JP2021509224A - 磁性コア、インダクター及びこれを含むemiフィルター - Google Patents

磁性コア、インダクター及びこれを含むemiフィルター Download PDF

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Abstract

本発明の一実施例によるインダクターは、トロイダル形状を有し、フェライトを含む第1磁性体と、第1磁性体の外周面又は内周面に配置される第2磁性体と、を含み、第2磁性体は第1磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含み、樹脂物質は、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第1樹脂物質と、複数層の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第2樹脂物質とを含む。【選択図】 図5

Description

本発明は、磁性コア、インダクター及びこれを含むEMIフィルターに関する。
インダクターは印刷回路基板上に適用される電子部品の一つであり、電磁気的特性によって共振回路、フィルター回路、パワー回路などに適用され得る。
一方、パワーボード内に適用されるEMI(Electro Magnetic Interference)フィルターは、回路動作に必要な信号は通過させ、雑音は除去する役割を担う。
図1は、EMIフィルターが適用された一般のパワーボードが電源と負荷に連結されているブロック図である。
図1に示すEMIフィルターのパワーボードから伝達される雑音の種類は、大きく、パワーボードから放射される30MHz〜1GHzの放射性雑音と、電源ラインを通じて伝導される150kHz〜30MHzの伝導性雑音とに区分できる。
伝導性雑音の伝達方式は、差動モード(differential mode)と共通モード(common mode)とに区分できる。このうち、共通モード雑音は、少ない量であっても、大きいループを描きながら戻ってくるため、遠く離れている電子機器にも影響を及ぼすことがある。このような共通モード雑音は配線系のインピーダンス不平衡によって発生することもあり、高周波環境であるほど著しくなる。
共通モード雑音を除去するために、図1に示すEMIフィルターに適用されるインダクターは、一般に、Mn−Zn系フェライト(Ferrite)素材を含むトロイダル(toroidal)状の磁性コアを使用する。Mn−Zn系フェライトは100kHz〜1MHzで透磁率が高いので、共通モード雑音を効果的に除去することができる。
図2は、一般のインダクター100を示す斜視図である。
図2を参照すると、インダクター100は、磁性コア110、及び磁性コア110上に巻線されたコイル120を含むことができる。
磁性コア110はトロイダル(toroidal)形状であり得、コイル120は、磁性コア110上に巻線された第1コイル122、及び第1コイル122に対向して巻線された第2コイル124を含むことができる。第1コイル122及び第2コイル124はそれぞれ、トロイダル状の磁性コア110の上面S1、側面S2及び下面S3に巻線され得る。
磁性コア110は、コイル120と絶縁するためのボビン(図示せず)をさらに含むことができ、コイル120は、表面が絶縁素材で被覆された導線からなり得る。
図3は、図2に示す磁性コアがボビンをさらに含む場合の分解斜視図であり、図4は、図3に示す磁性コアの工程斜視図である。
図3を参照すると、磁性コア110はボビン130に収容され得る。ボビン130は、上部ボビン132及び下部ボビン134を含むことができる。
次に、図4の(a)を参照すると、図3のように上部ボビン132、磁性コア110及び下部ボビン132が備えられた状態で下部ボビン132の底面に磁性コア110が配置され得る。その後、図4の(b)に示すように、図4の(a)に示した結果物に上部ボビン131が結合され得る。このとき、各構成要素は接着物質で互いに接着され得る。
上述したインダクターの性能改善のために、磁性コア110を異種物質で構成するなどの様々な努力が行われてきた。一例として、前述したようなMn−Zn系フェライト(Ferrite)素材を含むトロイダル(toroidal)状の磁性コアの表面の少なくとも一部にFe−Si系の金属リボンが配置され得る。ところが、金属リボンは高い磁性特性(すなわち、高い透磁率)を得るために高温(例えば、500℃〜600℃)の熱処理を伴うのが一般的である。しかしながら、高温の熱処理を経た金属リボンは、磁性特性は向上するが、強度が弱くなりすぎるため、小さい衝撃にも砕けやすい(Brittle)状態となり、製作工程において運送及び取扱が非常に難しく、結果として作業性の低下及び完成品の収率低下につながる問題点があった。
本発明が遂げようとする技術的課題は、磁性特性及び強度に優れた磁性コア部品とそれを含むインダクター及びEMIフィルターを提供することである。
一実施例によるインダクターは、トロイダル形状を有し、フェライトを含む第1磁性体と、第1磁性体の外周面又は内周面に配置される第2磁性体と、を含み、第2磁性体は、第1磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含み、樹脂物質は、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第1樹脂物質と、複数層の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第2樹脂物質とを含む。
例えば、第1磁性体はMn−Zn系フェライトを含み、第2磁性体はFe−Si系金属リボンを含み、第2樹脂物質は、第2磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に0%〜5%の領域及び95%〜100%の領域に配置され得る。
例えば、第1磁性体の直径方向の厚さは第2磁性体の直径方向の厚さよりも厚く、第2磁性体の直径方向の厚さは第1樹脂物質の直径方向の厚さよりも厚くてよい。
例えば、第1樹脂物質の厚さは20μm〜30μmであり得る。
例えば、第1樹脂物質層の高さは第2磁性体の高さよりも高くてよい。
例えば、第2樹脂物質は、複数層の層間空間に対して15%〜30%配置され得る。
例えば、第2樹脂物質は、複数層の層間空間に対して20%〜25%配置され得る。
実施例によるEMIフィルターは、インダクター及びキャパシターを含み、インダクターはトロイダル形状を有し、フェライトを含む第1磁性体と、第1磁性体の外周面又は内周面に配置される第2磁性体と、を含み、第2磁性体は、第1磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含むことができる。ここで、樹脂物質は、複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第1樹脂物質と、複数層の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第2樹脂物質とを含むことができる。
例えば、第1磁性体はMn−Zn系フェライトを含み、第2磁性体はFe−Si系金属リボンを含み、第2樹脂物質は、第2磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に0%〜5%の範囲及び95%〜100%の範囲に配置され得る。
例えば、第2樹脂物質の一部は、複数層の層間空間に対して15%〜30%配置され得る。
実施例によるインダクター及びそれを含むEMIフィルターは、巻き取られた複数層の金属リボン状の磁性コアが樹脂物質でコーティングされるので、強度が向上しながらも優れた磁性特性を有する。
EMIフィルターが適用された一般のパワーボードが電源と負荷に連結されたブロック図である。 一般のインダクターを示す斜視図である。 図2に示した磁性コアがボビンをさらに含む場合を示す分解斜視図である。 図3に示した磁性コアの工程斜視図である。 本発明の一実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。 図5の磁性コアの工程図である。 本発明のさらに他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。 本発明のさらに他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。 本発明のさらに他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。 フェライト素材及び金属リボン素材の透磁率及びインダクタンスを示すグラフである。 実施例によるエポキシコーティング液の希釈比率による層間空間のエポキシ比率を示す断面イメージである。 図12は、実施例によるサンプル測定領域を説明するための図である。 図13は、図12の各領域における測定結果である。 実施例によるインダクターを含むEMIフィルターの一例である。
本発明は様々な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示して説明するものとする。しかし、これは本発明を特定の実施形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物或いは代替物を含むものとして理解されるべきである。
第2、第1などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために用いることができるが、これらの用語によって前記構成要素が限定されるわけではない。これらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ用いられる。例えば、本発明の権利範囲を逸脱することなく第2構成要素は第1構成要素と命名されてもよく、同様に第1構成要素も第2構成要素と命名されてもよい。及び/又はという用語は、複数の関連した記載項目の組合せ又は複数の関連した記載項目のいずれかを含む。
一つの構成要素が他の構成要素に“連結され”ているか“接続され”ていると言及されたときには、他の構成要素に直接連結されていたり又は直接接続されていてもよいが、中間にさらに他の構成要素が存在してもよいと理解されるべきであろう。一方、一つの構成要素が他の構成要素に“直接連結され”ているか“直接接続され”ていると言及されたときには、中間にさらに他の構成要素が存在しないと理解されるべきであろう。
実施例の説明において、各層(膜)、領域、パターン又は構造が基板、各層(膜)、領域、パッド又はパターンの“上/上部(on)”に又は“下/下部(under)”に形成されるという記載は、直接に(directly)又は他の層を介在して形成される、いずれの場合をも含む。各層の上/上部又は下/下部に対する基準は、図面を基準に説明する。また、図面において各層(膜)、領域、パターン又は構造物の厚さや大きさは、説明の明確性及び便宜のために変形され得るので、実際の大きさを全的に反映するものではない。
本出願で使用した用語は単に特定の実施例を説明するために用いられたもので、本発明を限定しようとする意図のものではない。単数の表現は、文脈上で明白に言及しない限り、複数の表現も含む。本出願において、“含む”又は“有する”などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするもので、1つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加の可能性を前もって排除しないものではないと理解されるべきである。
特に定義されない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここに使われる全ての用語は、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。一般的に使われる辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈上における意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的な又は過度に形式的な意味で解釈されない。
以下、添付の図面を参照して実施例を詳細に説明するが、図面中、同一であるか或いは対応する構成要素には同一の参照番号を付与し、それに対する重複説明は省略するものとする。
本発明の一実施例によれば、磁性コアは、互いに異なる物質で構成された第1磁性体と第2磁性体を含むことができる。ここで、第2磁性体は第1磁性体の少なくとも一部の表面に配置されてよく、巻き取られた複数層の金属リボンを含むことができる。本実施例による第2磁性体は、巻き取られた複数層の金属リボンの熱処理後の強度弱化の問題を解消するために樹脂物質を含むことができる。樹脂物質は、巻き取られた複数層の金属リボンの外表面を覆う樹脂物質と、複数層の層間空間の少なくとも一部に配置された樹脂物質を含むことができる。ここで、層間空間とは、金属リボンが巻き取られることによって遠心方向に互いに隣接する2つのリボン層において、相対的に遠心から近い層の外周面と相対的に遠心から遠い層の内周面との間に形成された空間を意味できる。樹脂物質の形成方法と特性の詳細は後述するものとし、まず、図5〜図8を参照して本発明の実施例による異種の磁性体が磁性コアを構成する様々な形態を説明する。説明の便宜のために、図5〜図7で樹脂物質の図示は省略されている。
図5は、本発明の一実施例による磁性コアの斜視図及び断面図であり、図6は、図5の磁性コアの工程図であり、図7〜図9は、本発明の他の実施例による磁性コアの斜視図及び断面図である。
図5を参照すると、磁性コア800は、第1磁性体810及び第2磁性体820を含み、第1磁性体810及び第2磁性体820は異種であり、第2磁性体820は第1磁性体810の少なくとも一部の表面に配置され得る。このとき、第2磁性体820は第1磁性体810に比べて高い飽和磁束密度を有し得る。
ここで、第1磁性体810はフェライトを含み、第2磁性体820は金属リボンを含むことができる。ここで、フェライトの透磁率(μ)は2,000〜15,000であり得、金属リボンの透磁率(μ)は100,000〜150,000であり得る。例えば、フェライトはMn−Zn系フェライトであり得、金属リボンはFe系ナノ結晶質金属リボンであり得る。Fe系ナノ結晶質金属リボンは、Fe及びSiを含むナノ結晶質金属リボンであり得る。金属リボンの厚さは15μm〜20μmであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
このとき、第1磁性体810及び第2磁性体820はそれぞれトロイダル状であり、第2磁性体820は、第1磁性体810の外周面S2に配置される第2外側磁性体822、及び第1磁性体810の内周面S4に配置される第2内側磁性体824を含むことができる。
このとき、第2外側磁性体822及び第2内側磁性体824の厚さはそれぞれ第1磁性体810の厚さよりも薄い。第2外側磁性体822の厚さと第1磁性体810の厚さ間の比率及び第2内側磁性体824の厚さと第1磁性体810の厚さ間の比率の少なくとも一つを調節すれば、磁性コア800の透磁率を調節することができる。
このような磁性コアを製作するために、図6に示すように、2つの第2磁性体822,824をそれぞれ用意する。各第2磁性体822,824は複数層に巻き取られた金属リボンに樹脂物質が形成されたものであり得る。用意した第2磁性体822,824のうち、トロイダル状の第1磁性体810の内周面S4に対応する第2内側磁性体824は、第1磁性体810の中空に挿入され、第1磁性体810も外周面S2に対応する第2外側磁性体822の中空に挿入され得る。勿論、各第2磁性体の第1磁性体810への相対的な結合順序は変更されても構わない。
このとき、第1磁性体810の外周面S2と第2外側磁性体822、及び第1磁性体810の内周面S4と第2内側磁性体824は、接着剤によって接着され得る。このとき、接着剤は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂及びニスのうち少なくとも一つを含む接着剤であり得る。このように、接着剤を用いて異種の磁性体を接合させると、物理的な振動時にも性能低下が発生しなくなる。
ここで、第2磁性体822,824のそれぞれは、図5に示すように、複数回ワインディングされて複数層に積層された金属リボンを含むことができる。積層された金属リボンの層数によって第2磁性体822,824の厚さ及び透磁率が変わり、これによって磁性コア800の透磁率が変わり、磁性コア800が適用されたEMIフィルターのノイズ除去性能が変わり得る。
すなわち、第2磁性体822,824の厚さが大きいほどノイズ除去性能が高くなり得る。このような原理を用いて、コイルが巻線される領域に配置される第2磁性体822,824の厚さが、コイルが巻線されない領域に配置される第2磁性体822,824の厚さよりも厚くなるように、積層された金属リボンの層数を調節することができる。
金属リボンの層数はワインディング回数、ワインディング開始地点及びワインディング終了地点によって調節され得る。図5の(a)に示すように、第1磁性体810の外周面S2に配置された第2外側磁性体822を基準にワインディングの開始点と終了地点の関係を説明すると、次の通りである。勿論、第2外側磁性体822は、第1磁性体810と結合される前にワインディングの他に樹脂物質(図示せず)の形成も完了した状態であることは前述した通りであるが、説明の便宜のために、第1磁性体810の外周面の一地点を基準にワインディングが始まると仮定する。
金属リボンである第2外側磁性体822をワインディングする場合、ワインディング開始地点から1回ワインディングする場合、第2外側磁性体822は1層の金属リボンを含むことができ、ワインディング開始地点から2回ワインディングする場合、第2外側磁性体822は2層の金属リボンを含むことができる。一方、ワインディング開始地点とワインディング終了地点が互いに異なる場合、例えばワインディング開始地点から1.5回ワインディングする場合、第2外側磁性体822は、1層に金属リボンが積層された領域と2層に金属リボンが積層された領域を含むことになる。あるいは、ワインディング開始地点から2.5回ワインディングする場合、第2外側磁性体822は、2層に金属リボンが積層された領域と3層に金属リボンが積層された領域を含むことになる。この場合、積層された層数がより多い領域にコイルを配置すれば、本発明の実施例による磁性コア800が適用されたEMIフィルターのノイズ除去性能をより高めることができる。
例えば、磁性コア800がトロイダル状であり、磁性コア800上に第1コイル122及び第2コイル124が互いに対称に巻線される場合、第1磁性体810の外周面に配置される第2外側磁性体822の積層された層数が多い領域に第1コイル122を配置し、第1磁性体810の内周面に配置される第2内側磁性体824の積層された層数が多い領域に第2コイル124を配置することができる。これによって、第1コイル122及び第2コイル124はいずれも、第2磁性体822,824において積層された層数が多い領域に配置され、積層された層数が少ない領域には第1コイル122及び第2コイル124が配置されないので、高いノイズ除去性能を得ることができる。
第2外側磁性体822及び第2内側磁性体824が同一の素材及び厚さを有するとしているが、これに制限されるものではない。第2外側磁性体822及び第2内側磁性体824は互いに異なる素材又は互いに異なる透磁率を有してもよく、互いに異なる厚さを有してもよい。これによって、磁性コア800の透磁率は様々な範囲を有することができる。
一方、図7に示すように、第1磁性体810の高さh1が第2磁性体820の高さh2より高くてもよい。このために、第2磁性体820の製造工程で、第1磁性体810の高さh1よりも幅の短い金属リボンを巻き取ればいい。これによれば、第2外側磁性体822は第1磁性体810の上面S1と外周面S2間の境界及び第1磁性体810の下面S3と外周面S2間の境界に配置されなく、第2内側磁性体824は第1磁性体810の上面S1と内周面S4間の境界及び第1磁性体810の下面S3と内周面S4間の境界に配置されなくてすむ。これによって、第1磁性体810の上面S1と外周面S2間の境界、第1磁性体810の下面S3と外周面S2間の境界、第1磁性体810の上面S1と内周面S4間の境界、及び第1磁性体810の下面S3と内周面S4間の境界などで第2外側磁性体822のクラックを防止することができる。
或いは、図8に示すように、第2磁性体820が第1磁性体810の外周面S2にのみ配置されてもよく、図9に示すように、第2磁性体820が第1磁性体810の内周面S4にのみ配置されてもよい。
このように、磁性コア800が透磁率の異なる異種の磁性体を含めば、広範囲な周波数帯域のノイズ除去が可能である。特に、Mn−Zn系フェライトのみからなるトロイダル状の磁性コアに比べて、表面に磁束が集まる現象が防止されるので、高周波ノイズ除去効果が大きく、内部飽和度が低くなるので、高電力製品への適用が可能である。また、第1磁性体810及び第2磁性体820の透磁率、体積比などを調節すれば、磁性コア800の性能調節が可能である。
一方、図10を参照すると、周波数別透磁率が異なるフェライト素材と金属リボン素材を全て含む磁性コアは、所定の周波数領域でインダクタンスが高く現れ、これによって高いノイズ除去性能が得られることが分かる。
以上、実施例による第1磁性体と第2磁性体の相互配置関係について説明した。以下では、本発明の一実施例による第2磁性体の樹脂物質についてより詳細に説明する。
一実施例によれば、樹脂物質は、複数の層に巻き取られた金属リボンを熱処理し、熱処理結果物をコーティング液に含浸(dipping)後に乾燥させる方法で形成され得る。実施例によって、乾燥過程は、60°〜150°の環境で熱乾燥過程を含むことができる。
図8の(c)に示すように、第2磁性体820において樹脂物質Rは、巻き取られた金属リボンMRの外表面(上面、下面、内周面、外周面)に配置され、巻き取られた金属リボン同士間(図示せず)にも配置され得る。
一実施例によれば、コーティング液は、エポキシ樹脂と希釈剤が所定の比率に混合された混合液であり得る。希釈剤はエポキシ樹脂を溶解させ得るものであれば、特定成分に限定されない。次の表1〜表4に、エポキシ樹脂と希釈剤との比率を異ならせてインダクタンス減少率を測定した結果の一例を示す。
Figure 2021509224
Figure 2021509224
Figure 2021509224
Figure 2021509224
表1〜表4を参照すると、エポシ樹脂の比率が高いほどインダクタンス減少率が高く、希釈剤の比率が高いほどインダクタンス減少率が少ないことが分かる。具体的に、エポキシ樹脂と希釈剤の比率が5:5の場合、30%に近いインダクタンス減少率を示し、エポキシ樹脂と希釈剤の比率が3:7の場合、約15%に近いインダクタンス減少率を示した。ただし、エポキシ樹脂と希釈剤の比率が2:8の場合と1:9の場合のインダクタンス減少率はそれぞれ5.72%と4.7%であり、その差は大きくないが、比較的良好なインダクタンス減少率を示した。
次に、表5を参照して各希釈剤別強度を比較する。
Figure 2021509224
表5は、15層(turn)に巻き取られた金属リボンを熱処理後に、外周面の一地点を直径方向に加圧する時に破損が発生する外力をg単位で示したものである。表5を参照すると、コーティング液に含浸する前の金属リボンは、約70gの外力が加えられる時に破損するが、エポキシ樹脂と希釈液の比率によって約3倍から10倍以上の強度向上があることが分かる。
このような希釈比率別の強度向上の相異は、コーティング液(すなわち、含浸液)の希釈比率によるエポキシ樹脂の粘性差によって、含浸後に金属リボンを取り上げる際に金属リボンの外周に相対的に多量のエポキシが残る理由もあるが、含浸液中で巻き取られた金属リボンの複数層の層間空間に侵入したエポキシ樹脂の量も増加することに起因する。また、巻き取られた金属リボンの複数層の層間空間において乾燥過程でエポキシ樹脂の体積が膨脹して金属リボンに微細クラックが増加し、インダクタンス減少効果が発生することがある。これを、図11〜図13を参照して説明する。図示してはいないが、図11〜図13において、巻き取られたリボンの層間空間において樹脂物質が配置される位置は、第2磁性体820の全体高さを下面から上面までと定義するとき、下面から上面への方向に全体高さの0%〜5%の領域及び95%〜100%の領域に配置され得る。好ましくは、下面から上面への方向に全体高さの0%〜15%及び85%〜100%の領域に配置され得る。より好ましくは、下面から上面への方向に全体高さの0%〜30%及び70%〜100%の領域に配置され得る。下面から上面への方向に全体高さの31%〜69%の領域に配置される場合、強度向上及びインダクタンス減少率はわずかであり得る。
図11は、実施例によるエポキシコーティング液の希釈比率による層間空間のエポキシ比率を示す断面イメージである。図11では、15層(turn)に巻き取られた金属リボンを、希釈比率を個別にしたエポキシコーティング液に含浸した第2磁性体を円周方向に切断した後、断面を拡大したイメージである。また、図11で各イメージはいずれも下端が遠心方向であり、各希釈比率別に上段イメージは15層の金属リボンが全て示されたイメージであり、下段イメージは、5層の金属リボンだけが見られるようにさらに拡大したイメージであり、各下段イメージ中の円は、エポキシ樹脂が位置している領域を意味する。
図11を参照すると、エポキシと希釈剤の比率が1:9の場合、遠心方向に隣接したリボン層間の空間、すなわち、層間空間全体に対して約10%の割合でエポキシ樹脂が位置し、エポキシと希釈剤の比率が2:8の場合、約25%の割合でエポキシ樹脂が位置する。また、エポキシと希釈剤の比率が3:7の場合、層間空間全体に対して約30%の割合でエポキシ樹脂が位置し、エポキシと希釈剤の比率が5:5の場合、約50%の割合でエポキシ樹脂が位置する。
図11に見られるように、層間空間にエポキシ樹脂が占める比率によって強度が変わることが分かる。
以下では、表1〜表4のインダクタンス減少量と、表5の強度向上を総合的に比較する。
エポキシと希釈液の比率が5:5の場合、強度は最も高くなるが、インダクタンス減少率が高すぎ、また、エポキシと希釈液の比率が1:9の場合、インダクタンス減少率が最も低いが、強度の向上幅が低かった。
また、エポキシと希釈液の比率がそれぞれ2:8の場合と1:9の場合、インダクタンス減少率の面では類似の優秀性を示し、強度向上の面では、エポキシと希釈液の比率がそれぞれ2:8及び3:7の場合に、類似の優秀性を示した。
要するに、エポキシと希釈液の比率が2:8である場合、インダクタンス減少率は1:9である場合と類似な程度の優秀性を示し、強度は3:7の場合と類似な程度の優秀性を示したところ、最も好ましい比率であるといえる。
したがって、以下では、エポキシと希釈液の比率が2:8の場合、層間空間のエポキシ比率を、図12及び図13を参照してより具体的に説明する。
図12は、実施例によるサンプル測定領域を説明するための図であり、図13は、図12の各領域における測定結果である。
図12には、実施例による2:8の希釈比を有するコーティング液に含浸された後に乾燥した第2磁性体820の平面図を示す。層間空間のエポキシ比率を測定するために、1つの第2磁性体820がArea_1〜Area_4の4つの領域に分割され、それぞれの円周方向に切断された断面映像が撮影される。したがって、1つの第2磁性体サンプルに対して層間空間のエポキシ比率が4回測定され、5個のサンプルを用いて総20回の測定が行われた。
図13には、このような測定過程で撮影された一部サンプルのイメージを示す。図13は、15層(turn)に巻き取られた金属リボンを、2:8の希釈比率を有するエポキシコーティング液に含浸した第2磁性体を円周方向に切断した後、断面を拡大したイメージを示している。また、図13で、各イメージはいずれも下端が遠心方向であり、各上段イメージは下段のイメージが断面のどの部分に該当するかを示し、下段イメージは5層の金属リボンだけが見られるようにさらに拡大したイメージであり、各下段イメージ中の円は、エポキシ樹脂が位置している領域を意味する。
図13の(a)では、層間空間にエポキシ樹脂が15%の比率を占め、図13の(b)では20%、図13の(c)では25%、図13の(d)では30%の比率をそれぞれエポキシが占めることを示している。
要するに、希釈比が2:8の場合、層間空間のエポキシ比率は15%〜30%であるが、これは最大値と最小値を含む範囲であり、20回の測定結果は下表6の通りである。
Figure 2021509224
表6を参照すると、総20回の実験において、15%の場合が2回、20%の場合が4回、25%の場合が7回、30%の場合が3回とそれぞれ現れた。したがって、希釈比が2:8である場合、層間空間のエポキシ比率は15%〜30%、好ましくは20%〜25%、より好ましくは23%〜25%であり得る。また、図示してはいないが、第2磁性体の外側コーティング層の厚さは10μm〜40μmであり得、好ましくは20μm〜30μmであり得る。厚さが10μmよりも小さい場合、強度が低くなって金属リボンが破損することがあり、40μmよりも大きい場合、インダクタンス減少率が大きくなって性能が減少することがある。
一方、前述した実施例によるインダクターは、ラインフィルターに含まれ得る。例えば、ラインフィルターは交流/直流変換機(AC−to−DC converter)に適用される雑音低減用ラインフィルターであり得る。図14は、実施例によるインダクターを含むEMIフィルターの一例である。
図14を参照すると、EMIフィルター2000は、複数のX−キャパシタCx、複数のY−キャパシタCy及びインダクターLを含むことができる。
X−キャパシタCxは、ライブラインLIVEの第1端子P1とニュートラルラインNEUTRALの第3端子P3との間、及びライブラインLIVEの第2端子P2とニュートラルラインNEUTRALの第4端子P4との間にそれぞれ配置される。
複数のY−キャパシタCyは、ライブラインLIVEの第2端子P2とニュートラルラインNEUTRALの第4端子P4との間に直列に配置され得る。
インダクターLは、ライブラインLIVEの第1端子P1と第2端子P2との間、及びニュートラルラインNEUTRALの第3端子P3と第4端子P4との間に配置され得る。ここで、インダクターLは、前述した実施例によるインダクター100であり得る。
EMIフィルター2000は共通モード雑音が流入する時、一次側インダクタンス(Primary Inductance)とY−キャパシタCyの合成インピーダンス特性によって共通モード雑音を除去する。ここで、ライブラインLIVEの一次側インダクタンスは、第3及び第4端子P3,P4をオープン(Open)させた状態で第1及び第2端子P1,P2間のインダクタンスを測定して得ることができ、ニュートラルラインNEUTRALの一次側インダクタンスは、第1及び第2端子P1,P2をオープン(Open)させた状態で第3及び第4端子P3,P4間のインダクタンスを測定して得ることができる。
EMIフィルター2000は、差動モード雑音が流入する時、漏れインダクタンス(leakage Inductance)とX−キャパシタCxの合成インピーダンス特性によって差動モード雑音を除去する。ここで、ライブラインLIVEの漏れインダクタンスは、第3及び第4端子P3,P4を短絡(short)させた状態で第1及び第2端子P1,P2間のインダクタンスを測定して得ることができ、ニュートラルラインNEUTRALの漏れインダクタンスは、第1及び第2端子P1,P2を短絡させた状態で第3及び第4端子P3,P4間のインダクタンスを測定して得ることができる。
実施例によるEMIフィルター2000のインダクターが前述した実施例によるインダクターに該当する。
前述した実施例のそれぞれに対する説明は、互いに内容が相反しない限り、他の実施例に対しても適用可能である。
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示で、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で以上に例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できよう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形して実施できるものである。そして、このような変形及び応用に関係する差異点は、添付する特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されるべきであろう。

Claims (10)

  1. トロイダル形状を有し、フェライトを含む第1磁性体と、
    前記第1磁性体の外周面又は内周面に配置される第2磁性体と、
    を含み、
    前記第2磁性体は、前記第1磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含み、
    前記樹脂物質は、
    前記複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第1樹脂物質と、
    前記複数層の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第2樹脂物質とを含む、インダクター。
  2. 前記第1磁性体はMn−Zn系フェライトを含み、前記第2磁性体はFe−Si系金属リボンを含み、
    前記第2樹脂物質は、前記第2磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に0%〜5%の領域及び95%〜100%の領域に配置されている、請求項1に記載のインダクター。
  3. 前記第1磁性体の直径方向の厚さは、前記第2磁性体の直径方向の厚さよりも厚く、
    前記第2磁性体の直径方向の厚さは、前記第1樹脂物質の直径方向の厚さよりも厚い、請求項1に記載のインダクター。
  4. 前記第1樹脂物質の厚さは、20μm〜30μmである、請求項3に記載のインダクター。
  5. 前記第1樹脂物質層高さは、前記第2磁性体の高さよりも高い、請求項3に記載のインダクター。
  6. 前記第2樹脂物質は、前記複数層の層間空間に対して15%〜30%配置されている、請求項1に記載のインダクター。
  7. 前記第2樹脂物質は、前記複数層の層間空間に対して20%〜25%配置されている、請求項6に記載のインダクター。
  8. インダクターと、
    キャパシタと、
    を含み、
    前記インダクターは、
    トロイダル形状を有し、フェライトを含む第1磁性体と、
    前記第1磁性体の外周面又は内周面に配置される第2磁性体と、を含み、
    前記第2磁性体は、前記第1磁性体の円周方向に沿って巻かれている複数層の金属リボン及び樹脂物質を含み、
    前記樹脂物質は、
    前記複数層の金属リボンの外表面を覆うように配置された第1樹脂物質と、
    前記複数層の層間空間のうち少なくとも一部に配置された第2樹脂物質と、を含む、EMIフィルター。
  9. 前記第1磁性体はMn−Zn系フェライトを含み、前記第2磁性体はFe−Si系金属リボンを含み
    前記第2樹脂物質は、前記第2磁性体の全体高さに対して下面から上面への方向に0%〜5%の領域及び95%〜100%の領域に配置されている、請求項8に記載のEMIフィルター。
  10. 前記第2樹脂物質の一部は、前記複数層の層間空間に対して15%〜30%配置されている、請求項9に記載のインダクター。
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