JP2021174020A - 画像形成装置、ｎａｎｄ型フラッシュメモリの寿命予測方法、及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】装置内に余分な空間を設けることなくＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得する画像形成装置を提供する。【解決手段】画像形成装置１００は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと、画像形成装置内部の温度を検出する温度検出部１３０と、温度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して寿命情報を取得する寿命情報取得部２０２と、を備える。画像形成装置は、温度センサにより検出した画像形成装置内部の温度に基づき、対応テーブルを参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得する。【選択図】図２

Description

本発明は、画像形成装置、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法、及びプログラムに関する。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを搭載した画像形成装置が知られている。このＮＡＮＤ型フラッシュメモリには寿命があり、また寿命は環境温度等によって異なる。そのため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの交換等を適切な時期に行うには、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を正確に取得することが望ましい。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報の取得方法として、装置に搭載されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を機械学習で予測する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、機械学習によりＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を予測するためには、高機能なプロセッサや、プロセッサの発熱を抑制するための冷却装置等を配置するための余分な空間が装置に求められる場合がある。

本発明は、装置内に余分な空間を設けることなくＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得することを課題とする。

本発明の一態様に係る画像形成装置は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える画像形成装置であって、前記画像形成装置内部の温度を検出する温度検出部と、前記温度に基づき、前記温度と前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、前記寿命情報を取得する寿命情報取得部と、を備える。

本発明によれば、装置内に余分な空間を設けることなくＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得できる。

第１実施形態に係る画像形成装置のハードウェア構成例のブロック図である。 第１実施形態に係る画像形成装置の機能構成例のブロック図である。 温度と寿命情報の対応テーブル例を示す図であり、（ａ）は１つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える場合の図、（ｂ）は２つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える場合の図である。 第１実施形態に係る画像形成装置の動作例のフローチャートである。 第２実施形態に係る画像形成装置のハードウェア構成例のブロック図である。 第２実施形態に係る画像形成装置の機能構成例のブロック図である。 温度と寿命情報とデータ保持期間の対応テーブル例を示す図である。 第２実施形態に係る画像形成装置の動作例のフローチャートである。 第３実施形態に係る画像形成装置の機能構成例のブロック図である。 選択受付部が表示するデータ保持期間の選択画面例を示す図である。 温度と寿命情報とデータ保持期間の対応テーブル例を示す図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。また以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための画像形成装置を例示するものであって、本発明を以下に示す実施形態に限定するものではない。

以下では、用紙等の記録媒体に電子写真方式で印刷を行う画像形成装置を一例として、実施形態を説明する。

実施形態に係る画像形成装置は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備え、温度センサにより検出した画像形成装置内部の温度に基づき、温度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得する。

簡単な処理でＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得でき、寿命情報取得のための高機能なプロセッサやプロセッサの発熱を抑制するための冷却装置等の構成を要さない。これにより、画像形成装置内に余分な空間設けることなく、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を取得（寿命予測）可能にする。

［第１実施形態］
＜画像形成装置１００のハードウェア構成例＞
まず、第１実施形態に係る画像形成装置１００のハードウェア構成について、図１を参照して説明する。図１は、画像形成装置１００のハードウェア構成の一例を説明するブロック図である。

図１に示すように、画像形成装置１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１０と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０と、温度検出部１３０と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１４０と、電源プラグ１５０と、操作パネル１６０と、表示パネル１７０とを備える。なお、これらの構成要素の全てが必須ではなく、他の構成要素を備えてもよい。また、これらの構成要素はそれぞれ、バスを介して互いに接続されている。但し、これらの構成要素が有線通信及び無線通信の何れを介して接続されてもよい。

ＣＰＵ１１０はプロセッサ等で構成され、画像形成装置１００の各部の動作及び全体動作を制御する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０は不揮発性半導体記憶素子のフラッシュメモリであり、画像形成装置１００で動作する各種プログラム及び各種パラメータを記憶する。またＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命に該当するエンデュランス(書換可能回数)と温度との関係を示す対応テーブル２２０を格納する。

温度検出部１３０は、温度センサ１３１を含む電気回路等により構成され、温度センサ１３１により検出された温度情報をＣＰＵ１１０に出力する。温度センサ１３１は、放射温度計等により構成され、画像形成装置１００内部の温度を検出する。但し、温度センサ１３１は、放射温度計に限定されるものではなく、温度を検出できるものであれば何でもよい。

温度センサ１３１により検出される温度情報は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命を予測するために用いられるため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の発熱をより正確に検出できると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命をより精度よく予測できる。そのため、温度センサ１３１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の表面又は近傍の温度を検出可能に構成及び／又は配置されるとより好適である。

ＲＡＭ１４０は揮発性半導体記憶装置等で構成され、ＣＰＵ１１０のワークエリアとして使用される。ＲＡＭ１４０は、各種信号処理及び画像処理を施す際にデータを一時的に保存する記憶領域を提供する。電源プラグ１５０は、画像形成装置１００に電力を供給するための接続器（コネクタ）である。

操作パネル１６０は、画像形成装置１００のユーザによる操作入力を受け付ける入力装置である。操作パネル１６０は、ボタン、ダイヤル、キー、マウス、タッチパネル及び音声入力のためのマイク等の入力装置を含んで構成できる。

表示パネル１７０は、ＣＰＵ１１０の制御に従って種々の画面を表示する。表示パネル１７０は、液晶パネル、有機ＥＬ（Electroluminescence）及び無機ＥＬ等のディスプレイを含んで構成できる。表示パネル１７０は、音声出力のためのスピーカを含んでもよい。表示パネル１７０は、操作パネル１６０を兼ねたタッチパネルであってもよい。

プログラムは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０等に予め保持されている。プログラムは、ＣＰＵ１１０によって、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０等からＲＡＭ１４０に読み出されて展開される。ＣＰＵ１１０は、ＲＡＭ１４０に展開されたプログラム中のコード化された各命令を実行する。なお、プログラムは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に限らず、例えば記録ディスク等の記録媒体に格納されていてもよい。また、プログラムは、有線ネットワーク、無線ネットワーク又は放送等を介して伝送され、ＲＡＭ１４０に取り込まれてもよい。

なお、上述したＣＰＵ１１０によって実現される機能は、ＣＰＵ１１０等のプログラム実行部によって実現されてもよく、回路によって実現されてもよく、プログラム実行部及び回路の組み合わせによって実現されてもよい。例えば、このような機能は、集積回路であるＬＳＩ（大規模集積回路：Large Scale Integration）によって実現されてもよい。

このような機能は個別に１チップ化されてもよく、一部又は全てを含むように１チップ化されてもよい。ＬＳＩとして、ＬＳＩ製造後にプログラムすることが可能なＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＬＳＩ内部の回路セルの接続及び／又は設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサ、又は、特定用途向けに複数の機能の回路が１つにまとめられたＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等が利用されてもよい。

＜画像形成装置１００の機能構成＞
次に、画像形成装置１００の機能構成について、図２を参照して説明する。図２は、画像形成装置１００の機能構成の一例を説明するブロック図である。

図２に示すように、画像形成装置１００は、第１格納部２０１と、寿命情報取得部２０２と、書換回数取得部２０３と、判定部２０４と、出力部２０５とを備える。これらのうち、寿命情報取得部２０２、書換回数取得部２０３及び判定部２０４のそれぞれの機能は、ＣＰＵ１１０が所定のプログラムを実行すること等により実現され、第１格納部２０１の機能は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０等により実現される。また出力部２０５の機能は、表示パネル１７０等により実現される。

第１格納部２０１は、温度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブル２２０を格納する。

寿命情報取得部２０２は、温度検出部１３０から入力した画像形成装置１００内の温度情報に基づき、第１格納部２０１を参照してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を取得する。また寿命情報取得部２０２は、画像形成装置１００の動作で参照可能に設定されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を、新たに取得した寿命情報に更新することができる。

書換回数取得部２０３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０のＳＭＡＲＴ（Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology）情報又はＨｅａｌｔｈ Ｒｅｐｏｒｔ情報等を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の現在までのデータの書換回数情報を取得する。

ここで、ＳＭＡＲＴ情報とは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の健康状態についてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０自身が発行する各種の情報をいう。この情報には、現在までのデータの書換回数や、発生した各種エラーの発生頻度、全てのエラー発生時のなかで最も状態が悪かったときのワースト記録等が含まれる。これらはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０内に記憶され、書換回数取得部２０３は、そのうちの現在までのデータの書換回数の情報を取得できる。Ｈｅａｌｔｈ Ｒｅｐｏｒｔ情報も同様に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の健康状態についてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０自身が発行する情報である。

判定部２０４は、寿命情報取得部２０２が取得したＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報と、書換回数取得部２０３が取得した現在までのデータの書換回数情報とを比較し、画像形成装置１００のユーザに対してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の保守を促す保守通知の要否を判定する。

出力部２０５は、判定部２０４により保守通知が必要であると判定された場合に、表示パネル１７０に保守情報を表示させることができる。

＜対応テーブル２２０の一例＞
次に、第１格納部２０１に格納される対応テーブル２２０について、図３を参照して説明する。図３は、対応テーブル２２０の一例を示す図であり、（ａ）は画像形成装置１００が１つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える場合の対応テーブル２２０を示す図、（ｂ）は画像形成装置１００が２つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える場合の対応テーブル２２１を示す図である。

図３（ａ）において、対応テーブル２２０における「温度」欄は、画像形成装置１００内部の温度を示し、「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０寿命」は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を示している。但し、図３（ａ）に示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報は一例であり、これに限定されるものではない。この寿命情報は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０におけるデータの書換可能回数に該当する。

ここで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリでは、浮遊ゲートへ電子の注入及び引き抜きを繰り返し行うと、絶縁層の酸化膜を電子が通過するトンネル酸化膜 （Tunnel Oxide）で格子欠陥と呼ばれる電子が通過しやすい箇所が増大していき、トンネル酸化膜が劣化する。そして格子欠陥が層を貫通して電子が通過し、正常に情報の記録が行えないセルが生じる。このようなセルを含む不良ブロックは回復しないため、不良ブロックが生じるまでにデータを書換可能な回数が、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命になる。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命は、アレニウスの法則に従って温度が低いほど長くなる。そのため、図３（ａ）では、温度が低いほどデータの書換可能回数は多くなっている。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命の初期設定値は５０００回である。この場合、画像形成装置１００内部の温度は５５℃が想定されている。温度検出部１３０で検出した画像形成装置１００内部の温度が５５℃であれば、寿命には初期設定値の５０００回が適用される。そしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０における実際の書換回数が５０００回を超える場合に、画像形成装置１００はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が寿命に到達すると判定し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０、或いはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が実装された基板の交換等を促す保守通知を行う。

また、温度検出部１３０で検出した画像形成装置１００内部の温度が例えば１０℃であれば、対応テーブル２２０に従って、寿命には初期設定値の２７５００回が適用される。そしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の実際の書換回数が２７５００回を超えるまで、画像形成装置１００は保守通知を行わない。

このようにして、画像形成装置１００内部の実際の温度に応じて、適切な時期に保守通知が行われ、まだ使用可能な状態にあるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が交換のための作業時間やコストの無駄を防止できるようになっている。

また画像形成装置１００が複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える場合には、図３（ｂ）に示すように、温度に対応したＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０及び１２１のそれぞれの寿命情報が、対応テーブル２２１として第１格納部２０１に格納される。

寿命情報取得部２０２は、対応テーブル２２１を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０及び１２１のそれぞれの寿命情報を取得でき、それぞれにおける保守通知の要否を判定できる。

＜画像形成装置１００の動作例＞
次に、画像形成装置１００によるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報の取得動作（寿命の予測動作）について、図４を参照して説明する。図４は、画像形成装置１００の動作の一例を説明するフローチャートである。

図４に示す寿命情報の取得動作は、任意に設定した時期に開始され、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命に到達して保守通知が出されるまでの間に継続して行われる。また上記の所定時期は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０又はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が実装された基板が画像形成装置１００に装着された後、画像形成装置１００が起動された時期等である。

まず、ステップＳ４１において、判定部２０４は、温度検出カウンタｉをｉ＝０に初期化する。この際に、画像形成装置１００内部の温度の値として温度初期値Ｔ_０（＝５５℃）が設定され、寿命情報として寿命初期値Ｓ_０（＝５０００回）が設定される。

続いて、ステップＳ４２において、書換回数取得部２０３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０のＳＭＡＲＴ情報又はＨｅａｌｔｈ Ｒｅｐｏｒｔ等を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の現在までのデータの書換回数情報Ｍを取得する。

続いて、ステップＳ４３において、判定部２０４は、書換回数情報Ｍと寿命初期値Ｓ_０を比較し、Ｍ＞Ｓ_０であるか否かを判定する。

ステップＳ４３で、Ｍ＞Ｓ_０でないと判定された場合には（ステップＳ４３、Ｎｏ）、動作はステップＳ４２に戻る。一方、Ｍ＞Ｓ_０であると判定された場合には（ステップＳ４３、Ｙｅｓ）、ステップＳ４４において、判定部２０４は、温度検出カウンタｉをｉ＝ｉ＋１に設定する。

続いて、ステップＳ４５において、温度検出部１３０は、画像形成装置１００内部の温度Ｔ_ｉを検出する。

続いて、ステップＳ４６において、寿命情報取得部２０２は、装置内部の温度Ｔ_ｉがＴ_ｉ≧Ｔ_ｉ−１であるか否かを判定する。

ステップＳ４６でＴ_ｉ≧Ｔ_ｉ−１であると判定された場合、換言すると、判定部２０４により保守通知が必要であると判定された場合には（ステップＳ４６、Ｙｅｓ）、ステップＳ４７において、出力部２０５は、表示パネル１７０に保守情報を表示させる。その後、動作は終了する。表示パネル１７０に表示された保守情報を視認したユーザは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０又はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が実装された基板を交換することができる。

一方、ステップＳ４６でＴ_ｉ≧Ｔ_ｉ−１でないと判定された場合、換言すると、判定部２０４により保守通知が必要でないと判定された場合には（ステップＳ４６、Ｎｏ）、ステップＳ４８において、寿命情報取得部２０２は、温度Ｔ_ｉに基づき、対応テーブル２２０を参照して寿命情報Ｓ_ｉを取得する。

温度Ｔ_ｉは温度Ｔ_ｉ−１より低いため、寿命情報Ｓ_ｉ−１より長い寿命情報Ｓ_ｉが取得される。例えば、温度Ｔ_ｉが４０℃であれば、寿命情報Ｓ_ｉは１２５００回になり、寿命初期値Ｓ_０の５０００回に対して寿命が長くなる。

続いて、ステップＳ４９において、書換回数取得部２０３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０のＳＭＡＲＴ情報又はＨｅａｌｔｈ Ｒｅｐｏｒｔ等を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の現在までのデータの書換回数情報Ｍを取得する。

続いて、ステップＳ５０において、判定部２０４は、書換回数情報Ｍと寿命情報Ｓ_ｉを比較し、Ｍ＞Ｓ_ｉであるか否かを判定する。

ステップＳ５０で、Ｍ＞Ｓ_ｉでないと判定された場合には（ステップＳ５０、Ｎｏ）、動作はステップＳ４９に戻り、ステップＳ４９以降の動作が再度行われる。一方、Ｍ＞Ｓ_ｉであると判定された場合には（ステップＳ５０、Ｙｅｓ）、ステップＳ４４に戻り、判定部２０４は、温度検出カウンタｉをｉ＝ｉ＋１に設定する。

続いて、ステップＳ４４以降の処理が再度行われ、判定部２０４により保守通知が必要であると判定される（ステップＳ４６、Ｙｅｓ）まで、繰り返される。ステップＳ４６の判定結果がＹｅｓの場合には、ステップＳ４７において、出力部２０５は、表示パネル１７０に保守情報を表示させ。その後、動作は終了する。

このようにして、画像形成装置１００は、画像形成装置１００内部の温度に応じて適切な寿命情報を取得でき、この寿命情報に基づき、適切な時期に表示パネル１７０に保守情報を表示させることができる。

＜画像形成装置１００の作用効果＞
次に、画像形成装置１００の作用効果について説明する。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリには寿命があるため、 画像形成装置に搭載されるフラッシュメモリの寿命情報を予め画像形成装置に記憶させ、寿命に到達した場合に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ又はＮＡＮＤ型フラッシュメモリが実装された基板の交換を促す保守通知を行う構成が知られている。

しかし、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命は環境温度によって異なる性質があり、また画像形成装置は様々な温度環境下で使用されるため、使用される温度に応じてＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命は異なる。

画像形成装置の設計では、画像形成装置の使用環境の上限温度としての例えば５５℃を想定した寿命情報が設定されるが、実際には画像形成装置は上限温度より低い温度で使用される。一般にＮＡＮＤ型フラッシュメモリは温度が低いほど寿命が長いため、５５℃に応じた寿命情報に基づき、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを交換すると、まだ使用可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを交換することになり、交換のための作業時間やコストの無駄が生じる場合がある。そのため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報を適切に取得（寿命を予測）することが好ましい。

またＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報の取得方法として、装置に搭載されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を機械学習で予測する技術が開示されている。しかし、機械学習でＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を予測するためには、高機能なプロセッサや、プロセッサの発熱を抑制するための冷却装置等が必要になり、これらを配置するための余分な空間が装置に求められる場合がある。

本実施形態では、温度検出部１３０により検出した画像形成装置１００内部の温度に基づき、温度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報との関係を示す対応テーブル２２０を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を取得する。

簡単な処理でＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を取得できるため、寿命情報を取得するための高機能なプロセッサやプロセッサの発熱を抑制するための冷却装置等の構成を要さない。これにより、画像形成装置１００内に余分な空間を設けることなく、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を取得（寿命予測）することができる。

また取得した寿命情報に基づき、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０又はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が実装された基板を交換させることで、使用可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が早期に交換されてしまう無駄を防止し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の交換に係る作業時間やコストの無駄を防止できる。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る画像形成装置１００ａについて説明する。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリがデータを保持（記録）可能な期間は有限であり、データ保持期間を経過すると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの劣化によって、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに保持させたデータが消失する。

また画像形成装置の電源がオフ状態になった後、長期間、電源のオフ状態が継続してＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間を経過すると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに保持させたデータが消失する場合がある。

本実施形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報と、画像形成装置内部の温度とに基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間情報を取得する。また画像形成装置の電源がオフになった後の経過時間を計測し、経過時間がデータ保持期間を超える場合に、オフ状態の画像形成装置の電源をオン状態に切り替え、その後、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに保持されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに再度保持させる。これにより、画像形成装置の電源がオフになった後、データ保持期間を経過する場合に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリからデータが消失することを防止する。

＜画像形成装置１００ａのハードウェア構成例＞
まず、画像形成装置１００ａのハードウェア構成について、図５を参照して説明する。図５は、画像形成装置１００ａのハードウェア構成の一例を説明するブロック図である。

図５に示すように、画像形成装置１００ａは、ＣＰＵ１１０ａと、温度検出部１３０ａと、電池１８０とを備える。またＣＰＵ１１０ａは、ＲＴＣ（Real Time Clock）電源端子１１１を備え、温度検出部１３０ａはＭＣＵ（Micro Control Unit）１３２と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１３３とを備える。

ＲＴＣ電源端子１１１は、集積回路等により構成され、ＣＰＵ１１０ａが内蔵するクロックを利用した時間計測機能を備える。ＲＴＣ電源端子１１１は、ＣＰＵ１１０ａがオフ状態であっても電池１８０から電力を供給されることで時間計測を実行できるように構成されている。

ＭＣＵ１３２は、プロセッサにより構成され、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間に係る制御を行う。ＲＯＭ１３３は、不揮発性半導体記憶装置等で構成され、画像形成装置１００ａ内部の温度と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０のデータ保持期間との関係を示す対応テーブル２３０を格納する。

なお、本実施形態では、温度検出部１３０ａがＭＣＵ１３２及びＲＯＭ１３３を備える構成を一例として示すが、この構成に限定されるものではない。ＭＣＵ１３２及びＲＯＭ１３３が温度検出部１３０ａの外部に設ける構成にしてもよい。またＭＣＵ１３２の機能をＣＰＵ１１０ａが実現したり、ＲＯＭ１３３の機能をＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が実現したりするように構成することも可能である。

＜画像形成装置１００ａの機能構成例＞
次に、図６は画像形成装置１００ａの機能構成の一例を説明するブロック図である。図６に示すように、画像形成装置１００ａは、電源監視部２０６と、第２格納部２０７と、保持期間取得部２０８と、時間計測部２０９と、切替部２１０と、再保持制御部２１１とを備える。

これらのうち、電源監視部２０６、保持期間取得部２０８、切替部２１０及び再保持制御部２１１のそれぞれの機能は、図５のＭＣＵ１３２等により実現さる。また第２格納部２０７の機能はＲＯＭ１３３等により実現され、時間計測部２０９の機能はＲＴＣ電源端子１１１等により実現される。

電源監視部２０６は、画像形成装置１００ａの電源のオン又はオフの状態を監視する。なお、画像形成装置１００ａの電源は、ＣＰＵ１１０ａの電源と連動しているため、電源監視部２０６は、ＣＰＵ１１０ａの電源のオン又はオフの状態を監視することで、画像形成装置１００ａの電源のオン又はオフの状態を監視できる。

第２格納部２０７は、画像形成装置１００ａ内部の温度と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０のデータ保持期間との関係を示す対応テーブル２３０を格納する。

保持期間取得部２０８は、寿命情報取得部２０２により取得されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報と、温度検出部１３０により検出された画像形成装置１００ａ内部の温度とに基づき、第２格納部２０７を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間情報を取得する。

時間計測部２０９は、電源監視部２０６により画像形成装置１００ａの電源がオフ状態であると判定された後の経過時間ｔを計測する。

切替部２１０は、時間計測部２０９により計測される経過時間ｔが、保持期間取得部２０８により取得されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間を超える場合に、オフ状態の画像形成装置１００ａの電源をオン状態に切り替える。例えば切替部２１０は、データ保持期間より所定時間だけ短い閾値時間ｔ_ｔｈと経過時間ｔとを比較し、経過時間ｔが閾値時間ｔ_ｔｈを超えた場合に、経過時間ｔがデータ保持期間を超えると判定して画像形成装置１００ａの電源をオン状態に切り替えることができる。

再保持制御部２１１は、切替部２１０により画像形成装置１００ａの電源がオン状態にされた後に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に保持されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に再度保持させる。

ここで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に保持されたデータは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間を超えると消失する場合がある。再保持制御部２１１は、データ保持期間を超える前に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に保持されたデータを同じ内容で書き直すことで、つまりＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に再度保持させることで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０がデータを保持している時間をリセットできる。これによりＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が保持するデータの消失を防止可能に構成されている。

＜対応テーブル２３０の一例＞
次に、第２格納部２０７に格納される対応テーブル２３０について、図７を参照して説明する。図７は、対応テーブル２３０の一例を示す図である。

図７において、対応テーブル２３０における「温度」欄は、画像形成装置１００ａ内部の温度を示し、「寿命」は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を示している。但し、図７に示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報は一例であり、これに限定されるものではない。対応テーブル２２０と同様に、温度が低いほど寿命が長くなり、書換可能回数が多くなっている。

また対応テーブル２３０の最下行は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間を示している。ここで、データ保持期間は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の劣化に起因するものであり、データの書換回数が多いほどＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の劣化が促進されるため、データ保持期間は短くなる。従ってデータ保持期間によって寿命情報が異なり、データ保持期間が短くなるほど寿命は長くなり、データの書換可能回数は多くなる。対応テーブル２３０の例では、データ保持期間が１年の場合は、データ保持期間が５年の場合と比較して寿命が長くなり、書換可能回数が多くなっている。

保持期間取得部２０８は、寿命情報取得部２０２により取得されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報と、画像形成装置１００ａ内部の温度とに基づき、第２格納部２０７に格納された対応テーブル２３０を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間情報を取得できる。例えば、検出した画像形成装置１００ａ内部の温度が２５℃で、寿命情報取得部２０２が取得した寿命情報２００００回の場合、保持期間取得部２０８は、データ保持期間情報として「１年」を取得できる。

＜画像形成装置１００ａの動作例＞
次に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が保持するデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に再保持させるための画像形成装置１００ａの動作について、図８を参照して説明する。図８は、画像形成装置１００ａの動作の一例を説明するフローチャートである。

まず、ステップＳ８１で電源監視部２０６は、ＣＰＵ１１０ａの電源のオン又はオフの状態を監視する。

続いて、ステップＳ８２で、電源監視部２０６はＣＰＵ１１０ａの電源の状態がオフであるか否かを判定する。オフでないと判定された場合には（ステップＳ８２、Ｎｏ）、ステップＳ８１に戻り、ステップＳ８１及びＳ８２の動作が再度行われる。一方、オフであると判定された場合には（ステップＳ８２、Ｙｅｓ）、動作はステップＳ８３に移行する。

続いて、ステップＳ８３において、温度検出部１３０は、画像形成装置１００ａ内部の温度を検出する。

続いて、ステップＳ８４において、寿命情報取得部２０２は、温度検出部１３０により検出された温度に基づき、第１格納部２０１を参照してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報を取得する。

続いて、ステップＳ８５において、保持期間取得部２０８は、温度検出部１３０により検出された温度の情報と、寿命情報取得部２０２により取得された寿命情報とに基づいて、第２格納部２０７を参照して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間情報を取得する。

続いて、ステップＳ８６において、時間計測部２０９は、電源監視部２０６により画像形成装置１００ａの電源がオフ状態であると判定された後の経過時間ｔを計測する。

続いて、ステップＳ８７において、切替部２１０は、時間計測部２０９により計測される経過時間ｔが閾値時間ｔ_ｔｈを超える（ｔ＞ｔ_ｔｈ）か否かを判定する。超えないと判定された場合には（ステップＳ８７、Ｎｏ）、ステップＳ８７の動作が再度行われる。一方、超えると判定された場合には（ステップＳ８７、Ｙｅｓ）、ステップＳ８８において、切替部２１０はＣＰＵ１１０ａの電源をオン状態に切り替える。

続いて、ステップＳ８９において、再保持制御部２１１は、切替部２１０により画像形成装置１００ａの電源がオン状態にされた後に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に保持されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に再度保持させる。つまり再保持制御部２１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に保持されたデータを同じ内容でＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に書き直す。

このようにして、画像形成装置１００ａは、画像形成装置の電源がオフ状態になった後、電源がオフ状態のままＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間を経過する前に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０が保持するデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に再保持させることができる。

＜画像形成装置１００ａの作用効果＞
以上説明したように、本実施形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報と、画像形成装置内部の温度とに基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間情報を取得する。また画像形成装置の電源がオフ状態になった後の経過時間を計測し、経過時間がデータ保持期間を超える場合にオフ状態の画像形成装置の電源をオン状態に切り替え、その後、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに保持されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに再度保持させる。これにより、画像形成装置の電源がオフ状態になった後、データ保持期間を経過する場合に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリからデータが消失することを防止することができる。

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る画像形成装置１００ｂについて説明する。

本実施形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間を画像形成装置のユーザが選択することで、データ保持期間に応じたＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を選択可能にする。

例えば、ユーザが１年間だけデータを保持できればよいと考える場合には、1年のデータ保持期間を選択することで、３年や５年等のデータ保持期間と比較して長いＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命（データ書換可能回数）を選択できる。これにより、実際の使用条件に応じてより長くＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用可能にし、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの不要な交換をさらに抑制する。

画像形成装置１００ｂのハードウェア構成には、図１に示したものを適用できるため、ここでは説明を省略する。

図９は、画像形成装置１００ｂの機能構成の一例を説明するためのブロック図である。図９に示すように、画像形成装置１００ｂは、選択受付部２１２と、第１格納部２０１ｂと、寿命情報取得部２０２ｂとを備える。

これらのうち、選択受付部２１２の機能は図１の操作パネル１６０等により実現され、第１格納部２０１ｂの機能はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０等により実現され、寿命情報取得部２０２ｂの機能はＣＰＵ１１０等により実現される。

選択受付部２１２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間の選択操作を受け付ける。第１格納部２０１ｂは、画像形成装置１００ｂ内部の温度と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間情報との関係を示す対応テーブル２３０を格納する。

寿命情報取得部２０２ｂは、温度検出部１３０により検出された温度と、ユーザにより選択されたデータ保持期間とに基づき、対応テーブル２３０を参照して寿命情報を取得することができる。

ここで、図１０は、選択受付部２１２が表示するデータ保持期間の選択画面１９１の一例を示す図である。なお、ここでは、操作パネル１６０が表示パネル１７０を兼ねるタッチパネルである場合を例示する。

選択画面１９１は、操作パネル１６０に表示される画面であり、データ保持期間選択画面１９２を含んでいる。例えば、操作パネル１６０の初期画面内のメニューの１つとして「データ保持期間選択」を表示し、ユーザが「データ保持期間選択」メニューをタッチする等の操作をした場合に、選択画面１９１が呼び出されて操作パネル１６０に表示される。

データ保持期間選択画面１９２は、１年選択ボタン１９３と、３年選択ボタン１９４と、５年選択ボタン１９５とを表示している。ユーザは、１年選択ボタン１９３、３年選択ボタン１９４及び５年選択ボタン１９５の何れかに対してタッチする等の操作をすることで、データ保持期間を選択できるようになっている。

次に、図１１は、第１格納部２０１ｂに格納される対応テーブル２４０の一例を示す図である。図７に示した対応テーブル２３０と比較して、保持期間として３年の列が追加されている点のみ異なり、図１１の対応テーブル２４０の見方等は、図７の対応テーブル２３０と同様である。但し、図１１に示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報は一例であり、これに限定されるものではない。

例えば、ユーザが選択受付部２１２を介して、データ保持期間として「３年」を選択し、温度検出部１３０が２５℃を検出した場合には、寿命情報取得部２０２ｂは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命情報として１２５００回を取得する。これによりＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に対して１２５００回のデータの書換が可能になる。

＜画像形成装置１００ｂの作用効果＞
以上説明したように、本実施形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０によるデータ保持期間を画像形成装置１００ｂのユーザが選択することで、データ保持期間に応じたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の寿命を選択可能にする。

これにより、実際の使用条件に応じてより長く、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０を使用可能にし、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０の不要な交換をさらに抑制することができる。

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

また実施形態は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法を含む。例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法は、画像形成装置によるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法であって、前記画像形成装置の内部の温度を検出する工程と、前記温度に基づき、前記温度と前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、前記寿命情報を取得する工程と、を行う。このようなＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法により、上述した画像形成装置１００と同様の効果を得ることができる。

また実施形態は、プログラムを含む。例えばプログラムは、画像形成装置の内部の温度の情報を取得し、前記温度に基づき、前記温度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、前記寿命情報を取得する処理をコンピュータに実行させる。このようなプログラムにより、上述した画像形成装置１００と同様の効果を得ることができる。

また、実施形態において、機能構成を示すブロック図におけるブロックの分割は一例であり、複数のブロックを１つのブロックとして実現する、１つのブロックを複数に分割する、及び／又は、一部の機能を他のブロックに移してもよい。また、類似する機能を有する複数のブロックの機能を単一のハードウェア又はソフトウェアが並列又は時分割に処理してもよい。

また、実施形態では、電子写真方式で印刷を行う画像形成装置を一例として説明したが、実施形態はインクジェット方式等の他の印刷方式を用いる画像形成装置にも適用可能である。

また、実施形態では、画像形成装置１００の備えるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２０に対応テーブル２２０，２２１，又は２４０が格納され、またＲＯＭ１３３に対応テーブル２３０が格納される例を示したが、これらに限定されるものではない。例えば、対応テーブル２２０，２２１，２３０又は２４０の少なくとも１つが外部サーバに格納されてもよい。寿命情報取得部２０２は、ネットワークを介して外部サーバに格納された対応テーブル２２０，２２１，２３０又は２４０を参照して、温度に基づく寿命情報を取得することもできる。

１００ 画像形成装置
１１０ ＣＰＵ
１２０ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
１３０ 温度検出部
１３１ 温度センサ
１３２ ＭＣＵ
１３３ ＲＯＭ
１４０ ＲＡＭ
１５０ 電源プラグ
１６０ 操作パネル
１７０ 表示パネル
１８０ 電池
１９１ 選択画面
１９２ データ保持期間選択画面
１９３ １年選択ボタン
１９４ ３年選択ボタン
１９５ ５年選択ボタン
２０１ 第１格納部
２０２ 寿命情報取得部
２０３ 書換回数取得部
２０４ 判定部
２０５ 出力部
２０６ 電源監視部
２０７ 第２格納部
２０８ 保持期間取得部
２０９ 時間計測部
２１０ 切替部
２１１ 再保持制御部
２１２ 選択受付部
２２０，２２１，２３０，２４０ 対応テーブル

特開２０１８−０９７７２３号公報

Claims (7)

1. ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える画像形成装置であって、
   前記画像形成装置の内部の温度を検出する温度検出部と、
   前記温度に基づき、前記温度と前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、前記寿命情報を取得する寿命情報取得部と、を備える
   画像形成装置。
2. 前記対応テーブルを格納する格納部を備える
   請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記寿命情報に基づき、前記画像形成装置の保守情報を出力する出力部を備える
   請求項１、又は２に記載の画像形成装置。
4. 前記寿命情報と、前記温度と、に基づいて、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間の情報を取得する保持期間取得部と、
   前記画像形成装置の電源のオン又はオフの状態を監視する電源監視部と、
   前記電源監視部により前記画像形成装置の電源がオフ状態であると判定された後の経過時間を計測する時間計測部と、
   前記経過時間が前記データ保持期間を超える場合に前記画像形成装置の電源をオン状態に切り替える切替部と、
   前記切替部により前記画像形成装置の電源がオン状態に切り替えられた後に、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに保持されたデータを前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに再度保持させる再保持制御部と、を備える
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
5. 前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリによるデータ保持期間に対するユーザの選択操作を受け付ける選択受付部を備え、
   前記寿命情報取得部は、前記温度と、前記ユーザにより選択された前記データ保持期間とに基づき、前記対応テーブルを参照して前記寿命情報を取得する
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
6. 画像形成装置によるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法であって、
   前記画像形成装置の内部の温度を検出する工程と、
   前記温度に基づき、前記温度と前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、前記寿命情報を取得する工程と、を行う
   ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命予測方法。
7. 画像形成装置の内部の温度の情報を取得し、
   前記温度に基づき、前記温度とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命情報との関係を示す対応テーブルを参照して、前記寿命情報を取得する
   処理をコンピュータに実行させるプログラム。

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