JP2022078455A - 非破壊検査装置 - Google Patents

非破壊検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022078455A
JP2022078455A JP2020189139A JP2020189139A JP2022078455A JP 2022078455 A JP2022078455 A JP 2022078455A JP 2020189139 A JP2020189139 A JP 2020189139A JP 2020189139 A JP2020189139 A JP 2020189139A JP 2022078455 A JP2022078455 A JP 2022078455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
inspected
potential difference
pulse
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020189139A
Other languages
English (en)
Inventor
茂 北川
Shigeru Kitagawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sagawa Sangyou Co Ltd
Original Assignee
Sagawa Sangyou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sagawa Sangyou Co Ltd filed Critical Sagawa Sangyou Co Ltd
Priority to JP2020189139A priority Critical patent/JP2022078455A/ja
Publication of JP2022078455A publication Critical patent/JP2022078455A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

Figure 2022078455000001
【課題】大電流を流すことの弊害を軽減するとともに、容易に被検査物の異常箇所を検出するための非破壊検査装置を提供する。
【解決手段】非破壊検査装置10は、被検査物12の亀裂14または減肉などの異常箇所を検出するための装置である。被検査物12は導電性材料で構成されている。非破壊検査装置10は、被検査物12の表面に限らず、裏面および内面の異常箇所も検出する。非破壊検査装置10は、パルス電流を生成するパルス回路16、被検査物12にパルス電流を印加するための第1端子18、被検査物12の電位差を検出するための第2端子20、その第2端子20の間の電位差を増幅する増幅回路22、および被検査物12の異常を検出する検出回路24を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、被検査物の亀裂または減肉などの異常箇所を検査する非破壊検査装置に関するものである。
従来、種々の非破壊検査装置が開発および開示されている。たとえば下記特許文献1は、被検査物に対して電流を流して被検査物の電位差を測定し、被検査物の亀裂または減肉などの異常箇所を検出している。早期に異常個所を検出することで被検査物が大きく損傷し、重大事故に至ることを防止している。
しかし、被検査物の電位差は小さく、正常箇所と異常箇所の電位差の違いは非常に小さい。異常箇所があるのに検出されないおそれがある。また、被検査物の電位差を大きくするために、被検査物に大電流を流すと、被検査物が加熱されて損傷したり、抵抗値が変化したりするおそれもある。
特開2011-153879号公報
本発明の目的は、大電流を流すことの弊害を軽減するとともに、容易に被検査物の異常箇所を検出するための非破壊検査装置を提供することにある。
本発明の非破壊検査装置は、被検査物に対する非破壊検査装置である。本発明の非破壊検査装置は、パルス電流を生成するパルス回路と、前記パルス電流を被検査物に印加するための第1端子と、前記第1端子の間において被検査物の電位差を検出するための第2端子と、前記第2端子の間の電位差の過渡状態になっている値を利用して被検査物の異常を検出する検出回路とを備える。電流を急激に流し始めると、その初期に過渡現象として電位差は極めて大きくなり、その後急激に減衰する。これはごく初期には電流はごく薄い表面層しか流れなくてその結果大きい電位差が生じるが、流れは次第に広がるため電位差も低下することによるものである。この発明は、その電流の過渡現象の部分に注目するものである。
本発明は電位差の過渡現象の部分を利用しており、従来の電流が安定してからの測定に比べ、容易に厚みの変化や表面の微小欠陥や亀裂を検査できる。特に厚板の部材の電気抵抗率の変化も容易に検出できるようになる。
本願の非破壊検査装置の構成を示す図である。 第1端子および第2端子を含むセンサの構成を示す図である。 パルス電流と被検査物の電位差の関係を示すグラフである。 (a)は被検査物の電位差を示し、(b)は比較回路の出力を平滑したグラフである。 (a)は被検査物の電位差を示し、(b)はサンプリング回路の出力を平滑したグラフである。 アナログゼロセット回路を示す図である。 検出回路の出力を示す図である。 車輪を備えたセンサの構成を示す図である。
本発明の非破壊検査装置について図面を使用して説明する。複数の実施形態を用いて本発明を説明するが、実施形態同士で重複する部分は説明を省略する場合がある。
[実施形態1]
本発明の非破壊検査装置10は、被検査物12の亀裂14、板厚変化および材質変化などの異常箇所を検出するための装置である(図1、図2)。被検査物12は導電性材料で構成されている。
非破壊検査装置10は、パルス電流を生成するパルス回路16、被検査物12にパルス電流を印加するための第1端子18、被検査物12の電位差を検出するための第2端子20、第2端子20の電位差を増幅する増幅回路22、および被検査物12の異常を検出する検出回路24を備える。
パルス回路16は一定のタイミングで所定のパルス電流を生成する回路である。たとえばパルス電流の通電幅は約1ミリ秒である。パルス電流のオフ時間はオン時間よりも長く、たとえばオフ時間はオン時間の約10~20倍である。パルス電流のオン時間が短く、オフ時間が十分長いため、被検査物12を加熱しすぎて温度変化することを防止でき、温度変化による抵抗値の変化も防止できる。第1端子18の先端が被検査物12に接し、パルス電流は第1端子18を介して被検査物12に流される。図2に示すように第1端子18は2本であり、一方の第1端子18から他方の第1端子18に向けて被検査物12にパルス電流が流される。
第2端子20は2本であり、2本の第1端子18の間に2本の第2端子20が配置されている(図2)。第1端子18と第2端子20とはほぼ直線状に並んでいる。第2端子20は第1端子18を結ぶ直線から多少ずれた位置に配置されていてもよい。2本の第2端子20の距離が変化しないように、第2端子20は固定具26で固定されている。また、第1端子18も固定具26で固定され、第1端子18と第2端子20の相対的な位置が固定されている。第2端子20の間隔は一定に保たれる。第1端子18と第2端子20は被検査物12の表面を走査するセンサ28となる。
第2端子20の先端は被検査物12の表面に接し、第2端子20の間の被検査物12の電位差は増幅回路22に入力される。第2端子20の間の電位差は非常に小さいため、増幅回路22で所定レベルまで増幅され、検出回路に出力される。被検査物12の正常箇所と異常箇所の抵抗が異なるため、被検査物12に所定のパルス電流を流せば、正常箇所と異常箇所で電位差が変化する。また、後述するように本発明は過渡現象を利用するため、非常に短時間の電位差を利用する必要がある。そのため、第2端子間20の電位差をデジタルマルチメータで測定することは不可能であり、本発明はそのようなことはおこなわず、増幅回路22で電位差を増幅して利用する。
検出回路24は増幅回路22で増幅された値を利用して被検査物12の異常箇所を検出する回路である。検出回路24は、比較回路30、サンプリング回路32、平滑回路34、アナログゼロセット回路36および増幅回路38を備える。
比較回路30はオペアンプおよび比較電圧を設定する可変抵抗を用いて構成できる。電位差の値がオペアンプの非反転入力端子に入力され、設定電圧Vがオペアンプの反転入力端子に入力される。設定電圧Vは安定化電源電圧VCCを可変抵抗で調整することで得る。
サンプリング回路32はサンプリングパルスが入力された時に、パルス電圧を出力する回路である。サンプリングパルスは一定周期のパルス電圧であり、設定時点のパルスをサンプリング回路32に入力される。
サンプリング回路32は、アナログスイッチを用いた回路である。アナログスイッチにパルスが入力されることで、アナログスイッチがオンの時点の電圧パルスが出力される。一次電流がオフからのある設定時点でアナログスイッチに入力されるサンプリングパルスの時点を変更することで、サンプリング回路32から出力される電圧が異なる。上記設定時点において電圧波形は過渡状態になっている。
時点設定回路40が上記アナログスイッチにサンプリングパルスを入力する。時点設定回路40で生成されるサンプリングパルスは、一定周期のクロックパルスであり、設定された時点のサンプリングパルスを出力する。サンプリングパルスはディジタル的に設定してもよく、アナログ的に可変にしたパルスであってもよい。パルス回路16と時点設定回路40とで同期をとり、パルス回路16がパルス電流を生成した後の所定時間後に時点設定回路40がサンプリングパルスを生成してもよい。
スイッチ42によって比較回路30とサンプリング回路32が選択される。平滑回路34は比較回路30の出力またはサンプリング回路32の出力を直流化(平滑)する。比較回路30の出力はパルス幅に応じた直流電圧に平滑回路34で変換され、サンプリング回路32の出力は電圧値に応じた直流電圧に平滑回路34で変換される。
パルス電流がオンになった時に被検査物12に電位差が生じ、オフになると電位差は0になる(図3)。その電位差はパルス電流がオンになった直後に大きくなり、その後徐々に定常値に近付いていく。たとえば約1ミリ後に定常値に近づく。すなわち、パルス電流がオンになった直後に過渡現象が生じる。比較回路30は、電位差が過渡状態になっている電圧波形の特定レベル、すなわち上記設定電圧Vより低くなるまでの時間を矩形波の電圧Vとして出力する(図4)。
被検査物12の正常箇所と異常箇所とでは抵抗が異なる。そのため、被検査物12に所定のパルス電流を流せば、被検査物12に生じる電位差も異なる。図4(a)では正常箇所の電位差をV、異常箇所の電位差をVとしている。正常箇所と異常箇所の電位差が異なるため、正常箇所と異常箇所で設定電圧Vになるまでの時間τ、τが異なる。このため、図4(b)に示す矩形波の電圧Vの時間幅が正常箇所と異常箇所で異なる。図4(b)では正常箇所の時間幅をτ、異常箇所の時間幅をτとしている。電位差の過渡状態になっている部分を使用するため、正常箇所と異常箇所とで時間τとτの差を得やすい。正常箇所と異常箇所とで図4(b)の時間幅τとτの差が大きくなり、異常箇所が検出されやすい。
次にサンプリング回路32を利用した場合について説明する。サンプリング回路32に入力された電位差V、Vはサンプリングパルスが入力された時間τの電圧V、Vをパルス電圧V、Vとして出力する(図5(a)、(b))。図5(b)において、正常箇所のパルス電圧をV、異常箇所のパルス電圧をVとする。被検査物12の正常箇所と異常箇所とでは電位差V、Vが異なるため、サンプリング回路32から出力されるパルス電圧の電圧が異なる。サンプリング回路32の出力電圧によって欠陥の有無が判別できる。
アナログゼロセット回路36は、被検査物12の正常箇所における比較回路30の出力を平滑した電圧、サンプリング回路32の出力を平滑した電圧、またはその両方の電圧を記憶しておき、検査時の被検査物12における比較回路30の出力を平滑した電圧、サンプリング回路32の出力を平滑した電圧、またはその両方の電圧との差動出力する回路である。アナログゼロセット回路36は電圧を記憶する記憶部としてデジタルメモリーを備えてもよい。
アナログゼロセット回路36は、アナログスイッチ44が押されたときの比較回路30の出力を平滑した電圧を一時保持するコンデンサC1、そのコンデンサC1の電極電圧を保持するホールド回路46、そのホールド回路46の出力と比較回路30の出力を平滑した電圧を差動出力するオペアンプOP1を備える(図6)。
アナログスイッチ44は押しボタンスイッチなどの操作者の操作でオンとオフを切り替えられるスイッチとスイッチのオン・オフで切り替わるフォトカプラまたはFETを備える。スイッチを押すと、フォトカプラまたはFETがオン状態になり、アナログスイッチ44がオンになる。ホールド回路46はCMOS入力のオペアンプが利用できる。
被検査物12を検査する前に正常箇所にパルス電流を流し、第2端子間20の電位差を測定する。その状態でアナログスイッチ44を押すと、ホールド回路46に比較回路30の出力を平滑した電圧が保持される。なお、被検査物12の代わりに被検査物12の正常サンプルを準備して同様の工程を経てもよい。
上記アナログゼロセット回路36の説明は比較回路30を用いて説明したが、比較回路30をサンプリング回路32に変更しても同様である。
アナログゼロセット回路36の出力を増幅する増幅回路38を備える。アナログゼロセット回路36の出力を増幅させて、差動出力の値を大きくする。差動出力の値が大きくなることで、小さな異常箇所が見つけやすくなる。
増幅回路38の出力Voは任意に利用することができる。たとえば、一定スピードでセンサ28を走査して出力Voをオシロスコープに表示した場合、図7に示すように、異常箇所の電圧Voxは高くなる。電圧Voxは異常箇所の異常度合いによって異なる。異常箇所が複数箇所あれば、電圧Voxは複数箇所で表示される。本願は、図7に示すような出力Vを表示できるオシロスコープを備えてもよい。
以上のように、本願は被検査物12にパルス電流を流した際の過渡状態になっている電位差を利用しており、定常値の電位差よりも高い電位差を利用して異常箇所を検出している。異常箇所を検出しやすくなっているため、異常箇所の見落とす可能性を低くしている。異常箇所の検出漏れによる事故を防止しやすくなっている。
[実施形態2]
本発明は比較回路30またはサンプリング回路32のいずれか一方を備えた構成であってもよい。いずれか一方の回路であっても被検査物12にパルス電流を流した際の電位差の過渡状態を利用する。
[実施形態3]
パルス回路16は所定のタイミングでパルス電流を生成しているため、検査中は被検査物12に所定のタイミングで電位差が生じる。たとえば、図4(b)または図5(b)の電圧Voを複数回出力し、平均化して異常箇所を検出してもよい。平均化することで異常を検出する精度を高めることができる。
[実施形態4]
アナログゼロセット回路36と増幅回路38は複数段接続されてもよい。アナログゼロセット回路36の出力が増幅回路38で増幅され、増幅回路38の出力がさらに後段のアナログゼロセット回路36に入力される。回路に使用される素子、回路特性などによって1つのアナログゼロセット回路36でゼロセットにすることは難しい。増幅回路38の出力をアナログゼロセット回路36でゼロセットすることで、この多段接続された回路の出力は0に限りなく近づけられる。後段にあるアナログゼロセット回路36は、前段にある増幅回路38で増幅されたゼロレベルからのずれを補正する。
[実施形態5]
図8のセンサ44のように、第1端子46と第2端子48の先端にそれぞれ導電性の車輪50、52を回転可能に取り付けてもよい。センサ44を走査したとき、車輪50、52が回転し、被検査物12の表面をスムーズに操作できる。車輪50を介して第1端子46から被検査物12にパルス電流を流し、車輪52を介して第2端子48の電位差を利用した異常個所の検出をおこなう。車輪50、52の代わりに導電性のボールであってもよい。
その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
10:非破壊検査装置
12:被検査物
14:亀裂
16:パルス回路
18、46:第1端子
20、48:第2端子
22:電圧計
24:検出回路
26:固定具
28、44:センサ
30:比較回路
32:サンプリング回路
34:平滑回路
36:アナログゼロセット回路
38:増幅回路
44:アナログスイッチ
46:ホールド回路
50、52:車輪

Claims (5)

  1. 被検査物に対する非破壊検査装置であって、
    パルス電流を生成するパルス回路と、
    前記パルス電流を被検査物に印加するための第1端子と、
    前記第1端子の間において被検査物の電位差を検出するための第2端子と、
    前記第2端子の間の電位差の過渡状態になっている値を利用して被検査物の異常を検出する検出回路と、
    を備えた非破壊検査装置。
  2. 前記検出回路が、サンプリング回路、比較回路またはその両方を含む請求項1の非破壊検査装置。
  3. 前記パルス回路は複数回パルス電流を生成し、前記検出回路は前記電位差の過渡状態になっている電圧波形の特定レベルまたは特定時点の平均を利用して被検査物の異常を検出する請求項1または2の非破壊検査装置。
  4. 前記パルス電流のオフ時間はオン時間よりも長い請求項1から3のいずれかの非破壊検査装置。
  5. 前記第2端子の間の電位差を増幅し、検出回路に出力する増幅回路を備えた請求項1から4のいずれかの非破壊検査装置。
JP2020189139A 2020-11-13 2020-11-13 非破壊検査装置 Pending JP2022078455A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020189139A JP2022078455A (ja) 2020-11-13 2020-11-13 非破壊検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020189139A JP2022078455A (ja) 2020-11-13 2020-11-13 非破壊検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022078455A true JP2022078455A (ja) 2022-05-25

Family

ID=81706956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020189139A Pending JP2022078455A (ja) 2020-11-13 2020-11-13 非破壊検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2022078455A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020160073A (ja) スマートセンサ適用のためのデバイスおよび方法
JP2810541B2 (ja) ラムダセンサの内部抵抗測定回路
JP4865516B2 (ja) 測定装置
JP2022078455A (ja) 非破壊検査装置
JPH05129093A (ja) 空間電位誤差を補正するトリプルプローブ・プラズマ測定装置
FR2764068A1 (fr) Circuit pour mesurer le courant dans les electrodes d'un capteur de gaz en ceramique
TWI658279B (zh) 電阻量測系統及電阻量測裝置
JP3393203B2 (ja) 電流検出回路の検査方法
JP2000292463A (ja) 電流測定装置
JP2008157750A (ja) 抵抗計
RU2313082C1 (ru) Устройство для разбраковки металлических изделий
JP2001153903A (ja) 抵抗測定方法およびその装置
JP2008203075A (ja) 荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置
JP6662033B2 (ja) 蓄電素子の抵抗の測定方法および測定装置
JP2011185625A (ja) 検査装置
JP2004184374A (ja) インピーダンス測定装置
JP3310479B2 (ja) 穀物の水分測定装置
JP4007484B2 (ja) 抵抗率測定方法及び固有抵抗率計
JP4967690B2 (ja) 接触検査装置
JP3562703B2 (ja) 計測装置
RU2652657C1 (ru) Способ контроля наличия контакта нагреваемого электрода с контролируемым изделием при разбраковке металлических изделий
JPH11153641A (ja) 半導体デバイス試験装置
JP5350051B2 (ja) インピーダンス測定装置および接触検査方法
JPH0769246B2 (ja) 漏液位置検知装置
JP2595858B2 (ja) 温度測定回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231017