JP2022077177A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ピッチチェンジ機構を備えた基板処理装置において、基板の受け渡し回数を削減する。【解決手段】複数の液処理ユニット１０が組み込まれた基板処理システム７０において、液処理ユニット（基板処理装置）は、処理場所で複数の基板を互いに平行に第１の等ピッチで保持する基板保持部１８と、容器載置部に載置された基板収納容器Ｃから第２の等ピッチで収納された複数の基板を一括して取り出す基板搬送装置７６と、基板搬送装置から第２の等ピッチで並んだ基板を受け取り、ピッチを第１の等ピッチに変換し、ピッチ変換済み基板を基板保持部に渡す移載機構７７と、を備える。移載機構は、各１枚の基板を保持する複数のチャックと、チャック同士の間隔を第１の等ピッチと第２の等ピッチとの間で変更するピッチチェンジ機構とを有するピッチ変換ユニット７７１と、ピッチ変換ユニットを、基板搬送装置－基板保持部間で移動させる移動機構と、を有する。【選択図】図８Ａ

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体装置の製造工程には、処理槽内に貯留した処理液の中に複数枚の基板例えばウエハを同時に浸漬することにより、複数枚の基板に対して同時に液処理を施すバッチ式の液処理装置が知られている。バッチ式の液処理装置では、まず、第１の基板搬送機が基板収納容器から基板を取り出しピッチチェンジャーに渡す。ピッチチェンジャーは基板同士の間隔を小さく変更する。第２の基板搬送機がピッチチェンジャーから基板を受け取り、基板処理ユニットの基板保持部に基板を渡す。基板保持部に保持された基板が処理槽に貯留された処理液に浸漬され、液処理が基板に施される。

特開２０１６－００９７２９号公報

本開示は、ピッチチェンジ機構を備えた基板処理装置において、基板の受け渡し回数を削減することができる技術を提供する。

基板処理装置の一実施形態は、複数の基板を、少なくとも当該複数の基板が処理される場所で、互いに平行に第１の等ピッチで保持する基板保持部と、複数の基板を互いに平行に前記第１の等ピッチと異なる第２の等ピッチで収納する基板収納容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部に載置された基板収納容器から複数の基板を一括して取り出すことができるように構成された基板搬送装置と、前記基板搬送装置から前記第２の等ピッチで並んだ複数の基板を受け取り、受け取った複数の基板の間隔を前記第２の等ピッチから前記第１の等ピッチに変換し、ピッチが変換された複数の基板を前記基板保持部に渡すように構成された移載機構と、を備え、前記移載機構は、各々が１枚の基板を保持するように構成された複数のチャックと、前記チャック同士の間隔を少なくとも前記第１の等ピッチと前記第２の等ピッチとの間で変更し得るように構成されたピッチチェンジ機構と、を有するピッチ変換ユニットと、前記ピッチ変換ユニットを、前記基板搬送装置と前記ピッチ変換ユニットとの間での基板の受け渡し位置である第1受け渡し位置と、前記ピッチ変換ユニットと前記基板保持部との間での基板の受け渡し位置である第２受け渡し位置との間で移動させ得るように構成された移動機構と、を有している。

本開示によれば、ピッチチェンジ機構を備えた基板処理装置において、基板の受け渡し回数を削減することができる。

基板処理装置の一実施形態に係る液処理ユニットの構成を概略的に示した軸方向縦断側面図である。 図１の液処理ユニットの貯留部から蓋部が分離した状態を示す概略図である。 ローターの構成の一例を示す斜視図である。 図３に示したローターを軸方向から見た側面図である。 液処理ユニットの蓋部に設けられた処理流体ノズルの構成の一例を示す概略断面図である。 他の実施形態に係る液処理ユニットの構成を概略的に示した軸方向縦断側面図である。 複数種類の処理液を液処理ユニットに供給する一実施形態における配管系統の一例を示す図である。 複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムの一実施形態のユニット配置（第１構成例）を示す概略平面図である。 図８Ａに示した基板処理システムのユニット配置を示す図８Ａ中の矢印VIIIB方向から見た概略側面図である。 図８Ａに示した基板処理システムのユニット配置を示す図８Ａ中の矢印VIIIC方向から見た概略背面図である。 ピッチ変換ユニットの構成を示す概略側面図である。 ピッチ変換ユニットのチャックが基板を保持している状態を説明するための図である。 基板搬送ロボットがピッチ変換ユニットに基板を渡す様子を示す概略側面図である。 ピッチ変換ユニットが基板搬送ロボットから基板を受け取ってからローターに基板を渡すまでの手順を説明する図である。 複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムの第２構成例を示す、図８Ａと同様の視点で見た概略平面図である。 複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムの第３構成例を示す、図８Ａと同様の視点で見た概略平面図である。 図１４に示した第３構成例を、図８Ｃと同様の視点で見た概略背面図である。 複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムの第４構成例を示す、図８Ａと同様の視点で見た概略平面図である。 複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムの第５構成例を示す、図８Ａと同様の視点で見た概略平面図である。

基板処理装置の一実施形態を、添付図面を参照して説明する。

基板処理装置は、後に説明する基板処理システム１内に組み込まれるバッチ式の液処理ユニット１０として構成されている。

図１および図２に示すように、液処理ユニット１０は、処理容器１２を有している。処理容器１２は、処理液を貯留する貯留部１３と、蓋部１４とを有している。貯留部１３は上部開口部１６を有している。蓋部１４は、蓋部１４と係合して貯留部１３の上部開口部１６(図２を参照）を閉鎖する閉鎖位置と、貯留部１３の上部開口部１６を開放する開放位置との間を移動することができる。蓋部１４が閉鎖位置にあるときには、処理容器１２の内部に、処理容器１２の外部から実質的に隔離された、実質的に密閉された内部空間が形成される。

液処理ユニット１０は、処理容器１２内において複数の基板Ｗ（例えば半導体ウエハ）を保持して回転するローター１８（基板保持部あるいは基板ホルダ）を有している。模式図である図１においては、ローター１８が５枚の基板Ｗを保持しているように描かれているが、ローター１８は例えば２５枚の基板Ｗを保持するように構成することができる。ローター１８は、複数の基板Ｗを鉛直姿勢で水平方向に第１の等ピッチ（ピッチＰ１とも呼ぶ）で保持するように構成されている。ピッチＰ１は例えば５ｍｍ程度とすることができる。

蓋部１４は、図１に概略的に示された蓋部開閉機構１５により、開放位置と閉鎖位置との間で移動することができる。蓋部１４が開放位置にあるとき、基板Ｗを保持する基板保持構造物（例えば基板搬送ロボットのエンドエフェクタとしての基板保持具、あるいは後述のピッチ変換ユニット７７１）が、蓋部１４に邪魔されることなく、ローター１８にアクセスすることができるようになっている。

蓋部開閉機構１５は、蓋部１４を鉛直方向に昇降させる昇降機構として構成することができる。蓋部開閉機構１５は、蓋部１４を貯留部１２から鉛直方向に離れるように上方に移動させた後に、蓋部１４を貯留部１２から水平方向（例えば図１の紙面垂直方向）に移動した位置に移動させることができるような二軸（または多軸）移動機構として構成されていてもよい。

ローター１８の両側から、第１回転軸２１および第２回転軸２２が互いに反対方向に水平に延びている。第１回転軸２１および第２回転軸２２は、処理容器１２の第１側壁１２１および第２側壁１２２をそれぞれ貫通して、処理容器１２の外側まで延びている。処理容器１２の外側において、第１回転軸２１および第２回転軸２２は、それぞれ軸受け２３により支持されている。

処理容器１２の外側に設けられた回転駆動部２４が第１回転軸２１を回転駆動することにより、ローター１８およびこれに保持された基板Ｗは、水平方向（図１の左右方向）に延びる回転軸線周りに回転する。この回転軸線は、ローター１８に保持された基板Ｗの中心を通過する。回転駆動部２４は、例えば、電気回転モータと、適当な駆動力伝達手段（例えばベルト／プーリー）との組み合わせにより構成することができるが、これに限定されるものではない。

図示された実施形態においては、処理容器１２は、第１回転軸２１および第２回転軸２２の回転軸線を含む水平面により上下に二分割されている。つまり、処理容器１２は、貯留部１３をなす下側半体と、蓋部１４をなす上側半体とから構成されているとも言える。

図示された実施形態においては、処理容器１２の内部空間は、第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４により３つの室、すなわち中央の処理室（主チャンバ）１１０と、その両側の第１副室（サブチャンバ）１１１および第２副室（サブチャンバ）１１２とに仕切られている。処理室１１０には、ローター１８が収容される。

処理室１１０の底部には、処理室１１０に処理液としての薬液を供給する薬液ノズル２８が設けられている。薬液ノズル２８は、貯留部１３の底壁に設けられた１つ以上の穴により構成されていてもよいし、貯留部１３の底壁、または側壁の下部の近傍に設けられた１つ以上の吐出口を有するノズル体から構成されていてもよい。

第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４には、第１回転軸２１および第２回転軸２２の外径より大きな内径を有する貫通孔（連通路）１２５，１２６がそれぞれ形成されている。処理室１１０に貯留された液体（例えば薬液ノズル２８から供給された薬液）の液位が貫通孔１２５，１２６の下端の高さを超えると、貫通孔１２５，１２６を通って液体が第１副室１１１および第２副室１１２内に流入する（オーバーフローする）。

第１副室１１１および第２副室１１２の底壁には、第１副室１１１および第２副室１１２内にある液体を排出するための循環用排液口１３１，１３２と、廃棄用排液口１３３，１３４とが設けられている。処理室１１０の底壁にも、処理室１１０内にある液体を排出するための廃棄用排液口１３５が設けられている。廃棄用排液口１３３，１３４，１３５には、開閉弁Ｖ４が介設された排液ライン１３６が接続されている。排液ライン１３６は、半導体装置製造工場に設けられた液体廃棄ダクト（ＤＲ）に接続されている。なお、上記の廃棄用排液口の「廃棄用」という語は、「循環用」と区別するためのものであり、廃棄用排液口１３３，１３４，１３５から排液ライン１３６に排出された液を図示しない回収タンクに回収し、再利用しても構わない。

処理容器１２には薬液循環機構（薬液供給機構）５０が接続されている。薬液循環機構５０は、薬液を貯留するタンク５１と、タンク５１から出て薬液ノズル２８に至る上流側循環ライン５２と、循環用排液口１３１，１３２から出てタンク５１に戻る下流側循環ライン５３とを有している。上流側循環ライン５２には、上流側から順に、ポンプ５４、ヒーター５５およびフィルタ５６が順次介設されている。処理容器１２および薬液循環機構５０により薬液循環系が構成されており、この薬液循環系を薬液が循環する。この薬液の循環流れは、薬液を用いて処理室１１０内で基板Ｗの処理が行われている間中ずっと継続される。なお、以下、本明細書において、説明の簡略化のため、上記のように薬液循環系を薬液が循環することを「通常循環」とも呼び、このときに薬液が流れる経路を「通常循環経路」とも呼ぶこととする。

ポンプ５４を駆動することによりタンク５１から流出した薬液は、ヒーター５５により温調された後にフィルタ５６を通りそこでパーティクルが除去された後に薬液ノズル２８から処理室１１０に流入し、そこで基板Ｗの薬液処理に供される。処理室１１０から貫通孔１２５，１２６を通って第１副室１１１および第２副室１１２に流入した薬液は循環用排液口１３１，１３２を通って第１副室１１１および第２副室１１２から流出し、下流側循環ライン５３を介してタンク５１に戻される。

上流側循環ライン５２（上流側循環ライン５２のフィルタ５６の下流側の位置）と下流側循環ライン５３とを直接接続するバイパスライン５７を設けることができる。バイパスライン５７の開閉弁Ｖ１を開き、上流側循環ライン５２の開閉弁Ｖ２および下流側循環ライン５３の開閉弁Ｖ４を閉じることにより、処理室１１０、第１副室１１１および第２副室１１２を通過させることなく、薬液の循環および温調を行うことができる。

薬液を用いて処理室１１０内で基板Ｗの処理が行われていないときに上述したようにバイパスライン５７を介した薬液の循環および温調を行うことにより、薬液処理工程を迅速かつ円滑に開始することができる。なお、以下、本明細書において、説明の簡略化のため、上記のようにバイパスライン５７を通って薬液が循環することを「待機循環」とも呼び、このときに薬液が流れる経路を「待機循環経路」とも呼ぶこととする。

第１回転軸２１が第１側壁１２１を貫通する部分、および第２回転軸２２が第２側壁１２２を貫通する部分には、ラビリンスシール２５が設けられている。ラビリンスシール２５は、第１回転軸２１および第２回転軸２２の外周面に設けられた複数の円環状の突起と、第１側壁１２１および第２回転軸２２の貫通孔の内周面に設けられるとともに突起を受け入れる複数の円環状の溝とから構成することができる。

後述するように第１副室１１１および第２副室１１２内は減圧雰囲気とされ、また、通常は第１副室１１１および第２副室１１２内の液位がラビリンスシール２５まで達することは無いため、ラビリンスシール２５により十分なシール性能を得ることができる。

図３および図４を参照して、図１では概略的に示されていたローター１８の構造について以下に簡単に説明する。ローター１８は、複数例えば２５枚の基板Ｗを、鉛直姿勢で、水平方向に等間隔（ピッチＰ１）で保持することができるように構成されている。

ローター１８は、一対の円盤１８１Ａ（ローター１８の第１側部）、１８１Ｂ（ローター１８の第２側部）と、円盤１８１Ａ、１８１Ｂの間を水平方向に延びる１本以上（例えば３～４本）の固定保持棒１８２と、一対の可動保持棒１８３とを有している。円盤１８１Ａ、１８１Ｂには第１回転軸２１および第２回転軸２２が固定されている。固定保持棒１８２および可動保持棒１８３の各々には、前述したピッチＰ１で水平方向に等間隔で並んだ基板保持溝（図示せず）が設けられている。ローター１８により保持される基板Ｗの周縁部が、各基板保持溝内に収容される。

可動保持棒１８３は、旋回腕１８４を介して円盤１８１Ａ、１８１Ｂに回転可能に設けられた回転軸１８５に取り付けられており、基板Ｗを保持する保持位置と、基板Ｗを解放する解放位置との間で旋回可能である。

円盤１８１Ａの外面側には、回転軸１８５に固定されたウエイト１８６が設けられている。ウエイト１８６は、ローター１８が回転しているときに、可動保持棒１８３、旋回腕１８４、回転軸１８５およびウエイト１８６からなる組立体に作用する遠心力により可動保持棒１８３が基板Ｗに押し付けられるようにするために設けられている。但し、大きな遠心力が生じるローター１８の高回転時に基板Ｗの破損が生じないようにするために、可動保持棒１８３の変位を制限する固定ストッパ１８７が円盤１８１Ａに設けられている。

可動保持棒１８３を保持位置に維持するために、板バネからなるバネストッパ１８８が円盤１８１Ａの外面に取り付けられている。回転軸１８５の軸端または当該軸端に対応するウエイト１８６の表面には、例えばマイナスねじの頭部に形成されるような操作用の溝１８９が形成されている。

液処理ユニット１０は、操作機構１９を有している。操作機構１９は、バネストッパ１８８を押圧するプッシュロッドを有する押圧機構１９１と、溝１８９と係合して回転軸１８５を回転させることにより可動保持棒１８３を旋回させる回転機構１９２とを有している。

押圧機構１９１のプッシュロッドによりバネストッパ１８８を円盤１８１Ａに向けて押しつけることにより、バネストッパ１８８に邪魔されることなくウエイト１８６が旋回できるようになる。この状態で回転機構１９２の回転軸１９２ａの先端１９２ｂを溝１８９と係合させて回転軸１８５を回転させることにより、可動保持棒１８３を前述した保持位置と解放位置との間で移動させることができる。先端１９２ｂは、例えばマイナスねじ用のドライバービットのような形状を有する。

可動保持棒１８３を保持位置に位置させた状態で押圧機構１９１のプッシュロッドを退避させることにより、バネストッパ１８８が初期位置に戻り、バネストッパ１８８がウエイト１８６の移動を阻止するようになる。これにより、可動保持棒１８３が保持位置に維持される。

蓋部１４が貯留部１３の上部開口部１６を閉鎖しているときに、操作機構１９は処理容器１２の外部（例えば第２側壁１２２の側方）の退避位置に位置している。蓋部１４が貯留部１３の上部開口部１６を開放してローター１８に対する基板Ｗの搬出入が行われるときに、移動機構１９３により操作機構１９（押圧機構１９１および回転機構１９２）が円盤１８１Ａに近い操作位置に移動して、上述したようにバネストッパ１８８および回転軸１８５を操作することにより、一対の可動保持棒１８３を解放位置に移動させることができる。解放位置にある一対の可動保持棒１８３同士の間隔は、複数の基板Ｗまたは複数の基板Ｗを保持した基板保持構造物（例えば後述のピッチ変換ユニット７７１）のローター１８内への侵入が可能となる程度に十分に大きい。

例示された実施形態では、基板保持構造物は、一度にまとめて２５枚の基板Ｗを固定保持棒１８２に渡すようになっている。しかしながら、基板保持構造物は、２５枚の基板を複数回に分けて（例えば一回に５枚ずつ）固定保持棒１８２に渡してもよい。ローター１８により保持されるべき所定数（例えば２５枚）の基板Ｗが固定保持棒１８２に渡された後に、基板保持構造物がローター１８から退出すると、操作機構１９により可動保持棒１８３が保持位置に移動させられ、これにより基板Ｗがローター１８により確実に保持される。所定数（例えば２５枚）の基板Ｗが固定保持棒１８２に渡されて可動保持棒１８３が基板Ｗを保持した後に、基板保持構造物をローター１８から退出させてもよい。

なお、本実施形態で用いられているローター１８の構造（特に可動保持棒１８３の動作に関連する部分の構造）自体は、本件出願人の先行出願に係る特許公開公報（例えば特開２００６－１３１９４号等を参照）により既に公知であり、さらなる詳細についてはこれらの公報を参照されたい。

処理室１１０に対応する蓋部１４の天井部分には、処理流体を供給する少なくとも１つの処理流体ノズル３０が設けられている。

一実施形態において、前記少なくとも１つの処理流体ノズル３０として、基板Ｗに向けてリンス液を供給するリンスノズル３１と、基板Ｗに向けて乾燥用流体を吐出する乾燥用流体ノズル３２と、基板Ｗに向けてあるいは基板Ｗの周囲の空間に向けて不活性ガス（例えば窒素ガス）または低酸素ガス（酸素含有量の低いガス）を吐出するガスノズル３３とを設けることができる。処理流体ノズル３０の数は、上記のように基板Ｗに供給される処理流体の種類に応じた数とすることができる。複数種類の処理流体（例えばリンス液と窒素ガス）を同じ処理流体ノズル３０から供給してもよい。

リンス液としては、純水（ＤＩＷ）または機能水（例えば、リンス液に導電性を与えるために純水に微量の電解質成分を溶解させたもの）が例示される。

乾燥用流体は、基板Ｗを乾燥させるときに、表面張力によりパターンが倒壊することを防止するためのものである。乾燥用流体としては、リンス液よりも表面張力が低くかつ揮発性が高い有機溶剤、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が例示される。ＩＰＡによりパターン凹部内のリンス液例えばＤＩＷを置換した後に、乾燥を行うことにより、パターンの倒壊を防止または少なくとも大幅に抑制することができる。乾燥用流体は、上述した有機溶剤に疎水化剤を混合したものであってもよい。疎水化剤としては、はシリル化剤またはシランカップリング剤、具体的には、トリメトキシフェニルシラン、テトラエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン）、ＤＭＳＤＭＡ（ジメチルシリルジメチルアミン）、ＴＭＳＤＥＡ（トリメチルシリルジエチルアミン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジンラザン）、ＴＭＤＳ（１，１，３，３－テトラメチルジシラザン）等を用いることができる。疎水化剤によりパターン凹部の表面が疎水化されることにより、表面張力に起因するパターンを倒壊させる力が減少するため、パターンの倒壊をより一層抑制することができる。このように表面改質（疎水化）を行い乾燥させる技術はＳＭＤ（Surface Modification Dry）とも呼ばれる。乾燥用流体は、ミスト（液体）の状態で、あるいは蒸気の形態で供給することができる。

処理流体ノズル３０は、図５に概略的に示すように、ローター１８により保持される基板Ｗの列の真上あるいはほぼ真上において、基板Ｗの配列方向（水平方向）に沿って延びる棒状ノズルとすることができる。棒状ノズルは、例えば、水平方向に延びる流体通路を内部に有する中空円筒体３４に、複数の吐出口３５を形成することにより構成することができる。このような棒状ノズルは、ローター１８により保持される基板Ｗの数と同数、好ましくはそれよりも一つ多い数の吐出口３５を有していてもよい。

処理流体ノズル３０は、上述したようにローター１８により保持される基板Ｗの列の真上あるいはほぼ真上に設けることが好ましいが、処理室１１０内の処理液（薬液）の液面より高い任意の位置に設けてもよい。

図５に示すように、吐出口３５は、ローター１８により保持された基板Ｗの配列ピッチ（水平方向間隔）と同じピッチで設けることができる。このように設けられた吐出口３５は、ローター１８により保持された隣接する基板Ｗの間の空間を臨む位置（両端の吐出口を除く）に設けることができる。各吐出口３５からは、同一条件（吐出流量、吐出角度）で処理流体が吐出されることが好ましい。

各吐出口３５は、そこから扇形またはコーン（円錐）形に（つまり末広がりに）処理流体が吐出されるように形成することができる。これにより、ローター１８により保持されて回転する基板Ｗの表面に満遍なく処理流体を供給することができる。処理流体ノズル３０がリンスノズル３１である場合には、各吐出口３５から扇形にリンス液が吐出されること好ましい。処理流体ノズル３０がガスノズル３３である場合には、各吐出口３５からコーン形にリンス液が吐出されること好ましい。

なお、本明細書において、「基板Ｗの表面」は、特に区別しない限り、デバイスが形成されている面である表面と、デバイスが形成されていない面である裏面の両方を意味する語である。

各処理流体ノズル３０には、処理流体供給機構を介して処理流体が供給される。処理流体供給機構は、当該技術分野において広く知られているように、タンク、工場用力等の処理流体供給源と、処理流体供給源から処理流体ノズル３０に処理流体を供給する供給ラインと、供給ライン設けられた流量計、開閉弁、流量制御弁等の流量調節機器およびフィルタ、ヒーター等の補器類とから構成することができる。

図示された実施形態では、リンスノズル３１にリンス液を供給するリンス液供給機構３１Ｓと、乾燥用流体ノズル３２に乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給機構３２Ｓと、ガスノズル３３にガス（不活性ガスまたは低酸素ガス）を供給するガス供給機構３３Ｓとが設けられる。

処理流体ノズル３０に吸引装置（図１の「Ｖａｃｕｕｍ」）を接続してもよい。後述する乾燥工程において、乾燥用流体（例えばＩＰＡ）を基板Ｗに供給した直後に、処理流体ノズル３０から処理室１１０内を吸引し減圧することにより、基板Ｗの表面に形成されたパターン内への乾燥用流体の浸透を促進することができる。

なお、リンス液は、処理室１１０の洗浄にも利用できるため、リンスノズル３１は、ローター１８に保持された基板Ｗにだけではなく、処理室１１０に面する処理容器１２の内壁面、ローター１８の円盤１８１Ａ、１８１Ｂ、並びに第１回転軸２１および第２回転軸２２の表面にもリンス液が当たるようにリンス液を吐出することができるように構成されていることも好ましい。但し、回転するローター１８（あるいはローター１８に保持されている基板Ｗ）から飛散するリンス液が、ローター１８の円盤１８１Ａ、１８１Ｂ、並びに第１回転軸２１および第２回転軸２２の表面等にも当たるようになっているならば、リンスノズル３１は、ローター１８に保持された基板Ｗのみに向けてリンス液を吐出するように設けられていても構わない。

第１副室１１１および第２副室１１２の天井部には、第１副室１１１および第２副室１１２内の雰囲気（ガス）を排出するための排気口１４１，１４２がそれぞれ設けられている。排気口１４１，１４２にはそれぞれ排気ライン１４３が接続されている。排気ライン１４３は、排気に含まれる液体（ミスト）を分離する図示しない気液分離装置（排気ボックスなどとも呼ばれる）に接続されている。気液分離装置により分離された液体は半導体製造工場の排液管路（図１には図示せず）に、気体は半導体製造工場の排気ダクト（図１には図示せず）に接続されている。

排気ダクト内は減圧雰囲気であるため、その影響で第１副室１１１および第２副室１１２は吸引（減圧）される。排気ライン１４３に、排気を促進するためのエゼクタ、真空ポンプ等の吸引機器が設けられていてもよい。第１副室１１１および第２副室１１２に作用する吸引力を調整するために、排気ライン１４３にバタフライ弁等の流量調整弁を設けてもよい。

第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４の上部には、通気路（連通路）１２７，１２８が設けられている。上記のように第１副室１１１および第２副室１１２が吸引されているため、処理室１１０内の雰囲気は、通気路１２７，１２８を介して第１副室１１１および第２副室１１２に流れ、排気口１４１，１４２および排気ライン１４３を介して排気される。従って、処理室１１０内の圧力は、第１副室１１１および第２副室１１２内の圧力よりも高い。

通気路１２７，１２８内に液体が滞留しないように、通気路１２７，１２８は中央部が高い山形形状となっている。

第１副室１１１および第２副室１１２の天井部には、第１副室１１１および第２副室１１２を洗浄するために洗浄液を供給する洗浄液ノズル３７，３８が設けられている。洗浄液ノズル３７，３８には、洗浄液供給源から、流量調節機器等が介設された供給ラインを介して洗浄液が供給される。リンスノズル３１にリンス液を供給するリンス液供給機構３１Ｓにより、洗浄液ノズル３７，３８に洗浄液としてのリンス液（例えばＤＩＷ）を供給してもよい。洗浄液ノズル３７，３８は、第１副室１１１および第２副室１１２に面する全ての壁面並びに第１回転軸２１および第２回転軸２２の表面を洗浄することができように、洗浄液を噴射するように構成されていることが好ましい。

処理容器１２の処理室（主チャンバ）１１０内にある処理液を温調するために、処理容器１２にはヒーター１２９が設けられている。ヒーター１２９は、処理室１１０を画定する壁のうちの処理液に接する部分（具体的には例えば、処理室１１０の底壁、および第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４の下半部）に設けることができる。ヒーター１２９は、処理容器１２の壁に埋設されていてもよいし、処理容器１２の壁の処理液と接しない面に貼り付けられていてもよい。

次に、液処理ユニット１０の動作について説明する。

［基板搬入工程］
まず、蓋部１４が上昇して開放位置に位置し、基板Ｗを保持していないローター１８の可動保持棒１８３が解放位置に位置する。

次に、基板搬送ロボットのエンドエフェクタとしての基板保持具あるいは後述する移載機構７７のピッチ変換ユニット７７１等の基板保持構造物が複数の基板Ｗをローター１８に渡し、次いでローター１８の可動保持棒１８３が保持位置に移動し、基板Ｗはローター１８によりしっかりと保持される。上記基板保持構造物は、ローター１８から離れた位置に退避する。

次いで、蓋部１４が下降して貯留部１３と係合し、これにより処理容器１２の内部に実質的に密閉された内部空間が形成される。

［薬液処理工程］
次に、処理流体ノズル３０（ガスノズル３３）から処理室１１０内に窒素ガス（不活性ガス）が供給される。第１副室１１１および第２副室１１２内の雰囲気が排気ライン１４３を介して吸引され、第１副室１１１および第２副室１１２が減圧されているため、処理室１１０内の雰囲気（大気雰囲気）は、通気路１２７，１２８を介して第１副室１１１および第２副室１１２に流出する。このため、処理室１１０内の雰囲気が窒素ガス雰囲気（非酸化性の雰囲気）に置換される。

次に、ローター１８を比較的低速（例えば１０～２００ｒｐｍ程度）で回転させる。この時点で、薬液は、タンク５１、上流側循環ライン５２、バイパスライン５７および下流側循環ライン５３を通って（処理室１１０を迂回して）、温調された状態で循環している。つまり、ここでは前述した「待機循環」が実施されている。

次に、バイパスライン５７の開閉弁Ｖ１を閉じ、上流側循環ライン５２および下流側循環ライン５３に設けられた開閉弁Ｖ２，Ｖ３を開くことにより、薬液が、バイパスライン５７を通らずに、薬液ノズル２８から処理室１１０に供給されるようにする。

処理室１１０内の薬液の液位が概ね第１および第２回転軸２０，２２の高さ位置（以下「薬液処理時液位」とも呼ぶ）まで到達したら、薬液は第１副室１１１および第２副室１１２に流出（オーバーフロー）する。第１副室１１１および第２副室１１２に流出した薬液は、循環用排液口１３１，１３２を介して下流側循環ライン５３に排出されてタンク５１に戻され、再び上流側循環ライン５２を通って薬液ノズル２８から処理室１１０に供給される。このようにして、処理室１１０内の薬液の液位が「薬液処理時液位」に維持されつつ、薬液が循環する。処理室１１０内での薬液の温度低下を防止するために、ヒーター１２９により、処理室１１０に面する処理容器１２の壁が、例えば薬液の設定温度と概ね同じ温度に加熱される。つまり、ここでは前述した「通常循環」が実施される。

このとき、ローター１８に保持されて回転している基板Ｗの下半部（下側部分）が処理室１１０内に貯留されている薬液に浸漬された状態とはる。このとき、基板Ｗの上半部（上側部分）が処理室１１０内に貯留されている薬液に浸漬されていない状態となるが、基板Ｗは回転しているため、基板Ｗの表面の全域が常時薬液により濡らされた状態となり、従って、各基板Ｗの表面全域が均等に処理される。また、薬液は、回転するローター１８および基板Ｗにより攪拌されるため、処理室１１０内の薬液の組成が均一化され、基板Ｗの処理の面内均一性および面間均一性が向上する。

上述したように基板Ｗの下半部（下側部分）のみを薬液に浸漬することは、基板Ｗの全体を浸漬する場合と比較して、ローター１８の回転駆動負荷の低減、基板Ｗの表面と薬液との比較的高い相対速度を実現する上で好ましい。また、基板Ｗの下半部（下側部分）のみを薬液に浸漬することは、また、第１回転軸２１および第２回転軸２２を通すための貫通孔１２５，１２６を連通路として利用できるため、そうでない場合（下記参照）と比較して構造が簡素化されるという点において有利である。

しかしながら、処理室１１０内の薬液の液位は上述した液位に限定されるものではない。より低い液位が好ましいのであれば、第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４の貫通孔（連通路）１２５，１２６の高さよりも低い適当な位置に貫通孔（連通路）を設けてもよい。より高い液位が好ましいのであれば、貫通孔１２５，１２６の内径を小さくして貫通孔１２５，１２６を介した薬液の流出を制限するとともに、第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４の貫通孔（連通路）１２５，１２６の高さよりも低い適当な位置に貫通孔（連通路）を設けてもよい。この場合も、基板Ｗの下側部分が処理室１１０内に貯留されている薬液に浸漬され、基板Ｗの上半部（上側部分）が処理室１１０内に貯留されている薬液に浸漬されていない状態で処理されることには変わりはない。

ローター１８に保持された複数の基板Ｗのうち円盤１８１Ａに最も近い基板Ｗと、円盤１８１Ａとの間の間隔は、隣接する基板Ｗ同士の間隔と等しいか概ね等しいことが好ましい。円盤１８１Ｂとこれに最も近い基板Ｗとの間隔も、隣接する基板Ｗ同士の間隔と等しいか概ね等しいことが好ましい。そうすることにより、両端の基板の表面近傍の薬液の流動条件が他の基板と概ね同じになり、これにより基板Ｗの処理の面間均一性が向上する。

処理室１１０内は、窒素ガス雰囲気となっているため、処理室１１０内の酸素が薬液中に溶解することにより、処理結果に悪影響を及ぼすことを防止することができ、また、酸化による薬液の劣化を抑制することができる。また、基板Ｗの上半部が酸化することも防止することができる。

例えば、薬液処理が、ＴＭＡＨによりＰｏｌｙ－Ｓｉをエッチングする処理であった場合、基板が回転しない基板保持部により保持され、かつ処理槽内の雰囲気が大気雰囲気である場合、大気中の酸素がＴＭＡＨ中に溶け込み、液面付近のＴＭＡＨ中の酸素濃度が高くなり、エッチングの面内均一性が損なわれるおそれがある。本実施形態ではそのような問題は生じない。

本実施形態では、処理室１１０内は実質的に密閉されている。また、処理室１１０内には窒素ガスが供給され、かつ、処理室１１０内の雰囲気は通気路１２７，１２８を介して吸引されているが、窒素ガス供給流量および処理室１１０の吸引流量は、処理室１１０を窒素ガス雰囲気に維持するために必要な程度の少量である。従って、処理室１１０内において薬液の表面から蒸発した水蒸気が自由に処理室１１０の外に出て行けないので、薬液循環系内を循環する薬液の濃度の変化は低く抑制される。このため、エッチングレートの変動を抑制することが可能である。この効果は、大気開放タイプの処理室（処理槽）を用いるバッチ式液処理ユニットと比較すると顕著である。

予め定められた薬液処理時間が経過したら、処理室１１０内に実質的に薬液が無い状態へと移行する。具体的には例えば、バイパスライン５７の開閉弁Ｖ１を開き、上流側循環ライン５２および下流側循環ライン５３に設けられた開閉弁Ｖ２，Ｖ３を閉じ、排液ライン１３６の開閉弁Ｖ４を開く。これにより、薬液ノズル２８から処理室１１０内への薬液の供給が停止され、また、処理室１１０、第１副室１１１および第２副室１１２内に残留している薬液が排出される。このとき「通常循環」から「待機循環」へと移行したことになる。

処理室１１０、第１副室１１１および第２副室１１２内に残留していた薬液の再利用が望まれる場合には、排液ライン１３６から回収ライン（図示せず）を分岐させ、この回収ラインを介して例えば薬液循環機構５０のタンク５１に薬液を戻せるような構成を採用してもよい。

処理室１１０内から薬液のほぼ全てが排出された後、あるいは、処理室１１０内の薬液の液位がローター１８の最下部よりも低くなった後に、ローター１８を例えば５００ｒｐｍ以下程度の中速で回転させて、基板Ｗに付着している薬液を振り切って除去する。この薬液の振り切りは省略してもよい。

処理室１１０、第１副室１１１および第２副室１１２内に残留している薬液が実質的に全て排出されたら、処理流体ノズル３０（ガスノズル３３）からの窒素ガスの供給が停止される。なお、窒素ガスの供給停止はランニングコストの低減を目的としているので、基板Ｗの周囲の雰囲気が低酸素雰囲気であることを重視するならば、窒素ガスの供給を継続しても構わない。

［リンス工程］
次に、ローター１８を例えば１０～２００ｒｐｍ程度の比較的低回転で回転させた状態で、処理室１１０に設けられた処理流体ノズル３０（リンスノズル３１）からリンス液（例えばＤＩＷ）を吐出する。また、第１副室１１１および第２副室１１２の洗浄液ノズル３７，３８からも洗浄液としてのリンス液を吐出する。

これにより、基板Ｗの表面に残留する薬液がリンス液により洗い流される。また、処理室１１０の内部空間に面している液処理ユニット１０の構成部品の表面も、リンスノズル３１から吐出されたリンス液、並びにローター１８および基板Ｗから飛散するリンス液により洗い流される。第１副室１１１および第２副室１１２の内部空間に面している液処理ユニット１０の構成部品の表面も、リンス液により洗い流される。処理室１１０および第１副室１１１および第２副室１１２内のリンス液（洗浄液）は、開閉弁Ｖ４が開かれた排液ライン１３６を介して廃棄される。

次に、リンスノズル３１および洗浄液ノズル３７，３８からのリンス液の供給を停止し、ローター１８例えば５００ｒｐｍ以下程度の中速で回転させ、これにより、ローター１８および基板Ｗに付着しているリンス液を振り切り除去する。基板Ｗに付着したリンス液の振り切りを行っている間、洗浄液ノズル３７，３８から洗浄液（リンス液）を吐出し続けてもよい。振り切りを省略して次工程に進んでもよい。

［乾燥工程（第１工程：乾燥前処理）］
次に、ローター１８の回転数を、例えば１０～２００ｒｐｍ程度の中速にする。また、処理流体ノズル３０（ガスノズル３３）から処理室１１０内に窒素ガス（不活性ガス）を供給する。また、排気ライン１４３を介して第１副室１１１および第２副室１１２を吸引し、これにより通気路１２７，１２８を介して処理室１１０を吸引し、処理室１１０内を窒素ガス雰囲気にする。

次に、乾燥用流体ノズル３２から以下のいずれかを吐出する。
（１）ＩＰＡミストもしくはＩＰＡ蒸気
（２）ＩＰＡミストと、ＳＭＤミスト若しくはＳＭＤ蒸気との混合流体
これにより、上記（１）（２）のいずれの場合においても、基板Ｗの表面特にパターンの凹部内にあるリンス液（ＤＩＷ）がＩＰＡに置換される。上記（２）の場合、さらに基板Ｗの表面特にパターンの凹部の表面が疎水化される。

［乾燥工程（第２工程：本乾燥処理）］
次に、処理流体ノズル３０（ガスノズル３３）からの窒素ガスの供給を継続したまま、 で乾燥用流体ノズル３２からのＩＰＡ（またはＩＰＡ＋ＳＭＤ）の吐出を停止し、本乾燥処理として、（Ａ）減圧乾燥、または（Ｂ）回転乾燥を行う。

（Ａ）減圧乾燥を行う場合には、排気ライン１４３を介した排気流量を調整する（例えば増加させる）ことにより、処理室１１０内の圧力を例えばゲージ圧で－２０ｋＰａ程度に減圧する。排気流量の調整は、排気ライン１４３にエゼクタまたは真空ポンプ等の吸引用機器が設けられている場合には、当該吸引用機器の吸引力を調節すればよい。また、排気ライン１４３にバタフライ弁等の流量調整機能を有する弁が設けられている場合には、当該弁の開度を調節すればよい。処理室１１０内を減圧した状態を５分程度継続することにより、ＩＰＡが蒸発し、パターンの凹部内を含めた基板Ｗの全表面が乾燥する。（Ａ）減圧乾燥を行う場合には、ローター１８の回転数を、乾燥前処理の実行中と同じに維持してもよいし、回転を停止してもよい。

（Ｂ）回転乾燥を行う場合には、ローター１８の回転数を増大させ、例えば１００～１０００ｒｐｍ程度の比較的高回転にする。この状態を５分程度継続することにより、基板Ｗ上のＩＰＡが振り切られるとともに蒸発し、パターンの凹部内を含めた基板Ｗの全表面が乾燥する。（Ｂ）回転乾燥は、処理室１１０内の圧力をゲージ圧で－２０ｋＰａ程度に減圧した状態で行ってもよい。つまり、（Ａ）減圧乾燥と（Ｂ）回転乾燥とを同時に行ってもよい。

以上により、１バッチ（例えば２５枚）の基板の処理が終了する。

［基板搬出工程］
次に、ガスノズル３３からの窒素ガスの供給を停止する。蓋部１４を貯留部１３から引き離すことを妨げないように、処理室１１０および第１副室１１１および第２副室１１２の内圧は、処理容器１２の外部の圧力とほぼ同じ常圧とすることが好ましい。このため、排気ライン１４３を介した第１副室１１１および第２副室１１２の吸引は一時的に停止することが好ましい。次に、蓋部開閉機構１５により蓋部１４を上昇させ、可動保持棒１８３を解放位置に移動させとともに図示しない基板保持構造物によりローター１８から基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、例えば元の基板搬送容器Ｃに収容される。

上記実施形態によれば、ローター１８により保持されて回転する複数の基板Ｗの下側部分を処理液（薬液）に浸漬させた状態でバッチ液処理を行っている。このため、面内均一性および面間均一性の高い液処理を行うことができる。

また、上記実施形態によれば、処理室１１０の内部が実質的に密閉された空間となっているため、処理室１１０の内部空間の雰囲気調整が容易である。処理室１１０の内部空間（処理液の液面より上方の空間）を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気にすることにより、例えば大気等の酸化性雰囲気が基板Ｗの表面あるいは処理液に悪影響を及ぼすことを防止することができる。

上記実施形態において、第１副室１１１および第２副室１１２は様々な有利な機能をもたらすが、第１副室１１１および第２副室１１２を省略し、処理容器１２が処理室１１０のみを有するように構成してもよい。この場合、例えば、処理容器１２の第１側壁１２１および／または第２側壁１２２の適当な高さ位置に、処理室１１０から下流側循環ライン５３に薬液を排出する循環用排出口を設けることができる。また、処理室１１０の天井部に、排気口（１４１，１４２）を設けて、処理室１１０内の雰囲気調整を行うことも可能である。

以下、液処理ユニット１０により実行される液処理および処理条件の例を示す。

＜例１＞
薬液処理の目的：チャネルのＰｏｌｙ－Ｓｉエッチング
薬液：ＴＭＡＨ、ＴＭ－Ｙ（コリン）、ＳＣ１等のアルカリ薬液
薬液温度：６０～８０℃
処理時間：～６０ｍｉｎ

＜例２＞
薬液処理の目的：Ｗ／ＴｉＮのＷエッチング（メタルエッチング）
薬液：ＰＡＮ（リン酸＋酢酸＋硝酸）
薬液温度：６０～８０℃
処理時間：～９０ｍｉｎ
（備考：薬液は有機酸（酢酸、蟻酸、シュウ酸）等のみでも可とする。）

＜例３＞
薬液処理の目的：ＳｉＮエッチング（ダミーワード抜き）
薬液：リン酸
薬液温度：１５０～１６５℃
処理時間：～３００ｍｉｎ

［処理容器の変形実施形態］
上記実施形態では、薬液処理中に、薬液循環機構５０を用いて処理室１１０、第１副室１１１および第２副室１１２を介して薬液を循環させたが、薬液は循環させなくてもよい。つまり、薬液処理工程の開始時に薬液ノズル２８から処理室１１０内に所定液位となるまで薬液を供給したら、当該薬液処理工程が終了するまで薬液ノズル２８からの薬液の供給は実質的に停止し（多少の補充は行ってもよい）、当該薬液処理工程が終了した後に、処理室１１０から薬液を排出し、リンス工程に移行してもよい。処理室１１０から排出された薬液は廃棄してもよいし、回収して再利用してもよい。

この場合、処理容器１２は、図６に示すように改変することができる。まず、第１仕切壁１２３および第２仕切壁１２４に第１回転軸２１および第２回転軸２２の外径より大きな内径を有する貫通孔１２５，１２６を設けることに代えて、第１側壁１２１および第２側壁１２２の回転軸貫通部に設けられていたラビリンスシール２５と同様のラビリンスシール２５Ｍを設ける。

図６に示す変形実施形態では、処理室１１０および第１副室１１１および第２副室１１２を介した薬液循環は行われない。このため、前述した薬液循環機構（薬液供給機構）５０に代えて、薬液ノズル２８に薬液を供給する薬液供給機構５０Ｍが設けられる。また、循環用排液口１３１，１３２は設けられない。その他の点は、図６に示す変形実施形態は、図１に示した実施形態の構成と実質的に同一の構成を有している。

図６の変形実施形態では、前述した実施形態と異なり、第１副室１１１および第２副室１１２には、少量の液体が処理室１１０から第１副室１１１および第２副室１１２へと流入するのみである。具体的には、処理室１１０から第１副室１１１および第２副室１１２へは通気路１２７，１２８を介して液体のミストが流入することがある。また、処理室１１０内の液位を例えば第１回転軸２１および第２回転軸２２の高さ位置よりも高くして処理を行った場合には、ラビリンスシール２５Ｍのところで処理室１１０内の液体が第１副室１１１および第２副室１１２内へと若干リークすることがある。この変形実施形態では、第１副室１１１および第２副室１１２の主な役割は通気路１２５，１２６を介した処理室１１０の雰囲気制御および／または圧力制御である。

［複数種の薬液を用いる変形実施形態］
上記実施形態では、使用する薬液は１種類であったが、これに限定されず、２種類以上の薬液を用いて液処理を行ってもよい。この場合、１回目の薬液処理工程を行った後に、１回目のリンス工程を行い、その後に（乾燥工程に移行せずに）２回目の薬液処理工程および２回目のリンス工程を行い、さらにその後に乾燥工程に移行すればよい。

以下に、２種類の薬液として酸性薬液およびアルカリ系薬液を用いて液処理を行うことができる液処理ユニット１０について図７を参照して説明する。図７に示した構成と図１に示した構成との差異について以下に簡単に説明する。

酸性薬液循環機構５０Ａとアルカリ性薬液循環機構５０Ｂの２つの循環機構が設けられる。これらの循環機構５０Ａ、５０Ｂに設けられた開閉弁を適宜切り替えることにより、循環機構５０Ａ、５０Ｂの一方の薬液が、薬液ノズル２８、処理室１１０、第１副室１１１、第２副室１１２を介して循環し（前述した「通常循環」に相当）、循環機構５０Ａ、５０Ｂの他方の薬液はバイパスライン（５７Ａまたは５７Ｂ）を通って循環する（前述した「待機循環」に相当）ようにすることができる。「５０＋Ｎ」（Ｎは一桁の自然数）の数字の後に「Ａ」が付けられた部材は酸性薬液循環機構５０Ａに関連する部材であり、「Ｂ」が付けられた部材はアルカリ性薬液循環機構５０Ｂに関連する部材である。末尾のアルファベット（Ａ，Ｂ）が付けられた５０番台の参照符号（例えば５１Ａ）が付けられた部材は、図１においてアルファベット（Ａ，Ｂ）無しの５０番台の参照符号（例えば５１Ａ）が付けられた部材と同じ役割を果たす部材である。

排液ライン１３６が、半導体製造工場の排液管路と、酸性薬液循環機構５０Ａの下流側循環ライン５３Ａと、アルカリ性薬液循環機構５０Ｂの下流側循環ライン５３Ｂに選択的に接続することができるようになっている。この目的のために、排液ライン１３６、下流側循環ライン５３Ａ，５３Ｂに開閉弁が設けられている。

詳細には、排液ライン１３６の下流側端部は、ドレインボックスを介して、半導体製造工場の酸性排液用管路およびアルカリ性排液用管路のうちのいずれか一方に選択的に接続できるようになっている。ドレインボックスの上流側において、排液ライン１３６が、酸性薬液循環機構５０Ａの下流側循環ライン５３Ａと、アルカリ性薬液循環機構５０Ｂの下流側循環ライン５３Ｂに接続されている。排液ライン１３６、下流側循環ライン５３Ａ，５３Ｂに開閉弁が設けられており、これら開閉弁を適宜切り替えることにより、排液ライン１３６を、半導体製造工場の排液管路、下流側循環ライン５３Ａおよび下流側循環ライン５３Ｂのいずれか一つに選択的に連通させることができるようになっている。

下流側循環ライン５３Ａおよび下流側循環ライン５３Ｂから回収ライン５３Ａ１，５３Ｂ１がそれぞれ分岐しており、回収ライン５３Ａ１，５３Ｂ１には酸回収タンク５３Ａ２およびアルカリ回収タンク５３Ｂ２が介設されている。回収ライン５３Ａ１（５３Ｂ１）は、酸性薬液循環機構５０Ａ（アルカリ性薬液循環機構５０Ｂ）内を薬液が循環していないときに第１副室１１１、第２副室１１２から排出された薬液を廃棄せずに酸回収タンク５３Ａ２（アルカリ回収タンク５３Ｂ２）に一時的に貯留するために用いることができる。酸回収タンク５３Ａ２（アルカリ回収タンク５３Ｂ２）に貯留された薬液は適当なタイミングで酸性薬液循環機構５０Ａ（アルカリ性薬液循環機構５０Ｂ）のタンク５１Ａ（５１Ｂ）に戻すことができる。

排気ライン１４３には、排気中に含まれる水分（ミスト等）を排気（ガス）から分離する排気ボックス１４４が介設されている。排気ボックス１４４の下流側において、排気ライン１４３は、酸排気用のライン（これは半導体製造工場の酸排気用ダクト（Ａｃ－ＥＸＨ）に接続される）、アルカリ排気用のライン（これは半導体製造工場のアルカリ排気用ダクト（Ａｌ－ＥＸＨ）に接続される）および有機排気用（これは半導体製造工場の有機排気用ダクト（Ｏｒ－ＥＸＨ）に接続される）のラインに分岐している。排気ボックス１４４のところで排気ライン１４３から分岐する排液ライン１４５は、酸排液用のライン（これは半導体製造工場の酸排液用管路（Ａｃ－ＤＲ）に接続される）、アルカリ排液用のライン（これは半導体製造工場のアルカリ排液用管路（Ａｌ－ＤＲ）に接続される）および有機排液用（これは半導体製造工場の有機排液用管路（Ｏｒ－ＤＲ）に接続される）のラインに分岐している。上記各ラインに介設された開閉弁を適宜切り替えることにより、排気および排液は、当該排気および排液の種類に応じた排出先に排出される。

図７に示した処理容器１２の底部には、図１の処理容器１２とは異なり、循環専用の排液口１３１，１３２は設けられていない。図７に示した処理容器１２の蓋部１４および蓋部１２に設けられた各種構成要素は、図１に示した蓋部に設けられたものと同じであり、重複説明は省略する。

［基板処理システムの全体構成］
次に、複数の液処理ユニット１０が組み込まれた基板処理システム７０について図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃを参照して説明する。図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃの関係を理解しやすくするためにＸＹＺ直交座標系を設定し、各図に記載した。Ｚ方向は鉛直方向であり、ＸＹ平面は水平面である。図８Ｂは図８Ａ中のVIIIB方向から見た背面図であり。図８Ｂは図８Ａ中のVIIIC方向から見た側面図である。

基板処理システム７０は、容器搬出入部（ロードポート）７１と、容器保管部７２と、処理部７３とを備えている。

容器搬出入部７１には、複数例えば２５枚の基板Ｗを収容する基板搬送容器Ｃ例えばＦＯＵＰを載置することができる複数の容器載置台７１１が設けられている。容器載置台７１１はＹ方向に等間隔で並んでいる。

容器保管部７２には、複数の容器載置台７２１が設けられている。容器搬出入部７１と容器保管部７２との間には隔壁７４があり、容器保管部７２と処理部７３との間にも隔壁７４がある。容器保管部７２に面する隔壁７４、７５にはそれぞれ、複数の容器載置台７２１が多段多列に設けられている。隔壁７４には、容器載置台７２１にそれぞれ対応する位置にシャッタ（図示せず）が設けられ、シャッタを開くことにより、容器載置台７２１上にある基板搬送容器Ｃを容器保管部７２内に搬入することができる。

容器保管部７２内には、容器保管部７２内にある任意の容器載置台７２１上の基板搬送容器Ｃにアクセスできる容器搬送ロボット（容器搬送機構）７２２が設けられている。容器搬送ロボット７２２は、容器搬出入部７１の容器載置台７１１上に載置されている基板搬送容器Ｃに直接アクセスできるようになっていてもよい。これに代えて、容器載置台７１１がＸ方向に移動して容器保管部７２内に侵入することができるようになっていてもよく、この場合、容器搬送ロボット７２２が容器保管部７２内に侵入した容器載置台７１１との間で基板搬送容器Ｃの受け渡しを行うことができる。

処理部７３内には、１つの基板搬送ロボット７６（基板搬送機構）と、ピッチ変換機能を有する１または複数（図８Ａ～図８Ｃの例では全部で４つ）の移載機構７７が設けられている。

基板搬送ロボット７６は、例えば多関節ロボットとして構成することができる。基板搬送ロボット７６のアームの先端には、エンドエフェクタとして、複数（例えば２５枚）の基板Ｗを一括して保持することができる基板保持具７６１が設けられている。 詳細な図示は省略するが、基板保持具７６１は、例えばフォークなどと呼ばれる複数（２５枚）の二股の基板保持要素から構成することができる。これら複数の基板保持要素は、水平姿勢で互いに平行に鉛直方向に等間隔（ピッチＰ２）で並べられている。各基板保持要素は、基板Ｗを真空吸着するバキュームチャックとして構成されていてもよいし、例えば複数の把持爪により基板Ｗを保持するメカニカルチャックとして構成されていてもよい。上記のような基板保持具７６１は当該技術分野において周知であり、詳細な説明は省略する。

隔壁７５側に設けられたある特定の１つの（１つ以上であってもよい）容器載置台７２１に対応する位置に、シャッタ（図示せず）および蓋開閉機構（図示せず）が設けられている。この特定の容器載置台を、他と区別するため「容器載置台７２１Ｓ」とも呼ぶこととする。特定の容器載置台７２１Ｓに載置された基板搬送容器Ｃの蓋が図示しない蓋開閉機構により取り外されかつ図示しないシャッタが開かれると、基板搬送ロボット７６の基板保持具７６１が、基板搬送容器Ｃ内の基板Ｗを一括して取り出すことができる。

基板搬送容器Ｃ内には、複数の基板Ｗが水平姿勢で鉛直方向に第２の等ピッチ（上記のピッチＰ２に等しい）で並んだ状態で格納されている。基板搬送ロボット７６は、基板搬送容器Ｃから一括して取り出した複数の基板Ｗを、配列ピッチを変更すること無く姿勢変換して、鉛直姿勢で水平方向に第２の等ピッチで（つまり同じピッチＰ２で）並んだ状態にすることができる。基板搬送ロボット７６は、鉛直姿勢で水平方向に第２の等ピッチで並んだ複数の基板Ｗを移載機構７７に渡すことができる。

移載機構７７は、基板搬送ロボット７３１から受け取った基板Ｗの配列ピッチを、液処理ユニット１０のローター１８が保持するのに適したピッチである前述したピッチＰ１に変換してローター１８に渡す機能を有している。一般的にはピッチＰ１＜ピッチＰ２であるがこれには限定されない。

図９に示すように、移載機構７７は、ピッチ変換ユニット７７１を有する。ピッチ変換ユニット７７１は、ベース部材７７１ａと、ベース部材７７１ａ上にスライド可能に設けられた複数（例えば２５個の）のチャック７７１ｂと、チャック７７１ｂ同士の間隔を変更するピッチチェンジ機構７７１ｃとを有している。ピッチチェンジ機構７７１ｃでピッチ変換が行われるときに、通常は、中央のチャック７７１ｂは不動であるかほぼ不動であり、その他のチャック７７１ｂは中央のチャック７７１ｂに対して接離するように移動し、中央のチャック７７１ｂから遠いチャックほど大きく移動する。但し、チャック７７１ｂの動き方はこれには限定されない。

ピッチチェンジ機構７７１ｃとして様々なタイプ、例えばカム式、エアシリンダ式、レージトング（lazy tongue、多連式の平行パンタグラフリンク）式のものが既に公知であり、ピッチチェンジャー、ピッチ変更機構、ピッチ変更ユニット等の名称で商業的に入手可能である。公知のピッチチェンジ機構の大半は、ピッチサイズに関わらず、複数のスライダが常に等間隔に配列された状態を維持するように構成されている。以下、図示はしないがピッチチェンジ機構７７１ｃについて簡単に説明しておく。カム式のピッチチェンジ機構は、電気モータにより回転するカム軸を回転させることにより、カム軸のカム溝に係合した複数のスライダの間隔（ピッチ）が変化するように構成されている。この場合、各チャック（７７１ｂ）は、各スライダに固定されるか、各スライダと一体に形成される。エアシリンダ式のピッチチェンジ機構は、水平方向に延びるガイドレールに沿って移動可能な複数のスライダと、エアシリンダにより上下動するプレートとを有する。プレートには下方に向かうに従って間隔が広がる複数のガイド溝が形成されており、各ガイド溝に各スライダと一体のガイドピンがスライド可能に係合する。エアシリンダによりプレートを上下動させることにより、スライダがガイドレールに沿って水平方向に変位して、これによりスライダのピッチが変化する。

図９および図１０に示すように、各チャック７７１ｂは、基板Ｗの裏面（デバイスが形成されていない面）の周縁部の一部を真空吸着するバキュームチャックとして形成することができる。図１０には、円弧状の吸着領域が符号７１１ｄにより示されている。各チャック７７１ｂには、例えばフレキシブルチューブを介して真空ポンプから吸引力を供給することができる。

図９および図１２に概略的に示されるように、移載機構７７は、ピッチ変換ユニット７７１を移動させる移動機構７７２を有している。移動機構７７２は、図８および図９に概略的に示すように、Ｙ方向ガイドレールとして機能する横方向ガイドレール７７３と、横方向ガイドレール７７３に沿ってＹ方向に移動可能に設けられ、かつＺ方向ガイドレールとして機能する縦方向ガイドレール７７４と、縦方向ガイドレール７７４をＹ方向ガイドレールに沿って移動させる図示しないＹ方向駆動機構と、縦方向ガイドレール７７４に沿ってＺ方向に移動可能に設けられた支持台７７６と、支持台７７６を縦方向ガイドレール７７４に沿ってＺ方向に移動させる図示しないＺ方向駆動機構とを有する。

移動機構７７２は、基板搬送ロボット７６とピッチ変換ユニット７７１との間での基板Ｗの受け渡し位置である第1受け渡し位置（図８Ａに示す位置）と、ピッチ変換ユニット７７１とローター１８との基板Ｗの受け渡し位置である第２受け渡し位置（図８Ｅに示す位置）との間で、ピッチ変換ユニット７７１を移動させることができる

移載機構７７は、ピッチ変換ユニット７７１の姿勢を変換する姿勢変更機構７７８を有している。姿勢変更機構７７８は、ピッチ変換ユニット７７１のベース部材７７１ａを支持台７７６に連結するとともにベース部材７７１ａをＹ方向（水平方向）軸線７７５周りに旋回させる旋回機構により構成されている。旋回機構は、例えばステッピングモータあるいはサーボモータ等を備える。

姿勢変更機構７７８を動作させることにより、ピッチ変換ユニット７７１は第１姿勢および第２姿勢をとることができる。第１姿勢では、ピッチ変換ユニット７７１により保持されている複数の基板Ｗがピッチ変換ユニット７７１の上方に位置する。第２姿勢では、ピッチ変換ユニット７７１により保持されている複数の基板Ｗがピッチ変換ユニット７７１の下方に位置する。第２姿勢では、ピッチ変換ユニット７７１により保持された基板Ｗが、チャック７７１ｂにより吸着されて吊り下げられたような状態となる。

移載機構７７は、ピッチ変換ユニット７７１が第２姿勢で基板Ｗを保持しているときに、不測の事故により基板Ｗがチャック７７１ｂから脱落することを防止するためのストッパ７８２を有している。ピッチ変換ユニット７７１のベース部材７７１ａに固定された支持部材７８３に、図示しない電気回転モータ等の駆動手段により回動軸線７８５の周りに旋回可能な旋回アーム７８４が設けられている。ストッパ７８２は、旋回アーム７８４に取り付けられており、図９に示す落下防止位置と、図９に示す落下防止位置から例えば１８０度旋回した退避位置との間で旋回可能である。落下防止位置にあるストッパ７８２は、ピッチ変換ユニット７７１により保持された基板Ｗに接しているか、あるいは微小隙間を空けて基板Ｗの周縁の近くにある。後述するピッチ変換ユニット７７１と基板搬送ロボット７３１との間での基板Ｗの受け渡し、およびピッチ変換ユニット７７１とローター１８との間での基板Ｗの受け渡しの妨げとならない限り、退避位置は他の位置（例えば落下防止位置から１２０度程度旋回した位置）であっても構わない。

次に、移載機構７７に関連する作用について図１１および図１２を参照して説明する。

基板搬送ロボット７６が前述した特定の容器載置台７２１Ｓから複数の基板Ｗを一括して取り出し、基板Ｗの姿勢を水平姿勢から鉛直姿勢に姿勢変換した後に、第１受け渡し位置に位置しているピッチ変換ユニット７７１のチャック７７１ｂのところに位置させる。ピッチ変換ユニット７７１は各チャック７７１ｂにより各基板Ｗを真空吸着する。次いで、基板搬送ロボット７６が基板Ｗを解放する。なお、上記の過程において、基板搬送ロボット７６はピッチ変換機能を有していないので、基板Ｗの配列ピッチはピッチＰ２のままである。このときの状態が図１１および図１２（Ａ）に概略的に示されている。

次に、図１２（Ｂ）に示すように、ピッチチェンジ機構７７１ｃを動作させることにより、基板Ｗの配列ピッチをピッチＰ２からピッチＰ１（ローター１８の基板保持ピッチ）へと変更する。

次に、図１２には図示されていないストッパ７８２を落下防止位置に位置させ、図１２（Ｃ）に示すように、移載機構７７の姿勢変更機構７７８を動作させることにより、ピッチ変換ユニット７７１の姿勢を第１姿勢から第２姿勢へと変化させる。つまり、基板Ｗは、ピッチ変換ユニット７７１により吊り下げられた状態となる。

次に、図１２（Ｄ）に示すように、ピッチ変換ユニット７７１およびこれに保持された基板Ｗを、液処理ユニット１０の貯留部１３の真上の位置（第２受け渡し位置の真上の位置）まで移動させる。なお、このとき既に、液処理ユニット１０の蓋部１４は、既に貯留部１３から上方に離れて開放位置に位置し、ピッチ変換ユニット７７１および基板Ｗの移動を妨げないような位置に位置している。なお、ピッチ変換ユニット７７１の姿勢は、ピッチ変換ユニット７７１が貯留部１３の真上の位置に到達した後に第１姿勢から第２姿勢に変化させてもよい。

次に、図１２（Ｅ）に示すように、ピッチ変換ユニット７７１および基板Ｗをローター１８の高さ位置（すなわち第２受け渡し位置）まで降下させて、基板Ｗを液処理ユニット１０のローター１８の固定保持棒１８２の保持溝により保持させる。なお、このとき既に、ローター１８の可動保持棒１８３は解放位置に移動しており、上記の基板Ｗの下降を妨げないようになっている。ローター１８は、基板Ｗの受け渡しに適した角度位置（２つの可動保持棒１８３が、互いに同じ高さ位置にあり、かつ、固定保持棒１８２より上方に位置する角度位置）に位置決めされている。次いで、可動保持棒１８３を保持位置に移動させる。これにより、ローター１８が基板Ｗをしっかりと保持するようになる。

その後、基板Ｗを解放したピッチ変換ユニット７７１を上昇させ、ローター１８の近傍の位置から退避させる。次いで、液処理ユニット１０の蓋部１４が貯留部１３に係合する。以上により、液処理ユニット１０への基板Ｗの搬入が終了する。

その後、液処理ユニット１０内で前述した手順に従い液処理が行われる。液処理ユニット１０内での基板Ｗの液処理が終了したら、搬入時と逆の手順で、基板が移載機構７７によりローター１８から取り出される。

すなわち、蓋部１４を開放位置に移動させ、可動保持棒１８３を解放位置に移動させる。次に、ピッチ変換ユニット７７１を第２受け渡し位置に移動させ、固定保持棒１８２により保持されている基板Ｗをピッチ変換ユニット７７１のチャック７７１ｂにより吸着する。次に、ピッチ変換ユニット７７１を上昇させ、さらに第１受け渡し位置に移動させ、さらに姿勢変更機構７７８を動作させることにより、ピッチ変換ユニット７７１の姿勢を第１姿勢とする。次いで、ピッチチェンジ機構７７１ｃを動作させることにより、基板Ｗの配列ピッチをピッチＰ１からピッチＰ２へと変更する。次に、基板搬送ロボット７６がピッチ変換ユニット７７１に保持された基板Ｗを取り出し、前述した特定の容器載置台７２１Ｓに載置されていた空の基板収納容器Ｃ（好ましくは元の基板収納容器Ｃ）に搬入する。

次に、基板処理システム７０の構成例について説明する。各例において、容器搬出入部（ロードポート）７１および容器保管部７２の構成は実質的に同じでよい。各例において、処理部７３の構成が互いに異なる。

＜第１構成例＞
第１構成例は、図８Ａ～図８Ｂに示された構成である。第１構成例において、処理部７３は、液処理ユニット１０および移載機構７７が配置される第１領域７３Ａと、基板搬送ロボット７６が配置される第２領域７３Ｂとを有する。第１領域７３Ａは上側の第１層７３Ａ１および下側の第２層７３Ａ２からなる二層構造となっている。第１層７３Ａ１には、２つの液処理ユニット１０および２つの移載機構７７が配置されている。１つの液処理ユニット１０に対して１つの移載機構７７が配置されている。第２層７３Ａ２にも、第１層７３Ａ１と同様の配置形態で２つの液処理ユニット１０および２つの移載機構７７が設けられている。

第２領域７３Ｂには１つの基板搬送ロボット７６が配置されている。この１つの基板搬送ロボット７６は、前述した特定の容器載置台７２１Ｓに載置された基板搬送容器Ｃに対して基板Ｗの搬出入を行うことができ、かつ、第１層７３Ａ１にある２つの移載機構７７および第２層７３Ａ２にある２つの移載機構７７の全てに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、上側の第１層７３Ａ１に配置された移載機構７７と基板搬送ロボット７６との間での基板Ｗの受け渡しは、移載機構７７のピッチ変換ユニット７７１をＺ方向移動機構７７４により下限位置に位置させた状態で行うことが好ましい。また、下側の第２層７３Ａ１２配置された移載機構７７と基板搬送ロボット７６との間での基板Ｗの受け渡しは、移載機構７７のピッチ変換ユニット７７１をＺ方向移動機構７７４により上限位置に位置させた状態で行うことが好ましい。そうすることにより基板搬送ロボット７６の上下方向の動作範囲を小さくすることができる。

第１領域７３Ａと第２領域７３Ｂとの間に隔壁が設けられていてもよい。この場合、当該隔壁にシャッタにより閉鎖される窓を設け、この窓を介して基板搬送ロボット７６が各移載機構７７に対して基板Ｗの受け渡しを行ってもよい。

１つの移載機構７７と当該１つの移載機構７７が基板Ｗの移載およびピッチ変換を受け持つ１つ以上の液処理ユニット１０の組を「処理単位」と呼ぶ。この第１構成例では、１つの移載機構７７と１つの液処理ユニット１０により１つの処理単位が構成されている。第１層７３Ａ１に２つの処理単位が設けられ、第２層７３Ａ２に２つの処理単位が設けられている。

＜第２構成例＞
図１３に示す第２構成例では、処理部７３の第１層７３Ａ１には、２つの液処理ユニット１０および１つの移載機構７７が配置され、第２層７３Ａ２にも、第１層７３Ａ１と同様の配置形態で２つの液処理ユニット１０および１つの移載機構７７が設けられている。つまり、この第２構成例では、各層（７３Ａ１，７３Ａ２）において、１つの移載機構７７が２つの液処理ユニット１０の両方との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。言い換えると、１つの移載機構７７と１つの液処理ユニット１０により１つの処理単位が構成されている。

このため、１つの移載機構７７は、横方向ガイドレール７７３を横方向ガイドレール７７３と直交する水平方向（Ｘ方向）に案内する水平方向ガイドレール７７９と、水平方向ガイドレール７７９に沿って横方向ガイドレール７７３を移動させる図示しないＸ方向駆動機構とをさらに備えている。その他の点において、第２構成例の構成は第１構成例の構成と同じである。第２構成例では、第１構成例と比較して基板搬送ロボット７６の水平方向の動作範囲を小さくすることができる。

＜第３構成例＞
図１４および図１５に示す第３構成例では、ピッチ変換ユニット７７１を移動させるとともにピッチ変換ユニット７７１の姿勢変換を行う機能が多関節ロボット７７７により提供されている。この場合、基板処理システム１は、ピッチ変換ユニット７７１および多関節ロボット７７７のセットにより唯一の移載機構７７が構成されていることになる。この場合、移載機構７７は、液処理ユニット１０が配置される第１領域７３Ａではなく、基板搬送ロボット７６が配置される第２領域７３Ｂに配置することができ、この場合、第２領域７３Ｂ内において、基板搬送ロボット７６と移載機構７７との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。移載機構７７は、第１層７３Ａ１にある２つの液処理ユニット１０および第２層７３Ａ２にある２つの液処理ユニット１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。つまり、１つの移載機構７７と４つの液処理ユニット１０により１つの処理単位が構成されている。なお、図１４は図８Ａと同様の視点から基板処理システムを見た図であり、図１５は図８Ｃと同様の視点から基板処理システムを見た図である。

＜第４構成例＞
図１６に示す第４構成例では、第１構成例の構成に加えて、処理部７３は、別の液処理ユニット１０および別の移載機構７７が配置される追加領域７３Ａ’をさらに有している。追加領域７３Ａ’は、第１領域７３Ａと同様に、上側の第１層および下側の第２層からなる二層構造を有しており、これらの第１層および第２層には、液処理ユニット１０および移載機構７７を配置することがえきる。第２領域７３Ｂにある基板搬送ロボット７６は、第１領域７３Ａおよび追加領域７３Ａ’にある全ての移載機構７７と基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

＜第５構成例＞
図１７に示す第５構成例では、第４構成例の構成に加えて、第４構成例とは別の位置に、第４構成例の追加領域７３Ａ’と同様の構成および機能を有する別の追加領域７３Ａ”を配置している。この第５構成例においても、第２領域７３Ｂにある基板搬送ロボット７６は、第１領域７３Ａ、追加領域７３Ａ’ および追加領域７３Ａ”にある全ての移載機構７７と基板Ｗの受け渡しを行うことができる。この第５構成例では、追加領域７３Ａ’の空いたスペースにケミカルボックス（タンク等を含む薬液供給部）が設けられている。なお、第５構成例から追加領域７３Ａ’を取り除いた構成を採用することもできる。

第１構成例～第５構成例のいずれにおいても、基板搬送ロボット７６から基板Ｗを受け取ったピッチ変換ユニット７７１は、他の基板保持部材ないし基板保持構造物を経由することなく、直接的に液処理ユニット１０のローター１８に基板を渡すようになっている。このため、基板処理システムの構成要素の数を減らすことができる。例えば、従来技術に係る一構成例においては、基板収納容器から基板を取り出した基板搬送ロボット（第１の基板搬送機構）がピッチチェンジャーに基板を渡し、ピッチチェンジャーが別の基板搬送ロボット（第２の基板搬送機構）に基板を渡し、当該別の基板搬送ロボットが処理容器ないし処理槽内で基板を保持する基板ホルダに基板を渡している。上記実施形態では、ピッチチェンジャー機能と基板搬送ロボット機能を有するよう統合化された移載装置を用いているため、受け渡しに伴う工数が削減されて効率的な搬送が実現される。また、受け渡し時に生じ得る基板の損傷またはパーティクルの発生といった不具合が発生する確率も低くすることができる。また装置レイアウトの自由度が向上する。

上記の利点は、液処理ユニット１０内において複数の基板を保持する基板保持部（基板ホルダ）が回転するタイプのものでなくても達成することができる。つまり、基板保持部が、処理槽内で複数の基板を実質的に静止状態で保持するウエハボートなどと呼ばれる非回転タイプのものであってもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１８ 基板保持部
７２１ 容器載置部
７６ 基板搬送装置
７７ 移載機構
７７１ ピッチ変換ユニット
７７２ 移動機構

Claims (12)

1. 複数の基板を、少なくとも当該複数の基板が処理される場所で、互いに平行に第１の等ピッチで保持する基板保持部と、
   複数の基板を互いに平行に前記第１の等ピッチと異なる第２の等ピッチで収納する基板収納容器を載置する容器載置部と、
   前記容器載置部に載置された基板収納容器から複数の基板を一括して取り出すことができるように構成された基板搬送装置と、
   前記基板搬送装置から前記第２の等ピッチで並んだ複数の基板を受け取り、受け取った複数の基板の間隔を前記第２の等ピッチから前記第１の等ピッチに変換し、ピッチが変換された複数の基板を前記基板保持部に渡すように構成された移載機構と、を備え、
   前記移載機構は、
   各々が１枚の基板を保持するように構成された複数のチャックと、前記チャック同士の間隔を少なくとも前記第１の等ピッチと前記第２の等ピッチとの間で変更し得るように構成されたピッチチェンジ機構と、を有するピッチ変換ユニットと、
   前記ピッチ変換ユニットを、前記基板搬送装置と前記ピッチ変換ユニットとの間での基板の受け渡し位置である第1受け渡し位置と、前記ピッチ変換ユニットと前記基板保持部との間での基板の受け渡し位置である第２受け渡し位置との間で移動させ得るように構成された移動機構と、
   を有している
   基板処理装置。
2. 前記基板保持部を収容する処理容器をさらに備え、前記第２受け渡し位置は、前記処理容器内の位置である、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記移動機構は、前記ピッチ変換ユニットを水平方向の少なくとも１方向に移動させる水平移動部と、前記ピッチ変換ユニットを鉛直方向に移動させる昇降部とを有し、基板を保持した前記ピッチ変換ユニットが前記水平移動部により前記基板保持部の上方に移動し、その後、前記ピッチ変換ユニットが前記昇降部より前記基板保持部のところまで下降し、その後、前記ピッチ変換ユニットから前記基板保持部に基板が渡される、請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記各チャックは、１枚の基板の周縁部の一部を吸着することに当該基板を保持するバキュームチャックとして形成され、
   前記移載機構は、前記ピッチ変換ユニットにより保持されている複数の基板が前記ピッチ変換ユニットの上方に位置している第１姿勢と、前記ピッチ変換ユニットの各チャックに吸着されることにより保持されている前記複数の基板が前記ピッチ変換ユニットの下方に位置している第２姿勢との間で前記ピッチ変換ユニットの姿勢を変更する姿勢変更機構をさらに有し、
   前記第２受け渡し位置において、前記第２姿勢となっている前記ピッチ変換ユニットから前記基板保持部に前記複数の基板が渡される、請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記ピッチ変換ユニットを前記第１姿勢から前記第２姿勢に移行させるときに前記ピッチ変換ユニットのチャックにより吸着されている基板の落下を防止するためのストッパをさらに備えた、請求項４記載の基板処理装置。
6. 複数の処理ユニットであって、各々が、前記基板保持部と、前記基板保持部を収容する前記処理容器とを備えている前記複数の処理ユニットと、
   １つ以上の前記移載機構と、
   を備え、
   前記１つ以上の移載機構の各々が、前記複数の処理ユニットのうちの１つ以上で処理される基板の移載およびピッチ変換を行う、
   請求項２、または請求項２に従属する請求項３から請求項５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記１つ以上の移載機構の各々が、前記複数の処理ユニットのうちの水平方向に並んだ２つ以上の処理ユニットで処理される基板の移載およびピッチ変換を行うように設けられ、
   前記移載機構は、前記ピッチ変換ユニットを前記水平方向に並んだ２つ以上の処理ユニットの配列方向に沿っても移動させることができるように構成されている、請求項６記載の基板処理装置。
8. 上下方向に積層された複数の処理層を備え、
   各処理層に１つ以上の処理単位が設けられ、
   前記処理単位とは、前記１つ以上の移載機構のうちの１つと、この１つの移載機構により基板の移載およびピッチ変換が行われる１つ以上の前記処理ユニットの組を意味する、
   請求項６または請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記複数の処理ユニットは、第１の高さ位置にある第１層に配置された少なくとも１つの処理ユニットと、第２の高さ位置にある第２層に配置された少なくとも１つの処理ユニットとを含み、
   前記１つ以上の移載機構のうちの１つが、第１層に配置された処理ユニットで処理される基板および第２層に配置された処理ユニットで処理される基板の移載およびピッチ変換を行うように設けられ、
   前記移載機構は、前記ピッチ変換ユニットを、前記第１層および前記第２層の両方に移動させることができるように構成されている、請求項６記載の基板処理装置。
10. 請求項１に記載の基板処理装置を用いて行われる基板処理方法であって、
    前記基板搬送装置により、前記基板収納容器から複数の基板を一括して取り出して、前記移載機構の前記ピッチ変換ユニットに渡す工程と、
    前記ピッチ変換ユニットにより前記複数の基板の配列ピッチを第２のピッチから第１のピッチに変更するピッチ変換工程と、
    前記ピッチ変換ユニットから前記基板保持部に基板を渡す基板受け渡し工程と、
    前記基板保持部により保持された基板に液処理を行う工程と、
    を備えた基板処理方法。
11. 前記移載機構の前記各チャックは、各基板の周縁部の一部を吸着することに当該基板を保持するバキュームチャックとして形成され、
    前記ピッチ変換工程の後に、前記ピッチ変換ユニットの前記各チャックが前記基板を吸着した状態で、前記基板が前記ピッチ変換ユニットの上方に位置している第１姿勢から、前記ピッチ変換ユニットの各チャックに吸着されることにより保持されている前記基板が前記ピッチ変換ユニットの下方に位置している第２姿勢へと前記ピッチ変換ユニットの姿勢を変更する姿勢変更工程をさらに備え、
    前記姿勢変更工程の後に、前記第２姿勢の前記ピッチ変換ユニットを少なくとも下降させることにより前記基板保持部のところまで移動させ、その後に前記基板受け渡し工程が行われる
    請求項１０記載の基板処理方法。
12. 前記姿勢変更工程の開始前に、前記ピッチ変換ユニットにより保持されている基板の落下を防止するためのストッパを所定の落下防止位置にセットする工程をさらに備えた、請求項１１記載の基板処理方法。

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