JP2021156741A - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】吸着式チャックを用いる基板処理装置において、適切に基板を保持する。【解決手段】基板処理装置は、基板を吸着して保持する基板保持部と、基板を回転させる回転部と、基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、基板の複数の画像データを出力する撮像部と、複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、基板の外縁部の位置を複数検出する検出部と、検出された複数の外縁部の位置の周期的変化に基づいて、基板のずれ量を算出する算出部とを備える。【選択図】図４

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」と称する）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。

基板処理の際に基板を保持する方法としては、真空吸着による真空チャック、または、ベルヌーイの定理によるベルヌーイチャックなどが採用されている。

特開２０１８−１６４０６７号公報

真空吸着による真空チャック、または、ベルヌーイの定理によるベルヌーイチャックなどの吸着式チャックでは、挟持式チャックにおけるチャックピンなどが用いられない。よって、たとえば、チャックピンを用いる接触式センサーなどを採用することができないため、基板の保持位置にずれが生じやすいという問題がある。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、吸着式チャックを用いる基板処理装置において、適切に基板を保持するための技術である。

本願明細書に開示される基板処理装置に関する技術の第１の態様は、処理対象である基板を吸着して保持するための基板保持部と、前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させるための回転部と、回転している前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力するための撮像部と、前記複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、前記基板の前記外縁部の位置を複数検出するための検出部と、検出された前記複数の前記外縁部の前記位置の周期的変化に基づいて、前記基板のずれ量を算出するための算出部とを備える。

本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記撮像部は、前記基板の主面に対して傾斜する方向から、前記基板を撮像する。

本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１または２の態様に関連し、算出された前記基板の前記ずれ量に基づいて、前記基板保持部における前記基板の保持位置を変更するための位置変更部をさらに備える。

本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１から３のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記基板には、前記外縁部に沿って凸部が形成され、前記検出部は、前記凸部の側面を、前記基準画像データと前記複数の画像データとの間の前記マッチング処理に用いることによって、前記基板の前記外縁部の位置を複数検出する。

本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第１から４のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記基板保持部に保持されている前記基板の前記外縁部の径方向外側に配置される、少なくとも１つのガイドピンをさらに備える。

本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第５の態様に関連し、複数の前記ガイドピンは、前記基板の前記外縁部に沿って間欠的に配置される。

本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第１から６のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記算出部は、検出された前記複数の前記基板の前記外縁部の前記位置の前記周期的変化を示すグラフに対して、移動平均処理または多項式近似処理を行う。

本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第１から７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記基板の直径よりも前記基板保持部の直径が大きい。

本願明細書に開示される基板処理方法に関する技術の第９の態様は、処理対象である基板を吸着して保持する工程と、保持されている前記基板を回転させる工程と、回転している前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力する工程と、前記複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、前記基板の前記外縁部の位置を複数検出する工程と、検出された前記複数の前記外縁部の前記位置の周期的変化に基づいて、前記基板のずれ量を算出する工程とを備える。

本願明細書に開示される技術の第１から９の態様によれば、吸着式チャックを用いる基板処理装置において、外縁部の位置の周期的変化に基づいて基板のずれ量を算出することによって、基板を保持するための適切な位置とのずれ量を把握することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する、基板処理装置の構成の例を示す平面図である。 幅方向における基板処理装置の中央部の構成の例を示す側面図である。 基板処理装置の左部の構成の例を示す側面図である。 処理ユニットの構成の例を模式的に示す図である。 位置調整ピンの構成の例を示す側面図である。 位置調整ピンの構成の例を示す側面図である。 基板の断面図である。 基板の断面図である。 基板の断面図である。 基板処理装置のそれぞれの要素と制御装置との接続関係の例を示す図である。 制御装置の機能構成を概念的に示す図である。 スピンチャックのプレートにおいて保持された状態の基板を示す図である。 基板の外縁部の位置検出動作を示すフローチャートである。 基板の外縁部の位置座標の周期的変化の例を示すグラフである。 基板の外縁部の位置座標の周期的変化の例を示すグラフである。 スピンチャックのプレートにおいて保持された状態の基板を示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１の構成の例を示す平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗ（たとえば、半導体ウエハ）の処理を行う装置である。

基板Ｗは、たとえば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ）用基板、ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板または太陽電池用基板である。

基板処理装置１は、インデクサ部２を備える。インデクサ部２は、複数（たとえば、４つ）のキャリア載置部３と搬送機構４とを備える。

キャリア載置部３はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、たとえば、ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ（ＦＯＵＰ）である。搬送機構４は、すべてのキャリア載置部３に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。

また、基板処理装置１は、処理ブロック５を備える。処理ブロック５はインデクサ部２に接続される。

処理ブロック５は、載置部６と複数の処理ユニット７と搬送機構８とを備える。載置部６は、複数枚の基板Ｗを載置する。処理ユニット７はそれぞれ、１枚の基板Ｗを処理する。搬送機構８は、載置部６とすべての処理ユニット７とにアクセス可能である。搬送機構８は、載置部６と処理ユニット７とに基板Ｗを搬送する。

載置部６は、搬送機構４と搬送機構８との間に配置される。搬送機構４は、載置部６にもアクセス可能である。搬送機構４は、載置部６に基板Ｗを搬送する。載置部６は、搬送機構４と搬送機構８との間で搬送される基板Ｗを載置する。

また、基板処理装置１は、制御装置９を備える。制御装置９は、搬送機構４と、搬送機構８と、処理ユニット７とを制御する。

＜インデクサ部について＞
次に、図１を参照しつつ、インデクサ部２について説明する。インデクサ部２は、搬送スペース３２を備える。搬送スペース３２は、キャリア載置部３の後方に配置される。搬送スペース３２は、幅方向Ｙに延びる。搬送機構４は、搬送スペース３２に設置される。搬送機構４は、キャリア載置部３の後方に配置される。

搬送機構４は、ハンド３３とハンド駆動部３４とを備える。ハンド３３は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド３３は、基板Ｗの下面と接触することによって、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部３４は、ハンド３３に連結される。ハンド駆動部３４は、ハンド３３を移動する。

図２は、幅方向Ｙにおける基板処理装置１の中央部の構成の例を示す側面図である。ハンド駆動部３４は、レール３４ａと水平移動部３４ｂと垂直移動部３４ｃと回転部３４ｄと進退移動部３４ｅとを備える。

レール３４ａは、固定的に設置される。レール３４ａは、搬送スペース３２の底部に配置される。レール３４ａは、幅方向Ｙに延びる。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに支持される。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに対して幅方向Ｙに移動する。

垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに支持される。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに対して上下方向Ｚに移動する。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに支持される。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに対して回転する。回転部３４ｄは、回転軸線Ａ１回りに回転する。回転軸線Ａ１は、上下方向Ｚと平行である。進退移動部３４ｅは、回転部３４ｄの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。

ハンド３３は、進退移動部３４ｅに固定される。ハンド３３は、水平方向および上下方向Ｚに平行移動可能である。ハンド３３は、回転軸線Ａ１回りに回転可能である。

＜処理ブロックについて＞
次に、図１を参照しつつ、処理ブロック５のそれぞれの要素の配置について説明する。処理ブロック５は、搬送スペース４１を備える。搬送スペース４１は、幅方向Ｙにおける処理ブロック５の中央に配置される。搬送スペース４１は、前後方向Ｘに延びる。搬送スペース４１は、インデクサ部２の搬送スペース３２と接触している。

載置部６と搬送機構８とは、搬送スペース４１に設置される。載置部６は、搬送機構８の前方に配置される。載置部６は、搬送機構４の後方に配置される。載置部６は、搬送機構４と搬送機構８との間に配置される。

処理ユニット７は、搬送スペース４１の両側に配置される。処理ユニット７は、搬送機構８の側方を囲むように配置される。具体的には、処理ブロック５は、処理セクション４２と処理セクション４３を備える。処理セクション４２と搬送スペース４１と処理セクション４３は、幅方向Ｙにこの順番で並ぶ。処理セクション４２は、搬送スペース４１の右方に配置される。処理セクション４３は、搬送スペース４１の左方に配置される。

図３は、基板処理装置１の左部の構成の例を示す側面図である。処理セクション４３には、複数の処理ユニット７が、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置される。たとえば、処理セクション４３には、６個の処理ユニット７が、前後方向Ｘに２列、上下方向Ｚに３段で並ぶ。

図示はされないが、処理セクション４２には、複数の処理ユニット７が、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置される。たとえば、処理セクション４２には、６個の処理ユニット７が、前後方向Ｘに２列、上下方向Ｚに３段で並ぶ。

＜搬送機構について＞
次に、図１および図２を参照しつつ、搬送機構８の構造について説明する。搬送機構８は、ハンド６１とハンド駆動部６２とを備える。ハンド６１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部６２は、ハンド６１に連結される。ハンド駆動部６２は、ハンド６１を移動する。

ハンド駆動部６２は、支柱６２ａと垂直移動部６２ｂと回転部６２ｃと進退移動部６２ｄとを備える。支柱６２ａは、固定的に設置される。支柱６２ａは、上下方向Ｚに延びる。

垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに支持される。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに対して上下方向Ｚに移動する。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに支持される。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに対して回転する。回転部６２ｃは、回転軸線Ａ２回りに回転する。回転軸線Ａ２は、上下方向Ｚと平行である。進退移動部６２ｄは、回転部６２ｃの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。

次に、処理ユニット７の基本的な構造について図３を参照しつつ説明する。それぞれの処理ユニット７は、スピンチャック１０と処理カップ１２とを備える。スピンチャック１０は、１枚の基板Ｗを保持する。スピンチャック１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。処理カップ１２は、スピンチャック１０の側方を囲むように配置される。処理カップ１２は、処理液を受ける。

処理ユニット７は、スピンチャック１０の構造によって、処理ユニット７Ａと処理ユニット７Ｂに分類される。処理ユニット７Ａのスピンチャック１０は、ベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーと呼ばれる。ベルヌーイチャックは、比較的に薄い基板Ｗを保持するために適している。処理ユニット７Ｂのスピンチャック１０は、メカニカルチャック、または、メカニカルグリッパーと呼ばれる。メカニカルチャックは、比較的に厚い基板Ｗを保持するために適している。

たとえば、処理セクション４２に配置される６個の処理ユニット７はそれぞれ、処理ユニット７Ａである。たとえば、処理セクション４３に配置される６個の処理ユニット７はそれぞれ、処理ユニット７Ｂである。

図４は、処理ユニット７Ａの構成の例を模式的に示す図である。図４においては、処理カップ１２の図示が省略される。

スピンチャック１０は、プレート１０１を備える。プレート１０１は、略円盤形状を有する。プレート１０１は、上面１０２を有する。上面１０２は、略水平である。上面１０２は、略平坦である。プレート１０１の直径は、平面視において、基板Ｗの直径よりも大きい。

スピンチャック１０は、回転駆動部９２を備える。回転駆動部９２は、プレート１０１の下部に連結される。回転駆動部９２は、プレート１０１を回転させる。回転駆動部９２によって、プレート１０１は、回転軸線Ａ３回りに回転する。回転軸線Ａ３は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ３は、プレート１０１の中心を通る。

固定ピン１０３は、プレート１０１の上面１０２から上方に突出する。固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、固定ピン１０３は、基板Ｗの周縁部における下面１６と接触する。これによって、固定ピン１０３は、プレート１０１の上面１０２よりも高い位置で基板Ｗを支持する。

固定ピン１０３は、基板Ｗの上面１７と接触しない。固定ピン１０３は、基板Ｗが固定ピン１０３に対して上方に移動することを許容する。固定ピン１０３は、基板Ｗの外縁部２０と接触しない。固定ピン１０３自体は、基板Ｗが固定ピン１０３に対して滑ることを許容する。このように、固定ピン１０３自体は、基板Ｗを保持しない。

スピンチャック１０は、気体吹出口１０４を備える。気体吹出口１０４は、プレート１０１の上面１０２に形成される。気体吹出口１０４は、平面視において、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと重なる位置に配置される。気体吹出口１０４は、上方に気体を吹き出す。気体吹出口１０４は、プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に、気体を吹き出す。気体は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６に沿って流れる。

これによって、気体吹出口１０４は、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの下面１６に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの下面１６が受ける気圧は、基板Ｗの上面１７が受ける気圧よりも小さい。よって、ベルヌーイの原理によって、基板Ｗに下向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが下方に吸引される。基板Ｗは気体吹出口１０４およびプレート１０１に向かって吸引される。ただし、気体吹出口１０４は、基板Ｗと接触しない。プレート１０１も、基板Ｗと接触しない。

気体吹出口１０４が基板Ｗを下方に吸引し、かつ、固定ピン１０３が基板Ｗの下面１６と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。基板Ｗに働く吸引力によって、基板Ｗは固定ピン１０３に対して水平方向に滑らない。すなわち、スピンチャック１０は、プレート１０１において基板Ｗを吸着して保持する。

気体吹出口１０４は、１つの吹出口１０５と複数の吹出口１０６を備える。吹出口１０５は、プレート１０１の上面１０２の中央部に配置される。吹出口１０５は、プレート１０１の回転軸線Ａ３上に配置される。

吹出口１０６は、吹出口１０５よりも、プレート１０１の回転軸線Ａ３の径方向外側に配置される。吹出口１０６は、固定ピン１０３よりもプレート１０１の回転軸線Ａ３の径方向内側に配置される。吹出口１０６は、たとえば、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。

処理ユニット７Ａは、気体供給路１０７と気体供給路１０８とを備える。気体供給路１０７は、吹出口１０５に気体を供給する。気体供給路１０８は、吹出口１０６に気体を供給する。気体供給路１０７の一部および気体供給路１０８の一部は、プレート１０１の内部に形成されている。

気体供給路１０７の第１の端は、気体供給源１０９に接続される。気体供給路１０７の第２の端は、吹出口１０５に接続される。

気体供給路１０８の第１の端は、気体供給源１０９に接続される。気体供給路１０８の第２の端は、吹出口１０６に接続される。

吹出口１０５および吹出口１０６に供給される気体は、たとえば、窒素ガスまたは空気である。吹出口１０５および吹出口１０６に供給される気体は、たとえば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。

処理ユニット７Ａは、調整部１１１と調整部１１２とを備える。調整部１１１は、気体供給路１０７に設けられる。調整部１１２は、気体供給路１０８に設けられる。

調整部１１１は、吹出口１０５が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、調整部１１１は、吹出口１０５に供給される気体の流量を調整する。調整部１１２は、吹出口１０６が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、調整部１１２は、吹出口１０６に供給される気体の流量を調整する。

吹出口１０５が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。また、吹出口１０６が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。

調整部１１１および調整部１１２は、互いに独立して、作動可能である。したがって、吹出口１０５が吹き出す気体の流量と、吹出口１０６が吹き出す気体の流量を、互いに独立して調整可能である。調整部１１１および調整部１１２はそれぞれ、たとえば、流量調整弁を含む。調整部１１１および調整部１１２はそれぞれ、さらに、開閉弁を含んでもよい。

調整部１１１および調整部１１２による気体の流量調整によって、たとえば、厚さが薄い基板Ｗが吸着される場合であっても、基板Ｗの撓みを吸収するように吹出口１０５および吹出口１０６から吹き出す気体の流量を制御することができる。

処理ユニット７Ａは、複数の位置調整ピンおよび複数のガイドピン（ともに、ここでは図示せず）を備える。位置調整ピンは、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの外縁部２０と接触可能であり、かつ、水平方向における基板Ｗの位置を調整可能である。位置調整ピンは、基板Ｗの外縁部２０に沿って間欠的に配置され、たとえば、基板Ｗの周方向において３０°回転おきに配置される。ガイドピンは、ベルヌーイチャックで吸着される基板Ｗが、保持状態の不具合などによってスピンチャック１０から外れてしまうことを防ぐためのピンであり、スピンチャック１０に保持される基板Ｗの径方向外側において、基板Ｗには接触しない位置に配置される。ガイドピンは、基板Ｗの外縁部２０に沿って間欠的に配置され、たとえば、基板Ｗの周方向において３０°回転おきに配置される。

処理ユニット７Ａは、処理液供給部１２１を備える。処理液供給部１２１は、基板Ｗに処理液を供給する。

処理液供給部１２１は、ノズル１２２を備える。ノズル１２２は、処理液を基板Ｗに吐出する。ノズル１２２は、処理位置と退避位置に移動可能に設けられる。図４においては、処理位置に位置するノズル１２２が点線で示される。また、図４においては、退避位置に位置するノズル１２２が実線で示される。

処理位置は、スピンチャック１０のプレート１０１において保持された基板Ｗの上方の位置である。ノズル１２２が処理位置にある場合、ノズル１２２は、平面視において、スピンチャック１０のプレート１０１において保持された基板Ｗと重なる。一方で、ノズル１２２が退避位置にある場合、ノズル１２２は、平面視において、スピンチャック１０のプレート１０１において保持された基板Ｗと重ならない。

処理液供給部１２１は、配管１２３を備える。配管１２３は、ノズル１２２に処理液を供給する。配管１２３は、第１の端と第２の端を有する。配管１２３の第１の端は、処理液供給源１２４に接続される。配管１２３の第２の端は、ノズル１２２に接続される。

処理ユニット７Ａは、調整部１２５を備える。調整部１２５は、配管１２３に設けられる。調整部１２５は、処理液供給部１２１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。すなわち、調整部１２５は、ノズル１２２が吐出する処理液の流量を調整する。

処理ユニット７Ａは、ＣＣＤカメラなどである撮像部１２７を備える。撮像部１２７は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗを撮像する。撮像部１２７は、たとえば、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの外縁部２０およびスピンチャック１０の周辺部を含む撮像範囲を撮像する。撮像部１２７は、たとえば、スピンチャック１０の上方に配置され、基板Ｗの主面に対して傾斜する方向の光軸を有する。撮像部１２７によって撮像された基板Ｗの画像データは、有線または無線の通信手段によって制御装置９へ出力される。

図５および図６は、位置調整ピン１１３の構成の例を示す側面図である。図５は、退避位置にある位置調整ピン１１３を示す。図６は、調整位置にある位置調整ピン１１３を示す。

位置調整ピン１１３は、軸部１１４に固定される。軸部１１４は、位置調整ピン１１３から下方に延びる。軸部１１４は、プレート１０１に支持される。位置調整ピン１１３は、軸部１１４を介して、プレート１０１に支持される。

軸部１１４は、プレート１０１に対して、回転軸線Ａ４回りに回転可能である。回転軸線Ａ４は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ４は、軸部１１４の中心を通る。位置調整ピン１１３は、軸部１１４の回転軸線Ａ４から偏心した位置に配置される。軸部１１４は、たとえば、制御装置９の制御によって回転する。

軸部１１４がプレート１０１に対して回転することにより、位置調整ピン１１３はプレート１０１に対して水平方向に移動する。具体的には、位置調整ピン１１３は、回転軸線Ａ４回りに旋回移動する。これにより、位置調整ピン１１３は、プレート１０１の回転軸線Ａ３に近づき、かつ、プレート１０１の回転軸線Ａ３から遠ざかる。

位置調整ピン１１３がプレート１０１の回転軸線Ａ３に近づくことによって、位置調整ピン１１３は調整位置に移動する。すなわち、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの外縁部２０に接触する。また、位置調整ピン１１３は、位置調整ピン１１３と接触する基板Ｗの外縁部２０を回転軸線Ａ４に向かって押す。異なる位置に設けられる複数の位置調整ピン１１３が基板Ｗの外縁部２０を押すことによって、基板Ｗは所定の位置に調整される。一方で、位置調整ピン１１３がプレート１０１の回転軸線Ａ３から遠ざかることによって、位置調整ピン１１３は退避位置に移動する。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの外縁部２０から離れる。

図７は、基板Ｗ１の断面図である。図８は、基板Ｗ２の断面図である。図９は、基板Ｗ３の断面図である。なお、本実施の形態において単に基板または基板Ｗと記載する場合には、基板Ｗ１、基板Ｗ２および基板Ｗ３を区別せずに示すものとする。

図７に示される基板Ｗ１の基板本体１１Ａは、主部１３Ａと、周縁部２１２とを備える。主部１３Ａには、周縁部２１２よりも凹む凹部１４が形成される。凹部１４は、たとえば、研削処理（グラインド処理）によって形成される。

図８に示される基板Ｗ２の基板本体１１Ｂは、主部１３Ｂと、周縁部２１２とを備える。主部１３Ｂには、凹部１４は形成されない。

図９に示される基板Ｗ３の基板本体１１Ｃは、主部１３Ｃと、周縁部２１２とを備える。主部１３Ｃには、周縁部２１２よりも凹む凹部１４が形成される。基板本体１１Ｃの、凹部１４が形成される面の反対側の面には、ガラス製の保護プレート１５が設けられている。

基板Ｗ１は、基板本体１１Ａのみから構成されてもよい。または、基板Ｗ１は、基板本体１１Ａに加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

基板Ｗ２は、基板本体１１Ｂのみから構成されてもよい。または、基板Ｗ２は、基板本体１１Ｂに加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シート、樹脂フィルムおよび保護プレート１５の少なくともいずれかを含んでもよい。

基板Ｗ３は、基板本体１１Ｃと保護プレート１５とを備える。保護プレート１５は、たとえば、基板本体１１Ｃに貼り付けられる。基板Ｗ３は、さらに、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

基板Ｗ１の主部１３Ａは、基板Ｗ２の主部１３Ｂよりも薄い。基板Ｗ１の主部１３Ａの厚さは、基板Ｗ３の主部１３Ｃと保護プレート１５とを合わせた厚さよりも薄い。基板Ｗ１は、基板Ｗ２および基板Ｗ３よりも剛性が低い。基板Ｗ１は、基板Ｗ２および基板Ｗ３よりも撓みやすい。

具体的には、基板Ｗ１の主部１３Ａは、厚みＴ１を有する。基板Ｗ２の主部１３Ｂは、厚みＴ２を有する。基板Ｗ３の主部１３Ｃと保護プレート１５とを合わせた厚さは、厚みＴ３を有する。

厚みＴ１は、厚みＴ２よりも小さい。厚みＴ１は、厚みＴ３よりも小さい。厚みＴ１は、たとえば、１０［μｍ］以上、かつ、２００［μｍ］以下である。厚みＴ２は、たとえば、６００［μｍ］以上、かつ、１０００［μｍ］以下である。厚みＴ３は、たとえば、８００［μｍ］以上、かつ、１２００［μｍ］以下である。

基板Ｗ１の周縁部２１２は、厚みＴ４を有する。基板Ｗ２の周縁部２１２は、厚みＴ５を有する。基板Ｗ３の周縁部２１２は、厚みＴ６を有する。

厚みＴ４は、たとえば、厚みＴ５と同じである。厚みＴ４は、厚みＴ６よりも小さい。厚みＴ４は、たとえば、６００［μｍ］以上、かつ、１０００［μｍ］以下である。厚みＴ５は、たとえば、６００［μｍ］以上、かつ、１０００［μｍ］以下である。厚みＴ６は、たとえば、１４００［μｍ］以上、かつ、２２００［μｍ］以下である。

＜制御装置について＞
図１０は、基板処理装置１のそれぞれの要素と制御装置９との接続関係の例を示す図である。

制御装置９のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御装置９は、各種演算処理を行う中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）７１と、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）７２と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）７３と、制御用アプリケーション（プログラム）またはデータなどを記憶する非一過性の記憶部７４とを備える。

ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３および記憶部７４は、バス配線７５などによって互いに接続されている。

制御アプリケーションまたはデータは、非一過性の記録媒体（たとえば、半導体メモリ、光学メディアまたは磁気メディアなど）に記録された状態で、制御装置９に提供されてもよい。この場合、当該記録媒体から制御アプリケーションまたはデータを読み取る読み取り装置がバス配線７５に接続されているとよい。

また、制御アプリケーションまたはデータは、ネットワークを介してサーバーなどから制御装置９に提供されてもよい。この場合、外部装置とネットワーク通信を行う通信部がバス配線７５に接続されているとよい。

バス配線７５には、入力部７６および表示部７７が接続されている。入力部７６はキーボードおよびマウスなどの各種入力デバイスを含む。作業者は、入力部７６を介して制御装置９に各種情報を入力する。表示部７７は、液晶モニターなどの表示デバイスで構成されており、各種情報を表示する。

制御装置９は、それぞれの処理ユニットの作動部（たとえば、調整部１２５、調整部１１１、調整部１１２、回転駆動部９２、撮像部１２７など）、または、搬送機構４または搬送機構８の作動部などに接続されており、それらの動作を制御する。

図１１は、制御装置９の機能構成を概念的に示す図である。図１１に例が示されるように、制御装置９は、それぞれの作動部を介して基板処理装置１におけるそれぞれの構成の動作を制御する動作制御部９０１と、撮像部１２７によって撮像された基板Ｗの画像データに基づいて基板Ｗの有無、さらには、基板Ｗの位置を検出する検出部９０２と、検出部９０２において検出された基板Ｗの位置に基づいて、基板Ｗのずれ量を算出する算出部９０３とを備える。ここで、基板Ｗのずれ量とは、基板Ｗの主面に沿う方向または主面と交差する方向などにおける、基板Ｗが１回転する間に生じる基板Ｗの移動量をいう。基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの位置が周期的に変化する場合には、１周期における移動量の最大値（振幅）をいう。

＜外縁部の位置検出、および、ずれ量の算出について＞
次に、図１２を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置による、基板Ｗの外縁部２０の位置検出について説明する。図１２は、スピンチャック１０のプレート１０１において保持された状態の基板Ｗ２を示す図である。この状態で、基板Ｗ２の外縁部２０に、位置検出に用いられるマッチングウィンドウ２０１が設定される。

マッチングウィンドウ２０１には、基準画像データを用いるマッチング処理（テンプレートマッチング）のためのｒｅｇｉｏｎ ｏｆ ｉｎｔｅｒｅｓｔ（ＲＯＩ）２０１Ａがさらに設定される。

ここで、図１２では、ＲＯＩ２０１Ａ内に位置調整ピン１１３が一部含まれているが、ＲＯＩ２０１Ａ内には基板Ｗ２の外縁部２０以外の構造が含まれていないことが望ましい。ただし、このように基板Ｗ２の外縁部２０近傍における他の構造（たとえば、位置調整ピン１１３と同様に、スピンチャック１０のプレート１０１において保持される基板Ｗの径方向外側に配置されるガイドピン２１３）が含まれる場合であっても、後述のように基板Ｗ２の外縁部２０の位置を高い精度で検出することができる。

次に、図１３を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置による、ノズルの位置検出動作について説明する。図１３は、基板Ｗ（基板Ｗ１、基板Ｗ２および基板Ｗ３を含む）の外縁部２０の位置検出動作を示すフローチャートである。

まず、撮像部１２７は、回転する基板Ｗの外縁部２０を含む複数の画像を撮像する（ステップＳＴ１０１）。そして、撮像部１２７は、得られた複数の画像データを制御装置９に出力する。なお、撮像部１２７は、回転する基板Ｗの動画を撮像してもよい。この際、基板Ｗはたとえば３０ｒｐｍなどの低速で回転していることが望ましい。一方で、検出部９０２は、テンプレートマッチング用の基準画像データ（テンプレート）を、制御装置９の記憶部７４などに登録しておく（ステップＳＴ１０２）。ここで、基準画像データは、たとえば、スピンチャック１０のプレート１０１において保持された状態の基板Ｗの外縁部２０の画像データである。

次に、制御装置９における検出部９０２は、撮像部１２７から出力された複数の画像データ（または、録画された動画のそれぞれのフレームに対応する画像データ）のうちの１つについて、マッチングウィンドウ２０１およびマッチングウィンドウ２０１内のＲＯＩ２０１Ａを設定する。そして、検出部９０２は、ＲＯＩ２０１Ａに重なる画像データと基準画像データとのテンプレートマッチングを行う（ステップＳＴ１０３）。ここで、ＲＯＩ２０１Ａは、たとえば、マッチングウィンドウ２０１の箇所での、基板Ｗの外縁部２０に沿って設定される。テンプレートマッチングに際しては、ＲＯＩ２０１Ａを移動させながらマッチングウィンドウ２０１内を探索し、ＲＯＩ２０１Ａに重なる画像データと基準画像データとの類似度が高い箇所を探す。

そして、検出部９０２は、テンプレートマッチングが成功したか否かを判断する。テンプレートマッチングが成功した場合には、マッチングされた画像データに基づいて基板Ｗの外縁部２０の位置座標（たとえば、ＸＹＺ軸座標）を登録する。

他の画像データに対しても同様にマッチング処理を行う。そして、検出部９０２は、基板Ｗの外縁部２０の複数の位置座標に関するデータを、算出部９０３へ出力する。

次に、算出部９０３は、検出部９０２から出力された複数の位置座標に関するデータに基づいて、基板Ｗのずれ量を算出する（ステップＳＴ１０４）。

具体的には、算出部９０３は、基板Ｗの外縁部２０の複数の位置座標を時系列に並べ、その時間変化を調べる。なお、それぞれの位置座標に関するデータは、位置座標のデータと、当該位置座標が取得された時間のデータとを含むものとする。

そして、算出部９０３は、外縁部２０の位置座標の、基板Ｗの回転周期に対応する周期的変化に基づいて、１周期における移動量の最大値（振幅Ａ）を基板Ｗのずれ量として算出する。外縁部２０の位置座標の変化については、たとえば、複数の位置座標のうちのいずれか１つを基準として、当該位置座標と他の位置座標との差分をプロットすることで調べることができる。なお、振幅Ａは、基板Ｗの主面に沿う方向、基板Ｗの主面と交差する方向またはそれら双方を含む方向における移動量に対応する。

図１４は、基板Ｗ２の外縁部２０の位置座標の周期的変化の例を示すグラフである。図１４において、縦軸が位置座標を示し、横軸が時間を示す。なお、図１４における縦軸は相対的な位置座標を示しており、たとえば、複数取得された位置座標のうちの１つの位置座標との差分に相当する。

図１４に示される実線はマッチング処理によって検出された位置座標であり、図１４に示されるように当該位置座標は周期的に変化している。ただし、図１４の場合では、図１２に示されたように、ＲＯＩ２０１Ａ内に基板Ｗ２の外縁部２０の近傍に位置する位置調整ピン１１３が含まれたために、マッチング処理によって検出された位置座標にぶれが生じている。

このような場合、算出部９０３は、たとえば、時系列においてある区間（たとえば５フレーム）ごとの平均値を、当該区間をずらしながら算出する移動平均処理を行うことによってグラフを平滑化した後で、振幅Ａを求める。図１４における点線は、移動平均処理によって平滑化された後の位置座標の変化である。そうすることで、高い精度で振幅Ａ、すなわち、基板Ｗのずれ量を算出することができる。

図１５は、基板Ｗ２の外縁部２０の位置座標の周期的変化の例を示すグラフである。図１５において、縦軸が位置座標を示し、横軸が時間を示す。なお、図１４の場合と同様に、図１５における縦軸は相対的な位置座標を示しており、たとえば、複数取得された位置座標のうちの１つの位置座標との差分に相当する。

図１５に示される実線はマッチング処理によって検出された位置座標であり、図１５に示されるように当該位置座標は周期的に変化している。ただし、図１５でも図１４の場合と同様に、ＲＯＩ２０１Ａ内に基板Ｗ２の外縁部２０の近傍に位置する位置調整ピン１１３が含まれたために、マッチング処理によって検出された位置座標にぶれが生じている。

このような場合、算出部９０３は、たとえば、最小二乗法を用いて近似曲線を算出する多項式近似処理、ｓａｖｉｔｚｋｙ−ｇｏｌａｙ（ＳＧ）法などを行うことによってグラフを平滑化した後で、振幅Ａを求める。図１５における点線は、ＳＧ法によって平滑化された後の位置座標の変化である。そうすることで、高い精度で振幅Ａ、すなわち、基板Ｗのずれ量を算出することができる。

＜外縁部の位置検出の変形例について＞
図１６は、スピンチャック１０のプレート１０１において保持された状態の基板Ｗ１を示す図である。図１２に示された場合と同様に、基板Ｗ１の外縁部２０Ａに、位置検出に用いられるマッチングウィンドウ２０１が設定される。さらにマッチングウィンドウ２０１には、マッチング処理のためのＲＯＩ２０１Ａが設定される。

この場合、ＲＯＩ２０１Ａ内に含まれる基板Ｗ１の周縁部２１２は凹部１４よりも突出して形成されるため、凸部である周縁部２１２の内側面なども、基板Ｗ１の外縁部２０Ａの位置座標を検出するための形状的な特徴として参酌することができる。そのようにすることで、基板Ｗ１の外縁部２０Ａのマッチング精度を向上させることができる。

＜基板の保持位置の変更について＞
さらに、動作制御部９０１は、算出部９０３において算出された基板Ｗのずれ量に基づいて、スピンチャック１０のプレート１０１における基板Ｗの保持位置を変更することができる。

具体的には、動作制御部９０１は、振幅Ａが最大となるタイミングで、振幅Ａに応じて基板Ｗの保持位置を変更するように、軸部１１４を回転させることによって位置調整ピン１１３の位置を調整する。そして、基板Ｗのずれ量が相殺されるように基板Ｗの位置を調整する。

なお、上記のずれ量に対するしきい値をあらかじめ設定しておき、動作制御部９０１が、ずれ量が当該しきい値を超えた場合に基板Ｗの保持位置を変更してもよい。また、当該しきい値は複数設定されてもよく、位置調整ピン１１３を用いて基板Ｗの保持位置を変更するための第１のしきい値と、基板Ｗのずれ量が大きすぎるため基板処理を停止させるための第２のしきい値（＞第１のしきい値）とが設定されてもよい。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板保持部と、回転部と、撮像部１２７と、検出部９０２と、算出部９０３とを備える。ここで、基板保持部は、たとえば、プレート１０１などに対応するものである。また、回転部は、たとえば、回転駆動部９２などに対応するものである。プレート１０１は、処理対象である基板Ｗを吸着して保持する。回転駆動部９２は、プレート１０１に保持されている基板Ｗを回転させる。撮像部１２７は、回転している基板Ｗの外縁部２０または外縁部２０Ａを含む撮像範囲を複数箇所で撮像する。また、撮像部１２７は、基板Ｗの複数の画像データを出力する。検出部９０２は、複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置を複数検出する。算出部９０３は、検出された複数の外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置の周期的変化に基づいて、基板Ｗのずれ量を算出する。

このような構成によれば、吸着式チャックを用いる基板処理装置において、複数の画像データを用いて基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置を検出し、さらに、外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置の周期的変化に基づいて基板Ｗのずれ量を算出することによって、基板Ｗを保持するための適切な位置とのずれ量を把握することができる。すなわち、チャックピンを用いる接触式センサーなどを採用せずに基板Ｗの保持位置のずれを把握し、必要に応じて基板Ｗの保持位置を変更することができる。また、複数の画像データにおいて検出された外縁部２０の位置の周期的変化に基づいて基板Ｗのずれ量を算出するため、検出された外縁部２０の位置座標のうちのいずれを基準として他の位置座標との差分を算出した場合であっても同様に基板Ｗのずれ量を得ることができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、撮像部１２７は、基板Ｗの主面に対して傾斜する方向から、基板Ｗを撮像する。このような構成によれば、基板Ｗの主面に沿う方向の移動量、および、基板の主面と交差する方向における移動量の双方を含む外縁部２０の位置座標を検出することができるため、当該双方の方向における基板Ｗのずれ量を考慮して、基板Ｗの保持位置を変更するなどの対応をとることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、算出された基板Ｗのずれ量に基づいて、プレート１０１における基板Ｗの保持位置を変更する位置変更部を備える。ここで、位置変更部は、たとえば、動作制御部９０１などに対応するものである。このような構成によれば、動作制御部９０１によって、位置調整ピン１１３の位置が基板Ｗのずれ量が相殺されるように調整されるため、基板Ｗを適切な位置で保持することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗ１には、外縁部２０Ａに沿って凸部が形成される。ここで、凸部は、たとえば、基板Ｗ１の凹部１４に対して凸形状となる周縁部２１２などに対応するものである。検出部９０２は、基板Ｗ１の周縁部２１２の側面を、基準画像データと複数の画像データとの間のマッチング処理に用いることによって、基板Ｗ１の外縁部２０Ａの位置を複数検出する。このような構成によれば、基準画像データとのマッチング処理において、マッチング処理のための形状的な特徴が画像中に追加されるため、基板Ｗ１の外縁部２０Ａのマッチング精度を向上させることができる。よって、たとえば、ガイドピン２１３が外縁部２０の径方向外側に配置されることによって外縁部２０のマッチング精度が低下してしまう場合であっても、基板Ｗ１の外縁部２０Ａの位置を適切に検出することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、プレート１０１に保持されている基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の径方向外側に配置される、少なくとも１つのガイドピン２１３を備える。このような構成によれば、ベルヌーイチャックで吸着される基板Ｗが、保持状態の不具合などによってスピンチャック１０から外れてしまうことを抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、複数のガイドピン２１３は、基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）に沿って間欠的に配置される。このような構成によれば、ガイドピン２１３が周方向に複数配置されることによって、ベルヌーイチャックで吸着される基板Ｗが、保持状態の不具合などによってスピンチャック１０から外れてしまうことをより確実に抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、算出部９０３は、検出された複数の基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置の周期的変化を示すグラフに対して、移動平均処理または多項式近似処理を行う。このような構成によれば、これらの近似処理によって平滑化された後の位置座標の変化を用いることによって、高い精度で振幅Ａ、すなわち、基板Ｗのずれ量を算出することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗの直径よりもプレート１０１の直径が大きい。このような構成によれば、平面視において基板Ｗの全面がプレート１０１に重なる範囲に含まれるため、基板Ｗを十分に吸着することができる。一方で、基板Ｗの外縁部２０においてはプレート１０１が常に重なる位置に配置されるためにラインセンサーなどによって外縁部２０の位置を検出することは困難であるが、撮像部１２７を用いて基板Ｗの外縁部２０の画像を撮像し、さらに、当該画像を用いるマッチング処理を行うことによって、外縁部２０の位置を検出することができる。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、処理対象である基板Ｗを吸着して保持する工程と、保持されている基板Ｗを回転させる工程と、回転している基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、基板Ｗの複数の画像データを出力する工程と、複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置を複数検出する工程と、検出された複数の外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置の周期的変化に基づいて、基板Ｗのずれ量を算出する工程とを備える。

このような構成によれば、吸着式チャックを用いる基板処理装置において、複数の画像データを用いて基板Ｗの外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置を検出し、さらに、外縁部２０（または外縁部２０Ａ）の位置の周期的変化に基づいて基板Ｗのずれ量を算出することによって、基板Ｗを保持するための適切な位置とのずれ量を把握することができる。

なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。

また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、検出部９０２がマッチング処理によって基板Ｗの位置を検出することが示されたが、検出部９０２は、たとえば、画像データにおける輝度を参照することによって、基板Ｗ自体の有無を検出してもよい。

以上に記載された実施の形態では、スピンチャック１０はベルヌーイチャックであったが、他の吸着方式、たとえば、真空吸着方式である真空チャックであってもよい。

以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。

また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

１ 基板処理装置
２ インデクサ部
３ キャリア載置部
４，８ 搬送機構
５ 処理ブロック
６ 載置部
７，７Ａ，７Ｂ 処理ユニット
９ 制御装置
１０ スピンチャック
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ 基板本体
１２ 処理カップ
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ 主部
１４ 凹部
１５ 保護プレート
１６ 下面
１７，１０２ 上面
２０，２０Ａ 外縁部
３２，４１ 搬送スペース
３３，６１ ハンド
３４，６２ ハンド駆動部
３４ａ レール
３４ｂ 水平移動部
３４ｃ，６２ｂ 垂直移動部
３４ｄ，６２ｃ 回転部
３４ｅ，６２ｄ 進退移動部
４２，４３ 処理セクション
６２ａ 支柱
７１ ＣＰＵ
７２ ＲＯＭ
７３ ＲＡＭ
７４ 記憶部
７５ バス配線
７６ 入力部
７７ 表示部
９２ 回転駆動部
１０１ プレート
１０３ 固定ピン
１０４ 気体吹出口
１０５，１０６ 吹出口
１０７，１０８ 気体供給路
１０９ 気体供給源
１１１，１１２，１２５ 調整部
１１３ 位置調整ピン
１１４ 軸部
１２１ 処理液供給部
１２２ ノズル
１２３ 配管
１２４ 処理液供給源
１２７ 撮像部
２０１ マッチングウィンドウ
２０１Ａ ＲＯＩ
２１２ 周縁部
２１３ ガイドピン
９０１ 動作制御部
９０２ 検出部
９０３ 算出部

Claims (9)

1. 処理対象である基板を吸着して保持するための基板保持部と、
   前記基板保持部に保持されている前記基板を回転させるための回転部と、
   回転している前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力するための撮像部と、
   前記複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、前記基板の前記外縁部の位置を複数検出するための検出部と、
   検出された前記複数の前記外縁部の前記位置の周期的変化に基づいて、前記基板のずれ量を算出するための算出部とを備える、
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であり、
   前記撮像部は、前記基板の主面に対して傾斜する方向から、前記基板を撮像する、
   基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
   算出された前記基板の前記ずれ量に基づいて、前記基板保持部における前記基板の保持位置を変更するための位置変更部をさらに備える、
   基板処理装置。
4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記基板には、前記外縁部に沿って凸部が形成され、
   前記検出部は、前記凸部の側面を、前記基準画像データと前記複数の画像データとの間の前記マッチング処理に用いることによって、前記基板の前記外縁部の位置を複数検出する、
   基板処理装置。
5. 請求項１から４のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記基板保持部に保持されている前記基板の前記外縁部の径方向外側に配置される、少なくとも１つのガイドピンをさらに備える、
   基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であり、
   複数の前記ガイドピンは、前記基板の前記外縁部に沿って間欠的に配置される、
   基板処理装置。
7. 請求項１から６のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記算出部は、検出された前記複数の前記基板の前記外縁部の前記位置の前記周期的変化を示すグラフに対して、移動平均処理または多項式近似処理を行う、
   基板処理装置。
8. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記基板の直径よりも前記基板保持部の直径が大きい、
   基板処理装置。
9. 処理対象である基板を吸着して保持する工程と、
   保持されている前記基板を回転させる工程と、
   回転している前記基板の外縁部を含む撮像範囲を複数箇所で撮像し、かつ、前記基板の複数の画像データを出力する工程と、
   前記複数の画像データそれぞれについて基準画像データを用いてマッチング処理を行うことによって、前記基板の前記外縁部の位置を複数検出する工程と、
   検出された前記複数の前記外縁部の前記位置の周期的変化に基づいて、前記基板のずれ量を算出する工程とを備える、
   基板処理方法。

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