JP2022049770A - 乾燥モジュールおよび基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に対する気体の噴射に起因して生じる基板のばたつきを抑制する。【解決手段】乾燥モジュールは、基板ＷＦを搬送するように構成された搬送機構と、搬送機構によって搬送される基板ＷＦの表面に対して気体を噴射するように構成された第１の乾燥ノズル５３０ａ－１と、基板ＷＦの搬送経路を挟んで第１の乾燥ノズル５３０ａ－１に対向して配置され、搬送機構によって搬送される基板ＷＦの裏面に対して気体を噴射するように構成された第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１と、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部の基板搬送上流側に隣接して配置された整流部材５６０であって、搬送機構によって搬送される基板ＷＦの表面に対向する第１の面５６０－１と、第１の面５６０－１の基板搬送下流側に接続され、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部の側面に対向する第２の面５６０－２と、を有する整流部材５６０と、を含む。【選択図】図７

Description

本願は、乾燥モジュールおよび基板処理装置に関する。

半導体デバイスの製造に、基板の表面を平坦化するために基板処理装置が使用されている。半導体デバイスの製造に使用される基板は、多くの場合、円板形状である。また、半導体デバイスに限らず、ＣＣＬ基板（Copper Clad Laminate基板）やＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板、フォトマスク基板、ディスプレイパネルなどの四角形の基板の表面を平坦化する際の平坦度の要求も高まっている。

基板処理装置は、研磨処理および洗浄処理が行われた後の基板を乾燥させるための乾燥モジュールを備える。例えば特許文献１には、ローラで搬送される基板の表面および裏面に対して気体を噴射することによって基板に付着した液体を吹き飛ばして乾燥させる乾燥モジュールが開示されている。

特開２０２０－９９８７号公報

例えば特許文献１に開示されている従来技術は、基板に対する気体の噴射に起因して生じる基板のばたつきを抑制することについては考慮されていない。

すなわち、従来技術の乾燥モジュールは、基板を挟んで対向して配置された第１のノズルと第２のノズルを有し、第１のノズルは基板の表面に対して気体を噴射し、第２のノズルは基板の裏面に対して気体を噴射するように構成される。乾燥モジュールは、基板の表面および裏面の全体に対して気体を噴射できるように、基板が搬送されてくる少し前のタイミングで第１および第２のノズルから気体の噴射を開始する。したがって、基板がまだ搬送されてきていない状態では第１のノズルから噴射された気体と第２のノズルから噴射された気体とがぶつかり合い、その領域に乱流が発生する場合がある。この場合、乱流が発生している領域に基板が搬送されると、乱流によって基板の先端が上下にばたつき、基板が第１または第２のノズルに接触し、その結果、基板の乾燥が不完全になるおそれがある。

そこで、本願は、基板に対する気体の噴射に起因して生じる基板のばたつきを抑制することを１つの目的としている。

一実施形態によれば、基板を搬送するように構成された搬送機構と、前記搬送機構によって搬送される基板の表面に対して気体を噴射するように構成された第１の乾燥ノズルと、前記基板の搬送経路を挟んで前記第１の乾燥ノズルに対向して配置され、前記搬送機構によって搬送される基板の裏面に対して気体を噴射するように構成された第２の乾燥ノズルと、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の基板搬送上流側に隣接して配置された整流部材であって、前記搬送機構によって搬送される基板の表面または裏面に対向する第１の面と、前記第１の面の基板搬送下流側に接続され、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の側面に対向する第２の面と、を有する整流
部材と、を含む、乾燥モジュールが開示される。

一実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 一実施形態による搬送モジュールを模式的に示す側面図である。 一実施形態による搬送モジュールを示す斜視図である。 一実施形態による研磨モジュールを概略的に示す斜視図である。 一実施形態による乾燥モジュールを模式的に示す側面図である。 基板ＷＦのばたつきが生じる状態を模式的に示す図である。 一実施形態による整流部材を模式的に示す側面図である。 一実施形態による整流部材を模式的に示す斜視図および断面図である。 一実施形態による整流部材を模式的に示す斜視図である。 一実施形態による整流部材の変形例を模式的に示す斜視図および断面図である。

以下に、本発明に係る乾燥モジュールおよび基板処理装置の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。

図１は、一実施形態による基板処理装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、ロードモジュール１００、搬送モジュール２００、研磨モジュール３００、乾燥モジュール５００、およびアンロードモジュール６００を有する。図示の実施形態において、搬送モジュール２００は、２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂを有し、研磨モジュール３００は、２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂを有する。一実施形態において、これらの各モジュールは、独立に形成することができる。これらのモジュールを独立して形成することで、各モジュールの数を任意に組み合わせることで異なる構成の基板処理装置１０００を簡易に形成することができる。また、基板処理装置１０００は、制御装置９００を備え、基板処理装置１０００の各構成要素は制御装置９００により制御される。一実施形態において、制御装置９００は、入出力装置、演算装置、記憶装置などを備える一般的なコンピュータから構成することができる。

＜ロードモジュール＞
ロードモジュール１００は、研磨および洗浄などの処理が行われる前の基板ＷＦを基板処理装置１０００内へ導入するためのモジュールである。一実施形態において、ロードモジュール１００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。

図示の実施形態において、ロードモジュール１００の搬送機構は、複数の搬送ローラ２０２と、搬送ローラ２０２が取り付けられる複数のローラシャフト２０４とを有する。図１に示される実施形態においては、各ローラシャフト２０４には３つの搬送ローラ２０２が取り付けられている。基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上に配置され、搬送ローラ２０２が回転することで基板ＷＦが搬送される。ローラシャフト２０４上の搬送ローラ２０２の取り付け位置は、基板ＷＦを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ２０２は基板ＷＦに接触するので、処理対象である基板ＷＦに接触しても問題の無い領域に搬送ローラ２０２が接触するように配置すべきである。一実施形態において、ロードモジュール１００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから構成することができる。一実施形態において、搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２
０４などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦ上の電子デバイス等を損傷することを防止するためである。

＜搬送モジュール＞
図２は一実施形態による搬送モジュール２００を模式的に示す側面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂを備えている。２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して搬送モジュール２００として説明する。

図３は、一実施形態による搬送モジュール２００を示す斜視図である。なお、図３においては、図示の明瞭化のために、後述する上搬送ローラ２９０およびその駆動機構は省略している。図２および図３に示すように、搬送モジュール２００は、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ２０２を備えている。搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを所定の方向に搬送することができる。搬送モジュール２００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから形成されても、導電性のないポリマーから形成されてもよい。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４に取り付けられており、ギア２０６を介して、モータ２０８により駆動される。一実施形態において、モータ２０８はサーボモータとすることができ、ギア２０６は、歯車式とすることができるが、マグネットギアとすることもできる。また、図示の搬送モジュール２００は、搬送中の基板ＷＦの側面を支持するガイドローラ２１２を備える。

図２、３に示されるように、搬送モジュール２００はプッシャ２３０を有する。プッシャ２３０は、複数の搬送ローラ２０２の上にある基板ＷＦを、複数の搬送ローラ２０２から離れるように持ち上げることができるように構成される。またプッシャ２３０は、保持している基板ＷＦを搬送モジュール２００の搬送ローラ２０２に受け渡すことができるように構成される。

図２に示されるように、搬送モジュール２００は、ストッパ２２０を有する。ストッパ２２０は、ストッパ移動機構２２２に接続されており、ストッパ２２０は搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの搬送経路内に進入可能である。ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に位置しているときは、搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの側面がストッパ２２０に接触し、移動中の基板ＷＦをストッパ２２０の位置で停止させることができる。また、ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路から退避した位置にあるときは、基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上を移動することができる。ストッパ２２０による基板ＷＦの停止位置は、プッシャ２３０が搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取ることができる位置（基板受け渡し位置）である。

本実施形態の搬送モジュール２００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ２１６を有する。センサ２１６は任意の形式のセンサとすることができ、例えば光学式のセンサとすることができる。図２に示される実施形態においては、センサ２１６は搬送モジュール２００に７個（２１６ａ～２１６ｇ）設けられている。一実施形態において、これらのセンサ２１６ａ～２１６ｇによる基板ＷＦの検知に応じて、搬送モジュール２００の動作を制御することができる。図２に示されるように、搬送モジュール２００は、搬送モジュール２００内に基板ＷＦを受け入れるために開閉可能な入口シャッタ２１８を有する。

センサ２１６ａは、搬送モジュール２００の入口側に設けられる。センサ２１６ａによって基板ＷＦの後端が通過したことが確認されると、入口シャッタ２１８を閉じるようにすることができる。その後、センサ２１６ａの下流側に配置されたセンサ２１６ｂにより基板ＷＦの位置を監視しながら、搬送ローラ２０２で基板ＷＦが搬送される。このときス
トッパ移動機構２２２によりストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に移動されている。搬送ローラ２０２上を搬送されてきた基板ＷＦは、ストッパ２２０に接触して停止する。また、センサ２１６ｃはストッパ２２０の位置に配置されており、センサ２１６ｃにより基板ＷＦを検知すると搬送ローラ２０２の動作を停止する。ストッパ２２０の位置（基板受け渡し位置）で停止した基板ＷＦは、プッシャ２３０を介して、研磨モジュール３００のトップリング３０２に受け渡される。

図２、３に示される搬送モジュール２００は、洗浄機構を有する。図２、３に示されるように、洗浄機構は洗浄ノズル２８４を有する。洗浄ノズル２８４は、搬送ローラ２０２の上側に配置される上洗浄ノズル２８４ａと、下側に配置される下洗浄ノズル２８４ｂとを有する。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、図示しない洗浄液の供給源に接続される。上洗浄ノズル２８４ａは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの上面に洗浄液を供給するように構成される。下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの下面に洗浄液を供給するように構成される。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの幅と同程度、またはそれ以上の幅を備え、基板ＷＦが搬送ローラ２０２上を搬送されることで、基板ＷＦの全面が洗浄されるように構成される。図２、図３に示されるように、洗浄機構は、搬送モジュール２００の基板受け渡し領域よりも下流側に位置している。

図２に示されるように、プッシャ２３０による基板ＷＦの受け渡しが行われない領域において、搬送ローラ２０２の上には上搬送ローラ２９０が配置されている。上搬送ローラ２９０は、動力源に接続されており、回転可能に構成されている。一実施形態において、上搬送ローラ２９０は、搬送ローラ２０２と同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動されるように構成される。

＜研磨モジュール＞
図４は一実施形態による研磨モジュール３００を概略的に示す斜視図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂを備えている。２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して研磨モジュール３００として説明する。

図４に示されるように、研磨モジュール３００は、研磨テーブル３５０と、トップリング３０２と、を備える。研磨テーブル３５０は、テーブルシャフト３５１に支持される。研磨テーブル３５０は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＣで示すように、テーブルシャフト３５１の軸心周りに回転するようになっている。研磨テーブル３５０には、研磨パッド３５２が貼り付けられる。トップリング３０２は、基板ＷＦを保持して研磨パッド３５２に押圧する。トップリング３０２は、図示していない駆動源によって回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２に保持されて研磨パッド３５２に押圧されることによって研磨される。

図４に示されるように、研磨モジュール３００は、研磨パッド３５２に研磨液又はドレッシング液を供給するための研磨液供給ノズル３５４を備える。研磨液は、例えば、スラリである。ドレッシング液は、例えば、純水である。また、図４に示されるように、研磨テーブル３５０およびテーブルシャフト３５１には、研磨液を供給するための通路３５３が設けられている。通路３５３は、研磨テーブル３５０の表面の開口部３５５に連通している。研磨テーブル３５０の開口部３５５に対応する位置において研磨パッド３５２は貫通孔３５７が形成されており、通路３５３を通る研磨液は、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の表面に供給される。また、研磨モジュール３００は、研磨パッド３５２のコンディショニングを行うためのドレッサ３５６を備える。また、研磨モジュール３００は、液体、又は、液体と気体との
混合流体、を研磨パッド３５２に向けて噴射するためのアトマイザ３５８を備える。アトマイザ３５８から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。

トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４によって支持される。トップリング３０２は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＢで示すように、トップリングシャフト３０４の軸心周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト３０４は、図示しない駆動機構により、上下方向に移動可能である。

基板ＷＦは、トップリング３０２の研磨パッド３５２と対向する面に真空吸着によって保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３５４から、および／または研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の研磨面に研磨液が供給される。また、研磨時には、研磨テーブル３５０及びトップリング３０２が回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２によって研磨パッド３５２の研磨面に押圧されることによって研磨される。

図４に示されるように、トップリングシャフト３０４は、アーム３６０に連結されており、アーム３６０は、回転軸３６２を中心に揺動可能である。基板ＷＦの研磨中に、トップリング３０２が研磨パッド３５２の中心を通過するように、アーム３６０を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板ＷＦの研磨中に、基板ＷＦが研磨パッド３５２の貫通孔３５７を覆うようにアーム３６０を固定または揺動させてもよい。図１に示されるように、揺動可能なアーム３６０により、トップリング３０２は、搬送モジュール２００の方へ移動可能である。トップリング３０２が搬送モジュール２００の基板受け渡し位置に移動することで、トップリング３０２は、プッシャ２３０から基板ＷＦを受け取ることができる。また、トップリング３０２は、研磨モジュール３００での基板ＷＦの研磨後に、プッシャ２３０に基板ＷＦを受け渡すことができる。

＜乾燥モジュール＞
乾燥モジュール５００は、基板ＷＦを乾燥させるための装置である。図１に示される基板処理装置１０００においては、乾燥モジュール５００は、研磨モジュール３００で研磨された後に、搬送モジュール２００の洗浄機構で洗浄された基板ＷＦを乾燥させるためのモジュールである。図１に示されるように、乾燥モジュール５００は、搬送モジュール２００の下流に配置される。

図５は、一実施形態による乾燥モジュール５００を模式的に示す側面図である。乾燥モジュール５００は、基板ＷＦを搬送するように構成された搬送機構２１０を含む。搬送機構２１０は、基板ＷＦの搬送経路の下側において基板ＷＦの搬送方向（図５中、矢印ＡＡで示す）に沿って間隔をあけて配置された回転可能な複数のローラシャフト２０４を含む。また、搬送機構２１０は、基板ＷＦの搬送経路の上側において基板ＷＦの搬送方向（図５中、矢印ＡＡで示す）に沿って間隔をあけて配置された回転可能な複数の上ローラシャフト２９１を含む。搬送機構２１０は、複数のローラシャフト２０４にそれぞれ取り付けられており、基板ＷＦの表面（下面）を支持して搬送するように構成された搬送ローラ２０２を含む。また、搬送機構２１０は、複数の上ローラシャフト２９１にそれぞれ取り付けられており、搬送ローラ２０２とともに基板ＷＦを挟持して搬送するように構成された上搬送ローラ２９０を含む。

一実施形態において、乾燥モジュール５００の搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０は、導電性ポリマーから構成することができる。搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０は、ローラシャフト２０４および上ローラシャフト２９１などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０は、搬送モジュール２００において説明したものと同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動されるので、構造および駆動機
構の詳細な説明を省略する。なお、本実施形態では、搬送機構２１０は、基板ＷＦの表面（被研磨面）が下を向いた状態で基板ＷＦを搬送する例を示したが、これに限らず、基板ＷＦの搬送時の基板ＷＦの向きは任意である。

図５に示される実施形態において、乾燥モジュール５００は、搬送機構２１０によって搬送される基板ＷＦに向けて気体を噴射するための乾燥ノズル５３０を有する。気体は、例えば圧縮された空気または窒素とすることができる。図示の実施形態において、乾燥ノズル５３０は、基板搬送路の下側に配置される第１の乾燥ノズル（下ノズル）５３０ａと、基板搬送路の上側に配置される第２の乾燥ノズル（上ノズル）５３０ｂと、を有する。第１の乾燥ノズル５３０ａは、搬送機構２１０によって搬送される基板ＷＦの表面（下面）に気体を噴射するように配置される。また、第２の乾燥ノズル５３０ｂは、搬送機構２１０によって搬送される基板ＷＦの裏面（上面）に気体を噴射するように配置される。

第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂは、それぞれローラシャフト２０４、２９１と平行に伸びており、搬送される基板ＷＦの幅と同程度あるいはそれ以上の幅を有する。第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂは、基板ＷＦの幅程度に伸びるスリット状の気体供給口を有し得る。これにより、第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂは、基板ＷＦの全体に渡って気体を噴きつけることができる。乾燥モジュール５００は、第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂを用いて基板ＷＦ上の水滴を吹き飛ばすことにより、基板ＷＦを乾燥させることができる。

図５に示される実施形態では第１の乾燥ノズル５３０ａは、基板ＷＦの搬送方向の上流側から順番に３個の第１の乾燥ノズル５３０ａ－１，５３０ａ－２，５３０ａ－３を含む。第１の乾燥ノズル５３０ａ－１，５３０ａ－２，５３０ａ－３はそれぞれ、隣接する搬送ローラ２０２間に配置される。また、第２の乾燥ノズル５３０ｂは、基板ＷＦの搬送方向の上流側から順番に３個の第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１，５３０ｂ－２，５３０ｂ－３を含む。第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１，５３０ｂ－２，５３０ｂ－３はそれぞれ、隣接する上搬送ローラ２９０間に配置される。このように本実施形態では第１の乾燥ノズル５３０ａと第２の乾燥ノズル５３０ｂとの対が３対設けられているが、第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂの対の数は任意である。また、本実施形態では第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂから噴射される気体は、水滴除去効果を高めるために基板ＷＦの搬送方向に対して逆らう方向を向いている。また、本実施形態では、第１の乾燥ノズル５３０ａと第２の乾燥ノズル５３０ｂの傾斜角度は基板ＷＦの搬送経路に対して線対称としているが、これに限らず、両者の傾斜角度は水滴除去効果を高めるために異ならせてもよい。

図５に示されるように、乾燥モジュール５００の入口側には、入口シャッタ５０２が配置される。入口シャッタ５０２は、開閉可能に構成される。また、乾燥モジュール５００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ５０４を有する。センサ５０４は任意の形式のセンサとすることができ、例えば光学式のセンサとすることができる。図５に示される実施形態においては、センサ５０４は乾燥モジュール５００に３個（５０４ａ～５０４ｃ）設けられている。一実施形態において、これらのセンサ５０４ａ～５０４ｃによる基板ＷＦの検知に応じて、乾燥モジュール５００の動作を制御することができる。例えば、乾燥モジュール５００は、センサ５０４ｂによって基板ＷＦの先端が検知されたら乾燥ノズル５３０から気体の噴射を開始するように構成される。

一実施形態において、乾燥モジュール５００は、図５に示されるように、出口側に出口シャッタ５４０が配置されている。出口シャッタ５４０は、開閉可能に構成される。乾燥
モジュール５００により基板ＷＦが乾燥されると、出口シャッタ５４０を開いて乾燥後の基板ＷＦを乾燥モジュール５００の外へ搬送することができる。

乾燥モジュール５００においては、第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂから基板ＷＦに対して気体を噴射することに起因して基板ＷＦのばたつきが生じる場合がある。図６は、基板ＷＦのばたつきが生じる状態を模式的に示す図である。乾燥モジュール５００は、基板ＷＦの表面および裏面の全体に対して気体を噴射できるように、搬送方向（図６中、矢印ＡＡで示す）に沿って搬送されてきた基板ＷＦの先端がセンサ５０４ｂによって検知されたら乾燥ノズル５３０から気体の噴射を開始するように構成される。これにより、乾燥モジュール５００は、基板ＷＦが乾燥ノズル５３０による乾燥領域に搬送されてくる少し前のタイミングで第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂから気体の噴射を開始する。すると、基板ＷＦがまだ搬送されてきていない状態では、例えば第１の乾燥ノズル５３０ａ－１から噴射された気体と第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１から噴射された気体とがぶつかり合う領域５５０に乱流が発生する場合がある。この場合、図６に示すように、乱流が発生している領域５５０に基板ＷＦが搬送されると、乱流によって基板ＷＦの先端が上下にばたつくおそれがある。特に近年は基板ＷＦの薄型化が進む傾向があり、基板ＷＦのばたつきは発生し易い。基板ＷＦの先端がばたつくと基板ＷＦが第１の乾燥ノズル５３０ａまたは第２の乾燥ノズル５３０ｂに接触し、その結果、基板ＷＦの乾燥が不完全になるおそれがある。

これに対して本実施形態の乾燥モジュール５００は、整流部材を用いて基板ＷＦのばたつきを抑制している。図７は、一実施形態による整流部材５６０を模式的に示す側面図である。図８は、一実施形態による整流部材５６０を模式的に示す斜視図および断面図である。図８（Ａ）は、整流部材５６０の背面側の斜視図であり、図８（Ｂ）は、整流部材５６０の正面側の斜視図であり、図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）のＣ－Ｃ線における断面図である。図９は、一実施形態による整流部材５６０を模式的に示す斜視図である。なお、図６，７においては、図示の明瞭化のために、第１の乾燥ノズル５３０ａ－３、第２の乾燥ノズル５３０ｂ－３、およびこれらの前方のローラシャフト２０４、搬送ローラ２０２、上ローラシャフト２９１、上搬送ローラ２９０を省略している。

図７から図９に示すように、整流部材５６０は、ローラシャフト２０４と平行に伸びる棒状部材であり、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部の基板搬送上流側に隣接して配置されている。整流部材５６０は、搬送ローラ２０２および上搬送ローラ２９０によって搬送方向（図７中、矢印ＡＡで示す）に沿って搬送される基板ＷＦの表面（被研磨面である下面）に対向する第１の面（上面）５６０－１と、第１の面５６０－１の基板搬送下流側に接続されており、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部の側面に対向するように下側に向かって伸びる第２の面（下流側側面）５６０－２と、を有する。また、整流部材５６０は、第１の面５６０－１の基板搬送上流側に接続されており下側に向かって伸びる第３の面（上流側側面）５６０－３と、第２の面５６０－２の下端および第３の面５６０－３の下端に接続された第４の面（底面）５６０－４と、を有する。本実施形態において第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部の側面は、先端に向けて先細りするテーパ面５３０ａ－１ａを有して形成されている。整流部材５６０の第２の面５６０－２は、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１のテーパ面５３０ａ－１ａと平行に対向する平行面５６０－２ａを含む。

これにより、基板ＷＦの表面と第１の面５６０－１との間に第１の流路５６４が形成される。また、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端のテーパ面５３０ａ－１ａと第２の面５６０－２（平行面５６０－２ａ）との間に第２の流路５６６が形成される。第１の流路５６４および第２の流路５６６は、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１から噴射された気体と第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１から噴射された気体とがぶつかり合う領域５５０に連通している。領域５５０においては気体がぶつかり合い圧力が高くなるので、領域５５０から
第１の流路５６４および第２の流路５６６を介して気体が流れることによって領域５５０の乱流が整流される。その結果、本実施形態の乾燥モジュール５００によれば、領域５５０における乱流の発生が抑制されるので、基板ＷＦに対する気体の噴射に起因して生じる基板ＷＦのばたつきを抑制することができる。

なお、本実施形態では、整流部材５６０が第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部に対してのみ基板搬送上流側の近傍に隣接して配置される例を示したが、これに限定されず、整流部材５６０は、第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１の先端部の基板搬送上流側にのみ隣接して配置されてもよい。また、整流部材５６０は、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１の先端部に隣接して、かつ、第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１の先端部に隣接してそれぞれ設けられてもよい。

また、本実施形態では、第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂの対が、基板ＷＦの搬送方向に沿って複数対（３対）設けられている。本実施形態では、整流部材５６０は、複数対の第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂのうちの基板ＷＦの搬送方向における最上流の対に対してのみ設けられている。これは、基板ＷＦの搬送方向における最上流の対において乱流による基板ＷＦのばたつきが発生しやすいためである。しかしながら、本実施形態に限定されず、整流部材５６０は、複数対の第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂのそれぞれに対して設けられていてもよい。

また、図７から図９に示すように、整流部材５６０の第１の面５６０－１の基板搬送方向における寸法は、隣接するローラシャフト２０４間の間隔よりも小さく形成されている。また、図７から図９に示すように、第３の面５６０－３は、整流部材５６０の基板搬送上流側に隣接する複数の搬送ローラ２０２の配置位置に対応する位置に複数の搬送ローラ２０２の形状に対応する形状の溝５６２を有する。整流部材５６０の基板搬送上流側に隣接する複数の搬送ローラ２０２は、搬送ローラ２０２の外周部が第３の面５６０－３の溝５６２内に位置するように配置される。整流部材５６０をこのように構成することによって、乾燥モジュール５００を大型化させることなく乾燥性能を向上させることができる。すなわち、近年、基板ＷＦは厚みが薄くなるとともに大型化しているので、搬送中の基板ＷＦの撓みを防止するためにローラシャフト２０４間の間隔は狭くなっている。したがって、基板搬送方向における寸法が大きな整流部材を用いようとすると整流部材が搬送ローラ２０２に干渉するので好ましくない。これに対して、本実施形態のような整流部材５６０を用いることによって、搬送ローラ２０２と乾燥ノズル５３０を近接して配置できるため、大きくて薄い基板でも乾燥ノズル５３０からの風圧に負けずに安定して基板ＷＦを搬送することができる。また、整流部材５６０を設けることによって乱流の発生を抑制することができるので、第１の乾燥ノズル５３０ａおよび第２の乾燥ノズル５３０ｂから噴射される気体の流量または圧力を増加させることができ、その結果、乾燥性能を向上させることができる。

図１０は、一実施形態による整流部材５６０の変形例を模式的に示す斜視図および断面図である。図１０（Ａ）は、変形例の整流部材５７０の斜視図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＢ－Ｂ線における断面図である。図１０（Ｃ）は、変形例の整流部材５８０の斜視図であり、図１０（Ｄ）は、図１０（Ｃ）のＤ－Ｄ線における断面図である。図７から図９において説明した整流部材５６０と同様の構成については説明を省略する。

図１０（Ａ），図１０（Ｂ）に示すように、変形例の整流部材５７０は、第２の面５７０－２に開口し、整流部材５７０の内部を通って第３の面５７０－３に開口する複数の丸穴５７２を有していてもよい。複数の丸穴５７２は、整流部材５７０の伸びる方向に沿って所定の間隔で整列して配置され、第２の面５７０－２と第３の面５７０－３とを直線状
に貫通するように形成される。また、図１０（Ｃ），図１０（Ｄ）に示すように、変形例の整流部材５８０は、第２の面５８０－２に開口し、整流部材５８０の内部を通って第３の面５８０－３に開口する複数（本変形例では３個）の長穴５８２を有していてもよい。複数の長穴５８２は、整流部材５８０の伸びる方向に沿って所定の間隔で整列して配置され、第２の面５８０－２と第３の面５８０－３とを直線状に貫通するように形成される。

本変形例によれば、丸穴５７２または長穴５８２は、第１の乾燥ノズル５３０ａ－１から噴射された気体と第２の乾燥ノズル５３０ｂ－１から噴射された気体とがぶつかり合う領域５５０に連通する第３の流路５６８となる。したがって、領域５５０に発生し得る乱流は、第１の流路５６４、第２の流路５６６、および第３の流路５６８を介して気体が流れることによって整流されるので、領域５５０における乱流の発生が抑制され、基板ＷＦのばたつきをより抑制することができる。なお、本実施形態では丸穴５７２は、第２の面５７０－２と第３の面５７０－３とを貫通するように形成されているが、これに限られない。丸穴５７２は、第１の面５７０－１または第２の面５７０－２に開口し、整流部材５７０の内部を通って第１の面５７０－１または第２の面５７０－２以外の面、例えば、第３の面５７０－３または第４の面５７０－４に開口してもよい。長穴５８２についても同様である。

また、図１０に示すように、整流部材５７０の第１の面５７０－１は、基板搬送下流側から基板搬送上流側に向かって高さが低くなるように傾斜させてもよい。第１の面５７０－１をこのように傾斜させることによって、基板ＷＦから第１の面５７０－１に吹き飛ばされた水滴を流れ落ち易くすることができる。整流部材５８０の第１の面５８０－１についても同様である。

＜アンロードモジュール＞
アンロードモジュール６００は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板ＷＦを基板処理装置１０００の外へ搬出するためのモジュールである。図１に示される基板処理装置１０００においては、アンロードモジュール６００は、乾燥モジュール５００で乾燥された後の基板を受け入れる。図１に示されるように、アンロードモジュール６００は、乾燥モジュール５００の下流に配置される。一実施形態において、アンロードモジュール６００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

本願は、一実施形態として、基板を搬送するように構成された搬送機構と、前記搬送機構によって搬送される基板の表面に対して気体を噴射するように構成された第１の乾燥ノズルと、前記基板の搬送経路を挟んで前記第１の乾燥ノズルに対向して配置され、前記搬送機構によって搬送される基板の裏面に対して気体を噴射するように構成された第２の乾燥ノズルと、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の基板搬送上流側に隣接して配置された整流部材であって、前記搬送機構によって搬送される基板の表面または裏面に対向する第１の面と、前記第１の面の基板搬送下流側に接続され、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の側面に対向する第２の面と、を有する整流部材と、を含む、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記整流部材は、前記第１の乾燥
ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルのいずれか一方の先端部の基板搬送上流側にのみ隣接して配置される、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記搬送機構は、前記基板の搬送方向に沿って間隔をあけて配置された複数のローラシャフトと、前記複数のローラシャフトのそれぞれに取り付けられ前記基板を搬送するように構成された複数のローラと、を含んで構成され、
前記整流部材の前記第１の面の基板搬送方向における寸法は、前記複数のローラシャフトの隣接するローラシャフト間の間隔よりも小さい、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記整流部材は、前記第１の面の基板搬送上流側に接続された第３の面を含み、前記第３の面は、前記複数のローラの配置位置に対応する位置に前記複数のローラの形状に対応する形状の溝を有する、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記整流部材は、前記第１の面または前記第２の面に開口し、前記整流部材の内部を通って前記第１の面または前記第２の面以外の面に開口する穴を有する、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の面は、基板搬送下流側から基板搬送上流側に向かって高さが低くなるように傾斜して形成される、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の側面は、先端に向けて先細りするテーパ面を有し、前記整流部材の前記第２の面は、前記テーパ面と平行に対向する平行面を含む、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の乾燥ノズルおよび前記第２の乾燥ノズルの対は、前記基板の搬送方向に沿って複数対設けられ、前記整流部材は、前記複数対の前記第１の乾燥ノズルおよび前記第２の乾燥ノズルのうちの前記基板の搬送方向における最上流の対の前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端の近傍に配置される、乾燥モジュールを開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、基板を研磨するように構成された研磨モジュールと、前記研磨モジュールによって研磨された基板を搬送するように構成された搬送モジュールと、前記搬送モジュールによって搬送された基板を乾燥させるように構成された上記に記載のいずれかの乾燥モジュールと、を含む、基板処理装置を開示する。

２０２ 搬送ローラ
２０４ ローラシャフト
２１０ 搬送機構
２９０ 上搬送ローラ
２９１ 上ローラシャフト
５００ 乾燥モジュール
５３０ 乾燥ノズル
５３０ａ－１，５３０ａ－２，５３０ａ－３ 第１の乾燥ノズル
５３０ａ－１ａ テーパ面
５３０ｂ－１，５３０ｂ－２，５３０ｂ－３ 第２の乾燥ノズル
５６０，５７０，５８０ 整流部材
５６０－１ 第１の面
５６０－２ 第２の面
５６０－２ａ 平行面
５６０－３ 第３の面
５６０－４ 第４の面
５６２ 溝
５６４ 第１の流路
５６６ 第２の流路
５６８ 第３の流路
５７２ 丸穴
５８２ 長穴
１０００ 基板処理装置
ＷＦ 基板

Claims (9)

1. 基板を搬送するように構成された搬送機構と、
   前記搬送機構によって搬送される基板の表面に対して気体を噴射するように構成された第１の乾燥ノズルと、
   前記基板の搬送経路を挟んで前記第１の乾燥ノズルに対向して配置され、前記搬送機構によって搬送される基板の裏面に対して気体を噴射するように構成された第２の乾燥ノズルと、
   前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の基板搬送上流側に隣接して配置された整流部材であって、前記搬送機構によって搬送される基板の表面または裏面に対向する第１の面と、前記第１の面の基板搬送下流側に接続され、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の側面に対向する第２の面と、を有する整流部材と、
   を含む、乾燥モジュール。
2. 前記整流部材は、前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルのいずれか一方の先端部の基板搬送上流側にのみ隣接して配置される、
   請求項１に記載の乾燥モジュール。
3. 前記搬送機構は、前記基板の搬送方向に沿って間隔をあけて配置された複数のローラシャフトと、前記複数のローラシャフトのそれぞれに取り付けられ前記基板を搬送するように構成された複数のローラと、を含んで構成され、
   前記整流部材の前記第１の面の基板搬送方向における寸法は、前記複数のローラシャフトの隣接するローラシャフト間の間隔よりも小さい、
   請求項１または２に記載の乾燥モジュール。
4. 前記整流部材は、前記第１の面の基板搬送上流側に接続された第３の面を含み、
   前記第３の面は、前記複数のローラの配置位置に対応する位置に前記複数のローラの形状に対応する形状の溝を有する、
   請求項３に記載の乾燥モジュール。
5. 前記整流部材は、前記第１の面または前記第２の面に開口し、前記整流部材の内部を通って前記第１の面または前記第２の面以外の面に開口する穴を有する、
   請求項１から４のいずれか一項に記載の乾燥モジュール。
6. 前記搬送機構は、前記基板の表面を下に向けた状態で前記基板を搬送するように構成され、
   前記整流部材は、前記第１の乾燥ノズルの先端部の基板搬送上流側に隣接して配置され、
   前記第１の面は、基板搬送下流側から基板搬送上流側に向かって高さが低くなるように傾斜して形成される、
   請求項１から５のいずれか一項に記載の乾燥モジュール。
7. 前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端部の側面は、先端に向けて先細りするテーパ面を有し、
   前記整流部材の前記第２の面は、前記テーパ面と平行に対向する平行面を含む、
   請求項１から６のいずれか一項に記載の乾燥モジュール。
8. 前記第１の乾燥ノズルおよび前記第２の乾燥ノズルの対は、前記基板の搬送方向に沿って複数対設けられ、
   前記整流部材は、前記複数対の前記第１の乾燥ノズルおよび前記第２の乾燥ノズルのうちの前記基板の搬送方向における最上流の対の前記第１の乾燥ノズルまたは前記第２の乾燥ノズルの先端の近傍に配置される、
   請求項１から７のいずれか一項に記載の乾燥モジュール。
9. 基板を研磨するように構成された研磨モジュールと、
   前記研磨モジュールによって研磨された基板を搬送するように構成された搬送モジュールと、
   前記搬送モジュールによって搬送された基板を乾燥させるように構成された請求項１から８のいずれか一項に記載の乾燥モジュールと、
   を含む、基板処理装置。

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