JP2021536135A - プロセス温度計測デバイス製造技術並びにその校正及びデータ補間方法 - Google Patents
プロセス温度計測デバイス製造技術並びにその校正及びデータ補間方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021536135A JP2021536135A JP2021512671A JP2021512671A JP2021536135A JP 2021536135 A JP2021536135 A JP 2021536135A JP 2021512671 A JP2021512671 A JP 2021512671A JP 2021512671 A JP2021512671 A JP 2021512671A JP 2021536135 A JP2021536135 A JP 2021536135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat flux
- temperature
- substrate
- assembly
- assembly according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 191
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 156
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 222
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 201
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 133
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 51
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 35
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 33
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 33
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 134
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010978 in-process monitoring Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10151—Sensor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Description
本願は、「プロセス温度計測デバイス製造技術並びにその校正及びデータ補間方法」(PROCESS TEMPERATURE MEASUREMENT DEVICE FABRICATION TECHNIQUES AND METHODS OF CALIBRATION AND DATA INTERPOLATION OF THE SAME)と題しFarhat A. Quli、Andrew Nguyen及びJames Richard Bellaを発明者とする2018年9月6日付米国仮特許出願第62/727633号に基づき米国特許法第119条(e)の規定による優先権を主張する出願であるので、同仮特許出願の全容を参照により本願に繰り入れることにする。
Claims (29)
- プロセス条件計測ウェハアセンブリであって、
下基板と、
上基板と、
1個又は複数個の印刷回路要素上に配置され且つ上基板・下基板間に間挿された1個又は複数個の電子部品と、
下基板・上基板間に形成された1個又は複数個の遮蔽層であり、前記1個又は複数個の電子部品を電磁遮蔽し且つ下基板及び上基板に亘り電位を拡散させるよう構成されている1個又は複数個の遮蔽層と、
を備えるアセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の遮蔽層が、
下基板の表面上及び上基板の表面上のうち少なくとも一方に配置された1個又は複数個の膜を備え、当該1個又は複数個の膜が導電性であり且つ不透明なアセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の遮蔽層が、
接着層と、
前記接着層内に滞留する複数個の導電粒子であり、上基板の一部分と下基板の一部分との間に電気的接触を確立するよう構成されている複数個の導電粒子と、
を備えるアセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の遮蔽層が、
接着層と、
上基板の表面上及び下基板の表面上のうち少なくとも一方に形成された複数個の導電構造と、
を備え、前記接着層が前記導電構造の周囲に形成されているアセンブリ。 - 請求項4に記載のアセンブリであって、前記複数個の導電構造のうち少なくとも1個の導電構造が、上基板の表面上及び下基板の表面上のうち少なくとも一方に形成された突出部を備えるアセンブリ。
- 請求項5に記載のアセンブリであって、前記導電構造のうち少なくとも幾つかが、上基板の表面上及び下基板の表面上のうち少なくとも一方に形成されたバンプ及び円錐状部分のうち少なくとも一方であるアセンブリ。
- 請求項4に記載のアセンブリであって、前記複数個の導電構造が、電解メッキプロセスにより形成されたものであるアセンブリ。
- 請求項4に記載のアセンブリであって、前記複数個の導電構造が、ワイヤボンドバンピングプロセスにより形成されたものであるアセンブリ。
- 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の遮蔽層が、下基板に対する上基板のシリコン対シリコン無接着剤接合により形成されたものであるアセンブリ。
- 請求項9に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の遮蔽層が、上基板・下基板間に間挿された1個又は複数個の中間膜を含むアセンブリ。
- 請求項10に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の中間膜が1個又は複数個の金属コンタクトを有するアセンブリ。
- 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の遮蔽層が、
過渡液相接合プロセスにより上表面上及び下表面上のうち少なくとも一方に堆積された1個又は複数個の膜を含むアセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、更に、
上基板上及び下基板上のうち少なくとも一方に形成された1個又は複数個の柱状構造を備え、当該1個又は複数個の柱状構造が、前記1個又は複数個の印刷回路要素の一部分又は複数部分を通る熱伝達路を確立するよう構成されているアセンブリ。 - 請求項13に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の柱状構造が半導体素材及び金属のうち少なくとも一方で形成されているアセンブリ。
- 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の印刷回路が無機素材で形成されているアセンブリ。
- 請求項15に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の印刷回路が上基板及び下基板のうち少なくとも一方に直接接合されているアセンブリ。
- 請求項1に記載のアセンブリであって、上基板及び下基板のうち少なくとも一方が半導体基板を備えるアセンブリ。
- 請求項17に記載のアセンブリであって、上基板及び下基板のうち少なくとも一方が、
シリコン基板、シリコンカーバイド基板、窒化シリコン基板、窒化ガリウム基板、砒化ガリウム基板、ゲルマニウム基板、並びにガリウム及びインジウム製の基板のうち、少なくとも一つを備えるアセンブリ。 - 請求項17に記載のアセンブリであって、下基板及び上基板のうち少なくとも一方が前記1個又は複数個の遮蔽層として構成されているアセンブリ。
- 請求項1に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の電子部品が、
1個又は複数個の温度センサ、1個又は複数個の圧力センサ、1個又は複数個の化学物質センサ、並びに1個又は複数個の輻射センサのうち、少なくとも一つを含むアセンブリ。 - 請求項19に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の電子部品が、
1個又は複数個のプロセッサと、
通信回路と、
メモリと、
電源と、
を含むアセンブリ。 - 請求項20に記載のアセンブリであって、前記1個又は複数個の電子部品が、獲得した1個又は複数個の計測パラメタから1個又は複数個の値を計算するよう構成されているアセンブリ。
- 請求項1に記載のアセンブリであって、更に、
前記1個又は複数個の電子部品に可通信結合されたリモートデータシステムを備え、獲得した1個又は複数個の計測パラメタをそのリモートデータシステムに送信するよう当該1個又は複数個の電子部品が構成されており、獲得した1個又は複数個の計測パラメタから値を計算するようそのリモートデータシステムが構成されているアセンブリ。 - 請求項22に記載のアセンブリであって、前記リモートデータシステムが、上基板及び下基板のうち少なくとも一方の1個所又は複数個所に前記1個又は複数個の値をマッピングするよう構成されているアセンブリ。
- 請求項23に記載のアセンブリであって、前記リモートデータシステムが、マッピングされた1個又は複数個の値をユーザインタフェースに通知するよう構成されているアセンブリ。
- 下基板と、
上基板と、
1個又は複数個の印刷回路要素上に配置され且つ上基板・下基板間に間挿された1個又は複数個の電子部品と、
を備え、下基板及び上基板のうち少なくとも一方が、前記1個又は複数個の電子部品を電磁遮蔽し且つ下基板及び上基板に亘り電位を拡散させるよう構成されているプロセス条件計測ウェハアセンブリ。 - 恒温条件下で、プロセス条件計測ウェハの随所に散在する一組の温度センサから一組の温度計測結果、一組の熱流束センサから一組の熱流束計測結果を獲得し、
恒温条件下で獲得した一組の温度計測結果及び一組の熱流束計測結果を校正し、
前記プロセス条件計測ウェハに既知熱流束を印加し、
その既知熱流束の印加中に前記一組の温度センサから一組の付加的温度計測結果、前記一組の熱流束センサから一組の付加的熱流束計測結果を獲得し、
その既知熱流束の印加中に前記一組の温度センサに亘り観測された温度変分を識別し、
その既知熱流束を前記一組の温度センサの温度変分の識別結果と関連付けることで熱流束対温度変分関係を識別し、
未知熱流束条件下で、前記一組の温度センサから一組の試験的温度計測結果、前記熱流束センサから一組の試験的熱流束計測結果を獲得し、
前記一組の試験的熱流束計測結果と熱流束対温度変分関係識別結果とに基づき前記一組の試験的温度計測結果を調整する方法。 - 請求項27に記載の方法であって、更に、
調整された一組の試験的温度計測結果を前記プロセス条件計測ウェハのうち1個又は複数個の計測個所へとマッピングする方法。 - 請求項28に記載の方法であって、更に、
調整された一組の試験的温度計測結果に基づき且つ1個又は複数個の補間関数に依拠し前記1個又は複数個の計測個所間の諸個所にて一組の温度値を補間する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023200810A JP2024019227A (ja) | 2018-09-06 | 2023-11-28 | プロセス条件計測ウェハアセンブリ向けのシステム及び方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862727633P | 2018-09-06 | 2018-09-06 | |
US62/727,633 | 2018-09-06 | ||
US16/558,471 | 2019-09-03 | ||
US16/558,471 US11315811B2 (en) | 2018-09-06 | 2019-09-03 | Process temperature measurement device fabrication techniques and methods of calibration and data interpolation of the same |
PCT/US2019/049833 WO2020051388A1 (en) | 2018-09-06 | 2019-09-06 | Process temperature measurement device fabrication techniques and methods of calibration and data interpolation of the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023200810A Division JP2024019227A (ja) | 2018-09-06 | 2023-11-28 | プロセス条件計測ウェハアセンブリ向けのシステム及び方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021536135A true JP2021536135A (ja) | 2021-12-23 |
JPWO2020051388A5 JPWO2020051388A5 (ja) | 2022-09-13 |
JP7455115B2 JP7455115B2 (ja) | 2024-03-25 |
Family
ID=69719233
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021512671A Active JP7455115B2 (ja) | 2018-09-06 | 2019-09-06 | プロセス条件計測ウェハアセンブリ |
JP2023200810A Pending JP2024019227A (ja) | 2018-09-06 | 2023-11-28 | プロセス条件計測ウェハアセンブリ向けのシステム及び方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023200810A Pending JP2024019227A (ja) | 2018-09-06 | 2023-11-28 | プロセス条件計測ウェハアセンブリ向けのシステム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11315811B2 (ja) |
JP (2) | JP7455115B2 (ja) |
KR (1) | KR20210041635A (ja) |
CN (2) | CN118073219A (ja) |
TW (1) | TWI827664B (ja) |
WO (1) | WO2020051388A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102505963B1 (ko) * | 2020-10-30 | 2023-03-03 | 이트론 주식회사 | 반도체 공정 진단을 위한 플라즈마 센서 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102505962B1 (ko) * | 2020-10-30 | 2023-03-03 | 이트론 주식회사 | 반도체 공정 진단 센서 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20240023622A (ko) * | 2021-06-22 | 2024-02-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 재료 도포의 지능적인 선택을 위한 방법 및 시스템 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002350248A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Kobe Steel Ltd | 温度計測装置及びそれを使用する温度計測方法 |
JP2010519768A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | プロセス条件測定デバイス |
WO2017100132A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Ioneer, Llc | Apparatus and method for determining parameters of process operation |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7151366B2 (en) * | 2002-12-03 | 2006-12-19 | Sensarray Corporation | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
US7698962B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-04-20 | Amsted Rail Company, Inc. | Flexible sensor interface for a railcar truck |
US7555948B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-07-07 | Lynn Karl Wiese | Process condition measuring device with shielding |
US7540188B2 (en) | 2006-05-01 | 2009-06-02 | Lynn Karl Wiese | Process condition measuring device with shielding |
JP5476114B2 (ja) | 2009-12-18 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定用装置 |
US9134186B2 (en) * | 2011-02-03 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Process condition measuring device (PCMD) and method for measuring process conditions in a workpiece processing tool configured to process production workpieces |
US9527392B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-12-27 | Aurora Flight Sciences Corporation | Aerial system and vehicle for continuous operation |
KR102059716B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2019-12-26 | 케이엘에이 코포레이션 | 열 플럭스를 측정하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20150031782A (ko) * | 2013-09-16 | 2015-03-25 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 특성을 모니터링하는 웨이퍼 형태의 진단 기구 및 이를 이용하는 진단 시스템 |
US9823121B2 (en) * | 2014-10-14 | 2017-11-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for measuring radiation and temperature exposure of wafers along a fabrication process line |
US10444103B2 (en) | 2014-11-11 | 2019-10-15 | Ams International Ag | Method and apparatus for calibrating pressure sensor integrated circuit devices |
US9673150B2 (en) * | 2014-12-16 | 2017-06-06 | Nxp Usa, Inc. | EMI/RFI shielding for semiconductor device packages |
US9659985B2 (en) * | 2015-02-17 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Integrated circuit and image sensing device having metal shielding layer and related fabricating method |
US11150140B2 (en) | 2016-02-02 | 2021-10-19 | Kla Corporation | Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications |
CN107507823B (zh) * | 2016-06-14 | 2022-12-20 | 三星电子株式会社 | 半导体封装和用于制造半导体封装的方法 |
US10460966B2 (en) | 2016-06-15 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Encapsulated instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications |
KR101820675B1 (ko) | 2017-04-06 | 2018-01-24 | 한국표준과학연구원 | 다층 저항식 다점 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조방법 |
-
2019
- 2019-09-03 US US16/558,471 patent/US11315811B2/en active Active
- 2019-09-06 WO PCT/US2019/049833 patent/WO2020051388A1/en active Application Filing
- 2019-09-06 CN CN202410191379.2A patent/CN118073219A/zh active Pending
- 2019-09-06 KR KR1020217010065A patent/KR20210041635A/ko unknown
- 2019-09-06 CN CN201980057820.5A patent/CN112689890B/zh active Active
- 2019-09-06 TW TW108132252A patent/TWI827664B/zh active
- 2019-09-06 JP JP2021512671A patent/JP7455115B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-26 US US17/729,469 patent/US11784071B2/en active Active
-
2023
- 2023-11-28 JP JP2023200810A patent/JP2024019227A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002350248A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Kobe Steel Ltd | 温度計測装置及びそれを使用する温度計測方法 |
JP2010519768A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | プロセス条件測定デバイス |
WO2017100132A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Ioneer, Llc | Apparatus and method for determining parameters of process operation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11315811B2 (en) | 2022-04-26 |
KR20210041635A (ko) | 2021-04-15 |
JP7455115B2 (ja) | 2024-03-25 |
US20200083072A1 (en) | 2020-03-12 |
JP2024019227A (ja) | 2024-02-08 |
WO2020051388A1 (en) | 2020-03-12 |
US20220399216A1 (en) | 2022-12-15 |
CN118073219A (zh) | 2024-05-24 |
CN112689890B (zh) | 2024-06-21 |
TW202025326A (zh) | 2020-07-01 |
US11784071B2 (en) | 2023-10-10 |
TWI827664B (zh) | 2024-01-01 |
CN112689890A (zh) | 2021-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2024019227A (ja) | プロセス条件計測ウェハアセンブリ向けのシステム及び方法 | |
US7233874B2 (en) | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication | |
TWI751172B (zh) | 用於獲取高溫製程應用中之量測參數之裝置及方法 | |
JP5476114B2 (ja) | 温度測定用装置 | |
JP6184518B2 (ja) | 活性プラズマ内原位置測定のための高温センサウェーハ | |
US9909930B2 (en) | Multi-sensor assembly with tempature sensors having different thermal profiles | |
TW201504603A (zh) | 用以量測熱通量之方法及系統 | |
US11150140B2 (en) | Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications | |
US7482576B2 (en) | Apparatuses for and methods of monitoring optical radiation parameters for substrate processing operations | |
US20220189803A1 (en) | Sensor configuration for process condition measuring devices | |
Lee et al. | Characteristics of improved thin-film multijunction thermal converters |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220902 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7455115 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |