JP2021531387A - 耐クラック性コーティング組成物およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
式(R1)dSi(OR2)4−dの成分A、ここでR1はC1−C3一価炭化水素であり、R2はC1−C3一価炭化水素または水素ラジカルであり、dは0、1、または2であり、および
式1、式2、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される成分B、
(R3)aSi(OR4)4−a 式1
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2
ここでR3は、C5−C20直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素とフルオロ炭素鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1から3であり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nが3となり、そしてs+pが3となり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、そしてzは0から20であり、
金属酸化物粒子、
UV吸収剤、
触媒、および
溶媒を含む。
式(R1)dSi(OR2)4−dの成分A,ここでR1はC1−C3一価炭化水素であり、R2はC1−C3一価炭化水素または水素ラジカルであり、dは0、1、または2であり、および
式1、式2、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される成分B、
(R3)aSi(OR4)4−a 式1、
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2、
ここでR3は、C5−C20直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素とフルオロカーボン鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1から3であり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nは3であり、s+pは3であり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、そしてzは0から20であり、
金属酸化物粒子、
UV吸収剤、
触媒、および
溶媒を含み、
硬化したときの前記コーティング組成物は、3から10ミクロンのコーティング厚さで測定した場合、1から10の臨界ひずみを有することを特徴とする。
(R3)aSi(OR4)4−a 式1
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2
ここでR3は、C5−C20直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素およびフルオロカーボン鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1から3であり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nは3、s+pは3であり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、zは0から20である。
(R5O)m(R6)nSi−Z−Si(R8)s(OR7)p 2a
ここでZはC1−C24二価炭化水素ラジカルである。二価の炭化水素ラジカルZおよびR9−R11のものは、直鎖または分枝状炭化水素であり得、そして任意選択で炭化水素鎖内に環状基を含み得る。一実施形態では、Zは−R21−R23−R22−で表すことができ、ここでR21およびR22は独立してC1−C6二価炭化水素基であり、そしてR23は、飽和、不飽和、または芳香族のC5−C10二価環状基である。一実施形態では、R23は、二価のシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロペンタジエン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、またはベンゼンから選択される。
Claims (28)
- 式(R1)dSi(OR2)4−dの成分A、ここでR1はC1−C3一価炭化水素であり、R2はC1−C3一価炭化水素または水素ラジカルであり、そしてdは0、1、または2であり、および
式1、式2、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される成分B、
(R3)aSi(OR4)4−a 式1
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2
ここでR3は、C5−C20の直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素およびフルオロカーボン鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1、2、3までであり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nは3であり、s+pは3であり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、そしてzは0から20であり、
金属酸化物粒子、
UV吸収剤、
触媒、および
溶剤を含む、組成物。 - 成分Bが、成分Aおよび成分Bの総重量に基づいて、約1重量パーセントから約60重量パーセントの量で存在する、請求項1に記載の組成物。
- 成分BのR3が、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、3,3,3−トリフルオロペンチル、3,3,3−トリフルオロヘキシル、3,3,3−トリフルオロヘプチル、3,3,3−トリフルオロオクチル、パーフルオロペンチル、パーフルオロヘキシル、パーフルオロヘプチル、またはパーフルオロヘキシルから選択される、請求項1または2に記載の組成物。
- R4がメチルまたはエチルから選択される、請求項1から3のいずれか一項に記載の組成物。
- 成分Bが、式2aを有する式2から選択され、
(R5O)m(R6)nSi−Z−Si(R8)s(OR7)p 2a
ここでZはC1−C24二価炭化水素ラジカルである、請求項1に記載の組成物。 - 二価の炭化水素ラジカルZは式−R21−R23−R22−のものであり、ここでR21およびR22は独立してC1−C6二価炭化水素基であり、そしてR23は飽和、不飽和、または芳香族であり得るC5−C10二価環状基である、請求項5に記載の組成物。
- 成分Aがメチルトリメトキシシランである、請求項1から6のいずれか一項に記載の組成物。
- 金属酸化物粒子が、組成物の重量に基づいて約0.1重量パーセントから約50重量パーセントの量で存在する、請求項1から7のいずれか一項に記載の組成物。
- 金属酸化物粒子が、シリカ、ジルコニア、チタニア、アルミナ、セリア、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化アンチモン、またはそれらの2つ以上の組み合わせから選択される、請求項1から8のいずれか一項に記載の組成物。
- 金属酸化物粒子が約1nmから約250nmの平均粒子サイズを有する、請求項1から9のいずれか一項に記載の組成物。
- 抗酸化剤、熱安定剤、接着促進剤、充填剤、UV吸収剤、界面活性剤、またはそれらの2つ以上の組み合わせから選択される添加剤をさらに含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の組成物。
- 溶媒が、脂肪族アルコール、グリコールエーテル、脂環式アルコール、脂肪族エステル、脂環式エステル、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族化合物、ハロゲン化脂環式化合物、ハロゲン化芳香族化合物、脂肪族エーテル、脂環式エーテル、アミド溶媒、スルホキシド溶媒、またはそれらの2つ以上の組み合わせから選択される、請求項1から11のいずれか一項に記載の組成物。
- 触媒が、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムホルメート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウム−2−エチルヘキサノエート、テトラ−n−ブチルアンモニウム−p−エチルベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムプロピオネートおよびTBD−アセテート(1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン(TBD)のアセテート)からなる群から選択される少なくとも1つのメンバーである、請求項1から12のいずれか一項に記載の組成物。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載の組成物を含むコーティング形成組成物であって、アクリルポリマー、ポリアミド、ポリイミド、アクリロニトリル含有ポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、またはコポリカーボネート、金属、ガラス、またはそれらの2つ以上の組み合わせから選択される基材に適用される、コーティング形成組成物。
- 基材と、前記基材の少なくとも一部を覆うコーティング組成物とを含む物品であって、
コーティング組成物は、
式(R1)dSi(OR2)4−dの成分A、ここでR1はC1−C3一価炭化水素であり、R2はC1−C3一価炭化水素または水素ラジカルであり、そしてdは0、1、または2であり、および
式1または式2の少なくとも1つからなる群から選択される成分B、
(R3)aSi(OR4)4−a 式1
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2
ここでR3は、C5−C20直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素およびフルオロカーボン鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1から3であり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nは3であり、s+pは3であり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、そしてzは0から20であり、
金属酸化物粒子、
UV吸収剤、
触媒、および
溶媒を含み、
ここで硬化したときのコーティング組成物は、3から10ミクロンのコーティング厚さで測定した場合、約1から10の臨界ひずみを有する、物品。 - 成分Bが、成分Aおよび成分Bの総重量に基づいて、約1重量パーセントから約60重量までの量で存在する、請求項15に記載の物品。
- R3が、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、3,3,3−トリフルオロペンチル、3,3,3−トリフルオロヘキシル、3,3,3−トリフルオロヘプチル、3,3,3−トリフルオロオクチル、パーフルオロペンチル、パーフルオロヘキシル、パーフルオロヘプチル、またはパーフルオロヘキシルから選択される、請求項15または16に記載の物品。
- R4がメチルまたはエチルから選択される、請求項15から17のいずれか一項に記載の物品。
- 成分Aがメチルトリメトキシシランである、請求項15から18のいずれか一項に記載の物品。
- 金属酸化物粒子が、組成物の重量に基づいて約0.1重量パーセントから約50重量パーセントの量で存在する、請求項15から19のいずれか一項に記載の物品。
- 金属酸化物粒子がシリカ、ジルコニア、チタニア、アルミナ、セリア、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化アンチモン、またはそれらの2つ以上の組み合わせから選択される、請求項15から20のいずれか一項に記載の物品。
- 金属酸化物粒子が約1nmから約250nmの平均粒子サイズを有する、請求項15から21のいずれか一項に記載の物品。
- 基材が、アクリルポリマー、ポリアミド、ポリイミド、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエンターポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリカーボネート、コポリカーボネート、金属、ガラス、またはそれらの2つ以上の組み合わせから選択される、請求項15から22のいずれか一項に記載の物品。
- コーティング組成物が硬化している、請求項15から23のいずれか一項に記載の物品。
- コーティング組成物と基材との間に配置されたプライマーコーティングを含む、請求項15から24のいずれか一項に記載の物品。
- (i)式(R1)dSi(OR2)4−dの成分A、ここでR1はC1−C3一価炭化水素であり、R2はC1−C3一価炭化水素または水素ラジカルであり、そしてdは0、1、または2であり、および
(ii) 式1、式2、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される成分B、
(R3)aSi(OR4)4−a 式1
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2
ここでR3は、C5−C20直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素とフルオロカーボン鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1、2、3までであり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nは3であり、s+pは3であり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、そしてzは0から20であり、
(iii)金属酸化物粒子、
(iv)UV吸収剤、
(v)触媒、および
(vi)溶媒を提供すること、および(i)−(vi)を混合して組成物を形成することを含む、コーティング組成物を形成するための方法。 - コーティング組成物を物品の基材の表面に適用することを含む、コーティングされた物品を形成するための方法であって、ここでコーティング組成物は、
式(R1)dSi(OR2)4−dの成分A、ここでR1はC1−C3一価炭化水素であり、R2はC1−C3一価炭化水素または水素ラジカルであり、そしてdは0、1、または2であり、および
式1、式2、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される成分B、
(R3)aSi(OR4)4−a 式1
(R5O)m(R6)nSi(R9)x(R10)y(R11)zSi(R8)s(OR7)p 式2
ここでR3は、C5−C20直鎖または分岐アルキルラジカル、C5−C20フルオロアルキル、炭化水素とフルオロカーボン鎖の混合物、チオエステル基を含むC5−C20直鎖または分岐炭化水素鎖、アミノ基または尿素基を含むC6−C24飽和または不飽和直鎖または環状炭化水素鎖から選択され、R4はC1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルであり、aは0、1、2、3までであり、
R5およびR7は、C1−C20一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、
R6およびR8は、C1からC3の一価炭化水素ラジカルまたは水素ラジカルから独立して選択され、mおよびpは1から3であり、nおよびsは1から3であって、m+nは3であり、そしてs+pは3であり、
R9はC1−C24二価炭化水素ラジカルから選択され、
R10およびR11は、C1からC24の一価炭化水素ラジカルから独立して選択され、
xは1から20であり、yは0から20であり、そしてzは0から20であり、
金属酸化物粒子、
UV吸収剤、
触媒、および
溶媒を含む、方法。 - コーティング組成物が、スプレー、ディップ、フロー、スピンから選択されるコーティング堆積方法によって適用される、請求項27に記載の方法。
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