JP2020109545A - 検出装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことが可能な検出装置及び表示装置を提供する。【解決手段】検出装置においてＴＦＴ基板２は、第１方向と、第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極ＣＤと、第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極ＴＤと、を有する。１つの第２センサ電極は、複数の第１センサ電極と平面視で重なる。複数の第２センサ電極のそれぞれは、複数の電界透過領域を有する。そして、１つの電界透過領域は、１つの第１センサ電極と平面視で重なり、電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極に跨がらない。【選択図】図２１

Description

本開示は、検出装置及び表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている（例えば、特許文献１から特許文献３参照）。このような表示装置において、操作者の手指の画面への接触を検出するタッチ検出機能に加え、画面に手指が触れていない状態でその手指の近接状態やジェスチャ等を検出するホバー検出（近接検出）の機能が知られている。

米国特許出願公開第２０１４／００４９４８６号明細書 米国特許出願公開第２０１３／０３４２４９８号明細書 米国特許出願公開第２０１４／００４９５０８号明細書

タッチ検出とホバー検出とでは検出対象となる手指等の被検出体と検出電極との距離や、それに伴う要求感度が大きく異なる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのままホバー検出に採用すると、良好にホバー検出を行うことが困難となる可能性がある。また、ホバー検出の検出感度を上げるためには、検出電極の面積を大きくすることが有効である。しかし、この場合、タッチ検出の検出精度が低下する可能性がある。

本開示は、タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことが可能な検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。

本開示の第一態様に係る検出装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、を有し、１つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なり、前記複数の第２センサ電極のそれぞれは、複数の電界透過領域を有し、１つの前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なり、当該電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極に跨がらない、検出装置。

本開示の第二態様に係る検出装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、前記第１センサ電極に第１駆動信号を供給し、前記第２センサ電極に第２駆動信号を供給する駆動回路と、前記第１センサ電極に前記第１駆動信号が供給された場合に、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する第１検出モードと、前記第２センサ電極に前記第２駆動信号が供給された場合に、前記第２センサ電極の自己静電容量変化に応じた第２検出信号に基づいて、前記検出面に対して非接触状態の前記被検出体を検出する第２検出モードと、を有する制御回路と、を有し、１つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なる。

本開示の第二態様に係る表示装置は、上述した検出装置と、表示領域を備える表示パネルと、を備え、前記表示領域と重畳する領域に、前記第２センサ電極が設けられている。

本開示の他の態様に係る表示装置は、検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え、検出装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、を有し、１つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なり、前記表示領域と重畳する領域に、前記第２センサ電極が設けられている。

図１は、実施形態１に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。 図２は、検出部の構成例を示すブロック図である。 図３は、相互静電容量方式のタッチ検出方法を説明するための、指がタッチしていない状態を表す説明図である。 図４は、図３に示す指がタッチしていない状態の等価回路の例を示す説明図である。 図５は、相互静電容量方式のタッチ検出方法を説明するための、指がタッチした状態を表す説明図である。 図６は、図５に示す指がタッチした状態の等価回路の例を示す説明図である。 図７は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図８は、自己静電容量方式のタッチ検出方法を説明するための、指がタッチしていない状態を表す説明図である。 図９は、自己静電容量方式のタッチ検出方法を説明するための、指がタッチした状態を表す説明図である。 図１０は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図１１は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図１２は、表示パネルの構成例を示す断面図である。 図１３は、表示装置を構成するＴＦＴ基板を模式的に示す平面図である。 図１４は、実施形態１に係る表示部の画素配列を表す回路図である。 図１５は、副画素の構成例を示す平面図である。 図１６は、図１５のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。 図１７は、１フレーム期間における表示動作期間と検出動作期間の配置の一例を表す模式図である。 図１８は、実施形態１に係る表示パネルの第１センサ電極及び第２センサ電極の構成例を示す斜視図である。 図１９は、図１８に示す表示パネルを側方から見た図である。 図２０は、対向基板における第２センサ電極の配置例を示す平面図である。 図２１は、ＴＦＴ基板における第１センサ電極の配置例を示す平面図である。 図２２Ａは、複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。 図２２Ｂは、複数の第１センサ電極の配置例を説明するための説明図である。 図２３は、接続切替回路の一例を示す図である。 図２４は、タッチ検出において、第１センサ電極と第２センサ電極との間に発生するフリンジ電界の電気力線を模式的に示す説明図である。 図２５は、実施形態１に係るホバー検出の一例を示す説明図である。 図２６は、実施形態１に係るホバー検出の他の例を示す説明図である。 図２７は、第２センサ電極及び第１センサ電極の配置例を示す斜視図である。 図２８は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。 図２９は、第２センサ電極と信号強度との関係を模式的に示すグラフである。 図３０は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。 図３１は、実施形態２に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。 図３２は、実施形態３に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。 図３３は、実施形態４に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。 図３４は、実施形態４に係る第２センサ電極の電界の状態の例を説明する説明図である。 図３５は、実施形態５に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。 図３６は、実施形態５に係る第２センサ電極の電界の状態の例を説明する説明図である。 図３７は、実施形態６に係る第２センサ電極を模式的に示した模式図である。 図３８は、実施形態６の変形例１に係る第２センサ電極の部分拡大図である。 図３９は、実施形態６の変形例２に係る第２センサ電極の部分拡大図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る検出装置及び表示装置の一構成例を示すブロック図である。図２は、検出回路の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御回路１１と、検出回路４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示領域２０と、タッチ入力を検出する検出装置に含まれるセンサ３０とを含む。図１及び図２に示すブロック図は、概念的に構成を説明するものであり、他の構成で構成してもよい。

表示パネル１０は、表示領域２０とセンサ領域３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示領域２０の電極や基板等の部材の一部が、センサ領域３０の電極や基板等に兼用される。

表示領域２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示領域２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示領域２０は、映像信号の入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示領域２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。

制御回路１１は、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動回路１４を備える。制御回路１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動回路１４、検出回路４０に制御信号を供給して、表示動作と検出動作を制御する回路である。

ゲートドライバ１２は、制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。

ソースドライバ１３は、表示領域２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図１４参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御回路１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。

駆動回路１４は、表示パネル１０の第１センサ電極ＣＤに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する回路である。また、駆動回路１４は、表示パネル１０の第１センサ電極ＣＤに検出用の第１駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給し、又は第２センサ電極ＴＤに第２駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給する。

本実施形態において、制御回路１１は、表示領域２０により表示を行う表示モードと、センサ領域３０において被検出体を検出する検出モードとを時分割で行う。制御回路１１は、検出モードとして、タッチ検出（第１検出モード）とホバー検出（第２検出モード）との２つの検出モードを有する。本開示において、タッチ検出は、被検出体が検出面又は表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態（以下、「接触状態」と表す）において、被検出体の位置を検出することを表す。また、ホバー検出は、被検出体が検出面又は表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態（以下、「非接触状態」と表す）において、被検出体の位置や動きを検出することを表す。また、検出面又は表示面に対向する位置に被検出体が存在しない場合、又はホバー検出において被検出体を検出できない程度に被検出体が表示面から離れている状態を「非存在状態」と表す。

センサ領域３０において検出装置は、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によるタッチ検出方法に基づいて、タッチ検出を行う。センサ領域３０において検出装置は、接触状態の被検出体を検出した場合、第１検出信号Ｖｄｅｔ１を検出回路４０に出力する。また、センサ領域３０において検出装置は、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）によるタッチ検出方法に基づいて、ホバー検出を行う。センサ領域３０において検出装置は、非接触状態の被検出体を検出した場合、第２検出信号Ｖｄｅｔ２を検出回路４０に出力する。

検出回路４０は、相互静電容量方式の検出において、制御回路１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。検出回路４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。また、検出回路４０は、自己静電容量方式のホバー検出において、制御回路１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２とに基づいて、非接触状態の被検出体の位置やジェスチャ等の動作を検出することができる。

図２に示すように、検出回路４０は、検出信号増幅回路４２と、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、検出タイミング制御回路４６と、を備える。検出タイミング制御回路４６は、制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５とが同期して動作するように制御する。

タッチ検出において、検出信号増幅回路４２は、表示パネル１０から供給された第１検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換回路４３は、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１に同期したタイミングで、検出信号増幅回路４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理回路４４は、Ａ／Ｄ変換回路４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非存在状態であると判断する。一方、信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態（接触状態）と判断する。このようにして、検出回路４０はタッチ検出が可能となる。

座標抽出回路４５は、信号処理回路４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出回路４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出回路４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御回路１１に出力してもよい。制御回路１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。

ホバー検出において、検出回路４０は、表示パネル１０から供給された第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、上述と同様の処理を実行する。座標抽出回路４５は、信号処理回路４４において非接触状態の被検出体が検出されたときに、被検出体の座標を求める。これにより、検出回路４０は、非接触状態の被検出体の位置やジェスチャ等の動作を検出することができる。

なお、検出回路４０の検出信号増幅回路４２と、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、検出タイミング制御回路４６とは、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出回路４０の全部又は一部の機能は外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出回路４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されており、検出回路４０は、信号処理回路４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。

表示パネル１０は、静電容量型のタッチ検出方法に基づいたタッチ制御がなされる。ここで、図３から図７を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出方法について説明する。図３は、相互静電容量方式の検出方法を説明するための、非存在状態を表す説明図である。図４は、非存在状態の、相互静電容量方式の検出の等価回路の例を示す説明図である。図５は、相互静電容量方式の検出方法を説明するための、接触状態を表す説明図である。図６は、接触状態の、相互静電容量方式の検出の等価回路の例を示す説明図である。図７は、相互静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。

図３に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の第１センサ電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、第１センサ電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、第１センサ電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図４に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図２に示す検出信号増幅回路４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから第１センサ電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、電圧検出器ＤＥＴを介して、図７に示すような出力波形（第１検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、駆動回路１４から入力される第１駆動信号Ｖｃｏｍ１に相当するものである。

図３及び図４に示すように、非存在状態では、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ_０が流れる。図４に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ_０（図７参照））に変換する。

図５及び図６に示すように、接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、第１センサ電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非存在状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１１として作用する。そして、図５及び図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ_１（図７参照））に変換する。

この場合、波形Ｖ_１は、上述した波形Ｖ_０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。かかる期間Ｒｅｓｅｔを設けていることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。

検出回路４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非存在状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出回路４０は相互静電容量方式の検出方法に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、図８から図１１を参照して、自己静電容量方式の検出方法について説明する。図８は、自己静電容量方式の検出方法を説明するための、非存在状態を表す説明図である。図９は、自己静電容量方式の検出方法を説明するための、接触状態を表す説明図である。図１０は、自己静電容量方式の検出の等価回路の例を示す説明図である。図１１は、自己静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。

図８左図は、非存在状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１が充電される。図８右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３との接続がオフされ、スイッチＳＷ２により、検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷はコンデンサＣｃｒを介して放電される。

図９左図は、接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１に加え、検出電極Ｅ３に近接している指により生じる容量Ｃｘ２も充電される。図９右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３との接続がオフされ、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷と容量Ｃｘ２の電荷とがコンデンサＣｃｒを介して放電される。

ここで、図８右図に示す放電時（非存在状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性に対して、図９右図に示す放電時（接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己静電容量方式では、容量Ｃｘ２の有無により、コンデンサＣｃｒの電圧変化特性が異なることを利用して、指などの操作入力の有無を判定している。

具体的には、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図１１参照）が印加される。図１０に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖ_４、Ｖ_５（図７参照））に変換する。

図１１において、時刻Ｔ_０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ_６に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ３の電位も電圧Ｖ_６に上昇する。次に時刻Ｔ_１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ３はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２、図９参照）によって、検出電極Ｅ３の電位はＶ_６が維持される。さらに、時刻Ｔ_１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。このリセット動作により出力電圧はＶｒｅｆと略等しい電圧となる。

続いて、時刻Ｔ_１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図１１の第２検出信号Ｖｄｅｔ２参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（第２検出信号Ｖｄｅｔ２）は、非存在状態では、実線で示す波形Ｖ_２となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃｘ１×Ｖ_６／Ｃ５となる。接触状態では、点線で示す波形Ｖ_３となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖ_６／Ｃ５となる。

その後、時刻Ｔ_３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ３の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以降、時刻Ｔ_０１のタイミング、時刻Ｔ_１２のタイミングが続き、以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出回路４０は自己静電容量方式の検出方法に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、表示装置１の構成例を詳細に説明する。図１２は、表示パネルの構成例を示す断面図である。図１３は、表示装置を構成するＴＦＴ基板を模式的に示す平面図である。図１２に示すように、表示パネル１０は、回路基板としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板２と、ＴＦＴ基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、ＴＦＴ基板２と対向基板３との間に配置された液晶層６とを備える。

図１２に示すように、ＴＦＴ基板２は、第１基板２１と、第１基板２１の上方に行列状（マトリクス状）に配設された複数の画素電極２２と、第１基板２１と画素電極２２との間に設けられた複数の第１センサ電極ＣＤと、画素電極２２と第１センサ電極ＣＤとを絶縁する絶縁層２４と、を有する。第１基板２１の下側には、接着層（図示しない）を介して偏光板３５Ｂが設けられている。なお、本明細書では、第１基板２１に垂直な方向において、ＴＦＴ基板２から第２基板３１に向かう方向を「上側」ともいう。また、第２基板３１からＴＦＴ基板２に向かう方向を「下側」ともいう。

図１３に示すように、第１基板２１は、画像を表示させるためのアクティブエリア１０ａと、アクティブエリア１０ａの周囲に設けられた周辺領域１０ｂとを有する。アクティブエリア１０ａは、一対の長辺と短辺とを有する矩形状である。周辺領域１０ｂは、アクティブエリア１０ａの４辺を囲む枠状となっている。

本実施形態において、第１方向Ｄｘは、アクティブエリア１０ａの長辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交する方向である。これに限定されず、第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の表面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向は、第１基板２１の厚み方向である。

複数の第１センサ電極ＣＤは、第１基板２１のアクティブエリア１０ａに設けられており、アクティブエリア１０ａの長辺に沿った方向及び短辺に沿った方向に、行列状に複数配列されている。第１センサ電極ＣＤは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。１つの第１センサ電極ＣＤに対応する位置に、複数の画素電極２２が行列状に配置される。画素電極２２は、第１センサ電極ＣＤよりも小さい面積を有する。なお、図１３では一部の第１センサ電極ＣＤ及び画素電極２２について示しているが、第１センサ電極ＣＤ及び画素電極２２はアクティブエリア１０ａの全域に亘って配置される。なお、本明細書では、行方向をＸ方向ともいい、列方向をＹ方向ともいう。またＸ方向を第１方向、Ｙ方向を第２方向とする。

第１基板２１の周辺領域１０ｂには、表示用ＩＣ１９が配置されている。表示用ＩＣ１９は、第１基板２１にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装されたチップである。図１に示した制御回路１１は、例えば、表示用ＩＣ１９に内蔵されている。表示用ＩＣ１９は、データ線ＳＧＬ（図１４参照）及びゲート線ＧＣＬ（図１４参照）にそれぞれ接続している。また、表示用ＩＣ１９は、例えば、後述の接続切替回路１７（図２３参照）を介して、複数の第１センサ電極ＣＤにそれぞれ接続している。表示用ＩＣ１９は、外部のホストＩＣ（図示しない）から供給された映像信号Ｖｄｉｓｐ（図１参照）に基づいて、後述するゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬ等に制御信号を出力する。なお、本実施形態では、制御回路１１の少なくとも一部が、表示用ＩＣ１９以外の他のＩＣに内蔵されていてもよい。他のＩＣは、第１基板２１にＣＯＧ実装されたチップであってもよいし、第１基板２１に接続するフレキシブル基板に実装されたチップであってもよい。

図１３に示すように、表示用ＩＣ１９は、例えば、周辺領域１０ｂの短辺側に配置されていてもよい。これによれば、周辺領域１０ｂの長辺側に表示用ＩＣ１９を設ける必要がなく、周辺領域１０ｂの長辺側の幅を小さくすることができる。

図１２に示すように、対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に設けられたカラーフィルタ３２とを有する。第２基板３１の他方の面には、センサ３０（図１参照）の第２センサ電極ＴＤが設けられている。さらに、第２センサ電極ＴＤの上方には、接着層（図示しない）を介して偏光板３５Ａが設けられている。また、第２基板３１には、フレキシブル基板７１（図１８参照）が接続されている。フレキシブル基板７１は配線を介して第２センサ電極ＴＤに接続される。

図１２に示すように、ＴＦＴ基板２と対向基板３は、所定の間隔を設けて対向して配置される。ＴＦＴ基板２と対向基板３との間の空間に、表示機能層として液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図１２に示す液晶層６には、それぞれ後述する配向膜が接するように設けられている。

図１４は、実施形態１に係る表示部の画素配列を表す回路図である。図１５は、副画素の構成例を示す平面図である。図１６は、図１５のＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図１２に示す第１基板２１には、図１４に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子ＴｒＤ、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するデータ線ＳＧＬ、各スイッチング素子ＴｒＤを駆動する駆動信号を供給するゲート線ＧＣＬ等の配線が設けられている。データ線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延在している。

図１４に示す表示領域２０には、行列状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘがある。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子ＴｒＤ及び液晶素子ＬＣを備える。スイッチング素子ＴｒＤは、薄膜トランジスタで構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。スイッチング素子ＴｒＤのソースはデータ線ＳＧＬに接続され、ゲートはゲート線ＧＣＬに接続され、ドレインは液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣの他端は、第１センサ電極ＣＤに接続されている。また、画素電極２２と第１センサ電極ＣＤとの間に絶縁層２４（図１１参照）が設けられており、これにより図１４に示す保持容量Ｃｓが形成される。

副画素ＳＰｉｘは、ゲート線ＧＣＬにより、表示領域２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。ゲート線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。また、副画素ＳＰｉｘは、データ線ＳＧＬにより、表示領域２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。データ線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。第１センサ電極ＣＤは、駆動回路１４（図１参照）と接続され、駆動回路１４から表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃ又は検出用の駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。

図１５に示すように、ゲート線ＧＣＬとデータ線ＳＧＬとで囲まれた領域が副画素ＳＰｉｘである。副画素ＳＰｉｘは、画素電極２２と第１センサ電極ＣＤとが重なる領域を含んで設けられる。複数の画素電極２２は、それぞれスイッチング素子ＴｒＤを介してデータ線ＳＧＬと接続される 。

図１５に示すように、画素電極２２は、複数の帯状電極２２ａと、連結部２２ｂとを有する。帯状電極２２ａは、データ線ＳＧＬに沿って設けられ、ゲート線ＧＣＬに沿った方向に複数配列されている。連結部２２ｂは帯状電極２２ａの端部同士を連結する。なお、画素電極２２は、５本の帯状電極２２ａを有するが、これに限定されず、４本以下又は６本以上の帯状電極２２ａを有していてもよい。例えば、画素電極２２は、２本の帯状電極２２ａを有していてもよい。

図１５に示すように、スイッチング素子ＴｒＤは、半導体層６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。また、半導体層６１の下側に遮光層６５が設けられている。例えば、バックライトから半導体層６１に向かう光は、遮光層６５によって遮光される。

図１６に示すように、遮光層６５は第１基板２１の上に設けられている。絶縁層５８ａは、遮光層６５を覆って第１基板２１の上に設けられている。絶縁層５８ａの上には半導体層６１が設けられている。半導体層６１の上側に絶縁層５８ｂを介して、ゲート電極６４（ゲート線ＧＣＬ）が設けられている。ゲート電極６４（ゲート線ＧＣＬ）の上側に絶縁層５８ｃを介してドレイン電極６３及びソース電極６２（データ線ＳＧＬ）が設けられる。ドレイン電極６３及びソース電極６２（データ線ＳＧＬ）の上側に絶縁層５８ｄを介して、第１センサ電極ＣＤが設けられる。上述のように第１センサ電極ＣＤの上側に絶縁層５８ｅを介して画素電極２２が設けられる。画素電極２２の上には配向膜３４が設けられる。また、液晶層６を挟んで配向膜３４と対向する側に配向膜３３が設けられる。

図１５及び図１６に示すように、画素電極２２は、コンタクトホールＨ１１を介してスイッチング素子ＴｒＤのドレイン電極６３と接続されている。半導体層６１は、コンタクトホールＨ１２を介してドレイン電極６３に接続される。半導体層６１は、平面視 でゲート電極６４と交差する。本明細書において、平面視とは、表示パネル１０の厚さ方向（Ｚ方向）から見ることを意味する。ゲート電極６４はゲート線ＧＣＬに接続され、ゲート線ＧＣＬの一辺から突出している。半導体層６１は、ソース電極６２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ１３を介してソース電極６２と電気的に接続される。ソース電極６２は、データ線ＳＧＬに接続され、データ線ＳＧＬの一辺から突出している。

ゲートドライバ１２（図１参照）は、ゲート線ＧＣＬを順次走査するように駆動する。ゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）を副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。また、ソースドライバ１３は、ゲートドライバ１２によって選択された１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、図１４に示すデータ線ＳＧＬを介して、画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動回路１４は、第１センサ電極ＣＤに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。これにより、第１センサ電極ＣＤは、表示領域２０の複数の画素電極２２に対し共通の電位（基準電位）を与える共通電極として機能する。

なお、本実施形態では、第１センサ電極ＣＤは、センサ３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。

カラーフィルタ３２は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されている。各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられ、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。

表示装置１は、例えば、検出動作（検出動作期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。表示装置１は、検出動作と表示動作とをどのように分けて行ってもよい。以下では、表示装置１が、表示領域２０の１フレーム期間（１Ｆ期間）、すなわち、一画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、検出動作と表示動作とをそれぞれ複数回に分割して行う方法について説明する。

図１７は、１フレーム期間における表示動作期間と検出動作期間の配置の一例を表す模式図である。１フレーム期間（１Ｆ）は、２つの表示動作期間Ｐｄ１、Ｐｄ２及び２つの検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２からなる。これらの各期間は、時間軸上において、表示動作期間Ｐｄ１、検出動作期間Ｐｔ１、表示動作期間Ｐｄ２、検出動作期間Ｐｔ２のように交互に配置されている。

制御回路１１（図１参照）は、ゲートドライバ１２とソースドライバ１３とを介して、各表示動作期間Ｐｄ１、Ｐｄ２に選択される複数行の画素Ｐｉｘ（図１４参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する。制御回路１１は、各表示動作期間Ｐｄ１、Ｐｄ２においては、駆動回路１４を介して選択される第１センサ電極ＣＤに、表示用の共通電極電位である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

また、各検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２は、第２センサ電極ＴＤと第１センサ電極ＣＤとの間の相互静電容量の変化に基づいてタッチ検出を行うタッチ検出期間、及び、第２センサ電極ＴＤの自己静電容量の変化に基づいてホバー検出を行うホバー検出期間、をそれぞれ有する。タッチ検出期間では、制御回路１１（図１参照）は、駆動回路１４を介して、各タッチ検出期間に選択される第１センサ電極ＣＤに、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出回路４０は、第２センサ電極ＴＤから供給される検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、タッチの有無及びタッチ入力位置の座標の演算を行う。一方、ホバー検出期間では、制御回路１１は、駆動回路１４を介して、各第２センサ電極ＴＤに検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。検出回路４０は、各第２センサ電極ＴＤから供給される検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、ホバーの有無及びホバー入力位置の座標の演算を行う。

図１７に示すように、表示装置１は、１フレーム期間（１Ｆ）において１画面分の映像表示を２回に分けて行うが、１フレーム期間（１Ｆ）内の表示動作期間はさらに多くの回数に分けられていてもよい。検出動作期間についても、１フレーム期間（１Ｆ）中にさらに多くの回数が設けられていてもよい。

表示装置１は、検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２において、それぞれ一画面の半分ずつの検出を行ってもよく、また、それぞれ一画面分の検出を行ってもよい。また、表示装置１は、検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２において、必要に応じて間引き検出等を行ってもよい。また、表示装置１は、１フレーム期間（１Ｆ）中の表示動作と検出動作とを複数回に分けずに１回ずつ行ってもよい。

検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２において、表示装置１は、ゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬ（図１４参照）を、電圧信号が供給されず、電気的にどことも接続されていない状態（Ｈｉ−Ｚ：ハイインピーダンス）としてもよい。または、表示装置１は、ゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬに、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、かつ駆動信号Ｖｃｏｍに同期したガード信号Ｖｇｄを供給してもよい。これによれば、検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２において、ゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬと、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍが供給される第１センサ電極ＣＤとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、検出の感度を高めることができる。

図１８は、実施形態１に係る表示パネルの第１センサ電極及び第２センサ電極の構成例を示す斜視図である。図１８に示すように、センサ３０は、第１基板２１に設けられた複数の第１センサ電極ＣＤと、第２基板３１に設けられた複数の第２センサ電極ＴＤと、を備えている。複数の第１センサ電極ＣＤ及び複数の第２センサ電極ＴＤは、いずれもアクティブエリア１０ａに設けられている。第１基板２１の周辺領域１０ｂには、表示用ＩＣ１９が配置されている。

図１９は、図１８に示す表示パネルを側方から見た図である。例えば、第１基板２１は、第１面２１ａと、第１面２１ａの反対側に位置する第２面２１ｂとを有する。また、第２基板３１は、第１面３１ａと、第１面３１ａの反対側に位置する第２面３１ｂとを有する。そして、第１基板２１の第１面２１ａと、第２基板３１の第２面３１ｂとが向かい合っている。複数の第１センサ電極ＣＤは第１基板２１の第１面２１ａに設けられており、複数の第２センサ電極ＴＤは第２基板３１の第２面３１ｂに設けられている。

第２基板３１の第１面３１ａ側には、カバーガラス８１が設けられ、センサ３０が保護される。

第１センサ電極ＣＤの平面視による形状は、例えば四角形である。また、第２センサ電極ＴＤの平面視による形状も、例えば四角形である。四角形として、例えば、正方形又は矩形が挙げられる。平面視で、第２センサ電極ＴＤは、第１センサ電極ＣＤよりも大きい。また、複数の第１センサ電極ＣＤそれぞれは、１つの第２センサ電極ＴＤと平面視で重なっている。

また、第１基板２１の周辺領域１０ｂにフレキシブル基板７１の一端が接続され、第２基板３１の周辺領域１０ｂにフレキシブル基板７１の他端が接続されている。また、第１基板２１の周辺領域１０ｂにフレキシブル基板７３の一端が接続されている。図１８及び図１９に示すように、フレキシブル基板７３には、例えば、検出回路４０（図１参照）を内蔵する検出用ＩＣ７５が実装されている。第２センサ電極ＴＤは、フレキシブル基板７１、７３にそれぞれ設けられた配線を介して、検出回路４０の検出信号増幅回路４２（図２参照）の入力に接続される。第１センサ電極ＣＤは、フレキシブル基板７３に設けられた配線を介して、検出回路４０の検出信号増幅回路４２の入力に接続される。

なお、表示用ＩＣ１９は、フレキシブル基板７３の上に設けられてもよい。また、表示用ＩＣ１９と、検出用ＩＣ７５とが一体となり、１つのＩＣとなっていてもよい。

次に、ＴＦＴ基板２及び対向基板３の構成例について、より具体的に説明する。図２０は、対向基板における第２センサ電極の配置例を示す平面図である。図２０に示すように、対向基板３には、複数の第２センサ電極ＴＤが配置されている。複数の第２センサ電極ＴＤは、それぞれ同一の形状で、かつ同一の大きさである。複数の第２センサ電極ＴＤは、行方向及び列方向にそれぞれ一定の間隔で並んで配置されている。なお、第２センサ電極ＴＤの数は、図２０の数に限定されない。第２センサ電極ＴＤとして、複数の電極が設けられていればよい。

また、対向基板３は、第２基板３１の第１面３１ａに設けられた複数の配線７７を有する。１つの配線７７は、第２センサ電極ＴＤのいずれか１つに接続し、アクティブエリア１０ａ（図１８参照）から周辺領域１０ｂ（図１８参照）まで引き出されている。

第２センサ電極ＴＤは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。配線７７は、例えば金属材料を用いた金属細線で構成し、第２センサ電極ＴＤと電気的に接続されていてもよい。また、第２センサ電極ＴＤは、ＩＴＯに限定されず、例えば、金属材料を用いた金属細線等により構成されていてもよい。この場合、第２センサ電極ＴＤ及び配線７７は、例えば、同一の工程で同時に形成された導電層で、同一の層に設けられていてもよい。

配線７７は、フレキシブル基板７１を介して、ＴＦＴ基板２に接続される。フレキシブル基板７１の配線７７は、例えば、銅等の導電性材料で構成されている。

図２１は、ＴＦＴ基板における第１センサ電極の配置例を示す平面図である。図２１に示すように、ＴＦＴ基板２には、複数の第１センサ電極ＣＤが配置されている。第１センサ電極ＣＤは、例えば正方形又は矩形である。第１センサ電極ＣＤは、行方向及び列方向にそれぞれ一定の間隔で並んで配置されている。

また、ＴＦＴ基板２は、第１基板２１の第１面２１ａに設けられた複数の配線２７を有する。１つの配線２７は、複数の第１センサ電極ＣＤのいずれか１つに接続し、アクティブエリア１０ａ（図１８参照）から周辺領域１０ｂ（図１８参照）まで引き出されている。

第１センサ電極ＣＤ及び配線２７は、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料で構成されている。第１センサ電極ＣＤ及び配線２７は、例えば、同一の工程で同時に形成された導電層であり、同一の層に設けられている。配線２７は、第１センサ電極ＣＤより下方の絶縁層に埋め込まれた金属配線であってもよい。

また、図２１に示すように、ＴＦＴ基板２は、第１基板２１の第１面２１ａに設けられた複数の配線２６を有する。図２０及び図２１に示すように、第１基板２１の第１面２１ａにおいて、配線２６は、フレキシブル基板７１に設けられた複数の配線７７（図２０参照）を介して、図２０に示す第２センサ電極ＴＤに接続している。

配線２６は、導電性材料で構成されている。配線２６は、例えば第１基板２１の周辺領域１０ｂ（図１８参照）に設けられている。配線２６は、フレキシブル基板７３に設けられてもよい。

図２１に示すように、配線２６は、フレキシブル基板７３を介して、検出用ＩＣ７５に接続している。また、ＴＦＴ基板２は、例えば、第１基板２１に設けられた接続切替回路１７と、第１基板２１に設けられて接続切替回路１７と表示用ＩＣ１９とを接続する配線１８と、を有する。配線２７は、接続切替回路１７によって、表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ７５に接続される。なお、接続切替回路１７は、表示用ＩＣ１９に内蔵されていてもよいし、検出用ＩＣ７５に内蔵されていてもよいし、第１基板２１又はフレキシブル基板７３に実装された図示しないＩＣに内蔵されていてもよい。接続切替回路１７の内部の構成例は、後で図２４を参照しながら説明する。

図２１に示すように、複数の第１センサ電極ＣＤは、１つの第２センサ電極ＴＤと重なるように配置されている。例えば、１個の第２センサ電極ＴＤと平面視で重なる位置に、３６個の第１センサ電極ＣＤが配置されている。

図２２Ａは、複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。図２２Ａに示すように、第２センサ電極ＴＤには、内部に電界透過領域ＮＥがある。図２２Ａに示す例では、１つの第２センサ電極ＴＤは、３６個の電界透過領域ＮＥを有する。電界透過領域ＮＥは、電界透過領域ＮＥの周囲にある導電体の電位が固定されない領域か、導体のない領域である。

図２２Ｂは、複数の第１センサ電極の配置例を説明するための説明図である。図２２Ｂの第１センサ電極ＣＤの面積重心Ｇは、平面視で、図２２Ａに示す電界透過領域ＮＥに、重なっている。１つの第１センサ電極ＣＤの面積重心Ｇを通る、電界透過領域ＮＥの第１方向Ｄｘの長さ及び電界透過領域ＮＥの第２方向Ｄｙの長さは、同じである。これにより、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。

図２３は、接続切替回路の一例を示す図である。図２３に示すように、接続切替回路１７は、配線２７の検出用ＩＣ７５への接続、非接続を切り替えるスイッチＳ１８１と、配線２７の表示用ＩＣ１９への接続、非接続を切り替えるスイッチＳ１８２と、を有する。例えば、表示動作期間Ｐｄ１、Ｐｄ２（図１７参照）においては、スイッチＳ１８１はオフし、スイッチＳ１８２はオンする。これにより、第１センサ電極ＣＤは、配線２７及びスイッチＳ１８２を介して、表示用ＩＣ１９に接続される。

検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２においては、スイッチＳ１８１はオンし、スイッチＳ１８２はオフする。これにより、第１センサ電極ＣＤは、配線２７及びスイッチＳ１８１と、フレキシブル基板７３に設けられた配線７７（図２０参照）を介して、検出用ＩＣ７５に接続される。スイッチＳ１８１、Ｓ１８２のオン、オフは、例えば駆動回路１４（図１参照）が行う。

駆動回路１４（図１参照）は、スイッチＳ１８１を制御し、配線２７を介して、図２２Ｂに示す走査方向Ｑに、１行ずつ各第１センサ電極ＣＤを選択して、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１を順次供給する。

図２４は、タッチ検出において、第１センサ電極と第２センサ電極との間に発生するフリンジ電界の電気力線を模式的に示す説明図である。図２４は、１つの第２センサ電極ＴＤの断面を模式的に示した模式図である。図２４に示すように、第２基板３１に設けられた第２センサ電極ＴＤは、第１基板２１に設けられた第１センサ電極ＣＤよりも上側に配置される。上述したように、第２センサ電極ＴＤは、相互静電容量方式の検出において検出電極として機能する。

図２４に示すように、第１センサ電極ＣＤに第１駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給されると、第２センサ電極ＴＤとの間に、フリンジ電界の電気力線Ｅｆｎが発生する。第１センサ電極ＣＤの上に第２センサ電極ＴＤが重畳しているため、一部のフリンジ電界の電気力線Ｅｆｎは第２センサ電極ＴＤから検出面ＤＳよりも上側まで延びることができず、電界が遮蔽される。

これにより、電界透過領域ＮＥは、２つの第１センサ電極ＣＤに跨がって、平面視で重なることがないので、分解能が高くなる。

しかし、第１センサ電極ＣＤには、電界透過領域ＮＥが少なくとも１つ重なるので、第１センサ電極ＣＤに第１駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給されると、第２センサ電極ＴＤとの間に、電界透過領域ＮＥを通るフリンジ電界の電気力線Ｅｆが発生する。言い替えると、第１センサ電極ＣＤの上に電界透過領域ＮＥがあるため、フリンジ電界の電気力線Ｅｆは第２センサ電極ＴＤから表示面ＤＳよりも上側まで延びる。なお、図１８において、検出面ＤＳはカバーガラス８１の表面である。ただし、これに限定されず、検出面ＤＳは表示装置１の最上部に設けられる他の部材の表面であってもよく、第２基板３１に設けられた保護層の表面であってもよい。

実施形態１において、電界透過領域ＮＥの領域には、第２センサ電極ＴＤの導電性材料がない。あるいは、電界透過領域ＮＥの領域には、検出電極として機能しないダミー電極が設けられていてもよい。ダミー電極は、電位が固定されていない導電性材料が用いられる。またこのような導電材料として、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料、あるいは後述するように、金属材料を用いた金属細線を用いることができる。

図２２に示すように、電界透過領域ＮＥの領域又は外形は、第１方向Ｄｘと、第２方向Ｄｙの長さとは同じ、正方形である。図２２に示すように、各電界透過領域ＮＥは、平面視で、複数ある第１センサ電極ＣＤのそれぞれと重なって配置される。図２２の例では、電界透過領域ＮＥは、対向する第１センサ電極ＣＤと相似形状であるとも言える。

図２４に示すように、電界透過領域ＮＥの第２方向Ｄｙにおける幅ＳＰは、対向する第１センサ電極ＣＤの第２方向Ｄｙの幅ＣＷよりも小さい。電界透過領域ＮＥは、正方形であり、第１センサ電極ＣＤも正方形であるので、電界透過領域ＮＥの第１方向Ｄｘにおける幅は、対向する第１センサ電極ＣＤの第１方向Ｄｘの幅よりも小さい。これにより、各第２センサ電極ＴＤにおいて、対向する第１センサ電極ＣＤごとにフリンジ電界が検出面ＤＳよりも上側に到達できる位置が電界透過領域ＮＥによって、規制される。

電界透過領域ＮＥの形状が、第１方向Ｄｘの中点を通る第２方向Ｄｙの仮想線に対して線対称であり、第２方向Ｄｙの中点を通る第１方向Ｄｘの仮想線に対して線対称であることから、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。その結果、当該第１センサ電極ＣＤに隣り合う第１センサ電極ＣＤの駆動に与える影響が抑制される。

上述したように、検出回路４０は、被検出物体がある場合において被検出物体がある座標を求める。この場合、検出回路４０は、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給された第１センサ電極ＣＤを特定する。検出回路４０は、特定された第１センサ電極ＣＤに重なる第２センサ電極ＴＤにおいて、第１センサ電極ＣＤと第２センサ電極ＴＤとの間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１に基づき、検出面に接触する被検出体を検出する。具体的には、検出回路４０は、相互静電容量変化があった、第２センサ電極ＴＤを特定し、かつ、検出回路４０は、この特定した第２センサ電極ＴＤと重なる駆動電極のうち、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給されていると特定した第１センサ電極ＣＤの座標を被検出体の位置として出力する。

実施形態１の検出装置は、第２センサ電極ＴＤの平面視での面積を大きくして第１センサ電極ＣＤを覆う面積が増えても、被検出体の位置を出力することができる。

以上説明したように、本開示の検出装置は、第１方向Ｄｘと、第１方向Ｄｘと交差する第２方向Ｄｙとにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極ＣＤと、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極ＴＤと、を有する。そして、１つの第２センサ電極ＴＤは、複数の第１センサ電極ＣＤと平面視で重なる。

これにより、ホバー検出において、第２センサ電極ＴＤがそれぞれホバー検出の検出電極として作用する。１つの第２センサ電極ＴＤの平面視による大きさは、１つの第１センサ電極ＣＤの大きさより大きい。図２１及び図２２Ａに示すように、第２センサ電極ＴＤが複数の第１センサ電極ＣＤに重畳するような面積を有しているので、第２センサ電極ＴＤの面積が大きくなり、ホバー検出の検出感度が向上する。

本開示において、第２センサ電極ＴＤは、図１８に示すように、アクティブエリア１０ａにおいて、行列状に複数配列される。つまり、図２０に示すように、第２センサ電極ＴＤは、第１方向Ｄｘに複数配列されるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。

上述したように、第２センサ電極ＴＤは、タッチ検出（相互静電容量方式）の際は、第１センサ電極ＣＤを駆動して、各第２センサ電極ＴＤの各電界透過領域ＴＤＤの位置で、存在状態の被検出体の位置を検出し、ホバー検出（自己静電容量方式）の際は、第２センサ電極ＴＤの位置で非存在状態の被検出体を検知する。

図２５は、実施形態１に係るホバー検出の一例を示す説明図である。図２６は、実施形態１に係るホバー検出の他の例を示す説明図である。図２５に示すように、表示装置１は、被検出体である操作者の手指が検出面ＤＳに対し非接触状態でホバー検出を行う。検出回路４０は、第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、検出面ＤＳに垂直な方向における、検出面ＤＳと被検出体との距離Ｄ１を検出することができる。また、検出回路４０は、第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、被検出体の位置Ｒ１を検出することができる。被検出体の位置Ｒ１は、例えば、検出面ＤＳと垂直な方向において、被検出体と対向する位置であり、複数の第２センサ電極ＴＤからの第２検出信号Ｖｄｅｔ２のうち、最大の値となる第２センサ電極ＴＤに対応する位置である。

また、図２６に示すように、表示装置１は、被検出体のジェスチャ等の動作を検出することができる。検出回路４０は、被検出体が検出面ＤＳに対し非接触状態で矢印Ｄａ方向に移動した場合、第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、被検出体の位置の変化を演算する。これにより、検出回路４０は、被検出体のジェスチャ等の動作を検出する。制御回路１１（図１参照）は、これらのホバー検出の結果に基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行する。

このように、複数の第２センサ電極ＴＤは、自己静電容量方式によるホバー検出において、それぞれ１つの検出電極として機能する。なお、ホバー検出において、駆動回路１４は、第１センサ電極ＣＤに対してガード信号Ｖｇｄを供給する。第１センサ電極ＣＤは、第２センサ電極ＴＤと同じ電位を有して駆動される。これにより、第２センサ電極ＴＤと第１センサ電極ＣＤとの間の寄生容量を抑制して、ホバー検出の検出精度を向上させることができる。すなわち、ホバー検出において、第１センサ電極ＣＤは、ガード電極として機能する。

図２７は、第２センサ電極及び第１センサ電極の配置例を示す斜視図である。上述したように、表示装置１が自己静電容量方式でホバー検出を行う際に、外縁配線ＴＤ−Ｇには、検出用の第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同じ波形で、かつ第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期したガード信号Ｖｇｄが供給されている。このように、駆動回路１４は、ホバー検出の際に、外縁配線ＴＤ−Ｇにガード信号Ｖｇｄを供給する。つまり、ガード信号Ｖｇｄは第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第２センサ電極ＴＤの寄生容量を抑制して、検出精度を向上させることができる。または、外縁配線ＴＤ−Ｇには、ガード信号Ｖｇｄが供給される代わりに、電気的にどことも接続されていない状態（ハイインピーダンス）に設定されてもよい。

複数の第１センサ電極ＣＤは、第１基板２１の一方の面２１ａ側のアクティブエリア１０ａに設けられている。例えば、一方の面２１ａは、第１基板２１と対向する面の反対側である。

また、図２７に示すように、第１基板２１の一方の面２１ａ側の周辺領域１０ｂには、外縁配線ＣＤ−Ｇが設けられている。例えば、外縁配線ＣＤ−Ｇは、アクティブエリア１０ａの長辺と短辺とに沿って連続して設けられており、アクティブエリア１０ａを囲んでいる。表示装置１が自己静電容量方式でホバー検出を行う際に、外縁配線ＣＤ−Ｇには、検出用の第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同じ波形で、かつ第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期したガード信号Ｖｇｄが供給されてもよい。または、外縁配線ＣＤ−Ｇは、電気的にどことも接続されていない状態（ハイインピーダンス）に設定されてもよい。これによれば、外縁配線ＣＤ−Ｇと、第２駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給される第１センサ電極ＣＤとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、ホバー検出の感度を高めることができる。

なお、本実施形態では、図２７に示す第１基板２１の他方の面２１ｂ側に、外縁配線２９が設けられていてもよい。裏面の外縁配線２９は、第１基板２１の他方の面２１ｂの一部を覆っていてもよいし、他方の面２１ｂの全体を覆っていてもよい。また、裏面の外縁配線２９は、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料で構成されていてもよいし、図示しない金属フレーム等で構成されていてもよい。表示装置１が自己静電容量方式でホバー検出を行う際に、裏面の外縁配線２９には、検出用の第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同じ波形で、かつ第２駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期したガード信号Ｖｇｄが供給されてもよい。または、裏面の外縁配線２９は、電気的にどことも接続されていない状態（ハイインピーダンス）に設定されてもよい。これによれば、裏面の外縁配線２９と、第２駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給される第１センサ電極ＣＤとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、ホバー検出の感度を高めることができる。

以上のように、第２センサ電極ＴＤは、相互静電容量方式によるタッチ検出において検出電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるホバー検出において検出電極として機能する。本実施形態において、１つの第２センサ電極ＴＤは大きい面積を有する。このため、第２センサ電極ＴＤから発生する電界の電気力線が、検出面ＤＳから離れた位置まで到達する。これにより、表示装置１は、タッチ検出とホバー検出とで第２センサ電極ＴＤを共用しつつ、精度よくタッチ検出を行うとともに、良好にホバー検出を行うことができる。

また、本実施形態において、第２センサ電極ＴＤは、第２基板３１に設けられている。このため、第１基板２１に第２センサ電極ＴＤを設けた場合と比べ、スイッチング素子Ｔｒ等の各種回路、データ線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等の各種配線と、第２センサ電極ＴＤとの間隔を大きくすることができる。したがって、本実施形態は、第２センサ電極ＴＤと、各種回路及び各種配線との間に形成される寄生容量を低減して、精度よくホバー検出を行うことができる。

以上のように、検出装置としてのセンサ３０において、第２センサ電極ＴＤは、複数の電界透過領域を有する。１つの電界透過領域ＮＥは、１つの第１センサ電極ＣＤと平面視で重なり、当該電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極ＣＤに跨がらない。これにより、隣り合う第１センサ電極ＣＤの情報に、被検出体がそれぞれあっても、タッチ検出でそれぞれを検出することができる。第２センサ電極ＴＤの平面視での面積を大きくしても、第２センサ電極ＴＤを通過したフリンジ電界が減少され難いので、タッチ検出することができる。その結果、同じ第２センサ電極ＴＤを利用して、センサ領域にある検出装置がタッチ検出とホバー検出をすることができる。

次に、図１及び図２８から３０を参照して、本実施形態の動作例を説明する。図２８は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図２９は、第２センサ電極と信号強度との関係を模式的に示すグラフである。図３０は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図２８から図３０に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。

図２８に示すように、表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｔとが時分割で交互に配置される。検出期間Ｐｔは、ホバー検出期間Ｐｔｓと、タッチ検出期間Ｐｔｍとを含む。表示期間Ｐｄ、ホバー検出期間Ｐｔｓ及びタッチ検出期間Ｐｔｍの実行の順番はあくまで一例であり適宜変更してもよい。例えば、１つの検出期間Ｐｔにホバー検出期間Ｐｔｓ又はタッチ検出期間Ｐｔｍのいずれか一方のみが存在する場合であってもよい。１検出面のタッチ検出を１つのタッチ検出期間Ｐｔｍで実行してもよく、複数のタッチ検出期間Ｐｔｍに分けて実行してもよい。また、表示期間Ｐｄで１フレーム分の画像の表示を行ってもよく、１フレーム分の画像の表示期間中に、複数の表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｔとが交互に配置されていてもよい。

図２８に示すように、制御回路１１は、まず表示データの書き込みを実行する（ステップＳＴ１）。具体的には、上述した表示動作と同様であり、ソースドライバ１３は、各ゲート線ＧＣＬ１、ＧＣＬ２、ＧＣＬ３に対応する副画素ＳＰｉｘに、データ線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３を介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。図２３に示す接続切替回路１７が動作して、表示期間Ｐｄにおいて、駆動回路１４は、第１センサ電極ＣＤに対し、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

次に、制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ２）。具体的には、図３０に示すように、ホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、制御回路１１は、制御信号Ｖｓｃ１を検出用ＩＣ７５に信号線ＳＳＥを介して供給し、制御信号Ｖｓｃ２を検出用ＩＣ７５に信号線ＳＳＳを介して供給する。制御信号Ｖｓｃ１は検出装置を動作させる信号であり、制御信号Ｖｓｃ２は、検出装置を自己静電容量検出方式で動作させるか、相互静電容量方式で動作させるかを選択する信号である。ホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、センサ３０は、自己静電容量検出方式で動作する。

ホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、駆動回路１４は、第２センサ電極ＴＤ１、第２センサ電極ＴＤ１に第２駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給する。配線７７−１は、第２センサ電極ＴＤの１つ（例えば第２センサ電極ＴＤ１）に電気的に接続される配線であり、配線７７−２は、他の第２センサ電極ＴＤの１つ（例えば第２センサ電極ＴＤ２）に電気的に接続される配線であり、配線７７−３以降は、図示を省略するが、各第２センサ電極ＴＤにそれぞれ接続される配線である。これにより、表示装置１は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに隣接して配置された複数の第２センサ電極ＴＤごとに非接触状態の被検出体を検出することができる。例えば、検出回路４０は、各第２センサ電極ＴＤからの第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、検出面ＤＳに垂直な方向における、検出面ＤＳと被検出体との距離Ｄ１を検出することができる。また、検出回路４０は、各第２センサ電極ＴＤからの第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、被検出体の位置Ｒ１を検出することができる。また、駆動回路１４は、ホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、各第２センサ電極ＴＤに接続される各配線２７−１、２７−２、２７−３、２７−４・・・に対し、ガード信号Ｖｇｄを供給する。

次に、検出回路４０は、第２センサ電極ＴＤから供給された第２検出信号Ｖｄｅｔ２が、所定の閾値ΔＶＢ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ３）。図２９に示すように、検出回路４０は、各第２センサ電極ＴＤから供給された第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号強度を求め、所定の閾値ΔＶＢと比較する。

複数の第２検出信号Ｖｄｅｔ２のうち、いずれか１つの第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号強度が閾値ΔＶＢ以上である場合（ステップＳＴ３、Ｙｅｓ）、制御回路１１は、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ４）。第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号強度が閾値ΔＶＢ以上である場合、被検出体が接触状態であると判断する。

図２９に示すように、３６個の第２センサ電極ＴＤがあるとして、第２センサ電極ＴＤ１から第２センサ電極ＴＤ３６まであるとする。第２センサ電極ＴＤ３５が、第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号強度が閾値ΔＶＢ以上であり、それ以外の第２センサ電極ＴＤにおいて、第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号強度は閾値ΔＶＢよりも小さい。この場合、検出回路４０は、第２センサ電極ＴＤ３５に対応する位置において被検出体が接触状態であると判断する。制御回路１１は、検出回路４０からの情報に基づいて、ホバー検出からタッチ検出に切り換える。

具体的には、図３０に示すように、タッチ検出期間Ｐｔｍにおいて、制御回路１１は、制御信号Ｖｓｃ１を検出用ＩＣ７５に供給し、制御信号Ｖｓｃ２を検出用ＩＣ７５に供給する。これにより、センサ３０は、相互静電容量検出方式で動作する。

駆動回路１４は、第２センサ電極ＴＤ３５に平面視で重なる各第１センサ電極ＣＤ、例えば第１センサ電極ＣＤ１、ＣＤ２、ＣＤ３、ＣＤ４・・・に接続される各配線２７−１、２７−２、２７−３、２７−４・・・に対し、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１を順次供給する。第２センサ電極ＴＤに含まれる電界透過領域ＴＤＤの位置ごとに、各第１センサ電極ＣＤとの間の容量変化に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１が、第２センサ電極ＴＤ３５から、配線７７−１を介して検出回路４０に供給される。これにより、表示装置１は、各第２センサ電極ＴＤの各電界透過領域ＴＤＤの位置ごとに接触状態の被検出体を検出することができる。

例えば、図３０に示すように、配線２７−３に接続された第１センサ電極ＣＤが、相互静電容量変化があった第２センサ電極ＴＤとして特定される。また、第２センサ電極ＴＤ３５に接続される配線７７−１は、相互静電容量変化があるが、第２センサ電極ＴＤ３５とは異なる第２センサ電極に接続される配線７７−２は、変化がない。

タッチ検出期間Ｐｔｍにおいて、１検出面の検出動作が終了した場合、すなわち、第２センサ電極ＴＤ３５に重なる第１センサ電極ＣＤに対して、順次、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給してタッチ検出を実行した場合、制御回路１１は、タッチ検出を終了して表示データの書き込み（ステップＳＴ１）に戻る。

複数の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号強度が全て閾値ΔＶＢよりも小さい場合（ステップＳＴ３、Ｎｏ）、制御回路１１は、タッチ検出を実行せず、表示データの書き込み（ステップＳＴ１）に戻る。この場合、図２５に示す検出期間Ｐｔにおいて、ホバー検出期間Ｐｔｓのみが実行され、タッチ検出期間Ｐｔｍは実行されない。つまり、１つの検出期間Ｐｔにおいてホバー検出期間Ｐｔｓのみが存在する。

なお、図３０では図示を省略しているが、データ線ＳＧＬは、ホバー検出期間Ｐｔｓ及びタッチ検出期間Ｐｔｍにおいて、フローティング状態であることが好ましい。こうすれば、第２センサ電極ＴＤとデータ線ＳＧＬとの間の容量を低減することができる。また、ゲート線ＧＣＬは、ホバー検出期間Ｐｔｓにおいてフローティング状態であってもよい。

図２８から図３０に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、複数回のホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、１つの検出電極を構成する第２センサ電極ＴＤの数を変えてホバー検出を実行してもよい。第２センサ電極ＴＤは、第１方向Ｄｘに隣接して配置された２つの第２センサ電極ＴＤ及び第２方向Ｄｙに隣接して配置された２つの第２センサ電極ＴＤが切替回路により電気的に接続されて、１つの検出電極として機能してもよい。このように、第２センサ電極ＴＤは、第１方向Ｄｘに隣接して配置された２以上の第２センサ電極ＴＤ及び第２方向Ｄｙに隣接して配置された２以上の第２センサ電極ＴＤで構成されていてもよい。或いは、第２センサ電極ＴＤは、第１方向Ｄｘに隣接して配置された３以上の第２センサ電極ＴＤ及び第２方向Ｄｙに隣接して配置された３以上の第２センサ電極ＴＤで構成されていてもよい。例えば、アクティブエリア１０ａの全ての第２センサ電極ＴＤが切替回路により電気的に接続されて、１つの第２センサ電極ＴＤを構成してもよい。制御回路１１は、検出面ＤＳと被検出体との距離Ｄ１に応じて、１つの検出電極に含まれる第２センサ電極ＴＤの数を変更すると、ホバー検出の解像度を変更することができる。

以上のように、センサ３０は、これにより、タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことが可能になる。

また、１つの第２センサ電極ＴＤにおける１つの電界透過領域ＮＥの位置が複数の駆動電極に重ならない。このため、検出回路４０は、複数の第２センサ電極ＴＤのうち相互静電容量変化があった第２センサ電極ＴＤを特定し、第１駆動信号Ｖｃｏｍ１が供給された第１センサ電極ＣＤを特定することができれば、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙで特定される第１センサ電極ＣＤの位置が被検出体の座標として利用できる。このため、実施形態１の検出装置は、第２センサ電極ＴＤの平面視での面積を大きくしても、タッチ検出の検出感度を高めることができる。これにより、第２センサ電極ＴＤの平面視での面積が大きくなり、ホバー検出における検出感度が高まる。

従って、本実施形態の表示装置１は、タッチ検出とホバー検出とで第２センサ電極ＴＤを共用しつつ、良好にタッチ検出及びホバー検出を行うことが可能である。

（実施形態２）
図３１は、実施形態２に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

図３１に示すように、各電界透過領域ＮＥは、平面視で、複数ある第１センサ電極ＣＤのそれぞれと重なって配置される。図３１に示すように、電界透過領域ＮＥの領域又は外形は、第１方向Ｄｘと、第２方向Ｄｙの長さとは同じ、菱形である。言い換えると、１つの電界透過領域ＮＥは、正方形であって、１つの電界透過領域ＮＥの１辺の延長線上は、当該電界透過領域に重なる１つの第１センサ電極ＣＤの辺と交差する。

電界透過領域ＮＥは、２つの第１センサ電極ＣＤに跨がって、平面視で重なることがないので、分解能が高くなる。電界透過領域ＮＥの形状が、第１方向Ｄｘの中点を通る第２方向Ｄｙの仮想線に対して線対称であり、第２方向Ｄｙの中点を通る第１方向Ｄｘの仮想線に対して線対称であることから、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。その結果、当該第１センサ電極ＣＤに隣り合う第１センサ電極ＣＤの駆動に与える影響が抑制される。

（実施形態３）
図３２は、実施形態３に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

図３２に示すように、電界透過領域ＮＥの領域又は外形は、第１方向Ｄｘと、第２方向Ｄｙの長さとは同じ、円である。図３２に示すように、各電界透過領域ＮＥは、平面視で、複数ある第１センサ電極ＣＤのそれぞれと重なって配置される。これにより、電界透過領域ＮＥから３６０°均等に電気力線が飛び、第１センサ電極ＣＤの面積重心Ｇから同一距離であれば、信号感度が等しくなる。

電界透過領域ＮＥは、２つの第１センサ電極ＣＤに跨がって、平面視で重なることがないので、分解能が高くなる。電界透過領域ＮＥの形状が、第１方向Ｄｘの中点を通る第２方向Ｄｙの仮想線に対して線対称であり、第２方向Ｄｙの中点を通る第１方向Ｄｘの仮想線に対して線対称であることから、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。その結果、当該第１センサ電極ＣＤに隣り合う第１センサ電極ＣＤの駆動に与える影響が抑制される。

（実施形態４）
図３３は、実施形態４に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。図３４は、実施形態４に係る第２センサ電極の電界の状態の例を説明する説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

図３３に示すように、電界透過領域ＮＥの領域は、４つあり、外形は、第１方向Ｄｘと、第２方向Ｄｙの長さとは同じ、正方形である。図３２に示すように、４つの電界透過領域ＮＥは、平面視で、１つの第１センサ電極ＣＤと重なって配置される。

電界透過領域ＮＥは、２つの第１センサ電極ＣＤに跨がって、平面視で重なることがないので、分解能が高くなる。電界透過領域ＮＥの形状が、第１方向Ｄｘの中点を通る第２方向Ｄｙの仮想線に対して線対称であり、第２方向Ｄｙの中点を通る第１方向Ｄｘの仮想線に対して線対称であることから、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。その結果、当該第１センサ電極ＣＤに隣り合う第１センサ電極ＣＤの駆動に与える影響が抑制される。

図３４に示すように、電界透過領域ＮＥ間の間には導電材料があることから、ホバー検出時には、電気力線Ｅｆｓが増え、検出感度が向上する。

（実施形態５）
図３５は、実施形態５に係る複数の第２センサ電極の配置例を説明するための説明図である。図３６は、実施形態５に係る第２センサ電極の電界の状態の例を説明する説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

図３５に示すように、電界透過領域ＮＥの領域は、十字形であり、外形は、第１方向Ｄｘと、第２方向Ｄｙの長さとは同じである。図３５に示すように、電界透過領域ＮＥは、平面視で、１つの第１センサ電極ＣＤと重なって配置される。

電界透過領域ＮＥは、２つの第１センサ電極ＣＤに跨がって、平面視で重なることがないので、分解能が高くなる。電界透過領域ＮＥの形状が、第１方向Ｄｘの中点を通る第２方向Ｄｙの仮想線に対して線対称であり、第２方向Ｄｙの中点を通る第１方向Ｄｘの仮想線に対して線対称であることから、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。その結果、当該第１センサ電極ＣＤに隣り合う第１センサ電極ＣＤの駆動に与える影響が抑制される。

図３６に示すように、十字形の電界透過領域ＮＥでは、中心部分の導体材料が増える。このため、ホバー検出時には、電気力線Ｅｆｓが増え、検出感度が向上する。

（実施形態６）
図３７は、実施形態６に係る第２センサ電極を模式的に示した模式図である。
なお、実施形態１から実施形態５で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

実施形態４において、第２センサ電極ＴＤは、少なくとも１つの第１導電性細線３３Ｕと、第１導電性細線３３Ｕと交差する少なくとも１つの第２導電性細線３３Ｖと、を含む。第１導電性細線３３Ｕと、第２導電性細線３３Ｖとは、接続領域３３Ｘで電気的に接続されている。複数の第１導電性細線３３Ｕと、複数の第２導電性細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、第２センサ電極ＴＤの１つの網目の形状が平行四辺形となる。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ、第１方向Ｄｘと平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。

なお、第２センサ電極ＴＤは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを有しているが、本開示において、第２センサ電極ＴＤの面積とは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの面積に加え、第１導電性細線３３Ｕと第２導電性細線３３Ｖとで囲まれた開口の面積も含む。つまり、第２センサ電極ＴＤの面積とは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを囲む略矩形状の領域の面積となる。

複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ細幅である。図２７に示すアクティブエリア１０ａにおいて、複数の第１導電性細線３３Ｕは、第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置される。また、複数の第２導電性細線３３Ｖは、第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置されている。

複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向の一端は、配線７７に接続されている。このような構成により、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの第２センサ電極ＴＤとして機能する。本実施形態では、１つの第２センサ電極ＴＤに１本の配線７７が接続される。第２センサ電極ＴＤは、それぞれ略矩形状である。これに限定されず、第２センサ電極ＴＤは、正方形状、多角形状、長円状等、他の形状であってもよい。

第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。又は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成される。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらの金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。また、上述した金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜が積層されていてもよい。

上述した金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性又は第２センサ電極ＴＤのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つの第２センサ電極ＴＤが、複数の細幅の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有しており、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、第２センサ電極ＴＤが低抵抗化し、表示装置１は、薄型化、大画面化又は高精細化することができる。

第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、さらに１μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることがより好ましい。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１０μｍ以下であると、アクティブエリア１０ａのうちブラックマトリクス又はゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬで光の透過を抑制されない領域である開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。

第２センサ電極ＴＤは、メッシュ状の金属細線に限定されず、例えば、ジグザグ線状、或いは波線状の金属細線を複数含む構成であってもよい。また、第２センサ電極ＴＤ同士の間には、検出電極として機能しないダミー電極が設けられていてもよい。ダミー電極は、第２センサ電極ＴＤと類似した、メッシュ状、ジグザグ線状、或いは波線状のパターンとすることができる。ダミー電極は、電位が固定されていない。

図３７に示すように、第２センサ電極ＴＤは、電界透過領域ＮＥを有する。なお、電界透過領域ＮＥには、電位が固定されていないダミー電極３３Ｄが複数配置されている。複数のダミー電極３３Ｄは、互いに電気的に接続されていない。また、複数のダミー電極３３Ｄは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖとは、電気的に接続されていない。このように、複数のダミー電極３３Ｄは、電位が固定されていない。このため、複数のダミー電極３３Ｄは、タッチ検出において、フリンジ電界（図２４）の遮蔽効果が小さい。その結果、タッチ検出において、フリンジ電界の電気力線は、第１センサ電極ＣＤから第２センサ電極ＴＤに向かって延びることとなる。

ダミー電極３３Ｄは、第１方向Ｄｘと平行な方向に対して第１導電性細線３３Ｕと同じ傾きを有する導電性細線と、第１方向Ｄｘと平行な方向に対して第２導電性細線３３Ｖと同じ傾きを有する導電性細線とを含む。こうすれば、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに対して、電界透過領域ＮＥが不可視化される。

電界透過領域ＮＥは、第２方向Ｄｙの長さと第１方向Ｄｘの長さとは同じである。

電界透過領域ＮＥは、２つの第１センサ電極ＣＤに跨がって、平面視で重なることがないので、分解能が高くなる。電界透過領域ＮＥの形状が、第１方向Ｄｘに対称であり、第２方向Ｄｙに対称であることから、１つの第１センサ電極ＣＤの駆動に伴う信号減衰の度合いが距離に応じて均等になる。その結果、当該第１センサ電極ＣＤに隣り合う第１センサ電極ＣＤの駆動に与える影響が抑制される。

（変形例１）
図３８は、実施形態６の変形例１に係る第２センサ電極の部分拡大図である。
変形例１において、配線７７は、ジグザグ線状、或いは波線状に形成されている。配線７７は、第１方向Ｄｘと平行な方向に対して第１導電性細線３３Ｕと同じ傾きを有する導電性細線と、第１方向Ｄｘと平行な方向に対して第２導電性細線３３Ｖと同じ傾きを有する導電性細線とを含む。こうすれば、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに対して、配線７７が不可視化される。

変形例１において、第１導電性細線３３Ｕと第２導電性細線３３Ｖとが接続され、平行四辺形の形状を有している。電界透過領域ＮＥにおいては、接続領域３３Ｘには、導電性材料が無くなるスリットＧＰを有していることにより、ダミー電極３３Ｄが形成されている。電界透過領域ＮＥにも図３６に示すダミー電極３３Ｄと同じ構造のダミー電極がある。

（変形例２）
図３９は、実施形態６の変形例２に係る第２センサ電極の部分拡大図である。
変形例２において、２つの第１導電性細線３３Ｕと２つの第２導電性細線３３Ｖとが接続され、平行四辺形の形状の導電性細線が電界透過領域ＮＥ（図３７参照）において、並べられている。

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。

例えば、本態様の検出装置及び表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、を有し、１つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なり、前記複数の第２センサ電極のそれぞれは、複数の電界透過領域を有し、１つの前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なり、当該電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極に跨がらない、検出装置。
（２）１つの前記第２センサ電極の平面視による大きさは、１つの前記第２センサ電極の大きさより大きい、（１）に記載の検出装置。
（３）１つの前記電界透過領域は、平面視で、１つの前記第１センサ電極の面積重心に重なる、（１）に記載の検出装置。
（４）１つの前記電界透過領域は、正方形である、（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の検出装置。
（５）１つの前記電界透過領域は、正方形であって、１つの前記電界透過領域の１辺の延長線上は、当該電界透過領域に重なる１つの第１センサ電極の辺と交差する、（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（６）１つの前記電界透過領域は、円形である、（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の検出装置。
（７）複数の前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なる、（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の検出装置。
（８）１つの前記電界透過領域は、十字形である、（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の検出装置。
（９）１つの前記第１センサ電極の面積重心を通る、前記電界透過領域の前記第１方向の長さ及び前記電界透過領域の前記第２方向の長さは、同じである、（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１０）前記電界透過領域には、ダミー電極が配置されている、（１）乃至（９）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１１）前記ダミー電極は、電位が固定されていない、（１０）に記載の検出装置。
（１２）前記第１センサ電極に第１駆動信号を供給し、前記第２センサ電極に第２駆動信号を供給する駆動回路と、前記第１センサ電極に前記第１駆動信号が供給された場合に、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する第１検出モードと、前記第２センサ電極に前記第２駆動信号が供給された場合に、前記第２センサ電極の自己静電容量変化に応じた第２検出信号に基づいて、前記検出面に対して非接触状態の前記被検出体を検出する第２検出モードと、を有する制御回路を有する、（１）乃至（１１）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１３）検出回路を備え、前記第１検出モードにおいて、前記検出回路は、前記第１駆動信号が供給された第１センサ電極を特定し、当該第１センサ電極と重なる第２センサ電極の電界透過領域において、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する、（１２）に記載の検出装置。
（１４）前記第２センサ電極において、複数の金属配線がメッシュ状、ジグザグ線状、或いは波線状に形成されている、請求項１乃至請求項１３のいずれか１つに記載の検出装置。
（１５）前記第２検出モードにおいて、前記駆動回路は、前記第１センサ電極に対し、前記第２駆動信号と同期した同じ電位の信号を供給する（１２）に記載の検出装置。
（１６）第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、
前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、
前記第１センサ電極に第１駆動信号を供給し、前記第２センサ電極に第２駆動信号を供給する駆動回路と、
前記第１センサ電極に前記第１駆動信号が供給された場合に、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する第１検出モードと、前記第２センサ電極に前記第２駆動信号が供給された場合に、前記第２センサ電極の自己静電容量変化に応じた第２検出信号に基づいて、前記検出面に対して非接触状態の前記被検出体を検出する第２検出モードと、を有する制御回路と、
を有し、
１つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なる、検出装置。
（１７）前記第２センサ電極は、複数の電界透過領域を有し、
１つの前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なり、当該電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極に跨がらない、（１６）に記載の検出装置。
（１８）検出回路を備え、
前記第１検出モードにおいて、前記検出回路は、前記第１駆動信号が供給された第１センサ電極を特定し、当該第１センサ電極と重なる第２センサ電極の電界透過領域において、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する、（１６）又は（１７）に記載の検出装置。
（１９）（１）乃至（１８）のいずれか１つに記載の検出装置と、表示領域を備える表示パネルと、を備え、前記表示領域と重畳する領域に、前記第２センサ電極が設けられている、表示装置。

１ 表示装置
２ ＴＦＴ基板
３ 対向基板
６ 液晶層
１０ 表示パネル
１０ａ アクティブエリア
１０ｂ 周辺領域
１１ 制御回路
１２ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１４ 駆動回路
１７ 接続切替回路
１８ 配線
２０ 表示領域
２１ 第１基板
２２ 画素電極
２４ 絶縁層
３０ センサ
３１ 第２基板
３３Ｄ ダミー電極
４０ 検出回路
７７ 配線
８１ カバーガラス
ＮＥ 電界透過領域
ＣＤ 第１センサ
ＴＤ 第２センサ電極

Claims (19)

1. 第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、
   前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、
   を有し、
   １つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なり、
   前記複数の第２センサ電極のそれぞれは、複数の電界透過領域を有し、
   １つの前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なり、当該電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極に跨がらない、
   検出装置。
2. １つの前記第２センサ電極の平面視による大きさは、１つの前記第１センサ電極の大きさより大きい、請求項１に記載の検出装置。
3. １つの前記電界透過領域は、
   平面視で、１つの前記第１センサ電極の面積重心に重なる、請求項１に記載の検出装置。
4. １つの前記電界透過領域は、正方形である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
5. １つの前記電界透過領域は、正方形であって、１つの前記電界透過領域の１辺の延長線上は、当該電界透過領域に重なる１つの第１センサ電極の辺と交差する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
6. １つの前記電界透過領域は、円形である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
7. 複数の前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
8. １つの前記電界透過領域は、十字形である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
9. １つの前記第１センサ電極の面積重心を通る、前記電界透過領域の前記第１方向の長さ及び前記電界透過領域の前記第２方向の長さは、同じである、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の検出装置。
10. 前記電界透過領域には、ダミー電極が配置されている、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の検出装置。
11. 前記ダミー電極は、電位が固定されていない、請求項１０に記載の検出装置。
12. 前記第１センサ電極に第１駆動信号を供給し、前記第２センサ電極に第２駆動信号を供給する駆動回路と、
    前記第１センサ電極に前記第１駆動信号が供給された場合に、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する第１検出モードと、前記第２センサ電極に前記第２駆動信号が供給された場合に、前記第２センサ電極の自己静電容量変化に応じた第２検出信号に基づいて、前記検出面に対して非接触状態の前記被検出体を検出する第２検出モードと、を有する制御回路を有する、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の検出装置。
13. 検出回路を備え、
    前記第１検出モードにおいて、前記検出回路は、前記第１駆動信号が供給された第１センサ電極を特定し、当該第１センサ電極と重なる第２センサ電極の電界透過領域において、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する、請求項１２に記載の検出装置。
14. 前記第２センサ電極において、複数の金属配線がメッシュ状、ジグザグ線状、或いは波線状に形成されている、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の検出装置。
15. 前記第２検出モードにおいて、前記駆動回路は、前記第１センサ電極に対し、前記第２駆動信号と同期した同じ電位の信号を供給する請求項１２に記載の検出装置。
16. 第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第１センサ電極と、
    前記第１方向と前記第２方向とにそれぞれ並ぶ複数の第２センサ電極と、
    前記第１センサ電極に第１駆動信号を供給し、前記第２センサ電極に第２駆動信号を供給する駆動回路と、
    前記第１センサ電極に前記第１駆動信号が供給された場合に、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する第１検出モードと、前記第２センサ電極に前記第２駆動信号が供給された場合に、前記第２センサ電極の自己静電容量変化に応じた第２検出信号に基づいて、前記検出面に対して非接触状態の前記被検出体を検出する第２検出モードと、を有する制御回路と、
    を有し、
    １つの前記第２センサ電極は、複数の前記第１センサ電極と平面視で重なる、検出装置。
17. 前記第２センサ電極は、複数の電界透過領域を有し、
    １つの前記電界透過領域は、１つの前記第１センサ電極と平面視で重なり、当該電界透過領域は、平面視で２つの第１センサ電極に跨がらない、請求項１６に記載の検出装置。
18. 検出回路を備え、
    前記第１検出モードにおいて、前記検出回路は、前記第１駆動信号が供給された第１センサ電極を特定し、当該第１センサ電極と重なる第２センサ電極の電界透過領域において、前記第１センサ電極と前記第２センサ電極との間の相互静電容量変化に応じた第１検出信号に基づいて、検出面に接触する被検出体を検出する、請求項１６又は請求項１７に記載の検出装置。
19. 請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の検出装置と、
    表示領域を備える表示パネルと、
    を備え、
    前記表示領域と重畳する領域に、前記第２センサ電極が設けられている、表示装置。