JP2022026385A - Fz用シリコン原料結晶の製造方法及びfz用シリコン原料結晶の製造システム - Google Patents
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Abstract
Description
前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度測定を行い、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように、前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定し、
前記決定した製造条件で前記最終シリコン結晶棒を引き上げて製造することを特徴とするFZ用シリコン原料結晶の製造方法を提供する。
CZ法により同一の石英ルツボから複数本のシリコン結晶棒を前記FZ用シリコン原料結晶として取得するように構成された、マルチプーリング法を使用するシリコン結晶棒引き上げ装置と、
前記シリコン結晶棒引き上げ装置で引き上げる前記複数本のシリコン結晶棒のうち、前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度を測定するように構成された炭素濃度測定装置と、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定するように構成され、且つ前記シリコン結晶棒引き上げ装置による前記最終シリコン結晶棒の製造を前記決定した製造条件に制御するように構成された製造条件制御手段と
を具備したものであることを特徴とするFZ用シリコン原料結晶の製造システムを提供する。
前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度測定を行い、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように、前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定し、
前記決定した製造条件で前記最終シリコン結晶棒を引き上げて製造することを特徴とするFZ用シリコン原料結晶の製造方法である。
CZ法により同一の石英ルツボから複数本のシリコン結晶棒を前記FZ用シリコン原料結晶として取得するように構成された、マルチプーリング法を使用するシリコン結晶棒引き上げ装置と、
前記シリコン結晶棒引き上げ装置で引き上げる前記複数本のシリコン結晶棒のうち、前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度を測定するように構成された炭素濃度測定装置と、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定するように構成され、且つ前記シリコン結晶棒引き上げ装置による前記最終シリコン結晶棒の製造を前記決定した製造条件に制御するように構成された製造条件制御手段と
を具備したものであることを特徴とするFZ用シリコン原料結晶の製造システムである。
本発明のFZ用シリコン原料結晶の製造システムは、FZ法によるシリコン単結晶製造で使用するFZ用シリコン原料結晶の製造システムであって、
CZ法により同一の石英ルツボから複数本のシリコン結晶棒を前記FZ用シリコン原料結晶として取得するように構成された、マルチプーリング法を使用するシリコン結晶棒引き上げ装置と、
前記シリコン結晶棒引き上げ装置で引き上げる前記複数本のシリコン結晶棒のうち、前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度を測定するように構成された炭素濃度測定装置と、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定するように構成され、且つ前記シリコン結晶棒引き上げ装置による前記最終シリコン結晶棒の製造を前記決定した製造条件に制御するように構成された製造条件制御手段と
を具備したものである。
本発明のFZ用シリコン原料結晶の製造方法は、CZ法により同一の石英ルツボから複数本のシリコン結晶棒を取得するマルチプーリング法を使用した、FZ法によるシリコン単結晶製造で使用するFZ用シリコン原料結晶の製造方法であって、
前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度測定を行い、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように、前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定し、
前記決定した製造条件で前記最終シリコン結晶棒を引き上げて製造することを特徴とする。
(a)マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度測定を行う工程、
(b)(a)工程で測定した炭素濃度の測定値に応じて、最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように、最終シリコン結晶棒の製造条件を決定する工程、
(c)(b)工程で決定した製造条件で最終シリコン結晶棒を引き上げて製造する工程
を経て、要求品質を満たすシリコン結晶棒(CZ結晶棒)を取得する方法である。
Keff = K0/{K0+(1-K0)exp(-δ×V/D1)}…式(1)
ここでK0は対象元素の平衡偏析係数、Vは結晶成長速度、D1は融液中の拡散係数である。またδは拡散境界層の厚さで、結晶の回転数ωと以下の式(2)で結ばれる。
δ = 1.6×D1 1/3×η1/6×ω-1/2×d-1/6…式(2)
ここで、ηとdは各々融液の粘度と密度である。
Cs = Keff×C0×(1-s)Keff-1…式(3)
ここでC0は融液中の初期不純物濃度、sは固化率である。
実施例では、FZ法によるシリコン単結晶製造用の原料棒(シリコン結晶棒;CZ結晶棒)の製造を、マルチプーリングCZ法を用いて行った。実施例では、以下の標準製造条件を適用し、シリコン結晶棒の製造を行った。
比較例では、実施例と同様の標準製造条件を用いて、FZ法によるシリコン単結晶製造用の原料棒(シリコン結晶棒;CZ結晶棒)の製造を、マルチプーリングCZ法を用いて200バッチ実施した。
Claims (5)
- CZ法により同一の石英ルツボから複数本のシリコン結晶棒を取得するマルチプーリング法を使用した、FZ法によるシリコン単結晶製造で使用するFZ用シリコン原料結晶の製造方法であって、
前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度測定を行い、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように、前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定し、
前記決定した製造条件で前記最終シリコン結晶棒を引き上げて製造することを特徴とするFZ用シリコン原料結晶の製造方法。 - 前記製造条件として、結晶成長速度、結晶回転数、及び結晶固化率の少なくとも1つに関する条件を決定することを特徴とする請求項1に記載のFZ用シリコン原料結晶の製造方法。
- 前記製造条件を予め準備された複数の製造条件の中から選択して決定し、
前記最終シリコン結晶棒の製造に、前記決定した製造条件を適用することを特徴とする請求項1又は2に記載のFZ用シリコン原料結晶の製造方法。 - FZ法によるシリコン単結晶製造で使用するFZ用シリコン原料結晶の製造システムであって、
CZ法により同一の石英ルツボから複数本のシリコン結晶棒を前記FZ用シリコン原料結晶として取得するように構成された、マルチプーリング法を使用するシリコン結晶棒引き上げ装置と、
前記シリコン結晶棒引き上げ装置で引き上げる前記複数本のシリコン結晶棒のうち、前記マルチプーリング法における最終結晶引き上げにより製造する最終シリコン結晶棒より前に該マルチプーリング法で製造された少なくとも一つのシリコン結晶棒の炭素濃度を測定するように構成された炭素濃度測定装置と、
前記炭素濃度の測定値に応じて、前記最終シリコン結晶棒の炭素濃度が要求される範囲内となるように前記最終シリコン結晶棒の製造条件を決定するように構成され、且つ前記シリコン結晶棒引き上げ装置による前記最終シリコン結晶棒の製造を前記決定した製造条件に制御するように構成された製造条件制御手段と
を具備したものであることを特徴とするFZ用シリコン原料結晶の製造システム。 - 前記製造条件制御手段は、前記決定する製造条件を予め準備された複数の製造条件の中から選択するように構成され且つ選択して決定した前記製造条件を前記最終シリコン結晶棒の製造に適用するように構成されたものであることを特徴とする請求項4に記載のFZ用シリコン原料結晶の製造システム。
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