JP2022002305A - 研磨パッド、その製造方法およびこれを用いる半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の解決しようとする技術的課題は、微細気孔の形状および凝集現象を制御して、研磨後研磨パッドの表面粗さ特性を一定のレベルに調節することにより、ウェーハ表面に発生する残渣、スクラッチ、およびチャタマークの特性を向上させることができ、研磨率をさらに向上させ得る研磨パッドおよびその製造方法を提供するものである。
0.020≦Vmp(10)/Vvv(80)≦1.000
[式2]
0.005≦Vmp(10)/Vmc(10、80)≦2.000
前記式1および式2において、
前記Vmp(10)は、上位10%に相当する突出山部実体体積(material volume of peaks)であり、
前記Vvv(80)は、上位80%〜100%に相当する突出谷部空隙容積(void volume of the valleys)であり、
前記Vmc(10、80)は、上位10%〜80%に相当するコア部実体体積(material volume of the core)である。
0.002≦Vmp(10)/Vv(0)≦0.100
前記式4において、
前記Vmp(10)は、上位10%に相当する突出山部実体体積(material volume of peaks)であり、
前記Vv(0)は、全空隙の容積である。
本発明の一実現例による研磨パッドは、シリコン酸化膜ウェーハを用いて、研磨パッド上にか焼セリアスラリーを200cc/分の速度で噴射しながら25枚のダミーウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨し、2枚のモニタリングウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨した後、前記研磨後の研磨パッドを光学用表面粗さ測定器で測定する際、ISO25178−2規格に基づいた負荷面積率曲線において下記式1および式2を満足する。
0.020≦Vmp(10)/Vvv(80)≦1.000
[式2]
0.005≦Vmp(10)/Vmc(10、80)≦2.000
前記式1および式2において、
前記Vmp(10)は、上位10%に相当する突出山部実体体積(material volume of peaks)であり、
前記Vvv(80)は、上位80%〜100%に相当する突出谷部空隙容積(void volume of the valleys)であり、
前記Vmc(10、80)は、上位10%〜80%に相当するコア部実体体積(material volume of the core)である。
0.002≦Vmp(10)/Vv(0)≦0.100
前記式4において、
前記Vmp(10)は、前記で定義した通りであり、
前記Vv(0)は、全空隙の容積である。
Spk/Svk<1.2
[式6]
0.1≦Spk/Sk≦1.1
前記式5および式6において、
前記Spkは、減少された突出山部高さ(reduced peak height)であり、
前記Svkは、減少された突出谷部高さ(reduced valley depth)であり、
前記Skは、コア部粗さ深さ(core roughness depth)である。
0.5≦(Spk+Svk)/Sk≦3.5
前記式11において、前記Spk、Svk、およびSkは、前記で定義した通りである。
本明細書において、表面粗さ(surface roughness)は、研磨パッドの表面が加工または研磨によって形成される研磨パッドの表面粗さのことを意味する。本発明で用いた光学用表面粗さ測定器は、ブルカー(Bruker)社のContour GTモデルである。研磨パッドの表面粗さ測定の詳細な条件は、本明細書の実施例を参照する。
1)コンディショナーによる表面切削、
2)キャリア部(ウェーハを含む)から加えられる加圧およびせん断応力、
3)ウェーハおよび研磨パッドの界面に存在するスラリーの形状によって、研磨パッド表面に損傷および変形が加えられるため、表面粗さが変わることとなる。
前記表面粗さの容積パラメータは、実体体積パラメータ(Vmp(10)、Vmc(10、80)と空隙容積パラメータ(Vvv(80)、Vv(0))とを含む。
[式1−1]
0.030≦Vmp(10)/Vvv(80)≦0.990
[式1−2]
0.030≦Vmp(10)/Vvv(80)≦0.900
前記式1−1および式1−2において、前記Vmp(10)およびVvv(80)は前記で定義した通りである。
[式2−1]
0.010≦Vmp(10)/Vmc(10、80)≦1.600
[式2−2]
0.015≦Vmp(10)/Vmc(10、80)≦1.200
前記式2−1および式2−2において、Vmp(10)およびVmc(10、80)は前記で定義した通りである。
[式3]
0.027≦Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10、80)}≦3.100
前記式3において、前記Vmp(10)、Vv(0)、Vvv(80)、およびVmc(10、80)は、前記で定義した通りである。
[式3−1]
0.042≦Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10、80)}≦2.55
[式3−2]
0.057≦Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10、80)}≦2.02
前記式3−1および式3−2において、前記Vmp(10)、Vv(0)、Vvv(80)、およびVmc(10、80)は、前記で定義した通りである。
一方、図2の(b)を参照して、前記Spkは、減少された突出山部高さ(reduced peak height)であり、CMP工程中に研磨パッドが半導体基板(ウェーハ)表面に接触したときの初期接触面積を提供し、したがって、高い接触応力領域(力/面積)を提供する高いピークからなる表面のことを意味する。前記Spkは、稼働中に除去され得る材料の公称高さを示し得る。
[式5]
Spk/Svk<1.2
前記式5において、前記Spkおよび前記Svkは、前記で定義した通りである。
[式5−1]
0.2≦Spk/Svk≦1.1
前記式5−1において、前記SpkおよびSvkは、前記で定義した通りである。
[式6]
0.1≦Spk/Sk≦1.1
前記式6において、前記Spkおよび前記Skは、前記で定義した通りである。
[式6−1]
0.2≦Spk/Sk≦1.1
前記式6−1において、前記SpkとSkは、前記で定義した通りである。
[式7]
0.2<Svk/Sk≦2.5
前記式7において、前記Svkおよび前記Skは、前記で定義した通りである。
[式7−1]
0.4≦Svk/Sk≦2.5
前記式7−1において、前記SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
[式8]
0.3<Spk/Svk+Svk/Sk≦3.6
前記式8において、前記Spk、SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
[式9]
0.3<Spk/Sk+Svk/Sk≦3.6
前記式9において、前記Spk、SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
[式10]
0.45≦Spk/Sk+Svk/Sk+Spk/Svk≦4.7
前記式10において、前記Spk、SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
[式10−1]
0.8≦Spk/Sk+Svk/Sk+Spk/Svk≦4.6
前記式10−1において、前記Spk、SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
[式11]
0.5≦(Spk+Svk)/Sk≦3.5
前記式11において、前記Spk、SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
[式11−1]
0.7≦(Spk+Svk)/Sk≦3.2
前記式11−1において、前記Spk、SvkおよびSkは、前記で定義した通りである。
本発明の実現例によると、研磨前研磨パッドの表面粗さは、研磨後の表面粗さの各パラメータの範囲と同一または類似の範囲内であり得るか、研磨後の表面粗さの各パラメータの範囲から外れ得る。つまり、研磨前の研磨パッドの表面状態がどうであれ、研磨後の表面粗さを前述の範囲内に維持し得る限り、研磨率を向上させることができ、ウェーハの表面残渣、表面スクラッチおよびチャタマークを減少させ得る。しかし、研磨前および研磨後の研磨パッドの表面状態は、類似するほど研磨性能の面から好ましいものとなり得る。
本発明の一実現例による研磨パッドの製造方法は、ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および発泡剤を混合して原料混合物を調製する段階と、前記原料混合物をモールド内に注入し硬化して研磨パッドを得る段階とを含み、シリコン酸化膜ウェーハ(PETEOS wafer)を用いて、研磨パッド上にか焼セリアスラリーを200cc/分の速度で噴射しながら25枚のダミーウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨し、2枚のモニタリングウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨した後、前記研磨後の研磨パッドを光学用表面粗さ測定器で測定する際、ISO25178−2規格に基づいた負荷面積率曲線において前記式1および式2を満足し得る。
以下、前記原料混合物に含まれる各成分を具体的に説明する。
本発明において目的とする研磨後研磨パッドの表面粗さは、ウレタン系プレポリマーの種類を変えて調節され得る。
本発明の一実現例による研磨パッドにおいて、前記複数の気孔は発泡剤に由来したものであり得る。
前記固相発泡剤の種類、形状、または物性等に応じて、微細気孔の形状および気孔凝集現象の制御が可能であり、これにより、研磨後研磨パッドの表面粗さを調節し得る。
前記固相発泡剤精製システムは、固相発泡剤の平均粒径(D50)を前記範囲に実現することができ、本発明において目的とする研磨パッドの表面粗さを満足し得る限り、様々な精製システムを使用することができる。
本発明で目的とする研磨後研磨パッドの表面粗さは、気相発泡剤の種類を変えて調節され得る。
本発明で目的とする研磨後研磨パッドの表面粗さは、液相発泡剤の種類および混合工程を変えて調節され得る。
前記硬化剤は、アミン化合物およびアルコール化合物のうち1種以上であり得る。具体的に、前記硬化剤は、芳香族アミン、脂肪族アミン、芳香族アルコール、および脂肪族アルコールからなる群より選択される1つ以上の化合物を含み得る。
前記原料混合物は、界面活性剤をさらに含み得る。前記界面活性剤は、形成される気孔の重なりおよびまとまり現象を防止する役割をし得る。具体的に、前記界面活性剤は、シリコーン系非イオン性界面活性剤が好適であるが、そのほかにも研磨パッドに求められる物性に応じて多様に選択し得る。
前記ウレタン系プレポリマーと硬化剤とは、混合の後反応して固相のポリウレタンを形成してシート等に製造される。具体的に、前記ウレタン系プレポリマーのイソシアネート末端基は、前記硬化剤のアミン基、アルコール基等と反応し得る。その際、固相発泡剤のような発泡剤は、ウレタン系プレポリマーと硬化剤の反応に関与せず、原料内にむらなく分散され複数の気孔を形成する。
前記成形は、モールドにより行われ得る。具体的に、ミキシングヘッドなどにおいて十分に撹拌された原料混合物は、モールドに吐出されモールドの内部を満たし得る。
前述のように、実現例による研磨パッドは、研磨後研磨パッドの表面粗さの各パラメータを制御することにより、研磨率を向上させることができ、ウェーハの表面残渣、表面スクラッチおよびチャタマークを減少させ得る。
本発明の実現例による研磨パッドは、複数の気孔の平均径が5μm〜200μmであり得る。また、前記複数の気孔の平均径は、7μm〜100μm、10μm〜50μm、10μm〜32μm、または20μm〜32μmであり得る。前記複数の気孔の平均径は、気孔径の数平均値で計算した。例えば、前記研磨パッドを、走査電子顕微鏡(SEM)を使用して200倍で画像面積を観察した。画像解析ソフトウェアを使用して得られた画像から複数の気孔それぞれの直径を測定し、平均径(Da)を計算した。前記平均径は、研磨面1mm2内の複数の気孔径の和を複数の気孔数で割った平均値と定義した。
なお、前記開放型気孔の入口の直径は、前記開放型気孔の入口の平面積と同じ平面積を有する円の直径のことを意味し得る。また、前記開放型気孔の入口の平均径は、前記研磨面に存在する複数の開放型気孔入口の直径を数平均して算出され得る。
本発明による半導体素子の製造方法は、研磨層を含む研磨パッドを提供する段階と、前記研磨層の研磨面に研磨対象の被研磨面が当接するよう相対回転させながら前記研磨対象を研磨する段階とを含み得る。
(1)ウレタン系プレポリマーの調製
ポリオールとしてポリテトラメチレンエーテルグリコール(polytetramethylene ether glycol、Korea PTG社)、イソシアネート化合物としてトルエンジイソシアネート(toluene diisocyanateは、BASF社)を4口フラスコに投入し、反応器内部を不活性ガスである窒素(N2)で充填させ撹拌しながら75℃にて2時間反応させ、ウレタン系プレポリマーを調製した。この際、NCO%は9.1%に調節した。
ウレタン系プレポリマー、硬化剤、および発泡剤などの原料をそれぞれ供給するためのタンクおよび投入ラインが備えられているキャスティング装置を準備した。前記で調製されたウレタン系プレポリマー、硬化剤としてMOCA(4,4'-Methylne bis(2-chloroaniline)、sigma-aldrich社)を準備した。固相発泡剤は、固相発泡剤の平均粒径が調節されたマイクロカプセル(AkzoNobel社)を固相発泡剤精製システムにより精製して準備した。前記固相発泡剤精製システムとして前述の固相発泡剤分取精製装置を用いた(図3〜図5を参照)。
前記研磨パッドを、CTS社のAP−300モデルを用いてCMP工程を行った。CMP工程の詳細条件は下記表1の通りである。CMP工程が完了した研磨パッドを乾燥させた後、ブルカー(Bruker)社のContour GTモデルを使用して研磨パッドの表面粗さを測定した。表面粗さ測定の詳細条件は下記表2の通りであり、研磨パッドの半径を基準に1/2となるポイントの溝の突起部位を測定した。測定は、研磨パッド当り合計5回を行い、平均値を得た。研磨後研磨パッドの表面粗さ容積パラメータおよび表面粗さ高さパラメータをそれぞれ下記表3および表4に示すように得た。
製造される研磨パッドの表面加工条件を変更して、下記表3および表4に示すように、研磨前および研磨後の研磨パッドの表面粗さ容積パラメータおよび表面粗さ高さパラメータを調節したことを除いては、実施例1と同様の方法により研磨パッドを得た。
ミキシングヘッドの回転速度を調節し、固相発泡剤分取精製装置による精製工程を行わないことにより、下記表3および表4に示すように、研磨前および研磨後の研磨パッドの表面粗さ容積パラメータおよび表面粗さ高さパラメータを調節したことを除いては、実施例1と同様の方法により研磨パッドを得た。
固相発泡剤分取精製装置による精製工程を行わず、製造される研磨パッドの表面加工条件を変更して、下記表3および表4に示すように、研磨前および研磨後の研磨パッドの表面粗さ容積パラメータおよび表面粗さ高さパラメータを調節したことを除いては、実施例1と同様の方法により研磨パッドを得た。
研磨パッド製造直後の初期研磨率を以下のように測定した。
[式12]
研磨率(Å/分)=シリコンウェーハの研磨厚さ(Å)/研磨時間(分)
研磨パッドを用いて実施例および比較例に記載の研磨工程を行った後、欠陥検査装置(AIT XP+、KLA Tencor社)を用いて、研磨後にウェーハ(モニタリングウェーハ)の表面上に現れる残渣、スクラッチおよびチャタマークを測定した(条件:threshold 150、die filter threshold 280)。
120:半導体基板(ウェーハ)
130:プラテン
140:スラリー
150:気孔
10a、10c:配管
30a、30b:フィルター部
31:フィルターハウジング
32:フィルターカバー
33:フィルター部材
311:フィルタースペース
312:フィルター流入口
321:フィルター排出口
331:据置部
332:磁石
50:分取部
51:分取ハウジング
53:渦流発生部材
54:排出フィルター
56:振動発生部
511:分取空間
511a:中心軸
512:分取流入ホール
513:第1微小球体排出ホール
514:第2微小球体排出ホール
515:ガス供給ホール
516:ガス排出ホール
A:流動ガスの流動表示
B:固相発泡体の流れ表示
C:振動矢印
Claims (10)
- シリコン酸化膜ウェーハ(PETEOS wafer)を用いて、研磨パッド上にか焼セリアスラリーを200cc/分の速度で噴射しながら25枚のダミーウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨し、2枚のモニタリングウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨した後、前記研磨後の研磨パッドを光学用表面粗さ測定器で測定する際、ISO25178−2規格に基づいた負荷面積率曲線において下記式1および式2を満足する研磨パッド:
[式1]
0.020≦Vmp(10)/Vvv(80)≦1.000
[式2]
0.005≦Vmp(10)/Vmc(10、80)≦2.000
前記式1および式2において、
前記Vmp(10)は、上位10%に相当する突出山部実体体積(material volume of peaks)であり、
前記Vvv(80)は、上位80%〜100%に相当する突出谷部空隙容積(void volume of the valleys)であり、
前記Vmc(10、80)は、上位10%〜80%に相当するコア部実体体積(material volume of the core)である。 - 前記ダミーウェーハの研磨前にプレブレークイン(pre break in)工程を10分〜20分間行って研磨パッドの研磨層をコンディショニング(conditioning)処理した、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記Vmp(10)が0.020〜0.900であり、
前記Vvv(80)が0.200〜10.000であり、
前記Vmc(10、80)が0.200〜11.000である、請求項1に記載の研磨パッド。 - 前記研磨後の研磨パッドが下記式3を満足する、請求項1に記載の研磨パッド:
[式3]
0.027≦Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10、80)}≦3.100
前記式3において、
前記Vmp(10)、Vvv(80)、およびVmc(10、80)は、前記で定義した通りであり、
前記Vv(0)は、全空隙の容積である。 - 前記Vv(0)が3.000〜57.000であるか、または
前記Vv(0)、Vvv(80)およびVmc(10、80)の総合計が4.200〜70.400であり、
前記研磨パッドの研磨前および研磨後のVmp(10)/Vvv(80)の差の絶対値が0.005〜0.800であるか、または
前記研磨パッドの研磨前および研磨後のVmp(10)/Vv(0)の差の絶対値が0.002〜0.087である、請求項4に記載の研磨パッド。 - シリコン酸化膜ウェーハを用いて、研磨パッド上にか焼セリアスラリーを200cc/分の速度で噴射しながら25枚のダミーウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨し、2枚のモニタリングウェーハをそれぞれ60秒ずつ研磨した後、前記研磨後の研磨パッドを光学用表面粗さ測定器で測定する際、ISO25178−2規格に基づいた負荷面積率曲線において下記式4を満足する研磨パッド:
[式4]
0.002≦Vmp(10)/Vv(0)≦0.100
前記式4において、
前記Vmp(10)は、上位10%に相当する突出山部実体体積(material volume of peaks)であり、
前記Vv(0)は、全空隙の容積である。 - 前記Vmp(10)が0.020〜0.900であり、
前記Vv(0)が3.000〜57.000である、請求項6に記載の研磨パッド。 - 前記研磨後の研磨パッドが下記式3を満足する、請求項6に記載の研磨パッド:
[式3]
0.027≦Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10、80)}≦3.100
前記式3において、
前記Vmp(10)およびVv(0)は、前記で定義した通りであり、
前記Vvv(80)は、上位80%〜100%に相当する突出谷部空隙容積(void volume of the valleys)であり、
前記Vmc(10、80)は、上位10%〜80%に相当するコア部実体体積(material volume of the core)である。 - 前記Vvv(80)が0.200〜10.000であり、
前記Vmc(10、80)が0.200〜11.000であり、
前記Vv(0)、Vvv(80)およびVmc(10、80)の総合計が4.200〜70.400であり、
前記研磨パッドの研磨前および研磨後のVmp(10)/Vv(0)の差の絶対値が0.002〜0.087であるか、または
前記研磨パッドの研磨前および研磨後のVmp(10)/Vvv(80)の差の絶対値が0.005〜0.800である、請求項8に記載の研磨パッド。 - 前記研磨パッドの25℃における表面硬度が45ショアD〜65ショアD、
前記研磨パッドがオキサイド膜に対して2600Å/分〜3300Å/分の研磨率、
前記モニタリングウェーハの表面残渣数100以下、
前記モニタリングウェーハの表面スクラッチ数200以下、および
前記モニタリングウェーハのチャタマーク数5以下の特性から選択された少なくとも一つの特性を満足する、請求項6に記載の研磨パッド。
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