JP2022060380A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板と、基板の表示領域に、第１方向及び当該第１方向に交差する第２方向に行列状に配置された複数の電極と、複数の電極に駆動信号を供給する駆動部と、表示領域内を第２方向に延在して複数の電極をそれぞれ前記駆動部に接続する複数の配線と、を有し、複数の配線は、第１方向の一方から他方に亘って順に配列される第１の配線、第２の配線、第３の配線を具え、第１の配線は、所定の電極に接続され、第２の配線は、所定の電極と第２方向で並ぶ電極のうち、所定の電極と重畳して且つ別の電極に接続され、第３の配線は、所定の電極と第２方向で並ぶ電極のうち、所定の電極と重畳することなく且つさらに別の電極に接続される。【選択図】図３７

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている。例えば、特許文献１のタッチスクリーンパネルでは、検出電極がマトリクス状に複数設けられている。特許文献１のタッチスクリーンパネルでは、検出電極の静電容量変化に基づいて表示領域のタッチ検出を行う。タッチ検出機能付き表示装置において、表示領域の周辺部の周辺領域に入力機能を有するボタンが配置される。このような入力用ボタンをタッチパネルや表示装置の周辺領域に一体化する技術について知られている。

米国特許出願公開第２０１６／０２０２８２９号明細書

しかし、特許文献１には、周辺領域のタッチ検出について記載されていない。表示領域に設けられた検出電極では、周辺領域のタッチ検出が困難となる可能性がある。

本発明は、周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板の表示領域に、行列状に配置された複数の第１電極と、前記基板の前記表示領域の外側の周辺領域に配置された複数の第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、複数の前記第１電極のそれぞれに接続された複数の配線と、を有し、前記第１電極は、前記配線を介して前記駆動部と電気的に接続され、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれの自己静電容量変化に応じた検出信号を出力する。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板の表示領域に、行列状に配置された複数の第１電極と、前記表示領域の外側の周辺領域の少なくとも一辺に沿って設けられた第２電極と、前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、複数の前記第１電極のそれぞれに接続された配線と、を有し、前記第１電極は、前記配線を介して前記駆動部と電気的に接続され、前記第２電極に前記駆動信号が供給された場合に、前記第１電極は、前記第２電極との間の静電容量変化に応じた検出信号を出力する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。 図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。 図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。 図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図９は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１０は、表示部の画素配列を表す回路図である。 図１１は、第１の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図１２は、図１１のＡ１－Ａ２線に沿う断面図である。 図１３は、第１の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図１４は、第１の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図１５は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置の、第１電極とアナログフロントエンド回路との接続構成を示す模式図である。 図１６は、第１の実施形態の変形例に係る接続回路の一例を示す回路図である。 図１７は、第１の実施形態の変形例に係る接続回路の他の例を示す回路図である。 図１８は、第２の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図１９は、第２の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図２０は、第２の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図２１は、第２の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図２２は、第３の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図２３は、第３の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図２４は、第３の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図２５は、第３の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。 図２６は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２７は、第４の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図２８は、第４の実施形態に係るカバー基板の平面図である。 図２９は、第５の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図３０は、第５の実施形態に係るカバー基板の平面図である。 図３１は、第６の実施形態に係る表示装置の、第１電極とアナログフロントエンド回路との接続構成を示す模式図である。 図３２は、図３１のＢ１－Ｂ２線に沿う断面図である。 図３３は、第６の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。 図３４は、第７の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図３５は、第７の実施形態の第１変形例に係る第１基板の平面図である。 図３６は、第７の実施形態の第２変形例に係る第１基板の平面図である。 図３７は、第７の実施形態の第３変形例に係る第１基板の平面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、第１電極ドライバ１４と、検出部４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示部２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。

表示パネル１０は、表示部２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示部２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチセンサ３０の電極や基板等に兼用される。

表示部２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示部２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示部２０は、映像信号Ｖｄｉｓｐの入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示パネル１０は、表示部２０の上に、タッチセンサ３０を装着した装置であってもよい。また、表示部２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。

制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、第１電極ドライバ１４及び検出部４０に制御信号を供給する。制御部１１は、表示装置１の表示動作及び検出動作を制御する回路である。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。

ソースドライバ１３は、表示部２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御部１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。

第１電極ドライバ１４は、表示パネル１０の第１電極ＣＯＭＬ（図１１参照）に表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する回路である。また、第１電極ドライバ１４は、タッチ検出の際に、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５（図１１参照）に検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。

本実施形態において、制御部１１は、表示部２０により表示を行う表示動作と、タッチセンサ３０により被検出体を検出する検出動作とを時分割で行う。第１電極ドライバ１４は、制御部１１からの制御信号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍｄｃ、Ｖｃｏｍを、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５に供給する。

タッチセンサ３０は、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行う。タッチセンサ３０は、接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ２を検出部４０に出力する。また、タッチセンサ３０は、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行うこともできる。タッチセンサ３０は、相互静電容量方式により接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ１を検出部４０に出力する。

本明細書において、「接触状態」とは、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を表す。また、「非接触状態」とは、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を表す。

検出部４０は、相互静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ１とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。また、検出部４０は、自己静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ２とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する。検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。

検出部４０は、アナログフロントエンド回路４８と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を備える。アナログフロントエンド回路４８（以下、ＡＦＥ（Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ）４８と表す。）は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、を含む。ＡＦＥ４８は、検出信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２をデジタル信号に変換して信号処理部４４に出力するアナログ信号処理回路である。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。

タッチ検出において、検出信号増幅部４２は、表示パネル１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体が接触状態又は近接状態であると判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。

なお、検出部４０の検出信号増幅部４２、Ａ／Ｄ変換部４３、信号処理部４４、座標抽出部４５及び検出タイミング制御部４６は、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部４０の全部又は一部の機能は外部の制御基板やプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出部４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、信号処理部４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。或いは、ＡＦＥ４８が表示装置１に搭載され、信号処理部４４及び座標抽出部４５は外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、Ａ／Ｄ変換部４３が信号処理したデジタル信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。

次に、図２から図４を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等であってもよい。

図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、電圧検出器ＤＥＴを介して、図４に示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。

非接触状態では、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ_０（図４参照））に変換する。

図２及び図３に示すように、接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。そして、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ_１（図４参照））に変換する。

この場合、波形Ｖ_１は、上述した波形Ｖ_０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。かかる期間Ｒｅｓｅｔを設けていることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。

検出部４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、図５から図８を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。

図５左図は、非接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１が充電される。図５右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続されず、スイッチＳＷ２により、検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷はコンデンサＣｃｒを介して放電される。

図６左図は、接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１に加え、検出電極Ｅ３に近接している指により生じる容量Ｃｘ２も充電される。図６右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続されず、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷と容量Ｃｘ２の電荷とがコンデンサＣｃｒを介して放電される。

ここで、図５右図に示す放電時（非接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性に対して、図６右図に示す放電時（接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己静電容量方式では、容量Ｃｘ２の有無により、コンデンサＣｃｒの電圧変化特性が異なることを利用して、指などの操作入力の有無を判定している。

具体的には、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図８参照）が印加される。図７に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖ_４、Ｖ_５）に変換する。

図８において、時刻Ｔ_０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ_６に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ３の電位も電圧Ｖ_６に上昇する。次に時刻Ｔ_１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ３はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２、図６参照）によって、検出電極Ｅ３の電位は電圧Ｖ_６が維持される。さらに、時刻Ｔ_１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。

続いて、時刻Ｔ_１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図８の検出信号Ｖｄｅｔ２参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（検出信号Ｖｄｅｔ２）は、非接触状態では、実線で示す波形Ｖ_４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃｘ１×Ｖ_６／Ｃ５となる。接触状態では、点線で示す波形Ｖ_５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖ_６／Ｃ５となる。

その後、時刻Ｔ_３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ３の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出部４０は自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図９は、第１の実施形態に係る表示パネルの概略断面構造を表す断面図である。図９に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。

画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、第１電極ＣＯＭＬと、第２電極５３と、偏光板３５Ｂとを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図９では省略して示す）が設けられる。

第１電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して第１電極ＣＯＭＬの上側に設けられる。画素電極２２は、第１電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、第１電極ＣＯＭＬと重なって配置される。第２電極５３は、画素電極２２と同じ層に設けられ、画素電極２２よりも第１基板２１の外周側に設けられる。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板３５Ｂは、第１基板２１の下側に設けられる。なお、本実施形態では、画素電極２２が第１電極ＣＯＭＬの上側に設けられる例について説明したが、これに限定されない。第１電極ＣＯＭＬが画素電極２２の上側に設けられていてもよい。すなわち、画素電極２２と第１電極ＣＯＭＬは、絶縁層２４を挟んで、第１基板２１の表面に垂直な方向に離隔して設けられ、いずれか一方が他方よりも上側である。

なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。

画素電極２２は、表示パネル１０の各画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘに対応して設けられる。表示動作を行うための画素信号Ｖｐｉｘは、ソースドライバ１３（図１参照）から画素電極２２に供給される。また、表示動作の際に、直流の電圧信号である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが第１電極ＣＯＭＬに供給される。これにより、第１電極ＣＯＭＬは、複数の画素電極２２に対する共通電極として機能する。また、第１電極ＣＯＭＬは、タッチ検出における検出電極として機能する。

本実施形態において、画素電極２２、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５（図９では第２電極５３のみ示す）は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。

対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた偏光板３５Ａとを有する。カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。

第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調する。液晶層６として、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜（図９では省略して示す）が配設されている。

第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。

次に表示パネル１０の表示動作について説明する。図１０は、実施形態に係る表示部の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図９参照）には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬはスイッチング素子Ｔｒに電気的に接続される。スイッチング素子Ｔｒは、信号線ＳＧＬとゲート線ＧＣＬの交点に設けられる。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。

図１０に示す表示部２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と第１電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図１０に示す保持容量６ｂが形成される。

図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。

この表示動作を行う際、図１に示す第１電極ドライバ１４は、第１電極ＣＯＭＬに対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各第１電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、第１電極ドライバ１４は、表示領域Ａｄ（図１１参照）の全ての第１電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。

図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ３２の色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図１０に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。

次に、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５の構成と、タッチ検出動作について説明する。図１１は、第１の実施形態に係る第１基板の平面図である。図１１に示すように、表示装置１において、表示領域Ａｄと、周辺領域Ｇｄとが設けられている。本明細書において、表示領域Ａｄは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）と重なる領域である。周辺領域Ｇｄは、第１基板２１の外周よりも内側で、かつ、表示領域Ａｄよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域Ｇｄは表示領域Ａｄを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域Ｇｄは額縁領域とも言える。

本実施形態において、第１電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の表示領域Ａｄに行列状に複数配置される。言い換えると、第１電極ＣＯＭＬは、第１方向Ｄｘに複数配列されるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。第１電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄの全領域に配列される。第１電極ＣＯＭＬにはそれぞれ配線２７が接続される。図１１に示す例では、配線２７は第１電極ＣＯＭＬに対して１対１の関係で接続される。配線２７は、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに間隔を有して複数配列される。第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ配線２７を介してドライバＩＣ１９と接続される。

本実施形態において、第１方向Ｄｘは、表示領域Ａｄの一辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交する方向である。これに限定されず、第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の表面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向は、第１基板２１（図９参照）の厚み方向である。

第２電極５３、５４、５５は、表示領域Ａｄの外側の周辺領域Ｇｄに複数配置される。第２電極５３、５４、５５は、平面視で、第１電極ＣＯＭＬと重ならない位置に設けられる。第２電極５３は、第２方向Ｄｙに沿う周辺領域Ｇｄに設けられ、第２方向Ｄｙに複数配列される。第２電極５３は第２方向Ｄｙに長手を有する矩形状である。本実施形態において、第２電極５３の第２方向Ｄｙの配列ピッチは、第１電極ＣＯＭＬの第２方向Ｄｙの配列ピッチと等しい。すなわち、第２電極５３は、それぞれ第１電極ＣＯＭＬと第１方向Ｄｘに隣り合って配置される。第２電極５３の、第２方向Ｄｙの長さは、第１電極ＣＯＭＬの第２方向Ｄｙの長さと実質的に等しく、第２電極５３どうしの間隔は、第１電極ＣＯＭＬどうしの第２方向Ｄｙの間隔と実質的に等しい。第２電極５３の、第１方向Ｄｘの長さは、第１電極ＣＯＭＬの第１方向Ｄｘの長さよりも短い。

第２電極５４は、第１方向Ｄｘに沿う周辺領域Ｇｄに設けられ、第１方向Ｄｘに複数配列される。第２電極５４は第１方向Ｄｘに長手を有する矩形状である。本実施形態において、第２電極５４の配列ピッチは、第１電極ＣＯＭＬの第１方向Ｄｘの配列ピッチと等しい。第２電極５４は、それぞれ第１電極ＣＯＭＬと第２方向Ｄｙに隣り合って配置される。第２電極５４の、第１方向Ｄｘの長さは、第１電極ＣＯＭＬの第１方向Ｄｘの長さと実質的に等しく、第２電極５４どうしの間隔は、第１電極ＣＯＭＬどうしの第１方向Ｄｘの間隔と実質的に等しい。第２電極５４の、第２方向Ｄｙの長さは、第１電極ＣＯＭＬの第２方向Ｄｙの長さよりも短い。つまり、周辺領域Ｇｄの一辺に沿った方向で、第２電極５３、５４の配列ピッチは、第１電極ＣＯＭＬの配列ピッチと等しい。

第２電極５５は、周辺領域Ｇｄの角部に設けられる。第２電極５５は、第２電極５３の端部と第２方向Ｄｙに隣り合って配置され、かつ、第２電極５４の端部と第１方向Ｄｘに隣り合って配置される。このように、第２電極５３、５４、５５は、複数の第１電極ＣＯＭＬを囲んで周辺領域Ｇｄの４辺に設けられて、全体として枠状に配置される。これに限定されず、第２電極５３、５４は、周辺領域Ｇｄの少なくとも一辺に沿って複数設けられていればよい。

図１１に示すように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７２が設けられている。第１電極ＣＯＭＬとフレキシブル基板７２との間の周辺領域Ｇｄに、ドライバＩＣ１９が設けられている。

第２電極５３は、それぞれ、配線２８Ａを介してドライバＩＣ１９に接続される。第２電極５４は、それぞれ、配線２８Ｂを介してドライバＩＣ１９に接続される。また、第２電極５５は、配線２８Ｃを介してドライバＩＣ１９に接続される。

なお、配線２７は、第１電極ＣＯＭＬと絶縁層（図示しない）を介して異なる層に設けられ、平面視で第１電極ＣＯＭＬと重なって設けられる。また、配線２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃは、第２電極５３、５４、５５と絶縁層（図示しない）を介して異なる層に設けられる。配線２８Ａ、２８Ｃは、第２電極５３、５５と重なって第２方向Ｄｙに延出する。表示領域Ａｄに対してドライバＩＣ１９の反対側の第２電極５４に接続された配線２８Ｂは、第１電極ＣＯＭＬと重なって第２方向Ｄｙに延出する。

ドライバＩＣ１９は、図１に示す制御部１１として機能する。また、図１に示す第１電極ドライバ１４は、ドライバＩＣ１９に含まれる。また、検出部４０の機能の一部は、ドライバＩＣ１９に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ－Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。例えばＡＦＥ４８は、ドライバＩＣ１９に含まれる。これに限定されず、第１電極ドライバ１４は、第１基板２１に設けられていてもよく、或いは、外部の制御基板に備えられていてもよい。なお、ドライバＩＣ１９は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。ドライバＩＣ１９に加え、別のタッチＩＣ１８（図１５参照）を設け、タッチＩＣ１８にＡＦＥ４８等を搭載してもよい。

表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、タッチ検出動作（タッチ検出期間）と表示動作（表示期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。

表示動作において、ドライバＩＣ１９に含まれる第１電極ドライバ１４（図１参照）は、全ての第１電極ＣＯＭＬに対して、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、自己静電容量方式のタッチ検出において、第１電極ドライバ１４は、第１電極ＣＯＭＬに対して、同時又は時分割的に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。第１電極ＣＯＭＬは、第１電極ＣＯＭＬのそれぞれの静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。各第１電極ＣＯＭＬからのセンサ出力信号に基づいて、表示領域Ａｄのタッチ検出が行われる。つまり、第１電極ＣＯＭＬは、表示動作の際に共通電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるタッチ検出の際に検出電極として機能する。

表示動作において、ドライバＩＣ１９に含まれる第１電極ドライバ１４（図１参照）は、全ての第２電極５３、５４、５５に対して、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃと同じ電位を有する電圧信号を供給する。これにより、第２電極５３、５４、５５は、表示の際にシールド電極として機能する。

また、自己静電容量方式のタッチ検出において、第１電極ドライバ１４は、第２電極５３、５４、５５に対して、同時又は時分割的に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。第２電極５３、５４、５５は、第２電極５３、５４、５５のそれぞれの静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。第２電極５３、５４、５５からのセンサ出力信号に基づいて、周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。つまり、第２電極５３、５４、５５は、自己静電容量方式の検出電極として用いられる。

このように、第２電極５３、５４、５５を設けると、周辺領域Ｇｄに接触又は近接する被検出体と、第２電極５３、５４、５５との距離は、被検出体と、第１電極ＣＯＭＬとの距離よりも小さい。このため、周辺領域Ｇｄの被検出体による第２電極５３、５４、５５の静電容量変化が大きくなり、周辺領域Ｇｄの検出感度が向上する。したがって、本実施形態の表示装置１は、良好な周辺領域Ｇｄの検出性能を有する。

図１２は、図１１のＡ１－Ａ２線に沿う断面図である。図１２に示すように、表示領域Ａｄでは、第１基板２１の上側に絶縁層２５ａ、平坦化層２５ｂを介して、複数の配線２７が設けられる。複数の配線２７の上側に絶縁層２５ｃを介して第１電極ＣＯＭＬが設けられる。第１電極ＣＯＭＬの上側に絶縁層２４を介して画素電極２２が設けられる。第１電極ＣＯＭＬと重なる複数の配線２７のうち、１つの配線２７は、コンタクトホールＨ１を介して第１電極ＣＯＭＬと接続される。

周辺領域Ｇｄでは、第２電極５３は、絶縁層２４の上、つまり、画素電極２２と同層に設けられ、第１電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられる。なお、図１２では図示しない他の第２電極５３も同層に設けられる。つまり、他の第２電極５３も画素電極２２と同層に設けられる。複数の配線２８Ａ及び配線２８Ｃは、複数の配線２７と同層に設けられる。複数の配線２８Ａのうち、１つの配線２８Ａは、コンタクトホールＨ２を介して第２電極５３と接続される。また、第１基板２１の表面に対して垂直な方向において、第２電極５６と第１基板２１との間に、配線１２ａ、１２ｂが設けられる。配線１２ａ、１２ｂは、ゲートドライバ１２（図１参照）に含まれるゲートスキャナ等の回路に含まれる配線である。

本実施形態の第２電極５３は、表示動作の信頼性を高めるために設けられたガードリングを、タッチ検出の駆動電極として兼用することができる。表示動作の際に、第１電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍｄｃと同じ電位を有する直流の電圧信号を複数の第２電極５３に供給する。これにより、第２電極５３は、配線１２ａ、１２ｂを含む各種回路のノイズをシールドして、表示信頼性を高めることができる。

図１３及び図１４は、第１の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。タッチ検出において、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５は、どのように駆動してもよい。図１３及び図１４では、検出電極ブロックＢＫごとに時分割的に検出を行う例を説明する。

図１３に示すように、ドライバＩＣ１９に含まれる第１電極ドライバ１４（図１３では省略して示す）は、検出電極ブロックＢＫ１を選択する。検出電極ブロックＢＫ１は、第１方向Ｄｘに配列された第２電極５４及び第２電極５５と、第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３と、を含む。第１電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＢＫ１に含まれる第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５に、同時に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出電極ブロックＢＫ１に含まれる第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５は、それぞれの自己静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８（図１参照）に出力する。これにより、検出電極ブロックＢＫ１と重なる部分の表示領域Ａｄ及び周辺領域Ｇｄにおいてタッチ検出が行われる。

次に、検出電極ブロックＢＫ１を選択した期間と異なる期間で、図１４に示すように、第１電極ドライバ１４（図１４では省略して示す）は、検出電極ブロックＢＫ２を選択する。検出電極ブロックＢＫ２は、第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３と、これらに対し、第２方向Ｄｙに隣り合う第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３を含む。第１電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＢＫ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３に、同時に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出電極ブロックＢＫ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３は、それぞれの静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、検出電極ブロックＢＫ２と重なる部分の表示領域Ａｄ及び周辺領域Ｇｄにおいてタッチ検出が行われる。

そして、第１電極ドライバ１４は、２ライン分の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５を含む検出電極ブロックＢＫを順次走査する。これにより１検出面のタッチ検出が行われる。なお、第１電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＢＫ以外の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５にガード信号を供給する。ガード信号は、駆動信号Ｖｃｏｍと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、検出電極ブロックＢＫと、検出電極ブロックＢＫ以外の非選択の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５が、同じ電位で駆動される。このため、検出電極ブロックＢＫの寄生容量を抑制することができる。

このように、本実施形態では、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５は、所定の数の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５を含む複数の検出電極ブロックＢＫを構成する。第１電極ドライバ１４は、複数の検出電極ブロックＢＫに時分割的に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、検出電極ブロックＢＫの第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５を同時に駆動して、表示領域Ａｄのタッチ検出と周辺領域Ｇｄのタッチ検出とを同時に実行できる。

また、検出電極ブロックＢＫごとに検出を行うため、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５の全体を同時に駆動する場合と比較して、ＡＦＥ４８（図１参照）に同時に接続される電極の数を少なくすることができる。したがって、ＡＦＥ４８が搭載されるドライバＩＣ１９の端子数を少なくすることができる。

なお、図１３及び図１４に示す動作例はあくまで一例であって、他の駆動方法であってもよい。例えば、第１電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＢＫとして、１ライン分の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５を選択してもよい。或いは、第１電極ドライバ１４は、検出電極ブロックＢＫとして、３ライン分以上の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５を選択してもよい。同時に駆動する電極の数は、ＡＦＥ４８のチャンネル数に応じて適宜変更することができる。

（第１の実施形態の変形例）
第１の実施形態では、例えば図１１に示したように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄに１つのドライバＩＣ１９が設けられる例を説明したが、これに限定されない。図１５は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置の、第１電極とアナログフロントエンド回路との接続構成を示す模式図である。

図１１に示すように、本実施形態の表示装置１Ａにおいて、第１基板２１にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）７５が接続される。フレキシブル基板７２は、ＣＯＦ７５に対して第１基板２１の反対側に接続される。ＣＯＦ７５は、フィルム状の基材７４と、ドライバＩＣ１９とを含む。ドライバＩＣ１９は、基材７４に実装されている。また、フレキシブル基板７２には、タッチＩＣ１８が実装されている。タッチＩＣ１８は、ＡＦＥ４８を含む。

ドライバＩＣ１９は、主として表示動作を制御する。また、タッチＩＣ１８は、主としてタッチ検出を制御する。つまり、ドライバＩＣ１９は、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを第１電極ＣＯＭＬに供給する。タッチＩＣ１８は、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３、５４、５５に供給する。

第１基板２１の周辺領域Ｇｄにおいて、第１電極ＣＯＭＬとＣＯＦ７５との間に接続回路１７が設けられる。接続回路１７は、第１電極ＣＯＭＬとＡＦＥ４８との接続と遮断とを切り換える接続切り換え回路であり、例えばマルチプレクサを採用することができる。第１電極ＣＯＭＬのそれぞれは配線２７を介して接続回路１７に接続される。また、第２電極５３、５４、５５は、それぞれ配線２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃを介して接続回路１７に接続される。接続回路１７は、配線Ｌ１１を介してＡＦＥ４８と接続される。配線Ｌ１１は、第１基板２１、基材７４及びフレキシブル基板７２に亘って設けられ、ドライバＩＣ１９と重ならない位置に設けられる。接続回路１７は、１本の配線Ｌ１１に複数の配線２７及び複数の配線２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃを束ねて接続する。このため、配線２７及び複数の配線２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃの数に比べて、基材７４及びフレキシブル基板７２に設けられる配線Ｌ１１の数を少なくすることができる。

このように接続回路１７を設けることにより、配線２７及び配線２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃを全てＡＦＥ４８及びタッチＩＣ１８に接続する構成に比べて、ＡＦＥ４８及びタッチＩＣ１８の端子数を少なくすることができる。このため、タッチＩＣ１８の構成を簡略化することができ、チップサイズを小さくすることができる。

図１６は、第１の実施形態の変形例に係る接続回路の一例を示す回路図である。なお、図１６では、第２電極５３、５４、５５、配線２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、ＣＯＦ７５、ドライバＩＣ１９、タッチＩＣ１８等を省略して示す。図１６に示すように、例えば、第１電極ＣＯＭＬ（１１）、ＣＯＭＬ（１２）、ＣＯＭＬ（１３）、ＣＯＭＬ（１４）が第２方向Ｄｙに配列されている。第１電極ＣＯＭＬ（１１）、ＣＯＭＬ（１２）、ＣＯＭＬ（１３）、ＣＯＭＬ（１４）の順にＡＦＥ４８に近づいて配置される。また、第１電極ＣＯＭＬ（１２）、ＣＯＭＬ（２２）、ＣＯＭＬ（３２）、ＣＯＭＬ（４２）の順に第１方向Ｄｘに配列されている。なお、以下の説明において第１電極ＣＯＭＬ（１１）、ＣＯＭＬ（１２）、ＣＯＭＬ（１３）、ＣＯＭＬ（１４）、ＣＯＭＬ（２２）、ＣＯＭＬ（３２）、ＣＯＭＬ（４２）を区別して説明する必要がない場合には、第１電極ＣＯＭＬと表す。

接続回路１７は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４と配線Ｌ１２とを含む。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は、第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬ（１１）、ＣＯＭＬ（１２）、ＣＯＭＬ（１３）、ＣＯＭＬ（１４）に対応して設けられる。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は、共通の配線Ｌ１２を介して１つの配線Ｌ１１に接続される。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４及び配線Ｌ１２は、第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬごとに設けられている。

スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４の動作は、ドライバＩＣ１９（図１５参照）からの制御信号に基づいて制御される。図１６に示す例では、スイッチＳＷ１２がオンになり、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１３、ＳＷ１４がオフになる。第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬ（１２）、ＣＯＭＬ（２２）、ＣＯＭＬ（３２）、ＣＯＭＬ（４２）が、それぞれ配線Ｌ１１を介してＡＦＥ４８に接続される。これにより、検出電極ブロックＲｘが選択される。ドライバＩＣ１９からの制御信号に基づいてスイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４が動作することで、検出電極ブロックＲｘが順次選択される。

このように接続回路１７を設けることにより、ＡＦＥ４８に接続される配線Ｌ１１の数は、１つの検出電極ブロックＲｘに含まれる第１電極ＣＯＭＬの数と等しくなる。つまり、配線Ｌ１１の数を、第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続された配線２７の数よりも少なくすることができる。

図１６に示す接続回路１７の構成は、あくまで一例であり、これに限定されない。図１７は、第１の実施形態の変形例に係る接続回路の他の例を示す回路図である。図１７に示す接続回路１７ａは、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４と配線Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１５、Ｌ１６を含む。

複数のスイッチＳＷ１１は、共通の配線Ｌ１３を介してＡＦＥ４８に接続される。複数のスイッチＳＷ１２は、共通の配線Ｌ１４を介してＡＦＥ４８に接続される。複数のスイッチＳＷ１３は、共通の配線Ｌ１５を介してＡＦＥ４８に接続される。複数のスイッチＳＷ１４は、共通の配線Ｌ１６を介してＡＦＥ４８に接続される。

図１７に示す例では、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬ（２１）、ＣＯＭＬ（２２）、ＣＯＭＬ（２３）、ＣＯＭＬ（２４）にそれぞれ接続されたスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４がオンになる。これにより、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬ（２１）、ＣＯＭＬ（２２）、ＣＯＭＬ（２３）、ＣＯＭＬ（２４）が、それぞれ配線Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１５、Ｌ１６を介してＡＦＥ４８に接続される。これにより、検出電極ブロックＲｘが選択される。ドライバＩＣ１９からの制御信号に基づいて、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬごとに、スイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４が動作することにより、検出電極ブロックＲｘが第１方向Ｄｘに沿って順次選択される。

図１７に示す接続回路１７ａの構成では、図１６と比較して検出電極ブロックＲｘに含まれる第１電極ＣＯＭＬの配列方向を異ならせることができる。また、図１７に示す例においても、ＡＦＥ４８に接続される配線Ｌ１１の数は、１つの検出電極ブロックＲｘに含まれる第１電極ＣＯＭＬの数と等しくなる。配線Ｌ１１の数を、第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続された配線２７の数よりも少なくすることができる。図１６に示す接続回路１７は、図１７に示す接続回路１７ａに比べて、配線Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１５、Ｌ１６が設けられていないため、狭額縁化に有利である。

（第２の実施形態）
図１８は、第２の実施形態に係る第１基板の平面図である。本実施形態の表示装置１Ｂにおいて、周辺領域Ｇｄに２つの第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び２つの第２電極５４Ａ、５４Ｂが設けられている。第２電極５３Ａ、５３Ｂは、第２方向Ｄｙに長手を有する長尺状である。第２電極５４Ａ、５４Ｂは、第１方向Ｄｘに長手を有する長尺状である。

第２電極５３Ａは、周辺領域Ｇｄの長辺の一方に設けられ、第２電極５３Ｂは、周辺領域Ｇｄの長辺の他方に設けられる。２つの第２電極５３Ａ、５３Ｂの間に第１電極ＣＯＭＬが配置される。第２電極５３Ａ、５３Ｂは、第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬと隣り合って設けられる。第２電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、表示領域Ａｄの第２方向Ｄｙの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第２電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、表示領域Ａｄの第２方向Ｄｙの長さよりも短くてもよい。第２電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ配線２８Ａを介してドライバＩＣ１９に接続される。

第２電極５４Ａは、周辺領域Ｇｄの短辺の一方に設けられ、第２電極５４Ｂは、周辺領域Ｇｄの短辺の他方に設けられる。第２電極５４Ａは、表示領域ＡｄよりもドライバＩＣ１９から離れた位置の周辺領域Ｇｄに設けられる。第２電極５４Ｂは、表示領域ＡｄよりもドライバＩＣ１９に近い位置の周辺領域Ｇｄに設けられる。

２つの第２電極５４Ａ、５４Ｂの間に第１電極ＣＯＭＬが配置される。第２電極５４Ａ、５４Ｂは、第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬと隣り合って設けられる。第２電極５４Ａ、５４Ｂの第１方向Ｄｘの長さは、表示領域Ａｄの第１方向Ｄｘの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第２電極５４Ａ、５４Ｂの第１方向Ｄｘの長さは、表示領域Ａｄの第１方向Ｄｘの長さよりも短くてもよい。第２電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ配線２８Ｂを介してドライバＩＣ１９に接続される。

このような構成により、第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び第２電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれと隣り合う第１電極ＣＯＭＬとの間に静電容量を形成する。第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び第２電極５４Ａ、５４Ｂは、複数の第１電極ＣＯＭＬを囲んで、周辺領域Ｇｄの４辺にそれぞれ設けられている。つまり、第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び第２電極５４Ａ、５４Ｂは、全体として枠状に設けられる。なお、これに限定されず、第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び第２電極５４Ａ、５４Ｂの少なくとも１つが、周辺領域Ｇｄの少なくとも一辺に沿って設けられていればよい。また、第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び第２電極５４Ａ、５４Ｂは、それぞれ表示領域Ａｄの少なくとも一辺に沿った範囲内において電気的に分離されず連続的につながっていることが好ましい。

第２の実施形態において、表示領域Ａｄのタッチ検出では、第１の実施形態で説明した自己静電容量方式のタッチ検出により、各第１電極ＣＯＭＬの静電容量変化に基づいて表示領域Ａｄの被検出体を検出する。一方、周辺領域Ｇｄでは、相互容量方式のタッチ検出により、周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。下記に詳細を示す。

図１９、図２０及び図２１は、第２の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｂは、第２電極５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂと第１電極ＣＯＭＬとの間の静電容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行う。具体的には、図１９に示すように、第１電極ドライバ１４は、第２電極５４Ａ及び第２電極５４Ｂに、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。

制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第２電極５４Ａと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第２電極５４Ａと隣り合って第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ１とする。すなわち、検出電極ブロックＲｘ１の第１電極ＣＯＭＬは、第２電極５４Ａと隣り合って、第２電極５４Ａの長手方向に沿って配列される。また、制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第２電極５４Ｂと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第２電極５４Ｂと隣り合って第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ２とする。すなわち、検出電極ブロックＲｘ２の第１電極ＣＯＭＬは、第２電極５４Ｂと隣り合って、第２電極５４Ｂの長手方向に沿って配列される。

第２電極５４Ａに駆動信号Ｖｃｏｍが供給された場合に、検出電極ブロックＲｘ１の第１電極ＣＯＭＬは、第２電極５４Ａとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。同時に検出電極ブロックＲｘ２の第１電極ＣＯＭＬは、第２電極５４Ｂとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８（図１参照）に出力する。このように、検出電極ブロックＲｘ１、検出電極ブロックＲｘ２の各第１電極ＣＯＭＬがそれぞれ検出電極として機能する。このため、第２電極５４Ａ、５４Ｂが長尺状の場合であっても、周辺領域Ｇｄの短辺に沿った領域の、被検出体の位置を検出することができる。以上のように、相互静電容量方式により、第２電極５４Ａが設けられた周辺領域Ｇｄ及び第２電極５４Ｂが設けられた周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出が行われる。

この場合、ＡＦＥ４８のチャネル数に応じて検出電極ブロックＲｘ１及び検出電極ブロックＲｘ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬの数が定められる。図１９に示す例では、同じ検出期間において、同時に８個の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続される。これに限定されず、７個以下又は９個以上の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続されてもよい。

次に、図２０に示すように、第１電極ドライバ１４は、第２電極５３Ａに、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第２電極５３Ａと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第２電極５３Ａと隣り合って第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ３とする。

検出電極ブロックＲｘ３は、第２電極５３Ａとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、第２電極５３Ａが設けられた周辺領域Ｇｄの長辺の一方において、タッチ検出が行われる。図２０に示す例では、同じ検出期間において、同時に第２方向Ｄｙに配列された８個の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続される。

次に、図２１に示すように、第１電極ドライバ１４は、第２電極５３Ｂに、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第２電極５３Ｂと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第２電極５３Ｂと隣り合って第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ４とする。

検出電極ブロックＲｘ４は、第２電極５３Ｂとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、第２電極５３Ｂが設けられた周辺領域Ｇｄの長辺の他方において、タッチ検出が行われる。図２１に示す例でも、同じ検出期間において、同時に第２方向Ｄｙに配列された８個の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続される。

以上のように、第２電極５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂに隣り合って配列された複数の第１電極ＣＯＭＬは、所定の数の第１電極ＣＯＭＬを含む複数の検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４を構成する。なお、当該所定の数を第１の数、第１電極ＣＯＭＬの総数を第２の数とすると、当該第１の数は、第２の数より小さい。第１電極ドライバ１４は、第２電極５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂに同時に又は時分割的に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４ごとに、第１電極ＣＯＭＬは静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。つまり、本実施形態では、第２電極５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂが駆動電極として機能し、検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４の各第１電極ＣＯＭＬが検出電極として機能する。このような検出動作により、周辺領域Ｇｄの被検出体の位置を良好に検出することができる。

図１９から図２１では、８個の第１電極ＣＯＭＬごとに時分割的にタッチ検出を行っているが、これに限定されない。例えば、ＡＦＥ４８のチャンネル数に余裕がある場合には、検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４が８個以上の第１電極ＣＯＭＬを含んでいてもよく、或いは第２電極５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂを同時に駆動してもよい。検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４は、表示領域Ａｄの最も外周側に位置する第１電極ＣＯＭＬにより構成されるが、これに限定されない。検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４は、表示領域Ａｄの内側に配置された第１電極ＣＯＭＬを含んでもよい。また、表示領域Ａｄのタッチ検出では、上述した自己静電容量方式により、第１電極ＣＯＭＬのそれぞれの静電容量変化に基づいて被検出体を検出することができる。

（第３の実施形態）
図２２は、第３の実施形態に係る第１基板の平面図である。本実施形態の表示装置１Ｃにおいて、周辺領域Ｇｄに枠状の第２電極５６が設けられている。第２電極５６は、第１領域５６ａ、第２領域５６ｂ、第３領域５６ｃ及び第４領域５６ｄを有する。

第１領域５６ａ及び第２領域５６ｂは、第２方向Ｄｙに長手を有する長尺状である。第３領域５６ｃ及び第４領域５６ｄは、第１方向Ｄｘに長手を有する長尺状である。第３領域５６ｃは、第１領域５６ａの一端と第２領域５６ｂの一端との間を接続する。第４領域５６ｄは、第１領域５６ａの他端と第２領域５６ｂの他端との間を接続する。このように、第２電極５６は、周辺領域Ｇｄの４辺に亘って連続して設けられ、１つの連続した枠状に形成される。第２電極５６は表示領域Ａｄを囲むように設けられる。第２電極５６は、配線２８Ａを介してドライバＩＣ１９と接続される。

本実施形態においても、図１２に示す例と同様に、周辺領域Ｇｄでは、第２電極５６は、絶縁層２４の上、つまり、画素電極２２と同層に設けられ、第１電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられる。また、第１領域５６ａ、第２領域５６ｂ、第３領域５６ｃ及び第４領域５６ｄは互いに同層に設けられ、画素電極２２と同層に設けられる。

本実施形態の第２電極５６は、表示動作の信頼性を高めるために設けられたガードリングを、タッチ検出の駆動電極として兼用することができる。表示動作の際に、第１電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍｄｃと同じ電位を有する直流の電圧信号を第２電極５６に供給する。これにより、第２電極５６は、配線１２ａ、１２ｂを含む各種回路のノイズをシールドして、表示信頼性を高めることができる。

また、本実施形態においても、第２の実施形態と同様に、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。図２３から図２５は、第３の実施形態に係る表示装置のタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｃは、第２電極５６と第１電極ＣＯＭＬとの間の静電容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行う。具体的には、図２３に示すように、第１電極ドライバ１４は、第２電極５６に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。

制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第３領域５６ｃと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第３領域５６ｃと隣り合って第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ１とする。すなわち、検出電極ブロックＲｘ１の第１電極ＣＯＭＬは、第３領域５６ｃと隣り合って、第３領域５６ｃの長手方向に沿って配列される。また、制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第４領域５６ｄと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第４領域５６ｄと隣り合って第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ２とする。すなわち、検出電極ブロックＲｘ２の第１電極ＣＯＭＬは、第４領域５６ｄと隣り合って、第４領域５６ｄの長手方向に沿って配列される。

第２電極５６に駆動信号Ｖｃｏｍが供給された場合に、検出電極ブロックＲｘ１の第１電極ＣＯＭＬは、第３領域５６ｃとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。同時に検出電極ブロックＲｘ２の第１電極ＣＯＭＬは、第４領域５６ｄとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８（図１参照）に出力する。このように、検出電極ブロックＲｘ１、検出電極ブロックＲｘ２の各第１電極ＣＯＭＬがそれぞれ検出電極として機能する。このため、第２電極５６が枠状の場合であっても、周辺領域Ｇｄの短辺に沿った領域の、被検出体の位置を検出することができる。以上のように、相互静電容量方式により、第３領域５６ｃが設けられた周辺領域Ｇｄ及び第４領域５６ｄが設けられた周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出が行われる。

この場合、ＡＦＥ４８のチャネル数に応じて検出電極ブロックＲｘ１及び検出電極ブロックＲｘ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬの数が定められる。図２３に示す例では、同じ検出期間において、同時に８個の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続される。これに限定されず、７個以下又は９個以上の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続されてもよい。

次に、図２４に示すように、第１電極ドライバ１４は、第２電極５６に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第１領域５６ａと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第１領域５６ａと隣り合って第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ３とする。

検出電極ブロックＲｘ３は、第１領域５６ａとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、第１領域５６ａが設けられた周辺領域Ｇｄにおいて、タッチ検出が行われる。図２４に示す例では、同じ検出期間において、同時に第２方向Ｄｙに配列された８個の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続される。

次に、図２５に示すように、第１電極ドライバ１４は、第２電極５６に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬのうち、第２領域５６ｂと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬを検出対象として選択する。ここで、第２領域５６ｂと隣り合って第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬを検出電極ブロックＲｘ４とする。

検出電極ブロックＲｘ４は、第２領域５６ｂとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、第２領域５６ｂが設けられた周辺領域Ｇｄにおいて、タッチ検出が行われる。図２５に示す例でも、同じ検出期間において、同時に第２方向Ｄｙに配列された８個の第１電極ＣＯＭＬがＡＦＥ４８に接続される。

以上のように、第２電極５６に隣り合って配列された複数の第１電極ＣＯＭＬは、所定の数の第１電極ＣＯＭＬを含む複数の検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４を構成する。第１電極ドライバ１４は、第２電極５６に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。そして、検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４ごとに、第１電極ＣＯＭＬは静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。つまり、本実施形態では、第２電極５６が駆動電極として機能し、検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４の各第１電極ＣＯＭＬが検出電極として機能する。このような検出動作により、周辺領域Ｇｄの被検出体の位置を良好に検出することができる。

本実施形態では、周辺領域Ｇｄに１つの第２電極５６が設けられている。このため、第１の実施形態及び第２の実施形態と比較して、第２電極５６とドライバＩＣ１９とを接続する配線２８Ａの数を少なくすることができ、ドライバＩＣ１９の端子数を少なくすることができる。また、第２電極５６を走査する回路を省略することができる。

（第４の実施形態）
図２６は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２７は、第４の実施形態に係る第１基板の平面図である。図２８は、第４の実施形態に係るカバー基板の平面図である。図２６に示すように、本実施形態の表示装置１Ｄは、画素基板２及び対向基板３に加え、カバー基板５１を有する。カバー基板５１は、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１と離隔して設けられる。カバー基板５１は、対向基板３に対して画素基板２の反対側に配置される。本実施形態では、カバー基板５１を第３基板ともいう。

カバー基板５１は、画素基板２及び対向基板３を覆って保護するための保護部材である。カバー基板５１は、ガラス基板であってもよく、樹脂材料等を用いたフィルム状の基材であってもよい。カバー基板５１は、第１面５１ａと、第１面５１ａの反対側の第２面５１ｂとを有する。カバー基板５１の第１面５１ａは、画像が表示される表示面であり、被検出体が接触又は近接する検出面である。カバー基板５１の第２面５１ｂは、対向基板３と対向し、図示しない接着層を介して対向基板３と接着される。

本実施形態では、カバー基板５１は、平面視で表示パネル１０よりも大きい外形形状を有している。カバー基板５１の第２面５１ｂに着色層５２が設けられている。着色層５２は、周辺領域Ｇｄに設けられる。着色層５２が設けられているため、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３等の各種回路や配線等が外部から視認されることを抑制できる。着色層５２は、例えば、光の透過を抑制するように着色された樹脂材料や、金属材料が用いられた加飾層である。

本実施形態では、第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、カバー基板５１の第２面５１ｂにおいて、着色層５２と重なる位置に設けられている。つまり、第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、画素電極２２と異なる層に設けられる。第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、周辺領域Ｇｄのタッチ検出における駆動電極として機能する。

第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料に限定されない。第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成されてもよい。第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成されてもよく、或いは、これらの材料で形成された導電層が複数積層された積層体としてもよい。

図２７に示すように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄには、第２電極５３Ｃ、５３Ｄは設けられていない。第１基板２１の表示領域Ａｄには、複数の第１電極ＣＯＭＬが行列状に配置されている。第１電極ＣＯＭＬの構成は、第２の実施形態及び第３の実施形態と同様である。すなわち、本実施形態においても、自己静電容量方式により表示領域Ａｄのタッチ検出が行われる。なお、第１基板２１の周辺領域Ｇｄに、第３の実施形態で説明したガードリングが設けられていてもよい。

図２８は、カバー基板５１を第１面５１ａから見たときの平面図を示す。カバー基板５１の周辺領域Ｇｄに、第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃが設けられる。また、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７３が設けられる。フレキシブル基板７３は、図２７に示すフレキシブル基板７２と重なる位置に設けられる。或いは、フレキシブル基板７２が設けられた辺と同じ辺に設けられることが好ましい。

第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、第２方向Ｄｙに沿って長手を有する長尺状である。第２電極５４Ｃは、第１方向Ｄｘに沿って長手を有する長尺状である。第２電極５３Ｃは、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄのうち長辺の一方に設けられ、第２電極５３Ｄは、長辺の他方に設けられる。また、第２電極５４Ｃは、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄのうち、フレキシブル基板７３が接続される短辺に設けられる。第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃは、平面視で第１電極ＣＯＭＬと重ならない位置に設けられる。

第２電極５３Ｃ、５３Ｄは、それぞれ、配線Ｌ１を介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。第２電極５４Ｃは、配線Ｌ２を介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。配線Ｌ１及び配線Ｌ２は、フレキシブル基板７３に設けられた配線Ｌ３を介して端子部７３Ａと接続される。フレキシブル基板７３の端子部７３Ａは、図２７に示すフレキシブル基板７２の端子部７２Ａと接続される。端子部７２Ａは、フレキシブル基板７２に設けられた配線Ｌ４を介してドライバＩＣ１９と接続される。このような構成により、カバー基板５１に設けられた第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃは、ドライバＩＣ１９と電気的に接続される。

本実施形態においても、第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃは、平面視で隣り合う第１電極ＣＯＭＬとの間に静電容量を形成する。本実施形態の表示装置１Ｄにおいて、第２の実施形態及び第３の実施形態と同様に、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うことができる。

具体的には、周辺領域Ｇｄのタッチ検出において、第１電極ドライバ１４は、図１９から図２１に示す例と同様に、第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃに同時に又は時分割的に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。制御部１１（図１参照）は、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち、検出電極ブロックＲｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４（図１９から図２１参照）を同時に又は時分割的に選択する。なお、本実施形態では、表示領域Ａｄに対して第２電極５４Ｃの反対側の周辺領域Ｇｄに、第２電極が設けられていない。このため、図１９に示す検出電極ブロックＲｘ１は、検出電極として選択されない。

検出電極ブロックＲｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４は、第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃに第２電極５６との間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うことができる。検出電極ブロックＲｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４の第１電極ＣＯＭＬがそれぞれ検出電極として機能する。このため、周辺領域Ｇｄの被検出体の位置を良好に検出することができる。

本実施形態では、第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃがカバー基板５１に設けられている。このため、第１基板２１の狭額縁化に有利である。また、第２の実施形態及び第３の実施形態に比べ、第１基板２１の周辺領域Ｇｄに設けられた各種配線や回路等の制約が少ないため、第２電極５３Ｃ、５３Ｄ及び第２電極５４Ｃの面積を大きくすることが可能である。したがって、周辺領域Ｇｄのタッチ検出の検出感度を向上させることができる。

（第５の実施形態）
図２９は、第５の実施形態に係る第１基板の平面図である。図３０は、第５の実施形態に係るカバー基板の平面図である。図２９に示すように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄには、第２電極が設けられていない。第１基板２１の表示領域Ａｄには、複数の第１電極ＣＯＭＬが行列状に配置されている。本実施形態においても、自己静電容量方式により表示領域Ａｄのタッチ検出が行われる。なお、第１基板２１の周辺領域Ｇｄに、第３の実施形態で説明したガードリングが設けられていてもよい。

本実施形態の表示装置１Ｅにおいて、第２電極５６Ａは、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄに設けられる。第２電極５６Ａは、図２２に示した第３の実施形態と同様に枠状に形成される。すなわち、第２電極５６Ａは、第１領域５６Ａａ、第２領域５６Ａｂ、第３領域５６Ａｃ及び第４領域５６Ａｄを有する。

第１領域５６Ａａ及び第２領域５６Ａｂは、第２方向Ｄｙに長手を有する長尺状である。第３領域５６Ａｃ及び第４領域５６Ａｄは、第１方向Ｄｘに長手を有する長尺状である。第３領域５６Ａｃは、第１領域５６Ａａの一端と第２領域５６Ａｂの一端とを接続する。第４領域５６Ａｄは、第１領域５６Ａａの他端と第２領域５６Ａｂの他端とを接続する。このように、第２電極５６Ａは１つの連続した枠状に形成される。第２電極５６Ａは表示領域Ａｄを囲むように設けられる。

第２電極５６Ａは、第４領域５６Ａｄに接続された配線Ｌ５を介してフレキシブル基板７３に電気的に接続される。配線Ｌ５は、フレキシブル基板７３に設けられた配線Ｌ６を介して端子部７３Ａと接続される。フレキシブル基板７３の端子部７３Ａは、図２９に示すフレキシブル基板７２の端子部７２Ａと接続される。端子部７２Ａは、フレキシブル基板７２に設けられた配線Ｌ７を介してドライバＩＣ１９と接続される。このような構成により、カバー基板５１に設けられた第２電極５６Ａは、ドライバＩＣ１９と電気的に接続される。

本実施形態においても、第２電極５６Ａは、平面視で隣り合う第１電極ＣＯＭＬとの間に静電容量を形成する。本実施形態の表示装置１Ｅにおいても、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うことができる。

具体的には、周辺領域Ｇｄのタッチ検出において、第１電極ドライバ１４は、第２電極５６Ａに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。図１９から図２１に示す例と同様に、制御部１１（図１参照）は検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４を同時に又は時分割的に選択する。検出電極ブロックＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４は、第２電極５６Ａとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うことができる。

本実施形態では、カバー基板５１の周辺領域Ｇｄに１つの第２電極５６Ａが設けられている。このため、第４の実施形態に比べて、第２電極５６Ａとフレキシブル基板７３とを接続する配線Ｌ５の数を少なくすることができる。また、フレキシブル基板７３及びフレキシブル基板７２に設けられる配線Ｌ６、Ｌ７の数を少なくすることができる。したがって、フレキシブル基板７３及びフレキシブル基板７２の構成を簡略化できる。

（第６の実施形態）
図３１は、第６の実施形態に係る表示装置の、第１電極とアナログフロントエンド回路との接続構成を示す模式図である。図３２は、図３１のＢ１－Ｂ２線に沿う断面図である。図３１では、周辺領域Ｇｄの第２電極を省略して示すが、上述した第１の実施形態から第３の実施形態と同様に、第１基板２１に第２電極を設ける構成を採用することができる。或いは、第４の実施形態及び第５の実施形態と同様に、カバー基板５１に第２電極を設ける構成を採用することができる。

図３１に示すように、本実施形態の表示装置１Ｆにおいて、第１基板２１にＣＯＦ７５が接続される。フレキシブル基板７２は、ＣＯＦ７５に対して第１基板２１の反対側に接続される。ＣＯＦ７５は、フィルム状の基材７４と、ドライバＩＣ１９とを含む。ドライバＩＣ１９は、基材７４に実装されている。また、フレキシブル基板７２には、タッチＩＣ１８が実装されている。タッチＩＣ１８は、ＡＦＥ４８を含む。

本実施形態の表示装置１Ｆにおいて、配線Ｌ１１はドライバＩＣ１９と重なる位置に設けられる。配線Ｌ１１はドライバＩＣ１９の下を通って接続回路１７とＡＦＥ４８とを接続する。

図３２に示すように、ドライバＩＣ１９は、接続部材８１を介して基材７４に実装される。基材７４には、配線Ｌ１１と、配線７４Ｂと、パッド７４Ａ、パッド７４Ｃとが設けられる。パッド７４Ａは、配線７４Ｂの上に設けられ、配線７４Ｂと電気的に接続される。配線７４Ｂは、第１電極ＣＯＭＬに電気的に接続される。パッド７４Ｃは、配線Ｌ１１の上に設けられ、配線Ｌ１１と電気的に接続される。

接続部材８１は、基材７４のパッド７４Ａと、ドライバＩＣ１９のパッド１９Ａとの間に設けられる。これにより、ドライバＩＣ１９は基材７４と電気的に接続される。配線Ｌ１１は、接続部材８１を介してドライバＩＣ１９のダミーパッド１９Ｂの下に設けられる。このようにして、配線Ｌ１１はドライバＩＣ１９と重なって設けられる。このような構成により、配線Ｌ１１はドライバＩＣ１９の下を通って接続回路１７からＡＦＥ４８に接続される。

図３３は、第６の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。本変形例では、ドライバＩＣ１９にダミーパッド１９Ｂが設けられていない。配線Ｌ１１は、隣り合うパッド１９Ａとパッド１９Ａとの間に設けられる。このような構成であっても、配線Ｌ１１はドライバＩＣ１９の下を通って接続回路１７からＡＦＥ４８に接続される。なお、図３２及び図３３では、配線Ｌ１１はドライバＩＣ１９と電気的に接続されない構成を説明したが、これに限定されない。配線Ｌ１１がドライバＩＣ１９に接続され、ドライバＩＣ１９の回路又は配線を介してタッチＩＣ１８に電気的に接続される構成を採用することもできる。

（第７の実施形態）
第１の実施形態から第６の実施形態では、第１基板２１が平面視で矩形状である例を示したがこれに限定されない。図３４は、第７の実施形態に係る第１基板の平面図である。本実施形態の表示装置１Ｇにおいて、第１基板２１Ａは、平面視で異形状を有している。第１基板２１Ａの角部１０２は、曲線状になっている。角部１０２は、第１基板２１Ａの辺のうち第１方向Ｄｘに延びる一辺の延長線と、第２方向Ｄｙに延びる一辺の延長線とが交差する部分である。角部１０２の形状に応じて、表示領域Ａｄの角部に配置された第１電極ＣＯＭＬａ、ＣＯＭＬｂ、ＣＯＭＬｃ、ＣＯＭＬｄは、曲線を含む外径形状となる。

また、第１基板２１Ａの辺のうち、表示領域Ａｄに対してドライバＩＣ１９と反対側の辺に凹部１０１が形成されている。凹部１０１は、第１基板２１Ａの外周から、表示領域Ａｄに向かって湾曲する。凹部１０１が設けられた部分の第１電極ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｆは、凹部１０１の形状に応じた異形状となっている。具体的には、第１電極ＣＯＭＬｆは、他の第１電極ＣＯＭＬよりも幅が小さい矩形状である。また、第１電極ＣＯＭＬｅは内側に向かって湾曲する曲線を含む外径形状を有する。

２つの第１電極ＣＯＭＬｆと、第１電極ＣＯＭＬｆとは、凹部１０１を挟んで第１方向Ｄｘに配列される。また、２つの第１電極ＣＯＭＬｅと、第１電極ＣＯＭＬｅとは、凹部１０１の端部を挟んで第１方向Ｄｘに配列される。このような、異形状の第１基板２１Ａにおいて、配線２７と第１電極ＣＯＭＬとの接続を確保することが困難となる場合が生じる。

図３４に示すように、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬごとに、配線ブロック１２７Ａ、１２７Ｂ、１２７Ｃ、１２７Ｄ、１２７Ｅ、１２７Ｆが設けられる。配線ブロック１２７Ａ、１２７Ｂ、１２７Ｃ、１２７Ｄ、１２７Ｅ、１２７Ｆは、それぞれ、配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈを含む。配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続される。配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈは、この順で第１方向Ｄｘに配列される。

なお、以下の説明において、配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈを区別して説明する必要がない場合には、配線２７と表す。

配線ブロック１２７Ａと配線ブロック１２７Ｆとは、他の配線ブロック１２７Ｂ、１２７Ｃ、１２７Ｄ、１２７Ｅよりも第１方向Ｄｘの外側に配置される。配線ブロック１２７Ａでは、配線２７ｈは、第１方向Ｄｘにおいて、角部１０２から最も離れた位置、つまり、第１基板２１Ａの外周から最も離れた位置に設けられる。配線２７ｈは、ドライバＩＣ１９から最も離れた第１電極ＣＯＭＬａに接続される。配線２７ｈは、配線２７ｇよりも表示領域Ａｄの中央側に配置される。

第１方向Ｄｘにおいて、配線２７ａは、角部１０２に最も近い位置、つまり、第１基板２１Ａの外周に最も近い位置に設けられる。配線２７ａは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、両端の第１電極ＣＯＭＬａ、ＣＯＭＬｃには接続されない。配線２７ａは、第２方向Ｄｙの中央部の第１電極ＣＯＭＬに接続される。

配線２７ｂは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、配線２７ａが接続された第１電極ＣＯＭＬに対して、ドライバＩＣ１９に近い側に隣り合う第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｃは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、配線２７ｂが接続された第１電極ＣＯＭＬに対して、ドライバＩＣ１９に近い側に隣り合う第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｄは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、配線２７ｃが接続された第１電極ＣＯＭＬに対して、ドライバＩＣ１９に近い側に隣り合う第１電極ＣＯＭＬｃに接続される。つまり、第１方向Ｄｘにおいて、第１基板２１Ａの外周から最も離れた配線２７ｈと、第１基板２１Ａの外周に最も近い配線２７ａとの間に設けられた配線２７ｄが、ドライバＩＣ１９に最も近い第１電極ＣＯＭＬｃに接続される。

配線２７ｅは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、配線２７ａが接続された第１電極ＣＯＭＬに対して、ドライバＩＣ１９から離れる方向に隣り合う第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｆ、配線２７ｇ、配線２７ｈの順に、ドライバＩＣ１９から離れた位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。

つまり、図３０では、配線ブロック１２７Ａにおいて、配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈは、第１基板２１Ａの外周から最も離れた配線２７ｈと、第１基板２１Ａの外周に最も近い配線２７ａとの間に設けられた配線２７ｄが、ドライバＩＣ１９に最も近い第１電極ＣＯＭＬｃに接続される。配線２７ｄから第１基板２１Ａの外周に近づくにつれ、すなわち、配線２７ｄ、２７ｃ、２７ｂ、２７ａの順に、ドライバＩＣ１９から離れる位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。また、配線２７ｄから第１基板２１Ａの外周から遠くなるにつれ、すなわち、配線２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈの順に、ドライバＩＣ１９から離れる位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。

配線ブロック１２７Ｆの配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈは、凹部１０１の第１方向Ｄｘの中心を通り、第２方向Ｄｙに沿った対称線ＡＸに対して、配線ブロック１２７Ａと線対称となる。配線ブロック１２７Ｆでは、配線２７ａが、ドライバＩＣ１９から最も離れた位置の第１電極ＣＯＭＬｂに接続される。また、配線２７ｈは、第１電極ＣＯＭＬｂ、ＣＯＭＬｄに接続されず、第２方向Ｄｙの中央部の第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ａと配線２７ｈとの間の配線２７ｅが第１電極ＣＯＭＬｄに接続される。このような構成により、表示領域Ａｄの角部に配置された第１電極ＣＯＭＬａ、ＣＯＭＬｂ、ＣＯＭＬｃ、ＣＯＭＬｄにおいても、配線２７との接続を確保することができる。

配線ブロック１２７Ｂは、配線ブロック１２７Ａと線対称となるように各第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線ブロック１２７Ｅは、配線ブロック１２７Ｆと線対称となるように各第１電極ＣＯＭＬに接続される。

配線ブロック１２７Ｃは、配線ブロック１２７Ｂと同じパターンで各第１電極ＣＯＭＬに接続される。凹部１０１の近傍に配置された配線ブロック１２７Ｃと配線ブロック１２７Ｄとは、凹部１０１の第１方向Ｄｘの中心を通り、第２方向Ｄｙに沿った対称線ＡＸに対して、線対称に配置される。具体的には、配線ブロック１２７Ｃの配線２７ａと、配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｈは、凹部１０１を挟んで配置され、ドライバＩＣ１９から最も離れた位置の第１電極ＣＯＭＬｆ、ＣＯＭＬｆにそれぞれ接続される。配線ブロック１２７Ｃの配線２７ｂと、配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｇは、凹部１０１の端部の近傍に配置され、第１電極ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｅにそれぞれ接続される。

配線ブロック１２７Ｃの配線２７ｃと、配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｆは、第１電極ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｅに対し、それぞれドライバＩＣ１９に近い側に隣り合う第１電極ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬに接続される。配線ブロック１２７Ｃの配線２７ｄと、配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｅは、配線ブロック１２７Ｃの配線２７ｃと、配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｆとが接続された第１電極ＣＯＭＬに対し、ドライバＩＣ１９に近い側に隣り合う第１電極ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬに接続される。

配線ブロック１２７Ｃの配線２７ｅと、配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｄは、ドライバＩＣ１９に最も近い位置に配置された第１電極ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬに接続される。配線ブロック１２７Ｃの配線２７ｆ、２７ｇ、２７ｈの順に、ドライバＩＣ１９から離れた位置の第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続される。配線ブロック１２７Ｄの配線２７ｃ、２７ｂ、２７ａの順に、ドライバＩＣ１９から離れた位置の第１電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続される。

このように、複数の第１電極ＣＯＭＬのうち、少なくとも一対の第１電極（例えば、第１電極ＣＯＭＬｅと第１電極ＣＯＭＬｅ）は、凹部１０１を通り第１方向Ｄｘと交差する第２方向Ｄｙに沿う対称線ＡＸを挟んで第１方向Ｄｘに隣り合って配置される。一対の第１電極ＣＯＭＬｅの一方に接続された配線（例えば配線２７ｂ）は、他方の第１電極ＣＯＭＬｅに接続された配線（例えば配線２７ｇ）と、対称線ＡＸに対して線対称に配置される。第２方向Ｄｙに複数配列された第１電極ＣＯＭＬのそれぞれに接続された配線ブロック１２７Ｃの配線２７は、当該複数配列された第１電極ＣＯＭＬと第１方向Ｄｘに隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬのそれぞれに接続された配線ブロック１２７Ｄの配線２７と、対称線ＡＸに対して線対称に配置される。これにより、凹部１０１の形状に対応して異形状に形成された第１電極ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｆ、ＣＯＭＬｆにおいても、配線２７との接続を確保することができる。

配線ブロック１２７Ａ、１２７Ｂ、１２７Ｃ、１２７Ｄ、１２７Ｅ、１２７Ｆの各配線パターンは、図３４に示す例に限定されない。図３５は、第７の実施形態の第１変形例に係る第１基板の平面図である。

図３５に示すように、本変形例の表示装置１Ｈにおいて、第１基板２１Ａの形状は、図３４と同様である。つまり、第１基板２１Ａは、角部１０２が曲線状に形成され、外周の一辺に凹部１０１が形成される。

配線ブロック１２７Ａでは、第１方向Ｄｘにおいて、角部１０２から最も離れた位置、つまり、第１基板２１Ａの外周から最も離れた位置に設けられた配線２７ｈは、ドライバＩＣ１９から最も離れた位置の第１電極ＣＯＭＬａに接続される。第１方向Ｄｘにおいて配線２７ｈと隣り合う配線２７ｇは、ドライバＩＣ１９に最も近い第１電極ＣＯＭＬｃに接続される。

配線２７ｇと隣り合う配線２７ｆは、第１電極ＣＯＭＬａよりもドライバＩＣ１９に近い位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｆと隣り合う配線２７ｅは、第１電極ＣＯＭＬｃよりもドライバＩＣ１９から離れた位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｅと隣り合う配線２７ｄは、配線２７ｆが接続された第１電極ＣＯＭＬよりもドライバＩＣ１９に近い位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｄと隣り合う配線２７ｃは、配線２７ｅが接続された第１電極ＣＯＭＬよりもドライバＩＣ１９から離れた位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線２７ｃと隣り合う配線２７ｂは、配線２７ｄが接続された第１電極ＣＯＭＬよりもドライバＩＣ１９に近い位置の第１電極ＣＯＭＬに接続される。角部１０２に最も近い位置、つまり、第１基板２１Ａの外周に最も近い位置に設けられた配線２７ａは、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、両端の第１電極ＣＯＭＬを除いた中央部の第１電極ＣＯＭＬに接続される。このように、配線２７ｈ、２７ｇ、２７ｆ、２７ｅ、２７ｄ、２７ｃ、２７ｂ、２７ａの順に、交互に第１電極ＣＯＭＬに接続され、中央部の第１電極ＣＯＭＬに収束する。本変形例においても配線２７ａと配線２７ｈとの間に配置された配線２７ｇが、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、ドライバＩＣ１９に最も近い位置の第１電極ＣＯＭＬｃに接続される。

配線ブロック１２７Ｆの配線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、２７ｇ、２７ｈは、配線ブロック１２７Ａに対して線対称となるように、各第１電極ＣＯＭＬに接続される。このような構成により、表示領域Ａｄの角部に配置された第１電極ＣＯＭＬａ、ＣＯＭＬｂ、ＣＯＭＬｃ、ＣＯＭＬｄにおいても、配線２７との接続を確保することができる。

本変形例においても、凹部１０１に対応する位置の配線ブロック１２７Ｃと配線ブロック１２７Ｄとは、凹部１０１の第１方向Ｄｘの中心を通り、第２方向Ｄｙに沿った対称線ＡＸに対して、線対称に配置される。これにより、凹部１０１の形状に対応して異形状に形成された第１電極ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｅ、ＣＯＭＬｆ、ＣＯＭＬｆにおいても、配線２７との接続を確保することができる。

また、本変形例では、配線ブロック１２７Ｂは、配線ブロック１２７Ａに対して非対称となるように各第１電極ＣＯＭＬに接続される。配線ブロック１２７Ｂは配線ブロック１２７Ｅに対して線対称となるように、各第１電極ＣＯＭＬに接続される。このような、配線パターンであってもよい。

なお、図３５では、第１方向Ｄｘにおいて一番外側に配置される配線ブロック、すなわち配線ブロック１２７Ａと配線ブロック１２７Ｆのみで、配線２７のそれぞれが交互に第１電極ＣＯＭＬに接続され、中央部の第１電極ＣＯＭＬに収束する配線パターンとなっているが、これに限定されない。例えば、図３５の配線ブロック１２７Ａと配線ブロック１２７Ｂを、配線２７の配置の代表とすると、図３５の配線ブロック１２７Ａと配線ブロック１２７Ｂは、交互に設けてもよい。或いは、第１方向Ｄｘに沿って、複数の配線ブロック１２７Ｂ及び１つの配線ブロック１２７Ａを配置してもよい。さらに或いは、第１方向Ｄｘに沿って、１つの配線ブロック１２７Ｂ及び複数の配線ブロック１２７Ａを配置してもよい。

図３６は、第７の実施形態の第２変形例に係る第１基板の平面図である。図３７は、第７の実施形態の第３変形例に係る第１基板の平面図である。図３６に示す第２変形例の表示装置１Ｉにおいて、各配線ブロック１２７Ａ－１２７Ｆの配線パターンは、図３４に示したものと同様である。図３７に示す第３変形例の表示装置１Ｊにおいて、各配線ブロック１２７Ａ－１２７Ｆの配線パターンは、図３５に示したものと同様である。

図３６及び図３７に示す変形例において、ダミー配線Ｌｄが設けられる点が図３４の表示装置１Ｇ及び図３５の表示装置１Ｈと異なる。図３６及び図３７に示すように、配線２７はそれぞれコンタクトホールＨ１で第１電極ＣＯＭＬと接続される。配線２７と接続された第１電極ＣＯＭＬよりも、ドライバＩＣ１９から離れた位置の第１電極ＣＯＭＬには、配線２７と平行な方向に延びるダミー配線Ｌｄが設けられる。

ダミー配線Ｌｄは、第１電極ＣＯＭＬと重なって配置される。ダミー配線Ｌｄと配線２７とはスリットＳＬによって離隔される。また、第２方向Ｄｙに複数のダミー配線Ｌｄが配列される。この場合、ダミー配線ＬｄどうしがスリットＳＬによって離隔される。ダミー配線Ｌｄは、ダミー配線Ｌｄと重なって配置される第１電極ＣＯＭＬと電気的に接続されていてもよい。図３２及び図３３に示す例では、スリットＳＬの幅は、第２方向Ｄｙにおいて隣り合う第１電極ＣＯＭＬの間隔と同じである。

ダミー配線Ｌｄは、配線２７と同じ材料が用いられる。また、ダミー配線Ｌｄは、配線２７と同じ幅及び同じ配列ピッチで配置される。このように、ダミー配線Ｌｄを設けることにより、配線２７が設けられた部分と、ダミー配線Ｌｄが設けられた部分との、光の透過率のばらつきが抑制される。このため、表示装置１Ｉ、１Ｊは、良好な視認性を得ることができる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。

例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板の表示領域に、行列状に配置された複数の第１電極と、
前記基板の前記表示領域の外側の周辺領域に配置された複数の第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、
複数の前記第１電極のそれぞれに接続された複数の配線と、
を有し、
前記第１電極は、前記配線を介して前記駆動部と電気的に接続され、
前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれの自己静電容量変化に応じた検出信号を出力する、表示装置。
（２）前記第２電極は、前記周辺領域の少なくとも一辺に沿って複数設けられており、
前記周辺領域の一辺に沿った方向で、前記第２電極の配列ピッチは、前記第１電極の配列ピッチと等しい、上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第２電極は、複数の前記第１電極を囲んで前記周辺領域の４辺に設けられている、上記（１）又は上記（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１電極及び前記第２電極は、複数の検出電極ブロックを構成し、
前記駆動部は、複数の前記検出電極ブロックに時分割的に前記駆動信号を供給する、上記（１）乃至上記（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）複数の前記第１電極と、複数の前記第２電極とは、互いに異なる層に設けられる上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）基板と、
前記基板の表示領域に、行列状に配置された複数の第１電極と、
前記表示領域の外側の周辺領域の少なくとも一辺に沿って設けられた第２電極と、
前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、
複数の前記第１電極のそれぞれに接続された配線と、
を有し、
前記第１電極は、前記配線を介して前記駆動部と電気的に接続され、
前記第２電極に前記駆動信号が供給された場合に、前記第１電極は、前記第２電極との間の静電容量変化に応じた検出信号を出力する、表示装置。
（７）前記第２電極は、前記周辺領域の少なくとも一辺に沿って連続して設けられ、
複数の前記第１電極は、前記第２電極と隣り合って、前記第２電極の長手方向に配列されている、上記（６）に記載の表示装置。
（８）前記第２電極は、複数の前記第１電極を囲んで、前記周辺領域の４辺にそれぞれ設けられている、上記（６）又は上記（７）に記載の表示装置。
（９）前記第２電極は、前記周辺領域の４辺に亘って連続して設けられている、上記（６）又は上記（７）に記載の表示装置。
（１０）前記第２電極に隣り合って配列された複数の前記第１電極は、複数の検出電極ブロックを構成し、
前記検出電極ブロックごとに、前記第１電極は前記検出信号を出力する、上記（８）又は上記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と離隔して設けられるカバー基板を有し、
前記第２電極は、前記カバー基板の前記周辺領域に設けられる、上記（６）乃至上記（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）さらに、前記第１電極と前記駆動部との接続と遮断とを切り換える接続切り換え回路を備える、上記（１）乃至上記（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記基板の外周には、平面視で、前記基板の表面に平行な面内の第１方向に沿った辺と、前記第１方向と交差する第２方向に沿った辺とが交差する角部が曲線状に設けられ、
前記第２方向に配列された複数の前記第１電極にそれぞれ接続された前記配線は、前記第１方向に複数配列され、
前記第１方向において前記基板の外周から最も離れた前記配線は、前記駆動部から最も離れた前記第１電極に電気的に接続され、
前記第１方向において前記基板の外周に最も近い位置に配置された前記配線と、前記基板の外周から最も離れた前記配線との間に配置された配線が、前記駆動部に最も近い前記第１電極に電気的に接続される、上記（１）乃至上記（１２）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記基板の外周には、平面視で、前記基板の表面に平行な面内の第１方向に沿った辺に、前記表示領域に向かって凹む凹部が設けられており、
複数の前記第１電極のうち、少なくとも一対の前記第１電極は、前記凹部を通り前記第１方向と交差する第２方向に沿う対称線を挟んで前記第１方向に隣り合って配置されており、
一対の前記第１電極の一方に接続された前記配線は、他方の前記第１電極に接続された前記配線と、前記対称線に対して線対称に配置される、上記（１）乃至上記（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）前記配線と接続された前記第１電極よりも、前記駆動部から離れた位置の前記第１電極には、前記配線と平行な方向に延びるダミー配線が設けられる、上記（１）乃至上記（１４）のいずれか１つに記載の表示装置。

１、１Ａ－１Ｊ 表示装置
２ 画素基板
３ 対向基板
６ 液晶層
１０ 表示パネル
１１ 制御部
１７ 接続回路
１８ タッチＩＣ
１９ ドライバＩＣ
２０ 表示部
２１ 第１基板
２２ 画素電極
２７、２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ 配線
３０ タッチセンサ
３１ 第２基板
４０ 検出部
４８ アナログフロントエンド回路
５１ カバー基板
５３、５３Ａ、５３Ｂ、５４、５４Ａ、５４Ｂ、５５、５６、５６Ａ 第２電極
７２、７３ フレキシブル基板
７２Ａ、７３Ａ 端子部
７４ 基材
７５ ＣＯＦ
ＣＯＭＬ 第１電極

Claims (30)

1. 基板と、
   前記基板の表示領域に、第１方向及び当該第１方向に交差する第２方向に行列状に配置された複数の電極と、
   前記複数の電極に駆動信号を供給する駆動部と、
   前記表示領域内を前記第２方向に延在して前記複数の電極をそれぞれ前記駆動部に接続する複数の配線と、を有し、
   前記複数の配線は、前記第１方向の一方から他方に亘って順に配列される第１の配線、第２の配線、第３の配線を具え、
   前記第１の配線は、所定の前記電極に接続され、
   前記第２の配線は、前記所定の電極と前記第２方向で並ぶ電極のうち、前記所定の電極と重畳して且つ別の電極に接続され、
   前記第３の配線は、前記所定の電極と前記第２方向で並ぶ電極のうち、前記所定の電極と重畳することなく且つさらに別の電極に接続される
   表示装置。
2. 前記複数の電極と前記複数の配線との間には絶縁層が設けられており、各前記電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記複数の配線に接続されている
   請求項１に記載の表示装置。
3. 各前記コンタクトホールは、平面視で各前記電極と重なる位置に設けられている
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１の配線と前記第２の配線とは互いに隣り合っており、前記第２の配線と前記第３の配線とは互いに隣り合っている
   請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記第２方向に並んで前記第１の配線、前記第２の配線、前記第３の配線に接続される前記電極は、前記表示領域内で前記第１方向の最外列に配置されている
   請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の表示装置。
6. 少なくとも前記第２の配線と前記第３の配線に接続される前記電極のいずれかは前記所定の電極よりも面積が小さい、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記表示領域の隅部は弧状を呈しており、前記所定の電極よりも面積が小さい電極は当該弧状に沿って弧状を呈している
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１の配線に接続される前記電極と前記第２の配線に接続される前記電極の間に別の電極がさらに設けられている
   請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の表示装置。
9. 前記第１の配線に接続される前記電極と前記第３の配線に接続される前記電極の間に別の電極がさらに設けられている
   請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の表示装置。
10. 前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線の少なくともいずれかは、当該配線の中途部にて前記コンタクトホールを介して前記電極に接続されている
    請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
11. 前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線の少なくともいずれかは、前記表示領域の一方端部から他方端部に亘って延在されている、
    請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の表示装置。
12. 前記複数の電極は、前記表示領域内で同一列ごとに電極ブロックを構成し、前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線に接続される前記電極は前記表示領域内で前記第１方向の一方端部側で最外に位置する電極ブロックに属しており、
    前記表示領域内で前記第１方向の他方端部側で最外に位置する電極ブロックは、前記配線及びコンタクトホールの並びが当該表示領域を前記第１方向に二分する中心線を軸に前記一方端部側で最外に位置する電極ブロックと線対称である、
    請求項２、請求項３又は請求項１０のいずれかに記載の表示装置。
13. 前記複数の電極は、前記表示領域内で同一列ごとに電極ブロックを構成し、前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線に接続される前記電極は第１ブロックに属しており、
    当該第１ブロックと前記第１方向で隣合う第２ブロックは、前記配線及びコンタクトホールの並びが当該第１ブロックと前記第２ブロックの間を前記第２方向に延在する仮想線を軸に前記第１ブロックと線対称である、
    請求項２、請求項３又は請求項１０のいずれかに記載の表示装置。
14. 前記複数の電極は、前記表示領域内で複数の画素電極とそれぞれ重畳している
    請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の表示装置。
15. 前記複数の画素電極に画素信号を供給すると共に前記駆動部が前記複数の電極に表示用の駆動信号を供給する表示期間と、
    前記複数の画素電極が当該画素信号を保持すると共に前記駆動部が前記複数の電極の少なくとも１つに前記配線を介してタッチ検出用の駆動信号を供給するタッチ検出期間と、
    を有している
    請求項１４に記載の表示装置。
16. 表示領域と、
    前記表示領域内で第１方向に並んで設けられると共に当該第１方向と交差する第２方向に延在する第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、
    前記表示領域内で前記第２方向に並んで配置される第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、
    これら配線と電極との間に設けられる絶縁層を備え、
    前記第１の電極は、前記絶縁層に形成された第１コンタクトホールを介して前記第１の配線と接続され、
    前記第２の電極は、前記絶縁層に形成された第２コンタクトホールを介して前記第２の配線と接続され、
    前記第３の電極は、前記絶縁層に形成された第３コンタクトホールを介して前記第３の配線と接続され、
    前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線は前記第１方向の一方から他方に向けてこの順で並んでおり、
    前記第２コンタクトホール、前記第１コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールは前記第２方向の一方から他方に向けてこの順で並んでいる
    表示装置。
17. 前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線は、前記表示領域外に設けられる駆動部に接続されている
    請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記表示領域を包囲する周辺領域をさらに備え、
    前記駆動部は、当該周辺領域であって、前記表示領域の前記第２方向の端部に沿って設けられている
    請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記第１の配線と前記第２の配線とは互いに隣り合っており、前記第２の配線と前記第３の配線とは互いに隣り合っている
    請求項１６乃至請求項１８のいずれかに記載の表示装置。
20. 前記第１の配線、前記第２の配線、前記第３の配線に接続される前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極は、前記表示領域内で最外列に配置されている
    請求項１６乃至請求項１９のいずれかに記載の表示装置。
21. 少なくとも前記第２の電極及び前記第３の電極のいずれかは前記第１の電極よりも面積が小さい、
    請求項２０に記載の表示装置。
22. 前記表示領域の隅部は弧状を呈しており、前記第１の電極よりも面積が小さい電極は当該弧状に沿って弧状を呈している
    請求項２１に記載の表示装置。
23. 前記第１の電極と前記第２の電極の間に別の電極がさらに設けられている
    請求項１６乃至請求項２２のいずれかに記載の表示装置。
24. 前記第１の電極と前記第３の電極の間に別の電極がさらに設けられている
    請求項１６乃至請求項２２のいずれかに記載の表示装置。
25. 前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線の少なくともいずれかは、前記駆動部から見て前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールの各コンタクトホール以遠まで延在されている
    請求項１７に記載の表示装置。
26. 前記第１の配線、前記第２の配線及び前記第３の配線の少なくともいずれかは、前記表示領域の一方端部から他方に亘って延在されている、
    請求項１６乃至請求項２５のいずれかに記載の表示装置。
27. 前記複数の電極は、前記表示領域内で同一列ごとに電極ブロックを構成し、前記第１の電極、前記第２の電極及び前記第３の電極は前記表示領域内で前記第１方向の一方端部側で最外に位置する電極ブロックに属しており、
    前記表示領域内で前記第１方向の他方端部側で最外に位置する電極ブロックは、前記配線及び前記コンタクトホールの並びが当該表示領域を前記第１方向に二分する中心線を軸に前記一方端部側で最外に位置する電極ブロックと線対称である、
    請求項１６乃至請求項２６のいずれかに記載の表示装置。
28. 前記複数の電極は、前記表示領域内で同一列ごとに電極ブロックを構成し、前記第１の電極、前記第２の電極及び前記第３の電極は第１ブロックに属しており、
    当該第１ブロックと前記第１方向で隣合う第２ブロックは、前記配線及び前記コンタクトホールの並びが当該第１ブロックと前記第２ブロックの間を前記第２方向に延在する仮想線を軸に前記第１ブロックと線対称である、
    請求項１６乃至請求項２６のいずれかに記載の表示装置。
29. 前記第１の電極、前記第２の電極及び前記第３の電極を含む複数の電極は、前記第１方向及び前記第２方向に行列状に配置され、
    前記複数の電極は、前記表示領域内で複数の画素電極とそれぞれ重畳している
    請求項１６乃至請求項２８のいずれかに記載の表示装置。
30. 前記複数の画素電極に画素信号を供給すると共に、駆動部が前記複数の電極に表示用の駆動信号を供給する表示期間と、
    前記複数の画素電極が当該画素信号を保持すると共に前記駆動部が前記複数の電極の少なくとも１つに前記配線を介してタッチ検出用の駆動信号を供給するタッチ検出期間と、
    を有している
    請求項２９に記載の表示装置。

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