JP2021150496A - Substrate processing system and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing system capable of suppressing step variations caused by variation in the number of substrates processed by a simultaneous treatment part.SOLUTION: A first horizontally transporting treatment part PF1 performs a treatment one by one to a plurality of product substrates WP. A simultaneous treatment part PC1 performs a treatment N by N (N≥2) to a plurality of substrates W containing the product substrates WP. A first substrate transportation part TR1 can collectively transport the N substrates of the plurality of substrates W at maximum to the simultaneous treatment part PC1 while horizontally holding them arranged in parallel. The first substrate transportation part TR1 is configured to be operable in a simple mode in which the N product substrates WP from the first horizontally transporting treatment part PF1 are collectively transported to the simultaneous treatment part PC1 and a mixed loading mode in which P (1≤P<N) product substrates WP from the first horizontally transporting treatment part PF1 and D (1≤D≤N-P) dummy substrates WD from a substrate standby part SD are collectively transported to the simultaneous treatment part PC1.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、基板処理システムおよび基板処理方法に関し、特に、平流し処理部および同時処理部を有する基板処理システムと、平流し処理部および同時処理部を用いた基板処理方法とに関する。 The present invention relates to a substrate processing system and a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing system having a flat flow processing unit and a simultaneous processing unit, and a substrate processing method using a flat flow processing unit and a simultaneous processing unit.

基板処理システムは、複数の処理部(処理ユニット)を有しており、これらによって基板に対して一連の処理が行われる。基板処理システムとしては、例えば、コータデベロッパシステムが知られている。コータデベロッパシステムは、洗浄処理、脱水処理、塗布処理、プリベーク処理、現像処理、露光処理、現像処理、およびポストベーク処理といった一連の処理を行う必要がある。この場合、基板処理システムは、複数の処理部と、これら処理部間で基板を搬送するための搬送部とを有する。 The substrate processing system has a plurality of processing units (processing units), and a series of processing is performed on the substrate by these. As a substrate processing system, for example, a coater developer system is known. The coater developer system needs to perform a series of processes such as a cleaning process, a dehydration process, a coating process, a pre-baking process, a developing process, an exposure process, a developing process, and a post-baking process. In this case, the substrate processing system has a plurality of processing units and a transport unit for transporting the substrate between these processing units.

量産向けの基板処理システムは、多数の基板を効率よく処理する必要がある。その目的で、基板処理システムに含まれる処理部の各々は、平流し処理部または同時処理部であることが望ましい。平流し処理部は、基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ当該基板に対して一枚ずつ処理を行う。同時処理部は、N(2以上の整数)枚の基板に対して同時に処理を行う。各処理部に求められる要件から、基板処理システムには平流し処理部および同時処理部が混在していることがある。 A substrate processing system for mass production needs to efficiently process a large number of substrates. For that purpose, it is desirable that each of the processing units included in the substrate processing system is a flat flow processing unit or a simultaneous processing unit. The flat flow processing unit processes the substrates one by one while sequentially conveying the substrates along the conveying direction. The simultaneous processing unit simultaneously processes N (integer of 2 or more) sheets. Due to the requirements of each processing unit, the substrate processing system may include a flat flow processing unit and a simultaneous processing unit.

例えば特開2018−160586号公報(特許文献1)によれば、上記のように平流し処理部および同時処理部が混在している基板処理システムが開示されている。この基板処理システムにおいて、基板搬送部は、平流し処理部によって処理された複数の基板のうちN枚の基板を水平な一方向に並べて保持しつつ、N枚の基板を一括して同時処理部へ搬送する。 For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-160586 (Patent Document 1) discloses a substrate processing system in which a flat flow processing unit and a simultaneous processing unit are mixed as described above. In this substrate processing system, the substrate transport unit holds N of the plurality of substrates processed by the flat flow processing unit side by side in one horizontal direction, and simultaneously processes the N substrates at once. Transport to.

特開2018−160586号公報JP-A-2018-160586

説明の便宜上、本明細書において、最終的に製品へと加工されることが意図されている基板のことを製品基板と称する。複数の製品基板は、基板処理システムを用いた量産工程において典型的には、各々N枚の枚数を有する複数の組に組分けされて管理される。基板搬送部は、通常、平流し処理部によって処理された1組の製品基板、すなわちN枚の製品基板、を一括して同時処理部へ搬送する。しかしながら、平流し処理部がこのN枚の製品基板のすべてを準備することができない場合がある。例えば、平流し処理部またはそれよりも上流の処理部において、この1組を構成するN枚の製品基板の一部に対する処理に異常があったために、一部の基板が工程から除去されてしまっていることがある。この場合、この組の製品基板の枚数はN枚よりも少なくなる。当該組の枚数を、別の組から製品基板を補填することによってN枚に維持することも可能ではあるが、そのような措置は、工程管理上、適さない場合が多い。上記公報の技術は、このような事情までは考慮していない。 For convenience of explanation, in the present specification, a substrate intended to be finally processed into a product is referred to as a product substrate. A plurality of product substrates are typically managed by being grouped into a plurality of sets each having an number of N sheets in a mass production process using a substrate processing system. The substrate transfer unit usually transfers a set of product substrates processed by the flat flow processing unit, that is, N product substrates, to the simultaneous processing unit at once. However, the flat flow processing unit may not be able to prepare all of the N product substrates. For example, in the flat flow processing unit or the processing unit upstream from the flat flow processing unit, some of the substrates were removed from the process because there was an abnormality in the processing of a part of the N product substrates constituting this set. There are times when. In this case, the number of product substrates in this set is less than N. It is possible to maintain the number of sheets in the set to N by supplementing the product substrate from another set, but such measures are often unsuitable for process control. The technology of the above gazette does not take such circumstances into consideration.

仮に、当初の組分けを維持しつつ処理を進行させようとすると、基板搬送部は同時処理部へP枚(1≦P<N)の製品基板しか供給することができない。同時処理部においては、本来、N枚の基板が同時に処理されることが想定されていることから、P枚の基板しか処理されない場合、基板の枚数の相違に起因しての工程ばらつきが発生し得る。例えば、同時処理部が、昇温処理を行うホットプレート、または降温処理を行うクールプレートである場合、基板の枚数の相違に起因しての熱容量の相違は、温度変化のばらつきをまねく。また例えば、同時処理部が減圧乾燥ユニットである場合、本来あるべき基板がないことによる気流の変化が、圧力変化のばらつきをまねく。 If the process is to proceed while maintaining the initial grouping, the substrate transport unit can supply only P (1 ≦ P <N) product substrates to the simultaneous processing unit. Since it is originally assumed that N substrates are processed at the same time in the simultaneous processing unit, when only P substrates are processed, process variation occurs due to the difference in the number of substrates. obtain. For example, when the simultaneous processing unit is a hot plate that performs a temperature raising treatment or a cool plate that performs a temperature lowering treatment, the difference in heat capacity due to the difference in the number of substrates causes variation in temperature change. Further, for example, when the simultaneous processing unit is a vacuum drying unit, the change in the air flow due to the absence of the substrate that should be originally causes the variation in the pressure change.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数が変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる基板処理システムおよび基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and is a substrate processing system and a substrate processing method capable of suppressing process variation due to fluctuations in the number of substrates processed simultaneously by the simultaneous processing unit. The purpose is to provide.

本明細書に開示される第1の態様は、複数の製品基板を含む複数の基板を処理するための基板処理システムであって、前記複数の製品基板を搬送方向に沿って順次に搬送しつつ、前記複数の製品基板に対して一枚ずつ処理を行う第1平流し処理部と、前記複数の基板に対して、N枚(N≧2)ずつ同時に処理を行う同時処理部と、前記同時処理部において前記複数の基板の一部として処理されることになる少なくとも1枚のダミー基板を待機させる基板待機部と、前記複数の基板のうち最大N枚の基板を、水平に並べて保持しつつ前記同時処理部へ一括して搬送することができる第1基板搬送部と、を備え、前記第1基板搬送部は、前記第1平流し処理部からのN枚の前記製品基板を前記同時処理部へ一括して搬入する単純モードと、前記第1平流し処理部からのP枚(1≦P<N)の前記製品基板と前記基板待機部からのD枚(1≦D≦N−P)の前記ダミー基板とを前記同時処理部へ一括して搬入する混載モードと、で動作可能に構成されている。 The first aspect disclosed in the present specification is a substrate processing system for processing a plurality of substrates including a plurality of product substrates, while sequentially transporting the plurality of product substrates along a transport direction. The first flat flow processing unit that processes the plurality of product substrates one by one, the simultaneous processing unit that simultaneously processes N sheets (N ≧ 2) of the plurality of substrates, and the simultaneous processing unit. While holding the substrate standby unit for waiting at least one dummy substrate to be processed as a part of the plurality of substrates in the processing unit and the maximum N substrates among the plurality of substrates horizontally arranged side by side. The first substrate transporting section includes a first substrate transporting section capable of collectively transporting to the simultaneous processing section, and the first substrate transporting section processes N product substrates from the first horizontal flow processing section at the same time. A simple mode in which the components are collectively carried into the unit, and D sheets (1 ≦ D ≦ N−P) from the product board and the board standby part of P sheets (1 ≦ P <N) from the first flat flow processing unit. ) Is configured to be operable in a mixed loading mode in which the dummy substrate is collectively carried into the simultaneous processing unit.

本明細書に開示される第2の態様は、第1の態様の基板処理システムであって、各々最大N枚の枚数を有する複数の組へ前記複数の製品基板を分けて管理する制御部をさらに備え、前記第1基板搬送部は前記第1平流し処理部から前記同時処理部へ前記複数の組を一組ずつ搬送し、前記制御部は、前記複数の製品基板の前記一組がN枚の枚数を有する場合には前記第1基板搬送部を前記単純モードで動作させ、前記複数の製品基板の前記一組が1枚以上N枚未満の枚数を有する場合には前記第1基板搬送部を前記混載モードで動作させる。 A second aspect disclosed in the present specification is the substrate processing system of the first aspect, in which a control unit that divides and manages the plurality of product substrates into a plurality of sets each having a maximum number of N sheets is provided. Further provided, the first substrate transport unit transports the plurality of sets from the first flat flow processing unit to the simultaneous processing unit one by one, and the control unit is such that the one set of the plurality of product substrates is N. When the number of sheets is large, the first substrate transfer unit is operated in the simple mode, and when the set of the plurality of product substrates has one or more and less than N sheets, the first substrate transfer is performed. The unit is operated in the mixed loading mode.

本明細書に開示される第3の態様は、第1または第2の態様の基板処理システムであって、D=N−Pが満たされている。 A third aspect disclosed herein is the substrate processing system of the first or second aspect, wherein D = NP is satisfied.

本明細書に開示される第4の態様は、第1から第3のいずれかの態様の基板処理システムであって、前記第1基板搬送部は、前記同時処理部によって処理された前記基板を搬出し、かつ、前記同時処理部から搬出された前記基板のうちの前記ダミー基板を前記基板待機部へ搬送する。 A fourth aspect disclosed in the present specification is a substrate processing system according to any one of the first to third aspects, wherein the first substrate transport unit is a substrate processed by the simultaneous processing unit. The dummy substrate among the substrates carried out and carried out from the simultaneous processing unit is conveyed to the substrate standby unit.

本明細書に開示される第5の態様は、第1から第3のいずれかの態様の基板処理システムであって、前記同時処理部によって処理された前記基板を搬出する第2基板搬送部と、前記同時処理部によって処理された前記基板のうち前記ダミー基板を前記第2基板搬送部から受け取る基板受渡部と、をさらに備える。 A fifth aspect disclosed in the present specification is a substrate processing system according to any one of the first to third aspects, which includes a second substrate transport unit that carries out the substrate processed by the simultaneous processing unit. Further, among the substrates processed by the simultaneous processing unit, a substrate delivery unit that receives the dummy substrate from the second substrate transport unit is further provided.

本明細書に開示される第6の態様は、第5の態様の基板処理システムであって、前記第1基板搬送部は前記基板受渡部から前記基板待機部へ前記ダミー基板を搬送する。 A sixth aspect disclosed in the present specification is the substrate processing system of the fifth aspect, in which the first substrate transporting portion transports the dummy substrate from the substrate delivery portion to the substrate standby portion.

本明細書に開示される第7の態様は、第1から第6のいずれかの態様の基板処理システムであって、前記基板待機部は、前記ダミー基板を整列させる整列部を有している。 A seventh aspect disclosed in the present specification is a substrate processing system according to any one of the first to sixth aspects, wherein the substrate standby portion has an aligning portion for aligning the dummy substrates. ..

本明細書に開示される第8の態様は、第1から第7のいずれかの態様の基板処理システムであって、前記第1平流し処理部は、前記第1基板搬送部へ払い出す前記製品基板の枚数を制御可能に構成されている。 An eighth aspect disclosed in the present specification is a substrate processing system according to any one of the first to seventh aspects, wherein the first flat flow processing unit pays out to the first substrate transport unit. The number of product boards can be controlled.

本明細書に開示される第9の態様は、第1から第8のいずれかの態様の基板処理システムであって、前記同時処理部によって処理された前記製品基板をさらに処理するための第2平流し処理部をさらに備え、前記第2平流し処理部は、前記第2平流し処理部へ搬入されてきた前記複数の基板のうち、前記製品基板は受け入れて前記ダミー基板は追い出すように構成されている。 A ninth aspect disclosed in the present specification is the substrate processing system of any one of the first to eighth aspects, the second aspect for further processing the product substrate processed by the simultaneous processing unit. The flat flow processing unit is further provided, and the second flat flow processing unit is configured to accept the product substrate and expel the dummy substrate among the plurality of substrates carried into the second flat flow processing unit. Has been done.

本明細書に開示される第10の態様は、第1から第9のいずれかの態様の基板処理システムであって、前記少なくとも1つのダミー基板は、第1ダミー基板および第2ダミー基板を含む複数のダミー基板であり、前記基板待機部は、前記第1ダミー基板を待機させる第1待機場所と、前記第2ダミー基板を待機させる第2待機場所とを含み、前記第2待機場所は前記第1待機場所の上方に位置している。 A tenth aspect disclosed herein is a substrate processing system according to any one of the first to ninth aspects, wherein the at least one dummy substrate includes a first dummy substrate and a second dummy substrate. There are a plurality of dummy boards, and the board standby unit includes a first standby place for waiting for the first dummy board and a second standby place for waiting for the second dummy board, and the second standby place is the said. It is located above the first waiting area.

本明細書に開示される第11の態様は、複数の製品基板を処理するための基板処理方法であって、(a)平流し処理部によって、前記複数の製品基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ、前記複数の製品基板に対して一枚ずつ処理を行う工程と、(b1)前記工程(a)によって処理されたN枚の前記製品基板に対して、同時処理部によって同時に処理を行う工程と、(b2)前記工程(a)によって処理されたP枚(1≦P<N)の前記製品基板と、ダミー基板と、に対して、前記同時処理部によって同時に処理を行う工程と、を備え、前記複数の製品基板の各々は、前記工程(b1)および前記工程(b2)のいずれか一方の工程を経て処理される。 The eleventh aspect disclosed in the present specification is a substrate processing method for processing a plurality of product substrates, wherein the plurality of product substrates are sequentially transferred along a transport direction by (a) a flat flow processing unit. The process of processing the plurality of product substrates one by one while being conveyed to the product, and (b1) simultaneously processing the N product substrates processed in the step (a) by the simultaneous processing unit. And (b2) a step of simultaneously processing the P sheets (1 ≦ P <N) of the product substrate and the dummy substrate processed in the step (a) by the simultaneous processing unit. Each of the plurality of product substrates is processed through one of the steps (b1) and the step (b2).

上記第1の態様によれば、第1平流し処理部からのN枚の製品基板を同時処理部へ一括して搬入する単純モードと、第1平流し処理部からのP枚(1≦P<N)の製品基板と基板待機部からのD枚(1≦D≦N−P)のダミー基板とを同時処理部へ一括して搬入する混載モードと、のいずれかを選択することができる。これにより、同時処理部によって同時に処理される製品基板の枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板も同時に処理することによって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数をN枚に近づけることができる。よって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数が変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 According to the first aspect, there is a simple mode in which N product boards from the first flat flow processing unit are collectively carried into the simultaneous processing unit, and P sheets (1 ≦ P) from the first flat flow processing unit. It is possible to select one of the mixed loading mode in which the product board of <N) and the dummy board of D sheets (1 ≦ D ≦ N−P) from the board standby part are collectively carried into the simultaneous processing part. .. As a result, when the number of product substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is less than N, the dummy substrates are also processed at the same time, so that the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is close to N. Can be done. Therefore, it is possible to suppress process variation due to fluctuations in the number of substrates that are simultaneously processed by the simultaneous processing unit.

上記第2の態様によれば、制御部によって、第1基板搬送部が第1平流し処理部から同時処理部へ搬送する複数の製品基板の一組がN枚の枚数を有する場合には第1基板搬送部が単純モードで動作され、当該複数の製品基板の一組が1枚以上N枚未満の枚数を有する場合には第1基板搬送部を混載モードで動作される。これにより、同時処理部によって同時に処理される製品基板の枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板も同時に処理することによって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数をN枚に近づけることができる。よって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数がN枚から変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 According to the second aspect, when the control unit has a set of a plurality of product substrates to be conveyed from the first flat flow processing unit to the simultaneous processing unit by the control unit, the first substrate transfer unit has N sheets. When one substrate transfer unit is operated in the simple mode and a set of the plurality of product substrates has one or more and less than N sheets, the first substrate transfer unit is operated in the mixed mounting mode. As a result, when the number of product substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is less than N, the dummy substrates are also processed at the same time, so that the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is close to N. Can be done. Therefore, it is possible to suppress process variation due to the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit fluctuating from N.

上記第3の態様によれば、第1または第2の態様の基板処理システムであって、D=N−Pが満たされている。これにより、同時処理部によって同時に処理される製品基板の枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板も同時に処理することによって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数をN枚とすることができる。よって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数がN枚から変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 According to the third aspect, the substrate processing system of the first or second aspect is satisfied with D = NP. As a result, when the number of product substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is less than N, the dummy substrates are also processed at the same time, so that the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is N. Can be done. Therefore, it is possible to suppress process variation due to the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit fluctuating from N.

上記第4の態様によれば、第1基板搬送部は、同時処理部によって処理された基板を搬出し、かつ、同時処理部から搬出された基板のうちのダミー基板を基板待機部へ搬送する。これにより、第1基板搬送部が、製品基板を搬送する機能に加えて、ダミー基板を回収する機能を果たすことができる。 According to the fourth aspect, the first substrate transport unit carries out the substrate processed by the simultaneous processing unit, and transports the dummy substrate among the substrates carried out from the simultaneous processing unit to the substrate standby unit. .. As a result, the first substrate transporting unit can fulfill the function of collecting the dummy substrate in addition to the function of transporting the product substrate.

上記第5の態様によれば、基板処理システムは、同時処理部によって処理された基板を搬出する第2基板搬送部と、同時処理部によって処理された基板のうちダミー基板を第2基板搬送部から受け取る基板受渡部と、をさらに備える。これにより、第2基板搬送部が、製品基板を搬送する機能に加えて、基板受渡部へダミー基板を搬送する機能を果たすことができる。 According to the fifth aspect, the substrate processing system has a second substrate transfer unit that carries out the substrate processed by the simultaneous processing unit, and a dummy substrate among the substrates processed by the simultaneous processing unit as the second substrate transfer unit. It further includes a board delivery unit that receives from. As a result, the second substrate transporting unit can fulfill the function of transporting the dummy substrate to the substrate delivery portion in addition to the function of transporting the product substrate.

上記第6の態様によれば、第1基板搬送部は基板受渡部から基板待機部へダミー基板を搬送する。これにより、第2基板搬送部と基板受渡部と第1基板搬送部とが協調してダミー基板を回収することができる。 According to the sixth aspect, the first substrate transporting portion transports the dummy substrate from the substrate delivery portion to the substrate standby portion. As a result, the second substrate transfer unit, the substrate delivery unit, and the first substrate transfer unit can cooperate to collect the dummy substrate.

上記第7の態様によれば、第1から第6のいずれかの態様の基板処理システムであって、基板待機部は、ダミー基板を整列させる整列部を有している。これにより、同時処理部から回収されてきた時点で乱れた姿勢を有するダミー基板を整列させることができる。 According to the seventh aspect, in the substrate processing system of any one of the first to sixth aspects, the substrate standby portion has an aligning portion for aligning dummy substrates. Thereby, the dummy substrates having a disordered posture at the time of being collected from the simultaneous processing unit can be aligned.

上記第8の態様によれば、第1平流し処理部は、第1基板搬送部へ払い出す製品基板の枚数を制御可能に構成されている。これにより、第1平流し処理部から同時処理部へ搬送される製品基板の枚数を調整することができる。 According to the eighth aspect, the first flat flow processing unit is configured to be able to control the number of product substrates to be delivered to the first substrate transport unit. Thereby, the number of product substrates transported from the first flat flow processing unit to the simultaneous processing unit can be adjusted.

上記第9の態様によれば、第2平流し処理部は、第2平流し処理部へ搬入されてきた複数の基板のうち、製品基板は受け入れてダミー基板は追い出すように構成されている。これにより、第2平流し処理部でダミー基板が処理されないようにすることができる。 According to the ninth aspect, the second flat flow processing unit is configured to accept the product substrate and expel the dummy substrate among the plurality of substrates carried into the second flat flow processing unit. As a result, it is possible to prevent the dummy substrate from being processed by the second flat flow processing unit.

上記第10の態様によれば、基板待機部において、第2ダミー基板が待機する第2待機場所は第1ダミー基板が待機する第1待機場所の上方に位置している。これにより、より多くのダミー基板の枚数を確保しつつ、平面レイアウトにおいて基板待機部が要する面積を抑制することができる。 According to the tenth aspect, in the substrate standby unit, the second standby place where the second dummy substrate waits is located above the first standby place where the first dummy substrate waits. As a result, it is possible to suppress the area required for the substrate standby portion in the flat layout while securing a larger number of dummy substrates.

上記第11の態様によれば、N枚の製品基板に対して同時処理部によって同時に処理を行う工程と、P枚(1≦P<N)の製品基板とダミー基板とに対して同時処理部によって同時に処理を行う工程と、のいずれかを選択することができる。これにより、同時処理部によって同時に処理される製品基板の枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板も同時に処理することによって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数をN枚に近づけることができる。よって、同時処理部によって同時に処理される基板の枚数がN枚から変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 According to the eleventh aspect, the step of simultaneously processing N product substrates by the simultaneous processing unit and the simultaneous processing unit for P (1 ≦ P <N) product substrate and dummy substrate. It is possible to select one of the steps of performing the processing at the same time. As a result, when the number of product substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is less than N, the dummy substrates are also processed at the same time, so that the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit is close to N. Can be done. Therefore, it is possible to suppress process variation due to the number of substrates simultaneously processed by the simultaneous processing unit fluctuating from N.

この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。 Objectives, features, aspects, and advantages of the present invention will become more apparent with the following detailed description and accompanying drawings.

実施の形態1における基板処理システムの構成の概要を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the structure of the substrate processing system in Embodiment 1. FIG. 実施の形態1における基板処理システムの構成を示す部分平面図(a)および部分側面図(b)である。It is a partial plan view (a) and a partial side view (b) which show the structure of the substrate processing system in Embodiment 1. FIG. 図2(b)の一部拡大図である。It is a partially enlarged view of FIG. 2 (b). 実施の形態1における基板処理方法を概略的に示すフロー図である。It is a flow figure which shows typically the substrate processing method in Embodiment 1. FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 図4における一工程を概略的に示す部分側面図である。It is a partial side view which shows roughly one process in FIG. 実施の形態2における基板処理システムの構成の概要を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the structure of the substrate processing system in Embodiment 2. 実施の形態2における基板処理方法を概略的に示すフロー図である。It is a flow figure which shows typically the substrate processing method in Embodiment 2. 実施の形態3における基板処理システムの構成の概要を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the structure of the substrate processing system in Embodiment 3. 実施の形態3における基板処理システムの構成を示す部分平面図(a)および部分側面図(b)である。It is a partial plan view (a) and a partial side view (b) which show the structure of the substrate processing system in Embodiment 3. FIG. 実施の形態3における基板処理方法を概略的に示すフロー図である。It is a flow figure which shows typically the substrate processing method in Embodiment 3. 実施の形態4における基板待機部の構成を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the substrate standby part in Embodiment 4. FIG. 図17の動作を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the operation of FIG. 17 schematically. 実施の形態5における基板待機部の構成を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows schematic the structure of the substrate standby part in Embodiment 5. 基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows typically an example of the structure of a substrate processing system. 制御部の構成の一例を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the structure of the control part schematicly. 平流し処理部の構成の一例を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows typically an example of the structure of the flat flow processing part. 同時処理部の構成の一例を概略的示す平面図である。It is a top view which shows an example of the structure of the simultaneous processing part schematicly. 同時処理部の構成の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows typically an example of the structure of the simultaneous processing part. レジスト塗布装置の構成の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the structure of the resist coating apparatus. 図24の同時処理装置の変形例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the simultaneous processing apparatus of FIG. 24 schematically. 図24における塗布装置の変形例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the modification of the coating apparatus in FIG. 24. 図27の側面図である。It is a side view of FIG. 27.

以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。また理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. Also, for the purpose of easy understanding, the dimensions and number of each part are exaggerated or simplified as necessary.

<1.概要>
はじめに、概要として、基板処理システムにおける平流し処理部と同時処理部との間での基板の搬送に関連した内容について主に説明する。なお平流し処理部および同時処理部それ自体の詳細な例については、別途後述する。
<1. Overview>
First, as an overview, the contents related to the transfer of the substrate between the flat flow processing unit and the simultaneous processing unit in the substrate processing system will be mainly described. A detailed example of the flat flow processing unit and the simultaneous processing unit itself will be described later.

<1−1.実施の形態1>
<1−1−1.構成>
図1は、本実施の形態1における基板処理システムSY1の構成の概要を示すブロック図である。基板処理システムSY1は、複数の基板Wを処理するためのものである。ここで、複数の基板Wには、製品基板WPだけでなく、後述する少なくとも1枚のダミー基板WDが含まれる。言い換えれば、製品基板WPおよびダミー基板WDを基板Wと総称する。ダミー基板WDは、製品基板WPとは異なり、最終的に製品へと加工されることが意図されていない基板である。基板処理システムSY1は、平流し処理部PF1(第1平流し処理部)と、平流し処理部PF2(第2平流し処理部)と、搬送ロボットTR1(第1基板搬送部)と、同時処理部PC1と、基板収納部SD(基板待機部)とを有している。平流し処理部PF1は、受入部分PF1iと、処理部分PF1mと、払出部分PF1oとを有している。同様に平流し処理部PF2も、受入部分PF2iと、処理部分PF2mと、払出部分(図示せず)とを有している。
<1-1. Embodiment 1>
<1-1-1. Configuration>
FIG. 1 is a block diagram showing an outline of the configuration of the substrate processing system SY1 according to the first embodiment. The substrate processing system SY1 is for processing a plurality of substrates W. Here, the plurality of substrates W include not only the product substrate WP but also at least one dummy substrate WD described later. In other words, the product substrate WP and the dummy substrate WD are collectively referred to as the substrate W. The dummy substrate WD is a substrate that is not intended to be finally processed into a product, unlike the product substrate WP. The substrate processing system SY1 simultaneously processes the flat flow processing unit PF1 (first flat flow processing unit), the flat flow processing unit PF2 (second flat flow processing unit), and the transfer robot TR1 (first substrate transfer unit). It has a part PC1 and a board storage part SD (board standby part). The flat flow processing unit PF1 has a receiving portion PF1i, a processing portion PF1m, and a payout portion PF1o. Similarly, the flat flow processing unit PF2 also has a receiving portion PF2i, a processing portion PF2m, and a payout portion (not shown).

平流し処理部PF1は、複数の製品基板WPを搬送方向(図1においては左から右への方向)に沿って順次に搬送しつつ、複数の製品基板WPに対して一枚ずつ処理を行う。受入部分PF1iは、平流し処理部PF1によって処理されることになる製品基板WPを受け入れる。処理部分PF1mは、製品基板WPへの実質的な処理を行う。払出部分PF1oは、処理部分PF1mによって処理された製品基板WPを、搬送ロボットTR1へ払い出し可能な状態とする。具体的には、払出部分PF1oは、最大N枚の製品基板WPを、搬送ロボットTR1へ払い出し可能な状態とする。払出部分PF1oは、N枚よりも多い製品基板WPを払い出し可能な状態とすることができるように構成されていてもよいが、本実施の形態においては最大でN枚の製品基板WPしか、一度には払い出されない。よってそのサイズを不必要に大きくしないためには、払出部分PF1oは、N枚を超える枚数の製品基板WPは払い出すことができないように構成されていてよい。この場合、払出部分PF1oは、各々に製品基板WPが配置されるN箇所の払い出し位置を有する。図1においては、N=2であり、払出部分PF1oは、位置P1,P2を有する。 The flat flow processing unit PF1 sequentially conveys a plurality of product substrate WPs along the conveying direction (direction from left to right in FIG. 1), and processes the plurality of product substrate WPs one by one. .. The receiving portion PF1i receives the product substrate WP to be processed by the flat flow processing unit PF1. The processing portion PF1m substantially processes the product substrate WP. The payout portion PF1o brings the product substrate WP processed by the processing portion PF1m into a state in which it can be paid out to the transfer robot TR1. Specifically, the payout portion PF1o makes it possible to pay out a maximum of N product board WPs to the transfer robot TR1. The payout portion PF1o may be configured so that more than N product board WPs can be paid out, but in the present embodiment, only N product board WPs at the maximum can be paid out once. Will not be paid out. Therefore, in order not to increase the size unnecessarily, the payout portion PF1o may be configured so that the number of product substrate WPs exceeding N cannot be paid out. In this case, the payout portion PF1o has N payout positions in which the product substrate WP is arranged. In FIG. 1, N = 2, and the payout portion PF1o has positions P1 and P2.

平流し処理部PF1は、搬送ロボットTR1へ払い出す製品基板WPの枚数を制御可能に構成されていることが好ましい。図1においては、位置P1およびP2のそれぞれに製品基板WP1およびWP2が配置された場合において、その両方を払い出し可能な状態にするか、または、その一方を払い出し可能な状態とするかを選択することによって、払い出す製品基板WPの枚数を制御することができる。あるいは、製品基板WP1およびWP2の両方を配置するか、または、その一方のみを配置するかを選択することによって、払い出す製品基板WPの枚数を制御することができる。 It is preferable that the flat flow processing unit PF1 is configured to be able to control the number of product substrate WPs to be delivered to the transfer robot TR1. In FIG. 1, when the product substrates WP1 and WP2 are arranged at the positions P1 and P2, respectively, it is selected whether both of them are in a payable state or one of them is in a payable state. Thereby, the number of product board WPs to be paid out can be controlled. Alternatively, the number of product board WPs to be paid out can be controlled by selecting whether to place both the product boards WP1 and WP2 or only one of them.

同時処理部PC1は、複数の基板Wに対して、N枚(N≧2)ずつ同時に処理を行う。Nは2以上の任意の整数であるが、図面においてはN=2の場合が示されており、以下において主にN=2の場合について説明する。 The simultaneous processing unit PC1 simultaneously processes N sheets (N ≧ 2) of a plurality of substrates W. Although N is an arbitrary integer of 2 or more, the case of N = 2 is shown in the drawings, and the case of N = 2 will be mainly described below.

基板収納部SDは、同時処理部PC1において複数の基板Wの一部として処理されることになる少なくとも1枚のダミー基板WDを待機させる。図1においては、1枚のダミー基板WDが待機させられる場合が示されている。基板収納部SDは、好ましくは平流し処理部PF1の上方に配置されており、より好ましくは払出部分PF1oの上方に配置されている。 The substrate accommodating unit SD makes at least one dummy substrate WD, which will be processed as a part of a plurality of substrates W, on standby in the simultaneous processing unit PC1. FIG. 1 shows a case where one dummy substrate WD is made to stand by. The substrate storage portion SD is preferably arranged above the flat flow processing portion PF1 and more preferably above the payout portion PF1o.

搬送ロボットTR1は、複数の基板Wのうち最大N枚の基板Wを、水平に並べて保持しつつ同時処理部PC1へ一括して搬送することができる。搬送ロボットTR1は、N枚よりも多い基板Wを搬送することができるように構成されていてもよいが、本実施の形態においては最大でN枚の基板Wしか搬送しない。よってそのサイズを不必要に大きくしないためには、搬送ロボットTR1は、N枚を超える枚数の基板Wは搬送することができないように構成されていてよい。また搬送ロボットTR1は、本実施の形態においては、同時処理部PC1によって処理された基板Wを搬出する。また搬送ロボットTR1は、本実施の形態においては、前述したように同時処理部PC1から搬出された基板Wのうちのダミー基板WDを基板収納部SDへ搬送する。 The transfer robot TR1 can collectively transfer up to N of the plurality of substrates W to the simultaneous processing unit PC1 while holding them horizontally side by side. The transfer robot TR1 may be configured to be able to transfer more than N substrates W, but in the present embodiment, only N substrates W can be conveyed at the maximum. Therefore, in order not to increase the size unnecessarily, the transfer robot TR1 may be configured so that the number of substrates W exceeding N cannot be transferred. Further, in the present embodiment, the transfer robot TR1 carries out the substrate W processed by the simultaneous processing unit PC1. Further, in the present embodiment, the transfer robot TR1 transfers the dummy board WD of the boards W carried out from the simultaneous processing unit PC1 to the board storage unit SD as described above.

制御部60は、基板処理システムSY1を構成する各構成を制御することによって、各構成を動作させる。これにより複数の製品基板WPへの基板処理が行われる。その際、制御部60は、各々最大N枚の枚数を有する複数の組へ複数の製品基板WPを分けて管理する。図1においては、複数の製品基板が、第1〜第n組に分けて管理され、各組が有する製品基板WPの最大枚数はN=2枚である。同一組に属する製品基板WPは、平流し処理部PF1および平流し処理部PF2の各々においては一枚ずつ処理されるが、同時処理部PC1においては同時に処理される。このように組単位での処理を同時処理部PC1で行うために、搬送ロボットTR1は平流し処理部PF1から同時処理部PC1へ複数の組を一組ずつ搬送する。制御部60は、複数の製品基板WPの一組がN枚の枚数を有する場合(図1においては2枚の場合)には搬送ロボットTR1を単純モードで動作させ、複数の製品基板WPの一組が1枚以上N枚未満の枚数を有する場合(図1においては1枚の場合)には搬送ロボットTR1を混載モードで動作させる。よって搬送ロボットTR1は、制御部60によって制御されることで、平流し処理部PF1からのN枚の製品基板WPを同時処理部PC1へ一括して搬入する単純モードと、平流し処理部PF1からのP枚(1≦P<N)の製品基板WPと基板収納部SDからのD枚(1≦D≦N−P)のダミー基板WDとを同時処理部PC1へ一括して搬入する混載モードと、で動作可能に構成されている。図1においては、D=N−Pが満たされており、具体的には、N=2、P=1、D=1である。よって、単純モードにおいては平流し処理部PF1からの2枚の製品基板WPが同時処理部PC1へ一括して搬入され、混載モードにおいては平流し処理部PF1からの1枚の製品基板WPと基板収納部SDからの1枚のダミー基板WDとが同時処理部PC1へ一括して搬入される。 The control unit 60 operates each configuration by controlling each configuration constituting the substrate processing system SY1. As a result, substrate processing is performed on a plurality of product substrate WPs. At that time, the control unit 60 manages the plurality of product board WPs by dividing them into a plurality of sets each having a maximum number of N sheets. In FIG. 1, a plurality of product substrates are managed by being divided into first to nth sets, and the maximum number of product substrate WPs in each set is N = 2. The product substrate WP belonging to the same set is processed one by one in each of the flat flow processing unit PF1 and the flat flow processing unit PF2, but is processed simultaneously in the simultaneous processing unit PC1. In order for the simultaneous processing unit PC1 to perform the processing in units of sets in this way, the transfer robot TR1 transfers a plurality of sets from the flat flow processing unit PF1 to the simultaneous processing unit PC1 one by one. When a set of a plurality of product board WPs has N sheets (in the case of two sheets in FIG. 1), the control unit 60 operates the transfer robot TR1 in a simple mode, and is one of the plurality of product board WPs. When the set has one or more and less than N sheets (in the case of one in FIG. 1), the transfer robot TR1 is operated in the mixed loading mode. Therefore, the transfer robot TR1 is controlled by the control unit 60 to carry the N product board WPs from the flat flow processing unit PF1 into the simultaneous processing unit PC1 in a simple mode and from the flat flow processing unit PF1. Mixed loading mode in which the product board WP of P sheets (1 ≦ P <N) and the dummy board WD of D sheets (1 ≦ D ≦ N−P) from the board storage unit SD are collectively carried into the simultaneous processing unit PC1. And, it is configured to be operational. In FIG. 1, D = N−P is satisfied, and specifically, N = 2, P = 1, and D = 1. Therefore, in the simple mode, the two product board WPs from the flat flow processing unit PF1 are collectively carried into the simultaneous processing unit PC1, and in the mixed loading mode, one product board WP and the board from the flat flow processing unit PF1. One dummy board WD from the storage unit SD is collectively carried into the simultaneous processing unit PC1.

平流し処理部PF2は、同時処理部PC1によって処理された製品基板WPをさらに処理するためのものである。平流し処理部PF2は、その受入部分PF2iへ搬入されてきた複数の基板Wのうち、製品基板WPは受け入れてダミー基板WDは追い出すように構成されている。 The flat flow processing unit PF2 is for further processing the product substrate WP processed by the simultaneous processing unit PC1. The flat flow processing unit PF2 is configured to accept the product substrate WP and expel the dummy substrate WD among the plurality of substrates W carried into the receiving portion PF2i.

図2は、基板処理システムSY1のうちの、平流し処理部PF1の下流部分(処理部分PF1m、および払出部分PF1o)と、搬送ロボットTR1と、同時処理部PC1と、基板収納部SDと、の構成を示す、平面図(a)および側面図(b)である。図3は、図2(b)の一部拡大図である。 FIG. 2 shows a downstream portion (processing portion PF1m and a payout portion PF1o) of the flat flow processing unit PF1 of the substrate processing system SY1, a transfer robot TR1, a simultaneous processing unit PC1, and a substrate storage unit SD. It is a plan view (a) and a side view (b) which show the structure. FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2 (b).

搬送ロボットTR1は、ハンドHNDと、それを変位させる機構とを有している。ハンドHNDは、平流し処理部PF1の払出部分PF1oと、基板収納部SDと、同時処理部PC1との間で変位することができる。N=2の場合、1組の製品基板WPの枚数は最大2枚であり、これに対応してハンドHNDは、位置Q1およびQ2の2つの位置を含む。これによりハンドHNDは、位置Q1およびQ2の各々において基板Wを保持することができる。よってハンドHNDは1組の基板Wとしての2枚の基板Wを同時に保持することができる。位置Q1およびQ2の相対的位置関係として、位置Q1はハンドHNDの根本側に位置し、位置Q2はハンドHNDの先端側に位置する。 The transfer robot TR1 has a hand HND and a mechanism for displacing the hand HND. The hand HND can be displaced between the payout portion PF1o of the flat flow processing unit PF1, the substrate storage unit SD, and the simultaneous processing unit PC1. When N = 2, the maximum number of product board WPs in one set is two, and the hand HND includes two positions, positions Q1 and Q2, correspondingly. As a result, the hand HND can hold the substrate W at each of the positions Q1 and Q2. Therefore, the hand HND can simultaneously hold two boards W as one set of boards W. As a relative positional relationship between the positions Q1 and Q2, the position Q1 is located on the root side of the hand HND, and the position Q2 is located on the tip side of the hand HND.

基板収納部SDはダミー基板WDを待機させておく。例えば、基板収納部SDは、ダミー基板WDを支持するピンPDを有している。ダミー基板WDは、製品基板WPと実質的に同じ材料からなってもよいが、異なる材料からなってもよい。例えば、製品基板WPがガラス基板であり、ダミー基板WDは金属基板であってよい。この場合、ダミー基板WDは、製品基板WPに比して割れにくいので、長期にわたって使用することができる。ダミー基板WDの重さは、搬送ロボットTR1への過度な負担を避けるために、製品基板WPの重さ以下であることが好ましい。またダミー基板WDの熱容量は、同時処理部PC1における熱的影響の観点で、製品基板WPの熱量量と実質的に同じ(例えば±10%の範囲内の差異)であることが好ましい。 The board storage unit SD keeps the dummy board WD on standby. For example, the substrate storage portion SD has a pin PD that supports the dummy substrate WD. The dummy substrate WD may be made of substantially the same material as the product substrate WP, but may be made of a different material. For example, the product substrate WP may be a glass substrate and the dummy substrate WD may be a metal substrate. In this case, the dummy substrate WD is less likely to crack than the product substrate WP, and can be used for a long period of time. The weight of the dummy substrate WD is preferably equal to or less than the weight of the product substrate WP in order to avoid an excessive load on the transfer robot TR1. Further, the heat capacity of the dummy substrate WD is preferably substantially the same as the amount of heat of the product substrate WP (for example, a difference within the range of ± 10%) from the viewpoint of the thermal effect on the simultaneous processing unit PC1.

平流し処理部PF1の受入部分PF1iは、複数の製品基板WPを順次に受け入れる。受け入れられた製品基板WPの各々は、ローラRLによって、受入部分PF1iから処理部分PF1mを経由して払出部分PF1oへと搬送される。言い換えれば、ローラRLによって、複数の製品基板WPが搬送方向に沿って順次に搬送される。このように搬送される複数の製品基板WPに対して、平流し処理部PF1の処理部分PF1mは一枚ずつ処理を行う。 The receiving portion PF1i of the flat flow processing unit PF1 sequentially receives a plurality of product substrate WPs. Each of the received product substrate WPs is conveyed by the roller RL from the receiving portion PF1i to the discharging portion PF1o via the processing portion PF1m. In other words, the roller RL sequentially conveys the plurality of product substrate WPs along the conveying direction. The processing portion PF1m of the flat flow processing unit PF1 processes the plurality of product substrate WPs conveyed in this way one by one.

平流し処理部PF1の払出部分PF1oは、N=2の場合、位置P1およびP2の2つの位置を含む。これにより、位置P1およびP2のそれぞれに、1組の製品基板WP1およびWP2を配置することができる。位置P1およびP2のそれぞれには、リフトピンLP1およびLP2が設けられる。リフトピンLP1およびLP2のそれぞれは、上下駆動機構AC1およびAC2によって上下方向に駆動される。これにより、製品基板WPのうち位置P1およびP2に配置された製品基板WP1およびWP2の両方または一方を選択的に挙上することができる。挙上された製品基板WPは、搬送ロボットTR1へ払い出し可能な状態となる。 The payout portion PF1o of the flat flow processing unit PF1 includes two positions P1 and P2 when N = 2. As a result, a set of product substrates WP1 and WP2 can be arranged at positions P1 and P2, respectively. Lift pins LP1 and LP2 are provided at positions P1 and P2, respectively. The lift pins LP1 and LP2 are driven in the vertical direction by the vertical drive mechanisms AC1 and AC2, respectively. As a result, it is possible to selectively raise both or one of the product substrates WP1 and WP2 arranged at the positions P1 and P2 of the product substrate WP. The raised product board WP is ready to be paid out to the transfer robot TR1.

平流し処理部がこれら製品基板WP1およびWP2の両方を準備することができる場合は、製品基板WP1およびWP2の両方が払出部分PF1oに配置される。この場合、ハンドHNDは、ダミー基板WDを受け取ることなく、1組の製品基板WP1およびWP2を受け取ってよい。一方で、平流し処理部がこれら製品基板WP1およびWP2の両方を準備することができない場合は、製品基板WP1およびWP2の一方のみが払出部分PF1oに配置される。例えば、平流し処理部PF1の処理部分PF1mまたはそれよりも上流の処理部(図示せず)において、この1組を構成する2枚の製品基板の一方に対する処理に異常があったために当該一方の基板が除去されてしまっている場合がこれに該当する。ここで、位置P1は、位置P2と搬送ロボットTR1との間に位置している。詳しくは後述するが、ダミー基板WDが載置されたハンドHNDが位置P2の製品基板WP2を受け取るために位置P2へアクセスする場合があり、この場合、位置P1のリフトピンLP1を挙上しないことによって、リフトピンLP1がハンドHND上のダミー基板WDに接触してしまうことが避けられる。 When the flat flow processing unit can prepare both the product substrates WP1 and WP2, both the product substrates WP1 and WP2 are arranged in the payout portion PF1o. In this case, the hand HND may receive a set of product boards WP1 and WP2 without receiving the dummy board WD. On the other hand, when the flat flow processing unit cannot prepare both of these product substrates WP1 and WP2, only one of the product substrates WP1 and WP2 is arranged in the payout portion PF1o. For example, in the processing portion PF1m of the flat flow processing unit PF1 or the processing unit upstream of the processing unit (not shown), there is an abnormality in the processing of one of the two product substrates constituting this set, so that one of them is concerned. This is the case when the substrate has been removed. Here, the position P1 is located between the position P2 and the transfer robot TR1. As will be described in detail later, the hand HND on which the dummy board WD is placed may access the position P2 in order to receive the product board WP2 at the position P2. In this case, by not raising the lift pin LP1 at the position P1. , It is possible to prevent the lift pin LP1 from coming into contact with the dummy substrate WD on the hand HND.

同時処理部PC1は、N=2の場合、位置P3およびP4の2つの位置を含む。これにより、位置P3およびP4の各々に基板Wを配置することができる。具体的には、位置P3およびP4の両方に製品基板WPを配置することができ、位置P3および位置P4の一方に製品基板WPを配置して他方にダミー基板WDを配置することもできる。位置P3およびP4にはリフトピンLP3が設けられる。リフトピンLP3は、上下駆動機構AC3によって上下方向に駆動される。リフトピンLP3が挙上されることによって、搬送ロボットTR1による位置P3およびP4の各々での基板Wの受け入れまたは払い出しが可能な状態となる。 When N = 2, the simultaneous processing unit PC1 includes two positions, positions P3 and P4. Thereby, the substrate W can be arranged at each of the positions P3 and P4. Specifically, the product substrate WP can be arranged at both the positions P3 and P4, and the product substrate WP can be arranged at one of the positions P3 and P4 and the dummy substrate WD can be arranged at the other. Lift pins LP3 are provided at positions P3 and P4. The lift pin LP3 is driven in the vertical direction by the vertical drive mechanism AC3. When the lift pin LP3 is raised, the transfer robot TR1 can accept or pay out the substrate W at each of the positions P3 and P4.

<1−1−2.基板処理方法>
図4は、前述した複数の製品基板WPを処理するための、基板処理システムSY1(図1〜図3)による基板処理方法の工程の一部を示すフロー図である。図5〜図11は、各工程を概略的に示す側面図である。
<1-1-2. Substrate processing method>
FIG. 4 is a flow chart showing a part of the steps of the substrate processing method by the substrate processing system SY1 (FIGS. 1 to 3) for processing the plurality of product substrate WPs described above. 5 to 11 are side views schematically showing each process.

基板処理システムSY1による基板処理方法において、制御部60(図1)は、各々最大N枚の枚数を有する複数の組へ複数の製品基板WPを分けて管理する。以下においては、N=2の場合を例に説明する。この場合、複数の製品基板WPが、第1〜第n組に分けて管理され、各組が有する製品基板WPの最大枚数は2枚である。 In the substrate processing method by the substrate processing system SY1, the control unit 60 (FIG. 1) manages a plurality of product substrate WPs by dividing them into a plurality of sets each having a maximum number of N sheets. In the following, the case of N = 2 will be described as an example. In this case, a plurality of product board WPs are managed by being divided into the first to nth sets, and the maximum number of product board WPs in each set is two.

ステップS101(図4)にて、平流し処理部PF1(図1〜図3)の受入部分PF1iが複数の製品基板WPを受け入れる。受け入れられた複数の製品基板WPは、搬送方向(図5における矢印AR1)に沿って順次に搬送させられる。このように搬送される複数の製品基板WPに対して、平流し処理部PF1の処理部分PF1mは一枚ずつ処理を行う。 In step S101 (FIG. 4), the receiving portion PF1i of the flat flow processing unit PF1 (FIGS. 1 to 3) receives a plurality of product substrate WPs. The plurality of accepted product substrate WPs are sequentially transported along the transport direction (arrow AR1 in FIG. 5). The processing portion PF1m of the flat flow processing unit PF1 processes the plurality of product substrate WPs conveyed in this way one by one.

搬送ロボットTR1は、平流し処理部PF1から同時処理部PC1へ製品基板WPの複数の組を一組ずつ搬送することになる。この搬送に先立って、ステップS102(図4)にて、制御部60は、平流し処理部PF1の払出部分PF1oに到達している製品基板WPの組、言い換えれば、搬送ロボットTR1によって払出部分PF1oから搬出されることになる組、が、N枚の枚数を有するか、あるいは、1枚以上N枚未満の枚数を有するかを判定する。ここではN=2であり、よって、搬出されることになる組の枚数が2枚なのか1枚なのかが判定される。この判定は、基板処理システムSY1の任意の場所に取り付けられたセンサからの情報によって行われてよく、あるいは、基板処理システムSY1の外部から制御部60へ与えられた情報に基づいて行われてもよい。 The transfer robot TR1 transfers a plurality of sets of product substrate WPs one by one from the flat flow processing unit PF1 to the simultaneous processing unit PC1. Prior to this transfer, in step S102 (FIG. 4), the control unit 60 is set by the set of product board WPs reaching the payout portion PF1o of the flat flow processing unit PF1, in other words, the payout portion PF1o by the transfer robot TR1. It is determined whether the set to be carried out from is having N sheets or one or more and less than N sheets. Here, N = 2, and therefore, it is determined whether the number of sets to be carried out is two or one. This determination may be made based on information from a sensor mounted at an arbitrary location in the board processing system SY1, or may be made based on information given to the control unit 60 from the outside of the board processing system SY1. good.

第1に、上記ステップS102(図4)による判定結果がYESの場合(N枚の場合)、制御部60は、前述した単純モードおよび混載モードのうち単純モードで搬送ロボットTR1を動作させる制御を開始する。この開始時点で、製品基板WPのうち当該組に属するものである製品基板WP1およびWP2のそれぞれが、位置P1およびP2に配置されている。リフトピンLP1およびLP2のそれぞれは上下駆動機構AC1およびAC2により挙上させる。これにより、位置P1およびP2に位置する製品基板WP1およびWP2が払い出し可能な状態とされる。これらN=2枚の製品基板WP1およびWP2に対して、同時処理部PC1によって同時に処理が行われることになる。具体的には、まず、ステップS201(図4)にて、搬送ロボットTR1により、製品基板WP1およびWP2が、平流し処理部PF1の払出部分FP1oから、同時処理部PC1の位置P3およびP4へ搬送される。ステップS202(図4)にて、同時処理部PC1がN=2枚の製品基板WP1およびWP2に対して処理を行う。ステップS203(図4)にて、搬送ロボットTR1は、同時処理部PC1によって処理された製品基板WP1およびWP2を、平流し処理部PF2(図1)の位置P5およびP6へと搬送する。その後、平流し処理部PF2による処理が行われる。 First, when the determination result in step S102 (FIG. 4) is YES (in the case of N sheets), the control unit 60 controls to operate the transfer robot TR1 in the simple mode among the simple mode and the mixed loading mode described above. Start. At this start, the product boards WP1 and WP2, which belong to the set of product board WPs, are located at positions P1 and P2, respectively. The lift pins LP1 and LP2 are raised by the vertical drive mechanisms AC1 and AC2, respectively. As a result, the product substrates WP1 and WP2 located at the positions P1 and P2 are in a payable state. The simultaneous processing unit PC1 simultaneously processes these N = 2 product substrates WP1 and WP2. Specifically, first, in step S201 (FIG. 4), the product boards WP1 and WP2 are transferred from the payout portion FP1o of the flat flow processing unit PF1 to the positions P3 and P4 of the simultaneous processing unit PC1 by the transfer robot TR1. Will be done. In step S202 (FIG. 4), the simultaneous processing unit PC1 processes N = 2 product substrates WP1 and WP2. In step S203 (FIG. 4), the transfer robot TR1 transfers the product substrates WP1 and WP2 processed by the simultaneous processing unit PC1 to the positions P5 and P6 of the flat flow processing unit PF2 (FIG. 1). After that, processing is performed by the flat flow processing unit PF2.

第2に、上記ステップS102(図4)による判定結果がNOの場合(1枚以上N枚未満の場合)、制御部60は、前述した単純モードおよび混載モードのうち混載モードで搬送ロボットTR1を動作させる制御を開始する。この開始時点で、製品基板WPのうち当該組に属するものである製品基板WP1およびWP2の一方のみが、平流し処理部PF1の払出部分PF1oに配置されている。以下、製品基板WP2が位置P2に配置される例について説明する。 Second, when the determination result in step S102 (FIG. 4) is NO (when one or more and less than N), the control unit 60 sets the transfer robot TR1 in the mixed mode among the simple mode and the mixed mode described above. Start the control to operate. At the start of this, only one of the product substrates WP1 and WP2, which belong to the set of the product substrate WPs, is arranged in the payout portion PF1o of the flat flow processing unit PF1. Hereinafter, an example in which the product board WP2 is arranged at the position P2 will be described.

ステップS301(図4)にて、搬送ロボットTR1によって、平流し処理部PF1によって処理されたP枚(1≦P<N)の製品基板WPと、ダミー基板WDとが、同時処理部PC1へ搬送される。N=2の例においては、1枚の製品基板(具体的には製品基板WP2)と、1枚のダミー基板WDとが搬送される。 In step S301 (FIG. 4), the product substrate WP of P sheets (1 ≦ P <N) processed by the flat flow processing unit PF1 and the dummy substrate WD are transferred to the simultaneous processing unit PC1 by the transfer robot TR1. Will be done. In the example of N = 2, one product substrate (specifically, product substrate WP2) and one dummy substrate WD are conveyed.

具体的には、図5および図6を参照して、矢印AR2(図6)に示す動作によって、搬送ロボットTR1のハンドHNDが、ダミー基板WDを受け取る。これにより、ハンドHNDの位置Q1上にダミー基板WDが保持される。図7を参照して、次に、矢印AR4に示すように、搬送ロボットTR1のハンドHNDが平流し処理部PF1の払出部分PF1oにアクセスする。これより、ハンドHNDの位置Q2が払出部分PF1oの直下に配置される。このとき、払出部分PF1oの位置P1には製品基板WP1(図3)が存在しておらず、またリフトピンLP1は上下駆動機構AC1により挙上されないので、ハンドHNDの動きが製品基板WP1とリフトピンLP1とによって阻害されることはない。図8を参照して、次に、矢印AR5に示すように、ハンドHNDが上昇することによって、搬送ロボットTR1のハンドHNDが製品基板WP2を受け取る。これにより、ハンドHNDの位置Q2上に製品基板WP2が保持される。図9を参照して、矢印AR6に示すように、搬送ロボットTR1のハンドHNDが、同時処理部PC1にアクセスする。ハンドHNDが下降することによって、ダミー基板WDおよび製品基板WP2が、同時処理部PC1の位置P3およびP4においてリフトピンLP3上に載置される。次にハンドHNDが同時処理部PC1から退避する。以上によりステップS301(図4)が完了する。 Specifically, referring to FIGS. 5 and 6, the hand HND of the transfer robot TR1 receives the dummy substrate WD by the operation shown by the arrow AR2 (FIG. 6). As a result, the dummy substrate WD is held on the position Q1 of the hand HND. With reference to FIG. 7, the hand HND of the transfer robot TR1 then accesses the payout portion PF1o of the flat flow processing unit PF1 as shown by the arrow AR4. As a result, the position Q2 of the hand HND is arranged directly below the payout portion PF1o. At this time, since the product board WP1 (FIG. 3) does not exist at the position P1 of the payout portion PF1o and the lift pin LP1 is not lifted by the vertical drive mechanism AC1, the movement of the hand HND moves with the product board WP1 and the lift pin LP1. It is not hindered by. With reference to FIG. 8, then, as shown by the arrow AR5, the hand HND of the transfer robot TR1 receives the product substrate WP2 by raising the hand HND. As a result, the product substrate WP2 is held on the position Q2 of the hand HND. With reference to FIG. 9, as shown by the arrow AR6, the hand HND of the transfer robot TR1 accesses the simultaneous processing unit PC1. By lowering the hand HND, the dummy substrate WD and the product substrate WP2 are placed on the lift pin LP3 at the positions P3 and P4 of the simultaneous processing unit PC1. Next, the hand HND saves from the simultaneous processing unit PC1. With the above, step S301 (FIG. 4) is completed.

ステップS302(図4)にて、次に、同時処理部PC1(図9)によって、P枚の製品基板WP(本例においては1枚の製品基板WP2)と、少なくとも1枚のダミー基板WD(本例においては1枚のダミー基板WD)とに対する処理が行われる。 In step S302 (FIG. 4), then, by the simultaneous processing unit PC1 (FIG. 9), P product substrate WP (in this example, one product substrate WP2) and at least one dummy substrate WD ( In this example, processing is performed on one dummy substrate WD).

ステップS303(図4)にて、搬送ロボットTR1によって、平流し処理部PF2への製品基板WP2の搬送と、基板収納部SDへのダミー基板WDの回収とが行われる。具体的には、図10を参照して、まず、搬送ロボットTR1によって、平流し処理部PF2の受入部分PF2iの位置P5およびP6のそれぞれの上方に、ダミー基板WDおよび製品基板WP2が搬入される。次に、受入部分PF2iの位置P5に設けられたリフトピンLP4が下方位置に維持されたまま、受入部分PF2iの位置P6に設けられたリフトピンLP5が上方位置へ挙上される。これにより、製品基板WP2がリフトピンLP5に支持される。次に、矢印AR7に示すように、ハンドHNDが平流し処理部PF2から退避する。次に、リフトピンLP5が下方位置へと降下される。これにより、製品基板WP2が位置P6においてローラRL上に載置される。以上から、平流し処理部PF2は、受入部分PF2iへ搬入された複数の基板Wとしての製品基板WP2およびダミー基板WDのうち、製品基板WP2を受け入れる一方でダミー基板は追い出すように構成されている。受け入れられた製品基板WP2は、平流し処理部PF2への処理部分PF2mによって処理される。図11を参照して、次に、搬送ロボットTR1のハンドHNDは、基板収納部SDのピンPDの上方へダミー基板WDを搬送する。続いて、矢印AR8(図11)に示すようにハンドHNDが動作することによって、ピンPD上にダミー基板WDが載置される。これによりダミー基板WDが基板収納部SDへ回収される。 In step S303 (FIG. 4), the transfer robot TR1 transfers the product substrate WP2 to the flat flow processing unit PF2 and collects the dummy substrate WD to the substrate storage unit SD. Specifically, referring to FIG. 10, first, the transfer robot TR1 carries the dummy substrate WD and the product substrate WP2 above the positions P5 and P6 of the receiving portion PF2i of the flat flow processing unit PF2. .. Next, the lift pin LP5 provided at the position P6 of the receiving portion PF2i is lifted to the upper position while the lift pin LP4 provided at the position P5 of the receiving portion PF2i is maintained at the lower position. As a result, the product substrate WP2 is supported by the lift pin LP5. Next, as shown by the arrow AR7, the hand HND retracts from the flat flow processing unit PF2. Next, the lift pin LP5 is lowered to the lower position. As a result, the product substrate WP2 is placed on the roller RL at the position P6. From the above, the flat flow processing unit PF2 is configured to accept the product substrate WP2 among the product substrate WP2 and the dummy substrate WD as a plurality of substrates W carried into the receiving portion PF2i, while expelling the dummy substrate. .. The accepted product substrate WP2 is processed by the processing portion PF2m to the flat flow processing unit PF2. With reference to FIG. 11, the hand HND of the transfer robot TR1 then transfers the dummy substrate WD above the pin PD of the substrate storage portion SD. Subsequently, the dummy substrate WD is placed on the pin PD by operating the hand HND as shown by the arrow AR8 (FIG. 11). As a result, the dummy substrate WD is collected in the substrate storage portion SD.

前述したように、基板処理システムSY1において複数の製品基板WPは、各々が最大2枚の枚数を有する複数の組に分けて管理されている。前述したステップS101(図4)においては、これら複数の組が順次に処理され、またこれらの各組において製品基板が1枚ずつ処理される。その後、前述したステップS102における判定結果に応じて、製品基板WPの各組に対して、ステップS201〜S203を含む工程、または、ステップS301〜S303を含む工程のいずれかが行われる。よって、複数の製品基板WPの各々は、ステップS201〜S203を含む工程、または、ステップS301〜S303を含む工程の、いずれか一方の工程を経て処理される。 As described above, in the substrate processing system SY1, the plurality of product substrate WPs are managed by being divided into a plurality of sets each having a maximum of two sheets. In step S101 (FIG. 4) described above, the plurality of sets are sequentially processed, and one product substrate is processed in each of these sets. After that, either the step including steps S201 to S203 or the step including steps S301 to S303 is performed for each set of the product substrate WP according to the determination result in step S102 described above. Therefore, each of the plurality of product substrate WPs is processed through either a step including steps S201 to S203 or a step including steps S301 to S303.

<1−1−3.効果>
はじめに、特にN=2の場合における効果について、以下に説明する。
<1-1-3. Effect>
First, the effect especially in the case of N = 2 will be described below.

本実施の形態によれば、平流し処理部PF1からの2枚の製品基板WP1およびWP2を同時処理部PC1へ一括して搬入する単純モード(図4におけるステップS201〜S203に対応)と、平流し処理部PF1からの1枚の製品基板WP2と基板収納部SDからの1枚のダミー基板WDとを同時処理部PC1へ一括して搬入する混載モード(図4におけるステップS301〜S303に対応)と、のいずれかを、ステップS102(図4)において選択することができる。これにより、同時処理部PC1によって同時に処理される製品基板WPの枚数が2枚に満たず1枚であるときに、ダミー基板WDも同時に処理することによって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数を2枚にすることができる。その結果、単純モードおよび混載モードのいずれの場合であっても、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数が、共通して2枚となる。これにより、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数が変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 According to the present embodiment, there is a simple mode (corresponding to steps S201 to S203 in FIG. 4) in which the two product boards WP1 and WP2 from the flat flow processing unit PF1 are collectively carried into the simultaneous processing unit PC1 and flat. Mixed loading mode in which one product board WP2 from the sink processing unit PF1 and one dummy board WD from the board storage unit SD are collectively carried into the simultaneous processing unit PC1 (corresponding to steps S301 to S303 in FIG. 4). And, can be selected in step S102 (FIG. 4). As a result, when the number of product substrates WP processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1 is less than two and one, the dummy substrate WD is also processed at the same time, so that the substrate processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1. The number of Ws can be two. As a result, in either the simple mode or the mixed loading mode, the number of substrates W simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 is two in common. As a result, process variation due to fluctuations in the number of substrates W simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 can be suppressed.

具体的には、制御部60によって、搬送ロボットTR1が平流し処理部PF1から同時処理部PC1へ搬送する複数の製品基板WPの一組が2枚の枚数を有する場合には搬送ロボットTR1が単純モードで動作され、当該複数の製品基板WPの一組が1枚の枚数を有する場合には搬送ロボットTR1を混載モードで動作される。これにより、同時処理部PC1によって同時に処理される製品基板WPの枚数が2枚に満たないときに、ダミー基板WDも同時に処理することによって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数を2枚とすることができる。よって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数が2枚から変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 Specifically, when the transfer robot TR1 has two sets of a plurality of product boards WP to be transferred from the flat flow processing unit PF1 to the simultaneous processing unit PC1 by the control unit 60, the transfer robot TR1 is simple. When the set of the plurality of product boards WP has one number of sheets, the transfer robot TR1 is operated in the mixed loading mode. As a result, when the number of product substrates WP processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1 is less than two, the number of substrate W processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1 is increased by simultaneously processing the dummy substrate WD. It can be two sheets. Therefore, it is possible to suppress process variation due to the number of substrates W being simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 fluctuating from two.

平流し処理部PF1は、搬送ロボットTR1へ払い出す製品基板WPの枚数を制御可能に構成されている。具体的には、図3において、位置P1およびP2の両方に製品基板WPが配置されることによって2枚の基板が払い出し可能とされ、一方にのみ製品基板WPが配置されることによって1枚の基板が払い出し可能とされてよい。これにより、平流し処理部PF1から同時処理部PC1へ搬送される製品基板WPの枚数を調整することができる。 The flat flow processing unit PF1 is configured to be able to control the number of product substrate WPs to be delivered to the transfer robot TR1. Specifically, in FIG. 3, two boards can be dispensed by arranging the product board WP at both positions P1 and P2, and one piece by arranging the product board WP on only one of them. The substrate may be payable. Thereby, the number of product substrate WPs transported from the flat flow processing unit PF1 to the simultaneous processing unit PC1 can be adjusted.

平流し処理部PF2(図10)は、平流し処理部PF2へ搬入されてきた複数の基板Wのうち、製品基板WP2は受け入れてダミー基板WDは追い出すように構成されている。これにより、平流し処理部PF2でダミー基板WDが処理されないようにすることができる。 The flat flow processing unit PF2 (FIG. 10) is configured to accept the product substrate WP2 and expel the dummy substrate WD among the plurality of substrates W carried into the flat flow processing unit PF2. As a result, the dummy substrate WD can be prevented from being processed by the flat flow processing unit PF2.

次に、NがN=2に限定されず、任意の整数である場合における効果について、以下に説明する。 Next, the effect when N is not limited to N = 2 and is an arbitrary integer will be described below.

本実施の形態によれば、平流し処理部PF1からのN枚の製品基板WPを同時処理部PC1へ一括して搬入する単純モード(図4におけるステップS201〜S203に対応)と、平流し処理部PF1からのP枚(1≦P<N)の製品基板WPと基板収納部SDからのD枚(1≦D≦N−P)のダミー基板WDとを同時処理部PC1へ一括して搬入する混載モード(図4におけるステップS301〜S303に対応)と、のいずれかを選択することができる。これにより、同時処理部PC1によって同時に処理される製品基板WPの枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板WDも同時に処理することによって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数をN枚に近づけることができる。よって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数が変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 According to the present embodiment, there is a simple mode (corresponding to steps S201 to S203 in FIG. 4) in which N product board WPs from the flat flow processing unit PF1 are collectively carried into the simultaneous processing unit PC1 and a flat flow process. The product board WP of P sheets (1 ≦ P <N) from the unit PF1 and the dummy board WD of D sheets (1 ≦ D ≦ N−P) from the board storage unit SD are collectively carried into the simultaneous processing unit PC1. It is possible to select one of the mixed loading modes (corresponding to steps S301 to S303 in FIG. 4). As a result, when the number of product substrates WP processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1 is less than N, the number of substrates W simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 is increased by simultaneously processing the dummy substrate WD. It can be approached to N sheets. Therefore, it is possible to suppress process variation due to fluctuations in the number of substrates W that are simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1.

具体的には制御部60によって、搬送ロボットTR1が平流し処理部PF1から同時処理部PC1へ搬送する複数の製品基板WPの一組がN枚の枚数を有する場合には搬送ロボットTR1が単純モードで動作され、当該複数の製品基板WPの一組が1枚以上N枚未満の枚数を有する場合には搬送ロボットTR1を混載モードで動作される。これにより、同時処理部PC1によって同時に処理される製品基板WPの枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板WDも同時に処理することによって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数をN枚に近づけることができる。よって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数がN枚から変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 Specifically, when the transfer robot TR1 has a set of a plurality of product boards WP to transfer from the flat flow processing unit PF1 to the simultaneous processing unit PC1 by the control unit 60, the transfer robot TR1 has a simple mode. When the set of the plurality of product board WPs has one or more and less than N sheets, the transfer robot TR1 is operated in the mixed loading mode. As a result, when the number of product substrates WP processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1 is less than N, the number of substrates W simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 is increased by simultaneously processing the dummy substrate WD. It can be approached to N sheets. Therefore, it is possible to suppress process variation due to the number of substrates W being simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 fluctuating from N.

上記において、D=N−Pが満たされていることが好ましい。これにより、同時処理部PC1によって同時に処理される製品基板WPの枚数がN枚に満たないときに、ダミー基板WDも同時に処理することによって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数をN枚とすることができる。よって、同時処理部PC1によって同時に処理される基板Wの枚数がN枚から変動することに起因しての工程ばらつきを抑制することができる。 In the above, it is preferable that D = NP is satisfied. As a result, when the number of product substrates WP processed simultaneously by the simultaneous processing unit PC1 is less than N, the number of substrates W simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 is increased by simultaneously processing the dummy substrate WD. It can be N sheets. Therefore, it is possible to suppress process variation due to the number of substrates W being simultaneously processed by the simultaneous processing unit PC1 fluctuating from N.

搬送ロボットTR1は、ステップS303(図4)において、同時処理部PC1によって処理された基板Wを搬出し、かつ、同時処理部PC1から搬出された基板Wのうちのダミー基板WDを基板収納部SDへ搬送する。これにより、搬送ロボットTR1が、製品基板WPを搬送する機能に加えて、ダミー基板WDを回収する機能を果たすことができる。 In step S303 (FIG. 4), the transfer robot TR1 carries out the substrate W processed by the simultaneous processing unit PC1 and uses the dummy substrate WD of the substrates W carried out from the simultaneous processing unit PC1 as the substrate storage unit SD. Transport to. As a result, the transfer robot TR1 can fulfill the function of collecting the dummy substrate WD in addition to the function of conveying the product substrate WP.

平流し処理部PF1は、搬送ロボットTR1へ払い出す製品基板WPの枚数を制御可能に構成されている。これにより、平流し処理部PF1から同時処理部PC1へ搬送される製品基板WPの枚数を調整することができる。 The flat flow processing unit PF1 is configured to be able to control the number of product substrate WPs to be delivered to the transfer robot TR1. Thereby, the number of product substrate WPs transported from the flat flow processing unit PF1 to the simultaneous processing unit PC1 can be adjusted.

平流し処理部PF2は、平流し処理部PF2へ搬入されてきた複数の基板Wのうち、製品基板WPは受け入れてダミー基板WDは追い出すように構成されている。これにより、平流し処理部PF2でダミー基板WDが処理されないようにすることができる。 The flat flow processing unit PF2 is configured to accept the product substrate WP and expel the dummy substrate WD from among the plurality of substrates W carried into the flat flow processing unit PF2. As a result, the dummy substrate WD can be prevented from being processed by the flat flow processing unit PF2.

<1−2.実施の形態2>
<1−2−1.構成>
図12は、本実施の形態2における基板処理システムSY2の構成の概要を示すブロック図である。基板処理システムSY2は、基板処理システムSY1(図1)の構成に加えてさらに同時処理部PC2を有している。同時処理部PC2は、複数の基板Wに対して、N枚(N≧2)ずつ同時に処理を行う。Nは2以上の任意の整数であるが、図面においてはN=2の場合が示されており、同時処理部PC2は、2枚の基板を配置するための位置P13およびP14を有している。以下において主にN=2の場合について説明する。
<1-2. Embodiment 2>
<1-2-1. Configuration>
FIG. 12 is a block diagram showing an outline of the configuration of the substrate processing system SY2 according to the second embodiment. The substrate processing system SY2 further includes a simultaneous processing unit PC2 in addition to the configuration of the substrate processing system SY1 (FIG. 1). The simultaneous processing unit PC2 simultaneously processes N sheets (N ≧ 2) of a plurality of substrates W. Although N is an arbitrary integer of 2 or more, the case of N = 2 is shown in the drawings, and the simultaneous processing unit PC2 has positions P13 and P14 for arranging the two substrates. .. The case where N = 2 will be mainly described below.

搬送ロボットTR1は、本実施の形態においては、同時処理部PC2にもアクセスすることができる。搬送ロボットTR1は、同時処理部PC1によって処理された基板Wを同時処理部PC2へ搬送する。具体的には、同時処理部PC1の位置P3およびP4に配置されている基板Wを、同時処理部PC2の位置P13およびP14へと搬送する。また搬送ロボットTR1は、同時処理部PC2によって処理された基板Wを搬出する。また搬送ロボットTR1は、同時処理部PC2から搬出された基板Wのうちのダミー基板WDを基板収納部SDへ搬送する。また搬送ロボットTR1は、同時処理部PC2から搬出された基板Wのうちの製品基板WPを平流し処理部PF2へ搬送する。よって平流し処理部PF2は、本実施の形態においては、同時処理部PC1および同時処理部PC2によって処理された製品基板WPをさらに処理するためのものである。 In the present embodiment, the transfer robot TR1 can also access the simultaneous processing unit PC2. The transfer robot TR1 transfers the substrate W processed by the simultaneous processing unit PC1 to the simultaneous processing unit PC2. Specifically, the substrate W arranged at the positions P3 and P4 of the simultaneous processing unit PC1 is conveyed to the positions P13 and P14 of the simultaneous processing unit PC2. Further, the transfer robot TR1 carries out the substrate W processed by the simultaneous processing unit PC2. Further, the transfer robot TR1 transfers the dummy board WD of the boards W carried out from the simultaneous processing unit PC2 to the board storage unit SD. Further, the transfer robot TR1 transports the product substrate WP among the substrates W carried out from the simultaneous processing unit PC2 to the flat flow processing unit PF2. Therefore, in the present embodiment, the flat flow processing unit PF2 is for further processing the product substrate WP processed by the simultaneous processing unit PC1 and the simultaneous processing unit PC2.

<1−2−2.基板処理方法>
図13は、基板処理システムSY2(図12)による基板処理方法の工程の一部を示すフロー図である。ステップS101およびS102は、実施の形態1の場合(図4)と共通である。
<1-2-2. Substrate processing method>
FIG. 13 is a flow chart showing a part of the steps of the substrate processing method by the substrate processing system SY2 (FIG. 12). Steps S101 and S102 are common to the case of the first embodiment (FIG. 4).

第1に、上記ステップS102(図13)による判定結果がYESの場合(N枚の場合)、ステップS211およびS212(図13)が、ステップS201およびS202(図4:実施の形態1)と同様に行われる。ステップS213(図13)にて、搬送ロボットTR1(図12)は、同時処理部PC1の位置P3およびP4に配置されている2枚の製品基板WPを同時処理部PC2の位置P13およびP14へと搬送する。ステップS214(図13)にて、搬送された製品基板WPに対して同時処理部PC2による処理が行われる。ステップS215(図13)にて、搬送ロボットTR1は、同時処理部PC1によって処理された2枚の製品基板WPを、平流し処理部PF2(図12)の位置P5およびP6へと搬送する。その後、平流し処理部PF2による処理が行われる。 First, when the determination result in step S102 (FIG. 13) is YES (in the case of N sheets), steps S211 and S212 (FIG. 13) are the same as in steps S201 and S202 (FIG. 4: Embodiment 1). It is done in. In step S213 (FIG. 13), the transfer robot TR1 (FIG. 12) moves the two product board WPs arranged at the positions P3 and P4 of the simultaneous processing unit PC1 to the positions P13 and P14 of the simultaneous processing unit PC2. Transport. In step S214 (FIG. 13), the transferred product substrate WP is processed by the simultaneous processing unit PC2. In step S215 (FIG. 13), the transfer robot TR1 transfers the two product substrate WPs processed by the simultaneous processing unit PC1 to the positions P5 and P6 of the flat flow processing unit PF2 (FIG. 12). After that, processing is performed by the flat flow processing unit PF2.

第2に、上記ステップS102(図13)による判定結果がNOの場合(1枚以上N枚未満の場合)、ステップS311およびS312(図13)が、ステップS301およびS302(図4:実施の形態1)と同様に行われる。ステップS313(図13)にて、搬送ロボットTR1(図12)は、同時処理部PC1の位置P3およびP4に配置されている2枚の基板Wを同時処理部PC2の位置P13およびP14へと搬送する。ここでの2枚の基板Wは、1枚の製品基板WP(例えば、製品基板WP2)および1枚のダミー基板WDである(図9参照)。ステップS314(図13)にて、搬送された製品基板WPおよびダミー基板WDに対して同時処理部PC2による処理が行われる。ステップS315(図13)にて、搬送ロボットTR1によって、平流し処理部PF2への製品基板WP2の搬送と、基板収納部SDへのダミー基板WDの回収とが行われる。このステップS315は、製品基板WPおよびダミー基板WDが同時処理部PC1ではなく同時処理部PC2から搬出される点をのぞき、ステップS303(図4:実施の形態1)と同様である。 Secondly, when the determination result in step S102 (FIG. 13) is NO (when one or more and less than N), steps S311 and S312 (FIG. 13) are the steps S301 and S302 (FIG. 4: Embodiment). It is performed in the same manner as 1). In step S313 (FIG. 13), the transfer robot TR1 (FIG. 12) transfers the two substrates W arranged at the positions P3 and P4 of the simultaneous processing unit PC1 to the positions P13 and P14 of the simultaneous processing unit PC2. do. The two substrates W here are one product substrate WP (for example, product substrate WP2) and one dummy substrate WD (see FIG. 9). In step S314 (FIG. 13), the transferred product substrate WP and dummy substrate WD are processed by the simultaneous processing unit PC2. In step S315 (FIG. 13), the transfer robot TR1 transfers the product substrate WP2 to the flat flow processing unit PF2 and collects the dummy substrate WD to the substrate storage unit SD. This step S315 is the same as step S303 (FIG. 4: Embodiment 1) except that the product substrate WP and the dummy substrate WD are carried out from the simultaneous processing unit PC2 instead of the simultaneous processing unit PC1.

<1−3.実施の形態3>
<1−3−1.構成>
図14は、本実施の形態3における基板処理システムSY3の構成の概要を示すブロック図である。基板処理システムSY3は、平流し処理部PF1と、平流し処理部PF2と、搬送ロボットTR1と、同時処理部PC1と、基板収納部SDとを有しており、これら各々自体の構成は実施の形態1の場合と同様である。実施の形態1との相違として、本実施の形態においては、搬送ロボットTR1は、平流し処理部PF2へはアクセスできなくてよい。
<1-3. Embodiment 3>
<1-3-1. Configuration>
FIG. 14 is a block diagram showing an outline of the configuration of the substrate processing system SY3 according to the third embodiment. The substrate processing system SY3 has a flat flow processing unit PF1, a flat flow processing unit PF2, a transfer robot TR1, a simultaneous processing unit PC1, and a substrate storage unit SD, and the configuration of each of these is implemented. This is the same as in the case of the first form. As a difference from the first embodiment, in the present embodiment, the transfer robot TR1 does not have to be able to access the flat flow processing unit PF2.

基板処理システムSY3は、さらに、搬送ロボットTR2(第2基板搬送部)と、基板受渡部VDとを有している。搬送ロボットTR2は、同時処理部PC1によって処理された基板Wを搬出する。基板受渡部VDは、同時処理部PC1によって処理された基板Wのうちダミー基板WDを搬送ロボットTR2から受け取る。本実施の形態においては、搬送ロボットTR1は基板受渡部VDから基板収納部SDへダミー基板WDを搬送する。 The substrate processing system SY3 further includes a transfer robot TR2 (second substrate transfer unit) and a substrate delivery unit VD. The transfer robot TR2 carries out the substrate W processed by the simultaneous processing unit PC1. The substrate delivery unit VD receives the dummy substrate WD from the substrate W processed by the simultaneous processing unit PC1 from the transfer robot TR2. In the present embodiment, the transfer robot TR1 transfers the dummy substrate WD from the substrate delivery portion VD to the substrate storage portion SD.

図15は、基板処理システムSY3のうちの、平流し処理部PF1の下流部分(処理部分PF1m、および払出部分PF1o)と、平流し処理部PF2の上流部分(受入部分PF2i、および処理部分PF2m)と、搬送ロボットTR1と、搬送ロボットTR2と、同時処理部PC1と、基板収納部SDと、基板受渡部VDとの構成を示す、平面図(a)および側面図(b)である。なお実施の形態1と同様、N=2の場合の構成が図示されており、以下、主にN=2の場合を例に説明する。 FIG. 15 shows a downstream portion of the flat flow processing unit PF1 (processing portion PF1m and a payout portion PF1o) and an upstream portion of the flat flow processing unit PF2 (accepting portion PF2i and processing portion PF2m) of the substrate processing system SY3. It is a plan view (a) and a side view (b) which show the structure of the transfer robot TR1, the transfer robot TR2, the simultaneous processing part PC1, the board storage part SD, and the board delivery part VD. Similar to the first embodiment, the configuration in the case of N = 2 is illustrated, and the case of N = 2 will be mainly described below as an example.

搬送ロボットTR2は、搬送ロボットTR1のハンドHNDと同様のハンドHND2と、それを変位させる機構とを有している。ハンドHND2は、同時処理部PC1と、基板受渡部VDと、平流し処理部PF2の受入部分PF2iと、の間で変位することができる。 The transfer robot TR2 has a hand HND2 similar to the hand HND of the transfer robot TR1 and a mechanism for displacing the hand HND2. The hand HND2 can be displaced between the simultaneous processing unit PC1, the substrate delivery unit VD, and the receiving portion PF2i of the flat flow processing unit PF2.

基板受渡部VDはダミー基板WDの受け渡しを行う。具体的には、基板受渡部VDは、ダミー基板WDを搬送ロボットTR2から受け取り、受け取ったダミー基板WDを一時的に保持し、保持されているダミー基板WDを搬送ロボットTR1へ渡す。基板受渡部VDは、好ましくは同時処理部PC1の上方に配置されている。基板受渡部VDは、搬送ロボットTR1およびTR2の各々からアクセス可能な位置P7に配置されたピンPV(保持部)を有している。変形例として、ピンPVに代わって、ダミー基板WDを輸送可能なローラ(輸送部)を有していてもよい。この場合、ローラは、その輸送開始位置で搬送ロボットTR2からダミー基板WDを受け取った後、ダミー基板WDを輸送終了位置へと輸送する。搬送ロボットTR1は、輸送終了位置にあるダミー基板WDを搬出する。よって搬送ロボットTR2は輸送終了位置にアクセス可能である必要はなく、また搬送ロボットTR1は輸送開始位置にアクセス可能である必要はない。 The board delivery unit VD delivers the dummy board WD. Specifically, the board delivery unit VD receives the dummy board WD from the transfer robot TR2, temporarily holds the received dummy board WD, and passes the held dummy board WD to the transfer robot TR1. The substrate delivery unit VD is preferably arranged above the simultaneous processing unit PC1. The board delivery unit VD has a pin PV (holding unit) arranged at a position P7 accessible from each of the transfer robots TR1 and TR2. As a modification, instead of the pin PV, a roller (transportation unit) capable of transporting the dummy substrate WD may be provided. In this case, the roller receives the dummy substrate WD from the transfer robot TR2 at the transport start position, and then transports the dummy substrate WD to the transport end position. The transport robot TR1 carries out the dummy board WD at the transport end position. Therefore, the transfer robot TR2 does not need to be accessible to the transport end position, and the transfer robot TR1 does not need to be accessible to the transport start position.

<1−3−2.基板処理方法>
図16は、基板処理システムSY3(図15)による基板処理方法の工程の一部を示すフロー図である。ステップS101およびS102は、実施の形態1の場合(図4)と共通である。
<1-3-2. Substrate processing method>
FIG. 16 is a flow chart showing a part of the steps of the substrate processing method by the substrate processing system SY3 (FIG. 15). Steps S101 and S102 are common to the case of the first embodiment (FIG. 4).

上記ステップS102(図16)による判定結果がYESの場合(N枚の場合)、ステップS221およびS222(図16)が、ステップS201およびS202(図4:実施の形態1)と同様に行われる。ステップS223(図16)にて、搬送ロボットTR2(図15)は製品基板WPを、同時処理部PC1の位置P3およびP4から平流し処理部PF2(図1)の位置P5およびP6へと搬送する。その後、平流し処理部PF2による処理が行われる。 When the determination result in step S102 (FIG. 16) is YES (in the case of N sheets), steps S221 and S222 (FIG. 16) are performed in the same manner as in steps S201 and S202 (FIG. 4: Embodiment 1). In step S223 (FIG. 16), the transfer robot TR2 (FIG. 15) transfers the product substrate WP from the positions P3 and P4 of the simultaneous processing unit PC1 to the positions P5 and P6 of the flat flow processing unit PF2 (FIG. 1). .. After that, processing is performed by the flat flow processing unit PF2.

第2に、上記ステップS102(図16)による判定結果がNOの場合(1枚以上N枚未満の場合)、ステップS321およびS322(図16)が、ステップS301およびS302(図4:実施の形態1)と同様に行われる。ステップS323(図16)にて、搬送ロボットTR2(図15)によって、平流し処理部PF2への製品基板WP2の搬送と、基板受渡部VDへのダミー基板WDの搬送とが行われる。ステップS324(図16)にて、搬送ロボットTR1(図15)が基板受渡部VDから基板収納部SDへダミー基板WDを回収する。 Secondly, when the determination result in step S102 (FIG. 16) is NO (when one or more and less than N), steps S321 and S322 (FIG. 16) are in steps S301 and S302 (FIG. 4: Embodiment). It is performed in the same manner as 1). In step S323 (FIG. 16), the transfer robot TR2 (FIG. 15) transfers the product substrate WP2 to the flat flow processing unit PF2 and the dummy substrate WD to the substrate delivery unit VD. In step S324 (FIG. 16), the transfer robot TR1 (FIG. 15) collects the dummy substrate WD from the substrate delivery portion VD to the substrate storage portion SD.

<1−3−3.効果>
本実施の形態によれば、搬送ロボットTR2は、製品基板WPを搬送する機能に加えて、基板受渡部VDへダミー基板WDを搬送する機能を果たすことができる。また、搬送ロボットTR2と基板受渡部VDと搬送ロボットTR1とが協調してダミー基板WDを回収することができる。
<1-3-3. Effect>
According to the present embodiment, the transfer robot TR2 can fulfill the function of transferring the dummy substrate WD to the substrate delivery portion VD in addition to the function of conveying the product substrate WP. Further, the transfer robot TR2, the substrate delivery unit VD, and the transfer robot TR1 can cooperate to collect the dummy substrate WD.

<1−4.実施の形態4>
図17および図18のそれぞれは、本実施の形態4における基板収納部SD(基板待機部)の構成および動作を概略的に示す平面図である。本実施の形態4においては、基板収納部SD(図2参照)は、ダミー基板WDを整列させるために、少なくとも1つ(図17および図18においては4つ)の整列部LMを有している。整列部LMは、整列ピンAPと、駆動機構AC9とを有している。駆動機構AC9は整列ピンAPをダミー基板WDに対して進退させる。矢印AR9(図18)に示すように整列ピンAPがダミー基板WDへと進行することによって、基板収納部SDにおけるダミー基板WDの位置が所定の位置へと調整される。本実施の形態によれば、同時処理部PC1から回収されてきた時点で乱れた姿勢を有するダミー基板WDを整列させることができる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1〜3の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
<1-4. Embodiment 4>
17 and 18 are plan views schematically showing the configuration and operation of the substrate accommodating portion SD (board standby portion) in the fourth embodiment. In the fourth embodiment, the substrate storage portion SD (see FIG. 2) has at least one (four in FIGS. 17 and 18) alignment portions LM for aligning the dummy substrate WD. There is. The alignment unit LM has an alignment pin AP and a drive mechanism AC9. The drive mechanism AC9 advances and retreats the alignment pin AP with respect to the dummy substrate WD. As shown by the arrow AR9 (FIG. 18), the alignment pin AP advances to the dummy substrate WD, so that the position of the dummy substrate WD in the substrate accommodating portion SD is adjusted to a predetermined position. According to the present embodiment, the dummy substrate WD having a disordered posture at the time of being recovered from the simultaneous processing unit PC1 can be aligned. Since the configurations other than the above are almost the same as the configurations of the above-described first to third embodiments, the same or corresponding elements are designated by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

<1−5.実施の形態5>
図19は、本実施の形態5における基板収納部SD(基板待機部)の構成を概略的に示す側面図である。本実施の形態においては、基板収納部SDに複数のダミー基板WDが待機させられる。よって基板収納部SDは、第1のダミー基板WDおよび第2のダミー基板WDのそれぞれを待機させる待機場所G1(第1の待機場所)および待機場所G2(第2の待機場所)を含む。待機場所G2は待機場所G1の上方に位置している。本実施の形態によれば、実施の形態1〜4に比して、より多くのダミー基板WDの枚数を確保しつつ、平面レイアウトにおいて基板収納部SDが要する面積を抑制することができる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1〜4の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
<1-5. Embodiment 5>
FIG. 19 is a side view schematically showing the configuration of the substrate storage portion SD (board standby portion) according to the fifth embodiment. In the present embodiment, a plurality of dummy substrate WDs are made to stand by in the substrate accommodating portion SD. Therefore, the substrate storage unit SD includes a standby place G1 (first standby place) and a standby place G2 (second standby place) in which each of the first dummy board WD and the second dummy board WD is made to stand by. The waiting place G2 is located above the waiting place G1. According to the present embodiment, as compared with the first to fourth embodiments, it is possible to secure a larger number of dummy substrate WDs and suppress the area required for the substrate accommodating portion SD in the flat layout. Since the configurations other than the above are almost the same as the configurations of the above-described first to fourth embodiments, the same or corresponding elements are designated by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

<2.補足>
次に、平流し処理部、同時処理部および制御部の各々の構成の詳細について補足するための説明を以下に記す。上述した実施の形態1〜5における平流し処理部、同時処理部および制御部として、以下に記す基板処理システムにおける平流し処理部および同時処理部が適用されてよい。
<2. Supplement>
Next, a description for supplementing the details of each configuration of the flat flow processing unit, the simultaneous processing unit, and the control unit will be described below. As the flat flow processing unit, the simultaneous processing unit, and the control unit in the above-described first to fifth embodiments, the flat flow processing unit and the simultaneous processing unit in the substrate processing system described below may be applied.

<2−1.基板処理システムの全体構成・全体動作>
図20は、基板処理システム1の構成の一例を概略的に示す図である。図20の例では、基板処理システム1はコータ/デベロッパ装置であり、主として、洗浄装置12、脱水ベーク装置13、塗布関連装置14、プリベーク装置15、現像装置17およびポストベーク装置18の各処理装置(処理部)を備える。また、基板処理システム1の一方側には、基板処理システム1に対して基板を搬入、搬出するインデクサ部11が配置される。さらに基板処理システム1の他方側に図示しないインターフェイス部を介して露光装置16が配置される。
<2-1. Overall configuration and overall operation of the board processing system>
FIG. 20 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing system 1. In the example of FIG. 20, the substrate processing system 1 is a coater / developer device, and is mainly a cleaning device 12, a dehydration baking device 13, a coating-related device 14, a prebaking device 15, a developing device 17, and a post-baking device 18. (Processing unit) is provided. Further, on one side of the substrate processing system 1, an indexer unit 11 for loading and unloading the substrate to and from the substrate processing system 1 is arranged. Further, the exposure apparatus 16 is arranged on the other side of the substrate processing system 1 via an interface portion (not shown).

インデクサ部11から露光装置16までの行きラインには、洗浄装置12、脱水ベーク装置13、塗布関連装置14およびプリベーク装置15等がこの順で配置される。露光装置16からインデクサ部11までの帰りラインには、現像装置17およびポストベーク装置18等がこの順で配置される。 A cleaning device 12, a dehydration baking device 13, a coating-related device 14, a pre-baking device 15, and the like are arranged in this order on the going line from the indexer section 11 to the exposure device 16. The developing device 17, the post-baking device 18, and the like are arranged in this order on the return line from the exposure device 16 to the indexer section 11.

インデクサ部11には複数の基板を収納する複数のカセットが載置される。インデクサ部11には、基板搬送手段としてのインデクサロボットが配置されている。インデクサロボットはカセットから基板を取り出し、この基板を洗浄装置12へと搬送する。洗浄装置12においては、基板に洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われた基板は、脱水ベーク装置13に搬送される。脱水ベーク装置13においては、加熱により脱水処理(脱水ベーク処理)が行われる。脱水ベーク処理が行われた基板は、塗布関連装置14に搬送され、レジストの塗布処理を含む各種の処理が行われる。この処理が行われた基板は、プリベーク装置15に搬送され、加熱処理が行われる。加熱処理が行われた基板は、露光装置16に搬送され、露光処理が行われる。基板は、例えば液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス基板である。 A plurality of cassettes for accommodating a plurality of substrates are placed on the indexer unit 11. An indexer robot as a substrate transporting means is arranged in the indexer unit 11. The indexer robot takes out the substrate from the cassette and conveys the substrate to the cleaning device 12. In the cleaning device 12, the substrate is cleaned. The washed substrate is conveyed to the dehydration baking device 13. In the dehydration baking apparatus 13, a dehydration treatment (dehydration baking treatment) is performed by heating. The dehydrated-baked substrate is conveyed to the coating-related apparatus 14, and various treatments including a resist coating treatment are performed. The substrate subjected to this treatment is conveyed to the prebaking device 15 and heat-treated. The heat-treated substrate is conveyed to the exposure apparatus 16 and exposed. The substrate is, for example, a rectangular glass substrate used in a liquid crystal display device.

これらの処理が行われた基板は、現像装置17に搬送され、現像処理が行われる。現像処理が行われた基板は、ポストベーク装置18に搬送され、加熱処理が行われる。その後、該基板は、インデクサロボットによってインデクサ部11に載置されるカセットに収容される。これらの一連の処理により、基板の表面にはレジストのパターンが形成される。 The substrate subjected to these treatments is conveyed to the developing apparatus 17 and subjected to the developing treatment. The developed substrate is conveyed to the post-baking device 18 and heat-treated. After that, the substrate is housed in a cassette placed on the indexer section 11 by the indexer robot. By a series of these processes, a resist pattern is formed on the surface of the substrate.

また、基板処理システム1は、各処理装置での処理および基板の搬送を制御する制御部60を有する。図21は、制御部60の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。 Further, the substrate processing system 1 has a control unit 60 that controls processing in each processing apparatus and transfer of the substrate. FIG. 21 is a functional block diagram schematically showing an example of the configuration of the control unit 60.

制御部60は制御回路であって、図21に示されるように、例えば、CPU(Central Processing Unit)61、ROM(Read Only Memory)62、RAM(Random Access Memory)63および記憶装置64等が、バスライン65を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ROM62は基本プログラム等を格納しており、RAM63はCPU61が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置64は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。 The control unit 60 is a control circuit, and as shown in FIG. 21, for example, a CPU (Central Processing Unit) 61, a ROM (Read Only Memory) 62, a RAM (Random Access Memory) 63, a storage device 64, and the like are included. It is composed of general computers interconnected via a bus line 65. The ROM 62 stores a basic program and the like, and the RAM 63 is provided as a work area when the CPU 61 performs a predetermined process. The storage device 64 is composed of a flash memory or a non-volatile storage device such as a hard disk device.

また、制御部60では、入力部66、表示部67、通信部68もバスライン65に接続されている。入力部66は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部67は、液晶表示装置およびランプ等により構成されており、CPU61による制御のもと各種の情報を表示する。通信部68は、LAN(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有する。 Further, in the control unit 60, the input unit 66, the display unit 67, and the communication unit 68 are also connected to the bus line 65. The input unit 66 is composed of various switches, a touch panel, or the like, and receives various input setting instructions such as processing recipes from the operator. The display unit 67 is composed of a liquid crystal display device, a lamp, and the like, and displays various information under the control of the CPU 61. The communication unit 68 has a data communication function via a LAN (Local Area Network) or the like.

また、制御部60には、各ロボット(インデクサロボット等の搬送ロボットなど)および上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部60は基板の搬送を制御する搬送制御部として機能できる。 Further, each robot (such as a transfer robot such as an indexer robot) and each of the above-mentioned processing devices are connected to the control unit 60 as control targets. That is, the control unit 60 can function as a transfer control unit that controls the transfer of the substrate.

制御部60の記憶装置64には、基板処理システム1を構成する各装置の搬送制御についての複数のモードが予め設定されている(設定工程)。制御部60のCPU61が処理プログラムPを実行することによって、上記複数のモードのうちの1つのモードが選択され、該モードによって基板の搬送動作が制御される(実行工程)。また、処理プログラムPは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部60(コンピュータ)に処理プログラムPをインストールすることができる。また制御部60が実行する機能の一部または全部は必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。 The storage device 64 of the control unit 60 is preset with a plurality of modes for transport control of each device constituting the substrate processing system 1 (setting step). When the CPU 61 of the control unit 60 executes the processing program P, one of the plurality of modes is selected, and the transfer operation of the substrate is controlled by the mode (execution step). Further, the processing program P may be stored in the recording medium. By using this recording medium, the processing program P can be installed in the control unit 60 (computer). Further, a part or all of the functions executed by the control unit 60 do not necessarily have to be realized by software, and may be realized by hardware such as a dedicated logic circuit.

<2−2.処理装置のタイプ>
この基板処理システム1では、処理装置のタイプとして次の2つのタイプの処理装置が混在している。すなわち、基板を順次に一方向に搬送しつつ当該基板Wに対して1枚ずつ処理を行う平流し処理装置(平流し処理部)と、N(2以上の整数)枚の基板に対して一括して同時に処理する同時処理装置(同時処理部)とが混在する。なお同時処理装置によるN枚の基板の処理期間は完全に一致する必要はなく、各処理期間の少なくとも一部が重なっていればよい。要するに、ここでいう同時とは、各処理期間が全く重ならない状態と対比した意味で用いられる。平流し処理装置としては、洗浄装置12および現像装置17が例示され、同時処理装置としては、脱水ベーク装置13、塗布関連装置14、プリベーク装置15およびポストベーク装置18が例示される。
<2-2. Processing device type>
In this substrate processing system 1, the following two types of processing devices are mixed as the types of processing devices. That is, a flat flow processing device (flat flow processing unit) that sequentially transports the boards in one direction and processes the boards W one by one, and N (integer of 2 or more) of the boards at once. Simultaneous processing equipment (simultaneous processing unit) for simultaneous processing is mixed. It is not necessary that the processing periods of the N substrates by the simultaneous processing apparatus completely match, and it is sufficient that at least a part of each processing period overlaps. In short, the term "simultaneous" as used herein is used in contrast to a state in which the processing periods do not overlap at all. Examples of the flat flow processing device include a cleaning device 12 and a developing device 17, and examples of the simultaneous processing device include a dehydration baking device 13, a coating-related device 14, a pre-baking device 15, and a post-baking device 18.

<2−2−1.平流し処理装置>
図22は、平流し処理装置30の構成の一例を概略的に示す図である。平流し処理装置30は基板導入部(受入部分)31と処理装置本体(処理部分)32と基板導出部(払出部分)33とを備えている。基板導入部31は上流の装置から搬送される基板Wを受け取る。処理装置本体32は基板導入部31から搬送される基板Wを受け取り、この基板Wを一方向(搬送方向)に沿って搬送させつつ、基板Wに対して各種の処理を行う。処理後の基板Wは処理装置本体32から基板導出部33へと搬送される。基板導出部33は処理装置本体32から搬送された基板Wを順次に受け取る。基板導出部33は順次に受け取った基板Wを複数(N枚)保持することができる。複数の基板Wは基板導出部33から一括して取り出されて、下流の装置へと搬送される。
<2-2-1. Flat flow processing equipment>
FIG. 22 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the flat flow processing device 30. The flat flow processing apparatus 30 includes a substrate introduction portion (accepting portion) 31, a processing apparatus main body (processing portion) 32, and a substrate lead-out portion (delivery portion) 33. The board introduction unit 31 receives the board W conveyed from the upstream device. The processing device main body 32 receives the substrate W transported from the substrate introduction unit 31, and performs various processes on the substrate W while transporting the substrate W along one direction (conveying direction). The processed substrate W is conveyed from the processing apparatus main body 32 to the substrate lead-out unit 33. The board lead-out unit 33 sequentially receives the board W conveyed from the processing device main body 32. The board lead-out unit 33 can hold a plurality (N sheets) of the boards W received in sequence. The plurality of substrates W are collectively taken out from the substrate lead-out unit 33 and transported to a downstream device.

以下では、平流し処理装置30として洗浄装置12を例に挙げて説明する。なお、基板導入部31および基板導出部33についての以下の説明は他の平流し処理装置30(例えば現像装置17)にも共通する。その一方で、処理装置本体32は実質的な基板の処理を司るブロックであるので、処理装置本体32の洗浄に関する以下の説明は洗浄装置12に固有の説明である。 In the following, the cleaning device 12 will be described as an example of the flat flow processing device 30. The following description of the substrate introduction unit 31 and the substrate lead-out unit 33 is common to other flat flow processing devices 30 (for example, the developing device 17). On the other hand, since the processing device main body 32 is a block that controls the substantial processing of the substrate, the following description regarding the cleaning of the processing device main body 32 is a description peculiar to the cleaning device 12.

<2−2−1−1.基板導入部31>
基板導入部31は搬送コンベアとしての複数のローラ311および複数のローラ313を有している。ローラ311,313の断面は円形状を有しており、ローラ311,313は、その中心軸が基板Wの搬送方向D1に略垂直かつ略水平となる姿勢で設けられる。複数のローラ311は搬送方向D1に沿って間隔を空けて並んで設けられる。各ローラ311は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ311の中心軸における両端は、それぞれ支持板(不図示)に回転可能に固定される。この一対の支持板は搬送方向D1に沿って延びる板状部材であり、床面に設けられた所定の架台312に固定される。複数のローラ313は搬送方向D1に沿って間隔を空けて並んで設けられる。ローラ313はローラ311よりも下流側に位置しており、ローラ311と同じ高さに設けられている。各ローラ313は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ313の中心軸における両端は、それぞれ支持板に回転可能に固定される。
<2-2-1-1. Board introduction section 31>
The substrate introduction unit 31 has a plurality of rollers 311 and a plurality of rollers 313 as a conveyor. The cross section of the rollers 311, 313 has a circular shape, and the rollers 311, 313 are provided in a posture in which the central axis thereof is substantially perpendicular to and substantially horizontal to the transport direction D1 of the substrate W. The plurality of rollers 311 are provided side by side at intervals along the transport direction D1. Each roller 311 can rotate about its own central axis as a rotation axis. Both ends of each roller 311 on the central axis are rotatably fixed to a support plate (not shown). The pair of support plates are plate-shaped members extending along the transport direction D1 and are fixed to a predetermined pedestal 312 provided on the floor surface. The plurality of rollers 313 are provided side by side at intervals along the transport direction D1. The roller 313 is located on the downstream side of the roller 311 and is provided at the same height as the roller 311. Each roller 313 can rotate about its own central axis as a rotation axis. Both ends of each roller 313 on the central axis are rotatably fixed to the support plate.

複数のローラ311は駆動部(不図示)によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転(同期回転)する。駆動部はモータを有しており、制御部60によって制御される。複数のローラ311の上に基板Wが載置される。基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。この状態で、複数のローラ311が同じ方向に同期回転することにより、基板Wはローラ311の上を搬送方向D1に沿って処理装置本体32へと移動する。複数のローラ313も駆動部(不図示)によって駆動されて同期回転する。ローラ311,313は独立して制御される。 The plurality of rollers 311 are driven by a drive unit (not shown) and rotate (synchronously rotate) in the same predetermined direction at substantially equal rotation speeds. The drive unit has a motor and is controlled by the control unit 60. The substrate W is placed on the plurality of rollers 311. The substrate W is placed in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. In this state, the plurality of rollers 311 rotate synchronously in the same direction, so that the substrate W moves on the rollers 311 to the processing apparatus main body 32 along the transport direction D1. The plurality of rollers 313 are also driven by a drive unit (not shown) to rotate synchronously. The rollers 311, 313 are independently controlled.

ローラ311,313の上には、1枚ずつ基板Wが載置されてもよい。例えばインデクサ部11から2枚の基板W1がローラ311,313の上に載置されてもよい。この状態で制御部60はローラ313のみを同期回転させることにより、ローラ313上の基板Wを処理装置本体32へと搬送する。次に制御部60はローラ311,313の両方を同期回転させることにより、ローラ313上の基板Wを処理装置本体32へと搬送する。 The substrate W may be placed one by one on the rollers 311, 313. For example, two substrates W1 from the indexer portion 11 may be placed on the rollers 311, 313. In this state, the control unit 60 conveys the substrate W on the roller 313 to the processing device main body 32 by synchronously rotating only the roller 313. Next, the control unit 60 conveys the substrate W on the roller 313 to the processing device main body 32 by rotating both the rollers 311, 313 synchronously.

<2−2−1−2.処理装置本体32>
処理装置本体32は薬液部34、水洗部35および水切り部36を有している。薬液部34、水洗部35および水切り部36は上流から下流へ向かってこの順で直列に設けられている。また処理装置本体32は搬送コンベアとしての複数のローラ321も有している。複数のローラ321はローラ311と同様の形状を有しており、ローラ311と同様の姿勢で配置される。複数のローラ321は搬送方向D1に沿って間隔を空けて並んでいる。複数のローラ321は基板導入部31のローラ311と同じ高さに設けられており、基板Wはローラ311からローラ321へと移動することができる。また複数のローラ321は薬液部34、水洗部35および水切り部36に亘って設けられている。複数のローラ321は駆動部(不図示)によって駆動されて同期回転する。これにより、基板Wを搬送方向D1に搬送して、薬液部34、水洗部35および水切り部36をこの順で通過させることができる。
<2-2-1-2. Processing device body 32>
The processing device main body 32 has a chemical solution unit 34, a water washing unit 35, and a draining unit 36. The chemical solution portion 34, the water washing portion 35, and the draining portion 36 are provided in series in this order from upstream to downstream. The processing device main body 32 also has a plurality of rollers 321 as a conveyor. The plurality of rollers 321 have the same shape as the roller 311 and are arranged in the same posture as the roller 311. The plurality of rollers 321 are arranged at intervals along the transport direction D1. The plurality of rollers 321 are provided at the same height as the rollers 311 of the substrate introduction portion 31, and the substrate W can move from the rollers 311 to the rollers 321. Further, the plurality of rollers 321 are provided over the chemical solution portion 34, the water washing portion 35, and the draining portion 36. The plurality of rollers 321 are driven by a drive unit (not shown) and rotate synchronously. As a result, the substrate W can be transported in the transport direction D1 and passed through the chemical solution section 34, the water washing section 35, and the draining section 36 in this order.

薬液部34は、ローラ321上の基板Wへと薬液を供給して基板Wを洗浄する装置である。薬液部34は、薬液を吐出する複数のノズル341と、薬液を貯留する薬液槽342と、薬液槽342およびノズル341を繋ぐ供給管343と、供給管343を経由して薬液をノズル341へ供給するポンプ344とを備えている。ノズル341は鉛直方向において基板Wの両側に設けられており、基板Wの両面へと薬液を供給する。薬液部34は、基板Wをブラッシングするためのブラシ(不図示)などを有していてもよい。薬液を基板Wに供給しながらブラッシングを行うことにより、洗浄効果を高めることができる。基板Wに供給された薬液は主として基板Wの周縁から落ちて、薬液槽342へと回収される。 The chemical solution unit 34 is a device for cleaning the substrate W by supplying the chemical solution to the substrate W on the roller 321. The chemical solution unit 34 supplies the chemical solution to the nozzle 341 via a plurality of nozzles 341 for discharging the chemical solution, a chemical solution tank 342 for storing the chemical solution, a supply pipe 343 connecting the chemical solution tank 342 and the nozzle 341, and a supply pipe 343. It is equipped with a pump 344. Nozzles 341 are provided on both sides of the substrate W in the vertical direction, and supply chemicals to both sides of the substrate W. The chemical solution unit 34 may have a brush (not shown) for brushing the substrate W or the like. The cleaning effect can be enhanced by brushing while supplying the chemical solution to the substrate W. The chemical solution supplied to the substrate W mainly falls from the peripheral edge of the substrate W and is collected in the chemical solution tank 342.

水洗部35は、基板Wに対して洗浄水を供給することで基板Wに残留した薬液を洗い流す装置である。水洗部35は洗浄水を貯留する第1水槽355および第2水槽356を有している。また水洗部35は上流から下流に向かってこの順で配置される低圧水供給部351、高圧水供給部352、超音波洗浄水供給部353および純水供給部354を有している。各部351〜354は薬液部34と同様に、基板Wに液を吐出するノズルと、当該ノズルに連結された供給管と、を備えている。低圧水供給部351は、レギュレータ(圧力調整部)によって調整された低い圧力で第1水槽355から洗浄水をノズルに供給する。これにより、低圧水供給部351は低圧で洗浄水を基板Wに供給できる。高圧水供給部352は、レギュレータによって調整された高い圧力で第1水槽355から洗浄水をノズルに供給する。これにより、高圧水供給部352は高圧で洗浄水を基板Wに供給できる。低圧水供給部351および高圧水供給部352によって供給された洗浄水は主として基板Wの周縁から落ちて第1水槽355へと回収される。 The water washing unit 35 is a device for washing away the chemical solution remaining on the substrate W by supplying washing water to the substrate W. The washing unit 35 has a first water tank 355 and a second water tank 356 for storing washing water. Further, the water washing unit 35 has a low pressure water supply unit 351, a high pressure water supply unit 352, an ultrasonic cleaning water supply unit 353, and a pure water supply unit 354 arranged in this order from upstream to downstream. Like the chemical solution section 34, each section 351 to 354 includes a nozzle for discharging the liquid to the substrate W and a supply pipe connected to the nozzle. The low-pressure water supply unit 351 supplies wash water from the first water tank 355 to the nozzle at a low pressure adjusted by a regulator (pressure adjusting unit). As a result, the low-pressure water supply unit 351 can supply the washing water to the substrate W at a low pressure. The high-pressure water supply unit 352 supplies the washing water from the first water tank 355 to the nozzle at a high pressure adjusted by the regulator. As a result, the high-pressure water supply unit 352 can supply the washing water to the substrate W at high pressure. The wash water supplied by the low-pressure water supply unit 351 and the high-pressure water supply unit 352 mainly falls from the peripheral edge of the substrate W and is collected in the first water tank 355.

超音波洗浄水供給部353のノズルには、第2水槽356からの洗浄水に超音波振動を付与する超音波振動子が設けられている。超音波洗浄水供給部353は、振動状態の洗浄水を基板Wへと供給する。超音波洗浄水供給部353によって供給された洗浄水は主として第2水槽356へ回収される。純水供給部354のノズルからは、純水が基板Wに向かって供給される。この純水は主として第2水槽356へ回収される。 The nozzle of the ultrasonic cleaning water supply unit 353 is provided with an ultrasonic vibrator that applies ultrasonic vibration to the cleaning water from the second water tank 356. The ultrasonic cleaning water supply unit 353 supplies cleaning water in a vibrating state to the substrate W. The cleaning water supplied by the ultrasonic cleaning water supply unit 353 is mainly collected in the second water tank 356. Pure water is supplied toward the substrate W from the nozzle of the pure water supply unit 354. This pure water is mainly collected in the second water tank 356.

水切り部36は基板Wへと高圧の気流を流すことで基板Wから水を吹き飛ばす装置である。水切り部36は、基板Wに気体を噴射する噴射部361と、気体を供給する気体供給部362と、噴射部361および気体供給部362を連結する管路363とを有している。気体供給部362は工場設備(ユーティリティ)として設けられた気体源である。 The draining portion 36 is a device that blows water from the substrate W by flowing a high-pressure air flow to the substrate W. The draining unit 36 has an injection unit 361 that injects gas onto the substrate W, a gas supply unit 362 that supplies gas, and a pipeline 363 that connects the injection unit 361 and the gas supply unit 362. The gas supply unit 362 is a gas source provided as factory equipment (utility).

以上のように、処理装置本体32において基板Wは搬送方向D1に沿って搬送されて、各位置において各種の処理が行われる。処理装置本体32によって全ての処理が行われた基板Wは基板導出部33へと搬送される。 As described above, in the processing apparatus main body 32, the substrate W is transported along the transport direction D1, and various processes are performed at each position. The substrate W that has been completely processed by the processing apparatus main body 32 is conveyed to the substrate lead-out unit 33.

<2−2−1−3.基板導出部33>
基板導出部33は、処理装置本体32から順次に搬送される基板Wの複数(N枚)を保持することができる。基板導出部33が保持可能な基板Wの枚数は、次の同時処理装置40(例えば脱水ベーク装置13)で処理される基板Wの枚数と同じである。ここでは、一例として、基板導出部33は2枚の基板Wを保持し、同時処理装置40は2枚の基板Wに対して同時に処理を行うものとする。
<2-2-1-3. Board lead-out unit 33>
The board lead-out unit 33 can hold a plurality (N sheets) of boards W that are sequentially conveyed from the processing device main body 32. The number of substrates W that can be held by the substrate lead-out unit 33 is the same as the number of substrates W that are processed by the next simultaneous processing device 40 (for example, the dehydration baking device 13). Here, as an example, it is assumed that the substrate lead-out unit 33 holds two substrates W, and the simultaneous processing device 40 simultaneously processes the two substrates W.

基板導出部33は、搬送コンベアとしての複数の第1ローラ331および複数の第2ローラ332と、センサ334,335とを備えている。第1ローラ331の断面は円形状を有している。第1ローラ331は、その中心軸が基板Wの搬送方向D1に垂直かつ水平となる姿勢で搬送方向D1に沿って間隔を空けて配置される。第2ローラ332は第1ローラ331よりも下流側に配置される。第2ローラ332も第1ローラ331と同様の形状を有し、第1ローラ331と同様の姿勢で搬送方向D1に沿って間隔を空けて配置される。複数の第1ローラ331は第1駆動部(不図示)によって同期回転し、第2ローラ332は第2駆動部(不図示)によって同期回転する。第1ローラ331および第2ローラ332は互いに異なる第1駆動部および第2駆動部によって駆動されるので、互いに独立して制御可能である。第1駆動部は例えばモータを有し、第2駆動部は例えばモータを有する。第1駆動部および第2駆動部は制御部60によって制御される。 The board lead-out unit 33 includes a plurality of first rollers 331 and a plurality of second rollers 332 as a conveyor, and sensors 334 and 335. The cross section of the first roller 331 has a circular shape. The first roller 331 is arranged at intervals along the transport direction D1 in a posture in which the central axis thereof is perpendicular and horizontal to the transport direction D1 of the substrate W. The second roller 332 is arranged on the downstream side of the first roller 331. The second roller 332 also has the same shape as the first roller 331, and is arranged in the same posture as the first roller 331 at intervals along the transport direction D1. The plurality of first rollers 331 are synchronously rotated by the first drive unit (not shown), and the second roller 332 is synchronously rotated by the second drive unit (not shown). Since the first roller 331 and the second roller 332 are driven by the first drive unit and the second drive unit that are different from each other, they can be controlled independently of each other. The first drive unit has, for example, a motor, and the second drive unit has, for example, a motor. The first drive unit and the second drive unit are controlled by the control unit 60.

第1ローラ331および第2ローラ332は、ローラ321と同じ高さに設けられており、これらが同期回転することで、基板Wはローラ321から第1ローラ331へと搬送され、適宜に第1ローラ331から第2ローラ332へと搬送される。後に説明するように、第1ローラ331の上には1枚の基板Wが停止し、第2ローラ332の上には1枚の基板Wが停止する。これにより、基板導出部33は2枚の基板Wを保持することができる。 The first roller 331 and the second roller 332 are provided at the same height as the roller 321. When they rotate synchronously, the substrate W is transported from the roller 321 to the first roller 331, and the first roller 331 is appropriately transported. It is conveyed from the roller 331 to the second roller 332. As will be described later, one substrate W is stopped on the first roller 331, and one substrate W is stopped on the second roller 332. As a result, the substrate lead-out unit 33 can hold the two substrates W.

センサ334は第1ローラ331上の停止位置に基板Wが存在しているか否かを検出する。センサ335は第2ローラ332上の停止位置に基板Wが存在しているか否かを検出する。センサ334,335は例えば光学式のセンサであって、基板Wからの反射光を受光したときに、基板Wを検出する。センサ334,335の検出結果は制御部60へと出力される。 The sensor 334 detects whether or not the substrate W exists at the stop position on the first roller 331. The sensor 335 detects whether or not the substrate W exists at the stop position on the second roller 332. The sensors 334 and 335 are, for example, optical sensors, and detect the substrate W when the reflected light from the substrate W is received. The detection results of the sensors 334 and 335 are output to the control unit 60.

基板導出部33は処理装置本体32から2枚の基板Wを順次に受け取り、これらを保持することができる。まず1枚目の基板Wは第1ローラ331および第2ローラ332が同期回転することで、第2ローラ332の上の停止位置まで搬送される。具体的には、センサ334,335の両方が基板Wを検出していないときに、制御部60はローラ332、第1ローラ331および第2ローラ332を同期回転させて、処理装置本体32からの基板Wを基板導出部33へと搬送する。そしてセンサ335が基板Wを検出したときに制御部60は第2ローラ332の同期回転を停止する。これにより、1枚目の基板Wは第2ローラ332上で停止して支持される。2枚目の基板Wに対しては、制御部60は第2ローラ332を回転させず、ローラ321および第1ローラ331を同期回転させることにより、第1ローラ331の停止位置まで当該基板Wを搬送する。具体的にはセンサ334が基板Wを検出したときに制御部60は第1ローラ331の同期回転を停止する。つまり、センサ334,335の両方が基板Wを検出しているときに、制御部60は第1ローラ331の同期回転を停止する。これにより、2枚目の基板Wは第1ローラ331上で停止して支持される。このように基板導出部33は2枚の基板Wを保持することができる。 The board lead-out unit 33 can sequentially receive two boards W from the processing device main body 32 and hold them. First, the first substrate W is conveyed to a stop position on the second roller 332 by the synchronous rotation of the first roller 331 and the second roller 332. Specifically, when both the sensors 334 and 335 do not detect the substrate W, the control unit 60 synchronously rotates the roller 332, the first roller 331, and the second roller 332 from the processing device main body 32. The board W is transported to the board lead-out unit 33. Then, when the sensor 335 detects the substrate W, the control unit 60 stops the synchronous rotation of the second roller 332. As a result, the first substrate W is stopped and supported on the second roller 332. For the second substrate W, the control unit 60 does not rotate the second roller 332, but synchronously rotates the roller 321 and the first roller 331 to bring the substrate W to the stop position of the first roller 331. Transport. Specifically, when the sensor 334 detects the substrate W, the control unit 60 stops the synchronous rotation of the first roller 331. That is, when both the sensors 334 and 335 detect the substrate W, the control unit 60 stops the synchronous rotation of the first roller 331. As a result, the second substrate W is stopped and supported on the first roller 331. In this way, the substrate lead-out unit 33 can hold the two substrates W.

以下では、2枚の基板Wの一方を基板W1とも呼び、他方を基板W2とも呼ぶ。ここでは基板W1は第1ローラ331上で停止し、基板W2は第2ローラ332上で停止するものとする。また以下では搬送方向D1に直交し且つ水平な方向を幅方向D2とも呼ぶ。 Hereinafter, one of the two substrates W is also referred to as a substrate W1, and the other is also referred to as a substrate W2. Here, it is assumed that the substrate W1 stops on the first roller 331 and the substrate W2 stops on the second roller 332. Further, in the following, the direction orthogonal to the transport direction D1 and horizontal is also referred to as the width direction D2.

また基板導出部33は2枚の基板Wの間隔を調整することができる。具体的には、基板導出部33は第1ローラ331および第2ローラ332の回転を制御することで、この搬送コンベア上に順次、搬入される2枚の基板Wの停止位置をそれぞれ制御して、2枚の基板Wの間隔を調整できる。基板導出部33は、この搬入された2枚の基板Wの間隔を、直後の脱水ベーク装置13にて2枚の基板Wを同時に処理する際の当該間隔に調整する。後に説明するように、調整後の間隔は、2枚の基板Wの両方が脱水ベーク装置13の基板保持部の上に載置できる程度の間隔である。つまり、2枚の基板Wの間隔が広すぎると下流側の基板保持部の上に載置できないので、基板導出部33は予め間隔を調整しておくのである。 Further, the substrate lead-out unit 33 can adjust the distance between the two substrates W. Specifically, the substrate lead-out unit 33 controls the rotation of the first roller 331 and the second roller 332 to control the stop positions of the two substrates W that are sequentially carried onto the conveyor. The distance between the two substrates W can be adjusted. The board lead-out unit 33 adjusts the distance between the two carried-in boards W to the distance when the two boards W are processed at the same time by the dehydration baking device 13 immediately after. As will be described later, the adjusted spacing is such that both of the two substrates W can be placed on the substrate holding portion of the dehydration baking apparatus 13. That is, if the distance between the two substrates W is too wide, it cannot be placed on the substrate holding portion on the downstream side, so the substrate lead-out portion 33 adjusts the distance in advance.

基板導出部33は2枚の基板W1,W2を整列するための整列部を備えてもよい。基板W1,W2は幅方向D2における位置が調整されて、整列する。 The substrate lead-out unit 33 may include an alignment unit for aligning the two substrates W1 and W2. The positions of the substrates W1 and W2 in the width direction D2 are adjusted and aligned.

<2−3.同時処理装置40>
図23および図24は、同時処理装置40の構成の一例を概略的に示す図である。ここでは同時処理装置40として脱水ベーク装置13および塗布関連装置14を例に挙げて説明する。図23は、脱水ベーク装置13の構成の一例を示す概略的な図であり、図24は、塗布関連装置14の構成の一例を概略的に示す図である。図23および図24においては、基板Wの搬送方向がブロック矢印で示されている。
<2-3. Simultaneous processing device 40>
23 and 24 are diagrams schematically showing an example of the configuration of the simultaneous processing device 40. Here, the dehydration baking device 13 and the coating-related device 14 will be described as an example of the simultaneous processing device 40. FIG. 23 is a schematic view showing an example of the configuration of the dehydration baking device 13, and FIG. 24 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the coating-related device 14. In FIGS. 23 and 24, the transport direction of the substrate W is indicated by a block arrow.

<2−3−1.脱水ベーク装置13>
脱水ベーク装置13は加熱部HPおよび冷却部CPを備えている。この脱水ベーク装置13は、洗浄装置12によって洗浄処理が行われた2枚の基板Wを搬送ロボット(基板搬送手段)TR1から受け取り、受け取った2枚の基板Wに対して処理を行う。
<2-3-1. Dehydration baking device 13>
The dehydration baking device 13 includes a heating unit HP and a cooling unit CP. The dehydration baking device 13 receives the two substrates W cleaned by the cleaning device 12 from the transfer robot (board transfer means) TR1, and processes the two received substrates W.

<2−3−1−1.搬送ロボットTR1>
搬送ロボットTR1はハンドH1と移動機構51と昇降機構52と回転機構53とを有している。移動機構51はハンドH1を水平面内で移動させることができる。例えば移動機構51は一対のアームを有している。各アームは長尺状の複数の連結部材を有しており、その連結部材の端部同士が回転可能に連結される。各アームの一端はハンドH1に連結され、他端は昇降機構52に連結される。連結部材の連結角度が制御されることで、ハンドH1を水平面内で移動させることができる。昇降機構52はアームを鉛直方向に沿って昇降させることで、ハンドH1を昇降させる。昇降機構52は例えばボールねじ機構を有している。回転機構53は鉛直方向に沿う回転軸を中心として昇降機構52を回転させることができる。これにより、ハンドH1は周方向に沿って回動する。この回動により、ハンドH1の向きを変えることができる。回転機構53は例えばモータを有している。移動機構51、昇降機構52および回転機構53は制御部60によって制御される。
<2-3-1-1. Transfer robot TR1>
The transfer robot TR1 has a hand H1, a moving mechanism 51, an elevating mechanism 52, and a rotating mechanism 53. The moving mechanism 51 can move the hand H1 in a horizontal plane. For example, the moving mechanism 51 has a pair of arms. Each arm has a plurality of elongated connecting members, and the ends of the connecting members are rotatably connected to each other. One end of each arm is connected to the hand H1 and the other end is connected to the elevating mechanism 52. By controlling the connecting angle of the connecting member, the hand H1 can be moved in the horizontal plane. The elevating mechanism 52 raises and lowers the hand H1 by raising and lowering the arm along the vertical direction. The elevating mechanism 52 has, for example, a ball screw mechanism. The rotation mechanism 53 can rotate the elevating mechanism 52 around a rotation axis along the vertical direction. As a result, the hand H1 rotates along the circumferential direction. By this rotation, the direction of the hand H1 can be changed. The rotation mechanism 53 has, for example, a motor. The moving mechanism 51, the elevating mechanism 52, and the rotating mechanism 53 are controlled by the control unit 60.

ハンドH1には、2枚の基板Wが水平な一方向において並んだ状態で載置される。ハンドH1は例えば複数本の指状部材F1と、指状部材F1の基端を連結する基端部材P1を有している。この基端部材P1にはアームの一端が連結される。指状部材F1は長尺状の形状を有しており、その上面において基板Wが載置される。この2枚の基板Wは指状部材F1の長手方向に沿って並んで載置される。よって、指状部材F1の長手方向の長さは、基板Wの2枚分の長さと、基板Wの間の間隔とに応じて設定される。 The two substrates W are placed side by side in one horizontal direction on the hand H1. The hand H1 has, for example, a plurality of finger-shaped members F1 and a base end member P1 that connects the base ends of the finger-shaped members F1. One end of the arm is connected to the base end member P1. The finger-shaped member F1 has an elongated shape, and the substrate W is placed on the upper surface thereof. The two substrates W are placed side by side along the longitudinal direction of the finger-shaped member F1. Therefore, the length of the finger-shaped member F1 in the longitudinal direction is set according to the length of two substrates W and the distance between the substrates W.

搬送ロボットTR1はハンドH1を適宜に移動および回転させることで、ハンドH1を加熱部HP、冷却部CP、洗浄装置12の基板導出部33および次工程の塗布関連装置14(図23において不図示)の各々へと移動させることができる。搬送ロボットTR1は2枚の基板Wを一括して基板導出部33、加熱部HPおよび冷却部CPの各々から取り出したり、あるいは、2枚の基板Wを一括して加熱部HP、冷却部CPおよび塗布関連装置14の各々へ渡したりすることができる。 The transfer robot TR1 appropriately moves and rotates the hand H1 to move the hand H1 to the heating unit HP, the cooling unit CP, the substrate lead-out unit 33 of the cleaning device 12, and the coating-related device 14 in the next process (not shown in FIG. 23). Can be moved to each of. The transfer robot TR1 collectively takes out the two substrates W from each of the substrate lead-out unit 33, the heating unit HP, and the cooling unit CP, or collectively removes the two substrates W from the heating unit HP, the cooling unit CP, and the cooling unit CP. It can be handed over to each of the coating-related devices 14.

例えば搬送ロボットTR1は次のように基板導出部33から2枚の基板Wを一括して取り出す。すなわち、搬送ロボットTR1は、基板導出部33で保持された2枚の基板Wの下方にハンドH1を位置させるべく、ハンドH1を基板導出部33へと移動させる。 For example, the transfer robot TR1 collectively takes out two boards W from the board lead-out unit 33 as follows. That is, the transfer robot TR1 moves the hand H1 to the board lead-out unit 33 in order to position the hand H1 below the two boards W held by the board lead-out unit 33.

基板Wは、図2に示されるような、昇降するリフトピンLP1およびLP2(図23において不図示)を介して搬送される。なお第1ローラ331および第2ローラ332は、搬送ロボットTR1のハンドH1との衝突を避けるように構成されている。例えば図23においては、複数の第1ローラ331は上から見て格子状に配置されている。具体的には、3つの第1ローラ331が配列方向D1に沿って間隔を空けて並んでいる。この3つの第1ローラ331を有する組が5つ設けられており、この5つの組が幅方向D2に沿って間隔を空けて設けられている。幅方向D2に沿って並ぶ5つの第1ローラ331は互いに同一の軸に連結されており、この軸の周りで回転する。第2ローラ332も同様に配置される。第1ローラ331の各組は第2ローラ332の各組と配列方向D1に沿って並んでいる。指状部材F1は、第1ローラ331および第2ローラ332に衝突しないように、第1ローラ311の組の相互間および第2ローラ332の組の相互間に挿入される。 The substrate W is conveyed via lift pins LP1 and LP2 (not shown in FIG. 23) that move up and down as shown in FIG. The first roller 331 and the second roller 332 are configured to avoid collision with the hand H1 of the transfer robot TR1. For example, in FIG. 23, the plurality of first rollers 331 are arranged in a grid pattern when viewed from above. Specifically, three first rollers 331 are arranged at intervals along the arrangement direction D1. Five sets having the three first rollers 331 are provided, and these five sets are provided at intervals along the width direction D2. Five first rollers 331 arranged along the width direction D2 are connected to each other on the same axis and rotate around this axis. The second roller 332 is also arranged in the same manner. Each set of the first roller 331 is aligned with each set of the second roller 332 along the arrangement direction D1. The finger-shaped member F1 is inserted between the sets of the first rollers 311 and between the sets of the second rollers 332 so as not to collide with the first roller 331 and the second roller 332.

そして搬送ロボットTR1はハンドH1を鉛直上方へと上昇させることで、2枚の基板WがハンドH1によって持ち上げられる。これにより、2枚の基板Wはそれぞれ第1ローラ331および第2ローラ332から離れる。2枚の基板WはハンドH1の上において、その長手方向に沿って間隔を空けて並んで載置されることになる。2枚の基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢でハンドH1の上に載置される。また、この搬出動作において2枚の基板Wには水平方向の力がほとんど生じないので、基板導出部33における2枚の基板Wの間隔は、搬送ロボットTR1においても実質的に維持される。 Then, the transfer robot TR1 raises the hand H1 vertically upward, so that the two substrates W are lifted by the hand H1. As a result, the two substrates W are separated from the first roller 331 and the second roller 332, respectively. The two substrates W are placed side by side on the hand H1 at intervals along the longitudinal direction thereof. The two substrates W are placed on the hand H1 in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. Further, since almost no horizontal force is generated on the two substrates W in this carrying-out operation, the distance between the two substrates W in the substrate lead-out unit 33 is substantially maintained even in the transfer robot TR1.

次に搬送ロボットTR1はハンドH1を基板導出部33から遠ざけるように移動させることで、基板導出部33から2枚の基板Wを一括して取り出す。 Next, the transfer robot TR1 moves the hand H1 away from the board lead-out unit 33, so that the two boards W are collectively taken out from the board lead-out unit 33.

なお指状部材F1の上面(基板Wが載置される面)には、複数の吸引口が形成されていても構わない。この吸引口は2枚の基板Wと対向する位置に設けられており、当該吸引口から空気が引き抜かれて基板Wを吸引する。これにより、基板Wを保持するための保持力を向上できる。 A plurality of suction ports may be formed on the upper surface of the finger-shaped member F1 (the surface on which the substrate W is placed). This suction port is provided at a position facing the two substrates W, and air is drawn from the suction port to suck the substrate W. Thereby, the holding force for holding the substrate W can be improved.

搬送ロボットTR1は上記動作と同様の動作によって加熱部HPおよび冷却部CPの各々から2枚の基板Wを一括して取り出す。一方、搬送ロボットTR1は上記動作とは逆の手順で、加熱部HP、冷却部CPおよび塗布関連装置14の各々(以下、各部と呼ぶ)へと2枚の基板Wを一括して渡す。つまり、搬送ロボットTR1は2枚の基板Wが載置されたハンドH1を各部の内部へと移動させ、ハンドH1を下降させて各部の基板保持部の上面に2枚の基板Wを一括して載置する。なお、各部の基板保持部は2枚の基板Wの搬出入の際にハンドH1と衝突しないように構成されている。そして搬送ロボットTR1はハンドH1を各部の内部から外部へと移動させる。これにより、2枚の基板Wが各部に一括して渡される。また、この搬入動作においても2枚の基板Wには水平方向の力がほとんど生じないので、搬送ロボットTR1における2枚の基板Wの間隔は、各部においても実質的に維持される。 The transfer robot TR1 collectively takes out two substrates W from each of the heating unit HP and the cooling unit CP by the same operation as the above operation. On the other hand, the transfer robot TR1 collectively delivers the two substrates W to each of the heating unit HP, the cooling unit CP, and the coating-related device 14 (hereinafter referred to as each unit) in the reverse procedure of the above operation. That is, the transfer robot TR1 moves the hand H1 on which the two boards W are placed to the inside of each part, lowers the hand H1 and collectively puts the two boards W on the upper surface of the board holding part of each part. Place it. The substrate holding portion of each portion is configured so as not to collide with the hand H1 when the two substrates W are carried in and out. Then, the transfer robot TR1 moves the hand H1 from the inside to the outside of each part. As a result, the two substrates W are collectively passed to each part. Further, even in this carry-in operation, almost no force is generated in the horizontal direction on the two substrates W, so that the distance between the two substrates W in the transfer robot TR1 is substantially maintained in each part.

以上のように、搬送ロボットTR1は基板導出部33によって調整された間隔を維持しつつ、2枚の基板Wを基板導出部33から取り出し、この間隔を維持しつつ、2枚の基板Wを脱水ベーク装置13へと渡すことができる。また同様に、搬送ロボットTR1は、各部の相互間においても、間隔を維持しつつ2枚の基板Wを搬送することができる。 As described above, the transfer robot TR1 takes out the two boards W from the board lead-out unit 33 while maintaining the interval adjusted by the board lead-out unit 33, and dehydrates the two boards W while maintaining this distance. It can be passed to the baking device 13. Similarly, the transfer robot TR1 can transfer two substrates W while maintaining an interval between the parts.

搬送ロボットTR1はハンドH1を2つ有していてもよい。この2つのハンドH1は互いに独立して駆動される。例えば、一方のハンドH1用の移動機構51、昇降機構52および回転機構53が設けられ、他方のハンドH1用にも移動機構51、昇降機構52および回転機構53が設けられてもよい。例えば搬送ロボットTR1は、一方のハンドH1を用いて基板導出部33から2枚の基板Wを取り出す。このとき、他方のハンドH1は空である。そして搬送ロボットTR1は、加熱部HPによって処理された2枚の基板Wをこの他方のハンドH1を用いて加熱部HPから取り出し、一方のハンドH1の上に載置された2枚の基板Wを加熱部HPに渡す。これにより、基板搬送のスループットを向上することができる。以下、2つのハンドH1を有する搬送ロボットをダブルハンドタイプの搬送ロボットとも呼び、1つのハンドH1を有する搬送ロボットをシングルハンドタイプの搬送ロボットとも呼ぶ。 The transfer robot TR1 may have two hands H1. The two hands H1 are driven independently of each other. For example, a moving mechanism 51, an elevating mechanism 52, and a rotating mechanism 53 for one hand H1 may be provided, and a moving mechanism 51, an elevating mechanism 52, and a rotating mechanism 53 may be provided for the other hand H1 as well. For example, the transfer robot TR1 uses one hand H1 to take out two boards W from the board lead-out unit 33. At this time, the other hand H1 is empty. Then, the transfer robot TR1 takes out the two substrates W processed by the heating unit HP from the heating unit HP using the other hand H1, and removes the two substrates W placed on the one hand H1. Pass it to the heating section HP. As a result, the throughput of substrate transfer can be improved. Hereinafter, the transfer robot having two hands H1 is also referred to as a double hand type transfer robot, and the transfer robot having one hand H1 is also referred to as a single hand type transfer robot.

以上のように、搬送ロボットTR1は、平流し処理部である洗浄装置12により処理された複数の基板のうちN枚(2枚)の基板Wを水平な一方向(D1方向)に並べて保持しつつ、このN枚(2枚)の基板を一括して同時処理部である脱水ベーク装置13へ搬送する。この結果、基板Wを1枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送処理のスループットを向上することができる。 As described above, the transfer robot TR1 holds N (2) of the plurality of substrates W processed by the cleaning device 12 which is the flat flow processing unit side by side in one horizontal direction (D1 direction). At the same time, the N (2) substrates are collectively transported to the dehydration baking apparatus 13 which is a simultaneous processing unit. As a result, the throughput of the transport process can be improved as compared with the case where the substrates W are transported one by one.

<2−3−1−2.加熱部HP>
加熱部HPには、搬送ロボットTR1から2枚の基板Wが一括して渡される。この加熱部HPは、この2枚の基板Wを水平方向に並べて保持する基板保持部91と、この2枚の基板Wに対して一括して同時に加熱処理を行う加熱手段92とを備えている。換言すれば、加熱部HPは、2枚の基板に対して同時に加熱処理を行う。
<2-3-1-2. Heating part HP>
Two substrates W are collectively handed over to the heating unit HP from the transfer robot TR1. The heating unit HP includes a substrate holding unit 91 that holds the two substrates W side by side in the horizontal direction, and a heating means 92 that simultaneously heats the two substrates W at the same time. .. In other words, the heating unit HP heat-treats the two substrates at the same time.

基板保持部は2枚の基板Wの下面を支持する部材を有している。2枚の基板Wはこの部材の上に載置されることによって保持される。2枚の基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。例えば基板保持部91は図示しない複数のリフトピンを備える。この複数のリフトピンは、基板保持部91の上面より、その先端を突出させた上位置と、前記上面より下に退避した下位置との間で昇降する。搬送ロボットTR1は上方に突出した複数のリフトピンに2枚の基板Wを渡した後、退避する。複数のリフトピンは2枚の基板Wを支持した状態で下降し、基板保持部91の上面に2枚の基板Wを載置する。なお、2枚の基板Wの間隔は洗浄装置12の基板導出部33によって適切な間隔に調整されているので、基板保持部91は適切に2枚の基板Wを保持することができる。逆にいえば、基板導出部33は処理装置本体32から搬送された2枚の基板Wの間隔を、当該2枚の基板Wが基板保持部91に載置できるように調整している。 The substrate holding portion has a member that supports the lower surfaces of the two substrates W. The two substrates W are held by being placed on this member. The two substrates W are placed in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. For example, the substrate holding portion 91 includes a plurality of lift pins (not shown). The plurality of lift pins move up and down between an upper position in which the tip of the lift pin protrudes from the upper surface of the substrate holding portion 91 and a lower position retracted below the upper surface. The transfer robot TR1 passes the two substrates W to the plurality of lift pins protruding upward, and then retracts the two boards. The plurality of lift pins descend while supporting the two substrates W, and the two substrates W are placed on the upper surface of the substrate holding portion 91. Since the distance between the two substrates W is adjusted to an appropriate interval by the substrate lead-out portion 33 of the cleaning device 12, the substrate holding portion 91 can appropriately hold the two substrates W. Conversely, the substrate lead-out unit 33 adjusts the distance between the two substrates W conveyed from the processing apparatus main body 32 so that the two substrates W can be placed on the substrate holding portion 91.

加熱手段92は例えばヒータなどであり、基板保持部91によって保持された2枚の基板Wに対して一括して同時に加熱処理を行う。加熱手段92は制御部60によって制御される。この加熱処理により、例えば基板Wに残留した純水を蒸発させることができる(脱水処理)。2枚の基板Wに対して一括して同時に加熱処理を行うので、基板Wに対して1枚ずつ加熱処理を行う場合に比べて、加熱処理のスループットを向上することができる。この加熱部HPは、N枚(例えば2枚)の基板に対して一括して同時に処理を行う同時処理部である、とも言える。 The heating means 92 is, for example, a heater or the like, and simultaneously heat-treats the two substrates W held by the substrate holding portion 91 at the same time. The heating means 92 is controlled by the control unit 60. By this heat treatment, for example, the pure water remaining on the substrate W can be evaporated (dehydration treatment). Since the heat treatment is simultaneously performed on the two substrates W at the same time, the throughput of the heat treatment can be improved as compared with the case where the heat treatment is performed on the substrates W one by one. It can be said that the heating unit HP is a simultaneous processing unit that simultaneously processes N (for example, two) substrates at the same time.

<2−3−1−3.冷却部CP>
冷却部CPには、加熱部HPによって加熱された2枚の基板Wが搬送ロボットTR1から一括して渡される。つまり、搬送ロボットTR1は、平流し処理部たる洗浄装置12によって処理された後に加熱部HPによって処理された2枚の基板Wを、水平な一方向に並べて保持しつつ、当該2枚の基板Wを一括して冷却部CPへと搬送する。この冷却部CPは、この2枚の基板Wを水平方向に並べて保持する基板保持部93と、この2枚の基板Wに対して一括して冷却処理を行う冷却手段94とを備えている。換言すれば、冷却部CPは、2枚の基板に対して同時に冷却処理を行う。
<2-3-1-3. Cooling unit CP>
Two substrates W heated by the heating unit HP are collectively delivered to the cooling unit CP from the transfer robot TR1. That is, the transfer robot TR1 holds the two substrates W processed by the heating unit HP after being processed by the cleaning device 12 which is the flat flow processing unit, side by side in one horizontal direction, and the two substrates W. Are collectively transported to the cooling unit CP. The cooling unit CP includes a substrate holding unit 93 that holds the two substrates W side by side in the horizontal direction, and a cooling means 94 that collectively cools the two substrates W. In other words, the cooling unit CP performs the cooling process on the two substrates at the same time.

この基板保持部93は2枚の基板Wの下面を支持する部材を有している。2枚の基板Wはこの部材の上に載置されることによって保持される。2枚の基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。基板保持部93の構造は基板保持部91と同様である。 The substrate holding portion 93 has a member that supports the lower surfaces of the two substrates W. The two substrates W are held by being placed on this member. The two substrates W are placed in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. The structure of the substrate holding portion 93 is the same as that of the substrate holding portion 91.

冷却手段94は例えば金属板の内部に形成された液路に冷水を流す冷却板などであり、基板保持部に保持された2枚の基板Wに対して一括して冷却処理を行う。冷却手段94は制御部60によって制御される。この冷却処理により、2枚の基板Wが冷却され、2枚の基板Wの温度を下流側の処理装置(塗布関連装置14)に適した温度とすることができる。2枚の基板Wに対して一括して同時に冷却処理を行うので、基板Wに対して1枚ずつ冷却処理を行う場合に比べて、冷却処理のスループットを向上することができる。 The cooling means 94 is, for example, a cooling plate for flowing cold water through a liquid passage formed inside the metal plate, and collectively performs cooling treatment on the two substrates W held in the substrate holding portion. The cooling means 94 is controlled by the control unit 60. By this cooling process, the two substrates W are cooled, and the temperature of the two substrates W can be set to a temperature suitable for the downstream processing apparatus (coating-related apparatus 14). Since the two substrates W are simultaneously cooled at the same time, the throughput of the cooling process can be improved as compared with the case where the two substrates W are cooled one by one.

なお冷却部CPは自然冷却により2枚の基板Wを冷却してもよい。自然冷却とは、加熱された基板Wに対して動力(電力)を用いた冷却を行わずに、基板Wを放置して冷却することである。この場合、冷却板などの構成としての冷却手段94は不要である。この冷却部CPは、N枚(2枚)の基板に対して同時に処理を行う同時処理部である、とも言える。 The cooling unit CP may cool the two substrates W by natural cooling. The natural cooling means that the heated substrate W is not cooled by using power (electric power), but the substrate W is left to cool. In this case, the cooling means 94 as a configuration such as a cooling plate is unnecessary. It can be said that this cooling unit CP is a simultaneous processing unit that simultaneously processes N (two) substrates.

<2−3−1−4.脱水ベーク装置の一連の処理>
次に脱水ベーク装置13による一連の処理を簡単に説明する。搬送ロボットTR1は上流側の洗浄装置12の基板導出部33から2枚の基板Wを一括して取り出して、この2枚の基板Wを一括して加熱部HPへと渡す。この加熱部HPでも、2枚の基板Wは水平方向に並んだ状態で保持される。加熱部HPはこの2枚の基板Wに対して一括して加熱処理を行う。加熱処理後の2枚の基板Wは搬送ロボットTR1によって一括して取り出され、冷却部CPへと一括して渡される。冷却部CPでも、2枚の基板Wは水平方向に並んだ状態で保持される。冷却部CPはこの2枚の基板Wに対して一括して冷却処理を行う。冷却処理が行われた2枚の基板Wは搬送ロボットTR1によって一括して取り出されて、塗布関連装置14へと一括して搬送される。
<2-3-1-4. A series of processes of the dehydration baking device>
Next, a series of processes by the dehydration baking apparatus 13 will be briefly described. The transfer robot TR1 collectively takes out two substrates W from the substrate lead-out unit 33 of the cleaning device 12 on the upstream side, and collectively delivers the two substrates W to the heating unit HP. Even in this heating unit HP, the two substrates W are held in a horizontally aligned state. The heating unit HP collectively heats the two substrates W. The two substrates W after the heat treatment are collectively taken out by the transfer robot TR1 and collectively passed to the cooling unit CP. Even in the cooling unit CP, the two substrates W are held in a horizontally aligned state. The cooling unit CP collectively cools the two substrates W. The two substrates W that have been cooled are collectively taken out by the transfer robot TR1 and collectively conveyed to the coating-related device 14.

<2−3−2.塗布関連装置14>
図24に示すように、塗布関連装置14は間隔調整部41とレジスト塗布装置42と減圧乾燥装置43と搬送ロボットTR2,TR3とを備えている。この塗布関連装置14においては、2枚の基板Wに対して主として次の2つの処理が行われる。即ち、レジスト塗布装置42が2枚の基板Wに対して一括して同時にレジスト塗布処理を行い、次に、減圧乾燥装置43が2枚の基板Wに対して一括して同時に減圧乾燥処理を行う。
<2-3-2. Coating-related device 14>
As shown in FIG. 24, the coating-related device 14 includes an interval adjusting unit 41, a resist coating device 42, a vacuum drying device 43, and transfer robots TR2 and TR3. In the coating-related device 14, the following two processes are mainly performed on the two substrates W. That is, the resist coating device 42 collectively performs the resist coating process on the two substrates W at the same time, and then the vacuum drying device 43 collectively performs the vacuum drying process on the two substrates W at the same time. ..

ところで、このレジスト塗布装置42においては、2枚の基板Wの間隔が所定の間隔となっていることが望ましい。この所定の間隔(つまりレジスト塗布装置42にとって適した間隔)については後に詳述する。 By the way, in this resist coating apparatus 42, it is desirable that the distance between the two substrates W is a predetermined distance. This predetermined interval (that is, an interval suitable for the resist coating apparatus 42) will be described in detail later.

しかしながら、上流側の脱水ベーク装置13から塗布関連装置14に渡された時点での2枚の基板Wの間隔はこの所定の間隔となってない場合もあり得る。そこで、図24の例においては、間隔調整部41が設けられている。この間隔調整部41は脱水ベーク装置13の搬送ロボットTR1から2枚の基板Wを一括して受け取り、当該2枚の基板Wの間隔をレジスト塗布装置42に適した間隔へと調整する。 However, the distance between the two substrates W at the time of being passed from the dehydration baking device 13 on the upstream side to the coating-related device 14 may not be the predetermined distance. Therefore, in the example of FIG. 24, the interval adjusting unit 41 is provided. The interval adjusting unit 41 collectively receives two substrates W from the transfer robot TR1 of the dehydration baking apparatus 13, and adjusts the interval between the two substrates W to an interval suitable for the resist coating apparatus 42.

<2−3−2−1.搬送ロボットTR2>
図24に戻り、搬送ロボットTR2は2枚の基板Wを間隔調整部41から一括して取り出す。間隔調整部41は基板Wを支持する支持部(不図示)を有している。この基板Wの搬出の際において、搬送ロボットTR2のハンドは間隔調整部41の支持部の相互間に挿入される。よって搬送ロボットTR2は支持部と衝突しない。搬送ロボットTR2はこの2枚の基板Wをレジスト塗布装置42へと一括して渡す。このとき搬送ロボットTR2は、間隔調整部41による変更後の間隔を維持しつつ2枚の基板Wを取り出し、この間隔を維持しつつ2枚の基板Wをレジスト塗布装置42へ渡す。レジスト塗布装置42においても、この間隔を維持しつつ2枚の基板Wが保持される。
<2-3-2-1. Transfer robot TR2>
Returning to FIG. 24, the transfer robot TR2 collectively takes out the two substrates W from the interval adjusting unit 41. The interval adjusting portion 41 has a supporting portion (not shown) that supports the substrate W. When the substrate W is carried out, the hand of the transfer robot TR2 is inserted between the support portions of the interval adjusting portion 41. Therefore, the transfer robot TR2 does not collide with the support portion. The transfer robot TR2 collectively passes the two substrates W to the resist coating device 42. At this time, the transfer robot TR2 takes out the two substrates W while maintaining the changed interval by the interval adjusting unit 41, and passes the two substrates W to the resist coating device 42 while maintaining this interval. Also in the resist coating device 42, the two substrates W are held while maintaining this interval.

この搬送ロボットTR2は搬送ロボットTR1と同様の構成を有しており、搬送ロボットTR1と同様の動作を行う。つまり、搬送ロボットTR2は空のハンドを上昇させて2枚の基板Wを持ち上げることで2枚の基板Wを取り出す。また搬送ロボットTR2は2枚の基板Wが載置されたハンドを下降させて当該2枚の基板Wを基板保持部に載置する。これらの動作において2枚の基板Wには水平方向の力がほとんど生じないので、搬送ロボットTR2による2枚の基板Wの搬出入において、2枚の基板Wの間隔は実質的に維持される。つまり、搬送ロボットTR2は間隔調整部41によって変更された間隔を維持しつつ、2枚の基板Wを間隔調整部41から取り出し、この間隔を維持しつつ、2枚の基板Wをレジスト塗布装置42へと渡すことができる。搬送ロボットTR2はシングルハンドタイプの搬送ロボットであってよい。 The transfer robot TR2 has the same configuration as the transfer robot TR1 and performs the same operation as the transfer robot TR1. That is, the transfer robot TR2 takes out the two boards W by raising the empty hand and lifting the two boards W. Further, the transfer robot TR2 lowers the hand on which the two substrates W are placed and mounts the two substrates W on the substrate holding portion. Since almost no horizontal force is generated on the two substrates W in these operations, the distance between the two substrates W is substantially maintained when the transfer robot TR2 carries in and out the two substrates W. That is, the transfer robot TR2 takes out the two substrates W from the interval adjusting unit 41 while maintaining the interval changed by the interval adjusting unit 41, and while maintaining this interval, removes the two substrates W from the resist coating device 42. Can be passed to. The transfer robot TR2 may be a single-hand type transfer robot.

以上のように、搬送ロボットTR2は、搬送ロボットTR1と同様に、上流工程にて、平流し処理部である洗浄装置12により処理されたN枚(2枚)の基板Wを、水平な一方向(D1方向)に並べて保持しつつ、このN枚の基板Wを一括して同時処理部であるレジスト塗布装置42へ搬送する。この結果、基板Wを1枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送処理のスループットを向上することができる。 As described above, the transfer robot TR2, like the transfer robot TR1, uses the N (2) substrates W processed by the cleaning device 12 which is the flat flow processing unit in the upstream process in one horizontal direction. While holding them side by side in the (D1 direction), the N substrates W are collectively conveyed to the resist coating device 42, which is a simultaneous processing unit. As a result, the throughput of the transport process can be improved as compared with the case where the substrates W are transported one by one.

<2−3−2−2.レジスト塗布装置>
レジスト塗布装置42は、間隔調整部41によって変更された間隔で2枚の基板Wを搬送ロボットTR2から受け取り、受け取った2枚の基板Wに対して塗布処理を行う。図25は、レジスト塗布装置42の構成の一例を示す側面図である。レジスト塗布装置42は基板保持部421とノズル422とノズル移動機構423とを備えている。基板保持部421は、搬送ロボットTR2から搬送された2枚の基板Wを水平方向に並べて保持するための部材である。2枚の基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で基板保持部421の上に載置される。基板保持部421は図示しない複数のリフトピンを備える。この複数のリフトピンは、基板保持部421の上面より、その先端を突出させた上位置と、前記上面より下に退避した下位置との間で昇降する。搬送ロボットTR2は上方に突出した複数のリフトピンに2枚の基板を渡した後、退避する。複数のリフトピンは2枚の基板を支持した状態で下降し、基板保持部421の上面に2枚の基板を載置する。この結果、基板保持部421は搬送ロボットTR2において保持されていた2枚の基板Wの間隔と同じ間隔で、2枚の基板Wを保持することとなる。なお、上述のリフトピンとその昇降機構については、例えば、特開2014−130868号公報に記載された技術を本実施形態に適用させればよい。
<2-3-2-2. Resist coating device>
The resist coating device 42 receives two substrates W from the transfer robot TR2 at intervals changed by the interval adjusting unit 41, and performs coating processing on the two received substrates W. FIG. 25 is a side view showing an example of the configuration of the resist coating device 42. The resist coating device 42 includes a substrate holding portion 421, a nozzle 422, and a nozzle moving mechanism 423. The substrate holding portion 421 is a member for horizontally arranging and holding two substrates W transported from the transport robot TR2. The two substrates W are placed on the substrate holding portion 421 in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. The substrate holding portion 421 includes a plurality of lift pins (not shown). The plurality of lift pins move up and down between an upper position in which the tip of the lift pin protrudes from the upper surface of the substrate holding portion 421 and a lower position retracted below the upper surface. The transfer robot TR2 passes the two substrates to the plurality of lift pins protruding upward, and then retracts the two boards. The plurality of lift pins descend while supporting the two substrates, and the two substrates are placed on the upper surface of the substrate holding portion 421. As a result, the substrate holding portion 421 holds the two substrates W at the same interval as the interval between the two substrates W held by the transfer robot TR2. Regarding the above-mentioned lift pin and its elevating mechanism, for example, the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-130868 may be applied to the present embodiment.

以下では、間隔調整部41の支持部によって支持された2枚の基板Wが並ぶ方向を配列方向D11とも呼び、この配列方向D11に直交し水平な方向を幅方向D12とも呼ぶ。また基板保持部421において2枚の基板Wが並ぶ方向を配列方向D21とも呼び、配列方向D21に直交し水平な方向を幅方向D22とも呼ぶ。図24の例においては、配列方向D11,D21が互いに同じ方向となるように、間隔調整部41およびレジスト塗布装置42が配置されている。 Hereinafter, the direction in which the two substrates W supported by the support portion of the interval adjusting portion 41 are lined up is also referred to as an arrangement direction D11, and the direction orthogonal to the arrangement direction D11 and horizontal is also referred to as a width direction D12. Further, the direction in which the two substrates W are lined up in the substrate holding portion 421 is also referred to as an arrangement direction D21, and the direction orthogonal to the arrangement direction D21 and horizontal is also referred to as a width direction D22. In the example of FIG. 24, the interval adjusting unit 41 and the resist coating device 42 are arranged so that the arrangement directions D11 and D21 are in the same direction.

図25に示すように、ノズル422は配列方向D21に沿って延在するノズルであって、そのノズル422の下端面において、塗布液を吐出するための2つの吐出口42a,42bが形成される。この2つの吐出口42a,42bは配列方向D21に沿って延びるスリット状の形状を有する。この2つの吐出口42a,42bはそれぞれ2枚の基板W1,W2の表面上の塗布領域R1,R2(図24)に対応して形成されている。塗布領域R1,R2は塗布液が塗布される領域であって、塗布領域R1,R2は平面視で矩形状を有している。塗布領域R1の一辺は基板W1の一辺に平行であり、塗布領域R2の一辺は基板W2の一辺に平行である。 As shown in FIG. 25, the nozzle 422 is a nozzle extending along the arrangement direction D21, and two discharge ports 42a and 42b for discharging the coating liquid are formed on the lower end surface of the nozzle 422. .. The two discharge ports 42a and 42b have a slit-like shape extending along the arrangement direction D21. The two discharge ports 42a and 42b are formed corresponding to the coating regions R1 and R2 (FIG. 24) on the surfaces of the two substrates W1 and W2, respectively. The coating areas R1 and R2 are areas to which the coating liquid is applied, and the coating areas R1 and R2 have a rectangular shape in a plan view. One side of the coating region R1 is parallel to one side of the substrate W1, and one side of the coating region R2 is parallel to one side of the substrate W2.

吐出口42aの両端は、基板W1の塗布領域R1の配列方向D21における両端と鉛直方向で対向する。よって吐出口42aの配列方向D21の長さは基板W1の塗布領域R1の配列方向D21の長さとほぼ等しい。同様に吐出口42bの両端は、基板W2の塗布領域R2の配列方向D21における両端と鉛直方向で対向する。よって吐出口42bの配列方向D21の長さは基板W2の塗布領域R2の配列方向D21の長さとほぼ等しい。基板W1の塗布領域R1と基板W2の塗布領域R2との間の間隔は吐出口42a,42bの間の間隔とほぼ等しい。 Both ends of the discharge port 42a face each other in the vertical direction in the arrangement direction D21 of the coating region R1 of the substrate W1. Therefore, the length of the discharge port 42a in the arrangement direction D21 is substantially equal to the length of the arrangement direction D21 of the coating region R1 of the substrate W1. Similarly, both ends of the discharge port 42b face each other in the vertical direction in the arrangement direction D21 of the coating region R2 of the substrate W2. Therefore, the length of the discharge port 42b in the arrangement direction D21 is substantially equal to the length of the arrangement direction D21 of the coating region R2 of the substrate W2. The distance between the coating region R1 of the substrate W1 and the coating region R2 of the substrate W2 is substantially equal to the distance between the discharge ports 42a and 42b.

ノズル422の内部には、吐出口42a,42bへ塗布液を送液するための流路(不図示)が形成されている。この流路は不図示の塗布液供給管に接続される。塗布液はこの塗布液供給管および流路を経由して吐出口から塗布される。この流路は塗布液供給管から供給された塗布液を配列方向D21に広げつつ、2つの吐出口42a,42bからそれぞれ基板W1,W2へと塗布液を吐出させる。ノズル422からの塗布液の吐出は制御部60によって制御される。 Inside the nozzle 422, a flow path (not shown) for sending the coating liquid to the discharge ports 42a and 42b is formed. This flow path is connected to a coating liquid supply pipe (not shown). The coating liquid is applied from the discharge port via the coating liquid supply pipe and the flow path. This flow path spreads the coating liquid supplied from the coating liquid supply pipe in the arrangement direction D21, and discharges the coating liquid from the two discharge ports 42a and 42b to the substrates W1 and W2, respectively. The discharge of the coating liquid from the nozzle 422 is controlled by the control unit 60.

ノズル422はノズル保持部424によって支持される。ノズル保持部424は、基板保持部421の配列方向D21における両端を架橋する架橋構造を有している。つまりノズル保持部424は2枚の基板Wの一組を配列方向D21において跨ぐことができる。ノズル保持部424は、配列方向D21に沿って伸びる本体部4241と、本体部4241の両端を支持する一対の柱部4242とを備えている。ノズル422はこの本体部4241の下面に固定されている。一対の柱部4242は基板保持部421に対して幅方向D22に沿って移動可能に固定されている。 The nozzle 422 is supported by the nozzle holding portion 424. The nozzle holding portion 424 has a cross-linked structure that bridges both ends of the substrate holding portion 421 in the arrangement direction D21. That is, the nozzle holding portion 424 can straddle a set of two substrates W in the arrangement direction D21. The nozzle holding portion 424 includes a main body portion 4241 extending along the arrangement direction D21 and a pair of pillar portions 4242 that support both ends of the main body portion 4241. The nozzle 422 is fixed to the lower surface of the main body 4241. The pair of pillar portions 4242 are fixed to the substrate holding portion 421 so as to be movable along the width direction D22.

ノズル移動機構423は、ノズル422を基板保持部421に対して幅方向D22に沿って移動させる。ノズル移動機構423は2つ設けられており、例えばリニアモータを有している。リニアモータは移動子4231と固定子4232とを備えている。固定子4232は基板保持部421の両側面にそれぞれ固定されており、幅方向D22に沿って並ぶ複数のコイルを有している。移動子4231はそれぞれ固定子4232に対向して配置されており、永久磁石を有している。この移動子4231はそれぞれ柱部4242に固定されている。コイルに電圧が印加されることにより、固定子4232は移動子4231に対して移動用の磁界を印加する。これにより、移動子4231が幅方向D22に沿って移動する。ひいては、移動子4231に固定された柱部4242と、この柱部4242に対して本体部4241を介して固定されたノズル422とが、基板保持部421に対して幅方向D22に沿って移動する。このノズル移動機構423(具体的にはコイルの電圧)は制御部60によって制御される。 The nozzle moving mechanism 423 moves the nozzle 422 with respect to the substrate holding portion 421 along the width direction D22. Two nozzle moving mechanisms 423 are provided, for example, having a linear motor. The linear motor includes a mover 4231 and a stator 4232. The stator 4232 is fixed to both side surfaces of the substrate holding portion 421, and has a plurality of coils arranged along the width direction D22. The movers 4231 are respectively arranged to face the stator 4232 and have permanent magnets. Each of the movers 4231 is fixed to the pillar portion 4242. When a voltage is applied to the coil, the stator 4232 applies a moving magnetic field to the mover 4231. As a result, the mover 4231 moves along the width direction D22. As a result, the pillar portion 4242 fixed to the mover 4231 and the nozzle 422 fixed to the pillar portion 4242 via the main body portion 4241 move along the width direction D22 with respect to the substrate holding portion 421. .. The nozzle moving mechanism 423 (specifically, the voltage of the coil) is controlled by the control unit 60.

ノズル422は、基板保持部421に保持された2枚の基板W1,W2の上方を幅方向D22に沿って移動する。ノズル422が2枚の基板W1,W2の塗布領域の幅方向D22の一端と対向するときに、制御部60は塗布液の供給を開始し、ノズル422が塗布領域の他端と対向するときに、制御部60は塗布液の供給を終了する。このようにノズル422が塗布液を2枚の基板W1,W2へと吐出しながら幅方向D22に沿って移動することにより、2枚の基板W1,W2の塗布領域R,R2に塗膜を形成できる。 The nozzle 422 moves above the two substrates W1 and W2 held by the substrate holding portion 421 along the width direction D22. When the nozzle 422 faces one end of the coating region D22 of the two substrates W1 and W2, the control unit 60 starts supplying the coating liquid, and when the nozzle 422 faces the other end of the coating region. , The control unit 60 ends the supply of the coating liquid. In this way, the nozzle 422 moves along the width direction D22 while discharging the coating liquid to the two substrates W1 and W2, thereby forming a coating film on the coating regions R and R2 of the two substrates W1 and W2. can.

以上のように、レジスト塗布装置42によれば、ノズル422の一度の移動によって2枚の基板W1,W2に対して一括して同時に塗布処理を行うことができる。これにより、塗布処理のスループットを向上することができる。このレジスト塗布装置42はN枚(2枚)の基板Wに対して同時に処理を行う同時処理部である、とも言える。 As described above, according to the resist coating apparatus 42, it is possible to simultaneously apply the two substrates W1 and W2 at the same time by moving the nozzle 422 once. Thereby, the throughput of the coating process can be improved. It can be said that the resist coating device 42 is a simultaneous processing unit that simultaneously processes N (two) substrates W.

しかも間隔調整部41は、洗浄装置12側から搬入された2枚の基板W1,W2の間隔を、レジスト塗布装置42にとって適した間隔に調整する。具体的には、基板W1の塗布領域R1と基板W2の塗布領域R2との間隔がノズル422の吐出口42a,42bの間隔と一致するように、基板W1,W2の間隔が調整される。これにより、基板W1,W2に対して高い位置精度で塗布領域R1,R2に塗布液を塗布することができる。 Moreover, the interval adjusting unit 41 adjusts the interval between the two substrates W1 and W2 carried in from the cleaning apparatus 12 side to an interval suitable for the resist coating apparatus 42. Specifically, the distance between the substrates W1 and W2 is adjusted so that the distance between the coating region R1 of the substrate W1 and the coating region R2 of the substrate W2 matches the distance between the discharge ports 42a and 42b of the nozzle 422. As a result, the coating liquid can be applied to the coating regions R1 and R2 with high positional accuracy with respect to the substrates W1 and W2.

またレジスト塗布装置42によれば、ノズル422は幅方向D22に沿って移動する。比較例として、幅方向D22に沿って延びる吐出口を有するノズルを、基板W1,W2に対して配列方向D21に沿って移動させる態様を想定する。この場合、ノズルは塗布領域R1の直上に位置する期間において塗布液を吐出し、塗布領域R1,R2の間に位置する期間において塗布液の吐出を一旦停止し、塗布領域R2の直上に位置する期間において塗布液の吐出を再開する。しかしながら、塗布液の吐出を一旦停止すると、ノズルの吐出口の近傍には不均一に塗布液が残留し得る。この状態で塗布液の吐出を再開すると、塗布領域R2に形成される塗膜の膜厚の精度が劣化し得る。 Further, according to the resist coating device 42, the nozzle 422 moves along the width direction D22. As a comparative example, it is assumed that a nozzle having a discharge port extending along the width direction D22 is moved with respect to the substrates W1 and W2 along the arrangement direction D21. In this case, the nozzle discharges the coating liquid during the period directly above the coating region R1, temporarily stops the discharge of the coating liquid during the period located between the coating regions R1 and R2, and is located directly above the coating region R2. Resume the discharge of the coating liquid during the period. However, once the discharge of the coating liquid is stopped, the coating liquid may remain unevenly in the vicinity of the discharge port of the nozzle. If the discharge of the coating liquid is restarted in this state, the accuracy of the film thickness of the coating film formed in the coating region R2 may deteriorate.

これに対して、レジスト塗布装置42によれば、ノズル422の移動方向(幅方向D22)は基板W1,W2が並ぶ配列方向D21に直交している。よって、ノズル422からの塗布液の供給を中断する必要がない。したがって、このような膜厚の精度の劣化を回避できる。 On the other hand, according to the resist coating device 42, the moving direction (width direction D22) of the nozzle 422 is orthogonal to the arrangement direction D21 in which the substrates W1 and W2 are arranged. Therefore, it is not necessary to interrupt the supply of the coating liquid from the nozzle 422. Therefore, such deterioration in film thickness accuracy can be avoided.

<2−3−2−3.搬送ロボットTR3>
図24を参照して、搬送ロボットTR3はレジスト塗布装置42に対して搬送ロボットTR2とは反対側に配置されている。搬送ロボットTR3は塗布処理が行われた2枚の基板Wをレジスト塗布装置42から一括して取り出す。搬送ロボットTR3の構造は搬送ロボットTR1と同様である。レジスト塗布装置42は、塗布処理を終えた2枚の基板Wを複数のリフトピンによって、基板保持部421の上面より上に持ち上げる。搬送ロボットTR3は複数のリフトピンにより支持された2枚の基板Wを一括して取り出し、この2枚の基板Wを一括して減圧乾燥装置43へと渡す。2枚の基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で搬送ロボットTR3に載置される。この搬送ロボットTR3も搬送ロボットTR1と同様に、上流工程にて、平流し処理部である洗浄装置12により処理されたN枚(2枚)の基板Wを、水平な一方向に並べて保持しつつ、この複数の基板を一括して同時処理部である減圧乾燥装置43へ搬送する。この結果、基板Wを1枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送処理のスループットを向上することができる。搬送ロボットTR3はダブルハンドタイプの搬送ロボットであってもよい。
<2-3-2-3. Transfer robot TR3>
With reference to FIG. 24, the transfer robot TR3 is arranged on the side opposite to the transfer robot TR2 with respect to the resist coating device 42. The transfer robot TR3 collectively takes out the two substrates W that have been coated from the resist coating device 42. The structure of the transfer robot TR3 is the same as that of the transfer robot TR1. The resist coating device 42 lifts the two substrates W that have been coated by a plurality of lift pins above the upper surface of the substrate holding portion 421. The transfer robot TR3 collectively takes out two substrates W supported by a plurality of lift pins, and collectively delivers the two substrates W to the vacuum drying device 43. The two substrates W are placed on the transfer robot TR3 in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. Similar to the transfer robot TR1, this transfer robot TR3 also holds N (two) substrates W processed by the cleaning device 12 which is a flat flow processing unit in the upstream process side by side in one horizontal direction. , The plurality of substrates are collectively conveyed to the vacuum drying device 43, which is a simultaneous processing unit. As a result, the throughput of the transport process can be improved as compared with the case where the substrates W are transported one by one. The transfer robot TR3 may be a double-hand type transfer robot.

また搬送ロボットTR3は減圧乾燥処理が行われた2枚の基板Wを水平な一方向(D21またはD22)に並べて保持しつつ、減圧乾燥装置43から一括して取り出し、この2枚の基板Wを下流側の装置(プリベーク装置15)へと搬送することができる。 Further, the transfer robot TR3 collectively holds the two substrates W that have been subjected to the vacuum drying process side by side in one horizontal direction (D21 or D22), and collectively removes the two substrates W from the vacuum drying apparatus 43. It can be transported to the device on the downstream side (pre-baking device 15).

<2−3−2−4.減圧乾燥装置>
減圧乾燥装置43は例えば特開2014−126263号公報に記載されるような基板保持部と吸引装置とを備えている。この基板保持部は、搬送ロボットTR3から2枚の基板Wを一括して受け取り、これらを保持する。2枚の基板Wはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢でこの基板保持部の上に載置される。この基板保持部は搬送ロボットTR3のハンドと衝突しないように構成されている。この基板保持部においても、2枚の基板Wは水平方向に並んで保持されており、その2枚の基板Wの間隔は搬送ロボットTR3における2枚の基板Wの間隔と同じである。基板保持部は例えばチャンバ内に配置されており、吸引装置はこのチャンバ内の気体を吸引して、チャンバ内の圧力を低減させる。具体的には例えばチャンバ内の圧力を塗布液の溶剤の蒸気圧まで低減させる。これにより、塗布液の溶剤が蒸発し、塗膜をプリベーク装置15によるプリベーキング処理に先立って、塗膜を適度に乾燥させることができる。つまり減圧乾燥処理が行われる。
<2-3-2-4. Decompression drying device>
The vacuum drying device 43 includes, for example, a substrate holding unit and a suction device as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-126263. The substrate holding unit collectively receives two substrates W from the transfer robot TR3 and holds them. The two substrates W are placed on the substrate holding portion in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. This substrate holding portion is configured so as not to collide with the hand of the transfer robot TR3. Also in this substrate holding portion, the two substrates W are held side by side in the horizontal direction, and the distance between the two substrates W is the same as the distance between the two substrates W in the transfer robot TR3. The substrate holding portion is arranged in the chamber, for example, and the suction device sucks the gas in the chamber to reduce the pressure in the chamber. Specifically, for example, the pressure in the chamber is reduced to the vapor pressure of the solvent of the coating liquid. As a result, the solvent of the coating liquid evaporates, and the coating film can be appropriately dried prior to the prebaking treatment by the prebaking device 15. That is, the vacuum drying process is performed.

この減圧乾燥装置43においても、2枚の基板Wに対して一括して同時に減圧乾燥処理が行われるので、基板Wに対して1枚ずつ減圧乾燥処理を行う場合に比べて、減圧乾燥処理のスループットを向上できる。 In this vacuum drying device 43 as well, since the vacuum drying treatment is performed on the two substrates W at the same time at the same time, the vacuum drying treatment is performed as compared with the case where the substrate W is subjected to the vacuum drying treatment one by one. Throughput can be improved.

<2−4.塗布関連装置14(図24)の変形例>
図26は、塗布関連装置14の他の一例たる塗布関連装置14Aの構成を概略的に示す図である。塗布関連装置14Aは間隔調整部41とレジスト塗布装置42Aと減圧乾燥装置43と搬送ロボットTR2,TR3とを備えている。つまり塗布関連装置14Aはレジスト塗布装置の構成を除いて、塗布関連装置14と同一の構成を有している。
<2-4. Modification example of coating-related device 14 (FIG. 24)>
FIG. 26 is a diagram schematically showing the configuration of the coating-related device 14A, which is another example of the coating-related device 14. The coating-related device 14A includes an interval adjusting unit 41, a resist coating device 42A, a vacuum drying device 43, and transfer robots TR2 and TR3. That is, the coating-related device 14A has the same configuration as the coating-related device 14 except for the configuration of the resist coating device.

上述のレジスト塗布装置42はノズル422が幅方向D22に沿って移動する構成を有するのに対して、レジスト塗布装置42Aでは、2枚の基板Wが幅方向D22に沿って移動する。具体的には、レジスト塗布装置42Aは、コロコンベア423A、移載ユニット424A、一対の基板チャック部425A、浮上ステージ421A、ノズル422Aおよび進退機構426Aを備えている。レジスト塗布装置42Aは、例えば、特開2011−210985号公報に記載されるような基板浮上式の塗布装置である。 The resist coating device 42 described above has a configuration in which the nozzle 422 moves along the width direction D22, whereas in the resist coating device 42A, the two substrates W move along the width direction D22. Specifically, the resist coating device 42A includes a roller conveyor 423A, a transfer unit 424A, a pair of substrate chuck portions 425A, a levitation stage 421A, a nozzle 422A, and an advancing / retreating mechanism 426A. The resist coating device 42A is, for example, a substrate floating type coating device as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-210985.

コロコンベア423Aは搬送ロボットTR2から2枚の基板W1,W2を受け取る。このコロコンベア423Aにおいても、搬送ロボットTR2における基板W1,W2の間隔が維持されつつ、基板W1,W2が載置される。基板W1,W2はその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。コロコンベア423Aは図示しない複数のコロの外周面の最上部が2枚の基板Wの下面に接触することで、基板Wに推進力を与え、幅方向D22沿って移動させる接触式の搬送装置である。 The roller conveyor 423A receives two substrates W1 and W2 from the transfer robot TR2. Also in this roller conveyor 423A, the substrates W1 and W2 are placed while maintaining the distance between the substrates W1 and W2 in the transfer robot TR2. The substrates W1 and W2 are placed in a posture in which the normal direction of the main surface is along the vertical direction. The roller conveyor 423A is a contact-type conveyor that gives propulsive force to the substrates W and moves them along the width direction D22 by contacting the uppermost portions of the outer peripheral surfaces of a plurality of rollers (not shown) with the lower surfaces of the two substrates W. be.

移載ユニット424Aはコロコンベア423Aと浮上ステージ421Aとの間に設置されている。移載ユニット424Aは図示しない複数のコロおよび浮上パッドを備える。浮上パッドは基板W1,W2の下面に圧縮気体、例えば空気を噴出して基板Wを浮上させ、基板W1,W2を非接触状態で支持する浮上機構である。浮上パッドはその上面に複数の噴出口が形成されている。この噴出口は気体供給経路を介して気体供給部(気体源)に接続されている。気体供給部からの気体がこの噴出口から噴出される。 The transfer unit 424A is installed between the roller conveyor 423A and the levitation stage 421A. The transfer unit 424A includes a plurality of rollers and levitation pads (not shown). The levitation pad is a levitation mechanism that ejects compressed gas, for example, air to the lower surfaces of the substrates W1 and W2 to levitate the substrate W and supports the substrates W1 and W2 in a non-contact state. The levitation pad has a plurality of spouts formed on the upper surface thereof. This spout is connected to a gas supply unit (gas source) via a gas supply path. Gas from the gas supply unit is ejected from this spout.

移載ユニット424Aの複数のコロは昇降可能に形成されている。上昇時の位置は、浮上パッドによる圧縮気体の噴射中であっても、複数のコロの外周面の最上部が2枚の基板Wの下面に接触する位置である。よってこのとき移載ユニット424Aの複数のコロも基板W1,W2に推進力を与え、幅方向D22に沿って基板W1,W2を移動させることができる。下降時の位置は、浮上パッドによる圧縮気体の噴射中において移載ユニット424Aの複数のコロが基板W1,W2と離れる位置である。つまり、複数のコロが下降しているときには、基板W1,W2は浮上パッドからの圧縮気体によって支持される。 A plurality of rollers of the transfer unit 424A are formed so as to be able to move up and down. The ascending position is a position where the uppermost portion of the outer peripheral surface of the plurality of rollers comes into contact with the lower surfaces of the two substrates W even during the injection of the compressed gas by the floating pad. Therefore, at this time, the plurality of rollers of the transfer unit 424A can also give propulsive force to the substrates W1 and W2 to move the substrates W1 and W2 along the width direction D22. The lowering position is a position where a plurality of rollers of the transfer unit 424A are separated from the substrates W1 and W2 during the injection of the compressed gas by the floating pad. That is, when the plurality of rollers are descending, the substrates W1 and W2 are supported by the compressed gas from the levitation pad.

浮上ステージ421Aは幅方向D22に沿って延在している。この浮上ステージ421Aの上面(2枚の基板Wが載置される面)には複数の噴出口が形成されている。この噴出口は、浮上ステージ421Aの内部に形成された気体供給経路を介して気体供給部(気体源)に接続されている。気体供給部からの気体は浮上ステージ421Aの上面の噴出口から噴出し、これにより、基板W1,W2を浮上ステージ421Aの上面から浮上させる。浮上ステージ421Aには移載ユニット424Aから基板Wが搬送される。 The levitation stage 421A extends along the width direction D22. A plurality of spouts are formed on the upper surface of the levitation stage 421A (the surface on which the two substrates W are placed). This spout is connected to a gas supply unit (gas source) via a gas supply path formed inside the levitation stage 421A. The gas from the gas supply unit is ejected from the ejection port on the upper surface of the levitation stage 421A, whereby the substrates W1 and W2 are levitated from the upper surface of the levitation stage 421A. The substrate W is conveyed from the transfer unit 424A to the levitation stage 421A.

基板チャック部425Aは、移載ユニット424Aの複数のコロが下降して基板W1,W2が浮上した状態において、基板W1,W2の各端面を保持することができる。具体的には、基板チャック部425Aは基板W1のうち基板W2とは反対側の端面を保持し、基板W2のうち基板W1とは反対側の端面を保持する。基板チャック部425Aは、昇降可能に形成されており、基板チャック部425Aが上昇することにより、基板W1,W2の下面(端面)に吸着する。 The board chuck portion 425A can hold each end face of the boards W1 and W2 in a state where a plurality of rollers of the transfer unit 424A are lowered and the boards W1 and W2 are floated. Specifically, the substrate chuck portion 425A holds the end face of the substrate W1 opposite to the substrate W2, and holds the end face of the substrate W2 opposite to the substrate W1. The substrate chuck portion 425A is formed so as to be able to move up and down, and when the substrate chuck portion 425A rises, it is attracted to the lower surfaces (end faces) of the substrates W1 and W2.

進退機構426Aは基板チャック部425Aを幅方向D22に沿って移動させる。例えば進退機構426Aはリニアモータなどである。基板チャック部425Aは移載ユニット424Aから浮上ステージ421Aへと基板W1,W2を移動させる。 The advancing / retreating mechanism 426A moves the substrate chuck portion 425A along the width direction D22. For example, the advance / retreat mechanism 426A is a linear motor or the like. The board chuck portion 425A moves the boards W1 and W2 from the transfer unit 424A to the levitation stage 421A.

ノズル422Aは基板W1,W2の移動経路の途中において、基板W1,W2の上方に設けられている。ノズル422Aはノズル422と同様の構成を有する。つまりノズル422Aの下端面には、基板W1,W2の塗布領域R1,R2にそれぞれ対応した吐出口42a,42bが形成されている。なお図26においては、模式的にノズル422Aのみ、その側面が示されているものの、実際には、吐出口42a,42bはノズル422Aの下面に形成されるので、平面視においては現れない。 The nozzle 422A is provided above the substrates W1 and W2 in the middle of the movement path of the substrates W1 and W2. The nozzle 422A has the same configuration as the nozzle 422. That is, discharge ports 42a and 42b corresponding to the coating regions R1 and R2 of the substrates W1 and W2 are formed on the lower end surface of the nozzle 422A, respectively. Although the side surface of only the nozzle 422A is schematically shown in FIG. 26, the discharge ports 42a and 42b are actually formed on the lower surface of the nozzle 422A, so that they do not appear in a plan view.

ノズル422Aは、図25に例示するノズル保持部424と同様のノズル保持部によって、浮上ステージ421Aに固定されている。 The nozzle 422A is fixed to the levitation stage 421A by a nozzle holding portion similar to the nozzle holding portion 424 illustrated in FIG. 25.

基板W1,W2の初期位置は、ノズル422Aと鉛直方向において対向しない位置である。基板チャック部425Aが基板W1,W2を幅方向D22に沿って移動させることで、基板W1,W2はノズル422Aの直下を横切って移動する。基板W1,W2の塗布領域R1,R2がノズル422Aの直下にいる期間において、適宜にノズル422Aの吐出口42a,42bから塗布液がそれぞれ基板W1,W2に対して吐出される。これにより、基板W1,W2の塗布領域R1,R2には塗膜が形成される。 The initial positions of the substrates W1 and W2 are positions that do not face the nozzle 422A in the vertical direction. The substrate chuck portion 425A moves the substrates W1 and W2 along the width direction D22, so that the substrates W1 and W2 move across the nozzle 422A. During the period when the coating areas R1 and R2 of the substrates W1 and W2 are directly below the nozzle 422A, the coating liquid is appropriately discharged to the substrates W1 and W2 from the discharge ports 42a and 42b of the nozzle 422A, respectively. As a result, a coating film is formed on the coating regions R1 and R2 of the substrates W1 and W2.

そして、基板チャック部425Aは基板W1,W2がノズル422Aと鉛直方向で対向しない位置まで幅方向D22に沿って移動させる。つまり、基板W1,W2の停止位置はノズル422Aに対して基板W1,W2の初期位置とは反対側に位置している。 Then, the substrate chuck portion 425A is moved along the width direction D22 to a position where the substrates W1 and W2 do not face the nozzle 422A in the vertical direction. That is, the stop positions of the substrates W1 and W2 are located on the side opposite to the initial positions of the substrates W1 and W2 with respect to the nozzle 422A.

このようなレジスト塗布装置42Aによっても、2枚の基板Wの一度の移動により、2枚の基板Wに対して一括して同時に塗布処理が行われる。よって2枚の基板Wに対して1枚ずつ塗布処理を行う場合に比して、塗布処理のスループットを向上できる。 Even with such a resist coating device 42A, the coating process is simultaneously performed on the two substrates W at the same time by moving the two substrates W once. Therefore, the throughput of the coating process can be improved as compared with the case where the coating process is performed on the two substrates W one by one.

搬送ロボットTR3は、この停止位置で停止した2枚の基板Wを一括して取り出して、水平な一方向(D21又はD22)に並べて保持しつつ、この2枚の基板Wを減圧乾燥装置43へと一括して渡す。また搬送ロボットTR3は減圧乾燥処理が行われた後の2枚の基板Wを水平な一方向(D21又はD22)に並べて保持しつつ、減圧乾燥装置43から一括して取り出して、この2枚の基板Wを下流側の装置へ一括して渡す。 The transfer robot TR3 collectively takes out the two substrates W stopped at this stop position, holds them side by side in one horizontal direction (D21 or D22), and transfers the two substrates W to the decompression drying device 43. And pass it all at once. Further, the transfer robot TR3 holds the two substrates W after the vacuum drying process side by side in one horizontal direction (D21 or D22), and collectively removes the two substrates W from the vacuum drying apparatus 43. The substrate W is collectively passed to the device on the downstream side.

なお上述の一例では、各搬送ロボットは2枚の基板Wを一括して搬送し、各同時処理装置は2枚の基板Wに対して同時に処理を行っているものの、搬送ロボットは3枚以上の基板を一括して搬送してもよく、同時処理装置は3枚以上の基板に対して同時に処理を行ってもよい。 In the above example, each transfer robot transfers two substrates W at once, and each simultaneous processing device simultaneously processes two substrates W, but the transfer robot has three or more sheets. The substrates may be collectively conveyed, and the simultaneous processing apparatus may simultaneously process three or more substrates.

<3.上記補足における塗布関連装置の変形例>
塗布関連装置14(図24)は同時処理装置(同時処理部)であるが、それが有する塗布装置BP(図24)を塗布装置BPv(図27)に置き換えることによって、平流し処理装置(平流し処理部)とされ得る。以下、この変形例について説明する。
<3. Modification example of coating related equipment in the above supplement>
The coating-related device 14 (FIG. 24) is a simultaneous processing device (simultaneous processing unit), and by replacing the coating device BP (FIG. 24) possessed by the coating device 14 (FIG. 24) with the coating device BPv (FIG. 27), the flat flow processing device (flat flow processing device) (flat flow processing device). It can be a sink processing unit). Hereinafter, this modification will be described.

塗布装置BPvは基板導入部21と処理装置本体22と基板待機部23とを含んでいる。基板導入部21は基板Wを受け取る。例えば基板導入部21には、2枚の基板Wが一括して搬入される。処理装置本体22は、基板導入部21から搬送される基板Wを順次に受け取り、この基板Wを搬送方向に沿って搬送させる。ここでは、処理装置本体22における搬送方向はX軸方向であり、その搬送方向の上流側は−X側であり、搬送方向の下流側は+X側である。なお、塗布装置BPvは減圧乾燥装置43(図24)の上流側(−X側)に位置する上流処理部である。 The coating device BPv includes a substrate introduction unit 21, a processing device main body 22, and a substrate standby unit 23. The board introduction unit 21 receives the board W. For example, two substrates W are collectively carried into the substrate introduction section 21. The processing device main body 22 sequentially receives the substrate W to be conveyed from the substrate introduction unit 21, and conveys the substrate W along the conveying direction. Here, the transport direction in the processing apparatus main body 22 is the X-axis direction, the upstream side in the transport direction is the −X side, and the downstream side in the transport direction is the + X side. The coating device BPv is an upstream processing unit located on the upstream side (−X side) of the vacuum drying device 43 (FIG. 24).

処理装置本体22は基板Wを+X側に順次に搬送しつつ、その基板Wに対して1枚ずつ順次に塗布処理を行う。塗布処理後の基板Wは処理装置本体22から基板待機部23へと順次に搬送される。基板待機部23は、処理装置本体22から搬送された基板Wを順次に受け取る。基板待機部23は、順次に受け取った2枚の基板Wを待機させることができる。なおここでいう「待機」とは、その待機時間の長短に依らず、その位置において停止することをいう。基板待機部23で待機した基板Wは、搬送ロボット4によって取り出されて、下流側の減圧乾燥装置43(図24)へと搬送される。 The processing apparatus main body 22 sequentially conveys the substrate W to the + X side, and sequentially applies the substrate W one by one. The substrate W after the coating process is sequentially conveyed from the processing apparatus main body 22 to the substrate standby unit 23. The substrate standby unit 23 sequentially receives the substrate W conveyed from the processing apparatus main body 22. The board standby unit 23 can make two boards W received in sequence stand by. The term "standby" as used herein means to stop at that position regardless of the length of the waiting time. The substrate W waiting in the substrate standby unit 23 is taken out by the transfer robot 4 and transferred to the decompression drying device 43 (FIG. 24) on the downstream side.

<3−1.基板導入部>
図28は、塗布装置BPvおよび搬送ロボット4の構成の一例を概略的に示す側面図である。図28の例では、基板導入部21は例えばコロコンベアを含んでいる。このコロコンベアは複数の回転軸211Aと複数の回転軸211Bと複数のコロ212Aと複数のコロ212Bとを含んでいる。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々はその中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。複数の回転軸211AはX軸方向において間隔を隔てて並んでおり、複数の回転軸211Bは、複数の回転軸211Aよりも下流側において、X軸方向において間隔を隔てて並んでいる。また回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに略同じ高さ位置に設けられている。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。
<3-1. Board introduction part>
FIG. 28 is a side view schematically showing an example of the configuration of the coating device BPv and the transfer robot 4. In the example of FIG. 28, the substrate introduction section 21 includes, for example, a roller conveyor. The roller conveyor includes a plurality of rotating shafts 211A, a plurality of rotating shafts 211B, a plurality of rollers 212A, and a plurality of rollers 212B. Each of the rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B is provided so that its central axis is along the Y axis. The plurality of rotating shafts 211A are arranged at intervals in the X-axis direction, and the plurality of rotating shafts 211B are arranged at intervals in the X-axis direction on the downstream side of the plurality of rotating shafts 211A. Further, the rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B are provided at substantially the same height position as each other. Each of the rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B can rotate with its own central axis as the rotating shaft.

各回転軸211Aの外周面には、複数のコロ212Aが設けられており、各回転軸211Bの外周面には、複数のコロ212Bが設けられている。コロ212Aおよびコロ212Bは円環状の形状を有しており、その中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。 A plurality of rollers 212A are provided on the outer peripheral surface of each rotating shaft 211A, and a plurality of rollers 212B are provided on the outer peripheral surface of each rotating shaft 211B. The rollers 212A and 212B have an annular shape, and the central axis thereof is provided in a posture along the Y axis.

基板Wは、複数のコロ212Aおよび複数のコロ212Bの上に載置される。つまり、複数のコロ212Aの外周面の最上部が基板Wの下面に接触し、複数のコロ212Bの外周面の最上部が基板Wの下面に接触する。 The substrate W is placed on the plurality of rollers 212A and the plurality of rollers 212B. That is, the uppermost portion of the outer peripheral surface of the plurality of rollers 212A contacts the lower surface of the substrate W, and the uppermost portion of the outer peripheral surface of the plurality of rollers 212B contacts the lower surface of the substrate W.

複数の回転軸211Aは駆動部(不図示)によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転(同期回転)する。この回転により、複数のコロ212Aも同じ方向に略等しい回転速度で回転する。駆動部はモータを有しており、制御部60によって制御される。コロ212Aの回転により、コロ212A上に載置された基板Wが+X側に搬送される。複数の回転軸211Bも駆動部(不図示)によって駆動されて同期回転する。これにより、コロ212B上に載置された基板Wが+X側に搬送される。回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに独立して制御される。 The plurality of rotation shafts 211A are driven by a drive unit (not shown) and rotate (synchronously rotate) in the same predetermined direction at substantially equal rotation speeds. Due to this rotation, the plurality of rollers 212A also rotate in the same direction at substantially equal rotation speeds. The drive unit has a motor and is controlled by the control unit 60. Due to the rotation of the roller 212A, the substrate W placed on the roller 212A is conveyed to the + X side. The plurality of rotation shafts 211B are also driven by a drive unit (not shown) to rotate synchronously. As a result, the substrate W placed on the roller 212B is conveyed to the + X side. The rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B are controlled independently of each other.

コロ212Aおよびコロ212Bの上には、それぞれ1枚ずつ基板Wが載置されてもよい。例えば上流側の装置から2枚の基板Wがそれぞれコロ212Aおよびコロ212Bの上に載置されてもよい。この状態で、制御部60は回転軸211Bのみを同期回転させる。これにより、コロ212B上の基板Wを処理装置本体22へと搬送できる。次に制御部60は回転軸211Aおよび回転軸211Bの両方を同期回転させる。これにより、コロ212A上の基板Wを処理装置本体22へと搬送できる。 One substrate W may be placed on each of the rollers 212A and 212B. For example, two substrates W from the device on the upstream side may be placed on the rollers 212A and 212B, respectively. In this state, the control unit 60 synchronously rotates only the rotation shaft 211B. As a result, the substrate W on the roller 212B can be conveyed to the processing apparatus main body 22. Next, the control unit 60 synchronously rotates both the rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B. As a result, the substrate W on the roller 212A can be conveyed to the processing apparatus main body 22.

<3−2.処理装置本体の概要>
処理装置本体22は、順次に基板Wを搬送しつつ、その基板Wに対して順次に塗布処理を行う。図27および図28の例では、この処理装置本体22は移載ユニット221と浮上ステージ222と基板搬送部223とノズル224とを含んでいる。
<3-2. Overview of the main body of the processing device>
The processing apparatus main body 22 sequentially conveys the substrate W and sequentially performs a coating process on the substrate W. In the examples of FIGS. 27 and 28, the processing apparatus main body 22 includes a transfer unit 221, a levitation stage 222, a substrate transfer unit 223, and a nozzle 224.

移載ユニット221は、基板導入部21から搬送された基板Wを浮上ステージ222へと搬送するユニットであり、搬送方式を変換するユニットである。つまり、基板導入部21では、コロ搬送方式で基板Wを搬送しているのに対して、後述の浮上ステージ222は浮上搬送方式で基板Wを搬送するので、移載ユニット221はこれらの間で搬送方式を変換する。 The transfer unit 221 is a unit that conveys the substrate W conveyed from the substrate introduction unit 21 to the levitation stage 222, and is a unit that converts the transfer method. That is, while the substrate introduction unit 21 conveys the substrate W by the roller transfer method, the levitation stage 222 described later conveys the substrate W by the levitation transfer method, so that the transfer unit 221 transfers the substrate W between them. Convert the transport method.

浮上ステージ222の上面には、複数の噴出口が設けられており、この噴出口から気体が噴出される。よって、浮上ステージ222において基板Wはこの気体によって浮力を与えられる。 A plurality of spouts are provided on the upper surface of the levitation stage 222, and gas is ejected from these spouts. Therefore, in the levitation stage 222, the substrate W is given buoyancy by this gas.

基板搬送部223は基板WのY軸方向の両端部分を保持しつつ、その基板Wを、移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へ搬送する。基板搬送部223は基板Wの両端部分のみを保持しているので、基板Wはその中央付近で撓み得る。しかるに、浮上ステージ222は噴出口から基板Wの下面へと気体を噴出して、基板Wへと浮力を与える。これにより、基板Wの撓みを抑制することができる。よって、基板Wは水平姿勢で浮上ステージ222を通過することができる。 The substrate transfer unit 223 transfers the substrate W from the transfer unit 221 to the substrate standby unit 23 via the levitation stage 222 while holding both end portions of the substrate W in the Y-axis direction. Since the substrate transport portion 223 holds only both end portions of the substrate W, the substrate W can bend near the center thereof. However, the levitation stage 222 ejects gas from the ejection port to the lower surface of the substrate W to give buoyancy to the substrate W. Thereby, the bending of the substrate W can be suppressed. Therefore, the substrate W can pass through the levitation stage 222 in a horizontal posture.

ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。基板搬送部223が浮上ステージ222の上方において基板Wを+X側に移動させることにより、基板Wはノズル224の直下を横切る。ノズル224は、その直下の基板Wに対して塗布液を塗布する。これにより、基板Wに対して塗膜を形成することができる。なおノズル224は処理位置と待機位置との間で移動可能に構成されてもよい。処理位置は、ノズル224が基板Wに対して塗布液を吐出する位置であり、待機位置は、ノズル224を待機させる位置である。待機位置では、ノズル224の吐出口を洗浄する機構等が設けられてもよい。 The nozzle 224 is provided in the space above the levitation stage 222. The substrate transport unit 223 moves the substrate W to the + X side above the levitation stage 222, so that the substrate W crosses directly under the nozzle 224. The nozzle 224 applies the coating liquid to the substrate W immediately below the nozzle 224. As a result, a coating film can be formed on the substrate W. The nozzle 224 may be configured to be movable between the processing position and the standby position. The processing position is a position where the nozzle 224 discharges the coating liquid to the substrate W, and the standby position is a position where the nozzle 224 is made to stand by. At the standby position, a mechanism for cleaning the discharge port of the nozzle 224 may be provided.

塗膜が形成された基板Wは基板搬送部223によって基板待機部23へと搬送される。基板搬送部223は基板待機部23において基板Wの保持を解除する。その後、基板搬送部223は再び移載ユニット221へと戻り、次の基板Wを保持する。 The substrate W on which the coating film is formed is conveyed to the substrate standby portion 23 by the substrate transport portion 223. The substrate transport unit 223 releases the holding of the substrate W at the substrate standby unit 23. After that, the substrate transport unit 223 returns to the transfer unit 221 again and holds the next substrate W.

<3−2−1.移載ユニット>
図28の例では、移載ユニット221は複数のコロ2211と入口浮上ステージ2212と複数のリフトピン2213とを含んでいる。複数のコロ2211は、基板導入部21のコロと同様の構成を有しており、X軸方向において間隔を空けて並んでいる。コロ2211の回転は制御部60によって制御される。コロ2211は、自身の回転により、基板導入部21から搬送された基板Wを受け取って+X側へと搬送する。
<3-2-1. Transfer unit>
In the example of FIG. 28, the transfer unit 221 includes a plurality of rollers 2211, an inlet levitation stage 2212, and a plurality of lift pins 2213. The plurality of rollers 2211 have the same configuration as the rollers of the substrate introduction portion 21, and are arranged at intervals in the X-axis direction. The rotation of the roller 2211 is controlled by the control unit 60. The roller 2211 receives the substrate W conveyed from the substrate introduction unit 21 by its own rotation and conveys it to the + X side.

入口浮上ステージ2212は複数のコロ2211よりも下流側(+X側)に設けられている。入口浮上ステージ2212の上面には、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において(つまり、Z軸方向に沿って見て)、例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、入口浮上ステージ2212の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源(不図示)に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。これにより、入口浮上ステージ2212上の基板Wに対して浮力を与えることができる。 The entrance levitation stage 2212 is provided on the downstream side (+ X side) of the plurality of rollers 2211. A plurality of spouts (not shown) are formed on the upper surface of the inlet levitation stage 2212. The spouts are arranged in a plan view (ie, along the Z-axis direction), for example, in a matrix. Each spout is connected to a gas supply source (not shown) via a gas supply path formed inside the inlet levitation stage 2212. Gas from the gas source is ejected from this spout. As a result, buoyancy can be applied to the substrate W on the inlet levitation stage 2212.

複数のリフトピン2213は、Z軸方向に沿って延在する棒状の形状を有しており、昇降可能に設けられている。複数のリフトピン2213のうちいくつかはコロ2211に対応して設けられており、残りは入口浮上ステージ2212に対応して設けられている。コロ2211に対応したリフトピン2213は、複数のコロ2211の間の隙間に設けられている。入口浮上ステージ2212には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように複数の貫通孔が形成されている。この貫通孔は入口浮上ステージ2212をZ軸方向に貫通する。残りのリフトピン2213は当該貫通孔にそれぞれ貫通配置されている。図28に例示するように、複数のリフトピン2213は−Z側の基端部において互いに連結されていてもよい。 The plurality of lift pins 2213 have a rod-like shape extending along the Z-axis direction, and are provided so as to be able to move up and down. Some of the plurality of lift pins 2213 are provided corresponding to the rollers 2211, and the rest are provided corresponding to the entrance levitation stage 2212. The lift pin 2213 corresponding to the roller 2211 is provided in a gap between the plurality of rollers 2211. The inlet levitation stage 2212 is formed with a plurality of through holes so as not to interfere with any of the plurality of spouts. This through hole penetrates the inlet levitation stage 2212 in the Z-axis direction. The remaining lift pins 2213 are respectively arranged through the through holes. As illustrated in FIG. 28, the plurality of lift pins 2213 may be connected to each other at the base end portion on the −Z side.

リフトピン2213は昇降機構2214によって昇降される。昇降機構2214は例えばエアシリンダであり、制御部60によって制御される。 The lift pin 2213 is lifted and lowered by the lifting mechanism 2214. The elevating mechanism 2214 is, for example, an air cylinder, and is controlled by a control unit 60.

リフトピン2213が下降している状態では、リフトピン2213の+Z側の先端部はコロ2211の外周面の最上部および入口浮上ステージ2212の上面のいずれに対しても−Z側に位置している。リフトピン2213が上昇している状態では、その先端部はコロ2211の最上部および入口浮上ステージ2212の上面のいずれよりも+Z側に位置し、基板Wの下面に接触して基板Wを持ち上げることができる。基板Wは、リフトピン2213によって持ち上げられた状態で、基板搬送部223によって保持される。 When the lift pin 2213 is lowered, the tip of the lift pin 2213 on the + Z side is located on the −Z side with respect to both the uppermost portion of the outer peripheral surface of the roller 2211 and the upper surface of the inlet levitation stage 2212. When the lift pin 2213 is raised, its tip is located on the + Z side of either the uppermost portion of the roller 2211 or the upper surface of the inlet levitation stage 2212, and the substrate W can be lifted by contacting the lower surface of the substrate W. can. The substrate W is held by the substrate transport unit 223 in a state of being lifted by the lift pin 2213.

<3−2−2.浮上ステージ>
浮上ステージ222は、入口浮上ステージ2212よりも+X側に設けられている。浮上ステージ222の上面にも、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。
<3-2-2. Ascending stage >
The levitation stage 222 is provided on the + X side of the entrance levitation stage 2212. A plurality of spouts (not shown) are also formed on the upper surface of the levitation stage 222. The spouts are arranged in a matrix, for example, in a plan view. Each spout is connected to a gas supply source via a gas supply path formed inside the levitation stage 222. Gas from the gas source is ejected from this spout.

なお浮上ステージ222の上面には、複数の吸引口が形成されてもよい。この吸引口は噴出口とは異なる位置に形成され、例えばマトリックス状に配列される。各吸引口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。浮上ステージ222の噴出口から噴出された気体の一部は吸引口から吸引される。これによれば、基板Wに付与する浮力をより精密に制御することができる。ひいては、基板Wの撓みをさらに低減することができる。 A plurality of suction ports may be formed on the upper surface of the levitation stage 222. The suction ports are formed at positions different from the spouts, and are arranged in a matrix, for example. Each suction port is connected to a suction device (for example, a pump) via a gas suction path formed inside the levitation stage 222. A part of the gas ejected from the ejection port of the levitation stage 222 is sucked from the suction port. According to this, the buoyancy applied to the substrate W can be controlled more precisely. As a result, the bending of the substrate W can be further reduced.

<3−2−3.基板搬送部>
図27の例では、基板搬送部223は基板チャック部2231と進退機構2232とを含んでいる。基板チャック部2231は、基板WのY軸方向の両側の端面を保持する。図27の例では、基板Wに対してY軸方向の両側において、それぞれ一対の基板チャック部2231が設けられている。一対の基板チャック部2231はX軸方向において間隔を隔てて設けられている。各基板チャック部2231は、基板Wの下面のうちY軸方向における端部を支持する支持部を有している。この支持部の上面には、例えば吸着口が形成されており、その吸着口は支持部の内部の吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。吸着口から気体が吸引されることにより、基板チャック部2231は基板Wを吸着して保持することができる。
<3-2-3. Board carrier>
In the example of FIG. 27, the substrate transport portion 223 includes a substrate chuck portion 2231 and an advancing / retreating mechanism 2232. The substrate chuck portion 2231 holds the end faces of the substrate W on both sides in the Y-axis direction. In the example of FIG. 27, a pair of substrate chuck portions 2231 are provided on both sides in the Y-axis direction with respect to the substrate W. The pair of substrate chuck portions 2231 are provided at intervals in the X-axis direction. Each substrate chuck portion 2231 has a support portion that supports an end portion of the lower surface of the substrate W in the Y-axis direction. For example, a suction port is formed on the upper surface of the support portion, and the suction port is connected to a suction device (for example, a pump) via a suction path inside the support portion. By sucking the gas from the suction port, the substrate chuck portion 2231 can suck and hold the substrate W.

進退機構2232は基板チャック部2231をX軸方向に沿って移動させる。基板Wの例えば進退機構2232はリニアモータなどである。進退機構2232は制御部60によって制御される。進退機構2232は基板チャック部2231を移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へと移動させる。これにより、基板チャック部2231に保持された基板Wも移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へと移動する。 The advancing / retreating mechanism 2232 moves the substrate chuck portion 2231 along the X-axis direction. For example, the advancing / retreating mechanism 2232 of the substrate W is a linear motor or the like. The advancing / retreating mechanism 2232 is controlled by the control unit 60. The advancing / retreating mechanism 2232 moves the substrate chuck portion 2231 from the transfer unit 221 to the substrate standby portion 23 via the levitation stage 222. As a result, the substrate W held by the substrate chuck portion 2231 also moves from the transfer unit 221 to the substrate standby portion 23 via the levitation stage 222.

<3−2−4.ノズル>
ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。ノズル224の下端には、基板Wの塗布領域R1に対応した吐出口が形成されている。このノズル224はその吐出口がY軸方向に長い長尺ノズルである。吐出口の長さ(Y軸方向に沿う長さ)は塗布領域R1の長さ(Y軸方向に沿う長さ)と略一致する。
<3-2-4. Nozzle >
The nozzle 224 is provided in the space above the levitation stage 222. At the lower end of the nozzle 224, a discharge port corresponding to the coating region R1 of the substrate W is formed. The nozzle 224 is a long nozzle whose discharge port is long in the Y-axis direction. The length of the discharge port (length along the Y-axis direction) substantially coincides with the length of the coating region R1 (length along the Y-axis direction).

ノズル224はいずれも不図示の塗布液供給管を介して塗布液供給源に接続される。塗布液供給管の途中には、不図示のポンプが設けられており、このポンプを駆動制御することにより、ノズル224からの塗布液の吐出/停止が切り替えられる。ポンプは制御部60によって制御される。 Each of the nozzles 224 is connected to the coating liquid supply source via a coating liquid supply pipe (not shown). A pump (not shown) is provided in the middle of the coating liquid supply pipe, and by driving and controlling this pump, the discharge / stop of the coating liquid from the nozzle 224 can be switched. The pump is controlled by the control unit 60.

基板搬送部223が基板Wを+X側に移動させることにより、基板Wはノズル224の直下を横切る。ノズル224は基板Wが横切る際に塗布液を吐出する。具体的にはノズル224は、基板Wの塗布領域R1の+X側の端がノズル224の直下に位置するときに塗布液の吐出を開始し、塗布領域R1の−X側の端がノズル224の直下に位置するときに塗布液の吐出を終了する。これにより、塗布領域R1には塗布液が塗布され、塗布領域R1の上に塗膜が形成される。 When the substrate transport unit 223 moves the substrate W to the + X side, the substrate W crosses directly under the nozzle 224. The nozzle 224 discharges the coating liquid when the substrate W crosses. Specifically, the nozzle 224 starts discharging the coating liquid when the + X side end of the coating region R1 of the substrate W is located directly below the nozzle 224, and the −X side end of the coating region R1 is the nozzle 224. Discharge of the coating liquid ends when it is located directly below. As a result, the coating liquid is applied to the coating region R1 and a coating film is formed on the coating region R1.

なお、ノズル224は複数種の塗布液を基板Wに対して吐出可能であってもよい。より具体的には、複数種の塗布液にそれぞれ対応した複数のノズル224が設けられていてもよい。複数種の塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液および絶縁膜用の塗布液を採用することができる。 The nozzle 224 may be capable of discharging a plurality of types of coating liquids onto the substrate W. More specifically, a plurality of nozzles 224 corresponding to each of a plurality of types of coating liquids may be provided. As the plurality of types of coating liquids, for example, a coating liquid for a photoresist and a coating liquid for an insulating film can be adopted.

<3−3.基板待機部>
基板待機部23は、処理装置本体22によって処理された基板Wを順次に受け入れる。基板待機部23は2枚の基板Wを待機させることができる。この基板待機部23は第1待機部231と第2待機部232とを含んでいる。第1待機部231は1枚の基板Wを待機させることができ、第2待機部232は1枚の基板Wを待機させることができる。
<3-3. Board standby part>
The substrate standby unit 23 sequentially receives the substrate W processed by the processing apparatus main body 22. The board standby unit 23 can make two boards W stand by. The substrate standby unit 23 includes a first standby unit 231 and a second standby unit 232. The first standby unit 231 can make one substrate W stand by, and the second standby unit 232 can make one substrate W stand by.

図27および図28の例では、第1待機部231および第2待機部232は処理装置本体22の搬送方向(つまりX軸方向)に沿って並んでいる。より具体的には、第1待機部231は処理装置本体22よりも+X側に設けられ、第2待機部232は処理装置本体22と第1待機部231との間に設けられている。第2待機部232は、処理装置本体22から搬送された基板Wを第1待機部231へと搬送する機能も有している。 In the examples of FIGS. 27 and 28, the first standby unit 231 and the second standby unit 232 are arranged along the transport direction (that is, the X-axis direction) of the processing device main body 22. More specifically, the first standby unit 231 is provided on the + X side of the processing device main body 22, and the second standby unit 232 is provided between the processing device main body 22 and the first standby unit 231. The second standby unit 232 also has a function of transporting the substrate W transported from the processing device main body 22 to the first standby unit 231.

処理装置本体22において処理された一つの基板W(以下、第1基板W1と呼ぶ)は、基板搬送部223によって第2待機部232を経由して第1待機部231に搬送される。第1待機部231はこの第1基板W1を待機させることができる。処理装置本体22において第1基板W1の次に処理された第2基板W2は、基板搬送部223によって第2待機部232に搬送される。第2待機部232は第2基板W2を待機させることができる。 One substrate W (hereinafter, referred to as a first substrate W1) processed in the processing apparatus main body 22 is conveyed to the first standby unit 231 via the second standby unit 232 by the substrate transfer unit 223. The first standby unit 231 can make the first substrate W1 stand by. The second substrate W2 processed next to the first substrate W1 in the processing apparatus main body 22 is transported to the second standby unit 232 by the substrate transport unit 223. The second standby unit 232 can make the second substrate W2 stand by.

より具体的な一例として、基板待機部23は出口浮上ステージ233と第1上昇機構234と第2上昇機構235とを含んでいる。出口浮上ステージ233は浮上ステージ222よりも+X側に設けられている。出口浮上ステージ233の上面にも、入口浮上ステージ2212と同様に、気体を噴出するための複数の噴出口が形成されている。出口浮上ステージ233の長さ(X軸方向に沿う長さ)は、2枚の基板Wの長さ(X軸方向に沿う長さ)の総和よりも長く設定される。 As a more specific example, the substrate standby unit 23 includes an outlet levitation stage 233, a first ascending mechanism 234, and a second ascending mechanism 235. The exit levitation stage 233 is provided on the + X side of the levitation stage 222. Similar to the inlet levitation stage 2212, a plurality of spouts for ejecting gas are also formed on the upper surface of the outlet levitation stage 233. The length of the outlet levitation stage 233 (the length along the X-axis direction) is set to be longer than the total length of the two substrates W (the length along the X-axis direction).

第1基板W1は出口浮上ステージ233の下流部分へと搬送される。第1上昇機構234は、当該下流部分に位置する第1基板W1を上昇させる。第1上昇機構234は制御部60によって制御される。図28の例では、第1上昇機構234は複数のリフトピン2341と昇降機構2342とを含んでいる。各リフトピン2341は棒状の形状を有しており、その長手方向がZ軸に沿う姿勢で設けられる。図28に例示するように、リフトピン2341の−Z側の基端部は相互に連結されていてもよい。出口浮上ステージ233には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように、Z軸方向に延在する複数の貫通孔が形成されている。リフトピン2341は出口浮上ステージ233の貫通孔にそれぞれ貫通配置される。 The first substrate W1 is conveyed to the downstream portion of the outlet levitation stage 233. The first raising mechanism 234 raises the first substrate W1 located in the downstream portion. The first ascending mechanism 234 is controlled by the control unit 60. In the example of FIG. 28, the first lifting mechanism 234 includes a plurality of lift pins 2341 and a lifting mechanism 2342. Each lift pin 2341 has a rod-like shape, and is provided in a posture in which the longitudinal direction thereof is along the Z axis. As illustrated in FIG. 28, the base ends of the lift pins 2341 on the −Z side may be connected to each other. The outlet levitation stage 233 is formed with a plurality of through holes extending in the Z-axis direction so as not to interfere with any of the plurality of spouts. The lift pins 2341 are arranged through the through holes of the outlet levitation stage 233, respectively.

昇降機構2342は例えばエアシリンダであって、複数のリフトピン2341を昇降させる。この昇降機構2342は制御部60によって制御される。リフトピン2341が下降した状態では、リフトピン2341の先端部は出口浮上ステージ233の上面に対して−Z側に位置する。一方で、リフトピン2341が上昇した状態では、リフトピン2341の先端部は出口浮上ステージ233の上面に対して+Z側に位置する。昇降機構2342は、基板チャック部2231による第1基板W1の吸着が解除された状態で、リフトピン2341を上昇させる。この上昇により、リフトピン2341の先端部が第1基板W1の下面に接触して、第1基板W1を持ち上げることができる。リフトピン2341は、出口浮上ステージ233から噴出された気体が実質的に及ばない高さ位置まで第1基板W1を上昇させてもよい。これにより、第1基板W1はリフトピン2341によって支持される。 The elevating mechanism 2342 is, for example, an air cylinder, which elevates and elevates a plurality of lift pins 2341. The elevating mechanism 2342 is controlled by the control unit 60. When the lift pin 2341 is lowered, the tip of the lift pin 2341 is located on the −Z side with respect to the upper surface of the outlet levitation stage 233. On the other hand, when the lift pin 2341 is raised, the tip of the lift pin 2341 is located on the + Z side with respect to the upper surface of the outlet levitation stage 233. The elevating mechanism 2342 raises the lift pin 2341 in a state where the adsorption of the first substrate W1 by the substrate chuck portion 2231 is released. Due to this rise, the tip end portion of the lift pin 2341 comes into contact with the lower surface of the first substrate W1 and the first substrate W1 can be lifted. The lift pin 2341 may raise the first substrate W1 to a height position where the gas ejected from the outlet levitation stage 233 does not substantially reach. As a result, the first substrate W1 is supported by the lift pin 2341.

図28の例では、第1基板W1を待機させる第1待機部231は、出口浮上ステージ233の下流部分と第1上昇機構234とによって構成される。 In the example of FIG. 28, the first standby unit 231 that makes the first substrate W1 stand by is composed of a downstream portion of the outlet levitation stage 233 and a first ascending mechanism 234.

第1基板W1の次に処理される第2基板W2は、出口浮上ステージ233の上流部分へと搬送される。出口浮上ステージ233の上流部分は下流部分に対して−X側に位置している。第2上昇機構235は、当該上流部分に位置する第2基板W2を上昇させる。第2上昇機構235は制御部60によって第1上昇機構234とは独立して制御される。図28の例では、第2上昇機構235は複数のリフトピン2351と昇降機構2352とを含んでいる。リフトピン2351および昇降機構2352はそれぞれリフトピン2341および昇降機構2342と同様であるので、詳細な説明を避ける。 The second substrate W2 to be processed next to the first substrate W1 is conveyed to the upstream portion of the outlet levitation stage 233. The upstream portion of the exit levitation stage 233 is located on the −X side with respect to the downstream portion. The second raising mechanism 235 raises the second substrate W2 located in the upstream portion. The second ascending mechanism 235 is controlled by the control unit 60 independently of the first ascending mechanism 234. In the example of FIG. 28, the second lifting mechanism 235 includes a plurality of lift pins 2351 and a lifting mechanism 2352. Since the lift pin 2351 and the elevating mechanism 2352 are the same as the lift pin 2341 and the elevating mechanism 2342, respectively, detailed description thereof will be omitted.

昇降機構2352は、昇降機構2342と同様に、基板チャック部2231による第2基板W2の吸着が解除された状態で、リフトピン2351を上昇させる。この上昇により、リフトピン2351の先端部が第2基板W2の下面に接触して、第2基板W2を持ち上げることができる。第2基板W2はリフトピン2351によって支持される。 Like the elevating mechanism 2342, the elevating mechanism 2352 raises the lift pin 2351 in a state where the suction of the second substrate W2 by the substrate chuck portion 2231 is released. Due to this rise, the tip of the lift pin 2351 comes into contact with the lower surface of the second substrate W2, and the second substrate W2 can be lifted. The second substrate W2 is supported by a lift pin 2351.

図28の例では、第2基板W2を待機させる第2待機部232は、出口浮上ステージ233の上流部分と第2上昇機構235とによって構成される。 In the example of FIG. 28, the second standby unit 232 that makes the second substrate W2 stand by is composed of an upstream portion of the outlet levitation stage 233 and a second ascending mechanism 235.

以上のように、第1上昇機構234および第2上昇機構235が互いに独立して駆動されるので、第1基板W1のみを上昇させることも、第2基板W2のみを上昇させることも、第1基板W1および第2基板W2の両方を上昇させることもできる。 As described above, since the first ascending mechanism 234 and the second ascending mechanism 235 are driven independently of each other, it is possible to raise only the first substrate W1 or only the second substrate W2. Both the substrate W1 and the second substrate W2 can be raised.

第1基板W1および第2基板W2はそれぞれリフトピン2341およびリフトピン2351によって支持された状態で、搬送ロボット4によって取り出される。 The first substrate W1 and the second substrate W2 are taken out by the transfer robot 4 in a state of being supported by the lift pin 2341 and the lift pin 2351, respectively.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is exemplary in all aspects and the invention is not limited thereto. It is understood that innumerable variations not illustrated can be assumed without departing from the scope of the present invention. The configurations described in the above embodiments and the modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not conflict with each other.

G1 :待機場所(第1待機場所)
G2 :待機場所(第2待機場所)
LM :整列部
PC1 :同時処理部
PC2 :同時処理部
PF1 :平流し処理部(第1平流し処理部)
PF2 :平流し処理部(第2平流し処理部)
SD :基板収納部(基板待機部)
SY1〜SY3:基板処理システム
TR1 :搬送ロボット(第1基板搬送部)
TR2 :搬送ロボット(第2基板搬送部)
W :基板
WD :ダミー基板
WP :製品基板
G1: Waiting place (first waiting place)
G2: Waiting place (second waiting place)
LM: Alignment unit PC1: Simultaneous processing unit PC2: Simultaneous processing unit PF1: Flat flow processing unit (first flat flow processing unit)
PF2: Flat flow processing unit (second flat flow processing unit)
SD: Board storage (board standby)
SY1 to SY3: Substrate processing system TR1: Transfer robot (first substrate transfer unit)
TR2: Transfer robot (second board transfer unit)
W: Board WD: Dummy board WP: Product board

Claims (11)

複数の製品基板を含む複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
前記複数の製品基板を搬送方向に沿って順次に搬送しつつ、前記複数の製品基板に対して一枚ずつ処理を行う第1平流し処理部と、
前記複数の基板に対して、N枚(N≧2)ずつ同時に処理を行う同時処理部と、
前記同時処理部において前記複数の基板の一部として処理されることになる少なくとも1枚のダミー基板を待機させる基板待機部と、
前記複数の基板のうち最大N枚の基板を、水平に並べて保持しつつ前記同時処理部へ一括して搬送することができる第1基板搬送部と、
を備え、
前記第1基板搬送部は、
前記第1平流し処理部からのN枚の前記製品基板を前記同時処理部へ一括して搬入する単純モードと、
前記第1平流し処理部からのP枚(1≦P<N)の前記製品基板と前記基板待機部からのD枚(1≦D≦N−P)の前記ダミー基板とを前記同時処理部へ一括して搬入する混載モードと、
で動作可能に構成されている、基板処理システム。
A substrate processing system for processing a plurality of substrates including a plurality of product substrates.
A first flat flow processing unit that sequentially transports the plurality of product substrates along the transport direction and processes the plurality of product substrates one by one.
A simultaneous processing unit that simultaneously processes N sheets (N ≧ 2) of the plurality of substrates, and a simultaneous processing unit.
A substrate standby unit for waiting at least one dummy substrate to be processed as a part of the plurality of substrates in the simultaneous processing unit, and a substrate standby unit.
A first substrate transporting unit capable of collectively transporting up to N of the plurality of substrates to the simultaneous processing unit while holding them horizontally side by side.
With
The first substrate transport section is
A simple mode in which N sheets of the product substrates from the first flat flow processing unit are collectively carried into the simultaneous processing unit, and a simple mode.
The simultaneous processing unit combines the product substrate of P sheets (1 ≦ P <N) from the first flat flow processing unit and the dummy substrate of D sheets (1 ≦ D ≦ N−P) from the substrate standby unit. In the mixed loading mode, which is carried in all at once,
A board processing system that is configured to work with.
請求項1に記載の基板処理システムであって、
各々最大N枚の枚数を有する複数の組へ前記複数の製品基板を分けて管理する制御部をさらに備え、
前記第1基板搬送部は前記第1平流し処理部から前記同時処理部へ前記複数の組を一組ずつ搬送し、
前記制御部は、前記複数の製品基板の前記一組がN枚の枚数を有する場合には前記第1基板搬送部を前記単純モードで動作させ、前記複数の製品基板の前記一組が1枚以上N枚未満の枚数を有する場合には前記第1基板搬送部を前記混載モードで動作させる、
基板処理システム。
The substrate processing system according to claim 1.
A control unit for separately managing the plurality of product boards in a plurality of sets each having a maximum number of N sheets is further provided.
The first substrate transport section transports the plurality of sets one by one from the first flat flow processing section to the simultaneous processing section.
When the set of the plurality of product boards has N sheets, the control unit operates the first substrate transport unit in the simple mode, and the set of the plurality of product boards is one. When the number of sheets is less than N, the first substrate transport unit is operated in the mixed loading mode.
Board processing system.
請求項1または2に記載の基板処理システムであって、D=N−Pが満たされている、基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1 or 2, wherein D = NP is satisfied. 請求項1から3のいずれか1項に記載の基板処理システムであって、
前記第1基板搬送部は、前記同時処理部によって処理された前記基板を搬出し、かつ、前記同時処理部から搬出された前記基板のうちの前記ダミー基板を前記基板待機部へ搬送する、基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 3.
The first substrate transport unit carries out the substrate processed by the simultaneous processing unit, and transports the dummy substrate among the substrates carried out from the simultaneous processing unit to the substrate standby unit. Processing system.
請求項1から3のいずれか1項に記載の基板処理システムであって、
前記同時処理部によって処理された前記基板を搬出する第2基板搬送部と、
前記同時処理部によって処理された前記基板のうち前記ダミー基板を前記第2基板搬送部から受け取る基板受渡部と、
をさらに備える、基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 3.
A second substrate transport unit that carries out the substrate processed by the simultaneous processing unit, and
Among the substrates processed by the simultaneous processing unit, a substrate delivery unit that receives the dummy substrate from the second substrate transport unit, and a substrate delivery unit.
A board processing system further equipped with.
請求項5に記載の基板処理システムであって、
前記第1基板搬送部は前記基板受渡部から前記基板待機部へ前記ダミー基板を搬送する、基板処理システム。
The substrate processing system according to claim 5.
The first substrate transporting unit is a substrate processing system that transports the dummy substrate from the substrate delivery portion to the substrate standby portion.
請求項1から6のいずれか1項に記載の基板処理システムであって、前記基板待機部は、前記ダミー基板を整列させる整列部を有している、基板処理システム。 The substrate processing system according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate standby portion has an aligning portion for aligning the dummy substrates. 請求項1から7のいずれか1項に記載の基板処理システムであって、前記第1平流し処理部は、前記第1基板搬送部へ払い出す前記製品基板の枚数を制御可能に構成されている、基板処理システム。 The substrate processing system according to any one of claims 1 to 7, wherein the first flat flow processing unit is configured to be able to control the number of product substrates to be delivered to the first substrate transport unit. There is a board processing system. 請求項1から8のいずれか1項に記載の基板処理システムであって、前記同時処理部によって処理された前記製品基板をさらに処理するための第2平流し処理部をさらに備え、前記第2平流し処理部は、前記第2平流し処理部へ搬入されてきた前記複数の基板のうち、前記製品基板は受け入れて前記ダミー基板は追い出すように構成されている、基板処理システム。 The substrate processing system according to any one of claims 1 to 8, further comprising a second flat flow processing unit for further processing the product substrate processed by the simultaneous processing unit, and the second flat flow processing unit. The flat flow processing unit is a substrate processing system configured to accept the product substrate and expel the dummy substrate among the plurality of substrates carried into the second flat flow processing unit. 請求項1から9のいずれか1項に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも1つのダミー基板は、第1ダミー基板および第2ダミー基板を含む複数のダミー基板であり、前記基板待機部は、前記第1ダミー基板を待機させる第1待機場所と、前記第2ダミー基板を待機させる第2待機場所とを含み、前記第2待機場所は前記第1待機場所の上方に位置している、基板処理システム。 The substrate processing system according to any one of claims 1 to 9, wherein the at least one dummy substrate is a plurality of dummy substrates including a first dummy substrate and a second dummy substrate, and the substrate standby unit. Includes a first standby place for the first dummy board to stand by and a second standby place for the second dummy board to stand by, and the second standby place is located above the first standby place. , Substrate processing system. 複数の製品基板を処理するための基板処理方法であって、
(a)平流し処理部によって、前記複数の製品基板を搬送方向に沿って順次に搬送させつつ、前記複数の製品基板に対して一枚ずつ処理を行う工程と、
(b1)前記工程(a)によって処理されたN枚の前記製品基板に対して、同時処理部によって同時に処理を行う工程と、
(b2)前記工程(a)によって処理されたP枚(1≦P<N)の前記製品基板と、ダミー基板と、に対して、前記同時処理部によって同時に処理を行う工程と、
を備え、前記複数の製品基板の各々は、前記工程(b1)および前記工程(b2)のいずれか一方の工程を経て処理される、基板処理方法。
It is a substrate processing method for processing a plurality of product substrates.
(A) A step of sequentially transporting the plurality of product substrates along the transport direction by the flat flow processing unit, and processing the plurality of product substrates one by one.
(B1) A step of simultaneously processing the N product substrates processed in the step (a) by the simultaneous processing unit, and
(B2) A step of simultaneously processing the P sheets (1 ≦ P <N) of the product substrate and the dummy substrate processed in the step (a) by the simultaneous processing unit.
A substrate processing method, wherein each of the plurality of product substrates is processed through one of the steps (b1) and the step (b2).
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