JP2019158652A - 誘電体材料評価装置 - Google Patents
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010615 ring circuit Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Description
特許文献1には、第1、第2の誘電体基板にリング状の共振器を一体的に形成し、両者の共振周波数、無負荷Q値を計測することにより、誘導体基板の電磁気的物性値を求めることが記載されている。
特許文献2には、誘導体支持基板上にリング状の間隙により内側導体と外側導体に分割された導体膜と、この導体膜の上面、下面に積層された誘導体薄膜を設け、内側導体、外側導体の一方から他方に向けて電界を発生する共振モードを得ることにより比誘電率や誘導正接の計測を高精度化することが記載されている。
しかしながら、計測対象物の誘電率が高い場合、特に比誘電率が20以上の場合には、リング共振器aのリング回路における実効比誘電率が大きく変化するため、特性インピーダンスのずれによって、式(1)に従って回路での反射の影響が大きくなり、精度の高い計測ができず、比誘電率の評価値に50%程度の誤差が発生する場合もあった。
なお、Γは反射係数、Z0は線路の特性インピーダンス(通常50Ω)、Zは誘電体設置部の特性インピーダンスである。
図1において、長さLのパターン1の左端を原点とし、長手方向をX軸としたとき、X=Xmのとき、可動高周波プローブ2aの基板左端までの距離(ライン長)はXm、可動高周波プローブ2aと固定高周波プローブ2bまでの距離は、L−Xmとなる。
図2は、計測対象物である基板がCPW⇔MSTL変換素子の場合(a)、ベンド式の場合(b)、デバイス接続の場合(c)を例に、周波数測定装置が計測し得る最大測定周波数fmax(GHz)に対する最低ライン長の関係を示すものである。なお、図2下方のグラフにおいて、上から順に比誘電率が1,4,9.8,40の基板の場合を示している。
本実施例では、可動高周波プローブ2aは、本体20aと、その左右両側に配置された2個のグランド端子21a、中央に配置されたシグナル端子22aを備えている。同様に、固定高周波プローブ2bは、本体20bと、その左右両側に配置された2個のグランド端子21b、中央に配置されたシグナル端子22bを備えている。可動高周波プローブ2a、固定高周波プローブ2bからなる一対の高周波プローブの各端子が、プローブステーションのサンプルステージ6上に載置された評価対象である誘電体材料3上のパターン1の左右両サイドにそれぞれ接触するよう配備されている。なお、本実施例では、パターン1は、電気的に3分割されており、可動高周波プローブ2aの左右両側に配置された2個のグランド端子21aが接触する両サイド部分がそれぞれグランドラインを、中央のシグナル端子22aが接触する中央部がシグナルラインを構成している。
こうしたプローブに関しては、50、75、100、150、250ミクロンなど、様々なピッチのものが市販されており、パターン1の線路幅等に合わせて、最適なピッチのプローブを選択する。
図3において、可動高周波プローブ2a用のプローブステージのX軸移動機構を用いて、評価対象である誘電体材料に対し、ΔXずつ、0,X1,・・・・Xm-1,Xmと順次移動させる。
ベクトルネットワークアナライザ5は、その片側ポートからの入射波に対するそれぞれのポートへの出射波の複素電力比(透過特性を示すS21あるいは反射特性を示すS11)、すなわち、伝送波電力/入射波電力(順方向の伝送係数)の周波数特性を測定する。入力する信号は何らかのパルスであればよく、特に制限はない。
すなわち、可動高周波プローブ2aのシグナル端子22aから固定高周波プローブ2bのシグナル端子22bに直接伝搬するパルスと、可動高周波プローブ2aのシグナル端子22aから基板1の左側端面に向かい反射して固定高周波プローブ2bのシグナル端子22bに向かう反射パルスが発生する。ここで、可動高周波プローブ2aのX軸方向の座標がXmのとき、両者間の経路差は、
(L―Xm)−((L−Xm)+2Xm)=−2Xmとなる。
この差が伝搬するパルスの波長(2n−1)λ/2となるとき、一次共振が発生するので、S21の振幅が極小値となる時の周波数(すなわち、共振周波数:fr)を評価する。
frは比誘電率によって変化する。また、−2Xmがλ/2に等しくなる一次共振(n=1)だけではなく、(2n−1)λ/2(n>1)となる場合にも共振が発生するため、これらも解析に利用できる。
実験では、通常の伝送線路(インピーダンス基準基板101−190(カスケードマイクロテック製)上の5.25mmのLine基準器)を用いて検証を行なった。図3において、片側のプローブ位置をX軸方向に500μmずつ右側にシフトし、各位置(Xm)でS21を取得する。そのS21で特定された共振点におけるn次の共振周波数をfr(Xm,n)とする。なお、Xmは、プローブの座標から取得する。
以上により求めたパラメータに基づいて、下記の(4)、(5)に基づいて、実効比誘電率εeff(Xm,n)を求める。
基板の比誘電率εr(Xm,n)は、式(4)、(5)で求めたεeff(Xm,n)を用いて、
εr(Xm、n)=(εeff(Xm,n)+1)/2
により求めることができる。
なお、比誘電率εrの評価精度を向上するため、ΔX、すなわち1回のシフト量(実験では500μmずつ)をより小さくしてデータサンプリング数を増やすのが有効である。
また、計測ラインの端部のデータがノイズの原因となる場合は、評価対象である誘電体材料の端面(図では左側端面)から少なくとも100μm程度離れた位置からのデータを採用する。
2a・・・可動高周波プローブ
2b・・・・・固定高周波プローブ
3・・・誘電体材料(評価対象)
4a、4b・・同軸ケーブル
5・・・ベクトルネットワークアナライザ
6・・・・・・プローブステーションのサンプルステージ
Claims (4)
- 評価対象である誘電体材料を載置するサンプルステージと、
高周波電気特性評価装置に付属するプローブであって、前記誘電体材料のX軸方向に離隔した位置において前記誘電体材料に接触する一対のプローブと、
前記一対のプローブのそれぞれについて前記誘電体材料に対するX軸方向、Y軸方向、Z軸方向の位置決めを独立して行う移動機構と、
前記一対のプローブのうち、一方のプローブに対する他方のプローブの前記誘電体材料に対するX軸方向の位置を所定の距離ずつシフトさせるたびに、前記高周波電気特性評価装置が複素電力比の周波数特性を計測し、その振幅が極値となる共振周波数に基づいて、前記誘電体材料の比誘電率εeffを求めることを特徴とする誘電体材料の評価装置。 - 前記高周波電気特性評価装置はベクトルネットワークアナライザーであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018046843A JP7065502B2 (ja) | 2018-03-14 | 2018-03-14 | 誘電体材料評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018046843A JP7065502B2 (ja) | 2018-03-14 | 2018-03-14 | 誘電体材料評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019158652A true JP2019158652A (ja) | 2019-09-19 |
JP7065502B2 JP7065502B2 (ja) | 2022-05-12 |
Family
ID=67996249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018046843A Active JP7065502B2 (ja) | 2018-03-14 | 2018-03-14 | 誘電体材料評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7065502B2 (ja) |
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JP7370060B2 (ja) | 2020-03-25 | 2023-10-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 誘電体材料の評価方法、評価装置及び評価システム |
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