JP2021156773A - ガス濃度測定装置及び処理システム - Google Patents

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Yuji Obata
雄治 小畑
健 澤田
Takeshi Sawada
健 澤田
敏志 岩本
Toshiyuki Iwamoto
敏志 岩本
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Abstract

【課題】処理ガスに含まれる原料の濃度測定においてSN比を高めることができる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様によるガス濃度測定装置は、内部をガスが通流するガスセルと、前記ガスセルの内部に赤外光を放射する光源と、前記ガスセルの外部に設けられ、前記光源が放射した前記赤外光を多重反射させる反射ミラー群と、前記反射ミラー群により多重反射した前記赤外光の強度を検出する検出素子と、を有する。【選択図】図2

Description

本開示は、ガス濃度測定装置及び処理システムに関する。
量子カスケードレーザを用いて、多重反射試料ガスセル中のガスを分析する技術が知られている(例えば、特許文献1−3参照)。
特開2015−052586号公報 特開2007−309800号公報 国際公開第2006/085646号
本開示は、処理ガスに含まれる原料の濃度測定においてSN比を高めることができる技術を提供する。
本開示の一態様によるガス濃度測定装置は、内部をガスが通流するガスセルと、前記ガスセルの内部に赤外光を放射する光源と、前記ガスセルの外部に設けられ、前記光源が放射した前記赤外光を多重反射させる反射ミラー群と、前記反射ミラー群により多重反射した前記赤外光の強度を検出する検出素子と、を有する。
本開示によれば、処理ガスに含まれる原料の濃度測定においてSN比を高めることができる。
実施形態の処理システムの一例を示す図 実施形態のガス濃度測定装置の一例を示す図 入射窓及び出射窓に設けられる抵抗加熱線を説明するための図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔処理システム〕
図1を参照し、実施形態の処理システムとして、化学気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法によりルテニウム(Ru)膜を成膜するシステムを例に挙げて説明する。図1は、実施形態の処理システムの一例を示す図である。
処理システム1は、原料供給装置10、処理装置20及び排気装置30を備える。
原料供給装置10は、原料容器11、ヒータ12、キャリアガス供給配管13、キャリアガス供給源14、原料ガス供給配管15及びバイパス配管16を含む。
原料容器11は、固体又は液体の原料を貯留する。本実施形態において、原料容器11は、低蒸気圧原料の一例であるドデカカルボニル三ルテニウム(Ru(CO)12)を貯留する。
ヒータ12は、原料容器11の周囲に設けられている。ヒータ12は、原料容器11内のRu(CO)12を加熱して蒸気化させる。これにより、原料容器11内でRu(CO)12ガスが発生する。
キャリアガス供給配管13は、一端が原料容器11に挿通され、他端がキャリアガス供給源14に接続されている。キャリアガス供給配管13には、バルブV1が介設されている。バルブV1を開くとキャリアガス供給源14から原料容器11へキャリアガスが供給され、バルブV1を閉じるとキャリアガス供給源14から原料容器11へのキャリアガスの供給が遮断される。
キャリアガス供給源14は、キャリアガス供給配管13を介してキャリアガスの一例であるCOガスを原料容器11の上方から供給する。キャリアガスが原料容器11に供給されると、原料容器11内のRu(CO)12ガスがキャリアガスと共に処理装置20に輸送される。以下、Ru(CO)12ガスとキャリアガスとを含むガスを単にRu(CO)12ガスとも称する。
原料ガス供給配管15は、一端が原料容器11に挿通され、他端が処理装置20に接続されている。原料ガス供給配管15には、原料容器11の側から順にバルブV2、ガス濃度測定装置100及びバルブV3が介設されている。バルブV2及びバルブV3を開くと原料容器11から処理装置20へRu(CO)12ガスが供給され、バルブV2及びバルブV3の少なくとも1つを閉じると原料容器11から処理装置20へのRu(CO)12ガスの供給が遮断される。ガス濃度測定装置100は、原料ガス供給配管15を流れる処理ガスに含まれるRu(CO)12の濃度を測定する。ガス濃度測定装置100の詳細については後述する。
バイパス配管16は、キャリアガス供給配管13におけるキャリアガス供給源14とバルブV1との間の位置と、原料ガス供給配管15におけるバルブV2とガス濃度測定装置100との間の位置とを繋ぐように設けられている。バイパス配管16には、バルブV4が介設されている。
係る原料供給装置10では、バルブV4を閉じ、バルブV1,V2,V3を開くことにより、キャリアガス供給源14からキャリアガス供給配管13を介して原料容器11内にCOガスが吹き込まれる。そして、原料容器11内で蒸気化したRu(CO)12ガスがCOガスに搬送されて原料ガス供給配管15を介して処理装置20に輸送される。
また、原料供給装置10では、バルブV1,V2を閉じ、バルブV4を開くことにより、キャリアガス供給源14から供給されるCOガスが原料容器11を介さずに、キャリアガス供給配管13及びバイパス配管16を経て、原料ガス供給配管15に供給される。これにより、原料ガス供給配管15をパージできる。
処理装置20は、処理容器21を含む。処理容器21は、原料ガス供給配管15を介して原料容器11と接続されている。処理容器21には、原料容器11内で蒸気化したRu(CO)12ガスがCOガスに搬送されて供給される。処理容器21は、内部に1又は複数の基板を収容可能に構成される。
係る処理装置20では、原料容器11から処理容器21に供給されるRu(CO)12ガスを用いて、半導体ウエハ等の基板に対して成膜処理を実行する。
排気装置30は、処理容器21に接続されている。排気装置30は、処理容器21内を排気することで処理容器21内を減圧する。排気装置30は、排気管31、圧力調整部32及び真空ポンプ33を含む。排気管31は、処理容器21に接続されている。排気管31には、処理容器21の側から順に圧力調整部32及び真空ポンプ33が介設されている。圧力調整部32は、排気管31のコンダクタンスを制御することで処理容器21内の圧力を調整する。真空ポンプ33は、排気管31を介して処理容器21内を排気する。本実施形態において、圧力調整部32は自動圧力制御機器(APC:Automatic Pressure Control)であり、真空ポンプ33はターボ分子ポンプ(TMP:Turbo-Molecular Pump)である。
〔ガス濃度測定装置〕
図2及び図3を参照し、実施形態のガス濃度測定装置の一例について説明する。図2は、実施形態のガス濃度測定装置の一例を示す図である。図3は、入射窓及び出射窓に設けられる抵抗加熱線を説明するための図である。
ガス濃度測定装置100は、ガスセル101、光源102、逆ビームエクスパンダ103、ビームスプリッタ104、入射窓105、出射窓106、第1の反射鏡107、第2の反射鏡108、集光レンズ109、第1の検出素子110、集光レンズ111、第2の検出素子112及び算出部113を有する。
ガスセル101は、原料ガス供給配管15に介設されており、内部をガスが通流する。ガスセル101は、例えばアルミ無垢材により形成され、内部が減圧可能に構成される。ガスセル101は、ガス入口101a、ガス出口101b、入射側開口101c、出射側開口101d及びパージガス導入部101eを含む。
ガス入口101aは、Oリング等のシール部材(図示せず)を介して原料ガス供給配管15に気密に取り付けられる。原料ガス供給配管15を流れる処理ガスは、ガス入口101aからガスセル101内に流入する。
ガス出口101bは、Oリング等のシール部材(図示せず)を介して原料ガス供給配管15に気密に取り付けられる。ガス入口101aからガスセル101内に流入する処理ガスは、ガス出口101bから原料ガス供給配管15に流出する。
入射側開口101cは、光源102が放射する赤外光をガスセル101内に入射させるための開口である。入射側開口101cは、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短軸、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長軸とする楕円形状を有することが好ましい。これにより、入射側開口101cの近傍におけるパージガスの滞留時間が長くなり、パージ効率が向上する。また、入射側開口101cは、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を幅、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長さとする長穴であってもよい。また、入射側開口101cは、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短辺、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長辺とする角丸長方形(角丸四角形)であってもよい。入射側開口101cが長穴及び角丸長方形である場合においても、楕円である場合と同様に、入射側開口101cの近傍におけるパージガスの滞留時間が長くなり、パージ効率が向上する。このように入射側開口101cは、光源102の側からの平面視においてパージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短手方向、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長手方向とする形状を有することでパージ効率が向上する。
出射側開口101dは、入射側開口101cと対向して設けられ、ガスセル101内から第1の検出素子110に赤外光を出射させるための開口である。出射側開口101dは、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短軸、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長軸とする楕円形状を有することが好ましい。これにより、出射側開口101dの近傍におけるパージガスの滞留時間が長くなり、パージ効率が向上する。また、出射側開口101dは、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を幅、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長さとする長穴であってもよい。また、出射側開口101dは、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短辺、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長辺とする角丸長方形(角丸四角形)であってもよい。出射側開口101dが長穴及び角丸長方形である場合においても、楕円である場合と同様に、出射側開口101dの近傍におけるパージガスの滞留時間が長くなり、パージ効率が向上する。このように出射側開口101dは、光源102の側からの平面視においてパージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短手方向、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長手方向とする形状を有することでパージ効率が向上する。
パージガス導入部101eは、入射側開口101c及び出射側開口101dに向けてパージガスを導入することで、後述する入射窓105及び出射窓106のガスセル101の側の表面近傍を、その他の領域よりも陽圧に設定する。これにより、ガスセル101内を通流するRu(CO)12ガスが入射窓105及び出射窓106の側に流れることが抑制される。その結果、入射窓105及び出射窓106にRu(CO)12ガスに起因する生成物が堆積することを抑制できる。本実施形態において、パージガスはCOガスである。
光源102は、ガスセル101の内部に赤外光を放射する。本実施形態において、光源102は、量子カスケードレーザ(QCL:Quantum Cascade Laser)である。ただし、光源102は、キセノン(Xe)ランプであってもよい。
逆ビームエクスパンダ103は、光源102が放射する赤外光の光路L上に設けられる。逆ビームエクスパンダ103は、光源102が放射する赤外光のレーザ光断面を小さくする。
ビームスプリッタ104は、光源102が放射する赤外光の光路L上に設けられる。ビームスプリッタ104は、光源102から放射される赤外光をガスセル101に向かう赤外光と第2の検出素子111に向かう赤外光とに分割する。以下、ガスセル101に向かう赤外光の光路を光路L1と称し、第2の検出素子112に向かう赤外光の光路を光路L2と称する。
入射窓105は、光源102から放射されてガスセル101内に向かう赤外光の光路L1上に設けられる。入射窓105は、ガスセル101の入射側開口101cにOリング等のシール部材105aを介して気密に取り付けられており、ガスセル101の入射側開口101cを気密に塞ぐ。本実施形態において、入射窓105は、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短軸、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長軸とする楕円形状を有する。入射窓105は、サファイアにより形成されることが好ましい。これにより、ガスセル101内を通流するRu(CO)12ガスに起因する生成物がガスセル101の内壁に堆積することが抑制される。ただし、入射窓105は、例えば石英により形成されてもよい。本実施形態において、入射窓105におけるガスセル101と反対側には、図3に示されるように、赤外光の光路L1を妨げない位置にジグザグ状に抵抗加熱線105bが取り付けられている。抵抗加熱線105bは、入射窓105を加熱することで、入射窓105にRu(CO)12ガスに起因する生成物が堆積することを抑制する。なお、抵抗加熱線105bは、入射窓105に埋め込まれていてもよい。
出射窓106は、ガスセル101の出射側開口101dにOリング等のシール部材106aを介して気密に取り付けられており、ガスセル101の出射側開口101dを気密に塞ぐ。本実施形態において、出射窓106は、光源102の側からの平面視において、パージガス導入部101eからパージガスが導入される方向と平行な方向を短軸、パージガスが導入される方向と垂直な方向を長軸とする楕円形状を有する。出射窓106は、サファイアにより形成されることが好ましい。これにより、ガスセル101内を通流するRu(CO)12ガスに起因する生成物がガスセル101の内壁に堆積することが抑制される。ただし、出射窓106は、例えば石英により形成されてもよい。本実施形態において、出射窓106におけるガスセル101と反対側には、図3に示されるように、赤外光の光路L1を妨げない位置にジグザグ状に抵抗加熱線106bが取り付けられている。抵抗加熱線106bは、出射窓106を加熱することで、出射窓106にRu(CO)12ガスに起因する生成物が堆積することを抑制する。なお、抵抗加熱線106bは、出射窓106に埋め込まれていてもよい。
第1の反射鏡107及び第2の反射鏡108は、ガスセル101の外部の大気中にガスセル101を挟んで対向して配置され、光源102が放射した赤外光を多重反射させる反射ミラー群を構成する。このように赤外光をガスセル101の内部を含んで多重反射させることで感度を高めることができる。また、第1の反射鏡107及び第2の反射鏡108がガスセル101の外部に設けられているので、第1の反射鏡107及び第2の反射鏡108にRu(CO)12ガスに起因する生成物が堆積することがない。これにより、処理ガスに含まれるRu(CO)12の濃度測定においてSN比を高めることができる。なお、本実施形態において、赤外光を多重反射させる反射ミラー群として、対向して配置される一対の反射鏡を用いたHerriott型マルチパスセルを例示したが、例えば3つの反射鏡を用いたWhite型マルチパスセルであってもよい。
集光レンズ109は、第1の反射鏡107及び第2の反射鏡108により多重反射されて第1の検出素子110に向かう赤外光の光路L3上に設けられる。集光レンズ109は、第1の反射鏡107及び第2の反射鏡108により多重反射した赤外光を第1の検出素子110に集光させる。
第1の検出素子110は、第1の反射鏡107及び第2の反射鏡108により多重反射し、集光レンズ109により集光された赤外光の強度を検出する。本実施形態において、第1の検出素子110は、InAsSb光起電力素子である。
集光レンズ111は、光源102から放射され、ビームスプリッタ104で分割された赤外光の光路L2上に設けられる。集光レンズ111は、光源102から放射され、ビームスプリッタ104で分割された赤外光を第2の検出素子112に集光させる。
第2の検出素子112は、光源102から放射され、ビームスプリッタ104で分割された赤外光の光路L2上に設けられる。第2の検出素子112は、光源102から放射され、ビームスプリッタ104で分割され、集光レンズ111により集光された赤外光の強度を検出する。言い換えると、第2の検出素子112は、光源102により放射されガスセル101の内部に入射する前の赤外光の強度を検出する。
算出部113は、第1の検出素子110が検出する赤外光の強度と、第2の検出素子112が検出する赤外光の強度と、に基づいて、ガスセル101内を通流する処理ガスに含まれるRu(CO)12の濃度を算出する。言い換えると、算出部113は、ガスセル101に入射する赤外光の入射光強度と、ガスセル101から出射する赤外光の透過強度と、に基づいて、ガスセル101内を通流する処理ガスに含まれるRu(CO)12ガスの分圧、すなわち、濃度を算出する。
また、算出部113は、入射窓105及び出射窓106に付着した堆積物の付着量と、堆積物の付着量に対応付けされた赤外光の強度に関する情報とに基づいて、第1の検出素子110が検出する赤外光の強度を補正してもよい。これにより、入射窓105及び出射窓106に堆積物が付着した場合であっても、高い精度でRu(CO)12ガスの濃度を算出できる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、上記の実施形態では、ガス濃度測定装置100による測定対象がRu(CO)12である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ガス濃度測定装置100による測定対象は、ストロンチウム(Sr)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)等の金属元素を含有する有機金属錯体、タングステン(W)、アルミニウム(Al)等の金属元素を含有する塩化物であってよい。
1 処理システム
11 原料容器
21 処理容器
100 ガス濃度測定装置
101 ガスセル
101e パージガス導入部
102 光源
105 入射窓
105b 抵抗加熱線
106 出射窓
106b 抵抗加熱線
107 第1の反射鏡
108 第2の反射鏡
110 第1の検出素子
112 第2の検出素子
113 算出部

Claims (12)

  1. 内部をガスが通流するガスセルと、
    前記ガスセルの内部に赤外光を放射する光源と、
    前記ガスセルの外部に設けられ、前記光源が放射した前記赤外光を多重反射させる反射ミラー群と、
    前記反射ミラー群により多重反射した前記赤外光の強度を検出する検出素子と、
    を有する、ガス濃度測定装置。
  2. 前記反射ミラー群は、前記ガスセルを挟んで対向して配置される一対の反射鏡を含む、
    請求項1に記載のガス濃度測定装置。
  3. 前記ガスセルは、前記赤外光が入射する入射窓と、前記赤外光が出射する出射窓と、を含む、
    請求項1又は2に記載のガス濃度測定装置。
  4. 前記入射窓及び前記出射窓は、サファイアにより形成される、
    請求項3に記載のガス濃度測定装置。
  5. 前記入射窓及び前記出射窓の前記ガスセルの側の面に対してパージガスを導入するパージガス導入部を有する、
    請求項3又は4に記載のガス濃度測定装置。
  6. 前記入射窓及び前記出射窓は、パージガス導入部からパージガスが導入される方向と平行な方向を短手方向、垂直な方向を長手方向とする形状を有する、
    請求項5に記載のガス濃度測定装置。
  7. 前記入射窓の形状及び前記出射窓の形状は、楕円、長穴又は角丸長方形である、
    請求項6に記載のガス濃度測定装置。
  8. 前記入射窓及び前記出射窓には、抵抗加熱線が取り付けられている、
    請求項3乃至7のいずれか一項に記載のガス濃度測定装置。
  9. 前記ガスセルは、内部が減圧可能に構成される、
    請求項1乃至8のいずれか一項に記載のガス濃度測定装置。
  10. 前記光源により放射され前記ガスセルの内部に入射する前の前記赤外光の強度を検出する第2の検出素子と、
    前記検出素子が検出した前記赤外光の強度及び前記第2の検出素子が検出した前記赤外光の強度に基づいて前記ガスセルの内部を通流する前記ガスに含まれる原料の濃度を算出する算出部と、
    を有する、
    請求項1乃至9のいずれか一項に記載のガス濃度測定装置。
  11. 前記ガスセルの内部を通流する前記ガスは、Ru(CO)12である、
    請求項1乃至10のいずれか一項に記載のガス濃度測定装置。
  12. 処理容器と、
    固体又は液体の原料を蒸気化して前記処理容器内に供給する原料容器と、
    前記原料容器と前記処理容器との間に設けられ、前記原料容器から前記処理容器内に供給される原料の濃度を測定するガス濃度測定装置と、
    を備え、
    前記ガス濃度測定装置は、
    内部をガスが通流するガスセルと、
    前記ガスセルの内部に赤外光を放射する光源と、
    前記ガスセルの外部に設けられ、前記光源が放射した前記赤外光を多重反射させる反射ミラー群と、
    前記反射ミラー群により多重反射した前記赤外光の強度を検出する検出素子と、
    を有する、処理システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
JP2004053405A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Horiba Ltd インラインガス分析計
EP1860425A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-28 ETH Zürich High-Temperature multipass cell for absorbtion spectroscopy of gases and vapors at eleveated temperatures
JP2012112663A (ja) * 2010-11-19 2012-06-14 Hitachi High-Technologies Corp 分光光度計
WO2012120957A1 (ja) * 2011-03-09 2012-09-13 株式会社堀場製作所 ガス分析装置
GB2514387B (en) * 2013-05-22 2015-08-12 M Squared Lasers Ltd Maturation monitoring apparatus and methods
WO2015045411A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 旭化成エレクトロニクス株式会社 ガスセンサ
JP6268008B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 Cu配線の製造方法
JP6561587B2 (ja) * 2015-05-29 2019-08-21 富士電機株式会社 分析装置および排ガス処理システム
JP2019015661A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 株式会社Ihi 分析装置

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