温度の少なくとも一方をさらに含んでよい。実効電流とは、導体層４４に流れる電流Ｉの実効値である。導体層４４に流れる電流Ｉの実効値とは、導体層４４に流し得る電流Ｉの最大値であってよい。上昇温度とは、熱解析対象４１および熱解析対象１４１が配置された環境において許容される温度の最大値と、現在の温度との差である。当該上昇温度を、上昇温度ΔＴとする。

図７は、図５における熱解析実行領域５６、保存実行領域５７および熱解析結果表示領域５８の拡大図である。本例において、電流検出素子４３を第１電流検出素子２４３とし、電流検出素子１４３を第２電流検出素子３４３とする。第２電流検出素子３４３は、第１電流検出素子２４３と種類の異なる電流検出素子であってよい。電流検出素子の種類が異なるとは、電流を検出する方法が異なることを指してよい。本例においては、第１電流検出素子２４３は磁気センサであり、第２電流検出素子３４３はシャント抵抗である。磁気センサは、電流による磁場を検出することにより、電流を検出する。シャント抵抗は、導体を電流が流れることによって生じる電圧を検出することにより、電流を検出する。本例において、第１電流検出素子２４３と第２電流検出素子３４３とは、係る点において電流検出の方法が異なる。

表示制御手段３２（図４参照）は、第１電流検出素子２４３を含む熱解析対象４１の熱解析を開始するための第１開始部６１と、第２電流検出素子３４３を含む熱解析対象１４１の熱解析を開始するための第２開始部６２とを表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。本例においては、表示制御手段３２は、第１開始部６１と第２開始部６２とを熱解析実行領域５６に表示するように、表示部５０を制御する。第１開始部６１および第２開始部６２は、表示部５０に表示されるボタンであってよい。

第１電流検出素子２４３に係る電流検出素子情報Ｉｄを、第１電流検出素子情報Ｉｄ１とする。第２電流検出素子３４３に係る電流検出素子情報Ｉｄを、第２電流検出素子情報Ｉｄ２とする。入力手段１０（図４参照）が、第１電流検出素子２４３を含む熱解析対象４１の熱解析の開始を入力した場合、熱解析手段４０（図４参照）は、第１電流検出素子情報Ｉｄ１を含む第１の解析条件Ｉａ１に基づいて、熱解析対象４１を熱解析してよい。入力手段１０が、第２電流検出素子３４３を含む熱解析対象４１の熱解析の開始を入力した場合、熱解析手段４０は、第２電流検出素子情報Ｉｄ２を含む第２の解析条件Ｉａ２に基づいて、熱解析対象４１を熱解析してよい。本例においては、入力手段１０が第１開始部６１を押下した場合、熱解析手段４０は、第１電流検出素子情報Ｉｄ１を含む解析条件Ｉａに基づいて、熱解析対象４１を熱解析する。本例においては、入力手段１０が第２開始部６２を押下した場合、熱解析手段４０は、第２電流検出素子情報Ｉｄ２を含む解析条件Ｉａに基づいて、熱解析対象４１を熱解析する。

表示制御手段３２（図４参照）は、初期化部６３を表示部５０に表示するように、表示部を制御してよい。本例においては、表示制御手段３２は、初期化部６３を熱解析実行領域５６に表示するように、表示部５０を制御する。初期化部６３は、表示部５０に表示されるボタンであってよい。入力手段１０が初期化部６３を押下した場合、表示制御手段３２は、表示部５０に表示されている熱解析結果Ｉｒを表示部５０から削除するように、表示部５０を制御してよい。

保存実行領域５７は、表示部に表示される保存部６４を含んでよい。保存部６４は、表示部５０に表示されるボタンであってよい。入力手段１０が保存部６４を押下した場合、熱解析結果Ｉｒは記憶手段６０（図４参照）に記憶されてよい。

熱解析結果表示領域５８は、熱解析対象４１および熱解析対象１４１の少なくとも一方の熱解析結果Ｉｒを表示する領域である。入力手段１０（図４参照）は、基板情報Ｉｓ、電流検出素子情報Ｉｄおよび環境情報Ｉｅから選択された、第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２を入力してよい。第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２とは、異なる。第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２は、図６に示される、電流検出素子情報入力領域５２、基板情報入力領域５４および環境情報入力領域５５に表示される項目から、選択されてよい。第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２は、出力形式入力領域５１において入力されてよい。第１の情報Ｉｆ１は、出力形式入力領域５１において入力された、縦軸および横軸の一方のパラメータであってよい。第２の情報Ｉｆ２は、出力形式入力領域５１において入力された、縦軸および横軸の他方のパラメータであってよい。

設定手段２０は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を、第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２との関係を示す形式に設定してよい。本例においては、設定手段２０は、熱解析結果Ｉｒの出力形式をグラフ形式に設定する。本例においては、第１の情報Ｉｆ１は導体層面積Ｓであり、第２の情報Ｉｆ２は上昇温度ΔＴである。

熱解析対象４１の解析条件Ｉａを、第１の解析条件Ｉａ１とする。第１の解析条件Ｉａ１から、基板情報Ｉｓおよび電流検出素子情報Ｉｄの少なくとも一方が変更された解析条件Ｉａを、第２の解析条件Ｉａ２とする。本例においては、第１の解析条件Ｉａ１から電流検出素子情報Ｉｄが変更された解析条件Ｉａを、第２の解析条件Ｉａ２とする。本例においては、第２の解析条件Ｉａ２は、熱解析対象１４１の解析条件Ｉａである。

第１の解析条件Ｉａ１に基づく第１熱解析結果を、第１熱解析結果Ｉｒ１とする。第２の解析条件Ｉａ２に基づく第２熱解析結果を、第２熱解析結果Ｉｒ２とする。表示制御手段３２は、第１熱解析結果Ｉｒ１と第２熱解析結果Ｉｒ２とを、設定手段２０により設定された出力形式により、表示部５０に表示するように表示部５０を制御する。表示制御手段３２（図４参照）は、第１熱解析結果Ｉｒ１と第２熱解析結果Ｉｒ２とを互いに識別可能な態様で表示部５０に表示するように、表示部５０を制御する。本例においては、熱解析対象４１の第１熱解析結果Ｉｒ１が実線で示され、熱解析対象１４１の第２熱解析結果Ｉｒ２が一点鎖線で示されることにより、第１熱解析結果Ｉｒ１と第２熱解析結果Ｉｒ２とが互いに識別可能な態様で、表示部５０に表示されている。

第１の解析条件Ｉａ１における基板情報Ｉｓを、基板情報Ｉｓ１とする。第２の解析条件Ｉａ２における基板情報Ｉｓを、基板情報Ｉｓ２とする。基板情報Ｉｓ１と基板情報Ｉｓ２とは、同じであってよい。第１の解析条件Ｉａ１における環境情報Ｉｅを、環境情報Ｉｅ１とする。第２の解析条件Ｉａ２における環境情報Ｉｅを、環境情報Ｉｅ２とする。環境情報Ｉｅ１と環境情報Ｉｅ２とは、同じであってよい。

電流検出素子４３が磁気センサであり、且つ、当該磁気センサが磁場の変化を検知した場合、当該磁気センサには、当該磁場の変化による電流が発生する。電流検出素子４３の１次導体とは、当該磁場の変化により発生した電流が流れる導体を指す。

本例においては、電流検出素子４３の１次導体の抵抗値は、電流検出素子１４３の抵抗値よりも小さいので、電流検出素子４３が含まれる熱解析対象４１の単位時間当たりの発熱量は、電流検出素子１４３が含まれる熱解析対象１４１の単位時間当たりの発熱量よりも、抑制されやすい。基板情報Ｉｓ１と基板情報Ｉｓ２とが同じであり、且つ、環境情報Ｉｅ１と環境情報Ｉｅ２とが同じである場合、設計支援装置１００のユーザは、電流検出素子１４３と電流検出素子４３とを交換した場合における基板４２の放熱特性の相違を、簡易に知ることができる。図７に示される例においては、設計支援装置１００のユーザは、電流検出素子１４３を電流検出素子４３に交換した場合において、上昇温度ΔＴを共にＴ１とした場合における導体層面積Ｓの削減効果を、簡易に知ることができる。

熱解析対象４１において、導体層４４および電流検出素子４３に電流が流れることにより発生する熱量を、熱量Ｑｔ１とする。熱解析対象４１において、導体層４４の上方および電流検出素子４３の上方において対流する熱量を、熱量Ｑｃ１とする。熱解析対象４１において、導体層４４による熱輻射および電流検出素子４３による熱輻射による熱量を、熱量Ｑｒ１とする。熱量Ｑｔ１、熱量Ｑｃ１および熱量Ｑｒ１の間には、以下の関係が成立する。

熱解析対象１４１において、導体層４４および電流検出素子１４３に電流が流れることにより発生する熱量を、熱量Ｑｔ２とする。熱解析対象１４１において、導体層４４の上方および電流検出素子１４３の上方において対流する熱量を、熱量Ｑｃ２とする。熱解析対象１４１において、導体層４４による熱輻射および電流検出素子１４３による熱輻射による熱量を、熱量Ｑｒ２とする。熱量Ｑｔ２、熱量Ｑｃ２および熱量Ｑｒ２の間には、上記（１）式と同様の関係が成立する。

導体層４４および電流検出素子４３に流れる電流をＩ１とし、電流検出素子４３の抵抗値をＲ１_ｐとする。導体層４４の抵抗値をＲ_ｓｕｂとし、導体層４４の抵抗温度係数をαとする。基板４２の温度をｔとする。導体層４４の数（図２参照）をｎとし、ｎ個の導体層４４の平均厚さをｄとする。導体層４４の温度が０℃の場合における導体層４４の抵抗率をρ_０とし、導体層４４の温度がｔの場合における導体層４４の抵抗率をρとする。熱量Ｑｔ１は、以下の式で表される。

ここで、図１の説明において上述したとおり、Ｌは位置Ｐｘ１から位置Ｐｘ２（図１および図３参照）までのＸ軸方向における長さである。Ｌ'は、位置Ｐｘ１'から位置Ｐｘ２'（図１および図３参照）までのＸ軸方向における長さである。Ｗは、位置Ｐｙ１から位置Ｐｙ２（図１および図３参照）までのＹ軸方向における幅である。Ｗ'は、位置Ｐｙ１'から位置Ｐｙ２'（図１および図３参照）までのＹ軸方向における幅である。

導体層４４および電流検出素子１４３に流れる電流をＩ２とし、電流検出素子１４３の抵抗値をＲ２_ｐとする。熱量Ｑｔ２、電流Ｉ２および抵抗値Ｒ２_ｐの間には、上記（２－１）式～（２－３）式と同様の関係が成立する。

導体層４４において電流が流れる領域の面積であって基板４２上における領域の面積を、面積Ｓ_ｓｕｂとする。熱解析対象４１において、電流検出素子４３の平面視における面積を、面積Ｓ１_ｄとする。面積Ｓ１_ｄは、図１においてハッチングされた領域の面積を指す。導体層４４の上方および電流検出素子４３の上方であって基板４２の上面９３側、および、導体層４４の下方および電流検出素子４３の下方であって基板４２の下面９４側の熱量が対流することによる対流熱伝達率を、熱対流伝達率ｈｃ１とする。導体層４４および電流検出素子４３が発熱することによる上昇する温度を、温度ΔＴ１とする。熱量Ｑｃ１は、以下の式で表される。

熱量Ｑｒ１は、以下の式で表される。

ここで、σはステファン・ボルツマン定数である。σ＝５．６７×１０^－８［Ｗ／（ｍ^２・Ｋ^４）］である。εは、導体層４４の上面および下面から、および、電流検出素子４３の上面および下面からの熱放射率である。εは、基板４２の材質、基板４２の表面状態等によって変わり得る。εは、０以上１以下値である。Ｔ_ｓｕｂは、導体層４４および電流検出素子４３の温度である。Ｔ_ａｉｒは、熱解析対象４１が配置された環境の温度である。

熱解析対象１４１において、電流検出素子１４３の平面視における面積を、面積Ｓ２_ｄとする。面積Ｓ２_ｄは、図３においてハッチングされた領域の面積を指す。基板４２の上面９３側の熱量および下面９４側の熱量が対流することによる対流熱伝達率を、対流熱伝達率ｈｃ２とする。導体層４４および電流検出素子１４３が発熱することによる上昇する温度を、温度ΔＴ２とする。熱量Ｑｃ２、面積Ｓ２_ｄ、対流熱伝達率ｈｃ２および温度ΔＴ２の間には、式（３－１）および式（３－２）と同様の関係が成立する。熱量Ｑｃ２および面積Ｓ２_ｄの間には、式（４）と同様の関係が成立する。

抵抗値Ｒ_ｓｕｂは、パッドがビアホール（図１よび図２の例においては開口４９）の直上に配置される（いわゆるパッド・オン・ビア）ことにより、低下しやすい。抵抗値Ｒ_ｓｕｂは、スルーホール（図１よび図２の例においては開口４９）により複数の配線層（図１よび図２の例においては導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎ）が接続されることによっても、低下しやすい。抵抗値Ｒ１_ｐおよび抵抗値Ｒ２_ｐは、それぞれ電流検出素子４３および電流検出素子１４３の温度が上昇することに伴い、変化する。

パッドがビアホール（例えば開口４９）の直上に配置される場合、または、複数の配線層（例えば導体層４４－２－１～導体層４４－２－ｎ）がスルーホール（例えば開口４９）により接続される場合、面積Ｓ_ｓｕｂには、導体層４４における基板４２の下面９４（図２参照）側の面積であって、導体層４４において電流が流れる領域の面積が、さらに含まれてよい。

熱解析対象４１が熱解析される場合、抵抗温度係数αは記憶手段６０（図４参照）に記憶されていてよい。熱解析手段４０（図４参照）は、記憶手段６０に記憶された抵抗温度係数αを用いることにより、熱解析対象４１を熱解析してよい。熱解析対象１４１が熱解析される場合、抵抗温度係数αは、入力手段１０（図４参照）により第２入力領域５３－２（図６参照）に入力された値が、熱解析に用いられてよい。

対流熱伝達率ｈｃ１および対流熱伝達率ｈｃ２は、入力手段１０（図４参照）により環境情報入力領域５５（図６参照）に入力された、基板４２の表面状態および基板４２の配置方向の少なくとも一方に基づいて、導出されてよい。熱解析手段４０は、当該導出された対流熱伝達率ｈｃ１を用いることにより熱解析対象４１を熱解析してよく、当該導出された対流熱伝達率ｈｃ２を用いることにより熱解析対象１４１を熱解析してよい。

一般に、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）における単位時間当たりの発熱量は、トランジスタの駆動に伴い消費される電力に依存しやすい。これに対し、電流検出素子４３が磁気センサであり、電流検出素子１４３がシャント抵抗である場合、熱解析対象４１および熱解析対象１４１における単位時間当たりの発熱量は、面積Ｓ_ｓｕｂ、幅Ｗ、幅Ｗ'、長さＬおよび長さＬ'に依存しやすい。このため、本例においては、設計支援装置１００のユーザは、熱解析対象４１および熱解析対象１４１における面積Ｓ_ｓｕｂ、幅Ｗ、幅Ｗ'、長さＬおよび長さＬ'を変更することにより、熱解析対象４１における温度ΔＴ１の振る舞いと、熱解析対象１４１における温度ΔＴ２の振る舞いとを、容易に比較できる。

図８は、図５に示される熱解析結果表示領域５８の拡大図である。本例においては、図７に示される例と同様に、第１の情報Ｉｆ１は導体層面積Ｓであり、第２の情報Ｉｆ２は上昇温度ΔＴである。

入力手段１０（図４参照）により第１の解析条件Ｉａ１が入力された場合、表示制御手段３２（図４参照）は、第１の解析条件Ｉａ１に基づく第１熱解析結果Ｉｒ１を表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。図８においては、第１熱解析結果Ｉｒ１が熱解析結果表示領域５８に一点鎖線で表示されている。

図９は、図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。本例においては、第２の解析条件Ｉａ２は、第１の解析条件Ｉａ１と同一の基板情報Ｉｓであり、且つ、第１の解析条件Ｉａ１と異なる電流検出素子情報Ｉｄであるとする。入力手段１０（図４参照）により第１の解析条件Ｉａ１が入力された場合（即ち図８の場合）において、表示制御手段３２（図４参照）は、当該第２の解析条件Ｉａ２が入力されたことを条件として、第１熱解析結果Ｉｒ１と第２熱解析結果Ｉｒ２とを、互いに識別可能な態様で表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。

表示制御手段３２は、表示部５０に第１熱解析結果Ｉｒ１を表示した状態で、表示部５０に第２熱解析結果Ｉｒ２を表示するように、表示部５０を制御してよい。入力手段１０（図４参照）により第１の解析条件Ｉａ１が入力された場合において、当該第２の解析条件Ｉａ２が入力されたことを条件として、表示制御手段３２は、第１熱解析結果Ｉｒ１を表示部５０に表示した状態で、第２熱解析結果Ｉｒ２を表示部５０にさらに表示するように、表示部５０を制御してよい。本例においては、第１の解析条件Ｉａ１における第１電流検出素子情報Ｉｄ１は電流検出素子４３に関する情報であり、第２の解析条件Ｉａ２における第２電流検出素子情報Ｉｄ２は電流検出素子１４３に関する情報である。

熱解析手段４０（図４参照）は、入力手段１０により第２の解析条件Ｉａ２が入力されるごとに、熱解析対象４１を熱解析してもよい。表示制御手段３２は、熱解析手段４０が熱解析対象４１を熱解析するごとに、第２熱解析結果Ｉｒ２を表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。

図１０は、図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。本例においては、第１の情報Ｉｆ１は実効電流Ｉｍであり、第２の情報Ｉｆ２は上昇温度ΔＴである。実効電流Ｉｍとは、上述したとおり、導体層４４に流れる電流Ｉの実効値である。

入力手段１０（図４参照）により第１の解析条件Ｉａ１が入力された場合、表示制御手段３２（図４参照）は、第１の解析条件Ｉａ１に基づく第１熱解析結果Ｉｒ１を表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。図１０においては、第１熱解析結果Ｉｒ１が熱解析結果表示領域５８に粗い破線で表示されている。

図１１は、図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。本例においては、第２の解析条件Ｉａ２は、第１の解析条件Ｉａ１と異なる基板情報Ｉｓであり、且つ、第１の解析条件Ｉａ１と同一の電流検出素子情報Ｉｄであるとする。本例において、第１電流検出素子情報Ｉｄ１および第２電流検出素子情報Ｉｄ２は、共に電流検出素子４３（例えば磁気センサ）に係る情報であるとする。

入力手段１０（図４参照）により第１の解析条件Ｉａ１が入力された場合（即ち図８の場合）において、表示制御手段３２（図４参照）は、当該第２の解析条件Ｉａ２が入力されたことを条件として、第１熱解析結果Ｉｒ１と第２熱解析結果Ｉｒ２とを、互いに識別可能な態様で表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。第１の解析条件Ｉａ１が入力された場合において、当該第２の解析条件Ｉａ２が入力されたことを条件として、表示制御手段３２は、第１熱解析結果Ｉｒ１を表示部５０に表示した状態で、第２熱解析結果Ｉｒ２を表示部５０にさらに表示するように、表示部５０を制御してよい。本例においては、第１の解析条件Ｉａ１における基板情報Ｉｓ１の導体層面積Ｓは面積Ｓ０であり、第２の解析条件Ｉａ２における基板情報Ｉｓ２の導体層面積Ｓは面積Ｓ０'（＞Ｓ０）である。

本例においては、設計支援装置１００のユーザは、電流検出素子４３（例えば磁気センサ）が設けられた基板４２における導体層４４の面積Ｓを削減した場合において、実効電流Ｉｍを電流Ｉ１に維持した場合に、上昇温度ΔＴの温度Ｔ０から温度Ｔ０'への抑制効果を、簡易に知ることができる。

図２に示される基板４２の側面視において、複数の導体層４４－２のうちの導体層４４－２－１を第１導体層Ｄ１とし、導体層４４－２－２を第２導体層Ｄ２とする。図１に示される基板４２の平面視において、第１導体層Ｄ１と第２導体層Ｄ２との形状が異なる場合、基板情報Ｉｓは、第１導体層Ｄ１の情報および第２導体層Ｄ２の情報を含んでよい。第１導体層Ｄ１の情報および第２導体層Ｄ２の情報は、解析条件Ｉａに含まれてよい。

熱解析手段４０（図４参照）が熱解析対象４１を熱解析した場合、設定手段２０（図４参照）は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を変更不可能に設定してよい。図７に示される例においては、設定手段２０は、第１の情報Ｉｆ１が導体層面積Ｓであり、第２の情報Ｉｆ２が上昇温度ΔＴであるとして、熱解析結果Ｉｒの出力形式を設定している。熱解析手段４０が熱解析対象４１を熱解析した場合、設定手段２０は、第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２とを変更不可能に設定してよい。第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２とを変更不可能に設定されることにより、設計支援装置１００のユーザが、第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２の少なくとも一方を誤って変更しようとした場合においても、第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２の少なくとも一方が変更されることが防止される。このため、表示制御手段３２は、第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２とが変更されない状態で、熱解析手段４０による熱解析ごとに、熱解析結果Ｉｒを表示部５０に表示するように、表示部５０を制御しやすくなる。

設定手段２０（図４参照）が熱解析結果Ｉｒの形式を変更不可能に設定している場合において、入力手段１０（図４参照）が、基板情報Ｉｓ、電流検出素子情報Ｉｄおよび環境情報Ｉｅから選択された第３の情報Ｉｆ３を入力した場合、表示制御手段３２は、表示部５０に警告を表示するように、表示部５０を制御してよい。第３の情報Ｉｆ３は、第１の情報Ｉｆ１と異なり、且つ、第２の情報Ｉｆ２と異なる。

表示制御手段３２が、表示部５０に警告を表示するように表示部５０を制御することにより、設計支援装置１００のユーザは、第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２の少なくとも一方を誤って変更しようとしていることを知ることができる。なお、設計支援装置１００は、表示制御手段３２による表示部５０への警告の表示に代えて、警告音を発してもよい。

図９に示される例においては、第１の情報Ｉｆ１は導体層面積Ｓであり、第２の情報Ｉｆ２は上昇温度ΔＴである。図９においては、熱解析結果Ｉｒ１の出力形式が、当該第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２との関係を示す形式に設定されている。

入力手段１０が第３の情報Ｉｆ３を入力した場合、設定手段２０は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を、第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２との関係を示す形式（図９に示される形式）から、第３の情報Ｉｆ３と第２の情報とＩｆ２の関係を示す形式に設定してよい。第３の情報Ｉｆ３が、例えば実効電流Ｉｍである場合、設定手段２０は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を、図９に示される形式から図１１に示される形式に設定してよい。表示制御手段３２は、第１熱解析結果Ｉｒ１と第２熱解析結果Ｉｒ２とを、第３の情報Ｉｆ３と第２の情報Ｉｆ２との関係を示す形式により、表示部５０に表示するように表示部５０を制御してよい。

入力手段１０（図４参照）が、熱解析結果Ｉｒの出力形式の初期化を入力した場合、設定手段２０（図４参照）は、当該出力形式を変更可能に設定してよい。本例においては、入力手段１０が初期化部６３（図７参照）を押下した場合、設定手段２０は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を変更可能に設定する。入力手段１０が、熱解析結果Ｉｒの出力形式の初期化を入力した場合、設定手段２０は、第１の情報Ｉｆ１および第２の情報Ｉｆ２を変更可能に設定してよい。入力手段１０が、熱解析結果Ｉｒの出力形式の初期化を入力した場合、表示制御手段３２は、表示部５０に表示されている熱解析結果Ｉｒを表示部５０から削除するように、表示部５０を制御してよい。

図１２は、図５に示される熱解析結果表示領域５８の他の拡大図である。熱解析結果表示領域５８は、計算領域６５および解析条件表示領域６６を含んでよい。解析条件表示領域６６は、解析条件Ｉａごとの熱解析結果Ｉｒを、表形式で表示する領域である。

表示制御手段３２（図４参照）は、解析条件Ｉａごとの熱解析結果Ｉｒを、第１の情報Ｉｆ１または第２の情報Ｉｆ２の具体的な数値について計算した結果を計算領域６５に表示するように、表示部５０を制御してよい。本例においては、第１の情報Ｉｆ１は導体層面積Ｓであり、第２の情報Ｉｆ２は上昇温度ΔＴである。本例においては、導体層面積Ｓが５［ｍｍ^２］である場合について上昇温度ΔＴを計算した結果が、熱解析結果Ｉｒごとに計算領域６５に示されている。第１の情報Ｉｆ１または第２の情報Ｉｆ２の具体的な数値は、入力手段１０（図４参照）により入力されてよい。

図１３は、図１２に示される解析条件表示領域６６の一例を示す図である。表示制御手段３２（図４参照）は、第１の解析条件Ｉａ１および第２の解析条件Ｉａ２を表示部５０（本例においては解析条件表示領域６６）に表示するように表示部５０を制御してよい。本例においては、表示制御手段３２は、解析条件Ｉａ番号が１～６の解析条件Ｉａを解析条件表示領域６６に表示するように表示部５０を制御する。

表示制御手段３２は、表示部５０に第１熱解析条件Ｉａ１を表示した状態で、表示部５０に第２熱解析条件Ｉａ２を表示するように、表示部５０を制御してよい。表示制御手段３２は、異なる解析条件Ｉａに基づく熱解析ごとに、表示部５０に当該解析条件Ｉａの表示を追加するように表示部５０を制御してよい。

表示制御手段３２は、第１の解析条件Ｉａ１と第２の解析条件Ｉａ２との相違点が互いに識別可能な態様で表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。図１３に示される例において、解析条件Ｉａ番号が１の場合を第１の解析条件Ｉａ１とし、当該番号が２の場合を第２の解析条件Ｉａ２とする。本例においては、第１の解析条件Ｉａ１と第２の解析条件Ｉａ２との相違点は、電流検出素子４３の抵抗値である。本例においては、第２の解析条件Ｉａ２における第１の解析条件Ｉａ１との相違点が識別可能なように、第２の解析条件Ｉａ２における抵抗値が太枠にて囲われている。なお、第２の解析条件Ｉａ２における第１の解析条件Ｉａ１との相違点は、解析条件表示領域６６において色付けされることにより、識別可能に表示されてもよい。

図１３に示される例において、解析条件Ｉａ番号が５の場合を第１の解析条件Ｉａ１とし、当該番号が６の場合を第２の解析条件Ｉａ２とする。本例においては、第１の解析条件Ｉａ１と第２の解析条件Ｉａ２との相違点は、基板４２の配置方向である。本例においては、第２の解析条件Ｉａ２における基板４２の配置方向が、太枠にて囲われている。

図１３に示される例において、解析条件Ｉａ番号が１および２の場合における、Ｚ軸方向の大きさの項目が太い破線にて囲われている。当該太い破線にて囲われた領域を、領域Ｄとする。領域Ｄについては、後述する。

図１４は、本発明の一つの実施形態に係る設計支援システム２００の他の一例を示す図である。本例の設計支援システム２００において、設計支援装置１００は検出手段７０をさらに備える。本例の設計支援システム２００は、係る点において図４に示される設計支援システムと異なる。

検出手段７０は、第１電流検出素子情報Ｉｄ１に基づいて、電流検出素子４３の高さを検出してよい。表示制御手段３２は、検出手段７０により検出された電流検出素子４３の高さを表示部５０に表示するように、表示部５０を制御してよい。検出手段７０により検出された電流検出素子４３の高さは、図１３に示される領域Ｄに表示されてよい。

電流検出素子４３が磁気センサであり、電流検出素子１４３がシャント抵抗である場合、電流検出素子４３を用いた電流検出部の構成は、電流検出素子１４３を用いた電流検出部の構成よりも小さくなりやすい。電流検出部の当該構成とは、当該電流検出部の高さであってよい。このため、電流検出素子４３が用いられた装置の大きさは、電流検出素子１４３が用いられた装置の大きさよりも、小さくなりやすい。本例において、設計支援装置１００のユーザは、図１３における領域Ｄに示される電流検出素子４３の高さおよび導体層面積と、電流検出素子１４３の高さおよび導体層面積とを、それぞれ簡易に比較しやすくなる。

図１５は、本発明の一つの実施形態に係る設計支援方法の一例を示すフローチャートである。本発明の一つの実施形態に係る設計支援方法は、設計支援システム２００（図４参照）が使用された場合における設計支援方法の一例である。

設計支援方法は、出力形式設定ステップＳ１０２、解析条件入力ステップＳ１０４および表示ステップＳ１１０を備える。設計支援方法は、出力形式入力ステップＳ１００、開始入力ステップＳ１０６、熱解析ステップＳ１０８および判断ステップＳ１１２を備えてよい。

出力形式入力ステップＳ１００は、入力手段１０（図４参照）が、熱解析結果Ｉｒの出力形式を設定するステップである。出力形式入力ステップＳ１００は、入力手段１０が、基板情報Ｉｓ、電流検出素子情報Ｉｄおよび環境情報Ｉｅから、第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２とを入力するステップであってよい。

出力形式設定ステップＳ１０２は、設定手段２０（図４参照）が、熱解析結果Ｉｒの出力形式を設定するステップである。出力形式設定ステップＳ１０２において、設定手段２０は熱解析結果Ｉｒの出力形式を、出力形式入力ステップＳ１００において入力された出力形式に設定してよい。出力形式設定ステップＳ１０２は、熱解析結果Ｉｒの出力形式を、第１の情報Ｉｆ１と第２の情報Ｉｆ２との関係を示す形式に設定するステップであってよい。

解析条件入力ステップＳ１０４は、入力手段１０（図４参照）が、基板情報Ｉｓおよび電流検出素子情報Ｉｄを含む解析条件Ｉａを入力するステップである。基板情報Ｉｓは、熱解析対象４１における基板４２および熱解析対象１４１における基板４２の少なくとも一方の情報である。電流検出素子情報Ｉｄは、電流検出素子４３の情報および電流検出素子１４３の情報の少なくとも一方である。

解析条件入力ステップＳ１０４は、入力手段１０が、第１電流検出素子情報Ｉｄ１および第２電流検出素子情報Ｉｄ２の少なくとも一方を入力するステップであってよい。第１電流検出素子情報Ｉｄ１は、第１電流検出素子２４３（電流検出素子４３）に係る電流検出素子情報Ｉｄである。第２電流検出素子情報Ｉｄ２は、第２電流検出素子３４３（電流検出素子１４３）に係る電流検出素子情報Ｉｄである。

解析条件入力ステップＳ１０４において、入力手段１０は、第１の解析条件Ｉａ１と第２の解析条件Ｉａ２とを入力してよい。第２の解析条件Ｉａ２は、上述したとおり、第１の解析条件Ｉａ１から基板情報Ｉｓおよび電流検出素子情報Ｉｄの少なくとも一方を変更した解析条件Ｉａである。

解析条件Ｉａは、熱解析対象４１および熱解析対象１４１の少なくとも一方の環境情報Ｉｅをさらに含んでよい。環境情報Ｉｅは、熱解析対象４１および熱解析対象１４１の少なくとも一方の環境の温度、当該環境の対流熱伝達率、および、当該環境の輻射熱伝達率の少なくとも１つを含んでよい。

開始入力ステップＳ１０６は、入力手段１０（図４参照）が、熱解析対象４１または熱解析対象１４１の熱解析の開始を入力するステップである。熱解析ステップＳ１０８は、熱解析手段４０（図４参照）が、熱解析対象４１または熱解析対象１４１を熱解析するステップである。

開始入力ステップＳ１０６において、入力手段１０が熱解析対象４１の熱解析の開始を入力した場合、熱解析ステップＳ１０８において、熱解析手段４０は、第１電流検出素子２４３（電流検出素子４３）の電流検出素子情報Ｉｄ１を含む第１の解析条件Ｉａ１に基づいて、熱解析対象４１を熱解析する。開始入力ステップＳ１０６において、入力手段１０が熱解析対象１４１の熱解析の開始を入力した場合、熱解析ステップＳ１０８において、熱解析手段４０は、第２電流検出素子３４３（電流検出素子１４３）の電流検出素子情報Ｉｄ２を含む第２の解析条件Ｉａ２に基づいて、熱解析対象１４１を熱解析する。

表示ステップＳ１１０は、表示制御手段３２が、解析条件Ｉａに基づく熱解析結果Ｉｒを、出力形式設定ステップ１０２において設定された出力形式で表示部５０に表示するステップである。表示ステップＳ１１０は、解析条件入力ステップＳ１０４において入力された第１の解析条件Ｉａ１に基づく第１熱解析結果Ｉｒ１と、第２の解析条件Ｉａ２に基づく第２熱解析結果Ｉｒ２とを、互いに識別可能な態様で表示部５０に表示するステップである。

熱解析ステップＳ１０８は、熱解析手段４０が、第１の解析条件Ｉａ１に基づいて熱解析対象４１および熱解析対象１４１の一方を熱解析する第１熱解析ステップＳ１０８－１と、第２の解析条件Ｉａ２に基づいて熱解析対象４１および熱解析対象１４１の他方を熱解析する第２熱解析ステップＳ１０８－２と、を含んでよい。

判断ステップＳ１１２は、制御手段３０（図４参照）が、第１熱解析ステップＳ１０８－１の後、解析条件入力ステップＳ１０４に戻るかを判断するステップである。判断ステップＳ１１２において、制御手段３０が解析条件入力ステップＳ１０４に戻ると判断した場合、熱解析手段４０は、第２熱解析ステップＳ１０８－２を実施してよい。

本発明の様々な実施形態は、 フローチャートおよびブロック図を参照して記載されてよい。本発明の様々な実施形態において、ブロックは、（１）操作が実行されるプロセスの段階または（２）操作を実行する役割を持つ装置のセクションを表わしてよい。

特定の段階が、専用回路、プログラマブル回路またはプロセッサによって実行されてよい。特定のセクションが、専用回路、プログラマブル回路またはプロセッサによって実装されてよい。当該プログラマブル回路および当該プロセッサは、コンピュータ可読命令と共に供給されてよい。当該コンピュータ可読命令は、コンピュータ可読媒体上に格納されてよい。

専用回路は、デジタルハードウェア回路およびアナログハードウェア回路の少なくとも一方を含んでよい。専用回路は、集積回路（ＩＣ）およびディスクリート回路の少なくとも一方を含んでもよい。プログラマブル回路は、論理ＡＮＤ、論理ＯＲ、論理ＸＯＲ、論理ＮＡＮＤ、論理ＮＯＲまたは他の論理操作のハードウェア回路を含んでよい。プログラマブル回路は、フリップフロップ、レジスタ、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブルロジックアレイ（ＰＬＡ）等のメモリ要素等を含む、再構成可能なハードウェア回路を含んでもよい。

コンピュータ可読媒体は、適切なデバイスによって実行される命令を格納可能な任意の有形なデバイスを含んでよい。コンピュータ可読媒体が当該有形なデバイスを含むことにより、当該デバイスに格納される命令を有するコンピュータ可読媒体は、フローチャートまたはブロック図で指定された操作を実行するための手段を作成すべく実行され得る命令を含む、製品を備えることになる。

コンピュータ可読媒体は、例えば電子記憶媒体、磁気記憶媒体、光記憶媒体、電磁記憶媒体、半導体記憶媒体等であってよい。コンピュータ可読媒体は、より具体的には、例えばフロッピー（登録商標）ディスク、ディスケット、ハードディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリ）、電気的消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、コンパクトディスクリードオンリメモリ（ＣＤ-ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、ブルーレイ（ＲＴＭ）ディスク、メモリスティック、集積回路カード等であってよい。

コンピュータ可読命令は、アセンブラ命令、命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ）命令、マシン命令、マシン依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、ソースコードおよびオブジェクトコードのいずれかを含んでよい。当該ソースコードおよび当該オブジェクトコードは、オブジェクト指向プログラミング言語および従来の手続型プログラミング言語を含む、１または複数のプログラミング言語の任意の組み合わせで記述されてよい。オブジェクト指向プログラミング言語は、例えばＳｍａｌｌｔａｌｋ（登録商標）、ＪＡＶＡ（登録商標）、Ｃ＋＋等であってよい。手続型プログラミング言語は、例えば「Ｃ」プログラミング言語であってよい。

コンピュータ可読命令は、汎用コンピュータ、特殊目的のコンピュータ、若しくは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサまたはプログラマブル回路に対し、ローカルにまたはローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、インターネット等のようなワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）を介して提供されてよい。汎用コンピュータ、特殊目的のコンピュータ、若しくは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサまたはプログラマブル回路は、図１５に示されるフローチャート、または、図４および図１４に示されるブロック図で指定された操作を実行するための手段を作成すべく、コンピュータ可読命令を実行してよい。プロセッサは、例えばコンピュータプロセッサ、処理ユニット、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ等であってよい。

図１６は、本発明の実施形態に係る設計支援装置１００が全体的または部分的に具現化されてよいコンピュータ２２００の一例を示す図である。コンピュータ２２００にインストールされたプログラムは、コンピュータ２２００に、本発明の実施形態に係る設計支援装置１００に関連付けられる操作または設計支援装置１００の１または複数のセクションとして機能させることができ、または当該操作または当該１または複数のセクションを実行させることができ、またはコンピュータ２２００に、本発明の設計支援方法に係る各段階（図１５参照）を実行させることができる。当該プログラムは、コンピュータ２２００に、本明細書に記載されたフローチャート（図１５）およびブロック図（図４および図１４）におけるブロックのうちのいくつかまたはすべてに関連付けられた特定の操作を実行させるべく、ＣＰＵ２２１２によって実行されてよい。

本実施形態によるコンピュータ２２００は、ＣＰＵ２２１２、ＲＡＭ２２１４、グラフィックコントローラ２２１６およびディスプレイデバイス２２１８を含む。ＣＰＵ２２１２、ＲＡＭ２２１４、グラフィックコントローラ２２１６およびディスプレイデバイス２２１８は、ホストコントローラ２２１０によって相互に接続されている。コンピュータ２２００は、通信インターフェース２２２２、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６およびＩＣカードドライブ等の入出力ユニットをさらに含む。通信インターフェース２２２２、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６およびＩＣカードドライブ等は、入出力コントローラ２２２０を介してホストコントローラ２２１０に接続されている。コンピュータは、ＲＯＭ２２３０およびキーボード２２４２等のレガシの入出力ユニットをさらに含む。ＲＯＭ２２３０およびキーボード２２４２等は、入出力チップ２２４０を介して入出力コントローラ２２２０に接続されている。

ＣＰＵ２２１２は、ＲＯＭ２２３０およびＲＡＭ２２１４内に格納されたプログラムに従い動作することにより、各ユニットを制御する。グラフィックコントローラ２２１６は、ＲＡＭ２２１４内に提供されるフレームバッファ等またはＲＡＭ２２１４の中に、ＣＰＵ２２１２によって生成されたイメージデータを取得することにより、イメージデータがディスプレイデバイス２２１８上に表示されるようにする。

通信インターフェース２２２２は、ネットワークを介して他の電子デバイスと通信する。ハードディスクドライブ２２２４は、コンピュータ２２００内のＣＰＵ２２１２によって使用されるプログラムおよびデータを格納する。ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６は、プログラムまたはデータをＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１から読み取り、読み取ったプログラムまたはデータを、ＲＡＭ２２１４を介してハードディスクドライブ２２２４に提供する。ＩＣカードドライブは、プログラムおよびデータをＩＣカードから読み取るか、または、プログラムおよびデータをＩＣカードに書き込む。

ＲＯＭ２２３０は、アクティブ化時にコンピュータ２２００によって実行されるブートプログラム等、または、コンピュータ２２００のハードウェアに依存するプログラムを格納する。入出力チップ２２４０は、様々な入出力ユニットをパラレルポート、シリアルポート、キーボードポート、マウスポート等を介して、入出力コントローラ２２２０に接続してよい。

プログラムが、ＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１またはＩＣカードのようなコンピュータ可読媒体によって提供される。プログラムは、コンピュータ可読媒体から読み取られ、コンピュータ可読媒体の例でもあるハードディスクドライブ２２２４、ＲＡＭ２２１４、またはＲＯＭ２２３０にインストールされ、ＣＰＵ２２１２によって実行される。これらのプログラム内に記述される情報処理は、コンピュータ２２００に読み取られ、プログラムと、上記様々なタイプのハードウェアリソースとの間の連携をもたらす。装置または方法が、コンピュータ２２００の使用に従い、情報の操作または処理を実現することによって構成されてよい。

例えば、通信がコンピュータ２２００および外部デバイス間で実行される場合、ＣＰＵ２２１２は、ＲＡＭ２２１４にロードされた通信プログラムを実行し、通信プログラムに記述された処理に基づいて、通信インターフェース２２２２に対し、通信処理を命令してよい。通信インターフェース２２２２は、ＣＰＵ２２１２の制御下、ＲＡＭ２２１４、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１またはＩＣカードのような記録媒体内に提供される送信バッファ処理領域に格納された送信データを読み取り、読み取られた送信データをネットワークに送信し、またはネットワークから受信された受信データを記録媒体上に提供される受信バッファ処理領域等に書き込む。

ＣＰＵ２２１２は、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６（ＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１）、ＩＣカード等のような外部記録媒体に格納されたファイルまたはデータベースの全部または必要な部分がＲＡＭ２２１４に読み取られるようにしてよい。ＣＰＵ２２１２は、ＲＡＭ２２１４上のデータに対し、様々なタイプの処理を実行してよい。ＣＰＵ２２１２は、次に、処理されたデータを外部記録媒体にライトバックしてよい。

様々なタイプのプログラム、データ、テーブル、およびデータベースのような様々なタイプの情報が記録媒体に格納され、情報処理されてよい。ＣＰＵ２２１２は、ＲＡＭ２２１４から読み取られたデータに対し、本開示に記載された、プログラムの命令シーケンスによって指定される様々なタイプの操作、情報処理、条件判断、条件分岐、無条件分岐、情報の検索または置換等を含む、様々なタイプの処理を実行してよい。ＣＰＵ２２１２は、結果をＲＡＭ２２１４に対しライトバックしてよい。

ＣＰＵ２２１２は、記録媒体内のファイル、データベース等における情報を検索してよい。例えば、各々が第２の属性の属性値に関連付けられた第１の属性の属性値を有する複数のエントリが記録媒体内に格納される場合、ＣＰＵ２２１２は、第１の属性の属性値が指定される、条件に一致するエントリを当該複数のエントリの中から検索し、当該エントリ内に格納された第２の属性の属性値を読み取り、第２の属性値を読み取ることにより、予め定められた条件を満たす第１の属性に関連付けられた第２の属性の属性値を取得してよい。

上述したプログラムまたはソフトウェアモジュールは、コンピュータ２２００上またはコンピュータ２２００のコンピュータ可読媒体に格納されてよい。専用通信ネットワークまたはインターネットに接続されたサーバーシステム内に提供されるハードディスクまたはＲＡＭのような記録媒体が、コンピュータ可読媒体として使用可能である。プログラムは、当該記録媒体によりコンピュータ２２００に提供されてよい。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０・・・入力手段、２０・・・設定手段、３０・・・制御手段、３２・・・表示制御手段、４０・・・熱解析手段、４１・・・熱解析対象、４２・・・基板、４３・・・電流検出素子、４４・・・導体層、４６・・・接続端子、４７・・・導体層、４８・・・開口、４９・・・開口、５０・・・表示部、５１・・・出力形式入力領域、５２・・・電流検出素子情報入力領域、５３・・・入力領域、５４・・・基板情報入力領域、５５・・・環境情報入力領域、５６・・・熱解析実行領域、５７・・・保存実行領域、５８・・・熱解析結果表示領域、５９・・・解析条件入力領域、６０・・・記憶手段、６１・・・第１開始部、６２・・・第２開始部、６３・・・初期化部、６４・・・保存部、６５・・・計算領域、６６・・・解析条件表示領域、７０・・・検出手段、９１・・・ビア、９２・・・ビア、９３・・・上面、９４・・・下面、１００・・・設計支援装置、１４１・・・熱解析対象、１４３・・・電流検出素子、２００・・・設計支援システム、２４３・・・第１電流検出素子、３４３・・・第２電流検出素子、２２００・・・コンピュータ、２２０１・・・ＤＶＤ－ＲＯＭ、２２１０・・・ホストコントローラ、２２１２・・・ＣＰＵ、２２１４・・・ＲＡＭ、２２１６・・・グラフィックコントローラ、２２１８・・・ディスプレイデバイス、２２２０・・・入出力コントローラ、２２２２・・・通信インターフェース、２２２４・・・ハードディスクドライブ、２２２６・・・ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ、２２３０・・・ＲＯＭ、２２４０・・・入出力チップ

Claims (28)

1. 熱解析対象の基板情報および電流検出素子情報を含む解析条件を入力する入力手段と、
   熱解析手段により熱解析された熱解析結果の出力形式を設定する設定手段と、
   前記解析条件に基づく前記熱解析結果を、前記設定手段により設定された出力形式で表示部に表示するように表示部を制御する表示制御手段と、
   を備え、
   前記表示制御手段は、前記入力手段により入力された第１の解析条件に基づく第１熱解析結果と、前記第１の解析条件から前記基板情報および前記電流検出素子情報の少なくとも一方を変更した第２の解析条件に基づく第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、
   設計支援装置。
2. 前記入力手段により前記第１の解析条件が入力された場合、前記第１の解析条件と同一の前記基板情報および前記第１の解析条件と異なる前記電流検出素子情報が前記第２の解析条件として入力されたことを条件として、前記表示制御手段は、前記第１熱解析結果と前記第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、請求項１に記載の設計支援装置。
3. 前記入力手段により前記第１の解析条件が入力された場合、前記第１の解析条件と異なる前記基板情報および前記第１の解析条件と同一の前記電流検出素子情報が前記第２の解析条件として入力されたことを条件として、前記表示制御手段は、前記第１熱解析結果と前記第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、請求項１または２に記載の設計支援装置。
4. 前記電流検出素子情報は、電流検出素子の抵抗温度係数を含み、
   前記表示制御手段は、前記電流検出素子情報を前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、
   請求項１から３のいずれか一項に記載の設計支援装置。
5. 前記電流検出素子情報は、電流検出素子の大きさ、および、前記電流検出素子の抵抗値の少なくとも一方を含み、
   前記表示制御手段は、前記電流検出素子情報を前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、
   請求項１から４のいずれか一項に記載の設計支援装置。
6. 前記解析条件は、前記熱解析対象の環境情報をさらに含み、
   前記環境情報は、前記熱解析対象の環境の温度、前記環境の対流熱伝達率、および、前記環境の輻射熱伝達率の少なくとも１つを含む、
   請求項１から５のいずれか一項に記載の設計支援装置。
7. 前記熱解析対象に係る基板は、１つの導体層、または、前記基板の厚さ方向に設けられた複数の導体層を有し、
   前記基板情報は、前記導体層の数、前記導体層の厚さおよび前記導体層の面積の少なくとも１つを含み、
   前記表示制御手段は、前記基板情報を前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、
   請求項６に記載の設計支援装置。
8. 前記基板の平面視において、前記複数の導体層の形状が同じである、請求項７に記載の設計支援装置。
9. 前記基板の平面視において、前記複数の導体層のうちの第１導体層と第２導体層との形状が異なる場合、前記基板情報は、前記第１導体層の情報および前記第２導体層の情報を含む、
   請求項７に記載の設計支援装置。
10. 前記環境情報は、前記基板の表面状態および前記基板の配置方向の少なくとも一方をさらに含む、請求項７から９のいずれか一項に記載の設計支援装置。
11. 前記環境情報は、前記導体層に流れる実効電流の値をさらに含む、請求項７から１０のいずれか一項に記載の設計支援装置。
12. 前記入力手段は、前記基板情報、前記電流検出素子情報および前記環境情報から選択された、第１の情報および前記第１の情報と異なる第２の情報を入力し、
    前記設定手段は、前記出力形式を、前記第１の情報と前記第２の情報との関係を示す形式に設定し、
    前記表示制御手段は、前記第１熱解析結果と前記第２熱解析結果とを、前記設定手段により設定された前記形式により、前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、請求項６から１１のいずれか一項に記載の設計支援装置。
13. 前記熱解析手段が前記熱解析対象を熱解析した場合、前記設定手段は、前記形式を変更不可能に設定する、請求項１２に記載の設計支援装置。
14. 前記設定手段が前記形式を変更不可能に設定している場合において、前記入力手段が、前記基板情報、前記電流検出素子情報および前記環境情報から選択された、前記第１の情報と異なり且つ前記第２の情報と異なる第３の情報を入力した場合、前記表示制御手段は、前記表示部に警告を表示するように、前記表示部を制御する、請求項１３に記載の設計支援装置。
15. 前記入力手段が前記形式の初期化を入力した場合、前記設定手段は、前記形式を変更可能に設定する、請求項１３または１４に記載の設計支援装置。
16. 前記出力形式が前記形式に設定されている場合において、前記入力手段が、前記基板情報、前記電流検出素子情報および前記環境情報から選択された、前記第１の情報と異なり且つ前記第２の情報と異なる第３の情報を入力した場合、前記設定手段は、前記出力形式を、前記第１の情報と前記第２の情報との関係を示す前記形式から、前記第３の情報と前記第２の情報との関係を示す形式に設定し、
    前記表示制御手段は、前記第１熱解析結果と前記第２熱解析結果とを、前記第３の情報と前記第２の情報との関係を示す前記形式により、前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、
    請求項１２に記載の設計支援装置。
17. 前記熱解析手段は、前記入力手段により前記第２の解析条件が入力されるごとに、前記熱解析対象を熱解析し、
    前記表示制御手段は、前記熱解析手段が前記熱解析対象を熱解析するごとに、前記第２熱解析結果を前記表示部に表示するように前記表示部を制御する、
    請求項１から１６のいずれか一項に記載の設計支援装置。
18. 前記表示制御手段は、前記表示部に前記第１熱解析結果を表示した状態で、前記表示部に前記第２熱解析結果を表示するように前記表示部を制御する、請求項１７に記載の設計支援装置。
19. 前記表示制御手段は、前記第１の解析条件および前記第２の解析条件を前記表示部にさらに表示するように前記表示部を制御し、且つ、前記第１の解析条件と前記第２の解析条件との相違点が互いに識別可能な態様で前記表示部に表示するように、前記表示部を制御する、請求項１から１７のいずれか一項に記載の設計支援装置。
20. 前記入力手段は、第１電流検出素子に係る前記電流検出素子情報である第１電流検出素子情報、および、前記第１電流検出素子と異なる第２電流検出素子に係る前記電流検出素子情報である第２電流検出素子情報の少なくとも一方を入力し、
    前記入力手段が、前記第１電流検出素子を含む前記熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、前記熱解析手段は、前記第１電流検出素子情報を含む前記第１の解析条件に基づいて、前記熱解析対象を熱解析し、
    前記入力手段が、前記第２電流検出素子を含む前記熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、前記熱解析手段は、前記第２電流検出素子情報を含む前記第２の解析条件に基づいて、前記熱解析対象を熱解析する、
    請求項１から１９のいずれか一項に記載の設計支援装置。
21. 入力手段が、熱解析対象の基板情報および電流検出素子情報を含む解析条件を入力する解析条件入力ステップと、
    設定手段が、熱解析手段により熱解析された熱解析結果の出力形式を設定する出力形式設定ステップと、
    表示制御手段が、前記解析条件に基づく前記熱解析結果を、前記出力形式設定ステップにおいて設定された出力形式で表示部に表示する表示ステップと、
    を備え、
    前記表示ステップは、前記解析条件入力ステップにおいて入力された第１の解析条件に基づく第１熱解析結果と、前記第１の解析条件から前記基板情報および前記電流検出素子情報の少なくとも一方を変更した第２の解析条件に基づく第２熱解析結果とを、互いに識別可能な態様で前記表示部に表示するステップである、
    設計支援方法。
22. 前記電流検出素子情報は、電流検出素子の抵抗温度係数を含む、請求項２１に記載の設計支援方法。
23. 前記解析条件は、前記熱解析対象の環境情報をさらに含み、
    前記環境情報は、前記熱解析対象の環境の温度、前記環境の対流熱伝達率、および、前記環境の輻射熱伝達率の少なくとも１つを含む、
    請求項２１または２２に記載の設計支援方法。
24. 前記入力手段が、前記基板情報、前記電流検出素子情報および前記環境情報から、第１の情報と、前記第１の情報と異なる第２の情報とを入力する出力形式入力ステップをさらに備え、
    前記出力形式設定ステップは、前記出力形式を、前記第１の情報と前記第２の情報との関係を示す形式に設定するステップである、
    請求項２３に記載の設計支援方法。
25. 前記解析条件入力ステップは、前記入力手段が、第１電流検出素子に係る前記電流検出素子情報である第１電流検出素子情報、および、前記第１電流検出素子と異なる第２電流検出素子に係る前記電流検出素子情報である第２電流検出素子情報の少なくとも一方を入力するステップであり、
    前記入力手段が、前記第１電流検出素子を含む前記熱解析対象または前記第２電流検出素子を含む前記熱解析対象の熱解析の開始を入力する開始入力ステップと、
    前記熱解析手段が、前記熱解析対象を熱解析する熱解析ステップと、
    をさらに備え、
    前記開始入力ステップにおいて、前記入力手段が、前記第１電流検出素子を含む前記熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、前記熱解析手段は、前記第１電流検出素子情報を含む前記第１の解析条件に基づいて、前記熱解析対象を熱解析し、
    前記開始入力ステップにおいて、前記入力手段が、前記第２電流検出素子を含む前記熱解析対象の熱解析の開始を入力した場合、前記熱解析手段は、前記第２電流検出素子情報を含む前記第２の解析条件に基づいて、前記熱解析対象を熱解析する、
    請求項２１から２４のいずれか一項に記載の設計支援方法。
26. 前記熱解析ステップは、前記熱解析手段が、前記第１の解析条件に基づいて前記熱解析対象を熱解析する第１熱解析ステップと、前記第２の解析条件に基づいて前記熱解析対象を熱解析する第２熱解析ステップと、を含み、
    制御手段が、前記第１熱解析ステップの後、前記解析条件入力ステップに戻るかを判断する判断ステップをさらに備え、
    前記判断ステップにおいて、前記制御手段が前記解析条件入力ステップに戻ると判断した場合、前記熱解析手段が前記第２熱解析ステップを実施する、
    請求項２５に記載の設計支援方法。
27. コンピュータを、請求項１から２０のいずれか一項に記載の設計支援装置として機能させるための設計支援プログラム。
28. 請求項１から２０のいずれか一項に記載の設計支援装置と、
    前記熱解析手段と、
    前記表示部と、
    記憶手段と、
    を備え、
    前記記憶手段は、前記基板情報、前記電流検出素子情報および前記熱解析結果の少なくとも１つを記憶する、
    設計支援システム。

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