JP2021157159A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域に複数の画素が形成された表示装置において、高精細のカラーフィルタを備える。【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、表示領域Ｄを覆う平坦化層４０と、互いに隣接する画素Ｐの境界における平坦化層４０の表面に形成され、間隔を設けて配列された複数の凸部５０からなる凸部列を有する。平坦化層４０の表面にはカラーフィルタＣＦが形成され、当該カラーフィルタＣＦは複数色の着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂからなり、凸部列の両側で色が異なる。【選択図】図２

Description

本発明は表示装置、特に有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置に関する。

薄型で軽量な発光源として有機ＥＬ素子が注目を集めており、表示領域に二次元配列される複数の画素それぞれに、有機ＥＬ素子である有機発光ダイオード（organic light-emitting diode：ＯＬＥＤ）を配置した有機ＥＬ表示装置が開発されている。

従来、このような有機ＥＬ表示装置では、ガラスなどからなる基板上に画素ごとに分離した画素電極が形成され、当該画素電極の縁に沿って画素を区画するバンクを形成した後、画素電極及びバンクに積層して、発光層を含む有機材料層、及び対向電極が形成され、画素電極、有機材料層及び対向電極からなるＯＬＥＤが作られる。

また、カラーディスプレイ用の有機ＥＬ表示装置として、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）といった色ごとに発光色が異なる発光層を塗布等により作り分ける、いわゆる塗り分け方式で形成する構造のものと、白色発光とみなせる光を出射する有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせた構造（カラーフィルタ方式と呼ぶことにする。）のものが開発されている。

これらのうち、塗り分け方式の有機ＥＬ表示装置において画像の高精細化を図る場合、画素が微細化し画素ピッチが縮小することにより、画素ごとに発光層を作り分けることが難しくなる。そのため塗り分け方式では、画素の高精細化が難しいことが指摘されている。

これに対し、カラーフィルタ方式の有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに発光層を作り分ける必要がないため高精細化に対して有利であると考えられている。すなわち、この場合、表示領域の全体に同じ層構造で発光層を含む有機材料層を形成すればよく、各画素から出射される光の色はカラーフィルタで調整すればよいので、製造上、画素の微細化が容易なものとなる。

カラーフィルタ方式の有機ＥＬ表示装置は、白色発光ＯＬＥＤを形成される基板とは別にカラーフィルタが形成された基板を作り、それらを貼り合わせるといった方法で製造される。また、白色発光ＯＬＥＤが形成された基板の上にさらにカラーフィルタを形成する方法で製造することも提案されている。下記特許文献１にはインクジェット方式によるカラーフィルタの製造方法が示されている。また、下記特許文献２には、バンクにより生じる画素ごとの凹領域にカラーフィルタを構成する着色膜を埋め込む構成が示されている。

特開２００２−２４３９３２号公報 特開２０１５−２０４２３７号公報

上述のカラーフィルタを備えた表示装置では、高精細化に伴ってブラックマトリックスの領域確保及びカラーフィルタのパターニングが困難になってきている。また、ＯＬＥＤ上にインクジェット方式でカラーフィルタを形成する場合も、その形成に高精細パターニング技術が必要となるという問題がある。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、カラーフィルタを備えた高精細の表示装置を提供することを目的とする。

本発明に係る表示装置は、複数の画素が形成された表示装置であって、前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の境界に形成され、間隔を設けて配列された複数の凸部からなる凸部列を有し、前記凸部列の両側で色が異なるカラーフィルタが形成されている。

本発明によれば、カラーフィルタを備えた高精細の有機ＥＬ表示装置が得られる。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ切断線における有機ＥＬ表示装置の概略の断面図である。 凸部列を境界として形成されるカラーフィルタの構造を説明するための模式図である。 凸部列を境界として形成されるカラーフィルタの構造を説明するための模式図である。 凸部列における凸部の配置パターンの第１の変形例を示す模式的な平面図である。 凸部列における凸部の配置パターンの第２の変形例を示す模式的な平面図である。 凸部列における凸部の配置パターンの第３の変形例を示す模式的な平面図である。

以下、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、有機ＥＬ表示装置１を例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。

図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す有機ＥＬ表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をＹ軸（Ｙ１方向、Ｙ２方向）、Ｚ軸（Ｚ１方向、Ｚ２方向）の座標を用いて説明する。

図１に示す通り、有機ＥＬ表示装置１は、矩形の表示領域Ｄを有するＴＦＴ基板１０と、対向基板６０とを有している。ＴＦＴ基板１０の平面視形状は対向基板６０の平面視形状よりも小さく、その一部（Ｙ２方向側の部分）の上面１０ａは、対向基板６０に覆われずに露出している。上面１０ａには、フレキシブル配線基板２やドライバＩＣ（Integrated Circuit）３が接続される。

次に、有機ＥＬ表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図２に示すように、表示領域ＤのＴＦＴ基板１０は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されている。

ＴＦＴ基板１０は、絶縁基板８と、薄膜トランジスタ１１及び図示しない電気配線が形成された回路層１２と、平坦化膜１３と、を有している。このＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ発光素子３０及びカラーフィルタＣＦを含む構造が設けられる。当該構造は、有機ＥＬ発光素子３０、平坦化層４０、凸部５０及びカラーフィルタＣＦを有している。

回路層１２は、絶縁基板８上に形成された、有機ＥＬ発光素子３０を駆動するための層である。回路層１２は、薄膜トランジスタ１１、パッシベーション膜１１ｆ及び図示しない電気配線が形成されている。

薄膜トランジスタ１１は基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅから構成されている。薄膜トランジスタ１１上は、薄膜トランジスタ１１を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜１１ｆによって覆われている。

平坦化膜１３は回路層１２上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は絶縁材料からなる層であり、回路層１２と有機ＥＬ発光素子３０の間に形成されることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機ＥＬ発光素子３０の間が、電気的に絶縁される。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ_２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の材料からなる。

平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、金属膜からなる図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜が設けられることにより、有機ＥＬ発光素子３０から出射した光は対向基板６０側へ向けて反射される。

平坦化膜１３上（ＴＦＴ基板１０上）には、複数の有機ＥＬ発光素子３０が画素Ｐ毎に形成されている。有機ＥＬ発光素子３０は画素電極（陽極）３２と、少なくとも発光層を有する有機材料層３３と、有機材料層３３上を覆うように形成された対向電極（陰極）３４とを有している。これら画素電極３２と有機材料層３３と対向電極３４とが重なる領域は、発光領域Ｌとして機能する。

画素電極３２は、有機材料層３３に駆動電流を注入する電極である。画素電極３２はコンタクトホール３２ａに接続していることにより、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されて駆動電流を供給される。

画素電極３２は導電性を有する材料からなる。画素電極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料でもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、画素電極３２に接触するものであれば、画素電極３２は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜は画素電極３２の一部となる。

各画素電極３２同士の間には、隣接する画素Ｐ同士の間を区分するように、画素Ｐ同士の境界に沿って画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４はいわゆるバンクである。画素分離膜１４は、隣接する画素電極３２同士の接触と、画素電極３２と対向電極３４の間の漏れ電流を防止する機能を有する。

本実施形態における画素分離膜１４は画素電極３２の外端３２ｂを覆い、上向き（図中のＺ１方向側）に突出している。これにより、画素分離膜１４の上面（Ｚ１方向側の面）と、画素電極３２の上面とで、凹凸形状の面が構成されている。

画素分離膜１４は、画素電極３２の外端３２ｂを覆い、画素電極３２の発光領域Ｌに対応する領域を露出している。画素分離膜１４は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。

なお、本実施形態においては、露出した画素電極３２に対応する領域を凹領域Ｃとし、画素分離膜１４上の領域を凸領域Ｓとする。なお、凹領域Ｃは発光領域Ｌに対応する。

有機材料層３３は有機材料により形成された積層構造であり、発光層を含んでいる。有機材料層３３は、例えば、画素電極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機材料層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。

有機材料層３３（発光層）は、露出した画素電極３２上（画素電極３２のうち発光領域Ｌに対応する領域）及び画素分離膜１４上を覆うように形成されている。なお、本実施形態における発光層の発光色は白色であるが、その他の色であってもよい。

発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機ＥＬ物質から構成されている。このような有機ＥＬ物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものであってもよい。

対向電極３４は、有機材料層３３上（発光層上）と画素分離膜１４上を覆うように形成されている。本実施形態における対向電極３４は、画素Ｐ毎に独立しておらず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、対向電極３４は複数の有機ＥＬ発光素子３０の有機材料層３３に共通に接触する。

対向電極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。対向電極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。

対向電極３４の上面は、複数の画素Ｐにわたって平坦化層４０により覆われている。平坦化層４０は、有機材料層３３をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐ封止膜としての機能に加え、その表面を平坦化する平坦化膜としての機能を有する。具体的には、上述のように、画素分離膜１４の形成に伴いＴＦＴ基板１０の上の構造の表面には基本的に凹凸が生じて対向電極３４の上面も凹凸形状となり、平坦化膜４５は当該凹凸を平坦化する。平坦化層４０は単層であってもよいし複数の層から構成されてもよい。平坦化層４０は基本的に透明な材料からなり、さらに上述の機能を果たす材料で構成される。なお、平坦化層４０の材料は無機材料、有機材料のいずれであってもよいし、多層構造とする場合には、それら両方の層を有していてもよい。

平坦化層４０の表面には凸部５０が形成される。凸部５０は平坦化層４０の表面において、互いに隣接する画素間の境界に形成される。凸部５０の形状は例えば、円柱や錐台であり、当該境界に沿った方向に複数の凸部５０が間隔を設けて配置され凸部列をなす。本実施形態では画素間の境界に沿って画素分離膜１４が形成されており、凸部５０（凸部列）は平面視にて画素分離膜１４が配置された領域内に形成されている。ちなみに、図２では、凸部５０は紙面に垂直な方向に並び凸部列をなしている。

また、平坦化層４０の表面にはカラーフィルタＣＦが積層される。本実施形態におけるカラーフィルタＣＦは、例えば赤、緑、青などの複数の色に着色された着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを有している。着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂは、有機ＥＬ発光素子３０からの光を通す膜であり、例えば、顔料によって着色された樹脂からなる。具体的には、当該樹脂として、レジスト用の材料を用いることができ、特にカラーフィルタ用としてカラーレジストが提供されている。

ここで、凸部５０又は凸部列は、カラーフィルタＣＦを区分する境界としての機能を有する。カラーフィルタＣＦは例えば、数ミクロンメートルの厚みとされ、凸部５０の高さは当該厚みのカラーフィルタＣＦを区切るのに必要な高さを有し、基本的に、当該高さはカラーフィルタＣＦの厚みを超える値に設定される。また、基本的に、凸部列の両側には色が異なるカラーフィルタＣＦが配置される。

凸部５０は例えば、平坦化層４０の表面に積層した樹脂などの膜をフォトリソグラフィー技術を用いてエッチングして作ることができる。カラーフィルタＣＦを構成する着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂはインクジェット方式により、樹脂などの液状の材料を平坦化層４０の上に滴下し、熱や紫外線などで当該材料を硬化させて形成される。本実施形態では、カラーフィルタＣＦ用の液状材料としてカラーレジストを用いる。或る画素Ｐに滴下されたカラーレジストは、当該画素Ｐの縁に配置された凸部列によって、隣接する他の画素Ｐへの流出を阻止される。

なお、カラーフィルタＣＦの上には保護膜、対向基板６０などが形成され得るが図２では図示を省略している。

図３及び図４はそれぞれ、凸部列を境界として形成されるカラーフィルタＣＦの構造を説明するための模式図であり、図１のＩＩ−ＩＩ切断線の近傍領域における垂直断面図と、当該断面図に対応する位置での平面図とを示している。図３、図４ではカラーフィルタＣＦの着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂのうちの１つだけが形成された状態が示されている。具体的には、図３の断面図７０ａ及び図４の断面図７１ａは図２の平坦化膜１３から上の構造を簡略化して示しており、当該断面図には平坦化膜１３、画素電極３２、画素分離膜１４、有機材料層３３、対向電極３４、平坦化層４０、凸部５０、カラーレジスト７２（７２α，７２β）が示されている。また、図３の平面図７０ｂ及び図４の平面図７１ｂには画素の開口部７３と凸部５０とが示されている。矩形である開口部７３は画素分離膜１４の開口に相当し、その内側は画素分離膜１４の開口内に露出した画素電極３２である。つまり、開口部７３の外側が画素分離膜１４上の領域、すなわち上述した凸領域Ｓであり、内側が上述した凹領域Ｃである。凸部５０は画素分離膜１４上に形成され、図３、図４では開口部７３を囲んで矩形に配列する例を示している。横方向に３つ並ぶ開口部７３は異なる色の画素に対応しており、例えば、左側から着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する画素であり、図示するカラーレジスト７２は着色膜Ｒに当たる。

図３と図４とは液状のカラーレジスト７２に対する凸部５０の濡れ性が違う場合を示している。具体的には、図３は当該濡れ性が高い場合であり、図４は当該濡れ性が低い場合である。

平坦化層４０上に滴下されたカラーレジスト７２は平坦化層４０の表面に沿って拡がり、凸部５０に達する。図３に示すように、凸部５０の濡れ性を高くした場合のカラーレジスト７２αは、凸部５０との接触面積を大きくしようとする結果、凸部列の間隙に入り込み、また凸部５０の上方へ這い上がる挙動を示す。これにより、カラーレジスト７２αの滴下量が多くなっても、カラーレジスト７２αは隣の画素へ流出しにくくなる。

一方、図４に示すように、凸部５０の濡れ性を低くした場合のカラーレジスト７２βは、凸部列の間隙にくい込みつつも、凸部列で弾かれ、その結果、カラーレジスト７２βは隣の画素へ流出しにくい。

このように着色膜の形成領域の境界に凸部列を設けることで、凸部列の間隙がカラーレジスト７２の吐出超過に対するバッファとして機能しつつ、隣接画素へのカラーレジスト７２の流出を阻止する。よって、この凸部５０又は凸部列の機能により、カラーレジスト７２の吐出量の変動による着色膜の厚みのばらつきが抑制され、またカラーフィルタＣＦの高精細のパターニングが可能となる。また、ブラックマトリクスのような壁が不要となるため、カラーフィルタＣＦの開口率向上が可能となる。

上述の凸部５０の機能は、凸部５０の濡れ性のほかに、凸部５０の形状やサイズ、及び凸部列における配置間隔により調節が可能である。さらに、凸部列の間隙からのカラーレジスト７２の流出阻止に関しては、平坦化層４０の表面の濡れ性も影響し得る。よって、好適には平坦化層４０の濡れ性も含めて当該調節を行うことができる。ちなみに、濡れ性は例えば、凸部５０や平坦化層４０の材料の選択や、カラーレジスト７２の溶剤の選択により制御することが可能である。例えば、凸部５０、平坦化層４０とカラーレジスト７２とが共に親水性、又は共に疎水性の場合、濡れ性は高くなり得、反対に、一方が親水性で他方が疎水性の場合、濡れ性は低くなり得る。なお、凸部５０は透明材料にするなど、黒色以外の材料を適用可能であり、材料選択の幅が広がる。

図３及び図４の平面図７０ｂ，７１ｂでは、開口部７３の矩形の４つの辺全てに沿って凸部列を設けたが、基本的に凸部列は、互いに異なる色の着色膜を配置する隣接画素間に設ければ足りる。よって、同じ色の画素を例えば、縦方向に並べるストライプ配列においては、縦方向に隣接する画素間の凸部列は省略することができる。

［変形例］
図５〜図７はそれぞれ、凸部列における凸部５０の配置パターンの変形例を示す模式的な平面図である。なお、図５〜図７は、着色膜Ｒ，Ｇ，Ｂを設けるＲ，Ｇ，Ｂ画素が縦方向にストライプ配列される例を示しており、凸部５０は横方向に隣り合う画素間にのみ設けられ、よって凸部列は縦方向に延在している。

図５に示す第１の変形例では、異なる色の画素間の境界に凸部列が二列配置されている。例えば、Ｒ画素の開口部７３ｒとＧ画素の開口部７３ｇとの間の画素分離膜上に、横方向に並ぶ２つの凸部５０からなる凸部対を、縦方向に複数配置することで、凸部列の二重配置が構成される。Ｇ画素の開口部７３ｇとＢ画素の開口部７３ｂとの間にも同様に凸部列の二重配置が設けられる。また、図には示していないが、Ｂ画素の開口部７３ｂとＲ画素の開口部７３ｒとは横方向に隣接し、それらの間にも同様に凸部列の二重配置が設けられる。

図６に示す第２の変形例では、異なる色の画素間の境界に凸部がジグザグに配置されている。例えば、Ｒ画素の開口部７３ｒとＧ画素の開口部７３ｇとの間の画素分離膜上に、互いに同じ間隔で凸部５０が縦方向に並ぶ２つの凸部列を、互いの縦方向の位置を当該間隔の半分だけずらして平行配置することで、凸部５０が互い違いに並ぶ凸部列が構成される。Ｇ画素の開口部７３ｇとＢ画素の開口部７３ｂとの間にも同様にジグザグ配置の凸部列が設けられる。また、図には示していないが、Ｂ画素の開口部７３ｂとＲ画素の開口部７３ｒとの間にも同様にジグザグ配置の凸部列が設けられる。

図７に示す第３の変形例では、凸部列における凸部５０の配置間隔が、当該凸部列の両側の着色膜の色の組み合わせに応じて異なる。当該配置間隔は例えば、凸部列に隣接する画素に設けられるカラーレジスト７２の隣の画素への広がりやすさに応じて変えることができる。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂ画素のうちＲ画素に滴下するカラーレジスト７２が最も広がりやすい場合、図７に示すように、Ｒ画素とＢ画素との間や、Ｒ画素とＧ画素との間の凸部列における配置間隔を、Ｇ画素とＢ画素との間の凸部列における配置間隔より狭めることができる。

また、当該配置間隔はさらに、凸部列の両側の画素にそれぞれ滴下されるカラーレジスト７２の広がりやすさの差に応じて変えてもよい。例えば、Ｂ画素のカラーレジスト７２のＲ画素への広がりやすさがＧ画素のカラーレジスト７２のＲ画素への広がりやすさよりも小さく、Ｂ画素とＲ画素との間での広がりやすさの違いがＧ画素とＲ画素との間におけるより大きい場合には、Ｒ画素とＢ画素との間の凸部列における配置間隔を、Ｇ画素とＲ画素との間の凸部列における配置間隔より狭めることで、Ｒ画素からＢ画素へのカラーレジスト７２の流出をより好適に阻止できる。

なお、これまでの実施形態、変形例では、発光素子として白色を呈する有機ＥＬ素子を用いた例を示してきたが、これに限定されるものではなく、量子ドットを用いた発光ダイオード（ＱＬＥＤ）と組み合わせることもできる。さらに自発光型の素子のみならず、例えば電気泳動材料を用いた電子ペーパー等において、電気泳動素子を形成した層の上に前述の平坦化層４０、凸部５０、およびカラーレジスト７２を用いてカラーフィルタを形成しても良い。

以上、本発明の実施形態、変形例を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態及び変形例には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。

１ 有機ＥＬ表示装置、２ フレキシブル回路基板、３ ドライバＩＣ、１０ ＴＦＴ基板、１０ａ 上面、１１ 薄膜トランジスタ、１２ 回路層、１３ 平坦化膜、１４ 画素分離膜、３０ 有機ＥＬ発光素子、３２ 画素電極、３２ａ コンタクトホール、３３ 有機材料層、３４ 対向電極、４０ 平坦化層、６０ 対向基板、７２ カラーレジスト、７３ 開口部、Ｃ 凹領域、ＣＦ カラーフィルタ、Ｄ 表示領域、Ｌ 発光領域、Ｐ 画素、Ｓ 凸領域、Ｒ，Ｇ，Ｂ 着色膜。

Claims (6)

1. 複数の画素が形成された表示装置であって、
   前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の境界に形成され、間隔を設けて配列された複数の凸部からなる凸部列を有し、
   前記凸部列の両側で色が異なるカラーフィルタが形成されていることを特徴とする表示装置。
2. 前記複数の画素を覆う平坦化膜をさらに有し、
   前記凸部列は、前記平坦化膜上に形成されていること、
   を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記画素ごとに形成された画素電極と、
   前記画素電極上に、隣接する前記画素同士を区分するように設けられた、前記画素電極の一部を露出させる画素分離膜と、
   を有し、
   前記凸部列は、平面視にて前記画素分離膜が配置された領域内に形成されていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
4. 前記画素間の前記境界に前記凸部列が二列配置されていること、を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の表示装置。
5. 前記凸部列にて前記凸部がジグザグに配置されていること、を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の表示装置。
6. 前記凸部列における前記凸部の配置間隔が、前記凸部列の両側の前記カラーフィルタの色の組み合わせに応じて異なること、を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の表示装置。

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