JP2021196215A

JP2021196215A - 光デバイス検査機

Info

Publication number: JP2021196215A
Application number: JP2020101559A
Authority: JP
Inventors: 雅之田中; Masayuki Tanaka
Original assignee: Optgate Co Ltd
Current assignee: Optgate Co Ltd
Priority date: 2020-06-11
Filing date: 2020-06-11
Publication date: 2021-12-27
Anticipated expiration: 2040-06-11
Also published as: JP6986773B1

Abstract

【課題】光デバイスの挿入損失測定、反射減衰量測定、断線や亀裂等の検査を、一括して実施可能な光デバイス検査機を提供する。【解決手段】光デバイス検査機１は、筐体２内に、広帯域で低コヒーレンスな光Ｌを出射する光源３と、この光Ｌを測定光Ｌ１と参照光Ｌ２に分岐するビームスプリッタ４と、参照光Ｌ２の光路長を調整する参照ミラー５と、光デバイスＣで反射した測定光Ｌ１’及び参照ミラー５で反射した参照光Ｌ２’を受光する第１の光測定器６とを備える。更に筐体２の外側に接続される接続部７と、この接続部７に離間して設けた透過光入力部８と、透過光入力部８から筐体２内に入射する測定光Ｌ１を受光する第２の光測定器９とを備える。光デバイスＣを接続部７に接続し、第１及び第２の光測定器６，９の受光量等を制御部１０で演算し、挿入損失、反射減衰量、不良個所の位置とその程度を測定する。【選択図】図１

Description

本発明は、光デバイスの挿入損失及び反射減衰量を測定すると共に、光デバイスの亀裂、断線等の検査を行う光デバイス検査機に関するものである。

従来から光ファイバや光コネクタ等の光デバイスでは、基本的な特性として挿入損失及び反射減衰量が測定され、それらの製品カタログに基本仕様として記載されている。また、光デバイスは出荷時や定期点検等の際に、断線や亀裂等による不良の有無が検査され、それらの品質保証や故障診断に活用されている。

通常では広く知られているように、挿入損失測定、反射減衰量測定、断線や亀裂等の不良検査には、それぞれ個別の装置が使用される。挿入損失の測定では、測定対象の光デバイスに応じたレーザー光等の光源と光パワーメータ等の受光装置が使用される。反射減衰量の測定では、測定対象の光デバイスに応じたレーザー光等の光源、光カプラ、光パワーメータ等の受光装置が使用される。光デバイスの断線や亀裂等による不良検査には、例えば光パルス試験器（ＯＴＤＲ：Optical Time Domain Reflectometer）が用いられ、反射光の発生する位置と強度を測定し、そこから不良の発生位置とその程度が見積もられる。

このように測定項目毎に部材や装置を用意するのは煩雑であるため、それらの装置を兼用して測定を行う提案もなされている。例えば、光パルス試験器に光路長を稼ぐダミーファイバを接続して、光デバイスと光パルス試験器との接続点が、光パルス試験器から見て近端反射となるのを防止し、光デバイスの反射減衰量を測定できるようにする。更に、光パルス試験器の光源を挿入損失測定用の光源として兼用する提案もある。この挿入損失測定方法では、まず光パルス試験器の光出力に測定用光コードを介して光パワーメータを接続し、光パルス試験器の光源の光出力を、光パワーメータで測定して基準値とする。次に、測定用光コードと光パワーメータの間に測定対象の光デバイスを接続して、同様に光パルス試験器の光出力を光パワーメータで測定し測定値とする。上述の基準値から測定値を減算することによって、光デバイスの挿入損失値を得る。

特許文献１には上述のような挿入損失の測定方法を基本として、更に光ファイバの検査を対象にして改良された光ファイバ検査装置および方法が提案されている。この光ファイバ検査装置および方法によれば、光源装置より光ファイバを介して届いた測定光の光パワーを測定し、その光パワーに基づいて前記光ファイバの光損失量を算出する光ファイバ検査装置と、この光ファイバ検査装置で算出された光損失量に基づいて、被検査光ファイバの導通確認や破断箇所を探索することができ、作業環境や個人差に左右されずに光損失を定量的に検査可能であることが開示されている。

このような光損失を利用する光ファイバ検査装置では、検査対象の光ファイバケーブルを、光コネクタ等の光デバイスを介して結合した際に、光デバイスと光ファイバの光軸同士が軸ずれすることによって発生する光損失を測定し、軸ずれ不良を有する光デバイスを検出することも行われている。

特開２００８−１１６７８９号公報

このように光デバイスの挿入損失測定、反射減衰量測定、断線や亀裂等に起因する不良の検査は、光デバイスに対応する適切な光源装置、光カプラ、光パワーメータ、光パルス試験器等を適宜に組み合わせて実施されているか、もしくはそれぞれに専用の装置が使用されている。従って、測定項目が変更される毎に、組み合わせて使用する光学機器や光学部材を変更し、測定対象となる光デバイスとの接続方法も変更するか、専用の装置に対象の光デバイスを接続し直して、測定や検査を行わなければならない。光デバイスと光学機器、光学部材、測定装置との接続／取り外しの回数増加は、測定作業を煩雑で多大な時間を要するものにするという問題がある。

また、光パルス試験器によって光デバイスの反射減衰量と、断線や亀裂等の不良を同時に測定しようとしても、両点からの反射を明確に区別して測定することが困難な場合がある。例えば、光パルス試験器から見て光デバイスと光パルス試験器との接続点が近端反射となる場合には、上述のように通常はダミーファイバによって光路長を稼ぎ、光パルス試験器内の反射点に対して光デバイスと光パルス試験器との接続点が区別できる状態にして、反射減衰量の測定を行う。この時に光デバイスと光パルス試験器の接続点が、光デバイスの断線や亀裂等の検査を行いたい部分と、光路長的に極めて近接していると、両点からの反射を区別するために、光パルス試験器内の光源から極めて短い光パルスを出力させなければならない。

ところが、極めて短い光パルスは、伝送距離に対して減衰が激しいので、ダミーファイバの長い光路を通過すると減衰が大きく、たとえ光デバイスと光パルス試験器の接続点からの微弱な反射光を、光デバイスの断線や亀裂等の検査を行いたい部分からの反射光と区別できたとしても、反射位置を測定できるのみで、その微弱な反射光量、即ち反射減衰量を定量的に高精度で測定することは、極めて困難であるという問題がある。

更に、同時に測定しようとしている光デバイスの断線や亀裂等の検査を行いたい部分からの反射光量も、同様に微弱となるため、反射位置が測定できるのみで、反射光量を定量的に測定することは困難であるという問題もある。特に、光デバイス内で断線や亀裂が発生した直後の状態では、断線又は亀裂の個所同士が密着していることが多く、反射光量は更に微弱となるので、反射位置の検出と反射光量の測定が共に困難となることもある。

本発明の目的は、上述の課題を解消し、光デバイスを一度取り付けてしまえば、取り外しや再取り付けを行うことなく、挿入損失測定、反射減衰量測定、断線や亀裂等の検査を、一括して実施することができる光デバイス検査機を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明に係る光デバイス検査機は、広帯域かつ低コヒーレンスな光を出射する光源と、前記光を透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する第１の光測定器と、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光を受光する第２の光測定器と、前記光源、前記参照ミラー、前記第１の光測定器、及び第２の光測定器に接続した制御部とを筐体内に備え、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、前記第２の光測定器との間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記測定対象物の挿入損失測定、反射減衰量測定、及び不良個所の検査を行うことを特徴とする。

本発明に係る光デバイス検査機によれば、光デバイスを一旦接続部に取り付ければ、取り外しや再取り付けを行うことなく、光デバイスの挿入損失及び反射減衰量の測定と、光デバイスの亀裂、断線等の検査とを、互いの測定又は検査結果に影響を与えずに一括して行うことができ、測定や検査にかかる手間と時間を大幅に削減することが可能である。

また、挿入損失及び反射減衰量の測定と、亀裂、断線等の検査とに使用される光学部材の一部を共用し、特に使用する光源を１つに統一することによって、省スペース化を図り、安価に製造することが可能である。

実施例１の光デバイス検査機の構成図である。光源のスペクトル分布のグラフ図である。光デバイスの接続状態の説明図である。光路長差と干渉光の強度との関係のグラフ図である。光デバイスの接続点及び不良個所の距離とビート信号の強度との関係のグラフ図である。挿入損失の校正線を得るための構成図である。挿入損失の測定で使用する校正線のグラフ図である。反射減衰量、断線検査の校正線を得るための構成図である。反射減衰量、断線検査の測定で使用する校正線のグラフ図である。実施例２の光デバイス検査機の構成図である。

本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。

図１は実施例１の光デバイス検査機１のブロック構成図であり、この光デバイス検査機１には測定対象物である光デバイスＣが接続されている。この光デバイスＣとしては多種多様なものが適用可能で、例えば、内部に光路を有する単体の被測定コネクタ、この被測定コネクタ及びこの被測定コネクタに接続した光ファイバケーブル、１対の被測定コネクタ及びこれらの１対の被測定コネクタ間を連結する光ファイバ、ＴＦＦ（Thin Film Filter）モジュール等の各種光学フィルタ、ビームスプリッタ、光カプラ、光スイッチ、光サーキュレータ等を適用することができるが、特にこれらに限定されるものではない。

光デバイス検査機１は、筐体２内に、広帯域かつ低コヒーレンスな光Ｌを出射する、例えばＳＬＤ（Superluminescent Diode）から成る光源３と、この光Ｌを透過する測定光Ｌ１及び反射する参照光Ｌ２に光量を等分に分岐するビームスプリッタ４と、参照光Ｌ２の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラー５と、光デバイスＣとの接続点や光デバイスＣの断線や亀裂等の不良個所において反射した測定光Ｌ１’及び参照ミラー５で反射した参照光Ｌ２’を、ビームスプリッタ４を介して受光する第１の光測定器６とを備えている。

また、光デバイス検査機１は、更に筐体２の外側に接続される接続部７と、この接続部７の同一光軸上に離間して設けられた光デバイスＣの他端と接する透過光入力部８と、透過光入力部８から筐体２内に入射した測定光Ｌ１を受光する第２の光測定器９とを備えている。

ビームスプリッタ４を透過した測定光Ｌ１の筐体２外の光路先に配置した接続部７は、測定対象物とされる光デバイスＣの一端に光軸を合わせて接続されることになる。なお、光デバイス検査機１を構成する各部材は、必ずしも筐体２の内部及び外面に設けることに限定されず、例えば筐体２の代わりに光学定盤のような基台上に設けてもよい。

また、光源３、参照ミラー５、第１の光測定器６、第２の光測定器９には、制御部１０が接続されており、この制御部１０はこれら部材の動作等を制御している。また、制御部１０は第１の光測定器６及び第２の光測定器９の測定値等を演算し、挿入損失、反射減衰量、不良個所の位置とその程度を数値化して、図示しない表示手段、記憶手段に出力する。これらの表示手段、記憶手段は、筐体２内に配置した組込み型のＰＣであってもよく、また外部に接続したノートＰＣ等であってもよい。

制御部１０は、後述する複数の校正線を記憶し、第１の光測定器６及び第２の光測定器９による測定値からこの校正線を基に挿入損失、反射減衰量、反射光量を算出する機能を有している。

図２は光源３が有するスペクトル分布のグラフ図である。ＬＤ（Laser Diode）が数ｎｍ、典型的には±５ｎｍのスペクトル分布しか持たないのに対して、例えばＳＬＤから成る光源３は数１０ｎｍ、好ましくは±４０ｎｍのスペクトル分布を有する広帯域なものである。光源３はＬＤに比べてコヒーレント長が短い低コヒーレンスな性質を有する上に、ＬＤのように高輝度で位相の揃った光を出射することができ、光干渉を利用した測定に使用することが可能である。

また、光源３には光Ｌの温度に対する出力安定性を維持するために、ペルチェ素子等による温度制御手段が取り付けられている。同様に第２の光測定器９にも受光特性を安定させるためにペルチェ素子等による温度制御手段が取り付けられている。

参照ミラー５は参照光Ｌ２の参照光路に沿って任意の位置に移動可能な光路長可変機構を備えている。例えば、この参照光路の光路長可変機構には、回転リフレクタを用いることもできる。この回転リフレクタの光路長可変範囲は、光デバイスＣの断線や亀裂を検査する範囲の光路長以上を確保されており、例えば光デバイスの光路長が２０ｍｍであれば、可変範囲２０ｍｍを確保するために、半径２０ｍｍ、回転速度を１．１回転／秒程度の機構が採用される。

接続部７は、測定光Ｌ１を光デバイスＣに光軸を合わせて送光できればよいので、光デバイスＣの形態に応じて多種多様な構造を採用することが可能である。例えば、図１に示すように光デバイスＣが光コネクタ等のような光路長の短いものであれば、接続部７は光デバイスＣ近傍まで測定光Ｌ１を送光する光ファイバ７ａの先端に、光デバイスＣの一端に光軸を合わせて接続可能な接続端子７ｂを取り付けた構成とするのが適している。光デバイスＣが、両端に光コネクタの取り付けられた光ファイバのように光路長が長いものであれば、接続部７は接続端子７ｂのみで構成することもできる。

透過光入力部８は、光デバイスＣの他端から所定の開口角で広がりながら出射する測定光Ｌ１のビーム径よりも十分に大きい開口であり、特に厳密に光デバイスＣの光軸に合わせることなく、光デバイスＣの他端に接していればよい。なお、透過光入力部８と光デバイスの接続方法として、例えば透過光入力部８に固定孔を設け、光デバイスの他端を固定孔に挿入することで固定して接続する方法もある。

同様に第２の光測定器９の受光面は、光デバイスＣの他端から所定の開口角で広がりながら出射する測定光Ｌ１のビーム径よりも十分に大きいので、光デバイスＣと第２の光測定器９の光軸を厳密に合わせて配置する必要はなく、また透過光入力部８から多少離間していても支障はない。

なお、光源３から出射された光Ｌの各光路には光ファイバを用いることもでき、ビームスプリッタ４の代りにファイバカプラを用いて光Ｌを直進・分岐させることもできる。また、実際の光デバイス検査機１の光路中には、更にレンズ光学系、偏光ビームスプリッタ、１／４波長板等が使用されることもあるが、これらは公知の光学的な手段であるので、その説明を省略する。

光源３から出射された光Ｌは、ビームスプリッタ４において分岐され、ビームスプリッタ４を透過して直進した測定光Ｌ１は、接続部７を通って光デバイスＣに送光される。一方、ビームスプリッタ４で反射された光Ｌは参照光Ｌ２となり、参照ミラー５に送光される。

測定光Ｌ１が光デバイスＣに送光されると、光デバイスＣが良品であれば、大部分は光デバイスＣを透過して、透過測定光ＬＴ１となり第２の光測定器９に受光される。測定光Ｌ１の一部は接続部７と光デバイスＣの接続点で反射されて反射測定光ＬＲ１となり、接続部７を戻ってビームスプリッタ４で反射され第１の光測定器６に受光される。

また、光デバイスＣ内に断線や亀裂等の不良個所Ｃ１があれば、測定光Ｌ１は不良個所Ｃ１においても一部を反射されて不良反射測定光ＬＦ１となり、ビームスプリッタ４で反射され第１の光測定器６に受光される。一方、参照光Ｌ２は参照ミラー５で反射されて参照光Ｌ２’となり、ビームスプリッタ４を透過して第１の光測定器６に受光される。

例えばＳＬＤから成る光源３からは、波長１３１０±４０ｎｍの低コヒーレントで位相が揃った光Ｌが出射され、接続部７と光デバイスの接続点から光デバイスＣ内の不良点までを含む反射光の測定範囲は例えば０〜２０ｍｍであり、反射位置の測定分解長は例えば１．２５μｍとされている。これに対応して、参照光Ｌ２の光路長を調節する参照ミラー５の光路長可変機構の可変範囲も、例えば２０ｍｍ相当とされている。

光デバイスＣの挿入損失測定、反射減衰量測定、断線や亀裂等の不良個所の検査に際しては、先ず光デバイス検査機１の接続部７に測定対象物となる光デバイスＣの一端を接続し、他端を透過光入力部８に接するように配置する。そして、光源３から挿入損失測定に適した所定光量の光Ｌを出射させると、光Ｌはビームスプリッタ４によって光デバイスＣへの測定光Ｌ１と、参照ミラー５への参照光Ｌ２とに分岐する。

まず、測定光Ｌ１は、接続部７を通って光デバイスＣに達する。測定光Ｌ１の大部分は光デバイスＣを透過して、光デバイスＣの挿入損失分だけ減衰して、透過光入力部８から筐体２内に入り、第２の光測定器９に受光される。第２の光測定器９の受光量は制御部１０に入力され、制御部１０は所定光量から受光量を減算して、挿入損失の測定値を算出する。

この挿入損失の測定値には、光デバイスＣ自体の挿入損失に加えて、ビームスプリッタ４や接続部７等の光デバイス検査機１自体の損失も含まれている。更にそれら光デバイス検査機１自体の損失や第２の光測定器９の受光特性には、個々の光デバイス検査機１自体の機差があり、その影響も挿入損失の測定値には含まれている。制御部１０は光デバイスＣ自体の挿入損失ＩＬと、この光デバイス検査機１自体の損失や機差の影響を含む挿入損失の測定値との関係を表す校正曲線を記憶しているので、この校正曲線に従って、挿入損失の測定値から光デバイスＣの挿入損失ＩＬを算出する。制御部１０に記憶されている光デバイスＣ自体の挿入損失ＩＬと挿入損失の測定値との関係を表す校正曲線を取得する方法については後述する。

次に、光源３から反射減衰量測定及び断線や亀裂等の不良個所の検査に適した所定光量に変更して光Ｌを出射させる。同様にして光Ｌはビームスプリッタ４によって測定光Ｌ１と参照光Ｌ２に分岐し、測定光Ｌ１は接続部７を通って、光デバイスＣに到達する。

図３は接続部７と光デバイスＣの接続状態を模式的に示した説明図である。例えば、接続部７の接続端子７ｂと光デバイスＣの接続点には軸ずれが存在し、この接続点から光デバイスＣ内に５ｍｍ入った部分に亀裂の不良個所Ｃ１が存在する場合を示している。これ以降の反射減衰量及び断線や亀裂等の不良個所の検査に関する動作は、光デバイスＣが図３に示した状態であることを前提として説明する。

測定光Ｌ１の一部は、接続部７と光デバイスＣの接続点で、わずかな軸ずれに起因して通常よりも強く反射されて、反射測定光ＬＲ１となって接続部７を戻り、ビームスプリッタ４で反射されて第１の光測定器６によって受光される。このときに、参照光Ｌ２は参照ミラー５で反射されて参照光Ｌ２’となり、ビームスプリッタ４を透過して第１の光測定器６によって反射測定光ＬＲ１と同時に受光される。従って、第１の光測定器６は、反射測定光ＬＲ１と参照光Ｌ２’の干渉光である反射干渉光ＬＩＲを受光することになる。

図４は第１の光測定器６で受光される反射干渉光ＬＩＲの強度と、反射測定光ＬＲ１と参照光Ｌ２‘の光路長差との関係を表したグラフ図である。反射測定光ＬＲ１と参照光Ｌ２’の光路長を一致させると、反射干渉光ＬＩＲの強度が最大となる。そこで、この特性を利用して、制御部１０によって参照ミラー５を光路に沿って移動させて参照光Ｌ２‘の光路長を変化させ、反射干渉光ＬＩＲの強度が最大となるように調整し、反射測定光ＬＲ１の光路長と一致させる。このときに制御部１０で参照ミラー５の移動距離を把握しておけば、反射測定光ＬＲ１の光路長に相当する接続部７と光デバイスＣの接続点の位置を検出できる。更に、このとき反射干渉光ＬＩＲの強度を最大とすることができるので、第１の光測定器６には極めて強いピーク状のビート信号が受光される。

図５は第１の光測定器６で受光されるピーク状のビート信号を示しており、横軸は接続部７と光デバイスＣの接続点をゼロ点としてビート信号の発生する距離（位置）を表し、縦軸はビート信号の強度を表している。接続部７と光デバイスＣの接続点からの反射測定光ＬＲ１に起因するビート信号ｅｒ１は、接続部に接合面があるだけでなく、わずかな軸ずれも存在するため、図５に示すように距離０のところに極めて高い強度のビート状で現れる。

一方、接続部７と光デバイスＣの接続点を透過した測定光Ｌ１は、光デバイスＣ内に到達し、光デバイスＣ内に断線や亀裂等の不良個所があれば、そこで反射されて不良反射測定光ＬＦ１となって接続部７を戻り、ビームスプリッタ４で反射されて第１の光測定器６によって受光される。現在接続されている光デバイスＣには接続部７と光デバイスＣの接続点から５ｍｍ入った部分に、図３に示すように亀裂の不良個所Ｃ１があるので、そこで反射されて不良反射測定光ＬＦ１が発生する。

このときに参照光Ｌ２’は上述のように第１の光測定器６によって不良反射測定光ＬＦ１と同時に受光される。従って、第１の光測定器６は、不良反射測定光ＬＦ１と参照光Ｌ２’の干渉光である不良反射干渉光ＬＩＦを受光することになる。

不良反射干渉光ＬＩＦの強度も同様にして不良反射測定光ＬＦ１と参照光Ｌ２‘の光路長差に対して、図４に示すような関係を有する。そこで、制御部１０によって参照ミラー５を光路に沿って移動させて参照光Ｌ２’の光路長を変化させ、不良反射干渉光ＬＩＦの強度が最大となるように調整し、不良反射測定光ＬＦ１の光路長と一致させる。このときに制御部１０で参照ミラー５の移動距離を把握しておけば、不良反射測定光ＬＦ１の光路長に相当する光デバイスＣの不良個所Ｃ１の位置を検出できる。更に、このとき不良反射干渉光ＬＩＦの強度を最大とすることができるので、接続部７と光デバイスＣの接続点から光デバイスＣ内に５ｍｍ入ったところにある不良個所Ｃ１に起因するビート信号ｅｆ１は、図５に示すように距離５ｍｍのところに高い強度のビート状で現れる。

なお、接続部７と光デバイスＣの接続点には図３に示すように明らかな軸ずれがあるため、接続部７と光デバイスＣの接続点によるビート信号ｅｒ１は、図５に示すように不良個所Ｃ１によるビート信号ｅｆ１よりも、大きなピーク値を有している。但し、一般的には接続部７と光デバイスＣの接続点からの反射測定光ＬＲ１と、光デバイスＣの断線や亀裂に起因する不良反射測定光ＬＦ１との大小関係は、軸ずれや断線・亀裂等の度合に応じて適宜に変化するものであり、図５に示したビート信号ｅｒ１、ｅｆ１は一例に過ぎない。

このように、参照ミラー５を移動させることによって、参照光Ｌ２’の光路長が、接続部７と光デバイスＣの接続点、又は光デバイスＣ内の不良個所Ｃ１からの反射測定光ＬＲ１又はＬＦ１の光路長に一致したときには、図５に示すように第１の光測定器６で干渉によるピーク状のビート信号ｅｒ１、ｅｆ１を受光することができる。このピーク状のビート信号の強度は、光学部材同士の接続や断線又は亀裂等のない位置からの反射光よりも際立って大きいために、ビート信号が得られたときには、光学部材同士の接続点があることや光デバイスＣ内に断線や亀裂等の不良が生じていることを容易に検出し、その位置を特定することが可能である。

また、光学部材同士の接続点や光デバイスＣ内の不良点が複数個存在し、それらが極めて距離的に近接していても、光干渉を利用しているので、それら各点からの反射光を区別して検出することが可能である。反射点の位置を検出するだけであれば、光Ｌの波長と同オーダー、例えば１．０μｍの分解能で検出可能であり、反射光の強度まで測定する場合には、光Ｌの波長の１０〜２０倍、例えば２０μｍの分解能で測定可能である。更に、この測定は高感度な光干渉によるため、光デバイスＣ内の微弱な反射光しか得られない隠れ断線であっても、ビート信号の光強度は際立って大きくなるので、隠れ断線の位置を検出することもできる。

この光干渉を利用した反射光の検出によって、光デバイスＣ内の不良個所が発見されない場合には、光デバイスＣ内には不良がないと判断できるが、不良個所が検出された場合には、更にその不良の程度を検査する必要がある。第１の光測定器６で得られた光デバイスＣの不良個所からの不良反射測定光ＬＦ１に起因する不良反射干渉光ＬＩＦの強度を測定することにより、光デバイスＣ内の断線や亀裂等の不良の状態を或る程度は推測することができる。

また、同様にこの光干渉を利用した反射光の検出によって、接続部７と光デバイスＣの接続点の位置が特定できれば、接続部７と光デバイスＣの接続点からの反射測定光ＬＲ１に起因する反射干渉光ＬＩＲの強度を測定することにより、光デバイスＣの反射減衰量を数値化することができる。

しかし、これらの干渉光ＬＩＲ、ＬＩＦを単に第１の光測定器６によって受光し、直ちにその光強度を数値化するだけでは、光デバイスＣの反射減衰量や内部で発生している断線・亀裂等の不良の程度を定量化することはできない。なぜならば、第１の光測定器６で受光された光量から単に得られたビート信号の強度は、たとえ第１の光測定器６に入射する干渉光の光強度が一定であっても、第１の光測定器６自体やそれに接続されている図示しない増幅回路等の個々の特性に大きく影響されて、個々の光デバイス検査機１毎に異なる数値となるからである。更に、第１の光測定器６で単に得られたビート信号の強度には、ビームスプリッタ４、参照ミラー５、接続部７等の光学部材の特性が、個々の光デバイス検査機１によって異なること、つまり機差の影響も含まれていることは言うまでもない。

そこで、接続部７と光デバイスＣの接続点や内部の断線・亀裂等の不良によって発生する反射光に起因する干渉光ＬＩＲ、ＬＩＦの強度を、個々の光デバイス検査機１の機差なく普遍的に数値化するために、各光学部材や増幅回路等も含めて第１の光測定器６の受光特性を、基準となる光学機器や光学系を用いて校正する。そして、第１の光測定器６によって受光された干渉光の測定値と、それらから第１の光測定器６の受光特性等の光デバイス検査機１の機差を取り除いた干渉光の強度との関係を表す校正線を取得して、個々の光デバイス検査機１毎に制御部１０に記憶させておく。

実際に個々の光デバイス検査機１によって、光デバイスＣの反射減衰量測定や断線・亀裂等の不良の検出を行う場合には、第１の光測定器６で受光された干渉光ＬＩＲ、ＬＩＦの強度の測定値を、この校正線によって校正して、光デバイスＣの反射減衰量や断線・亀裂等の不良による反射光量を算出する。

上述したように光デバイス検査機１による挿入損失、反射減衰量、断線・亀裂等の不良による反射光量を高精度に測定するには、各光学部材も含めた第１の光測定器６及び第２の光測定器９の受光特性のばらつきによって、個々の光デバイス検査機１毎の機差が発生しないように校正を行う。

図６は第２の光測定器９で受光した光デバイスＣの挿入損失の測定値ＩＬＭＣから、光デバイスＣの挿入損失値ＩＬＣを算出する時に使用する校正線を得るために、個々の光デバイス検査機１毎に校正作業を行う場合の構成図である。校正対象である光デバイス検査機１の接続部７に、測定対象物である光デバイスＣに代えて、校正用基準対象物である校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇを順次に接続する。

校正用基準光デバイスＣ０には、光源３と同一特性の光源によって、予め挿入損失値ＩＬ０が測定されているものを用いる。校正用基準光デバイスＣ０の挿入損失値ＩＬ０は、測定対象の光デバイスＣの挿入損失値ＩＬＣとおよそ同等であればよいが、好ましくは若干小さい値の方が、校正精度を高めるのに適している。また、校正用光減衰器Ｇは、光源３と同一特性の光源によって、予め減衰量の設定値が実際の光減衰量と一致するように校正されており、減衰量の設定値に対する実際の光減衰量の直線性が保証されているものを用いる。つまり、光源３から出射する光が透過した場合の損失量（減衰量）が既知の校正用基準光デバイスＣ０及び校正用光減衰器Ｇを用いる。

校正を行う際には、光源３から挿入損失測定時と同様に所定光量の光Ｌを出射させる。光Ｌはビームスプリッタ４によって測定光Ｌ１と参照光Ｌ２に分岐するが、校正には測定光Ｌ１のみを使用する。測定光Ｌ１は接続部７、校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇを順次に通って透過測定光ＬＴ１となり、透過光入力部８から筐体２内に入り、第２の光測定器９に受光される。

このときに校正用光減衰器Ｇの光減衰量をゼロに設定し、透過測定光ＬＴ１が校正用基準光デバイスＣ０の挿入損失値ＩＬ０の分だけ損失を受けて、第２の光測定器９に受光されるようにする。制御部１０はこのときの第２の光測定器９の受光量を、光源３の所定光量から減算して、挿入損失の測定値ＩＬＭ０を算出する。引き続いて、校正用光減衰器Ｇの光減衰量を所定値、例えば数ｄＢに設定して、透過測定光ＬＴ１が（挿入損失値ＩＬ０＋校正用光減衰器Ｇの減衰量数ｄＢ）＝ＩＬ１の分だけ損失を受けて、第２の光測定器９に受光されるようにする。制御部１０はこのときの第２の光測定器９の受光量を、光源３の所定光量から減算して挿入損失の測定値ＩＬＭ１を算出する。

図７は挿入損失を算出するための校正線であり、上述した第２の光測定器９による挿入損失の測定値ＩＬＭを、校正用基準光デバイスＣ０及び校正用光減衰器Ｇによって設定した挿入損失ＩＬに対してプロットし、プロットを近似する校正線を引いたものである。挿入損失の測定値ＩＬＭ０は挿入損失値ＩＬ０の点にプロットされ、ＩＬＭ１は挿入損失値（ＩＬ０＋数ｄＢ）＝ＩＬ１の点にプロットされ、２点を通る校正線が引かれている。この校正線は個々の光デバイス検査機１の光学部材や第２の光測定器９の特性ばらつきによる機差を含んだ挿入損失の測定値と、実際に接続部７に取り付けられた測定対象物の挿入損失値との関係を表すものである。

制御部１０にこの校正線のデータを記憶させておけば、上述した手順で光デバイスＣの挿入損失を測定した際には、この校正線を使用して、第２の光測定器９によって測定された挿入損失の測定値ＩＬＭＣから、光デバイスＣの挿入損失値ＩＬＣを求めることができる。求めた光デバイスＣの挿入損失値ＩＬＣは、個々の光デバイス検査機１の光学部材や第２の光測定器９の特性ばらつきによる機差を排除した光デバイスＣ自体の挿入損失であり、挿入損失の測定を高精度に行うことが可能となる。

なお、校正線の精度を高めるために、校正用光減衰器Ｇの光減衰量の設定を更に変更して校正を行い、このときの挿入損失の測定値を、設定した挿入損失に対してプロットし、プロット数を増加させてから、多くのプロットを近似する校正線を引くことも可能である。

図８は第１の光測定器６で受光した反射干渉光ＬＩＲ又は不良反射干渉光ＬＩＦの測定値から、光デバイスＣの反射減衰量又は不良個所による反射光量を算出する時に使用する校正線を得るために、個々の光デバイス検査機１毎に校正作業を行う場合の構成図である。校正対象である光デバイス検査機１の接続部７に、測定対象物である光デバイスＣに代えて、校正用の光学系として校正用基準対象物である校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇ、反射ミラーＭを順次に接続する。

校正用基準光デバイスＣ０には、光源３と同一特性の光源によって、予め挿入損失値ＩＬ０、反射減衰量ＲＬ０が測定されているものを用いる。校正用光減衰器Ｇは、光源３と同一特性の光源によって予め減衰量の設定値が実際の光減衰量と一致するように校正され、減衰量の設定値に対する実際の光減衰量の直線性が保証されているものを用いる。つまり、光源３と同一特性の光源から出射した光が、順次に校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇ、反射ミラーＭを往復し戻った場合における反射光量が既知であり、校正用光減衰器Ｇの光減衰量の設定値を変更することによって、この反射光量の強度を任意に設定できるように、校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇ、反射ミラーＭは、予め校正されているものとする。

校正を行う際には、光源３から反射減衰量測定及び断線や亀裂等の不良個所の検査に適した所定光量に変更して光Ｌを出射させる。光Ｌはビームスプリッタ４によって測定光Ｌ１と参照光Ｌ２に分岐し、測定光Ｌ１は順次に接続部７、校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇを通って反射ミラーＭに到達する。測定光Ｌ１は反射ミラーＭで反射されて反射測定光ＬＲ１となり、再び校正用光減衰器Ｇ、校正用基準光デバイスＣ０、接続部７を通って戻り、ビームスプリッタ４で反射されて第１の光測定器６に受光される。

一方、参照光Ｌ２は参照ミラー５で反射されて参照光Ｌ２’となり、ビームスプリッタ４を透過して、反射測定光ＬＲ１と同時に第１の光測定器６によって受光される。従って、第１の光測定器６は、反射測定光ＬＲ１と参照光Ｌ２’の干渉光である反射干渉光ＬＩＲを受光することになる。

このときに光源３と同一特性の光が、校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇを通り反射ミラーＭで反射されて、再び校正用光減衰器Ｇ、校正用基準光デバイスＣ０を通って戻った場合の反射光が、例えば−１４．７ｄＢ等の所定強度となるように、校正用光減衰器Ｇの光減衰量を設定しておく。この反射光の強度−１４．７ｄＢの設定は、典型的な光ファイバの切断面と空気との境界面によって発生する反射光の強度に相当し、反射減衰量や不良点からの反射光量の校正に通常は適しているが、これに限定されることなく光デバイスＣの反射減衰量等を基準に任意に設定することができる。

このように校正用光減衰器Ｇの光減衰量を設定しておけば、測定光Ｌ１は校正用基準光デバイスＣ０、校正用光減衰器Ｇ、反射ミラーＭを往復することによって、例えば―１４．７ｄＢのような設定通りに減衰した反射測定光ＬＲ１となる。

図４に示す光強度と光路長差の関係を利用して、反射測定光ＬＲ１と参照光Ｌ２’による反射干渉光ＬＩＲの強度が最大となるように、参照ミラー５を光軸に沿って移動させて、参照光Ｌ２による参照ミラー５までの参照光路長を、測定光Ｌ１による反射ミラーＭまでの測定光路長と一致させる。

この状態で反射干渉光ＬＩＲを第１の光測定器６で受光した際の光量の測定値を用いて、校正線Ｐを作成する。図９は横軸が上述のようにして設定された反射光量の強度を表し、縦軸は第１の光測定器６で受光した反射干渉光ＬＩＲの測定値の強度を表している。

図８の構成において、校正用基準光デバイスＣ０から校正用光減衰器Ｇを経て反射ミラーＭで往復する光路の光減衰率、つまり反射光量の強度を−１４．７ｄＢに設定した場合に、反射干渉光ＬＩＲを第１の光測定器６で受光した光量の測定値の強度ＲＭ１を、基準点β１として図９に示すグラフ上にプロットする。更に、反射光量の強度を例えば−１０ｄＢに設定した場合についても、同様に第１の光測定器６による光量の測定値の強度ＲＭ２を、基準点β２として図９に示すグラフ上にプロットする。基準点β１及びβ２を通過するように校正線Ｐを引いて、この校正線のデータを制御部１０に記憶しておく。この校正線Ｐは個々の光デバイス検査機１の光学部材や第１の光測定器６の特性ばらつきによる機差を含んだ反射光量の測定値の強度と、実際に接続部７に取り付けられた測定対象物による反射光量の強度との関係を表すものである。

光デバイスＣの反射減衰量を測定する際には、図９に示すように第１の光測定器６で受光された反射干渉光ＬＩＲの測定値の強度ＲＬＭＣから、校正線Ｐを利用して光デバイスＣの反射減衰量ＲＬＣを求めることができる。同様にして、光デバイスＣの断線や亀裂等の不良による反射光量を測定する際にも、第１の光測定器６で受光された不良反射干渉光ＬＩＦの測定値の強度ＲＦＭＣから、校正線Ｐを利用して光デバイスＣの不良に起因する反射光量の強度ＲＦＣを求めることができる。求めた光デバイスＣの反射減衰量ＲＬＣ、不良に起因する反射光量の強度ＲＦＣは、個々の光デバイス検査機１の光学部材や第１の光測定器６の特性ばらつきによる機差を排除した光デバイスＣ自体の反射減衰量、反射光量の強度であり、反射減衰量を高精度に測定できると共に、反射光量の強度を数値化することによって、不良の程度を定量的に把握可能となる。

なお、校正線Ｐの精度を高めるために、校正用光減衰器Ｇの光減衰量の設定を変更することによって、校正用基準光デバイスＣ０から校正用光減衰器Ｇを経て反射ミラーＭで往復する光路の光減衰量、つまり反射光量の強度をより小さい値に設定し、更なる校正データ取得のために同様な測定を行ってもよい。このときに第１の光測定器６で受光した反射干渉光の測定値の強度を、より小さい値に設定した反射光量の強度に対してプロットし、プロット数を増加させてから、多くのプロットを近似する校正線Ｐを引いて、校正精度を高めることも可能である。

実施例１の光デバイス検査機１は、光デバイスＣの挿入損失を測定するために、図１に示すように第２の光測定器９を備えているが、第１の光測定器６を挿入損失の測定にも兼用し、第２の光測定器９を設けない構成も可能である。図１０は実施例１の第１の光測定器６及び第２の光測定器９の構成に代えて、１個の光測定器６’のみの構成にした実施例２の光デバイス検査機１’の構成図である。

筐体２内のビームスプリッタ４と光測定器６’の間には、光軸に沿ってビームスプリッタ４側から順次にシャッター１１、ハーフミラー１２が配置されている。シャッター１１は制御部１０に接続されており、制御部１０によって開閉動作を制御可能とされている。また、筐体２の外面にはハーフミラー１２に対向して、透過測定光ＬＴ１を通すための円形状の開口を有する透過光入力部８が設けられている。ビームスプリッタ４を透過した測定光Ｌ１の光路先に配置した接続部７と透過光入力部８との間に、測定対象物である光デバイスＣを配置する。

ハーフミラー１２はビームスプリッタ４側から入射する光を光測定器６’側に透過させ、透過光入力部８から入射する透過測定光ＬＴ１を光測定器６’側に反射させる。その他の部材の構成に関しては、実施例１と同様であるので、説明を省略する。

光デバイスＣの挿入損失を測定する際には、光源３から光Ｌを出射し、ビームスプリッタ４で測定光Ｌ１と参照光Ｌ２に分岐させるが、参照光Ｌ２’、測定光Ｌ１が反射された戻り光である測定光Ｌ１’は測定に不要であるので、制御部１０はシャッター１１を閉鎖状態とし、測定光Ｌ１’、参照光Ｌ２’がハーフミラー１２に到達しないようにする。測定光Ｌ１は接続部７を通って光デバイスＣに到達し、光デバイスＣの挿入損失の分だけ減衰した透過測定光ＬＴ１となって、透過光入力部８から筐体２内に入り、ハーフミラー１２で反射されて光測定器６’によって受光される。受光された光量の制御部１０による演算処理は、上述した挿入損失測定における動作の説明と同様であるので、説明を省略する。

光デバイスＣの反射減衰量測定、断線や亀裂等の不良検査の際には、制御部１０はシャッター１１を開放状態とし、光デバイスＣの他端は透過光入力部８の開口から外れた位置にしておく。このようにすることで、光デバイスＣ内を通過した測定光Ｌ１がハーフミラー１２で反射して光測定器６’に受光されることはない。

ハーフミラー１２は、ビームスプリッタ４を反射又は透過した反射測定光ＬＲ１、不良反射測定光ＬＦ１、参照光Ｌ２’を透過させるので、光測定器６’にはそれらの干渉光である反射干渉光ＬＩＲ、不良反射干渉光ＬＩＦが受光される。受光された干渉光量の制御部１０による演算処理は、上述した反射減衰量測定、断線や亀裂等の不良検査における動作と同様であるので、説明を省略する。

実施例２の光デバイス検査機１’は、１個の光測定器６’で構成されているので実施例１の光デバイス検査機１に比べて、更に小型化と低コスト化を図ることができる。

なお、参照光Ｌ２’、反射測定光ＬＲ１、不良反射測定光ＬＦ１をハーフミラー１２に到達させない手段であるシャッター１１に代えて、例えばビームスプリッタ４を光Ｌの光路から外す移動機構を採用してもよい。また、反射減衰量測定、断線や亀裂等の不良検査の際に、光デバイスＣの他端を透過光入力部８の開口から外れた位置にするのではなく、透過光入力部８の開口を閉じる機構を設けるようにしてもよい。

以上に述べたように、本実施例の光デバイス検査機１、１’によれば、一旦測定対象物である光デバイスＣを接続部７に取り付けてしまえば、光デバイスＣの取り外しや再接続をすることなく、挿入損失、反射減衰量、断線や亀裂等の不良検査を、一括して行うことができる。また、接続部７と光デバイスＣの接続点と、断線や亀裂等の不良個所Ｃ１が極めて近接していても、それぞれの反射が発生する位置を正確に検出できる。更に、制御部１０には光学部材や光測定器の特性ばらつきを、光量の測定値から排除する校正線が記憶されているので、この校正線を利用して、個々の光デバイス検査機１、１’毎に機差の発生しない高精度な測定を行うことができる。従って、隠れ断線のような微弱な反射光しか発生しない場合でも、不良に起因する反射光の強度を定量化して、その不良状態を的確に把握することが可能である。

１、１’ 光デバイス検査機
２筐体
３光源
４ビームスプリッタ
５参照ミラー
６第１の光測定器
６’ 光測定器
７接続部
８透過光入力部
９第２の光測定器
１０制御部
１１シャッター
１２ハーフミラー
Ｃ光デバイス
Ｃ０校正用基準光デバイス
Ｇ校正用光減衰器
Ｍ反射ミラー

上記目的を達成するための本発明に係る光デバイス検査機は、ＳＬＤから成る光源と、前記光を透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する第１の光測定器と、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光を受光する第２の光測定器と、前記光源、前記参照ミラー、前記第１の光測定器、及び第２の光測定器に接続した制御部とを筐体内に備え、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、前記第２の光測定器との間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記制御部は、前記接続部と前記測定対象物との接続点により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定し、前記測定対象物の不良個所により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって前記不良個所を検出し、前記測定対象物を透過して前記第２の光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量とから、前記測定対象物の挿入損失を測定することを特徴とする。

上記目的を達成するための本発明に係る光デバイス検査機は、ＳＬＤから成る光源と、該光源からの光を、透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する第１の光測定器と、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光を受光する第２の光測定器と、前記光源、前記参照ミラー、前記第１の光測定器、及び第２の光測定器に接続した制御部とを筐体内に備え、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、前記第２の光測定器との間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記制御部は、前記接続部と前記測定対象物との接続点により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定し、前記測定対象物の不良個所により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって前記不良個所を検出し、前記測定対象物を透過して前記第２の光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量とから、前記測定対象物の挿入損失を測定する光デバイス検査機であって、前記測定対象物は、光コネクタ、各種光学フィルタ、ビームスプリッタ、光カプラ、光スイッチ、光サーキュレータの何れかの光デバイスであり、前記測定対象物の挿入損失値は、前記測定対象物を透過して前記第２の光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量と、前記測定対象物自体の挿入損失と本検査機自体の損失及び機差の影響を含む挿入損失の測定値との関係を表す校正線と、に基づいて算出されることを特徴とする。

上記目的を達成するための本発明に係る光デバイス検査機は、ＳＬＤから成る光源と、該光源からの光を、透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する第１の光測定器と、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光を受光する第２の光測定器と、前記光源、前記参照ミラー、前記第１の光測定器、及び第２の光測定器に接続した制御部とを筐体内に備え、更に、前記筐体の外側に接続され、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、該接続部の同一光軸上に離間して設けられた透過光入力部とを備え、前記第２の光測定器は、前記透過光入力部から前記筐体内に入射した前記測定光を受光し、前記接続部と前記透過光入力部との間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記制御部は、前記接続部と前記測定対象物との接続点により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定し、前記測定対象物の不良個所により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって前記不良個所を検出し、前記測定対象物を前記不良個所により反射せずに透過して前記第２の光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量とから、前記測定対象物の挿入損失を測定する光デバイス検査機であって、前記測定対象物は、光コネクタ、各種光学フィルタ、ビームスプリッタ、光カプラ、光スイッチ、光サーキュレータの何れかの光デバイスであり、前記測定対象物の挿入損失値は、前記測定対象物を透過して前記第２の光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量と、前記測定対象物自体の挿入損失と本検査機自体の損失及び機差の影響を含む挿入損失の測定値との関係を表す校正線と、に基づいて算出されることを特徴とする。
本発明に係る光デバイス検査機は、ＳＬＤから成る光源と、該光源からの光を、透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する光測定器と、該参照光と前記ビームスプリッタで反射した前記測定光とによる干渉光の閉鎖、開放を行うシャッターと、前記光源、前記参照ミラー、前記光測定器、及びシャッターに接続した制御部とを筐体内に備え、前記ビームスプリッタと前記光測定器の間には、前記ビームスプリッタ側から前記シャッター及びハーフミラーを順次に配置し、更に、前記筐体の外側に接続され、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、該接続部の同一光軸上に離間して設けられた透過光入力部とを備え、前記光測定器は、前記透過光入力部から前記筐体内に入射した前記測定光を、前記ハーフミラーを介して受光し、前記接続部と前記透過光入力部との間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記制御部は、前記シャッターを開放状態にして、前記接続部と前記測定対象物との接続点により反射され、前記ビームスプリッタで反射された前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定し、前記シャッターを開放状態にして、前記測定対象物の不良個所により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記光測定器で受光することによって前記不良個所を検出し、前記シャッターを閉鎖状態にして、前記測定対象物を前記不良個所により反射せずに透過して前記光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量とから、前記測定対象物の挿入損失を測定することを特徴とする。

Claims

広帯域かつ低コヒーレンスな光を出射する光源と、前記光を透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する第１の光測定器と、前記ビームスプリッタを透過した前記測定光を受光する第２の光測定器と、前記光源、前記参照ミラー、前記第１の光測定器、及び第２の光測定器に接続した制御部とを筐体内に備え、
前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、前記第２の光測定器との間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記測定対象物の挿入損失測定、反射減衰量測定、及び不良個所の検査を行うことを特徴とする光デバイス検査機。
前記制御部は、前記接続部と前記測定対象物との接続点により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定し、
前記測定対象物の不良個所により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記第１の光測定器で受光することによって前記不良個所を検出し、
前記測定対象物を透過して前記第２の光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量とから、前記測定対象物の挿入損失を測定することを特徴とする請求項１に記載された光デバイス検査機。
前記接続部に前記測定対象物に代えて、校正用基準対象物、光減衰器、反射ミラーを順次に接続し、前記光が前記校正用基準対象物、前記光減衰器、前記反射ミラーを往復し戻った反射光量が既知で、前記光減衰器の光減衰量の設定値を変更することによって、前記反射光量の強度を任意に設定可能に予め校正しておき、前記光減衰器の光減衰量の設定値を変更して反射光量を所定強度に設定してから、前記測定光を校正用基準対象物、光減衰器を通し反射ミラーで反射させて、再び校正用基準対象物、光減衰器を通して減衰させた反射測定光と、前記参照光との干渉光を前記第１の光測定器で受光した測定値を、前記設定した反射光量の前記所定強度に対してプロットした校正線を前記制御部に記憶し、前記測定光と前記参照光とによる前記干渉光を前記第１の光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定した場合には、又は前記測定対象物の前記不良個所を検出した場合には、前記校正線に基づいて前記干渉光の前記第１の光測定器による測定値に対応する反射光量の強度を、算出して数値化することを特徴とする請求項１又は２に記載された光デバイス検査機。
前記接続部に前記測定対象物に代えて、挿入損失値が既知の校正用基準対象物と、設定値に一致する光減衰量となるように校正された光減衰器とを順次に接続し、前記光減衰器の光減衰量を所定値に設定してから、前記測定光を前記校正用基準対象物、前記光減衰器に通して前記第２の光測定器で受光し、前記第２の光測定器の受光量から算出した挿入損失の測定値を、前記校正用基準対象物及び前記光減衰器によって設定した挿入損失値に対してプロットした校正線を前記制御部に記憶しておき、前記測定対象物を透過して前記第２の光測定器で受光された光量から挿入損失の測定値を算出した場合には、前記校正線に基づいて挿入損失の測定値から前記測定対象物の挿入損失値を求めることを特徴とする請求項１又は２に記載された光デバイス検査機。
広帯域かつ低コヒーレンスな光を出射する光源と、前記光を透過する測定光及び反射する参照光に分岐するビームスプリッタと、前記参照光の光路長を調整可能な光路長可変機構を有する参照ミラーと、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光、及び前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光を受光する光測定器と、前記参照光の閉鎖、開放を行うシャッターと、前記光源、前記参照ミラー、前記光測定器、及びシャッターに接続した制御部とを筐体内に備え、
前記ビームスプリッタと前記光測定器の間には、前記ビームスプリッタ側から前記シャッター及びハーフミラーを順次に配置し、
前記ビームスプリッタを透過した前記測定光の光路先に配置した接続部と、前記ハーフミラーとの間に、測定対象物である光デバイスを配置し、前記測定対象物の挿入損失測定、反射減衰量測定、及び不良個所の検査を行うことを特徴とする光デバイス検査機。
前記制御部は、前記シャッターを開放状態にして、前記接続部と前記測定対象物との接続点により反射され、前記ビームスプリッタで反射された前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記光測定器で受光することによって、前記測定対象物の反射減衰量を測定し、
前記シャッターを開放状態にして、前記測定対象物の不良個所により反射し、前記ビームスプリッタで反射した前記測定光と、前記参照ミラーで反射し、前記ビームスプリッタを透過した前記参照光とによる干渉光を、前記光測定器で受光することによって前記不良個所を検出し、
前記シャッターを閉鎖状態にして、前記測定対象物を透過して前記光測定器で受光された光量と、前記光源から出射された光の光量とから、前記測定対象物の挿入損失を測定することを特徴とする請求項５に記載された光デバイス検査機。
前記測定対象物は、１つの被測定コネクタ、該被測定コネクタ及び該被測定コネクタに接続した光ファイバケーブル、又は１対の被測定コネクタ及び該１対の被測定コネクタ間を連結する光ファイバケーブルの何れかであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載された光デバイス検査機。