JP2021503182A - 半導体回路接続用接着剤組成物およびこれを含む接着フィルム - Google Patents

半導体回路接続用接着剤組成物およびこれを含む接着フィルム Download PDF

Info

Publication number
JP2021503182A
JP2021503182A JP2020526595A JP2020526595A JP2021503182A JP 2021503182 A JP2021503182 A JP 2021503182A JP 2020526595 A JP2020526595 A JP 2020526595A JP 2020526595 A JP2020526595 A JP 2020526595A JP 2021503182 A JP2021503182 A JP 2021503182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
group
adhesive film
semiconductor
chemical formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020526595A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6983461B2 (ja
Inventor
ジュ・ヒョン・キム
ジュンハク・キム
スンヒ・ナム
クワン・ジュ・イ
Original Assignee
エルジー・ケム・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・ケム・リミテッド filed Critical エルジー・ケム・リミテッド
Priority claimed from PCT/KR2019/004651 external-priority patent/WO2019203572A1/ko
Publication of JP2021503182A publication Critical patent/JP2021503182A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6983461B2 publication Critical patent/JP6983461B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/56—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms
    • C07D233/58—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/068—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing glycidyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09J161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J171/00—Adhesives based on polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J171/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C09J171/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C09J171/12—Polyphenylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/06—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2333/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2371/00—Characterised by the use of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Derivatives of such polymers
    • C08J2371/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08J2371/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08J2371/12—Polyphenylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2433/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2433/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2433/06—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2433/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2463/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2471/00—Characterised by the use of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Derivatives of such polymers
    • C08J2471/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08J2471/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08J2471/12—Polyphenylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3445—Five-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075—Plural core members
    • H01L2224/1308—Plural core members being stacked
    • H01L2224/13082—Two-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/271—Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29313—Bismuth [Bi] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/2932—Antimony [Sb] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/2937—Zirconium [Zr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H01L2224/81204—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding with a graded temperature profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/818 - H01L2224/81904
    • H01L2224/81907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H01L2224/83204—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding with a graded temperature profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83885—Combinations of two or more hardening methods provided for in at least two different groups from H01L2224/83855 - H01L2224/8388, e.g. for hybrid thermoplastic-thermosetting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211—Parallel connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/066—Phenolic resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/38—Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/381—Pitch distance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本発明は、熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および特定構造の化合物を含む半導体接着用樹脂組成物とこれを利用して製造される半導体用接着フィルム（ＡＤＨＥＳＩＶＥ ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮ ＦＯＲ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＣＩＲＣＵＩＴ ＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮ ＡＮＤ ＡＤＨＥＳＩＶＥ ＦＩＬＭ ＣＯＮＴＡＩＮＩＮＧ ＴＨＥ ＳＡＭＥ）に関する。

Description

関連出願との相互引用
本出願は、２０１８年４月１７日付韓国特許出願第１０−２０１８−００４４６５４号および２０１９年４月１５日付韓国特許出願第１０−２０１９−００４３９３１号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として組み含まれる。
本発明は、半導体回路接続用接着剤組成物および半導体用接着フィルムに関する。
最近、電子機器の小型化、高機能化、大容量化の傾向が拡大し、これによる半導体パッケージの高密度化、高集積化に対する必要性が急激に増大することに伴い、半導体チップのサイズが漸次に大きくなり、集積度の側面でも改善するためにチップを多段積層するスタックパッケージ方法が漸次に増加している。
また、最近はシリコン貫通電極（ＴＳＶ）を利用した半導体が開発され、バンプ（Ｂｕｍｐ）接合を通じた信号伝達が行われている。このようなバンプ接合のために、主に熱圧着ボンディング技術が適用されているが、この時、熱圧着ボンディング技術で接着剤が有する熱に対する硬化特性がパッケージ製造加工性およびパッケージ信頼度に影響を与える。
各ＴＳＶ層間を充填する接着剤としてペースト（Ｐａｓｔｅ）形態の非導電性ペースト（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ、ＮＣＰ）が開発されたが、バンプ（Ｂｕｍｐ）のピッチ（Ｐｉｔｃｈ）が狭くなり、漸次に充填が難しくなるという問題点があり、これを克服するためにフィルムの形態に実現された非導電性フィルム（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ、ＮＣＦ）が開発されている。
バンプ接合のための熱圧着ボンディングの際に接着剤は高温で硬化が急激に行われなければならず、常温では硬化が抑制されて保管安定性が良好でなければならない。このような接着剤には硬化度の調節のために触媒が重要な役割を果たすようになり、そのための熱潜在性触媒（ａ ｔｈｅｒｍａｌｌｙ−ｌａｔｅｎｔ ｃａｔａｌｙｓｔ）に対する開発が行われている。
本発明は、熱圧着ボンディングの際に高温下で短時間内に硬化可能であると共に、常温下での優れた保管安定性を有する半導体回路接続用接着剤組成物を提供するものである。
また、本発明は、前記半導体回路接続用接着剤組成物を含む接着フィルムを提供するものである。
本明細書では、熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および下記化学式１の化合物を含む、半導体接着用樹脂組成物が提供される。
Figure 2021503182
前記化学式１で、Ｒ１は水素、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒ２は水素結合可能な作用基を含む有機作用基であり、Ｒ３は水素、ハロゲン、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、ｎはＲ３の置換数であって、１乃至４である。
より具体的に、前記化学式１で、Ｒ１は水素またはベンゼン基であり、Ｒ２はヒドロキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、ホルミル基、またはアミン基でありうる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、前記熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および前記化学式１の化合物の総和１００重量部に対して、前記化学式１の化合物０．１乃至１５重量部を含むことができる。
前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴムおよび（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された一つ以上の高分子樹脂を含むことができる。
前記熱硬化性樹脂は、固体状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上を含むことができる。
前記硬化剤は、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができる。
また、本明細書では、前述した半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルムが提供される。
本発明によれば、熱圧着ボンディングの際に高温下で短時間に硬化可能であると共に、常温下での優れた保管安定性を有する半導体回路接続用接着剤組成物および半導体用接着フィルムが提供され得る。
以下、発明の具体的な実施形態の半導体回路接続用接着剤組成物および半導体用接着フィルムについてより詳細に説明する。しかし、下記の実施例は発明を例示するためのものに過ぎず、発明をこれらだけに限定するものではない。
発明の一実施形態によれば、熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および下記化学式１の化合物を含む半導体接着用樹脂組成物が提供され得る。
Figure 2021503182
前記化学式１で、Ｒ１は水素、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒ２は水素結合可能な作用基を含む有機作用基であり、Ｒ３は水素、ハロゲン、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、ｎはＲ３の置換数であって、１乃至４である。
本発明者らは、半導体素子の接着またはパッケージングに用いることができる成分に対する研究を進行して、前記化学式１の化合物を含む組成物または接着フィルムが半導体回路接続のための素材として適用されて、熱圧着ボンディングの際に高温下で短時間内に硬化可能であると共に、常温下での優れた保管安定性を有するという点を実験を通じて確認して発明を完成した。
具体的に、前記化学式１の化合物は、Ｒ２に水素結合可能な作用基を含む有機作用基を含み、水素結合が形成される常温では触媒の非活性化を通じて硬化反応を遅延させることができ、熱圧着ボンディングの際に硬化温度以上では水素結合が切れ、触媒が活性化され得る。そのために、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物が高温で速い速度で硬化する特性と常温で長期間の保管安定性を有することができる。
前述のように、前記化学式１で、Ｒ１は水素、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｒ２は水素結合可能な作用基を含む有機作用基であり、Ｒ３は水素、ハロゲン、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、ｎはＲ３の置換数であって、１乃至４でありうる。より具体的に、前記化学式１で、Ｒ１は水素またはベンゼン基であり、Ｒ２はヒドロキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、ホルミル基、またはアミン基でありうる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、前記熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および前記化学式１の化合物の総和１００重量部に対して、前記化学式１の化合物０．１乃至１５重量部、または０．５乃至１０重量部を含むことができる。
前記熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および前記化学式１の化合物の総和１００重量部に対して、前記化学式１の化合物の重量が過度に低ければ、硬化反応が行われ難いため、硬化度が確保されないか、反応温度区間が広く示されて特定温度で急速に硬化する速硬化特性を失う虞がある。
前記熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および前記化学式１の化合物の総和１００重量部に対して、前記化学式１の化合物の重量が過度に高ければ、常温でも一部触媒が活性化されて反応が行われ得るため、フィルムの保管安定性が確保されない虞がある。
一方、発明の実施形態によれば、前記半導体回路接続用接着剤組成物は、前述した化学式１の化合物以外に、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および無機充填材をさらに含むことができる。
また、前記半導体回路接続用接着剤組成物は、前述した化学式１の化合物以外に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、硬化剤、および無機充填材をさらに含むことができる。
前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物に含まれる前記熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、硬化剤としては、半導体回路接続用接着剤組成物の分野で知られた通常の成分が適用され得る。
前記熱硬化性樹脂の例が大きく限定されるのではなく、例えば前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましく適用され得る。
具体的に、前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ビフェニル系エポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂、フェノールノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、トリスヒドロキシルフェニルメタン系エポキシ樹脂、テトラフェニルメタン系エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上でありうる。
ここで、前記ビスフェノール系エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
非制限的な例として、前記熱硬化性樹脂として２種のエポキシ樹脂が適用される場合、１０乃至３５℃下で液状であるエポキシ樹脂と１０乃至３５℃下で固体状であるエポキシ樹脂を１：０．１乃至１：５の重量比で混合して用いることができる。
この時、前記固体状であるエポキシ樹脂の含有量が前記液状であるエポキシ樹脂に対して０．１重量比未満であれば、ダイアタッチ工程時に樹脂が多量に流れ出て汚染を誘発することがあり、接着層の粘りが強いため、ピックアップ特性が顕著に低下することがある。反面、前記固体状であるエポキシ樹脂の含有量が前記液状であるエポキシ樹脂に対して５．０重量比を超えれば熱可塑性樹脂との相溶性、反応性の側面で不利になり得る。
そして、前記エポキシ樹脂は、５０℃乃至１００℃の軟化点を有するビフェニル系エポキシ樹脂と共に５０℃乃至１００℃の軟化点を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂および５０℃乃至１００℃の軟化点を有するビスフェノールＡエポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上のエポキシ樹脂をさらに含むことができる。
この時、前記エポキシ樹脂は、５０℃乃至１００℃の軟化点を有するビフェニル系エポキシ樹脂に対して、前記５０℃乃至１００℃の軟化点を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂および５０℃乃至１００℃の軟化点を有するビスフェノールＡエポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上のエポキシ樹脂を０．２５乃至１．２５、または０．３乃至１．１の重量比で含むことができる。
前記エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００の平均エポキシ当量を有することができる。前記平均エポキシ当量は、前記エポキシ樹脂に含まれるそれぞれのエポキシ樹脂の重量比率およびエポキシ当量に基づいて求めることができる。
前記熱可塑性樹脂もその種類が大きく限定されるのではなく、例えばポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴムおよび（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された一つ以上の高分子樹脂を含むことができる。
好ましくは、前記熱可塑性樹脂として、−１０乃至３０℃のガラス転移温度および２００，０００乃至１，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する（メタ）アクリレート系樹脂が適用され得る。
前記アクリル系樹脂は、エポキシ基含有アクリル共重合体であって、全体重量中のグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを１乃至２５重量％、あるいは２乃至２０重量％、あるいは２．５乃至１５重量％含むことができる。
ここで、前記（メタ）アクリレート系樹脂内のエポキシ基含有量が１重量％未満である場合、エポキシ樹脂との相溶性と接着力が十分でなく、２５重量％を超えれば硬化による粘度上昇速度が過度に速くて半導体素子の熱圧着工程でソルダバンプの接合および埋め込みが十分になされないことがある。
前記熱可塑性樹脂は、接着フィルム製造時に組成物の流れ性の制御などを考慮して、前記熱硬化性樹脂１００重量部を基準に１０乃至１，５００重量部で含まれ得る。
前記硬化剤としては、前記熱硬化性樹脂の硬化剤の役割を果たすことができると知られた化合物を用いることができる。より具体的に、前記硬化剤は、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物を含むことができる。
前記硬化剤としては、ノボラック系フェノール樹脂が好ましく適用され得る。
前記ノボラック系フェノール樹脂は、反応性作用基の間に環が位置する化学構造を有する。このような構造的特性によって、前記ノボラック系フェノール樹脂は、前記接着剤組成物の吸湿性をより低めることができ、高温のＩＲリフロー工程で安定性をより高めることができるため、接着フィルムの剥離現像やリフロー亀裂などを防止する役割を果たすことができる。
前記ノボラック系フェノール樹脂の具体的な例としては、ノボラックフェノール樹脂、ザイロックノボラックフェノール樹脂、クレゾールノボラックフェノール樹脂、ビフェニルノボラックフェノール樹脂、ビスフェノールＡノボラックフェノール樹脂、およびビスフェノールＦノボラックフェノール樹脂からなる群より選択された１種以上が挙げられる。
前記ノボラック系フェノール樹脂は、６０℃以上、または６０℃乃至１５０℃、または１０５℃乃至１５０℃、または７０℃乃至１２０℃の軟化点を有するものが好ましく適用され得る。６０℃以上の軟化点を有するノボラック系フェノール樹脂は、接着剤組成物の硬化後、十分な耐熱性、強度および接着性を有することができるようにする。しかし、前記ノボラック系フェノール樹脂の軟化点が過度に高ければ前記接着剤組成物の流動性が低くなって実際の半導体製造工程で接着剤内部に空いた空間（ｖｏｉｄ）が生成されて最終製品の信頼性や品質を大きく低下させることがある。
前記ノボラック系フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ乃至３００ｇ／ｅｑの水酸基当量および６０℃乃至１５０℃の軟化点を有することが好ましい。
前記硬化剤の含有量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができる。例えば、前記硬化剤は、前記熱硬化性樹脂１００重量部を基準に１０乃至７００重量部または３０乃至３００重量部で用いることができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、硬化触媒をさらに含むことができる。
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体接着用樹脂組成物の硬化を促進させる役割を果たし、半導体接着フィルムなどの製造に使用されると知られた硬化触媒を大幅な制限なしに用いることができる。
例えば、前記硬化触媒としては、リン系化合物、ホウ素系化合物、リン−ホウ素系化合物、およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上を用いることができる。前記硬化触媒の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができる。
一方、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物は、無機充填材をさらに含むことができる。
前記無機充填材としては、アルミナ、シリカ、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化マグネシウム、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、およびホウ酸アルミニウムからなる群より選択された１種以上の無機粒子が適用され得る。
イオン性不純物を吸着して信頼性を向上させることができるイオン吸着剤を無機充填剤として用いることもできる。前記イオン吸着剤としては、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化マグネシウムのようなマグネシウム系、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、ジルコニウム系無機物、およびアンチモンビスマス系無機物からなる群より選択された１種以上の無機粒子が適用され得る。
前記無機充填材は、０．０１乃至１０μｍ、あるいは０．０２乃至５．０μｍ、あるいは０．０３乃至２．０μｍの平均粒径（最長外径基準）を有するものが好ましく適用され得る。前記無機充填材の粒径が過度に小さい場合、前記接着剤組成物内で簡単に凝集されることがある。反面、前記無機充填材の粒径が過度に大きい場合、前記無機充填材による半導体回路の損傷および接着フィルムの接着性低下が誘発されることがある。
前記無機充填材の含有量は、前記熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂の総和１００重量部を基準に１０乃至３００重量部または１５乃至２５０重量部で用いることができる。
また、前記半導体回路接続用接着剤組成物は、前記熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂、そして無機充填材の総和１００重量部を基準に１０乃至９０重量部の有機溶媒を含むことができる。前記有機溶媒の含有量は、前記接着剤組成物および最終的に製造される接着フィルムの物性や製造工程を考慮して決定され得る。
前記有機溶媒は、エステル類、エテール類、ケトン類、芳香族炭化水素類、およびスルホキシド類からなる群より選択された１種以上の化合物でありうる。
前記エステル類溶媒は、酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、δ−バレロラクトン、オキシ酢酸アルキル（例：オキシ酢酸メチル、オキシ酢酸エチル、オキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチルなど））、３−オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：３−オキシプロピオン酸メチル、３−オキシプロピオン酸エチルなど（例えば、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチルなど））、２−オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−オキシプロピオン酸プロピルなど（例えば、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシエチル））、２−オキシ−２−メチルプロピオン酸メチルおよび２−オキシ−２−メチルプロピオン酸エチル（例えば、２−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−エトキシ−２−メチルプロピオン酸エチルなど）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸メチル、２−オキソブタン酸エチルなどでありうる。
前記エテール類溶媒は、ジエチレングリコールジメチルエテール、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエテール、エチレングリコールモノエチルエテール、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエテール、ジエチレングリコールモノエチルエテール、ジエチレングリコールモノブチルエテール、プロピレングリコールモノメチルエテール、プロピレングリコールモノメチルエテールアセテート、プロピレングリコールモノエチルエテールアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエテールアセテートなどでありうる。
前記ケトン類溶媒は、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどでありうる。
前記芳香族炭化水素類溶媒は、トルエン、キシレン、アニソール、リモネンなどでありうる。
前記スルホキシド類溶媒は、ジメチルスルホキシドなどでありうる。
この他にも、前記半導体回路接続用接着剤組成物は、カップリング剤を含むことができる。前記カップリング剤の種類は特に制限されないが、好ましくは２−（３，４エポキシシクロヘキシル）−エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチル−ジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピル−トリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピル−トリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、メルカプト含有３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどが好ましく適用され得る。
発明の他の一実施形態によれば、前述した接着剤組成物を含む半導体回路接続用接着フィルムが提供される。
前記半導体回路接続用接着フィルムは、前述した実施形態の半導体回路接続用接着剤組成物を含むことによって、常温下で優れた保管安定性を示しながらも、熱圧着ボンディングの際には高温下で短時間内に硬化可能な特性を示すことができる。
一方、前記接着フィルムは、５ｒａｄ／ｓの剪断速度で３，０００乃至６，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することができる。
この時、溶融粘度は、特定温度での粘度ではなく、前記接着フィルム全体区間で有することができる最低の粘度と定義され得、例えばＴＡ社のａｄｖａｎｃｅｄ ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ（ＡＲＥＳ）を利用して５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１０℃／分の昇温速度を適用して測定した値の最も低い数値の粘度値を溶融粘度と判断することができる。
溶融粘度の場合、樹脂の種類、アクリル樹脂の含有量、充填材の種類および含有量などにより多様に変動され得るが、前記接着フィルムは前述した実施形態の半導体回路接続用接着剤組成物を含むことによって従前の接着フィルムに比べて相対的に低い溶融粘度値を有することができる。
これは前記接着剤組成物が分子構造内の水素結合が可能な前記化学式１の化合物を含むことによるもので、前記化学式１の化合物が水素結合可能な作用基を含む有機作用基を含んで反応が開始される温度を遅延させ、そのために反応の開始地点（Ｏｎｓｅｔ ｐｏｉｎｔ）が共に移動することによって、従前の接着フィルムに比べて相対的に低い溶融粘度を有することができるようになる。もし、分子構造内の水素結合が可能な前記化学式１の触媒を含まない場合、このような反応の遅延効果がないため、より低い温度で反応が開始するようになり、それによって、溶融粘度が共に上昇するようになり、相対的に高い溶融粘度値を有するようになる。
このような溶融粘度の変化は、非導電性フィルム（ＮＣＦ）との接合の可能性、通電の可能性など全体フィルムの特性に影響を与え得る。
一方、前記接着フィルムは、初期反応ピーク（ｐｅａｋ）に対して、２５℃で４週放置後の反応ピーク（ｐｅａｋ）の変化量（△Ｈ）が２０％以下、または５ｒａｄ／ｓの剪断速度で初期溶融粘度に対して、２５℃で４週放置後の溶融粘度の変化量が５０％以下でありうる。
この時、△Ｈ ｐｅａｋ変化量は、示差熱分析器（ＤＳＣ）を利用して測定した反応ｐｅａｋ値の変化を通じて計算することができ、前記溶融粘度変化量は、前述した最低溶融粘度測定方法を利用して測定した溶融粘度値の変化量で計算することができる。
前記接着フィルムの△Ｈ ｐｅａｋ変化量が２０％以下、または溶融粘度の変化量が５０％以下である場合、常温での変化が少ないことから保管安定性に優れ、そのために常温で長時間放置後にも正常的な工程が可能になり得る。
一方、前記フィルムを支持するための支持基材としては、耐熱性や耐薬品性に優れた樹脂フィルム；前記樹脂フィルムを構成する樹脂を架橋処理した架橋フィルム；または前記樹脂フィルムの表面にシリコン樹脂などを塗布して剥離処理したフィルムなどを利用することができる。
前記樹脂フィルムを構成する樹脂としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエンのようなポリオレフィン、塩化ビニル、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリウレタンなどを適用することができる。
前記支持基材の厚さは特に限定されないが、３乃至４００μｍ、あるいは５乃至２００μｍ、あるいは１０乃至１５０μｍでありうる。
前記接着層は、前述した接着剤組成物からなる。前記接着剤組成物に関する内容は前述したとおりである。
また、必要に応じて、前記支持基材と前記接着層との間には前記粘着層が介在してよい。前記粘着層としては、当該分野に公知のものを特別な制限なしに適用され得る。
前記保護フィルムの種類は特に制限されず、当該分野に公知のプラスチックフィルムが適用され得る。例えば、前記保護フィルムは、低密度ポリエチレン、線形ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｅｎｔｅｎｅ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−アイオノマー共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体などの樹脂を含むプラスチックフィルムでありうる。
前記半導体回路接続用接着フィルムは、前記接着剤組成物の構成成分を混合した後、これを支持基材上に所定の厚さにコーティングして接着層を形成し、前記接着層を乾燥する方法で製造され得る。
また、前記接着フィルムは、前記支持基材上に接着層を形成した後、前記接着層上に保護フィルムを積層する方法で製造され得る。
また、前記接着フィルムは、前記支持基材上に粘着層を形成した後、前記粘着層上に接着層および保護フィルムを順に積層する方法で製造され得る。
前記支持基材上に接着層を形成する方法は、前記接着剤組成物をそのままあるいは適切な有機溶媒に希釈してコンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど公知の手段で前記支持基材または離型フィルム上に塗布した後、６０℃乃至２００℃の温度で１０秒乃至３０分間乾燥させる方法が利用され得る。
必要に応じて、前記接着層の十分な架橋反応を進行させるためのエイジング工程が追加的に行われ得る。
前記接着層の厚さは、１乃至５００μｍ、あるいは５乃至１００μｍ、あるいは５乃至５０μｍの範囲で適切に調節され得る。
発明の具体的な実施形態を下記の実施例でより詳細に説明する。但し、下記の実施例は、発明の具体的な実施形態を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例により限定されるのではない。
実施例１：半導体接着用樹脂組成物および接着フィルムの製造
（１）半導体回路接続用接着剤組成物の製造
エポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂（ＫＨ−６０２１、ＤＩＣ社製品、ビスフェノールＡノボラック樹脂、水酸基当量１２１ｇ／ｅｑ、軟化点：１３３℃）４０ｇ；高粘度液状エポキシ樹脂（ＲＥ−３１０Ｓ、日本化薬社製品、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ）４０ｇ；熱可塑性アクリレート樹脂ＫＧ−３０１５（Ｍｗ：９０万、ガラス転移温度：１０℃）４０ｇ；２−（１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社）１．５ｇ；および無機充填材（ＳＣ−２０５０、アドマテックス、球状シリカ、平均粒径約４００ｎｍ）８０ｇをメチルエチルケトンに混合して、半導体回路接続用接着剤組成物（固形分４０重量％濃度）を得た。
（２）接着フィルムの製造
コンマコーターを利用して前記接着剤組成物を離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した後、１１０℃で３分間乾燥して約２０μｍ厚さの接着層が形成された接着フィルムを得た。
（３）半導体装置の製造
高さ１５μｍおよびピッチ５０μｍの銅フィラーに鉛フリーソルダが３μｍ高さに形成されている半導体素子であるバンプチップ（４．５ｍｍＸ４．５ｍｍ）を含むウエハーを準備した。
前記ウエハーのバンプ面に前記接着フィルムの接着層が位置するようにして５０℃で真空ラミネーションを進行した後、各々のチップに個別化した。
個別化されたバンプチップは、熱圧着ボンダを利用して５０μｍピッチ接続パッドを有している６ｍｍｘ８ｍｍ基材チップに熱圧着ボンディングを進行した。その時の条件は、ヘッド温度１００℃で２秒間１００Ｎで仮接し、１００℃で１０分間放置した後、ヘッド温度を瞬間２６０℃に上げて４秒間１００Ｎで熱圧着ボンディングを進行した。
実施例２乃至３および比較例１乃至４
下記表１および２に示す成分と含有量を適用したことを除き、前記実施例１と同様な方法で半導体回路接続用接着剤組成物およびこれを適用した接着フィルムを製造し、これを用いて半導体装置を製造した。
Figure 2021503182
Figure 2021503182
 ＊ＫＨ−６０２１：フェノール樹脂（ＤＩＣ、水酸基当量：１２１ｇ／ｅｑ、軟化点１３３℃）
＊ＲＥ−３１０Ｓ：エポキシ樹脂（日本化薬、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ）
＊ＫＧ−３０１５：アクリレート系樹脂（グリシジルメタクリレート系繰り返し単位３重量％包含、ガラス転移温度：１０℃、重量平均分子量９０万）
＊化学式１−１：２−（１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ
＊化学式１−２：２−（４，５−Ｄｉｈｙｄｒｏ−１Ｈ−ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｏｌ
＊化学式１−３：Ｍｅｔｈｙｌ ２−（１Ｈ−ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｏａｔｅ
＊２ＭＺ−Ｈ：イミダゾール硬化促進剤（Ｃｕｒｅｚｏｌ ２ＭＺ−Ｈ、ＳＨＩＫＯＫＵ）
＊２ＰＺ：イミダゾール硬化促進剤（Ｃｕｒｅｚｏｌ ２ＰＺ、ＳＨＩＫＯＫＵ）
＊２−（２−Ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１Ｈ−ｉｍｉｄａｚｏｌｅ：イミダゾール硬化促進剤（Ａｌｄｒｉｃｈ）
＊３−（１Ｈ−Ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ：イミダゾール硬化促進剤（化学式１−１と異性体、Ａｌｄｒｉｃｈ）
＊ＫＢＭ−４０３：カップリング剤（エポキシ系、３−ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌ ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、Ｓｈｉｎ−Ｅｔｓｕ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）
＊ＳＣ−２０５０：充填材（アドマテックス、球状シリカ、平均粒径約４００ｎｍ）
［実験例：物性評価］
試験例
（１）溶融粘度測定
実施例および比較例でそれぞれ得られた接着層を厚さ３２０μｍになるまで重ねて積層した後、６０℃のロールラミネータを利用してラミネートした。その後、各試片を直径８ｍｍの円形に成形した後、ＴＡ社のａｄｖａｎｃｅｄ ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ（ＡＲＥＳ）を利用して５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１０℃／分の昇温速度を適用して測定値の最も低い数値の粘度値を溶融粘度と判断した。
（２）ＤＳ Ｃｏｎｓｅｔ評価
示差熱分析器（ＤＳＣ）を利用して３０乃至３００℃範囲で１０℃／ｍｉｎ速度で測定を進行し、初期反応ピーク（ｐｅａｋ）が形成され始める部分とｂａｓｅｌｉｎｅを外挿して接する地点の温度をｏｎｓｅｔと指定した。
（３）ボイド評価
実施例および比較例でそれぞれ得られた半導体装置に対してＳｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｉｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ（ＳＡＴ）を通じてバンプチップと基材チップとの間にボイドが占める面積が１％以下になるものを合格（Ｏ）、そして１％超えるものを不合格（Ｘ）と評価した。
（４）導通評価
実施例および比較例でそれぞれ得られた半導体装置に対してデイジーチェーン接続を確認することができたものを合格（Ｏ）、そしてデイジーチェーン接続を確認することができなかったものを不合格（Ｘ）と評価した。
（５）接続状態評価
実施例および比較例でそれぞれ得られた半導体装置に対して接続部を断面研磨して露出させ、光学顕微鏡で観察した。接続部に接着組成物トラッピングが見えず、ハンダが配線に十分に濡れているものを合格（Ｏ）、そしてそれ以外のものを不合格（Ｘ）と評価した。
（６）常温経時性評価
実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを２５℃で放置後、日別に示差熱分析器（ＤＳＣ）を利用して△Ｈ ｐｅａｋ変化量を計算し、前記最低溶融粘度測定方法を通じて最低溶融粘度の変化量を計算した。△Ｈ ｐｅａｋの場合、変化率が２０％以上、最低溶融粘度の場合、変化率が５０％以上変化時に経時変化があると判断した。４週が越えて経時変化がなければ合格（Ｏ）、そして４週以内に経時変化があれば不合格（Ｘ）と評価した。
Figure 2021503182
Figure 2021503182
前記表３および４に示すように、実施例１乃至３で提供される半導体用接着フィルムは、相対的に低い溶融粘度を有しながらも、ＤＳ Ｃｏｎｓｅｔ温度が高く示されることが確認された。これは実施例１乃至３の組成物が高いＤＳ Ｃｏｎｓｅｔ温度を有してコーティング時に乾燥工程の温度領域で実質的に微細反応が示されず、そのために相対的に低い粘度を有することができるようになることによるものとみられる。そのために、実施例１乃至３の接着フィルムを適用した半導体装置では、ボイドが実質的に残存せず、また１００℃で仮接後、１０分間放置する時間の間に△Ｈ ｐｅａｋ変化量の低いため、経時変化が発生せず、導通不良および接続状態不良も発生しなかったことが確認された。
これに反し、比較例の接着組成物のｏｎｓｅｔが低いため、コーティング時に乾燥工程の温度で微細反応が行われて高い粘度を形成し、そのために比較例の接着フィルムを適用した半導体装置は、ボイドが残存しやすく、１００℃で仮接後、１０分間放置する時間の間に経時が発生して導通不良および接続状態不良が発生したことが確認された。また、比較例の接着フィルムは、常温で保管時にも反応が急速に進行されて４週以内に経時変化が発生することが確認された。

Claims (10)

  1. 熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および下記化学式１の化合物を含む、半導体接着用樹脂組成物：
    Figure 2021503182
     前記化学式１で、
    Ｒ１は水素、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、
    Ｒ２は水素結合可能な作用基を含む有機作用基であり、
    Ｒ３は水素、ハロゲン、炭素数１乃至１０のアルキル基、または炭素数６乃至２０のアリール基（ａｒｙｌ ｇｒｏｕｐ）であり、
    ｎはＲ３の置換数であって、１乃至４である。
  2. 前記化学式１で、Ｒ１は水素またはベンゼン基であり、Ｒ２はヒドロキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、ホルミル基、またはアミン基である、
    請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  3. 前記熱可塑性樹脂；熱硬化性樹脂；硬化剤；および前記化学式１の化合物の総和１００重量部に対して、前記化学式１の化合物０．１乃至１５重量部を含む、
    請求項１または２に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  4. 前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴムおよび（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された一つ以上の高分子樹脂を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  5. 前記熱硬化性樹脂は、固体状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  6. 前記硬化剤は、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  7. 請求項１から６のいずれか一項に規定の半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルム。
  8. 前記接着フィルムは、５ｒａｄ／ｓの剪断速度で３，０００乃至６，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有する、請求項７に記載の接着フィルム。
  9. 前記接着フィルムは、初期反応ピーク（ｐｅａｋ）に対して、２５℃で４週放置後の反応ピーク（ｐｅａｋ）の変化量（△Ｈ）が２０％以下である、請求項７に記載の接着フィルム。
  10. 前記接着フィルムは、５ｒａｄ／ｓの剪断速度で初期溶融粘度に対して、２５℃で４週放置後の溶融粘度の変化量が５０％以下である、請求項７に記載の接着フィルム。
JP2020526595A 2018-04-17 2019-04-17 半導体回路接続用接着剤組成物およびこれを含む接着フィルム Active JP6983461B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180044654 2018-04-17
KR10-2018-0044654 2018-04-17
KR10-2019-0043931 2019-04-15
KR1020190043931A KR102204964B1 (ko) 2018-04-17 2019-04-15 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
PCT/KR2019/004651 WO2019203572A1 (ko) 2018-04-17 2019-04-17 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021503182A true JP2021503182A (ja) 2021-02-04
JP6983461B2 JP6983461B2 (ja) 2021-12-17

Family

ID=68420759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020526595A Active JP6983461B2 (ja) 2018-04-17 2019-04-17 半導体回路接続用接着剤組成物およびこれを含む接着フィルム

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11834415B2 (ja)
EP (1) EP3693434A4 (ja)
JP (1) JP6983461B2 (ja)
KR (1) KR102204964B1 (ja)
CN (1) CN111448276B (ja)
TW (1) TWI742362B (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012046715A (ja) * 2009-12-25 2012-03-08 Sony Chemical & Information Device Corp エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体
JP2014197675A (ja) * 2013-03-07 2014-10-16 住友ベークライト株式会社 接着フィルム、ダイシングシート一体型接着フィルム、バックグラインドテープ一体型接着フィルム、バックグラインドテープ兼ダイシングシート一体型接着フィルム、積層体、積層体の硬化物、および半導体装置、並び半導体装置の製造方法
JP2016029152A (ja) * 2014-07-24 2016-03-03 日本合成化学工業株式会社 アニオン硬化性化合物用硬化剤、硬化性組成物、及び硬化物
JP2016183317A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 日東電工株式会社 樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3327712A1 (de) 1983-07-29 1985-02-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von epoxidharzformstoffen
JPH0196278A (ja) * 1987-10-08 1989-04-14 Toray Ind Inc 接着剤
KR20080087046A (ko) * 2000-02-15 2008-09-29 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름, 반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치
US6822341B1 (en) 2002-12-19 2004-11-23 Henkel Corporation Latent catalysts for molding compounds
JP4282417B2 (ja) 2003-09-12 2009-06-24 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続構造体
KR100669134B1 (ko) * 2006-05-08 2007-01-16 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
US8597785B2 (en) 2006-10-03 2013-12-03 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Adhesive film
EP2242090A4 (en) 2008-02-07 2011-05-18 Sumitomo Bakelite Co SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
JP4815027B1 (ja) 2010-03-25 2011-11-16 三井化学株式会社 液晶シール剤、それを用いた液晶表示パネルの製造方法、および液晶表示パネル
KR20130008611A (ko) 2010-05-21 2013-01-22 닛뽕소다 가부시키가이샤 경화성 분체 도료 조성물 및 그 경화물
EP2617750A4 (en) 2010-09-15 2014-02-19 Nippon Soda Co LIQUID-CURABLE EPOXY RESIN COMPOSITION AND ADHESIVE AGENT CONTAINING THE SAME
US20140205816A1 (en) 2011-07-08 2014-07-24 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Dicing-tape-integrated adhesive sheet, semiconductor device, multilayered circuit board and electronic component
JP2016029153A (ja) * 2014-07-24 2016-03-03 日本合成化学工業株式会社 アニオン硬化性化合物用硬化剤、硬化性組成物、及び硬化物
CN106459719A (zh) 2015-04-29 2017-02-22 株式会社Lg化学 用于半导体的粘合剂组合物、用于半导体的粘合膜和切割管芯粘结膜
KR102012788B1 (ko) 2015-09-23 2019-08-21 주식회사 엘지화학 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012046715A (ja) * 2009-12-25 2012-03-08 Sony Chemical & Information Device Corp エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体
JP2014197675A (ja) * 2013-03-07 2014-10-16 住友ベークライト株式会社 接着フィルム、ダイシングシート一体型接着フィルム、バックグラインドテープ一体型接着フィルム、バックグラインドテープ兼ダイシングシート一体型接着フィルム、積層体、積層体の硬化物、および半導体装置、並び半導体装置の製造方法
JP2016029152A (ja) * 2014-07-24 2016-03-03 日本合成化学工業株式会社 アニオン硬化性化合物用硬化剤、硬化性組成物、及び硬化物
JP2016183317A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 日東電工株式会社 樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201943821A (zh) 2019-11-16
KR20190121252A (ko) 2019-10-25
JP6983461B2 (ja) 2021-12-17
CN111448276A (zh) 2020-07-24
KR102204964B1 (ko) 2021-01-19
TWI742362B (zh) 2021-10-11
CN111448276B (zh) 2021-11-30
US11834415B2 (en) 2023-12-05
US20200308121A1 (en) 2020-10-01
EP3693434A4 (en) 2021-02-17
EP3693434A1 (en) 2020-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI591147B (zh) 用於接合半導體的接著性樹脂組成物、接著膜、切晶接合膜及半導體元件
KR20180037797A (ko) 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
JP5476673B2 (ja) 接着シート
JP6987427B2 (ja) 半導体回路接続用接着剤組成物およびそれを含む接着フィルム
JP7150383B2 (ja) 半導体回路接続用接着剤組成物、これを用いた半導体用接着フィルム、半導体パッケージ製造方法および半導体パッケージ
JP6983461B2 (ja) 半導体回路接続用接着剤組成物およびこれを含む接着フィルム
JP6768188B2 (ja) 接着フィルム用接着剤組成物及びその製造方法
KR102186521B1 (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
WO2019203572A1 (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
US11527503B2 (en) Method for manufacturing semiconductor package
KR20210046177A (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이의 경화물을 포함하는 반도체 회로 접속용 접착 필름
KR20220011938A (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름
KR20220015197A (ko) 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 반도체 회로 접속용 접착 필름
KR20210043120A (ko) 반도체 접착용 수지 조성물, 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지
KR20210046338A (ko) 반도체 패키지용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
JP2020145227A (ja) 接着フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210719

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6983461

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150