JP2022027215A - ハードマスク及びハードマスクの製造方法 - Google Patents
ハードマスク及びハードマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022027215A JP2022027215A JP2020131091A JP2020131091A JP2022027215A JP 2022027215 A JP2022027215 A JP 2022027215A JP 2020131091 A JP2020131091 A JP 2020131091A JP 2020131091 A JP2020131091 A JP 2020131091A JP 2022027215 A JP2022027215 A JP 2022027215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hard mask
- target
- tungsten
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 18
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 27
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 195
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (4)
- 処理対象物に対して所定の処理を施す際に、処理対象物の表面に形成されてその処理範囲を制限するハードマスクであって、下地層とこの下地層に積層されるタングステン含有膜とを有するものにおいて、
下地層は、その表面粗さRaが0.35nm以下のものであることを特徴とするハードマスク。 - 前記下地層は、Ti膜、TiN膜、WN膜及びTiWN膜の中から選択される少なくとも1種で構成されることを特徴とする請求項1記載のハードマスク。
- 請求項2記載のハードマスクを製造するハードマスクの製造方法であって、処理対象物の表面に下地層としてのTiN膜を成膜する第1工程と、下地層の表面にタングステン含有膜を成膜する第2工程とを含むものにおいて、
第1工程は、チタン製のターゲットと処理対象物とを配置した真空雰囲気の処理室内に、希ガスと窒素含有ガスとを導入し、ターゲットに電力投入して反応性スパッタリングによりTiN膜が成膜され、希ガスに対する窒素含有ガスの流量比を3.9以下に設定することを特徴とするハードマスクの製造方法。 - 前記第2工程は、タングステン製のターゲットと処理対象物とを配置した真空雰囲気の処理室内に希ガスを導入し、ターゲットに電力投入してスパッタリングによりタングステン含有膜が成膜され、ターゲットに対する投入電力が4kW~8kWの範囲内に設定されることを特徴とする請求項3記載のハードマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020131091A JP7488147B2 (ja) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020131091A JP7488147B2 (ja) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022027215A true JP2022027215A (ja) | 2022-02-10 |
JP7488147B2 JP7488147B2 (ja) | 2024-05-21 |
Family
ID=80263934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020131091A Active JP7488147B2 (ja) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7488147B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085432A (ja) | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Seiko Epson Corp | 金属配線構造及びその製造方法 |
KR102358739B1 (ko) | 2013-05-20 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6018607B2 (ja) | 2013-07-12 | 2016-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2020
- 2020-07-31 JP JP2020131091A patent/JP7488147B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7488147B2 (ja) | 2024-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62287071A (ja) | 薄膜の形成装置および形成方法 | |
JP4914902B2 (ja) | シリサイド形成方法とその装置 | |
JPH07508142A (ja) | プラズマエッチング処理方法及び該方法により製造されたTiSi↓x層 | |
US20200144068A1 (en) | Etching method | |
WO2013190765A1 (ja) | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 | |
US7462560B2 (en) | Process of physical vapor depositing mirror layer with improved reflectivity | |
US20190393048A1 (en) | Method for area-selective etching of silicon nitride layers for the manufacture of microelectronic workpieces | |
TWI754503B (zh) | 用於沉積壓電材料的方法及裝置 | |
JP2757546B2 (ja) | Feを含む物質のエッチング方法およびエッチング装置 | |
JP2022027215A (ja) | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 | |
US20240114800A1 (en) | Deposition Of Piezoelectric Films | |
JP2009141230A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置 | |
WO2022040869A1 (en) | Deposition methods and apparatus for piezoelectric applications | |
JP3987617B2 (ja) | コンタクト膜バリア膜連続作成装置及び異種薄膜連続作成装置 | |
JP2007221171A (ja) | 異種薄膜作成装置 | |
JPH11302842A (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
JPH08213322A (ja) | イオン衝撃増強リフロー | |
US20180057929A1 (en) | Method of Depositing Aluminum Oxide Film, Method of Forming the Same, and Sputtering Apparatus | |
JPH11269644A (ja) | パーティクル発生防止方法及びスパッタリング装置 | |
JPS637364A (ja) | バイアススパツタ装置 | |
JP3116390B2 (ja) | 半導体処理装置及び半導体処理方法 | |
JP6082577B2 (ja) | タングステン配線層の形成方法 | |
KR20240014523A (ko) | 금속 실리사이드들을 준비하기 위한 방법 | |
TW202334471A (zh) | 操作物理氣相沈積設備之方法 | |
JP2782797B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7488147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |