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Abstract
Description
本発明は、フロントエンドモジュールを含む、モジュールに関する。 The present invention relates to modules, including front-end modules.
移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどでは、複数の高周波数帯における通信に対応することが要請される。このため、高周波の周波数帯域の通信を通過させる複数のバンドパスフィルタを搭載したフロントエンドモジュールが用いられている。 Smartphones represented by mobile communication terminals are required to support communication in a plurality of high frequency bands. For this reason, a front-end module equipped with a plurality of bandpass filters that pass communication in a high frequency band is used.
また、フロントエンドモジュールでは、バンドパスフィルタとローノイズアンプ(Low Noise Amplifer)の間に、バンドパスフィルタおよびローノイズアンプをインピーダンスマッチングするためのインダクタが用いられている。 Further, in the front-end module, an inductor for impedance matching the bandpass filter and the low noise amplifier is used between the bandpass filter and the low noise amplifier (Low Noise Amplifier).
また、近年のスマートフォンの薄型化、集積化の要請から、フロントエンドモジュールに対しても小型化の要請が強く、インピーダンスマッチング用のインダクタは、IPD(Integrated Passive Device)化が進んでいる。 Further, in recent years, there has been a strong demand for miniaturization of front-end modules due to the demand for thinner and more integrated smartphones, and the inductor for impedance matching is becoming IPD (Integrated Passive Device).
特許文献1には、フロントエンドモジュールのインピーダンスマッチングに関する技術の一例が開示されている。 Patent Document 1 discloses an example of a technique relating to impedance matching of a front-end module.
本発明が解決しようとする主たる課題について説明する。 The main problem to be solved by the present invention will be described.
近年では、フロントエンドモジュールに実装される素子、例えば、バンドパスフィルタ、ローノイズアンプなどの集積回路には、インピーダンスマッチングをするためのインダクタが、ほぼ必須となっている。 In recent years, inductors for impedance matching have become almost indispensable for integrated circuits such as bandpass filters and low noise amplifiers mounted on front-end modules.
しかし、インピーダンスマッチングに必要なインダクタンス値は、バンドパスフィルタとローノイズアンプの組み合わせ毎に最適値が異なり、異なる最適値を有する組み合わせ数に応じた数のインダクタンス値を持つインダクタを準備する必要がある。 However, the optimum value of the inductance value required for impedance matching differs depending on the combination of the bandpass filter and the low noise amplifier, and it is necessary to prepare an inductor having a number of inductance values according to the number of combinations having different optimum values.
必要なインダクタの数毎に、生産、試験、管理をする為のコスト増も、実際のフロントエンドモジュールの生産管理上の大きな課題である。 Increasing the cost of production, testing, and management for each number of inductors required is also a major issue in production control of actual front-end modules.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、低コストで最適なインダクタンス値によりインピーダンスマッチングがされたモジュールやフロントエンドモジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a module and a front-end module which are impedance-matched by an optimum inductance value at low cost.
前記課題を達成するために、本発明にあっては、
配線基板と、
前記配線基板に実装され、入力端子または出力端子の少なくとも一方に、複数のバンプパッドを有し、前記複数のバンプパッドのうち任意の一のバンプパッドが入力端子または出力端子であるインダクタと
を有することを特徴とする、モジュールとした。
In order to achieve the above problems, in the present invention,
Wiring board and
It is mounted on the wiring board and has a plurality of bump pads on at least one of an input terminal or an output terminal, and any one of the plurality of bump pads has an inductor as an input terminal or an output terminal. It was made into a module, which is characterized by this.
配線基板と、
前記配線基板に実装され、入力端子または出力端子の少なくとも一方に、複数のバンプパッドを有し、前記複数のバンプパッドのうち任意の一のバンプパッドが入力端子または出力端子である第1のインダクタと、
前記配線基板に実装され、入力端子または出力端子の少なくとも一方に、複数のバンプパッドを有し、前記複数のバンプパッドのうち任意の一のバンプパッドが入力端子または出力端子である第2のインダクタと、
前記第1のインダクタに接続された第1のバンドパスフィルタと、
前記第2のインダクタに接続された第2のバンドパスフィルタと
を有するモジュールであることが、本発明の一形態とされる。
Wiring board and
A first inductor mounted on the wiring board, having a plurality of bump pads on at least one of an input terminal or an output terminal, and any one of the plurality of bump pads is an input terminal or an output terminal. When,
A second inductor mounted on the wiring board, having a plurality of bump pads on at least one of an input terminal or an output terminal, and any one of the plurality of bump pads is an input terminal or an output terminal. When,
The first bandpass filter connected to the first inductor and
One embodiment of the present invention is a module having a second bandpass filter connected to the second inductor.
前記配線基板は、前記複数のバンプパッドに対応するバンプパッドを複数備えることが、本発明の一形態とされる。 It is one embodiment of the present invention that the wiring board includes a plurality of bump pads corresponding to the plurality of bump pads.
前記インダクタは、IPD(Integrated Passive Device)であることが、本発明の一形態とされる。 It is one embodiment of the present invention that the inductor is an IPD (Integrated Passive Device).
前記第1のインダクタに接続された第1のローノイズアンプと、前記第2のインダクタに接続された第2のローノイズアンプを備えることが、本発明の一形態とされる。 It is one embodiment of the present invention to include a first low noise amplifier connected to the first inductor and a second low noise amplifier connected to the second inductor.
前記第1のインダクタの入力端子または出力端子は、前記第2のインダクタの入力端子または出力端子と異なるバンプパッドにより形成されていることが、本発明の一形態とされる。 One embodiment of the present invention is that the input terminal or output terminal of the first inductor is formed of a bump pad different from the input terminal or output terminal of the second inductor.
前記第1のインダクタの入力端子または出力端子は、前記第2のインダクタの入力端子または出力端子と同じバンプパッドにより形成されていることが、本発明の一形態とされる。 It is one embodiment of the present invention that the input terminal or the output terminal of the first inductor is formed by the same bump pad as the input terminal or the output terminal of the second inductor.
前記第1のバンドパスフィルタ又は前記第2のバンドパスフィルタの少なくとも一つが、弾性表面波フィルタであることが、本発明の一形態とされる。 It is one embodiment of the present invention that at least one of the first bandpass filter or the second bandpass filter is a surface acoustic wave filter.
前記第1のバンドパスフィルタ又は前記第2のバンドパスフィルタの少なくとも一つが、弾性薄膜共振器を用いたフィルタであることが、本発明の一形態とされる。 It is one embodiment of the present invention that at least one of the first bandpass filter or the second bandpass filter is a filter using an elastic thin film resonator.
本発明によれば、低コストで最適なインダクタンス値によりインピーダンスマッチングがされたフロントエンドモジュールを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a front-end module that is impedance-matched with an optimum inductance value at low cost.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
(実施例1)
図1は、本実施例にかかるモジュール1の断面図である。
(Example 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view of the module 1 according to the present embodiment.
図1に示すように、本実施例にかかるモジュール1は、配線基板2と、配線基板2上に実装された、インダクタ3とバンドパスフィルタ5を備える。
As shown in FIG. 1, the module 1 according to this embodiment includes a wiring board 2, an
インダクタ3とバンドパスフィルタ5は、バンプ7を介して、配線基板2にフリップチップボンディングにより実装されている。
The
バンプ7は、例えば、金バンプを用いることができる。バンプ7の高さは、例えば、20μmから50μmである。 As the bump 7, for example, a gold bump can be used. The height of the bump 7 is, for example, 20 μm to 50 μm.
インダクタ3とバンドパスフィルタ5を覆うように、封止部9が形成されている。封止部9は、例えば、合成樹脂等の絶縁体により形成してもよく、金属を用いてもよい。合成樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドなどを用いることができるが、これらに限るものではない。好ましくは、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部9を形成する。
A sealing portion 9 is formed so as to cover the
配線基板2は、例えば、樹脂からなる多層基板、または、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics:LTCC)多層基板等が用いられる。 As the wiring board 2, for example, a multilayer substrate made of resin, a low temperature co-fired ceramics (LTCC) multilayer substrate made of a plurality of dielectric layers, or the like is used.
配線基板2の実装面には、インダクタ3が有する複数のバンプパッド32に対応するようメタルパターンが形成されている。後述するように、インダクタ3が有する複数のバンプパッド32のうち、どのバンプパッドにバンプが形成され、フリップチップボンディングがなされても、電気的に接続することを可能にするためである。
A metal pattern is formed on the mounting surface of the wiring board 2 so as to correspond to the plurality of
図2は、インダクタ3の構造の概略を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an outline of the structure of the
インダクタ3は、例えば、周波数が5GHzのときに、0.5nHから2nH程度のインダクタンス値を有するインダクタとすることができる。モジュールの小型化、集積化のため、インダクタはIPDとすることができる。
The
インダクタ3は、図2に示すように、絶縁体または半導体からなる基板31上に、複数のバンプパッド32に電気的に接続するように巻線33が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
基板31としては、高抵抗シリコン、ガリウム砒素、サファイア、多結晶アルミナ又はガラス等を用いることができる。但し、基板31の材質として、これらの材質に限定するものではない。基板31の厚みは、例えば、200μmとすることができる。
As the
基板31上に、複数のバンプパッド32及び巻線33を直接形成するのではなく、基板31と複数のバンプパッド32及び巻線33の間に他の材質の層を設けてもよい。例えば、絶縁を確保するために、絶縁層として二酸化ケイ素等を基板31と複数のバンプパッド32及び巻線33の間に設けてもよい。
Instead of directly forming the plurality of
複数のバンプパッド32及び巻線33は、金、銅又はアルミニウム等を主成分とする金属又は合金を用いてもよいし、他の金属又は合金を用いてもよい。
The plurality of
複数のバンプパッド32及び巻線33の厚さは、例えば、3μm~5μmとすることができる。また、巻線33のパターンの幅は、例えば、35μm~70μmとすることができる。また、巻線33のパターンの間隔は、例えば、20μm~40μmとすることができる。
The thickness of the plurality of
巻線33パターンの幅や間隔は、巻線33パターンの途中から幅を大きくしたり狭くしたりすることができる。例えば、周波数が5GHzのときに複数のバンプパッドのそれぞれにおける所望のインダクタンス値を実現することができる。 The width and spacing of the winding 33 pattern can be increased or decreased from the middle of the winding 33 pattern. For example, when the frequency is 5 GHz, a desired inductance value in each of the plurality of bump pads can be realized.
巻線33は、中央部分から出力端子37に絶縁層39を介して電気的に接続されている。絶縁層を介さずに、中空構造で配線を形成してもよい。
The winding 33 is electrically connected to the
本実施例は、複数のバンプパッド32のうち、巻線33が最も長くなるバンプパッドが入力端子35として採用され、実装された例を示している。
This embodiment shows an example in which the bump pad having the longest winding 33 among the plurality of
しかしながら、図2で示した例はほんの一例にすぎない。インダクタの接続先が、バンドパスフィルタの受信フィルタであるか送信フィルタであるか、また、ローノイズアンプであるか、パワーアンプであるか等により、複数のバンプパッドのうち実際にバンプにより接続された端子が、出力端子にも入力端子にもなり得る。 However, the example shown in FIG. 2 is only one example. Depending on whether the inductor is connected to the receive filter or the transmit filter of the bandpass filter, the low noise amplifier, the power amplifier, etc., the inductor is actually connected by a bump among a plurality of bump pads. The terminal can be both an output terminal and an input terminal.
また、最適なインダクタンス値が別のバンプパッドを用いることで実現される場合もある。実施例1のモジュールがフロントエンドモジュールの回路中のいずれの構成要素として実装されるかにより、最適なインダクタンス値となるバンプパッドを適宜選択することができる。 In some cases, the optimum inductance value can be achieved by using another bump pad. The bump pad having the optimum inductance value can be appropriately selected depending on which component in the circuit of the front-end module the module of the first embodiment is mounted.
次に、バンドパスフィルタ5の構成例について説明する。
Next, a configuration example of the
図3は、バンドパスフィルタ5に用いることができる、SAWフィルタの構成例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a SAW filter that can be used for the
図3に示すように、圧電基板50上に、弾性波素子52および配線パターン54が形成されている。
As shown in FIG. 3, the
圧電基板50は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスを用いることができる。また、圧電基板50は、支持基板に接合されていてもよい。支持基板は、例えば、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板を用いることができる。
For the
配線パターン54は、入力パッドIn、出力パッドOutおよびグランドパッドGNDを構成する配線を含んでいる。また、配線パターン54は、弾性波素子52と電気的に接続されている。
The
配線パターン54上に、絶縁体56が形成されている。絶縁体56は、例えば、ポリイミドを用いることができる。絶縁体56は、例えば、1000nmの膜厚で形成する。
An
絶縁体56上に、第2配線パターン58が形成されている。第2配線パターン58は、絶縁体56を介して配線パターン54と立体的に交差するように形成されている。
A
弾性波素子52、配線パターン54および第2配線パターン58は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金からなる。また、これらの金属パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。弾性波素子52、配線パターン54および第2配線パターン58は、その厚みが、例えば、150nmから400nmとすることができる。
The
図4は、弾性波素子52が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an example in which the surface
図4に示すように、圧電基板50上に、弾性表面波を励振するIDT(Interdigital Transducer)52aと反射器52bが形成されている。IDT52aは、互いに対向する一対の櫛形電極52cを有する。櫛形電極52cは、複数の電極指52dと複数の電極指52dを接続するバスバー52eを有する。反射器52bは、IDT52aの両側に設けられている。
As shown in FIG. 4, an IDT (Interdigital Transducer) 52a and a
IDT52aおよび反射器52bは、例えば、アルミニウムと銅の合金からなる。IDT52aおよび反射器52bは、その厚みが、例えば、150nmから400nmの薄膜である。IDT52aおよび反射器52bは、他の金属、例えば、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。また、IDT52aおよび反射器52bは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。
The
弾性波素子52は、所望のバンドパスフィルタとしての特性が得られるよう、適宜、DMS設計やラダー設計に採用されることができる。
The
図5は、弾性波素子52が圧電薄膜共振器の例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a piezoelectric thin film resonator in which the
図5に示すように、チップ基板60上に圧電膜62が設けられている。圧電膜62を挟むように下部電極64および上部電極66が設けられている。下部電極64とチップ基板60との間に空隙68が形成されている。下部電極64および上部電極66は、圧電膜62内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。
As shown in FIG. 5, the
チップ基板60は、例えば、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板を用いることができる。圧電膜62は、例えば、窒化アルミニウムを用いることができる。下部電極64および上部電極66は、例えば、ルテニウム等の金属を用いることができる。
As the
以上説明した本発明の一実施形態によれば、インピーダンスマッチングのされた低損失なモジュールを提供することができる。すなわち、本発明のモジュールによれば、少品種大量生産のインダクタを用いることができ、低コストで、低損失なモジュールが提供される。 According to one embodiment of the present invention described above, it is possible to provide a low-loss module with impedance matching. That is, according to the module of the present invention, a low-mix, mass-produced inductor can be used, and a low-cost, low-loss module is provided.
(実施例2)
図6は、実施例2にかかるフロントエンドモジュール100の回路構成の概略を示す図である。
(Example 2)
FIG. 6 is a diagram showing an outline of the circuit configuration of the front-
図6に示すように、フロントエンドモジュール100の共通入力端子101は、アンテナ端子ANTに接続されている。第1出力端子103および第2出力端子105は、図示はしないが、信号処理回路に接続されている。
As shown in FIG. 6, the
共通入力端子から、スイッチング回路SWによって、第1のバンドパスフィルタBPF1を通過する信号と、第2のバンドパスフィルタBPF2を通過する信号が切り分けられる。 From the common input terminal, the signal passing through the first bandpass filter BPF1 and the signal passing through the second bandpass filter BPF2 are separated by the switching circuit SW.
第1のバンドパスフィルタBPF1を通過した信号は、第1のインダクタ107によってインピーダンスマッチングがされ、第1のローノイズアンプLNA1により増幅され、第1出力端子103から出力される。
The signal that has passed through the first bandpass filter BPF1 is impedance-matched by the
第2のバンドパスフィルタBPF2を通過した信号は、第2のインダクタ109によってインピーダンスマッチングがされ、第2のローノイズアンプLNA2により増幅され、第2出力端子105から出力される。
The signal that has passed through the second bandpass filter BPF2 is impedance-matched by the
図7は、実施例2にかかるフロントエンドモジュール100の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
図7に示すように、フロントエンドモジュール100は、基板110の主面上に、第1のバンドパスフィルタBPF1、第2のバンドパスフィルタBPF2、第1のインダクタ107および第2のインダクタ109が実装されている。
As shown in FIG. 7, in the front-
基板110の他の主面上に集積回路部品ICが実装されている。集積回路部品ICは、スイッチング回路SW、第1のローノイズアンプLNA1および第2のローノイズアンプLNA2を含む。
The integrated circuit component IC is mounted on the other main surface of the
また、基板110の他の主面上には、共通入力端子101、第1出力端子103および第2出力端子105(図7では図示なし)が形成されており、移動通信端末のマザーボードに実装される構成となっている。
Further, a
ここで、第1のバンドパスフィルタBPF1と第2のバンドパスフィルタBPF2は、通過させる周波数帯域が異なることから、第1のバンドパスフィルタBPF1と第1のローノイズアンプLNA1のインピーダンスマッチングに必要なインダクタンス値と、第2のバンドパスフィルタBPF2と第2のローノイズアンプLNA2のインピーダンスマッチングに必要なインダクタンス値は、異なることがある。 Here, since the first bandpass filter BPF1 and the second bandpass filter BPF2 have different frequency bands to pass through, the inductance required for impedance matching between the first bandpass filter BPF1 and the first low noise amplifier LNA1. The value and the inductance value required for impedance matching between the second bandpass filter BPF2 and the second low noise amplifier LNA2 may differ.
第1のインダクタ107および第2のインダクタ109は、実施例1において図2を用いて説明した内容と同様の構成であるため、その説明を省略する。また、第1のインダクタ107および第2のインダクタ109は、実装前は製造上の誤差を除き、同一の製品である。
Since the
実装時において、第1のインダクタ107は、最もインダクタンス値が小さくなるバンプパッドを選択し、第1のインダクタ107の入力端子とした。具体的なインダクタンス値は、1.0nHであった。
At the time of mounting, the bump pad having the smallest inductance value was selected for the
実装時において、第2のインダクタ109は、最もインダクタンス値が大きくなるバンプパッドを選択し、第2のインダクタ109の入力端子とした。具体的なインダクタンス値は、1.5nHであった。
At the time of mounting, the bump pad having the largest inductance value was selected for the
本実施例では、第1のインダクタ107および第2のインダクタ109の入力端子となったバンプパッドは、異なる位置に形成されたバンプパッドであったが、モジュールの設計条件等によっては、第1のインダクタおよび第2のインダクタの入力端子または出力端子が、同じバンプパッドによることもあり得る。
In this embodiment, the bump pads used as the input terminals of the
基板110の主面上には、第1のインダクタ107および第2のインダクタ109がそれぞれ有する複数のバンプパッドに対応するようメタルパターンが形成されている。第1のインダクタ107および第2のインダクタ109がそれぞれ有する複数のバンプパッドのうち、どのバンプパッドにバンプが形成され、フリップチップボンディングがなされても、電気的に接続することを可能にするためである。
A metal pattern is formed on the main surface of the
その他の構成は、実施例1で説明した内容と重複するため、省略する。 Other configurations are omitted because they overlap with the contents described in the first embodiment.
以上説明した本発明の第二の実施形態によれば、低コストで最適なインダクタンス値によりインピーダンスマッチングがされた、低損失のフロントエンドモジュールを提供することができる。 According to the second embodiment of the present invention described above, it is possible to provide a low-loss front-end module that is impedance-matched by an optimum inductance value at low cost.
なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。 As a matter of course, the present invention is not limited to the embodiments described above, but includes all embodiments that can achieve the object of the present invention.
また、少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。また、ここで使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は(若しくは)」の言及は、「又は(若しくは)」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。前後左右、頂底上下、および横縦への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本発明の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は例示にすぎない。 Also, although some aspects of at least one embodiment have been described above, it should be appreciated that various modifications, modifications and improvements are readily recalled to those of skill in the art. Such modifications, modifications and improvements are intended to be part of this disclosure and are intended to be within the scope of the invention. It should be understood that the methods and embodiments of the apparatus described herein are not limited to application to the details of the structure and arrangement of the components described above or illustrated in the accompanying drawings. Methods and devices can be implemented in other embodiments and implemented or implemented in various embodiments. Specific implementation examples are given herein for illustrative purposes only and are not intended to be limited. Also, the expressions and terms used herein are for explanatory purposes only and should not be considered limiting. The use of "include", "provide", "have", "include" and variations thereof herein means inclusion of the items listed below and their equivalents and additional items. References to "or (or)" shall be construed so that any term described using "or (or)" refers to one, more than, and all of the terms in the description. Can be done. References to front-back, left-right, top-bottom top-bottom, and horizontal-vertical are intended for convenience of description, and the components of the present invention are not limited to any one of the positional or spatial orientations. Therefore, the above description and drawings are merely examples.
1 モジュール
2 配線基板
3 インダクタ
31 基板
32 バンプパッド
33 巻線
35 入力端子
37 出力端子
39 絶縁層
5 バンドパスフィルタ
50 圧電基板
52 弾性波素子
54 配線パターン
56 絶縁体
58 第2配線パターン
60 チップ基板
62 圧電膜
64 下部電極
66 上部電極
68 空隙
7 バンプ
9 封止部
100 フロントエンドモジュール
101 共通入力端子
103 第1出力端子
105 第2出力端子
107 第1のインダクタ
109 第2のインダクタ
110 基板
ANT アンテナ端子
SW スイッチング回路
BPF1 第1のバンドパスフィルタ
BPF2 第2のバンドパスフィルタ
LNA1 第1のローノイズアンプ
LNA2 第2のローノイズアンプ
IC 集積回路部品
1 module 2
Claims (9)
前記配線基板に実装され、入力端子または出力端子の少なくとも一方に、複数のバンプパッドを有し、前記複数のバンプパッドのうち任意の一のバンプパッドが入力端子または出力端子であるインダクタと
を有するモジュール。 Wiring board and
It is mounted on the wiring board and has a plurality of bump pads on at least one of an input terminal or an output terminal, and any one of the plurality of bump pads has an inductor as an input terminal or an output terminal. module.
前記配線基板に実装され、入力端子または出力端子の少なくとも一方に、複数のバンプパッドを有し、前記複数のバンプパッドのうち任意の一のバンプパッドが入力端子または出力端子である第1のインダクタと、
前記配線基板に実装され、入力端子または出力端子の少なくとも一方に、複数のバンプパッドを有し、前記複数のバンプパッドのうち任意の一のバンプパッドが入力端子または出力端子である第2のインダクタと、
前記第1のインダクタに接続された第1のバンドパスフィルタと、
前記第2のインダクタに接続された第2のバンドパスフィルタと
を有するモジュール。 Wiring board and
A first inductor mounted on the wiring board, having a plurality of bump pads on at least one of an input terminal or an output terminal, and any one of the plurality of bump pads is an input terminal or an output terminal. When,
A second inductor mounted on the wiring board, having a plurality of bump pads on at least one of an input terminal or an output terminal, and any one of the plurality of bump pads is an input terminal or an output terminal. When,
The first bandpass filter connected to the first inductor and
A module having a second bandpass filter connected to the second inductor.
The module according to claim 2, wherein at least one of the first bandpass filter or the second bandpass filter is a filter using an elastic thin film resonator.
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