JP2021148603A - 熱式フローセンサ - Google Patents

Abstract

【課題】向上された精度で流体の流量を検出することができる熱式フローセンサを提供する。【解決手段】熱式フローセンサ１は、ベース部材２と、カバー４とを備える。ベース部材２は、ヒータ２０を含む。カバー４は、シリコン基板４１と、二酸化シリコン膜４２と、シリコン膜４３とを含むＳＯＩ基板４０で形成されている。シリコン膜４３には、凹部４４が形成されている。主流路部５０ａは、凹部４４の底面を規定するシリコン膜４３からの二酸化シリコン膜４２の露出面と、凹部４４の側面を規定するシリコン膜４３と、カバー４の第１主面２ａとによって規定されている。【選択図】図３

Description

本開示は、熱式フローセンサに関する。

特開２００７−７１６８７号公報（特許文献１）は、フローセンサを開示している。この熱式フローセンサは、センサチップと、センサチップ上に設けられる流路形成部材とを備えている。センサチップには、流量検出部が形成されている。流路形成部材には、流体の流路が形成されている。

特開２００７−７１６８７号公報

特許文献１に記載されたフローセンサでは、流路形成部材はガラスで形成されている。流路は、ガラスを溶融成形することによって、または、ガラスをエッチングすることによって形成されている。そのため、流体の流れ方に影響を与える流路の高さを高い精度で作成することが難しく、流体の流量を高い精度で検出することが難しい。本開示は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、向上された精度で流体の流量を検出することができる熱式フローセンサを提供することである。

本開示の熱式フローセンサは、ベース部材と、カバーとを備える。ベース部材は、第１方向と第１方向に垂直な第２方向とに延在している第１主面を含む。ベース部材は、ヒータを含む。カバーは、ベース部材の第１主面に固定されている。カバーは、シリコン基板と、シリコン基板上に設けられている二酸化シリコン膜と、二酸化シリコン膜上に設けられているシリコン膜とを含むＳＯＩ基板で形成されている。シリコン膜には、凹部が形成されている。凹部の底面は、シリコン膜から露出している二酸化シリコン膜の露出面で規定されている。凹部の側面は、シリコン膜で規定されている。流路のうち第１主面に沿って延在する主流路部は、凹部の底面を規定する二酸化シリコン膜の露出面と、凹部の側面を規定するシリコン膜と、第１主面とによって規定されている。第１主面の平面視において、主流路部の第１長手方向は、第１方向である。カバーに、流路の入口と出口とが形成されている。第１方向及び第２方向に垂直な第３方向において、ヒータは主流路部に対向している。

本開示の熱式フローセンサによれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

実施の形態１の熱式フローセンサの概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの、図１に示される断面線ＩＩ−ＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの、図１に示される断面線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサに含まれるヒータの概略部分拡大平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサに含まれる第１温度センサ及び第２温度センサの概略部分拡大平面図である。 実施の形態１のフローセンサシステムの概略ブロック図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のフローチャートを示す図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程の一工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図８に示す工程の、図８に示される断面線ＩＸ−ＩＸにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図８及び図９に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１０に示す工程の、図１０に示される断面線ＸＩ−ＸＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１０及び図１１に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１２に示す工程の、図１２に示される断面線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１２及び図１３に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１４に示す工程の、図１４に示される断面線ＸＶ−ＸＶにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１４及び図１５に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１６に示す工程の、図１６に示される断面線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１６及び図１７に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１８に示す工程の、図１８に示される断面線ＸＩＸ−ＸＩＸにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図１８及び図１９に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちベース部材を作成する工程における図２０に示す工程の、図２０に示される断面線ＸＸＩ−ＸＸＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程の一工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２２に示す工程の、図２２に示される断面線ＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２２に示す工程の、図２２に示される断面線ＸＸＩＶ−ＸＸＩＶにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２２から図２４に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２５に示す工程の、図２５に示される断面線ＸＸＶＩ−ＸＸＶＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２５に示す工程の、図２５に示される断面線ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２５から図２７に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２８に示す工程の、図２８に示される断面線ＸＸＩＸ−ＸＸＩＸにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２８に示す工程の、図２８に示される断面線ＸＸＸ−ＸＸＸにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図２８から図３０に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図３１に示す工程の、図３１に示される断面線ＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態１の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図３１に示す工程の、図３１に示される断面線ＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの概略平面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの、図３４に示される断面線ＸＸＸＶ−ＸＸＸＶにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの、図３４に示される断面線ＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程の一工程を示す概略平面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図３７に示す工程の、図３７に示される断面線ＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図３７に示す工程の、図３７に示される断面線ＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図３７から図３９に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４０に示す工程の、図４０に示される断面線ＸＬＩ−ＸＬＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４０に示す工程の、図４０に示される断面線ＸＬＩＩ−ＸＬＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４０から図４２に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４３に示す工程の、図４３に示される断面線ＸＬＩＶ−ＸＬＩＶにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４３に示す工程の、図４３に示される断面線ＸＬＶ−ＸＬＶにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４３から図４５に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４６に示す工程の、図４６に示される断面線ＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４６に示す工程の、図４６に示される断面線ＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４６から図４９に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４９に示す工程の、図４６に示される断面線Ｌ−Ｌにおける概略断面図である。 実施の形態２の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図４９に示す工程の、図４６に示される断面線ＬＩ−ＬＩにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの概略平面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの、図５２に示される断面線ＬＩＩＩ−ＬＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの、図５２に示される断面線ＬＩＶ−ＬＩＶにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程の一工程を示す概略平面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図５５に示す工程の、図５５に示される断面線ＬＶＩ−ＬＶＩにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図５５に示す工程の、図５５に示される断面線ＬＶＩＩ−ＬＶＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図５５から図５７に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図５８に示す工程の、図５８に示される断面線ＬＩＸ−ＬＩＸにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図５８に示す工程の、図５８に示される断面線ＬＸ−ＬＸにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図５８から図６０に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図６０に示す工程の、図６０に示される断面線ＬＸＩＩ−ＬＸＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図６０に示す工程の、図６０に示される断面線ＬＸＩＩＩ−ＬＸＩＩＩにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図６１から図６３に示される工程の次工程を示す概略平面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図６４に示す工程の、図６４に示される断面線ＬＸＶ−ＬＸＶにおける概略断面図である。 実施の形態３の熱式フローセンサの製造方法のうちカバーを作成する工程における図６４に示す工程の、図６４に示される断面線ＬＸＶＩ−ＬＸＶＩにおける概略断面図である。

以下、実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
図１から図５を参照して、実施の形態１の熱式フローセンサ１を説明する。熱式フローセンサ１は、ベース部材２と、カバー４とを主に備える。

図１から図３に示されるように、ベース部材２は、基板１０と、第１絶縁膜１５と、ヒータ２０と、第１温度センサ２１と、第２温度センサ２２と、第１パッド２３と、第２パッド２４，２５と、第１配線２６と、第２配線２７，２８とを主に含む。ベース部材２は、第２絶縁膜３０と、第３絶縁膜１２とをさらに含んでもよい。ベース部材２は、第１方向（ｘ方向）と第１方向（ｘ方向）に垂直な第２方向（ｙ方向）とに延在している第１主面２ａを含む。ベース部材２の第１主面２ａは、例えば、第２絶縁膜３０の表面である。

基板１０は、導電性基板であってもよいし、半導体基板であってもよいし、絶縁基板であってもよい。基板１０は、例えば、シリコン基板である。基板１０は、第２主面１０ａを含む。第２主面１０ａは、第１方向（ｘ方向）と第２方向（ｙ方向）とに延在している。基板１０のうち、ヒータ２０と第１温度センサ２１と第２温度センサ２２とに対応する部分に、空洞１１が設けられている。空洞１１の開口部１１ａは、基板１０の第２主面１０ａに形成されている。空洞１１は、後述する第１スリット３７及び第２スリット３８に連通している。

図２及び図３に示されるように、第３絶縁膜１２は、基板１０の第２主面１０ａ上に設けられている。第３絶縁膜１２は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜である。第３絶縁膜１２には、開口１２ａが設けられている。第３絶縁膜１２の開口１２ａは、空洞１１の開口部１１ａに整合している。第３絶縁膜１２は、図２０及び図２１に示されるように基板１０をエッチングして基板１０に空洞１１を形成する際に、エッチングマスクとして機能してもよい。

第１絶縁膜１５は、基板１０の第２主面１０ａ上に設けられている。具体的には、第１絶縁膜１５は、第３絶縁膜１２を介して、基板１０の第２主面１０ａ上に設けられている。第１絶縁膜１５は、後述するヒータ２０と基板１０との間に配置されている。第１絶縁膜１５は、基板１０の空洞１１の上方に延在している。第１絶縁膜１５の両端は、基板１０によって支持されている。第１絶縁膜１５は、両端支持梁構造を有している。

第１絶縁膜１５は、第１窒化シリコン層１６と第１二酸化シリコン層１７とを含む。第１窒化シリコン層１６は、第１二酸化シリコン層１７よりも、基板１０に近位してもよい。第１窒化シリコン層１６の第１厚さｄ₁に対する第１二酸化シリコン層１７の第２厚さｄ₂の第１の比は、１．０より大きくかつ５．５以下である。特定的には、第１窒化シリコン層１６の第１厚さｄ₁に対する第１二酸化シリコン層１７の第２厚さｄ₂の第１の比は、３．０より大きくかつ５．０以下である。そのため、第１窒化シリコン層１６に印加される引張応力と第１二酸化シリコン層１７に印加される圧縮応力とが互いにバランスする。梁構造を有する第１絶縁膜１５の反りを減少または防止することができる。第１窒化シリコン層１６に印加される引張応力は、基板１０と第１窒化シリコン層１６との間の熱膨張係数の差によって発生する。第１二酸化シリコン層１７に印加される引張応力は、基板１０と第１二酸化シリコン層１７との間の熱膨張係数の差によって発生する。

図１から図３に示されるように、ヒータ２０は、第１絶縁膜１５上に設けられている。図４に示されるように、ヒータ２０は、例えば、蛇行した導電線で形成されてもよい。ヒータ２０は、例えば、白金のような金属材料で形成されている。第１方向（ｘ方向）及び第２方向（ｙ方向）に垂直な第３方向（ｚ方向）において、ヒータ２０は、主流路部５０ａ（流路５０）に対向している。

図１及び図２に示されるように、第１温度センサ２１及び第２温度センサ２２は、第１絶縁膜１５上に設けられている。第１温度センサ２１は、第１方向（ｘ方向）において、ヒータ２０に対して流路５０の入口５１に近位して配置されている。第２温度センサ２２は、第１方向（ｘ方向）において、ヒータ２０に対して流路５０の出口５２に近位して配置されている。図５に示されるように、第１温度センサ２１と第２温度センサ２２とは、例えば、蛇行した導電線で形成されてもよい。ヒータ２０は、例えば、白金のような金属材料で形成されている。第３方向（ｚ方向）において、第１温度センサ２１と第２温度センサ２２とは、主流路部５０ａ（流路５０）に対向している。

図１に示されるように、第１パッド２３と第２パッド２４，２５とは、第１絶縁膜１５上に設けられている。第１パッド２３と第２パッド２４，２５とは、例えば、白金のような導電材料で形成されている。第１配線２６と第２配線２７，２８とは、第１絶縁膜１５上に設けられている。第１配線２６と第２配線２７，２８とは、例えば、白金のような導電材料で形成されている。第１配線２６は、ヒータ２０と第１パッド２３とに接続されている。第２配線２７は、第１温度センサ２１と第２パッド２４とに接続されている。第２配線２８は、第２温度センサ２２と第２パッド２５とに接続されている。

図２及び図３に示されるように、第２絶縁膜３０は、第１絶縁膜１５上に設けられている。第２絶縁膜３０は、ヒータ２０と、第１配線２６とを覆っている。第２絶縁膜３０は、第１温度センサ２１と、第２温度センサ２２と、第２配線２７，２８とを覆っている。第２絶縁膜３０は、基板１０の空洞１１の上方に延在している。第２絶縁膜３０の両端は、基板１０によって支持されている。第２絶縁膜３０は、両端支持梁構造を有している。

第２絶縁膜３０は、第２二酸化シリコン層３１と第２窒化シリコン層３２とを含む。第２二酸化シリコン層３１は、第２窒化シリコン層３２よりも、基板１０に近位してもよい。第２絶縁膜３０は、第１絶縁膜１５と第２絶縁膜３０との間の界面に関して、第１絶縁膜１５に対称な層構造を有してもよい。そのため、第２絶縁膜３０の反りは、第１絶縁膜１５の反りと逆方向となって、第１絶縁膜１５の反りを打ち消すことができる。梁構造を有する第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０の反りを減少または防止することができる。

第２窒化シリコン層３２の第３厚さｄ₃に対する第２二酸化シリコン層３１の第４厚さｄ₄の第２の比は、１．０より大きくかつ５．５以下である。特定的には、第２窒化シリコン層３２の第３厚さｄ₃に対する第２二酸化シリコン層３１の第４厚さｄ₄の第２の比は、３．０より大きくかつ５．０以下である。そのため、第２窒化シリコン層３２に印加される引張応力と第２二酸化シリコン層３１に印加される圧縮応力とが互いにバランスする。梁構造を有する第２絶縁膜３０の反りを減少または防止することができる。第２二酸化シリコン層３１に印加される引張応力は、基板１０と第２二酸化シリコン層３１との間の熱膨張係数の差によって発生する。第２窒化シリコン層３２に印加される引張応力は、基板１０と第２窒化シリコン層３２との間の熱膨張係数の差によって発生する。

図１に示されるように、第２絶縁膜３０には、開口３４，３５，３６が設けられている。第１パッド２３は、開口３４から露出している。第２パッド２４，２５は、開口３５から露出している。第２パッド２４，２５は、開口３６から露出している。

図１及び図２に示されるように、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０に、第１スリット３７と第２スリット３８とが設けられている。

第１スリット３７は、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を貫通している。第１スリット３７は、第１方向（ｘ方向）において、ヒータ２０と第１温度センサ２１との間に設けられている。第１スリット３７は、ヒータ２０に対して流路５０の入口５１に近位して設けられている。第１スリット３７は、ヒータ２０からの熱が、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を介して、第１温度センサ２１に伝わることを妨げる。

第２スリット３８は、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を貫通している。第２スリット３８は、第１方向（ｘ方向）において、ヒータ２０と第２温度センサ２２との間に設けられている。第２スリット３８は、ヒータ２０に対して流路５０の出口５２に近位して設けられている。第２スリット３８は、ヒータ２０からの熱が、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を介して、第２温度センサ２２に伝わることを妨げる。

図１に示されるように、第１スリット３７の長手方向は、第２方向（ｙ方向）である。第２方向（ｙ方向）における第１スリット３７の両端（端３７ｉ，３７ｊ）は、第２方向（ｙ方向）におけるヒータ２０の両端（端２０ｉ，２０ｊ）よりも、第２方向（ｙ方向）における主流路部５０ａの中心線５０ｐから遠位している。そのため、ヒータ２０からの熱が、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を介して、第１温度センサ２１に伝わることがより一層妨げられ得る。

第２スリット３８の長手方向は、第２方向（ｙ方向）である。第２方向（ｙ方向）における第２スリット３８の両端（端３８ｉ，３８ｊ）は、第２方向（ｙ方向）におけるヒータ２０の両端（端２０ｉ，２０ｊ）よりも、第２方向（ｙ方向）における主流路部５０ａの中心線５０ｐから遠位している。そのため、ヒータ２０からの熱が、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を介して、第２温度センサ２２に伝わることがより一層妨げられ得る。

第２方向（ｙ方向）における第１スリット３７の両端（端３７ｉ，３７ｊ）は、第２方向（ｙ方向）における空洞１１の開口部１１ａの両端縁（端縁１１ｉ，１１ｊ）に整列してもよい。図１に示されるように、第２方向（ｙ方向）における第１スリット３７の両端（端３７ｉ，３７ｊ）は、第２方向（ｙ方向）における空洞１１の開口部１１ａの両端縁（端縁１１ｉ，１１ｊ）よりも、第２方向（ｙ方向）における主流路部５０ａの中心線５０ｐから遠位してもよい。そのため、ヒータ２０からの熱が、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を介して、第１温度センサ２１に伝わることがより一層妨げられ得る。

第２方向（ｙ方向）における第２スリット３８の両端（端３８ｉ，３８ｊ）は、第２方向（ｙ方向）における空洞１１の開口部１１ａの両端縁（端縁１１ｉ，１１ｊ）に整列してもよい。図１に示されるように、第２方向（ｙ方向）における第２スリット３８の両端（端３８ｉ，３８ｊ）は、第２方向（ｙ方向）における空洞１１の開口部１１ａの両端縁（端縁１１ｉ，１１ｊ）よりも、第２方向（ｙ方向）における主流路部５０ａの中心線５０ｐから遠位している。そのため、ヒータ２０からの熱が、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０を介して、第２温度センサ２２に伝わることがより一層妨げられ得る。

図１から図３に示されるように、カバー４は、ベース部材２の第１主面２ａに固定されている。カバー４は、例えば、接着剤のような接合部材（図示せず）を用いて、ベース部材２の第１主面２ａに接合されている。カバー４は、シリコンオンインシュレータ基板（ＳＯＩ基板４０）で形成されている。ＳＯＩ基板４０は、シリコン基板４１と、シリコン基板４１上に設けられている二酸化シリコン膜４２と、二酸化シリコン膜４２上に設けられているシリコン膜４３とを含む。二酸化シリコン膜４２は、シリコン基板４１とシリコン膜４３との間にあり、シリコン膜４３をシリコン基板４１から電気的に絶縁している。カバー４は、第１方向（ｘ方向）におけるカバー４の両端面を規定する第１側面４ｅと第２側面４ｆとを含む。カバー４は、ベース部材２から遠位する第３主面４ｇを含む。カバー４の第３主面４ｇは、カバー４の第１側面４ｅと第２側面４ｆとに接続されている。

シリコン膜４３には、凹部４４が形成されている。凹部４４の底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。凹部４４の側面は、シリコン膜４３で規定されている。流路５０のうち第１主面２ａに沿って延在する主流路部５０ａは、凹部４４の底面を規定する二酸化シリコン膜４２の露出面と、凹部４４の側面を規定するシリコン膜４３と、第１主面２ａとによって規定されている。主流路部５０ａ（流路５０）の高さは、凹部４４の深さによって規定される。凹部４４の深さは、ＳＯＩ基板４０のシリコン膜４３の厚さに等しい。そのため、主流路部５０ａ（流路５０）の高さは、精密に定められ得る。第１主面２ａの平面視において、主流路部５０ａの第１長手方向は、第１方向（ｘ方向）である。

カバー４に、流路５０の入口５１と出口５２とが形成されている。本実施の形態では、流路５０の入口５１は、カバー４の第１側面４ｅに設けられている。流路５０の出口５２は、カバー４の第２側面４ｆに設けられている。図１に示されるように、第１主面２ａの平面視において、流路５０は直線形状を有している。流路５０は、第１主面２ａに沿って延在する主流路部５０ａで構成されている。

カバー４には、貫通孔４６が設けられている。貫通孔４６は、第２方向（ｙ方向）において、シリコン膜４３に設けられている凹部４４の両側に設けられている。そのため、第１主面２ａの平面視において、第１パッド２３と第２パッド２４，２５とは、カバー４から露出している。貫通孔４６は、第１パッド２３から配線（図示せず）を引き出すことを可能にして、熱式フローセンサ１の外部からヒータ２０に電力を供給することを可能にする。貫通孔４６は、第２パッド２４，２５から配線（図示せず）を引き出すことを可能にして、熱式フローセンサ１が流量演算器５５（図６を参照）に接続されることを可能にする。

図６を参照して、フローセンサシステム７を説明する。フローセンサシステム７は、熱式フローセンサ１と、流量演算器５５とを含む。流量演算器５５は、熱式フローセンサ１に接続されている。流量演算器５５は、例えば、中央演算ユニット（ＣＰＵ）のような半導体プロセッサで形成されている。流量演算器５５は、出力読み取り部５６と、流量算出部５７とを含む。出力読み取り部５６は、第１温度センサ２１の第１出力と第２温度センサ２２の第２出力とを読み取る。流量算出部５７は、第１温度センサ２１の第１出力と第２温度センサ２２の第２出力とから、流路５０を流れる流体（気体または液体）の流量を算出する。流量算出部５７は、例えば、第２出力と第１出力との間の差分を算出し、この差分から、流体の流量を算出する。流体の流量は、単位時間当たりに流路５０を流れる流体の体積を意味する。

図７を参照して、本実施の形態の熱式フローセンサ１の製造方法の一例を説明する。本実施の形態の熱式フローセンサ１の製造方法は、ベース部材２を作成する工程（Ｓ１）と、カバー４を作成する工程（Ｓ２）と、カバー４をベース部材２に固定する工程（Ｓ３）とを含む。ベース部材２を作成する工程（Ｓ１）は、カバー４を作成する工程（Ｓ２）の前に行われてもよいし、カバー４を作成する工程（Ｓ２）の後に行われてもよい。カバー４を作成する工程（Ｓ２）を行いながら、ベース部材２を作成する工程（Ｓ１）が行われてもよい。

図８から図２１を参照して、ベース部材２を作成する工程（Ｓ１）の一例を説明する。
図８及び図９を参照して、基板１０上に第３絶縁膜１２を形成する。基板１０は、例えば、シリコン基板である。第３絶縁膜１２は、例えば、二酸化シリコン膜である。第３絶縁膜１２は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。フォトリソグラフィー法などを用いて、第３絶縁膜１２に開口１２ａを形成する。第３絶縁膜１２の開口１２ａ内と第３絶縁膜１２の表面の一部上とに、犠牲層５８を形成する。犠牲層５８は、例えば、ポリシリコン層で形成されている。犠牲層５８は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。

図１０及び図１１を参照して、第３絶縁膜１２及び犠牲層５８上に、第１絶縁膜１５を形成する。第１絶縁膜１５は、第１窒化シリコン層１６と第１二酸化シリコン層１７とを含む。具体的には、第３絶縁膜１２及び犠牲層５８上に、第１窒化シリコン層１６を形成する。それから、第１窒化シリコン層１６上に、第１二酸化シリコン層１７を形成する。第１窒化シリコン層１６及び第１二酸化シリコン層１７は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。

図１２及び図１３を参照して、第１絶縁膜１５（第１二酸化シリコン層１７）上に、ヒータ２０と、第１温度センサ２１と、第２温度センサ２２と、第１パッド２３と、第２パッド２４，２５と、第１配線２６と、第２配線２７，２８とを形成する。例えば、第１絶縁膜１５（第１二酸化シリコン層１７）上に、白金のような導電層を形成する。導電層は、例えば、真空蒸着法またはスパッタ法によって形成される。フォトリソグラフィー法などを用いて、導電層をパターニングする。こうして、ヒータ２０と、第１温度センサ２１と、第２温度センサ２２と、第１パッド２３と、第２パッド２４，２５と、第１配線２６と、第２配線２７，２８とが、第１絶縁膜１５（第１二酸化シリコン層１７）上に形成される。

図１４及び図１５を参照して、第１絶縁膜１５（第１二酸化シリコン層１７）上に、第２絶縁膜３０を形成する。第２絶縁膜３０は、第２窒化シリコン層３２と第２二酸化シリコン層３１とを含む。具体的には、第１絶縁膜１５（第１二酸化シリコン層１７）上に、第２二酸化シリコン層３１を形成する。それから、第２二酸化シリコン層３１上に、第２窒化シリコン層３２を形成する。第２二酸化シリコン層３１及び第２窒化シリコン層３２は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。第２絶縁膜３０（第２二酸化シリコン層３１）は、ヒータ２０と、第１温度センサ２１と、第２温度センサ２２と、第１パッド２３と、第２パッド２４，２５と、第１配線２６と、第２配線２７，２８とを覆う。

図１６及び図１７を参照して、第２絶縁膜３０に開口３４，３５，３６を形成する。例えば、フォトリソグラフィー法などを用いて、第２絶縁膜３０をパターニングする。第２絶縁膜３０は、例えば、ＣＦ₄のようなエッチングガスを用いて、ドライエッチングされる。こうして、開口３４，３５，３６が、第２絶縁膜３０に形成される。第１パッド２３は、第２絶縁膜３０の開口３４において、第２絶縁膜３０から露出する。第２パッド２４は、第２絶縁膜３０の開口３５において、第２絶縁膜３０から露出する。第２パッド２５は、第２絶縁膜３０の開口３６において、第２絶縁膜３０から露出する。

図１８及び図１９を参照して、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０に第１スリット３７と第２スリット３８とを形成する。例えば、フォトリソグラフィー法などを用いて、第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０をパターニングする。第１絶縁膜１５及び第２絶縁膜３０は、例えば、ＣＦ₄のようなエッチングガスを用いて、ドライエッチングされる。こうして、第１スリット３７と第２スリット３８とが、第１絶縁膜１５と第２絶縁膜３０とに形成される。

図２０及び図２１を参照して、基板１０の一部と犠牲層５８とをエッチングする。例えば、基板１０の一部と犠牲層５８とは、四メチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）のようなエッチング液を用いて、選択的にウェットエッチングされる。第３絶縁膜１２は、エッチングマスクとして機能する。こうして、犠牲層５８が除去されるととともに、基板１０に空洞１１が形成される。第１スリット３７及び第２スリット３８は、空洞１１に連通している。こうしてベース部材２が得られる。

図２２から図３３を参照して、カバー４を作成する工程（Ｓ２）の一例を説明する。
図２２から図２４を参照して、ＳＯＩ基板４０を用意する。ＳＯＩ基板４０は、シリコン基板４１と、シリコン基板４１上に設けられている二酸化シリコン膜４２と、二酸化シリコン膜４２上に設けられているシリコン膜４３とを含む。二酸化シリコン膜４２は、シリコン基板４１とシリコン膜４３との間にある。ＳＯＩ基板４０は、第１側面４ｅと、第２側面４ｆと、第３主面４ｇとを含む。

図２５から図２７を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、シリコン膜４３の一部を除去する。具体的には、ボッシュ法のような深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）法によって、シリコン膜４３をエッチングする。シリコン膜４３に、凹部４４とサイド凹部４６ａとが形成される。

凹部４４の底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。凹部４４の側面は、シリコン膜４３で規定されている。凹部４４の深さは、ＳＯＩ基板４０のシリコン膜４３の厚さに等しい。そのため、凹部４４の深さは、精密に定められ得る。凹部４４は、ＳＯＩ基板４０の第１側面４ｅから第２側面４ｆまで延在している。

サイド凹部４６ａの底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。サイド凹部４６ａの側面は、シリコン膜４３で規定されている。凹部４４とサイド凹部４６ａとの間に、シリコン膜４３が残存している。サイド凹部４６ａは、第２方向（ｙ方向）における凹部４４の両側にある。サイド凹部４６ａは、シリコン膜４３のうち、カバー４の貫通孔４６に対応する部分に形成される。

図２８から図３０を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、二酸化シリコン膜４２の一部を除去する。特定的には、二酸化シリコン膜４２のうち、サイド凹部４６ａの底面を規定していた部分を除去する。具体的には、二酸化シリコン膜４２は、例えば、ＣＦ₄のようなエッチングガスを用いて、ドライエッチングされる。こうして、サイド凹部４６ｂが形成される。サイド凹部４６ｂの底面は、二酸化シリコン膜４２から露出しているシリコン基板４１の表面で規定されている。サイド凹部４６ｂの側面は、シリコン膜４３と二酸化シリコン膜４２とで規定されている。

図３１から図３３を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、シリコン基板４１の一部を除去する。特定的には、シリコン基板４１のうち、サイド凹部４６ｂの底面を規定していた部分を除去する。具体的には、ボッシュ法のような深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）法によって、シリコン基板４１をエッチングする。カバー４に、貫通孔４６が形成される。こうして、カバー４が得られる。

カバー４をベース部材２に固定する工程（Ｓ３）では、カバー４をベース部材２の第１主面２ａに固定する。カバー４は、例えば、接着剤のような接合部材（図示せず）を用いて、ベース部材２の第１主面２ａに接合される。こうして、流路５０のうち第１主面２ａに沿って延在する主流路部５０ａが形成される。主流路部５０ａは、凹部４４の底面を規定する二酸化シリコン膜４２の露出面と、凹部４４の側面を規定するシリコン膜４３と、第１主面２ａとによって規定されている。第１主面２ａの平面視において、主流路部５０ａの第１長手方向は、第１方向（ｘ方向）である。こうして、熱式フローセンサ１が得られる。

本実施の形態のいくつかの変形例を説明する。
本実施の形態の第１変形例では、第２温度センサ２２と第２パッド２５と第２配線２８とが省略されている。出力読み取り部５６（図６を参照）は、流路５０（主流路部５０ａ）に流体が流れていない時の第１温度センサ２１の第１出力と、流路５０（主流路部５０ａ）に流体が流れている時の第１温度センサ２１の第２出力とを読み取る。流量算出部５７（図６を参照）は、第１温度センサ２１の第１出力と第２出力とから、流路５０を流れる流体の流量を算出する。流量算出部５７は、例えば、第２出力と第１出力との間の差分を算出し、この差分から、流体の流量を算出する。

本実施の形態の第２変形例では、第１温度センサ２１と第２パッド２４と第２配線２７とが省略されている。出力読み取り部５６（図６を参照）は、流路５０（主流路部５０ａ）に流体が流れていない時の第２温度センサ２２の第１出力と、流路５０（主流路部５０ａ）に流体が流れている時の第２温度センサ２２の第２出力とを読み取る。流量算出部５７（図６を参照）は、第２温度センサ２２の第１出力と第２出力とから、流路５０を流れる流体の流量を算出する。流量算出部５７は、例えば、第２出力と第１出力との間の差分を算出し、この差分から、流体の流量を算出する。

本実施の形態の第３変形例では、第１温度センサ２１と第２温度センサ２２と第２パッド２４，２５と第２配線２７，２８とが省略されている。出力読み取り部５６（図６を参照）は、流路５０（主流路部５０ａ）に流体が流れていない時のヒータ２０の第１温度と、流路５０（主流路部５０ａ）に流体が流れている時のヒータ２０の第２温度とを読み取る。流量算出部５７（図６を参照）は、第１温度と第２温度とから、流路５０を流れる流体の流量を算出する。流量算出部５７は、例えば、第２温度と第１温度との間の差分を算出し、この差分から、流体の流量を算出する。

本実施の形態の第４変形例では、第２絶縁膜３０が省略されており、ヒータ２０と第１温度センサ２１と第２温度センサ２２とは、流路５０（主流路部５０ａ）に露出してもよい。本実施の形態の第５変形例では、第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つが省略されてもよい。

本実施の形態の熱式フローセンサ１の効果を説明する。
本実施の形態の熱式フローセンサ１は、ベース部材２と、カバー４とを備える。ベース部材２は、第１方向（ｘ方向）と第１方向（ｘ方向）に垂直な第２方向（ｙ方向）とに延在している第１主面２ａを含む。ベース部材２は、ヒータ２０を含む。カバー４は、ベース部材２の第１主面２ａに固定されている。カバー４は、シリコン基板４１と、シリコン基板４１上に設けられている二酸化シリコン膜４２と、二酸化シリコン膜４２上に設けられているシリコン膜４３とを含むＳＯＩ基板４０で形成されている。シリコン膜４３には、凹部４４が形成されている。凹部４４の底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。凹部４４の側面は、シリコン膜４３で規定されている。流路５０のうち第１主面２ａに沿って延在する主流路部５０ａは、凹部４４の底面を規定する二酸化シリコン膜４２の露出面と、凹部４４の側面を規定するシリコン膜４３と、第１主面２ａとによって規定されている。第１主面２ａの平面視において、主流路部５０ａの第１長手方向は、第１方向（ｘ方向）である。カバー４に、流路５０の入口５１と出口５２とが形成されている。第１方向（ｘ方向）及び第２方向（ｙ方向）に垂直な第３方向（ｚ方向）において、ヒータ２０は主流路部５０ａに対向している。

熱式フローセンサ１では、主流路部５０ａ（流路５０）の高さは、ＳＯＩ基板４０のシリコン膜４３の厚さによって定められる。主流路部５０ａ（流路５０）の高さは、精密に定められ得る。そのため、熱式フローセンサ１によれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

さらに、ＳＯＩ基板４０は、通常、フォトリソグラフィー法のような、高いパターニング精度を有する方法によって、パターニングされる。そのため、主流路部５０ａ（流路５０）の幅も、精密に定められ得る。熱式フローセンサ１によれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、ベース部材２は、基板１０と、第１絶縁膜１５とをさらに含む。基板１０は、第２主面１０ａを含む。第１絶縁膜１５は、基板１０の第２主面１０ａ上に設けられている。ヒータ２０は、第１絶縁膜１５上に設けられている。第１絶縁膜１５は、ヒータ２０と基板１０との間に配置されている。そのため、基板１０として、絶縁基板だけでなく、導電性基板または半導体基板を用いることができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、ベース部材２は、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つをさらに含む。第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つは、第１絶縁膜１５上に設けられている。第１温度センサ２１は、ヒータ２０に対して流路５０の入口５１に近位して配置されている。第２温度センサ２２は、ヒータ２０に対して流路５０の出口５２に近位して配置されている。第３方向（ｚ方向）において、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つは、主流路部５０ａに対向している。そのため、熱式フローセンサ１によれば、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つを用いて、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、第１絶縁膜１５に、第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つが設けられている。第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つの第２長手方向は、第２方向（ｙ方向）である。第１スリット３７は、ヒータ２０と第１温度センサ２１との間に設けられている。第２スリット３８は、ヒータ２０と第２温度センサ２２との間に設けられている。

第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つは、ヒータ２０からの熱が第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つに伝わることを妨げる。そのため、熱式フローセンサ１によれば、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つを用いて、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、第２方向（ｙ方向）における第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つの第１両端（端３７ｉ，３７ｊまたは端３８ｉ，３８ｊの少なくとも一つ）は、第２方向（ｙ方向）におけるヒータ２０の第２両端（端２０ｉ，２０ｊ）よりも、第２方向（ｙ方向）における主流路部５０ａの中心線５０ｐから遠位している。

第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つは、ヒータ２０からの熱が第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つに伝わることをより一層妨げる。そのため、熱式フローセンサ１によれば、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つを用いて、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、基板１０のうち、ヒータ２０と第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つとに対応する部分に、空洞１１が設けられている。空洞１１の開口部１１ａは、基板１０の第２主面１０ａに形成されている。空洞１１は、第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つに連通している。

空洞１１は、ヒータ２０からの熱が基板１０に散逸することを妨げる。そのため、熱式フローセンサ１によれば、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つを用いて、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、第２方向（ｙ方向）における第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つの第１両端（端３７ｉ，３７ｊまたは端３８ｉ，３８ｊの少なくとも一つ）は、第２方向（ｙ方向）における空洞１１の開口部１１ａの両端縁（端縁１１ｉ，１１ｊ）よりも、第２方向（ｙ方向）における主流路部５０ａの中心線５０ｐから遠位している。

第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つは、ヒータ２０からの熱が第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つに伝わることをより一層妨げる。そのため、熱式フローセンサ１によれば、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つを用いて、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、第１絶縁膜１５は、第１二酸化シリコン層１７と第１窒化シリコン層１６とを含む。第１窒化シリコン層１６の第１厚さｄ₁に対する第１二酸化シリコン層１７の第２厚さｄ₂の第１の比は、１．０より大きくかつ５．５以下である。

そのため、第１絶縁膜１５の反りを減少または防止することができる。主流路部５０ａ（流路５０）の形状（特に、第１方向（ｘ方向）に垂直な断面における主流路部５０ａ（流路５０）の断面形状）が変化することが減少または防止され得る。熱式フローセンサ１によれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、ベース部材２は、ヒータ２０を覆う第２絶縁膜３０をさらに含む。そのため、第２絶縁膜３０は、ヒータ２０を、主流路部５０ａ（流路５０）を流れる流体から保護する。熱式フローセンサ１によれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、ベース部材２は、ヒータ２０を覆う第２絶縁膜３０をさらに含む。第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つは、第２絶縁膜３０にさらに設けられている。

第１スリット３７または第２スリット３８の少なくとも一つは、ヒータ２０からの熱が第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つに伝わることをより一層妨げる。そのため、熱式フローセンサ１によれば、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つを用いて、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、第２絶縁膜３０は、第２二酸化シリコン層３１と第２窒化シリコン層３２とを含む。第２窒化シリコン層３２の第３厚さｄ₃に対する第２二酸化シリコン層３１の第４厚さｄ₄の第２の比は、１．０より大きくかつ５．５以下である。

そのため、第２絶縁膜３０の反りを減少または防止することができる。主流路部５０ａ（流路５０）の形状（特に、第１方向（ｘ方向）に垂直な断面における主流路部５０ａ（流路５０）の断面形状）が変化することが減少または防止され得る。熱式フローセンサ１によれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、ベース部材２は、第１パッド２３と、第１配線２６とをさらに含む。第１配線２６は、ヒータ２０と第１パッド２３とに接続されている。第１主面２ａの平面視において、第１パッド２３はカバー４から露出している。そのため、熱式フローセンサ１の外部からヒータ２０に電力を供給することが容易になる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、ベース部材２は、第１パッド２３と、第２パッド２４，２５と、第１配線２６と、第２配線２７，２８とをさらに含む。第１配線２６は、ヒータ２０と第１パッド２３とに接続されている。第２配線２７，２８は、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つと第２パッド２４，２５とに接続されている。第１主面２ａの平面視において、第１パッド２３と第２パッド２４，２５とは、カバー４から露出している。

そのため、熱式フローセンサ１の外部からヒータ２０に電力を供給することが容易になる。また、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つからの出力を熱式フローセンサ１の外部に取り出すことが容易になる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１では、カバー４は、第１方向（ｘ方向）におけるカバー４の両端面を規定する第１側面４ｅと第２側面４ｆとを含む。流路５０の入口５１は、カバー４の第１側面４ｅに設けられている。流路５０の出口５２は、カバー４の第２側面４ｆに設けられている。第１主面２ａの平面視において、流路５０は直線形状を有している。

流路５０は直線形状を有しているため、流路５０を流れる流体の乱れを低減させることができる。熱式フローセンサ１によれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

（実施の形態２）
図３４から図３６を参照して、実施の形態２の熱式フローセンサ１ｂを説明する。本実施の形態の熱式フローセンサ１ｂは、実施の形態１の熱式フローセンサ１と同様の構成を備えているが、以下の点で主に異なっている。

熱式フローセンサ１ｂは、実施の形態１のカバー４に代えて、カバー４ｂを備えている。カバー４ｂは、第１貫通電極６６と、第２貫通電極６７，６８とをさらに含む。第１貫通電極６６は、第３方向（ｚ方向）においてカバー４ｂを貫通しており、かつ、第１パッド２３に電気的に接続されている。第２貫通電極６７，６８は、第３方向（ｚ方向）においてカバー４ｂを貫通しており、かつ、第２パッド２４，２５に電気的に接続されている。

具体的には、カバー４ｂには、貫通孔４６（図１及び図３を参照）に代えて、貫通孔６０，６１，６２が設けられている。貫通孔６０，６１，６２は、第２方向（ｙ方向）において、シリコン膜４３に設けられている凹部４４の両側に設けられている。貫通孔６０は、第１パッド２３に対応して設けられいる。貫通孔６１は、第２パッド２４に対応して設けられいる。貫通孔６２は、第２パッド２５に対応して設けられいる。

貫通孔６０の表面に、絶縁膜６３が設けられている。貫通孔６１の表面に、絶縁膜６４が設けられている。貫通孔６２の表面に、絶縁膜６５が設けられている。絶縁膜６３，６４，６５は、例えば、二酸化シリコン膜４２である。

貫通孔６０内に、第１貫通電極６６が設けられている。具体的には、絶縁膜６３によって規定される孔に、第１貫通電極６６が充填されている。第１貫通電極６６の側面は、絶縁膜６３によって覆われている。第１貫通電極６６は、絶縁膜６３によって、シリコン基板４１及びシリコン膜４３から電気的に絶縁されている。

貫通孔６１内に、第２貫通電極６７が設けられている。具体的には、絶縁膜６４によって規定される孔に、第２貫通電極６７が充填されている。第２貫通電極６７の側面は、絶縁膜６４によって覆われている。第２貫通電極６７は、絶縁膜６４によって、シリコン基板４１及びシリコン膜４３から電気的に絶縁されている。貫通孔６２内に、第２貫通電極６８が設けられている。具体的には、絶縁膜６５によって規定される孔に、第２貫通電極６８が充填されている。第２貫通電極６８の側面は、絶縁膜６５によって覆われている。第２貫通電極６８は、絶縁膜６５によって、シリコン基板４１及びシリコン膜４３から電気的に絶縁されている。第１貫通電極６６と第２貫通電極６７，６８とは、例えば、銅、金またはアルミニウムのような導電材料で形成されている。

第１貫通電極６６は、はんだのような導電接合部材（図示せず）を用いて、第１パッド２３に接合されている。第２貫通電極６７は、はんだのような導電接合部材（図示せず）を用いて、第２パッド２４に接合されている。第２貫通電極６８は、はんだのような導電接合部材（図示せず）を用いて、第２パッド２５に接合されている。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｂの製造方法のうち、ベース部材２を作成する工程は、実施の形態１のベース部材２を作成する工程（Ｓ１）と同様である。図３７から図５１を参照して、本実施の形態の熱式フローセンサ１ｂの製造方法のうち、カバー４ｂを作成する工程の一例を説明する。

図３７から図３９を参照して、ＳＯＩ基板４０を用意する。ＳＯＩ基板４０は、シリコン基板４１と、シリコン基板４１上に設けられている二酸化シリコン膜４２と、二酸化シリコン膜４２上に設けられているシリコン膜４３とを含む。二酸化シリコン膜４２は、シリコン基板４１とシリコン膜４３との間にある。ＳＯＩ基板４０は、第１側面４ｅと、第２側面４ｆと、第３主面４ｇとを含む。

図４０から図４２を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、シリコン膜４３の一部を除去する。具体的には、ボッシュ法のような深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）法によって、シリコン膜４３をエッチングする。シリコン膜４３に、凹部４４とサイド凹部４６ａとが形成される。

凹部４４の底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。凹部４４の側面は、シリコン膜４３で規定されている。凹部４４の深さは、ＳＯＩ基板４０のシリコン膜４３の厚さに等しい。そのため、凹部４４の深さは、精密に定められ得る。凹部４４は、ＳＯＩ基板４０の第１側面４ｅから第２側面４ｆまで延在している。

サイド凹部４６ａの底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。サイド凹部４６ａの側面は、シリコン膜４３で規定されている。凹部４４とサイド凹部４６ａとの間に、シリコン膜４３が残存している。サイド凹部４６ａは、第２方向（ｙ方向）における凹部４４の両側にある。サイド凹部４６ａは、シリコン膜４３のうち、カバー４ｂの貫通孔６０，６１，６２に対応する部分に形成される。

図４３から図４５を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、二酸化シリコン膜４２の一部を除去する。特定的には、二酸化シリコン膜４２のうち、サイド凹部４６ａの底面を規定していた部分を除去する。具体的には、二酸化シリコン膜４２は、例えば、ＣＦ₄のようなエッチングガスを用いて、ドライエッチングされる。こうして、サイド凹部４６ｂが形成される。サイド凹部４６ｂの底面は、二酸化シリコン膜４２から露出しているシリコン基板４１の表面で規定されている。サイド凹部４６ｂの側面は、シリコン膜４３と二酸化シリコン膜４２とで規定されている。

図４６から図４８を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、シリコン基板４１の一部を除去する。特定的には、シリコン基板４１のうち、サイド凹部４６ｂの底面を規定していた部分を除去する。具体的には、ボッシュ法のような深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）法によって、シリコン基板４１をエッチングする。カバー４ｂに、貫通孔６０，６１，６２が形成される。こうして、カバー４ｂが得られる。

図４９から図５１参照して、貫通孔６０の表面に絶縁膜６３を形成する。貫通孔６１の表面に絶縁膜６４を形成する。貫通孔６２の表面に絶縁膜６５を形成する。絶縁膜６３，６４，６５は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。

それから、貫通孔６０に、第１貫通電極６６を形成する。特定的には、絶縁膜６３によって規定される孔に、第１貫通電極６６を形成する。貫通孔６１に、第２貫通電極６７を形成する。特定的には、絶縁膜６４によって規定される孔に、第２貫通電極６７を形成する。貫通孔６２に、第２貫通電極６８を形成する。特定的には、絶縁膜６５によって規定される孔に、第２貫通電極６８を形成する。第１貫通電極６６及び第２貫通電極６７，６８は、例えば、真空蒸着法またはスパッタ法によって形成される。

カバー４ｂをベース部材２に固定する工程は、カバー４ｂをベース部材２の第１主面２ａに固定する。カバー４ｂは、例えば、接着剤のような接合部材（図示せず）を用いて、ベース部材２の第１主面２ａに接合される。カバー４ｂをベース部材２の第１主面２ａに固定する際、第１貫通電極６６は、はんだのような接合部材（図示せず）を用いて第１パッド２３に接合され、第２貫通電極６７，６８は、はんだのような接合部材（図示せず）を用いて第２パッド２４，２５にそれぞれ接合される。こうして、流路５０（主流路部５０ａ）が形成される。流路５０（主流路部５０ａ）は、凹部４４の底面を規定する二酸化シリコン膜４２の露出面と、凹部４４の側面を規定するシリコン膜４３と、第１主面２ａとによって規定されている。熱式フローセンサ１ｂが得られる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｂの効果は、実施の形態１の熱式フローセンサ１の効果に加えて、以下の効果を奏する。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｂでは、ベース部材２は、第１パッド２３と、第１配線２６とをさらに含む。第１配線２６は、ヒータ２０と第１パッド２３とに接続されている。カバー４ｂは、第１貫通電極６６をさらに含む。第１貫通電極６６は、第３方向（ｚ方向）においてカバー４ｂを貫通しており、かつ、第１パッド２３に電気的に接続されている。

カバー４ｂは、第１貫通電極６６を含む。そのため、熱式フローセンサ１ｂを、配線が形成されているプリント配線基板（図示せず）上に表面実装することによって、熱式フローセンサ１ｂの外部からヒータ２０に電力を供給することが可能になる。すなわち、第１貫通電極６６は、導電ワイヤを用いることなく、熱式フローセンサ１ｂの外部からヒータ２０に電力を供給することを可能にする。熱式フローセンサ１ｂの外部からヒータ２０に電力を供給することが容易になる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｂでは、ベース部材２は、第１パッド２３と、第２パッド２４，２５と、第１配線２６と、第２配線２７，２８とをさらに含む。第１配線２６は、ヒータ２０と第１パッド２３とに接続されている。第２配線２７，２８は、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つと第２パッド２４，２５とに接続されている。カバー４ｂは、第１貫通電極６６と、第２貫通電極６７，６８とをさらに含む。第１貫通電極６６は、第３方向（ｚ方向）においてカバー４ｂを貫通しており、かつ、第１パッド２３に電気的に接続されている。第２貫通電極６７，６８は、第３方向（ｚ方向）においてカバー４ｂを貫通しており、かつ、第２パッド２４，２５に電気的に接続されている。

カバー４ｂは、第１貫通電極６６を含む。そのため、熱式フローセンサ１ｂをプリント配線基板（図示せず）上に表面実装することによって、熱式フローセンサ１ｂの外部からヒータ２０に電力を供給することが可能になる。すなわち、第１貫通電極６６は、導電ワイヤを用いることなく、熱式フローセンサ１ｂの外部からヒータ２０に電力を供給することを可能にする。熱式フローセンサ１ｂの外部からヒータ２０に電力を供給することが容易になる。

カバー４ｂは、第２貫通電極６７，６８を含む。そのため、熱式フローセンサ１ｂをプリント配線基板（図示せず）上に表面実装することによって、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つの出力を熱式フローセンサ１ｂから読み出すことが可能になる。すなわち、第２貫通電極６７，６８は、導電ワイヤを用いることなく、第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つの出力を熱式フローセンサ１ｂから読み出すことを可能にする。第１温度センサ２１または第２温度センサ２２の少なくとも一つの出力を熱式フローセンサ１ｂから読み出すことが容易になる。

（実施の形態３）
図５２から図５４を参照して、実施の形態３の熱式フローセンサ１ｃを説明する。本実施の形態の熱式フローセンサ１ｃは、実施の形態１の熱式フローセンサ１と同様の構成を備えているが、以下の点で主に異なっている。

熱式フローセンサ１ｃは、実施の形態１のカバー４に代えて、カバー４ｃを備えている。カバー４ｃでは、流路５０の入口５１と出口５２とは、カバー４ｃの第３主面４ｇに設けられている。流路５０は、主流路部５０ａと、第１副流路部５０ｂと、第２副流路部５０ｃとを含む。第１副流路部５０ｂは、入口５１と主流路部５０ａとに連通している。第２副流路部５０ｃは、出口５２と主流路部５０ａとに連通している。第１副流路部５０ｂと第２副流路部５０ｃとは、第３方向（ｚ方向）に延在している。流路５０の第１副流路部５０ｂと第２副流路部５０ｃとは、カバー４ｃのシリコン基板４１と二酸化シリコン膜４２とに設けられている。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｃの製造方法のうち、ベース部材２を作成する工程は、実施の形態１のベース部材２を作成する工程（Ｓ１）と同様である。図５５から図６６を参照して、本実施の形態の熱式フローセンサ１ｃの製造方法のうち、カバー４ｃを作成する工程の一例を説明する。

図５５から図５７を参照して、ＳＯＩ基板４０を用意する。ＳＯＩ基板４０は、シリコン基板４１と、シリコン基板４１上に設けられている二酸化シリコン膜４２と、二酸化シリコン膜４２上に設けられているシリコン膜４３とを含む。二酸化シリコン膜４２は、シリコン基板４１とシリコン膜４３との間にある。ＳＯＩ基板４０は、第１側面４ｅと、第２側面４ｆと、第３主面４ｇとを含む。

図５８から図６０を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、シリコン膜４３の一部を除去する。具体的には、ボッシュ法のような深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）法によって、シリコン膜４３をエッチングする。シリコン膜４３に、凹部４４とサイド凹部４６ａとが形成される。

凹部４４の底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。凹部４４の側面は、シリコン膜４３で規定されている。凹部４４の深さは、ＳＯＩ基板４０のシリコン膜４３の厚さに等しい。そのため、凹部４４の深さは、精密に定められ得る。凹部４４は、第１方向（ｘ方向）において、シリコン膜４３で終端されている。凹部４４は、ＳＯＩ基板４０の第１側面４ｅ及び第２側面４ｆにまで延在していない。

サイド凹部４６ａの底面は、シリコン膜４３から露出している二酸化シリコン膜４２の露出面で規定されている。サイド凹部４６ａの側面は、シリコン膜４３で規定されている。凹部４４とサイド凹部４６ａとの間に、シリコン膜４３が残存している。サイド凹部４６ａは、第２方向（ｙ方向）における凹部４４の両側にある。サイド凹部４６ａは、シリコン膜４３のうち、カバー４ｃの貫通孔４６に対応する部分に形成される。

図６１から図６３を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、二酸化シリコン膜４２の一部を除去する。特定的には、二酸化シリコン膜４２のうち、サイド凹部４６ａの底面を規定していた部分と、第１副流路部５０ｂ及び第２副流路部５０ｃに対応する部分とを除去する。具体的には、二酸化シリコン膜４２は、例えば、ＣＦ₄のようなエッチングガスを用いて、ドライエッチングされる。こうして、サイド凹部４６ｂと凹部７１ａ，７１ｂとが形成される。サイド凹部４６ｂの底面は、二酸化シリコン膜４２から露出しているシリコン基板４１の表面で規定されている。サイド凹部４６ｂの側面は、シリコン膜４３と二酸化シリコン膜４２とで規定されている。凹部７１ａ，７１ｂの底面は、二酸化シリコン膜４２から露出しているシリコン基板４１の表面で規定されている。凹部７１ａ，７１ｂの側面は、二酸化シリコン膜４２で規定されている。

図６４から図６６を参照して、フォトリソグラフィー法などを用いて、シリコン基板４１の一部を除去する。特定的には、シリコン基板４１のうち、サイド凹部４６ｂの底面を規定していた部分と凹部７１ａ，７１ｂの底面を規定していた部分とを除去する。具体的には、ボッシュ法のような深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）法によって、シリコン基板４１をエッチングする。カバー４ｃに、貫通孔４６と第１副流路部５０ｂと第２副流路部５０ｃとが形成される。こうして、カバー４ｃが得られる。

本実施の形態におけるカバー４ｃをベース部材２に固定する工程は、実施の形態１のカバー４をベース部材２に固定する工程（Ｓ３）と同様である。流路５０のうち第１主面２ａに沿って延在する主流路部５０ａが形成される。主流路部５０ａは、凹部４４の底面を規定する二酸化シリコン膜４２の露出面と、凹部４４の側面を規定するシリコン膜４３と、第１主面２ａとによって規定されている。主流路部５０ａは、第１副流路部５０ｂと第２副流路部５０ｃとに連通している。熱式フローセンサ１ｃが得られる。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｃは、実施の形態１の熱式フローセンサ１の効果と同様の以下の効果を奏する。

本実施の形態の熱式フローセンサ１ｃでは、カバー４ｃは、ベース部材２から遠位する第３主面４ｇを含む。流路５０の入口５１と出口５２とは、第３主面４ｇに設けられている。流路５０の第１副流路部５０ｂと第２副流路部５０ｃとは、カバー４ｃのシリコン基板４１と二酸化シリコン膜４２とに設けられている。第１副流路部５０ｂは、入口５１と主流路部５０ａとに連通している。第２副流路部５０ｃは、出口５２と主流路部５０ａとに連通している。そのため、熱式フローセンサ１ｃによれば、向上された精度で流体の流量を検出することができる。

今回開示された実施の形態１から実施の形態３及びそれらの変形例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態１から実施の形態３及びそれらの変形例の少なくとも２つを組み合わせてもよい。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。

１，１ｂ，１ｃ 熱式フローセンサ、２ ベース部材、２ａ 第１主面、４，４ｂ，４ｃ カバー、４ｅ 第１側面、４ｆ 第２側面、４ｇ 第３主面、７ フローセンサシステム、１０ 基板、１０ａ 第２主面、１１ 空洞、１１ａ 開口部、１１ｉ，１１ｊ 端縁、１２ 第３絶縁膜、１２ａ，３４，３５，３６ 開口、１５ 第１絶縁膜、１６ 第１窒化シリコン層、１７ 第１二酸化シリコン層、２０ ヒータ、２０ｉ，２０ｊ 端、２１ 第１温度センサ、２２ 第２温度センサ、２３ 第１パッド、２４，２５ 第２パッド、２６ 第１配線、２７，２８ 第２配線、３０ 第２絶縁膜、３１ 第２二酸化シリコン層、３２ 第２窒化シリコン層、３７ 第１スリット、３７ｉ，３７ｊ 端、３８ 第２スリット、３８ｉ，３８ｊ 端、４０ ＳＯＩ基板、４１ シリコン基板、４２ 二酸化シリコン膜、４３ シリコン膜、４４ 凹部、４６，６０，６１，６２ 貫通孔、４６ａ，４６ｂ サイド凹部、５０ 流路、５０ａ 主流路部、５０ｂ 第１副流路部、５０ｃ 第２副流路部、５０ｐ 中心線、５１ 入口、５２ 出口、５５ 流量演算器、５６ 出力読み取り部、５７ 流量算出部、５８ 犠牲層、６３，６４，６５ 絶縁膜、６６ 第１貫通電極、６７，６８ 第２貫通電極、７１ａ，７１ｂ 凹部。

Claims (17)

1. 第１方向と前記第１方向に垂直な第２方向とに延在している第１主面を含むベース部材と、
   前記第１主面に固定されているカバーとを備え、
   前記ベース部材は、ヒータを含み、
   前記カバーは、シリコン基板と、前記シリコン基板上に設けられている二酸化シリコン膜と、前記二酸化シリコン膜上に設けられているシリコン膜とを含むＳＯＩ基板で形成されており、
   前記シリコン膜には凹部が形成されており、前記凹部の底面は前記シリコン膜から露出している前記二酸化シリコン膜の露出面で規定されており、前記凹部の側面は前記シリコン膜で規定されており、
   流路のうち前記第１主面に沿って延在する主流路部は、前記凹部の前記底面を規定する前記二酸化シリコン膜の前記露出面と、前記凹部の前記側面を規定する前記シリコン膜と、前記第１主面とによって規定されており、
   前記第１主面の平面視において、前記主流路部の第１長手方向は、前記第１方向であり、
   前記カバーに、前記流路の入口と出口とが形成されており、
   前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向において、前記ヒータは前記主流路部に対向している、熱式フローセンサ。
2. 前記ベース部材は、第２主面を含む基板と、前記第２主面上に設けられている第１絶縁膜とをさらに含み、
   前記ヒータは、前記第１絶縁膜上に設けられており、
   前記第１絶縁膜は、前記ヒータと前記基板との間に配置されている、請求項１に記載の熱式フローセンサ。
3. 前記ベース部材は、第１温度センサまたは第２温度センサの少なくとも一つをさらに含み、
   前記第１温度センサまたは前記第２温度センサの前記少なくとも一つは、前記第１絶縁膜上に設けられており、
   前記第１温度センサは、前記ヒータに対して前記流路の前記入口に近位して配置されており、
   前記第２温度センサは、前記ヒータに対して前記流路の前記出口に近位して配置されており、
   前記第３方向において、前記第１温度センサまたは前記第２温度センサの前記少なくとも一つは前記主流路部に対向している、請求項２に記載の熱式フローセンサ。
4. 前記第１絶縁膜に、第１スリットまたは第２スリットの少なくとも一つが設けられており、
   前記第１スリットまたは前記第２スリットの少なくとも一つの第２長手方向は、前記第２方向であり、
   前記第１スリットは、前記ヒータと前記第１温度センサとの間に設けられており、
   前記第２スリットは、前記ヒータと前記第２温度センサとの間に設けられている、請求項３に記載の熱式フローセンサ。
5. 前記第２方向における前記第１スリットまたは前記第２スリットの前記少なくとも一つの第１両端は、前記第２方向における前記ヒータの第２両端よりも、前記第２方向における前記主流路部の中心線から遠位している、請求項４に記載の熱式フローセンサ。
6. 前記基板のうち、前記ヒータと前記第１温度センサまたは前記第２温度センサの前記少なくとも一つとに対応する部分に、空洞が設けられており、
   前記空洞の開口部は、前記基板の前記第２主面に形成されており、
   前記空洞は、前記第１スリットまたは前記第２スリットの前記少なくとも一つに連通している、請求項４に記載の熱式フローセンサ。
7. 前記第２方向における前記第１スリットまたは前記第２スリットの前記少なくとも一つの第１両端は、前記第２方向における前記空洞の前記開口部の両端縁よりも、前記第２方向における前記主流路部の中心線から遠位している、請求項６に記載の熱式フローセンサ。
8. 前記第１絶縁膜は、第１二酸化シリコン層と第１窒化シリコン層とを含み、
   前記第１窒化シリコン層の第１厚さに対する前記第１二酸化シリコン層の第２厚さの第１の比は、１．０より大きくかつ５．５以下である、請求項２から請求項７のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
9. 前記ベース部材は、前記ヒータを覆う第２絶縁膜をさらに含む、請求項２から請求項８のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
10. 前記ベース部材は、前記ヒータを覆う第２絶縁膜をさらに含み、
    前記第１スリットまたは前記第２スリットの前記少なくとも一つは、前記第２絶縁膜にさらに設けられている、請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
11. 前記第２絶縁膜は、第２二酸化シリコン層と第２窒化シリコン層とを含み、
    前記第２窒化シリコン層の第３厚さに対する前記第２二酸化シリコン層の第４厚さの第２の比は、１．０より大きくかつ５．５以下である、請求項９または請求項１０に記載の熱式フローセンサ。
12. 前記ベース部材は、第１パッドと、第１配線とをさらに含み、
    前記第１配線は、前記ヒータと前記第１パッドとに接続されており、
    前記第１主面の前記平面視において、前記第１パッドは前記カバーから露出している、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
13. 前記ベース部材は、第１パッドと、第２パッドと、第１配線と、第２配線とをさらに含み、
    前記第１配線は、前記ヒータと前記第１パッドとに接続されており、
    前記第２配線は、前記第１温度センサまたは前記第２温度センサの前記少なくとも一つと前記第２パッドとに接続されており、
    前記第１主面の前記平面視において、前記第１パッドと前記第２パッドとは前記カバーから露出している、請求項３から請求項７のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
14. 前記ベース部材は、第１パッドと、第１配線とをさらに含み、
    前記第１配線は、前記ヒータと前記第１パッドとに接続されており、
    前記カバーは、第１貫通電極をさらに含み、
    前記第１貫通電極は、前記第３方向において前記カバーを貫通しており、かつ、前記第１パッドに電気的に接続されている、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
15. 前記ベース部材は、第１パッドと、第２パッドと、第１配線と、第２配線とをさらに含み、
    前記第１配線は、前記ヒータと前記第１パッドとに接続されており、
    前記第２配線は、前記第１温度センサまたは前記第２温度センサの前記少なくとも一つと前記第２パッドとに接続されており、
    前記カバーは、第１貫通電極と、第２貫通電極とをさらに含み、
    前記第１貫通電極は、前記第３方向において前記カバーを貫通しており、かつ、前記第１パッドに電気的に接続されており、
    前記第２貫通電極は、前記第３方向において前記カバーを貫通しており、かつ、前記第２パッドに電気的に接続されている、請求項３から請求項７のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
16. 前記カバーは、前記第１方向における前記カバーの両端面を規定する第１側面と第２側面とを含み、
    前記流路の前記入口は、前記第１側面に設けられており、
    前記流路の前記出口は、前記第２側面に設けられており、
    前記第１主面の前記平面視において、前記流路は直線形状を有している、請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。
17. 前記カバーは、前記ベース部材から遠位する第３主面を含み、
    前記流路の前記入口と前記出口とは、前記第３主面に設けられており、
    前記流路の第１副流路と第２副流路とは、前記カバーの前記シリコン基板と前記二酸化シリコン膜とに設けられており、
    前記第１副流路は、前記入口と前記主流路部とに連通しており、
    前記第２副流路は、前記出口と前記主流路部とに連通している、請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の熱式フローセンサ。

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