JP2021510234A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- 第1の半導体層と、活性層と、第2の半導体層と、を含み、対応する第1の表面および第2の表面を具える発光エピタキシャル積層と、
前記発光エピタキシャル積層の第2の表面上に形成された光透過層と、
前記光透過層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された第1の金属層と、
前記第1の金属層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された第2の金属層と、を含む発光ダイオードであって、
前記第1の金属層および第2の金属層は、鏡面構造に構成され、前記発光エピタキシャル積層が発する光に対する第1の金属層の反射率をR1と定義し、前記発光エピタキシャル積層が発する光に対する第2の金属層の反射率をR2と定義し、前記発光エピタキシャル積層が発する光に対する第1の金属層および第2の金属層の複合反射率をR3と定義すると、R1<R2、且つ(R2−R3)/R2<4%である、ことを特徴とする、発光ダイオード。 - 前記発光エピタキシャル積層の発光波長は、360〜450nmである、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記発光エピタキシャル積層の発光波長は、385〜450nmであり、前記第1の金属層および第2の金属層の複合反射率は、90%以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記発光エピタキシャル積層の発光波長は、365〜450nmであり、前記第1の金属層および第2の金属層の複合反射率は、85%以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記光透過層は、絶縁材料層である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記光透過層の厚さは、5000オングストローム以下である、ことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の金属層は、未成膜の状態を呈す、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の金属層の厚さは、50オングストローム以下である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層の厚さは、100〜5000オングストロームのである、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の金属層は、アルミニウム層またはロジウム層であり、前記第2の金属層は、銀層である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層の縁は、前記発光エピタキシャル積層の縁を超える、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記発光エピタキシャル積層を上部と定義し、前記発光エピタキシャル積層の第2の表面より下の構成を下部と定義すると、前記下部は発光エピタキシャル積層の縁を超えた縁部を有し、前記縁部は上から下に少なくとも第1の絶縁層と、金属材料層と、第2の絶縁層と、を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層および前記絶縁層の間に形成されると共に、前記第2の金属層を覆う金属保護層を更に含み、前記縁部の金属材料層および前記金属保護層の材料が同じである、ことを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード。
- 前記縁部の金属材料層は、前記外縁部の最も外側にある、ことを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された導電連結層と、を更に含み、
前記発光エピタキシャル積層は、少なくとも1つの凹部を具え、該凹部が該発光エピタキシャル積層の第2の表面から第2の半導体層、活性層を通って、第1型の半導体層へ延伸し、前記光透過層は、絶縁材料である上、前記凹部の側壁を覆い、前記導電連結層は、前記凹部を充填して前記第1の半導体層と電気的に接続されるように形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記発光エピタキシャル積層を上部と定義し、前記発光エピタキシャル積層の第2の表面より下の構成を下部と定義すると、前記下部は発光エピタキシャル積層の縁を超えた縁部を有し、前記縁部は上から下に少なくとも光透過層と、金属材料層と、絶縁層と、を含む、ことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層および前記絶縁層の間に形成されると共に、前記第2の金属層を覆う金属保護層を更に含み、前記縁部の金属材料層および前記金属保護層の材料が同じである、ことを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオード。
- 第1の半導体層と、活性層と、第2の半導体層と、を含み、対応する第1の表面および第2の表面を有する発光エピタキシャル積層と、
前記発光エピタキシャル積層の第2の表面上に形成された光透過層と、
前記光透過層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された第1の導電層と、
前記第1の導電層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された第2の導電層と、を含む紫外発光ダイオードであって、
前記第1の導電層および第2の導電層は、鏡面構造に構成され、前記発光エピタキシャル積層が発する光に対する第1の導電層の反射率をR2と定義し、前記発光エピタキシャル積層が発する光に対する第2の導電層の反射率をR2と定義し、前記発光エピタキシャル積層が発する光に対する第1の導電層および第2の導電層の複合反射率をR3と定義すると、R1<R2、且つ(R2−R3)/R2<4%である、ことを特徴とする、紫外発光ダイオード。 - 前記光透過層は、絶縁材料層である、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記光透過層の厚さは、5000オングストローム以下である、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の導電層は、未成膜の状態を呈す、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の導電層の厚さは、50オングストローム以下である、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の導電層の厚さは、100〜5000オングストロームである、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の導電層は、アルミニウム層またはロジウム層であり、前記第2の導電層は、銀層である、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記発光エピタキシャル積層を上部と定義し、前記発光エピタキシャル積層の第2の表面より下の構成を下部と定義すると、前記下部は発光エピタキシャル積層の縁を超えた縁部を有し、前記縁部は上から下に少なくとも第1の絶縁層と、金属材料層と、第2の絶縁層と、を含む、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層および前記絶縁層の間に形成されると共に、前記第2の金属層を覆う金属保護層を更に含み、前記縁部の金属材料層および前記金属保護層の材料が同じである、ことを特徴とする請求項25に記載の発光ダイオード。
- 前記縁部の金属材料層は、前記外縁部の最も外側にある、ことを特徴とする請求項25に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記発光エピタキシャル積層から離れた表面上に形成された導電連結層と、を更に含み、
前記発光エピタキシャル積層は、少なくとも1つの凹部を有し、該凹部が該発光エピタキシャル積層の第2の表面から第2の半導体層、活性層を通って、第1型の半導体層へ延伸し、前記光透過層は、絶縁材料である上、前記凹部の側壁を覆い、前記導電連結層は、前記凹部を充填して前記第1の半導体層と電気的に接続されるように形成される、ことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。 - 前記発光エピタキシャル積層を上部とし、前記発光エピタキシャル積層の第2の表面より下の構成を下部と定義すると、前記下部は発光エピタキシャル積層の縁を超えた縁部を有し、前記縁部は上から下に少なくとも光透過層と、金属材料層と、絶縁層と、を含む、ことを特徴とする請求項28に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の金属層および前記絶縁層の間に形成されると共に、前記第2の金属層を覆う金属保護層を更に含み、前記縁部の金属材料層および前記金属保護層の材料が同じである、ことを特徴とする請求項29に記載の発光ダイオード。
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