JP2021523553A - 勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムフィルム及びその製造方法 - Google Patents

勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムフィルム及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021523553A
JP2021523553A JP2020529303A JP2020529303A JP2021523553A JP 2021523553 A JP2021523553 A JP 2021523553A JP 2020529303 A JP2020529303 A JP 2020529303A JP 2020529303 A JP2020529303 A JP 2020529303A JP 2021523553 A JP2021523553 A JP 2021523553A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
ruddlesden
hybrid perovskite
precursor solution
spacer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020529303A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7032531B2 (ja
Inventor
剛 呉
剛 呉
小梅 連
小梅 連
傑煥 陳
傑煥 陳
紅征 陳
紅征 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Publication of JP2021523553A publication Critical patent/JP2021523553A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7032531B2 publication Critical patent/JP7032531B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

【課題】本発明は、有機−無機ハイブリッドペロブスカイト材料の分野に属し、勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム及びその製造方法を提供している。
【解決手段】このフィルムは、溶液スピンコート法により、2種類のスペーサーカチオンを含む前駆体溶液から堆積して得ることができる。このフィルムは、配向して成長した大きな結晶粒から構成され、品質が高く、良好なキャリア輸送特性を有し、かつその中の1種のスペーサーカチオンがフィルム表面に濃化する勾配構造特徴を有し、良好な耐湿安定性を得るのに有利である。これは溶液法で高性能のハイブリッドペロブスカイト光電気デバイスを製造することに非常に重要な意味を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は有機−無機ハイブリッドペロブスカイト材料の分野に属し、具体的には勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム及びその製造方法に関する。
近年三次元有機−無機ハイブリッドペロブスカイト材料の発展が急速に進んでおり、三次元有機−無機ハイブリッドペロブスカイト材料から製造される太陽電池の最大効率が23%を超えており、現在、研究においてペロブスカイト電池の安定性にますます注目している。2次元ペロブスカイトは、疎水性の良いスペーサーカチオンを含むため、3次元ペロブスカイト材料よりも優れた耐湿安定性を有する。
しかしながら、スペーサーカチオンは、2次元ペロブスカイト中に絶縁層を形成してキャリアの輸送を阻害する。しかも、スペーサーカチオンの存在は、結晶粒の成長も制限し、2次元ペロブスカイトフィルム中の結晶粒界の増加を招いて激しいキャリアの再結合をもたらし、ひいては光電気デバイスの性能を劣化させる。現在、スペーサーカチオン絶縁層によるキャリア輸送への阻害を回避する方法は、主に2次元ペロブスカイトフィルム中の結晶を基板に垂直する方向に配向して成長させることである。該方法の実現手段は主に高温(>100℃)ホットスピンコート、混合溶媒(例えばDMFとDMSOを混合したもの)の使用、及び揮発性添加剤(例えばチオシアン酸アンモニウム)の添加などが有る。上記の方法によって得られた2次元ペロブスカイトフィルムは、いずれも、スペーサーカチオンの分布が厚さ方向に沿って漸減するという特徴を有している。スペーサーカチオンの疎水性特性を考慮すると、該スペーサーカチオンがペロブスカイト表面における濃化がフィルムの耐湿安定性の向上に一層有利である。したがって、高い電荷輸送能を有するとともに、高い耐湿性を有する2次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムは、1. フィルムは、基板に垂直する方向に配向して成長した大きな結晶粒から構成される;2.スペーサーカチオンはその上面に濃化しており、濃度分布がフィルムの厚み方向に沿って下向きに漸減するという特徴を持つ必要がある。これまでに、依然として、上記構造の2次元ペロブスカイトフィルムを製造することができる方法がない。
本発明の目的は、従来技術に存在する上記問題を解決し、勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを提供することである。このフィルムは、配向して成長した大きな結晶粒から構成され、良好なキャリア輸送性を有し、かつその中に1種のスペーサーカチオンがフィルム表面に濃化する勾配構造特徴を有し、良好な耐湿安定性を得るのに有利である。
本発明は具体的に以下の技術案を提供する。
2種類のスペーサーカチオンを含む前駆体溶液から堆積して得られた勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムであって、前記の2種類のスペーサーカチオンは、第1種がn−ブチルアンモニウムであり、第2種がフェネチルアンモニウム、ベンジルアンモニウム、t−ブチルアンモニウム、イミダゾールアンモニウム、エチルピリジンアンモニウムまたはイソブチルアンモニウムであり、第2種のスペーサーカチオンがフィルム表面に濃化し、フィルムの厚さ方向に沿って下向きに漸減する濃度勾配を形成することを特徴とする、勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
なお、本発明において、ここで、前記n−ブチルアンモニウム、フェネチルアンモニウム、ベンジルアンモニウム、t−ブチルアンモニウム、イミダゾールアンモニウム、エチルピリジンアンモニウムまたはイソブチルアンモニウムは、いずれも対応する化合物のカチオンを意味する。
該技術案に基づいて、本発明はさらに以下の1種又は複数種の好ましい実施形態を提供することができる。なお、本発明における好ましい各実施形態の技術的特徴は、相互に矛盾しない限り、適宜組み合わせを行うことができる。
前記前駆体溶液において、n−ブチルアンモニウムと第2種のスペーサーカチオンとのモル比は、1:0.01〜0.3であることが好ましい。
前記前駆体溶液がメタンアミンヨウ化水素酸塩、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩、ヨウ化鉛及び有機溶媒の混合物であり、前記有機溶媒がホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミドの中の1種または複数種の混合物であることが好ましい。
さらに、前記前駆体溶液中に、ヨウ化鉛と有機溶媒との配合比率が50〜800mg:1mLである。
さらに、前記前駆体溶液中に、モル比で、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩:メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛が2:2:3、2:3:4、又は2:4:5である。
好ましくは、前記堆積の具体的な工程は、基板上に前駆体溶液をスピンコートして成膜し、焼鈍する工程である。
さらに、基板の温度が25℃〜70℃であり、前駆体溶液の温度が基板の温度と同一である。
さらに、焼鈍温度の範囲が70℃〜150℃であり、焼鈍時間の範囲が5分間〜20分間である。
さらに、前記基板は、PEDOT:PSS層がスピンコートされたITO付きガラス基板である。
本発明の他の目的は、勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムの製造方法を提供することである。該製造方法の工程は以下のとおりである。
まず、表面にPEDOT:PSS層をスピンコートしたITO付きガラス基板を用意する。
そして、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、ヨウ化鉛及び有機溶媒を混合して前駆体溶液を得る。前記前駆体溶液中に、2種類のスペーサーカチオンのうち、第1種がn−ブチルアンモニウムであり、第2種がフェネチルアンモニウム、ベンジルアンモニウム、t−ブチルアンモニウムまたはイソブチルアンモニウムであり、n−ブチルアンモニウムと第2種のスペーサーカチオンとのモル比が1:0.01〜0.3であり、ヨウ化鉛と有機溶媒との配合比が50〜800mg:1mLであり、前記有機溶媒がホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミドの中の1種または複数種の混合物であり、モル比で、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩:メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛が2:2:3、2:3:4、又は2:4:5である。
最後に、基板上に前駆体溶液をスピンコートして成膜し、焼鈍する。スピンコートする時に基板の温度が25℃〜70℃であり、スピンコート用の前駆体溶液の温度が基板の温度と同じであり、焼鈍温度の範囲が70℃〜150℃であり、焼鈍時間の範囲が5分間〜20分間である。
本発明は、2種類のスペーサカチオンを含むペロブスカイト前駆体溶液を用い、堆積により、配向して成長した大きな結晶粒から構成されるRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが得られ、良好なキャリア輸送能が得られる一方、2種類のスペーサカチオンのうち1種がフィルム表面に濃化して、厚み方向に沿って下向きに漸減する濃度勾配を形成でき、良好な耐湿安定性を得るのに有利である。これは溶液法で高性能のハイブリッドペロブスカイト光電気デバイスを製造することに非常に重要な意味を有する。
勾配構造を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムの横断面のSEM画像である。 フィルムにおけるフェネチルアンモニウムカチオンの分布の飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)によるデータを示すグラフであり、左側がフィルムの上面であり、右側がフィルムの下面である。 Ruddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが湿度50±5%の空気中に貯蔵され、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルの貯蔵時間(0日〜120日)による変化を示す図である。
勾配構造特徴を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムの製造過程は以下のとおりである。まず、ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。紫外線−オゾン処理を行った後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。2種類のスペーサーカチオンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、ヨウ化鉛及び有機溶媒を混合した。2種類のスペーサーカチオンのうち第1種がn−ブチルアンモニウムであり、第2種がフェネチルアンモニウム、ベンジルアンモニウム、t−ブチルアンモニウムまたはイソブチルアンモニウムであり、n−ブチルアンモニウムと第2種のスペーサーカチオンとのモル比が1:0.01〜0.3であり、ヨウ化鉛と有機溶媒との配合比が50〜800mg:1mLであり、有機溶媒がホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、またはその混合物であり、スペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩:メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛の比例(モル比)が2:2:3、2:3:4、又は2:4:5である。そして、基板上に前駆体溶液をスピンコートして成膜し、焼鈍した。基板の温度が25℃〜70℃であり、スピンコート用の前駆体溶液の温度が基板の温度と同じであり、焼鈍温度の範囲が70℃〜150℃であり、焼鈍時間の範囲が5分間〜20分間である。
以下に上記製造方法に基づき、以下の実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
[実施例1]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とN,N−ジメチルホルムアミドとの配合比が50mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+フェネチルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:2:3、n-ブチルアンモニウム:フェネチルアミン(イオンのモル比として)が1:0.01になるように、フェネチルアミンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してN,N−ジメチルホルムアミドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、25℃の前駆体溶液を採用して25℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、70℃で5分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を図1に示し、これは、このフィルムが厚さ方向に沿って配向して成長した大きな結晶粒から構成されることを示している。図2における飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)によるデータにより、ペロブスカイトフィルムにおける2種類のスペーサーカチオンの濃度分布が異なり、そのうちフェネチルアンモニウムカチオン即ちPEAが表面に濃化し、すなわちフィルム表面にPEA濃度が最大となり、厚さ方向に沿って下向きに漸減する濃度勾配を形成することを示している。図3における安定性試験からわかるように、このフィルムは、湿度50±5%の空気中に120日間保管した場合、フィルムのX線回折(XRD)のスペクトルがほとんど変化せず、良好な耐湿安定性を示した。
[実施例2]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とホルムアミドとの配合比が800mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+ベンジルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:4:5、n-ブチルアンモニウム:ベンジルアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.3になるように、ベンジルアミンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してホルムアミドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、30℃の前駆体溶液を採用して30℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、150℃で20分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)を考察したところ、得られたベンジルアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。フィルムの湿度50±5%の空気における120日間保管した安定性を考察したところ、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルは図3と類似しており、良好な耐湿安定性を示した。
[実施例3]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とジメチルスルホキシドとの配合比が400mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+t−ブチルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:3:4、n-ブチルアンモニウム:t-ブチルアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.2になるように、t−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してジメチルスルホキシドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、70℃の前駆体溶液を採用して70℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、100℃で15分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS) を考察したところ、得られたt-ブチルアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。フィルムの湿度50±5%の空気における120日間保管した安定性を考察したところ、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルは図3と類似しており、良好な耐湿安定性を示した。
[実施例4]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とN,N−ジメチルホルムアミド/ジメチルスルホキシドとの配合比が600mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+イソブチルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:4:5、n-ブチルアンモニウム:イソブチルアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.1になるように、イソブチルアミンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してN,N−ジメチルホルムアミド/ジメチルスルホキシドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、60℃の前駆体溶液を採用して60℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、90℃で10分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS) を考察したところ、得られたイソブチルアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。フィルムの湿度50±5%の空気における120日間保管した安定性を考察したところ、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルは図3と類似しており、良好な耐湿安定性を示した。
[実施例5]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とN,N−ジメチルホルムアミド/ホルムアミドとの配合比が300mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+イミダゾールヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:3:4、n-ブチルアンモニウム:イミダゾールアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.05になるように、イミダゾールヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してN,N−ジメチルホルムアミド/ホルムアミドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、50℃の前駆体溶液を採用して50℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、120℃で12分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、二次イオン質量分析(SIMS)を考察したところ、得られたイミダゾールアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。
[実施例6]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とジメチルスルホキシド/ホルムアミドとの配合比が600mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+ベンジルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:2:3、n-ブチルアンモニウム:エチルピリジンアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.25になるように、エチルピリジンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してジメチルスルホキシド/ホルムアミドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、65℃の前駆体溶液を採用して65℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、130℃で10分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)を考察したところ、得られたエチルピリジンアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。フィルムの湿度50±5%の空気における120日間保管した安定性を考察したところ、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルは図3と類似しており、良好な耐湿安定性を示した。
[実施例7]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とN,N−ジメチルホルムアミド/ジメチルスルホキシド/ホルムアミドとの配合比が700mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+t−ブチルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:4:5、n-ブチルアンモニウム:フェネチルアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.2になるように、t−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してN,N−ジメチルホルムアミド/ジメチルスルホキシド/ホルムアミドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、55℃の前駆体溶液を採用して55℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、140℃で20分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)を考察したところ、得られたt−ブチルアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。フィルムの湿度50±5%の空気における120日間保管した安定性を考察したところ、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルは図3と類似しており、良好な耐湿安定性を示した。
[実施例8]
ITO付きガラス基板を順に洗浄剤、アセトン、イソプロパノール、エタノールでそれぞれに5分間超音波洗浄した後、脱イオン水で濯いで乾燥する。乾燥されたITO付きガラス基板を紫外線−オゾン処理した後、スピンコート法で厚さ約25nmのPEDOT:PSS層を調製して、140℃で15分間ベークした後に取り出した。ヨウ化鉛とN,N−ジメチルホルムアミドとの配合比が200mg:1mL、(n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩+フェネチルアミンヨウ化水素酸塩):メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛(モル比)が2:3:4、n-ブチルアンモニウム:フェネチルアンモニウム(イオンのモル比として)が1:0.15になるように、フェネチルアミンヨウ化水素酸塩、n−ブチルアミンヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、及びヨウ化鉛を混合してN,N−ジメチルホルムアミドに溶解し、一晩攪拌して前駆体溶液を得た。溶液スピンコート法により、45℃の前駆体溶液を採用して45℃のPEDOT:PSS被覆ITO付きガラス基板上にスピンコートして成膜し、150℃で15分間焼鈍して、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムを得た。フィルムの横断面の形態を考察したところ、得られた走査型電子顕微鏡(SEM)写真は図1と類似しており、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)を考察したところ、得られたフェネチルアンモニウムの分布のデータは図2と類似している。図1及び図2により、高品質で勾配構造を有するRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムが形成されることを示している。フィルムの湿度50±5%の空気における120日間保管した安定性を考察したところ、フィルムのX線回折(XRD)スペクトルは図3と類似しており、良好な耐湿安定性を示した。

Claims (10)

  1. 2種類のスペーサーカチオンを含む前駆体溶液から堆積を行って得られた勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムであって、前記の2種類のスペーサーカチオンのうち第1種がn−ブチルアンモニウムであり、第2種がフェネチルアンモニウム、ベンジルアンモニウム、t−ブチルアンモニウム、イミダゾールアンモニウム、エチルピリジンアンモニウムまたはイソブチルアンモニウムであり、第2種のスペーサーカチオンがフィルム表面に濃化し、フィルムの厚さ方向に沿って下向きに漸減する濃度勾配を形成することを特徴とする、勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  2. 前記前駆体溶液中、n−ブチルアンモニウムと第2種のスペーサーカチオンとのモル比が1:0.01〜0.3であることを特徴とする、請求項1に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  3. 前記前駆体溶液がメタンアミンヨウ化水素酸塩、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩、ヨウ化鉛及び有機溶媒の混合物であり、前記有機溶媒がホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミドの中の1種または複数種の混合物であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  4. 前記前駆体溶液中、ヨウ化鉛と有機溶媒との配合比が50〜800mg:1mLであることを特徴とする、請求項3に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  5. 前記前駆体溶液中、モル比で、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩:メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛が2:2:3、2:3:4、又は2:4:5であることを特徴とする、請求項3に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  6. 前記堆積は、基板上に前駆体溶液をスピンコートして成膜し、焼鈍することであることを特徴とする、請求項1に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  7. スピンコートする時に基板の温度が25℃〜70℃であり、前駆体溶液の温度が基板の温度と同じであることを特徴とする、請求項6に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  8. 焼鈍温度の範囲が70℃〜150℃であり、焼鈍時間の範囲が5分間〜20分間であることを特徴とする、請求項6に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  9. 前記基板は、PEDOT:PSS層がスピンコートされたITO付きガラス基板であることを特徴とする、請求項6に記載の勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルム。
  10. まず、表面にPEDOT:PSS層をスピンコートしたITO付きガラス基板を用意し、
    そして、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩、メタンアミンヨウ化水素酸塩、ヨウ化鉛及び有機溶媒を混合して前駆体溶液を得、
    最後に、基板上に前駆体溶液をスピンコートして成膜し、焼鈍し、
    前記前駆体溶液中に、2種類のスペーサーカチオンのうち第1種がn−ブチルアンモニウムであり、第2種がフェネチルアンモニウム、ベンジルアンモニウム、t−ブチルアンモニウムまたはイソブチルアンモニウムであり、n−ブチルアンモニウムと第2種のスペーサーカチオンとのモル比が1:0.01〜0.3であり、ヨウ化鉛と有機溶媒との配合比が50〜800mg:1mLであり、前記有機溶媒がホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミドの中の1種または複数種の混合物であり、モル比で、2種類のスペーサーカチオンのヨウ化水素酸塩:メタンアミンヨウ化水素酸塩:ヨウ化鉛が2:2:3、2:3:4、又は2:4:5であり、
    スピンコートする時に基板の温度が25℃〜70℃であり、スピンコート用の前駆体溶液の温度が基板の温度と同じであり、焼鈍温度の範囲が70℃〜150℃であり、焼鈍時間の範囲が5分間〜20分間である
    ことを特徴とする、勾配構造特徴を持つRuddlesden−Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムの製造方法。
JP2020529303A 2019-04-11 2019-07-26 勾配構造特徴を持つRuddlesden-Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムフィルム及びその製造方法 Active JP7032531B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910289614.9 2019-04-11
CN201910289614.9A CN110212092B (zh) 2019-04-11 2019-04-11 梯度结构特征的二维Ruddlesden-Popper杂化钙钛矿薄膜及其制备方法
PCT/CN2019/098047 WO2020206872A1 (zh) 2019-04-11 2019-07-26 梯度结构特征的二维Ruddlesden-Popper杂化钙钛矿薄膜及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021523553A true JP2021523553A (ja) 2021-09-02
JP7032531B2 JP7032531B2 (ja) 2022-03-08

Family

ID=67785271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020529303A Active JP7032531B2 (ja) 2019-04-11 2019-07-26 勾配構造特徴を持つRuddlesden-Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムフィルム及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210167307A1 (ja)
JP (1) JP7032531B2 (ja)
CN (1) CN110212092B (ja)
WO (1) WO2020206872A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786815A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 香港大学深圳研究院 一种Ruddlesden-Popper钙钛矿膜及其制备方法和应用
CN111446371A (zh) * 2020-04-28 2020-07-24 上海南麟电子股份有限公司 基于二维钙钛矿单晶的太阳能电池及其制备方法
CN115148904B (zh) * 2022-05-23 2024-03-19 苏州大学 一种透明稳定的全无机金属卤素钙钛矿光电探测器及其制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106803538A (zh) * 2017-01-13 2017-06-06 浙江大学 垂直取向结构的二维有机‑无机杂化钙钛矿薄膜材料
CN106816532A (zh) * 2017-01-13 2017-06-09 浙江大学 基于有机‑无机杂化钙钛矿取向结晶薄膜的太阳电池
CN109560204A (zh) * 2018-11-22 2019-04-02 东莞理工学院 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和其应用

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102664273B (zh) * 2012-05-25 2014-06-25 南京工业大学 一种提高固体氧化物燃料电池阴极性能的方法
US20170229647A1 (en) * 2014-05-05 2017-08-10 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation System and method for fabricating perovskite film for solar cell applications
US10770239B1 (en) * 2016-07-01 2020-09-08 Triad National Security, Llc High-efficiency and durable optoelectronic devices using layered 2D perovskites
EP3659192B1 (en) * 2017-07-25 2023-02-22 IMEC vzw Layered hybrid organic-inorganic perovskite materials

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106803538A (zh) * 2017-01-13 2017-06-06 浙江大学 垂直取向结构的二维有机‑无机杂化钙钛矿薄膜材料
CN106816532A (zh) * 2017-01-13 2017-06-09 浙江大学 基于有机‑无机杂化钙钛矿取向结晶薄膜的太阳电池
CN109560204A (zh) * 2018-11-22 2019-04-02 东莞理工学院 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和其应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHAO LIANG ET AL.: ""Ruddlesden-Popper Perovskite for Stable Solar Cells"", ENERGY & ENVIRONMENTAL MATERIALS, vol. 1, JPN6021028869, 2018, pages 221 - 231, ISSN: 0004557374 *
YANI CHEN ET AL.: ""2D Ruddlesden-Popper Perovskites for Optoelectronics"", ADVANCED MATERIALS, vol. Vol.30, Article Number 1703487, JPN6021028871, 2018, pages 1 - 15, ISSN: 0004557373 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110212092A (zh) 2019-09-06
WO2020206872A1 (zh) 2020-10-15
CN110212092B (zh) 2020-12-08
JP7032531B2 (ja) 2022-03-08
US20210167307A1 (en) 2021-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7032531B2 (ja) 勾配構造特徴を持つRuddlesden-Popper型二次元ハイブリッドペロブスカイトフィルムフィルム及びその製造方法
JP7102022B2 (ja) 膜の厚さに鈍感な逆型厚膜の二次元ハイブリッドペロブスカイト太陽電池及びその製造方法
WO2018228022A1 (zh) 一种钙钛矿薄膜的制备方法
Arain et al. Elucidating the dynamics of solvent engineering for perovskite solar cells
CN108899420B (zh) 钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿太阳能电池器件
Ding et al. Surfactant enhanced surface coverage of CH3NH3PbI3− xClx perovskite for highly efficient mesoscopic solar cells
Liu et al. Chlorine-terminated MXene quantum dots for improving crystallinity and moisture stability in high-performance perovskite solar cells
CN108539025B (zh) 一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法
Xu et al. Highly‐Stable CsPbI3 Perovskite Solar Cells with an Efficiency of 21.11% via Fluorinated 4‐Amino‐Benzoate Cesium Bifacial Passivation
US11823849B2 (en) Efficient and stable inorganic lead-free perovskite solar cell and method for preparing the same
Hsieh et al. Effects of the additives n-propylammonium or n-butylammonium iodide on the performance of perovskite solar cells
CN114883493A (zh) 一种基于三维/二维钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Feng et al. Efficient and stable perovskite solar cells: The effect of octadecyl ammonium compound side-chain
KR101804173B1 (ko) BaSnO3 박막 및 이의 저온 제조 방법
KR101787083B1 (ko) 페로브스카이트 나노구조체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 페로브스카이트 나노구조체
WO2024031752A1 (zh) 钙钛矿薄膜、晶种辅助成膜方法、钙钛矿太阳能电池
CN114649482A (zh) 基于籽晶诱导生长钙钛矿薄膜的反式太阳能电池制备方法
KR101912735B1 (ko) BaSnO3 박막 및 이의 저온 제조 방법
JP6495392B2 (ja) 組成物
CN111628083B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池吸光层添加剂及其制备方法
KR102132803B1 (ko) 고속 결정화가 가능한 할로겐화물 페로브스카이트 박막 및 이의 제조방법
KR101450426B1 (ko) 칼코겐화물 흡수층용 나트륨 도핑 용액 및 이를 이용한 박막태양전지 제조방법
JP6473774B2 (ja) 組成物
JP6487409B2 (ja) 化合物
CN114665027A (zh) 一种基于4-乙炔基哌啶盐酸盐的钙钛矿太阳能电池钝化方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211027

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7032531

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150