JP2021197445A - パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 247
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 247
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 10
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 9
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000962 AlSiC Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005102 Ni3Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005099 Ni3Sn2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003306 Ni3Sn4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73221—Strap and wire connectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
本発明によるパワーモジュールの製造方法は、パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子と電気的に接続される導体板と、前記導体板に積層される絶縁部材とを備えるパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールの放熱面と対向して配置されるとともに熱的に接続される冷却部材と、前記絶縁部材と前記冷却部材との間に配置される第1金属部材と、を備えたパワーモジュールの製造方法であって、前記第1金属部材内に前記第1金属部材よりも硬い金属材料よりなる第2金属部材を埋設する第1工程と、前記第2金属部材を埋設した第1金属部材を冷却部材と接合する第2工程と、前記第1金属部材の厚さをプレス加工により薄くする第3工程と、前記第1金属部材に前記パワー半導体モジュールを密着する第4工程と、を備える。
パワーモジュール100は、一面に冷却部材45が配置されている。冷却部材45は、パワー半導体モジュール101に後述の第1金属部材20を介して当接している。パワー半導体モジュール101は、後述のパワー半導体素子32等の各構成要素を、封止樹脂6により封止されている。そして、冷却部材45の中に冷媒を流通することによりパワー半導体モジュール101を冷却する。冷媒には、水や水にエチレングリコールを混入した不凍液等を用いる。冷却部材45は、菅状の冷却部材45でもよいし、ピン状のフィンを用いてもよい。
絶縁部材44は、パワー半導体素子32から発生した熱を冷却部材45に伝達する部材であり、熱伝導率が高く、かつ、絶縁耐圧が大きい材料を用いて形成される。絶縁部材44は、金属箔43が接着された樹脂絶縁層42でもよく、Al2O3、AlN若しくはSi3N4等のセラミクス、又は、これらの微粉末を含有する絶縁シートでもよい。
ΔS=H1×a1×ΔT+H2×a2×ΔT+H3×a3×ΔT+H4×a4×ΔT
・・・・(1)
図5の例1および例2は、第2導体板34の厚さH2が4.0mmの場合を、例3および例4は、第2導体板34の厚さH2が2.0mmの場合を示す。さらに、図5の例1および例3は、温度差ΔT=100℃の場合を、例2および例4は、温度差ΔT=125℃の場合を示す。
R1=0.03P-2+0.012・・・(2)
ここで、R1はInの熱抵抗、Pは面圧を示す。
R2=t/(k×A)・・・(3)
ここで、R2は熱抵抗、tは伝熱方向の厚さ、kは熱伝達率、Aは伝熱の面積を表す。
面積A=100を基準として面積A=10から90の熱抵抗の増加割合を図6(B)の表に示す。
図6(C)では、面積A=100を基準にしたときの熱抵抗を基準値1とし、このときの規格化熱抵抗R1×R2を縦軸に、横軸に第1金属部材20の凸部20aの面積率(%)を表す。
図7(A)に示すように、第1工程では、第1金属部材20内に第2金属部材21を埋設する。第2金属部材21は、第1金属部材20よりも硬い金属材料であり、例えば複数の粒子など互いに分離した金属材料である。第1金属部材20は、圧延加工されたもので所定の長さでカットする。圧延加工の過程で第2金属部材21が第1金属部材20よりも突出することを防ぐために、第1金属部材20の厚さは第2金属部材21の厚さの1.5倍程度に加工する。
図8に示すように、パワーモジュール100’は、第1導体板30の上に樹脂絶縁層42’および金属箔43’よりなる絶縁部材44’が積層される。さらに、絶縁部材44’の上には、第1金属部材20’が積層される。
(1)パワーモジュール100、100’は、パワー半導体素子32と、パワー半導体素子32と電気的に接続される導体板30、34と、導体板30、34に積層される絶縁部材44、44’とを備えるパワー半導体モジュール101と、パワー半導体モジュール101の放熱面と対向して配置されるとともに熱的に接続される冷却部材45、45’と、絶縁部材44、44’と冷却部材45、45’との間に配置される第1金属部材20、20’と、を備え、第1金属部材20、20’は、第1金属部材20、20’内に埋設される第2金属部材21、21’を有し、第2金属部材21、21’は、第1金属部材20、20’よりも硬い金属材料であり、第1金属部材20、20’の厚さより薄い厚さである。これにより、冷却部材に熱を伝える金属の塑性変形を抑制し、放熱の信頼性を向上させることができる。
Claims (14)
- パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子と電気的に接続される導体板と、前記導体板に積層される絶縁部材とを備えるパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールの放熱面と対向して配置されるとともに熱的に接続される冷却部材と、
前記絶縁部材と前記冷却部材との間に配置される第1金属部材と、を備え、
前記第1金属部材は、前記第1金属部材内に埋設される第2金属部材を有し、前記第2金属部材は、前記第1金属部材よりも硬い金属材料であり、前記第1金属部材の厚さより薄い厚さであるパワーモジュール。 - 請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、
前記パワー半導体モジュールは、前記パワー半導体素子の両面に、前記導体板および前記絶縁部材を備え、
前記冷却部材、および前記第1金属部材は、前記パワー半導体モジュールの両面に設けられるパワーモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第2金属部材は、Cu及びNi素材により構成されるパワーモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第1金属部材の厚さは、40−200μmであるパワーモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第2金属部材は、互いに分離した金属材料であるパワーモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第2金属部材は、少なくとも、平板状の前記パワー半導体素子に直交する方向から視て、前記パワー半導体素子の領域に対向する前記第1金属部材の領域内に設けられるパワーモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第1金属部材と前記絶縁部材との間、又は前記第1金属部材と前記冷却部材との間に、金属間化合物層を形成するパワーモジュール。 - 請求項7に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第1金属部材は、前記絶縁部材または前記冷却部材の一方と面圧が印加された状態で接触するパワーモジュール。 - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記パワー半導体素子と前記導体板とを接合する第2接合材の厚さをH1、前記導体板の厚さをH2、前記絶縁部材を構成する樹脂絶縁層の厚さをH3、前記絶縁部材を構成する金属箔の厚さをH4とし、
前記第2接合材の線膨張係数をa1、前記導体板の線膨張係数をa2、前記樹脂絶縁層の線膨張係数をa3、前記金属箔の線膨張係数をa4とし、
前記パワー半導体モジュールの温度と室温との温度差をΔTとし、
前記パワー半導体モジュールの反り量ΔSを下記の式によって定義したときに、前記第1金属部材と前記第2金属部材の厚さの差は、前記ΔSの値より小さいパワーモジュール。
ΔS=H1×a1×ΔT+H2×a2×ΔT+H3×a3×ΔT+H4×a4×ΔT - 請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
前記絶縁部材と接触する前記第1金属部材の表面は凹凸形状を形成し、凸部の面積率は40%以上であるパワーモジュール。 - パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子と電気的に接続される導体板と、前記導体板に積層される絶縁部材とを備えるパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールの放熱面と対向して配置されるとともに熱的に接続される冷却部材と、前記絶縁部材と前記冷却部材との間に配置される第1金属部材と、を備えたパワーモジュールの製造方法であって、
前記第1金属部材内に前記第1金属部材よりも硬い金属材料よりなる第2金属部材を埋設する第1工程と、
前記第2金属部材を埋設した第1金属部材を冷却部材と接合する第2工程と、
前記第1金属部材の厚さをプレス加工により薄くする第3工程と、
前記第1金属部材に前記パワー半導体モジュールを密着する第4工程と、
を備えるパワーモジュールの製造方法。 - 請求項11に記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記第2工程は、第1金属部材を加熱溶融させて、前記冷却部材と前記第1金属部材との間に金属間化合物を形成して接合する工程を含むパワーモジュールの製造方法。 - 請求項11に記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記第2工程は、前記絶縁部材と当接する前記第1金属部材の面に、凸部の面積率が40%以上含むような凸部と凹部の加工を施す工程を含むパワーモジュールの製造方法。 - 請求項11に記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記第3工程は、前記第1金属部材と前記第2金属部材の厚さの差が、前記パワー半導体モジュールの反り量ΔSより小さくなるように、第1金属部材の厚さを前記プレス加工により薄くするパワーモジュールの製造方法。
ここで、前記パワー半導体素子と前記導体板とを接合する第2接合材の厚さをH1、前記導体板の厚さをH2、前記絶縁部材を構成する樹脂絶縁層の厚さをH3、前記絶縁部材を構成する金属箔の厚さをH4とし、前記第2接合材の線膨張係数をa1、前記導体板の線膨張係数をa2、前記樹脂絶縁層の線膨張係数をa3、前記金属箔の線膨張係数をa4とし、前記パワー半導体モジュールの温度と室温との温度差をΔTとし、前記パワー半導体モジュールの反り量ΔSは下記の式によって定義する。
ΔS=H1×a1×ΔT+H2×a2×ΔT+H3×a3×ΔT+H4×a4×ΔT
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020102855A JP7369670B2 (ja) | 2020-06-15 | 2020-06-15 | パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 |
PCT/JP2021/004270 WO2021255987A1 (ja) | 2020-06-15 | 2021-02-05 | パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020102855A JP7369670B2 (ja) | 2020-06-15 | 2020-06-15 | パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021197445A true JP2021197445A (ja) | 2021-12-27 |
JP7369670B2 JP7369670B2 (ja) | 2023-10-26 |
Family
ID=79195971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020102855A Active JP7369670B2 (ja) | 2020-06-15 | 2020-06-15 | パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7369670B2 (ja) |
WO (1) | WO2021255987A1 (ja) |
Cited By (9)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2020-06-15 JP JP2020102855A patent/JP7369670B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-05 WO PCT/JP2021/004270 patent/WO2021255987A1/ja active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021255987A1 (ja) | 2021-12-23 |
JP7369670B2 (ja) | 2023-10-26 |
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