JP2021156602A

JP2021156602A - 誘電体材料の評価方法、評価装置及び評価システム

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Publication number: JP2021156602A
Application number: JP2020054253A
Authority: JP
Inventors: 亮坂巻; Ryo Sakamaki; 雅弘堀部; Masahiro Horibe
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2020-03-25
Filing date: 2020-03-25
Publication date: 2021-10-07
Anticipated expiration: 2040-03-25
Also published as: JP7370060B2

Abstract

【課題】電磁界シミュレーション又は標準サンプルを用いることなく、マイクロ波帯においても、誘電体材料の誘電正接の高精度な評価を可能にする、誘電体材料の評価方法、評価装置及び評価システムを提供する。【解決手段】誘電体材料の評価装置であって、誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置と、測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ１、Ｓ２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓｒｅｓを算出し、前記共振成分Ｓｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法により誘電正接を導出する演算をする演算処理部と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、チタン酸バリウムに代表されるセラミックス等の誘電体材料の誘電特性を計測するための、誘電体材料の評価方法、評価装置及び評価システムに関する。

近年、移動体通信機器の小型化や高性能化に伴い、マイクロ波回路構成用の誘電体基板の物性値、特に比誘電率ε_ｒや誘電正接ｔａｎδといった誘電特性の、高精度な計測が必要とされている。

本発明者らは、誘電体材料の評価方法や装置について、研究開発を進め、既に提案や報告をしている（特許文献１、２、非特許文献１、２参照）。例えば、特許文献１では、高周波プローブを伝送線路の中ほどに接触させることにより、共振現象を発生させ、さらに、プローブ位置を変え、その時の電気特性の差分から誘電体基板の比誘電率の測定をする手法を提示した。該手法は、プローブ後方反射法と称される。非特許文献１では、さらにシミュレーションを用いることにより、誘電正接の導出も可能であることを示した。非特許文献２では、プローブ後方反射法と伝送線路理論を組み合わせ、さらに標準サンプルを用いることにより、マイクロ波帯からサブミリ波帯に至る周波数（３ＧＨｚ〜３４０ＧＨｚ）において、比誘電率と誘電正接の測定が可能であることを示した。また、特許文献２では、固定高周波プローブのＺ軸方向の位置の位置決め機構について提案した。

特開２０１９−１５８６５２号公報国際公開２０１７／２０３８７６号

Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５７，１１ＵＥ０１（２０１８）Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５８，ＳＬＬＥ０２（２０１９）

従来、マイクロ波の中でも、センチメートル波帯（３〜３０ＧＨｚ）、ミリ波帯（３０ＧＨｚ〜０．３ＴＨｚ）、サブミリ波（０．３〜３ＴＨｚ）における、比誘電率や誘電正接の正確な評価手法の開発が望まれてきた。特に、移動体通信（５Ｇ）等で用いられるＫａバンド（２６〜４０ＧＨｚ）、レーダー・通信衛星等で用いられるＶバンド（４０〜７５ＧＨｚ）、さらに移動体通信（６Ｇ）（テラヘルツ帯等）等において、誘電体材料の誘電特性の高精度な測定が強く望まれている。

特許文献１及び非特許文献１、２の計測装置では、特に誘電正接の評価には、電磁界シミュレーション（非特許文献１参照）或いは標準サンプル（非特許文献２参照）が必要であった。また、電磁界シミュレーションはミリ波帯では信頼性が低下するという問題がある。また、標準サンプルを用いた評価手法も、評価結果はあくまで標準サンプルに対する相対値が導出できるのであって、絶対測定とはなっていない、という問題がある。

特許文献１では、比誘電率の評価は可能であったが、２つの位置での測定の差分を用いた誘電正接の評価は困難であった。

本発明は、上述した問題を解決しようとするものであり、マイクロ波帯およびミリ波帯においても、誘電特性、特に誘電正接を高精度で評価できる、誘電体材料の評価方法、評価装置及び評価システムを提供することを目的の１つとする。また、電磁界シミュレーション或いは標準サンプルを用いることなく、マイクロ波帯およびミリ波帯においても、誘電体材料の誘電特性の評価を可能にする、評価方法、評価装置及び評価システムを提供することを目的の１つとする。

本発明は、前記目的を達成するために、以下の特徴を有するものである。
（１）評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置と、前記２箇所の位置で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出し、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法により誘電正接を導出する演算をする、演算処理部と、を備えることを特徴とする、誘電体材料の評価装置。
（２）前記（１）記載の誘電体材料の評価装置は、評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、誘電体材料上の導体パターンに接触する一対のプローブを備え、前記一対のプローブのうちの一方のプローブに対する、他方のプローブの誘電体材料に対する位置を移動させて、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置を備えることを特徴とする、誘電体材料の評価装置。
（３）前記演算処理部において、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する際、前記２つのパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換して、２つのパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分Ｓ_ｒｅｓを抽出することを特徴とする、前記（１）記載の誘電体材料の評価装置。
（４）誘電体材料の比誘電率及び誘電正接のうちの少なくともいずれかを評価することを特徴とする、前記（１）記載の、誘電体材料の評価装置。
（５）高周波電気特性評価装置に付属する高周波プローブを、誘電体材料の伝送線路の中ほどに接触させ、前記高周波プローブの位置を移動させて少なくとも２箇所の位置で、高周波電気特性評価装置により複素電力比の周波数特性を取得する工程と、前記２箇所で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する第１の演算処理工程と、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法を用いて、誘電正接を導出する第２の演算処理工程とを、少なくとも備えることを特徴とする、誘電体材料の評価方法。
（６）前記第１の演算処理工程において、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する際、前記２つのパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換して、２つのパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分Ｓ_ｒｅｓを抽出することを特徴とする、前記（５）記載の誘電体材料の評価方法。
（７）誘電体材料の比誘電率及び誘電正接のうちの少なくともいずれかを評価することを特徴とする、前記（５）記載の、誘電体材料の評価方法。
（８）評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、誘電体材料上の導体パターンに接触する一対のプローブと、前記一対のプローブのうちの一方のプローブに対する、他方のプローブの誘電体材料に対する位置を移動させて、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置と、前記２箇所の位置で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出し、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法により誘電正接を導出する演算をする、演算処理部と、を備えることを特徴とする、誘電体材料の評価システム。
（９）前記演算処理部において、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する際、前記２つのパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換して、２つのパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分Ｓ_ｒｅｓを抽出することを特徴とする、前記（８）記載の誘電体材料の評価システム。
（１０）誘電体材料の比誘電率及び誘電正接のうちの少なくともいずれかを評価することを特徴とする、前記（８）記載の、誘電体材料の評価システム。

本発明の誘電体材料の評価装置、評価方法及び評価システムは、マイクロ波帯においても、誘電特性、特に誘電正接を高精度で評価できる効果を有する。
本発明では、電磁界シミュレーションを用いる必要がなくなり、より高精度な評価が実現できる。また、本発明では、標準サンプルを用いる必要がなくなり、評価工程の簡素化、評価速度の向上、装置の小型化が実現できる。

本発明に係る評価装置の主要部を説明する図である。本発明に係る評価装置を説明する図である。

以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。

本発明の実施形態の誘電体材料の評価方法は、高周波電気特性評価装置に付属する高周波プローブを、伝送線路の中ほどに接触させ、前記高周波プローブの位置を所定の距離シフトさせるたびに、高周波電気特性評価装置により複素電力比の周波数特性を取得する工程と、前記２箇所で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する第１の演算処理工程と、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法を用いて、誘電正接を導出する第２の演算処理工程とを、少なくとも備える。

本発明の実施形態の誘電体材料の評価装置は、評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置と、前記２箇所の位置で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出し、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法により誘電正接を導出する演算をする、演算処理部と、を備える。また、評価対象である誘電体材料の所定の方向（Ｘ軸方向と呼ぶ。）に離隔した位置において、誘電体材料上の導体パターンに接触する一対のプローブと、一対のプローブのうち、一方のプローブに対する他方のプローブの誘電体材料に対するＸ軸方向の位置を所定の距離ずつシフトさせるたびに、複素電力比の周波数特性を計測測定する高周波電気特性装置とを備えることができる。

本発明は、伝送線路上の複数の位置にプローブを移動させ、それぞれの位置において測定したＳパラメータのデータセットから式（１）（２）を用いて差分であるＳ_ｒｅｓを抽出して非理想的な成分を除去することに着目したものである。

Ｓパラメータとは、測定対象に対してｉポートから複素平面で表現される電力を入力した時、ｊポートへの出力された複素平面で表現される複素電力の比である。この時のＳパラメータはＳ_ｉｊとして表現される。ｉ＝ｊの場合は測定対象の反射特性、ｉ≠ｊの時は透過特性を評価することになる。式（２）は、測定されたＳパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換する式である。式（１）は、二つの測定されたＳパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分（Ｓ_ｒｅｓ）を抽出する式である。

誘電体材料の評価において、測定における寄生インピーダンスの影響を除去することが必要である。寄生インピーダンスの影響を除去するためには、予め寄生インピーダンスの大きさを評価しておく必要がある。従来技術の非特許文献１では、シミュレーションを用いて予め寄生インピーダンスの評価を行なっていた。一方、非特許文献２では標準サンプルを測定することによって、寄生インピーダンスの評価をおこなっていた。しかしこれらの手法はミリ波帯では利用が困難となる。本発明においては、式（１）において２つの位置での測定の差分を取得することによって、寄生インピーダンスの影響を除去することができる。２つの位置での測定の差分を用いる手法は、特許文献１でも提案されている。しかしながら、特許文献１の場合は、得られた２つの複素電力比から、共振周波数を取得して、その共振周波数を解析する。そのため、比誘電率の評価は可能であったが、２つの位置での測定の差分を用いた誘電正接の評価は実施していない。本発明では、式（１）を用いて誘電正接の評価が可能であることを見出した。

図１と図２は、本発明の実施形態に係る評価方法の前提となる、誘電体材料の誘電特性の計測方法を説明する図である。図１は、図２の評価装置の主要部のみを図示する。誘電特性の計測対象物である誘電体材料３（図２に示す。図１では略す。）の上に設けられた導体パターン１の表面には、その一方の端部（図１における左端）から他方に端部（図１における右端）に向けて移動する可動高周波プローブ２ａと、他方の端部に固定された固定高周波プローブ２ｂが電気的に接触している。図１において、長さＬの導体パターン１のＸ軸方向の左端を、原点とし、長手方向をＸ軸としたとき、Ｘ＝Ｘ_ｍのとき、可動高周波プローブ２ａの基板左端までの距離（ライン長）はＸ_ｍ、可動高周波プローブ２ａと固定高周波プローブ２ｂまでの距離は、Ｌ−Ｘ_ｍとなる。また、Ｘ＝Ｘ_ｍ’のとき、可動高周波プローブ２ａの基板左端までの距離（ライン長）はＸ_ｍ’、可動高周波プローブ２ａと固定高周波プローブ２ｂまでの距離は、Ｌ−Ｘ_ｍ’となる。

図２の評価装置を詳細に説明する。図２の評価装置は、プローブステーションのサンプルステージ６と、可動高周波プローブ２ａと固定高周波プローブ２ｂと、同軸ケーブル４ａ、４ｂと、ベクトルネットワークアナライザ５と、演算処理部７とを備える。ベクトルネットワークアナライザ５は、高周波電気特性評価装置の一例である。高周波電気特性評価装置は、ベクトルネットワークアナライザに制限されない。例えば、周波数掃引をしながら複素電力を出力できる装置と、複素電力を入力して測定可能なパワーメータと、方向性結合器等で構成してもよい。

図２では、プローブステーションのサンプルステージ６上に、計測対象物である誘電体材料３が位置決めして載置されている。可動高周波プローブ２ａと固定高周波プローブ２ｂは、プローブステーションに設けられるプローブステージ（図示せず）に支持されている。可動高周波プローブ２ａは、より具体的には、可動高周波プローブ本体部材２０ａと、その中央に配置されたシグナル端子２２ａと、該シグナル端子の左右両側に配置された２個のグランド端子２１ａとから構成される。同様に、固定高周波プローブ２ｂは、より具体的には、固定高周波プローブ本体部材２０ｂと、その中央に配置されたシグナル端子２２ｂと、該シグナル端子の左右両側に配置された２個のグランド端子２１ｂとから構成される。図２では、可動高周波プローブ２ａ、固定高周波プローブ２ｂからなる一対の高周波プローブの各端子が、誘電体材料３上の導体パターン１の左右両端にそれぞれ接触するよう配備されている。本実施形態では、導体パターン１は、中央部に位置するシグナルラインと、その両サイドに位置するグランドラインとに、電気的に３分割されている。グランドラインには、可動高周波プローブ２ａの左右両側に配置された２個のグランド端子２１ａが接触する。シグナルラインには、中央のシグナル端子２２ａが接触する。各端子から延びる信号線は、それぞれ同軸ケーブル４ａと４ｂとを形成し、ベクトルネットワークアナライザ５の両接続端子にそれぞれ接続されている。

可動高周波プローブ２ａは、導体パターン１に対するＸ軸方向又はＹ軸方向の位置決めを行うプローブステージ（図示せず）に支持されている。一対のプローブのそれぞれについて誘電体材料に対するＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向等の位置決めを独立して行う移動機構を備えることが好ましい。可動高周波プローブ２ａのＸ軸方向又はＹ軸方向の位置については、工作機械などで使用されている位置決め機構と同様である。順路と復路で誤差が相殺されるため、Ｘ軸とＹ軸の位置決めに極端に高い精度は必要としない。可動高周波プローブ２ａ又は固定高周波プローブ２ｂのＺ軸方向の位置については、例えば、プローブステージをＺ軸に沿って少しずつ下降させて導体パターン１に接近させ、プローブからの入出力信号から算出される反射係数によりＺ軸方向の最適位置を求めることができる（特許文献２参照）

ベクトルネットワークアナライザ５は、その片側ポートからの入射波に対するそれぞれのポートへの出射波の複素電力比（透過特性を示すＳ_２１あるいは反射特性を示すＳ_１１）、すなわち、伝送波電力／入射波電力（順方向の伝送係数）の、周波数特性を測定する装置である。入力する信号は何らかのパルスであればよく、特に制限はない。

本発明の実施形態の誘電体材料の評価方法は、具体的には、次の工程を含む。

［工程１］高周波電気特性評価装置に付属する高周波プローブを、伝送線路の中ほどに接触させ、前記高周波プローブの位置を所定の距離シフトさせるたびに、高周波電気特性評価装置により複素電力比の周波数特性を取得する工程。

本実施形態では、まず可動高周波プローブ２ａを、第１の位置Ｘ_ｍにおいて複素電力比の周波数特性の測定を行なう。この時に得られた複素電力比をＳ_１とする。その後、可動高周波プローブ２ａの位置を、第２の位置Ｘ_ｍ’の位置に変更して、複素電力比の周波数特性の測定を行なう。この時に得られた複素電力比をＳ_２とする。Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_ｒｅｓは、周波数によるので、Ｓ_１（ｆ）、Ｓ_２（ｆ）、Ｓ_ｒｅｓ（ｆ）とも記載する。

［工程２］その後、二つの測定されたＳパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分（Ｓ_ｒｅｓ）を抽出する工程。具体的には、式（１）及び（２）を用いて、Ｓ_ｒｅｓの算出を行なう。

本工程２は、非理想的な成分を除去する工程であり、測定における寄生インピーダンスの影響を除去するために必要な工程である。

［工程３］得られた共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法を用いて、誘電正接ｔａｎδの導出を行う工程。

伝送線路理論では、伝送線路の形状因子（線路幅、厚み、表面粗さ等）から高周波線路の抵抗（Ｒ）、キャパシタンス（Ｃ）、インダクタンス（Ｌ）、コンダクタンス（Ｇ）成分を求めることができる。このうち、Ｇについては、ｔａｎδが変数の一つとなっている。本実施形態では、サブミリ波帯に至る周波数帯域（〜１ＴＨｚ）で利用できる伝送線路理論を用いて、Ｒ、Ｃ、Ｌを決定する。

共振成分Ｓ_ｒｅｓ（ｆ）から３ｄＢ法（非特許文献１参照）などを用いて、共振周波数ｆｒにおけるクォリティファクタＱ（ｆｒ）値を求める。その後、測定結果であるＱ（ｆｒ）値と式（３）〜（６）で計算される共振のクォリティファクタＱ_ｌｉｎｅ（ｆｒ）値が等しくなるようなｔａｎδを求める。式中のＦ_ｌｏｗは、回路の幾何形状（線路の長さ、幅、厚み等）によって決まる係数である（非特許文献２参照）。式中のε_０は真空の誘電率、ε_ｒは材料の比誘電率、ωは角周波数である。

（第１の実施形態）
本実施形態においては、図１と図２の装置を用いて、工程１、２、３により、誘電正接を求める。

次に、本発明の実施形態における実施の結果を説明する。まず、公称比誘電率が９．８のアルミナ基板を準備した。前記アルミナ基板の上に金蒸着によって５ｍｍ長のコプレーナ伝送線路を形成した。その後、プローブ（可動高周波プローブ２ａ、固定高周波プローブ２ｂ）を伝送線路の両端に配した。その後、可動高周波プローブ２ａをＸ_ｍ＝０．０ｍｍ、０．８ｍｍ、０．９ｍｍの位置に移動させて、各Ｘ_ｍ、Ｘ_ｍ’位置で各複素電力比（Ｓ_１、Ｓ_{２、０．８ｍｍ}、Ｓ_{２、０．９ｍｍ}）を取得した（工程１）。その後、式（１）及び式（２）を用いてＳ_{ｒｅｓ、０．８ｍｍ}、Ｓ_{ｒｅｓ、０．９ｍｍ}を算出した（工程２）。得られたＳ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法を用いることで、比誘電率と誘電正接の導出をおこなった（工程３）。

本発明実施形態を用いて導出した測定結果を次に示す。４０ＧＨｚにおける比誘電率ε_ｒの測定結果は、９．６８となった。また、誘電正接ｔａｎδの評価結果は、３×１０^−５となった。これらの測定結果は、アルミナ（公称比誘電率が９．８）として妥当性のある値である。

上記実施の形態等で示した例は、発明を理解しやすくするために記載したものであり、この形態に限定されるものではない。

本発明の誘電体材料の評価方法、評価装置及び評価システムは、電磁界シミュレーション又は標準サンプルを用いずに誘電特性を計測可能であり、誘電体材料の誘電特性を高精度で評価する装置や方法等として、産業上有用である。

１導体パターン
２ａ可動高周波プローブ
２ｂ固定高周波プローブ
３誘電体材料
４ａ、４ｂ同軸ケーブル
５ベクトルネットワークアナライザ
６プローブステーションのサンプルステージ
７演算処理部
２０ａ可動高周波プローブ本体部材
２０ｂ固定高周波プローブ本体部材
２１ａ、２１ｂグランド端子
２２ａ、２２ｂシグナル端子

Claims

評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置と、
前記２箇所の位置で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出し、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法により誘電正接を導出する演算をする、演算処理部と、
を備えることを特徴とする、誘電体材料の評価装置。
前記請求項１記載の誘電体材料の評価装置は、
評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、誘電体材料上の導体パターンに接触する一対のプローブを備え、
前記一対のプローブのうちの一方のプローブに対する、他方のプローブの誘電体材料に対する位置を移動させて、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置を備えることを特徴とする、誘電体材料の評価装置。
前記演算処理部において、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する際、前記２つのパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換して、２つのパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分Ｓ_ｒｅｓを抽出することを特徴とする、請求項１記載の誘電体材料の評価装置。
誘電体材料の比誘電率及び誘電正接のうちの少なくともいずれかを評価することを特徴とする、請求項１記載の、誘電体材料の評価装置。
高周波電気特性評価装置に付属する高周波プローブを、誘電体材料の伝送線路の中ほどに接触させ、前記高周波プローブの位置を移動させて少なくとも２箇所の位置で、高周波電気特性評価装置により複素電力比の周波数特性を取得する工程と、
前記２箇所で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する第１の演算処理工程と、
前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法を用いて、誘電正接を導出する第２の演算処理工程とを、
少なくとも備えることを特徴とする、誘電体材料の評価方法。
前記第１の演算処理工程において、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する際、前記２つのパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換して、２つのパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分Ｓ_ｒｅｓを抽出することを特徴とする、請求項５記載の誘電体材料の評価方法。
誘電体材料の比誘電率及び誘電正接のうちの少なくともいずれかを評価することを特徴とする、請求項５記載の、誘電体材料の評価方法。
評価対象である誘電体材料の所定の方向に離隔した位置において、誘電体材料上の導体パターンに接触する一対のプローブと、
前記一対のプローブのうちの一方のプローブに対する、他方のプローブの誘電体材料に対する位置を移動させて、少なくとも２箇所の位置で、複素電力比の周波数特性を計測する高周波電気特性装置と、
前記２箇所の位置で測定された前記複素電力比をそれぞれパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）として、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出し、前記共振成分Ｓ_ｒｅｓから、サブミリ波伝送線路理論を用いた手法により誘電正接を導出する演算をする、演算処理部と、
を備えることを特徴とする、誘電体材料の評価システム。
前記演算処理部において、２つの前記パラメータから共振成分Ｓ_ｒｅｓを算出する際、前記２つのパラメータを縦続接続回路で計算可能にするＴパラメータに変換して、２つのパラメータ（Ｓ_１、Ｓ_２）から共振成分Ｓ_ｒｅｓを抽出することを特徴とする、請求項８記載の誘電体材料の評価システム。
誘電体材料の比誘電率及び誘電正接のうちの少なくともいずれかを評価することを特徴とする、請求項８記載の、誘電体材料の評価システム。