JP2022071641A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所定方向の磁場を高精度に検出可能であり、低背化が可能な磁気センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂層と、所定方向の磁場を検出する磁気抵抗効果部とを備える磁気センサであって、磁気抵抗効果部は、第１方向の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、第１方向は、樹脂層の第１面に直交する方向であり、樹脂層の第１面には、第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面が形成され、第１磁気抵抗効果部が、傾斜面に設けられている。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、磁気センサ及びその製造方法に関する。

従来、所定の方向の磁場を検出する磁気センサとしては、例えば、磁気抵抗効果素子やホール素子等の磁気検出素子の感磁方向を、検出すべき磁場（被検出磁場）の磁場方向に一致させるように当該磁気検出素子が基板に設けられているものが知られている。各被検出磁場の磁場方向と各磁気検出素子の感磁方向とを一致させることにより、所定の方向の磁場を検出することが可能になる。

特許文献１には、相互に直交する３軸（Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸）方向の磁場を検出する磁気センサとして、フレキシブル基板上にホール素子を少なくとも３つ有し、当該フレキシブル基板を折り曲げることで、それぞれのホール素子がＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の磁場を検出できるような３軸磁気センサが開示されている。また、特許文献２には、半導体基板の主面側にホール素子が形成されたホール素子形成部と、半導体基板の裏面に配置され、半導体基板及びホール素子形成部を保持する台座を有し、当該台座が、半導体基板の保持面に対して斜め方向にある斜面を有し、ホール素子形成部が、斜面に保持されている磁気検出装置が開示されている。

特開２００４－１６５３６２号公報 特開２００５－２２３２２１号公報

特許文献１に開示の３軸磁気センサにおいては、フレキシブル基板を折り曲げることで、３つのホール素子が、それぞれ、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の磁場を検出できる。一方で、上記従来の３軸磁気センサにおいては、フレキシブル基板を折り曲げることにより３つのホール素子が所定の方向の磁界を検出することが可能となるが、磁気センサの低背化が要求される中、フレキシブル基板を折り曲げる角度は、各ホール素子が各３方向の磁場を検出することができる角度に一意的に決まってしまうため、折り曲げたフレキシブル基板の大きさにより磁気センサのサイズが一意的に決まってしまい、磁気センサのさらなる低背化を進めるのが困難となる。

特許文献２における磁気検出装置は、台座に斜面を形成し、ホール素子形成部を斜面に保持することにより、ホール素子が配置される斜面の面方位方向にある磁界成分を検出することができる。一方で、半導体基板からなる台座に斜面を形成するには、ウエハプロセスにおいて、斜面を形成することになるが、その後のフォトレジストを塗布する際に、不均一性が増し、歩留まりが悪化するおそれがあり、半導体基板からなる台座に斜面を形成することは困難である。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、所定方向の磁場を高精度に検出可能であり、低背化が可能な磁気センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂層と、所定方向の磁場を検出する磁気抵抗効果部とを備え、前記磁気抵抗効果部は、第１方向の前記磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、前記第１方向は、前記樹脂層の前記第１面に直交する方向であり、前記樹脂層の前記第１面には、前記第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面が形成され、前記第１磁気抵抗効果部が、前記傾斜面に設けられていることを特徴とする磁気センサを提供する。

前記磁気抵抗効果部は、第２方向の前記磁場を検出する第２磁気抵抗効果部をさらに含み、前記第２方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であり、前記樹脂層の前記第１面には、１つの前記傾斜面が形成されており、前記第１磁気抵抗効果部及び前記第２磁気抵抗効果部が、前記１つの傾斜面に設けられていてもよい。前記傾斜面は、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面及び第２傾斜面を含み、前記第１磁気抵抗効果部及び前記第２磁気抵抗効果部が、前記第１傾斜面又は前記第２傾斜面に設けられていてもよい。前記傾斜面は、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面及び第２傾斜面を含み、前記第１磁気抵抗効果部は、前記第１傾斜面に設けられ、前記第２磁気抵抗効果部は、前記第２傾斜面に設けられていてもよく、前記第１傾斜面の外周辺のうちの一辺と前記第２傾斜面の外周辺のうちの一辺とが共有されていてもよい。

前記磁気抵抗効果部は、第３方向の前記磁場を検出する第３磁気抵抗効果部をさらに含み、前記第３方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であって、前記第２方向に直交する方向であり、前記傾斜面は、前記第１傾斜面の傾斜方向及び前記第２傾斜面の傾斜方向のいずれとも異なる傾斜方向の第３傾斜面をさらに含み、前記第３磁気抵抗効果部は、前記第３傾斜面に設けられていてもよく、前記第３傾斜面の外周辺のうちの一辺と前記第１傾斜面の外周辺のうちの一辺とが共有され、前記第３傾斜面の外周辺のうちの他の一辺と前記第２傾斜面の外周辺のうちの一辺とが共有されていてもよい。

前記傾斜面は、前記樹脂層の前記第１面から前記第２面に向かって傾斜していてもよく、前記傾斜面は、前記樹脂層の前記第１面から突出する方向に傾斜していてもよく、前記磁気抵抗効果部は、反強磁性材料からなる反強磁性層を少なくとも有する磁気抵抗効果素子を含み、前記樹脂層は、熱可塑性樹脂により構成され、前記熱可塑性樹脂の軟化温度は、前記反強磁性材料のネール温度よりも低くてもよく、前記磁気抵抗効果素子が、ＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子であってもよい。

第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板をさらに備え、前記樹脂層は、前記基板の前記第１面上に設けられており、前記樹脂層の前記第２面は、前記樹脂層の前記第１面よりも前記基板の前記第１面側に位置していてもよく、前記基板は、シリコン基板であってもよく、前記樹脂層及び前記磁気抵抗効果部を一体的に封止する封止部をさらに備えていてもよい。

また、本発明は、磁気センサを製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂材料層を形成する工程と、前記樹脂材料層の前記第１面に磁気抵抗効果部を設ける工程と、前記樹脂材料層の前記第１面に、当該第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を形成する工程とを含み、前記磁気抵抗効果部は、第１方向の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、前記第１方向は、前記樹脂材料層の前記第１面に直交する方向であり、前記樹脂材料層の前記第１面に設けられた前記第１磁気抵抗効果部を前記傾斜面に位置させるように、前記傾斜面を形成することを特徴とする磁気センサの製造方法を提供する。

また、本発明は、磁気センサを製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂材料層を形成する工程と、前記樹脂材料層の前記第１面に、前記第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面に磁気抵抗効果部を設ける工程とを含み、前記磁気抵抗効果部は、第１方向の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、前記第１方向は、前記樹脂層の前記第１面に直交する方向であることを特徴とする磁気センサの製造方法を提供する。

前記磁気抵抗効果部は、第２方向の磁場を検出する第２磁気抵抗効果部をさらに含み、前記第２方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であって、前記傾斜面は、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面及び第２傾斜面を含み、前記第１傾斜面に前記第１磁気抵抗効果部を設け、前記第２傾斜面に前記第２磁気抵抗効果部を設けていてもよく、前記磁気抵抗効果部は、第３方向の前記磁場を検出する第３磁気抵抗効果部をさらに含み、前記第３方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であって、前記第２方向に直交する方向であり、前記傾斜面は、前記第１傾斜面の傾斜方向及び前記第２傾斜面の傾斜方向のいずれとも異なる傾斜方向の第３傾斜面をさらに含み、前記第３傾斜面に前記第３磁気抵抗効果部を設けていてもよい。

前記樹脂材料層は、熱可塑性樹脂により構成され、前記熱可塑性樹脂を軟化させ、前記傾斜面に対応する傾斜面を含む凹凸構造を有するテンプレートを前記樹脂材料層に押し当てることで、前記傾斜面を形成してもよく、前記磁気抵抗効果部は、反強磁性材料からなる反強磁性層を少なくとも有する磁気抵抗効果素子を含み、前記熱可塑性樹脂の軟化温度は、前記反強磁性材料のネール温度よりも低く、前記熱可塑性樹脂の軟化温度以上、前記反強磁性材料のネール温度未満の温度で加熱することで前記熱可塑性樹脂を軟化させてもよく、前記磁気抵抗効果素子が、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子であってもよく、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板を準備する工程をさらに含み、前記基板の前記第１面上に前記樹脂材料層を形成してもよい。

本発明によれば、所定方向の磁場を高精度に検出可能であり、低背化が可能な磁気センサ及びその製造方法を提供することができる。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す斜視図である。 図１Ｂは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１Ｃは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１Ｄは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１Ｅは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１Ｆは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１Ｇは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図２は、図１Ａに示す磁気センサを第３方向に沿って見たときの概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図３Ａは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様であり、第３方向に沿って見たときの概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図３Ｂは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様であり、第３方向に沿って見たときの概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの概略構成を示すブロック図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る磁気センサが有する回路構成の一態様の概略構成を示す回路図である。 図６は、本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の概略構成を示す斜視図である。 図７は、本発明の一実施形態における磁気抵抗効果素子の概略構成を示す断面図である。 図８は、本発明の一実施形態における第１磁気抵抗効果部の第１方向の磁場の検出を説明する部分拡大切断端面図である。 図９Ａは、本発明の一実施形態における磁気センサの製造方法の一工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図９Ｂは、本発明の一実施形態における磁気センサの製造方法の一工程であって、図９Ａに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図９Ｃは、本発明の一実施形態における磁気センサの製造方法の一工程であり、図９Ｂに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１０は、本発明の一実施形態における磁気センサの製造方法の他の態様の一工程であって、図９Ａに示す工程に続く工程を概略的に示す部分拡大切断端面図である。 図１１は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１２は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１３は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す斜視図である。 図１４は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図１５は、本発明の一実施形態に係る磁気センサの他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。また、本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。

なお、本実施形態において、必要に応じ、「第１方向、第２方向及び第３方向」を規定している。ここで、第１方向は、樹脂層の第１面に直交する方向である。第２方向は、樹脂層の第１面に平行な方向である。第３方向は、第１方向及び第２方向に直交する方向である。本実施形態に係る磁気センサは、第１方向、第２方向、及び第３方向の磁場を検出するものである。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係る磁気センサの概略構成を示す斜視図であり、図２は、図１Ａに示す磁気センサの傾斜面の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。
図１Ａ及び図２に示すように、本実施形態に係る磁気センサ１は、第１面６１及び当該第１面６１に対向する第２面６２を有する基板６と、基板６の第１面６１上に設けられている樹脂層２と、所定の方向の磁場を検出する磁気抵抗効果部３とを備える。基板６は、例えば、シリコン基板等の半導体基板；石英ガラス基板等のガラス基板；ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板等であればよい。

樹脂層２は、第１面２１と当該第１面２１に対向する第２面２２とを有する。樹脂層２の第２面２２が、基板６の第１面６１に接面している。樹脂層２の第１面２１には、第１面２１に対して所定の角度で傾斜する傾斜面４が形成されている。なお、樹脂層２の第２面２２と基板６の第１面６１との間には、絶縁性ペースト、導電性ペースト等の接着剤等から構成される接着層等が介在していてもよい。

樹脂層２を構成し得る樹脂としては、例えば、ノボラック系樹脂やポリイミド等の熱可塑性樹脂であってもよいし、アクリル系樹脂等の紫外線硬化性樹脂等であってもよい。樹脂層２が上記熱可塑性樹脂により構成されている場合、当該熱可塑性樹脂の軟化温度は、磁気抵抗効果部３に含まれる磁気抵抗効果素子５（図６及び図７参照）が有する反強磁性層５２４（図７参照）を構成する反強磁性材料のネール温度よりも低くてもよいし、当該ネール温度以上であってもよい。後述するように、本実施形態に係る磁気センサの製造方法において、熱可塑性樹脂により構成される樹脂材料層７を軟化させ、テンプレート１０を樹脂材料層７に押し当てることで傾斜面４を有する樹脂層２を形成する（図９Ｃ、図１０等を参照）。樹脂材料層７上に磁気抵抗効果部３が設けられている状態で当該樹脂材料層７を加熱して軟化させる場合（図９Ｃ参照）、熱可塑性樹脂の軟化温度が反強磁性材料のネール温度よりも高いと、熱によるエントロピー増大のために、磁気抵抗効果素子５の反強磁性層５２４を構成する磁性材料が常磁性に転移してしまい、磁化固定層５２３（図７参照）の磁化方向を固定することができなくなってしまうおそれがある。なお、本実施形態において、熱可塑性樹脂の軟化温度とは、後述するテンプレート１０（図９Ｃ参照）を用いて賦形可能（傾斜面４を形成可能）な程度に樹脂材料層７が軟化され得る温度を意味する。当該軟化温度は、例えば、（株）上島製作所製のＴＭ４１３３（製品名）等を用いて測定され得る。

磁気抵抗効果部３は、第１方向Ｄ１の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部３１を含む。第１磁気抵抗効果部３１を含むことで、第１方向Ｄ１の磁場を検出することが可能になる。なお、本実施形態において、磁気抵抗効果部３が第１磁気抵抗効果部３１を含むものを例に挙げて説明するが、これに限定されるものではない。磁気センサ１の用途等に応じて、例えば、磁気抵抗効果部３は、第１磁気抵抗効果部３１と、第２方向Ｄ２の磁場を検出する第２磁気抵抗効果部３２及び／又は第３方向Ｄ３の磁場を検出する第３磁気抵抗効果部３３とを含むものであってもよい。

図１Ａに示すように、樹脂層２の第１面２１には、所定の角度で傾斜する１つの傾斜面４が形成されている。傾斜面４には第１磁気抵抗効果部３１が設けられている。第１磁気抵抗効果部３１が傾斜面４に設けられていることで、第１方向Ｄ１の磁場を高精度に検出することができる。樹脂層２の第１面２１に１つの傾斜面４が形成されている態様において、第１傾斜面４１以外に樹脂層２の第１面２１に形成されている他の面２３の角度や形状等は特に限定されるものではない。例えば、当該他の面２３は、樹脂層２の第１面２１に対して平行に形成された平行面であってもよいし（図２参照）、樹脂層２の第１面２１に対して垂直に形成された垂直面であってもよいし（図３Ａ参照）、湾曲して形成された湾曲面であってもよい（図３Ｂ参照）。この場合において、１つの傾斜面４に第１磁気抵抗効果部３１が設けられている。なお、本実施形態において、傾斜面４に第１磁気抵抗効果部３１が設けられていれば、この態様に限定されるものではない。例えば、第２方向の磁場を検出する第２磁気抵抗効果部３２及び第３方向の磁場を検出する第３磁気抵抗効果部３３をさらに含む場合、第２磁気抵抗効果部３２及び第３磁気抵抗効果部３３は樹脂層２の第１面２１や上記平行面（図２参照）に設けられていてもよいし（図１Ｂ参照）、傾斜面４に第１磁気抵抗効果部３１と、第２磁気抵抗効果部３２及び第３磁気抵抗効果部３３のいずれか一方とが設けられ、他方は樹脂層２の第１面２１や上記平行面（図２参照）に設けられていてもよいし（図１Ｃ参照）、傾斜面４に第１磁気抵抗効果部３１、第２磁気抵抗効果部３２及び第３磁気抵抗効果部３３が設けられていてもよい（図１Ｄ参照）。また、樹脂層２の第１面２１に２つの傾斜面としての第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２が形成されている場合において、第１傾斜面４１に第１磁気抵抗効果部３１が設けられ、樹脂層２の第１面２１や上記平行面（図２参照）に第２磁気抵抗効果部３２及び第３磁気抵抗効果部３３が設けられていてもよいし（図１Ｅ参照）、第１傾斜面４１及び／又は第２傾斜面４２に第１磁気抵抗効果部３１及び第２磁気抵抗効果部３２が設けられ、樹脂層２の第１面２１や上記平行面（図２参照）に第３磁気抵抗効果部３３が設けられていてもよい（図１Ｆ，図１Ｇ参照）。さらに、樹脂層２の第１面２１に３つの傾斜面としての第１～第３傾斜面４１～４３が形成されている態様（図１１、図１２等参照）においても、それらの傾斜面以外に上記垂直面、平行面、湾曲面等の他の面２３が樹脂層２の第１面２１に形成されていてもよい。

傾斜面４は、互いに傾斜方向の異なる第１傾斜面４１、第２傾斜面４２、及び第３傾斜面４３を含み、第１傾斜面４１には第１磁気抵抗効果部３１が設けられ、第２傾斜面４２には第２磁気抵抗効果部３２が設けられ、第３傾斜面４３には第３磁気抵抗効果部３３が設けられていてもよい（図１１参照）。第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３がそれぞれ第１～第３傾斜面４１～４３に設けられていることで、第１～第３方向Ｄ１～Ｄ３の磁場を高精度に検出することができる。また、図１１に示すように、第１～第３傾斜面４１～４３は、樹脂層２の第１面２１から第２面２２に向かって傾斜しているが、これに限定されるものではなく、第１～第３傾斜面４１～４３は、樹脂層２の第１面２１から突出する方向に傾斜していてもよい（図１２参照）。なお、本実施形態において、樹脂層２の第１面２１に第１～第３傾斜面４１～４３を含む傾斜面４を形成されているものを例に挙げたが、これに限定されるものではなく、傾斜面４は、例えば、第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２の２つの傾斜面を含むもの等、ｎ個（ｎは１以上の整数）の傾斜面が形成されているものであってもよい。

傾斜面４の傾斜角度θ（第１傾斜面４１の傾斜角度θ１、第２傾斜面４２の傾斜角度θ２及び第３傾斜面４３の傾斜角度θ３）は、樹脂層２の第１面２１に対して１０～５５°の範囲内であればよく、好ましくは２０～４０°の範囲内であればよい。樹脂層２に複数の傾斜面（例えば、第１～第３傾斜面４１～４３）が形成されている場合、各傾斜面（第１～第３傾斜面）の傾斜角度θ（傾斜角度θ１～θ３）は、互いに同一であってもよいし、上記数値範囲内であれば互いに異なっていてもよい。

図１１に示すように、第１～第３傾斜面４１～４３のそれぞれに直交する方向から各傾斜面４１～４３を見たときに、各傾斜面４１～４３の形状はそれぞれ略三角形状であるが、これに限定されるものではなく、略方形状等であってもよい。

図１１に示すように、第１傾斜面４１の外周辺のうちの一辺と第２傾斜面４２の外周辺のうちの一辺とが共有され、第３傾斜面４３の外周辺のうちの一辺と第１傾斜面４１の外周辺のうちの一辺とが共有され、第３傾斜面４３の外周辺のうちの一辺と第２傾斜面４２の外周辺のうちの一辺とが共有されている。すなわち、第１傾斜面４１、第２傾斜面４２及び第３傾斜面４３は、樹脂層２の第１面２１に形成された三角錐状の凹部の各面である。なお、本実施形態において、このような態様に限定されるものではなく、第１傾斜面４１第１～第３傾斜面４１～４３のうちの任意に選択された２つの傾斜面（例えば、第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２）の外周辺のうちの一辺が共有され、他の１つの傾斜面（例えば、第３傾斜面４３）は、２つの傾斜面とは外周辺を共有させずに樹脂層２の第１面２１に形成されていてもよいし、第１～第３傾斜面４１～４３は、それぞれ他の傾斜面と外周辺を共有させずに樹脂層２の第１面２１に形成されていてもよい。

図４は、本実施形態に係る磁気センサの概略構成を示すブロック図である。図４に示すように、本実施形態に係る磁気センサ１（図１Ａ参照）は、磁気抵抗効果部３と信号処理部９とを備える。信号処理部９は、磁気抵抗効果部３から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ（アナログーデジタル）変換部９１と、当該Ａ／Ｄ変換部９１によりデジタル変換されたデジタル信号を演算処理する演算部９２とを含む。

図５は、本実施形態に係る磁気センサが有する回路構成の一態様の概略構成を示す回路図であり、図６は、本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の概略構成を示す斜視図であり、図７は、本実施形態における磁気抵抗効果素子の概略構成を示す断面図である。

磁気抵抗効果部３は磁気抵抗効果素子５を含んでいてもよい。本実施形態においては、磁気抵抗効果部３の回路構成は、第１抵抗部Ｒ１、第２抵抗部Ｒ２、第３抵抗部Ｒ３、及び第４抵抗部Ｒ４の４つの抵抗部をブリッジ接続してなるホイートストンブリッジ回路３Ａであればよく、第１～第４抵抗部Ｒ１～Ｒ４が単一の磁気抵抗効果素子を含んでいてもよいし、複数の磁気抵抗効果素子を含んでいてもよい。

図５に示すように、磁気抵抗効果部３が有するホイートストンブリッジ回路３Ａは、電源ポートＶと、グランドポートＧと、２つの出力ポートＥ１，Ｅ２と、直列に接続された第１及び第２抵抗部Ｒ１，Ｒ２と、直列に接続された第３及び第４抵抗部Ｒ３，Ｒ４とを含む。第１及び第３抵抗部Ｒ１，Ｒ３の各一端は、電源ポートＶに接続される。第１抵抗部Ｒ１の他端は、第２抵抗部Ｒ２の一端と出力ポートＥ１とに接続される。第３抵抗部Ｒ３の他端は、第４抵抗部Ｒ４の一端と出力ポートＥ２とに接続される。第２及び第４抵抗部Ｒ２，Ｒ４の各他端は、グランドポートＧに接続される。電源ポートＶには、所定の大きさの電源電圧が印加され、グランドポートＧはグランドに接続される。

本実施形態において、ホイートストンブリッジ回路３Ａに含まれる第１～第４抵抗部Ｒ１～Ｒ４は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、またはＴＭＲ素子等のＭＲ素子により構成されていてもよいし、ホール素子により構成されていてもよい。ＧＭＲ素子及びＴＭＲ素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、印加される磁場の方向に応じて磁化方向が変化する自由層と、磁化固定層及び自由層の間に配置される非磁性層とを含む。ＡＭＲ素子は、形状異方性を有する磁性層を含む。

図６及び図７に示すように、第１～第４抵抗部Ｒ１～Ｒ４を構成するＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子等のＭＲ素子は、複数の下部電極５１と、複数のＭＲ膜５２と、複数の上部電極５３とを有していればよい。複数の下部電極５１は、基板（図示せず）上に設けられている。各下部電極５１は細長い形状を有する。下部電極５１の長手方向に隣接する２つの下部電極５１の間には、間隙が形成されている。下部電極５１の上面における、長手方向の両端近傍にそれぞれＭＲ膜５２が設けられている。ＭＲ膜５２は、平面視略円形状であり、下部電極５１側から順に積層された自由層５２１、非磁性層５２２、磁化固定層５２３、及び反強磁性層５２４を含む。自由層５２１は、下部電極５１に電気的に接続されている。反強磁性層５２４は、反強磁性材料により構成され、磁化固定層５２３との間で交換結合を生じさせることで、磁化固定層５２３の磁化の方向を固定する役割を果たす。複数の上部電極５３は、複数のＭＲ膜５２上に設けられている。各上部電極５３は細長い形状を有し、下部電極５１の長手方向に隣接する２つの下部電極５１上に配置され、隣接する２つのＭＲ膜５２の反強磁性層５２４どうしを電気的に接続する。なお、ＭＲ膜５２は、上部電極５３側から順に自由層５２１、非磁性層５２２、磁化固定層５２３及び反強磁性層５２４が積層されてなる積層体を有していてもよい。

樹脂層２を構成する樹脂材料が熱可塑性樹脂である場合において、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料は、そのネール温度が熱可塑性樹脂の軟化温度よりも高い材料であるのが好ましい。例えば、樹脂層２を構成する熱可塑性樹脂がノボラック系樹脂（軟化温度：１７０～１８０℃）である場合、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びＦｅのグループの中から選ばれる少なくとも１種の元素とＭｎとを含むものであればよい。反強磁性材料におけるＭｎの含有量は、例えば３５～９５原子％程度であればよい。

ＴＭＲ素子においては、非磁性層５２２はトンネルバリア層である。ＧＭＲ素子においては、非磁性層５２２は非磁性導電層である。ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子において、自由層５２１の磁化の方向が磁化固定層５２３の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°（互いの磁化方向が平行）のときに抵抗値が最小となり、１８０°（互いの磁化方向が反平行）のときに抵抗値が最大となる。

第１磁気抵抗効果部３１に含まれる磁気抵抗効果素子５の磁化固定層５２４の磁化方向は、傾斜面４と平行な方向に固定されている。

図８は、本発明の一実施形態における第１磁気抵抗効果部の第１方向の磁場の検出を説明する部分拡大切断端面図である。図８に示すように、第１方向Ｄ１の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部３１の磁気抵抗効果素子５は、第１方向Ｄ１の磁場を示す磁気ベクトルＶ１が第１傾斜面４１に射影された射影ベクトルＶ１′に応じた抵抗値の変化を示す。

第１方向Ｄ１の射影ベクトルＶ１′（図８参照）に応じた第１～第４抵抗部Ｒ１～Ｒ４の抵抗値の変化に伴い、出力ポートＥ１、Ｅ２の電位差が変化し、電位差の変化としての信号が出力される。差分検出器８は、出力ポートＥ１、Ｅ２の電位差に対応する信号Ｓ１、Ｓ２を増幅し、センサ信号Ｓとして信号処理部９のＡ／Ｄ変換部９１に出力する。

Ａ／Ｄ変換部９１は、磁気抵抗効果部３から出力されるセンサ信号Ｓ（検出磁場に関するアナログ信号）をデジタル信号に変換し、当該デジタル信号が演算部９２に入力される。演算部９２はＡ／Ｄ変換部９１によりアナログ信号から変換されたデジタル信号について演算処理を行う。この演算部９２は、例えば、マイクロコンピュータ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等により構成される。上述したように、第１磁気抵抗効果部３１は、それぞれ磁気ベクトルＶ１が傾斜面４に射影された射影ベクトルＶ１′に応じたセンサ信号Ｓを出力する。しかしながら、磁気センサ１において検出すべき磁場は、第１方向Ｄ１の磁場であるため、演算部９２が磁気ベクトルＶ１に応じて出力されるべきセンサ信号を用いて演算処理を行わないと、磁気センサ１による検出結果に誤差が生じてしまう。本実施形態においては、演算部９２は、射影ベクトルＶ１′に応じたセンサ信号Ｓ（Ａ／Ｄ変換部９１により変換されたデジタル信号）を、磁気ベクトルＶ１に応じた出力されるべきセンサ信号に変換した上で演算処理を行う。これにより、磁気センサ１による検出精度を向上させることができる。

本実施形態に係る磁気センサ１は、基板６、樹脂層２及び磁気抵抗効果部３を一体的に封止する封止部（図示省略）をさらに備えていてもよい。磁気センサ１が有する封止部は、基板６、樹脂層２及び磁気抵抗効果部３を一体的に封止して保護することができるものであればよく、例えば、樹脂やガラス繊維を配合した樹脂等により構成されていてもよい。

上述した磁気センサ１の製造方法について説明する。図９Ａ～Ｃは、本実施形態における磁気センサの製造方法を概略的に示す部分拡大切断端面図である。
本実施形態に係る磁気センサ１の製造方法は、第１面７１及び当該第１面７１に対向する第２面７２を有する樹脂材料層７を基板６の第１面６１上に形成する工程（図９Ａ参照）と、樹脂材料層７の第１面７１に第１磁気抵抗効果部３１を設ける工程（図９Ｂ参照）と、樹脂材料層７の第１面７１に、当該第１面７１に対して所定の角度で傾斜する傾斜面４を形成する工程（図９Ｃ参照）とを含む。

図９Ａに示すように、基板６を準備し、ノボラック系樹脂やポリイミド等の熱可塑性樹脂を基板６の第１面６１上に供給することで、基板６の第１面６１に樹脂材料層７を形成する。基板６としては、例えば、シリコン基板等の半導体基板；石英ガラス基板等のガラス基板；ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板等が挙げられる。基板６の第１面６１上に樹脂材料を供給する方法としては、従来公知の方法を採用すればよく、例えば、熱可塑性樹脂からなるフィルムを基板６の第１面６１上に貼付する方法等であってもよい。上記熱可塑性樹脂は、後述する第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３に含まれる磁気抵抗効果素子５の反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度よりも低い軟化温度を有するものであるのが好ましい。当該熱可塑性樹脂の軟化温度は、反強磁性材料のネール温度よりも３０℃以上低いのが好ましく、５０℃以上低いのがより好ましい。後述する傾斜面４を形成する工程（図９Ｃ参照）において、熱可塑性樹脂により構成される樹脂材料層７を加熱して軟化させるが、同時に第１磁気抵抗効果部３１も加熱される。熱可塑性樹脂の軟化温度が反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度よりも低ければ、当該軟化温度以上、ネール温度未満で樹脂材料層７を加熱することで、理論的には反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料を常磁性に転移させることなく樹脂材料層７を軟化させることができる。上記傾斜面４を形成する工程（図９Ｃ参照）は熱インプリント装置等を用いて行われるが、上記軟化温度と上記ネール温度との温度差が相対的に小さいと、上記熱インプリント装置において軟化温度以上ネール温度未満に樹脂材料層７を加熱するのにシビアな制御が必要になる場合がある。そのため、上記工程に用いられる熱インプリント装置によっては、上記温度差が小さい場合に、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度を超えてしまい、磁気センサ１の製造歩留まりを低下させてしまうおそれがある。熱可塑性樹脂の軟化温度が、反強磁性材料のネール温度よりも３０℃以上低いことで、熱インプリント装置における加熱温度の制御を容易に、確実に行うことができるため、磁気センサ１の製造歩留まりを向上させ得る。

図９Ｂに示すように、樹脂材料層７の第１面７１における所定の領域に、第１方向Ｄ１の磁場を検出するための第１磁気抵抗効果部３１を設ける。後述する工程（図９Ｃ参照）において、樹脂材料層７の第１面７１にテンプレート１０を押し当てることで、当該樹脂材料層７の第１面７１に傾斜面４が形成される。このテンプレート１０を樹脂材料層７の第１面７１に押し当てるときに、第１磁気抵抗効果部３１も同時に押し込まれる。そのため、第１磁気抵抗効果部３１は、テンプレート１０を用いて形成される傾斜面４に設けられ得る位置（樹脂材料層７の第１面７１上における位置）に適宜設けられればよい。なお、本実施形態において、樹脂材料層７の第１面７１に第１磁気抵抗効果部３１を設けているが、この態様に限定されるものではなく、例えば、樹脂材料層７の第１面７１に第１磁気抵抗効果部３１と第２方向Ｄ２の磁場を検出するための第２磁気抵抗効果部３２及び／又は第３方向Ｄ３の磁場を検出するための第３磁気抵抗効果部３３とを設けてもよい。

第１磁気抵抗効果部３１は、反強磁性材料からなる反強磁性層５２４を少なくとも有する磁気抵抗効果素子５を含んでいてもよい。反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料は、樹脂材料層７を構成する熱可塑性樹脂の軟化温度よりも高いネール温度を有するものであればよく、例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びＦｅのグループの中から選ばれる少なくとも１種の元素とＭｎとを含むものであればよく、反強磁性材料におけるＭｎの含有量は、例えば３５～９５原子％程度であればよい。後述する工程において、樹脂材料層７を加熱して軟化させた状態でテンプレート１０を樹脂材料層７及び第１磁気抵抗効果部３１に押し当てることで、傾斜面４を形成するが（図９Ｃ参照）、当該反強磁性材料のネール温度が、熱可塑性樹脂の軟化温度以下であると、反強磁性材料が常磁性に転移してしまい、反強磁性層５２４により磁化固定層５２３の磁化方向が固定されなくなってしまうおそれがある。

続いて、樹脂材料層７を構成する熱可塑性樹脂の軟化温度以上、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度未満の温度条件下で当該樹脂材料層７を加熱し、所定の傾斜面を含む凹凸構造を有するテンプレート１０を樹脂材料層７の第１面７１及び第１磁気抵抗効果部３１に押し当てる。そして、テンプレート１０が押し当てられた状態で樹脂材料層７を硬化させることで、傾斜面４を形成する（図９Ｃ参照）。テンプレート１０の凹凸構造が有する傾斜面は、本実施形態に係る磁気センサ１の傾斜面４に対応するものである。そのため、樹脂材料層７が硬化した後、テンプレート１０を樹脂材料層７から引き離すことで、傾斜面４を有し、傾斜面４に第１磁気抵抗効果部３１が設けられた磁気センサ１を製造することができる（図１Ａ参照）。

本実施形態において、樹脂材料層７を構成する熱可塑性樹脂の軟化温度が、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度よりも低く、熱可塑性樹脂の軟化温度以上の温度で加熱することで、熱可塑性樹脂を軟化させる。このとき、第１磁気抵抗効果部３１も加熱されるが、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度未満の温度で加熱するため、反強磁性層５２４の反強磁性材料が常磁性に転移することを防止することができる。そして、軟化した樹脂材料層７にテンプレート１０を押し当てることで、傾斜面４を容易に形成することができ、当該傾斜面４のそれぞれに第１磁気抵抗効果部３１を設けることができる。第１磁気抵抗効果部３１が設けられる樹脂材料層７の第１面７１は、所定の平坦性を有する面であるため、第１磁気抵抗効果部３１は、従来公知の成膜法（例えばスパッタリング法等）により高精度に作製され得る。そして、樹脂材料層７とともに第１磁気抵抗効果部３１もテンプレート１０に押し当てられるため、高精度に作製された第１磁気抵抗効果部３１を樹脂層２の傾斜面４に設けることができる。よって、本実施形態により製造される磁気センサ１によれば、第１方向Ｄ１の磁場を高精度に検出することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態において、樹脂材料層７の第１面７１に傾斜面４を形成し、第１磁気抵抗効果部３１を設ける態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、傾斜方向が互いに異なる第１～第３傾斜面４１～４３を形成し、第１傾斜面４１に第１磁気抵抗効果部３１を設け、第２傾斜面４２に第２磁気抵抗効果部３２を設け、第３傾斜面４３に第３磁気抵抗効果部３３を設けてもよいし（図１１、図１２等参照）、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２を形成し、第１傾斜面４１に第１磁気抵抗効果部３１を設け、第２傾斜面４２に第２磁気抵抗効果部３２を設け、第１傾斜面４１又は第２傾斜面４２に第３磁気抵抗効果部３３を設けてもよいし、第１傾斜面４１又は第２傾斜面４２に第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３を設けていてもよい。また、１つの傾斜面４を形成し、当該傾斜面４に第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３を設けてもよい（図１Ｄ参照）。

上記実施形態において、樹脂材料層７の第１面７１に三角錐状に傾斜方向が互いに異なる第１～第３傾斜面４１～４３を形成する態様（図１１、図１２等参照）を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、実質的に円錐状の凹凸構造を有するテンプレート１０を樹脂材料層７の第１面７１及び第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３に押し当てることで、樹脂層２の第１面２１に傾斜面４としての円錐斜面を形成し、当該円錐斜面４に第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３が設けられていてもよい（図１３参照）。また、実質的に半球状の凹凸構造を有するテンプレート１０を樹脂材料層７の第１面７１及び第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３に押し当てることで、樹脂層２の第１面２１に傾斜面４としての半球面を形成し、当該半球面に第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３が設けられていてもよい（図１４参照）。当該半球面に第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３が設けられていることで、第１～第３方向Ｄ１～Ｄ３以外の種々の方向の磁場を高精度に検出可能となる。さらに、先端部が実質的に半球状の凹凸構造を有するテンプレート１０を樹脂材料層７の第１面７１及び第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３に押し当てることで、樹脂層２の第１面２１に傾斜面４としての半球面と半球面の縁部に連続する垂直面２４を形成し、当該半球面及び垂直面２４に第１～第３磁気抵抗効果部３１～３３が設けられていてもよい（図１５参照）。図１５に示す態様によれば、垂直面２４に設けられた磁気抵抗効果部（図示例においては第２磁気抵抗効果部３２）により第１方向Ｄ１の磁場を高精度に検出可能になるとともに、半球面に設けられた磁気抵抗効果部（例えば、第１磁気抵抗効果部３１及び第３磁気抵抗効果部３３）により、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３を含む平面内の任意の方向の磁場を高精度に検出可能となる。

上記実施形態において、第１方向Ｄ１の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部３１を設ける態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、第１方向Ｄ１の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部３１と第２磁気抵抗効果部３２及び／又は第３磁気抵抗効果部３３を設けるものであってもよい。

上記実施形態において、樹脂材料層７の第１面７１に第１磁気抵抗効果部３１～３３を設け、樹脂材料層７と第１磁気抵抗効果部３１～３３とにテンプレート１０を押し当てているが、この態様に限定されるものではない。例えば、樹脂材料層７を形成した後（図９Ａ参照）、樹脂材料層７の第１面７１にテンプレート１０を押し当てることで傾斜面４を形成し（図１０参照）、傾斜面４に第１磁気抵抗効果部３１を設けてもよい。この場合において、第１磁気抵抗効果部３１は、樹脂材料層７に形成された傾斜面４に設けられるため、樹脂材料層７を構成する熱可塑性樹脂の軟化温度と、反強磁性層５２４を構成する反強磁性材料のネール温度との関係を考慮する必要がない。また、樹脂材料層７を構成する樹脂材料として、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等を用いることもできる。すなわち、樹脂材料層７を構成する熱可塑性樹脂の選択の幅を広げることができる。

１…磁気センサ
２…樹脂層
２１…第１面
２２…第２面
３…磁気抵抗効果部
３１…第１磁気抵抗効果部
４…傾斜面

Claims (22)

1. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂層と、
   所定方向の磁場を検出する磁気抵抗効果部と
   を備え、
   前記磁気抵抗効果部は、第１方向の前記磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、
   前記第１方向は、前記樹脂層の前記第１面に直交する方向であり、
   前記樹脂層の前記第１面には、前記第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面が形成され、
   前記第１磁気抵抗効果部が、前記傾斜面に設けられていることを特徴とする磁気センサ。
2. 前記磁気抵抗効果部は、第２方向の前記磁場を検出する第２磁気抵抗効果部をさらに含み、
   前記第２方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であり、
   前記樹脂層の前記第１面には、１つの前記傾斜面が形成されており、
   前記第１磁気抵抗効果部及び前記第２磁気抵抗効果部が、前記１つの傾斜面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
3. 前記磁気抵抗効果部は、第２方向の前記磁場を検出する第２磁気抵抗効果部をさらに含み、
   前記第２方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であり、
   前記傾斜面は、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面及び第２傾斜面を含み、
   前記第１磁気抵抗効果部及び前記第２磁気抵抗効果部が、前記第１傾斜面又は前記第２傾斜面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
4. 前記磁気抵抗効果部は、第２方向の前記磁場を検出する第２磁気抵抗効果部をさらに含み、
   前記第２方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であり、
   前記傾斜面は、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面及び第２傾斜面を含み、
   前記第１磁気抵抗効果部は、前記第１傾斜面に設けられ、
   前記第２磁気抵抗効果部は、前記第２傾斜面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
5. 前記第１傾斜面の外周辺のうちの一辺と前記第２傾斜面の外周辺のうちの一辺とが共有されていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の磁気センサ。
6. 前記磁気抵抗効果部は、第３方向の前記磁場を検出する第３磁気抵抗効果部をさらに含み、
   前記第３方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であって、前記第２方向に直交する方向であり、
   前記傾斜面は、前記第１傾斜面の傾斜方向及び前記第２傾斜面の傾斜方向のいずれとも異なる傾斜方向の第３傾斜面をさらに含み、
   前記第３磁気抵抗効果部は、前記第３傾斜面に設けられていることを特徴とする請求項３～５のいずれかに記載の磁気センサ。
7. 前記第３傾斜面の外周辺のうちの一辺と前記第１傾斜面の外周辺のうちの一辺とが共有され、
   前記第３傾斜面の外周辺のうちの前記第１傾斜面の前記一辺と共有されている一辺以外の一辺と前記第２傾斜面の外周辺のうちの一辺とが共有されていることを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ。
8. 前記傾斜面は、前記樹脂層の前記第１面から前記第２面に向かって傾斜していることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の磁気センサ。
9. 前記傾斜面は、前記樹脂層の前記第１面から突出する方向に傾斜していることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の磁気センサ。
10. 前記磁気抵抗効果部は、反強磁性材料からなる反強磁性層を少なくとも有する磁気抵抗効果素子を含み、
    前記樹脂層は、熱可塑性樹脂により構成され、
    前記熱可塑性樹脂の軟化温度は、前記反強磁性材料のネール温度よりも低いことを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載の磁気センサ。
11. 前記磁気抵抗効果素子が、ＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサ。
12. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板をさらに備え、
    前記樹脂層は、前記基板の前記第１面上に設けられており、
    前記樹脂層の前記第２面は、前記樹脂層の前記第１面よりも前記基板の前記第１面側に位置することを特徴とする請求項１～１１のいずれかに記載の磁気センサ。
13. 前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１２に記載の磁気センサ。
14. 前記樹脂層及び前記磁気抵抗効果部を一体的に封止する封止部をさらに備えることを特徴とする請求項１～１３のいずれかに記載の磁気センサ。
15. 磁気センサを製造する方法であって、
    第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂材料層を形成する工程と、
    前記樹脂材料層の前記第１面に磁気抵抗効果部を設ける工程と、
    前記樹脂材料層の前記第１面に、当該第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を形成する工程と
    を含み、
    前記磁気抵抗効果部は、第１方向の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、
    前記第１方向は、前記樹脂材料層の前記第１面に直交する方向であり、
    前記樹脂材料層の前記第１面に設けられた前記第１磁気抵抗効果部を前記傾斜面に位置させるように、前記傾斜面を形成することを特徴とする磁気センサの製造方法。
16. 磁気センサを製造する方法であって、
    第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する樹脂材料層を形成する工程と、
    前記樹脂材料層の前記第１面に、前記第１面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を形成する工程と
    前記傾斜面に磁気抵抗効果部を設ける工程と
    を含み、
    前記磁気抵抗効果部は、第１方向の磁場を検出する第１磁気抵抗効果部を少なくとも含み、
    前記第１方向は、前記樹脂層の前記第１面に直交する方向であることを特徴とする磁気センサの製造方法。
17. 前記磁気抵抗効果部は、第２方向の磁場を検出する第２磁気抵抗効果部をさらに含み、
    前記第２方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であって、
    前記傾斜面は、傾斜方向が互いに異なる第１傾斜面及び第２傾斜面を含み、
    前記第１傾斜面に前記第１磁気抵抗効果部を設け、前記第２傾斜面に前記第２磁気抵抗効果部を設けることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の磁気センサの製造方法。
18. 前記磁気抵抗効果部は、第３方向の前記磁場を検出する第３磁気抵抗効果部をさらに含み、
    前記第３方向は、前記樹脂層の前記第１面に平行な方向であって、前記第２方向に直交する方向であり、
    前記傾斜面は、前記第１傾斜面の傾斜方向及び前記第２傾斜面の傾斜方向のいずれとも異なる傾斜方向の第３傾斜面をさらに含み、
    前記第３傾斜面に前記第３磁気抵抗効果部を設けることを特徴とする請求項１５～１７のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
19. 前記樹脂材料層は、熱可塑性樹脂により構成され、
    前記熱可塑性樹脂を軟化させ、前記傾斜面に対応する傾斜面を含む凹凸構造を有するテンプレートを前記樹脂材料層に押し当てることで、前記傾斜面を形成することを特徴とする請求項１５～１８のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
20. 前記磁気抵抗効果部は、反強磁性材料からなる反強磁性層を少なくとも有する磁気抵抗効果素子を含み、
    前記熱可塑性樹脂の軟化温度は、前記反強磁性材料のネール温度よりも低く、
    前記熱可塑性樹脂の軟化温度以上、前記反強磁性材料のネール温度未満の温度で加熱することで前記熱可塑性樹脂を軟化させることを特徴とする請求項１９に記載の磁気センサの製造方法。
21. 前記磁気抵抗効果素子が、ＧＭＲ素子又はＴＭＲ素子であることを特徴とする請求項２０に記載の磁気センサの製造方法。
22. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基板を準備する工程をさらに含み、
    前記基板の前記第１面上に前記樹脂材料層を形成することを特徴とする請求項１５～２１のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。

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