JP2021158349A - 端部めっきを備えたウィンドウフレームを実装する無線周波数パッケージおよびそれを実装するためのプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (24)
- 無線周波数(RF)パッケージであって、
半導体ダイ取付け領域を有する支持体と、
下側が前記支持体に取り付けられ、上側が前記支持体の反対側にある電気絶縁部材を備えるフレームと、
前記半導体ダイ取付け領域に少なくとも部分的に見当合わせされた開口部を備える前記フレームと、
前記電気絶縁部材の前記上側にある上部メタライゼーションおよび前記電気絶縁部材の前記下側にある下部メタライゼーションを備える前記フレームと、
前記上部メタライゼーションを前記下部メタライゼーションに接続する導電性端部接続を備える前記フレームと、
を備える、無線周波数(RF)パッケージ。 - 前記上部メタライゼーションおよび前記下部メタライゼーションは前記フレームの前記開口部内の前記電気絶縁部材の領域において前記導電性端部接続により電気的に接続される、請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 前記導電性端部接続は端部めっきを備える、請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 前記開口部を囲む前記フレーム上の蓋をさらに備える、請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 前記フレームは前記蓋と支持体との間から突出する、請求項4に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 少なくとも一つの半導体ダイをさらに備え、
前記少なくとも一つの半導体ダイはGaNベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)である、
請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。 - 前記開口部内に二次デバイスをさらに備える、請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 前記二次デバイスは、抵抗器、インダクタ、およびキャパシタのうち一または二以上を備える、請求項7に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 前記二次デバイスは、インピーダンス整合回路、整合回路、入力整合回路、出力整合回路、高調波フィルタ、高調波終端、カプラー、バラン、電力結合器、電力分配器、無線周波数(RF)回路、ラジアルスタブ回路、伝送線路回路、基本周波数整合回路、ベースバンド終端回路、第二高調波終端回路、整合ネットワーク、および集積受動デバイス(IPD)のうち一または二以上を実装する、請求項7に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- マルチパスを実装する少なくとも一つのマルチステージダイをさらに備える、請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- ドハティ増幅器として構成される、請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。
- 前記フレームは、
前記電気絶縁部材の前記上側にあり、前記上部メタライゼーションから離隔された第二のメタライゼーションと、
前記電気絶縁部材の前記下側にあり、前記下部メタライゼーションから離隔された第二の下部メタライゼーションと、
前記第二のメタライゼーションを前記第二の下部メタライゼーションに接続する第二の導電性端部めっきと、
をさらに備え、
前記第二の下部メタライゼーションおよび前記第二の下部メタライゼーションは前記第二の導電性端部めっきにより電気的に接続される、
請求項1に記載の無線周波数(RF)パッケージ。 - 無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセスであって、
半導体ダイ取付け領域を有する支持体を構成することと、
下側が前記支持体に取り付けられ、上側が前記支持体の反対側にある電気絶縁部材を備えるフレームを構成することと、
前記フレームを前記半導体ダイ取付け領域に少なくとも部分的に見当合わせされた開口部を有するように構成することと、
前記電気絶縁部材の前記上側にある上部メタライゼーションおよび前記電気絶縁部材の前記下側にある下部メタライゼーションを備える前記フレームを構成することと、
前記上部メタライゼーションを前記下部メタライゼーションに接続する導電性端部接続を備える前記フレームを構成することと、
を含む、無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。 - 前記フレームの前記開口部内の前記電気絶縁部材の領域において前記導電性端部接続により前記上部メタライゼーションと前記下部メタライゼーションを接続することをさらに含む、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記導電性端部接続は端部めっきを備える、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記開口部を囲む前記フレーム上に蓋を配置することをさらに含む、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記フレームは前記蓋と支持体との間から突出する、請求項16に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 少なくとも一つの半導体ダイを設けることをさらに含み、
前記少なくとも一つの半導体ダイはGaNベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)である、
請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。 - 二次デバイスを前記開口部内に配置することをさらに含む、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記二次デバイスを、抵抗器、インダクタ、およびキャパシタのうち一または二以上を含むように構成することをさらに含む、請求項19に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記二次デバイスを、インピーダンス整合回路、整合回路、入力整合回路、出力整合回路、高調波フィルタ、高調波終端、カプラー、バラン、電力結合器、電力分配器、無線周波数(RF)回路、ラジアルスタブ回路、伝送線路回路、基本周波数整合回路、ベースバンド終端回路、第二高調波終端回路、整合ネットワーク、および集積受動デバイス(IPD)のうち一または二以上として実装することをさらに含む、請求項19に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- マルチパスを実装するマルチステージダイを設けることをさらに含む、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記無線周波数(RF)パッケージをドハティ増幅器として構成することをさらに含む、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
- 前記電気絶縁部材の前記上側にあり、前記上部メタライゼーションから離隔された第二のメタライゼーションを構成することと、
前記電気絶縁部材の前記下側にあり、前記下部メタライゼーションから離隔された第二の下部メタライゼーションを構成することと、
前記第二のメタライゼーションを前記第二の下部メタライゼーションに接続する第二の導電性端部めっきを構成することと、
をさらに含み、
前記第二の下部メタライゼーションおよび前記第二の下部メタライゼーションは前記第二の導電性端部めっきにより電気的に接続される、請求項13に記載の無線周波数(RF)パッケージを実装するためのプロセス。
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