JP2022084094A - 赤外線検出器、及び撮像システム - Google Patents
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Abstract
【課題】熱サイクル下で用いられる赤外線検出器においてアンダーフィルの影響を低減する。【解決手段】赤外線検出器は、読み出し回路基板と、接続電極によって前記読み出し回路基板にフリップチップ接合されている受光素子基板と、前記接続電極の周囲に設けられるアンダーフィルと、を有し、前記受光素子基板は、光入射面を有する第１基板と、赤外光に感度を有する光吸収層を含み前記第１基板の前記光入射面と反対側の面に設けられるメサと、前記メサを間に挟んで前記第１基板と対向する第２基板と、を有し、前記第１基板と前記第２基板の間に前記メサを取り囲む空気または真空の空間が設けられており、前記アンダーフィルは、前記第２基板と前記読み出し回路基板の間に充填されている。【選択図】図１
Description
本開示は、赤外線検出器、及び撮像システムに関する。
赤外線検出器のうち、入射光の強度に対応した量の電流を生成する量子型の赤外線検出器は、熱雑音を抑制して検出効率を上げるために、６０Ｋ～１００Ｋ（－２１３℃～－１７３℃）の低温で使用される。このため、量子型の赤外線検出器は、冷却型赤外線検出器とも呼ばれる。低温で冷却することで素子の暗電流を抑制して、信号対雑音（Ｓ／Ｎ）比が改善される。赤外線検出器の動作終了後は、室温（約３００Ｋ）に戻され、極低温と室温との熱サイクルが繰り返される。
一般的に、赤外線検出器の受光素子基板には、ＧａＡｓ、ＧａＳｂなどの化合物半導体が用いられ、読み出し回路基板にはＳｉが用いられる。熱膨張係数の違いによる接合部の位置ずれを防止するために、受光素子基板と読み出し回路基板をフリップチップ接合した後に、受光素子基板と読み出し回路基板の間にアンダーフィル剤が注入される。
受光素子アレイと読み出し回路アレイとの間の熱膨張係数の相違に起因する電気的接続不良を抑制するために、読み出し回路アレイと受光素子アレイの間に固体電解質を配置する構成が知られている（たとえば、特許文献１参照）。半導体受光素子に発生する応力を低減するために、各画素を形成するメサとメサの間を、酸化アルミニウムとエポキシ樹脂体の少なくとも一方で埋め込む構成が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
受光素子基板は、アンダーフィルによって読み出し回路基板との接合部の機械的強度が補強された状態で、赤外線検出器に求められる特性を満たすように数ミクロンにまで薄層化される。受光素子基板よりも熱膨張係数の大きいアンダーフィルの体積が大きいと、冷却時の収縮の影響が顕著になる。熱サイクルの繰り返しによるストレスによって、受光素子基板が破損する場合がある。また、受光素子の光吸収層の側壁にアンダーフィルが存在すると、光吸収層に横方向からストレスが加わり、暗電流が増加する。
本開示は、熱サイクル下で用いられる赤外線検出器において、アンダーフィルの影響を低減することを目的とする。
本開示の一形態では、赤外線検出器は、
読み出し回路基板と、接続電極によって前記読み出し回路基板にフリップチップ接合されている受光素子基板と、前記接続電極の周囲に設けられるアンダーフィルと、を有し、
前記受光素子基板は、光入射面を有する第１基板と、赤外光に感度を有する光吸収層を含み前記第１基板の前記光入射面と反対側の面に設けられるメサと、前記メサを間に挟んで前記第１基板と対向する第２基板と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板の間に前記メサを取り囲む空気または真空の空間が設けられており、
前記アンダーフィルは、前記第２基板と前記読み出し回路基板の間に充填されている。
読み出し回路基板と、接続電極によって前記読み出し回路基板にフリップチップ接合されている受光素子基板と、前記接続電極の周囲に設けられるアンダーフィルと、を有し、
前記受光素子基板は、光入射面を有する第１基板と、赤外光に感度を有する光吸収層を含み前記第１基板の前記光入射面と反対側の面に設けられるメサと、前記メサを間に挟んで前記第１基板と対向する第２基板と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板の間に前記メサを取り囲む空気または真空の空間が設けられており、
前記アンダーフィルは、前記第２基板と前記読み出し回路基板の間に充填されている。
熱サイクル下で用いられる赤外線検出器においてアンダーフィルの影響が低減される。
実施形態では、冷却型の赤外線検出器で、アンダーフィルが充填される空間を制限することで、赤外線検出器におけるアンダーフィルの影響を軽減する。より具体的には、受光素子基板の各画素を区画する画素分離溝にアンダーフィルを充填せずに、受光素子基板と読み出し回路基板とのバンプ接合部の周囲をアンダーフィルによって補強する。これにより、受光素子基板の破損や暗電流を抑制し、製造歩留まりと動作の信頼性を確保する。
以下で、図面を参照して、実施形態の赤外線検出器の具体的な構成を説明する。図中で同じ構成要素には同じ符号を付けて、重複する説明を省略する場合がある。
図１は、一実施形態の赤外線検出器１０の模式図である。赤外線検出器１０は、受光素子基板３０を読み出し回路基板２０にフリップチップ接合することで形成される。接合前の状態で、受光素子基板３０は、基板３１の上に、共通電極３２と、共通電極３２に接続される複数のメサ３５と、メサ３５を間に挟んで基板３１と対向する第２基板３８と、第２基板３８から突出するバンプ４４を有する。複数のメサ３５は互いに分離されており、各メサ３５が受光素子または画素を構成する。
メサ３５を挟んで基板３１と対向する第２基板３８は、基板３１と同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料の基板であってもよい。第２基板３８は、バンプ４４を突出させた状態で各メサ３５の積層方向の上部を覆い、基板３１と第２基板３８の間に、メサ３５を取り囲む空間３９が設けられている。
メサ３５は、共通電極３２の側から順に、第１コンタクト層３５１、光吸収層３５２、及び第２コンタクト層３５３を有する。メサ３５の側壁と積層方向の上面の一部は、絶縁性の保護膜３６で覆われている。光吸収層３５２は所望の波長の赤外光に感度を有し、第１コンタクト層３５１を介して共通電極３２に接続されている。メサ３５の積層方向の上部に第２基板３８を貫通する貫通電極３７が設けられている。光吸収層３１２は第２コンタクト層３５３を介して貫通電極３７に接続されている。貫通電極３７は、第２基板３８から突出する接合用のバンプ４４に接続されている。
図１の例では、第２基板３８は、メサ３５の上面の一部を覆う保護膜３６に接して配置されている。貫通電極３７は、保護膜３６と第２基板３８を貫通してバンプ４４に接続されている。バンプ４４は、第２基板３８から空間３９と反対側に突出している。
第２基板３８が存在しない場合、隣接するメサ３５の間は画素分離溝となり、読み出し回路基板２０への接合時にアンダーフィルが充填される。実施形態の赤外線検出器１０では、メサ３５の積層方向の上部を第２基板３８で覆うことで、隣接するメサ３５とメサ３５の間にアンダーフィル注入用の空間とは独立した空間３９が設けられている。
読み出し回路基板２０は、受光素子基板３０の各メサ３５に対応する位置に、電極２３を有する。電極２３に、接合用の金属パッド２４が設けられている。電極２３は、基板２１に形成された対応する駆動回路セルと電気的に接続されている。読み出し回路基板２０の駆動回路セルには、リセットトランジスタ、チャッタトランジスタ、蓄積容量、バイアス用のトランジスタ等が形成されている。
受光素子基板３０を読み出し回路基板２０にフリップチップ接合するときは、受光素子基板３０の第２基板３８から突出しているバンプ４４と、読み出し回路基板２０の金属パッド２４を、熱圧着により接合する。この熱圧着により、受光素子基板３０と読み出し回路基板２０を機械的かつ電気的に接続する接続電極４５が形成される。
フリップチップ接合後に、読み出し回路基板２０と、受光素子基板３０の第２基板３８の間にアンダーフィル１５が注入される。アンダーフィル１５によって、接続電極４５の機械的な強度が補強される。受光素子基板３０の第２基板３８の存在により、アンダーフィル１５は、読み出し回路基板２０の電極２３と接続電極４５の周囲にだけ充填され、メサ３５の周りには充填されない。アンダーフィル１５によって受光素子基板３０と読み出し回路基板２０の接合強度が担保される一方で、動作時のアンダーフィル１５の影響は抑制される。
アンダーフィル１５の充填後に、受光素子基板３０の基板３１は所定の厚さに薄層化されて、赤外線検出器１０が得られる。受光素子基板３０の薄層化された基板を、第１基板３０１とする。第１基板３０１のメサ３５と反対側の面が光入射面３０３となる。第１基板３０１には、基板３１の薄層化された残部と共通電極３２とが含まれていてもよいし、基板３１のすべてが除去されていてもよい。基板３１の全体を除去する場合は、共通電極３２の露出面に反射防止膜が形成されていてもよい。
上述のとおり、受光素子基板３０と読み出し回路基板２０では材料が異なり、熱膨張係数も異なる。読み出し回路基板２０の基板２１がＳｉ基板の場合、その熱膨張係数は約３．３４×１０－６［Ｋ－１］である。一方、受光素子基板３０に化合物半導体としてＧａＳｂ系の材料を用いる場合の熱膨張係数は７．７４×１０－６［Ｋ－１］であり、Ｓｉの熱膨張係数の約２倍である。
接続電極４５の周囲はアンダーフィル１５によって固定されているので、赤外線検出器１０が熱サイクル下で使用されても、受光素子基板３０と読み出し回路基板２０の熱膨張係数の差による接続劣化を防止できる。
典型的なアンダーフィル１５の熱膨張係数は、約５０×１０－６［Ｋ－１］であり、受光素子基板３０で用いられる化合物半導体の熱膨張係数よりも１ケタ大きい。赤外線検出器１０の低温での動作時にアンダーフィル１５が収縮しても、接続電極４５にかかる応力は等方的であり、受光素子基板３０と読み出し回路基板２０の間の位置ずれや物理的ストレスによる接続劣化は生じにくい。また、各メサ３５の周囲に、空気または真空の空間３９が設けられており、アンダーフィル１５の収縮による応力が薄い第１基板３０１や光吸収層３５２に加わることが抑制される。
赤外線検出器１０では、アンダーフィル１５が注入される空間が接続電極４５の周囲に制限され、熱サイクル下でメサ３５や第１基板３０１に対するアンダーフィル１５の影響が軽減される。薄い第１基板３０１の破損や暗電流の増大が抑制され、歩留まりと動作の信頼性が向上する。
図２Ａから図２Ｋは、受光素子基板３０の製造工程の一例を示す。図２Ａで、基板３１の上に、共通電極３２と、共通電極３２に接続される複数のメサ３５を形成する。具体的には、基板３１の上に、共通電極３２、第１コンタクト層３５１、光吸収層３５２、及び第２コンタクト層３５３をこの順でエピタキシャル成長する。この積層体に、共通電極３２に到達する画素分離溝４１を形成して、所定の形状のメサ３５を、所定の配列で形成する。メサ３５は、共通電極３２の側から順に、第１コンタクト層３５１、光吸収層３５２、及び第２コンタクト層３５３を有する。
基板３１は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ等の化合物半導体の基板である。メサ３５として形成される各受光素子が目的波長の光を検知できるかぎり、エピタキシャル成長される各層の材料、光検出のための層構造などに特に制限はない。以下では、ｎ型のＧａＳｂ基板を用いて、１波長の赤外線（波長８～１２μｍ）を検知する構成を例にとって説明する。
共通電極３２として、ＧａＳｂと格子整合したＩｎＡｓＳｂの層を厚さ１μｍに成長する。共通電極３２には、Ｂｅ等のｐ型の不純物が添加されている。第１コンタクト層３５１として、ｐ型の不純物を添加したＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子を成長する。一例として、厚さ４．２ｎｍのＩｎＡｓと、厚さ２．１ｎｍのＧａＳｂを１００周期繰り返す。
光吸収層３５２として、ノンドープ、すなわち意図的な不純物添加がなされていないＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子を成長する。一例として、厚さ４．２ｎｍのＩｎＡｓと、厚さ２．１ｎｍのＧａＳｂを５００周期繰り返す。第２コンタクト層３５３として、たとえば、Ｓｉ等のｎ型の不純物が添加されたＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子を成長する。ｎ型のＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子は、厚さ４．２ｎｍのＩｎＡｓと、厚さ２．１ｎｍのＧａＳｂを１００周期繰り返して形成される。第２コンタクト層３５３から共通電極３２に到達する画素分離溝４１は、反応性エッチングで形成される。
図２Ｂで、各メサ３５の積層方向の上部に、金属層３７１を形成する。金属層３７１はリフトオフ法などで形成することができる。すなわち、フォトレジストの塗布、及び露光により、メサ３５の上部に開口を有するリフトオフ用のマスクを形成し、蒸着またはスパッタ法で全面に金属膜を堆積する。フォトレジストのマスクをリフトオフで除去することで、メサ３５の上面に金属層３７１が形成される。金属層３７１は、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｃｕなどの二層構造であってもよい。リフトオフ後に全体をアニール処理してもよい。
図２Ｃで、全面に保護膜３６を形成する。保護膜３６として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法により形成してもよい。
図２Ｄで、メサ３５が形成された基板３１に、第２基板作製のための基板を張り合わせる。一例として、基板３１と同じ径のＧａＳｂ基板３８３を用意し、フリップチップボンディングにより、ＧａＳｂ基板３８３を保護膜３６で覆われたメサ３５の上面に張り付ける。
図２Ｅで、貼り合わせたＧａＳｂ基板３８３をグラインダ等により薄層化して、所定の厚さの第２基板３８とする。第２基板２８と基板３１の間に、メサ３５を取り囲む空間３９が形成される。第２基板３８の薄層化された面３８１が、読み出し回路基板２０との対向面になる。
図２Ｆで、貼り合わせた第２基板３８の表面３８１に、絶縁膜４９を介して、貫通ビア形成用のレジストマスク４２を形成する。第２基板３８の表面３８１に、ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の絶縁膜４９を形成する。絶縁膜４９上にフォトレジストを塗布し、露光により、所定の開口パターンを有するレジストマスク４２を形成する。
図２Ｇで、レジストマスク４２を用い、反応性イオンエッチングにより、絶縁膜４９、第２基板３８、及び保護膜３６を順にエッチング除去して、メサ３５の上面に到達するビアホール４３を形成する。ビアホール４３の内部に、金属層３７１が露出する。その後、レジストマスク４２を薬液またはアッシングにより除去する。
図２Ｈで、全面にめっき用のシード層４６をスパッタ法で形成し、シード層４６の上に所定の開口パターンを有するめっき用のマスク４８を形成する。
図２Ｉで、めっき処理により、ビアホール４３内に金属層４７を成長する。金属層４７はＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ等の良導体である。
図２Ｊで、めっき用のマスク４８を薬液またはアッシングで除去し、不要なシード層４６を反応性イオンエッチングまたはイオンミリングで除去する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法でめっき表面を平坦化する。ＣＭＰは、第２基板３８上の絶縁膜４９で止めてもよい。これにより、第２基板３８を貫通して金属層３７１に接続する貫通電極３７が得られる。
図２Ｋで、レジストプロセスと金属膜の蒸着を用いたリフトオフ法により、貫通電極３７上にバンプ４４を形成する。バンプ４４はＩｎなどの比較的柔らかな金属で形成されていてもよい。バンプ４４は、第２基板３８から突出して、読み出し回路基板２０との接合に用いられる。これにより、受光素子基板３０が得られる。
図３Ａから図３Ｄは、受光素子基板３０と読み出し回路基板２０の接合工程を示す。図３Ａで、読み出し回路基板２０のバンプ４４を、読み出し回路基板２０の金属パッド２４に位置合わせする。位置合わせは、一般的なフリップチップボンダにより行われる。
図３Ｂで、フリップチップボンディングにより、バンプ４４を金属パッド２４に接合する。フリップチップボンディングは、超音波を利用して熱圧着するフリップチップボンディングであってもよい。この接合プロセスは、ウエハレベルでもチップレベルでも実施可能である。実施形態では、ダイシングによりシリコンウエハを個々の読み出し回路基板２０に切断し、第２基板３８が貼り付けられた化合物半導体ウエハを個々の受光素子基板３０のチップに切断したあとに、フリップチップボンディングによりバンプ４４と金属パッド２４を接合する。このバンプ接合により、受光素子基板３０と読み出し回路基板２０を機械的、かつ電気的に接続する接続電極４５が形成される。
図３Ｃで、読み出し回路基板２０と、受光素子基板３０の第２基板３８の間に、アンダーフィル１５を充填する。アンダーフィル１５により、接続電極４５の接続強度が向上する。アンダーフィル１５は、受光素子基板３０のメサ３５の周囲には注入されず、メサ３５の周囲に空間３９が維持される。
アンダーフィル１５で接続電極４５を固定した状態で、受光素子基板３０の基板３１を薄層化して所望の厚さの第１基板３０１とすることで、赤外線検出器１０が得られる。基板３１は、たとえば、背面研削と化学的なエッチングを組み合わせることで、薄層化できる。共通電極３２を含む薄い第１基板３０１が、赤外線検出器１０の光入射側になる。
十分な量の入射光を光吸収層３５２に透過させるために、第１基板３０１の厚さを１０μｍ以下、より好ましくは、数μｍ～５μｍとする。第１基板３０１の厚さが１０μｍを超えると、散乱等の影響により光吸収層３５２への光の入射量が減少する可能性がある。基板３１の全体を除去する場合は、共通電極３２の光入射側に反射防止膜を形成して第１基板３０１としてもよい。これにより、入射赤外光を各メサ３５の光吸収層３５２へと効率的に透過させる。
実施形態の赤外線検出器１０では、光吸収層３５２を有するメサ３５の周囲にアンダーフィル１５は充填されない。実際の動作では、赤外線検出器１０の全体が真空冷却チャンバー内に配置され、極低温下で使用される。低温下でアンダーフィル１５が収縮しても、薄い第１基板３０１や、メサ３５への影響は少ない。第１基板３０１の破損や暗電流の増大が抑制され、赤外線検出器１０の信頼性、歩留まり等が向上する。
図４は、赤外線検出器１０を用いた撮像システム１の模式図である。撮像システム１は、赤外線検出器１０と、赤外線検出器１０の出力に接続される演算処理回路２と、演算処理回路２の出力に接続される表示装置３とを含む。赤外線検出器１０は、光入射用の窓が設けられた真空冷却チャンバー５内に配置されている。赤外線検出器１０の光入射側に、入射光を受光素子基板３０の第１基板３０１に集光する光学系が配置されていてもよい。
受光素子基板３０の各メサ３５、すなわち画素ごとに検出された赤外光の情報は、観測対象の温度分布、ガス濃度分布等を表す。受光素子基板３０の各画素への赤外光の入射量は、光電流または電荷として読み出し回路基板２０に読み出され、電圧信号として出力される。赤外線検出器１０から出力される電圧信号は、演算処理回路２に入力される。電圧信号が演算処理回路２に入力される前に、デジタル信号に変換されてもよい。演算処理回路２は、赤外線検出器１０からの出力信号に、感度ばらつき等の補正処理や、画像処理を施して、観測対象の温度分布やガス分布に応じた画像信号を生成する。表示装置３は、画像信号で形成される画像を表示する。
赤外線検出器１０は、観察対象から発せられる赤外線を検出し、夜間の監視、火災等の発熱監視など、セキュリティ、インフラ点検の分野で広く用いられる。赤外線検出器１０は受光素子の光電効果を用いた高感度の赤外線センサである。メサ３５の上面を覆う第２基板３８を設けることで、冷却化で用いられても、アンダーフィルの収縮による薄い第１基板３０１の破壊やメサ３５に流れる暗電流が防止され、動作の信頼性が維持される。
以上、特定の例に基づいて本開示を説明してきたが、本開示は、上述した例に限定されない。目的波長の光を検出できるのであれば、受光素子基板３０の材料、メサ構造等は特に限定されない。ＧａＳｂ基板をベースにしたＩｎＡｓ／ＧａＳｂタイプII超格子（Ｔ２ＳＬ：Type-II Superlattice）の他に、ＧａＡｓ基板をベースにしたＱＷＩＰやＱＤＩＰのような受光素子であってもよい。光検知の構成として、ｐｉｎ接続のようなダイオード構造を用いてもよいし、ｎＢｎ、ｐＢｐ、ＣＢＩＲＤ（Complementary Barrier Infrared Detector）ダブルヘテロ構造のように、暗電流を低減する１以上のバリア層を光吸収層と組み合わせてもよい。メサ３５で形成される各受光素子は、１波長の光を検出する検知素子であってもよいし、２波長以上を検出するマルチバンド検知素子であってもよい。
１ 撮像システム
２ 演算処理回路
３ 表示装置
１０ 赤外線検出器
１５ アンダーフィル
２０ 読み出し回路基板
２１ 基板
２３ 電極
２４ 金属パッド
３０ 受光素子基板
３０１ 第１基板
３０３ 光入射面
３２ 共通電極
３５ メサ
３５１ 第１コンタクト層
３５２ 光吸収層
３５３ 第２コンタクト層
３７ 貫通電極
３８ 第２基板
３９ 空間
４４ バンプ
４５ 接続電極
２ 演算処理回路
３ 表示装置
１０ 赤外線検出器
１５ アンダーフィル
２０ 読み出し回路基板
２１ 基板
２３ 電極
２４ 金属パッド
３０ 受光素子基板
３０１ 第１基板
３０３ 光入射面
３２ 共通電極
３５ メサ
３５１ 第１コンタクト層
３５２ 光吸収層
３５３ 第２コンタクト層
３７ 貫通電極
３８ 第２基板
３９ 空間
４４ バンプ
４５ 接続電極
Claims (6)
- 読み出し回路基板と、
接続電極によって前記読み出し回路基板にフリップチップ接合されている受光素子基板と、
前記接続電極の周囲に設けられるアンダーフィルと、
を有し、
前記受光素子基板は、光入射面を有する第１基板と、赤外光に感度を有する光吸収層を含み前記第１基板の前記光入射面と反対側の面に設けられるメサと、前記メサを間に挟んで前記第１基板と対向する第２基板と、を有し、
前記第１基板と前記第２基板の間に前記メサを取り囲む空気または真空の空間が設けられており、
前記アンダーフィルは、前記第２基板と前記読み出し回路基板の間に充填されている、
赤外線検出器。 - 前記第２基板を貫通して前記メサに接続される貫通電極、
を有し、前記接続電極は前記貫通電極に接続されている、
請求項１に記載の赤外線検出器。 - 前記メサを覆う保護膜、
を有し、
前記保護膜と前記第２基板は、前記メサの前記第１基板と反対側の面で積層になっており、前記貫通電極は、前記第２基板と前記保護膜を貫通して前記メサに接続されている、
請求項２に記載の赤外線検出器。 - 前記接続電極は、前記第２基板から突出して前記読み出し回路基板の上の電極に接続されている、
請求項１から３のいずれか１項に記載の赤外線検出器。 - 前記第１基板は共通電極を含み、
前記メサは前記共通電極に接続されている、
請求項１から４のいずれか１項に記載の赤外線検出器。 - 請求項１～５のいずれか１項に記載の赤外線検出器と、
前記赤外線検出器の出力に接続される演算処理回路と、
前記演算処理回路に接続される表示装置と、
を有する撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020195710A JP2022084094A (ja) | 2020-11-26 | 2020-11-26 | 赤外線検出器、及び撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020195710A JP2022084094A (ja) | 2020-11-26 | 2020-11-26 | 赤外線検出器、及び撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022084094A true JP2022084094A (ja) | 2022-06-07 |
Family
ID=81868256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020195710A Withdrawn JP2022084094A (ja) | 2020-11-26 | 2020-11-26 | 赤外線検出器、及び撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022084094A (ja) |
-
2020
- 2020-11-26 JP JP2020195710A patent/JP2022084094A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230804 |
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| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20240129 |