JP2022051757A - 光電変換装置、光電変換装置を備えた機器、光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置、光電変換装置を備えた機器、光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 368
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 346
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 346
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 174
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 172
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 172
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 19
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 117
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 117
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 59
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 54
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
光電変換装置であって、光電変換部を有する半導体基板と、前記光電変換部の少なくとも一部に重ならないように前記半導体基板の上に設けられた金属含有部と、前記光電変換部の上に配された第1窒化シリコン層であって、前記光電変換部と前記第1窒化シリコン層との間の距離が、前記配線層と前記半導体基板との間の距離よりも小さい前記第1窒化シリコン層と、前記第1窒化シリコン層と前記光電変換部との間に配された部分、および、前記金属含有部の上に配された部分を有する酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜と前記金属含有部との間に配された第2窒化シリコン層と、前記酸化シリコン膜および前記第2窒化シリコン層を貫通し、前記配線層および前記金属含有部に接触するコンタクトプラグと、を備えることを特徴とする。
光電変換装置であって、光電変換部を有する半導体基板と、前記半導体基板の上に配された電極と、前記電極の側面を覆うサイドウォールスペーサと、前記電極および前記サイドウォールスペーサを覆うように前記半導体基板の上に配された層間絶縁膜と、前記光電変換部の上に配された第1窒化シリコン層と、前記第1窒化シリコン層と前記光電変換部との間に配された部分、および、前記層間絶縁膜と前記サイドウォールスペーサとの間に位置する酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜と前記サイドウォールスペーサとの間に配された部分を有する第2窒化シリコン層と、前記層間絶縁膜、前記酸化シリコン膜および前記窒化シリコン層を貫通し、前記電極を含む素子に接続されたコンタクトプラグであって、前記光電変換部と前記第1窒化シリコン層との間の距離が、前記コンタクトプラグの長さよりも小さい前記コンタクトプラグと、を備えることを特徴とする。
図9は第2実施形態に係る光電変換装置APRの模式的断面図である。図9は図3の模式的断面図に相当する部分の断面である。図9では、図3に示した配線層51は省略している。
図10は第3実施形態に係る光電変換装置APRの模式的断面図である。図10は図3の模式的断面図に相当する部分の断面である。図9では、図3に示した配線層51は省略している。
図1(a)に示した機器EQPについて詳述する。光電変換装置APRは半導体基板10を有する半導体デバイスICの他に、半導体デバイスICを収容するパッケージPKGを含みうる。パッケージPKGは、半導体デバイスICが固定された基体と、半導体デバイスICに対向するガラス等の蓋体と、基体に設けられた端子と半導体デバイスICに設けられた端子とを接続するボンディングワイヤやバンプ等の接続部材と、を含みうる。
11 光電変換部
40 層間絶縁膜
163、173 金属含有部
47 ゲート電極
48 サイドウォールスペーサ
31 窒化シリコン層
310 窒化シリコン膜
32 窒化シリコン層
320 窒化シリコン膜
21 酸化シリコン膜
503 コンタクトプラグ
Claims (10)
- 光電変換装置であって、
光電変換部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上に設けられたシリサイド部と、
前記シリサイド部を覆うように前記半導体基板の上に配置された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に囲まれるように前記光電変換部の上に配置された誘電体領域と、
前記層間絶縁膜と前記半導体基板との間に位置する部分を有する遮光膜と、
前記層間絶縁膜および前記シリサイド部に接触するコンタクトプラグと、
前記層間絶縁膜と前記光電変換部との間に配された第1窒化シリコン層と、
前記第1窒化シリコン層と前記光電変換部との間に配された部分、および、前記層間絶縁膜と前記シリサイド部との間に配された部分を有する酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜と前記シリサイド部との間に配された第2窒化シリコン層と、
を備えることを特徴とする光電変換装置。 - 前記半導体基板の上に配された電極を有し、
前記シリサイド部は、前記電極の上に配されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記電極の側面を覆うサイドウォールスペーサを有し、
前記酸化シリコン膜と前記サイドウォールスペーサとの間に、前記第2窒化シリコン層が配されていることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板の中に設けられた不純物領域を有し、
前記シリサイド部は、前記不純物領域の上に配されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記誘電体領域は窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1窒化シリコン層の厚さは、前記第2窒化シリコン層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記半導体基板は、前記光電変換部で生成された電荷を保持する電荷保持部を有し、
前記遮光膜は、前記電荷保持部を覆うように配されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記コンタクトプラグは、前記酸化シリコン膜を貫通することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 他のコンタクトプラグを有し、
前記他のコンタクトプラグは、前記層間絶縁膜、前記酸化シリコン膜、前記第2窒化シリコン層を貫通し、前記シリサイド部に接触することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の光電変換装置を備える機器であって、
前記光電変換装置に結像する光学系、前記光電変換装置を制御する制御装置、前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、前記光電変換装置で得られた情報に基づいて制御される機械装置、前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置の少なくともいずれか、をさらに備えることを特徴とする機器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2022051757A true JP2022051757A (ja) | 2022-04-01 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7009529B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2020
- 2020-02-18 JP JP2020025211A patent/JP7009529B2/ja active Active
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2022
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Publication number | Publication date |
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JP2020098936A (ja) | 2020-06-25 |
JP7009529B2 (ja) | 2022-01-25 |
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