JP2022018538A - 撮像装置および撮像方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示すように、本発明の第1実施形態に係る撮像装置100は、光(可視光を含む光を指す)Lの入射側(被写体OBの側)から順に、第1撮像素子11、第2撮像素子12、および第3撮像素子13(適宜まとめて、撮像素子11,12,13)を積層してなるカラー撮像素子10、ならびに、カラー撮像素子10のさらに光の入射側に配置した透過型の空間光変調器(符号化開口)8および光学系71,72を備える。第1撮像素子11は、1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換する光電変換部51、および光電変換部51が変換した電荷を電気信号として出力させる読出回路21を有する。同様に、第2撮像素子12は光電変換部52および読出回路22を有し、第3撮像素子13は光電変換部53および読出回路23を有する。また、カラー撮像素子10における空間光変調器8から最も遠い第3撮像素子13以外の第1撮像素子11および第2撮像素子12は、入射した光の一部を光電変換部51,52が吸収し、その余を透過させる。撮像装置100はさらに、撮像素子11,12,13および空間光変調器8を駆動する駆動装置91、撮像素子11,12,13が出力した電気信号から画像を再構成する復号化装置92を備える。なお、1つの波長域の光とは、撮像素子11,12,13が個別に画像データの信号として出力する光であり、本実施形態においては、後記するように光の三原色の1つである。
カラー撮像素子10は、入射する光に含まれる青色光LB(ピーク波長λB=450nm)、緑色光LG(ピーク波長λG=500~540nm)、および赤色光LR(ピーク波長λR=650nm)を、それぞれ個別に電気信号に変換して出力する。そのために、図1および図2に示すように、光の入射側に最も近い層(以下、最上層という)の第1撮像素子11は、青色光LB(網掛けを付した矢印で表す)を吸収して電荷に変換し、かつ緑色光LG(白抜き矢印で表す)および赤色光LR(黒く塗り潰した矢印で表す)を透過する光電変換膜(光電変換部)51と、光電変換膜51が変換した電荷を電気信号として出力させる読出回路を構成する回路層21と、を有する。第2撮像素子12は、緑色光LGを吸収して電荷に変換し、かつ赤色光LRを透過する光電変換膜(光電変換部)52と、光電変換膜52が変換した電荷を電気信号として出力させる読出回路を構成する回路層22と、を有する。光の入射側から最も遠い層(以下、最下層という)の第3撮像素子13は、赤色光LRを吸収して電荷に変換するフォトダイオード(光電変換部)53と、フォトダイオード53が変換した電荷を電気信号として出力させる読出回路を構成する回路部23と、を有する。すなわち、撮像素子11,12,13はそれぞれ、1つの波長域の光(単色光)の撮像素子である。なお、図2は、撮像装置100におけるカラー撮像素子10およびその近傍の部分拡大図であり、光の入射側を上に向けて示す。本明細書において、別途記載のない限り、形式的に、光の入射側を上と表す。
以下、カラー撮像素子10の各要素について詳細に説明する。
光電変換膜51,52は、固有の波長域の光に感度を有してこれを吸収して電荷に変換し、その他の波長域の光を透過させる有機材料からなる。最下層(フォトダイオード53)以外の光電変換部にこのような材料を適用することにより、光の入射側からR,G,Bの各色の光を任意の順序で受光することができる。本実施形態においては、間に配置された第2撮像素子12の光電変換膜52に、視感度の高い緑色光LGに感度を有する有機材料を適用する。また、最も光の入射側寄りに配置される光電変換膜51に、青色光LBに感度を有する有機材料を適用する。光電変換膜51,52は、膜厚が50nm以上であることが好ましく、光吸収極大波長での吸収率が90%以上、すなわち吸光度A(A=-log(I/I0)、(I/I0:透過率))が1.0以上であることが好ましい。一方で、光電変換膜51,52は、過剰に厚いと、入射した光をすべて吸収してしまいそれ以上の効果がなく、また、透過させる光(光電変換膜51においては赤色光LRおよび緑色光LG、光電変換膜52においては赤色光LR)の透過率によってはこれらの光の透過量が低下する。さらに、光電変換膜51と光電変換膜52、および光電変換膜52とフォトダイオード53の、それぞれの受光面同士の距離d1,d2が長くなる。したがって、光電変換膜51,52は、それぞれの膜厚が1μm以下であることが好ましい。
画素電極33と対向電極34は、光電変換膜51,52のそれぞれの両面に接続される一対の電極である。画素電極33は、カラー撮像素子10の画素毎に区画、離間したパターンに形成され、回路層21,22のトランジスタ(図4のトランジスタT1、図5のトランジスタT3)に電気的に接続する。対向電極34は、全面に形成され、駆動装置91の電源やGNDに接続する。画素電極33および対向電極34は、必要な導電性が得られる膜厚以上に形成され、具体的には、それぞれの膜厚が1~100nmであることが好ましい。
回路層21および回路層22は、それぞれTFT構造を有し、公知の構造とすることができ(例えば、特許文献3,4参照)、前記した通り、レイアウトが互いに鏡像に設計されていること以外は同一構造である。回路層21,22はそれぞれ、一例として、図7に示すように、ゲート電極31と、ゲート絶縁膜41と、半導体層2と、ソース・ドレイン電極32と、水平信号線(図4および図5に示す画素選択線SL、リセット選択線RL)および垂直信号線(図4および図5に示す読出線OL、VDD電源配線、VRST電源配線)と、絶縁膜42と、を備える。回路層21および回路層22は、画素毎に平面視で重複する少なくとも一部の領域が、光を透過する構造とし、より高い面積率で光を透過することが好ましい。そのために、光を透過しない部材、例えば金属電極材料で形成された水平信号線および垂直信号線は、画素間に配置されることが好ましい(図3のSL,OL)。また、図7では、回路層21と回路層22とは、それぞれの形成時におけるレイアウトが互いに鏡像に設計されている。なお、光を透過する領域の平面視で重複する部分が十分に広ければ、回路層21と回路層22とは、異なるレイアウト、さらには異なる回路であってもよい。なお、図7においては、撮像素子11,12,13は、半導体層2等を有するTFT構造を形成された部分の断面を示す。
保護膜43は、対向電極34を保護する絶縁膜であり、また、第1撮像素子11と第2撮像素子12との貼り合わせ前における当該保護膜43の表面を平坦な面とするための平坦化膜である。保護膜43は、光電変換膜51,52の形成後に成膜されるので、対向電極34と同様、150℃以下の低温で成膜可能な、光を透過する材料で形成される。具体的には、SiO2,SiN,Al2O3,TiO2等の無機材料が挙げられ、これらの材料を2種以上積層してもよい。あるいは、ポリシラン、ポリビニルカルバゾール、ポリイミド、ポリパラキシレンビニレン等の樹脂材料で形成することができる。保護膜43は、膜厚が0.1μm以上であることが好ましく、成膜後にCMP(化学機械研磨:Chemical Mechanical Polishing)法で表面を平滑に加工されて形成される場合には、最小で1μm以上であることが好ましい。一方で、第1撮像素子11と第2撮像素子12との受光面間の距離d1を短くするために、膜厚が最大で3μm以下であることが好ましく、2μm以下であることがより好ましい。
Si基板50は、回路部23のトランジスタT1,T2,T3,T4(図6参照)を構成するトランジスタ54、およびフォトダイオード53の材料であり、これらを形成するための土台である。本実施形態では、トランジスタ54がMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)で形成されるため、Si基板50は、単結晶シリコン基板を材料とすることが好ましく、ここでは、フォトダイオード53の構成に対応して、p型Si基板(p-sub)を適用する。また、第3撮像素子13が裏面照射型CMOSイメージセンサであることから、Si基板50は、下側(光の入射側の反対側)の表層にトランジスタ54が形成され、裏面からの研削により厚さが数μm~数十μmに薄化され、研削された裏面が上に向けられている。
フォトダイオード53は、Si基板50に形成された埋込みフォトダイオード(Pinned Photodiode)である。Siは、可視領域を含む広い分光感度を有するので、第3撮像素子13は、いずれの波長域の光(LB,LG,LR)も電荷に変換することができる。カラー撮像素子10においては、青色光LBが光電変換膜51に吸収され、緑色光LGが光電変換膜52に吸収されているので、フォトダイオード53は赤色光LRを入射されて受光する。そのために、フォトダイオード53は、Si基板50の上面から少なくとも3μm程度の深さの領域に形成される。本実施形態では、p型のSi基板50において下から順に、n-エピタキシャル層(図7中、「n-epi」)50n、p-エピタキシャル層(図7中、「p-epi」)50pが積層されたnp二重エピタキシャル基板でフォトダイオード53が形成される。また、Si基板50は、n-エピタキシャル層50n内に、画素毎に当該画素を囲うようにpウェル(図7中、「p-well」)54pが形成されている。フォトダイオード53はさらに、Si基板50の下側表層に、n-エピタキシャル層50nのpウェル54pに囲われた領域を覆うn+拡散層(図7中、「n+」)53n、およびn+拡散層53nに積層されたp+拡散層(図7中、「p+」)53pを備える。また、Si基板50のp+層(図7中、「p-sub」)50sは、フォトダイオード53のアノードとして、GNDに接続されるために、カラー撮像素子10の周縁部において、Si基板50の上面に接続する電極(図示省略)が形成されている。
トランジスタ54は、Si基板50に形成されたpウェル54p、pウェル54p内に形成されたn+拡散層(図7中、「n+」)54n、およびSi基板50の下面に薄い酸化膜(ゲート酸化膜)を挟んで形成されたpoly-Si膜からなるゲート54gからなる。さらに、pウェル54p内には、pウェル54pをGND(0V)に電気的に接続するためのp+拡散層(図示省略)が形成されている。そして、ゲート54g、n+拡散層54n、およびp+拡散層には、配線35が接続される。なお、図7においては、回路部23の一部の、n型MOS(NMOS)からなるトランジスタを示す。p型MOS(PMOS)は、pウェル54p内にnウェル(n-well)を形成し、このnウェル内にさらにp+拡散層を形成して、トランジスタのソース、ドレインとする。
絶縁膜44は、第2撮像素子12の回路層22と第3撮像素子13のSi基板50との間に設けられる。絶縁膜44は、上に回路層22の半導体層2を形成されるための耐熱性を有し、また、赤色光LRを透過するように、絶縁層45等と同様の無機絶縁材料で形成することができる。絶縁膜44の膜厚は、0.1μm以上であることが好ましく、第2撮像素子12と第3撮像素子13との受光面間の距離d2を短くするために、2μm以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましい。
基板40は、第1撮像素子11を形成するための土台であり、光の入射側と反対側の面(下面)上に第1撮像素子11が形成される。基板40は、カラー撮像素子10において最上層に設けられるため、光(可視光)を透過し、さらに回路層21(半導体層2)を形成するための耐熱温度を有する絶縁材料で形成される。具体的には、SiO2(酸化ケイ素、ガラス)、MgO(酸化マグネシウム)、サファイア、GGG(ガドリニウムガリウムガーネット)等が挙げられる。
符号化開口は、マトリクス状に配列したマスの一部が開口した開口パターンを有し、被写体OBからカラー撮像素子10の各画素に入射する光の一部を遮蔽する。本実施形態においては、明暗(白黒)2階調の空間光変調器(SLM)8を符号化開口に適用する。空間光変調器8は、その1画素が開口パターンの1マスに対応して、「明」表示の画素を微小な開口として任意の開口パターンを電気的手段により形成し、さらに2通り以上に開口パターンを切り替えることができる。空間光変調器8は、液晶ディスプレイ(LCD)等の透過型の液晶光変調器を適用することができる。詳しくは、空間光変調器8は、第1撮像素子11のように透明な基板上にTFTおよび画素電極が形成され、対向電極を成膜した別の基板との間に液晶材料が封入され、さらに両側の基板のそれぞれの外側に、位相差板および偏光板が配置される。TFTは、回路層21等と同様に、画素の配列方向に延設した水平信号線(走査線)と垂直信号線(ソース線)を備え、それぞれ駆動装置91の垂直走査回路と水平走査回路に接続される。また、空間光変調器8は、応答速度が、撮像のフレームレートの2倍以上、好ましくは3倍以上であり、そのために、応答速度が高速な強誘電性液晶(FLC:Ferroelectric Liquid Crystal)によるものが好ましい。
光学系71,72はそれぞれ、1以上のレンズで構成され、図1では簡潔に、1枚の凸レンズで表す。光学系71は、空間光変調器8の光の入射側に設けられて、被写体OBからの光Lを空間光変調器8で結像させる。光学系72は、空間光変調器8とカラー撮像素子10との間に設けられて、空間光変調器8の開口(「明」表示の画素)から発散した光を収束させて、カラー撮像素子10で合焦させる。光Lの合焦する位置を、合焦面fpと称する。図1では、第2撮像素子12の光電変換膜52と第3撮像素子13の光電変換部53との間で、光が合焦している。光電変換膜51、光電変換膜52、および光電変換部(フォトダイオード)53は、それぞれの受光面の合焦面fpからの距離が、焦点深度δの1/2以下であることが好ましく、受光領域全体における合焦面fpからの距離がδ/2以下であることがより好ましい。そのために、光学系72は、焦点深度δが光電変換膜51の受光面から光電変換部53の受光面までの距離(d1+d2)以上となるように、レンズのF値等を設計することが好ましい。そして、光学系72は、光Lを、最上層の第1撮像素子11の光電変換膜51の受光面から最下層の第3撮像素子13の光電変換部53の受光面までの間で合焦させることが好ましく、撮像素子11,13の各受光面同士の中間または第2撮像素子12の受光面で合焦させることがより好ましい(図2参照)。また、光学系72は、空間光変調器8の1つの開口から出射した光を、合焦面fpにおいて、前記したように、カラー撮像素子10の1画素分(2×2の4画素の各1/4の領域)の範囲に入射させることが好ましい(図3参照)。
駆動装置91は、電源、垂直走査回路、水平走査回路、およびこれらを制御する制御回路等を備えて、カラー撮像素子10の撮像素子11,12,13の各読出回路21,22,23、および空間光変調器8に接続し、これらを同期させて駆動する。復号化装置92は、読出回路21,22,23から駆動装置91を経由して電気信号を入力されて、画像を再構成する。駆動装置91および復号化装置92については、後記の撮像方法にて詳細に説明する。
本発明の第1実施形態に係る撮像装置による撮像方法について、図1、図2、および図8を参照して説明する。被写体OBから撮像装置100に入射した光Lは、空間光変調器8の開口のそれぞれから発散し、光学系72によって収束しながらカラー撮像素子10に入射する。光Lは、空間光変調器8の微小な開口を通ることにより、直接に(円形絞りのみを通って)結像するよりもぼけの小さい像をカラー撮像素子10で結像する。そして、光Lから青色光LB、緑色光LG、赤色光LRの順に、撮像素子11,12,13の光電変換部51,52,53に吸収されて電荷に変換される。図2に示すように、合焦面fpが第2撮像素子12の受光面に合わせられているので、緑色光LGは、第2撮像素子12の受光面で合焦して、ぼけのない画像(合焦画像)の信号が第2撮像素子12によって取得される。さらに、第1撮像素子11、第3撮像素子13の各受光面も焦点深度内に配置されているので、青色光LBおよび赤色光LRについても、実質的にぼけのない画像の信号が撮像素子11,13によってそれぞれ取得される。なお、図2において、光電変換部51,52,53に付した太線枠は、撮像素子11,12,13の画素の開口部(有効領域)を表す。被写体OBのある1点から照射された光Lにおいて、緑色光LGは、第2撮像素子12の受光面において、隣り合う2画素の各1/2の領域に、すなわち1画素分の領域に入射する。これに対して、青色光LBおよび赤色光LRは、撮像素子11,13の隣り合う2画素において広がるものの、これらの外側の画素までには及ばない。
X=F-1Y ・・・(1)
図9に示すように、撮像素子11,12,13の1つまたは2つは、図8と同様に空間光変調器8の開口パターン毎に露光し(EXP(3))、その他は、1フレーム毎に(EXP(1))または2つの開口パターンにわたって(EXP(2))露光してもよい。あるいは、撮像素子11,12,13の1つは、開口パターン毎に露光し(EXP(3))、別の1つは1フレーム毎に露光し(EXP(1))、残りの1つは2つの開口パターンにわたって露光し(EXP(2))てもよい。例えば、第1撮像素子11および第2撮像素子12は、1フレーム毎に露光して、開口パターンCA1,CA2,CA3の各画像y1,y2,y3を多重(三重)露光し、第3撮像素子13は開口パターン毎に露光する。撮像素子11,12が撮像した青色、緑色の多重露光画像は、第3撮像素子13が撮像した赤色の画像y1,y2,y3の差分に基づき再構成される。そして、再構成した画像を、前記実施形態と同様にさらに再構成する。
本発明に係る撮像装置は、カラー撮像素子が波長域毎に撮像素子を備えなくてもよく、撮像素子の数を少なくすることができると共に、最上層から最下層までの受光面間距離を短くして、画素の微細化等により焦点深度が短縮されても容易に焦点深度内に収めることができる。以下、本発明の第2実施形態に係る撮像装置について、図10および図1を参照して説明する。第1実施形態(図1~9参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
本発明の第2実施形態に係る撮像装置による撮像方法について、図1、図8、図9および図10を参照して説明する。被写体OBから撮像装置100に入射した光Lは、第1実施形態と同様に空間光変調器8の開口のそれぞれから発散し、光学系72によって収束しながらカラー撮像素子10Aに入射する。そして、光Lは、まず、第1撮像素子12に到達し、緑色光LGが光電変換膜52に吸収され、青色光LBおよび赤色光LRが透過してカラーフィルタアレイ60に到達する。そして、カラーフィルタアレイ60のカラーフィルタ6bからは青色光LBが透過し、その直下の第2撮像素子13の画素におけるフォトダイオード53に吸収される。カラーフィルタ6rからは赤色光LRが透過し、その直下の第2撮像素子13の画素におけるフォトダイオード53に吸収される。第1実施形態(図2参照)と同様に、第1撮像素子12、第2撮像素子13の各受光面が焦点深度内に配置されているので、第1撮像素子12は緑色の、第2撮像素子13は青色および赤色の、実質的にぼけのない画像を撮像する。特に、第2撮像素子13においては、受光面の合焦面fpからの距離が短いので、青色光LBおよび赤色光LRがほとんど広がらず、隣の色の異なる画素まで及び難い。さらに、図8に示す第1実施形態と同様に、撮像素子12,13それぞれについて、空間光変調器8の開口パターン毎に露光して信号を出力し、開口パターン毎の画像y1,y2,y3を取得することができる。第1実施形態と同様に、R,G,Bの各色の画像を再構成し、さらにこれらを合成してカラー画像とする。その結果、青色光LBおよび赤色光LRの各画素が第2撮像素子13の入射面の1/2ずつに設けられた疎な構成であっても、青色光LBおよび赤色光LRの高精度な情報を取得することができ、再構成像の劣化が抑制される。
本実施形態においては、図9に示すように、第1撮像素子12は開口パターン毎に露光し(EXP(3))、第2撮像素子13は、1フレーム毎に(EXP(1))または2つの開口パターンにわたって(EXP(2))露光してもよい。第1実施形態の変形例と同様に、第2撮像素子13が取得した多重露光画像は、青色、赤色のそれぞれの単色画像について、第1撮像素子12が取得した緑色の画像y1,y2,y3の差分に基づき再構成される。このような方法によれば、第2撮像素子13において青色光LBおよび赤色光LRの各画素が入射面の1/2のみに設けられた疎な構成であっても、多重露光画像とすることで、空間光変調器8の開口を透過した光LB,LRがそれぞれの画素に到達し易く、再構成像を演算する際の画質の劣化が抑制されると共に、利用効率が低下しない。また、第1撮像素子12を高速駆動可能な構成とすることにより、フレームレートを高速化することができて、空間解像度と共に時間解像度が高いカラー画像が得られる。具体的には、第1撮像素子12に代えて第1実施形態のカラー撮像素子10の第1撮像素子11(図2、図7参照)を適用し、第1撮像素子11と第2撮像素子13とをカラーフィルタアレイ60を挟んで貼り合わせてカラー撮像素子10Aを製造することにより、高耐熱の基板40上に高温で形成した回路層21を備えた高速駆動可能な第1撮像素子11を備えることができる。また、短露光によって緑色の画像y1,y2,y3にちらつき(フリッカ)を生じた場合には、長露光による青色、赤色の多重露光画像によって補正することができる。
本発明に係る撮像装置は、光軸方向の位置の異なる複数の撮像素子を備える。第1、第2実施形態に係る撮像装置は、これらすべての撮像素子について、その受光面を焦点深度内に配置することにより、ぼけのない画像を撮像しているが、一部の撮像素子を焦点深度の外に配置することにより、ぼけのない画像とぼけ画像を同時に撮像して、奥行き情報を有する画像を取得することができる。以下、本発明の第3実施形態に係る撮像装置について、図12および図1を参照して説明する。第1、第2実施形態(図1~11参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
本発明の第3実施形態に係る撮像装置による撮像方法について、図1、図8、および図12を参照して説明する。被写体OBから撮像装置100に入射した光Lは、第1実施形態と同様に、空間光変調器8の開口のそれぞれから発散し、光学系72によって収束しながら複合撮像素子10Bに入射する。そして、光Lは、まず、第1撮像素子11Bに到達し、青色光LB、緑色光LG、および赤色光LRのそれぞれの一部が光電変換膜51Bに吸収され、残りが第2撮像素子12に到達する。そして、光電変換膜51Bを透過した光Lは、第2実施形態と同様に、緑色光LGが光電変換膜52に吸収され、青色光LBおよび赤色光LRがカラーフィルタアレイ60のカラーフィルタ6b,6rを透過してその直下の第3撮像素子13の画素におけるフォトダイオード53に吸収される。図12に示すように、撮像素子12,13は各受光面が焦点深度内に配置されているので、第2実施形態と同様に、第2撮像素子12は緑色光LGの、第3撮像素子13は青色光LBおよび赤色光LRの、実質的にぼけのない画像を撮像する。一方、第1撮像素子11Bは、受光面が焦点深度の外に配置され、合焦面fpにおける光L(LB,LG,LR)に対して、隣り合う2画素のさらに外側の画素に広がって光Lが入射するので、ぼけのある白黒の画像を撮像する。第1撮像素子11Bが撮像した画像(ぼけ画像、非合焦画像)のぼけ量は、受光面の合焦面fpからの距離に依存し、撮像素子11B,12の受光面間の距離d1が焦点深度δに対して十分に長い場合には、距離d1にほぼ依存する。
第2実施形態の変形例と同様、図9または図11に示すように、第1撮像素子11Bおよび第2撮像素子12は開口パターン毎に露光し、第3撮像素子13は、1フレーム毎や2つの開口パターンにわたって長露光し、または各開口パターンの途中で露光を切り換えて、多重露光してもよい。また、空間光変調器8の開口パターンの1つを全面開口として、このときに第3撮像素子13を露光してもよい。これらの方法により、第3撮像素子13の入射面の1/2ずつの画素で撮像した青色光LBおよび赤色光LRの画像データから再構成像を演算する際の画質の劣化が抑制される。
第3実施形態に係る撮像装置は、第1、第2実施形態と同様に、R,G,Bの各色の合焦画像を撮像し、合成してカラー画像を取得しているが、奥行き情報を取得するためのぼけ画像からぼけのない画像を復元することができることから、一部の波長域の光については合焦画像を撮像しなくても、ぼけのないカラー画像を奥行き情報と共に取得することができる。以下、本発明の第4実施形態に係る撮像装置について、図13および図1を参照して説明する。第1、第2、第3実施形態(図1~12参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
本発明の第4実施形態に係る撮像装置による撮像方法について、図1、図8、および図13を参照して説明する。被写体OBから撮像装置100に入射した光Lは、第1実施形態と同様に、空間光変調器8の開口のそれぞれから発散し、光学系72によって収束しながらカラー撮像素子10に入射し、青色光LB、緑色光LG、赤色光LRの順に、撮像素子11,12,13の光電変換部51,52,53に吸収されて電荷に変換される。本実施形態においては、図13に示すように、第1撮像素子11および第2撮像素子12が各受光面を焦点深度内に配置されているので、青色光LBおよび緑色光LGは、ぼけのないまたは実質的にぼけのない画像の信号が撮像素子11,12によってそれぞれ取得される。これに対して、第3撮像素子13は受光面を焦点深度内に配置されているので、赤色光LRは、合焦面fpにおける光L(LB,LG,LR)に対して、隣り合う2画素のさらに外側の画素に広がって第3撮像素子13に入射し、第3撮像素子13によってその受光面の合焦面fpからの距離(d1+d2>δ/2)に応じたぼけ量のぼけ画像の信号が取得される。
本実施形態においては、合焦面fpを最下層の第3撮像素子13の受光面に合わせて、第2撮像素子12および第3撮像素子13が、ぼけのないまたは実質的にぼけのない緑色および赤色の画像を撮像し、最上層の第1撮像素子11が受光面の合焦面fpからの距離(d1+d2)に応じたぼけ量の青色のぼけ画像を撮像してもよい。また、第1撮像素子11または第3撮像素子13のみが焦点深度内に配置されるように、合焦面fpを調整してもよい。例えば第1撮像素子11のみが焦点深度内に配置された場合には、撮像素子12,13は、それぞれの受光面の合焦面fpからの距離に応じてぼけ量の異なる緑色および赤色の画像を撮像するので、より詳細な奥行き情報を取得することができる。
10,10A カラー撮像素子
10B 複合撮像素子
11,11B 第1撮像素子
12 第2撮像素子、第1撮像素子
13 第3撮像素子、第2撮像素子
21 回路層(読出回路)
22 回路層(読出回路)
23 回路部(読出回路)
40 基板
43,44 絶縁膜
50 Si基板
51,51B 光電変換膜(光電変換部)
52,52B 光電変換膜(光電変換部)
53 フォトダイオード(光電変換部)
54 トランジスタ
60 カラーフィルタアレイ
6b,6r カラーフィルタ
71,72 光学系
8 空間光変調器(符号化開口)
91 駆動装置
92 復号化装置
Claims (8)
- 1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換する光電変換部と前記光電変換部が変換した電荷を電気信号として出力させる読出回路とを有する複数の撮像素子を上下に積層して備え、前記複数の撮像素子の上から光を入射させて撮像する撮像装置であって、
前記撮像素子の光電変換部は、当該光電変換部の下側に配置された他の前記撮像素子の光電変換部が電荷に変換する波長域の光の少なくとも一部を透過させ、
前記複数の撮像素子よりも光の入射側に、複数の開口が配置された開口パターンを2以上に切り替え可能な符号化開口をさらに備えて、前記複数の開口を経由した光を前記複数の撮像素子に入射することを特徴とする撮像装置。 - 前記符号化開口は、少なくとも1つの前記撮像素子の各画素に入射する光の一部を遮蔽するように、前記開口パターンに開口が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記符号化開口は、前記開口パターンが、マトリクス状に配列したマスの一部が開口してなり、配列の行方向および列方向の一方または両方において、k番目(kは自然数)のマスの開口を経由した光を、前記撮像素子の(k-1)番目の画素とk番目の画素とに入射させることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
- 前記符号化開口は、空間光変調器であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の撮像装置。
- 少なくとも1つの前記撮像素子の光電変換部は、当該光電変換部の下側に配置された他の前記撮像素子の光電変換部が電荷に変換する波長域の光と同じ波長域の光を電荷に変換すると共に、前記波長域の光の一部を透過させる請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の撮像装置。
- 少なくとも1つの前記撮像素子の光電変換部は、当該光電変換部の下側に配置された他の前記撮像素子の光電変換部が電荷に変換する波長域の光とは異なる波長域の光を電荷に変換し、
複数の波長域を含む光を前記複数の撮像素子の上から入射する請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換する光電変換部と前記光電変換部が変換した電荷を電気信号として出力させる読出回路とを有する複数の撮像素子、および複数の開口が配置された開口パターンを有する符号化開口を備える撮像装置により、上下に積層された前記複数の撮像素子の上から前記複数の開口を経由した光を入射させて撮像する撮像方法であって、
前記符号化開口は、複数の開口パターンを周期的に切り替え、
前記複数の撮像素子の少なくとも1つは、前記符号化開口の開口パターン毎に露光し、
前記複数の撮像素子の少なくとも1つは、前記符号化開口の2以上の開口パターンにわたって露光することを特徴とする撮像方法。 - 前記複数の撮像素子の少なくとも1つが、前記符号化開口の開口パターンの切替えの周期毎に1回露光することを特徴とする請求項7に記載の撮像方法。
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