JP2022017026A

JP2022017026A - 型、平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法

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Publication number: JP2022017026A
Application number: JP2020120080A
Authority: JP
Inventors: 隆裕豊島; Takahiro Toyoshima
Original assignee: Canon Inc
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Priority date: 2020-07-13
Filing date: 2020-07-13
Publication date: 2022-01-25
Anticipated expiration: 2040-07-13
Also published as: JP7446934B2

Abstract

【課題】硬化後の組成物から良好に離型させることができる平坦化処理に用いる型を提供する。
【解決手段】基板上の組成物１４を平坦化する平坦化装置に用いられる型１５は、前記組成物１４に接触する側の第１面１５ａと、型保持部によって保持される前記第１面１５ａとは反対側の第２面と、を有し、前記組成物１４に前記第１面１５ａを接触させた際に前記組成物１４と接しない部分が形成されるように、前記第１面の外周部の一部に前記第１面に垂直な方向において他の領域よりも厚みが薄い離型開始領域１５ｂが設けられていることを特徴とする。これにより、硬化後の組成物１４から良好に離型させることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、型、平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上の未硬化の組成物を型で成形して硬化させ、基板上に組成物のパターンを形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。

インプリント技術の１つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置は、基板上のショット領域に供給された光硬化性の組成物を型で成形し、光を照射して組成物を硬化させ、硬化した組成物から型を引き離すことで、基板上にパターンを形成する。

また、近年では、基板上の組成物を平坦化する技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に開示された技術は、基板の段差に基づいて組成物を滴下し、滴下した組成物に平面状の型を接触させた状態で組成物を硬化することで平坦化の精度向上を図るものである。

特表２０１１－５２９６２６号公報

このような平坦化装置では、基板全面を一括して平坦化することが検討されている。平坦化装置では、ショット領域ごとに処理を行うインプリント装置に比べて大きな面積の型を用い、組成物と型の全面とを接触させた状態で組成物を硬化させた後、離型させる必要があるため組成物から型を離型させにくいということが分かっている。例えば、半導体製造にはΦ３００ｍｍのウェハ（基板）が用いられることが多いが、一括して平坦化処理を行おうとすると、型のサイズもΦ３００ｍｍと同程度の大きさとなる。

そのため本発明者によって検討されている型を吸着して離型させる方法では、離型動作を正常に行えなかったり、無理やり引きはがそうとすることで基板上に形成されているパターンの破損が発生したり、基板上の組成物を正常に平坦化できない可能性が生じていた。

そこで、本発明は、硬化後の組成物から良好に離型させることができる平坦化処理に用いる型を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明の基板上の組成物を平坦化する平坦化装置で用いられる型は、前記組成物に接触する側の第１面と、型保持部によって保持される、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、前記組成物に前記第１面を接触させた際に前記組成物と接しない部分が形成されるように、前記第１面の外周部の一部に前記第１面に垂直な方向において他の領域よりも厚みが薄い離型開始領域が設けられていることを特徴とする。

このように設けることで、硬化後の組成物から良好に離型させることができる型を提供することができる。

平坦化装置の構成を示す概略図である。基板と型を接触させた状態を示す図である。硬化した組成物から型を離型させるときの断面模式図である。比較例における硬化した組成物から型を離型させるときの断面模式図である。基板と型を接触させた状態を示す図である。型の離型開始領域１５ｂを示す図である。（ａ）他の平坦化装置の構成を示す概略図である。（ｂ）型の離型を補助するリフトプレート４０を示す図である。平坦化処理の概要を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、平坦化装置１００の構成を示す概略図である。平坦化装置１００は、平坦面を有する型１５（モールド、テンプレート、スーパーストレート）を用いて基板１１上の組成物を成形する成形装置で具現化され、本実施形態では、基板上の組成物を平坦化する。平坦化装置１００は、基板上の組成物と型とを接触させた状態で組成物を硬化させ、硬化した組成物と型を引き離すことで基板上に組成物の大局的又は局所的な平坦面を形成する。

基板１１は、シリコンウエハが代表的な基材であるが、これに限定されるものではない。基板１１は、アルミニウム、チタン－タングステン合金、アルミニウム－ケイ素合金、アルミニウム－銅－ケイ素合金、酸化ケイ素、チッ化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選択することができる。なお、基板１１には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理により密着層を形成し、硬化性組成物との密着性を向上させた基板を用いてもよい。なお、基板１１は、典型的には、直径３００ｍｍの円形であるが、これに限定されるものではない。

型１５としては、光照射工程を考慮して光透過性の材料で構成された型を用いるとよい。型１５を構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート樹脂等の光透過性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。なお、型１５は、３００ｍｍよりも大きく、５００ｍｍよりも小さい直径の円形が好ましいが、これに限られない。また、型１５の厚さは、好適には、０．２５ｍｍ以上２ｍｍ未満であるが、これに限られない。

組成物としては、光硬化方式を用いる場合にはＵＶ硬化性液体を用いるとよい。典型的にはアクリレートやメタクリレートのようなモノマーを用いてもよい。

平坦化装置１００は、基板チャック１２、基板ステージ１３、ベース定盤４、支柱５、天板６、ガイドバープレート７、ガイドバー８、型駆動部９、支柱１０、型チャック１６、ヘッド１７と、アライメント棚１８を有する。また、平坦化装置１００は、液滴供給部２０、オフアクシスアライメント（ＯＡ）スコープ２１、基板搬送部２２、アライメントスコープ２３、光源２４、ステージ駆動部３１、型搬送部３２、制御部２００を有する。基板チャック１２及び基板ステージ１３は、基板１１を保持する基板保持部を構成し、型チャック１６及びヘッド１７は、型１５を保持する型保持部を構成する。ここでは、水平面をＸＹ平面とし、鉛直方向をＺ軸方向とするようにＸＹＺ座標系が定義されている。

平坦化処理対象の基板１１は、搬送ハンドなどを含む基板搬送部２２によって、平坦化装置１００の外部やウェハが格納された格納箱から搬入され、基板チャック１２に保持される。基板ステージ１３は、ベース定盤４に支持され、基板チャック１２に保持された基板１１を所定の位置に位置決めするために、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に駆動される。ステージ駆動部３１は、例えば、リニアモータやエアシリンダなどを含み、基板ステージ１３を少なくともＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する（移動させる）が、基板ステージ１３を２軸以上の方向（例えば、６軸方向）に駆動する機能を有していてもよい。また、ステージ駆動部３１は、回転機構を含み、基板チャック１２および基板ステージ１３をＺ軸方向に平行な軸周りに回転駆動する（回転させる）。さらに基板ステージ１３には、組成物を硬化させた後に離型に用いる離型用部材として機能するリフトピン３０が設けられている。

型１５は、搬送ハンドなどを含む型搬送部３２によって、平坦化装置１００の外部や型が格納された格納箱から搬入され、型チャック１６に保持される。型１５は、例えば、円形又は四角形の外形を有し、下面に平坦部を含む。平坦部は、基板上の組成物に接触して基板１１の表面形状に倣うような剛性を有する。平坦部は、基板１１と同じ大きさ、又は、基板１１よりも大きい大きさを有する。型チャック１６は、ヘッド１７に支持され、型１５のＺ軸周りの傾きを補正する機能を有する。型チャック１６及びヘッド１７のそれぞれは、光源２４からコリメータレンズを介して照射される光（紫外線）を通過させる開口を含む。また、型チャック１６又はヘッド１７には、基板上の組成物に対する型１５の押し付け力（押印力）を計測するためのロードセルが配置されている。

このような型チャック１６は、型１５を吸着保持することができ、具体的には、静電引力によって型１５の吸着保持を行う静電チャック機構や、真空吸引力によって型１５の真空チャック機構などを用いることができる。本実施形態においては、真空チャック機構の例を用いて説明を行う。

ベース定盤４には、天板６を支持する支柱５が配置されている。ガイドバー８は、天板６を貫通し、一端がガイドバープレート７に固定され、他端がヘッド１７に固定される。型駆動部９は、ガイドバー８を介して、ヘッド１７をＺ軸方向に駆動して、型チャック１６に保持された型１５を基板上の組成物に接触させたり、基板上の組成物から引き離したりする機構である。また、型駆動部９は、ヘッド１７をＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する（移動させる）機能、及び、型チャック１６又はヘッド１７をＺ軸方向に平行な軸周りに回転駆動する機能、さらに型チャック１６及びヘッド１７をＹ軸方向に回動可能な機能を有する。

すなわちステージ駆動部３１と型駆動部９とによって、平坦化処理の際に型チャック１６によって保持される型１５と基板チャック１２によって保持される基板１１との相対位置が調整されるように、制御部２００によって制御される。

アライメント棚１８は、支柱１０を介して天板６に懸架される。アライメント棚１８には、ガイドバー８が貫通している。また、アライメント棚１８には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、基板チャック１２に保持された基板１１の高さ（平坦度）を計測するための高さ計測系（不図示）が配置されている。

ＯＡスコープ２１は、アライメント棚１８に支持される。ＯＡスコープ２１は、基板１１の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを検出し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理に用いられる。

アライメントスコープ２３は、基板ステージ１３に設けられた基準マークと、型１５に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系及び撮像系を含む。但し、型１５にアライメントマークが設けられていない場合には、アライメントスコープ２３がなくてもよい。アライメントスコープ２３は、基板ステージ１３に設けられた基準マークと、型１５に設けられたアライメントマークとの相対的な位置を計測し、その位置ずれを補正するアライメントに用いられる。アライメントスコープ２３によって型１５と基板ステージ１３との位置関係を求め、ＯＡスコープ２１によって基板ステージ１３と基板１１との位置関係を求めることで、型１５と基板１１との相対的なアライメントを行うことができる。

液滴供給部２０は、基板１１に未硬化（液状）の組成物を吐出する吐出口（ノズル）を含むディスペンサで構成され、基板上に組成物の液滴を滴下して配置（供給）する。液滴供給部２０は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板上に微小な容積の液滴状の組成物を供給することができる。また、液滴供給部２０における吐出口の数は、限定されるものではなく、１つ（シングルノズル）であってもよいし、１００を超えてもよい。即ち、リニアノズルアレイでもよいし、複数のリニアノズルアレイを組み合わせてもよい。なお、ここでは平坦化装置１００内で組成物を供給する構成を示したが、あらかじめ外部装置や専用ユニットで組成物を基板１１上に供給した後に、基板１１を基板ステージ１３に搬送する方法を用いてもよい。

制御部２００は、ＣＰＵや他のプロセッサ、ＦＰＧＡなどの処理部や、メモリなどの記憶部を含み、平坦化装置１００の全体を制御する。制御部２００は、平坦化装置１００の各部を統括的に制御して平坦化処理を行う処理部として機能する。ここで、平坦化処理とは、型１５の平坦面を基板上の組成物に接触させて平坦面を基板１１の表面形状に倣わせることで組成物を平坦化する処理である。なお、平坦化処理は、一般的には、ロット単位で、即ち、同一のロットに含まれる複数の基板のそれぞれに対して行われる。

次に、図８（ａ）乃至図８（ｃ）を参照して、平坦化処理について概要を説明する。

まず、図８（ａ）に示すように、下地パターン１１ａが形成されている基板１１に対して、液滴供給部２０から組成物ＩＭの複数の液滴を滴下する。図８（ａ）は、基板上に組成物ＩＭを供給し、型１５を接触させる前の状態を示している。次いで、図８（ｂ）に示すように、基板上の組成物ＩＭと型１５の平坦部１５ａとを接触させる。この際に、型１５は型チャック１６から開放され、組成物ＩＭの上に載置される。図８（ｂ）は、型１５の平坦部１５ａが基板上の組成物ＩＭにすべて接触し、型１５の平坦部１５ａが基板１１の下地パターン１１ａの表面形状に倣った状態を示している。そして、図８（ｂ）に示す状態で、光源から、型１５を介して、基板上の組成物ＩＭに光を照射して組成物ＩＭを硬化させる。次に、図８（ｃ）に示すように、型チャック１６で再度型１５を吸着保持させた状態でＺ軸方向に移動させることで基板上の硬化した組成物ＩＭから型１５を引き離す。これにより、基板１１の全面で均一な厚みの組成物ＩＭの平坦化層を形成することができる。図８（ｃ）は、基板上に組成物ＩＭの平坦化層が形成された状態を示している。

なお、組成物ＩＭに型１５の平坦部１５ａを接触する工程、基板１１の上に成形した未硬化の組成物ＩＭに照射する工程、及び、型１５を組成物ＩＭから分離する工程を共通の装置内で行っている。しかし、夫々の工程は夫々の専用装置で行っても良いし、適宜共通の装置で行っても良い。

このような平坦化処理の離型処理において、大面積の型１５と基板１１全面の組成物とを接触させて一括処理を行おうとすると、接触面積が大きいため組成物から型を引きはがすのに要する力（離型力）大きくなる。そのため、離型動作自体を正常に行えなかったり、無理やり引きはがそうとすることで基板上に形成されている下地パターンの破損が発生したり、基板上の組成物が正常に平坦化できない可能性が生じる。

このような課題に対して本発明では、以下に示すような形状の型１５を用いることで硬化後の組成物から平坦化処理に用いる型を良好に離型させることができる。

図２は、基板と型が接触した状態を示す図であり、本発明の特徴を有する型１５を組成物と接触する面である平坦部１５ａの面に垂直な方向（Ｚ軸方向）から見た図で、組成物１４と接触する領域を示している。以下、型の組成物と接触する側の平坦部１５ａの面を第１面とし、当該第１面とは反対側の型チャック１６で保持される面を第２面として呼ぶこととする。型１５の第１面側の外周端部の一部には、外周端部から内側に向かう方向に（平坦部１５ａの面内方向に）延伸するように離型開始領域１５ｂ（凹部）が設けられている。離型開始領域１５ｂの領域は、基板１１の下地パターン１１ａの上に配置された組成物と型１５の平坦部１５ａとが接触した状態（平坦化工程）においても、組成物とは接しないように平坦部１５ａの面に対して凹んで設けられている。すなわち型の厚みは、組成物と接する面に垂直な方向（面外方向）において、平坦部１５ａの領域（他の領域）よりも離型開始領域１５ｂの領域の方が薄く設けられ、平坦化工程時に離型開始領域１５ｂの領域と基板上の組成物との間が空間となる。言い換えると、平坦部１５ａの面を垂直な方向から見たときに、記型と組成物とが接触することで生じる円弧状の境界線の一部が連続しないように設けられている。これにより平坦部１５ａを硬化した組成物から離型させる際に、平坦部１５ａの反対側の第２面を型チャック１６が吸着して基板１１から離れる方向に駆動されると、組成物と接していない離型開始領域１５ｂが離型の起点となり、容易に離型させることができる。なお、平坦部１５ａは全面にわたって平面（平坦）である必要はなく、部分的にパターン領域を有していてもよい。さらに、離型開始領域１５ｂは底面が平らである必要はなく、テーパー状に設けられていてもよい。

図３は、図２の基板と型とが接している状態を側面から見た本実施形態に係る断面図であり、破線で示す型１５の状態（離型工程開始前の状態）から、リフトピン３０で押し上げられ、組成物１４からの離型が開始した状態を示している。すなわち実線で示す型１５は、リフトピン３０によって離型開始領域１５ｂに面外方向に押圧する力がかかっている状態を示している。なお、リフトピン３０で押圧されている際には、型１５は型チャック１６で吸着保持され、型チャック１６が基板１１から離れる方向へと駆動されている。一方図４は、型１５の外周端部に組成物に接しない領域を設けていない場合を示す比較例である。

図３に示すように型１５の外周端部に組成物と接しない離型開始領域１５ｂが設けられていると、組成物と離型開始領域との間に離型開始領域１５ｂの形状に応じた空間が形成され、当該離型開始領域１５ｂは組成物と接しないことになる。このように円形の接触領域の外周の一部に組成物と接しない領域が形成されることにより、組成物１４が型１５と接触する領域が減り離型力が多少弱まることになる。さらに型１５の外周端部が撓みやすくなるので、組成物１４と接触していない離型開始領域１５ｂが分離の起点となって、容易に分離することができる。

また組成物と接する側とは反対側である型１５の保持面には、型１５を撓みやすくするとともに撓んだ状態で型チャック１６が保持しやすいように、段差領域１５ｃを外周に設けることもできる。離型開始領域１５ｂに加え、このような段差領域１５ｃも型１５に設けておくことで、離型をより容易に進めることができる。なお、このような段差領域１５ｃやリフトピン３０は、離型を補助する機能に過ぎず、必須に設けなければならないものではない。

図５は本発明の特徴を有する型１５の平坦部１５ａと基板１１上の組成物１４とが接触した状態を示す図である。理解を容易にするために、型１５の平坦部１５ａと組成物１４が接触しているショット領域ではない領域をドットとして表示し、平坦化処理より前に形成されたパターンのショット領域など、半導体チップ等が取得される領域を斜線で表示している。

型１５の離型開始領域１５ｂと相対する基板１１の領域では、平坦化処理が行えないので、この領域にあるチップは不良となる可能性が高い。そこで、基板１１のレイアウト情報から、基板１１の元々チップとはならないショット領域ではない領域を特定し、当該領域に離型開始領域１５ｂが相対するように型１５で平坦化処理が行われるようにすることが好ましい。また、部分的に離型開始領域１５ｂがショット領域と相対するとしても、離型開始領域１５ｂが重なるチップ数がなるべく少なくなるように、型１５を任意の向きに回転し離型開始領域１５ｂの位置を調整することが好ましい。すなわち、平坦化処理予定の基板のレイアウト情報に応じて、離型開始領域１５ｂの位置、形状および大きさ等は適宜調整されることが好ましい。これにより、型１５の平坦部１５ａを組成物１４から分離することが容易となると共に、不良となるチップを減らすことができる。なお、離型開始領域１５ｂの位置がショット領域の範囲内に収まるような場合には、離型開始領域１５ｂと相対する位置の基板１１上に組成物１４を設けなくてもよい。

図６は、本発明の特徴を有する型１５の離型開始領域１５ｂを、平坦部１５ａの側から見た斜視図である。型１５の外周端部の一部に設けた離型開始領域１５ｂの大きさや形状は、任意の大きさや形状とすることができるが、上述の通り、不良となるチップを極力減らすことができる大きさと形状であり、かつ、離型時に型１５が撓みやすいように決定することが好ましい。例えば、基板１１のレイアウト情報からショット領域ではない領域を特定し、当該領域と略等しい大きさに離型開始領域１５ｂを設けることで、不良チップをなくし、かつ、離型開始領域１５ｂの面積を最大限広くとることができる。

図１に示す平坦化装置では、離型を補助する部材（離型用部材）として基板ステージ１３に設けられたリフトピン３０が設けられていたが、これ以外に図７（ａ）に示すように型チャック１６側にリフトプレート４０を設けてもよい。リフトプレート４０以外の構成は図１の平坦化装置１００と同様であるため説明を省略する。

図７（ｂ）は、図６の離型開始領域１５ｂを平坦部１５ａの側から見た斜視図に、分離を補助するリフトプレート４０を合わせて図示したものである。リフトプレート４０を用いて型１５の分離を補助する場合には、型１５の離型開始領域１５ｂにリフトプレート４０をひっかけて、型１５を基板１１の組成物１４から離れる方向（平坦部１５ａの面に対して垂直な方向）に引き上げることになる。そのため、リフトプレート４０には、上下方向（Ｚ軸方向）に駆動する機構に加え、型１５の外周部の接線と垂直な方向（ＸＹ平面における方向）にも駆動する機構が必要である。またヘッド１７に、ヘッド１７を中心としてリフトプレート４０をＸＹ平面上で回動させる機構を設けることで、型１５の離型開始領域１５ｂの位置をショット領域ではない領域となるように位置調整させたとしても分離を補助することができる。

なお、本実施形態では平坦化装置を用いて説明したが、部分的にパターンが形成された型を用いて基板全面を一括してインプリントする一括インプリントにも適用しうる。また、組成物を硬化させる方法として光硬化方式を用いて説明したが、熱硬化方式にも適用しうる。

（物品製造方法）
次に、前述の平坦化装置又は平坦化方法を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。当該製造方法は、前述の平坦化装置を使用して、基板（ウェハ、ガラス基板等）に配置された組成物と型を接触させて平坦化させ、組成物を硬化させて組成物と型を離す工程とを含む。そして、平坦化された組成物を有する基板に対して、リソグラフィ装置を用いてパターンを形成するなどの処理を行う工程と、処理された基板を他の周知の加工工程で処理することにより、物品が製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims

基板上の組成物を平坦化する平坦化装置で用いられる型であって、
前記組成物に接触する側の第１面と、
型保持部によって保持される、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
前記組成物に前記第１面を接触させた際に前記組成物と接しない部分が形成されるように、前記第１面の外周部の一部に前記第１面に垂直な方向において他の領域よりも厚みが薄い離型開始領域が設けられていることを特徴とする型。
前記離型開始領域は、前記第１面の外周端部から内側に向かう方向に延伸して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の型。
前記離型開始領域は、前記第１面と垂直な方向から見たときに、前記型と前記組成物とが接触することで生じる円弧状の境界線の一部が連続しないように設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の型。
前記平坦化装置には、前記組成物から前記型を離型させる際に用いる離型用部材が設けられており、
前記離型開始領域は、前記組成物から前記型を離型させる際に前記離型用部材により面外方向に押圧されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の型。
前記離型開始領域の位置および形状および大きさの少なくとも１つは、処理予定の基板のレイアウト情報に応じて定まることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の型。
前記第１面の前記他の領域は、平坦に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の型。
基板上の組成物に接触する側の第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、前記組成物に前記第１面を接触させた際に前記組成物と接しない部分が形成されるように、前記第１面の外周部の一部に前記第１面に垂直な方向において他の領域よりも厚みが薄い離型開始領域が設けられている型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板上の組成物と前記型とが接触するように駆動する駆動部と、
を有することを特徴とする平坦化装置。
平坦化処理のために前記型保持部から前記型を前記組成物の上に載置した後に、前記型を離型させて前記型保持部へと保持させるように制御する制御部をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の平坦化装置。
前記平坦化装置は、前記基板上に組成物を供給する供給部をさらに有し、
前記供給部は、前記型の前記離型開始領域が相対する基板上の領域には組成物を供給しないことを特徴とする請求項７または８に記載の平坦化装置。
前記駆動部は、前記基板のレイアウト情報に基づいて、前記型の前記離型開始領域の位置を調整することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の平坦化装置。
前記組成物から前記型を離型させる際に用いる離型用部材をさらに有し、
前記組成物から前記型を離型させる際に、前記離型用部材が前記型の前記離型開始領域を面外方向に押圧することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の平坦化装置。
型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化方法であって、
前記基板上の組成物に前記型を接触させる接触工程と、
前記接触工程の後に、前記組成物を硬化する硬化工程と、
前記基板上の組成物から前記型を離型させる離型工程と、を有し、
前記型は、基板上の組成物に接触する側の第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、前記組成物に前記第１面を接触させた際に前記組成物と接しない部分が形成されるように、前記第１面の外周部の一部に前記第１面に垂直な方向において他の領域よりも厚みが薄い離型開始領域が設けられており、
前記離型工程では、前記離型開始領域を起点として離型が開始されることを特徴とする平坦化方法。
前記離型工程では、前記離型開始領域を前記型の面外方向に押圧することを特徴とする請求項１２に記載の平坦化方法。
請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の平坦化装置を用いて、前記基板を平坦にする工程と、前記工程で平坦にされた前記基板を加工する工程と、を含み、
前記加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。