JP2022032873A - 光電変換素子及び光センサー - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献2には、波長700~1000nmの範囲に極大吸収波長を有し、波長550nmの吸光度を極大吸収波長の吸光度で割った値が0.015以下である近赤外線吸収物質を含有する組成物、並びに当該組成物の硬化膜を含む固体撮像素子及び赤外線センサーが開示されている。
特許文献3には、最大吸収波長が700~1200nmであるスクアリリウム系化合物を含有し、かつ、波長400~600nmの光に対する平均透過率が60%以上である光電変換材料層を有する光電変換素子が開示されている。
そして、近赤外域の光を検出する光センサーは、目に見えない光を照射することで人の動きを検出するといった防犯面での活用や静脈イメージングといった生体認証等の用途に期待されている。
光電変換層を有する光電変換素子であって、
波長450nmの光を照射した際の外部量子効率が20%以下であり、
波長940nmの光を照射した際の外部量子効率が40%以上であり、
前記光電変換層は、狭バンドギャップ化合物を含有し、
前記光電変換層の膜厚が180nm未満である、光電変換素子。
[2]
前記光電変換層は、波長450nmの光の透過率が60%以上である、[1]に記載の光電変換素子。
[3]
波長450nmの光を照射した際の外部量子効率に対する波長940nmの光を照射した際の外部量子効率の比が2.2以上である、[1]又は[2]に記載の光電変換素子。[4]
[1]~[3]のいずれかに記載の光電変換素子を有する、光センサー。
また、可視領域とは、一般的には波長400nm以上800nm以下の領域をいい、可視光透過率、可視光を照射した際の外部量子効率等を評価する場合、特に明記しない限り
、波長450nmにおける値で評価する。
光吸収スペクトルは、公知文献(Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1913-1921)に記載の方法に従って測定することができる。具体的には、ガラス基板上に塗布法又は蒸着法で当該化合物の薄膜を成膜し、この薄膜の光吸収スペクトルを測定する。
一方、光電変換素子の波長940nmの光を照射した際の外部量子効率は、通常40%以上、好ましくは41%以上、より好ましくは42%以上であり、また、その上限は特段限定されず、通常100%以下である。
そして、光電変換素子は、波長450nmの光を照射した際の外部量子効率に対する波長940nmの光を照射した際の外部量子効率の比(以下、「外部量子効率比」と称することがある。)が、通常2以上、好ましくは2.2以上、より好ましくは2.4以上、さらに好ましくは2.6以上であり、また、その上限は特段限定されず、通常20以下である。
具体的には、得られた光電変換素子に対して450nmと940nmの各波長ごとに単波長光を照射し、得られる電流密度を測定して外部量子効率を算出できる。
本発明の一実施形態に係る光電変換素子の光電変換層は、p型半導体とn型半導体とを含有し、近赤外領域の光を受けて光電変換する。光電変換層は、近赤外吸収材料をさらに含み得る。
また、光電変換層の波長940nmにおける吸光度は、好ましくは0.4以上であり、また、その上限は特段限定されず、好ましくは0.7以下である。
上記の吸光度及び膜厚とすることで、波長940nmにおける吸光度がある程度高い光電変換層により光吸収量を増やし、光電変換された電荷を高める一方で、膜厚を制御することで、電荷分離された電子ならびに正孔が再結合することによる損失を減らし、結果的に近赤外領域の光から取り出せる電荷の量を増やすことができる。
また、光電変換層の膜厚は、接触型の膜厚測定器により測定することができる。
光電変換層の透過率、吸光度、及び膜厚は、塗布法により成膜する際の塗布速度や、光電変換層形成用組成物中の固形分濃度を調整することで、上記範囲に調整できる。
光電変換層に含まれるp型半導体は、ドナー性半導体であり、典型的には有機半導体(化合物)である。p型半導体としては、例えば正孔輸送性有機化合物のような電子を供与しやすい性質を有する化合物が挙げられる。
正孔輸送性に優れる骨格としては、具体的には、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、トリアリールアミン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造又はピレン構造が挙げられる。
p型半導体は、特定の構造を有する物質に特段限定されないが、後述するn型半導体と混合して塗布により膜を形成できるものであることが好ましい。
具体的なp型半導体としては、波長450nm及び940nmの光を照射した際の外部量子効率及び外部量子効率比を上記範囲内に調整する観点から、下記一般式(I)で表される化合物であることが好ましい。なお、一般式(I)中、nは正の数である。また、一般式(I)で表される化合物のバンドギャップは1.6eV程度である。
光電変換層に含まれるn型半導体は、アクセプタ性半導体であり、典型的には有機半導体(化合物)である。n型半導体としては、例えば、フラーレン誘導体のような電子を受容しやすい性質を有する化合物が挙げられる。
電子輸送性に優れる骨格としては、具体的には、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物が挙げられる。
本実施形態では、n型半導体としては、近赤外領域の光を吸収できる材料であれば特段限定されず、例えば、縮合芳香族炭素環化合物、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有するヘテロ環化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、ドナー性化合物として用いた化合物よりも電子親和力の大きな化合物であればアクセプタ性半導体として用いることができる。狭バンドギャップの性質を有していることが近赤外域における光電変換の点から好ましい。
置換基としては、好ましくは炭素数2~10の飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基等が挙げられる。また、置換基は直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、環状であってもよい。
くは10以下、より好ましくは2以下である。
なお、本発明では、p型半導体及びn型半導体の種類が変わると、これらの適切な重量比が変わることを考慮し、波長450nmの光を照射した際の外部量子効率と、波長940nmの光を照射した際の外部量子効率の両方の規定を、本実施形態に係る光電変換素子の要件としている。
光電変換層の成膜方法は特に限定されず、既知の方法により成膜できるが、典型的には塗布法である。
塗布法で光電変換層を成膜する場合、有機溶媒に、p型半導体及びn型半導体、並びに必要に応じて近赤外吸収材料及びその他の成分を溶解して光電変換層形成用組成物を調製し、該光電変換層形成用組成物をスピン塗布法などにより基板上に塗布することで成膜することができる。スピン塗布の条件は、光電変換層形成用組成物の粘度等を考慮して、定法に従い、適宜決定すればよい。成膜時の温度も特に限定されない。
光電変換層形成用組成物中のp型半導体及びn型半導体の含有量は、塗布により活性層を形成できれば特段限定されない。光電変換層形成用組成物中のp型半導体の含有量は、通常1質量%以上であり、10質量%以上であってもよく、また、通常99質量%以下であり、90質量%以下であってもよい。また、光電変換層形成用組成物中のn型半導体の含有量は、通常1質量%以上であり、10質量%以上であってもよく、また、通常99質量%以下であり、90質量%以下であってもよい。
上記有機溶媒のうち、有機溶媒は、p型半導体及びn型半導体の種類にもよるが、キシレン、クロロベンゼン又はクロロホルムであることが好ましい。
その他の成分としては、例えば1-クロロナフタレン、1,8-ジヨードオクタン等が挙げられ、好ましくは1-クロロナフタレンである。これらの添加剤は、例えば一般式(I)で表されるp型半導体の芳香族部位及び一般式(II)で表されるn型半導体の芳香族部位のスタッキングを促進し、またp型半導体とn型半導体とのバルクヘテロ構造形成を促進することができる。
光電変換素子の構造は、例えば特開2007-324587号公報の記載などを参照することができ、特段限定されず、例えば、透明基板上に、透明電極、電子輸送層、光電変換層、正孔輸送層、及び金属電極の順に積層された構造であってよく、透明基板上に、透明電極、正孔輸送層、光電変換層、電子輸送層、及び金属電極の順に積層された構造であってもよい。
料からなる電極である。透明電極を形成する材料としては、透明電極を形成できれば特段の制限はないが、スズをドープしたインジウム酸化物(ITO)、亜鉛をドープしたインジウム酸化物(IZO)、タングステンをドープしたインジウム酸化物(IWO)、亜鉛とアルミニウムとの酸化物(AZO)、酸化インジウム(In2O3)等が挙げられる。
金属電極が透明電極である形態、すなわち一対の電極が透明電極であることが好ましい。この場合、金属電極は、上記透明電極を形成する材料で形成され、一対の電極が同じ材料から形成されていてもよく、異なっていてもよい。
金属電極の膜厚は、特に限定されず、透明性を出したい場合には通常10nm程度であればよい。一方、透明性を求めないのであれば、耐久性等を考慮して40nm以上にしてもよい。
・透過率の測定方法
実施例1~3及び比較例1~3で調製した光電変換層形成用組成物を、それぞれ実施例1~3及び比較例1~3の条件でガラス基板上に成膜し、得られた光電変換層の分光分析を、紫外可視近赤外分光光度計(日本分光社製、JASCO V-770)を用いて行うことにより、光電変換層の波長450nmにおける透過率を測定した。
光電変換層の膜厚は、触針式表面形状評価装置(アルバック社製、Dektak150)により測定した。
光電変換素子に対して波長450nm又は940nmの単波長光を照射し、擬似太陽光装置・電気特性測定機器(分光計器社製)を用いて得られた電流密度の分光感度測定を行い、光電変換素子の外部量子効率を算出した。
、展開溶媒としてヘキサン:酢酸エチル=90:10の混合溶媒を用い、カラムクロマトグラフィーにより精製することで、5,5’-(4,4-ビス(2-エチルヘキシル)4H-シローロ(3,2-b:4,5-b’)ジチオフェン-2,6-ジイル)ビス(4-((2-エチルヘキシル)オキシ)チオフェン-2-カルボアルデヒド2.1g(収率78%)を朱色オイルとして得た。
1H NMR (500MHz, CDCl3, ppm): δ 8.70 (s, 2H), 8.51 (q, 2H), 7.74 (s, 2H), 7.65 (t, 2H), 7.52 (s, 2H), 4.16 (t, 4H), 1.89 (t, 2H), 1.54 - 1.70 (m, 8H), 1.35 - 1.
45 (br.s, 8H), 1.14 - 1.28 (m, 20H), 0.95 - 1.04 (m, 14H), 0.79 - 0.82 (m, 12H)
<実施例1>
ガラス基板上に電極としてITOがパターン成膜されたITO付きガラス基板表面をUVオゾン洗浄機(NL-UV253)で10分間処理した後に、次のようにして酸化亜鉛膜を電子輸送層として成膜した。まず、テトラヒドロフラン(関東化学社製)とジエチル亜鉛溶液(15wt%トルエン溶液、アルドリッチ社製)とを2:1の容量比率で混合することで、光電変換層形成用組成物を調製した。続いて、得られた光電変換層形成用組成物を、毎分4000回転でITO付きガラス基板にスピン塗布し、電子輸送層を成膜した。
るPCE-10(上記一般式(I)で表される物質)と合成例7で得られたn型半導体とを、1:2の重量比で秤量し、PCE-10の濃度が8mg/mLとなるよう、クロロベンゼン(アルドリッチ社製)と1-クロロナフタレン(アルドリッチ社製)との混合溶媒(98/2、vv)に加えて先述のp型半導体ならびにn型半導体を溶解させることで、光電変換層形成用組成物を調製した。続いて、得られた光電変換層形成用組成物を、毎分2500回転で電子輸送層上にスピン塗布し、光電変換層を成膜した。
光電変換層の成膜で、p型半導体とn型半導体との重量比を、1:1.5に変更した以外は実施例1と同様に光電変換素子を得た。光電変換層の波長450nmの光の透過率及び膜厚、並びに光電変換素子の外部量子効率及び外部量子効率比を表1に示す。
光電変換層の成膜で、p型半導体とn型半導体との重量比を、1:1.25に変更した以外は実施例1と同様に光電変換素子を得た。光電変換層の波長450nmの光の透過率及び膜厚、並びに光電変換素子の外部量子効率及び外部量子効率比を表1に示す。
光電変換層の成膜で、p型半導体とn型半導体との重量比を、1:0.5に変更した以外は実施例1と同様に光電変換素子を得た。光電変換層の波長450nmの光の透過率及び膜厚、並びに光電変換素子の外部量子効率及び外部量子効率比を表1に示す。
光電変換層の成膜で、p型半導体とn型半導体との重量比を、1:0.75に変更した以外は実施例1と同様に光電変換素子を得た。光電変換層の波長450nmの光の透過率及び膜厚、並びに光電変換素子の外部量子効率及び外部量子効率比を表1に示す。
光電変換層の成膜で、毎分1000回転スピン塗布で成膜した以外は実施例1と同様に光電変換素子を得た。光電変換層の波長450nmの光の透過率及び膜厚、並びに光電変換素子の外部量子効率及び外部量子効率比を表1に示す。
Claims (4)
- 光電変換層を有する光電変換素子であって、
波長450nmの光を照射した際の外部量子効率が20%以下であり、
波長940nmの光を照射した際の外部量子効率が40%以上であり、
前記光電変換層は、狭バンドギャップ化合物を含有し、
前記光電変換層の膜厚が180nm未満である、光電変換素子。 - 前記光電変換層は、波長450nmの光の透過率が60%以上である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 波長450nmの光を照射した際の外部量子効率に対する波長940nmの光を照射した際の外部量子効率の比が2.2以上である、請求項1又は2に記載の光電変換素子。
- 請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子を有する、光センサー。
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