JP2022022196A - 金属配線の製造方法、金属配線製造装置、レーザ光照射制御装置及びレーザ光照射制御プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】低抵抗で高信頼性の金属配線を製造すること。【解決手段】金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程を含む、金属配線の製造方法であって、照射領域パターンと、前記照射領域パターンの外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターンに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てることを含む、方法。【選択図】図２

Description

本発明は、金属配線の製造方法、金属配線製造装置、レーザ光照射制御装置及びレーザ光照射制御プログラムに関する。

回路基板は、基板上に導電性の配線を施した構造を有する。回路基板の製造方法は、一般的に、次の通りである。まず、金属箔を貼り合せた基板上にフォトレジストを塗布する。次に、フォトレジストを露光及び現像して所望の回路パターンのネガ状の形状を得る。次に、フォトレジストに被覆されていない部分の金属箔をケミカルエッチングにより除去してパターンを形成する。これにより、高性能の導電性基板を製造することができる。しかしながら、従来の方法は、工程数が多く、煩雑であると共に、フォトレジスト材料を要する等の欠点がある。これに対し、金属粒子及び金属酸化物粒子からなる群から選択された粒子を分散させた分散体で基板上に所望の金属配線を直接印刷する直接配線印刷技術が注目されている。この技術は、工程数が少なく、フォトレジスト材料を用いる必要がない等、極めて生産性が高い。

直接印刷配線技術の一例としては、分散体をスクリーン印刷、インクジェット印刷等によって基材上に印刷して塗膜を形成し、その後当該塗膜を、レーザ光の走査照射等によって熱焼成することで低抵抗な金属配線を得ることが知られている。熱焼成を要する部位にのみレーザ光を照射する方法によれば、基材の耐熱性が比較的低い場合であっても、所望の金属配線を容易に形成できる。例えば、従来、金属又は金属酸化物の微粒子を含む分散体を基材上に塗布して形成した塗膜上にレーザ光を走査する方法が提案されている。しかしこの方法においては、レーザ光による塗膜の加熱条件のばらつきによる金属配線の抵抗値のばらつき、及び、塗膜の加熱不足による金属配線の高抵抗化という問題があった。

特許文献１は、金属粒子を含む表面に光線を繰り返し走査して前記金属粒子を焼結させ、金属配線を形成する工程を具備し、前記金属配線を構成する走査線の長さに応じて前記光線を走査する速度を異ならせることを特徴とする金属配線の製造方法を記載する。

特開２０１９－１４０２８４号公報

レーザ光の照射スポットを、膜上で第１の方向に往復又は片道で走査しながら当該第１の方向とは異なる第２の方向に移動させて、膜上に隙間なくレーザを走査させる際、走査長が部位によって大きく異なると、照射領域内を通じて照射条件を均一にすることは極めて困難である。

本発明は上記の課題を解決し、低抵抗で高信頼性の金属配線を製造することが可能な、金属配線の製造方法、金属配線製造装置、レーザ光照射制御装置及びレーザ光照射制御プログラムの提供を目的とする。

本開示は、以下の態様を包含する。
［１］ 金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程を含む、金属配線の製造方法であって、
前記レーザ光照射工程が、以下のステップ：
予め作成され１又は２以上の閉図形で構成された二次元の照射領域パターンと、前記照射領域パターンの外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターンを生成する、走査領域パターン生成ステップ；
前記走査領域パターンに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てる、パラメータ割り当てステップ；並びに
前記走査領域パターン及び前記走査パラメータに従って、前記レーザ光の照射ターゲット位置を前記外接平行四辺形内の全域に亘り前記外接平行四辺形の第１の辺の方向に走査しながら前記第１の辺に隣接する第２の辺の方向に移動させることによって、前記照射領域にレーザ光を照射する、照射ステップ、
を含み、
前記走査パラメータが、前記外接平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む、方法。
［２］ 前記レーザ光照射工程に供される前記膜が、基材上に形成されている、上記態様１に記載の方法。
［３］ 前記レーザ光照射工程に供される前記膜が、前記基材上に形成された塗膜である、上記態様２に記載の方法。
［４］ 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、上記態様１～３のいずれかに記載の方法。
［５］ 前記外接平行四辺形が、最小外接矩形である、上記態様１～４のいずれかに記載の方法。
［６］ 前記外接平行四辺形が長辺及び短辺を有する矩形であり、前記第１の辺が長辺である、上記態様１～５のいずれかに記載の方法。
［７］ 前記照射領域パターンが２以上の閉図形で構成されており、各閉図形に対して前記外接平行四辺形を指定する、上記態様１～６のいずれかに記載の方法。
［８］ 前記照射領域パターンが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンである、上記態様１～７のいずれかに記載の方法。
［９］ 前記照射領域パターンが、
ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターンを、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン上に投影して、照射領域決定用三次元パターンを生成すること、
前記二次元ベースパターン上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
前記照射領域決定用三次元パターン上の、前記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
前記二次元ベースパターンの前記寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
によって生成された縮小補正パターンであり、
前記照射ステップにおいて、Ｘ軸方向を前記第１の辺の方向に指定し、Ｙ軸方向を前記第２の辺の方向に指定する、上記態様１～７のいずれかに記載の方法。
［１０］ 前記レーザ光を、走査線の線幅方向にオーバーラップさせながら走査する、上記態様１～９のいずれかに記載の方法。
［１１］ 前記オーバーラップが、前記線幅の１０％以上９９％以下である、上記態様１０に記載の方法。
［１２］ 前記膜が、銅及び／又は酸化銅を含む、上記態様１～１１のいずれかに記載の方法。
［１３］ 前記膜が、分散剤を更に含む、上記態様１～１２のいずれかに記載の方法。
［１４］ 基材と、前記基材上に配置された、金属及び／又は金属酸化物を含む膜とを含む構造体における、前記膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するための金属配線製造装置であって、
前記金属配線製造装置が：
構造体を保持する構造体保持部；
レーザ光を発生させるレーザ発振装置；
前記レーザ発振装置から出射されたレーザ光を走査するレーザ光走査装置；並びに
前記レーザ発振装置及び前記レーザ光走査装置を制御する処理装置；
を備え、
前記処理装置が：
二次元の照射領域パターンと、前記照射領域パターンの外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターン；及び
前記走査領域パターンに割り当てられた走査パラメータ；
に従った走査制御信号を前記レーザ発振装置及び前記レーザ光走査装置に出力することによって、前記走査制御信号に従って、前記レーザ光の照射ターゲット位置を、前記外接平行四辺形内の全域に亘り前記外接平行四辺形の第１の辺の方向に走査しながら前記第１の辺に隣接する第２の辺の方向に移動させるように、前記レーザ発振装置及び前記レーザ光走査装置を動作させ、
前記走査パラメータが、平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む、金属配線製造装置。
［１５］ 前記レーザ光走査装置が、ガルバノモータとガルバノミラーとを備えるガルバノスキャナであり、
前記処理装置が、前記レーザ発振装置のオンオフ切り替えによって前記レーザ光出射及び前記レーザ光不出射を制御する、上記態様１４に記載の金属配線製造装置。
［１６］ 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、上記態様１４又は１５に記載の金属配線製造装置。
［１７］ 金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定した照射領域にレーザ光を照射するために金属配線製造装置のレーザ発振装置及びレーザ光走査装置を制御するレーザ光照射制御装置であって、
入力された二次元の照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、更に前記外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定した上で、前記照射領域パターン及び前記非照射領域パターンで構成される走査領域パターンの座標データを生成する座標データ生成部と、
前記座標データに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てて、前記座標データ及び前記走査パラメータに従った走査制御信号を生成する走査制御信号生成部と、
前記走査制御信号をレーザ発振装置及びレーザ光走査装置に出力する出力部とを有し、
前記走査パラメータが、前記外接平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含むことを特徴とする、レーザ光照射制御装置。
［１８］ 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、上記態様１７に記載のレーザ光照射制御装置。
［１９］ 前記外接平行四辺形が、最小外接矩形である、上記態様１７又は１８に記載のレーザ光照射制御装置。
［２０］ 前記外接平行四辺形が長辺及び短辺を有する矩形であり、前記走査長の方向が前記長辺の方向である、上記態様１７～１９のいずれかに記載のレーザ光照射制御装置。
［２１］ 前記照射領域パターンが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンである、上記態様１７～２０のいずれかに記載のレーザ光照射制御装置。
［２２］ 前記照射領域パターンが、
ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターンを、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン上に投影して、照射領域決定用三次元パターンを生成すること、
前記二次元ベースパターン上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
前記照射領域決定用三次元パターン上の、前記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
前記二次元ベースパターンの前記寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
によって生成された縮小補正パターンであり、
Ｘ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査長の方向であり、Ｙ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査幅の方向である、上記態様１７～２０のいずれかに記載のレーザ光照射制御装置。
［２３］ 金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定した照射領域にレーザ光を照射するために金属配線製造装置のレーザ発振装置及びレーザ光走査装置を制御するレーザ光照射制御プログラムであって、
入力された二次元の照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、更に前記外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定した上で、前記照射領域パターン及び前記非照射領域パターンで構成される走査領域パターンの座標データを生成し、
前記座標データに対して、予め設定した走査パラメータを割り当て、
前記座標データ及び前記走査パラメータに従った走査制御信号を生成し、
前記走査制御信号を出力する、
ことをレーザ光照射制御装置に実行させ、
前記走査パラメータが、前記外接平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含むことを特徴とする、レーザ光照射制御プログラム。
［２４］ 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、上記態様２３に記載のレーザ光照射制御プログラム。
［２５］ 前記外接平行四辺形が、最小外接矩形である、上記態様２３又は２４に記載のレーザ光照射制御プログラム。
［２６］ 前記外接平行四辺形が長辺及び短辺を有する矩形であり、前記走査長の方向が前記長辺の方向である、上記態様２３～２５のいずれかに記載のレーザ光照射制御プログラム。
［２７］ 前記照射領域パターンが２以上の閉図形で構成されており、各閉図形に対して前記外接平行四辺形を指定する、上記態様２３～２６のいずれかに記載のレーザ光照射制御プログラム。
［２８］ 前記照射領域パターンが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンである、上記態様２３～２７のいずれかに記載のレーザ光照射制御プログラム。
［２９］ 前記照射領域パターンが、
ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターンを、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン上に投影して、照射領域決定用三次元パターンを生成すること、
前記二次元ベースパターン上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
前記照射領域決定用三次元パターン上の、前記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
前記二次元ベースパターンの前記寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
によって生成された縮小補正パターンであり、
Ｘ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査長の方向であり、Ｙ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査幅の方向である、上記態様２３～２７のいずれかに記載のレーザ光照射制御プログラム。
［３０］ 前記レーザ光を、走査線の線幅方向にオーバーラップさせながら走査する、上記態様２３～２９のいずれかに記載のレーザ光照射制御プログラム。
［３１］ 前記オーバーラップが、前記線幅の１０％以上９９％以下である、上記態様３０に記載のレーザ光照射制御プログラム。
［３２］ 上記態様２３～３１のいずれかに記載のプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記録媒体又は記録機器。

本発明の一態様によれば、低抵抗で高信頼性の金属配線を製造することが可能な、金属配線の製造方法、金属配線製造装置、レーザ光照射制御装置及びレーザ光照射制御プログラムが提供され得る。

本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態における走査領域パターンの形成手順について説明する図である。 本実施形態の金属配線製造装置の構成例を示す模式図である。 本実施形態の金属配線製造装置の構成例を示すブロック図である。 本実施形態のレーザ光照射制御プログラムによって実行される処理について説明するフローチャートである。 本実施形態のレーザ光照射制御プログラムによって実行される処理について説明するフローチャートである。 本実施形態のレーザ光照射制御プログラムによって実行される処理について説明するフローチャートである。 実施例及び比較例における導電性評価の手順を説明する図である。 実施例及び比較例における導電性評価の手順を説明する図である。

本発明者らは、照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、当該外接平行四辺形内の全域に照射ターゲット位置を走査する一方、照射領域パターンに対応する照射領域のみにレーザ光を照射することによって、照射領域パターンの形状によらず、照射ターゲット位置の走査長を平準化できることを見出した。走査長の平準化によれば、膜の部位間での加熱の程度のばらつきが低減されるため、低抵抗かつ高信頼性の金属配線が製造され得る。

≪金属配線の製造方法≫
本発明の一態様は、金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程を含む、金属配線の製造方法を提供する。一態様において、レーザ光照射工程は、以下のステップ：
予め作成され１又は２以上の閉図形で構成された二次元の照射領域パターンと、照射領域パターンの外接平行四辺形内の照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターンを生成する、走査領域パターン生成ステップ；
走査領域パターンに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てる、パラメータ割り当てステップ；並びに
走査領域パターン及び走査パラメータに従って、レーザ光の照射ターゲット位置を外接平行四辺形内の全域に亘り平行四辺形の第１の辺の方向に走査しながら第１の辺に隣接する第２の辺の方向に移動させることによって、照射領域にレーザ光を照射する、照射ステップ、
を含む。
一態様において、走査パラメータは、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む。

＜膜形成＞
一態様において、レーザ光照射工程に供される、金属及び／又は金属酸化物を含む膜は、塗工、貼り合わせ、蒸着等によって形成されていてよい。例えば、基材が構成する面上に、金属及び／又は金属酸化物を含む塗膜が形成されてよい。一態様において、膜は、金属及び／又は金属酸化物を含むペースト材料を塗布して形成された塗膜であってよい。塗布前に、基材の表面を予め洗浄しておいてもよい。ペースト材料は、金属及び／又は金属酸化物を含み、任意に有機物を含んでよく、さらに溶媒も含んでよい。一態様において、溶媒は、上記有機物を溶解又は分散、好ましくは溶解させることができ、金属及び／又は金属酸化物（例えばこれらの粒子）を分散させることができるものである。基材及びペースト材料のより詳細な好適例については後述する。

塗膜の塗布方法は、特に限定されないが、ダイコート、スピンコート、スリットコート、バーコート、ナイフコート、スプレーコート、ディップコート等の塗布方法を用いることができる。上記塗布後、必要に応じて塗膜に残存する溶媒を除去してよい。以上のようにして、基材と、基材上に配置された金属及び／又は金属酸化物を含む膜とを含む構造体が得られる。

＜レーザ光照射工程＞
本工程では、上記膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成する。レーザ光源の種類としては、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ＹＶＯ４（イットリウムバナデイト）、Ｙｂ（イッテルビウム）、半導体（ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＩｎＡｓ）、炭酸ガス、ファイバーレーザー等を用いることができる。レーザ光としては、基本波だけでなく必要に応じ高調波を取り出して使用してもよい。一態様において、レーザ光照射工程は以下のステップを含む。

［走査領域パターン生成ステップ］
本ステップにおいては、予め作成され１又は２以上の閉図形で構成された二次元の照射領域パターンと、当該照射領域パターンの外接平行四辺形内の照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターンを生成する。閉図形の形状は限定されず、異形形状（Ｌ字形、Ｈ字形等）、多角形（三角形、四角形等）、円、楕円等の種々の形状であってよい。

本開示で言及する平行四辺形とは、特記がない限り、対辺が厳密に平行である四角形に加え、走査長の平準化という本発明の利点を損なわない範囲で対辺の相対配置が平行からずれている四角形も包含する（すなわち、略平行四辺形である）ものと定義される。一態様において、本開示の平行四辺形は、上底／下底の長さ比が０．７以上１以下である台形も包含する。

一態様において、平行四辺形は矩形であってよい。なお本開示の矩形は、４つの内角が厳密に直角である四角形に加え、内角が直角から僅かに（例えば±５°以下で）ずれている四角形も包含する（すなわち、略矩形である）。

一態様において、平行四辺形は、長辺及び短辺を有する矩形（すなわち、正方形以外の矩形）であってよい。矩形は、レーザ光による膜の加熱の程度をより均一にする観点で有利である。また、上記長辺の方向を、照射ターゲット位置の走査の際の第１の辺の方向とすることが好ましい。この場合、走査線の本数低減によってプロセス効率を向上させることができる。

一態様において、平行四辺形は、照射領域パターンの最小外接平行四辺形である。本開示で、照射領域パターンの最小外接平行四辺形とは、照射領域パターンの外接平行四辺形のうち、平行四辺形の面積が最小となるものを意味する。最小外接平行四辺形は、照射ターゲット位置の走査面積の最小化によるプロセス効率向上の点で有利である。好ましい態様において、外接平行四辺形は、最小外接矩形（すなわち、外接矩形のうち面積が最小の矩形）である。

照射領域パターンの外接平行四辺形は、１又は２以上の閉図形を囲んでよい。例えば、図１Ａに示すように、２以上の閉図形（すなわち、閉図形１，２）を囲む外接平行四辺形Ａを指定してよく、又は図１Ｂに示すように、２以上の閉図形の各々（図１Ｂにおいては閉図形１及び閉図形２）に対して外接平行四辺形（図１Ｂにおいては外接平行四辺形Ａ１及び外接平行四辺形Ａ２）をそれぞれ指定してよい。図１Ａ及び図１Ｃを参照し、２以上の閉図形を囲む外接平行四辺形を指定する場合において、第１の辺の少なくとも一部と第２の辺の少なくとも一部とを構成し得る閉図形１が存在する場合には、まず、閉図形１に基づいて第１の辺方向ａ及び第２の辺方向ｂを指定し、次いで、第１の辺とその対辺との間かつ第２の辺とその対辺との間に全閉図形が存在するとともに第１の辺及び第２の辺の長さがそれぞれ最小となるように頂点ｐ３を指定することで、頂点ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４で囲まれた平行四辺形を指定してよい。

図２を参照し、Ｌ字形の照射領域パターン１に対して、外接平行四辺形Ａ１を指定し、更に非照射領域パターン１ａを指定して、照射領域パターン１と非照射領域パターン１ａとで構成される走査領域パターン（すなわち外接平行四辺形Ａ１で囲まれる領域のパターン）を生成してよい。

また、図３Ａを参照し、三角形状の照射領域パターン２に対して照射領域パターン２の外接平行四辺形Ａ２及び非照射領域パターン２ａ，２ｂを指定して、照射領域パターン２と非照射領域パターン２ａ，２ｂとで構成される走査領域パターンを生成してよい。１つの照射領域パターンに対して外接平行四辺形が複数指定できる場合には、そのうちのいずれかを選択してよい。例えば、図３Ｂを参照し、上記の照射領域パターン２に対し、照射領域パターン２の別の外接平行四辺形Ａ３及び非照射領域パターン２ｃを指定してもよい。

また、図３Ｃを参照し、楕円状の照射領域パターン４に対して照射領域パターン４の外接平行四辺形Ａ４及び非照射領域パターン４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを指定して、照射領域パターン４と非照射領域パターン４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとで構成される走査領域パターンを生成してよい。又は、図３Ｃに示す楕円状に代えて、真円状の照射領域パターンを用いることも好ましい一態様である。

照射ターゲット位置を第１の辺の方向Ｄ１に平行四辺形の全幅である走査長Ｓで走査しながら第２の辺の方向Ｄ２に移動させる際に、レーザ光の出射／不出射を切り替えることで、レーザ光出射部の走査長Ｓ１及びレーザ光不出射部の走査長Ｓ２を任意に設定できる。これにより、照射領域パターンの形状によらず照射ターゲット位置の走査長を平準化でき、レーザ光照射による膜の部位間での加熱の程度のばらつきを低減できる。

一態様において、膜表面のレーザ光の照射領域及び非照射領域は、前述の照射領域パターンと非照射領域パターンとの形状が、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に投影されてなる領域である。図４を参照し、照射領域Ｒは、外接平行四辺形Ａが指定された照射領域パターンＰを膜表面の三次元形状パターン４１上に投影してなる領域である。膜表面の三次元形状パターンは、従来公知の手段で取得でき、例えば、膜表面の形状を、イメージセンサ等の画像認識装置で読み込んで取得してよい。取得した三次元形状パターン上に、照射領域パターン及び非照射領域パターンを投影する。照射領域パターンと膜表面の三次元形状パターンとの位置合わせは、当業者に公知のソフトウェア、又は手動で行ってよい。一態様においては、ＸＹＺ座標系及びその基準点（原点）を指定し、ＸＹＺ座標系内に、Ｚ軸方向高さが最小となるように膜表面の三次元形状パターン４１を配置するとともに、当該三次元形状パターンのＺ軸方向上方（すなわち＋の方向）のＸＹ平面上に照射領域パターンＰを配置し、所望により上面視画像等を用いて照射領域パターンＰと膜表面の三次元形状パターン４１との位置合わせを行った後、当該照射領域パターンＰの形状を三次元形状パターン４１上にＺ方向に投影して、照射領域Ｒを生成してよい。

一態様において、照射領域パターンは、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンであってよい。図５を参照し、一態様においては、照射領域パターンＰが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン４１上に照射領域決定用三次元パターン４２を生成した後、照射領域決定用三次元パターン４２を二次元に投影することによって生成されてよい。このようにして生成された照射領域決定用三次元パターンを用いる場合、膜表面の三次元形状を考慮した照射領域のより精密な設定が可能であり、金属配線の抵抗低減及び信頼性向上において特に有利である。上記投影によって生成した照射領域パターンＰに対して、前述の手順で外接平行四辺形及び非照射領域パターンを指定してよい。図４を再び参照し、一態様において、照射領域Ｒは、照射領域パターンＰを三次元形状パターン４１上に逆投影して形成してもよい。

図６Ａ及びＢを参照し、一態様においては、照射領域パターンＰが、
ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターン４０を、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン４１上に投影して、照射領域決定用三次元パターン４２を生成すること、
二次元ベースパターン４０上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
照射領域決定用三次元パターン４２上の、上記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
二次元ベースパターン４０の寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
によって生成された縮小補正パターンであってよい。一態様においては、Ｘ軸方向寸法Ａ１及びＹ軸方向寸法Ｂ１を有する二次元ベースパターン４０のＸ軸方向全域に亘ってＹ軸方向の寸法Ｂ１を計測するとともに、各寸法Ｂ１に対応する部位の寸法Ｂ２を計測して、寸法Ｂ１と寸法Ｂ２との各対について、Ｂ１／Ｂ２の算出、及び寸法Ｂ１の縮小補正を行う。このようにして生成された照射領域パターンを用いる場合、膜表面の三次元形状を考慮した照射領域のより精密な設定が可能であり、金属配線の抵抗低減及び信頼性向上において特に有利である。上記縮小補正パターンを照射領域パターンとし、これに対して、前述の手順で外接平行四辺形及び非照射領域パターンを指定してよい。図４を再び参照し、一態様において、照射領域Ｒは、照射領域パターンＰを三次元形状パターン４１上に逆投影して形成してもよい。後述の照射ステップにおいて、上記Ｘ軸方向を第１の辺の方向に指定し、上記Ｙ軸方向を第２の辺の方向に指定してよい。

［パラメータ割り当てステップ］
本ステップでは、上記の走査領域パターンに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てる。これにより、照射領域パターン及び非照射領域パターンの位置情報と、これに関連付けられた走査パラメータとを含む走査制御信号を生成できる。金属配線製造装置のレーザ発振装置及びレーザ光走査装置、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構は、このような走査制御信号を受信して、所望条件下でレーザ光照射を行うことができる。２以上の照射領域パターンが存在する場合の走査パラメータは、照射領域パターン間で互いに同じでも異なってもよく、好ましくは照射領域パターン間で互いに同じである。

走査パラメータは、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む。照射ターゲット位置は、本開示の外接平行四辺形内の全域（したがって、照射領域パターン部及び非照射領域パターン部の両方）に対して走査されるが、レーザ光の照射は、照射領域パターン部のみに行われる。

一態様においては、非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる。この場合、レーザ光の出射と不出射との切り替えのみで照射ターゲット位置を照射領域パターン及び非照射領域パターンの両方に走査できるため、プロセス制御の容易性の点で有利である。

レーザ光の出射又は不出射以外の走査パラメータとしては、例えば以下を例示できる。

（中心波長、パルス周波数）
レーザ光の中心波長は、一態様において３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは３５５ｎｍ又は５３２ｎｍである。レーザ光は、ＣＷ波（連続波）であってもよいが、高い先頭値の光線を照射することで、熱の拡散を防ぎながら焼成を瞬間的に進行させることができる観点からは、パルス波であっても良い。パルス波の１パルスあたりの幅は、光線照射時の膜のアブレーションを抑制する観点から、好ましくは、１～１００ナノ秒、又は２～５０ナノ秒、又は３～３０ナノ秒である。

（膜への侵入長）
一態様において、金属及び／又は金属酸化物を含む膜の内部には、光線が適切な侵入長で侵入する。侵入長とは、金属及び／又は金属酸化物を含む膜の厚み方向に光線を光強度Ｉ₀で入射させたときに、光強度が当該膜の吸光によってＩ₀／ｅに減衰するまでの当該膜の深さｘである。金属及び／又は金属酸化物を含む膜の、ある波長の光の吸光度をαとしたとき、当該波長における、光強度Ｉ₀／ｅとｘとは、下記式：
Ｉ₀／ｅ＝Ｉ₀×ｅ^(-αx)
の関係を満たし、したがって、ｘとαとは、下記式：
ｘ＝１／α
の関係を満たす。

一態様においては、金属及び／又は金属酸化物を含む膜に、侵入長０．２５μｍ以上１０．００μｍ以下でレーザ光を照射する。侵入長は、より好ましくは、０．３０μｍ以上８．００μｍ以下、更に好ましくは０．３５μｍ以上６．００μｍ以下、最も好ましくは０．４０μｍ以上４．５０μｍ以下の範囲である。侵入長が０．２５μｍ以上である場合、レーザ光が膜の内部まで良好に侵入し、膜の表面のみでなく内部の焼結、粒子同士の接触等による導電体の形成も良好に進行し、金属配線が低抵抗になる。一方、侵入長が１０．００μｍ以下である場合、光線が膜の内部まで侵入するとともに良好に光吸収され、結果として内部の焼結、粒子同士の接触等による導電体の形成が良好に進行し、金属配線が低抵抗になる。

侵入長は、金属及び／又は金属酸化物を含む膜に含まれる、金属及び／又は金属酸化物の含有量、金属及び／又は金属酸化物が粒子である場合の粒径、その他の成分（有機物等）の量、等によって調整できる。例えば、金属及び／又は金属酸化物の含有量を少なくすること、及び粒径を小さくすることは、侵入長を大きくする傾向があり、逆に、当該含有量を多くすること、及び粒径を大きくすることは、侵入長を小さくする傾向がある。また、吸光性有機材料（例えば後述のリン含有有機化合物）の存在により侵入長が小さくなる傾向がある。

（出力密度）
レーザ光の出力密度を適切な範囲に調整することにより、膜が吸収するエネルギー量を制御でき、内部の焼結、粒子同士の接触等による導電体の形成を良好に進行させることができる。レーザ光の出力密度は、好ましくは、０．００１ｍＷ／μｍ²以上２．０００ｍＷ／μｍ²以下、又は０．００５ｍＷ／μｍ²以上１．９００ｍＷ／μｍ²以下、又は０．０１０ｍＷ／μｍ²以上１．８００ｍＷ／μｍ²以下、又は０．０１５ｍＷ／μｍ²以上１．５００ｍＷ／μｍ²以下である。出力密度が０．００１ｍＷ／μｍ²以上である場合、膜が良好に焼結、粒子同士の接触等により導体化され、金属配線が低抵抗になる。また、２．０００ｍＷ／μｍ²以下である場合、膜の炭化又はアブレーションが生じにくく、所望の金属配線を容易に形成できる。

（スポット径、オーバーラップ率、走査線間隔）
レーザ光は、所望のスポット径で膜に照射されてよい。スポット径は、レーザ光の焦点からのずれ量によって調整され得る。一態様において、レーザ光は、膜上に複数回重複して照射されることが好ましい。例えば、レーザ光を、走査線の線幅方向にオーバーラップさせながら膜上に繰り返し走査する。この場合のオーバーラップ率（すなわち、１回目照射がされた部位のうち２回目照射もされた部位の、走査線幅方向での比率）は、好ましくは、１０％以上９９％以下、又は２０％以上９５％以下、又は３０％以上９０％以下、又は４０％以上８５％以下である。オーバーラップ率が１０％以上であることで、金属及び／又は金属酸化物の焼結、粒子同士の接触等による導電体の形成が良好に進行し、９９％以下であることで、産業的に実用性のある生産速度で配線を製造することができる。なお、２回目照射の走査線の方向は、１回目照射の走査線と同方向（すなわち片道走査）又は逆方向（すなわち往復走査）であってよい。レーザ光の走査線間隔は、例えば、所望のスポット径において所望のオーバーラップ率が得られるように目的に応じて設定してよい。

（デフォーカス値）
デフォーカス値は、上記のスポット径を所望の範囲に調整するために適宜指定してよい。好ましい態様において、デフォーカス値は、レーザ光の照射方向の高さにおいて集光位置を０としたときに－１０．０ｍｍから１０．０ｍｍの範囲に設定してよい。

（入射角）
レーザ光の膜への入射角は、好ましくは、０度以上５０度以下、又は０度以上４８度以下、又は０度以上４５度以下である。入射角度が５０度以下である場合、膜の表面でレーザ光が反射したり膜の内部に侵入したりする光線の光量が少ないことによる膜の焼結、粒子同士の接触等による導電体の形成の不足を防止し、金属配線の抵抗値を低く且つ均一にすることができる。

（走査速度）
レーザ光の走査速度（Ｖ）（単位：ｍｍ／秒）は、外接平行四辺形の形状に基づいて算出されるレーザ光走査長（Ｌ）（単位：ｍｍ）と、所望の走査周期（Ｆ）（単位：Ｈｚ）（例えば、１５Ｈｚ）とから、下記式に従って算出される。
走査速度（Ｖ）＝走査周期（Ｆ）×走査長（Ｌ）

（走査方向）
レーザ光走査方向は目的に応じて指定されてよい。走査方向は、例えば、最大走査長が最小となる方向、走査回数が最小となる方向、等であってよい。

一態様において、走査パラメータは、レーザ走査速度、レーザ出力密度、及びレーザスポット径から成る群から選択される１つ以上を含む。

一態様においては、複数のパラメータ要素（例えば、レーザ走査速度、レーザ出力強度、及びレーザスポット径）の数値の組合せを１つのテンプレートとしてよい。このようなテンプレートを複数準備しておき、走査領域パターンに対して、当該複数のテンプレートから選択した１つのテンプレートを割り当ててよい。典型的な態様において、各照射領域パターン内は同一の走査パラメータが適用されるが、１つの照射領域パターンにおいて、部位に応じた異なる走査パラメータが割り当てられてもよい。

走査パラメータは、膜の性状と当該性状に適したレーザ光照射条件との関係について予め検討した結果に基づいて予め設定されてよい。本実施形態においては、膜に対してレーザ光を照射して、当該膜の焼成物である金属配線を形成する。本実施形態における膜は、金属及び／又は金属酸化物を含む薄膜であり、一態様においては分散剤等の有機物を更に含む。このような膜においては、焼成状態がレーザ光照射要件によって大きく左右される。例えば、レーザ光の出力強度を変えずに走査速度を遅くすると、膜の加熱がより顕著になる傾向があるが、膜の加熱の程度は、膜の性状（化学組成、厚み、レーザ光侵入長、形態（孔の存在等）等）によって異なる。したがって、走査パラメータは、膜の性状に応じて適切に選択されることが望ましい。一態様においては、膜性状データと、当該膜性状データに対応付けられた走査パラメータデータ（例えば、前述のテンプレート）とを含むデータセットを複数生成して保存しておき、走査パラメータの割り当てを行う際に、当該データセットを読み込み、実際に使用する膜の性状と同一又は類似の膜性状データに対応付けられた走査パラメータを選択して、走査領域パターンに割り当ててよい。
又は、走査パラメータは、ユーザからの数値の直接入力に基づいて生成されてもよい。

走査制御信号は、照射領域パターンが複数存在する場合のレーザ光を最初に照射する照射領域パターンの指定、走査領域パターンにおけるレーザ光走査開始位置の指定等に関する情報を含んでもよい。

［照射ステップ］
本ステップにおいては、走査領域パターン及びこれに割り当てられた走査パラメータに従って、レーザ光の照射ターゲット位置を外接平行四辺形内の全域に亘り第１の辺の方向に走査しながら第１の辺に隣接する第２の辺の方向に移動させることによって、照射領域にレーザ光を照射する。好ましい態様において、第１の辺の方向は、平行四辺形の長辺方向である。本実施形態の方法によれば、照射領域の形状によらずに照射ターゲット位置の走査長を平準化できるため、低抵抗かつ高信頼性の金属配線を任意の所望の形状にて形成できる。

照射領域は、二次元又は三次元の領域として設定してよい。三次元の照射領域は、図４、５、６Ａ及び６Ｂを参照して前述したように、膜表面の三次元形状パターン上に指定されていてよい。

照射時の雰囲気中の酸素濃度は、好ましくは、５体積％以下、又は２体積％以下、又は１体積％以下である。酸素濃度は低い程望ましいが、工程管理の容易性の観点から、例えば、０．００１体積％以上、又は０．０１体積％以上、又は０．０５体積％以上であってよい。
例えば以上のような手順で、本実施形態の金属配線を製造できる。

＜基材、並びに金属及び／又は金属酸化物を含む膜＞
本実施形態の金属配線の製造に好適な基材、並びに金属及び／又は金属酸化物を含む膜としては、以下を例示できる。

［基材］
基材は、金属及び／又は金属酸化物を含む膜を配置するための面を構成するものであれば形状は特に限定されない。基材の材質は、後述する金属配線との電気絶縁性を確保するため、絶縁材料であることが好ましい。ただし、基材の全体が絶縁材料であることは必ずしも必要がない。金属及び／又は金属酸化物を含む膜が配置される面を構成する部分だけが絶縁材料であれば足りる。

基材の、金属及び／又は金属酸化物を含む膜が配置される面は、平面又は曲面であってよく、また段差等を含む面であってもよい。基材は、より具体的には、基板（例えば、板状体、フィルム又はシート）、又は立体物（例えば、筐体等）であってよい。板状体は、例えば、プリント基板等の回路基板に用いられる支持体である。フィルム又はシートは、例えば、フレキシブルプリント基板に用いられる、薄膜状の絶縁体であるベースフィルムである。

立体物の一例としては、携帯電話端末、スマートフォン、スマートグラス、テレビ、パーソナルコンピュータ等の電気機器の筐体が挙げられる。また、立体物の他の例としては、自動車分野では、ダッシュボード、インストルメントパネル、ハンドル、シャーシ等が挙げられる。

基材の具体例として、例えば、無機材料からなる基材（以下、「無機基材」）又は樹脂からなる基材（以下、「樹脂基材」という）が挙げられる。

無機基材は、例えば、ガラス、シリコン、雲母、サファイア、水晶、粘土膜、及び、セラミックス材料等から構成される。樹脂基材としては、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）が、金属配線との密着性に優れ、且つ、市場流通性が良く低コストで入手可能であり、事業上の観点から優位であり、好ましく、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン（ＡＢＳ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ－ＰＰＥ）及びポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）からなる群から選択される少なくとも一種は、特に筐体である場合、金属配線との密着性に優れ、成型性や成型後の機械的強度に優れ、金属配線を形成するときのレーザ照射等にも十分耐えうる耐熱性も有しているため、好ましい。

基材の厚さは、基材が例えば板状体、フィルム又はシートである場合、１μｍ～１０ｍｍとすることができ、好ましくは２５μｍ～２５０μｍである。基材の厚さが２５０μｍ以下である場合、作製される電子デバイスを、軽量化、省スペース化及びフレキシブル化でき好ましい。

なお、基材が立体物である場合、その最大寸法（すなわち１辺の最大長さ）は、例えば１μｍ～１０ｍｍとすることができ、好ましくは、２００μｍ～５ｍｍである。上記範囲の厚さを有する基材においては、成型後の機械的強度や耐熱性が良好である。

［金属及び／又は金属酸化物を含む膜］
（金属及び／又は金属酸化物）
金属及び／又は金属酸化物を含む膜に含まれる金属は、例えば、銀、銅、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、タンタル、スズ、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニッケル、タングステン、亜鉛、インジウム、錫等であり、これらの２種以上を含む合金又は混合物であってもよい。また金属酸化物としては、上記で例示した金属の酸化物が挙げられ、特に酸化銅（ＣｕＯ、及びＣｕ₂Ｏ）が好ましい。

また、金属及び／又は金属酸化物は粒子であってよく、錯体であっても良い。粒子の場合は、コア／シェル構造を有してよい。例えば、コア及び／又はシェルが金属及び／又は金属酸化物であってよく、コアとシェルとが互いに異なる金属及び／又は金属酸化物を含んでもよい。

粒子は、例えば、酸化銅を含む微粒子であってよい。酸化銅を含む微粒子の平均一次粒子径は、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。平均一次粒子径が小さいほど、後述する光線の侵入長をコントロールしやすいため、好ましい。平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡又は走査型電子顕微鏡によって測定される値である。平均一次粒子径が２５ｎｍ以下では透過型電子顕微鏡を用い、２５ｎｍを超えたときは走査型電子顕微鏡を用いて測定する。

（有機物）
金属及び／又は金属酸化物を含む膜は、金属及び／又は金属酸化物のほかに、有機物を含んでいても良い。一態様において、有機物は、金属及び／又は金属酸化物の分散性を向上させる分散剤として機能する。有機物は光線を吸収できるものであっても良い。

分散剤としては、数平均分子量３００～３００，０００の有機物を例示できる。数平均分子量が３００以上であると、絶縁性に優れるとともに、金属及び／又は金属酸化物を含む膜の材料としてのペースト材料の分散安定性向上への寄与も大きい。また、数平均分子量が３００，０００以下であると、光線照射によって金属及び／又は金属酸化物を含む膜が容易に焼成されるため好ましい。分散剤は、金属又は金属酸化物に対する親和性を有する基を有していることが好ましく、この観点から、リン含有有機化合物が好ましく、ポリマーのリン酸エステルが更に好ましい。リン含有有機化合物は、配線パターン間に電気絶縁性の絶縁領域を形成できる点でも有利である。なお本開示で、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィを用い、標準ポリスチレン換算で求められる値である。

金属及び／又は金属酸化物を含む膜中、金属及び／又は金属酸化物の含有量に対するリン含有有機化合物の含有量の質量比率は、好ましくは、０．０１以上０．４以下、又は０．０３以上０．３５以下、又は０．０５以上０．２５以下、又は０．１以上０．２以下である。上記範囲は、リン含有有機化合物による、吸光性向上、並びに金属及び／又は金属酸化物に吸着してこれらを基材に固定するという利点が顕著である点で好ましい。

リン含有有機化合物は、光及び／又は熱によって分解又は蒸発しやすいものであることが好ましい。光及び／又は熱によって分解又は蒸発しやすい有機物を用いることによって、焼成後に有機物の残渣が残りにくくなり、抵抗率の低い金属配線を得ることができる。

リン含有有機化合物の分解温度は、限定されないが、６００℃以下であることが好ましく、４００℃以下であることがより好ましく、３００℃以下であることがさらに好ましい。分解温度は、リン含有有機化合物の安定性の観点から、好ましくは、１６０℃以上、又は２１０℃以上、又は２６０℃以上であってよい。

リン含有有機化合物の吸収特性は、限定されないが、金属及び／又は金属酸化物を含む膜の焼成に用いる光を吸収できることが好ましい。一態様において、レーザ光の発光波長としての、３５５ｎｍ、４０５ｎｍ、４４５ｎｍ、４５０ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍ等の光を吸収するリン含有有機化合物を用いることが好ましい。基材が樹脂の場合、リン含有有機化合物は、３５５ｎｍ、４０５ｎｍ、４４５ｎｍ、４５０ｎｍ、及び／又は５３２ｎｍの波長の光を吸収できることが好ましい。なお上記で光を吸収できるとは、紫外可視分光光度計で測定される吸収係数が０．１０ｃｍ^-1以上であることを意味する。

また、リン含有有機化合物の構造としては、酸化銅に対して親和性である水酸基を有する点で、リン酸のモノエステル又はジエステルが好ましい。例えば、下記一般式（１）：

（式中、Ｒは１価の有機基である。）
で表されるリン酸モノエステルは、酸化銅への吸着性及び基材への密着性に優れるため、好ましい。Ｒとしては、置換又は非置換の炭化水素基等を例示できる。

リン酸モノエステルの一例として、下記式（２）：

で表される構造を有する化合物を例示できる。

また、リン酸モノエステルの一例として、下記式（３）：

（式中、ｌは、１～２０の数であり、ｍは、１～２０の数であり、ｎは、１～２０の数である。）
で表される構造を有する化合物も例示できる。

式中、ｌは、好ましくは、１～１５、又は１～１０であってよい。
式中、ｍは、好ましくは、１～１５、又は１～１０であってよい。
式中、ｎは、好ましくは、１～１５、又は１～１０であってよい。

リン含有有機化合物が有する有機構造としては、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、ポリイミド、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリアセタール、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエーテルニトリル（ＰＥＮｔ）、ポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリカルボジイミド、ポリメタクリルアミド、ニトリルゴム、アクリルゴム、ポリエチレンテトラフルオライド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリブテン、ポリペンテン、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－ブテン－ジエン共重合体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、エチレン－プロピレン－ジエン共重合体、ブチルゴム、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、スチレン－ブタジエン共重合体、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フェノールノボラック、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール、ポリクロロピレン、ポリオキシメチレン、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリスルフィド、シリコーン樹脂、アルドース、セルロース、アミロース、プルラン、デキストリン、グルカン、フルクタン、キチン等の化合物に由来する（具体的には、官能基の変性若しくは修飾、又は重合等を経た）構造を有してよい。ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリアセタール、ポリブテン、及びポリスルフィドから選択されるポリマー骨格を有するリン含有有機化合物は、分解しやすく、焼成後に得られる金属配線中に残渣を残し難いため、好ましい。

リン含有有機化合物としては、市販品を用いることができ、具体的には、ビックケミー社製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）－１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１８７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９４Ｎ、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０２２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０５０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２１５２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０５５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０６０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０９６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２２００、ＢＹＫ－４０５、ＢＹＫ－６０７、ＢＹＫ－９０７６、ＢＹＫ－９０７７、ＢＹＫ－Ｐ１０５、第一工業製薬社製のプライサーフ（登録商標）Ｍ２０８Ｆ、プライサーフＤＢＳ等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、複数を混合して用いてもよい。

（ヒドラジン及びヒドラジン水和物）
金属及び／又は金属酸化物を含む膜は、金属及び／又は金属酸化物の還元焼結性の観点から、ヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物を含むことが好ましい。ヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物は、金属及び／又は金属酸化物を含む膜中に含ませることができる。当該膜がヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物を含むことで、ヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物が還元剤として機能し、光線照射後に得られる配線の抵抗がより低下する。当該膜中のヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物の含有量は、ヒドラジン量基準及び質量基準で、当該膜中の金属及び／又は金属酸化物の合計含有量に対して下記範囲であることが好ましい。
０．０００１≦[（ヒドラジン質量）／（金属及び／又は金属酸化物の合計質量）]≦０．１０
ヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物の上記質量比率が０．０００１以上である場合、金属配線の抵抗が低く好ましい。また、上記質量比率が０．１０以下である場合、構造体の長期安定性が良好であり好ましい。

有機物の含有量は、膜の形成に用いるペースト材料１００質量％中、好ましくは、０．１質量％以上、又は０．５質量％以上、又は１質量％以上であり、好ましくは、３０質量％以下、又は２０質量％以下、又は１０質量％以下である。

溶媒の具体例としては、アルコール類（１価アルコール及び多価アルコール（例えば、グリコール））、アルコール（例えばグリコール）のエーテル類、アルコール（例えばグリコール）のエステル類等を使用できる。これらは単独で用いてもよいし、複数種を混合して用いてもよく、塗布方式に応じ、蒸発性、塗布機材、被塗布基材の耐溶剤性等を考慮し選択する。

溶媒としては、炭素数１０以下のモノアルコールがより好ましい。中でも、金属及び／又は金属酸化物の分散性の低下を抑制する観点、及び配線の抵抗値低減の観点から、モノアルコールの炭素数は８以下であることがさらに好ましい。炭素数８以下のモノアルコールの中でも、炭素数２～４のモノアルコール、具体的には、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、及びｔ－ブタノールは、分散性、揮発性及び粘性がペースト材料の塗布に特に適しておりさらにより好ましい。これらのモノアルコールもまた、単独で用いてもよいし、複数種を混合して用いてもよい。

膜の形成に用いるペースト材料１００質量％中の溶媒の量は、３０質量％以上９５質量％以下が好ましく、４０質量％以上９５質量％以下がさらに好ましく、５０質量％以上９０質量％以下が最も好ましい。

膜の形成に用いるペースト材料は、還元剤を更に含むことができる。ペースト材料が還元剤を含む場合、特に低抵抗な配線が得られ好ましい。還元剤としては、前述のヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物が好ましい。還元剤の含有量は、ペースト材料１００質量％中、好ましくは、０．０１質量％以上、又は０．０２質量％以上、又は０．０５質量％以上であり、好ましくは、３０質量％以下、又は１０質量％以下、又は５質量％以下である。

≪金属配線の特性≫
本実施形態で製造される金属配線は、以下に例示する特性を有し得る。

一態様において、本開示で製造される金属配線の厚みは、好ましくは、０．１μｍ以上、又は０．５μｍ以上、又は１μｍ以上であってよく、好ましくは、２０μｍ以下、又は１０μｍ以下、又は８μｍ以下であってよい。

一態様において、本開示で製造される金属配線の表面には、０．３μｍ²以上７００μｍ²以下の開口面積を有する孔が存在してよい。金属配線上に発生する異常部を少なくする観点から、孔の開口面積は、一態様において０．３μｍ²以上７００μｍ²以下、好ましくは０．３μｍ²以上６００μｍ²以下、より好ましくは０．５μｍ²以上５００μｍ²以下である。

一態様においては、金属配線の表面の面積に対する、０．３μｍ²以上７００μｍ²以下の開口面積を有する孔の面積割合が０．５％以上７０％以下である。上記面積割合は、金属配線上に発生する異常部を少なくする観点から、一態様において０．５％以上７０％以下であり、好ましくは１％以上５０％以下、より好ましくは１．５％以上３０％以下、さらに好ましくは２％以上２５％以下、さらに好ましくは２．５％以上２０％以下、さらに好ましくは３％以上２０％以下である。

レーザ光照射時には、通常、膜が体積収縮するが、孔の面積割合が上記範囲内にある金属配線においては、レーザ光照射時に膜が体積収縮する際の応力が緩和されているため、又は、レーザ光照射時の熱が膜の外に放熱されているため、クラック、基材の部分的な焦げ等の異常部が低減されていることができる。

金属配線の断面には、０．３μｍ²以上７００μｍ²以下の断面積を有する孔が少なくとも１つ存在することが好ましい。金属配線上に発生する異常部を少なくする観点から、孔の上記断面積は、好ましくは０．３μｍ²以上７００μｍ²以下、より好ましくは０．３μｍ²以上６００μｍ²以下、さらに好ましくは０．５μｍ²以上５００μｍ²以下である。金属配線の断面方向に孔が存在する場合、レーザ光照射時に膜が体積収縮する際の応力が緩和され、又はレーザ光照射時の熱が膜の外に放熱されているため、クラック、基材の部分的な焦げ等の異常部が低減されていることができる。

なお、上記の開口面積又は断面積を有する孔の存在の確認、及び上記の面積割合の算出は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い、以下の条件で行う。
測定装置：走査型電子顕微鏡（例えば、株式会社日立ハイテク製、ＦｌｅｘＳＥＭ１０００）
測定条件：加速電圧 ５ｋＶ
測定モード：二次電子観察（表面観察について）、又は反射電子観察（断面観察について）
観察倍率：２０００倍（表面観察について）、又は２５００倍（断面観察について）
観察及び画像解析の視野サイズ：４０μｍ×４０μｍ（表面観察について）、又は［金属配線厚み］×［当該厚み方向に対して垂直の方向の長さ４０μｍ］の矩形

孔の面積及び上記面積割合は、ＳＥＭ画像から、解析ソフトＩｍａｇｅＪ（オープンソース、パブリックドメインの画像処理ソフトウェア）を用いた画像解析により求められる値である。具体的には、孔が識別できるように画像を２値化（一態様において閾値は８０とする）して、孔と孔以外の部分との面積比を求め、上記面積割合を算出する。

孔の大きさは、レーザ光照射時のレーザ光の走査速度及びスポット径によって制御されていてよい。レーザ光の走査速度を大きくすると孔のサイズが大きくなる傾向があり、レーザ光走査速度を小さくすると孔のサイズが小さくなる傾向がある。また、スポット径を大きくすると孔のサイズが大きくなる傾向があり、スポット径を小さくすると孔のサイズが小さくなる傾向がある。

金属配線の表面における孔の上記面積割合は、レーザ光を前述のように重複照射する場合のオーバーラップ率によって制御されていてよい。オーバーラップ率を低くすると面積割合が大きくなる傾向があり、オーバーラップ率を高くすると面積割合が小さくなる傾向がある。

≪金属配線製造装置、レーザ光照射制御装置、レーザ光照射制御プログラム≫
本発明の一態様は、基材と、当該基材上に配置された、金属及び／又は金属酸化物を含む膜とを含む構造体における、膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するための金属配線製造装置を提供する。
本発明の一態様はまた、金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定した照射領域にレーザ光を照射するために金属配線製造装置のレーザ発振装置及びレーザ光走査装置、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構を制御するレーザ光照射制御装置、並びにレーザ光制御プログラムを提供する。

図７は、本実施形態の金属配線製造装置の構成例を示す模式図であり、図８は、本実施形態の金属配線製造装置の構成例を示すブロック図である。図７及び８を参照し、一態様において、金属配線製造装置１００は、構造体を保持する構造体保持部１０１、レーザ光を発生させるレーザ発振装置１０２、レーザ発振装置から出射されたレーザ光を走査するレーザ光走査装置１０３、並びに、レーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３を制御する処理装置１０４を備え、典型的には、記憶装置１０５、表示装置１０６、入力装置１０７、及び、本開示の出力部の一態様でもあるインターフェース装置１０８を更に備える。金属配線製造装置１００は、出力調整機構（図示せず）、スポット調整機構（図示せず）等の機構を更に備えてよい。なお金属配線製造装置１００を構成する装置の形態は限定されず、各装置が別個の機器を構成してもよいし、２以上の装置が１の機器を構成してもよい。

処理装置１０４は、記憶装置１０５、表示装置１０６、入力装置１０７及びインターフェース装置１０８とともにレーザ光照射制御装置４００を構成する。レーザ光照射制御装置４００は専用のハードウェアとして構成されてよく、又は、汎用コンピュータにプログラムをインストールしてレーザ光照射制御装置４００として機能させてよい。処理装置１０４は、走査制御信号を、インターフェース装置１０８経由でレーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構に出力してこれらの動作を制御する。

＜構造体保持部１０１＞
構造体保持部１０１は、基材１１ａと膜１１ｂとを含む構造体１１を保持し、一態様においては試料室である。試料室は窓部を有してよい。窓部は、基材１１ａ上に配置された膜１１ｂに、当該窓部を介してレーザ光Ｌａを到達させ得る光透過性を有している。一態様においては、窓部の波長３５５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であり、好ましくは、８５％以上、又は９０％以上であってよい。上記光線透過率は理想的には１００％であるが、窓部の形成容易性の観点から、例えば、９８％以下、又は９５％以下であってもよい。上記光線透過率は、紫外可視分光光度計で測定される値である。試料室は不活性ガス導入口を有してよく、例えば、不活性ガス発生器（図示せず）で発生させた不活性ガスが不活性ガス導入口を介して試料室内に導入されるように構成されていてよい。構造体保持部１０１は、構造体をＸＹＺ三次元方向に移動又は傾斜させる駆動機構（例えばモータ等）を備えてもよい。

＜レーザ発振装置１０２＞
レーザ発振装置１０２は、所望の波長のレーザ光を出射するように構成されている。レーザ発振装置１０２は例えばレーザ発振器である。レーザ光源は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ＹＶＯ４（イットリウムバナデイト）、Ｙｂ（イッテルビウム）、半導体（ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＩｎＡｓ）、炭酸ガス、ファイバーレーザー等であってよい。レーザ光としては、基本波だけでなく必要に応じ高調波が取り出されてよい。レーザ発振装置は、冷却装置等を備えてよい。一態様において、レーザ発振装置は、パルス光を出射するように構成されてよい。パルス波の１パルスあたりの幅は、好ましくは、１～１００ナノ秒、又は２～５０ナノ秒、又は３～３０ナノ秒であってよい。この場合、レーザ発振装置は、パルス光の初期パルスを抑制するパルス抑制機構を備えてよい。パルス抑制機構は、出射開始時の過大なパルス光が膜に照射されるのを防止することで、アブレーション又は炭化を防止する。パルス抑制機構は、例えば、ファーストパルスサブレッション機能（ＦＰＳ機能）、すなわち、初期パルスの余分な出力を前もって予測し、その余分な出力を低下させる機能を有してよい。

＜レーザ光走査装置１０３＞
レーザ光走査装置１０３は、レーザ発振装置１０２から出射されたレーザ光Ｌａを走査する。一態様において、レーザ光走査装置は、ガルバノモータとガルバノミラーとを備えるガルバノスキャナであり、図７では当該ガルバノスキャナを例示している。レーザ光走査装置１０３としてのガルバノスキャナは、Ｘ軸ガルバノミラー１０３ａ、Ｘ軸ガルバノモータ１０３ｂ、Ｙ軸ガルバノミラー１０３ｃ及びＹ軸ガルバノモータ１０３ｄを有する。ガルバノスキャナは、ｆθレンズ（図示せず）、Ｚ軸調整用駆動レンズ（図示せず）等を有してもよい。Ｘ軸ガルバノモータ１０３ｂ及びＹ軸ガルバノモータ１０３ｄは、処理装置１０４に電気的に接続されている。

ガルバノスキャナは、処理装置１０４からの走査制御信号に従って、Ｘ軸ガルバノモータ１０３ｂ及びＹ軸ガルバノモータ１０３ｄの回転角及び回転速度を制御可能に構成されている。レーザ光Ｌａは、レーザ光走査装置１０３により走査されて膜１１ｂの表面に照射される。

上記では、レーザ光走査装置１０３としてガルバノスキャナを例示したが、ガルバノスキャナ以外のレーザ光走査装置も使用可能である。例えば、レーザ光走査装置１０３は、ガルバノスキャナに代えて、構造体１１をＸ軸方向及びＹ軸方向の両方に移動できるＸ－Ｙステージを載置台として用い、レーザ光Ｌａの照射点ｐを移動させる代わりに構造体１１を移動させてもよい。

図７に示す、レーザ光走査装置１０３としてのガルバノスキャナは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの移動に、Ｘ軸ガルバノミラー１０３ａ、Ｙ軸ガルバノミラー１０３ｃのそれぞれを用いているが、ガルバノミラーをＸ軸及びＹ軸のいずれか一方に用いること、例えば、Ｘ軸方向のみの移動にガルバノミラーを用い、Ｙ軸方向の移動には構造体１１を載置している載置台（図示せず）のモータ等を用いることも可能である。

＜出力調整機構＞
金属配線製造装置は、レーザ光の出力を調整する出力調整機構（図示せず）を有してもよい。出力の調整によりレーザ光照射時のアブレーション又は炭化を抑制できる。出力調整機構の一例は、レーザ光の経路上に配置されるアッテネータである。アッテネータは、処理装置１０４に電気的に接続され、処理装置１０４からの制御信号により出力値を任意の値に変更することが出来る。又は、出力調整機構は、出力値を手動操作により変更可能であるように構成されていてもよい。

＜スポット調整機構＞
金属配線製造装置は、レーザ光の焦点位置におけるスポット径を調整するスポット調整機構（図示せず）を有してよい。スポット調整機構は、レーザ光の集光密度を制御してスポット径を調整することで、アブレーション又は炭化を防止する。スポット調整機構の一例は、ガルバノスキャナに入射する光線の直径を拡大若しくは縮小させる装置であり、例えばビームエキスパンダを利用することが出来る。レーザ光の直径を変化させることで、集光レンズによって集光された焦点におけるスポット径を変化させることが出来る。レーザ光の直径を拡大することでスポット径は小さくなり、レーザ光の直径を縮小することでスポット径は大きくなる。一態様においては、ビームエキスパンダを、Ｚ軸方向のレーザ光照射位置に応じて制御してよい。

＜処理装置１０４＞

処理装置１０４は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）である。処理装置１０４として、ＤＳＰ（digital signal processor）、ＬＳＩ（large scale integration）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）等が用いられてもよい。

処理装置１０４は、レーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３を制御し、更に、出力調整機構及び／又はスポット調整機構が存在する場合にはこれらも制御する。処理装置１０４は：
二次元の照射領域パターンと、当該照射領域パターンの外接平行四辺形内の照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターン；及び
走査領域パターンに割り当てられた走査パラメータ；
に従った走査制御信号を、出力部としてのインターフェース装置１０８経由で、レーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構に出力する。これにより、レーザ光Ｌａの照射ターゲット位置ｐを、走査制御信号に従って、平行四辺形内の全域に亘り平行四辺形の第１の辺の方向（例えば図７中のＸ軸方向）に走査しながら第１の辺に隣接する第２の辺の方向（例えば図７中のＹ軸方向）に移動させるように、レーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構を動作させる。

一態様において、処理装置１０４は、記憶装置１０５に記憶された各プログラムを読み取り、読み取った各プログラムに従って動作することにより、座標データ生成部４１０、及び走査制御信号生成部４２０として機能する。

座標データ生成部４１０は、入力された二次元の照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、外接平行四辺形内の照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定した上で、照射領域パターン及び非照射領域パターンで構成される走査領域パターンの座標データを生成する。

一態様において、座標データ生成部４１０は、パターン生成手段４１１、図形指定手段４１２、図形評価手段４１３、及びデータ変換手段４１４を有する。

走査制御信号生成部４２０は、座標データ生成部４１０が生成した座標データに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てて、座標データ及び走査パラメータに従った走査制御信号を生成する。

出力部としてのインターフェース装置１０８は、走査制御信号生成部４２０が生成した走査制御信号を、レーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構に出力する。

＜記憶装置１０５＞
記憶装置１０５は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等のメモリ装置、ハードディスク等の固定ディスク装置、又はフレキシブルディスク、光ディスク等の可搬用の記憶装置等を有する。また、記憶装置１０５には、金属配線製造装置１００又はレーザ光照射制御装置４００の各種処理に用いられるコンピュータプログラム、データベース、テーブル等が格納される。コンピュータプログラムは、コンピュータ読み取り可能な可搬型記録媒体から、公知のセットアッププログラム等を用いて記憶装置１０５にインストールされてもよい。可搬型記録媒体は、例えばＣＤ－ＲＯＭ（compact disc read only memory）、ＤＶＤ－ＲＯＭ（digital versatile disc read only memory）等である。

記憶装置１０５には、座標データ生成プログラム、走査制御信号生成プログラム及び走査制御信号出力プログラムで構成されたレーザ光照射制御プログラムが記憶される。これらの各プログラムは、プロセッサ上で動作するソフトウェアにより実装される機能モジュールである。記憶装置１０５に記憶されたプログラムは、入力された二次元の照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、更に外接平行四辺形内の照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定した上で、照射領域パターン及び非照射領域パターンで構成される走査領域パターンの座標データを生成し、座標データに対して、予め設定した走査パラメータを割り当て、座標データ及び走査パラメータに従った走査制御信号を生成し、走査制御信号を出力することを、レーザ光照射制御装置に実行させる。

＜表示装置１０６、入力装置１０７、インターフェース装置１０８＞
表示装置１０６は、ディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ等）等であってよく、入力装置１０７に入力された情報、処理装置１０４の状態等を表示する。
入力装置１０７は、キーボード、マウス等の入力デバイスであってよく、ユーザからの入力を受け付ける。
インターフェース装置１０８は、ＵＳＢ等のハードウェアインターフェース、有線ＬＡＮ（Local Area Network）若しくは無線ＬＡＮ等のネットワークインターフェース等であってよく、レーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３並びに任意の他の機構と処理装置１０４との通信を可能にする。

＜レーザ光照射制御処理＞
図９Ａ～Ｃは、本実施形態のレーザ光照射制御プログラムによって実行される処理について説明するフローチャートである。以下、図９Ａ～Ｃに示したフローチャートを参照しつつ、金属配線製造装置１００及びレーザ光照射制御装置４００の動作の例を説明する。以下に説明する動作のフローは、予め記憶装置１０５に記憶されているプログラムに基づき主に処理装置１０４により金属配線製造装置１００の各要素と協働して実行される。

最初に、パターン生成手段４１１は、照射領域パターンを生成する（ステップＳ１０１）、照射領域パターンは、予め照射領域パターン情報が格納された外部装置からの入力、ユーザからの描画等による入力、予め記憶装置１０５に記憶させた照射領域パターン情報の読み出し等によって生成される。

一態様において、照射領域パターンは、以下の手順で生成されたものでもよい。図９Ｂを参照し、パターン生成手段４１１は、最初に、Ｘ軸方向長さＡ１及びＹ軸方向長さＢ１を有する二次元ベースパターンを生成する（ステップＳ１１）とともに、膜表面のＸＹＺ三次元形状パターンを生成する（ステップＳ１２）。当該ＸＹＺ三次元形状パターンは、イメージセンサ等の画像認識装置で取得された形状情報に基づいて生成してよい。次いで、パターン生成手段４１１は、当該ＸＹＺ三次元形状パターン上に二次元ベースパターンを投影して照射領域決定用三次元パターンを生成し（ステップＳ１３）、照射領域決定用三次元パターンの、Ｘ軸方向に対して垂直な方向の長さＢ２を計測し（ステップＳ１４）、二次元ベースパターンのＹ軸方向長さＢ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成して（ステップＳ１５）、一連のステップを終了する。この縮小補正パターンを、照射領域パターンとする。

図９Ａを再び参照し、ステップＳ１０１に次いで、図形指定手段４１２は、照射領域パターンの外接平行四辺形を指定する（ステップＳ１０２）。照射領域パターンが２以上の閉図形で構成されている場合、図形指定手段４１２は、当該２以上の閉図形に対して１つの外接平行四辺形を指定するか、１つの閉図形に対して１つの外接平行四辺形を指定するかを、座標データ生成プログラムの設定又はユーザからの入力に基づいて判定する。

図９Ｃは、ステップＳ１０２のより好適な処理例を示す。図９Ｃを参照し、図形指定手段４１２は、最初に、外接平行四辺形を生成し（ステップＳ２１）、次いで指定する外接平行四辺形を矩形に限定するか否かを、座標データ生成プログラムの設定又はユーザからの入力に基づいて判定する（ステップＳ２２）。

ステップＳ２２において、指定する外接平行四辺形を矩形に限定する場合には、図形評価手段４１３が、外接平行四辺形が矩形であるか否かを判定し（ステップＳ２３）、矩形に限定しない場合、図形指定手段４１２は、ステップＳ２３を経ることなく、指定する外接平行四辺形を最小外接平行四辺形に限定するか否かを、座標データ生成プログラムの設定又はユーザからの入力に基づいて判定する（ステップＳ２４）。

上記ステップＳ２３において、外接平行四辺形が矩形である場合には、上記ステップＳ２４に進み、外接平行四辺形が矩形でない場合には、上記ステップＳ２１に戻る。

上記ステップＳ２４において、指定する外接平行四辺形を最小外接平行四辺形に限定する場合には、図形評価手段４１３が、外接平行四辺形が最小であるか否かを判定し（ステップＳ２５）、最小外接平行四辺形に限定しない場合には、ステップＳ２５を経ずに外接平行四辺形の決定（ステップＳ２６）に進んで、一連のステップを終了する。

上記ステップＳ２５において、外接平行四辺形が最小である場合には、上記ステップＳ２６に進んで一連のステップを終了し、最小でない場合には、上記ステップＳ２１に戻る。

なおステップＳ１０２において、外接平行四辺形の指定がユーザによって行われてもよい。一態様に係るステップＳ１０２において、図形指定手段４１２は、照射領域パターンの形状データを出力し、そして外接平行四辺形の形状データを取得する。

図９Ａを再び参照し、ステップＳ１０２に次いで、図形指定手段４１２は、ステップＳ１０２で指定した外接平行四辺形内の照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定する（ステップＳ１０３）。

パターン生成手段４１１は、ステップＳ１０１で生成した照射領域パターンと、ステップＳ１０３で指定された非照射領域パターンとに基づいて、これらで構成される走査領域パターンを生成する（ステップＳ１０４）。

ステップＳ１０４の後、パターン生成手段４１１は、膜表面の三次元形状パターン上への走査領域パターンの投影を実行するか否かを、座標データ生成プログラムの設定又はユーザからの入力に基づいて判定する（ステップＳ１０５）。

ステップＳ１０５において投影処理有りの場合、パターン生成手段４１１は、膜表面の三次元形状パターンを生成し（ステップＳ１０６）、当該三次元形状パターン上に走査領域パターンを投影して三次元の走査領域パターンを生成する（ステップＳ１０７）。当該三次元形状パターンは、イメージセンサ等の画像認識装置で取得された形状情報に基づいて生成してよいが、前述のステップＳ１１において膜表面の三次元形状パターンが既に生成されている場合には当該パターンを用いてよい。

データ変換手段４１４は、ステップＳ１０７で生成した三次元の走査領域パターンのデータを取得して座標データに変換し、三次元の走査領域パターンを示す座標データを生成する（ステップＳ１０８）。

一方、ステップＳ１０５において投影処理無しの場合、データ変換手段４１４は、ステップＳ１０４で生成した二次元の走査領域パターンのデータを取得して座標データに変換し、二次元の走査領域パターンを示す座標データを生成する（ステップＳ１０８）。

なお一態様においては、ステップＳ１０５～Ｓ１０７の処理は省略され、パターン生成手段４１１は、膜表面の三次元形状パターン上への走査領域パターンの投影を実行するか否かを判定しなくてもよい。

次いで、走査制御信号生成部４２０は、予め走査パラメータ情報が格納された外部装置からの入力、ユーザからの入力、予め記憶装置１０５に記憶させた走査パラメータ情報の読み出し等によって、レーザ光照射条件を規定する走査パラメータを生成する（ステップＳ１０９）。走査パラメータは、平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む。一態様において、走査パラメータは、レーザ光出射及びレーザ光不出射を制御するためのレーザ発振装置のオンオフ切り替えを含む。

走査制御信号生成部４２０は、ステップＳ１０９で生成された走査パラメータを、ステップＳ１０８で生成された座標データに割り当てることによって走査制御信号を生成する（ステップＳ１１０）。一態様において、非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータは、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる。すなわち一態様において、走査制御信号生成部４２０は、照射領域パターンと非照射領域とに対して、レーザ発振装置のオンオフ切り替え以外は同一の走査パラメータを割り当てる。

出力部としてのインターフェース装置１０８は、ステップＳ１１０で生成された走査制御信号を金属配線製造装置１００のレーザ発振装置１０２及びレーザ光走査装置１０３、並びに任意に出力調整機構、スポット調整機構等の機構に出力して（ステップＳ１１１）、一連のステップを終了する。

なお本開示の金属配線製造装置、レーザ光照射制御装置及びレーザ光照射制御プログラムにおいて、上記以外の種々の態様（例えば、走査領域パターンの生成、走査パラメータ等の詳細）の具体例は、≪金属配線の製造方法≫において前述したのと同様であってよく、ここでは説明を繰り返さない。

≪記録媒体又は記録機器≫
本発明の一態様は、本開示のレーザ光照射制御プログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記録媒体又は記録機器も提供する。上記コンピュータは、ＣＰＵ、メインメモリ、ストレージ、入出力デバイス、ハードウェアインターフェース等を含む一般的なハードウェア構成を有してよい。また、上記の記録媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリ装置、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、光ディスク等の可搬用の記憶装置であってよい。上記プログラムは、上記記録媒体に格納されて配布されるものの他、インターネット等のネットワーク回線を通じてダウンロードによって配布される形態のものも包含する。上記記録機器は、上記プログラムがソフトウェア、ファームウェア等の形態で実行可能な状態に実装された汎用若しくは専用の機器であってよい。プログラムに含まれる各処理及び機能は、コンピュータで実行可能なプログラムソフトウエアにより実行してもよいし、各部の処理を所定のハードウェア、又はプログラムソフトウエアとハードウェアの一部の要素を実現する部分的ハードウェアモジュールとが混在する形式で実現してもよい。

以下、実施例を挙げて本発明の例示の態様を更に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されない。

［実施例１］
（ペースト材料の調製）
水８００ｇ及び１，２－プロピレングリコール（富士フイルム和光純薬製）４００ｇからなる混合溶媒中に、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（富士フイルム和光純薬製）８０ｇを溶解し、ヒドラジン水和物（富士フイルム和光純薬製）２０ｇを加えて攪拌した後、遠心分離を用いて上澄みと沈殿物とに分離した。

得られた沈殿物２．８ｇに、リン含有有機化合物としてＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５（商品名、ビックケミー社製）（ＢＹＫ－１４５）０．４ｇ、及び分散媒としてエタノール（富士フイルム和光純薬製）６．６ｇを加え、ホモジナイザを用いて分散した。さらにエタノールによる希釈と濃縮を繰り返し、これにより、酸化第一銅（酸化銅（Ｉ））を含む酸化第一銅微粒子を含有するペースト材料を得た。最終組成は沈殿物が２．８ｇ、ＢＹＫ－１４５が０．４ｇ、エタノールが６．６ｇ、ヒドラジン水和物が０．０１ｇであった。

（膜の形成）
基材としてポリカーボネート基板を準備し、表面にＵＶオゾン処理を施した後、ペースト材料をスピンコート（５００ｒｐｍ×３０秒）し、２５℃で１０分間乾燥後、６０℃で２時間乾燥させ、基材上に厚み３．０μｍの膜が形成された構造体１を得た。

（金属配線製造装置の準備）
レーザー発振器としてＳｐｅｃｔｒａＰｈｙｓｉｃｓ株式会社製Ｔａｌｏｎ３５５、ガルバノスキャナとして株式会社安川電機社製ＹＤ－３００、窒素発生器として株式会社サタコ製ＳＵＦ－５００、試料室として、アルミニウム合金Ａ５０５２からなる箱形状の１つの面にガラスの窓部を取り付け、窒素ガス導入口と排気ガス排出口を設け、内部に酸素濃度計を配置した試料室、コンピュータとしてヒューレッドパッカード社製ＺＢｏｏｋ １５ Ｇ５、からなる金属配線製造装置を準備した。なお上記窓部のガラスについて、紫外可視分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ－３６００）を用いて波長３５５ｎｍの光線透過率を測定したところ、９２．２％であった。

上記の金属配線製造装置は、コンピュータから制御可能なアッテネータを備え、これによりレーザ光の出力を調節した。また、レーザ発振器は、内部にＦＰＳ機能を備え、出射開始時に過大な初期パルスが生成されることを防止した。さらに、ガルバノスキャナにレーザ光を導入する前の位置にビームエキスパンダーを設け、レーザ光の直径を拡大若しくは縮小させることで、焦点位置におけるスポット径の大きさを制御した。

（サンプルの設置）
構造体１を上記試料室に入れた。試料室内に取り付けられた酸素濃度計にて酸素濃度が１質量％以下になるまで、不活性ガスである窒素ガスをフローさせた。

（レーザ光による焼成及び導電性評価）
図１０Ａに示すＬ字形の照射領域パターンａに対して、外接平行四辺形Ａを指定した。
レーザ光の照射位置を、点ｐを始点として、最大速度３０ｍｍ／秒の速さで走査方向（長さ６ｍｍである長手方向）に６ｍｍ動かした（１回目照射）後、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度３０ｍｍ／秒の速さで動かす（２回目照射）ように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。この方法で照射位置を走査方向に垂直な方向に３ｍｍ動かした。

次に、レーザ光の照射位置を、最大速度３０ｍｍ／秒の速さで走査方向に１ｍｍ動かし、レーザ光を照射せずに（休止区間ｂ）同じ走査方向に最大速度３０ｍｍ／秒の速さで５ｍｍ動かし、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度３０ｍｍ／秒の速さで１ｍｍ動かし、レーザ光を照射せずに（休止区間ｂ）、同じ走査方向に最大速度３０ｍｍ／秒の速さで５ｍｍ動かすように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。他の走査パラメータは、中心波長３５５ｎｍ、周波数３００ｋＨｚ、パルス幅１５ｎｓ、出力９５０ｍＷ、出力密度０．０６ｍＷ／μｍ²とした。

上記レーザ光照射条件にて、図１０Ａに示す寸法の、銅を含む金属配線を得た。
得られた金属配線の導電性は、デジタルマルチメーターＡＤ７４６１（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）を用いて評価した。評価の為に金属配線を図１０Ｂに示す切断線Ｃにてパートｃとパートｄとに切断した。
パートｃ（６ｍｍ×３ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．４０Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は３０．０μΩｃｍであった。
パートｄ（２ｍｍ×１ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．３９Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は２９．３μΩｃｍであった。
パートｃとパートｄとは、ほぼ同じ体積抵抗率を示し、抵抗ばらつきの少ない金属配線が得られたことを確認した。

（オーバーラップ率）
実施例１で用いたレーザ光のスポット径を、オフィール社製ビームプロファイラーＳＰ９２８を用いて計測した結果、直径１４２μｍであった。実施例１で走査したときの走査線のオーバーラップ率を計算すると７８．９%であった。

［比較例１］
レーザ光照射パターンの設定以外は実施例１と同様にして、サンプル作製及び抵抗値測定を行った。
図１０Ａに示すＬ字形閉図形パターンに対し、点ｐを始点として、レーザ光の照射位置を、最大速度３０ｍｍ／秒の速さで走査方向（長手方向）に６ｍｍ動かした（１回目照射）後、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度３０ｍｍ／秒の速さで動かす（２回目照射）ように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。この方法で、走査方向に垂直な方向に３ｍｍ動かした。
次いで、レーザ光の照射位置を、最大速度３０ｍｍ／秒の速さで走査方向に１ｍｍ動かした後、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度３０ｍｍ／秒の速さで動かすように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。他の走査パラメータは、中心波長３５５ｎｍ、周波数３００ｋＨｚ、パルス幅１５ｎｓ、出力９５０ｍＷ、出力密度０．０６ｍＷ／μｍ²とした。
上記レーザ光照射条件にて、図１０Ａに示す寸法の、銅を含む金属配線を得た。

得られた金属配線の導電性は、デジタルマルチメーターＡＤ７４６１（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）を用いて評価した。評価の為に金属配線を図１０Ｂに示す切断線Ｃにてパートｄとパートｄとに切断した。
パートｃ（６ｍｍ×３ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．４２Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は３１．５μΩｃｍであった。
パートｄ（２ｍｍ×１ｍｍ）の部分は膜が吹き飛んでおり、抵抗測定は出来なかった。

［実施例２］
用いたレーザ光のスポット直径を３３μｍ、、出力を８０ｍＷ、出力密度を０．０９ｍＷ／μｍ^２、とすること以外は実施例１と同様にして、金属配線の形成、スポット径及びオーバーラップ率の評価、並びに導電性評価を行った。
走査線のオーバーラップ率を計算すると９．１％であった。
パートｃ（６ｍｍ×３ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、１．０７Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は８０．３μΩｃｍであった。
パートｄ（２ｍｍ×１ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．９８Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は７３．５μΩｃｍであった。
パートｃとパートｄとは、体積抵抗率に差が見られたが、抵抗ばらつきの比較的少ない金属配線が得られたことを確認した。

［実施例３］
走査方向に垂直な方向に移動させる値を２０μｍにすること以外は実施例２と同様にして、金属配線の形成、スポット径及びオーバーラップ率の評価、並びに導電性評価を行った。
走査線のオーバーラップ率を計算すると３９．４%であった。
パートｃ（６ｍｍ×３ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．３４Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は２５．５μΩｃｍであった。
パートｄ（２ｍｍ×１ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．３５Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は２６．３μΩｃｍであった。
パートｃとパートｄとは、ほぼ同じ体積抵抗率を示し、抵抗ばらつきの少ない金属配線が得られたことを確認した。

［実施例４］
用いたレーザ光のスポット直径を１４２μｍ、出力を３５０ｍＷ、出力密度を０．０２ｍＷ／μｍ²とすること以外は実施例１と同様にして、金属配線の形成、スポット径及びオーバーラップ率の評価、並びに導電性評価を行った。
走査線のオーバーラップ率を計算すると９９．２%であった。
パートｃ（６ｍｍ×３ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、１．６１Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は１２０．８μΩｃｍであった。
パートｄ（２ｍｍ×１ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、２．２１Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は１６５．８μΩｃｍであった。
パートｃとパートｄとは、体積抵抗率に差が見られたが、抵抗ばらつきの比較的少ない金属配線が得られたことを確認した。

［実施例５］
（立体形状部への膜の形成）
基材として直径５０ｍｍのガラス円筒を準備し、水に浸して超音波洗浄を５分行い、さらにエタノールに浸して超音波洗浄を５分間行って乾燥させた後、表面にＵＶオゾン処理を５分間施し、実施例１で調製したペースト材料を満たした容器に漬け込み、ガラス円筒を引き上げた。さらに２５℃で５分間乾燥後、９０℃に設定した乾燥機で２時間乾燥させ、ガラス円筒の表面に１．８μｍの塗布膜が形成された構造体２を得た。

（外接平行四辺形の設定）
実施例１と同じ配線パターン（以下、配線パターン１とする）の長辺と短辺をそれぞれ含むように外接する平行四辺形１を設定した。同様にして配線パターン１と左右対称とした配線パターン（以下、配線パターン２とする）の長辺と短辺をそれぞれ含むように外接する平行四辺形２を設定した。

（照射領域パターンの投影）
直径５０ｍｍのガラス円筒の塗布膜の表面形状上に、上述の外接する平行四辺形１と２を含む照射領域パターンを投影して、３次元の照射領域パターンＸを作成した。

（レーザ光による焼成及び導電性評価）
ガラス円筒上の塗布膜の上でレーザ光のスポット直径がおよそ１００μｍになるようにガラス円筒の位置を調整した。配線パターン１について、レーザ光の照射位置を、最大速度２５ｍｍ／秒の速さで走査方向（配線パターン１で長さ６ｍｍである長手方向）に６ｍｍ動かした（１回目照射）後、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで動かす（２回目照射）ように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。この方法で照射位置を走査方向に垂直な方向に３ｍｍ動かした。

次に、レーザ光の照射位置を、最大速度２５ｍｍ／秒の速さで走査方向に１ｍｍ動かし、レーザ光を照射せずに（休止区間ｂ）同じ走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで５ｍｍ動かし、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで１ｍｍ動かし、レーザ光を照射せずに（休止区間ｂ）、同じ走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで５ｍｍ動かすように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。この方法で照射位置を走査方向に垂直な方向に２ｍｍ動かした。このようにして配線パターン１の銅を含む金属配線を得た。

配線パターン２について、レーザ光の照射を、最大速度２５ｍｍ／秒の速さで走査方向に１ｍｍ動かした後、レーザ光を照射せずに（休止区間ｂ）同じ走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで５ｍｍ動かし、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで１ｍｍ動かし、レーザ光を照射せずに（休止区間ｂ）、同じ走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで５ｍｍ動かすようにソフトウェアで走査パラメータを設定した。この方法で照射位置を走査方向に垂直な方向に２ｍｍ動かした。

次に、レーザ光の照射位置を、最大速度２５ｍｍ／秒の速さで走査方向に６ｍｍ動かした（１回目照射）後、走査方向に垂直な方向に３０μｍ移動させて再び走査方向に最大速度２５ｍｍ／秒の速さで動かす（２回目照射）ように、ソフトウェアで走査パラメータを設定した。この方法で照射位置を走査方向に垂直な方向に３ｍｍ動かした。このようにして配線パターン２の銅を含む金属配線を得た。

得られた金属配線の導電性は、デジタルマルチメーターＡＤ７４６１（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）を用いて評価した。評価の為に配線パターン１の金属配線を図１０Ｂに示す切断線Ｃにてパートｃとパートｄとに分断した。
パートｃ（３ｍｍ×６ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．３１Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は２３．３μΩｃｍであった。
パートｄ（２ｍｍ×１ｍｍ）の長手方向の両端にテスターを当てて４端子測定法にて抵抗値を評価したところ、０．２９Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は２１．８μΩｃｍであった。
パートｃとパートｄとは、ほぼ同じ体積抵抗率を示し、抵抗ばらつきの少ない金属配線が得られたことを確認した。
同様に配線パターン２でも切断線Ｃにてパートｃとパートｄとに分断し、抵抗値を求めた所、パートｃの抵抗値は０．３０Ω（３回測定の平均値）であった。また体積抵抗率は２２．５μΩｃｍであった。またパートｄの抵抗値は０．２９Ω（３回測定の平均値）で、体積抵抗率は２１．８μΩｃｍであった。
パートｃとパートｄとは、ほぼ同じ体積抵抗率を示し、抵抗ばらつきの少ない金属配線が得られたことを確認した。

［比較例２］
実施例１と同様の方法で、図１０Ａに示すＬ字形の照射領域パターンａに対して、外接しない平行四辺形Ｂ（照射領域パターンａの外側に８ｍｍ×８ｍｍの長方形）を設定したこと以外は実施例１と同様に銅を含む金属配線を作製した。特に、Ｌ字形の照射領域パターンａの中はレーザ光を照射し、それ以外の外接しない平行四辺形Ｂの中は不出射とした。その結果、銅を含む金属配線を作製するレーザ光を照射する処理時間が、実施例１と比較して２．１倍の時間が掛かり、生産性に課題を生じた。

本発明の一態様によって得られる金属配線は、電子回路基板等の配線材、メッシュ電極、電磁波シールド材、及び、放熱材料の作製に好適に利用できる。

１，２，４ 閉図形
Ａ，Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４ 外接平行四辺形
１ａ，２ａ，２ｂ，２ｃ，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 非照射領域パターン
Ｓ 照射ターゲット位置の走査長
Ｓ１ レーザ光出射部の走査長
Ｓ２ レーザ光不出射部の走査長
Ｄ１ 第１の辺の方向
Ｄ２ 第２の辺の方向
４０ 二次元ベースパターン
４１ 膜表面の三次元形状パターン
４２ 照射領域決定用三次元パターン
Ｐ 照射領域パターン
Ｒ 照射領域
１１ 構造体
１１ａ 基材
１１ｂ 膜
１００ 金属配線製造装置
１０１ 構造体保持部
１０２ レーザ発振装置
１０３ レーザ光走査装置
１０３ａ Ｘ軸ガルバノミラー
１０３ｂ Ｘ軸ガルバノモータ
１０３ｃ Ｙ軸ガルバノミラー
１０３ｄ Ｙ軸ガルバノモータ
１０４ 処理装置
４００ レーザ光照射制御装置

Claims (32)

1. 金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程を含む、金属配線の製造方法であって、
   前記レーザ光照射工程が、以下のステップ：
   予め作成され１又は２以上の閉図形で構成された二次元の照射領域パターンと、前記照射領域パターンの外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターンを生成する、走査領域パターン生成ステップ；
   前記走査領域パターンに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てる、パラメータ割り当てステップ；並びに
   前記走査領域パターン及び前記走査パラメータに従って、前記レーザ光の照射ターゲット位置を前記外接平行四辺形内の全域に亘り前記外接平行四辺形の第１の辺の方向に走査しながら前記第１の辺に隣接する第２の辺の方向に移動させることによって、前記照射領域にレーザ光を照射する、照射ステップ、
   を含み、
   前記走査パラメータが、前記外接平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む、方法。
2. 前記レーザ光照射工程に供される前記膜が、基材上に形成されている、請求項１に記載の方法。
3. 前記レーザ光照射工程に供される前記膜が、前記基材上に形成された塗膜である、請求項２に記載の方法。
4. 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記外接平行四辺形が、最小外接矩形である、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記外接平行四辺形が長辺及び短辺を有する矩形であり、前記第１の辺が長辺である、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記照射領域パターンが２以上の閉図形で構成されており、各閉図形に対して前記外接平行四辺形を指定する、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記照射領域パターンが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンである、請求項１～７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記照射領域パターンが、
   ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターンを、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン上に投影して、照射領域決定用三次元パターンを生成すること、
   前記二次元ベースパターン上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
   前記照射領域決定用三次元パターン上の、前記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
   前記二次元ベースパターンの前記寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
   によって生成された縮小補正パターンであり、
   前記照射ステップにおいて、Ｘ軸方向を前記第１の辺の方向に指定し、Ｙ軸方向を前記第２の辺の方向に指定する、請求項１～７のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記レーザ光を、走査線の線幅方向にオーバーラップさせながら走査する、請求項１～９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記オーバーラップが、前記線幅の１０％以上９９％以下である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記膜が、銅及び／又は酸化銅を含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 前記膜が、分散剤を更に含む、請求項１～１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 基材と、前記基材上に配置された、金属及び／又は金属酸化物を含む膜とを含む構造体における、前記膜の予め設定された照射領域にレーザ光を照射して金属配線を形成するための金属配線製造装置であって、
    前記金属配線製造装置が：
    構造体を保持する構造体保持部；
    レーザ光を発生させるレーザ発振装置；
    前記レーザ発振装置から出射されたレーザ光を走査するレーザ光走査装置；並びに
    前記レーザ発振装置及び前記レーザ光走査装置を制御する処理装置；
    を備え、
    前記処理装置が：
    二次元の照射領域パターンと、前記照射領域パターンの外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域である非照射領域パターンとで構成される走査領域パターン；及び
    前記走査領域パターンに割り当てられた走査パラメータ；
    に従った走査制御信号を前記レーザ発振装置及び前記レーザ光走査装置に出力することによって、前記走査制御信号に従って、前記レーザ光の照射ターゲット位置を、前記外接平行四辺形内の全域に亘り前記外接平行四辺形の第１の辺の方向に走査しながら前記第１の辺に隣接する第２の辺の方向に移動させるように、前記レーザ発振装置及び前記レーザ光走査装置を動作させ、
    前記走査パラメータが、平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含む、金属配線製造装置。
15. 前記レーザ光走査装置が、ガルバノモータとガルバノミラーとを備えるガルバノスキャナであり、
    前記処理装置が、前記レーザ発振装置のオンオフ切り替えによって前記レーザ光出射及び前記レーザ光不出射を制御する、請求項１４に記載の金属配線製造装置。
16. 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、請求項１４又は１５に記載の金属配線製造装置。
17. 金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定した照射領域にレーザ光を照射するために金属配線製造装置のレーザ発振装置及びレーザ光走査装置を制御するレーザ光照射制御装置であって、
    入力された二次元の照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、更に前記外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定した上で、前記照射領域パターン及び前記非照射領域パターンで構成される走査領域パターンの座標データを生成する座標データ生成部と、
    前記座標データに対して、予め設定した走査パラメータを割り当てて、前記座標データ及び前記走査パラメータに従った走査制御信号を生成する走査制御信号生成部と、
    前記走査制御信号をレーザ発振装置及びレーザ光走査装置に出力する出力部とを有し、
    前記走査パラメータが、前記外接平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含むことを特徴とする、レーザ光照射制御装置。
18. 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、請求項１７に記載のレーザ光照射制御装置。
19. 前記外接平行四辺形が、最小外接矩形である、請求項１７又は１８に記載のレーザ光照射制御装置。
20. 前記外接平行四辺形が長辺及び短辺を有する矩形であり、前記走査長の方向が前記長辺の方向である、請求項１７～１９のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御装置。
21. 前記照射領域パターンが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンである、請求項１７～２０のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御装置。
22. 前記照射領域パターンが、
    ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターンを、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン上に投影して、照射領域決定用三次元パターンを生成すること、
    前記二次元ベースパターン上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
    前記照射領域決定用三次元パターン上の、前記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
    前記二次元ベースパターンの前記寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
    によって生成された縮小補正パターンであり、
    Ｘ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査長の方向であり、Ｙ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査幅の方向である、請求項１７～２０のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御装置。
23. 金属及び／又は金属酸化物を含む膜の予め設定した照射領域にレーザ光を照射するために金属配線製造装置のレーザ発振装置及びレーザ光走査装置を制御するレーザ光照射制御プログラムであって、
    入力された二次元の照射領域パターンに対して外接平行四辺形を指定し、更に前記外接平行四辺形内の前記照射領域パターン以外の領域を非照射領域パターンとして指定した上で、前記照射領域パターン及び前記非照射領域パターンで構成される走査領域パターンの座標データを生成し、
    前記座標データに対して、予め設定した走査パラメータを割り当て、
    前記座標データ及び前記走査パラメータに従った走査制御信号を生成し、
    前記走査制御信号を出力する、
    ことをレーザ光照射制御装置に実行させ、
    前記走査パラメータが、前記外接平行四辺形の全幅である走査長、照射領域パターンに対するレーザ光出射及び非照射領域パターンに対するレーザ光不出射を含むことを特徴とする、レーザ光照射制御プログラム。
24. 前記非照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータが、レーザ光を不出射とすることのみにおいて、前記照射領域パターンに割り当てられる走査パラメータと異なる、請求項２３に記載のレーザ光照射制御プログラム。
25. 前記外接平行四辺形が、最小外接矩形である、請求項２３又は２４に記載のレーザ光照射制御プログラム。
26. 前記外接平行四辺形が長辺及び短辺を有する矩形であり、前記走査長の方向が前記長辺の方向である、請求項２３～２５のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御プログラム。
27. 前記照射領域パターンが２以上の閉図形で構成されており、各閉図形に対して前記外接平行四辺形を指定する、請求項２３～２６のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御プログラム。
28. 前記照射領域パターンが、予め取得した膜表面の三次元形状パターン上に生成された三次元パターンの二次元投影パターンである、請求項２３～２７のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御プログラム。
29. 前記照射領域パターンが、
    ＸＹ平面上に予め生成した二次元ベースパターンを、予め取得した膜表面のＸＹＺ三次元形状パターン上に投影して、照射領域決定用三次元パターンを生成すること、
    前記二次元ベースパターン上のＹ軸方向の差渡し部Ｂの寸法Ｂ１を計測すること、
    前記照射領域決定用三次元パターン上の、前記差渡し部Ｂの投影部の寸法Ｂ２を計測すること、
    前記二次元ベースパターンの前記寸法Ｂ１にＢ１／Ｂ２を乗じて縮小補正パターンを生成すること、
    によって生成された縮小補正パターンであり、
    Ｘ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査長の方向であり、Ｙ軸方向がレーザ光の照射ターゲット位置の走査幅の方向である、請求項２３～２７のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御プログラム。
30. 前記レーザ光を、走査線の線幅方向にオーバーラップさせながら走査する、請求項２３～２９のいずれか一項に記載のレーザ光照射制御プログラム。
31. 前記オーバーラップが、前記線幅の１０％以上９９％以下である、請求項３０に記載のレーザ光照射制御プログラム。
32. 請求項２３～３１のいずれか一項に記載のプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記録媒体又は記録機器。

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