JP2022037423A - 半導体製造装置、測定装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
処理室を形成する筐体と、
前記処理室内でウェハに所定の処理を施す処理装置と、
搬送室を形成する筐体と、
前記搬送室内に配置され、前記ウェハを搬送する搬送機構と、
前記搬送室を形成する前記筐体に取り付けられた複数のロードポートと、
前記複数のロードポートのうちの少なくとも一つに着脱自在に気密状に取り付けられ、前記ウェハが格納される搬送容器と、
測定室を形成する筐体および前記測定室内に配置された測定器を備え、前記搬送容器が取り付けられるロードポートとは異なるロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられ、前記所定の処理が施された前記ウェハの状態を前記測定室内で前記測定器によって測定する測定装置とを備え、
前記搬送機構は、前記搬送容器から搬出した前記ウェハを前記処理室内に搬入し、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理室から搬出して前記測定室内に搬入する。
搬送室内に配置された搬送機構によって、複数のロードポートのうちの少なくとも一つに着脱自在に気密状に取り付けられた搬送容器からウェハを搬出し、当該ウェハを処理装置の処理室内に搬入する工程と、
前記処理装置によって、前記ウェハに所定の処理を施す工程と、
前記搬送機構によって、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理室から搬出し、当該搬出されたウェハを、前記搬送容器が取り付けられるロードポートとは異なるロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられた測定装置の測定室内に搬入する工程と、
前記測定装置によって、前記測定室内の前記ウェハの状態を測定する工程とを行う。
前記複数のロードポートのそれぞれは、第2接続部を備えてもよく、前記搬送室内と前記搬送室外とを連通する第2開口部を有してもよく、
前記第1接続部と前記第2接続部とが、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して前記測定室内と前記搬送室内とが連通するように気密状に接続可能に構成されていてもよく、
前記搬送機構は、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記測定室内に搬入するとともに、前記状態が測定された前記ウェハを前記測定室から搬出してもよい。
前記測定装置は、前記第1開口部を塞ぐ蓋体を備えてもよく、
前記第1接続部の形状が前記第3接続部の形状と同一または実質的に同一であり、且つ、前記測定装置の前記蓋体の形状が前記搬送容器の前記蓋体の形状と同一または実質的に同一であってもよい。
前記測定室内の気体が前記排気口を介して排出され、当該測定室内の気圧が前記搬送室内の気圧よりも陰圧になるように構成されていてもよい。
前記ウェハが載置された状態で前記ウェハを固定するチャックと、
前記チャックが固定される回転ステージと、
前記ウェハを受け取る受け取り位置と、前記ウェハの状態を測定する測定位置とに前記回転ステージを移動させるリニアステージとを備えてもよく、
前記搬送機構は、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理装置から搬出し、前記受け取り位置に移動した前記回転ステージ上の前記チャックに前記ウェハを載置してもよい。
前記測定装置は、前記ウェハ上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置を含んでもよい。
半導体製造装置のロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられる測定装置であって、
測定室を形成する筐体と、
前記測定室内に配置され、ウェハの状態を測定する測定器とを備える。
前記筐体に形成され、前記測定室内と前記測定室外とを連通する第1開口部と、
前記ロードポートが備える第2接続部に、前記第1開口部と前記ロードポートが備える第2開口部とを介して前記測定室内と前記半導体製造装置の搬送室内とが連通するように気密状に接続可能に構成された第1接続部と、
前記第1開口部を塞ぐ蓋体とを備えてもよい。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体製造装置1は、気密状の処理室3aを形成する筐体3と、処理室3a内でウェハWに所定の処理を施す処理装置2とを備えている。処理装置2と筐体3は一体に構成されていてもよい。また、半導体製造装置1は、気密状の搬送室6a内に配置され、ウェハWを搬送する搬送機構5と、搬送室6aを形成する筐体6に取り付けられた複数のロードポート10a,10b,10c,10dとを備えている。加えて、半導体製造装置1は、複数のロードポート10a,10b,10c,10dのうちの三つのロードポート10a,10b,10cに着脱自在に気密状に取り付けられ、ウェハWが格納される気密状の3つの搬送容器17a,17b,17cを備えている。更に、半導体製造装置1は、測定室26aを形成する筐体26及び測定室26a内に配置された測定器35を備えた測定装置25を備えている。この測定装置25は、搬送容器17a,17b,17cが取り付けられるロードポート10a,10b,10cとは異なるロードポート10dに着脱自在に気密状に取り付けられ、所定の処理が施されたウェハWの状態を気密状の測定室26a内で測定器35によって測定する。
更に、本実施形態においては、半導体製造装置1とは別に、測定装置25で測定されたデータが送信される外部機器G(例えばコンピュータ)が設置されている。
尚、本実施形態では、処理装置2がウェハWに成膜処理を施す成膜装置であり、測定装置25がウェハWに形成された膜の厚みを測定する膜厚測定装置である場合を例にとって説明する。
図7~図12に示すように、本実施形態における測定装置25は、前面に第1開口部26bが形成され、測定室26aを形成する筐体26と、第1開口部26bを取り囲むように筐体26の前面側に設けられ、第1開口部26bよりも開口面積が小さい開口部27aが形成された枠形状の第1接続部27と、第1開口部26bを塞ぐ矩形板状の蓋体28と、ウェハWの膜厚を測定するための測定器35とを備えている。尚、筐体26の下面には、スライドテーブル13の3つの凸部13aに対応する凹部が形成された3つの位置決め部材26cが設けられている。
本実施形態に係る半導体製造方法は、搬送室6a内に配置された搬送機構5によって、複数のロードポート10a,10b,10c,10dのうちの少なくとも1つのロードポート10aに着脱自在に気密状に取り付けられた搬送容器17aからウェハWを搬出し、当該ウェハWを処理装置2の処理室3a内に搬入する工程と、処理装置2によって、ウェハWに所定の処理(成膜処理)を施す工程と、搬送機構5によって、成膜処理が施されたウェハWを処理室3aから搬出し、当該ウェハWを、搬送容器17aが取り付けられたロードポート10aとは異なるロードポート10dに着脱自在に取り付けられた測定装置25の測定室26a内に搬入する工程と、測定装置25によって、ウェハWの状態(膜厚)を測定する工程とを行う。以下、図13~16を参照しつつ、測定装置25をロードポート10dに取り付けて、測定室26a内にウェハWを搬入可能な状態にする過程(設置過程)と、処理装置2によって成膜処理が施されたウェハWを測定する過程(測定過程)と、ウェハアライメントを行う過程(ウェハアライメント過程)と、測定装置25をロードポート10dから取り外す過程(取り外し過程)とについて説明する。
〔1〕上記実施形態では、処理装置2が成膜装置、測定装置25が膜厚測定装置である態様としたが、これに限られるものではなく、例えば、処理装置として、エッチング装置や化学機械研磨装置を採用してもよいし、測定装置として、各種顕微鏡などを備えた欠陥検査装置を採用してもよい。
2 :処理装置
3a :処理室
5 :搬送機構
6a :搬送室
10a,10b,10c,10d:ロードポート
11a :第2開口部
14 :第2接続部
17a,17b,17c:搬送容器
18a :第3開口部
19 :第3接続部
20 :蓋体
25 :測定装置
26a :測定室
26b :第1開口部
27 :第1接続部
28 :蓋体
29 :チャック
30 :回転ステージ
31 :リニアステージ
35 :測定器
35a :送信機(送信装置)
40 :排気装置
W :ウェハ
処理室を形成する筐体と、
前記処理室内でウェハに所定の処理を施す処理装置と、
搬送室を形成する筐体と、
前記搬送室内に配置され、前記ウェハを搬送する搬送機構と、
前記搬送室を形成する前記筐体に取り付けられた複数のロードポートと、
前記複数のロードポートのうちの少なくとも一つに着脱自在に気密状に取り付けられ、前記ウェハが格納される搬送容器と、
測定室を形成する筐体および前記測定室内に配置された膜厚センサおよび回転ステージを備え、前記搬送容器が取り付けられるロードポートとは異なるロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられ、前記所定の処理が施された前記ウェハの状態を前記測定室内の前記回転ステージ上で前記膜厚センサによって測定する測定装置とを備え、
前記搬送機構は、前記搬送容器から搬出した前記ウェハを前記処理室内に搬入し、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理室から搬出して前記測定室内に搬入し、
前記測定装置は、前記測定の前に、前記回転ステージが所定の角度範囲で前記ウェハを回転させながら前記膜厚センサが特定波長範囲の反射光量を測定することにより、ウェハアライメントを行う。
搬送室内に配置された搬送機構によって、複数のロードポートのうちの少なくとも一つに着脱自在に気密状に取り付けられた搬送容器からウェハを搬出し、当該ウェハを処理装置の処理室内に搬入する工程と、
前記処理装置によって、前記ウェハに所定の処理を施す工程と、
前記搬送機構によって、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理室から搬出し、当該搬出されたウェハを、前記搬送容器が取り付けられるロードポートとは異なるロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられた測定装置の測定室内に搬入する工程と、
前記測定装置が備える膜厚センサによって、前記測定室内の回転ステージ上の前記ウェハの状態を測定する工程と、
前記測定の前に、前記回転ステージによって所定の角度範囲で前記ウェハを回転させながら、前記膜厚センサによって特定波長範囲の反射光量を測定することにより、ウェハアライメントを行う工程とを行う。
前記回転ステージ上に固定され、前記ウェハが載置された状態で前記ウェハを固定するチャックと、
前記ウェハを受け取る受け取り位置と、前記ウェハの状態を測定する測定位置とに前記回転ステージを移動させるリニアステージとを備えており、
前記搬送機構は、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理装置から搬出し、前記受け取り位置に移動した前記回転ステージ上の前記チャックに前記ウェハを載置してもよい。
半導体製造装置のロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられる測定装置であって、
測定室を形成する筐体と、
前記測定室内に配置された回転ステージと、
前記測定室内に配置され、前記回転ステージ上のウェハの状態を測定する膜厚センサとを備え、
前記測定の前に、前記回転ステージが所定の角度範囲で前記ウェハを回転させながら前記膜厚センサが特定波長範囲の反射光量を測定することにより、ウェハアライメントを行う。
Claims (12)
- 処理室を形成する筐体と、
前記処理室内でウェハに所定の処理を施す処理装置と、
搬送室を形成する筐体と、
前記搬送室内に配置され、前記ウェハを搬送する搬送機構と、
前記搬送室を形成する前記筐体に取り付けられた複数のロードポートと、
前記複数のロードポートのうちの少なくとも一つに着脱自在に気密状に取り付けられ、前記ウェハが格納される搬送容器と、
測定室を形成する筐体および前記測定室内に配置された測定器を備え、前記搬送容器が取り付けられるロードポートとは異なるロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられ、前記所定の処理が施された前記ウェハの状態を前記測定室内で前記測定器によって測定する測定装置とを備え、
前記搬送機構は、前記搬送容器から搬出した前記ウェハを前記処理室内に搬入し、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理室から搬出して前記測定室内に搬入する半導体製造装置。 - 前記測定装置は、第1接続部を備え、
前記測定室を形成する前記筐体は、前記測定室内と前記測定室外とを連通する第1開口部を有し、
前記複数のロードポートのそれぞれは、第2接続部を備え、前記搬送室内と前記搬送室外とを連通する第2開口部を有し、
前記第1接続部と前記第2接続部とが、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して前記測定室内と前記搬送室内とが連通するように気密状に接続可能に構成されており、
前記搬送機構は、前記第1開口部及び前記第2開口部を介して、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記測定室内に搬入するとともに、前記状態が測定された前記ウェハを前記測定室から搬出する請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記第1開口部の開口面積は、前記第2開口部の開口面積よりも小さい請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記搬送容器は、前記搬送容器内と前記搬送容器外とを連通する第3開口部を有し、前記第3開口部を塞ぐ蓋体と、前記第2接続部と接続自在な第3接続部とを備え、
前記測定装置は、前記第1開口部を塞ぐ蓋体を備え、
前記第1接続部の形状が前記第3接続部の形状と同一または実質的に同一であり、且つ、前記測定装置の前記蓋体の形状が前記搬送容器の前記蓋体の形状と同一または実質的に同一である請求項2又は3に記載の半導体製造装置。 - 前記測定装置は、前記測定室内の気体が排気される排気口を備えており、
前記測定室内の気体が前記排気口を介して排出され、当該測定室内の気圧が前記搬送室内の気圧よりも陰圧になるように構成されている請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記排気口に接続した排気装置を備える請求項5に記載の半導体製造装置。
- 前記測定装置は、
前記ウェハが載置された状態で前記ウェハを固定するチャックと、
前記チャックが固定される回転ステージと、
前記ウェハを受け取る受け取り位置と、前記ウェハの状態を測定する測定位置とに前記回転ステージを移動させるリニアステージとを備えており、
前記搬送機構は、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理装置から搬出し、前記受け取り位置に移動した前記回転ステージ上の前記チャックに前記ウェハを載置する請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記所定の処理は、前記ウェハ上への成膜処理を含み、
前記測定装置は、前記ウェハ上の膜の厚さを測定する膜厚測定装置を含む請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体製造装置。 - 前記測定装置で測定されたデータを外部機器に送信する送信装置を備える請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
- 半導体製造装置のロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられる測定装置であって、
測定室を形成する筐体と、
前記測定室内に配置され、ウェハの状態を測定する測定器とを備えた測定装置。 - 前記筐体は、前記測定室内と前記測定室外とを連通する第1開口部を有し、
前記ロードポートが備える第2接続部に、前記第1開口部と前記ロードポートが備える第2開口部とを介して前記測定室内と前記半導体製造装置の搬送室内とが連通するように気密状に接続可能に構成された第1接続部と、
前記第1開口部を塞ぐ蓋体とを備えている請求項10に記載の測定装置。 - 搬送室内に配置された搬送機構によって、複数のロードポートのうちの少なくとも一つに着脱自在に気密状に取り付けられた搬送容器からウェハを搬出し、当該ウェハを処理装置の処理室内に搬入する工程と、
前記処理装置によって、前記ウェハに所定の処理を施す工程と、
前記搬送機構によって、前記所定の処理が施された前記ウェハを前記処理室から搬出し、当該搬出されたウェハを、前記搬送容器が取り付けられるロードポートとは異なるロードポートに着脱自在に気密状に取り付けられた測定装置の測定室内に搬入する工程と、
前記測定装置によって、前記測定室内の前記ウェハの状態を測定する工程とを行う半導体製造方法。
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