JP2021500787A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 負荷に結合された第１トランジスタスイッチであって、前記第１トランジスタスイッチのゲート端子に結合された第１パルス幅変調制御信号に応じて前記負荷に電流を流すように構成されたものである第１トランジスタスイッチと、
   第２トランジスタスイッチであって、前記第２トランジスタスイッチのゲート端子に結合された第２パルス幅変調制御信号に応じて前記負荷に前記電流を流すように構成されたものである第２トランジスタスイッチと、
   前記負荷と電流検知回路の間に結合されたシールディングスイッチであって、前記シールディングスイッチのゲート端子が前記第２トランジスタスイッチの前記ゲート端子に結合され、前記第２パルス幅変調制御信号に応じて信号電圧を前記電流検知回路に供給するように構成され、前記電流検知回路が前記信号電圧に応じて前記負荷を流れる前記電流を検知するように構成されたものであるシールディングスイッチと、
   前記シールディングスイッチと前記電流検知回路の間に結合され、所定のサンプル期間の間、前記第２パルス幅変調制御信号に応じて前記電流検知回路に前記信号電圧を供給するように構成されたサンプルホールド回路と、
   を備える
   システム。
2. 前記電流検知回路が、前記負荷を流れる電流に概ね等しい電流を測定するように構成された増幅器を備えるカレントミラー回路であり、
   前記信号電圧が、前記第２トランジスタスイッチのドレイン−ソース間電圧に概ね等しい
   請求項１に記載のシステム。
3. 前記シールディングスイッチが、更に、前記第１トランジスタスイッチがターンオフしつつあり、前記第２トランジスタスイッチがターンオンしつつある第１期間を備える第１遷移と、前記第１トランジスタスイッチがターンオンしつつあり、前記第２トランジスタスイッチがターンオフしつつある第２期間を備える第２遷移との間、前記信号電圧を前記電流検知回路に供給するように構成されており、
   前記シールディングスイッチは、前記増幅器の非反転入力端子に前記信号電圧を供給する
   請求項２に記載のシステム。
4. 前記電流検知回路が、過電流保護回路に結合されており、測定された前記電流を前記過電流保護回路に供給するように構成され、
   前記過電流保護回路が、測定された前記電流が上限電流閾値を超えているとき、前記負荷を流れる前記電流を減少するように前記第１及び第２パルス幅変調制御信号の周波数を調節するように構成された、
   請求項２に記載のシステム。
5. 前記増幅器が、横拡散型金属酸化物半導体回路として構成された
   請求項２に記載のシステム。
6. 更に、
   前記シールディングスイッチのソース端子と接地信号の間に結合され、前記シールディングスイッチがターンオフされたときにゼロボルトへの短時間での遷移を提供するプルダウン抵抗を備える
   請求項１に記載のシステム。
7. 前記負荷がスピーカーとして構成された
   請求項１に記載のシステム。
8. 前記第１及び第２トランジスタスイッチが、Ｄ級増幅器Ｈブリッジ出力段の少なくとも一部を構成している
   請求項１に記載のシステム。
9. 更に、
   前記負荷に結合された第３トランジスタスイッチであって、前記第３トランジスタスイッチのゲート端子に結合された第３パルス幅変調制御信号に応じて前記負荷に前記電流を流すように構成された第３トランジスタスイッチと、
   第４トランジスタスイッチであって、前記第４トランジスタスイッチのゲート端子に結合された第４パルス幅変調制御信号に応じて前記負荷に前記電流を流すように構成された第４トランジスタスイッチと、
   前記負荷と第２電流検知回路の間に結合された第２シールディングスイッチと、
   を備え、
   前記第２シールディングスイッチが、前記第４パルス幅変調制御信号に応じて第２信号電圧を前記第２電流検知回路に供給するように構成された
   請求項１に記載のシステム。
10. 前記第２シールディングスイッチと前記第２電流検知回路との間に結合され、所定のサンプル期間の間、前記第４パルス幅変調制御信号に応じて前記第２電流検知回路に前記第２信号電圧を供給するように構成された第２サンプルホールド回路を更に備える
    請求項９に記載のシステム。
11. 前記第１トランジスタスイッチと前記第２トランジスタスイッチと前記シールディングスイッチとが、ｎチャネル横拡散型金属酸化物半導体電界効果トランジスタとして構成された
    請求項１に記載のシステム。
12. 第１トランジスタスイッチのゲート端子に結合された第１パルス幅変調制御信号に応じて負荷に電流を流すことと、
    第２トランジスタスイッチのゲート端子に結合された第２パルス幅変調制御信号に応じて前記負荷に前記電流を流すことと、
    前記負荷と電流検知回路との間に結合されたシールディングスイッチであって、前記シールディングスイッチのゲート端子が前記第２トランジスタスイッチの前記ゲート端子に結合され、前記第２パルス幅変調制御信号に応じて信号電圧を前記電流検知回路に供給するように構成されているシールディングスイッチを介して前記電流検知回路に信号電圧を供給することと、
    前記第２パルス幅変調制御信号に応じて前記電流検知回路で前記信号電圧を受け取り、前記負荷を流れる前記電流の検知を提供することと、
    前記シールディングスイッチと前記電流検知回路の間に結合されたサンプルホールド回路から、所定のサンプル期間の間、前記第２パルス幅変調制御信号に応じて前記電流検知回路において前記信号電圧を受け取ることと、
    を含む
    方法。
13. 前記電流検知回路が、前記負荷を流れる前記電流に概ね等しい電流を測定するように構成された増幅器を備えるカレントミラー回路であり、
    前記サンプルホールド回路が、前記第２パルス幅変調制御信号に応じて前記増幅器の非反転入力端子に前記信号電圧を供給するように構成された
    請求項１２に記載の方法。
14. 更に、
    前記第１トランジスタスイッチがターンオフしつつあり、前記第２トランジスタスイッチがターンオンしつつある期間を備える第１遷移の間、前記電流検知回路において前記信号電圧を受け取ることと、
    前記第１トランジスタスイッチがターンオンしつつあり、前記第２トランジスタスイッチがターンオフしつつある期間を備える第２遷移の間、前記電流検知回路において前記信号電圧を受け取ることと、
    を含み、
    前記サンプルホールド回路が、前記第１及び第２遷移の間、前記増幅器の前記非反転入力端子に前記信号電圧を供給する
    請求項１３に記載の方法。
15. 前記電流検知回路が、過電流保護回路に結合され、前記過電流保護回路に測定された前記電流を供給するように構成され、
    当該方法が、測定された前記電流が上限電流閾値を超えたとき、前記第１及び第２パルス幅変調制御信号の周波数を調節して前記負荷を流れる前記電流を減少させることを更に含む
    請求項１３に記載の方法。
16. 前記増幅器が、横拡散型金属酸化物半導体回路として構成されている
    請求項１３に記載の方法。
17. 前記第１及び第２トランジスタスイッチがＤ級増幅器Ｈブリッジ出力段の少なくとも一部を構成している、
    請求項１３に記載の方法。
18. 更に、
    前記シールディングスイッチのソース端子と接地信号の間に結合され、前記シールディングスイッチがターンオフされたときにゼロボルトへの短時間での遷移を提供するプルダウン抵抗を備えている
    請求項１３に記載の方法。
19. 前記負荷が、スピーカーとして構成されている
    請求項１２に記載の方法。
20. 前記第１トランジスタスイッチと前記第２トランジスタスイッチと前記シールディングスイッチとがｎチャネル横拡散型金属酸化物半導体電界効果トランジスタとして構成されている
    請求項１２に記載の方法。