KR20240023622A

KR20240023622A - 재료 도포의 지능적인 선택을 위한 방법 및 시스템

Info

Publication number: KR20240023622A
Application number: KR1020247002047A
Authority: KR
Inventors: 무디트 수닐쿠마르 카스기왈라; 수브라마니 켄제리
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2021-06-22
Filing date: 2022-06-21
Publication date: 2024-02-22
Also published as: WO2022271718A1; TW202318141A; EP4360415A1; US20220404878A1; CN117716801A

Abstract

전자 디바이스에 재료들을 도포하기 위한 방법 및 시스템은 디바이스의 전자기(EM) 맵을 생성하는 것을 포함할 수 있다. EM 맵은 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선의 로케이션들을 표시할 수 있다. 방법은 디바이스로부터 방출되는 열 에너지의 로케이션들을 표시할 수 있는 전자 디바이스의 열 맵을 생성하는 것을 또한 포함할 수 있다. 방법은 EM 열 맵들로부터 차폐 맵을 생성하는 것을 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은, EM 차폐 재료 및 열 재료를 도포할 전자 디바이스 상의 로케이션들을 포함하여, 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함할 수 있다. 방법은, 차폐 맵에 따라, EM 차폐 재료 및 열 재료를 전자 디바이스에 도포하도록 차폐 장치를 제어하는 것을 또한 포함할 수 있다. EM 차폐 재료 및 열 재료는 전자 디바이스 상의 다양한 깊이들까지 도포될 수 있다.

Description

재료 도포의 지능적인 선택을 위한 방법 및 시스템

[0001] 본 출원은 2021년 6월 22일자로 출원된 발명의 명칭이 "METHOD AND SYSTEM FOR INTELLIGENT SELECTIVITY OF MATERIAL APPLICATION"인 미국 특허 가출원 번호 제63/213,553호의 이익을 주장하는데, 이 가출원의 전체 개시내용은, 마치 본원에서 완전히 기술되는 것처럼, 모든 목적들을 위해, 참조에 의해 본원에 통합된다.

[0002] 본 개시내용은 일반적으로 전자 디바이스들에 전자기 차폐 및 열 재료들을 제공하기 위한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용은, 전자기 간섭으로부터의 보호를 제공하고, 보안성을 향상시키며, 열 성능의 사전 결정된 임계치들을 달성하기 위해, 전자 디바이스들에 대한 재료들을 선택하고 선택적으로 적층하기 위한 기술들을 설명한다.

[0003] 전자 디바이스들은 보안, 노이즈 완화, 및 간섭으로부터의 보호와 같은 이유들 때문에 전자기 차폐를 필요로 할 수 있다. 전자기 차폐는 다양한 이유들 때문에 제공될 수 있으며, 특정한 이유를 위해 사용되는 재료들은 다른 이유에 대해 적합하지 않을 수 있다. 추가적으로, 이들 전자 디바이스들에 대해서는 다양한 열적 속성들이 중요할 수 있는데, 이것은 또 다른 재료를 필요로 할 수 있다.

[0004] 일부 실시예들에서, 전자 디바이스에 재료들을 도포하기 위한 방법은 전자 디바이스의 전자기(electromagnetic; EM) 맵을 생성하는 단계를 포함할 수 있다. EM 맵은 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선의 로케이션들을 표시할 수 있다. 방법은 전자 디바이스로부터 방출되는 열 에너지의 로케이션들을 표시할 수 있는 전자 디바이스의 열 맵(thermal map)을 생성하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 방법은 EM 맵 및 열 맵으로부터 차폐 맵을 생성하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은, EM 차폐 재료를 도포할 전자 디바이스 상의 로케이션들 및 열 재료를 도포할 로케이션들을 포함하여, 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함할 수 있다. 방법은, 차폐 맵에 따라, EM 차폐 재료 및 열 재료를 전자 디바이스에 도포하도록 차폐 장치를 제어하는 단계를 또한 포함할 수 있다.

[0005] 일부 실시예들에서, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체는 하나 이상의 프로세서들로 하여금 동작들을 수행하게 하는 명령들을 포함한다. 동작들은 전자 디바이스 상에서 생성되는 EM 방사선의 로케이션을 표시하는 전자 디바이스의 EM 맵을 수신하는 동작을 포함할 수 있다. 동작들은 전자 디바이스 상에서 생성되는 열 에너지의 로케이션들을 표시하는, 전자 디바이스의 열 맵을 수신하는 동작을 또한 포함할 수 있다. 동작들은 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함하는 열 맵 및 EM 맵으로부터, 차폐 맵을 생성하는 동작을 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은 EM 차폐 재료 및/또는 열 재료를 도포할 전자 디바이스 상의 로케이션들을 포함할 수 있다. 동작들은 EM 차폐 재료 및/또는 열 재료를 도포하기 위해 차폐 장치에 차폐 맵을 제공하는 동작을 또한 포함할 수 있다.

[0006] 일부 실시예들에서, 시스템은 전자 디바이스 상에 EM 차폐 재료 및 열 재료를 증착할 수 있는 차폐 장치를 포함할 수 있다. 시스템은 하나 이상의 프로세서들 및 하나 이상의 메모리 디바이스들을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스들은 하나 이상의 프로세서들로 하여금 동작들을 수행하게 하는 명령들을 포함할 수 있다. 동작들은 전자 디바이스로부터 생성되는 EM 방사선의 로케이션들을 표시하는, 전자 디바이스의 EM 맵을 수신하는 동작을 포함할 수 있다. 동작들은 전자 디바이스 상에서 생성되는 열 에너지의 로케이션들을 표시하는, 전자 디바이스의 열 맵을 수신하는 동작을 또한 포함할 수 있다. 동작들은 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함하는 열 맵 및 EM 맵으로부터, 차폐 맵을 생성하는 동작을 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은 EM 차폐 재료 및/또는 열 재료를 도포할 전자 디바이스 상의 로케이션들을 포함할 수 있다. 동작들은 EM 차폐 재료 및/또는 열 재료를 도포하기 위해 차폐 장치에 차폐 맵을 제공하는 동작을 또한 포함할 수 있다.

[0007] 일부 실시예들에서, EM 맵을 생성하는 동작은 EM 방사선을 측정하기 위해 전자 디바이스의 모델을 시뮬레이팅하는 동작을 포함할 수 있다. EM 맵을 생성하는 동작은 전자 디바이스 상의 EM 방사선의 로케이션들을 결정하는 동작 및 로케이션들의 매핑을 생성하는 동작을 또한 포함할 수 있다. EM 맵을 생성하는 동작은 EM 차폐 디바이스 상의 로케이션에서 도포될 EM 차폐 재료들을 결정하는 동작을 또한 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, EM 맵을 생성하는 동작은 전자 디바이스의 모델을 생성하는 동작을 포함할 수 있다. EM 맵을 생성하는 동작은, 의도하지 않은 안테나들과 같은, EM 공격들에 취약한 전자 디바이스 상의 로케이션들을 식별하는 동작을 또한 포함할 수 있다.

[0008] 모든 실시예들에서, 열 맵을 생성하는 것은 전자 디바이스의 열적 거동을 측정하기 위해 전자 디바이스의 모델을 시뮬레이팅하는 것을 또한 포함할 수 있다. 열 맵을 생성하는 것은 전자 디바이스 상의 열 에너지의 로케이션들을 결정하는 것, 그리고 전자 디바이스의 히트 맵(heat map)을 생성하는 것을 또한 포함할 수 있다. 열 맵을 생성하는 것은 전자 디바이스 상의 로케이션들에서 도포될 열 재료들을 결정하는 것을 더 포함할 수 있다.

[0009] 일부 실시예들에서, EM 맵 및 열 맵을 생성하는 것은 전자 디바이스의 프로토타입을 프로빙(probe)하는 것으로부터 데이터를 수신하는 것을 포함할 수 있다. EM 맵 및 열 맵을 생성하는 것은 프로토타입의 EM 스캔 및/또는 열 스캔으로부터 데이터를 수신하는 것을 또한 포함할 수 있다. EM 맵 및 열 맵을 생성하는 것은 전자 디바이스 상의 EM 방사선의 로케이션의 맵을 생성하는 것, 그리고 전자 디바이스의 히트 맵을 생성하는 것을 또한 포함할 수 있다. EM 맵 및 열 맵은 (x,y,z) 좌표들을 또한 포함할 수 있다.

[0010] 모든 실시예들에서, 차폐 장치는 스퍼터링 및/또는 전기 도금을 통해 EM 차폐 재료 및 열 재료를 도포할 수 있다. 차폐 장치는, EM 방사선의 파장의 함수로써, EM 차폐 재료의 적어도 하나의 층을 차폐 깊이까지 증착할 수 있다. 차폐 장치는 열 재료의 층을 재료 깊이까지 증착할 수 있다. EM 차폐 재료는 고주파 EM 차폐를 위한 Cu의 층 및 저주파 차폐를 위한 NiFe의 층을 포함할 수 있다. EM 차폐 재료는 고주파 및 저주파 EM 방사선에 대한 차폐를 사전 결정된 임계치 이내까지 제공하기 위한 합금을 포함할 수 있다. 전자 디바이스는 유리 또는 유기 재료로 만들어지는 기판 상에 장착되는 하나 이상의 집적 회로 패키지들을 포함할 수 있다.

[0011] 도 1a는, 일부 실시예들에 따른, 다양한 컴포넌트들이 전자기(EM) 방사선을 방출할 수 있는 전자 디바이스의 한 예를 예시한다.
[0012] 도 1b는, 일부 실시예들에 따른, 의도하지 않은 안테나를 포함할 수 있는 트레이스(trace; 101b)의 뷰를 예시한다.
[0013] 도 2는, 일부 실시예들에 따른, EM 방사선 및 열 에너지를 방출하는 전자 디바이스를 예시한다.
[0014] 도 3은, 일부 실시예들에 따른, 파라미터들을 모델 상에서의 좌표들과 상관시키기 위해 사용될 수 있는 룩업 테이블(lookup table; LUT)을 예시한다.
[0015] 도 4는, 일부 실시예들에 따른, 전자 디바이스의 모델에 의해 방출되는 EM 방사선 맵의 예를 예시한다.
[0016] 도 5는, 일부 실시예들에 따른, 전자 디바이스에 의해 방출되는 열 에너지의 하향식(top-down) 히트 맵을 예시한다.
[0017] 도 6은, 일부 실시예들에 따른, 결합된 차폐 맵에 기초하여 재료를 선택하기 위해 사용될 수 있는 데이터 테이블을 예시한다.
[0018] 도 7은, 일부 실시예들에 따른, 차폐의 특정한 기하학적 형상에 대한 재료를 선택하기 위해 사용될 수 있는 데이터 테이블을 예시한다.
[0019] 도 8은, 일부 실시예들에 따른, 스퍼터링을 통해 재료들이 선택적으로 도포된 전자 디바이스를 예시한다.
[0020] 도 9는, 일부 실시예들에 따른, 전자 디바이스에 재료들을 선택적으로 도포하는 방법의 플로우차트를 예시한다.
[0021] 도 10은, 일부 실시예들에 따른, 포괄적인 차폐 맵을 생성하기 위한 방법의 플로우차트를 예시한다.
[0022] 도 11은 다양한 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 컴퓨터 시스템을 예시한다.

[0023] 전자 시스템들은 열 성능, 노이즈, 전자기 간섭(electromagnetic interference; EMI), 및 보안성과 같은 요인들을 완화함에 있어서 도전 과제들에 직면하고 있다. EMI는, EMI가 동일한 디바이스에 포함되는 다른 컴포넌트들로부터 유래하든지 또는 어떤 다른 외부 소스로부터 유래하든지 간에, 전자 디바이스에 포함되는 컴포넌트들을 방해할 수 있다. 전자기 노이즈(때때로 "노이즈"로서 지칭됨)는 전자 디바이스의 컴포넌트들에 대해 유사한 영향을 끼칠 수 있다. 더구나, 노이즈는 보안 문제들로 이어질 수 있다. 전자 디바이스로부터의 누설된 노이즈는 때때로 사이드 채널 공격에서 활용될 수 있다. 노이즈는 디바이스 내에서 정보를 의도적으로 반송하는 컴포넌트로부터 유래할 수 있거나 또는 의도하지 않은 안테나로부터 유래할 수 있다. 따라서, EMI로부터 전자 디바이스를 보호하기 위해 그리고 보안성을 향상시키기 위해 효과적인 전자기 차폐가 필요할 수 있다. 추가적으로, 프로세서들 및 다른 고급 전자기기들에 대해서는 전자 디바이스의 열 관리가 중요할 수 있다. 그러나, 최적의 열적 속성들을 제공하는 재료들은 EM 차폐를 위한 불량한 선택들일 수 있다. 마찬가지로, EM 차폐를 위한 적합한 재료들은 불량한 열적 속성들을 가질 수 있다. 따라서, 적합한 EM 차폐 및 열적 속성들을 달성하기 위해서는, 전자 디바이스의 다양한 영역들에 재료들을 선택적으로 도포할 필요가 있다.

[0024] 본원에서 설명되는 실시예들은 이들 문제들을 해결하기 위해 EM 차폐 재료들 및/또는 열 재료들을 선택적으로 도포한다. 특정한 주파수들에서 EM 차폐를 필요로 하는 로케이션들이 전자 디바이스 상에서 식별될 수 있다. 유사하게, 전자 디바이스 상의 로케이션들의 열적 속성들이 식별될 수 있다. EM 차폐를 필요로 할 수 있는 전자 디바이스 상의 로케이션들 및 전자기기들로부터 멀어지게 열을 전도하기 위한 열 재료들을 필요로 할 수 있는 것들을 결합함으로써, 다양한 재료들을 전자 디바이스에 선택적으로 도포하도록 차폐 장치를 제어할 수 있는 차폐 맵이 생성될 수 있다.

[0025] 전자 디바이스들 및 컴포넌트들은 원치 않는 전자기(EM) 방사선을 방출할 수 있고, 뿐만 아니라, 수신할 수 있다. 전자 디바이스들이 전파들 또는 다른 형태들의 EM 방사선을 통해 정보를 브로드캐스팅하는 안테나들을 포함하는 경우, EM 방사선의 의도하지 않은 수신 또는 방출은 전송될 또는 수신될 메시지의 무결성에서 문제들을 야기할 수 있다.

[0026] 전자기 간섭(EMI)은, EM 방사선의 외부 방출기가 유도, 전도, 또는 정전기 커플링을 포함하는 다양한 수단들을 통해 전자 디바이스에 영향을 끼칠 때 발생한다. EMI는 전자 디바이스에 의해 신호들이 브로드캐스팅되는 또는 수신되는 것을 방지할 수 있거나 또는 전자 디바이스의 다른 회로부를 방해할 수 있다. 따라서, 디바이스는, EMI에 의해 방해받는 것으로부터 전자 디바이스를 보호하기 위해 및/또는 다른 근처의 전자 디바이스들과 간섭하는 전자 디바이스의 능력을 제한하기 위해, EMI에 대한 차폐를 필요로 할 수 있다.

[0027] 전자 디바이스들 및/또는 그들의 컴포넌트들에 의해 노이즈가 생성된다. 일반적인 타입의 노이즈는 열 노이즈이다. 전자 디바이스의 컴포넌트들 내에서 전하 캐리어들의 여기에 의해 열 노이즈가 야기된다. 이 노이즈는 전자 디바이스의 컴포넌트들로 하여금 특정한 주파수 대역 내에서 EM 방사선을 방출하게 할 수 있다. 전자 디바이스 그 자체로부터 컴포넌트들에 의해 생성되는 노이즈는 전자 디바이스의 다른 컴포넌트들, 특히 수신 컴포넌트들에 대해 원치 않는 영향을 끼칠 수 있다.

[0028] 가능한 효과들 중 하나는, 수신 디바이스 그 자체로부터의 노이즈에 의해 야기되는 의도된 신호를 수신하기 위한 수신 컴포넌트의 감도의 감소인 디센스(desense)로서 지칭될 수 있다. 노이즈는 의도된 신호와 동일한 EM 주파수일 필요는 없다. 디센스가 신호를 수신하는 디바이스의 능력을 감소시킴에 따라, 전자 디바이스의 정상적인 동작이 영향을 받을 수 있는데, 더 이상 의도된 주파수에서 신호를 수신하도록 동작 가능하지 않을 수 있기 때문이다. 전자 디바이스는, 심지어 신호 수신의 순간적인 손실들이 발생하는 경우에도 패킷 손실을 경험할 수 있고, 따라서 스루풋 및 데이터 레이트들을 감소시키고 또한 동시에 범위들 감소시킨다.

[0029] 노이즈는 또한 전자 디바이스 및 전자 디바이스에 의해 프로세싱되고 있는 임의의 데이터에 대한 보안 위험이 될 수 있다. "사이드 채널 공격들"은 송신되고 있는 정보에 대한 액세스를 획득하기 위해 또는 디바이스 그 자체를 제어하기 위해 전자 디바이스로부터 생성되는 노이즈를 활용하는 다양한 방법들을 포괄한다. 트레이스들과 같은 통로들을 포함하는, 다양한 컴포넌트들에 의해 생성되는 의도하지 않은 EM 방사선을 수신함으로써, 공격자는 암호 키들을 획득할 수 있거나, 메시지들을 가로챌 수 있거나, 또는 전자 디바이스에 대한 제어를 획득할 수 있다.

[0030] 사이드 채널 공격들에서, 공격자는 디바이스를 스캔하여 타깃으로 된 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 생성되고 있는 노이즈를 찾을 수 있다. EM 방사선으로서 방출되는 특정한 신호를 특정한 컴포넌트로부터의 노이즈로서 식별한 이후, 그 신호에 대한 분석이 수행될 수 있다. 다양한 기술들을 통해, 데이터가 추출되고 후속하여 디코딩될 수 있다. 일부 경우들에서, 암호화 메시지들, 또는 데이터의 이 가로채기(interception)는 전자 디바이스 그 자체가 다른 방식들에서 손상되는 것으로 이어질 수 있다.

[0031] 도 1a는, 일부 실시예들에 따른, 다양한 컴포넌트들이 원치 않는 EM 방사선을 방출할 수 있는 전자 디바이스의 한 예를 예시한다. 도 1a는 더 큰 디바이스의 일부들만 나타낼 수 있는데, 예를 들면, 더 큰 시스템의 무선 및 디스플레이 모듈들만을 도시한다. 도 1a는 예로서만 제공되며 제한하도록 의도되는 것은 아니다; 본원에 지칭되는 다른 전자 디바이스들은 도 1 상에서 도시되는 컴포넌트들 모두 또는 그 일부를 구비할 수 있거나 또는 어떤 것도 구비하지 않을 수 있다.

[0032] 고선명 멀티미디어 인터페이스(High-Definition Multimedia Interface; HDMI) 커넥터(102)가 기판(120) 상의 트레이스(101a)를 통해 비주얼 프로세싱 유닛(Visual Processing Unit)(MAIN PROCESSOR; 메인 프로세서)(104)에 연결될 수 있다. 범용 직렬 버스(Universal Serial Bus; USB) 포트(106) 및 메모리 디바이스(108)는 트레이스들(101b 및 101c)을 통해 메인 프로세서(104)에 유사하게 연결될 수 있다. 메인 프로세서(104)에 직접적으로 연결되지는 않지만, 기판(120) 상에서 라디오 유닛(110)이 장착될 수 있다. 라디오 유닛(110)은, EM 방사선 또는 간섭의 소스일 수 있는 전파(radio wave)들을 통해 데이터를 전송 및 수신하기 위해 사용될 수 있다.

[0033] 상기에서 논의되는 바와 같이, USB 포트(106), HDMI 커넥터(102), 및 메모리 디바이스(108)는 EM 방사선을 노이즈로서 방출할 수 있다. 일부 경우들에서, 이들 컴포넌트들에 의해 방출되는 노이즈는 동일한 주파수일 수 있다. 다른 경우들에서, 각각의 컴포넌트에 의해 방출되는 노이즈는 다른 컴포넌트들 중 임의의 것에 의해 방출되는 주파수와는 상이할 수 있다.

[0034] 도 1b는, 일부 실시예들에 따른, 의도하지 않은 안테나를 포함할 수 있는 트레이스(trace; 101b)의 뷰를 예시한다. 트레이스(101b)가 예로서 도시되지만, 임의의 트레이스가 안테나로서 역할을 할 수 있다. 추가적으로, 기판(120)은 의도하지 않은 안테나로서 또한 역할을 할 수 있는 추가적인 트레이스들(도시되지 않음)을 가질 수 있다. 전파(116)는 전자기장으로서 도시된다. 일부 실시예들에서, 전파(116)는 라디오 유닛(110)을 통해 전자 디바이스(100)에 의해 방출될 수 있다. 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118)은 전파(116) 파장의 대략 절반인 동일한 길이를 갖는 것으로 도시되어 있다. 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118)은 저항기(119)에 의해 결합되는데, 여기서 저항기(119)의 길이는 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118)의 길이보다 상당히 더 작다. 일부 전자 디바이스들 상에서, 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118)은 일부 컴포넌트에 의해 연결되는 동일한 트레이스의 상이한 세그먼트들일 수 있다. 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118)은 인터포저 층 또는 컴포넌트에 의해 의도적으로 또는 의도치 않게 연결되는 별개의 트레이스들의 일부들일 수 있다.

[0035] 트레이스(101b)가 전기 도체이기 때문에, 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118) 둘 모두도 또한 도체들이다. 전파(116)가 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118)과 상호 작용함에 따라, 두 트레이스 암들의 길이 양단에 전압이 생성된다. 전파(116)가 진동함에 따라, 제1 트레이스 암(117) 및 제2 트레이스 암(118) 양단의 전압은 동일한 주파수에서 진동한다. 트레이스 암들의 길이 양단에 전압이 있고 그들이 저항기에 의해 연결되기 때문에, 전류들이 앞뒤로 흐르고, 전파(116)와 동일한 주파수에서 또는 그 근처에서 진동하는 노이즈가 생성될 수 있다. 따라서, 트레이스(101b)는 전파(116)를 브로드캐스팅하는 의도하지 않은 안테나로서 역할을 한다. 이 구성은 의도하지 않은 안테나의 유일한 가능한 구성은 아니다. 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 전파(116)가 의도치 않게 브로드캐스팅되는 것을 허용할 수 있는 많은 상이한 구성들을 인식할 것이다.

[0036] EMI 및 노이즈를 완화하기 위한 한 가지 방식은 "노이즈가 있는" 컴포넌트들을 차폐하여, 그들의 EM 방사선의 의도되지 않은 방출을 특정한 임계치 미만이 되도록 제한하는 것일 수 있다. 마찬가지로, 의도하지 않은 안테나들도 또한 EM 차폐에 의해 완화될 수 있다. 그러나, 전자 디바이스들은 많은 노이즈가 있는 컴포넌트들을 포함할 수 있으며, 동일한 전자 디바이스 상의 상이한 로케이션들에서 상이한 주파수들의 EM 방사선을 차폐할 필요성이 있을 수 있다.

[0037] 재료는, 특정한 노이즈가 있는 컴포넌트가 방출하는 EM 방사선의 주파수에 기초하여, 그것에 대한 EM 차폐 재료로서 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상이한 영역들에서 상이한 주파수들의 EM 방사선을 차폐하기 위해 상이한 EM 차폐 재료들이 선택될 수 있다. 추가적으로, EM 차폐 재료들은, 원치 않는 EM 방사선을 특정한 임계치 미만이 되도록 감쇠시키기 위해, 상이한 깊이들 또는 두께들에서 도포될 수 있다. 그러나, 전자 디바이스의 열 성능은 EM 차폐 재료의 도포에 의해 영향을 받을 수 있다.

[0038] 도 2는, 일부 실시예들에 따른, EM 방사선 및 열 에너지를 방출하는 전자 디바이스(200)를 예시한다. 전자 디바이스(200)는 기판(210) 상에 장착될 수 있는 예시적인 컴포넌트들을 도시한다. 기판(210)은 인쇄 회로 보드, 실리콘 기판, 인터포저 층, 및/또는 집적 회로들이 장착될 수 있는 임의의 다른 타입의 기판일 수 있다. 암호 프로세서(cryptographic processor; 208)는 트레이스들(212)을 통해 메인 프로세서(202)에 연결될 수 있다. 메모리(204) 및 하나 이상의 컨버터들(206)이 기판(210) 상에 또한 장착될 수 있다. 메모리(204) 및 컨버터들(206)이 임의의 다른 컴포넌트에 연결되는 것으로 도시되지 않지만, 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 이들 컴포넌트들이 내부의 또는 숨겨진 트레이스들을 통해 도시되는 다른 컴포넌트들 중 임의의 것 또는 모두에 연결될 수 있다는 것을 인식할 것이다.

[0039] 암호 동작을 수행하기 위해, 메인 프로세서(202)는 암호 프로세서(208)에 의해 생성되는 암호 키들을 검색할 수 있다. 암호 프로세서(208)는, 기판(210)을 통해 암호 프로세서(208)와 메인 프로세서(202) 사이에서 이어지는 트레이스들(212)을 통해 암호 키들을 메인 프로세서(202)로 송신할 수 있다. 도 2에서 예시되는 바와 같이, 이들 트레이스들은 노출될 수 있고 그리고/또는 다르게는 물리적 공격에 취약할 수 있다. 예를 들면, 기판(210)의 표면 레벨 상에 있는 트레이스들은 전압 프로브 또는 다른 센서(도시되지 않음)를 사용하여 프로빙될 수 있다. 기판(210)의 내부 층들 상에서 이어지는 트레이스들의 경우, 숙련된 공격자는 기판(210)의 일부들을 조심스럽게 제거하여 이들 트레이스들을 노출시킬 수 있다. 트레이스들(212)이 암호 프로세서(208)와 메인 프로세서(202) 사이에서 이어지기 때문에, 그들은 그러한 공격에 취약하다.

[0040] 예컨대 도 1에서 도시되는 다른 실시예들에서, 트레이스(212)는, 의도하지 않은 안테나인 것에 기인하여, 원치 않는 EM 방사선(214a)을 방출할 수 있다. 도 2의 디바이스는 무선 라디오 송신기, 예컨대 라디오 유닛(110)을 포함하는, 도시되지 않는, 더 큰 시스템의 일부일 수 있다. 원치 않는 EM 방사선(214a)은 무선 라디오 송신기에 의해 브로드캐스팅되고 있는 신호일 수 있다. 원치 않는 EM 방사선(214a)을 감쇠시키기 위해, 원치 않는 EM 방사선(214a)의 주파수에 기초하여 선택되는 제1 EM 차폐 재료가 필요로 될 수 있다.

[0041] 메인 프로세서(202)는 EM 노이즈(214b)를 방출할 수 있다. EM 노이즈(214b) 및 원치 않는 EM 방사선(214a)은 동일한 주파수의 또는 상이한 주파수들의 EM 방사선일 수 있다. 따라서, EM 노이즈(214b)를 적절하게 감쇠시키기 위해서는 제2 EM 차폐 재료가 필요로 될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 EM 차폐 재료는 제1 EM 차폐 재료와 동일할 수 있다. 제2 EM 차폐는 또한 제1 EM 차폐 재료와는 상이한 재료일 수 있다.

[0042] 메인 프로세서(202)는 열 에너지(216a)를 또한 복사할 수 있다. 제2 EM 차폐 재료를 도포하는 것은 열 에너지(216a)가 적절하게 소산되는 것을 허용하지 않는 것에 의해 메인 프로세서(202)의 열적 거동에 영향을 끼칠 수 있다. 제2 EM 차폐 재료의 깊이도 열 에너지(216a)의 소산에 또한 영향을 끼칠 수 있다. 따라서, 메인 프로세서(202)는 열 에너지(216a)를 소산시키기 위해 도포되는 열 재료를 또한 필요로 할 수 있고, 그에 의해, 메인 프로세서(202)의 열적 속성들이 사전 결정된 임계치 내에 유지되는 것을 허용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 재료의 깊이 및 제2 EM 차폐 재료의 깊이는 노이즈(214b) 및 열 에너지(216a)가 사전 결정된 임계치 이내로 유지되도록 결정될 수 있다.

[0043] 마찬가지로, 메모리(204)는 열 에너지(216b)를 복사할 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 에너지(216b)는 열 에너지(216a)에 상당할 수 있고, 따라서 필적하는 깊이의 열 재료를 필요로 할 수 있다. 다른 실시예들에서, 열 에너지(216b)의 크기는 열 에너지(216a)의 것과는 상이할 수 있고, 따라서 상이한 두께의 열 재료를 필요로 할 수 있다.

[0044] 도 2의 EM 방사선 및 열 에너지를 방출하는 것으로 도시되는 컴포넌트들은 단지 예들에 불과하며 제한하도록 의도되는 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다. 도 2의 컴포넌트들 중 임의의 것은 열 에너지 및/또는 EM 방사선을 방출할 수 있다. 더구나, 도 1 및 도 2의 실시예들이 EM 방사선을 방출하는 것으로 도시되지만, 전자 디바이스들(100, 200), 및 그들의 연관된 컴포넌트들은 원치 않는 EM 방사선이 디바이스들 또는 그들의 컴포넌트들에 영향을 끼치는 것을 방지하기 위해 EM 차폐로부터 이점을 얻을 수 있다. 원치 않는 EM 방사선은 동일한 디바이스 상의 다른 컴포넌트들로부터 유래할 수 있거나 또는 외부 소스로부터 유래할 수 있다.

[0045] 유사하게, 전자 디바이스들(100 및 200) 및 그들의 연관된 컴포넌트들은 열 에너지가 소산되기보다는 차폐되어야 한다는 것을 요구할 수 있다. 컨버터들(206)은 좁은 열 임계치를 가질 수 있다. 컨버터들(206)에 대한 열 에너지(216b)의 영향들을 완화하기 위해 열 재료가 컨버터들(206)에 도포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스(200)는, 열 에너지가 소산될 수 있는 또는 방향 전환될 수 있는 국소화된 영역들을 가지면서, 동시에 열 에너지의 외부 소스들로부터 차폐되는 것을 필요로 할 수 있다.

[0046] 도 1a 내지 도 2는 상이한 재료들이 전자 디바이스 상의 상이한 로케이션들에 선택적으로 도포되는 것을 필요로 할 수 있다는 것을 예시한다. 일부 실시예들에서, 로케이션들은 하나 이상의 EM 차폐 재료들 또는 열 재료들을 필요로 할 수 있다. 제조 이후 이들 로케이션들을 식별하는 것은 비용이 많이 들고 비효율적일 수 있으며, 로케이션들이 적절하게 식별되고 차폐되기 이전에, 다수의 프로토타입들이 구축되어 테스트되는 것을 필요로 할 수 있다. 따라서, 제조 이전에 전자 디바이스에 EM 차폐 재료 또는 열 재료를 선택적으로 도포할 로케이션들을 식별하는 것은, 비용을 낮추면서, 설계 프로세스에서 더 큰 효율성으로 이어질 수 있다.

[0047] 일부 실시예들에서, 전자 디바이스가 모델링될 수 있다. 모델은 컴퓨팅 디바이스 상에서 실행되는 소프트웨어에 의해 생성 및/또는 시뮬레이팅될 수 있다. 모델은 집적 회로들, 기판 상의 칩릿(chiplet)들, 플립 칩 패키지들, 또는 임의의 다른 타입의 전자 디바이스의 표현들을 포함할 수 있다. 모델은 모델의 3D 표현을 포함할 수 있다.

[0048] 모델은 자신의 제조에서 사용되는 재료들 및 임의의 포함된 컴포넌트들에 관한 정보를 포함할 수 있다. 모델은 기판 재료, 예컨대 유리, 유기 재료들, 또는 다른 적절한 재료를 설명할 수 있다. 모델은, 프로세서들, 휘발성 메모리, 불휘발성 메모리, 클록들, I/O 인터페이스들, 또는 다른 적절한 컴포넌트들을 포함하는, 임의의 수의 컴포넌트들을 또한 설명할 수 있다. 모델은, 동작 전압들, 전류들, 주파수들, 공차들, 및 다른 전자 정보를 포함하여, 그 상에 포함되는 컴포넌트들의 모든 특성들에 관한 정보를 포함할 수 있다.

[0049] 모델의 좌표 맵이 생성될 수 있다. 좌표 맵은 이차원일 수 있거나 또는 좌표 맵은 삼차원일 수 있다. 일부 실시예들에서, 좌표 맵은 (x, y, z) 좌표들을 포함한다. 좌표 맵은 모델 상에서의 컴포넌트들의 로케이션을 또한 포함할 수 있다.

[0050] 모델은 전자 디바이스 및 그것의 컴포넌트들의 예상된 열 값들을 포함할 수 있다. 예상된 열 값들은 접합부 대 케이스 계수(Junction-to-Case coefficient; θjc), 열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion; CTE), 열 저항(R) 또는 다른 열적 속성들을 포함할 수 있다. 모델 상에서의 상이한 로케이션들은 상이한 열 값들을 포함할 수 있다. 이들 차이들은 모델의 컴포넌트의 및/또는 기판 또는 다른 컴포넌트에 대해 선택되는 재료의 함수일 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 값들은 컴퓨팅 디바이스에 의해 생성될 수 있거나 또는 유저가 열 값들을 입력할 수 있다.

[0051] 도 3은, 일부 실시예들에 따른, 파라미터들을 모델 상에서의 좌표들과 상관시키기 위해 사용될 수 있는 룩업 테이블(LUT)(300)을 예시한다. LUT(300)는 모델의 (x, y, z) 좌표들, 특정한 EM 방사 주파수들에서 공지된 방출기들에 대한 공지된 λ/4 포인트들, 열적 R 값(thermal R value)들, 접합부 대 케이스 계수들(θjc), 및 전자 디바이스의 EM 또는 열적 특성들을 설명하는 다른 정보를 포함하는 정보를 포함할 수 있다.

[0052] 하기에서 논의되는 바와 같이, LUT(300)는 모델의 EM 및 열 스캔들에 기초한 정보를 포함하도록 반복적으로 업데이트될 수 있다. 이 정보는 열 복사 값들, 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨(spurious level)들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 모델 상의 각각의 로케이션에 대한 다른 관련된 데이터를 포함할 수 있다. LUT(300)는 EM 공격들에 취약한 로케이션들, 의도하지 않은 안테나들의 로케이션들, 및 다른 정보를 또한 포함할 수 있다.

[0053] 전자 디바이스가 모델링된 이후, 컴퓨팅 디바이스는 모델의 시뮬레이팅된 동작을 수행할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시뮬레이팅된 동작은 모델링된 전자 디바이스의 다양한 컴포넌트들에 인가되는 예상된 동작 전압들 및 전류들을 사용하여 모델을 시뮬레이팅하는 것을 포함할 수 있다. 시뮬레이션은 라디오 유닛들 또는 안테나들과 같은 컴포넌트들에 대해 예상된 동작 주파수들을 또한 사용할 수 있다. 시뮬레이션은 외부 소스들로부터의 EMI 또는 열 에너지와 같은 외부 요인들을 포함할 수 있다. 이들 소스들은 더 큰 시스템 내의 다른 전자 디바이스들의 또는 다른 근처의 디바이스들로부터의 결과일 수 있다. 외부 요인들은 전형적인 동작 환경으로부터의 열 에너지 및 EM 방사선의 소스들을 또한 포함할 수 있다.

[0054] 모델의 시뮬레이팅된 동작 동안, 컴퓨팅 디바이스는 가상 스캐닝을 통해 전자 디바이스 상의 다양한 로케이션들에서 EM 방사선의 시뮬레이팅된 측정들을 행할 수 있다. 시뮬레이션 동안, 전자 디바이스는 컴퓨팅 디바이스에 의해 가상으로 스캐닝될 수 있다. 상기에서 논의되는 바와 같이, 전자 디바이스의 다양한 로케이션들로부터 방출되는 다수의 EM 방사 주파수들이 있을 수 있다. 따라서, 모델의 다양한 로케이션들은 다수의 주파수들에 대해 스캐닝될 수 있다. 일부 실시예들에서, EM 방사선의 높은 주파수들은 1 GHz보다 높을 수 있다. EM 방사선의 낮은 주파수들은 100-800 MHz 범위 내에 있을 수 있다. 가상 스캔들의 결과들에 기초하여, 컴퓨팅 디바이스는 EM 차폐 재료를 모델에 가상으로 도포할 수 있고, 그 다음, 동작을 시뮬레이팅하고 가상 스캔들을 다시 수행하여 EM 차폐 재료의 시뮬레이팅된 효과를 관찰할 수 있다.

[0055] 도 4는 컴퓨팅 디바이스에 의해 생성되는 모델에 의해 방출되는 EM 방사선의 맵의 한 예를 예시한다. EM 주파수 맵(400)은 특정한 주파수에서 EM 방사선의 시뮬레이팅된 측정치들을 도시한다. EM 주파수 맵(400)은 도 1에서 설명되는 전자 디바이스의 모델과 같은 모델링된 전자 디바이스의 다수의 방위들을 따라 취해지는 측정치들을 포함할 수 있다. Hx 크기(401)는 도 1에서 도시되는 x 축을 따라 전파되는 EM 방사선의 시뮬레이팅된 측정치를 나타낼 수 있다. 따라서, Hy 크기(403)는 도 1에서 도시되는 y 축을 따라 전파되는 EM 방사선의 시뮬레이팅된 측정치를 나타낼 수 있다. 일부 실시예들에서, EM 주파수 맵(400)은 두 개의 방위들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, EM 주파수 맵(400)은 제3 방위, 예컨대 Hz 크기(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.

[0056] EM 주파수 맵(400)은 명시된 주파수에서 더 높은 크기의 EM 방사선의 영역들에 의해 특징화될 수 있다. 제1 영역(402)은 명시된 주파수의 EM 방사선의 더 낮은 크기의 영역을 나타낼 수 있다. 제2 영역(404)은, 제1 영역(402)보다, 명시된 주파수의 더 높은 크기의 EM 방사선을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 영역(404)에서 명시된 주파수에서의 EM 방사선의 크기는 사전 결정된 임계치보다 낮을 수 있다. 다른 실시예들에서, 제2 영역(404)은 명시된 주파수에 대한 EM 차폐 재료를 필요로 하는 로케이션으로서 식별될 수 있다.

[0057] 제3 영역(406)은, 제2 영역(402)보다, 명시된 주파수의 더 높은 크기의 EM 방사선을 가질 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 제3 영역(406)을, 명시된 주파수에 대한 EM 차폐 재료를 필요로 하는 로케이션으로서 식별할 수 있다. 예를 들면, 제3 영역(406)은 의도하지 않은 안테나를 포함할 수 있다. 제3 영역(406)은 컴퓨팅 디바이스에 의해 특정한 컴포넌트로서 또한 식별될 수 있다.

[0058] 제4 영역(408)은 명시된 주파수의 훨씬 더 높은 크기의 EM 방사선을 가질 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 제4 영역(408)을, 모델의 특정한 컴포넌트로서 식별할 수 있다. 일부 실시예들에서, 특정한 컴포넌트는 EM 방사선의 의도적인 방출기, 예컨대 안테나일 수 있고, 따라서, 명시된 주파수에 대한 EM 차폐 재료를 요구할 필요가 없다. 다른 실시예들에서, 특정한 컴포넌트는 원치 않는 EM 방사선을 방출할 수 있고, 명시된 주파수에 대한 EM 차폐 재료가 사용될 수 있다.

[0059] 전자 디바이스 상의 EM 방사선을 시뮬레이팅한 이후, 컴퓨팅 디바이스는 공진 포인트들을 포함하는 전자 디바이스 상의 로케이션들을 결정할 수 있다. 예를 들면, 컴퓨팅 디바이스는 특정한 주파수에서 EM 방사선의 방출기의 로케이션을 결정할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는, 전자 디바이스 상의 다수의 공진 포인트들을, λ/4의 배수인 EM 방사선의 방출기로부터의 거리들로서 식별할 수 있는데, 여기서 λ는 주파수의 파장이다. 컴퓨팅 디바이스는 LUT(300)에서 및/또는 맵(400) 상에서 이들 영역들을 등록할 수 있다.

[0060] 전자 디바이스 상의 EM 방사선을 시뮬레이팅한 이후, 컴퓨팅 디바이스는 전자 디바이스에 포함되는 도체 내의 표피 효과(skin effect)에 의해 생성되는 와전류를 포함하는 로케이션을 계산할 수 있다. 도체는 컴포넌트, 트레이스, 및/또는 다른 전기적으로 전도성인 재료일 수 있다. 와전류는 도체의 임의의 의도적인 전류를 지배하고 EM 방사선을 방출할 만큼 충분히 강할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 전자 디바이스 상의 로케이션이 와전류에 기인하여 차폐를 필요로 한다는 것을 결정할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 λ/4의 배수인 와전류를 포함하는 로케이션으로부터의 거리들을 또한 식별할 수 있는데, 여기서 λ는 와전류에 기인하여 방출되고 있는 주파수의 파장이다. 컴퓨팅 디바이스는 LUT(300) 및/또는 맵(400)에서 이들 영역들을 등록할 수 있다.

[0061] 컴퓨팅 디바이스는 시뮬레이팅된 동작 동안 다른 EM 측정치들을 또한 결정할 수 있다. 다른 EM 측정치들은 다양한 주파수들에서의 EM 방사선의 크기들, 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 모델 상의 각각의 로케이션에 대한 다른 관련된 데이터를 포함할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 LUT(300)에서 그리고 EM 주파수 맵(400) 상에서 이들 영역들을 등록할 수 있다.

[0062] 컴퓨팅 디바이스는 사이드 채널 공격들과 같은 EM 공격들에 취약할 수 있는 모델 상의 로케이션을 또한 식별할 수 있다. 전자 디바이스 상의 이 로케이션은 명시된 주파수에서 EM 방사선을 브로드캐스팅하는 의도하지 않은 안테나를 포함할 수 있다. 로케이션은 명시된 주파수의 EM 방사선에 의한 EM 공격들에 취약한 전자 디바이스의 특정한 컴포넌트를 또한 포함할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 LUT(300)에서 및/또는 EM 주파수 맵(400) 상에서 로케이션을 등록할 수 있다. 예를 들면, 암호 프로세서(208) 및 메인 프로세서(202)의 좌표들은, 이들 두 컴포넌트들 사이의 트레이스들(212)과 함께, 암호 자료의 의도하지 않은 브로드캐스팅을 방지하기 위해 EM 차폐를 필요로 하는 것으로 좌표들에 의해 식별될 수 있다.

[0063] EM 주파수 맵(400)의 다수의 반복들은 EM 방사선의 상이한 주파수들의 시뮬레이팅된 측정들을 위해 컴퓨팅 디바이스에 의해 생성될 수 있다. 일부 실시예들에서, EM 주파수 맵(400)의 반복들은 EM 방사 주파수들의 대역에 걸쳐 방사하는 특정한 로케이션들과 중첩될 수 있다. 다른 실시예들에서, EM 주파수 맵(400)의 반복들은 측정되는 주파수에 따라 EM 방사선의 다양한 크기들을 나타낼 수 있다. 각각의 반복에서, 측정들이 다시 취해질 수 있다. 이 정보는 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수(n)에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 다른 EM 데이터를 포함할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 LUT(300)에서 및/또는 EM 주파수 맵(400) 상에서 측정치들을 등록할 수 있다.

[0064] 컴퓨팅 디바이스는 EM 주파수 맵(400)의 반복들을 하나의 EM 맵으로 결합할 수 있고 LUT(300)의 모든 측정치들을 업데이트할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 EM 차폐 재료를 결정할 수 있고 LUT(300)에 기초하여 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에 대한 차폐 깊이를 결정할 수 있다.

[0065] 특정한 EM 차폐 재료들, 예컨대 Cu는 고주파 EM 차폐에 적합할 수 있다. 다른 EM 차폐 재료들, 예컨대 NiFe가 저주파 EM 차폐에 적합할 수 있다. 합금은 고주파 차폐 및 저주파 차폐를 동시에 제공하는 데 적합할 수 있다. 적절한 EM 차폐 재료들은 Cu, NiFe, TiV, CoFe69, Ag, 및 Au를 포함할 수 있다. 하나 이상의 EM 차폐 재료들이 선택될 수 있다. 이 목록의 재료들은 망라하는 것은 아니며 단지 예로서 제공된다. 본 개시내용의 이점을 갖는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 적합한 EM 차폐 재료들일 수 있는 많은 적절한 재료들을 인식할 것이다.

[0066] 적절한 EM 차폐 재료들은 컴퓨팅 디바이스에 의해 액세스 가능한 데이터베이스에서 나열될 수 있다. 데이터베이스는 EM 방사선의 주어진 주파수에서의 차폐 효과(shielding effectiveness), 열적 속성들, 비용, 및 다른 정보와 같은 각각의 EM 차폐 재료에 관한 정보를 포함할 수 있다.

[0067] 컴퓨팅 디바이스는, 복수의 잠재적인 EM 차폐 재료들의 속성들을 계산하고 균형을 맞추는 것에 의해 데이터베이스 내의 하나 이상의 EM 차폐 재료들이 주어진 로케이션에 대해 적절한 것을 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 잠재적인 EM 재료 및 제2 잠재적인 EM 재료는 특정한 주파수의 EM 방사선을 효과적으로 차폐하도록 결정될 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 제1 및 제2 잠재적인 EM 차폐 재료들과 연관되는 다른 요인들을 평가할 수 있다. 이들 요인들은 유전율, 투자율, 유전 상수, 기판의 손실 탄젠트, 열팽창 계수(CTE) 값들, 열적 R 값들, 또는 다른 관련된 요인들을 포함할 수 있다.

[0068] 컴퓨팅 디바이스는 모델 상의 로케이션이 EM 주파수 맵(400)에 기초하여 EM 방사선의 하나 이상의 주파수들에 대한 차폐를 필요로 한다는 것을 결정할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 주어진 파라미터들 내에서 비용 및 다른 고려 사항들을 유지하면서, 제1 EM 차폐 재료와 제2 EM 차폐 재료가 사전 결정된 임계치 이내까지 EM 성능을 달성하는 데 최적일 수 있다는 것을 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스는, 제1 잠재적인 EM 차폐 재료의 제1 층 및 제2 잠재적인 EM 차폐 재료의 제2 층이 적절할 수 있다는 것을 결정할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 잠재적인 EM 차폐 층들 사이의 CTE 미스매치, 상대적인 자기 투자율(μr), 표피 깊이(δ), 및 상대적 표피 효과(relative skin effect)와 같은 기준들을 활용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 전위 EM 차폐 층들 사이에서 유전체 층이 사용될 수 있다.

[0069] 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스는 데이터베이스에 나열되는 합금이 적절한 EM 차폐 재료이다는 것을 결정할 수 있다. 합금들은 넓은 대역의 EM 주파수들에 대해 EM 차폐를 허용하는 속성들을 가질 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 합금이 EM 주파수들의 대역에 걸쳐 적합한 EM 차폐를 제공하고 다수의 EM 차폐 재료들을 적층하는 것에 비해 다른 이점들을 제공한다는 것을 결정할 수 있다.

[0070] 컴퓨팅 디바이스는 모델 상의 모든 로케이션에서 각각의 EM 차폐 재료에 대한 차폐 깊이를 결정할 수 있다. 차폐 깊이는 각각의 방위에서 결정될 수 있다. 다시 말하면, 차폐 깊이는 모델 상의 한 로케이션에서 도포되는 재료의 삼차원 볼륨일 수 있다.

[0071] 차폐 깊이는 잠재적인 EM 차폐 재료의 차폐 효과(shielding effectiveness; SE), EM 차폐 재료의 열적 속성들, 및 다른 관련된 기준들에 기초할 수 있다. 잠재적인 EM 차폐 재료의 SE는 EM 방사선의 특정한 주파수를 사전 결정된 임계치 아래로 감쇠시키도록 계산될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 연관된 차폐 깊이에 도포되는 적어도 하나의 EM 차폐 재료가 원치 않는 EM 방사선을 사전 결정된 임계치 이내까지 감쇠시킬 것이라는 것을 결정할 수 있다. EM 차폐 재료의 SE는 EM 차폐 재료의 열적 속성들과 비교될 수 있다. 전자 디바이스 상의 특정한 로케이션에서 열 성능의 임계치를 달성하면서 특정한 주파수의 원하는 감쇠를 달성하는 차폐 깊이가 결정될 수 있다.

[0072] 컴퓨팅 디바이스는 다수의 주파수들에 대해 상기에서 설명되는 것들과 같은 모델 상의 로케이션들을 결정할 수 있다. 모델 상의 각각의 로케이션에 대해 EM 차폐 재료가 결정될 수 있고, 모델은 모든 로케이션에서 모든 주파수에 대해 업데이트될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 업데이트된 모델을 사용하여 시뮬레이팅된 동작을 실행할 수 있다. 프로세스는, EM 방사선의 모든 스캐닝된 주파수들의 모든 시뮬레이팅된 측정치들이 사전 결정된 임계치 미만일 때까지, 반복될 수 있다. 일단 모든 스캐닝된 주파수들이 특정한 임계치 미만이면, 컴퓨팅 디바이스는, EM 차폐 재료들 및 연관된 차폐 깊이들에 관한 정보를 포함하는 맵(300)의 반복들을 최종 EM 맵으로 결합할 수 있고 그리고/또는 상응하여 LUT(300)를 업데이트할 수 있다.

[0073] 컴퓨팅 디바이스는 모델링된 전자 디바이스의 열 맵을 또한 생성할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 전자 디바이스의 시뮬레이팅된 동작 동안 열 맵을 생성할 수 있고, 따라서, 모델의 다양한 로케이션들에서의 예상된 열적 거동을 나타낼 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 모델의 모든 로케이션에서 온도의 시뮬레이팅된 측정들을 행할 수 있다.

[0074] 도 5는 전자 디바이스에 의해 방출되는 열 에너지의 하향식 히트 맵을 예시한다. 열 맵(500)은 도 1에서 설명되는 것과 같은 전자 디바이스의 열 맵일 수 있다. 열 맵(500)이 모델의 하나의 방위만을 도시하지만, 다른 방위들로부터, 예컨대 도 1 상에서 도시되는 x 축 및 y 축으로부터 다른 열 맵들이 생성될 수 있다.

[0075] 모델의 시뮬레이팅된 동작 동안, 컴퓨팅 디바이스는 모델 상에서의 열 에너지의 시뮬레이팅된 측정치들을 취할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 모델의 다수의 영역들을 온도별로 특징화되는 모델의 열 맵(500)을 생성할 수 있다. 열 맵(500)의 영역들은 컬러 또는 다른 시각적 보조 기구(aid)에 의해 표기될 수 있다. 열 맵(500)의 영역들은 온도 또는 온도들의 범위를 사용하여 또한 라벨링될 수 있다. 영역들은 차트 또는 테이블에서 또한 표현될 수 있다.

[0076] 제1 영역(502)은 낮은 열적 활동을 표시하는 더 낮은 온도에 의해 특징화될 수 있다. 따라서, 제1 영역(502)은 특정한 온도 임계치 미만일 수 있다. 제1 영역(502)과 관련하여, 제2 영역(504)은 더 높은 온도의 영역일 수 있다. 유사하게, 제3 영역(506)은 훨씬 더 높은 온도의 로케이션일 수 있다. 제4 및 제5 영역들(508 및 510)은, 온도 임계치보다 높을 수 있고 열 재료의 도포를 필요로 할 수 있는 훨씬 더 높은 온도의 로케이션들일 수 있다.

[0077] 컴퓨팅 디바이스는 열 맵(500)을 모델의 좌표 맵에 상관시킬 수 있고 그리고/또는 상응하게 LUT(300)를 업데이트할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 열 재료를 결정할 수 있고, 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에 대한 재료 깊이를 결정할 수 있다. 재료 깊이는 각각의 방위에서 결정될 수 있다. 다시 말하면, 재료 깊이는 모델 상의 한 로케이션에 도포되는 재료의 삼차원 볼륨일 수 있다.

[0078] 컴퓨팅 디바이스는 후면 금속화(Backside Metallization; BSM)를 필요로 하는 전자 디바이스의 후면 상의 로케이션을 또한 결정할 수 있다. 그 로케이션은 열 성능을 개선하기 위해 및/또는 전기적 연결성을 개선하기 위해 BSM을 필요로 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스는 전체 전자 디바이스가 BSM을 필요로 한다는 것을 결정할 수 있다. 다른 실시예들에서, BSM은 선택적으로 도포될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 BSM에 대한 재료 깊이를 결정할 수 있다.

[0079] 재료 깊이는 열 성능의 사전 결정된 임계치에 기초하여 결정될 수 있다. 열 성능에 대한 임계치들은 열 전도, 흡수, 또는 복사를 포함할 수 있다. 여러 가지 적절한 열 재료들은 그래핀, 흑연, Ag, Cu, Au, CuZn, Ti, NiV, 및 Al을 포함할 수 있다. 또한, 하나 이상의 열 재료들의 합금들이 적절한 열 재료들일 수 있다. 이 목록은 망라하는 것은 아니며 제한하도록 의도되는 것도 아니다. 열 성능의 하나 이상의 사전 결정된 임계치들을 달성하기 위해 컴퓨팅 디바이스에 의해 액세스 가능한 열 재료들의 데이터베이스에 여러 가지 적절한 재료들이 포함될 수 있다.

[0080] 열 재료들의 데이터베이스는 열 재료의 EM 속성들을 포함할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 열 재료들의 데이터베이스에 포함되는 속성들 중 하나 이상에 기초하여 열 재료를 선택할 수 있다. 더구나, 모델링된 전자 디바이스의 다양한 로케이션들은 열 성능의 다양한 임계치들을 포함할 수 있고 따라서 다양한 재료 깊이들까지의 다양한 열 재료들의 도포를 필요로 할 수 있다.

[0081] 예를 들면, 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스는, 제1 영역(502)과 제2 영역(504) 사이의 차이와 유사하게, 영역들 사이의 열 온도의 시뮬레이팅된 측정치들에서 큰 차이를 결정할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는, 제2 영역(504)(예컨대 영역들(506-510)) 내에서 더 높은 온도들이 발견되기 때문에, 제1 영역(502)과 제2 영역(504) 사이의 경계는 도 1의 메인 프로세서(104) 또는 도 2의 메인 프로세서(202)와 같은 컴포넌트를 포함할 수 있다는 것을 결정할 수 있다.

[0082] 컴퓨팅 디바이스는 제5 영역(510)으로부터 멀어지게 열을 전도하기 위한 열 재료가 필요로 된다는 것을 결정할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 낮은 열적 활동, 모델 상의 로케이션, 및 다른 파라미터들에 기인하여, 히트 싱크가 제1 영역(502)에서 형성될 수 있다는 것을 추가로 결정할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 영역들(502-510)에 도포할 하나 이상의 열 재료들을 결정할 수 있고, 그 결과, 열은 제5 영역(510)으로부터 멀어지게 전도되고 제1 영역(502)의 히트 싱크 또는 다른 구조물을 통해 복사된다. 컴퓨팅 디바이스는 모델 및/또는 LUT(300)를 열 재료를 사용하여 업데이트할 수 있고 시뮬레이팅된 동작을 다시 실행할 수 있다. 이 프로세스는 모델 상의 모든 로케이션들이 열 성능에 대한 사전 결정된 임계치 미만이 될 때까지 발생할 수 있다.

[0083] 구조물(512)은 모델의 이전 시뮬레이팅된 동작에서 컴퓨팅 디바이스에 의해 인식되는 컴포넌트일 수 있다. 이전 동작 동안, 컴퓨팅 디바이스는 구조물(512)이 모델의 특정한 컴포넌트이다는 것을 결정하였을 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 영역들(504-510)로부터 복사되는 열 에너지가 열 성능에 대한 사전 결정된 임계치를 초과하여, 구조물(512)의 동작 가능성에 영향을 끼친다는 것을 또한 결정할 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 열 차폐물로서 역할을 하는 열 재료를 결정하고 구조물(512)이 열 성능에 대한 임계치를 달성하도록 하였던 재료 깊이에서 구조물(512)을 포함하는 전자 디바이스 상의 로케이션에 열 재료를 선택적으로 도포하였을 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 모델 및/또는 LUT(300)를 업데이트하였을 수 있다. 그 다음, 컴퓨팅 디바이스는 시뮬레이팅된 동작을 다시 실행할 수 있다.

[0084] 컴퓨팅 디바이스는 시뮬레이팅된 동작들을 실행할 수 있고, 모델 상의 모든 로케이션이 열 성능의 사전 결정된 임계치를 달성하도록 하는 열 재료 및 재료 깊이와 모델 상의 모든 로케이션이 상관될 때까지, 모델 및/또는 LUT(300)를 반복적으로 업데이트할 수 있다. 이 프로세스는 컴퓨팅 디바이스에 의해 반복되어, 열 맵(500)의 반복을 생성하고 그리고/또는 모델의 모든 로케이션들이 열 성능의 임계치를 달성할 때까지 각각의 프로세스의 끝에서 LUT(300)를 업데이트할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 열 재료들 및 연관된 재료 깊이들에 관한 정보를 포함하는 열 맵(500)의 반복들을 최종 열 맵으로 결합할 수 있고 그리고/또는 LUT(300)를 업데이트할 수 있다.

[0085] 모델은 최종 열 맵과 최종 EM 맵, 및 EM 차폐 재료들의 로케이션들, 연관된 차폐 깊이들, 열 재료들, 및 재료 깊이들을 포함하는 LUT(300)를 사용하여 업데이트될 수 있다. 그 다음, 전자 디바이스의 프로토타입이 제조될 수 있다. 프로토타입은 모델에 통합되는 모든 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 그 다음, 프로토타입은 최종 EM 맵에 따라 차폐 장치에 의해 차폐 깊이까지 도포되는 EM 차폐 재료들을 가질 수 있다. 유사하게, 프로토타입은 최종 열 맵에 따라 차폐 장치에 의해 재료 깊이까지 도포되는 열 재료들을 가질 수 있다. 차폐 장치는 전기 도금에 의해 재료들을 증착하도록 동작 가능한 장치를 포함할 수 있다. 차폐 장치는, 하기에서 설명되는 바와 같이, 스퍼터링을 통해 재료들을 증착하도록 동작 가능한 장치를 또한 포함할 수 있다.

[0086] 프로토타입이 제조되고, EM 차폐 재료들이 차폐 깊이까지 도포되고, 그리고 열 재료들이 재료 깊이까지 도포된 이후, 추가적인 테스트가 발생할 수 있다. 추가적인 테스트 동안, 프로토타입은 정상적인 동작들에 따라 실행된다. 정상 동작들은 프로토타입의 다양한 컴포넌트들에 적용되는 예상된 동작 전압들 및 전류들을 포함할 수 있다. 이것은 라디오 유닛들 또는 안테나들과 같은 컴포넌트들에 의한 동작 주파수들에서의 EM 방사선의 의도적인 방출을 또한 포함할 수 있다. 추가적인 테스트는 프로토타입을 시뮬레이팅된 조건들, 예컨대 외부 열원들 또는 EMI에 적용하는 것을 또한 포함할 수 있다.

[0087] 추가적인 테스트 동안, 최종 EM 맵은 검증될 수 있다. 프로토타입의 좌표 맵이 생성될 수 있고 모델의 좌표 맵을 사용하여 검증될 수 있다. EM 스캔은 프로토타입에 대해 수행될 수 있고 프로토타입으로부터 방출되고 있는 임의의 EM 방사선의 측정치들뿐만 아니라, LUT(300)에 등록되어 있는 바와 같은 다른 측정치들이 취해질 수 있다. EM 스캔은 컴퓨팅 디바이스에 의해 행해질 수 있다. 스캔은 프로토타입의 각각의 로케이션을 검사할 수 있고 그 로케이션에서 프로토타입에 의해 방출되는 EM 방사선의 크기를 측정할 수 있다. 다수의 스캔들이 EM 방사선의 다수의 주파수들에 걸쳐 수행될 수 있고, 다양한 주파수들에서의 EM 방사선의 크기들, 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 프로토타입의 EM 특성들에 관한 다른 정보와 같은 다른 EM 파라미터들을 포함할 수 있다.

[0088] 그 다음, EM 스캔들은 결합될 수 있고 프로토타입 상의 모든 로케이션들에서의 EM 방사선의 다수의 주파수들의 크기들 및 다른 EM 파라미터들을 보여주는 프로토타입의 EM 맵의 좌표 맵에 비교될 수 있다. 프로토타입의 EM 맵은 최종 EM 맵에 비교될 수 있다. 프로토타입의 EM 맵과 시뮬레이션의 최종 EM 맵 사이에서 불일치들이 발견되면, EM 스캔은 반복될 수 있다. 모델의 시뮬레이팅된 동작은 또한 반복될 수 있고 EM 주파수 맵(400) 및/또는 LUT(300)는 EM 스캔의 결과들을 사용하여 업데이트될 수 있다. 일단 프로토타입의 EM 맵이 최종 EM 맵을 사용하여 검증되면, 최종 EM 맵은 차폐 맵(shield map)으로 내보내기될(exported) 수 있다.

[0089] 또한 추가적인 테스트 동안, 프로토타입에 대해 열 스캔들이 수행될 수 있다. 프로토타입의 모든 로케이션들에서 방출되는 열 에너지를 측정하는 온도 측정치들이 취해질 수 있다. 열 스캔은 열화상 장치를 갖춘 컴퓨팅 디바이스에 의해 수행될 수 있다. 그 다음, 열 스캔의 결과는 프로토타입의 좌표 맵과 상관되어, 프로토타입의 열 맵을 생성한다. 그 다음, 열 맵은 최종 열 맵에 비교될 수 있다. 프로토타입의 열 맵과 최종 열 맵 사이에서 불일치들이 발견되면, 열 스캔이 반복될 수 있다. 모델의 시뮬레이팅된 동작은 또한 반복될 수 있고, 열 맵(500) 및/또는 LUT(300)는 열 스캔의 결과들을 사용하여 업데이트될 수 있다. 일단 프로토타입의 열 맵이 최종 열 맵을 사용하여 검증되면, 최종 열 맵은 차폐 맵으로 내보내기될 수 있다.

[0090] 최종 열 맵 및 최종 EM 맵은 차폐 맵으로 결합될 수 있다. 일부 실시예들에서, LUT(300)는 최종 열 맵 및 최종 EM 맵과 결합되어 차폐 맵을 생성할 수 있다. 차폐 맵은 모델의 좌표 맵 또는 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선에 관한 정보, 예컨대 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 다른 관련된 EM 데이터를 포함할 수 있다. 차폐 맵은 열 데이터, 예컨대 열팽창 계수(CTE), 열 저항(R), 접합부 대 케이스 열 저항(θjc), 및 다른 관련된 열 데이터를 또한 포함할 수 있다.

[0091] 차폐 맵은, 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에 대한 EM 차폐 재료들 및 연관된 차폐 깊이들을 포함하는 데이터를 또한 포함할 수 있다. 각각의 EM 차폐 재료에 대한 차폐 깊이들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션들에 대해 동일할 수 있거나 또는 대응하는 EM 방사선의 주파수, 대응하는 EM 방사선의 강도, EM 방사선에 포함되는 정보의 타입, 및/또는 EM 방사선 또는 EM 방사선을 생성하는 컴포넌트의 다른 특성들과 같은 요인들에 기초하여 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 다를 수 있다.

[0092] 마찬가지로, 차폐 맵은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에 대한 열 재료들 및 연관된 재료 깊이들에 관한 데이터를 포함할 수 있다. 각각의 열 재료에 대한 재료 깊이들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션들에 대해 동일할 수 있거나 또는 각각의 로케이션에서 생성되는 열 에너지의 양, 주변 컴포넌트들의 감도, 히트싱크들 및 다른 열 도체들에 대한 근접성, 및/또는 열 에너지 또는 열 에너지를 생성하는 컴포넌트의 다른 특성들과 같은 요인들에 기초하여 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 다를 수 있다.

[0093] 상기에서 설명되는 바와 같이, 최종 차폐 맵은, 열에너지의 소산을 제공하기 위해 도포되는 재료들과 함께, EM 차폐를 제공하기 위해 도포되는 재료들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이들 재료들은 전자 디바이스의 전자 컴포넌트들 위에 교대하는 층들로서 별개로 도포될 수 있다. 다른 실시예들에서, EM 차폐 및 열 소산 속성들 둘 모두를 제공하는 재료들이 선택될 수 있다. 따라서, 단일의 재료 또는 재료들의 교대하는 층들이 전자 디바이스 상에 증착되어 설계에 대해 명시되는 바와 같이 EM 차폐 및 열 소산 둘 모두를 제공할 수 있다.

[0094] 도 6은, 일부 실시예들에 따른, 결합된 차폐 맵에 기초하여 재료를 선택하기 위해 사용될 수 있는 데이터 테이블(600)을 예시한다. 이 예에서, 복수의 상이한 차폐 재료 구성들에 대해 차폐 효과 또는 격리(isolation)가 저장될 수 있다. 추가적으로, 각각의 재료에 대한 차폐 효과(예를 들면, dB 단위로 측정됨)는 EM 맵에서 존재할 수 있는 상이한 주파수들에서 저장될 수 있다. 예를 들면, 차폐 맵은 EM 방출의 강도 및/또는 EM 방출과 연관되는 주파수를 포함할 수 있다. 다양한 차폐 두께들 및/또는 재료들은 상이한 동작 주파수들에서 다양한 효과를 가질 수 있다.

[0095] 이 예에서, 다섯 가지 상이한 재료들이 데이터 테이블(600)에서 옵션들로서 제시된다. 그러나, 데이터 테이블(600)은 데이터 테이블(600)에서 구체적으로 나열되지 않는 많은 상이한 재료들, 층들, 및/또는 재료 구성들을 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 데이터 테이블(600)에서 설명되는 재료들은, 재료들이 어떻게 선택될 수 있는지에 관한 예로서 제공되는 것에 불과하며, 그들은 제한하도록 의도되는 것은 아니다.

[0096] 열(column; 602)은 명시된 두께, 예컨대 5 ㎛의 Cu 층을 갖는 전기 도체의 차폐 효과를 포함한다. 이 열은, 차폐 맵이 주로 EM 차폐를 필요로 하는 영역을 명시하는 경우에, 사용될 수 있다. 명시된 EM 차폐를 제공하기 위해 차폐 층으로 사용될 수 있는 도체의 타입 및/또는 두께를 식별하기 위해, 명시된 동작 주파수가 데이터 테이블(600)에 대한 입력으로서 사용될 수 있다. 예를 들면, 동작 주파수가 대략 2 GHz이고 적어도 75 dB의 격리가 설계에 의해 명시되는 경우, 열(602)은 5 ㎛의 Cu의 층이 적절한 레벨의 차폐 효과(예를 들면, 83 dB)를 제공할 것이라는 것을 표시한다. 더 잘 수행될 수 있는 다른 재료들 및/또는 두께들을 식별하기 위해, 데이터 테이블(600)의 다른 열들이 열(602)과 또한 비교될 수 있다. 예를 들면, 다양한 두께들을 갖는 상이한 전도성 재료들을 나타내는 다수의 열들이 비교되어, 설계를 위한 차폐 두께 범위 내에서, 주어진 주파수에 대해 이용 가능한 최대 차폐 효과를 식별할 수 있다.

[0097] 열(604)은 EM 차폐를 제공하기 위한 상이한 구성을 예시한다. 구체적으로, 전기 도체 및 자기 도체의 교대하는 5 ㎛ 층들이 사용되어 EM 차폐를 제공할 수 있다. 예를 들면, Cu 및 코발트 합금(예를 들면, CoNiFe)의 교대하는 층들이 저장될 수 있고 상기에서 설명되는 바와 같이 데이터 테이블(600)의 다른 대안 예들에 비교될 수 있다. 이들 재료들은 단지 예로서 제공되며 제한하도록 의도되는 것은 아니라는 것을 유의한다. 데이터 테이블(600)의 다른 엔트리들은 유사한 속성들을 갖는 상이한 재료들을 사용하는 다른 전기 도체 및 자기 도체 조합들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 높은 강자성 공명(ferromagnetic resonance; FMR)을 갖는 다른 자기 도체들이 사용될 수 있다. 교대하는 전기적/자기 도체들은, 특히 더 낮은 주파수들에서, 높은 레벨의 EM 차폐를 제공할 수 있다. 주파수가 증가함에 따라, 선호도는 전기적/자기 도체 층들로부터 열(602)의 단일의 도체 층으로 이동될 수 있다. 교대하는 전기 도체들 및 자기 도체들의 다중 층 스택이 재료 층들의 이종 임피던스들 사이의 다중 반사들에 기인하여 차폐 효과에서 추가적인 개선들을 제공할 수 있다.

[0098] 열들(606, 608, 610)은, 열 방출을 제공하기 위해 주로 사용되는 재료들을 예시한다. 데이터 테이블(600)은 열 에너지를 소산시키기 위해 사용될 때의 그들의 EM 차폐 효과를 저장할 수 있다. 차폐 맵에서 높은 레벨의 열 에너지 및 더 낮은 레벨들의 EM 방출들을 표시하는 영역들의 경우, 그래핀[1/2/3]과 같은 재료가 차폐 재료들로서 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 재료들 및 EM 차폐 재료들의 상이한 조합들은 조정 가능한 레벨들의 EM 차폐 및 열 소산을 제공하기 위해 교대하는 층들로서 사용될 수 있다. 예를 들면, 열(612)은 열 재료들(예를 들면, 그래핀) 및 자기 도체들(예를 들면, CoNiFe)의 교대하는 5 ㎛ 층들의 차폐 효과를 예시한다. 더 높은 주파수들은 열 재료들 및 전기 도체들의 교대하는 층들로부터 이익을 얻을 수 있다. 상기에서 설명되는 프로세스는, 차폐 맵으로부터의 열적 및 EM 요건들과 매치하는 재료 또는 재료들의 조합을 데이터 테이블(600)에서 식별하기 위해 사용될 수 있다.

[0099] 도 7은, 일부 실시예들에 따른, 차폐의 특정한 기하학적 형상에 대한 재료를 선택하기 위해 사용될 수 있는 데이터 테이블(700)을 예시한다. 사용되는 차폐 재료의 타입 외에도, 차폐 재료의 기하학적 구성 또는 형상이 또한 차폐 효과 및 열 소산의 레벨에 직접적으로 영향을 끼칠 수 있다. 예를 들면, 도 6의 데이터 테이블(600)은 제1 차폐 구성(예를 들면, 전자 컴포넌트의 최상부 및/또는 측면들을 피복하는 차폐 형상)에 대한 데이터를 포함할 수 있다. 도 7의 데이터 테이블(700)은 제2 차폐 구성(예를 들면, 전자 디바이스 상의 전자 컴포넌트를 완전히 둘러싸는 차폐 형상)에 대한 데이터를 포함할 수 있다. 따라서, 데이터 테이블들(600, 700)로부터 재료 조합 및 두께를 선택하는 것 외에도, 일부 실시예들은 전자 디바이스의 상이한 영역들에 대한 차폐 재료들에 대한 기하학적 형상 또는 구성을 또한 결정할 수 있다. [0100] 차폐 맵은 차폐 장치에 제공될 수 있다. 차폐 장치는 USB, 와이파이(WiFi), 이더넷(Ethernet), EtherCAT, 또는 다른 적절한 통신 방법들을 통해 차폐 맵을 수신하도록 동작 가능할 수 있다. 전자 디바이스 상으로의 재료들의 도포를 제어하도록 동작 가능한, 하나 이상의 프로세서들을 갖는 컴퓨팅 디바이스가 차폐 장치에 포함될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 하나 이상의 메모리 디바이스들을 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은, 컴퓨팅 디바이스에 의해 판독될 때, 전자 디바이스 상으로 재료를 증착하도록 차폐 장치를 제어하는 커맨드들을 포함할 수 있다. 차폐 장치는 집적 회로(integrated circuit; IC) 패키지들, 칩릿 어셈블리들, 플립 칩들, 또는 다른 전자기기들을 포함할 수 있는 다이들, 웨이퍼들, 또는 다른 기판들에 재료들을 도포하도록 동작 가능할 수 있다.

[0101] 차폐 장치는 전자 디바이스에 재료들을 도포하기 위해 전기 도금을 사용할 수 있다. 다른 실시예들에서, 차폐 장치는 전자 디바이스에 재료들을 도포하기 위해 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 스퍼터링을 사용할 수 있다. 스퍼터링은 이온 빔 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 이온 지원 증착, 고 타깃 활용(high-target-utilization) 스퍼터링, 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링, 및 가스 흐름 스퍼터링을 포함할 수 있다.

[0102] 차폐 장치는 먼저 전자 디바이스 상에 몰딩 층을 증착할 수 있다. 몰딩 층은 집적 회로(IC) 또는 다른 패키지를 캡슐화하기 위해 증착될 수 있다. 사용되는 재료들은 플라스틱들, 금속들, 또는 세라믹들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 몰딩 층은 열 성능을 향상시키도록 설계되는 구조물들, 예컨대 핀 히트 싱크(fin heat sink)를 포함할 수 있다. 몰딩 층은 전자 디바이스에 균일하게 도포될 수 있다.

[0103] 그 다음, 차폐 장치는 전자 디바이스에 균일하게 도포되는 접착제 층을 증착할 수 있다. 접착제 층은 후속하는 층에 증착되는 재료의 양을 증가시킬 수 있다. 접착제 층은 후속하는 층에서의 파단(fracture)들의 발생을 또한 감소시킬 수 있고, 그에 의해, 제조 결함들의 수를 감소시킬 수 있다. 접착제 층은 Ti, 스테인리스 스틸, 또는 다른 적절한 재료들을 포함할 수 있다.

[0104] 도 8은 특정한 실시예들에 따른 스퍼터링을 통해 재료들이 선택적으로 도포된 전자 디바이스를 예시한다. 전자 디바이스(800)는 도 2의 전자 디바이스(200)와 유사할 수 있다. 차폐 장치는 차폐 맵에 따라 전자 디바이스(200) 상에 열 재료들 및/또는 EM 차폐 재료들을 상응하게 증착시킬 수 있고, 그 결과 전자 디바이스(800)를 초래할 수 있다. 도 8에서 예시되는 스퍼터링된 층들은 단지 대표적인 것이다. 다른 실시예들에서는, 층들 모두 또는 일부가 있을 수 있거나 또는 전혀 없을 수 있다.

[0105] 재료의 단일의 층이 전자 디바이스의 한 로케이션 또는 전체 전자 디바이스에 걸쳐 증착되는 블랭킷 스퍼터링은 문제 영역들에서 재료 깊이의 선택적 구축에 의해 보강될 수 있다. "보강을 통한 블랭킷 스퍼터링(blanket sputtering with bolstering)" 기술은 하나의 재료를 사용하는 단순화된 스퍼터링 프로세스를 통해 제조 비용들을 절감할 수 있다. 보강을 통한 블랭킷 스퍼터링은, EM 차폐 및 열 층들과 전자 디바이스 및 연관된 컴포넌트들 사이의 미스매치된 CTE에 기인하는 제조 및 동작 이슈들을 또한 감소시킬 수 있다.

[0106] 열 재료 층(801a-801c)은 전자 디바이스(800)의 일부 위에서의 보강을 통한 블랭킷 스퍼터링의 한 예를 예시한다. 도 2를 다시 참조하면, 메모리(204)는 열 에너지(216b)를 복사하고 있는 것으로 도시되었다. 전자 디바이스(200)와 연관되는 차폐 맵은 열 에너지(216b)의 영향들을 완화하기 위해 열 재료를 도포할 것을 차폐 장치에 지시할 수 있다. 도 8로 돌아가면, 열 재료 층(801a)은 메모리(804)와 하나 이상의 컨버터들(806)에 걸쳐 균일한 깊이로 증착되는 제1 열 재료를 도시한다. 제1 열 재료는 열 에너지(214)를 사전 결정된 임계치 아래로 완화하여 열 재료의 추가적인 층들에 대한 필요성을 제거할 수 있다.

[0107] 열 재료 층(801a)이 메모리(804) 및 하나 이상의 컨버터들(806)에 도포되는 것으로만 도시되지만, 다른 실시예들에서, 열 재료 층(801a)은 전자 디바이스(800)의 모든 로케이션에 도포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 특정한 로케이션들은 열 재료 층(801a)에서 증착된 것보다 더 큰 재료 깊이를 필요로 할 수 있다. 열 재료 층들(801b 및 801c)은 열 재료 층(801a)으로서 제1 열 재료를 포함할 수 있다. 차폐 맵에 따르면, 열 재료 층들(801b 및 801c)에서는 스퍼터링을 통해 더 많은 제1 열 재료가 증착된다. 열 재료 층들(801b 및 801c)에서 도시되는 더 큰 재료 깊이들은 후속하는 스퍼터링 프로세스들에서 증착될 수 있다. 차폐 맵은 하나 이상의 컨버터들(806) 상에서의 재료 깊이보다 더 큰 재료 깊이를 메모리(804) 상에서 포함하지 않을 수 있으며, 따라서 차폐 장치는 어떠한 더 이상의 제1 열 재료도 증착하지 않을 수 있다.

[0108] 열 재료 층들(801a 내지 801c)이 제1 열 재료를 포함하지만, 다른 실시예들은 EM 차폐 재료를 사용한 보강을 통한 블랭킷 스퍼터링을 활용할 수 있다. 도 2를 다시 참조하면, 메인 프로세서(202)는 노이즈(214b)를 방출하고 있고 트레이스(212)는 원치 않는 EM 방사선(214a)을 방출하고 있다. 도 8로 돌아가면, 차폐 맵에 응답하여, 차폐 장치는 EM 차폐 층(803a 및 803b)을 도포할 수 있다. 열 층(801a-801c)과 유사하게, 차폐 맵은 제1 EM 차폐 재료를 트레이스(212) 및 메인 프로세서(202)에 상이한 차폐 깊이들까지 도포하여, EM 차폐 층들(803a 및 803b)을 생성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 803a 및 803b의 차폐 깊이들은 원치 않는 EM 방사선(214a) 및 노이즈(214b)의 주파수에 의해 결정된다. EM 차폐 층(803b)에 필요한 차폐 깊이는, 하기에서 논의되는 바와 같이, 재료의 후속하는 층들에 기인하여 EM 차폐 층(803a)의 차폐 깊이 보다 더 작을 수 있다.

[0109] EM 차폐 층(803a)은 원치 않는 EM 방사선(214a)을 감쇠시켜, 더 약한 EM 방사선(814a)을 생성한다. 일부 실시예들에서, 더 약한 EM 방사선(814a)은 사전 결정된 임계치 미만일 수 있으며 허용 가능한 것으로 결정될 수 있다. 다른 실시예들에서, EM 차폐 층(803a)은 더 큰 차폐 깊이까지 보강될 수 있다. EM 차폐 층(803b)은, 노이즈(214b)가 검출 가능하지 않도록 감쇠시켰을 수 있다(따라서 도 8 상에서는 도시되지 않음).

[0110] EM 차폐 층(803b), 추가적인 층(805), 및 EM 차폐 층(807)은 넓은 주파수 범위의 EM 방사선을 차폐하고 열 성능의 사전 결정된 임계치를 달성하기 위한 적층 기술을 예시한다. 다수의 재료들을 적층하는 것은 EM 차폐 층(803b)의 필요한 차폐 깊이를 감소시켜, 특정한 주파수를 사전 결정된 임계치 아래로 감쇠시킬 수 있다.

[0111] 도 2를 다시 참조하면, 메인 프로세서(202)는 노이즈(214b) 및 열 에너지(216a)를 방출하는 것으로 도시되어 있다. 노이즈(214b)를 측정하는 것에 응답하여, 차폐 맵은, 차폐 장치로 하여금 도 8의 EM 차폐 층(803b)을 도포하게 하는 명령들을 포함할 수 있다. 노이즈(214b)는 사전 결정된 임계치 아래로 제거되거나 또는 감소될 수 있고, 따라서, 도 8에서는 도시되지 않는다.

[0112] 메인 프로세서(202)는 열 에너지(216b)를 완화하기 위한 열 재료를 필요로 할 수 있다. 이제 도 8을 참조하면, 도 2의 관점에서, 차폐 맵은, 재료로 하여금 EM 차폐 층(803b)에 증착되게 하는 명령들을 포함할 수 있는데, 그 재료는, 메인 프로세서(202)가 열 성능의 사전 결정된 임계치를 달성하도록, 노이즈(214b)의 주파수를 감쇠시키고 열 에너지(216a)를 완화시킨다. 다른 실시예들에서, 추가적인 층(805)은 열 에너지(216b)에 응답하여 증착되는 열 재료일 수 있다.

[0113] 시뮬레이팅된 동작 동안 메인 프로세서(202)를 차폐함에 있어서 사용할 EM 차폐 재료들을 결정함에 있어서, 컴퓨팅 디바이스는, 추가적인 층(805)이 유전체 층이어야 하고, EM 차폐 층(807)이 EM 차폐 층(803b)에 의해 차폐되는 것과는 상이한 주파수를 차폐하는 재료를 포함해야 한다는 것을 결정할 수 있다. EM 차폐 층(803b)과 EM 차폐 층(807) 사이의 상호 작용들을 완화하기 위해, 전도 또는 유도와 같은 EM 효과들을 격리하기 위해 추가적인 층(805)이 필요로 될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 EM 차폐 층(803b)과 EM 차폐 층(807) 사이의 CTE 미스매치를 완화하기 위해 추가적인 층(805)이 필요로 된다는 것을 또한 결정할 수 있다.

[0114] 제2 EM 차폐 층(807)은 노이즈(214b)와는 상이한 주파수의 EM 방사선을 감쇠시키는 EM 차폐 재료일 수 있다. 일부 실시예들에서, 메인 프로세서(802)로부터 또는 외부 소스로부터 방출되는 EMI를 차폐하기 위해 제2 EM 차폐 재료가 도포될 수 있다. 제2 EM 차폐 재료는 메인 프로세서(802)로부터 방출되는 제2 주파수의 노이즈를 또한 차폐할 수 있다.

[0115] 제3 EM 차폐 층(809)이 암호 프로세서(808)에 도포되는 것으로 도시되어 있다. 도 2에서, 암호 프로세서(808)는 EM 방사선 또는 열 에너지를 방출하는 것으로 도시되어 있지 않다. 시뮬레이팅된 동작 동안, 컴퓨팅 디바이스는 암호 프로세서가 EM 공격들에 취약하고, 전자 디바이스(800)의 어떤 다른 컴포넌트도 동일한 취약성을 공유하지 않는다는 것을 결정할 수 있다. 도 8에서, 제3 EM 차폐 층은 EM 공격들을 차폐하기 위해 암호 프로세서에만 선택적으로 증착되었을 수 있다. 제3 EM 차폐 층(809)은 EM 차폐 층들(803a 및 803b) 및 제2 EM 차폐 재료(807)와 동일한 재료들을 포함할 수 있고, 뿐만 아니라, 상이한 EM 차폐 재료를 포함할 수 있다.

[0116] 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 전자 디바이스에 재료들을 선택적으로 도포하는 여러 가지 상이한 기술들이 나타내어졌다. 보강을 통한 블랭킷 스퍼터링, 적층, 및 재료의 선택적 증착과 같은, 도시되는 기술들 중 임의의 것 또는 모두는 단일의 전자 디바이스에 적용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 더구나, 도 8에서 도시되는 기술들은 후면 금속화(BSM)를 위해 사용될 수 있다. 도 8에서 도시되는 기술들은 망라하는 것은 아니며, 제한하도록 의도되는 것도 아니다. 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 개시내용의 이점을 통해 많은 변형예들 및 가능성들을 인식할 것이다. 추가적으로, 도 8에서 설명되는 층들은 단지 예시적 목적들을 위한 것이며 제한하도록 의도되는 것은 아니다. 대안적인 실시예들에서, 임의의 층은 임의의 재료일 수 있다. 예를 들면, 열 재료 층들(801a-801c)은 열 재료 대신에 또는 그에 더하여 EM 차폐 재료를 포함할 수 있고, 따라서 EM 차폐 층일 수 있다. 다시 말하면, 임의의 층은, 모델의 시뮬레이팅된 동작 동안 컴퓨팅 디바이스에 의해 결정되고 차폐 맵에 포함되는 바와 같은, 임의의 목적을 위한 임의의 적절한 재료를 포함할 수 있다.

[0117] 도 8에서 설명되는 기술들은 여러 가지 시나리오들에서 적용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 성능 이슈들이 없기 때문에, EM 차폐 재료들만이 필요로 될 수 있다. 다른 실시예들에서, EM 방사선 이슈들이 없기 때문에 열 성능의 사전 결정된 임계치를 달성하는 데 열 재료들만이 필요로 될 수 있다. 여전히 다른 실시예들에서, 열 재료들 및 EM 차폐 재료들 둘 모두가 필요로 될 수 있다. 추가적으로, EM 차폐 재료들은 부분적으로 그들의 열적 속성들에 의해 결정될 수 있다. 마찬가지로, 열 재료들은 부분적으로 그들의 열적 속성들에 의해 선택될 수 있다. 광범위한 EM 방사선 주파수들을 포괄하기 위해 재료들이 또한 결정될 수 있다.

[0118] 도 9는 재료들을 전자 디바이스에 선택적으로 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법의 플로우차트(900)를 예시한다. 방법(900)은 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선의 로케이션들 및 EM 차폐 재료들을 도포할 전자 디바이스 상의 로케이션들을 표시하는 EM 맵을 생성하는 단계(902)를 포함할 수 있다. 로케이션들은 의도적으로 EM 방사선을 방출하는 안테나, EM 방사선을 노이즈로서 방출하는 전자 디바이스의 컴포넌트들, 기판 상의 트레이스들에 의해 생성되는 의도하지 않은 안테나들, 또는 EM 방사선의 다른 소스들일 수 있다. EM 맵은 예컨대 도 3에서 도시되는 히트 맵일 수 있다. EM 맵은 두 개의 차원들로부터의 정보를 포함할 수 있거나, 또는 세 개의 차원들로부터의 정보를 포함할 수 있다. EM 맵은 EM 방사선의 다수의 주파수들에 관한 정보를 또한 포함할 수 있다. EM 맵은 모델의 좌표 맵 및 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선에 관한 정보, 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 전자 디바이스의 EM 또는 열 특성들을 설명하는 정보를 포함할 수 있다.

[0119] EM 차폐 재료들은 특정한 컴포넌트의 식별에 기초하여 선택될 수 있다. 특정한 컴포넌트는, 특정한 컴포넌트에 의해 방출되는 또는 특정한 컴포넌트에 의해 수신되는 EMI를 완화하기 위해, EM 공격들로부터 보호하기 위해, 또는 임의의 다른 적절한 이유 때문에, 특정한 컴포넌트에 의해 생성되는 노이즈를 완화하기 위한 차폐를 필요로 할 수 있다. EM 차폐 재료들은 하나 이상의 EM 차폐 재료들의 CTE 미스매치, 상대적인 자기 투자율(μr), 표피 깊이(δ), 및 상대적 표피 효과와 같은 기준들에 기초하여 결정될 수 있다.

[0120] EM 맵은 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 각각의 EM 차폐 재료와 연관되는 차폐 깊이를 또한 포함할 수 있다. 이 깊이는 잠재적인 EM 차폐 재료의 차폐 효과(shielding effectiveness; SE), EM 차폐 재료의 열적 속성들, 및 다른 관련된 기준들과 같은 기준들에 의해 결정될 수 있다. 일부 실시예들에서, EM 맵은 EM 차폐 재료들 또는 차폐 깊이들에 관한 정보를 포함하지 않을 수 있다.

[0121] 방법(900)은 전자 디바이스로부터 방출되는 열 에너지의 로케이션들을 표시하는 열 맵을 생성하는 단계(904)를 또한 포함할 수 있다. 열 맵은 온도에 의해 특징화되는 영역들을 포함할 수 있다. 열 맵은, 전자 디바이스의 각각의 로케이션이 열 성능의 사전 결정된 임계치를 달성하도록 결정되는, 전자 디바이스의 각각의 로케이션에서 도포될 열 재료들을 또한 포함할 수 있다.

[0122] 열 재료들은 특정한 열 성능을 요구하는 특정한 컴포넌트의 식별에 기초하여 선택될 수 있다. 열 재료들은 CTE 미스매치, 열 저항(R), 또는 열 재료에 대한 다른 관련된 기준들과 같은 요인들에 기초하여 또한 선택될 수 있다. 열 재료는 열 에너지를 방향 전환하기 위해, 열 에너지를 복사하기 위해, 또는 열 에너지를 차폐하기 위해 도포될 수 있다.

[0123] 일부 실시예들에서, 열 맵은 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 각각의 열 재료와 연관되는 재료 깊이를 또한 포함할 수 있다. 이 깊이는 전자 디바이스의 각각의 로케이션에 필요한 열 성능의 임계치 또는 다른 관련된 기준들에 의해 결정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 열 맵은 열 재료들 또는 재료 깊이들에 관한 정보를 포함하지 않을 수 있다.

[0124] 방법(900)은, EM 차폐 재료 및 열 재료를 전자 디바이스 상의 로케이션들에 도포하도록 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함하는 차폐 맵을 EM 맵 및 열 맵으로부터 생성하는 단계(906)를 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은 모델의 좌표 맵 및 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선에 관한 정보, 예컨대 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 다른 EM 데이터를 포함할 수 있다. 차폐 맵은 열 데이터, 예컨대 열 저항(R), 접합부 대 케이스 열 저항(θjc), 및 다른 관련된 열 데이터를 또한 포함할 수 있다.

[0125] 차폐 맵은, 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에 대한 EM 차폐 재료들 및 연관된 차폐 깊이들을 포함하는 데이터를 또한 포함할 수 있다. 각각의 EM 차폐 재료의 차폐 깊이들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션들에 대해 동일할 수 있거나 또는 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 다를 수 있다. EM 차폐 재료들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에서 상이할 수 있거나 또는 전자 디바이스 전체에 걸쳐 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, EM 차폐 재료들은 차폐 맵이 생성될 때 컴퓨팅 디바이스에 의해 결정된다. 다른 실시예들에서, EM 차폐 재료들은 EM 맵에 포함된다.

[0126] 마찬가지로, 차폐 맵은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에 대한 열 재료들 및 연관된 재료 깊이들에 관한 데이터를 포함할 수 있다. 각각의 열 재료에 대한 재료 깊이들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션들에 대해 동일할 수 있거나 또는 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 다를 수 있다. 열 재료들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에서 상이할 수 있거나 또는 전자 디바이스 전체에 걸쳐 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 재료들은 차폐 맵이 생성될 때 컴퓨팅 디바이스에 의해 결정된다. 다른 실시예들에서, 열 재료들은 열 맵에 포함된다.

[0127] 방법(900)은 차폐 맵을 사용하여 전자 디바이스에 EM 차폐 재료 및 열 재료를 도포하도록 차폐 장치를 제어하는 단계(908)를 또한 포함할 수 있다. 차폐 장치는 전자 디바이스에 재료들을 도포하기 위해 전기 도금 또는 물리적 기상 증착(PVD) 스퍼터링을 통해 전자 디바이스 상에 재료를 증착시키도록 동작 가능할 수 있다. 스퍼터링은 이온 빔 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 이온 지원 증착, 고 타깃 활용(high-target-utilization) 스퍼터링, 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링, 및 가스 흐름 스퍼터링을 포함할 수 있다.

[0128] 차폐 맵에 응답하여, 차폐 맵은 보강을 통한 블랭킷 스퍼터링, 적층, 또는 선택적 도포와 같은 본원에서 설명되는 기술들을 사용하여 전자 디바이스 상에 EM 차폐 재료들 및 열 재료들을 증착시킬 수 있다. 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자는 본 개시내용의 이점을 통해 많은 상이한 변형들 및 가능성들을 인식할 것이다.

[0129] 도 9에서 예시되는 특정한 단계들은 다양한 실시예들에 따라 회로 어셈블리를 조립하는 특정한 방법들을 제공한다는 것이 인식되어야 한다. 대안적인 실시예들에 따르면, 단계들의 다른 시퀀스들이 또한 수행될 수 있다. 예를 들면, 대안적인 실시예들은 상기에서 개설되는 단계들을 상이한 순서로 수행할 수 있다. 또한, 도 9에서 예시되는 개개의 단계들은 개개의 단계에 적절하게 다양한 시퀀스들로 수행될 수 있는 다수의 하위 단계들을 포함할 수 있다. 더구나, 특정한 애플리케이션들에 따라 추가적인 단계들이 추가될 수 있거나 또는 제거될 수 있다. 많은 변형예들, 수정예들, 및 대안 예들도 본 개시내용의 범위 내에 또한 속한다.

[0130] 도 10은, 컴퓨팅 디바이스에 의해, 포괄적인 차폐 맵을 생성하기 위한 방법(1000)의 플로우차트를 예시한다. 방법은 모델의 기하학적 형상, 재료들, 및 포함된 컴포넌트들에 관한 정보를 사용하여 모델을 생성하는 것을 포함할 수 있다. 모델은 유리, 유기 화합물들, PCB, 또는 임의의 다른 적절한 재료로 제조되는 기판을 포함할 수 있다. 모델은 집적 회로들, 기판 상의 칩릿들, 플립 칩 패키지들, 또는 임의의 다른 타입의 전자 디바이스의 표현들을 포함할 수 있다. 모델은 모델의 3D 표현을 포함할 수 있다.

[0131] 방법(1000)은 모델 전자 디바이스에 대해, 시뮬레이팅된 동작들을 수행하는 것(1004)을 또한 포함할 수 있다. 시뮬레이팅된 동작은 예상된 레벨에서 모델을 실행하는 것을 포함할 수 있다. 예상된 레벨은 모델링된 전자 디바이스의 다양한 컴포넌트들에 인가되는 예상된 동작 전압들 및 전류들을 포함할 수 있다. 예상된 레벨은 라디오 유닛들 또는 안테나들과 같은 컴포넌트들의 예상된 동작 주파수들을 또한 포함할 수 있다. 시뮬레이션은 외부 요인들을 포함할 수 있다. 외부 요인들은 외부 소스들로부터의 열 에너지 또는 EMI를 포함할 수 있다. 이들 소스들은 더 큰 시스템 내의 다른 전자 디바이스들의 또는 더 큰 시스템과는 별개의 다른 디바이스들로부터의 결과일 수 있다. 외부 요인들은 전형적인 동작 환경으로부터의 열 에너지 및 EM 방사선의 소스들을 또한 포함할 수 있다.

[0132] 방법(1000)은 열 핫스팟들, EM 핫스팟들, λ/4 포인트들, 의도되지 않은 안테나들, CTE 값들, 열적 R 값들, 및 θjc 값들을 측정하고 매핑하는 것(1006)을 또한 포함할 수 있다. EM 핫스팟들은 EM 방사선의 다양한 주파수들의 크기 및 자기장의 강도를 포함할 수 있다. λ/4 포인트들은 의도하지 않은 안테나로부터 그리고 EM 방사선을 의도적으로 방출하는 컴포넌트들로부터 측정될 수 있다.

[0133] 방법(1000)은 LUT에 저장되는, 좌표 대 파라미터 행렬을 포함하여, EM 맵 및 열 맵을 생성하는 것(1008)을 또한 포함할 수 있다. 이 LUT는 모델의 (x, y, z) 좌표 맵, EM 핫스팟들, λ/4 포인트들, 의도되지 않은 안테나들, CTE 값들, 열적 R 값들, 및 θjc 값들을 포함할 수 있다. 좌표 대 파라미터 행렬은 열 및 EM 측정들로부터의 데이터를 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에 상관시킬 수 있다.

[0134] 방법(1000)은, 컴퓨팅 디바이스에 의해, EM 차폐 재료들 및 연관된 차폐 깊이들, 열 재료들 및 연관된 재료 깊이들을 결정하고 모델을 업데이트하는 것(1010)을 또한 포함할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 모델의 로케이션이 EM 방사선의 하나 이상의 주파수들에 대한 차폐를 필요로 한다는 것을 결정할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 잠재적인 EM 차폐 층들 사이의 CTE 미스매치, 상대적인 자기 투자율(μr), 표피 깊이(δ), 및 상대적 표피 효과와 같은 기준들을 활용할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스는 다양한 합금들이 적절한 EM 차폐 재료들이다는 것을 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스는, 제1 잠재적인 EM 차폐 재료의 제1 층 및 제2 잠재적인 EM 차폐 재료의 제2 층이 적절할 수 있다는 것을 결정할 수 있다. 제1 및 제2 전위 EM 차폐 층들 사이에서 유전체 층이 사용될 수 있다.

[0135] 컴퓨팅 디바이스는 열 재료를 선택하고 열 성능의 사전 결정된 임계치에 기초하여 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에 대한 재료 깊이를 결정할 수 있다. 열 성능에 대한 임계치들은 열 전도, 흡수, 또는 복사를 포함할 수 있다. 다양한 열 재료들이, 열 성능의 하나 이상의 사전 결정된 임계치들을 달성하기 위해 컴퓨팅 디바이스에 의해 액세스 가능한 데이터베이스에 포함될 수 있다. 더구나, 모델링된 전자 디바이스의 다양한 로케이션들은 열 성능의 다양한 임계치들을 포함할 수 있고 따라서 다양한 재료 깊이들까지의 다양한 열 재료들의 도포를 필요로 할 수 있다.

[0136] 블록들(1004-1010)은 모델 상의 모든 로케이션들이 EM 방사 성능의 사전 결정된 임계치를 달성할 때까지 반복적으로 반복될 수 있다. 블록들(1004-1010)은 모델 상의 모든 로케이션이 열 성능의 사전 결정된 임계치를 달성할 때까지 반복적으로 반복될 수 있다. 도 4의 LUT 및 블록(1008)은 각각의 반복 이후에 업데이트될 수 있다.

[0137] 방법(1000)은 프로토타입 디바이스의 EM 스캔들 및 열 스캔들을 수행함으로써 EM 맵 및 열 맵을 검증하는 것을 포함할 수 있다. EM 스캔들은 컴퓨팅 디바이스에 의해 행해질 수 있다. 스캔들은 프로토타입의 각각의 로케이션을 검사할 수 있고 그 로케이션에서 프로토타입에 의해 방출되는 EM 방사선의 크기를 측정할 수 있다. 다수의 주파수들의 EM 방사선에 대해 다수의 스캔들이 수행될 수 있다.

[0138] 그 다음, EM 스캔들은 결합되어 프로토타입의 모든 로케이션에서 EM 방사선의 다수의 주파수들의 크기들을 나타내는 프로토타입의 EM 맵을 생성하는 프로토타입의 좌표 맵에 상관될 수 있다. 프로토타입의 EM 맵은 EM 맵에 비교될 수 있다. 프로토타입의 EM 맵과 최종 EM 맵 사이에서 불일치들이 발견되면, EM 스캔들은 반복될 수 있거나 또는 모델에 대해 정정들이 이루어질 수 있다.

[0139] 열 스캔들은 열화상 장치를 갖춘 컴퓨팅 디바이스에 의해 수행될 수 있다. 그 다음, 열 스캔들의 결과는 프로토타입의 좌표 맵과 상관되어, 프로토타입의 열 맵을 생성한다. 그 다음, 프로토타입의 열 맵은 열 맵에 비교될 수 있다. 프로토타입의 열 맵과 열 맵 사이에서 불일치들이 발견되면, 열 스캔들이 반복될 수 있다. 모델의 시뮬레이팅된 동작은 또한 반복될 수 있거나 또는 모델에 대해 정정들이 이루어질 수 있다.

[0140] 방법(1000)은, 컴퓨팅 디바이스에 의해, EM 차폐 재료들 및 열 재료들을 포함하는 포괄적인 차폐 맵을 생성하는 것을 또한 포함할 수 있다. 차폐 맵은 모델의 좌표 맵, 전자 디바이스로부터 방출되는 EM 방사선에 관한 정보, 예컨대 자기장 강도들(자기 성분들(Hx, Hy, 및 Hz) 전류 밀도들(mA/mm2)), S21 커플링(누설 에너지(dB/mm)) 값들, 스펙트럼 값들(스펙트럼 스캔으로부터의 스퓨리어스 레벨들), S11(주어진 노이즈 소스 및 동작 주파수에 대한 방사 포인트들의 λ/4(최대치들) 및 λ/10(최소치들)를 결정하는 데 도움이 되는, 원치 않는/바람직하지 않은 안테나들의 반사 손실(dB) 또는 임피던스(옴(Ω))), 및 다른 관련된 EM 데이터를 포함할 수 있다. 차폐 맵은 열 데이터, 예컨대 열 저항(R), 접합부 대 케이스 열 저항(θjc), 및 다른 관련된 열 데이터를 또한 포함할 수 있다.

[0141] 차폐 맵은, 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에 대한 EM 차폐 재료들 및 연관된 차폐 깊이들을 포함하는 데이터를 또한 포함할 수 있다. 각각의 EM 차폐 재료의 차폐 깊이들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션들에 대해 동일할 수 있거나 또는 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 다를 수 있다. EM 차폐 재료들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에서 상이할 수 있거나 또는 전자 디바이스 전체에 걸쳐 동일할 수 있다.

[0142] 마찬가지로, 차폐 맵은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에 대한 열 재료들 및 연관된 재료 깊이들에 관한 데이터를 포함할 수 있다. 각각의 열 재료에 대한 재료 깊이들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션들에 대해 동일할 수 있거나 또는 전자 디바이스 상의 각각의 로케이션에서 다를 수 있다. 열 재료들은 전자 디바이스 상의 모든 로케이션에서 상이할 수 있거나 또는 전자 디바이스 전체에 걸쳐 동일할 수 있다.

[0143] 도 10에서 예시되는 특정한 단계들은 다양한 실시예들에 따라 두 개의 프로세서들 사이의 통신들을 보호하는 특정한 방법들을 제공한다는 것이 인식되어야 한다. 대안적인 실시예들에 따르면, 단계들의 다른 시퀀스들이 또한 수행될 수 있다. 예를 들면, 대안적인 실시예들은 상기에서 개설되는 단계들을 상이한 순서로 수행할 수 있다. 또한, 도 10에서 예시되는 개개의 단계들은 개개의 단계에 적절하게 다양한 시퀀스들로 수행될 수 있는 다수의 하위 단계들을 포함할 수 있다. 더구나, 특정한 애플리케이션들에 따라 추가적인 단계들이 추가될 수 있거나 또는 제거될 수 있다. 많은 변형예들, 수정예들, 및 대안 예들도 본 개시내용의 범위 내에 또한 속한다.

[0144] 본원에서 설명되는 방법들 각각은 컴퓨터 시스템에 의해 구현될 수 있다. 이들 방법들의 각각의 단계는 컴퓨터 시스템에 의해 자동적으로 실행될 수 있고, 및/또는 유저를 수반하는 입력들/출력들을 제공받을 수 있다. 예를 들면, 유저는 방법의 각각의 단계에 대한 입력들을 제공할 수 있으며, 이들 입력들 각각은 그러한 입력을 요청하는 특정한 출력에 응답할 수 있는데, 여기서 출력은 컴퓨터 시스템에 의해 생성된다. 각각의 입력은 대응하는 요청 출력에 응답하여 수신될 수 있다. 더구나, 입력들은 유저로부터 수신될 수 있고, 데이터 스트림으로서 다른 컴퓨터 시스템으로부터 수신될 수 있고, 메모리 로케이션으로부터 검색될 수 있고, 네트워크를 통해 검색될 수 있고, 웹 서비스로부터 요청될 수 있는 등일 수 있다. 마찬가지로, 출력들은 유저에게 제공될 수 있고, 데이터 스트림으로서 다른 컴퓨터 시스템에 제공될 수 있고, 메모리 로케이션에 저장될 수 있고, 네트워크를 통해 전송될 수 있고, 웹 서비스에 제공될 수 있는 등일 수 있다. 요컨대, 본원에서 설명되는 방법들의 각각의 단계는 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있고, 유저를 수반할 수 있는 또는 수반하지 않을 수 있는 컴퓨터 시스템으로의 그리고 컴퓨터 시스템으로부터의 임의의 수의 입력들, 출력들, 및/또는 요청들을 수반할 수 있다. 유저를 수반하지 않는 단계들은 사람의 개입 없이 컴퓨터 시스템에 의해 자동적으로 수행된다고 말하여질 수 있다. 따라서, 본 개시내용에 비추어, 본원에서 설명되는 각각의 방법의 각각의 단계는 유저로의 그리고 유저로부터의 입력 및 출력을 포함하도록 변경될 수 있거나, 또는 임의의 결정들이 프로세서에 의해 이루어지는 경우 사람의 개입 없이 컴퓨터 시스템에 의해 자동적으로 행해질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 더구나, 본원에서 설명되는 방법들 각각의 일부 실시예들은 유형의 비일시적 저장 매체 상에 저장되는 명령들의 세트로서 구현되어 유형의 소프트웨어 제품을 형성할 수 있다.

[0145] 도 11은 다양한 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 컴퓨터 시스템(1100)을 예시한다. 시스템(1100)은 상기에서 설명되는 컴퓨터 시스템들 중 임의의 것을 구현하기 위해 사용될 수 있다. 도면에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 시스템(1100)은, 버스 서브시스템(1102)을 통해 다수의 주변장치 서브시스템(peripheral subsystem)들과 통신하는 프로세싱 유닛(1104)을 포함한다. 이들 주변장치 서브시스템들은 프로세싱 가속 유닛(1106), I/O 서브시스템(1108), 저장 서브시스템(1118) 및 통신 서브시스템(1124)을 포함할 수 있다. 저장 서브시스템(1118)은 유형의 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122) 및 시스템 메모리(1110)를 포함한다.

[0146] 버스 서브시스템(1102)은 컴퓨터 시스템(1100)의 다양한 컴포넌트들 및 서브시스템들이 의도된 대로 서로 통신하게 하기 위한 메커니즘을 제공한다. 버스 서브시스템(1102)이 단일의 버스로서 개략적으로 도시되지만, 버스 서브시스템의 대안적인 실시예들은 다수의 버스들을 활용할 수 있다. 버스 서브시스템(1102)은 메모리 버스 또는 메모리 컨트롤러, 주변장치 버스, 및 다양한 버스 아키텍처들 중 임의의 것을 사용하는 로컬 버스를 포함하는 여러 가지 타입들의 버스 구조물들 중 임의의 것일 수 있다. 예를 들면, 그러한 아키텍처들 산업 표준 아키텍처(Industry Standard Architecture; ISA) 버스, 마이크로 채널 아키텍처(Micro Channel Architecture; MCA) 버스, 향상된 ISA(Enhanced ISA; EISA) 버스, 비디오 전자 표준화 협회(Video Electronics Standards Association; VESA) 로컬 버스 및 주변장치 컴포넌트 인터커넥트(Peripheral Component Interconnect: PCI) 버스를 포함할 수 있는데, 이들은 IEEE P1386.1 표준에 따라 제조되는 메자닌(Mezzanine) 버스로서 구현될 수 있다.

[0147] 하나 이상의 집적 회로들(예를 들면, 종래의 마이크로프로세서 또는 마이크로컨트롤러)로서 구현될 수 있는 프로세싱 유닛(1104)은 컴퓨터 시스템(1100)의 동작을 제어한다. 하나 이상의 프로세서들이 프로세싱 유닛(1104)에 포함될 수 있다. 이들 프로세서들은 단일 코어 또는 다중 코어 프로세서들을 포함할 수 있다. 특정한 실시예들에서, 프로세싱 유닛(1104)은 각각의 프로세싱 유닛에 포함되는 단일 또는 다중 코어 프로세서들을 갖는 하나 이상의 독립적인 프로세싱 유닛들(1132 및/또는 1134)로서 구현될 수 있다. 다른 실시예들에서, 프로세싱 유닛(1104)은 두 개의 듀얼 코어 프로세서들을 단일의 칩으로 통합함으로써 형성되는 쿼드 코어 프로세싱 유닛으로서 또한 구현될 수 있다.

[0148] 다양한 실시예들에서, 프로세싱 유닛(1104)은 프로그램 코드에 응답하여 다양한 프로그램들을 실행할 수 있고 다수의 동시에 실행되는 프로그램들 또는 프로세스들을 유지할 수 있다. 임의의 주어진 시간에, 실행될 프로그램 코드들 중 일부 또는 모두는 프로세서(들)(1104)에 및/또는 저장 서브시스템(1118)에 상주할 수 있다. 적절한 프로그래밍을 통해, 프로세서(들)(1104)는 상기에서 설명되는 다양한 기능성(functionality)들을 제공할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1100)은 디지털 신호 프로세서(digital signal processor; DSP), 특수 목적 프로세서 등을 포함할 수 있는 프로세싱 가속 유닛(1106)을 추가적으로 포함할 수 있다.

[0149] I/O 서브시스템(1108)은 유저 인터페이스 입력 디바이스들 및 유저 인터페이스 출력 디바이스들을 포함할 수 있다. 유저 인터페이스 입력 디바이스들은 키보드, 마우스 또는 트랙볼과 같은 포인팅 디바이스들, 디스플레이에 통합되는 터치패드 또는 터치스크린, 스크롤 휠, 클릭 휠, 다이얼, 버튼, 스위치, 키패드, 음성 커맨드 인식 시스템들을 갖는 오디오 입력 디바이스들, 마이크들, 및 다른 타입들의 입력 디바이스들을 포함할 수 있다. 유저 인터페이스 입력 디바이스들은, 예를 들면, 유저들이, 제스처들 및 발화된 커맨드들을 사용하는 내추럴 유저 인터페이스(natural user interface)를 통해, Microsoft Xbox®(마이크로소프트 엑스박스) 360 게임 컨트롤러와 같은 입력 디바이스를 제어하고 그들과 상호 작용하는 것을 가능하게 하는 Microsoft Kinect®(마이크로소프트 키넥트) 모션 센서와 같은 모션 감지 및/또는 제스처 인식 디바이스들을 포함할 수 있다. 유저 인터페이스 입력 디바이스들은 유저들로부터의 눈 활동(eye activity)(예를 들면, 사진들을 찍는 동안 및/또는 메뉴 선택을 행하는 동안 '깜빡임(blinking)')을 검출하고 눈 제스처들을 입력 디바이스(예를 들면, Google Glass®(구글 글래스))에 대한 입력으로서 변환하는 Google Glass® 깜박임 검출기와 같은 눈 제스처 인식 디바이스들을 또한 포함할 수 있다. 추가적으로, 유저 인터페이스 입력 디바이스들은, 유저들이 음성 커맨드들을 통해 음성 인식 시스템들(예를 들면, Siri®(시리) 내비게이터)과 상호 작용하는 것을 가능하게 하는 음성 인식 감지 디바이스들을 포함할 수 있다.

[0150] 유저 인터페이스 입력 디바이스들은, 삼차원(three dimensional; 3D) 마우스들, 조이스틱들 또는 포인팅 스틱들, 게임패드들 및 그래픽 태블릿들, 및 오디오/비주얼 디바이스들 예컨대 스피커들, 디지털 카메라들, 디지털 캠코더들, 휴대용 미디어 플레이어들, 웹캠들, 이미지 스캐너들, 지문 스캐너들, 바코드 판독기 3D 스캐너들, 3D 프린터들, 레이저 거리 측정기들, 및 시선 추적 디바이스들을, 제한 없이, 또한 포함할 수 있다. 추가적으로, 유저 인터페이스 입력 디바이스들은, 예를 들면, 의료 이미징 입력 디바이스들 예컨대 컴퓨터 단층 촬영(computed tomography), 자기 공명 이미징, 포지션 방출 단층 촬영, 의료 초음파 진단 디바이스들을 포함할 수 있다. 유저 인터페이스 입력 디바이스들은, 예를 들면, 오디오 입력 디바이스들 예컨대 MIDI 키보드들, 디지털 악기들 등을 또한 포함할 수 있다.

[0151] 유저 인터페이스 출력 디바이스들은 디스플레이 서브시스템, 인디케이터 조명(indicator light)들, 또는 비시각적 디스플레이들 예컨대 오디오 출력 디바이스들, 등을 포함할 수 있다. 디스플레이 서브시스템은 음극선관(cathode ray tube; CRT), 액정 디스플레이(liquid crystal display; LCD) 또는 플라즈마 디스플레이를 사용하는 것과 같은 플랫 패널 디바이스, 프로젝션 디바이스, 터치스크린, 등일 수 있다. 일반적으로, 용어 "출력 디바이스"의 사용은, 컴퓨터 시스템(1100)으로부터 유저 또는 다른 컴퓨터로 정보를 출력하기 위한 모든 가능한 타입들의 디바이스들 및 메커니즘들을 포함하도록 의도된다. 예를 들면, 유저 인터페이스 출력 디바이스들은, 모니터들, 프린터들, 스피커들, 헤드폰들, 자동차 내비게이션 시스템들, 플로터들, 음성 출력 디바이스들, 및 모뎀들과 같은 텍스트, 그래픽들, 및 오디오/비디오 정보를 시각적으로 전달하는 다양한 디스플레이 디바이스들을, 제한 없이, 포함할 수 있다.

[0152] 컴퓨터 시스템(1100)은, 시스템 메모리(1110) 내에 현재 로케이팅되는 것으로 도시되는 소프트웨어 엘리먼트들을 포함하는 저장 서브시스템(1118)을 포함할 수 있다. 시스템 메모리(1110)는, 프로세싱 유닛(1104) 상에서 로딩 가능하고 실행 가능한 프로그램 명령들뿐만 아니라, 이들 프로그램들의 실행 동안 생성되는 데이터를 저장할 수 있다.

[0153] 컴퓨터 시스템(1100)의 구성 및 타입에 따라, 시스템 메모리(1110)는 휘발성(예컨대, 랜덤 액세스 메모리(RAM)) 및/또는 불휘발성(예컨대, 리드 온리 메모리(read-only memory; ROM), 플래시 메모리, 등)일 수 있다. RAM은 전형적으로 프로세싱 유닛(1104)이 즉시 액세스 가능하고 그리고/또는 프로세싱 유닛(1104)에 의해 현재 동작 및 실행되고 있는 데이터 및/또는 프로그램 모듈들을 포함한다. 일부 구현예들에서, 시스템 메모리(1110)는 정적 랜덤 액세스 메모리(static random access memory; SRAM) 또는 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory; DRAM)와 같은 다수의 상이한 타입들의 메모리를 포함할 수 있다. 일부 구현예들에서, 예컨대, 기동 동안, 컴퓨터 시스템(1100) 내의 엘리먼트들 사이에서 정보를 전송하는 것을 돕는 기본 루틴들을 포함하는 기본 입력/출력 시스템(basic input/output system; BIOS)은 전형적으로 ROM에 저장될 수 있다. 제한이 아닌 예로서, 시스템 메모리(1110)는, 클라이언트 애플리케이션들, 웹 브라우저들, 중간 계층 애플리케이션들, 관계형 데이터베이스 관리 시스템(relational database management system; RDBMS)들, 등을 포함할 수 있는 애플리케이션 프로그램들(1112), 프로그램 데이터(1114), 및 오퍼레이팅 시스템(1116)을 또한 예시한다. 예로서, 오퍼레이팅 시스템(1116)은 다양한 버전들의 Microsoft Windows®(마이크로소프트 윈도우즈), Apple Macintosh®(애플 매킨토시), 및/또는 Linux(리눅스) 오퍼레이팅 시스템들, 다양한 상업적으로 입수 가능한 UNIX®(유닉스) 또는 UNIX 유사 오퍼레이팅 시스템들(다양한 GNU/Linux 오퍼레이팅 시스템들, Google Chrome®(구글 크롬) OS, 등)을 제한 없이 포함함) 및/또는 모바일 오퍼레이팅 시스템들 예컨대 iOS, Windows® Phone(윈도우즈 폰), Android®(안드로이드) OS, BlackBerry®(블랙베리) 10 OS, 및 Palm®(팜) OS 오퍼레이팅 시스템들을 포함할 수 있다.

[0154] 저장 서브시스템(1118)은 일부 실시예들의 기능성을 제공하는 기본 프로그래밍 및 데이터 구성들을 저장하기 위한 유형의 컴퓨터 판독 가능 저장 매체를 또한 제공할 수 있다. 프로세서에 의해 실행될 때 상기에서 설명되는 기능성을 제공하는 소프트웨어(프로그램들, 코드 모듈들, 명령들)는 저장 서브시스템(1118)에 저장될 수 있다. 이들 소프트웨어 모듈들 또는 명령들은 프로세싱 유닛(1104)에 의해 실행될 수 있다. 저장 서브시스템(1118)은, 일부 실시예들에 따른, 사용되는 데이터를 저장하기 위한 저장소를 또한 제공할 수 있다.

[0155] 저장 서브시스템(1100)은, 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122)에 추가로 연결될 수 있는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 판독기(1120)를 또한 포함할 수 있다. 시스템 메모리(1110)와 함께 그리고, 옵션 사항으로, 그와 조합하여, 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122)은, 컴퓨터 판독 가능 정보를 일시적으로 및/또는 더욱 영구적으로 포함, 저장, 송신, 및 검색하기 위한 저장 매체들 외에, 원격의, 로컬의, 고정된, 및/또는 착탈식 저장 디바이스들을 포괄적으로 나타낼 수 있다.

[0156] 코드, 또는 코드의 일부들을 포함하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122)은, 정보의 저장 및/또는 송신을 위해 임의의 방법 또는 기술에서 구현되는 휘발성 및 불휘발성, 착탈식 및 비착탈식 매체들과 같은 그러나 이들로 제한되지는 않는, 저장 매체들 및 통신 매체들을 포함한, 임의의 적절한 매체들을 또한 포함할 수 있다. 이것은 유형의 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들 예컨대 RAM, ROM, 전자적으로 소거 가능한 프로그래머블 ROM(electronically erasable programmable ROM; EEPROM), 플래시 메모리 또는 다른 메모리 기술, CD-ROM, 디지털 다기능 디스크(digital versatile disk; DVD), 또는 다른 광학 저장소, 자기 카세트들, 자기 테이프, 자기 디스크 저장소 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 다른 유형의 컴퓨터 판독 가능 매체들을 포함할 수 있다. 이것은 비유형의(nontangible) 컴퓨터 판독 가능 매체들, 예컨대 데이터 신호들, 데이터 송신들, 또는 원하는 정보를 송신하기 위해 사용될 수 있는 그리고 컴퓨팅 시스템(1100)에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 또한 포함할 수 있다.

[0157] 예로서, 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122)은 비착탈식의 불휘발성 자기 매체들로부터 판독하거나 또는 그것에 기록하는 하드 디스크 드라이브, 착탈식의 불휘발성 자기 디스크로부터 판독하거나 또는 그것에 기록하는 자기 디스크 드라이브, 및 착탈식의 불휘발성 광학 디스크 예컨대 CD ROM, DVD, 및 Blu-Ray®(블루레이) 디스크, 또는 다른 광학 매체들로부터 판독하거나 또는 그들에 기록하는 광학 디스크 드라이브를 포함할 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122)은 Zip®(집) 드라이브들, 플래시 메모리 카드들, 범용 직렬 버스(universal serial bus; USB) 플래시 드라이브들, 시큐어 디지털(secure digital; SD) 카드들, DVD 디스크들, 디지털 비디오 테이프, 등을 포함할 수 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들(1122)은, 솔리드 스테이트 드라이브(solid-state drive; SSD)들 기반의 불휘발성 메모리 예컨대 플래시 메모리 기반의 SSD들, 엔터프라이즈 플래시 드라이브들, 솔리드 스테이트 ROM, 등, SSD들 기반의 휘발성 메모리 예컨대 솔리드 스테이트 RAM, 동적 RAM, 정적 RAM, DRAM 기반의 SSD들, 자기 저항성 RAM(magnetoresistive RAM; MRAM) SSD들, 및 DRAM 및 플래시 메모리 기반의 SSD들의 조합을 사용하는 하이브리드 SSD들을 또한 포함할 수 있다. 디스크 드라이브들 및 그들의 연관된 컴퓨터 판독 가능 매체들은 컴퓨터 시스템(1100)에 대한 컴퓨터 판독 가능 명령들, 데이터 구조들, 프로그램 모듈들, 및 다른 데이터의 불휘발성 저장을 제공할 수 있다.

[0158] 통신 서브시스템(1124)은 다른 컴퓨터 시스템들 및 네트워크들에 대한 인터페이스를 제공한다. 통신 서브시스템(1124)은 다른 시스템들로부터 데이터를 수신하고 컴퓨터 시스템(1100)으로부터 다른 시스템들로 데이터를 송신하기 위한 인터페이스로서 기능한다. 예를 들면, 통신 서브시스템(1124)은 컴퓨터 시스템(1100)이 인터넷을 통해 하나 이상의 디바이스들에 연결되는 것을 가능하게 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 통신 서브시스템(1124)은 무선 음성 및/또는 데이터 네트워크들에 액세스하기 위한 라디오 주파수(radio frequency; RF) 트랜스시버 컴포넌트들(예를 들면, 셀룰러 전화 기술, 고급 데이터 네트워크 기술, 예컨대 3G, 4G 또는 EDGE(enhanced data rates for global evolution; 글로벌 에볼루션을 위한 향상된 데이터 레이트들), WiFi(IEEE 802.11 제품군 표준들), 또는 다른 이동 통신 기술들, 또는 이들의 임의의 조합을 사용함), 글로벌 포지셔닝 시스템(global positioning system; GPS) 수신기 컴포넌트들, 및/또는 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 통신 서브시스템(1124)은 무선 인터페이스에 추가로 또는 그 대신 유선 네트워크 연결성(예를 들면, 이더넷)을 제공할 수 있다.

[0159] 일부 실시예들에서, 통신 서브시스템(1124)은, 컴퓨터 시스템(1100)을 사용할 수 있는 한 명 이상의 유저들을 대신하여, 구조화된 및/또는 구조화되지 않은 데이터 피드들(1126), 이벤트 스트림들(1128), 이벤트 업데이트들(1130), 등의 형태로 입력 통신을 또한 수신할 수 있다.

[0160] 예로서, 통신 서브시스템(1124)은, Twitter®(트위터) 피드들, Facebook®(페이스북) 업데이트들, 웹 피드들 예컨대 RSS(Rich Site Summary; 리치 사이트 서머리) 피드들, 및/또는 하나 이상의 써드파티 정보 소스들로부터의 실시간 업데이트들과 같은 데이터 피드들(1126)을 다른 통신 서비스들 및/또는 소셜 네트워크들의 유저들로부터 실시간으로 수신하도록 구성될 수 있다.

[0161] 추가적으로, 통신 서브시스템(1124)은, 명시적 끝이 없이 본질적으로 연속적이거나 또는 제한되지 않을 수 있는, 실시간 이벤트들 및/또는 이벤트 업데이트들(1130)의 이벤트 스트림들(1128)을 포함할 수 있는 연속적인 데이터 스트림들의 형태로 데이터를 수신하도록 또한 구성될 수 있다. 연속적인 데이터를 생성하는 애플리케이션들의 예들은, 예를 들면, 센서 데이터 애플리케이션들, 금융 티커(financial ticker)들, 네트워크 성능 측정 도구들(예를 들면, 네트워크 모니터링 및 트래픽 관리 애플리케이션들), 클릭스트림(clickstream) 분석 도구들, 자동차 트래픽 모니터링, 등을 포함할 수 있다.

[0162] 통신 서브시스템(1124)은, 구조화된 및/또는 구조화되지 않은 데이터 피드들(1126), 이벤트 스트림들(1128), 이벤트 업데이트들(1130), 등을, 컴퓨터 시스템(1100)에 커플링되는 하나 이상의 스트리밍 데이터 소스 컴퓨터들과 통신할 수 있는 하나 이상의 데이터베이스들로 출력하도록 또한 구성될 수 있다.

[0163] 컴퓨터 시스템(1100)은, 핸드헬드식 휴대용 디바이스(예를 들면, iPhone®(아이폰) 셀룰러 폰, iPad®(아이패드) 컴퓨팅 태블릿, PDA), 웨어러블 디바이스(예를 들면, Google Glass® 헤드 마운트형 디스플레이), PC, 워크스테이션, 메인프레임, 키오스크, 서버 랙, 또는 임의의 다른 데이터 프로세싱 시스템을 포함하여, 다양한 타입들 중 하나일 수 있다.

[0164] 컴퓨터들 및 네트워크들의 계속 변화하는 본질에 기인하여, 도면에서 묘사되는 컴퓨터 시스템(1100)의 설명은 단지 특정한 예로서 의도되는 것에 불과하다. 도면에서 묘사되는 시스템보다 더 많은 또는 더 적은 컴포넌트들을 구비하는 많은 다른 구성들이 가능하다. 예를 들면, 맞춤형 하드웨어가 또한 사용될 수 있고 그리고/또는 특정한 엘리먼트들이 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어(애플릿들을 포함함), 또는 조합으로 구현될 수 있다. 게다가, 다른 컴퓨팅 디바이스들, 예컨대 네트워크 입력/출력 디바이스들에 대한 연결이 활용될 수 있다. 본원에서 제공되는 개시내용 및 교시들에 기초하여, 다양한 실시예들을 구현하기 위한 다른 방식들 및/또는 방법들이 명백해야 한다.

[0165] 본원에서 사용될 때, 용어들 "약" 또는 "대략" 또는 "실질적으로"는 본 명세서를 고려하여 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 예상될 범위 내에 있는 것으로 해석될 수 있다.

[0166] 전술한 설명에서, 설명의 목적들 때문에, 다양한 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정한 세부 사항들이 기술되었다. 그러나, 일부 실시예들은 이들 특정한 세부 사항들 중 일부가 없어도 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 널리 공지된 구조물들 및 디바이스들이 블록도 형태로 도시된다.

[0167] 전술한 설명은 예시적인 실시예들만을 제공하며, 본 개시내용의 범위, 적용 가능성, 또는 구성을 제한하도록 의도되지는 않는다. 오히려, 다양한 실시예들의 전술한 설명은 적어도 하나의 실시예를 구현하기 위한 실시 가능하게 하는 개시내용(enabling disclosure)을 제공할 것이다. 첨부된 청구항들에서 기술되는 바와 같은 일부 실시예들의 취지 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 엘리먼트들의 기능 및 배열에서 다양한 변경들이 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.

[0168] 특정한 세부 사항들은 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위한 전술한 설명에서 주어진다. 그러나, 실시예들은 이들 특정한 세부 사항들이 없어도 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들면, 회로들, 시스템들, 네트워크들, 프로세스들, 및 다른 컴포넌트들은 실시예들을 불필요한 세부 사항에서 모호하게 하지 않기 위해 블록도 형태의 컴포넌트들로서 도시되었을 수 있다. 다른 경우들에서, 널리 공지된 회로들, 프로세스들, 알고리즘들, 구조물들, 및 기술들은 실시예들을 모호하게 하는 것을 방지하기 위해 불필요한 세부 사항 없이 도시되었을 수 있다.

[0169] 또한, 개개의 실시예들은 플로우차트, 흐름도, 데이터 흐름도, 구조 다이어그램, 또는 블록 다이어그램으로서 묘사되는 프로세스로서 설명되었을 수 있다는 것을 유의한다. 플로우차트가 동작들을 순차적인 프로세스로 설명하였을 수 있지만, 동작들 중 많은 것은 병렬로 또는 동시에 수행될 수 있다. 또한, 동작들의 순서는 재배열될 수 있다. 프로세스는 자신의 동작들이 완료되면 종료되지만, 그러나 도면에 포함되지 않는 추가적인 단계들을 가질 수 있다. 프로세스는 메소드, 함수, 프로시저, 서브루틴, 서브프로그램, 등에 대응할 수 있다. 프로세스가 함수에 대응하는 경우, 그것의 종료는 호출 함수 또는 메인 함수에 대한 함수의 반환에 대응할 수 있다.

[0170] 용어 "컴퓨터 판독 가능 매체"는 휴대용 또는 고정식 저장 디바이스들, 광학 저장 디바이스들, 무선 채널들 및 명령(들) 및/또는 데이터를 저장, 포함, 또는 전달할 수 있는 다양한 다른 매체들을 포함하지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 코드 세그먼트 또는 머신 실행 가능 명령들은 프로시저, 함수, 서브프로그램, 프로그램, 루틴, 서브루틴, 모듈, 소프트웨어 패키지, 클래스, 또는 명령들, 데이터 구조들, 또는 프로그램 명령문들의 임의의 조합을 나타낼 수 있다. 코드 세그먼트는 정보, 데이터, 인수들, 파라미터들, 또는 메모리 콘텐츠들을 전달 및/또는 수신함으로써 다른 코드 세그먼트 또는 하드웨어 회로에 커플링될 수 있다. 정보, 인수들, 파라미터들, 데이터, 등은 메모리 공유, 메시지 전달, 토큰 전달, 네트워크 송신, 등을 포함하는 임의의 적절한 수단들을 통해 전달, 포워딩, 또는 송신될 수 있다.

[0171] 더구나, 실시예들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어, 마이크로코드, 하드웨어 기술 언어들, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어 또는 마이크로코드에서 구현되는 경우, 필요한 태스크들을 수행하기 위한 프로그램 코드 또는 코드 세그먼트들은 머신 판독 가능 매체에 저장될 수 있다. 프로세서(들)는 필요한 태스크들을 수행할 수 있다.

[0172] 전술한 명세서에서, 특징들이 그 특정한 실시예들을 참조하여 설명되지만, 그러나 모든 실시예들이 그들로 제한되는 것은 아니라는 것이 인식되어야 한다. 일부 실시예들의 다양한 특징들 및 양태들은 개별적으로 또는 공동으로 사용될 수 있다. 게다가, 실시예들은, 본 명세서의 더 넓은 취지 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 본원에서 설명되는 것들을 넘어서는 임의의 수의 환경들 및 애플리케이션들에서 활용될 수 있다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다.

[0173] 추가적으로, 예시 목적들 때문에, 방법들은 특정한 순서로 설명되었다. 대안적인 실시예들에서, 방법들은 설명되는 것과는 상이한 순서로 수행될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 상기에서 설명되는 방법들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해 수행될 수 있거나 또는 명령들로 프로그래밍되는 로직 회로들 또는 범용 또는 특수 목적 프로세서와 같은 머신으로 하여금 방법들을 수행하게 하기 위해 사용될 수 있는 머신 실행 가능 명령들의 시퀀스들에서 구체화될 수 있다는 것이 또한 인식되어야 한다. 이들 머신 실행 가능 명령들은 하나 이상의 머신 판독 가능 매체들, 예컨대 CD-ROM들 또는 다른 타입의 광학 디스크들, 플로피 디스켓들, ROM들, RAM들, EPROM들, EEPROM들, 자기 또는 광학 카드들, 플래시 메모리, 또는 전자 명령들을 저장하기에 적절한 다른 타입들의 머신 판독 가능 매체들 상에 저장될 수 있다. 대안적으로, 방법들은 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 수행될 수 있다.

Claims

전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법으로서,
전자 디바이스로부터 방출되는 전자기(electromagnetic; EM) 방사선의 로케이션들을 표시하는, 상기 전자 디바이스의 EM 맵을 생성하는 단계;
상기 전자 디바이스로부터 방출되는 열 에너지의 로케이션들을 표시하는, 상기 전자 디바이스의 열 맵(thermal map)을 생성하는 단계;
상기 EM 맵 및 상기 열 맵으로부터, 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함하는 차폐 맵을 생성하는 단계 ― 상기 차폐 맵은:
EM 차폐 재료를 도포할 상기 전자 디바이스 상의 로케이션들; 및
열 재료를 도포할 상기 전자 디바이스 상의 로케이션들
을 포함함 ―; 및
상기 차폐 맵을 사용하여, 상기 EM 차폐 재료 및 상기 열 재료를 상기 전자 디바이스에 도포하도록 차폐 장치를 제어하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 EM 맵을 생성하는 단계는:
EM 방사선을 측정하기 위해 상기 전자 디바이스의 모델을 시뮬레이팅하는 단계;
상기 전자 디바이스 상의 EM 방사선의 로케이션들을 결정하는 단계;
상기 전자 디바이스 상의 EM 방사선의 로케이션들의 매핑을 생성하는 단계; 및
상기 전자 디바이스 상의 로케이션들에서 도포될 EM 차폐 재료들을 결정하는 단계를 더 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제2항에 있어서,
상기 전자 디바이스의 모델을 생성하는 단계를 더 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 열 맵을 생성하는 단계는:
상기 전자 디바이스의 열적 거동을 측정하기 위해 상기 전자 디바이스의 모델을 시뮬레이팅하는 단계;
상기 전자 디바이스 상의 열 에너지의 로케이션들을 결정하는 단계;
상기 전자 디바이스의 히트 맵(heat map)을 생성하는 단계; 및
상기 전자 디바이스 상의 로케이션들에서 도포될 열 재료들을 결정하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 EM 맵을 생성하는 단계는:
상기 전자 디바이스의 프로토타입을 프로빙(probe)하는 것으로부터 데이터를 수신하는 단계;
상기 전자 디바이스의 스캔으로부터 EM 방사선을 측정하는 단계;
상기 전자 디바이스 상에서 생성되는 EM 방사선의 로케이션들을 결정하는 단계; 및
상기 전자 디바이스 상의 EM 방사선의 로케이션들의 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 열 맵을 생성하는 단계는:
상기 전자 디바이스의 프로토타입을 프로빙하는 것으로부터 데이터를 수신하는 단계;
상기 전자 디바이스의 열 스캔으로부터 데이터를 수신하는 단계;
상기 전자 디바이스 상의 열 에너지의 로케이션들을 결정하는 단계; 및
상기 전자 디바이스의 히트 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 EM 맵 및 상기 열 맵은 (x,y,z) 좌표들을 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제1항에 있어서,
상기 EM 맵을 생성하는 단계는 EM 공격들에 취약한 로케이션들을 식별하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
제8항에 있어서,
상기 EM 공격들에 취약한 로케이션들을 식별하는 단계는 안테나들의 로케이션들을 식별하는 단계를 포함하는, 전자 디바이스에 재료를 도포하기 위한 프로세스들을 제어하는 방법.
명령들을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체로서,
상기 명령들은, 하나 이상의 프로세서들에 의해 실행될 때, 상기 하나 이상의 프로세서들로 하여금:
전자 디바이스 상에서 생성되는 전자기(EM) 방사선의 로케이션들을 표시하는, 상기 전자 디바이스의 EM 맵을 수신하는 동작;
상기 전자 디바이스 상에서 생성되는 열 에너지의 로케이션들을 표시하는, 상기 전자 디바이스의 열 맵을 수신하는 동작; 및
상기 EM 맵 및 상기 열 맵으로부터, 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함하는 차폐 맵을 생성하는 동작 ― 상기 차폐 맵은:
EM 차폐 재료를 도포할 상기 전자 디바이스 상의 로케이션들; 및
열 재료를 도포할 상기 전자 디바이스 상의 로케이션들
을 포함함 ―; 및
상기 EM 차폐 재료 및 상기 열 재료를 상기 전자 디바이스에 도포하기 위해 상기 차폐 맵을 차폐 장치에 제공하는 동작
을 포함하는 동작들을 수행하게 하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
제10항에 있어서,
상기 차폐 맵을 생성하는 동작은:
하나 이상의 주파수들에 기초하여 각각의 로케이션에 도포될 하나 이상의 EM 차폐 재료들을 결정하는 동작; 및
각각의 주파수의 크기에 기초하여 각각의 로케이션에 도포될 각각의 열 재료의 깊이를 결정하는 동작을 더 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
제10항에 있어서,
상기 차폐 맵을 생성하는 동작은:
열 성능의 사전 결정된 임계치에 기초하여 하나 이상의 열 재료들을 각각의 로케이션에 매핑하는 동작; 및
열 에너지의 크기에 기초하여 각각의 열 재료의 차폐 깊이를 각각의 로케이션에 매핑하는 동작을 더 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
제10항에 있어서,
상기 차폐 맵을 제공하는 동작은 상기 차폐 맵을 제1 컴퓨팅 디바이스로부터, 상기 전자 디바이스 상에 EM 차폐 재료 및 열 재료를 증착하도록 동작 가능한 차폐 장치로 전송하는 동작을 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
제10항에 있어서,
상기 차폐 맵을 제공하는 동작은, 컴퓨팅 디바이스의 컴포넌트들로 하여금, 상기 전자 디바이스 상에 EM 차폐 재료 및 열 재료를 증착하도록 동작 가능한 차폐 장치를 제어하는 커맨드들을 실행하게 하는 동작을 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
시스템으로서,
전자기(EM) 차폐 재료 및 열 재료를 전자 디바이스 상에 증착하도록 동작 가능한 차폐 장치;
하나 이상의 프로세서들; 및
명령들을 포함하는 하나 이상의 메모리 디바이스들을 포함하고,
상기 명령들은, 상기 하나 이상의 프로세서들에 의해 실행될 때, 상기 하나 이상의 프로세서들로 하여금:
전자 디바이스 상에서 생성되는 전자기(EM) 방사선의 로케이션들을 표시하는, 상기 전자 디바이스의 EM 맵을 수신하는 동작;
상기 전자 디바이스 상에서 생성되는 열 에너지의 로케이션들을 표시하는, 상기 전자 디바이스의 열 맵을 수신하는 동작;
상기 EM 맵 및 상기 열 맵으로부터, 차폐 장치를 제어하기 위한 명령들을 포함하는 차폐 맵을 생성하는 동작 ― 상기 차폐 맵은:
EM 차폐 재료를 도포할 상기 전자 디바이스 상의 로케이션들; 및
열 재료를 도포할 상기 전자 디바이스 상의 로케이션들
을 포함함 ―; 및
상기 EM 차폐 재료 및 상기 열 재료를 상기 전자 디바이스에 도포하기 위해 상기 차폐 맵을 상기 차폐 장치에 제공하는 동작
을 포함하는 동작들을 수행하게 하는, 시스템.
제15항에 있어서,
상기 차폐 장치는 전기 도금을 통해 상기 차폐 맵에 따라 상기 EM 차폐 재료 및 상기 열 재료를 도포하도록 동작 가능한, 시스템.
제15항에 있어서,
상기 차폐 장치는 상기 차폐 맵에 따라 스퍼터링을 통해 상기 EM 차폐 재료 및 상기 열 재료를 도포하도록 동작 가능하고, 상기 차폐 장치는 EM 차폐 재료의 적어도 하나의 층을 EM 방사선의 주파수의 함수로써 제1 차폐 깊이까지 증착하도록 그리고 열 재료의 층을 재료 깊이까지 증착하도록 추가로 동작 가능한, 시스템.
제17항에 있어서,
상기 EM 차폐 재료의 적어도 하나의 층은 고주파 EM 차폐를 위한 전기 도체의 층 및 저주파 차폐를 위한 자기 도체의 층을 포함하는, 시스템.
제17항에 있어서,
상기 EM 차폐 재료의 적어도 하나의 층은 사전 결정된 임계치 이내로 고주파 EM 차폐 및 저주파 EM 차폐를 제공하는 합금의 층을 포함하는, 시스템.
제15항에 있어서,
상기 전자 디바이스는 유리 또는 유기 재료로 제조되는 기판 상에 장착되는 하나 이상의 집적 회로 패키지들을 포함하는, 시스템.