JP2021528862A - Non-contact substrate operating equipment and epitaxial reactor - Google Patents
Non-contact substrate operating equipment and epitaxial reactor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021528862A JP2021528862A JP2020572505A JP2020572505A JP2021528862A JP 2021528862 A JP2021528862 A JP 2021528862A JP 2020572505 A JP2020572505 A JP 2020572505A JP 2020572505 A JP2020572505 A JP 2020572505A JP 2021528862 A JP2021528862 A JP 2021528862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- closed
- passage
- closed passage
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Abstract
非接触式基板操作機器であって、ピックアッププレート装置、及び該ピックアッププレート装置の底面において設けられる複数の基板吸着ユニット(102、103)を含み、複数の基板吸着ユニット(102、103)は中心対称に分布しており、各基板吸着ユニット(102、103)の内部にいずれも空洞部が設けられ、各基板吸着ユニット(102、103)はいずれも該基板吸着ユニット(102、103)の側壁内面と接する複数の接線方向孔(102−1、103−1)が設けられ、ピックアッププレート装置の内部に通気通路が設けられ、該通気通路はすべての接線方向孔(102−1、103−1)と連通し、ここで、通気通路は通気通路の入り口を介して受けるガスを、接線方向孔(102−1、103−1)を介して対応する空洞部内に導入し、それによってガスが対応する空洞部内で回転渦巻きを形成し、且つ対応する空洞部の開口箇所で圧力差を形成して基板を吸着することに用いられる。さらにエピタキシャル成長装置を提供する。前記非接触式基板操作機器は、ウエハの自己回転、傾きの現象を除去し、機器の精度を向上させることができる。 A non-contact substrate operating device including a pickup plate device and a plurality of substrate adsorption units (102, 103) provided on the bottom surface of the pickup plate apparatus, and the plurality of substrate adsorption units (102, 103) are centrally symmetrical. Each substrate adsorption unit (102, 103) is provided with a cavity inside, and each substrate adsorption unit (102, 103) is an inner surface of the side wall of the substrate adsorption unit (102, 103). A plurality of tangential holes (102-1, 103-1) in contact with the tangential holes (102-1, 103-1) are provided, and a ventilation passage is provided inside the pickup plate device, and the ventilation passages are all tangential holes (102-1, 103-1). Here, the ventilation passage introduces the gas received through the entrance of the ventilation passage into the corresponding cavity through the tangential holes (102-1, 103-1), whereby the gas corresponds. It is used to form a rotating swirl in the cavity and to create a pressure difference at the corresponding opening in the cavity to adsorb the substrate. Further provided is an epitaxial growth apparatus. The non-contact substrate operating device can eliminate the phenomenon of self-rotation and tilting of the wafer and improve the accuracy of the device.
Description
本発明は半導体集積製造の技術分野に関し、特に非接触式基板操作機器及びエピタキシャルリアクタに関する。 The present invention relates to the technical field of semiconductor integrated manufacturing, and particularly to non-contact substrate operating equipment and epitaxial reactor.
半導体集積回路の製造分野では、エピタキシャルコーティングされた半導体ウエハを生成するために、通常、エピタキシャルリアクタ内の半導体ウエハをエピタキシャル塗布することを採用し、堆積ガスがエピタキシャルリアクタを通過して半導体ウエハの表面上にエピタキシャル材料を堆積することができる。エピタキシャルリアクタにおいて、基板(ウエハ)搬送は非常に重要な一環である。ウエハは一般に円形であり、正面及び裏面を有し、ウエハ正面は集積回路構造を形成して実現するウエハ面である。従って、ウエハ搬送過程では、損傷を受けないようにウエハ正面を保護するのは非常に重要である。 In the field of manufacturing semiconductor integrated circuits, in order to produce an epitaxially coated semiconductor wafer, it is usually adopted to epitaxially coat the semiconductor wafer in the epitaxial reactor, and the deposited gas passes through the epitaxial reactor and the surface of the semiconductor wafer is used. The epitaxial material can be deposited on top. Substrate (wafer) transfer is a very important part of an epitaxial reactor. The wafer is generally circular and has a front surface and a back surface, and the front surface of the wafer is a wafer surface realized by forming an integrated circuit structure. Therefore, in the wafer transfer process, it is very important to protect the front surface of the wafer from damage.
現在、従来のエピタキシャルリアクタにおいて基板(ウエハ)を搬送することに用いられる機器は複数種あるが、それぞれの欠陥がある。たとえば、1種のエピタキシャルリアクタ内の非接触式基板操作機器の場合、基板ピックアップ過程では、各抽気孔の箇所に形成される吸着力が基板の正面中央部に作用し、基板の中央部に作用する吸着力によって基板を過度に変形させ、それによって押傷を形成しやすく、また、プロセスチャンバーから基板をピックアップする際に、基板はまだ一定の温度を有し、機器のピックアップ装置との間に一定の付着性が存在し、基板が十分に水平に吸着されない可能性があり、安定的な吸着を確保できず、それによって基板ピックアップの失敗又は落下をもたらす。さらに、たとえば、もう1種のエピタキシャルリアクタ内の非接触式基板操作機器の場合、吸盤の接線方向孔の向き及びレイアウトに問題があるため、各吸盤の気流の大きさ、回転渦巻きのいずれにも差異があり、ウエハが吸着される際に、不安定、自己回転、揺れの現象が発生し、位置決め、所定部位に対するピックアンドプレース、ウエハ搬送のニーズを満たすことができない。従って、基板を搬送するための新たな機器が必要とされる。 Currently, there are a plurality of types of equipment used for transporting a substrate (wafer) in a conventional epitaxial reactor, but each has a defect. For example, in the case of a non-contact substrate operating device in one type of epitaxial reactor, in the substrate pickup process, the adsorption force formed at each extraction hole acts on the central portion of the front surface of the substrate and acts on the central portion of the substrate. The adsorption force exerts excessive deformation of the substrate, which tends to form scratches, and when the substrate is picked up from the process chamber, the substrate still has a constant temperature and is connected to the pick-up device of the equipment. There is a certain degree of adhesion, and the substrate may not be sufficiently horizontally adsorbed, and stable adsorption cannot be ensured, which leads to the failure or drop of the substrate pickup. Furthermore, for example, in the case of a non-contact substrate operating device in another type of epitaxial reactor, there is a problem in the direction and layout of the tangential holes of the suction cups, so that the size of the airflow of each suction cup and the rotary swirl can be determined. There is a difference, and when the wafer is sucked, the phenomena of instability, self-rotation, and shaking occur, and the needs of positioning, pick-and-place for a predetermined part, and wafer transfer cannot be satisfied. Therefore, a new device for transporting the substrate is required.
上記事情に鑑みて、本発明の実施例は非接触式基板操作機器及びエピタキシャルリアクタを提供する。 In view of the above circumstances, an embodiment of the present invention provides a non-contact substrate operating device and an epitaxial reactor.
本発明の実施例の一態様によれば、非接触式基板操作機器を提供し、ここで、前記非接触式基板操作機器はピックアッププレート装置、及び前記ピックアッププレート装置の底面において設けられる複数の基板吸着ユニットを含み、
複数の前記基板吸着ユニットは中心対称に分布しており、各前記基板吸着ユニットはいずれも空洞部が設けられ、且つ各前記基板吸着ユニットはいずれも前記空洞部の側壁内面と接する複数の接線方向孔が設けられ、
前記ピックアッププレート装置の内部に通気通路が設けられ、前記通気通路はすべての前記接線方向孔と連通し、ここで、前記通気通路は前記通気通路の入り口を介して受けるガスを、前記接線方向孔を介して対応する空洞部内に導入し、それによってガスが対応する空洞部内で回転渦巻きを形成し、且つ対応する空洞部の開口箇所で圧力差を形成して前記基板を吸着することに用いられる。
According to one aspect of the embodiment of the present invention, a non-contact type substrate operating device is provided, wherein the non-contact type substrate operating device includes a pickup plate device and a plurality of substrates provided on the bottom surface of the pickup plate device. Including suction unit
The plurality of the substrate adsorption units are distributed symmetrically in the center, each of the substrate adsorption units is provided with a cavity, and each of the substrate adsorption units is in a plurality of tangential directions in contact with the inner surface of the side wall of the cavity. With holes
A ventilation passage is provided inside the pickup plate device, and the ventilation passage communicates with all the tangential holes, wherein the ventilation passage receives gas received through the entrance of the ventilation passage through the tangential hole. It is used to introduce into the corresponding cavity through the cavity so that the gas forms a rotating swirl in the corresponding cavity and creates a pressure difference at the opening of the corresponding cavity to adsorb the substrate. ..
選択可能に、前記通気通路は複数の第1密閉通路を含み、複数の前記第1密閉通路は複数の前記基板吸着ユニットに1対1で対応して設けられ、複数の前記第1密閉通路の第1端がそれぞれ対応する基板吸着ユニットの接線方向孔と連通し、複数の前記第1密閉通路の第2端が相互に連通し、且つ複数の前記第1密閉通路は前記ピックアッププレート装置の底面の中心を中心に放射状を呈して分布しており、ここで、圧縮ガスは複数の前記第1密閉通路の第2端を経由して導入され、且つ複数の前記第1密閉通路を介してそれに対応する基板吸着ユニットの接線方向孔に輸送される。 Selectably, the ventilation passage includes a plurality of first closed passages, and the plurality of the first closed passages are provided in a one-to-one correspondence with the plurality of the substrate suction units, and the plurality of the first closed passages are provided. The first end communicates with the tangential hole of the corresponding substrate suction unit, the second ends of the plurality of first sealed passages communicate with each other, and the plurality of first sealed passages are the bottom surface of the pickup plate device. It is distributed radially around the center of the above, where the compressed gas is introduced via the second ends of the first closed passages and through the first closed passages. It is transported to the tangential hole of the corresponding substrate suction unit.
選択可能に、前記通気通路はさらに第2密閉通路を含み、前記第2密閉通路は前記ピックアッププレート装置の中心に位置し、前記第2密閉通路の延伸方向が前記ピックアッププレート本体の厚さ方向と一致し、複数の前記第1密閉通路の第2端がいずれも前記第2密閉通路と連通し、それによって圧縮ガスを前記第2密閉通路を経由して複数の前記第1密閉通路に分配する。 Selectably, the ventilation passage further includes a second closed passage, the second closed passage is located at the center of the pickup plate device, and the extension direction of the second closed passage is the thickness direction of the pickup plate body. Matching, the second ends of the plurality of first closed passages all communicate with the second closed passage, thereby distributing the compressed gas to the plurality of first closed passages via the second closed passage. ..
選択可能に、前記通気通路はさらに第3密閉通路を含み、ここで、前記第3密閉通路の一端が前記通気通路の入り口として形成され、前記第3密閉通路の他端が前記第2密閉通路と連通する。 Optionally, the ventilation passage further includes a third closed passage, where one end of the third closed passage is formed as an entrance to the ventilation passage and the other end of the third closed passage is the second closed passage. Communicate with.
選択可能に、前記ピックアッププレート装置はベースプレート及びアダプタープレートを含み、
前記アダプタープレートは前記ピックアッププレート装置の厚さ方向に沿って設けられるアダプターベースプレート、中間プレート及びトッププレートを含み、ここで、前記アダプターベースプレートの底面が前記ベースプレートに連結され、
前記第3密閉通路は前記アダプターベースプレートの底面において形成される第1凹溝、前記アダプターベースプレートを貫通する第3密閉通路入り口、及び前記アダプターベースプレートを貫通する第3密閉通路出口を含み、前記第3密閉通路入り口は前記第1凹溝と前記通気通路の入り口を連通し、前記ベースプレートの一部は前記第1凹溝と対向して設けられ、それによって前記第1凹溝を密閉し、前記中間プレートの前記アダプターベースプレートと連結する位置の箇所に第2密閉通路入り口が形成され、前記第3密閉通路出口は前記第2密閉通路入り口と連通し、前記第2密閉通路は前記中間プレート内に形成され、前記トッププレートは前記第2密閉通路を密閉する。
Optionally, the pickup plate device includes a base plate and an adapter plate.
The adapter plate includes an adapter base plate, an intermediate plate and a top plate provided along the thickness direction of the pickup plate device, wherein the bottom surface of the adapter base plate is connected to the base plate.
The third closed passage includes a first concave groove formed on the bottom surface of the adapter base plate, a third closed passage entrance penetrating the adapter base plate, and a third closed passage outlet penetrating the adapter base plate. The closed passage entrance communicates the first concave groove with the entrance of the ventilation passage, and a part of the base plate is provided so as to face the first concave groove, thereby sealing the first concave groove and the intermediate. A second closed passage entrance is formed at a position of the plate connected to the adapter base plate, the third closed passage outlet communicates with the second closed passage entrance, and the second closed passage is formed in the intermediate plate. The top plate seals the second closed passage.
選択可能に、前記アダプタープレートはさらに放射円板を含み、前記放射円板は前記中間プレートと前記ベースプレートとの間に位置し、ここで、
前記ベースプレートの上面において第2凹溝が形成され、前記中間プレートの前記ベースプレートと連結する位置の箇所に第2密閉通路出口が形成され、前記放射円板の一部が前記第2凹溝を密閉し、それによって前記第1密閉通路を形成し、前記第2密閉通路出口が前記第1密閉通路と前記第2密閉通路を連通する。
Optionally, the adapter plate further comprises a radiating disc, which is located between the intermediate plate and the base plate, where.
A second concave groove is formed on the upper surface of the base plate, a second closed passage outlet is formed at a position of the intermediate plate connected to the base plate, and a part of the radiation disk seals the second concave groove. Then, the first closed passage is formed, and the second closed passage outlet communicates with the first closed passage and the second closed passage.
選択可能に、前記ベースプレートの底面においてバンプが設けられ、前記バンプは前記基板に対して位置決め及び制限を行うことに用いられる。 Bumps are optionally provided on the bottom surface of the base plate and the bumps are used to position and limit the substrate.
選択可能に、前記バンプは複数であり、且つ複数の前記バンプは前記ベースプレートの底面にその円周方向に沿って均一に分布している。 There are a plurality of the bumps that can be selected, and the plurality of the bumps are uniformly distributed on the bottom surface of the base plate along the circumferential direction.
選択可能に、前記ピックアッププレート装置内に複数の前記基板吸着ユニットに1対1で対応する複数の密閉空洞部が設けられ、複数の前記基板吸着ユニットはそれぞれ、それに対応する前記密閉空洞部内に設けられ、複数の前記基板吸着ユニットに1対1で対応して設けられる複数の環状密閉通路を形成し、ここで、前記第1密閉通路の第1端は前記環状密閉通路と連通し、それによって圧縮ガスを前記第1密閉通路、及び前記環状密閉通路を経由して対応する基板吸着ユニットの接線方向孔に輸送する。 A plurality of sealed cavities corresponding to the plurality of substrate suction units on a one-to-one basis are provided in the pickup plate device so as to be selectable, and the plurality of substrate suction units are each provided in the corresponding sealed cavities. A plurality of annular closed passages are formed so as to be provided in a one-to-one correspondence with the plurality of substrate adsorption units, wherein the first end of the first closed passage communicates with the annular closed passage. The compressed gas is transported to the tangential hole of the corresponding substrate adsorption unit via the first closed passage and the annular closed passage.
選択可能に、前記ピックアッププレート装置の中心に排気機能を有するスルーホールが設けられる。 A through hole having an exhaust function is provided in the center of the pickup plate device so as to be selectable.
選択可能に、前記非接触式基板操作機器はさらにピックアップアームを含み、前記ピックアップアームの一端が前記ピックアッププレート装置に接続され、前記ピックアップアームの内部に通気管が設けられ、前記通気管が前記通気通路と連通し、それによって前記通気通路にガスを供給する。 Selectably, the non-contact substrate operating device further includes a pickup arm, one end of the pickup arm is connected to the pickup plate device, a ventilation pipe is provided inside the pickup arm, and the ventilation pipe is the ventilation. It communicates with the aisle, thereby supplying gas to the aisle.
選択可能に、前記通気通路の入り口と各前記基板吸着ユニットとの間の距離が等しく、それによってガスを各基板吸着ユニットの接線方向孔に均一に輸送する。 Selectably, the distance between the inlet of the ventilation passage and each of the substrate adsorption units is equal so that the gas is uniformly transported to the tangential holes of each substrate adsorption unit.
選択可能に、前記基板吸着ユニット内の前記空洞部が円筒状空洞部であり、同一の前記基板吸着ユニット内では、複数の前記接線方向孔が前記空洞部の最上部で前記空洞部と連通し、且つ複数の前記接線方向孔が同一高さに位置する。 Selectably, the cavity in the substrate adsorption unit is a cylindrical cavity, and within the same substrate adsorption unit, a plurality of tangential holes communicate with the cavity at the top of the cavity. Moreover, the plurality of tangential holes are located at the same height.
選択可能に、前記基板吸着ユニットの数は偶数であり、且つ隣接する2つの前記基板吸着ユニットによって前記空洞部内で形成される回転渦巻きの方向が反対である。 Selectably, the number of the substrate adsorption units is an even number, and the directions of the rotating swirls formed in the cavity by the two adjacent substrate adsorption units are opposite.
選択可能に、複数の前記基板吸着ユニットの空洞部の開口は円周方向に沿って前記ピックアッププレート装置の底部に均一に分布している。 Selectably, the openings of the cavities of the plurality of substrate suction units are uniformly distributed at the bottom of the pickup plate device along the circumferential direction.
本発明の第2態様として、エピタキシャルリアクタを提供し、非接触式基板操作機器を含み、前記非接触式基板操作機器は本発明が提供する上記非接触式基板操作機器であることを特徴とする。 A second aspect of the present invention is to provide an epitaxial reactor, including a non-contact substrate operating apparatus, wherein the non-contact substrate operating apparatus is the non-contact substrate operating apparatus provided by the present invention. ..
本発明の非接触式基板操作機器では、複数の基板吸着ユニットが均一に分布し、且つ圧縮ガスが各基板吸着ユニットに均一に輸送されることで、各基板吸着ユニットによって形成される持ち上げ力が同じであり、生成される回転力が相互に相殺でき、基板(又はウエハ)の自己回転、傾きの現象を除去し、機器の精度を向上させ、浮遊状態での基板ピックアンドプレース、基板搬送を実現し、基板のピックアンドプレース過程で基板搬送ツールが基板の表面に与える汚れ、押傷等の問題を効果的に回避し、製品の品質を向上させることができ、高温ガスによる外部気路及び機器等の破損を効果的に防止でき、高温での基板ピックアンドプレースを行うことができ、機器の降温冷却時間を短縮させ、機器の生産性を向上させる。 In the non-contact type substrate operating device of the present invention, a plurality of substrate adsorption units are uniformly distributed, and the compressed gas is uniformly transported to each substrate adsorption unit, so that the lifting force formed by each substrate adsorption unit is generated. It is the same, the generated rotational forces can cancel each other out, the phenomenon of self-rotation and tilt of the substrate (or wafer) is eliminated, the accuracy of the equipment is improved, and the substrate pick-and-place and substrate transfer in the floating state are performed. Realized, it is possible to effectively avoid problems such as dirt and scratches given to the surface of the substrate by the substrate transfer tool in the process of picking and placing the substrate, and improve the quality of the product. Damage to the equipment can be effectively prevented, substrate pick-and-place can be performed at high temperatures, the cooling time for cooling the equipment can be shortened, and the productivity of the equipment can be improved.
本発明の実施例の付加的な態様及び利点は以下の説明から部分的に与えられ、これらは以下の説明から明らかになり、又は本発明の実践によって把握される。 Additional aspects and advantages of the embodiments of the present invention are given in part from the following description, which will become apparent from the following description or will be grasped by practice of the present invention.
本発明の実施例又は従来技術における技術的解決手段をさらに明確に説明するために、以下、実施例又は従来技術の説明に使用される必要がある図面を1つずつ簡単に説明し、明らかなように、以下の説明における図面は単に本発明のいくつかの実施例であり、当業者にとっては、創造的な労働をしない前提の下で、これらの図面に基づきほかの図面を得ることもできる。 In order to more clearly explain the technical solutions in the examples or the prior art of the present invention, the drawings that need to be used in the description of the examples or the prior art will be briefly described and clarified below one by one. As such, the drawings in the following description are merely some embodiments of the present invention, and for those skilled in the art, other drawings may be obtained based on these drawings on the premise that no creative labor is carried out. ..
以下、図面を参照しながら本発明をさらに全面的に説明し、ここで、本発明の例示的な実施例を説明する。以下、本発明の実施例における図面と合わせて、本発明の実施例の技術的解決手段を明確かつ完全に説明し、明らかなように、説明される実施例は単に本発明の一部の実施例であり、すべての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をしない前提の下で得るすべてのほかの実施例はいずれも本発明の保護範囲に属する。以下、図及び実施例と合わせて本発明の技術的解決手段を様々な点から説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings, and here, exemplary embodiments of the present invention will be described. Hereinafter, the technical solutions of the embodiments of the present invention will be clearly and completely described together with the drawings in the embodiments of the present invention, and as is clear, the illustrated examples are merely partial embodiments of the present invention. It is an example, not all examples. Based on the embodiments of the present invention, all other embodiments obtained under the premise that those skilled in the art do not engage in creative labor belong to the scope of protection of the present invention. Hereinafter, the technical solution of the present invention will be described from various points with reference to the drawings and examples.
以下、説明の便宜上、以下に記載の「左」、「右」、「上」、「下」は図面自体の左、右、上、下の方向と一致する。 Hereinafter, for convenience of explanation, the "left", "right", "top", and "bottom" described below correspond to the left, right, top, and bottom directions of the drawing itself.
以下の「第1」、「第2」等は、説明上区別することのみに用いられ、且つほかの特殊の意味がない。 The following "first", "second", etc. are used only for distinguishing in the explanation, and have no other special meaning.
本発明の一態様として、図1〜5に示すように、本発明は非接触式基板操作機器を提供し、該非接触式基板操作機器はピックアッププレート装置、及び該ピックアッププレート装置の底面において設けられる複数の基板吸着ユニット(図1に示される実施形態では、複数の基板吸着ユニットは基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)を含み、ピックアッププレート装置及び複数の基板吸着ユニットは複数種の具体的な構造として実現できる。
As one aspect of the present invention, as shown in FIGS. 1 to 5, the present invention provides a non-contact type substrate operating device, and the non-contact type substrate operating device is provided on the pickup plate device and the bottom surface of the pickup plate device. A plurality of substrate adsorption units (in the embodiment shown in FIG. 1, the plurality of substrate adsorption units include the
図1に示すように、複数の基板吸着ユニット(基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)は中心対称に分布しており、且つ複数の基板吸着ユニットは同一円周上に分布している。本発明では、複数の基板吸着ユニットの対称中心を特に規定しないが、複数の基板吸着ユニットの対称中心がピックアッププレート装置の底面において位置すればよい。図1に示される具体的な実施形態では、複数の基板吸着ユニットの対称中心はピックアッププレート装置の底面の中心である。
As shown in FIG. 1, a plurality of substrate adsorption units (including the
各基板吸着ユニットはいずれも空洞部が設けられ、且つ各基板吸着ユニットの空洞部の側壁にいずれも複数の接線方向孔が設けられ、なお、接線方向孔は接線方向孔が設けられる基板吸着ユニットの空洞部の側壁内面と接する。 Each substrate suction unit is provided with a cavity, and each of the side walls of the cavity of each substrate suction unit is provided with a plurality of tangential holes, and the tangential holes are provided with tangential holes. In contact with the inner surface of the side wall of the cavity.
ピックアッププレート装置の内部に通気通路が設けられ、設計要件に応じて通気通路の具体的な配置方式を設けできる。ここで、図4に示すように、通気通路は通気通路の入り口を介して受けるガス(選択可能に、該ガスは圧縮ガスである)を、接線方向孔を介して対応する空洞部内に導入し、それによってガスが対応する空洞部内で回転渦巻きを形成することに用いられる。ピックアッププレート装置を含む非接触式基板操作機器を利用して基板を移す際に、各基板吸着ユニットの空洞部の開口の向きを同一にし(すなわち、いずれも基板を向く)、且つ各基板吸着ユニットの接線方向孔に圧縮ガスを注入し、回転渦巻きによって接線方向孔と対応する空洞部の開口との間で生じる圧力差(すなわち、負圧)を利用して基板を吸着する。 A ventilation passage is provided inside the pickup plate device, and a specific arrangement method of the ventilation passage can be provided according to the design requirements. Here, as shown in FIG. 4, the ventilation passage introduces a gas (selectably, the gas is a compressed gas) received through the entrance of the ventilation passage into the corresponding cavity through the tangential hole. , Thereby the gas is used to form a rotating swirl within the corresponding cavity. When transferring a substrate using a non-contact substrate operating device including a pickup plate device, the direction of the opening of the cavity of each substrate adsorption unit is the same (that is, both face the substrate), and each substrate adsorption unit. Compressed gas is injected into the tangential hole of the above, and the substrate is adsorbed by utilizing the pressure difference (that is, negative pressure) generated between the tangential hole and the opening of the corresponding cavity by the rotary swirl.
複数の基板吸着ユニットの空洞部の開口は円周方向に沿ってピックアッププレート装置の底部に均一に分布しており、それによって複数の基板吸着ユニットを利用して基板上に均一に分布する吸着点を形成し、それにより安定的な基板吸着を実現することができる。 The openings of the cavities of the plurality of substrate adsorption units are uniformly distributed at the bottom of the pickup plate device along the circumferential direction, whereby the adsorption points uniformly distributed on the substrate by utilizing the plurality of substrate adsorption units. Is formed, whereby stable substrate adsorption can be realized.
図2及び図3に示される具体的な実施形態を例とし、図2には、基板吸着ユニット102の空洞部が接線方向孔102−1と連通し、図3には、基板吸着ユニット103の空洞部が接線方向孔103−1と連通する。圧縮ガスが通気通路及び接線方向孔102−1と接線方向孔103−1を介してそれぞれ基板吸着ユニット102の空洞部内及び基板吸着ユニット103の空洞部内に導入され、且つそれぞれ基板吸着ユニット102の空洞部内、及び基板吸着ユニット103の空洞部内で回転渦巻きを形成し、回転渦巻きによって生じる圧力差を利用して基板を吸着する。基板は複数種の半導体ウエハ基板等であってもよい。
Taking the specific embodiment shown in FIGS. 2 and 3 as an example, FIG. 2 shows the cavity of the
1つの具体的な実施形態として、基板吸着ユニット(基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)は円筒状の空洞部が設けられ、空洞部の最上部で且つ同一高さに位置する箇所には、空洞部と連通する少なくとも2つの接線方向孔が設けられ、接線方向孔が対応する円筒状空洞部の内壁と接する。具体的には、図2に示される実施形態では、基板吸着ユニット102の空洞部の最上部に2つの接線方向孔102−1が設けられ、接線方向孔102−1が基板吸着ユニット102の空洞部の円筒状空洞部の内壁と接し、基板吸着ユニット103の空洞部の最上部に2つの接線方向孔103−1が設けられ、接線方向孔103−1が基板吸着ユニット103の空洞部の円筒状空洞部の内壁と接する。複数の基板吸着ユニット(複数の基板吸着ユニット102及び複数の基板吸着ユニット103を含む)は均一に分布しており、且つ基板吸着ユニットの総数は偶数であり、たとえば6、8個等である。隣接する2つの基板吸着ユニットの接線方向孔は左回り・右回りで交互に配列されてもよく、隣接する基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103によって空洞部内で形成される回転渦巻きの方向は異なり、それぞれ左回り回転渦巻き及び右回り回転渦巻き又はその逆である。
As one specific embodiment, the substrate suction unit (including the
図4に示すように、圧縮ガスは基板吸着ユニットの最上部から接線方向孔に沿って空洞部に入り、円筒状空洞部の壁面の拘束下で回転渦巻きを形成する。高速回転するガスは空洞部の中心領域のガスを回転させるように駆動し、遠心力作用によってそれを壁面に飛ばさせ、それによって空洞部の中心で負圧領域を発生させる。基板吸着ユニットの下方に置かれたシリコンウエハが負圧の作用によって垂直上向きの吸着力を受け、吸着過程を実現する。圧力の作用によって、ガスが螺旋状に下向きに運動し、基板吸着ユニットの底部で放射状を呈して排出され、それによってシリコンウエハの外周と吸盤との間でエアクッションを形成し、最終的に非接触基板吸着を実現する。基板吸着ユニットはベルヌーイの原理を利用して、回転渦巻きによって形成される低圧を使用して圧力差を発生させて持ち上げ力を実現し、単一の基板吸着ユニットによって形成される渦巻きがウエハ回転を招くことがあるため、基板吸着ユニットが中心回転対称分布を採用し、それらの間の回転力を平衡させることに用いられる。 As shown in FIG. 4, the compressed gas enters the cavity from the uppermost portion of the substrate adsorption unit along the tangential hole, and forms a rotating spiral under the restraint of the wall surface of the cylindrical cavity. The gas rotating at high speed drives the gas in the central region of the cavity to rotate, and causes it to fly to the wall surface by the action of centrifugal force, thereby generating a negative pressure region in the center of the cavity. The silicon wafer placed below the substrate suction unit receives a vertically upward suction force due to the action of negative pressure, and realizes the suction process. Due to the action of pressure, the gas spirals downwards and is discharged radially at the bottom of the substrate adsorption unit, thereby forming an air cushion between the outer circumference of the silicon wafer and the suction cups, and finally non-slip. Achieves contact substrate adsorption. The substrate suction unit uses Bernoulli's principle to generate a pressure difference using the low pressure formed by the rotating swirl to achieve lifting force, and the swirl formed by a single substrate suction unit rotates the wafer. Since it may be invited, the substrate suction unit adopts a central rotational symmetry distribution and is used to balance the rotational forces between them.
基板をさらに安定的に吸着するために、選択可能に、複数の基板吸着ユニットの空洞部の開口は円周方向に沿ってピックアッププレート装置の底部に均一に分布している。 In order to suck the substrate more stably, the openings of the cavities of the plurality of substrate suction units are uniformly distributed at the bottom of the pickup plate device along the circumferential direction.
一実施例では、通気通路は圧縮ガスを各基板吸着ユニットの接線方向孔に均一に輸送し、具体的には、圧縮ガスを各基板吸着ユニット102の接線方向孔102−1及び各基板吸着ユニット103の接線方向孔103−1に均一に輸送できる。
In one embodiment, the ventilation passage uniformly transports the compressed gas to the tangential holes of each substrate adsorption unit, and specifically, the compressed gas is uniformly transported to the tangential holes 102-1 of each
通気通路の入り口と各基板吸着ユニットとの間の距離が等しく、それによって圧縮ガスを各基板吸着ユニットの接線方向孔(具体的には、圧縮空気を基板吸着ユニット102の接線方向孔102−1及び基板吸着ユニット103の接線方向孔103−1に輸送する)に均一に輸送する。 The distance between the inlet of the ventilation passage and each substrate adsorption unit is equal, so that the compressed gas is tangentially holed in each substrate adsorption unit (specifically, the compressed air is tangentially hole 102-1 of the substrate adsorption unit 102). And to the tangential hole 103-1 of the substrate adsorption unit 103).
通気通路は複数種の具体的な構造として実現できる。たとえば、通気通路は複数の第1密閉通路105を含み、複数の第1密閉通路105は複数の基板吸着ユニット(基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)に1対1で対応して設けられる。複数の第1密閉通路105の第1端はそれぞれ対応する基板吸着ユニットの接線方向孔と連通し、複数の第1密閉通路105の第2端は相互に連通し、且つ複数の第1密閉通路105はピックアッププレート装置の底面の中心を中心に放射状を呈して分布している。圧縮ガスは第1密閉通路105の第2端を経由して導入され、且つ第1密閉通路105を介してそれに対応する基板吸着ユニットの接線方向孔に均一に輸送される。各第1密閉通路105の長さは同じであり、それによって通気通路の入り口と各基板吸着ユニットとの間の距離が等しいことを実現する。
The ventilation passage can be realized as a plurality of concrete structures. For example, the ventilation passage includes a plurality of first
本発明では、どのように第1密閉通路105にガスを供給するかを特に限定しない。選択可能に、通気通路はさらに第2密閉通路104を含む。第2密閉通路104はピックアッププレート装置の中心に位置し、第2密閉通路104の延伸方向(すなわち、軸線方向)はピックアッププレート装置の厚さ方向と一致する。理解すべきことは、第2密閉通路104の出口は通気通路の入り口であり、複数の第1密閉通路105の第2端はいずれも第2密閉通路104と連通し、それによって圧縮ガスを第2密閉通路104を経由して複数の第1密閉通路105に均一に分配する。
In the present invention, there is no particular limitation on how the gas is supplied to the first
本発明では、どのように第2密閉通路104にガスを供給するかを特に限定せず、選択可能に、通気通路はさらに第3密閉通路106を含み、該第3密閉通路106の一端の開口は通気通路の入り口として形成される。第3密閉通路106はピックアッププレート装置のエッジに位置し、第3密閉通路106の他端の開口は第2密閉通路104と連通する。第3密閉通路106の数は複数であってもよい。
In the present invention, how to supply the gas to the second
複数の基板吸着ユニットをピックアッププレート装置に設けし、且つピックアッププレート装置の通気通路を介して各基板吸着ユニットにガスを供給するために、選択可能に、ピックアッププレート装置内に複数の基板吸着ユニット(基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)に1対1で対応する複数の密閉空洞部が設けられる。複数の基板吸着ユニット(基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)はそれぞれ、それに対応する密閉空洞部内に設けられ、複数の基板吸着ユニット(基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を含む)に1対1で対応して設けられる複数の環状密閉通路130を形成する。ここで、第1密閉通路105の第1端は環状密閉通路130と連通し、それによって圧縮ガスを第1密閉通路105、及び環状密閉通路130を経由して対応する基板吸着ユニットの接線方向孔に輸送する。
A plurality of substrate adsorption units (multiple substrate adsorption units) can be selectively provided in the pickup plate apparatus in order to provide the pickup plate apparatus with a plurality of substrate adsorption units and to supply gas to each substrate adsorption unit through the ventilation passage of the pickup plate apparatus. The
図5に示すように、ピックアッププレート装置はベースプレート101及びアダプタープレート装置121を含み、ベースプレート101の底面はピックアッププレート装置の底面として形成され、アダプタープレート装置121は複数種の構造を採用できる。たとえば、アダプタープレート装置121はベースプレート101の該ベースプレート101の底面から離れた表面上に設けられ、アダプタープレート装置121はピックアッププレート装置の厚さ方向に沿って設けられるアダプターベースプレート110、中間プレート111及びトッププレート109を含む。アダプターベースプレート110の底面がベースプレート101に連結される。
As shown in FIG. 5, the pickup plate device includes a
アダプターベースプレート110、中間プレート111、及びベースプレート101の間に第3密閉通路106が形成され、中間プレート111、及びトッププレート109の間に第2密閉通路104が形成される。具体的には、第3密閉通路106はアダプターベースプレート110の底面において形成される第1凹溝、アダプターベースプレート110を貫通する第3密閉通路入り口、及びアダプターベースプレート110を貫通する第3密閉通路出口を含む。第3密閉通路入り口は第1凹溝と通気通路の入り口を連通し、ベースプレート101の一部は第1凹溝と対向して設けられ、それによって第1凹溝を密閉する。中間プレート111のアダプターベースプレート110と連結する位置の箇所に第2密閉通路入り口が形成される。第3密閉通路出口は第2密閉通路入り口と連通し、第2密閉通路104は中間プレート111内に形成され、トッププレート109は第2密閉通路104を密閉する。
A third
選択可能に、アダプタープレート121はさらに放射円板108を含み、該放射円板108は中間プレート111とベースプレート101との間に位置する。
Optionally, the
アダプタープレート121が放射円板108を含む実施形態では、第1密閉通路105は放射円板108、中間プレート111、及びベースプレート101の間に形成される。具体的には、ベースプレート101の上面において第2凹溝が形成され、中間プレート111のベースプレート101と連結する位置の箇所に第2密閉通路出口が形成され、放射円板108の一部は第2凹溝を密閉し、それによって第1密閉通路105を形成し、第2密閉通路出口は第1密閉通路105と第2密閉通路104を連通する。
In an embodiment in which the
選択可能に、ベースプレートの底部にバンプ101−1が設けられ、バンプ101−1は基板に対して位置決め及び制限を行うことに用いられる。 Bump 101-1 is optionally provided on the bottom of the base plate, which is used to position and limit the substrate.
本発明では、バンプ101−1の数を特に限定しないが、基板に対して位置決め及び限定を行えばよい。選択可能に、ベースプレートの底部に複数のバンプ101−1が設けられ、且つ複数のバンプ101−1がベースプレートの底面にその円周方向に沿って均一に分布している。該複数のバンプ101−1が同一円周上に均一に分布していることで、基板に対して位置決め及び制限をよりよく行う。 In the present invention, the number of bumps 101-1 is not particularly limited, but positioning and limitation may be performed on the substrate. A plurality of bumps 101-1 are provided on the bottom of the base plate so as to be selectable, and the plurality of bumps 101-1 are uniformly distributed on the bottom surface of the base plate along the circumferential direction. The plurality of bumps 101-1 are uniformly distributed on the same circumference to better position and limit the substrate.
選択可能に、ピックアッププレート装置の中心に排気機能を有するスルーホール107が設けられる。
A through
基板を移す際に、ピックアッププレート装置を移動する必要がある。本発明では、どのようにピックアッププレート装置を移動するかについて特に限定しない。選択可能に、非接触式基板操作機器はさらにピックアップアーム222を含んでもよく、該ピックアップアーム222の一端がピックアッププレート装置に接続される。ピックアップアーム222の内部に通気管が設けられ、通気管が通気通路と連通し、それによって通気通路にガスを供給する(選択可能に、ガスは圧縮ガスである)。上述したように、ピックアッププレート装置がベースプレート101及びアダプタープレート装置121を含む具体的な実施形態では、通気管の出口が第2密閉通路104と直接連通してもよい。
When moving the board, it is necessary to move the pickup plate device. In the present invention, there is no particular limitation on how the pickup plate device is moved. Optionally, the non-contact substrate operating device may further include a
以下、どのようにピックアップアーム222を介してピックアッププレート装置の基板吸着ユニット102、及び基板吸着ユニット103にガスを供給し、それによって基板の非接触式搬送を実現するかを説明する。ピックアップアーム222の内部に設けられる通気管を介して圧縮ガス源と繋がり、圧縮ガスが第3密閉通路106を介して第2密閉通路104内に入り、第2密閉通路104の中心孔を経由して第1密閉通路105に均一に入り、基板吸着ユニットが位置する環状密閉通路130に到達し、それによって各基板吸着ユニットの接線方向孔に入った気流をすべて同じにし、最終的に形成される持ち上げ力の大きさを同じにし、基板が傾きのまま吸着されることがない。それと同時に、複数の基板吸着ユニット102、103がセンタリングして均一に対称的に分布し、基板吸着ユニットの吸気口(すなわち、基板吸着ユニットの接線方向孔)も対称的に分布し、生じる回転力がいずれも相互に相殺するため、基板が回転することがなく、且つ、搬送過程における基板の位置決めを確保する。
Hereinafter, how to supply gas to the
本発明では、どのように複数の基板吸着ユニットをベースプレート101及びアダプタープレート装置121を有するピックアッププレート装置上に設けするかを特に限定しない。図1に示される具体的な実施形態では、基板吸着ユニット102、及び基板吸着ユニット103はアダプタープレート121の放射円板108とベースプレート101との間に嵌入され、且つ環状密閉通路130を形成する。
In the present invention, there is no particular limitation on how a plurality of substrate suction units are provided on the pickup plate device having the
以下、どのように基板吸着ユニット102及び基板吸着ユニット103を放射円板108とベースプレート101との間に嵌入するかを簡単に説明する。図5に示すように、放射円板108上に複数の第1収容孔が形成され、ベースプレート101上に複数の第2収容孔が設けられ、第1収容孔、第2収容孔及び基板吸着ユニットの三者は1対1で対応して設けられ、且つ第1収容孔は対応する第2収容孔と連通して密閉空洞部を形成し、対応する基板吸着ユニットは密閉空洞部内に収容される。環状密閉通路も基板吸着ユニットに1対1で対応し、且つ環状密閉通路は対応する第1収容孔と対応する第2収容孔との間に位置する。
Hereinafter, how the
基板吸着ユニットの最上部は対応する第1収容孔内に設けられ、基板吸着ユニットの中間部分は対応する環状密閉通路130内に位置し、基板吸着ユニットの底部は対応する第2収容孔内に設けられる。
The top of the substrate adsorption unit is provided in the corresponding first accommodating hole, the middle portion of the substrate adsorption unit is located in the corresponding annular
一実施例では、エピタキシャルリアクタを提供し、上記実施例のいずれかにおける非接触式基板操作機器を含む。 In one embodiment, an epitaxial reactor is provided and includes a non-contact substrate operating device in any of the above embodiments.
上記実施例が提供する非接触式基板操作機器は、基板吸着ユニットが均一に分布し、且つ圧縮ガスが各基板吸着ユニットに均一に輸送されることで、各基板吸着ユニットによって形成される持ち上げ力が同じであり、生成される回転力が相互に相殺でき、基板の自己回転、傾きの現象を除去し、機器の精度を向上させ、浮遊状態での基板ピックアンドプレース、基板搬送を実現し、基板のピックアンドプレース過程で基板搬送ツールが基板の表面に与える汚れ、押傷等の問題を効果的に回避し、製品の品質を向上させることができ、高温ガスによる外部気路及び機器等の破損を効果的に防止でき、高温での基板ピックアンドプレースを行うことができ、機器の降温冷却時間を短縮させ、機器の生産性を向上させる。 In the non-contact type substrate operating device provided by the above embodiment, the substrate adsorption units are uniformly distributed, and the compressed gas is uniformly transported to each substrate adsorption unit, so that the lifting force formed by each substrate adsorption unit is formed. Are the same, the generated rotational forces can cancel each other out, eliminate the phenomenon of self-rotation and tilt of the board, improve the accuracy of the equipment, realize board pick-and-place and board transfer in the floating state, It is possible to effectively avoid problems such as dirt and scratches given to the surface of the board by the board transfer tool in the process of picking and placing the board, and improve the quality of the product. Damage can be effectively prevented, the substrate can be picked and placed at high temperatures, the cooling time for cooling the equipment can be shortened, and the productivity of the equipment can be improved.
上記本発明に開示されているいずれかの技術的解決手段について、別途声明しない限り、それについて数値範囲が開示されている場合、開示されている数値範囲がいずれも好適な数値範囲であり、当業者であれば、好適な数値範囲は単に多くの実施可能な数値のうち技術的効果が比較的著しい又は代表性を有する数値であると理解すべきである。数値が比較的多く、一々列挙できないため、本発明は数値の一部を開示して本発明の技術的解決手段を例示的に説明し、且つ、上記列挙した数値は本発明の保護範囲に対する制限を構成すべきではない。 Unless otherwise stated, if any of the technical solutions disclosed in the present invention is disclosed, the disclosed numerical ranges are all suitable numerical ranges. Those skilled in the art should understand that a suitable numerical range is simply a numerical value having a relatively significant or representative technical effect among many feasible numerical values. Since the numerical values are relatively large and cannot be listed one by one, the present invention discloses a part of the numerical values to exemplify the technical solution of the present invention, and the above-listed numerical values are restrictions on the scope of protection of the present invention. Should not be configured.
それと同時に、上記本発明は相互に固定して接続される部品又は構造体を開示する又はそれらに関する場合、別途声明しない限り、固定接続を、取り外し可能な固定接続(たとえば、ボルト又はねじを使用して接続する)と理解してもよく、取り外し不能な固定接続(たとえば、リベット締め、溶接)と理解してもよく、勿論、相互な固定接続は一体式構造(たとえば、鋳造プロセスを使用して一体成形して製造される)によって代替されてもよい(明らかに一体成形プロセスを採用できない場合は除外)。 At the same time, the present invention discloses or relates to parts or structures that are fixedly connected to each other, unless otherwise stated, the fixed connection shall be a removable fixed connection (eg, using bolts or screws). Can be understood as non-removable fixed connections (eg, riveting, welding), and of course, mutual fixed connections using an integral structure (eg, using a casting process). It may be replaced by (manufactured by integral molding) (except if apparently the integral molding process cannot be adopted).
また、上記本発明に開示されているいずれかの技術的解決手段に応用される位置関係又は形状を示すための用語について、別途声明しない限り、その意味はそれと近似、類似する又は近い状態又は形状を含む。本発明が提供するいずれかの部材は複数の単独な構成部分を組み立ててなるものであってもよく、一体成形プロセスによって製造される単独な部材であってもよい。 Further, unless otherwise stated, the meaning of the term for indicating the positional relationship or shape applied to any of the technical solutions disclosed in the present invention is similar to, similar to, or similar to that of the term or shape. including. Any member provided by the present invention may be an assembly of a plurality of independent components, or may be a single member manufactured by an integral molding process.
以上の実施例は単に本発明の技術的解決手段を説明するためのものであり、それを制限せず、好ましい実施例を参照しながら本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、依然として本発明の具体的な実施形態を変更する又は技術的特徴の一部を同等置換することができると理解すべきであり、本発明の技術的解決手段の精神を逸脱しない限り、それらのすべては本発明が保護を要求する技術的解決手段の範囲に含まれる。 The above examples are merely for explaining the technical solution of the present invention, and the present invention has been described in detail with reference to preferred examples without limiting the present invention. It should be understood that specific embodiments of the present invention can still be modified or some of the technical features can be equivalently replaced, all of which are not deviating from the spirit of the technical solutions of the present invention. Is included in the scope of the technical solutions to which the present invention requires protection.
本発明の説明は例示及び説明のために与えられるものであり、本発明を漏れなく説明する又は開示されている形態に限定するのではない。多くの変更や変化は当業者にとって明らかなことである。実施例を選択して説明することは、本発明の原理及び実際の応用をよりよく説明し、且つ当業者が本発明を理解して特定の用途に適用できる各種の変更を有する各種の実施例を設計できるようにすることを目的とする。 The description of the present invention is provided for illustration and explanation purposes only, and the present invention is not limited to the forms described or disclosed without omission. Many changes and changes will be apparent to those skilled in the art. Selecting and describing Examples better describes the principles and practical applications of the present invention, and various examples with various modifications that can be applied to a particular application by those skilled in the art. The purpose is to be able to design.
101 ベースプレート
102 基板吸着ユニット
102−1 接線方向孔
103−1 接線方向孔
104 第2密閉通路
105 第1密閉通路
106 第3密閉通路
108 放射円板
111 中間プレート
121 アダプタープレート装置
130 環状密閉通路
222 ピックアップアーム
101
Claims (16)
複数の前記基板吸着ユニット(102,103)は中心対称に分布しており、各前記基板吸着ユニット(102、103)はいずれも空洞部が設けられ、且つ各前記基板吸着ユニット(102,103)はいずれも前記空洞部の側壁内面と接する複数の接線方向孔(102−1、103−1)が設けられ、
前記ピックアッププレート装置の内部に通気通路が設けられ、前記通気通路はすべての前記接線方向孔(102−1、103−1)と連通し、ここで、前記通気通路は前記通気通路の入り口を介して受けるガスを、前記接線方向孔(102−1、103−1)を介して対応する前記空洞部内に導入し、それによってガスが対応する前記空洞部内で回転渦巻きを形成し、且つ対応する前記空洞部の開口箇所で圧力差を形成して前記基板を吸着することに用いられることを特徴とする非接触式基板操作機器。 A non-contact substrate operating device, the non-contact substrate operating device includes a pickup plate device and a plurality of substrate suction units (102, 103) provided on the bottom surface of the pickup plate device.
The plurality of the substrate adsorption units (102, 103) are distributed symmetrically in the center, and each of the substrate adsorption units (102, 103) is provided with a cavity, and each of the substrate adsorption units (102, 103) is provided with a cavity. Are provided with a plurality of tangential holes (102-1, 103-1) in contact with the inner surface of the side wall of the cavity.
A ventilation passage is provided inside the pickup plate device, and the ventilation passage communicates with all the tangential holes (102-1, 103-1), where the ventilation passage passes through the entrance of the ventilation passage. The gas received is introduced into the corresponding cavity through the tangential holes (102-1, 103-1), whereby the gas forms a rotating swirl in the corresponding cavity and the corresponding cavity. A non-contact substrate operating device characterized in that it is used to attract the substrate by forming a pressure difference at an opening of a cavity.
前記アダプタープレート(121)は前記ピックアッププレート装置の厚さ方向に沿って設けられるアダプターベースプレート(110)、中間プレート(111)及びトッププレート(109)を含み、ここで、前記アダプターベースプレート(110)の底面が前記ベースプレート(101)に連結され、
前記第3密閉通路(106)は前記アダプターベースプレート(110)の底面において形成される第1凹溝、前記アダプターベースプレート(110)を貫通する第3密閉通路入り口、及び前記アダプターベースプレート(110)を貫通する第3密閉通路出口を含み、前記第3密閉通路入り口は前記第1凹溝と前記通気通路の入り口を連通し、前記ベースプレート(101)の一部は前記第1凹溝と対向して設けられ、それによって前記第1凹溝を密閉し、前記中間プレート(111)の前記アダプターベースプレート(110)と連結する位置の箇所に第2密閉通路入り口が形成され、前記第3密閉通路出口は前記第2密閉通路入り口と連通し、前記第2密閉通路(104)は前記中間プレート(111)内に形成され、前記トッププレート(109)は前記第2密閉通路(104)を密閉することを特徴とする請求項4に記載の非接触式基板操作機器。 The pickup plate device includes a base plate (101) and an adapter plate (121).
The adapter plate (121) includes an adapter base plate (110), an intermediate plate (111) and a top plate (109) provided along the thickness direction of the pickup plate device, wherein the adapter base plate (110). The bottom surface is connected to the base plate (101),
The third closed passage (106) penetrates the first concave groove formed on the bottom surface of the adapter base plate (110), the entrance of the third closed passage penetrating the adapter base plate (110), and the adapter base plate (110). The third closed passage entrance communicates with the first concave groove and the entrance of the ventilation passage, and a part of the base plate (101) is provided so as to face the first concave groove. A second closed passage entrance is formed at a position where the first concave groove is sealed and the intermediate plate (111) is connected to the adapter base plate (110), and the third closed passage outlet is the said. The second closed passage (104) is formed in the intermediate plate (111), and the top plate (109) seals the second closed passage (104) so as to communicate with the entrance of the second closed passage. The non-contact type board operating device according to claim 4.
前記ベースプレート(101)の上面において第2凹溝が形成され、前記中間プレート(111)の前記ベースプレート(101)と連結する位置の箇所に第2密閉通路出口が形成され、前記放射円板(108)の一部が前記第2凹溝を密閉し、それによって前記第1密閉通路(105)を形成し、前記第2密閉通路出口が前記第1密閉通路(105)と前記第2密閉通路(104)を連通することを特徴とする請求項5に記載の非接触式基板操作機器。 The adapter plate (121) further includes a radial disc (108), which is located between the intermediate plate (111) and the base plate (101), where.
A second concave groove is formed on the upper surface of the base plate (101), a second closed passage outlet is formed at a position of the intermediate plate (111) connected to the base plate (101), and the radiation disk (108). ) Seals the second concave groove, thereby forming the first closed passage (105), and the second closed passage outlet is the first closed passage (105) and the second closed passage (the second closed passage (105)). The non-contact type substrate operating device according to claim 5, wherein 104) is communicated with each other.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810864892.8A CN108987327A (en) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | Contactless substrate-operations equipment |
CN201821230434.0 | 2018-08-01 | ||
CN201821230434.0U CN208580730U (en) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | Contactless substrate-operations equipment |
CN201810864892.8 | 2018-08-01 | ||
PCT/CN2019/098611 WO2020024984A1 (en) | 2018-08-01 | 2019-07-31 | Non-contact substrate operating apparatus and epitaxial reactor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021528862A true JP2021528862A (en) | 2021-10-21 |
JP7144547B2 JP7144547B2 (en) | 2022-09-29 |
Family
ID=69231436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020572505A Active JP7144547B2 (en) | 2018-08-01 | 2019-07-31 | Non-contact substrate handling equipment and epitaxial reactor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7144547B2 (en) |
WO (1) | WO2020024984A1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270233A (en) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Mitsui Kozan Material Kk | Vacuum adsorbing device and adsorbing body for same |
CN201547334U (en) * | 2009-10-19 | 2010-08-11 | 丘玉辉 | One-way vacuum bleeder valve structure |
CN204271064U (en) * | 2014-12-01 | 2015-04-15 | 上海技美电子科技有限公司 | Wafer conveying robot |
CN204271057U (en) * | 2014-12-01 | 2015-04-15 | 上海技美电子科技有限公司 | Novel wafer conveying robot |
JP2016131188A (en) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 株式会社ディスコ | Transfer device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093864A (en) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | Semiconductor wafer fixing jig and method for manufacturing semiconductor device |
CN203134768U (en) * | 2013-01-06 | 2013-08-14 | 武汉电信器件有限公司 | Vacuum clamping device of semiconductor epitaxial wafer |
CN208580730U (en) * | 2018-08-01 | 2019-03-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Contactless substrate-operations equipment |
CN108987327A (en) * | 2018-08-01 | 2018-12-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Contactless substrate-operations equipment |
-
2019
- 2019-07-31 JP JP2020572505A patent/JP7144547B2/en active Active
- 2019-07-31 WO PCT/CN2019/098611 patent/WO2020024984A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270233A (en) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Mitsui Kozan Material Kk | Vacuum adsorbing device and adsorbing body for same |
CN201547334U (en) * | 2009-10-19 | 2010-08-11 | 丘玉辉 | One-way vacuum bleeder valve structure |
CN204271064U (en) * | 2014-12-01 | 2015-04-15 | 上海技美电子科技有限公司 | Wafer conveying robot |
CN204271057U (en) * | 2014-12-01 | 2015-04-15 | 上海技美电子科技有限公司 | Novel wafer conveying robot |
JP2016131188A (en) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 株式会社ディスコ | Transfer device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7144547B2 (en) | 2022-09-29 |
WO2020024984A1 (en) | 2020-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2015096819A1 (en) | Process chamber and semiconductor processing apparatus | |
TWI489585B (en) | Metal organic chemical vapor deposition equipment and its chamber components | |
WO2015096820A1 (en) | Process chamber and semiconductor processing apparatus | |
CN107641797A (en) | Chip is in groove between two parties to improve the azimuth thickness evenness of Waffer edge | |
JPH11354611A (en) | Tool for supporting plate-like substrate without contact | |
TWI678759B (en) | Non-contact substrate handling equipment | |
TWI686114B (en) | Wafer adsorption device and wafer bonding system | |
JP2021528862A (en) | Non-contact substrate operating equipment and epitaxial reactor | |
JP2001068541A (en) | Processed substrate tray | |
CN208580730U (en) | Contactless substrate-operations equipment | |
CN214313127U (en) | Film growth system, substrate tray and carrier ring assembly | |
TWI281903B (en) | Workpiece carrying device | |
TWI755439B (en) | Wafer chuck apparatus with micro-channel regions | |
WO2020024837A1 (en) | Device for operating substrate | |
WO2023174045A1 (en) | Film deposition device | |
TW202137365A (en) | Contaminant control in thermocompression bonding of semiconductors and associated systems and methods | |
CN110875167B (en) | Cooling chamber and semiconductor processing equipment | |
TW202335137A (en) | Vacuum adsorption system and method | |
JP2020031150A (en) | Vacuum chuck and manufacturing method thereof | |
WO2024060824A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
CN105921368A (en) | Three-cavity-layer type end cap special for vacuum suction piece mouth of spin coater tray | |
JP2004039978A (en) | Substrate holding device | |
TWI821766B (en) | Thin film growth systems and substrate tray and carrier ring elements | |
CN216528822U (en) | Wafer stage | |
TWI797651B (en) | Apparatus and equipment for automatic wafer rotation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7144547 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |