JP2022071086A - エッジリングの位置決めおよびセンタリング機構を組み込んだプラズマシース調整のための交換可能および／または折りたたみ式エッジリングアセンブリ - Google Patents

Abstract

【課題】基板支持体のためのエッジリング、折りたたみ式エッジリングアセンブリ及びシステムを提供する。【解決手段】エッジリングアセンブリ３０２において、上部エッジリング３０８は、環状本体と、１又は複数のリフトピン受け止め要素３２２と、を備える。環状本体は、基板支持体３０４の上側部分を囲むようなサイズ及び形状を有する。環状本体は、上面と、下面と、半径方向内側面と、半径方向外側面と、を規定する。１又は複数のリフトピン受け止め要素３２２は、環状本体の下面に沿って配置され、３以上のリフトピン３２４のそれぞれの上端部３３２を受け止めて上端部とのキネマティックカップリングを提供するようなサイズ及び形状を有する。【選択図】図３Ａ

Description

関連出願への相互参照
本願は、２０１８年８月１３日出願の米国仮出願第６２／７１８，１１２号の利益を主張する。上記の出願の開示全体が、参照によって本明細書に組み込まれる。

本開示は、基板処理システム内の可動エッジリングに関する。

本明細書で提供されている背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示するためのものである。ここに名を挙げられている発明者の業績は、この背景技術に記載された範囲において、出願時に従来技術として通常見なされえない記載の態様と共に、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。

半導体ウエハなどの基板を処理するために、基板処理システムが利用されうる。基板に実行されうる処理の例は、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、導電体エッチング、および／または、その他のエッチング、蒸着、もしくは、洗浄処理を含むが、これらに限定されない。基板は、基板処理システムの処理チャンバ内の基板支持体（ペデスタル、静電チャック（ＥＳＣ）など）上に配置されうる。エッチング中、１または複数の前駆体を含むガス混合物が、処理チャンバに導入されてよく、プラズマが、化学反応を開始するために利用されうる。

基板支持体は、ウエハを支持するように構成されたセラミック層を備えうる。例えば、ウエハは、処理中にセラミック層にクランプされうる。基板支持体は、基板支持体の外側部分の周りに（例えば、周囲の外側におよび／または周囲に隣接して）配置されたエッジリングを備えうる。エッジリングは、基板上方の空間にプラズマを閉じこめる、プラズマによって引き起こされる腐食から基板支持体を保護する、プラズマシースを形成および位置決めする、などのために提供されうる。

基板支持体のための第１エッジリングが提供されている。第１エッジリングは、環状本体と、１または複数のリフトピン受け止め要素と、を備える。環状本体は、基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有する。環状本体は、上面と、下面と、半径方向内側面と、半径方向外側面と、を規定する。１または複数のリフトピン受け止め要素は、環状本体の下面に沿って配置され、３以上のリフトピンのそれぞれの上端を受け止めて上端とのキネマティックカップリングを提供するようなサイズおよび形状を有する。

別の特徴において、基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリが提供されている。折りたたみ式エッジリングアセンブリは、エッジリングと、３以上のアライメント／スペーシング要素と、を備える。エッジリングは、スタックに構成される。エッジリングの少なくとも１つは、基板支持体の上側部分を囲むような形状およびサイズを有する。エッジリングは、上部エッジリングと、少なくとも１つの中間エッジリングと、を含む。３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、エッジリングの各々と接触しており、エッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成される。３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、上部エッジリングが持ち上げられた時に少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成される。

別の特徴において、基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリが提供されている。折りたたみ式エッジリングアセンブリは、複数のエッジリングと、段付き外側エッジリングと、を備える。エッジリングは、スタックに構成される。エッジリングの少なくとも１つは、基板支持体の上側部分を囲むような形状およびサイズを有する。エッジリングは、上部エッジリングと、少なくとも１つの中間エッジリングと、を含む。段付き外側エッジリングは、複数のレベルを備える。エッジリングは、それぞれのレベルの上に配置される。段付き外側エッジリングは、複数のエッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成される。段付き外側エッジリングは、上部エッジリングが持ち上げられた時に少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成される。

本開示は、詳細な説明および以下に説明する添付図面から、より十分に理解できる。

本開示の一実施形態に従って、エッジリングアセンブリを備えた基板処理システムの一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、リフトピン受け止め要素を有する可動エッジリングの一例を示す側断面図。

上げ位置にある図２Ａの可動エッジリングを示す側断面図。

本開示の一実施形態に従って、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一部の一例を示す径方向断面図。

図３Ａの切断線Ａ－Ａにおける方位断面図。

本開示の一実施形態に従って、ピンと溝との相互作用を説明する、上部エッジリングおよび対応するリフトピンの一部の方位断面図。

本開示の一実施形態に従って、「Ｖ」字形溝を有するリフトピン受け止め要素の一例を示す斜視図。

本開示の一実施形態に従って、それぞれの「Ｖ」字形溝を備えた複数のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリングの一例を示す底面図。

本開示の一実施形態に従って、「Ｖ」字形溝の寸法を示す、上部エッジリングの一部の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、平坦凹陥上部を備えた溝の形態のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリングの一例を示す、エッジリングスタックの一部の側断面図。

図８のリフトピン受け止め要素の斜視図。

本開示の一実施形態に従って、ディボットの形態のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリングの一例を示す、エッジリングスタックの一部の側断面図。

図１０のリフトピン受け止め要素の斜視図。

本開示の一実施形態に従って、四分球形の端部を備えた凹陥上部を有する溝を備えるリフトピン受け止め要素を備えた上部エッジリングの一例を示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一例の側断面図。

図１２の上部エッジリングのリフトピン受け止め要素の斜視図。

本開示の一実施形態に従って、基板支持体ならびに／もしくは１または複数のエッジリング内に配置された安定化要素の組み込みを示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一部の一例の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、リフトピン受け止め要素を周囲に配置された上部エッジリングを示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一例の側断面図。

図１５の上部エッジリングの一部の一例を示す上面図。

図１５の周囲に配置されたリフトピン受け止め要素の１つを示す底面図。

図１５の上部エッジリングの底面図。

本開示の一実施形態に従って、折りたたみ式エッジリングアセンブリの一例を示す、エッジリングシステム、基板支持体、および、基板の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、対応するプラズマシース傾斜角を示す、第１部分伸展状態にある別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例の側断面図。

対応するプラズマシース傾斜角を示す、第２部分伸展状態にある図２０の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、折りたたみ状態にある内側に配置されたリングアライメント／スペーシング要素を備える別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例を示す側断面図。

リングアライメント／スペーシング要素が伸展状態にある図２２Ａの折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部を示す側断面図。

本開示の一実施形態に従って、伸展状態にあるリングアライメント／スペーシング要素を備えた別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例を示す側断面図。

図２３Ａの折りたたみ式エッジリングアセンブリの底面図。

本開示の一実施形態に従って、段付き外側リングによって持ち上げられたエッジリングを備える折りたたみ式エッジリングアセンブリの一例を示す、エッジリングシステム、基板支持体、および、基板の一部の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、段付きリフトピンによって持ち上げられたエッジリングを示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一例の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、テレスコピック部分を備えるリングアライメント／スペーシング要素を備えた別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例を示す側断面図。

図面において、同様および／または同一の要素を特定するために、同じ符号を用いる場合がある。

基板処理システム内の基板支持体が、エッジリングを備えうる。エッジリングの上面は、基板支持体の上面よりも上に広がってよく、それにより、基板支持体の上面（および、一部の例では、基板支持体上に配置された基板（またはウエハ）の上面）がエッジリングに対して凹陥する。この凹陥部は、ポケットと呼ばれてもよい。エッジリングの上面と基板の上面との間の距離が、「ポケット深さ」と見なされてよい。ポケット深さは、基板の上面に対するエッジリングの高さに従って固定されてよい。

一部の基板処理システムは、可動（例えば、調整可能）および／または交換可能なエッジリングを実装しうる。一例では、エッチング均一性、プラズマシースの形状、および、イオン傾斜角を制御するために、エッジリングの高さが処理中に調節されうる。アクチュエータが、エッジリングを上げ下げする。一例では、基板処理システムのコントローラが、処理中に、実行中の特定のレシピおよび関連のガス注入パラメータに従ってエッジリングの高さを調節するために、アクチュエータの動作を制御する。

エッジリングおよびその他の対応する構成要素は、経時的に摩耗／腐食する消耗材料を含みうる。したがって、エッジリングの高さは、腐食を補償するために調節されうる。エッジリングは、エッジリングが使用不能な形状を有するように腐食および／または損傷した状態にある時に交換されるように、取り外し可能および交換可能であってよい。本明細書で用いられる「取り外し可能」という用語は、例えば真空移送アームを用いて、真空下で、処理チャンバからエッジリングを取り外すことができることを指す。エッジリングは、真空移送アームが、対応する処理チャンバからエッジリングを移動させて、エッジリングを別のエッジリングと交換できる高さまで、リフトピンを用いて持ち上げられてよい。

エッジリングは、平坦な底面を有してよく、底面は、リフトピンの上に載置された時にリフトピンの上端と接触する。リフトピン上への載置は、単一のエッジリングについて変化しうるものであり、異なるエッジリングについて異なりうる。例えば、リフトピンが第１点で第１エッジリングと接触するように、第１エッジリングがリフトピンに対して配置されうる。リフトピンは、第１エッジリングの寿命を通して複数回上げ下げされうる。接触点の位置は、例えば、第１エッジリングの経時的なプラズマ腐食、第１エッジリングの水平移動などにより変化しうる。結果として、対応する基板支持体および処理対象の基板に対する第１エッジリングの相対位置が異なる。これは、基板の処理に影響しうる。

別の例として、第１エッジリングは、第２エッジリングと交換されうる。第２エッジリングは、第１エッジリングが新しくて未使用であった時の第１エッジリングと同じ寸法を有しうる。第２エッジリングは、リフトピンが第２点で第２エッジリングと接触するように、リフトピンに対して配置されうる。第２点は、第１点とは異なりうる。結果として、対応する基板支持体および処理対象の基板に対する第２エッジリングの相対位置は、第１エッジリングと異なり、これは、基板の処理に影響しうる。

本明細書に記載の例は、リフトピンが同じ位置でエッジリングに接触するような、予測可能、反復可能、かつ、一貫したエッジリングの位置決めのための機構を備えたプラズマシース調整用の交換可能および／または折りたたみ式のエッジリグアセンブリ（以降は、「アセンブリ」とする）を含む。これは、複数回にわたって、リフトピンが、エッジリングに接触するように移動され、エッジリングから離れるように移動されるように、複数の処理中に複数回上げ下げされる単一のエッジリングに当てはまる。これは、例えば、第１エッジリングが第２エッジリングに交換される場合など、異なるエッジリングにも当てはまる。

アセンブリは、それぞれのエッジリングに割り当てられたキネマティックカップリング機構、安定化機構、面取りされた表面、ベベル表面、段付きリフトピン、リフトピンセットなど、エッジリングの位置決め、アライメント、および、センタリング用の機構を備える。キネマティックカップリング機構は、リフトピンを受け止めるためのエッジリングの溝、ポケット、ノッチ、ならびに／もしくは、その他のリフトピン受け止め部分および／または凹陥部分を含む。例の一部では、アセンブリ（「キット」とも呼ぶ）は、リングアライメント／スペーシング要素を介して整列して配置および保持された複数の積み重ねられたエッジリングを備える。安定化機構は、安定化エッジリング、バネなどを含む。

本明細書で用いられるように、「キネマティックカップリング」という用語は、拘束機構を有するリフトピン受け止め要素を利用することを指しており、拘束機構が、対応するエッジリングの横移動を抑制する。キネマティックカップリングは、制限機構すなわち単に横方向の移動を制限する機構のことではない。一例として、キネマティックカップリングは、１または複数のリフトピン受け止め要素によって提供されてよい。溝は、１または複数のリフトピンと接触するような形状およびサイズであってよい。例えば、線形の溝が、例えば、１または２つのリフトピンと接触してもよいし、円形の溝が、３つのリフトピンと接触してもよい。拘束機構は、２つのリフトピン接触点で対応するリフトピンと接触するリフトピン受け止め要素の表面（例えば、「Ｖ」字形の溝の表面）を含む。各リフトピンは、２つの接触点でリフトピン受け止め要素の１つと接触する。

一例として、エッジリングは、エッジリングが３つのリフトピン受け止め要素を有する場合、横方向に拘束され、ここで、リフトピン受け止め要素の各々は、２つの接触点でそれぞれのリフトピンと接触する。この例において、リフトピン受け止め要素の各々は、３以上の接触点でそれぞれのリフトピンと接触することがない。ただし、キネマティックカップリングは、この例に限定されない。同じ効果を達成する別の技術は、３つのリフトピンを含み、１つは正確に３つの点（円錐またはピラミッド形のディボット（くぼみ））でエッジリングと接触し、２つめは正確に２つの点（Ｖ字溝）でエッジリングと接触し、３つめは単一の点で接触する。その他の同様の技術が存在する。各技術が、すべての６自由度（Ｘ、Ｙ、Ｚ、ピッチ、ロール、および、ヨー）の完全な制御を達成するために合計６点で接触することによって、正確にエッジリングを拘束するため、各技術例の末端効果は同じである。 拘束は、制限とは異なることに注意されたい。エッジリングは、例えば、エッジリングが３つのリフトピンを受け止めるよう構成された３つの立方体状のノッチを備える場合には制限されうる。立方体状のノッチの幅は、リフトピンと立方体ノッチとの間にギャップが存在するように、リフトピンの寸法よりも大きくなりうる。エッジリングは、制限されうる（すなわち、横運動が制限されうる）が、拘束されない。

図１は、基板処理システム１００を示しており、基板処理システム１００は、一例として、ＲＦプラズマを用いてエッチングを実行しうる、および／または、その他の基板処理動作を実行しうる。基板処理システム１００は、基板処理システム１００の構成要素の一部を収容すると共にＲＦプラズマを閉じ込める処理チャンバ１０２を備える。基板処理チャンバ１０２は、上側電極１０４と、基板支持体１０６（静電チャック（ＥＳＣ）など）とを備える。動作中、基板１０８が、基板支持体１０６上に配置される。具体的な基板処理システム１００およびチャンバ１０２が一例として示されているが、本開示の原理は、その場でプラズマを生成する基板処理システム、（例えば、プラズマチューブ、マイクロ波チューブを用いて）遠隔プラズマの生成および供給を実施する基板処理システムなど、他のタイプの基板処理システムおよびチャンバに適用されてもよい。

単に例として、上側電極１０４は、処理ガス（例えば、エッチング処理ガス）を導入して分散させるガス分配装置（シャワーヘッド１０９など）を備えてよい。シャワーヘッド１０９は、処理チャンバ１０２の上面に接続された一端を備えるステム部分を備えてよい。ベース部分は、略円筒形であり、処理チャンバ１０２の上面から離れた位置でステム部分の反対側の端部から半径方向外向きに広がる。シャワーヘッド１０９のベース部分の基板対向面すなわちフェースプレートは、処理ガスまたはパージガスが流れる穴を備える。あるいは、上側電極１０４は、導電性のプレートを備えてもよく、処理ガスは、別の方法で導入されてもよい。

基板支持体１０６は、下側電極として機能する導電性のベースプレート１１０を備える。ベースプレート１１０は、セラミック層（または上部プレート）１１２を支持する。一部の例において、セラミック層１１２は、加熱層（セラミックマルチゾーン加熱プレートなど）を備えてよい。熱抵抗層１１４（例えば、ボンド層）が、セラミック層１１２とベースプレート１１０との間に配置されてよい。ベースプレート１１０は、ベースプレート１１０に冷却材を流すための１または複数の冷却材流路１１６を備えてよい。

ＲＦ発生システム１２０が、ＲＦ電圧を生成して、上側電極１０４および下側電極（例えば、基板支持体１０６のベースプレート１１０）の一方に出力する。上側電極１０４およびベースプレート１１０のもう一方は、ＤＣ接地、ＡＣ接地されるか、または、浮遊していてよい。単に例として、ＲＦ発生システム１２０は、整合／配電ネットワーク１２４によって上側電極１０４またはベースプレート１１０に供給されるＲＦ電圧を生成するＲＦ電圧発生器１２２を備えてよい。他の例において、プラズマは、誘導的にまたは遠隔で生成されてよい。例示の目的で示すように、ＲＦ発生システム１２０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）システムに対応するが、本開示の原理は、単に例として、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）システム、ＣＣＰカソードシステム、遠隔マイクロ波プラズマ生成／供給システムなど、他の適切なシステムで実施されてもよい。

ガス供給システム１３０は、１または複数のガス源１３２－１、１３２－２、・・・、および、１３２－Ｎ（集合的に、ガス源１３２）を備えており、ここで、Ｎはゼロより大きい整数である。ガス源は、１または複数のガス（例えば、エッチングガス、搬送ガス、パージガスなど）およびそれらの混合物を供給する。ガス源は、パージガスを供給してもよい。ガス源１３２は、バルブ１３４－１、１３４－２、・・・、および、１３４－Ｎ（集合的に、バルブ１３４）ならびにマスフローコントローラ１３６－１、１３６－２、・・・、および、１３６－Ｎ（集合的に、マスフローコントローラ１３６）によってマニホルド１４０に接続されている。マニホルド１４０の出力は、処理チャンバ１０２に供給される。単に例として、マニホルド１４０の出力は、シャワーヘッド１０９に供給される。

温度コントローラ１４２が、セラミック層１１２に配置された加熱素子（熱制御素子（ＴＣＥ：ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｎｔｒｏｌ ｅｌｅｍｅｎｔ）など）１４４に接続されてよい。例えば、加熱素子１４４は、マルチゾーン加熱プレートにおけるそれぞれの区画に対応するマクロ加熱素子、および／または、マルチゾーン加熱プレートの複数の区画にわたって配置されたマイクロ加熱素子のアレイを含みうるが、これらに限定されない。温度コントローラ１４２は、加熱素子１４４への電力を制御して基板支持体１０６および基板１０８の温度を制御しうる。

温度コントローラ１４２は、流路１１６を通る冷却材の流れを制御するための冷却材アセンブリ１４６と連通してよい。例えば、冷却材アセンブリ１４６は、冷却材ポンプおよびリザーバを備えてよい。温度コントローラ１４２は、基板支持体１０６を冷却するために流路１１６を通して冷却材を選択的に流すように、冷却材アセンブリ１４６を作動させる。

バルブ１５０およびポンプ１５２が、処理チャンバ１０２から反応物質を排出するために用いられてよい。システムコントローラ１６０が、基板処理システム１００の構成要素を制御するために用いられてよい。ロボット１７０が、基板支持体１０６上へ基板を供給すると共に、基板支持体１０６から基板を除去するために用いられてよい。例えば、ロボット１７０は、基板支持体１０６およびロードロック１７２の間で基板を搬送してよい。別個のコントローラとして示しているが、温度コントローラ１４２は、システムコントローラ１６０内に実装されてもよい。一部の例において、保護シール１７６が、セラミック層１１２とベースプレート１１０との間の熱抵抗層１１４の周囲に提供されてもよい。

基板支持体１０６は、エッジリング１８０を備える。本明細書に開示されたエッジリングは、環状であり、エッジリング１８０を含む。エッジリング１８０は、上部リングであってよく、上部リングは、底部リング１８４によって支持されてよい。いくつかの例において、エッジリング１８０は、さらに、１または複数の中間リング（図１では図示せず）および／または基板支持体１０６の他の部分によって支持されてもよい。エッジリング１８０は、リフトピン１８５の上端を受け止めるピン受け止め要素１８２を備えてよい。リフトピン受け止め要素１８２、対応するエッジリング、ならびに、リングアライメント／スペーシング要素の例を図２Ａ～図２６に関して後述する。

エッジリング１８０は、基板１０８に対して移動可能（例えば、垂直方向に上下に移動可能）である。例えば、エッジリング１８０は、コントローラ１６０に応答して、アクチュエータを介して制御されてよい。いくつかの例において、エッジリング１８０は、基板処理中に垂直に移動されてよい（すなわち、エッジリング１８０は、調整可能であってよい）。別の例において、エッジリング１８０は、処理チャンバ１０２は真空下にある状態で、例えばロボット１７０を用いて、エアロックを介して取り外し可能であってよい。さらに別の例において、エッジリング１８０は、調整可能かつ取り外し可能であってよい。別の実施形態において、エッジリング１８０は、後に詳述するように、折りたたみ式エッジリングアセンブリとして実装されてもよい。

図２Ａおよび図２Ｂは、基板２０４を上に配置された基板支持体の一例２００を示す。基板支持体２００は、（例えば、ＥＳＣに対応する）内側部分２０８および外側部分２１２を有するベースまたはペデスタルを備えてよい。例において、外側部分２１２は、内側部分２０８から独立しており、内側部分２０８に対して移動可能であってよい。例えば、外側部分２１２は、底部リング２１６および上部エッジリング２２０を備えてよい。基板２０４は、処理のために内側部分２０８上（例えば、セラミック層（または上部プレート）２２４上）に配置される。コントローラ２２８が、１または複数のアクチュエータ２３２の動作を制御して、エッジリング２２０を選択的に上下させる。例えば、エッジリング２２０は、処理中に支持体２００のポケット深さを調節するために上昇および／または下降されてよい。別の例において、エッジリング２２０は、エッジリング２２０の取り外しおよび交換を容易にするために上昇されてよい。

単に例として、エッジリング２２０は、図２Ａでは完全下げ位置、そして、図２Ｂでは完全上げ位置に示されている。図に示すように、アクチュエータ２３２は、垂直方向にリフトピン２３６を選択的に伸び縮みさせるように構成されたピンアクチュエータに対応する。単に例として、エッジリング２２０は、セラミック、石英、および／または、その他の適切な材料（例えば、炭化シリコン、イットリアなど）で形成されてよい。図２Ａにおいて、コントローラ２２８は、アクチュエータ２３２と通信して、リフトピン２３６を介してエッジリング２２０を直接的に上下させる。一部の例において、内側部分２０８は、外側部分２１２に対して移動可能である。

エッジリング２２０は、リフトピン２３６の上端を受け止めるリフトピン受け止め要素２４０を備える。エッジリング２２０は、３以上のリフトピンを受け止めるための１または複数のリフトピン受け止め要素を備えてよい。一実施形態において、エッジリング２２０は、それぞれ対応する３つのリフトピンを受け止める３つのリフトピン受け止め要素を備える。３つのリフトピン受け止め要素は、互いに１２０°離れて配置されてよい（この配置の一例を図６に示す）。リフトピン受け止め要素２４０は、溝、ディボット、ポケット、ノッチ、凹部領域、および／または、その他の適切なリフトピン受け止め要素を含みうる。リフトピン受け止め要素２４０とリフトピンとの間の接触は、リフトピン上でエッジリング２２０を位置決めし、水平（すなわち、横）方向（例えば、ＸおよびＹ方向）ならびに垂直方向（例えば、Ｚ方向）でエッジリング２２０の位置を維持するキネマティックカップリングを提供する。これは、アンチウォーク機構を提供する。エッジリングの「ウォーキング」とは、処理される基板に対する上部エッジリングの位置の経時的な変動のことであり、極縁部（ＥＥ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｅｄｇｅ）の均一性の変動につながる。

アンチウォーク機構は、以下の時に基板２０４が水平に移動するのを防止するのに役立つ：基板支持体２００上で固定されていない（または浮いている）時；温度サイクリング中；異なる熱膨張率に関連する温度差が存在する時；基板のデチャック不良時；および／または、振動イベント時。リフトピン受け止め要素の例を、少なくとも図３Ａ～図１３、図１５～図２１、および、図２５に示す。エッジリング２２０が、上述のように処理中に調整のために上昇される時、コントローラ２２８は、エッジリング２２０の調整可能範囲を制御するよう構成されている。換言すると、エッジリング２２０は、完全下げ位置（例えば、０．０インチ（”））から完全上げ位置（例えば、０．２５”（６．３５ｍｍ））まで上昇されてよい。リフトピン２３６は、エッジリング２２０と接触するまでに初期位置から所定の量（例えば、０．０５０”（１．２７ｍｍ））だけ上昇されてよい。

図３Ａおよび図３Ｂは、エッジリングアセンブリ３０２、基板支持体３０４、および、基板３０６の一部３００を示す。エッジリングアセンブリ３０２は、上部エッジリング３０８、中間エッジリング３１０、および、底部リング３１２を備えてよい。基板支持体３０４は、上部プレート３１４およびベースプレート３１８を備えてよい。

上部エッジリング３０８は、上部部材３１９および外側フランジ３２０を備えたカップ状であり、外側フランジ３２０は、上部部材３１９から下方に伸びる。上部部材３１９は、リフトピン受け止め要素を備える（１つのリフトピン受け止め要素３２２が図示されている）。リフトピン受け止め要素３２２は、上部部材３１９の底部側に配置され、リフトピン３２４と向かい合い、リフトピン３２４は、ベースプレート３１８、底部エッジリング３１２の穴３２８、および、中間エッジリング３１０の穴３２９を通して伸びる。リフトピン３２４は、ベースプレート３１８の穴３３０を通して伸びる。外部フランジ３２０は、中間エッジリング３１０、リフトピン３２４の上側部分、底部エッジリング３１２の上側部分、および、基板支持体３０４の一部を、プラズマを直接受けることおよび／またはプラズマと接触することから保護する。これは、腐食を防ぎ、中間エッジリング３１０、リフトピン３２４、底部エッジリング３１２、および、基板支持体３０４の寿命を延ばす。同様に、底部エッジリング３１２は、リフトピン３２４の一部およびベースプレート３１８をプラズマへの直接的な暴露および／またはプロズマとの接触から保護する。穴３２９は、リフトピン３２４が中間エッジリング３１０と接触することを防ぐために大きめのサイズになっている。

リフトピン３２４の上端部３３２は、リフトピン受け止め要素３２２内に受け止められる。リフトピン受け止め要素３２２は、例えば、半円錐形（または四分球形）の両端を有する「Ｖ字」形の溝であってよい。「Ｖ字」形の溝は、図３Ｂ、図４、図５、および、図７で見られる。リフトピン３２４の上端部３３２は、半球形であってもよいし、（ｉ）リフトピン受け止め要素３２２の表面３４２、３４４と接触する丸まった縁部３４０と（ｉｉ）平坦な上面３４６とを有してもよい。上端部３３２は、リフトピン３２４の２つの点がリフトピン受け止め要素３２２と接触し、リフトピン３２４のその他の部分が接触しないような形状である。上端部３３２は、以下のために平坦な上面３４６を有してもよい：リフトピン３２４の製造を容易にすることで製造コストを削減するため；歩留まりを上げるため；および／または、上端部３３２がリフトピン受け止め要素３２２の頂点部分（または湾曲部分）と接触することを防ぐため。頂点部分は、図４に符号４００で示されている。上端部３３２と頂点部分４００との間の接触は、「Ｖ」字形の溝の中でリフトピン３２４を「ボトムアウトさせる（底に到達させる）」と表現される。

中間エッジリング３１０は、第１上面３５２から第２上面３５４への移行部にインステップ３５０（甲部３５０）を備える。基板３０６は、第１上面３５２の上に配置される。上部エッジリング３０８は、第２上面３５４の上に配置される。第２上面３５４は、第１上面３５２よりも低い高さにある。上部エッジリング３０８は、第１上面３５２の高さおよび／または基板３０６の上面の高さよりも高い高さまで上昇されてよい。一例として、上部エッジリング３０８は、中間エッジリング３１０に対して０．２４”～０．６０”（６．０９６ｍｍ～１５．２４ｍｍ）」持ち上げられてよい。上部エッジリング３０８は、例えば、基板３０６の上面の高さよりも０．１５”～０．２”（３．８１ｍｍ～５．０８ｍｍ）高く持ち上げられてよい。上部エッジリング３０８が完全下げ位置（すなわち収縮位置）にあるとき、基板３０６は、上部エッジリング３０８の半径方向内側に配置される。上部エッジリング３０８が完全上げ位置（すなわち伸展位置）にあるとき、上部エッジリング３０８は、基板３０６よりも高くてよい。インステップ３５０は、（ｉ）基板支持体３０４から基板３０６をデクランプするのに役立ち、（ｉｉ）上部エッジリングが基板３０６に対して傾くことを防ぐなど、上部エッジリング３０８の位置決めを維持するのに役立ち、（ｉｉｉ）例えば、基板３０６が基板支持体３０４にクランプされていない時に、基板３０６が上部エッジリング３０８の下に移動することを防ぐのに役立つ。

上部エッジリング３０８は、図６に示すように、１または複数のリフトピン受け止め要素３２２を備えてよい。これは、対応するリフトピンとの接触と共に、キネマティックカップリングおよびアンチウォーク機構を提供する。上部エッジリング３０８は、リフトピンとリフトピン受け止め要素３２２との間の相互作用に基づいて、基板支持体３０４に対してセンタリングされる。リフトピン受け止め要素３２２がそれに対応するリフトピンの所定の距離内にあるように、上部エッジリング３０８が最初に配置されると、リフトピン受け止め要素３２２は、リフトピンを受け止めるように移動し、それにより、上部エッジリング３０８の位置決めを行う。換言すると、上部エッジリング３０８は、目標位置（リフトピンの上端がリフトピン受け止め要素内に配置される位置）の所定の距離内に配置されると、目標位置に移動する。これは、「Ｖ」字形の溝を備えることによるものであり、リフトピン受け止め要素のベベル開口部エッジによってもよい。ベベル開口部エッジの例を図５および図７に示す。一例として、上部エッジリング３０８は、目標位置の±５％内に配置されると、リフトピン受け止め要素３２２によって規定された目標位置に移動する。上部エッジリング３０８は、適所に収まり、重力によってリフトピン上に保持される。

上部エッジリング３０８のリフトピン受け止め要素とリフトピンとの間のキネマティックカップリングは、上部エッジリング３０８が、エッジリング３０８、３１０、３１２の経時的な腐食に左右されることなしに基板支持体３０４に対して同じ位置にセンタリングされることを可能にする。この一貫したセンタリングは、表面３４２、３４４の均一な腐食（すなわち、同じ速度での腐食）および上端部３３２の均一な腐食によって起きる。また、キネマティックカップリングは、特定の公差が緩和される（すなわち、大きくなる）ことを可能にする。例えば、エッジリング３０８は、エッジリング３０８が配置されるたびにリフトピンに対しておおよそ同じ位置に配置されるので、リフトピン受け止め要素の寸法の公差が大きくなりうる。別の例として、エッジリング３０８、３１０、３１２の間のギャップが、リフトピンに対するエッジリング３０８の一貫した配置により大きくなりうる。均一な腐食は、上部エッジリング３０８の利用可能な寿命の間、上部エッジリング３０８のセンタリングを維持する。

また、上部エッジリング３０８が、基板支持体３０４に対してセンタリングされなかった場合、および／または、基板３０６と同心でない場合、上部エッジリング３０８の中心は、（ｉ）基板支持体３０４および／または基板支持体３０４の上部プレートの中心からオフセットされる、ならびに／もしくは、（ｉｉ）基板３０６の中心からオフセットされる。これらのオフセットは、決定可能であり、一貫して存在することになる。結果として、図１のコントローラ１４２、１６０は、基板３０６の処理時に、これらのオフセットを考慮および／または補償してよい。これは、これらのオフセットを補償するために、ガス圧、電極電圧、バイアス電圧などのパラメータを調節することを含んでよい。

一実施形態において、エッジリング３０８、３１０、３１２は、石英ならびに／もしくは１または複数のその他の適切な不揮発性材料で形成される。リフトピン３２４は、サファイアならびに／もしくは１または複数のその他の適切な揮発性材料で形成される。これは、処理中の腐食および粒子生成を最小化する。揮発性材料の例は、アルミナ、炭化シリコン、および、サファイアである。

図４は、上部エッジリング３０８および対応するリフトピン３２４の一部を示し、ピンと溝との相互作用を説明する図である。リフトピン３２４の上端部３３２は、丸まった縁部３４０を介して表面３４２、３４４とそれぞれ２つの点４０１、４０２で接触する。これは、最小の反力のために最小の接触を提供する。最小の接触は、表面３４２、３４４および上端部３３２の腐食を最小化する。丸まった縁部３４０と表面３４２、３４４との間のこの曲面と平面との接触は、ヘルツの法則に従う。一例として、リフトピン３２４の直径Ｄ１は、０．０４０”（１．０１６ｍｍ）であってよく、最大０．０２５０”（０．６３５ｍｍ）であってよい。一実施形態において、直径Ｄ１は、．０６０”～．０８０”（１．５２４ｍｍ～２．０３２ｍｍ）である。中間エッジリング３１０の穴３２９の直径は、リフトピン３２４の直径の２～３倍であってよい。リフトピン３２４の平坦な上部３４６は、頂点部分４００と接触しない。

図５は、リフトピン受け止め要素３２２を示しており、リフトピン受け止め要素３２２は、表面３４２、３４４を持つ「Ｖ」字形溝５００と、半円錐形（または四分球形）の端部５０２、５０４とを備える。表面３４２、３４４および端部５０２、５０４は、図に示すように、頂点部分５０６（丸まっていてよい）で出会う。表面３４２、３４４および端部５０２、５０４は、ベベル開口部エッジ５０８、５１０、５１２、５１４を有する。ベベル開口部エッジ５０８、５１０、５１２、５１４は、「Ｖ」字形溝５００内にリフトピンを位置決めするのに役立つ。

図６は、図に示したような半円錐形の端部または四分球形の端部を有するそれぞれの「Ｖ」字形溝を備えた複数のリフトピン受け止め要素３２２、３２２’、３２２”を有する上部エッジリング３０８を示す。「Ｖ」字形溝の各々は、対応するリフトピンが「Ｖ」字形溝に対して半径方向に移動することを許容するが、対応するリフトピンの円周方向の移動は防ぐ。３つのリフトピン６００が図示されており、その内の１つは、図３Ａのリフトピン３２４であってよい。

図７は、「Ｖ」字形溝７００の寸法を示す上部エッジリング３０８の一部の図である。「Ｖ」字形溝７００は、側面３４２、３４４、頂点部分７０２、および、ベベルエッジ７０４、７０６を備える。頂点部分７０２は、第１所定の半径Ｒ１を有してよく、ベベルエッジ７０４、７０６は、それぞれの所定の半径Ｒ２、Ｒ３を有してよい。一例として、半径Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、０．０１５”（０．３８１ｍｍ）であってよい。半径Ｒ１は、．００２”～．１２５”（０．０５０８ｍｍ～３．１７５ｍｍ）の間であってよい。半径Ｒ２は、．００２”～．１２５”（０．０５０８ｍｍ～３．１７５ｍｍ）の間であってよい。半径Ｒ３は、．００２”～．１２５”（０．０５０８ｍｍ～３．１７５ｍｍ）の間であってよい。表面３４２、３４４の各々は、「Ｖ」字形溝７００の中心線７１０に対して所定の角度Ａ１を成してよい。表面３４２、３４４は、互いに対して所定の角度Ａ２を成してよい。一例として、所定の角度Ａ１は、４５°であってよい。所定の角度Ａ１は、５°～９０°の間であってよい。一例として、所定の角度Ａ２は、９０°であってよい。所定の角度Ａ２は、１０°～１８０°の間であってよい。

「Ｖ」字形溝７００は、所定の開口幅Ｗ１を有する。ベベルエッジ７０４、７０６は、所定の開口幅Ｗ２を有しており、これは、Ｗ１よりも広い。一例として、所定の開口幅Ｗ１は、０．１０４”（２．６４１６ｍｍ）であってよい。所定の開口幅Ｗ１は、．０２０”～．５００”（０．０２０ｍｍ～０．５０８ｍｍ）の間であってよい。所定の開口幅Ｗ２は、．０２４”～．７５０”（０．６０９６ｍｍ～１９．０５ｍｍ）の間であってよい。「Ｖ」字形溝７００は、所定の深さＤＰ１を有する。深さＤＰ１は、．０１０”～．２５０”（０．２５４ｍｍ～６．３５ｍｍ）の間であってよい。

深さＤＰ１と、対応するリフトピン３２４の直径Ｄ１（図４に示した）との間の比は、おおよそ１（すなわち１：１）に等しくてよい。深さＤＰ１と直径Ｄ１との間の比は、１０：１～１：８の間であってよい。一実施形態において、深さＤＰ１は、．０６２”（１．５７４８ｍｍ）である。深さＤＰ１は、．００５”～．２５０”（０．１２７ｍｍ～６．３５ｍｍ）の間であってよい。幅Ｗ１と直径Ｄ１との間の比は、２：１であってよい。幅Ｗ２と直径Ｄ１との間の比は、２０：１～１：４の間であってよい。「Ｖ」字形溝７００内のリフトピン３２４の深さＤＰ２と深さＤＰ１との間の比は、おおよそ５．０：６．２または８０％に等しくてよく、ここで、深さＤＰ２は０．０５０”（１．２７ｍｍ）であり、深さＤＰ１は０．０６２”（１．５７４８ｍｍ）である。深さＤＰ２と深さＤＰ１との間の比は、１０：１～９９：１００の間であってよい。深さＤＰ２は、．００１”～．５００”（０．０２５４ｍｍ～１２．７ｍｍ）の間であってよい。一実施形態において、深さＤＰ２は、．０５０”（１．２７ｍｍ）である。

一実施形態において、角度Ａ２は９０°であり、深さＤＰ２は０．０５０”（１．２７ｍｍ）であり、直径Ｄ１は０．０６０”（１．５２４ｍｍ）であり、深さＤＰ１は０．０６２”であり、幅Ｗ１は０．１０４”（２．６４１６ｍｍ）である。これは：リフトピン３２４と「Ｖ」字形溝７００との間に２つの接触点を提供し；リフトピン３２４の上部と「Ｖ」字形溝７００の頂点部分７０２（すなわち上部）との間に適切な量の空間を提供することで、ボトムアウトを防ぎ；「Ｖ」字形溝７００と上部エッジリング３０８の上面との間の厚さＴ１を最大化し；対応する上部エッジリング３０８を基板支持体に対して位置決めおよびセンタリングし、リフトピン３２４を「Ｖ」字形溝７００内へガイドするための適切な量の配置公差を提供する。エッジリング３０８は、全体の厚さＴ２と、上面から「Ｖ」字形溝までの厚さＴ１とを有してよい。厚さＴ２は、．０２５”～１０”（０．６３５ｍｍ～２５４ｍｍ）の間であってよい。厚さＴ２は、．０２”～９．９９５”（０．５０８ｍｍ～２５３．８７３ｍｍ）の間であってよい。一実施形態において、厚さＴ２は．１４５”（３．６８３ｍｍ）であり、厚さＴ１は．０８３”（２．１０８２ｍｍ）である。

角度Ａ２が大きいほど、リフトピン３２４がボトムアウトして頂点部分７０２と接触する可能性が高くなる。角度Ａ２が小さいほど、溝７００が深くなり、厚さＴ１が小さくなり、これにより、上部エッジリング３０８の寿命が短くなる。角度Ａ２が一定値のままで、開口部の幅Ｗ１が広くなるほど、厚さＴ１が小さくなり、リフトピン３２４の水平配置の制約が緩くなる。角度Ａ２が一定値のままで、幅Ｗ１が狭くなるほど、厚さＴ１が大きくなり、リフトピン３２４の水平配置の制約がきつくなる。

図８は、平坦凹陥上部８０４を備えた溝の形態のリフトピン受け止め要素８０３を有する上部エッジリング８０２の一例を示す、エッジリングスタックの一部８００の図である。このスタイルのリフトピン受け止め要素は、後に詳述するように、図３Ａ～図７に示したリフトピン受け止め要素と交換されてもよいし、併用されてもよい。上部エッジリング８０２は、中間エッジリング８０６の上に配置されてよく、中間エッジリング８０６は、底部エッジリング８０８の上に配置されてよい。リフトピン受け止め要素８０３は、平坦凹陥部８０４に向かって内向きに伸びる「Ｖ」字形側壁８１０、８１２を備える。平坦凹陥部８０４は、カップ形状であり、平坦凹陥部８０４の連続的なスロット形状側壁８１８（図９に示す）の一部である側壁８１４、８１６を備える。図９は、リフトピン受け止め要素８０３を示す。平坦凹陥部８０４は、さらに、平坦上面８２０を備える。

リフトピン８２２が、リフトピン受け止め要素８０３内に配置されてよく、側壁８１０、８１２の上部と接触する。リフトピン８２２は、平坦凹陥部８０４とは接触しない。リフトピン８２２の上部８２４は、平坦凹陥部８０４によって規定された開放領域の中へ突出してよい。上部８２４は、図に示すように、上部平坦面を有してよい。リフトピン受け止め要素８０３は、図９に示すように、さらに、半円錐形の端部８３０、８３２を備え、それらは、側壁８１０、８１２に隣接する。

図１０は、ディボットの形態のリフトピン受け止め要素１００４を有する上部エッジリング１００１の一例を示す、エッジリングスタックの一部１０００の図である。エッジリングスタックは、エッジリング１００１、１００２、１００３を備える。ディボット１００４は、面取り側壁１００６および半球形部分１０１０を備えてよい。リフトピン１０１４の上部１０１２は、半球形で、半球形部分１０１０内に配置されてよい。部分１０１０、１０１２は、図に示すように、上部平坦面を有してよい。図１１は、ディボット１００４を示しており、面取り側壁１００６および半球形部分１０１０を示す。

図１２は、四分球形端部１２１２、１２１４を備えた凹陥上部１２１０を有する溝の形態のリフトピン受け止め要素１２０８を備える上部エッジリング１２０６の一例を示す、エッジリングアセンブリ１２０１、基板支持体１２０２、および、基板１２０４の一部１２００の図である。部分１２００は、図３Ａの部分３００と同様であってよいが、溝３２２の代わりに、リフトピン受け止め要素１２０８を有する上部エッジリング１２０６を備える。図１３は、リフトピン受け止め要素１２０８を示す。リフトピン受け止め要素１２０８は、「Ｖ」字形側壁１３２０、１３２２と、円錐形端壁１３２４、１３２６と、「Ｕ」字形上壁１３２８と、四分球形端部１２１２、１２１４とを備える。

図１４は、安定化要素１４０８、１４１０の組み込みを示す、エッジリングアセンブリ１４０２、基板支持体１４０４、および、基板１４０６の一部１４００の図である。安定化要素１４０８、１４１０は、それぞれ、上部エッジリング１４１２および基板支持体１４１４内に配置される。２つの安定化要素が図示されているが、任意の数の安定化要素が備えられてよい。上部エッジリング１４１２は、３以上の安定化要素を備えてよい。同様に、基板支持体１４１４は、３以上の安定化要素を備えてよい。一実施形態において、上部エッジリング１４１２の安定化要素は、互いに１２０°離れて配置される。一実施形態において、基板支持体１４１４の安定化要素は、互いに１２０°離れて配置される。安定化要素は、バネを含んでよいおよび／またはバネとして実装されてよい。

安定化要素１４０８は、上部エッジリング１４１２の内側ポケット１４３０内に配置され、エッジリング１４１６の外周面１４３２に圧力を印加する。安定化要素１４１０は、基板支持体１４１４の外側ポケット１４４０内に配置され、エッジリング１４１６の内面１４４２に圧力を印加する。安定化要素は、上部エッジリング１４１２および基板支持体１４１０の中に配置されているように図示されているが、安定化要素は、エッジリング１４１６など、他のエッジリング内に配置されてもよい。

一実施形態において、安定化要素は、上部エッジリング１４１２内のリフトピン受け止め要素を利用せずに備えられる。リフトピンの上部は、上部エッジリング１４１２の底部内面１４２０に接してよい。別の実施形態において、安定化要素は、リフトピン受け止め要素（図１～図１３、図１５～図２１、および、図２５に示すリフトピン受け止め要素など）と共に組み込まれる。

図１５は、エッジリングアセンブリ１５０２、基板支持体１５０４、および、基板１５０６の一部１５００を示す。エッジリングアセンブリ１５０２は、上部エッジリング１５０８、内側安定化エッジリング１５１０、エッジリングスタック１５１２、および、ライナ１５１４を備える。エッジリングスタック１５１２は、外周エッジリング１５２０、中間エッジリング１５２２、および、底部エッジリング１５２４を備える。基板支持体１５０４は、上部プレート１５２６およびベースプレート１５３２を備える。リフトピン１５３４が、シールド１５３８内に受け入れられる。リフトピン１５３４は、ベースプレート１５３２のチャネル１５４０を通して伸びる。シールド１５３８は、ベースプレート１５３２上に配置され、それぞれエッジリング１５２４、１５２２、１５２０の穴１５４２、１５４４、および、１５４６を通して伸びる。シールド１５３８は、リフトピン１５３４の上側部分を腐食から保護する。ライナ１５１４は、環状であり、エッジリング１５２２、１５２４の外周および外周エッジリング１５２０の外周の底部の外側に配置され、それらを腐食から保護する。

上部エッジリング１５０８は、周囲に配置されたリフトピン受け止め要素を備える（１つのリフトピン受け止め要素１５５０が図示されている）。図の例において、リフトピン受け止め要素は、上部エッジリング１５０８の外側底部周囲に配置されたノッチの形態である。異なるスタイルのリフトピン受け止め要素が組み込まれてよい。ノッチの例を図１６～図１８に示す。リフトピン１５３４は、上部エッジリング１５０８を持ち上げるために、ベースプレート１５３２およびシールド１５３８内を上方に、リフトピン受け止め要素１５５０内へと移動される。上部エッジリング１５０８は、上部エッジリング１５０８の底面１５５２が基板１５０６の上面１５５４より上になるように持ち上げられてよい。一例として、上部エッジリング１５０８は、０．２４”～０．６０”（６．０９６ｍｍ～１５．２４ｍｍ）持ち上げられてよい。一実施形態において、上部エッジリング１５０８は、基板１５０６の処理中に０．１５”～０．２”（３．８１ｍｍ～５．０８ｍｍ）持ち上げられる。上部エッジリング１５０８の上昇は、基板１５０６および上部エッジリング１５０８上方に位置するプラズマシースを移動させて形成し、これは、イオンがどのように基板１５０６に向けられるかに影響する。上部エッジリング１５０８が基板１５０６に対して高く上げられるほど、プラズマシースの傾斜角の変化が大きくなる。傾斜角の例を図２０～図２１に示す。上部エッジリング１５０８は、処理中に第１高さまで上昇されてよい。上部エッジリング１５０８は、上述のように、アームを用いて取り外されるために、処理中に第２高さまで上昇されてよい。第２高さは、第１高さよりも高くてよい。

安定化エッジリング１５１０は、第１上面１５６０、第２上面１５６２、および、インステップ１５６４を備える。第１上面１５６０は、基板１５０６の下に配置される。第２上面１５６２は、上部エッジリング１５０８の下に配置される。第１上面１５６０は、インステップ１５６４を介して第２上面１５６２へと移行する。一例として、第２上面１５６２から第１上面１５６０までのインステップ１５６４の高さは、０．３０”（７．６２ｍｍ）であってよい。インステップ１５６４は、（ｉ）基板支持体１５０４から基板１５０６をデクランプするのに役立ち、（ｉｉ）上部エッジリングが基板１５０６に対して傾くことを防ぐなど、上部エッジリング１５０８の位置決めを維持するのに役立ち、（ｉｉｉ）例えば、基板１５０６が基板支持体１５０４にクランプされていない時に、基板１５０６が上部エッジリング１５０８の下に移動することを防ぐのに役立つ。

一例として、エッジリング１５０８および１５２０は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。エッジリング１５１０は、炭化シリコンおよび／またはサファイアなどの揮発性材料で形成されてよい。エッジリング１５２２および１５２４は、アルミナなどの揮発性材料で形成されてよい。ライナ１５１４は、金属材料で形成されてよい。

図１６～図１７は、リフトピン受け止め要素１５５０を説明する、上部エッジリング１５０８の一部１６００、１６０２の図である。リフトピン受け止め要素１５５０は、ノッチの形態で図示されており、「Ｖ」字形側壁１６０４、１６０６と、半円錐形端部（または四分球形端部）１６０８と、を備える。リフトピン受け止め要素１５５０は、リフトピン受け止め要素１５５０の底部外側部分に沿ってベベルエッジ１６１０を備えてよい。リフトピン１６２０がリフトピン受け止め要素１５５０内に受け止められている様子が図示されている。リフトピン受け止め要素１５５０は、上部エッジリング１５０８の周縁１６２２から伸びる。リフトピン受け止め要素１５５０は、平坦、カップ状、および／または、丸みを帯びた形状あってよい頂点部分１６２４を備えてよい。「Ｖ」字形側壁１６０４、１６０６は、ベベル部分１６２６、１６２８を提供するように、周縁部の近くで上向きにベベル加工されてよい。

図１８は、エッジリング１５０８を示しており、これは、３以上のリフトピン受け止め要素を備えてよい。図１８において、３つのリフトピン受け止め要素１８００が示されており、その内の１つは、リフトピン受け止め要素１５５０であってよい。３つのリフトピン受け止め要素１８００は、上部エッジリング１５０８の周縁に沿って１２０°ずつ離間されてよい。

図１９は、エッジリングシステム１９００、基板支持体１９０２、および、基板１９０４を示す。エッジリングシステム１９００は、折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６、上外側エッジリング１９０８、下外側エッジリング１９１０、アライメントピン１９１１、および、ライナ１９１２を備える。アライメントピン１９１１は、エッジリング１９０８、１９１０の間のアライメントを維持する。ライナ１９１２は、下外側エッジリング１９１０の外周および上外側エッジリング１９０８の底部を腐食から保護する。基板支持体１９０２は、上部プレート１９２６、シール１９２８、１９３０、および、ベースプレート１９３２を備える。リフトピン１９３８が、エッジリング１９０８、１９１０を通して、折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６内へ伸びる。

折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６は、上部エッジリング１９４０と、１または複数の中間エッジリング（中間エッジリング１９４２、１９４４、１９４６が図示されている）と、３以上のリングアライメント／スペーシング要素（１つのリングアライメント／スペーシング要素１９４８が示されている）と、を備える。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６は、複数のエッジリングを用いて調整を提供する。プラズマが上部エッジリング１９４０の下を流れることなしに、上部エッジリング１９４０をさらに高くまで上げることができるので、これは、単一エッジリング設計よりも調整範囲を拡げる。複数のエッジリングは、対応する処理チャンバが真空下にある状態で交換されるように、サイズを決められ、リフトピンを用いて持ち上げられてよい。リングアライメント／スペーシング要素は、互いに対するエッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の横方向（または半径方向）アライメントを維持するため、および、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間の垂直スペーシングを制御するために組み込まれる。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６のアライメントは、上部エッジリング１９４０内のリフトピン受け止め要素（１つのリフトピン受け止め要素１９５０が図示されている）の「Ｖ」字形溝によって支援される。上部エッジリング１９４０は、１または複数のリフトピン受け止め要素を備える。リフトピン受け止め要素は、例えば、図３Ａ～図１３に開示されたリフトピン受け止め要素のいずれかとして実装されてよい。エッジリング１９４２、１９４４、１９４６は、リフトピン１９３８が通される穴１９５２、１９５４、１９５６を備える。

リングアライメント／スペーシング要素は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の対応する部分に対して、少なくとも部分的に中におよび／または貫通して伸びてよい、結合してよい、接着してよい、押しつけられてよい。リングアライメント／スペーシング要素は、折りたたみ式であってよい。リングアライメント／スペーシング要素は、蛇腹式の壁を有してよい（すなわち、「アコーディオンのよう」であってよい）、および／または、リングアライメント／スペーシング要素を伸び縮みさせることを可能にするテレスコピックの特徴を有してよい。リングアライメント／スペーシング要素は、リングアライメント／スペーシング要素の各部分が、１または複数の隣接する部分と連動するような、テレスコピック装置と同様の連動要素を備えてもよい。リングアライメント／スペーシング要素の例を図２２Ａ～図２６に示す。リングアライメント／スペーシング要素は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６がリングアライメント／スペーシング要素を介して結合された結果として、対応するリフトピン（例えば、リフトピン１９３８）が、上部エッジリング１９４０を直接持ち上げることで、それに続いて、中間エッジリング１９４２、１９４４、１９４６を間接的に連続して持ち上げることを可能にする。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６は、異なる高さまで持ち上げられる。一実施形態において、リングアライメント／スペーシング要素の各々は、対応するエッジリングの間にそれぞれの量の分離を提供するために、それぞれの量のラッピングを有する。リングアライメント／スペーシング要素は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の所定のスペーシングパターンを提供してよい。異なる用途、レシピ、エッチングパターンなどに対して、異なるスペーシングパターンが提供されてよい。

リングアライメント／スペーシング要素は、完全収縮状態、完全伸展状態、および、それらの間の複数の中間的な（すなわち、部分的に伸展した）状態を有する。完全収縮状態の間、リングアライメント／スペーシング要素は、互いに接触してもよいし、隣接するリングアライメント／スペーシング要素の間に最小量の分離を有してもよい。完全伸展状態の間、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６は、互いに分離され、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の内の隣接するリングの間に最大量の分離を有する。引き出される際、上部エッジリング１９４０は、中間エッジリング１９４２、１９４４、１９４６の移動なしに最初に持ち上げられる。上部エッジリング１９４０と最初の中間エッジリング１９４２との間の距離が最大になると、最初の中間エッジリング１９４２が持ち上げられる。各後続の中間エッジリングに対して、同様のプロセスが起きる。特定の数のエッジリングが折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６の一部として図示されているが、２以上のエッジリングが備えられてよい。

一例として、エッジリング１９０８は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。エッジリング１９１０は、アルミナなどの揮発性材料で形成されてよい。ライナ１９１２は、金属材料で形成されてよい。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６ は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。リングアライメント／スペーシング要素１９４８は、サファイアなどの揮発性材料で形成されてよい。

リングアライメント／スペーシング要素１９４８は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間の最大分離距離を制限して、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間にプラズマが流れることを防いでよい。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間のプラズマの流れは、上部エッジリング１９４０の垂直移動に関連するプラズマシース調整可能性を低減および／または排除しうる。また、リフトピン１９３８は、一番下の中間エッジリング１９４６を基板１９０４の上面１９６０から所定の距離よりも高く持ち上げることを制限されてもよい。一例として、図１のシステムコントローラ１６０は、一番下の中間エッジリング１９４６の垂直上昇を制限してエッジリング１９４６と安定化エッジリング１９６２との間にプラズマが流れることを防止するために、リフトピン１９３８の移動量を制限してよい。エッジリング１９４６および１９６２の間のプラズマの流れも、上部エッジリング１９４０の垂直移動に関連するプラズマシース調整可能性を低減および／または排除しうる。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６、１９６２の隣接するペアの間の最大分離距離を制限することにより、隣接ペア間のプラズマの流れが防止される。

図２０～図２１は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６を備えた図１９の折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６の一部２０００を示す。折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６は、図に示すように、（ｉ）第１部分伸展状態にあり、第１対応プラズマシース傾斜角α１を有する、および、（ｉｉ）第２部分伸展状態にあり、第２対応プラズマシース傾斜角α２を有する。折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６は、図２０よりも図２１の方が伸展した状態にあると示されている。この理由から、プラズマシース傾斜角αは、図２０の例よりも図２１の例の方が大きい。プラズマシース傾斜角αとは、（ｉ）上部エッジリング１９４０の内周縁２００２を通って伸びる垂線２００１と、（ｉｉ）エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の周囲に沿って垂直にプラズマのおおよその周囲を表す線２００４との間の角度を意味しうる。

エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の各々の断面の幅ＷＣが同じである場合、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６と、プラズマ２０１０との間のギャップは、上部エッジリング１９４０の上面から一番下の中間エッジリング１９４６に向かって増加しうる。一実施形態において、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の断面の幅は、上部エッジリング１９４０から一番下の中間エッジリング１９４６まで増加してもよく、その場合：エッジリング１９４６の断面はエッジリング１９４４の断面よりも広く；エッジリング１９４４の断面はエッジリング１９４２の断面よりも広く；エッジリング１９４２の断面はエッジリング１９４０の断面よりも広い。下の方のエッジリングではギャップのサイズが増大するため、下の方のエッジリングの半径方向移動の自由度の許容範囲は、上の方のエッジリングの半径方向移動の自由度の許容範囲よりも大きい。

エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の持ち上げ位置を制御することにより、プラズマシースの形状および傾斜角が調節される。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６が高く持ち上げられるほど、形状および傾斜角αが大きく調節される。これは、０．０３９”（０．９９０６ｍｍ）以内までの基板１９０４の周囲（または周縁部）付近で制御可能なエッチング調整を提供する。上部エッジリング１９４０が持ち上げられると、傾斜角αが大きくなり、エッチングされる上面１９６０の面積が減少する。これは、エッチングの周辺範囲を広げ、周辺範囲内の基板１９０４の上面１９６０がエッチングされる程度を増加させる。

図２２Ａ～図２２Ｂは、図２２Ａでは折りたたみ状態そして図２２Ｂでは伸展状態にある内側に配置されたリングアライメント／スペーシング要素２２０２を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２２００を示す。折りたたみ式エッジリングアセンブリ２２００は、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６を備えてよい。リングアライメント／スペーシング要素２２０２は、「ピラミッド」形状で、複数のレベル２２１７、２２１９、２２２１、２２２３を備えるように段になっており；エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６のそれぞれに対して各レベルがある。上部エッジリング２２１０が持ち上げられると、リングアライメント／スペーシング要素２２０２が伸展し、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６の間のアライメントを維持し、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６を逐次持ち上げる。

一例として、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６は、厚さＴ１～Ｔ４を有してよく、リングアライメント／スペーシング要素２２０２の段は、高さＨ１～Ｈ４を有してよい。一実施形態において、厚さＴ２～Ｔ４は互いに等しい。別の実施形態において、厚さＴ２～Ｔ４は異なる。さらに別の実施形態において、厚さＴ２～Ｔ４は、Ｔ４＞Ｔ３＞Ｔ２となるように、Ｔ２からＴ４に向かってサイズが増加する。一実施形態において、高さＨ１～Ｈ３は互いに等しい。レベル２２１７、２２１９、２２２１、２２２３は、幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４を有する。レベルが低くなるほど、幅が広くなり、Ｗ４＞Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１である。

図２３Ａおよび図２３Ｂは、エッジリング２３０２、２３０４、２３０６、および、エッジリングアライメント／スペーシング要素２３０８、２３０９、２３１０（リングアライメント／スペーシング要素２３０８は図１に示した）を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２３００を示す。リングアライメント／スペーシング要素２３０８は、図２３Ａに伸展状態で示されている。リングアライメント／スペーシング要素２３０８、２３０９、２３１０は、エッジリング２３０２、２３０４、２３０６の周囲に配置される。リングアライメント／スペーシング要素２３０８、２３０９、２３１０の各々は、「櫛」状であってよく、エッジリング２３０２、２３０４、２３０６を持ち上げるためのフィンガ２３２０、２３２２、２３２４をそれぞれ備えてよい。フィンガ２３２０、２３２２、２３２４は、主部材２３２６から半径方向内向きに伸びる。３つのエッジリングおよび３つのフィンガが各リングアライメント／スペーシング要素に対して図示されているが、２以上のエッジリングおよび２以上のフィンガが備えられてよい。フィンガ２３２０、２３２２、２３２４は、それぞれのエッジリング２３０２、２３０４、２３０６と連結する、エッジリングと結合する、エッジリングのノッチ内にはまる、および／または、エッジリングを保持するよう構成されてよい。図示されていないが、リフトピンが、エッジリングの内の１または複数（例えば、エッジリング２３０４、２３０６）を通して、一番上のエッジリング（例えば、エッジリング２３０２）のリフトピン受け止め要素内へ伸びてよい。リフトピンは、エッジリング２３０２を直接持ち上げ、それに続いて、リングアライメント／スペーシング要素２３０８のフィンガ２３２０、２３２２、２３２４によって保持されている、フィンガに結合されている、および／または、フィンガ上に載っていることで、エッジリング２３０４、２３０６を間接的に持ち上げる。フィンガ２３２０、２３２２、２３２４は、一番上のフィンガ２３２０が中間のフィンガ２３２２よりも短く、中間のフィンガが一番下のフィンガ２３２４よりも短くなるように、一番上のフィンガ２３２０から一番下のフィンガ２３２４に向かって長さが短くなってよい。

図２４は、エッジリングシステム２４００、基板支持体２４０２、および、基板２４０４を示す。エッジリングシステム２４００は、段付き外側エッジリング２４１６によって持ち上げられたエッジリング２４０８、２４１０、２４１２、２４１４を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２４０６を備えており、段付き外側エッジリング２４１６は、リングアライメント／スペーシング要素と呼んでもよい。リフトピン２４１８が、段付き外側エッジリング２４１６を持ち上げ、段付き外側エッジリング２４１６が、エッジリング２４０８、２４１０、２４１２、２４１４を持ち上げる。エッジリング２４０８、２４１０、２４１２、２４１４の半径方向周端部２４２０、２４２２、２４２４、２４２６は、段付き外側エッジリング２４１６のステップ２４３０、２４３２、２４３４、２４３６上に配置される。リフトピン２４１８は、段付き外側エッジリング２４１６のフランジ２４５０を上向きに押しうる。フランジ２４５０は、ステップ２４３６から半径方向内向きに、エッジリング２４５２とリフトピン２４１８との間に伸びる。エッジリング２４５２は、図３Ａおよび図１５のエッジリング３１０および１５１０と同様である。図示していないが、フランジ２４５０は、上述のようにリフトピン２４１８の上端部を受け止めるために、リフトピン受け止め要素を備えてよい。段付き外側エッジリング２４１６は、図に示すようにエッジリングのスタックに含まれ、中間エッジリング２４５２上に配置されてよく、中間エッジリング２４５２は、底部エッジリング２４５４上に配置される。

段付き外側エッジリング２４１６は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。中間エッジリング２４５２は、サファイアなどの不揮発性材料で形成されてよい。底部エッジリング２４５４は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。

図２５は、エッジリングアセンブリ２５００、基板支持体２５０２、および、基板２５０４を示す。エッジリングアセンブリ２５００は、上部エッジリング２５０６、中間エッジリング２５０８、安定化エッジリング２５１０、エッジリングスタック２５１２、および、ライナ２５１４を備える。エッジリングスタックは、エッジリング２５１６、２５１８、２５２０を備え、それらのエッジリングは、図１５のエッジリング１５２０、１５２２、１５２４と同様である。エッジリング２５０６は、エッジリング１５０８と同様であるが、エッジリング２５０８を組み込むことにより、エッジリング１５０８より薄くてもよい。

エッジリング２５０６、２５０８は、３以上のリフトピン（１つのリフトピン２５３０が図示されている）によって持ち上げられてよい。各リフトピンは各々、１または複数エッジリングをそれぞれ持ち上げるための１または複数のステップを備えてよい。例えば、リフトピン２５３０は、ステップ２５３２を備えることが図示されており、ステップ２５３２は、エッジリング２５０８を持ち上げるために用いられる。リフトピン２５３０の先端２５３４が、エッジリング２５０８の穴２５３６を通して移動され、リフトピン受け止め要素２５３８内に受け止められる。リフトピン２５３０は、第１直径Ｄ１を有する第１部分２５４０と、Ｄ１よりも大きい第２直径Ｄ２を有する第２部分２５４２と、を備える。リフトピン２５３０は、任意の数のエッジリングを持ち上げるために、任意の数のステップを有してよい。これは、様々な数のエッジリングを組み込んでそれぞれの所定の高さまで持ち上げることを可能にすることにより、多用途性およびプロセス感度を高める。リフトピン２５３０は、ベースプレート２５４４およびシールド２５５２を通して伸びてよく、シールド２５５２は、図１５のシールド１５３８と同様であってよい。

図２５に示した例に対する代替例として、複数セットのリフトピンが用いられてもよく、ここで、第１セットのリフトピンは、第１エッジリング（例えば、上部エッジリング２５０６）を上昇させ、第２セットのリフトピンは、第２エッジリング（例えば、中間エッジリング２５０８）を上昇させる。この例において、第２エッジリングは、両方のリフトピンセットに対して、穴２５３６と同様の穴を有してよい。第１セットのリフトピンは、中間エッジリング２５０８、および／または、エッジリング２５０６よりも下に配置された１または複数のエッジリングを持ち上げえない。第２セットのリフトピンは、上部エッジリング２５０６を持ち上げえない。第２セットのリフトピンは、段付きであるか否かによって、中間エッジリング２５０８よりも下に配置された１または複数のエッジリングを持ち上げてもよい。任意の数のセットのリフトピン、エッジリング、および、対応するセットの穴が含まれてよい。別の例として、上部エッジリング２５０６よりも下に配置された１または複数のエッジリングは、対応するセットのリフトピンを受け止めるためのリフトピン受け止め要素を備えてもよい。結果として、キネマティックカップリングが、持ち上げられる各エッジリングとそれぞれのリフトピンセッとの間に提供されうる。

図２６は、テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８、２６１０を含むリングアライメント／スペーシング要素２６０２を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２６００を示す。テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８、２６１０の各々は、エッジリング２６１２、２６１４、２６１６、２６１８など、対応するエッジリングに結合するおよび／または対応するエッジリングを持ち上げるために用いられてよい。テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８は、それぞれ、伸縮部分２６０６、２６０８、２６１０の中に部分的に滑り込む。テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８、２６１０は、かみ合い部分である。

本明細書に開示した例は、調整を改善するためのエッジリングアセンブリと共に、キネマティックカップリングおよびアンチウォーク機構を有する。本明細書に開示したキネマティックカップリングは、一例として、基板に対する上部エッジリングの位置決めを１００ミクロン以内までに維持できる。キネマティックカップリング機構を含めることで、従来の位置決めおよびセンタリングの技術よりも２桁、上部エッジリングの位置決めおよびセンタリングが改善する。「Ｖ」字形溝を含めることで、エッジリングを過剰に拘束することもエッジリングキットを拘束することもなしにキネマティックカップリングが提供される。結果として、上部エッジリングは、センタリングして一貫したアライメントを提供するための構成を必要としない。エッジリングアセンブリは、基板の上面の上のプラズマシースの傾斜角を調節することによってプラズマを物理的に操作するために作動および上昇されるエッジリングを備え、その操作が、基板のクリティカルディメンションおよびエッチング速度に影響する。

より高い高周波（ＲＦ）および直流（ＤＣ）電力レベルに向けてエッジリングを設計する際、ギャップのサイズを最小化しつつ（パッシェンの法則を参照）過剰な拘束を避けるために、各寸法と構成要素の間の関連するギャップとを計算するのに、データおよび相対オフセットの完全なマッピングが必要になりうる。ウエハの極縁部（ＥＥ）の均一性を向上させるために、本明細書に開示したようにエッジリングを持ち上げられ、調整範囲を増大させる。有効ポケット高さは、ウエハの単一のプロセス内で変えられてもよい。 エッジリングは、単一のエッジリングキットが、洗浄間の平均時間（ＭＴＢＣ：ｍｅａｎ ｔｉｍｅ ｂｅｔｗｅｅｎ ｃｌｅａｎｓ）を長くするために所定のレベルのＥＥ均一性を維持できるように、メモリ要素を含むウエハが腐食を補償するために、時間と共に次第に作動されてよい。これは、動作のコストを削減する。

上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。方法に含まれる１または複数の工程が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装することができる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。

要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係および機能的関係性が、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「近接する」、「の上部に」、「上方に」、「下方に」、および、「配置される」など、様々な用語を用いて記載されている。第１および第２要素の間の関係性を本開示で記載する時に、「直接」であると明確に記載されていない限り、その関係性は、他に介在する要素が第１および第２の要素の間に存在しない直接的な関係性でありうるが、１または複数の介在する要素が第１および第２の要素の間に（空間的または機能的に）存在する間接的な関係性でもありうる。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。

いくつかの実施例において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。

概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。

コントローラは、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラは、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラがインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。

限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。

上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。

上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。方法に含まれる１または複数の工程が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装することができる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。

要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係および機能的関係性が、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「近接する」、「の上部に」、「上方に」、「下方に」、および、「配置される」など、様々な用語を用いて記載されている。第１および第２要素の間の関係性を本開示で記載する時に、「直接」であると明確に記載されていない限り、その関係性は、他に介在する要素が第１および第２の要素の間に存在しない直接的な関係性でありうるが、１または複数の介在する要素が第１および第２の要素の間に（空間的または機能的に）存在する間接的な関係性でもありうる。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。

いくつかの実施例において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。

概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。

コントローラは、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラは、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラがインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。

限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。

上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。

関連出願への相互参照
本願は、２０１８年８月１３日出願の米国仮出願第６２／７１８，１１２号の利益を主張する。上記の出願の開示全体が、参照によって本明細書に組み込まれる。

本開示は、基板処理システム内の可動エッジリングに関する。

本明細書で提供されている背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示するためのものである。ここに名を挙げられている発明者の業績は、この背景技術に記載された範囲において、出願時に従来技術として通常見なされえない記載の態様と共に、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。

半導体ウエハなどの基板を処理するために、基板処理システムが利用されうる。基板に実行されうる処理の例は、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、導電体エッチング、および／または、その他のエッチング、蒸着、もしくは、洗浄処理を含むが、これらに限定されない。基板は、基板処理システムの処理チャンバ内の基板支持体（ペデスタル、静電チャック（ＥＳＣ）など）上に配置されうる。エッチング中、１または複数の前駆体を含むガス混合物が、処理チャンバに導入されてよく、プラズマが、化学反応を開始するために利用されうる。
基板支持体は、ウエハを支持するように構成されたセラミック層を備えうる。例えば、ウエハは、処理中にセラミック層にクランプされうる。基板支持体は、基板支持体の外側部分の周りに（例えば、周囲の外側におよび／または周囲に隣接して）配置されたエッジリングを備えうる。エッジリングは、基板上方の空間にプラズマを閉じこめる、プラズマによって引き起こされる腐食から基板支持体を保護する、プラズマシースを形成および位置決めする、などのために提供されうる。

韓国２０１８－００９９７７６号公報 特許第３０７６９７１号公報 韓国２００２－００３１４１７号公報 特開２００１－５２２１４２号公報 韓国２００９－００８０５２０号公報

基板支持体のための第１エッジリングが提供されている。第１エッジリングは、環状本体と、１または複数のリフトピン受け止め要素と、を備える。環状本体は、基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有する。環状本体は、上面と、下面と、半径方向内側面と、半径方向外側面と、を規定する。１または複数のリフトピン受け止め要素は、環状本体の下面に沿って配置され、３以上のリフトピンのそれぞれの上端を受け止めて上端とのキネマティックカップリングを提供するようなサイズおよび形状を有する。

別の特徴において、基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリが提供されている。折りたたみ式エッジリングアセンブリは、エッジリングと、３以上のアライメント／スペーシング要素と、を備える。エッジリングは、スタックに構成される。エッジリングの少なくとも１つは、基板支持体の上側部分を囲むような形状およびサイズを有する。エッジリングは、上部エッジリングと、少なくとも１つの中間エッジリングと、を含む。３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、エッジリングの各々と接触しており、エッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成される。３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、上部エッジリングが持ち上げられた時に少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成される。

別の特徴において、基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリが提供されている。折りたたみ式エッジリングアセンブリは、複数のエッジリングと、段付き外側エッジリングと、を備える。エッジリングは、スタックに構成される。エッジリングの少なくとも１つは、基板支持体の上側部分を囲むような形状およびサイズを有する。エッジリングは、上部エッジリングと、少なくとも１つの中間エッジリングと、を含む。段付き外側エッジリングは、複数のレベルを備える。エッジリングは、それぞれのレベルの上に配置される。段付き外側エッジリングは、複数のエッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成される。段付き外側エッジリングは、上部エッジリングが持ち上げられた時に少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成される。

本開示は、詳細な説明および以下に説明する添付図面から、より十分に理解できる。

本開示の一実施形態に従って、エッジリングアセンブリを備えた基板処理システムの一例を示す機能ブロック図。

本開示の一実施形態に従って、リフトピン受け止め要素を有する可動エッジリングの一例を示す側断面図。

上げ位置にある図２Ａの可動エッジリングを示す側断面図。

本開示の一実施形態に従って、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一部の一例を示す径方向断面図。

図３Ａの切断線Ａ－Ａにおける方位断面図。

本開示の一実施形態に従って、ピンと溝との相互作用を説明する、上部エッジリングおよび対応するリフトピンの一部の方位断面図。

本開示の一実施形態に従って、「Ｖ」字形溝を有するリフトピン受け止め要素の一例を示す斜視図。

本開示の一実施形態に従って、それぞれの「Ｖ」字形溝を備えた複数のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリングの一例を示す底面図。

本開示の一実施形態に従って、「Ｖ」字形溝の寸法を示す、上部エッジリングの一部の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、平坦凹陥上部を備えた溝の形態のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリングの一例を示す、エッジリングスタックの一部の側断面図。

図８のリフトピン受け止め要素の斜視図。

本開示の一実施形態に従って、ディボットの形態のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリングの一例を示す、エッジリングスタックの一部の側断面図。

図１０のリフトピン受け止め要素の斜視図。

本開示の一実施形態に従って、四分球形の端部を備えた凹陥上部を有する溝を備えるリフトピン受け止め要素を備えた上部エッジリングの一例を示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一例の側断面図。

図１２の上部エッジリングのリフトピン受け止め要素の斜視図。

本開示の一実施形態に従って、基板支持体ならびに／もしくは１または複数のエッジリング内に配置された安定化要素の組み込みを示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一部の一例の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、リフトピン受け止め要素を周囲に配置された上部エッジリングを示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一例の側断面図。

図１５の上部エッジリングの一部の一例を示す上面図。

図１５の周囲に配置されたリフトピン受け止め要素の１つを示す底面図。

図１５の上部エッジリングの底面図。

本開示の一実施形態に従って、折りたたみ式エッジリングアセンブリの一例を示す、エッジリングシステム、基板支持体、および、基板の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、対応するプラズマシース傾斜角を示す、第１部分伸展状態にある別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例の側断面図。

対応するプラズマシース傾斜角を示す、第２部分伸展状態にある図２０の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、折りたたみ状態にある内側に配置されたリングアライメント／スペーシング要素を備える別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例を示す側断面図。

リングアライメント／スペーシング要素が伸展状態にある図２２Ａの折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部を示す側断面図。

本開示の一実施形態に従って、伸展状態にあるリングアライメント／スペーシング要素を備えた別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例を示す側断面図。

図２３Ａの折りたたみ式エッジリングアセンブリの底面図。

本開示の一実施形態に従って、段付き外側エッジリングによって持ち上げられたエッジリングを備える折りたたみ式エッジリングアセンブリの一例を示す、エッジリングシステム、基板支持体、および、基板の一部の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、段付きリフトピンによって持ち上げられたエッジリングを示す、エッジリングアセンブリ、基板支持体、および、基板の一例の側断面図。

本開示の一実施形態に従って、テレスコピック部分を備えるリングアライメント／スペーシング要素を備えた別の折りたたみ式エッジリングアセンブリの一部の一例を示す側断面図。

図面において、同様および／または同一の要素を特定するために、同じ符号を用いる場合がある。

基板処理システム内の基板支持体が、エッジリングを備えうる。エッジリングの上面は、基板支持体の上面よりも上に広がってよく、それにより、基板支持体の上面（および、一部の例では、基板支持体上に配置された基板（またはウエハ）の上面）がエッジリングに対して凹陥する。この凹陥部は、ポケットと呼ばれてもよい。エッジリングの上面と基板の上面との間の距離が、「ポケット深さ」と見なされてよい。ポケット深さは、基板の上面に対するエッジリングの高さに従って固定されてよい。

一部の基板処理システムは、可動（例えば、調整可能）および／または交換可能なエッジリングを実装しうる。一例では、エッチング均一性、プラズマシースの形状、および、イオン傾斜角を制御するために、エッジリングの高さが処理中に調節されうる。アクチュエータが、エッジリングを上げ下げする。一例では、基板処理システムのコントローラが、処理中に、実行中の特定のレシピおよび関連のガス注入パラメータに従ってエッジリングの高さを調節するために、アクチュエータの動作を制御する。

エッジリングおよびその他の対応する構成要素は、経時的に摩耗／腐食する消耗材料を含みうる。したがって、エッジリングの高さは、腐食を補償するために調節されうる。エッジリングは、エッジリングが使用不能な形状を有するように腐食および／または損傷した状態にある時に交換されるように、取り外し可能および交換可能であってよい。本明細書で用いられる「取り外し可能」という用語は、例えば真空移送アームを用いて、真空下で、処理チャンバからエッジリングを取り外すことができることを指す。エッジリングは、真空移送アームが、対応する処理チャンバからエッジリングを移動させて、エッジリングを別のエッジリングと交換できる高さまで、リフトピンを用いて持ち上げられてよい。

エッジリングは、平坦な底面を有してよく、底面は、リフトピンの上に載置された時にリフトピンの上端と接触する。リフトピン上への載置は、単一のエッジリングについて変化しうるものであり、異なるエッジリングについて異なりうる。例えば、リフトピンが第１点で第１エッジリングと接触するように、第１エッジリングがリフトピンに対して配置されうる。リフトピンは、第１エッジリングの寿命を通して複数回上げ下げされうる。接触点の位置は、例えば、第１エッジリングの経時的なプラズマ腐食、第１エッジリングの水平移動などにより変化しうる。結果として、対応する基板支持体および処理対象の基板に対する第１エッジリングの相対位置が異なる。これは、基板の処理に影響しうる。

別の例として、第１エッジリングは、第２エッジリングと交換されうる。第２エッジリングは、第１エッジリングが新しくて未使用であった時の第１エッジリングと同じ寸法を有しうる。第２エッジリングは、リフトピンが第２点で第２エッジリングと接触するように、リフトピンに対して配置されうる。第２点は、第１点とは異なりうる。結果として、対応する基板支持体および処理対象の基板に対する第２エッジリングの相対位置は、第１エッジリングと異なり、これは、基板の処理に影響しうる。

本明細書に記載の例は、リフトピンが同じ位置でエッジリングに接触するような、予測可能、反復可能、かつ、一貫したエッジリングの位置決めのための機構を備えたプラズマシース調整用の交換可能および／または折りたたみ式のエッジリグアセンブリ（以降は、「アセンブリ」とする）を含む。これは、複数回にわたって、リフトピンが、エッジリングに接触するように移動され、エッジリングから離れるように移動されるように、複数の処理中に複数回上げ下げされる単一のエッジリングに当てはまる。これは、例えば、第１エッジリングが第２エッジリングに交換される場合など、異なるエッジリングにも当てはまる。

アセンブリは、それぞれのエッジリングに割り当てられたキネマティックカップリング機構、安定化機構、面取りされた表面、ベベル表面、段付きリフトピン、リフトピンセットなど、エッジリングの位置決め、アライメント、および、センタリング用の機構を備える。キネマティックカップリング機構は、リフトピンを受け止めるためのエッジリングの溝、ポケット、ノッチ、ならびに／もしくは、その他のリフトピン受け止め部分および／または凹陥部分を含む。例の一部では、アセンブリ（「キット」とも呼ぶ）は、リングアライメント／スペーシング要素を介して整列して配置および保持された複数の積み重ねられたエッジリングを備える。安定化機構は、安定化エッジリング、バネなどを含む。

本明細書で用いられるように、「キネマティックカップリング」という用語は、拘束機構を有するリフトピン受け止め要素を利用することを指しており、拘束機構が、対応するエッジリングの横移動を抑制する。キネマティックカップリングは、制限機構すなわち単に横方向の移動を制限する機構のことではない。一例として、キネマティックカップリングは、１または複数のリフトピン受け止め要素によって提供されてよい。溝は、１または複数のリフトピンと接触するような形状およびサイズであってよい。例えば、線形の溝が、例えば、１または２つのリフトピンと接触してもよいし、円形の溝が、３つのリフトピンと接触してもよい。拘束機構は、２つのリフトピン接触点で対応するリフトピンと接触するリフトピン受け止め要素の表面（例えば、「Ｖ」字形の溝の表面）を含む。各リフトピンは、２つの接触点でリフトピン受け止め要素の１つと接触する。

一例として、エッジリングは、エッジリングが３つのリフトピン受け止め要素を有する場合、横方向に拘束され、ここで、リフトピン受け止め要素の各々は、２つの接触点でそれぞれのリフトピンと接触する。この例において、リフトピン受け止め要素の各々は、３以上の接触点でそれぞれのリフトピンと接触することがない。ただし、キネマティックカップリングは、この例に限定されない。同じ効果を達成する別の技術は、３つのリフトピンを含み、１つは正確に３つの点（円錐またはピラミッド形のディボット（くぼみ））でエッジリングと接触し、２つめは正確に２つの点（Ｖ字溝）でエッジリングと接触し、３つめは単一の点で接触する。その他の同様の技術が存在する。各技術が、すべての６自由度（Ｘ、Ｙ、Ｚ、ピッチ、ロール、および、ヨー）の完全な制御を達成するために合計６点で接触することによって、正確にエッジリングを拘束するため、各技術例の末端効果は同じである。 拘束は、制限とは異なることに注意されたい。エッジリングは、例えば、エッジリングが３つのリフトピンを受け止めるよう構成された３つの立方体状のノッチを備える場合には制限されうる。立方体状のノッチの幅は、リフトピンと立方体ノッチとの間にギャップが存在するように、リフトピンの寸法よりも大きくなりうる。エッジリングは、制限されうる（すなわち、横運動が制限されうる）が、拘束されない。

図１は、基板処理システム１００を示しており、基板処理システム１００は、一例として、ＲＦプラズマを用いてエッチングを実行しうる、および／または、その他の基板処理動作を実行しうる。基板処理システム１００は、基板処理システム１００の構成要素の一部を収容すると共にＲＦプラズマを閉じ込める処理チャンバ１０２を備える。基板処理チャンバ１０２は、上側電極１０４と、基板支持体１０６（静電チャック（ＥＳＣ）など）とを備える。動作中、基板１０８が、基板支持体１０６上に配置される。具体的な基板処理システム１００およびチャンバ１０２が一例として示されているが、本開示の原理は、その場でプラズマを生成する基板処理システム、（例えば、プラズマチューブ、マイクロ波チューブを用いて）遠隔プラズマの生成および供給を実施する基板処理システムなど、他のタイプの基板処理システムおよびチャンバに適用されてもよい。

単に例として、上側電極１０４は、処理ガス（例えば、エッチング処理ガス）を導入して分散させるガス分配装置（シャワーヘッド１０９など）を備えてよい。シャワーヘッド１０９は、処理チャンバ１０２の上面に接続された一端を備えるステム部分を備えてよい。ベース部分は、略円筒形であり、処理チャンバ１０２の上面から離れた位置でステム部分の反対側の端部から半径方向外向きに広がる。シャワーヘッド１０９のベース部分の基板対向面すなわちフェースプレートは、処理ガスまたはパージガスが流れる穴を備える。あるいは、上側電極１０４は、導電性のプレートを備えてもよく、処理ガスは、別の方法で導入されてもよい。

基板支持体１０６は、下側電極として機能する導電性のベースプレート１１０を備える。ベースプレート１１０は、セラミック層（または上部プレート）１１２を支持する。一部の例において、セラミック層１１２は、加熱層（セラミックマルチゾーン加熱プレートなど）を備えてよい。熱抵抗層１１４（例えば、ボンド層）が、セラミック層１１２とベースプレート１１０との間に配置されてよい。ベースプレート１１０は、ベースプレート１１０に冷却材を流すための１または複数の冷却材流路１１６を備えてよい。

ＲＦ発生システム１２０が、ＲＦ電圧を生成して、上側電極１０４および下側電極（例えば、基板支持体１０６のベースプレート１１０）の一方に出力する。上側電極１０４およびベースプレート１１０のもう一方は、ＤＣ接地、ＡＣ接地されるか、または、浮遊していてよい。単に例として、ＲＦ発生システム１２０は、整合／配電ネットワーク１２４によって上側電極１０４またはベースプレート１１０に供給されるＲＦ電圧を生成するＲＦ電圧発生器１２２を備えてよい。他の例において、プラズマは、誘導的にまたは遠隔で生成されてよい。例示の目的で示すように、ＲＦ発生システム１２０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）システムに対応するが、本開示の原理は、単に例として、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）システム、ＣＣＰカソードシステム、遠隔マイクロ波プラズマ生成／供給システムなど、他の適切なシステムで実施されてもよい。

ガス供給システム１３０は、１または複数のガス源１３２－１、１３２－２、・・・、および、１３２－Ｎ（集合的に、ガス源１３２）を備えており、ここで、Ｎはゼロより大きい整数である。ガス源は、１または複数のガス（例えば、エッチングガス、搬送ガス、パージガスなど）およびそれらの混合物を供給する。ガス源は、パージガスを供給してもよい。ガス源１３２は、バルブ１３４－１、１３４－２、・・・、および、１３４－Ｎ（集合的に、バルブ１３４）ならびにマスフローコントローラ１３６－１、１３６－２、・・・、および、１３６－Ｎ（集合的に、マスフローコントローラ１３６）によってマニホルド１４０に接続されている。マニホルド１４０の出力は、処理チャンバ１０２に供給される。単に例として、マニホルド１４０の出力は、シャワーヘッド１０９に供給される。

温度コントローラ１４２が、セラミック層１１２に配置された加熱素子（熱制御素子（ＴＣＥ：ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｎｔｒｏｌ ｅｌｅｍｅｎｔ）など）１４４に接続されてよい。例えば、加熱素子１４４は、マルチゾーン加熱プレートにおけるそれぞれの区画に対応するマクロ加熱素子、および／または、マルチゾーン加熱プレートの複数の区画にわたって配置されたマイクロ加熱素子のアレイを含みうるが、これらに限定されない。温度コントローラ１４２は、加熱素子１４４への電力を制御して基板支持体１０６および基板１０８の温度を制御しうる。

温度コントローラ１４２は、流路１１６を通る冷却材の流れを制御するための冷却材アセンブリ１４６と連通してよい。例えば、冷却材アセンブリ１４６は、冷却材ポンプおよびリザーバを備えてよい。温度コントローラ１４２は、基板支持体１０６を冷却するために流路１１６を通して冷却材を選択的に流すように、冷却材アセンブリ１４６を作動させる。

バルブ１５０およびポンプ１５２が、処理チャンバ１０２から反応物質を排出するために用いられてよい。システムコントローラ１６０が、基板処理システム１００の構成要素を制御するために用いられてよい。ロボット１７０が、基板支持体１０６上へ基板を供給すると共に、基板支持体１０６から基板を除去するために用いられてよい。例えば、ロボット１７０は、基板支持体１０６およびロードロック１７２の間で基板を搬送してよい。別個のコントローラとして示しているが、温度コントローラ１４２は、システムコントローラ１６０内に実装されてもよい。一部の例において、保護シール１７６が、セラミック層１１２とベースプレート１１０との間の熱抵抗層１１４の周囲に提供されてもよい。

基板支持体１０６は、エッジリング１８０を備える。本明細書に開示されたエッジリングは、環状であり、エッジリング１８０を含む。エッジリング１８０は、上部リングであってよく、上部リングは、底部リング１８４によって支持されてよい。いくつかの例において、エッジリング１８０は、さらに、１または複数の中間リング（図１では図示せず）および／または基板支持体１０６の他の部分によって支持されてもよい。エッジリング１８０は、リフトピン１８５の上端を受け止めるリフトピン受け止め要素１８２を備えてよい。リフトピン受け止め要素１８２、対応するエッジリング、ならびに、リングアライメント／スペーシング要素の例を図２Ａ～図２６に関して後述する。

エッジリング１８０は、基板１０８に対して移動可能（例えば、垂直方向に上下に移動可能）である。例えば、エッジリング１８０は、コントローラ１６０に応答して、アクチュエータを介して制御されてよい。いくつかの例において、エッジリング１８０は、基板処理中に垂直に移動されてよい（すなわち、エッジリング１８０は、調整可能であってよい）。別の例において、エッジリング１８０は、処理チャンバ１０２は真空下にある状態で、例えばロボット１７０を用いて、エアロックを介して取り外し可能であってよい。さらに別の例において、エッジリング１８０は、調整可能かつ取り外し可能であってよい。別の実施形態において、エッジリング１８０は、後に詳述するように、折りたたみ式エッジリングアセンブリとして実装されてもよい。

図２Ａおよび図２Ｂは、基板２０４を上に配置された基板支持体の一例２００を示す。基板支持体２００は、（例えば、ＥＳＣに対応する）内側部分２０８および外側部分２１２を有するベースまたはペデスタルを備えてよい。例において、外側部分２１２は、内側部分２０８から独立しており、内側部分２０８に対して移動可能であってよい。例えば、外側部分２１２は、底部リング２１６および上部エッジリング２２０を備えてよい。基板２０４は、処理のために内側部分２０８上（例えば、セラミック層（または上部プレート）２２４上）に配置される。コントローラ２２８が、１または複数のアクチュエータ２３２の動作を制御して、エッジリング２２０を選択的に上下させる。例えば、エッジリング２２０は、処理中に支持体２００のポケット深さを調節するために上昇および／または下降されてよい。別の例において、エッジリング２２０は、エッジリング２２０の取り外しおよび交換を容易にするために上昇されてよい。

単に例として、エッジリング２２０は、図２Ａでは完全下げ位置、そして、図２Ｂでは完全上げ位置に示されている。図に示すように、アクチュエータ２３２は、垂直方向にリフトピン２３６を選択的に伸び縮みさせるように構成されたピンアクチュエータに対応する。単に例として、エッジリング２２０は、セラミック、石英、および／または、その他の適切な材料（例えば、炭化シリコン、イットリアなど）で形成されてよい。図２Ａにおいて、コントローラ２２８は、アクチュエータ２３２と通信して、リフトピン２３６を介してエッジリング２２０を直接的に上下させる。一部の例において、内側部分２０８は、外側部分２１２に対して移動可能である。

エッジリング２２０は、リフトピン２３６の上端を受け止めるリフトピン受け止め要素２４０を備える。エッジリング２２０は、３以上のリフトピンを受け止めるための１または複数のリフトピン受け止め要素を備えてよい。一実施形態において、エッジリング２２０は、それぞれ対応する３つのリフトピンを受け止める３つのリフトピン受け止め要素を備える。３つのリフトピン受け止め要素は、互いに１２０°離れて配置されてよい（この配置の一例を図６に示す）。リフトピン受け止め要素２４０は、溝、ディボット、ポケット、ノッチ、凹部領域、および／または、その他の適切なリフトピン受け止め要素を含みうる。リフトピン受け止め要素２４０とリフトピンとの間の接触は、リフトピン上でエッジリング２２０を位置決めし、水平（すなわち、横）方向（例えば、ＸおよびＹ方向）ならびに垂直方向（例えば、Ｚ方向）でエッジリング２２０の位置を維持するキネマティックカップリングを提供する。これは、アンチウォーク機構を提供する。エッジリングの「ウォーキング」とは、処理される基板に対する上部エッジリングの位置の経時的な変動のことであり、極縁部（ＥＥ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｅｄｇｅ）の均一性の変動につながる。

アンチウォーク機構は、以下の時に基板２０４が水平に移動するのを防止するのに役立つ：基板支持体２００上で固定されていない（または浮いている）時；温度サイクリング中；異なる熱膨張率に関連する温度差が存在する時；基板のデチャック不良時；および／または、振動イベント時。リフトピン受け止め要素の例を、少なくとも図３Ａ～図１３、図１５～図２１、および、図２５に示す。エッジリング２２０が、上述のように処理中に調整のために上昇される時、コントローラ２２８は、エッジリング２２０の調整可能範囲を制御するよう構成されている。換言すると、エッジリング２２０は、完全下げ位置（例えば、０．０インチ（”））から完全上げ位置（例えば、０．２５”（６．３５ｍｍ））まで上昇されてよい。リフトピン２３６は、エッジリング２２０と接触するまでに初期位置から所定の量（例えば、０．０５０”（１．２７ｍｍ））だけ上昇されてよい。

図３Ａおよび図３Ｂは、エッジリングアセンブリ３０２、基板支持体３０４、および、基板３０６の一部３００を示す。エッジリングアセンブリ３０２は、上部エッジリング３０８、中間エッジリング３１０、および、底部リング３１２を備えてよい。基板支持体３０４は、上部プレート３１４およびベースプレート３１８を備えてよい。

上部エッジリング３０８は、上部部材３１９および外側フランジ３２０を備えたカップ状であり、外側フランジ３２０は、上部部材３１９から下方に伸びる。上部部材３１９は、リフトピン受け止め要素を備える（１つのリフトピン受け止め要素３２２が図示されている）。リフトピン受け止め要素３２２は、上部部材３１９の底部側に配置され、リフトピン３２４と向かい合い、リフトピン３２４は、ベースプレート３１８、底部エッジリング３１２の穴３２８、および、中間エッジリング３１０の穴３２９を通して伸びる。リフトピン３２４は、ベースプレート３１８の穴３３０を通して伸びる。外部フランジ３２０は、中間エッジリング３１０、リフトピン３２４の上側部分、底部エッジリング３１２の上側部分、および、基板支持体３０４の一部を、プラズマを直接受けることおよび／またはプラズマと接触することから保護する。これは、腐食を防ぎ、中間エッジリング３１０、リフトピン３２４、底部エッジリング３１２、および、基板支持体３０４の寿命を延ばす。同様に、底部エッジリング３１２は、リフトピン３２４の一部およびベースプレート３１８をプラズマへの直接的な暴露および／またはプロズマとの接触から保護する。穴３２９は、リフトピン３２４が中間エッジリング３１０と接触することを防ぐために大きめのサイズになっている。

リフトピン３２４の上端部３３２は、リフトピン受け止め要素３２２内に受け止められる。リフトピン受け止め要素３２２は、例えば、半円錐形（または四分球形）の両端を有する「Ｖ字」形の溝であってよい。「Ｖ字」形の溝は、図３Ｂ、図４、図５、および、図７で見られる。リフトピン３２４の上端部３３２は、半球形であってもよいし、（ｉ）リフトピン受け止め要素３２２の表面３４２、３４４と接触する丸まった縁部３４０と（ｉｉ）平坦な上面３４６とを有してもよい。上端部３３２は、リフトピン３２４の２つの点がリフトピン受け止め要素３２２と接触し、リフトピン３２４のその他の部分が接触しないような形状である。上端部３３２は、以下のために平坦な上面３４６を有してもよい：リフトピン３２４の製造を容易にすることで製造コストを削減するため；歩留まりを上げるため；および／または、上端部３３２がリフトピン受け止め要素３２２の頂点部分（または湾曲部分）と接触することを防ぐため。頂点部分は、図４に符号４００で示されている。上端部３３２と頂点部分４００との間の接触は、「Ｖ」字形の溝の中でリフトピン３２４を「ボトムアウトさせる（底に到達させる）」と表現される。

中間エッジリング３１０は、第１上面３５２から第２上面３５４への移行部にインステップ３５０（甲部３５０）を備える。基板３０６は、第１上面３５２の上に配置される。上部エッジリング３０８は、第２上面３５４の上に配置される。第２上面３５４は、第１上面３５２よりも低い高さにある。上部エッジリング３０８は、第１上面３５２の高さおよび／または基板３０６の上面の高さよりも高い高さまで上昇されてよい。一例として、上部エッジリング３０８は、中間エッジリング３１０に対して０．２４”～０．６０”（６．０９６ｍｍ～１５．２４ｍｍ）」持ち上げられてよい。上部エッジリング３０８は、例えば、基板３０６の上面の高さよりも０．１５”～０．２”（３．８１ｍｍ～５．０８ｍｍ）高く持ち上げられてよい。上部エッジリング３０８が完全下げ位置（すなわち収縮位置）にあるとき、基板３０６は、上部エッジリング３０８の半径方向内側に配置される。上部エッジリング３０８が完全上げ位置（すなわち伸展位置）にあるとき、上部エッジリング３０８は、基板３０６よりも高くてよい。インステップ３５０は、（ｉ）基板支持体３０４から基板３０６をデクランプするのに役立ち、（ｉｉ）上部エッジリングが基板３０６に対して傾くことを防ぐなど、上部エッジリング３０８の位置決めを維持するのに役立ち、（ｉｉｉ）例えば、基板３０６が基板支持体３０４にクランプされていない時に、基板３０６が上部エッジリング３０８の下に移動することを防ぐのに役立つ。

上部エッジリング３０８は、図６に示すように、１または複数のリフトピン受け止め要素３２２を備えてよい。これは、対応するリフトピンとの接触と共に、キネマティックカップリングおよびアンチウォーク機構を提供する。上部エッジリング３０８は、リフトピンとリフトピン受け止め要素３２２との間の相互作用に基づいて、基板支持体３０４に対してセンタリングされる。リフトピン受け止め要素３２２がそれに対応するリフトピンの所定の距離内にあるように、上部エッジリング３０８が最初に配置されると、リフトピン受け止め要素３２２は、リフトピンを受け止めるように移動し、それにより、上部エッジリング３０８の位置決めを行う。換言すると、上部エッジリング３０８は、目標位置（リフトピンの上端がリフトピン受け止め要素内に配置される位置）の所定の距離内に配置されると、目標位置に移動する。これは、「Ｖ」字形の溝を備えることによるものであり、リフトピン受け止め要素のベベル開口部エッジによってもよい。ベベル開口部エッジの例を図５および図７に示す。一例として、上部エッジリング３０８は、目標位置の±５％内に配置されると、リフトピン受け止め要素３２２によって規定された目標位置に移動する。上部エッジリング３０８は、適所に収まり、重力によってリフトピン上に保持される。

上部エッジリング３０８のリフトピン受け止め要素とリフトピンとの間のキネマティックカップリングは、上部エッジリング３０８が、エッジリング３０８、３１０、３１２の経時的な腐食に左右されることなしに基板支持体３０４に対して同じ位置にセンタリングされることを可能にする。この一貫したセンタリングは、表面３４２、３４４の均一な腐食（すなわち、同じ速度での腐食）および上端部３３２の均一な腐食によって起きる。また、キネマティックカップリングは、特定の公差が緩和される（すなわち、大きくなる）ことを可能にする。例えば、エッジリング３０８は、エッジリング３０８が配置されるたびにリフトピンに対しておおよそ同じ位置に配置されるので、リフトピン受け止め要素の寸法の公差が大きくなりうる。別の例として、エッジリング３０８、３１０、３１２の間のギャップが、リフトピンに対するエッジリング３０８の一貫した配置により大きくなりうる。均一な腐食は、上部エッジリング３０８の利用可能な寿命の間、上部エッジリング３０８のセンタリングを維持する。

また、上部エッジリング３０８が、基板支持体３０４に対してセンタリングされなかった場合、および／または、基板３０６と同心でない場合、上部エッジリング３０８の中心は、（ｉ）基板支持体３０４および／または基板支持体３０４の上部プレートの中心からオフセットされる、ならびに／もしくは、（ｉｉ）基板３０６の中心からオフセットされる。これらのオフセットは、決定可能であり、一貫して存在することになる。結果として、図１のコントローラ１４２、１６０は、基板３０６の処理時に、これらのオフセットを考慮および／または補償してよい。これは、これらのオフセットを補償するために、ガス圧、電極電圧、バイアス電圧などのパラメータを調節することを含んでよい。

一実施形態において、エッジリング３０８、３１０、３１２は、石英ならびに／もしくは１または複数のその他の適切な不揮発性材料で形成される。リフトピン３２４は、サファイアならびに／もしくは１または複数のその他の適切な揮発性材料で形成される。これは、処理中の腐食および粒子生成を最小化する。揮発性材料の例は、アルミナ、炭化シリコン、および、サファイアである。

図４は、上部エッジリング３０８および対応するリフトピン３２４の一部を示し、ピンと溝との相互作用を説明する図である。リフトピン３２４の上端部３３２は、丸まった縁部３４０を介して表面３４２、３４４とそれぞれ２つの点４０１、４０２で接触する。これは、最小の反力のために最小の接触を提供する。最小の接触は、表面３４２、３４４および上端部３３２の腐食を最小化する。丸まった縁部３４０と表面３４２、３４４との間のこの曲面と平面との接触は、ヘルツの法則に従う。一例として、リフトピン３２４の直径Ｄ１は、０．０４０”（１．０１６ｍｍ）であってよく、最大０．２５０”（６．３５ｍｍ）であってよい。一実施形態において、直径Ｄ１は、．０６０”～．０８０”（１．５２４ｍｍ～２．０３２ｍｍ）である。中間エッジリング３１０の穴３２９の直径は、リフトピン３２４の直径の２～３倍であってよい。リフトピン３２４の平坦な上部３４６は、頂点部分４００と接触しない。

図５は、リフトピン受け止め要素３２２を示しており、リフトピン受け止め要素３２２は、表面３４２、３４４を持つ「Ｖ」字形溝５００と、半円錐形（または四分球形）の端部５０２、５０４とを備える。表面３４２、３４４および端部５０２、５０４は、図に示すように、頂点部分５０６（丸まっていてよい）で出会う。表面３４２、３４４および端部５０２、５０４は、ベベル開口部エッジ５０８、５１０、５１２、５１４を有する。ベベル開口部エッジ５０８、５１０、５１２、５１４は、「Ｖ」字形溝５００内にリフトピンを位置決めするのに役立つ。

図６は、図に示したような半円錐形の端部または四分球形の端部を有するそれぞれの「Ｖ」字形溝を備えた複数のリフトピン受け止め要素３２２、３２２’、３２２”を有する上部エッジリング３０８を示す。「Ｖ」字形溝の各々は、対応するリフトピンが「Ｖ」字形溝に対して半径方向に移動することを許容するが、対応するリフトピンの円周方向の移動は防ぐ。３つのリフトピン６００が図示されており、その内の１つは、図３Ａのリフトピン３２４であってよい。

図７は、「Ｖ」字形溝７００の寸法を示す上部エッジリング３０８の一部の図である。「Ｖ」字形溝７００は、側面３４２、３４４、頂点部分７０２、および、ベベルエッジ７０４、７０６を備える。頂点部分７０２は、第１所定の半径Ｒ１を有してよく、ベベルエッジ７０４、７０６は、それぞれの所定の半径Ｒ２、Ｒ３を有してよい。一例として、半径Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、０．０１５”（０．３８１ｍｍ）であってよい。半径Ｒ１は、．００２”～．１２５”（０．０５０８ｍｍ～３．１７５ｍｍ）の間であってよい。半径Ｒ２は、．００２”～．１２５”（０．０５０８ｍｍ～３．１７５ｍｍ）の間であってよい。半径Ｒ３は、．００２”～．１２５”（０．０５０８ｍｍ～３．１７５ｍｍ）の間であってよい。表面３４２、３４４の各々は、「Ｖ」字形溝７００の中心線７１０に対して所定の角度Ａ１を成してよい。表面３４２、３４４は、互いに対して所定の角度Ａ２を成してよい。一例として、所定の角度Ａ１は、４５°であってよい。所定の角度Ａ１は、５°～９０°の間であってよい。一例として、所定の角度Ａ２は、９０°であってよい。所定の角度Ａ２は、１０°～１８０°の間であってよい。

「Ｖ」字形溝７００は、所定の開口幅Ｗ１を有する。ベベルエッジ７０４、７０６は、所定の開口幅Ｗ２を有しており、これは、Ｗ１よりも広い。一例として、所定の開口幅Ｗ１は、０．１０４”（２．６４１６ｍｍ）であってよい。所定の開口幅Ｗ１は、．０２０”～．５００”（０．０２０ｍｍ～０．５０８ｍｍ）の間であってよい。所定の開口幅Ｗ２は、．０２４”～．７５０”（０．６０９６ｍｍ～１９．０５ｍｍ）の間であってよい。「Ｖ」字形溝７００は、所定の深さＤＰ１を有する。深さＤＰ１は、．０１０”～．２５０”（０．２５４ｍｍ～６．３５ｍｍ）の間であってよい。

深さＤＰ１と、対応するリフトピン３２４の直径Ｄ１（図４に示した）との間の比は、おおよそ１（すなわち１：１）に等しくてよい。深さＤＰ１と直径Ｄ１との間の比は、１０：１～１：８の間であってよい。一実施形態において、深さＤＰ１は、．０６２”（１．５７４８ｍｍ）である。深さＤＰ１は、．００５”～．２５０”（０．１２７ｍｍ～６．３５ｍｍ）の間であってよい。幅Ｗ１と直径Ｄ１との間の比は、２：１であってよい。幅Ｗ２と直径Ｄ１との間の比は、２０：１～１：４の間であってよい。「Ｖ」字形溝７００内のリフトピン３２４の深さＤＰ２と深さＤＰ１との間の比は、おおよそ５．０：６．２または８０％に等しくてよく、ここで、深さＤＰ２は０．０５０”（１．２７ｍｍ）であり、深さＤＰ１は０．０６２”（１．５７４８ｍｍ）である。深さＤＰ２と深さＤＰ１との間の比は、１０：１～９９：１００の間であってよい。深さＤＰ２は、．００１”～．５００”（０．０２５４ｍｍ～１２．７ｍｍ）の間であってよい。一実施形態において、深さＤＰ２は、．０５０”（１．２７ｍｍ）である。

一実施形態において、角度Ａ２は９０°であり、深さＤＰ２は０．０５０”（１．２７ｍｍ）であり、直径Ｄ１は０．０６０”（１．５２４ｍｍ）であり、深さＤＰ１は０．０６２”であり、幅Ｗ１は０．１０４”（２．６４１６ｍｍ）である。これは：リフトピン３２４と「Ｖ」字形溝７００との間に２つの接触点を提供し；リフトピン３２４の上部と「Ｖ」字形溝７００の頂点部分７０２（すなわち上部）との間に適切な量の空間を提供することで、ボトムアウトを防ぎ；「Ｖ」字形溝７００と上部エッジリング３０８の上面との間の厚さＴ１を最大化し；対応する上部エッジリング３０８を基板支持体に対して位置決めおよびセンタリングし、リフトピン３２４を「Ｖ」字形溝７００内へガイドするための適切な量の配置公差を提供する。エッジリング３０８は、全体の厚さＴ２と、上面から「Ｖ」字形溝までの厚さＴ１とを有してよい。厚さＴ２は、．０２５”～１０”（０．６３５ｍｍ～２５４ｍｍ）の間であってよい。厚さＴ２は、．０２”～９．９９５”（０．５０８ｍｍ～２５３．８７３ｍｍ）の間であってよい。一実施形態において、厚さＴ２は．１４５”（３．６８３ｍｍ）であり、厚さＴ１は．０８３”（２．１０８２ｍｍ）である。

角度Ａ２が大きいほど、リフトピン３２４がボトムアウトして頂点部分７０２と接触する可能性が高くなる。角度Ａ２が小さいほど、溝７００が深くなり、厚さＴ１が小さくなり、これにより、上部エッジリング３０８の寿命が短くなる。角度Ａ２が一定値のままで、開口部の幅Ｗ１が広くなるほど、厚さＴ１が小さくなり、リフトピン３２４の水平配置の制約が緩くなる。角度Ａ２が一定値のままで、幅Ｗ１が狭くなるほど、厚さＴ１が大きくなり、リフトピン３２４の水平配置の制約がきつくなる。

図８は、平坦凹陥部８０４を備えた溝の形態のリフトピン受け止め要素８０３を有する上部エッジリング８０２の一例を示す、エッジリングスタックの一部８００の図である。このスタイルのリフトピン受け止め要素は、後に詳述するように、図３Ａ～図７に示したリフトピン受け止め要素と交換されてもよいし、併用されてもよい。上部エッジリング８０２は、中間エッジリング８０６の上に配置されてよく、中間エッジリング８０６は、底部エッジリング８０８の上に配置されてよい。リフトピン受け止め要素８０３は、平坦凹陥部８０４に向かって内向きに伸びる「Ｖ」字形側壁８１０、８１２を備える。平坦凹陥部８０４は、カップ形状であり、平坦凹陥部８０４の連続的なスロット形状側壁８１８（図９に示す）の一部である側壁８１４、８１６を備える。図９は、リフトピン受け止め要素８０３を示す。平坦凹陥部８０４は、さらに、平坦上面８２０を備える。

リフトピン８２２が、リフトピン受け止め要素８０３内に配置されてよく、側壁８１０、８１２の上部と接触する。リフトピン８２２は、平坦凹陥部８０４とは接触しない。リフトピン８２２の上部８２４は、平坦凹陥部８０４によって規定された開放領域の中へ突出してよい。上部８２４は、図に示すように、上部平坦面を有してよい。リフトピン受け止め要素８０３は、図９に示すように、さらに、半円錐形の端部８３０、８３２を備え、それらは、側壁８１０、８１２に隣接する。

図１０は、ディボット１００４の形態のリフトピン受け止め要素を有する上部エッジリング１００１の一例を示す、エッジリングスタックの一部１０００の図である。エッジリングスタックは、エッジリング１００１、１００２、１００３を備える。ディボット１００４は、面取り側壁１００６および半球形部分１０１０を備えてよい。リフトピン１０１４の上部１０１２は、半球形で、半球形部分１０１０内に配置されてよい。部分１０１０、１０１２は、図に示すように、上部平坦面を有してよい。図１１は、ディボット１００４を示しており、面取り側壁１００６および半球形部分１０１０を示す。

図１２は、四分球形端部１２１２、１２１４を備えた凹陥上部１２１０を有する溝の形態のリフトピン受け止め要素１２０８を備える上部エッジリング１２０６の一例を示す、エッジリングアセンブリ１２０１、基板支持体１２０２、および、基板１２０４の一部１２００の図である。部分１２００は、図３Ａの部分３００と同様であってよいが、リフトピン受け止め要素３２２の代わりに、リフトピン受け止め要素１２０８を有する上部エッジリング１２０６を備える。図１３は、リフトピン受け止め要素１２０８を示す。リフトピン受け止め要素１２０８は、「Ｖ」字形側壁１３２０、１３２２と、円錐形端壁１３２４、１３２６と、「Ｕ」字形上壁１３２８と、四分球形端部１２１２、１２１４とを備える。

図１４は、安定化要素１４０８、１４１０の組み込みを示す、エッジリングアセンブリ１４０２、基板支持体１４０４、および、基板１４０６の一部１４００の図である。安定化要素１４０８、１４１０は、それぞれ、上部エッジリング１４１２およびベースプレート１４１４内に配置される。２つの安定化要素が図示されているが、任意の数の安定化要素が備えられてよい。上部エッジリング１４１２は、３以上の安定化要素を備えてよい。同様に、ベースプレート１４１４は、３以上の安定化要素を備えてよい。一実施形態において、上部エッジリング１４１２の安定化要素は、互いに１２０°離れて配置される。一実施形態において、ベースプレート１４１４の安定化要素は、互いに１２０°離れて配置される。安定化要素は、バネを含んでよいおよび／またはバネとして実装されてよい。

安定化要素１４０８は、上部エッジリング１４１２の内側ポケット１４３０内に配置され、エッジリング１４１６の外周面１４３２に圧力を印加する。安定化要素１４１０は、ベースプレート１４１４の外側ポケット１４４０内に配置され、エッジリング１４１６の内面１４４２に圧力を印加する。安定化要素は、上部エッジリング１４１２およびベースプレート１４１４の中に配置されているように図示されているが、安定化要素は、エッジリング１４１６など、他のエッジリング内に配置されてもよい。

一実施形態において、安定化要素は、上部エッジリング１４１２内のリフトピン受け止め要素を利用せずに備えられる。リフトピンの上部は、上部エッジリング１４１２の底部内面１４２０に接してよい。別の実施形態において、安定化要素は、リフトピン受け止め要素（図１～図１３、図１５～図２１、および、図２５に示すリフトピン受け止め要素など）と共に組み込まれる。

図１５は、エッジリングアセンブリ１５０２、基板支持体１５０４、および、基板１５０６の一部１５００を示す。エッジリングアセンブリ１５０２は、上部エッジリング１５０８、内側安定化エッジリング１５１０、エッジリングスタック１５１２、および、ライナ１５１４を備える。エッジリングスタック１５１２は、外周エッジリング１５２０、中間エッジリング１５２２、および、底部エッジリング１５２４を備える。基板支持体１５０４は、上部プレート１５２６およびベースプレート１５３２を備える。リフトピン１５３４が、シールド１５３８内に受け入れられる。リフトピン１５３４は、ベースプレート１５３２のチャネル１５４０を通して伸びる。シールド１５３８は、ベースプレート１５３２上に配置され、それぞれエッジリング１５２４、１５２２、１５２０の穴１５４２、１５４４、および、１５４６を通して伸びる。シールド１５３８は、リフトピン１５３４の上側部分を腐食から保護する。ライナ１５１４は、環状であり、エッジリング１５２２、１５２４の外周および外周エッジリング１５２０の外周の底部の外側に配置され、それらを腐食から保護する。

上部エッジリング１５０８は、周囲に配置されたリフトピン受け止め要素を備える（１つのリフトピン受け止め要素１５５０が図示されている）。図の例において、リフトピン受け止め要素は、上部エッジリング１５０８の外側底部周囲に配置されたノッチの形態である。異なるスタイルのリフトピン受け止め要素が組み込まれてよい。ノッチの例を図１６～図１８に示す。リフトピン１５３４は、上部エッジリング１５０８を持ち上げるために、ベースプレート１５３２およびシールド１５３８内を上方に、リフトピン受け止め要素１５５０内へと移動される。上部エッジリング１５０８は、上部エッジリング１５０８の底面１５５２が基板１５０６の上面１５５４より上になるように持ち上げられてよい。一例として、上部エッジリング１５０８は、０．２４”～０．６０”（６．０９６ｍｍ～１５．２４ｍｍ）持ち上げられてよい。一実施形態において、上部エッジリング１５０８は、基板１５０６の処理中に０．１５”～０．２”（３．８１ｍｍ～５．０８ｍｍ）持ち上げられる。上部エッジリング１５０８の上昇は、基板１５０６および上部エッジリング１５０８上方に位置するプラズマシースを移動させて形成し、これは、イオンがどのように基板１５０６に向けられるかに影響する。上部エッジリング１５０８が基板１５０６に対して高く上げられるほど、プラズマシースの傾斜角の変化が大きくなる。傾斜角の例を図２０～図２１に示す。上部エッジリング１５０８は、処理中に第１高さまで上昇されてよい。上部エッジリング１５０８は、上述のように、アームを用いて取り外されるために、処理中に第２高さまで上昇されてよい。第２高さは、第１高さよりも高くてよい。

安定化エッジリング１５１０は、第１上面１５６０、第２上面１５６２、および、インステップ１５６４を備える。第１上面１５６０は、基板１５０６の下に配置される。第２上面１５６２は、上部エッジリング１５０８の下に配置される。第１上面１５６０は、インステップ１５６４を介して第２上面１５６２へと移行する。一例として、第２上面１５６２から第１上面１５６０までのインステップ１５６４の高さは、０．３０”（７．６２ｍｍ）であってよい。インステップ１５６４は、（ｉ）基板支持体１５０４から基板１５０６をデクランプするのに役立ち、（ｉｉ）上部エッジリングが基板１５０６に対して傾くことを防ぐなど、上部エッジリング１５０８の位置決めを維持するのに役立ち、（ｉｉｉ）例えば、基板１５０６が基板支持体１５０４にクランプされていない時に、基板１５０６が上部エッジリング１５０８の下に移動することを防ぐのに役立つ。

一例として、エッジリング１５０８および１５２０は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。エッジリング１５１０は、炭化シリコンおよび／またはサファイアなどの揮発性材料で形成されてよい。エッジリング１５２２および１５２４は、アルミナなどの揮発性材料で形成されてよい。ライナ１５１４は、金属材料で形成されてよい。

図１６～図１７は、リフトピン受け止め要素１５５０を説明する、上部エッジリング１５０８の一部１６００、１６０２の図である。リフトピン受け止め要素１５５０は、ノッチの形態で図示されており、「Ｖ」字形側壁１６０４、１６０６と、半円錐形端部（または四分球形端部）１６０８と、を備える。リフトピン受け止め要素１５５０は、リフトピン受け止め要素１５５０の底部外側部分に沿ってベベルエッジ１６１０を備えてよい。リフトピン１６２０がリフトピン受け止め要素１５５０内に受け止められている様子が図示されている。リフトピン受け止め要素１５５０は、上部エッジリング１５０８の周縁１６２２から伸びる。リフトピン受け止め要素１５５０は、平坦、カップ状、および／または、丸みを帯びた形状あってよい頂点部分１６２４を備えてよい。「Ｖ」字形側壁１６０４、１６０６は、ベベル部分１６２６、１６２８を提供するように、周縁部の近くで上向きにベベル加工されてよい。

図１８は、エッジリング１５０８を示しており、これは、３以上のリフトピン受け止め要素を備えてよい。図１８において、３つのリフトピン受け止め要素１８００が示されており、その内の１つは、リフトピン受け止め要素１５５０であってよい。３つのリフトピン受け止め要素１８００は、上部エッジリング１５０８の周縁に沿って１２０°ずつ離間されてよい。

図１９は、エッジリングシステム１９００、基板支持体１９０２、および、基板１９０４を示す。エッジリングシステム１９００は、折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６、上外側エッジリング１９０８、下外側エッジリング１９１０、アライメントピン１９１１、および、ライナ１９１２を備える。アライメントピン１９１１は、エッジリング１９０８、１９１０の間のアライメントを維持する。ライナ１９１２は、下外側エッジリング１９１０の外周および上外側エッジリング１９０８の底部を腐食から保護する。基板支持体１９０２は、上部プレート１９２６、および、ベースプレート１９３２を備える。リフトピン１９３８が、エッジリング１９０８、１９１０を通して、折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６内へ伸びる。

折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６は、上部エッジリング１９４０と、１または複数の中間エッジリング（中間エッジリング１９４２、１９４４、１９４６が図示されている）と、３以上のリングアライメント／スペーシング要素（１つのリングアライメント／スペーシング要素１９４８が示されている）と、を備える。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６は、複数のエッジリングを用いて調整を提供する。プラズマが上部エッジリング１９４０の下を流れることなしに、上部エッジリング１９４０をさらに高くまで上げることができるので、これは、単一エッジリング設計よりも調整範囲を拡げる。複数のエッジリングは、対応する処理チャンバが真空下にある状態で交換されるように、サイズを決められ、リフトピンを用いて持ち上げられてよい。リングアライメント／スペーシング要素は、互いに対するエッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の横方向（または半径方向）アライメントを維持するため、および、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間の垂直スペーシングを制御するために組み込まれる。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６のアライメントは、上部エッジリング１９４０内のリフトピン受け止め要素（１つのリフトピン受け止め要素１９５０が図示されている）の「Ｖ」字形溝によって支援される。上部エッジリング１９４０は、１または複数のリフトピン受け止め要素を備える。リフトピン受け止め要素は、例えば、図３Ａ～図１３に開示されたリフトピン受け止め要素のいずれかとして実装されてよい。エッジリング１９４２、１９４４、１９４６は、リフトピン１９３８が通される穴１９５２、１９５４、１９５６を備える。

リングアライメント／スペーシング要素は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の対応する部分に対して、少なくとも部分的に中におよび／または貫通して伸びてよい、結合してよい、接着してよい、押しつけられてよい。リングアライメント／スペーシング要素は、折りたたみ式であってよい。リングアライメント／スペーシング要素は、蛇腹式の壁を有してよい（すなわち、「アコーディオンのよう」であってよい）、および／または、リングアライメント／スペーシング要素を伸び縮みさせることを可能にするテレスコピックの特徴を有してよい。リングアライメント／スペーシング要素は、リングアライメント／スペーシング要素の各部分が、１または複数の隣接する部分と連動するような、テレスコピック装置と同様の連動要素を備えてもよい。リングアライメント／スペーシング要素の例を図２２Ａ～図２６に示す。リングアライメント／スペーシング要素は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６がリングアライメント／スペーシング要素を介して結合された結果として、対応するリフトピン（例えば、リフトピン１９３８）が、上部エッジリング１９４０を直接持ち上げることで、それに続いて、中間エッジリング１９４２、１９４４、１９４６を間接的に連続して持ち上げることを可能にする。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６は、異なる高さまで持ち上げられる。一実施形態において、リングアライメント／スペーシング要素の各々は、対応するエッジリングの間にそれぞれの量の分離を提供するために、それぞれの量のラッピングを有する。リングアライメント／スペーシング要素は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の所定のスペーシングパターンを提供してよい。異なる用途、レシピ、エッチングパターンなどに対して、異なるスペーシングパターンが提供されてよい。

リングアライメント／スペーシング要素は、完全収縮状態、完全伸展状態、および、それらの間の複数の中間的な（すなわち、部分的に伸展した）状態を有する。完全収縮状態の間、リングアライメント／スペーシング要素は、互いに接触してもよいし、隣接するリングアライメント／スペーシング要素の間に最小量の分離を有してもよい。完全伸展状態の間、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６は、互いに分離され、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の内の隣接するリングの間に最大量の分離を有する。引き出される際、上部エッジリング１９４０は、中間エッジリング１９４２、１９４４、１９４６の移動なしに最初に持ち上げられる。上部エッジリング１９４０と最初の中間エッジリング１９４２との間の距離が最大になると、最初の中間エッジリング１９４２が持ち上げられる。各後続の中間エッジリングに対して、同様のプロセスが起きる。特定の数のエッジリングが折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６の一部として図示されているが、２以上のエッジリングが備えられてよい。

一例として、エッジリング１９０８は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。エッジリング１９１０は、アルミナなどの揮発性材料で形成されてよい。ライナ１９１２は、金属材料で形成されてよい。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６ は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。リングアライメント／スペーシング要素１９４８は、サファイアなどの揮発性材料で形成されてよい。

リングアライメント／スペーシング要素１９４８は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間の最大分離距離を制限して、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間にプラズマが流れることを防いでよい。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の間のプラズマの流れは、上部エッジリング１９４０の垂直移動に関連するプラズマシース調整可能性を低減および／または排除しうる。また、リフトピン１９３８は、一番下の中間エッジリング１９４６を基板１９０４の上面１９６０から所定の距離よりも高く持ち上げることを制限されてもよい。一例として、図１のシステムコントローラ１６０は、一番下の中間エッジリング１９４６の垂直上昇を制限してエッジリング１９４６と安定化エッジリング１９６２との間にプラズマが流れることを防止するために、リフトピン１９３８の移動量を制限してよい。エッジリング１９４６および１９６２の間のプラズマの流れも、上部エッジリング１９４０の垂直移動に関連するプラズマシース調整可能性を低減および／または排除しうる。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６、１９６２の隣接するペアの間の最大分離距離を制限することにより、隣接ペア間のプラズマの流れが防止される。

図２０～図２１は、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６を備えた図１９の折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６の一部２０００を示す。折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６は、図に示すように、（ｉ）第１部分伸展状態にあり、第１対応プラズマシース傾斜角α１を有する、および、（ｉｉ）第２部分伸展状態にあり、第２対応プラズマシース傾斜角α２を有する。折りたたみ式エッジリングアセンブリ１９０６は、図２０よりも図２１の方が伸展した状態にあると示されている。この理由から、プラズマシース傾斜角αは、図２０の例よりも図２１の例の方が大きい。プラズマシース傾斜角αとは、（ｉ）上部エッジリング１９４０の内周縁２００２を通って伸びる垂線２００１と、（ｉｉ）エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の周囲に沿って垂直にプラズマのおおよその周囲を表す線２００４との間の角度を意味しうる。

エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の各々の断面の幅ＷＣが同じである場合、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６と、プラズマ２０１０との間のギャップは、上部エッジリング１９４０の上面から一番下の中間エッジリング１９４６に向かって増加しうる。一実施形態において、エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の断面の幅は、上部エッジリング１９４０から一番下の中間エッジリング１９４６まで増加してもよく、その場合：エッジリング１９４６の断面はエッジリング１９４４の断面よりも広く；エッジリング１９４４の断面はエッジリング１９４２の断面よりも広く；エッジリング１９４２の断面はエッジリング１９４０の断面よりも広い。下の方のエッジリングではギャップのサイズが増大するため、下の方のエッジリングの半径方向移動の自由度の許容範囲は、上の方のエッジリングの半径方向移動の自由度の許容範囲よりも大きい。

エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６の持ち上げ位置を制御することにより、プラズマシースの形状および傾斜角が調節される。エッジリング１９４０、１９４２、１９４４、１９４６が高く持ち上げられるほど、形状および傾斜角αが大きく調節される。これは、０．０３９”（０．９９０６ｍｍ）以内までの基板１９０４の周囲（または周縁部）付近で制御可能なエッチング調整を提供する。上部エッジリング１９４０が持ち上げられると、傾斜角αが大きくなり、エッチングされる上面１９６０の面積が減少する。これは、エッチングの周辺範囲を広げ、周辺範囲内の基板１９０４の上面１９６０がエッチングされる程度を増加させる。

図２２Ａ～図２２Ｂは、図２２Ａでは折りたたみ状態そして図２２Ｂでは伸展状態にある内側に配置されたリングアライメント／スペーシング要素２２０２を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２２００を示す。折りたたみ式エッジリングアセンブリ２２００は、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６を備えてよい。リングアライメント／スペーシング要素２２０２は、「ピラミッド」形状で、複数のレベル２２１７、２２１９、２２２１、２２２３を備えるように段になっており；エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６のそれぞれに対して各レベルがある。上部エッジリング２２１０が持ち上げられると、リングアライメント／スペーシング要素２２０２が伸展し、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６の間のアライメントを維持し、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６を逐次持ち上げる。

一例として、エッジリング２２１０、２２１２、２２１４、２２１６は、厚さＴ１～Ｔ４を有してよく、リングアライメント／スペーシング要素２２０２の段は、高さＨ１～Ｈ４を有してよい。一実施形態において、厚さＴ２～Ｔ４は互いに等しい。別の実施形態において、厚さＴ２～Ｔ４は異なる。さらに別の実施形態において、厚さＴ２～Ｔ４は、Ｔ４＞Ｔ３＞Ｔ２となるように、Ｔ２からＴ４に向かってサイズが増加する。一実施形態において、高さＨ１～Ｈ３は互いに等しい。レベル２２１７、２２１９、２２２１、２２２３は、幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４を有する。レベルが低くなるほど、幅が広くなり、Ｗ４＞Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１である。

図２３Ａおよび図２３Ｂは、エッジリング２３０２、２３０４、２３０６、および、エッジリングアライメント／スペーシング要素２３０８、２３０９、２３１０（リングアライメント／スペーシング要素２３０８は図２３Ａに示した）を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２３００を示す。リングアライメント／スペーシング要素２３０８は、図２３Ａに伸展状態で示されている。リングアライメント／スペーシング要素２３０８、２３０９、２３１０は、エッジリング２３０２、２３０４、２３０６の周囲に配置される。リングアライメント／スペーシング要素２３０８、２３０９、２３１０の各々は、「櫛」状であってよく、エッジリング２３０２、２３０４、２３０６を持ち上げるためのフィンガ２３２０、２３２２、２３２４をそれぞれ備えてよい。フィンガ２３２０、２３２２、２３２４は、主部材２３２６から半径方向内向きに伸びる。３つのエッジリングおよび３つのフィンガが各リングアライメント／スペーシング要素に対して図示されているが、２以上のエッジリングおよび２以上のフィンガが備えられてよい。フィンガ２３２０、２３２２、２３２４は、それぞれのエッジリング２３０２、２３０４、２３０６と連結する、エッジリングと結合する、エッジリングのノッチ内にはまる、および／または、エッジリングを保持するよう構成されてよい。図示されていないが、リフトピンが、エッジリングの内の１または複数（例えば、エッジリング２３０４、２３０６）を通して、一番上のエッジリング（例えば、エッジリング２３０２）のリフトピン受け止め要素内へ伸びてよい。リフトピンは、エッジリング２３０２を直接持ち上げ、それに続いて、リングアライメント／スペーシング要素２３０８のフィンガ２３２０、２３２２、２３２４によって保持されている、フィンガに結合されている、および／または、フィンガ上に載っていることで、エッジリング２３０４、２３０６を間接的に持ち上げる。フィンガ２３２０、２３２２、２３２４は、一番上のフィンガ２３２０が中間のフィンガ２３２２よりも短く、中間のフィンガが一番下のフィンガ２３２４よりも短くなるように、一番上のフィンガ２３２０から一番下のフィンガ２３２４に向かって長さが長くなってよい。

図２４は、エッジリングシステム２４００、基板支持体２４０２、および、基板２４０４を示す。エッジリングシステム２４００は、段付き外側エッジリング２４１６によって持ち上げられたエッジリング２４０８、２４１０、２４１２、２４１４を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２４０６を備えており、段付き外側エッジリング２４１６は、リングアライメント／スペーシング要素と呼んでもよい。リフトピン２４１８が、段付き外側エッジリング２４１６を持ち上げ、段付き外側エッジリング２４１６が、エッジリング２４０８、２４１０、２４１２、２４１４を持ち上げる。エッジリング２４０８、２４１０、２４１２、２４１４の半径方向周端部２４２０、２４２２、２４２４、２４２６は、段付き外側エッジリング２４１６のステップ２４３０、２４３２、２４３４、２４３６上に配置される。リフトピン２４１８は、段付き外側エッジリング２４１６のフランジ２４５０を上向きに押しうる。フランジ２４５０は、ステップ２４３６から半径方向内向きに、エッジリング２４５２とリフトピン２４１８との間に伸びる。エッジリング２４５２は、図３Ａおよび図１５のエッジリング３１０および１５１０と同様である。図示していないが、フランジ２４５０は、上述のようにリフトピン２４１８の上端部を受け止めるために、リフトピン受け止め要素を備えてよい。段付き外側エッジリング２４１６は、図に示すようにエッジリングのスタックに含まれ、中間エッジリング２４５３上に配置されてよく、中間エッジリング２４５３は、底部エッジリング２４５４上に配置される。

段付き外側エッジリング２４１６は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。中間エッジリング２４５３は、サファイアなどの不揮発性材料で形成されてよい。底部エッジリング２４５４は、石英などの不揮発性材料で形成されてよい。

図２５は、エッジリングアセンブリ２５００、基板支持体２５０２、および、基板２５０４を示す。エッジリングアセンブリ２５００は、上部エッジリング２５０６、中間エッジリング２５０８、安定化エッジリング２５１０、エッジリングスタック２５１２、および、ライナ２５１４を備える。エッジリングスタックは、エッジリング２５１６、２５１８、２５２０を備え、それらのエッジリングは、図１５のエッジリング１５２０、１５２２、１５２４と同様である。エッジリング２５０６は、エッジリング１５０８と同様であるが、エッジリング２５０８を組み込むことにより、エッジリング１５０８より薄くてもよい。

エッジリング２５０６、２５０８は、３以上のリフトピン（１つのリフトピン２５３０が図示されている）によって持ち上げられてよい。各リフトピンは各々、１または複数エッジリングをそれぞれ持ち上げるための１または複数のステップを備えてよい。例えば、リフトピン２５３０は、ステップ２５３２を備えることが図示されており、ステップ２５３２は、エッジリング２５０８を持ち上げるために用いられる。リフトピン２５３０の先端２５３４が、エッジリング２５０８の穴２５３６を通して移動され、リフトピン受け止め要素２５３８内に受け止められる。リフトピン２５３０は、第１直径Ｄ１を有する第１部分２５４０と、Ｄ１よりも大きい第２直径Ｄ２を有する第２部分２５４２と、を備える。リフトピン２５３０は、任意の数のエッジリングを持ち上げるために、任意の数のステップを有してよい。これは、様々な数のエッジリングを組み込んでそれぞれの所定の高さまで持ち上げることを可能にすることにより、多用途性およびプロセス感度を高める。リフトピン２５３０は、ベースプレート２５４４およびシールド２５５２を通して伸びてよく、シールド２５５２は、図１５のシールド１５３８と同様であってよい。

図２５に示した例に対する代替例として、複数セットのリフトピンが用いられてもよく、ここで、第１セットのリフトピンは、第１エッジリング（例えば、上部エッジリング２５０６）を上昇させ、第２セットのリフトピンは、第２エッジリング（例えば、中間エッジリング２５０８）を上昇させる。この例において、第２エッジリングは、両方のリフトピンセットに対して、穴２５３６と同様の穴を有してよい。第１セットのリフトピンは、中間エッジリング２５０８、および／または、エッジリング２５０６よりも下に配置された１または複数のエッジリングを持ち上げえない。第２セットのリフトピンは、上部エッジリング２５０６を持ち上げえない。第２セットのリフトピンは、段付きであるか否かによって、中間エッジリング２５０８よりも下に配置された１または複数のエッジリングを持ち上げてもよい。任意の数のセットのリフトピン、エッジリング、および、対応するセットの穴が含まれてよい。別の例として、上部エッジリング２５０６よりも下に配置された１または複数のエッジリングは、対応するセットのリフトピンを受け止めるためのリフトピン受け止め要素を備えてもよい。結果として、キネマティックカップリングが、持ち上げられる各エッジリングとそれぞれのリフトピンセッとの間に提供されうる。

図２６は、テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８、２６１０を含むリングアライメント／スペーシング要素２６０２を備えた折りたたみ式エッジリングアセンブリ２６００を示す。テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８、２６１０の各々は、エッジリング２６１２、２６１４、２６１６、２６１８など、対応するエッジリングに結合するおよび／または対応するエッジリングを持ち上げるために用いられてよい。テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８は、それぞれ、伸縮部分２６０６、２６０８、２６１０の中に部分的に滑り込む。テレスコピック部分２６０４、２６０６、２６０８、２６１０は、かみ合い部分である。

本明細書に開示した例は、調整を改善するためのエッジリングアセンブリと共に、キネマティックカップリングおよびアンチウォーク機構を有する。本明細書に開示したキネマティックカップリングは、一例として、基板に対する上部エッジリングの位置決めを１００ミクロン以内までに維持できる。キネマティックカップリング機構を含めることで、従来の位置決めおよびセンタリングの技術よりも２桁、上部エッジリングの位置決めおよびセンタリングが改善する。「Ｖ」字形溝を含めることで、エッジリングを過剰に拘束することもエッジリングキットを拘束することもなしにキネマティックカップリングが提供される。結果として、上部エッジリングは、センタリングして一貫したアライメントを提供するための構成を必要としない。エッジリングアセンブリは、基板の上面の上のプラズマシースの傾斜角を調節することによってプラズマを物理的に操作するために作動および上昇されるエッジリングを備え、その操作が、基板のクリティカルディメンションおよびエッチング速度に影響する。

より高い高周波（ＲＦ）および直流（ＤＣ）電力レベルに向けてエッジリングを設計する際、ギャップのサイズを最小化しつつ（パッシェンの法則を参照）過剰な拘束を避けるために、各寸法と構成要素の間の関連するギャップとを計算するのに、データおよび相対オフセットの完全なマッピングが必要になりうる。ウエハの極縁部（ＥＥ）の均一性を向上させるために、本明細書に開示したようにエッジリングを持ち上げられ、調整範囲を増大させる。有効ポケット高さは、ウエハの単一のプロセス内で変えられてもよい。 エッジリングは、単一のエッジリングキットが、洗浄間の平均時間（ＭＴＢＣ：ｍｅａｎ ｔｉｍｅ ｂｅｔｗｅｅｎ ｃｌｅａｎｓ）を長くするために所定のレベルのＥＥ均一性を維持できるように、メモリ要素を含むウエハが腐食を補償するために、時間と共に次第に作動されてよい。これは、動作のコストを削減する。

上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。方法に含まれる１または複数の工程が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装することができる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。

要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係および機能的関係性が、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「近接する」、「の上部に」、「上方に」、「下方に」、および、「配置される」など、様々な用語を用いて記載されている。第１および第２要素の間の関係性を本開示で記載する時に、「直接」であると明確に記載されていない限り、その関係性は、他に介在する要素が第１および第２の要素の間に存在しない直接的な関係性でありうるが、１または複数の介在する要素が第１および第２の要素の間に（空間的または機能的に）存在する間接的な関係性でもありうる。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。

いくつかの実施例において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。

概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。

コントローラは、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラは、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラがインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。

限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。

上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。

上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。方法に含まれる１または複数の工程が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装することができる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。

要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係および機能的関係性が、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「近接する」、「の上部に」、「上方に」、「下方に」、および、「配置される」など、様々な用語を用いて記載されている。第１および第２要素の間の関係性を本開示で記載する時に、「直接」であると明確に記載されていない限り、その関係性は、他に介在する要素が第１および第２の要素の間に存在しない直接的な関係性でありうるが、１または複数の介在する要素が第１および第２の要素の間に（空間的または機能的に）存在する間接的な関係性でもありうる。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。

いくつかの実施例において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。

概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。

コントローラは、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラは、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラがインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。

限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。

上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板支持体のための第１エッジリングであって、
前記基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有する環状本体であって、前記環状本体は、上面と、下面と、半径方向内側面と、半径方向外側面と、を規定する、環状本体と、
前記環状本体の前記下面に沿って配置され、３以上のリフトピンのそれぞれの上端を受け止めて前記上端とのキネマティックカップリングを提供するようなサイズおよび形状を有する１または複数のリフトピン受け止め要素と、
を備える、第１エッジリング。
適用例２：
適用例１の第１エッジリングであって、前記環状本体の前記下面に沿って配置された３つのリフトピン受け止め要素を備える、第１エッジリング。
適用例３：
適用例１の第１エッジリングであって、
前記環状本体は、内径を有し、
前記内径は、前記基板支持体の上部の外径よりも大きい、第１エッジリング。
適用例４：
適用例１の第１エッジリングであって、前記環状本体は、少なくとも部分的に不揮発性材料で形成される、第１エッジリング。
適用例５：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含む、第１エッジリング。
適用例６：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの「Ｖ」字形溝を含む、第１エッジリング。
適用例７：
適用例６の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つの「Ｖ」字形溝は、互いに対して６０～１２０°をなす壁を備える、第１エッジリング。
適用例８：
適用例６の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つの「Ｖ」字形溝は、互いに対して４５°をなす壁を備える、第１エッジリング。
適用例９：
適用例１の第１エッジリングであって、
前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、丸みを帯びた頂点部分を備えた少なくとも１つの溝を含み、
前記丸みを帯びた頂点部分は、０．４５７２ｍｍ～０．８８９ｍｍ（０．０１８”～０．０３５”）の間の半径を有する、第１エッジリング。
適用例１０：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、丸みを帯びた溝、半円錐形の端部を備えた溝、または、四分球形の端部を備えた溝、の内の少なくとも１つを含む、第１エッジリング。
適用例１１：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つのディボットを含む、第１エッジリング。
適用例１２：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、面取りされた側壁を含む、第１エッジリング。
適用例１３：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素の内の少なくとも１つは、前記３以上のリフトピンの１つを前記１または複数のリフトピン受け止め要素の少なくとも１つの中に導くためのベベル部分を備える、第１エッジリング。
適用例１４：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、
溝を備えた第１リフト受け止め要素と、
ディボットを備えた第２リフトピン受け止め要素と、
を含む、第１エッジリング。
適用例１５：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、平行な側壁ならびに平坦または丸みを帯びた上壁を備えた少なくとも１つの溝を含む、第１エッジリング。
適用例１６：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、３つのリフトピン受け止め要素のみを含む、第１エッジリング。
適用例１７：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、前記環状本体の底部周囲に配置された少なくとも１つのノッチを含む、第１エッジリング。
適用例１８：
適用例１７の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つのノッチは、
「Ｖ」字形の溝および半円錐形の端部、もしくは、四分球形の端部を含む、第１エッジリング。
適用例１９：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、前記環状本体の中心に関して１２０°ずつ離間される、第１エッジリング。
適用例２０：
適用例１の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンと一度に２点のみで接触するような形状を有する少なくとも１つの溝を含む、第１エッジリング。
適用例２１：
適用例２０の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つの溝は、前記３以上のリフトピンの内の前記対応するリフトピンが、前記少なくとも１つの溝の最上部または頂点部分と接触しないような形状を有する、第１エッジリング。
適用例２２：
システムであって、
適用例１の前記第１エッジリングと、
前記３以上のリフトピンと、
を備える、システム。
適用例２３：
適用例２２のシステムであって、
前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
前記少なくとも１つの溝の深さと、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンの直径との比が、１：１である、システム。
適用例２４：
適用例２２のシステムであって、
前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
前記少なくとも１つの溝の深さと、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンの直径との比が、１０：１～１：８の間である、システム。
適用例２５：
適用例２２のシステムであって、
前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
前記少なくとも１つの溝は、側壁を含み、
前記溝の深さと、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンの直径との比が、２０：１～１：４の間である、システム。
適用例２６：
適用例２２のシステムであって、
前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンが前記少なくとも１つの溝の中に挿入される深さと、前記少なくとも１つの溝の深さとの比が、１０：１～１：８の間である、システム。
適用例２７：
適用例２２のシステムであって、前記３以上のリフトピンの各々は、前記１または複数のリフトピン受け止め要素の内の対応するリフトピン受け止め要素の表面と一度に２点で接触し、前記１または複数のリフトピン受け止め要素の内の前記対応するリフトピン受け止め要素の上面または頂点部分とは接触しないような形状を有する、システム。
適用例２８：
適用例２２のシステムであって、前記３以上のリフトピンは、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、システム。
適用例２９：
適用例２２のシステムであって、さらに、
前記３以上のリフトピンを移動させるための少なくとも１つのアクチュエータと、
前記少なくとも１つのアクチュエータの動作を制御するよう構成されたコントローラと、
を備える、システム。
適用例３０：
適用例２２のシステムであって、さらに、
第２エッジリングと、
前記環状本体の少なくとも１つのポケット内に配置され、前記第２エッジリングに圧力を印加する少なくとも１つの安定化要素と、
を備える、システム。
適用例３１：
適用例２２のシステムであって、さらに、
第２エッジリングと、
第３エッジリングと、
を備え、
前記第１エッジリング、前記第２エッジリング、および、前記第３エッジリングは、スタックに構成される、システム。
適用例３２：
適用例３１のシステムであって、前記第２エッジリングおよび前記第３エッジリングは各々、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、システム。
適用例３３：
適用例２２のシステムであって、さらに、
第１上面および第２上面を有する第２エッジリングであって、
前記第１上面は、前記基板支持体の上面に隣接して基板の周囲より下に配置され、前記第１上面は、（ｉ）前記第１エッジリングの底面の高さよりも高い高さで、（ｉｉ）前記第１エッジリングの半径方向内側に配置され、
前記第２上面は、前記第１エッジリングの一部よりも下に配置され、前記第２上面は、前記第１エッジリングの前記底面の前記高さよりも低い高さに配置された、第２エッジリングと、
前記第１上面から前記第２上面までのインステップと、
を備える、システム。
適用例３４：
適用例３３のシステムであって、前記第２エッジリングは、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、システム。
適用例３５：
基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
スタックに構成された複数のエッジリングであって、前記複数のエッジリングの内の少なくとも１つは、前記基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有し、前記複数のエッジリングは、上部エッジリングおよび少なくとも１つの中間エッジリングを含む、複数のエッジリングと、
前記複数のエッジリングの各々と接触し、前記複数のエッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成された３以上のリングアライメント／スペーシング要素であって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、前記上部エッジリングが持ち上げられた時に前記少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成されている、３以上のリングアライメント／スペーシング要素と、
を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例３６：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、前記複数のエッジリングの垂直移動時に前記複数のエッジリングの内の隣接するエッジリングの間の間隔を規定するようなサイズを有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例３７：
適用例３６の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記上部エッジリングは、３以上のリフトピンの上端を受け止めるようなサイズおよび形状を有する３以上のリフトピン受け止め要素を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例３８：
適用例３７の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記少なくとも１つの中間エッジリングは、前記３以上のリフトピンを通すための穴を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例３９：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記複数のエッジリングは、前記複数のエッジリングが互いに接触する完全収縮状態と、前記複数のエッジリングが互いに離間される伸展状態と、を有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４０：
適用例３９の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記上部エッジリングの周囲に関連するプラズマシース傾斜角が、前記複数のエッジリングの前記完全収縮状態時には前記伸展状態時よりも小さい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４１：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、互いに１２０°ずつ離間された３つのリングアライメント／スペーシング要素のみを含む、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４２：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、複数のレベルを有するように段になっており、
前記複数のレベルの各々は、前記複数のエッジリングのそれぞれの１つを持ち上げる、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４３：
適用例４２の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記複数のレベルは、それぞれのステップを有し、
前記それぞれのステップの高さは、サイズが等しい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４４：
適用例４２の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記複数のレベルは、第１レベル、第２レベル、および、第３レベルを含み、
前記第１レベルは、前記第２レベルより上に配置され、
前記第２レベルは、前記第３レベルより上に配置され、
前記第３レベルは、前記第２レベルより広く、
前記第２レベルは、前記第１レベルより広い、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４５：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、複数のかみ合い部分を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４６：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、複数のテレスコピック部分を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４７：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、主部材および複数のフィンガを備え、
前記複数のフィンガは、前記主部材から半径方向内向きに伸び、前記複数のエッジリングの内のそれぞれのエッジリングを持ち上げる、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４８：
適用例４７の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記複数のフィンガは、前記複数のエッジリングの内の対応するエッジリングのノッチ内にかみ合うかまたは配置されるよう構成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例４９：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記少なくとも１つの中間エッジリングは、第１中間エッジリングおよび第２中間エッジリングを含み、
前記第１中間エッジリングは、第１厚さを有し、
前記第２中間エッジリングは、前記第１厚さよりも大きい第２厚さを有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５０：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、段付きリフトピンとして実装され、
前記段付きリフトピンは、前記複数のエッジリングを持ち上げるよう構成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５１：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、さらに、第１セットのリフトピンを備え、
前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、第２セットのリフトピンとして実装され、
前記第１セットのリフトピンは、前記上部エッジリングを持ち上げるよう構成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５２：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記複数のエッジリングは各々、少なくとも部分的に不揮発性材料で形成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５３：
適用例３５の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は各々、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５４：
システムであって、
適用例３５の前記折りたたみ式エッジリングアセンブリと、
前記複数のエッジリングの内の前記少なくとも１つを通して前記３以上のリフトピン受け止め要素内に伸びる複数のリフトピンと、
を備える、システム。
適用例５５：
適用例５４のシステムであって、さらに、
前記複数のリフトピンを移動させるための少なくとも１つのアクチュエータと、
前記少なくとも１つのアクチュエータの動作を制御するよう構成されたコントローラと、
を備える、システム。
適用例５６：
基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
スタックに構成された複数のエッジリングであって、前記複数のエッジリングの内の少なくとも１つは、前記基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有し、前記複数のエッジリングは、上部エッジリングおよび少なくとも１つの中間エッジリングを含む、複数のエッジリングと、
複数のレベルを備えた段付き外側エッジリングであって、前記複数のエッジリングは、前記複数のレベルにそれぞれ配置され、前記段付き外側エッジリングは、前記複数のエッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成され、前記段付き外側エッジリングは、前記上部エッジリングが持ち上げられた時に前記少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成されている、段付き外側エッジリングと、
を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５７：
適用例５６の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記複数のレベルは、それぞれのステップを有し、
前記それぞれのステップの高さは、サイズが等しい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５８：
適用例５６の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
前記複数のレベルは、第１レベル、第２レベル、および、第３レベルを含み、
前記第１レベルは、前記第２レベルより上に配置され、
前記第２レベルは、前記第３レベルより上に配置され、
前記第３レベルは、前記第２レベルの内径よりも大きい内径を有し、
前記第２レベルの前記内径は、前記第１レベルの内径よりも大きい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例５９：
適用例５６の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記段付き外側エッジリングは、少なくとも部分的に不揮発性材料で形成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例６０：
適用例５６の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記段付き外側エッジリングは、複数のリフトピン上に配置されるように半径方向内向きに伸びるフランジを有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
適用例６１：
システムであって、
適用例６０の前記折りたたみ式エッジリングアセンブリと、
前記複数のリフトピンと、
を備える、システム。
適用例６２：
適用例６１のシステムであって、さらに、前記複数のエッジリングと前記フランジとの間に配置された安定化エッジリングを備える、システム。
適用例６３：
適用例６２のシステムであって、さらに、前記基板支持体を備え、前記安定化リングは、前記基板支持体と前記複数のエッジリングとの間に配置される、システム。
適用例６４：
適用例６２のシステムであって、
前記安定化エッジリングは、第１上面および第２上面を備え、
前記第１上面は、前記基板支持体の上面に隣接して基板の周囲より下に配置され、前記第１上面は、（ｉ）前記第１エッジリングの底面の高さよりも高い高さで、（ｉｉ）前記第１エッジリングの半径方向内側に配置され、
前記第２上面は、前記第１エッジリングの一部よりも下に配置され、前記第２上面は、前記第１エッジリングの前記底面の前記高さよりも低い高さに配置され、
前記第１上面から前記第２上面までのインステップを備える、システム。

Claims (64)

1. 基板支持体のための第１エッジリングであって、
   前記基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有する環状本体であって、前記環状本体は、上面と、下面と、半径方向内側面と、半径方向外側面と、を規定する、環状本体と、
   前記環状本体の前記下面に沿って配置され、３以上のリフトピンのそれぞれの上端を受け止めて前記上端とのキネマティックカップリングを提供するようなサイズおよび形状を有する１または複数のリフトピン受け止め要素と、
   を備える、第１エッジリング。
2. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記環状本体の前記下面に沿って配置された３つのリフトピン受け止め要素を備える、第１エッジリング。
3. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、
   前記環状本体は、内径を有し、
   前記内径は、前記基板支持体の上部の外径よりも大きい、第１エッジリング。
4. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記環状本体は、少なくとも部分的に不揮発性材料で形成される、第１エッジリング。
5. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含む、第１エッジリング。
6. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの「Ｖ」字形溝を含む、第１エッジリング。
7. 請求項６に記載の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つの「Ｖ」字形溝は、互いに対して６０～１２０°をなす壁を備える、第１エッジリング。
8. 請求項６に記載の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つの「Ｖ」字形溝は、互いに対して４５°をなす壁を備える、第１エッジリング。
9. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、
   前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、丸みを帯びた頂点部分を備えた少なくとも１つの溝を含み、
   前記丸みを帯びた頂点部分は、０．４５７２ｍｍ～０．８８９ｍｍ（０．０１８”～０．０３５”）の間の半径を有する、第１エッジリング。
10. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、丸みを帯びた溝、半円錐形の端部を備えた溝、または、四分球形の端部を備えた溝、の内の少なくとも１つを含む、第１エッジリング。
11. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つのディボットを含む、第１エッジリング。
12. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、面取りされた側壁を含む、第１エッジリング。
13. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素の内の少なくとも１つは、前記３以上のリフトピンの１つを前記１または複数のリフトピン受け止め要素の少なくとも１つの中に導くためのベベル部分を備える、第１エッジリング。
14. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、
    溝を備えた第１リフト受け止め要素と、
    ディボットを備えた第２リフトピン受け止め要素と、
    を含む、第１エッジリング。
15. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、平行な側壁ならびに平坦または丸みを帯びた上壁を備えた少なくとも１つの溝を含む、第１エッジリング。
16. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、３つのリフトピン受け止め要素のみを含む、第１エッジリング。
17. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、前記環状本体の底部周囲に配置された少なくとも１つのノッチを含む、第１エッジリング。
18. 請求項１７に記載の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つのノッチは、
    「Ｖ」字形の溝および半円錐形の端部、もしくは、四分球形の端部を含む、第１エッジリング。
19. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、前記環状本体の中心に関して１２０°ずつ離間される、第１エッジリング。
20. 請求項１に記載の第１エッジリングであって、前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンと一度に２点のみで接触するような形状を有する少なくとも１つの溝を含む、第１エッジリング。
21. 請求項２０に記載の第１エッジリングであって、前記少なくとも１つの溝は、前記３以上のリフトピンの内の前記対応するリフトピンが、前記少なくとも１つの溝の最上部または頂点部分と接触しないような形状を有する、第１エッジリング。
22. システムであって、
    請求項１に記載の前記第１エッジリングと、
    前記３以上のリフトピンと、
    を備える、システム。
23. 請求項２２に記載のシステムであって、
    前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
    前記少なくとも１つの溝の深さと、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンの直径との比が、１：１である、システム。
24. 請求項２２に記載のシステムであって、
    前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
    前記少なくとも１つの溝の深さと、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンの直径との比が、１０：１～１：８の間である、システム。
25. 請求項２２に記載のシステムであって、
    前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
    前記少なくとも１つの溝は、側壁を含み、
    前記溝の深さと、前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンの直径との比が、２０：１～１：４の間である、システム。
26. 請求項２２に記載のシステムであって、
    前記１または複数のリフトピン受け止め要素は、少なくとも１つの溝を含み、
    前記３以上のリフトピンの内の対応するリフトピンが前記少なくとも１つの溝の中に挿入される深さと、前記少なくとも１つの溝の深さとの比が、１０：１～１：８の間である、システム。
27. 請求項２２に記載のシステムであって、前記３以上のリフトピンの各々は、前記１または複数のリフトピン受け止め要素の内の対応するリフトピン受け止め要素の表面と一度に２点で接触し、前記１または複数のリフトピン受け止め要素の内の前記対応するリフトピン受け止め要素の上面または頂点部分とは接触しないような形状を有する、システム。
28. 請求項２２に記載のシステムであって、前記３以上のリフトピンは、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、システム。
29. 請求項２２に記載のシステムであって、さらに、
    前記３以上のリフトピンを移動させるための少なくとも１つのアクチュエータと、
    前記少なくとも１つのアクチュエータの動作を制御するよう構成されたコントローラと、
    を備える、システム。
30. 請求項２２に記載のシステムであって、さらに、
    第２エッジリングと、
    前記環状本体の少なくとも１つのポケット内に配置され、前記第２エッジリングに圧力を印加する少なくとも１つの安定化要素と、
    を備える、システム。
31. 請求項２２に記載のシステムであって、さらに、
    第２エッジリングと、
    第３エッジリングと、
    を備え、
    前記第１エッジリング、前記第２エッジリング、および、前記第３エッジリングは、スタックに構成される、システム。
32. 請求項３１に記載のシステムであって、前記第２エッジリングおよび前記第３エッジリングは各々、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、システム。
33. 請求項２２に記載のシステムであって、さらに、
    第１上面および第２上面を有する第２エッジリングであって、
    前記第１上面は、前記基板支持体の上面に隣接して基板の周囲より下に配置され、前記第１上面は、（ｉ）前記第１エッジリングの底面の高さよりも高い高さで、（ｉｉ）前記第１エッジリングの半径方向内側に配置され、
    前記第２上面は、前記第１エッジリングの一部よりも下に配置され、前記第２上面は、前記第１エッジリングの前記底面の前記高さよりも低い高さに配置された、第２エッジリングと、
    前記第１上面から前記第２上面までのインステップと、
    を備える、システム。
34. 請求項３３に記載のシステムであって、前記第２エッジリングは、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、システム。
35. 基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    スタックに構成された複数のエッジリングであって、前記複数のエッジリングの内の少なくとも１つは、前記基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有し、前記複数のエッジリングは、上部エッジリングおよび少なくとも１つの中間エッジリングを含む、複数のエッジリングと、
    前記複数のエッジリングの各々と接触し、前記複数のエッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成された３以上のリングアライメント／スペーシング要素であって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、前記上部エッジリングが持ち上げられた時に前記少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成されている、３以上のリングアライメント／スペーシング要素と、
    を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
36. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、前記複数のエッジリングの垂直移動時に前記複数のエッジリングの内の隣接するエッジリングの間の間隔を規定するようなサイズを有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
37. 請求項３６に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記上部エッジリングは、３以上のリフトピンの上端を受け止めるようなサイズおよび形状を有する３以上のリフトピン受け止め要素を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
38. 請求項３７に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記少なくとも１つの中間エッジリングは、前記３以上のリフトピンを通すための穴を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
39. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記複数のエッジリングは、前記複数のエッジリングが互いに接触する完全収縮状態と、前記複数のエッジリングが互いに離間される伸展状態と、を有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
40. 請求項３９に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記上部エッジリングの周囲に関連するプラズマシース傾斜角が、前記複数のエッジリングの前記完全収縮状態時には前記伸展状態時よりも小さい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
41. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、互いに１２０°ずつ離間された３つのリングアライメント／スペーシング要素のみを含む、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
42. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、複数のレベルを有するように段になっており、
    前記複数のレベルの各々は、前記複数のエッジリングのそれぞれの１つを持ち上げる、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
43. 請求項４２に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記複数のレベルは、それぞれのステップを有し、
    前記それぞれのステップの高さは、サイズが等しい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
44. 請求項４２に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記複数のレベルは、第１レベル、第２レベル、および、第３レベルを含み、
    前記第１レベルは、前記第２レベルより上に配置され、
    前記第２レベルは、前記第３レベルより上に配置され、
    前記第３レベルは、前記第２レベルより広く、
    前記第２レベルは、前記第１レベルより広い、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
45. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、複数のかみ合い部分を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
46. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、複数のテレスコピック部分を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
47. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素の内の少なくとも１つは、主部材および複数のフィンガを備え、
    前記複数のフィンガは、前記主部材から半径方向内向きに伸び、前記複数のエッジリングの内のそれぞれのエッジリングを持ち上げる、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
48. 請求項４７に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記複数のフィンガは、前記複数のエッジリングの内の対応するエッジリングのノッチ内にかみ合うかまたは配置されるよう構成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
49. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記少なくとも１つの中間エッジリングは、第１中間エッジリングおよび第２中間エッジリングを含み、
    前記第１中間エッジリングは、第１厚さを有し、
    前記第２中間エッジリングは、前記第１厚さよりも大きい第２厚さを有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
50. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、段付きリフトピンとして実装され、
    前記段付きリフトピンは、前記複数のエッジリングを持ち上げるよう構成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
51. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、さらに、第１セットのリフトピンを備え、
    前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は、第２セットのリフトピンとして実装され、
    前記第１セットのリフトピンは、前記上部エッジリングを持ち上げるよう構成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
52. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記複数のエッジリングは各々、少なくとも部分的に不揮発性材料で形成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
53. 請求項３５に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記３以上のリングアライメント／スペーシング要素は各々、少なくとも部分的に揮発性材料で形成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
54. システムであって、
    請求項３５に記載の前記折りたたみ式エッジリングアセンブリと、
    前記複数のエッジリングの内の前記少なくとも１つを通して前記３以上のリフトピン受け止め要素内に伸びる複数のリフトピンと、
    を備える、システム。
55. 請求項５４に記載のシステムであって、さらに、
    前記複数のリフトピンを移動させるための少なくとも１つのアクチュエータと、
    前記少なくとも１つのアクチュエータの動作を制御するよう構成されたコントローラと、
    を備える、システム。
56. 基板支持体のための折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    スタックに構成された複数のエッジリングであって、前記複数のエッジリングの内の少なくとも１つは、前記基板支持体の上側部分を囲むようなサイズおよび形状を有し、前記複数のエッジリングは、上部エッジリングおよび少なくとも１つの中間エッジリングを含む、複数のエッジリングと、
    複数のレベルを備えた段付き外側エッジリングであって、前記複数のエッジリングは、前記複数のレベルにそれぞれ配置され、前記段付き外側エッジリングは、前記複数のエッジリングの半径方向アライメントおよび垂直スペーシングを維持するよう構成され、前記段付き外側エッジリングは、前記上部エッジリングが持ち上げられた時に前記少なくとも１つの中間エッジリングを持ち上げるよう構成されている、段付き外側エッジリングと、
    を備える、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
57. 請求項５６に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記複数のレベルは、それぞれのステップを有し、
    前記それぞれのステップの高さは、サイズが等しい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
58. 請求項５６に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、
    前記複数のレベルは、第１レベル、第２レベル、および、第３レベルを含み、
    前記第１レベルは、前記第２レベルより上に配置され、
    前記第２レベルは、前記第３レベルより上に配置され、
    前記第３レベルは、前記第２レベルの内径よりも大きい内径を有し、
    前記第２レベルの前記内径は、前記第１レベルの内径よりも大きい、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
59. 請求項５６に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記段付き外側エッジリングは、少なくとも部分的に不揮発性材料で形成される、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
60. 請求項５６に記載の折りたたみ式エッジリングアセンブリであって、前記段付き外側エッジリングは、複数のリフトピン上に配置されるように半径方向内向きに伸びるフランジを有する、折りたたみ式エッジリングアセンブリ。
61. システムであって、
    請求項６０に記載の前記折りたたみ式エッジリングアセンブリと、
    前記複数のリフトピンと、
    を備える、システム。
62. 請求項６１に記載のシステムであって、さらに、前記複数のエッジリングと前記フランジとの間に配置された安定化エッジリングを備える、システム。
63. 請求項６２に記載のシステムであって、さらに、前記基板支持体を備え、前記安定化リングは、前記基板支持体と前記複数のエッジリングとの間に配置される、システム。
64. 請求項６２に記載のシステムであって、
    前記安定化エッジリングは、第１上面および第２上面を備え、
    前記第１上面は、前記基板支持体の上面に隣接して基板の周囲より下に配置され、前記第１上面は、（ｉ）前記第１エッジリングの底面の高さよりも高い高さで、（ｉｉ）前記第１エッジリングの半径方向内側に配置され、
    前記第２上面は、前記第１エッジリングの一部よりも下に配置され、前記第２上面は、前記第１エッジリングの前記底面の前記高さよりも低い高さに配置され、
    前記第１上面から前記第２上面までのインステップを備える、システム。

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