JP2021148851A - 光電融合モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光回路チップとの接続を適切に行う。【解決手段】支持基板１、支持基板上に形成されるクラッド２、及び光導波路コア４を含む光回路チップ１０と、所定位置に光回路チップが設置される電子回路基板２０と、光導波路コアの光路を変換する光路変換部２３とを備え、光路変換部は、光回路チップの所定箇所に設けられる光導波路コアの端部４ａと、端部で入出射する光の光路を変換する第１ミラー１９と、接続導波路コア１３の一端部で入出射する光の光路を変換する第２ミラー１６ａとを備え、第１ミラーが変換した光の光路と第２ミラーが変換した光の光路とが共通する。【選択図】図１

Description

本発明は、光電融合モジュール及びその製造方法に関し、例えば、シリコンフォトニクスチップと外部の光ファイバとを接続する光接続に関する。

光電融合モジュールは、光集積回路と電子回路とを一体化したものである。この光集積回路は、例えば、シリコンフォトニクスのような受光素子、光変調素子、波長合分波を一つの回路として集積したものである。外部と接続するために、光集積回路と光ファイバとを接続する必要がある。

例えば、特許文献１には、４５度に傾斜したミラーで光を直角方向に反射させる技術が開示されている。特許文献２には、傾斜した光ファイバを押し当てて接続する技術が開示されている。特許文献３には、グレーティングカプラが開示されている。また、非特許文献１には、シリコンを湾曲させて上に導波する技術が開示されている。

特表２０１４−５２２９９９号公報 特許第６２６４８３２号 特開平１１−２８１８３３号公報

"シリコンフォトニクスの画期的な光入出力技術を開発"，［online］，2016年1月28日，産業技術総合研究所,［令和2年1月25日検索］,インターネット<URL:https://www.aist.go.jp/aist_j/new_research/2016/nr20160128/nr20160128.html>

上記何れの特許文献や非特許文献でも、光集積回路（光回路チップ）と光ファイバとを適切に接続する方法までは、考慮されていなかった。
例えば、光集積回路は、多チャンネル化のため、複数の導波路コアを並列させ、複数の光を入出射させることがある。一方の光ファイバは導波路コアよりも太いのが通常である。このため、複数の導波路コアの間隔は、複数の光ファイバの間隔と同程度になってしまう。言い換えれば、光集積回路の大きさが、複数配列した光ファイバの幅と同程度になってしまう。

また、高密度な光集積回路には、多数の光配線が配設されている。そのため、光集積回路を構成する受光素子や光変調器等と他の光素子に接続する導波路コアは、光配線を飛び越えて、他の光素子に接続する必要がある。つまり、三次元構造の導波路を形成する必要がある。

そこで、本発明は、光回路チップとの接続を適切に行うことができる光電融合モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するため、本発明の光電融合モジュールは、支持基板（１）、前記支持基板上に形成されるクラッド（２，５）、及び光導波路コア（４）を含む光回路チップ（１０）と、所定位置に前記光回路チップが設置される電子回路基板（２０）と、前記光導波路コアの光路を変換する光路変換部（２３）とを備え、前記光路変換部は、前記光回路チップの所定箇所に設けられる前記光導波路コアの端部（４ａ）と、前記端部で入出射する光の光路を変換する第１ミラー（１９）と、接続導波路コア（１３）の一端部で入出射する光の光路を変換する第２ミラー（１６）とを備え、前記第１ミラーが変換した光の光路と前記第２ミラーが変換した光の光路とが共通することを特徴とする。なお、括弧内の符号や文字は、実施形態において付した符号等であって、本発明を限定するものではない。

本発明によれば、光回路チップとの接続を適切に行うことができる。

本発明の第１実施形態である光電融合モジュールの部分断面図である。 本発明の第１実施形態の光電融合モジュールの平面図である。 本発明の第１実施形態の光電融合モジュールの平面図の部分拡大図である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（１）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（２）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（３）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（４）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（５）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（６）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（７）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（８）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（９）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（１０）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（１１）である。 光電融合モジュールに光路変換部を形成する形成方法を説明する説明図（１２）である。 本発明の第２実施形態である光電融合モジュールの部分断面図である。 本発明の第３実施形態である光電融合モジュールの断面図である。 本発明の第３実施形態である光電融合モジュールの平面図である。 本発明の第１比較例である光電融合モジュールの断面図である。 本発明の第２比較例である光電融合モジュールの断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態（以下、「本実施形態」と称する）につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。

(第１実施形態)
図１は、本発明の第１実施形態の光電融合モジュールの部分断面図である。
光電融合モジュール１００は、電子回路基板２０と、光回路チップとしてのシリコンフォトチップ１０と、光路変換部２３とを備える。シリコンフォトチップ１０は、厚みΔｔの半田１１を介して電子回路基板２０に実装される。

なお、電子回路基板２０には、シリコンフォトチップ１０を駆動する電子回路（例えば、ＴＩＡ（Trance Impedance Amplifier）６０（図１７，１８））や電気端子接続部としての電気コネクタ８０（図１７，１８）が搭載される。電子回路基板２０には、シリコンフォトチップ１０が配設される凹部２０ｂが形成されている。

シリコンフォトチップ１０は、支持基板としてのシリコン基板１と、シリコン基板１の上面に搭載されたシリコン導波路６と、シリコン導波路６の一端に設けたスポットサイズコンバータ７と、シリコン導波路６の他端に接続された光電変換素子（例えば、フォトダイオード７０（図１７，１８））とを備える。シリコン基板１は、凹部１ａが形成されている。

シリコン導波路６は、下部クラッド層２と、光導波路コアとしてのシリコンコア４と、上部クラッド層５とから構成される。シリコンコア４は、図に対して垂直な断面が矩形状であり、紙面の奥行き方向約４８０ｎｍ、高さ方向約２２０ｎｍである。スポットサイズコンバータ７は、シリコン導波路６から出射する光の径を拡大する機能を有する。逆に、スポットサイズコンバータ７は、シリコン導波路６に入射する光の径を縮小する機能を有する。スポットサイズコンバータ７は、シリコンコア４の端部４ａに配設されている。

光路変換部２３は、接続導波路としてのポリマ導波路１５と、曲面基台１８と、曲面ミラー１９と、メッキミラー１６とを備え、シリコンコア４の端部４ａ及びスポットサイズコンバータ７をも含む。曲面基台１８は、シリコン基板１の凹部１ａに感光性ポリイミドで形成されたものであり、曲面１８ａが形成されている。曲面１８ａの曲率半径は、横方向で４４μｍであり、縦方向で７７μｍである。曲面１８ａの接平面は、シリコンコア４の光軸の延長線上で４５度傾斜している。曲面ミラー１９は、曲面１８ａに形成された金属膜（例えば、Ｔｉ／Ａｕ膜）である。これにより、シリコンコア４の端部４ａから出射した光は、上方に向けて反射する。このＴｉ／Ａｕ膜は、例えば、厚み５０ｎｍのＴｉと厚み１５０ｎｍのＡｕとを積層したものである。

曲面ミラー１９は、シリコン導波路６の先端及びスポットサイズコンバータ７が入出射する光の光路上に配設されており、シリコン導波路６の先端及びスポットサイズコンバータ７とメッキミラー１６の反射面１６ａとの間で光路（伝搬方向）を９０°変換する。つまり、曲面ミラー１９は、シリコン導波路６の先端及びスポットサイズコンバータ７から入射される光を曲面ミラー１９の上方に配設されている反射面１６ａの方向に反射する。逆に、曲面ミラー１９は、反射面１６ａから入射する光をスポットサイズコンバータ７及びシリコン導波路６の先端の方向に反射する。つまり、曲面ミラー１９は、９０°の方向に反射する。

メッキミラー１６は、全体が金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）で形成された構造体であり、シリコン基板１に対して、４５度に傾斜した平面（反射面１６ａ）が形成されたものである。メッキミラー１６の反射面１６ａは、曲面ミラー１９が変換した光路上に配設されており、曲面ミラー１９とポリマ導波路１５との間で光路（伝搬方向）を９０°変換する。つまり、メッキミラー１６の反射面１６ａは、曲面ミラー１９が光路変換した光をポリマ導波路１５の方向に反射する。逆に、メッキミラー１６の反射面１６ａは、ポリマ導波路１５が入出射する光を曲面ミラー１９の方向に反射する。

また、曲面ミラー１９とメッキミラー１６の反射面１６ａとの間の光路は、シリコン導波路６の先端及びスポットサイズコンバータ７が入出射する光を曲面ミラー１９が変換した光路である。また、曲面ミラー１９とメッキミラー１６の反射面１６ａとの間の光路は、ポリマ導波路１５が入出射する光をメッキミラー１６の反射面１６ａが変換した光路でもある。つまり、曲面ミラー１９が変換した光路とメッキミラー１６の反射面１６ａが変換した光路とは共通する。

これにより、光路変換部２３の曲面ミラー１９及びメッキミラー１６は、シリコン導波路６及びスポットサイズコンバータ７から出射される光を、光の高さを上げてポリマ導波路１５まで導光する。逆に、光路変換部２３の曲面ミラー１９及びメッキミラー１６は、ポリマ導波路１５からの光を、光の高さを下げて、スポットサイズコンバータ７まで導光する。

ポリマ導波路１５は、第１ポリマクラッド１２と、接続導波路コアとしてのポリマコア１３と、第２ポリマクラッド１４とから構成される。第１ポリマクラッド１２及び第２ポリマクラッド１４は、同一の感光性ポリマで形成されている。ポリマコア１３は、第１ポリマクラッド１２及び第２ポリマクラッド１４よりも屈折率が大きい感光性ポリマで構成されている。具体的に、波長１５５０μｍのとき、第１ポリマクラッド１２及び第２ポリマクラッド１４の屈折率は、１．５４７であり、ポリマコア１３の屈折率は、１．５７７である。ポリマコア１３は、７μｍ角に形成されている。

なお、メッキミラー１６の反射面１６ａとポリマ導波路１５との間は、ポリマコア１３と同一素材の封止層２２で充填されている。

図２は、本発明の第１実施形態の光電融合モジュールの平面図である。また、図３は、その部分拡大図であり、図１の平面図でもある。
図１で説明したように、光電融合モジュール１００は、電子回路基板２０と、シリコンフォトチップ１０と、ポリマ導波路１５とを備える。また、光電融合モジュール１００には、テープ型光ファイバ３５が実装されたフェルール４０が取り付けられるように構成されている。なお、フェルール４０については、仮想線で省略している。

テープ型光ファイバ３５は、複数の光ファイバ素線３０を接着剤３３で束ねたものである。シリコンフォトチップ１０は、図１で説明したシリコンコア４や曲面ミラー１９等を複数並設している。ポリマ導波路１５は、図１で説明したポリマコア１３を複数並設している。複数の光ファイバ素線３０の間隔は、シリコンフォトチップ１０に併設された複数のシリコン導波路６（シリコンコア４）の間隔よりも広い。そのため、複数のポリマコア１３は、シリコンコア４の端部４ａから離間するにつれて、間隔が徐々に拡がるように配設されている。なお、図３において、破線で示すメッキミラー１６及び曲面基台１８は、平面視略正方形である。

（製造方法）
次に、光電融合モジュール１００を製造する製造方法の内、本実施形態に特徴的なポリマ導波路１５を形成する形成方法について説明する。
図４乃至図１５は、光電融合モジュールにポリマ導波路を形成する形成方法を説明する説明図である。

図４（ＳＰ１）では、製造者は、予め、電子回路基板２０の凹部２０ｂとシリコンフォトチップ１０とを半田１１で接合する。そして、製造者は、シリコンフォトチップ１０の上面に凹部１ａをドライエッチングで形成する。

図５（ＳＰ２）では、感光性ポリイミドを凹部１ａに塗布し、レーザ描画装置で、４５度傾斜した曲面１８ａを有する曲面基台１８を形成する。感光性ポリイミドは、例えば、東レ製ＰＷ−１５００であり、そのスピンコート条件は、１２００ｒｐｍ，３０秒である。また、曲面１８ａの形状は、横方向曲率半径４４μｍ、縦方向曲率半径７７μｍである。そして、曲面基台１８を３５０℃でキュアする。

図６（ＳＰ３）では、曲面１８ａに曲面ミラー１９を成膜する。曲面ミラー１９は、例えば、Ｔｉ／Ａｕ膜であり、厚み５０ｎｍのＴｉと厚み１５０ｎｍのＡｕとを積層したものである。このとき、上方からの成膜により、曲面ミラー１９が形成される。

図７（ＳＰ４）では、メッキミラー１６（図１）を形成するための型枠として、メッキミラー用パターン９６を感光性ポリイミドで形成する。メッキミラー用パターン９６は、上部クラッド層５の端部の上面５ａを除いた全面に形成される。つまり、メッキミラー用パターン９６は、シリコンフォトチップ１０の凹部１ａ、曲面基台１８、曲面ミラー１９、及び電子回路基板２０の上面２０ａに形成される。このとき、レーザ描画装置で傾斜角４５度の傾斜面９６ａを形成する。この傾斜面９６ａは、メッキミラー用パターン９６の上方からのレーザ照射によって形成される。

図８（ＳＰ５）では、メッキミラー用パターン９６の傾斜面９６ａ、上面９６ｂ、９６ｃ、側面９６ｄ及び上部クラッド層５の上面５ａの上に電流シード層９７を成膜する。電流シード層９７は、例えば、Ｔｉ／Ａｕ膜である。

図９（ＳＰ６）では、電流シード層９７の上面９７ｂ，９７ｃの上にのみメッキ用上層レジスト９８を積層する。つまり、メッキ用上層レジスト９８は、電流シード層９７の傾斜面９７ａ、側面９７ｄ、及び底面９７ｅには積層されない。

図１０（ＳＰ７）では、電流シード層９７の傾斜面９７ａ、側面９７ｄ及び底面９７ｅの内側が充填されるまで、金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）の電解メッキを行う。これにより、メッキミラー１６が形成される。メッキミラー１６は、全体が金属の構造体であり、樹脂等の基台（不図示）の反射面に金属メッキを施したものではない。

図１１（ＳＰ８）では、上層レジスト９８、電流シード層９７の上面９７ｂ，９７ｃ及びメッキミラー用パターン９６（図１０）を除去する。なお、電流シード層９７の傾斜面９７ａ、側面９７ｄ，底面９７ｅ（図１０）は、メッキミラー１６と一体化している。また、曲面基台１８は、感光性ポリイミドであるが、メッキミラー用パターン９６と異なり、３５０℃でキュアされており、薬液溶解することなく、残存する。

図１２（ＳＰ９）では、製造者は、第１感光性ポリマを電子回路基板２０の上面２０ａの上にスピンコートで塗布する。スピンコート条件は、例えば、５０００ｒｐｍ、６００秒である。これにより、第１ポリマクラッド１２が形成される。第１感光性ポリマとして、例えば、日産化学製ＮＰ−２１４が使用される。

図１３（ＳＰ１０）では、第１ポリマクラッド１２の上面１２ａ及び上部クラッド層５の上面５ａに第２感光性ポリマをスピンコートで塗布し、レーザ描画装置による描画と現像処理とでパターニングを行う。これにより、第１ポリマクラッド１２の上面１２ａに沿って、ポリマ導波路コア１３が形成される。第２感光性ポリマとして、例えば、日産化学製ＮＰ−０１０が使用される。

図１４（ＳＰ１１）では、製造者は、ポリマ導波路コア１３の上面１３ａの上に、第１感光性ポリマをスピンコートで塗布する。さらに、製造者は、第１感光性ポリマにレーザ光を照射し、硬化させる。これにより、第２ポリマクラッド１４が形成される。つまり、第１ポリマクラッド１２、ポリマ導波路コア１３及び第２ポリマクラッド１４からなる、ポリマ導波路１５が形成される。

図１５（ＳＰ１２）では、ポリマ導波路１５とメッキミラー１６との間に、ポリマ導波路コア１３と同一材料である第２感光性ポリマを充填する。これにより、封止層２２が形成され、光電融合モジュール１００が作製される。なお、ポリマ導波路１５と、曲面基台１８と、曲面ミラー１９と、メッキミラー１６とを備えた光路変換部２３が形成される。

以上説明したように、本実施形態の光電融合モジュール１００は、シリコンフォトチップ１０の複数のシリコンコア４とテープ型光ファイバ３５の複数の光ファイバ素線３０（図２）との間にポリマ導波路１５が介挿されている。このため、複数のシリコンコア４の間隔が複数の光ファイバ素線３０の間隔よりも狭くても、ポリマ導波路コア１３の間隔を徐々に変化させることにより、シリコンコア４と光ファイバ素線３０とを光接続することができる。つまり、小型・高密度なシリコンフォトチップ１０を有した光電融合モジュール１００は、複数のシリコンコア４の間隔を維持して、複数の光ファイバ素線３０と光接続することができる。

また、複数のシリコンコア４の中心高さと、複数の光ファイバ素線３０の中心高さとが異なっても、ポリマ導波路コア１３に傾斜部１３ａを設けることにより、シリコンコア４とポリマ導波路コア１３とを光接続することができる。

（第２実施形態）
前記第１実施形態では、ポリマ導波路１５とメッキミラー１６との間に、ポリマ導波路コア１３と同一材料である第２感光性ポリマを充填したが（図１５）、第１ポリマクラッド１２及び第２ポリマクラッド１４と同一材料である第１感光性ポリマを充填しても構わない。

図１６は、本発明の第２実施形態である光電融合モジュールの部分断面図である。
光電融合モジュール２００は、ポリマ導波路１５とメッキミラー１６の反射面１６ａとの間に、封止層２４が充填されている。封止層２４には、第１ポリマクラッド１２及び第２ポリマクラッド１４と同一材料である第１感光性ポリマが使用されている。なお、封止層２４は、反射面１６ａだけでなく、上面１６ｂや側面１６ｃも封止している。その他の構成は、前記第１実施形態の光電融合モジュール１００と同一である。

（第３実施形態）
図１７は、本発明の第２実施形態である光電融合モジュールの断面図であり、図１８は、その平面図である。
光電融合モジュール３００は、前記第１実施形態と同様に、電子回路基板２１と、シリコンフォトチップ１０と、ポリマ導波路１５とを備える。電子回路基板２１は、ＴＩＡ６０と、光ファイバ接続端子部としての光コネクタ４５と、電気コネクタ８０と、配線パターン２５とを備える電子回路基板である。ここで、シリコンフォトチップ１０は、電子回路基板２１の凹部２０ｂに配設されているが、ＴＩＡ６０は、電子回路基板２１に取り付けられており、複数のパッド６１が形成されている。

シリコンフォトチップ１０には、光機能素子としてのフォトダイオード７０と、光配線７５と、複数のパッド６１が形成されている。フォトダイオード７０は、ポリマ導波路コア１３から出射された光を電流に変換する受光素子である。ＴＩＡ６０は、フォトダイオード７０の出力電流を電圧に変換する電子回路である。電気コネクタ８０は、配線パターン２５で接続されている。ＴＩＡ６０のパッド６１と配線パターン２５とは、ワイヤで接続されている。

光配線７５は、シリコン導波路６（シリコンコア４）で形成されている。ポリマ導波路コア１３は、光配線７５を飛び越えるように、平面視で光配線７５と交差する。したがって、ポリマ導波路コア１３は、シリコン導波路６よりも高い位置に配設する意義がある。

（第１比較例）
図１９は、本発明の第１比較例である光電融合モジュールの断面図である。
光電融合モジュール４００は、前記第１，２，３実施形態の光電融合モジュール１００，２００，３００と同様に、電子回路基板２０と、シリコンフォトチップ１０とを備えるが、ポリマ導波路１５（図１）を備えていない。
また、光電融合モジュール４００は、電子回路基板２０の上面２０ｃの上に光ファイバ素線３０の一端を載置し、光ファイバ固定治具３７で光ファイバ素線３０を固定する点で相違する。スポットサイズコンバータ７と光ファイバ素線３０の端面とを近接配置することにより、端面結合が行われる。

シリコンフォトチップ１０のシリコンコア４が１本であれば、端面結合可能である。しかしながら、シリコンフォトチップ１０は、微小且つ高密度であることが通常である。このため、複数のシリコンコア４が配列しているときには、シリコンコア４の配列間隔と、同数の光ファイバ素線３０の配列間隔とが異なるので、端面結合が困難となる。

（第２比較例）
図２０は、本発明の第２比較例である光電融合モジュールの断面図である。
光電融合モジュール５００は、前記第１，２，３実施形態や前記第１比較例と同様に、電子回路基板２０と、シリコンフォトチップ１６とを備え、ポリマ導波路１５（図１）を備えていない。しかしながら、シリコンフォトチップ１６は、スポットサイズコンバータ７の代わりにグレーティングカプラ１７を備えている点で、シリコンフォトチップ１０と相違する。また、光電融合モジュール５００は、光ファイバ素線３０を光ファイバ固定治具３８で電子回路基板２０に固定している点でも相違する。

グレーティングカプラ１７は、図示しない光変調素子が出射する変調光を上部クラッド層５の上面５ａの側に出射する素子である。光ファイバ固定治具３８は、光ファイバ素線３０の端部をグレーティングカプラ１７の出射方向に向けて固定する。

グレーティングカプラ１７の大きさは、１００μｍ程度であるが、光ファイバ固定治具３８の大きさが１ｍｍ程度になってしまう。このため、光電融合モジュール５００の構造は、シリコンフォトチップ１６の高集積化が不利である。これに対して、前記第１，２実施形態の光電融合モジュール１００，２００では、ポリマ導波路１５を形成したので、光コネクタ（例えば、ＭＴフェルール）への接続が容易となる。

（変形例）
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
（１）前記各実施形態の第２ポリマクラッド１４は、第１ポリマクラッド１２と同一の感光性ポリマ９１をスピンコートして形成したが、第１ポリマクラッド１２と同一屈折率のポリマであれば、感光性ポリマである必要ない。

（２）前記実施形態の曲面ミラー１９とメッキミラー１６の反射面１６ａは、９０°の光の方向変換を行うため、反射面１６ａを曲面ミラー１９の上方に配設したが、他の角度で方向変換を行っても構わない。シリコン導波路６の先端及びスポットサイズコンバータ７を入出射する光が、ポリマ導波路１５を入出射すれば構わない。

１ シリコン基板（支持基板）
２ 下部クラッド層
３ シリコン層
４ シリコンコア（光導波路コア）
５ 上部クラッド層
６ シリコン導波路
１０ シリコンフォトチップ（光回路チップ）
１２ 第１ポリマクラッド
１３ ポリマ導波路コア（接続導波路コア）
１４ 第２ポリマクラッド
１５ ポリマ導波路（接続導波路）
１６ メッキミラー
１７ グレーティングカプラ
１８ 曲面基台
１９ 曲面ミラー
２０，２１ 電子回路基板
２３ 光路変換部
３５ テープ型光ファイバ
４０ フェルール
４５ 光コネクタ（光ファイバ接続端子部）
６０ ＴＩＡ（電子回路）
７０ フォトダイオード（光機能素子）
７５ 光配線
８０ 電気コネクタ（電気端子接続部）
９６ メッキミラー用パターン（型枠）
１００，２００，３００ 光電融合モジュール

Claims (11)

1. 支持基板、前記支持基板上に形成されるクラッド、及び光導波路コアを含む光回路チップと、
   所定位置に前記光回路チップが設置される電子回路基板と、
   前記光導波路コアの光路を変換する光路変換部とを備え、
   前記光路変換部は、
   前記光回路チップの所定箇所に設けられる前記光導波路コアの端部と、
   前記端部で入出射する光の光路を変換する第１ミラーと、
   接続導波路コアの一端部で入出射する光の光路を変換する第２ミラーとを備え、
   前記第１ミラーが変換した光の光路と前記第２ミラーが変換した光の光路とが共通する
   ことを特徴とする光電融合モジュール。
2. 前記第１ミラーは、金属膜であり、
   前記第２ミラーは、反射面を有する金属の構造体である
   ことを特徴とする請求項１に記載の光電融合モジュール。
3. 前記金属の構造体は、金属メッキで形成されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の光電融合モジュール。
4. 前記金属膜は、Ｔｉ／Ａｕ膜であり、
   前記金属の構造体は、Ａｕ又はＣｕの構造体である
   ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の光電融合モジュール。
5. 前記光導波路コア及び前記接続導波路コアは、複数並設されており、
   複数の前記接続導波路コアの間隔は、複数の前記光導波路コアの端部から離間するにつれて徐々に広くなる
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の光電融合モジュール。
6. 前記光回路チップは、光機能素子と、該光機能素子に接続しない光配線とを含み、
   前記光導波路コアの端部と接続導波路コアの一端部とは、前記電子回路基板からの高さが異なり、
   前記接続導波路コアは、前記光配線を飛び越えて配設される
   ことを特徴とする請求項５に記載の光電融合モジュール。
7. 前記端部には、スポットサイズコンバータが配設されている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の光電融合モジュール。
8. 電子回路基板は、接続導波路コアの他端部を固定する光ファイバ接続端子部を有する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の光電融合モジュール。
9. 前記電子回路基板は、電子回路と、該電子回路に接続する電気端子接続部とを有する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の光電融合モジュール。
10. 支持基板、光導波路コアを有する光回路チップ及び、該光回路チップが配設される電子回路基板を備える光電融合モジュールの製造方法であって、
    前記光導波路コアの入出射光の光路を変更する第１ミラーを前記支持基板上の基体に成膜する第１ミラー成膜工程と、
    前記第１ミラーの上方に反射面が位置する第２ミラーを形成する第２ミラー形成工程とを備え、
    前記第２ミラー形成工程は、
    感光性樹脂で前記第２ミラーの型枠を作成する型枠作成工程と、
    前記型枠の内部にメッキで金属を充填するメッキ工程と、
    前記型枠を除去し、前記第２ミラーを露出する型除去工程と
    を有することを特徴とする光電融合モジュールの製造方法。
11. 前記型枠作成工程と前記メッキ工程との間に、電流シード層を形成する電流シード層形成工程を備え、
    前記型除去工程は、前記型枠及び前記電流シード層を除去する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の光電融合モジュールの製造方法。

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