JP2021145044A

JP2021145044A - フレキシブル基板の製造方法

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Publication number: JP2021145044A
Application number: JP2020042949A
Authority: JP
Inventors: 匠下地; Takumi Shimoji
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2020-03-12
Filing date: 2020-03-12
Publication date: 2021-09-24
Anticipated expiration: 2040-03-12
Also published as: JP7380354B2

Abstract

【課題】両面に下地金属層が形成された後、銅導体層が形成されるまでの間の基板の保管期間の長短に関わらず、寸法変化率のばらつきの小さいフレキシブル基板の製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル基板１０の製造方法は、次の工程（１）、（２）を含む。（１）下地金属層形成工程：ベースフィルム１１の両面に下地金属層１２を形成し第１基板１１ａを製造する工程。（２）銅導体層形成工程：第１基板１１ａの下地金属層１２に重畳して銅導体層１３を形成し、第２基板１１ｂを製造する工程。そして、下地金属層形成工程の後、かつ銅導体層形成工程の前において、第１基板１１ａをロールに巻き付ける際に、第１基板１１ａに金属箔１６を重ね合わせて巻き付ける。この製造方法により、金属箔１６にはベースフィルム１１に影響を与える水分を含まないことから、保管期間による寸法変化率のばらつきが小さくなる。【選択図】図１

Description

本発明は、フレキシブル基板の製造方法に関する。さらに詳しくは、フレキシブル基板の寸法安定性を高くすることが可能なフレキシブル基板の製造方法に関する。

ＣＯＦ（ＣｈｉｐｏｎＦｉｌｍ）、ＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）などの電子機器用のフレキシブル配線基板は、搭載される電子機器の薄型、小型化の要求により、より高密度な実装を可能とするため、形成される配線パターンの微細化、狭ピッチ化が進んでいる。この中でも特にＣＯＦは、液晶パネル、有機ＥＬパネルとドライバＩＣと、を接続する配線材料として使用されているため、液晶パネル等の表示画面の高精細化に伴い、より狭ピッチ化が進み、最近では２０μｍピッチ以下の極微細配線を有するフレキシブル配線基板が使用されている。これらのフレキシブル配線基板は、現在特許文献１または２に開示されているメタライジング法で製造されたフレキシブル基板から製造されることが多い。すなわち、フレキシブル基板からサブトラクティブ法またはセミアディティブ法により、フレキシブル配線基板が製造される。

上記のようなフレキシブル配線基板は、ドライバＩＣなどのデバイスを実装する際、配線ピッチが狭いため、配線幅は高い精度で形成される必要があるとともに、配線の位置が正確である必要がある。このため、これらの微細配線を有するフレキシブル配線基板を製造するためのフレキシブル基板は、その製造工程において伸縮挙動が制御可能であることが求められる。

フレキシブル配線基板の伸縮挙動の指標として、一般に寸法安定性（ＤＳ：ＤｉｍｅｎｓｉｏｎＳｔａｂｉｌｉｔｙ）という評価が用いられる。たとえばＪＩＳＫ７１３３では「プラスチック−フィルム及びシート−加熱寸法変化測定方法」が規定されている。この規定に従い、フレキシブル基板では例えば以下のように測定を行う。すなわち、ベースフィルムにあらかじめ測定基準点を形成し、その測定基準点間の距離を測定する（ＭｅｔｈｏｄＡ）。つぎにＣｕ層をエッチングした後の測定基準点間の距離を測定する（ＭｅｔｈｏｄＢ）。さらに１５０℃、３０分間加熱し、冷却した後の測定基準点間の距離を測定する（ＭｅｔｈｏｄＣ）。これらの数値から、寸法変化率（以下ＤＳ値ということがある。）を求めて、寸法安定性を評価する。例えば、加熱前の測定基準点間の距離をＬ_０、加熱後の測定基準点間の距離をＬとすると、寸法変化率、すなわちＤＳ値は数１のように表される。このＤＳ値のばらつきが大きいと寸法安定性が低く、ばらつきが小さいと寸法安定性が高いと判断する。

（数１）
ＤＳ値＝（Ｌ−Ｌ_０）／Ｌ_０

また、ＣＯＦ、ＦＰＣなどに用いられるフレキシブル基板は、ロール状になった状態から巻き出し、所定の工程を経た後、ロール状に巻き取られる方式、すなわちロールトゥーロール方式で製造される。

両面に銅導体層が形成されているフレキシブル基板を、ロールトゥーロール方式で製造する場合、例えば以下のようにフレキシブル基板は製造される。すなわち、ベースフィルムの片面に下地金属層をスパッタリング法により形成する。そしてこの状態の基板をロール状に巻き取る。次にこのロール状に巻き取られた基板のもう一方の面に、同じようにスパッタリング法により下地金属層を形成する。そしてこの状態の基板をロール状に巻き取る。両面に下地金属層が形成された後において、基板をロール状に巻き取る際は、下地金属層同士が直接接触しないように、スペーサフィルムを重ね合わせながら、基板をロール状に巻き取る。

スペーサフィルムを重ね合わせながら、ロール状に巻き取るのは、真空中でスパッタリングされた直後の金属層は表面の活性が高く、直接金属層同士が接触すると、これらの金属層同士が固着する現象（ブロッキング現象）が生じるため、これを防止するためである。ブロッキング現象が生じると下地金属層がベースフィルムから剥がれ、その部分がピンホール等の不良となる。スペーサフィルムとしては一般に樹脂フィルムが用いられている。樹脂フィルムとしてはＰＥＴ、ＰＥ、ＰＩなどが該当する。

特開平２−９８９９４号公報特開平６−９７６１６号公報

下地金属層が形成された状態でロール状に巻き取られた基板は、湿式めっきするまでの間、ロール状に巻き取られた状態で保管される。しかし、上述したようにＣＯＦなどでは配線の位置が高度に制御されていることが求められているところ、その保管期間の長短により、フレキシブル基板の寸法変化率がばらつくという問題がある。これは、スペーサフィルムに用いられている樹脂フィルム内の水分が、ベースフィルムに吸収されるためだと推測される。

本発明は上記事情に鑑み、両面に下地金属層が形成された後、銅導体層が形成されるまでの間の基板の保管期間の長短に関わらず、寸法変化率のばらつきの小さいフレキシブル基板の製造方法を提供することを目的とする。

第１発明のフレキシブル基板の製造方法は、次の工程（１）、（２）；（１）下地金属層形成工程：ベースフィルムの両面に下地金属層を形成し第１基板を製造する工程、（２）銅導体層形成工程：前記第１基板の下地金属層に重畳して湿式めっき法により銅導体層を形成し、第２基板を製造する工程、を包含し、前記下地金属層形成工程の後段階であり、かつ前記銅導体層形成工程の前段階において、前記第１基板をロールに巻き付ける際に、前記第１基板に金属箔を重ね合わせて巻き付けることを特徴とする。
第２発明のフレキシブル基板の製造方法は、第１発明において、前記下地金属層形成工程は、ベースフィルムの一方の面に下地金属層を形成し、片面基板を製造した後、該片面基板をロールに巻き付けることなく、他方の面に下地金属層を形成し第１基板を製造することを特徴とする。
第３発明のフレキシブル基板の製造方法は、第１発明または第２発明において、前記下地金属層の最表面側の金属層は、銅が９９．９９％以上であることを特徴とする。
第４発明のフレキシブル基板の製造方法は、第１発明から第３発明のいずれかにおいて、前記金属箔は、前記下地金属層の最表面側の金属層と同じ成分であることを特徴とする。

第１発明によれば、両面に下地金属層が形成された下地金属層形成工程の後段階で、第１基板をロールに巻き付ける際に、第１基板に金属箔を重ね合わせて巻き付ける。金属箔にはベースフィルムに影響を与える水分を含まないことから、保管期間による寸法変化率のばらつきが小さくなる。
第２発明によれば、ベースフィルムの一方の面に下地金属層が形成された片面基板を製造した後、片面基板をロールに巻き付けることなく他方の面に下地金属層を形成して第１基板を製造することにより、第１基板の製造するための時間を短縮することができる。
第３発明によれば、下地金属層の最表面側の金属層は、銅が９９．９９％以上であることにより、湿式めっきによる銅導体層と下地金属層との密着度が向上する。
第４発明によれば、金属箔が、下地金属層の最表面側の金属層と同じ成分であることにより、異なる成分である場合は両金属層間に電位差が生じることがあるところ、電位差が生じることがない。

本発明の第１実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法で使用される真空成膜装置の概略の構成図である。本発明の第１実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法で製造されるフレキシブル基板の説明図である。本発明の第２実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法で使用される真空成膜装置の概略の構成図である。本発明の第１実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法で製造されたフレキシブル基板のＤＳ値を示すグラフである。

つぎに、本発明に係るフレキシブル基板の製造方法の実施形態を図面に基づき説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するためのフレキシブル基板の製造方法を例示するものであって、本発明はフレキシブル基板の製造方法を以下のものに特定しない。なお、各図面が示す部材の大きさまたは位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。

本発明に係るフレキシブル基板１０の製造方法は、次の工程（１）、（２）；（１）下地金属層形成工程：ベースフィルム１１の両面に下地金属層１２を形成し、第１基板１１ａを製造する工程、（２）銅導体層形成工程：第１基板１１ａの下地金属層１２に重畳して湿式めっき法により銅導体層１３を形成し、第２基板を製造する工程、を包含し、前記下地金属層形成工程の後段階であり、かつ前記銅導体層形成工程の前段階において、前記第１基板１１ａをロールに巻き付ける際に、前記第１基板１１ａに金属箔１６を重ね合わせて巻き付ける。

両面に下地金属層１２が形成された下地金属層形成工程の後段階で、第１基板１１ａをロールに巻き付ける際に、第１基板１１ａに金属箔１６を重ね合わせて巻き付ける。金属箔１６にはベースフィルム１１に影響を与える水分を含まないことから、保管期間による寸法変化率のばらつきが小さくなる。

また、前記下地金属層形成工程は、ベースフィルム１１の一方の面に下地金属層１２を形成し、片面基板１１ｃを製造した後、該片面基板１１ｃをロールに巻き付けることなく、他方の面に下地金属層１２を形成し第１基板１１ａを製造することが好ましい。

ベースフィルム１１の一方の面に下地金属層１２が形成された片面基板１１ｃを製造した後、片面基板１１ｃをロールに巻き付けることなく他方の面に下地金属層１２を形成して第１基板１１ａを製造することにより、第１基板１１ａの製造するための時間を短縮することができる。

また、前記下地金属層１２の最表面側の金属層は、銅が９９．９９％以上であることが好ましい。下地金属層１２の最表面側の金属層は、銅が９９．９９％以上であることにより、湿式めっきによる銅導体層１３と下地金属層１２との密着度が向上する。

また、前記金属箔１６は、前記下地金属層１２の最表面側の金属層と同じ成分であることが好ましい。金属箔１６が、下地金属層１２の最表面側の金属層と同じ成分であることにより、異なる成分である場合は両金属層間に電位差が生じることがあるところ、電位差が生じることがない。

＜第１実施形態＞
（フレキシブル基板１０の構成）
図２には、本発明の第１実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法により製造したフレキシブル基板１０の断面図を示す。図２に示すように、フレキシブル基板１０は、ベースフィルム１１と、このベースフィルム１１の両面に形成されている下地金属層１２と、この下地金属層１２に重畳して形成されている銅導体層１３と、を含んで構成されている。下地金属層１２は、たとえば、ベースフィルム１１側に設けられているニッケルクロム合金層１４と下地銅層１５とを積層して構成されている。

（ベースフィルム１１）
本実施形態に係る製造方法で用いられるベースフィルム１１は、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムが該当する。ポリイミドフィルムの他に、ＰＥＴ（ＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＬＣＰ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＰｌｙｍｅｒ）などが該当する。ベースフィルム１１となる樹脂フィルムは、フレキシブル配線基板の用途により選択される。ベースフィルム１１の厚さは任意に選択することができる。ただし厚さ１２μｍ以上１００μｍ以下のものが好ましく、さらに２５μｍ以上３８μｍ以下のものがさらに好ましい。

（下地金属層１２）
本実施形態に係る製造方法では、ベースフィルム１１の両面に下地金属層１２が形成される。下地金属層１２は、下地金属層１２に重畳して形成される銅導体層１３とベースフィルム１１との密着性を高めるために設けられる。この下地金属層１２の構成は、ベースフィルム１１と銅導体層１３との密着力を高めるものであれば特に限定されない。本実施形態では下地金属層１２は、ベースフィルム１１に直接重畳されるニッケルクロム合金層１４と、このニッケルクロム合金層１４に直接重畳される下地銅層１５と、を含んで構成されている。なお、下地金属層１２は、１層だけまたは３層以上の場合もある。

ニッケルクロム合金層１４および下地銅層１５は、乾式メッキであるスパッタリングにより形成されるのが好ましい。なおニッケルクロム合金層１４および下地銅層１５の形成は、他の乾式めっきである真空蒸着、イオンプレーティングであっても問題ない。

ニッケルクロム合金層１４の厚さは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。さらにニッケルクロム合金層１４の厚さは２ｎｍ以上４ｎｍ以下であることが、より好ましい。ニッケルクロム合金層１４の厚さが２ｎｍ未満である場合は、その後の各処理工程時に密着性の問題が生じやすい。また５０ｎｍよりも厚い場合は、配線加工時にニッケルまたはクロムの除去が困難になるとともに、ニッケルクロム合金層１４にクラックまたはそりが生じやすくなり、この点において、ベースフィルム１１と下地金属層１２との密着性の問題が生じやすくなる。

ニッケルクロム合金層１４におけるクロムの重量パーセントは１２パーセント以上５０パーセント以下であることが好ましい。

下地銅層１５の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。下地銅層１５の厚さが５０ｎｍ未満である場合、ピンホールによる欠陥の軽減効果が少なくなるとともに、その後に行われる湿式めっきの際に通電不良を引き起こす可能性がある。また、５００ｎｍを超えると、下地銅層１５にクラックまたはそりが生じやすくなり、この点においてベースフィルム１１と下地金属層１２との密着性の問題を生じやすくなる。

本実施形態においては、下地銅層１５は下地金属層１２の最表面側の金属層である。下地銅層１５は銅が９９．９９％以上であることが好ましい。下地銅層１５では、銅が９９．９９％以上であることにより、湿式めっきによる銅導体層１３と下地金属層１２との密着度が向上する。

（下地金属層形成工程）
図１には、本発明の第１実施形態に係るフレキシブル基板１０の製造方法で使用される真空成膜装置１９の概略の構成図を示す。なお、以下の説明では、すでに片面に下地金属層１２が形成されている片面基板１１ｃの、下地金属層１２が形成されていない面に下地金属層１２を形成し、第１基板とする工程について説明する。図１では、モータで駆動するロールはＭ（モータ）、張力測定ロールはＴＰ（テンションピックアップ）、フリーロールはＦ（フリー）の記号を付している。

本実施形態で使用される真空成膜装置１９は、巻出室２０、成膜室３０、および、巻取室４０を含んで構成されている。真空成膜装置１９は、例えば巻出室２０と成膜室３０との間に、巻き出された基板を乾燥させる乾燥室、またはプラズマ照射またはイオンビーム照射を行ってフィルムと金属膜の密着力を向上させる表面処理室が組み込まれる場合もある。

巻出室２０には、片面に下地金属層１２が形成された片面基板１１ｃを巻回した巻出ロール２１が配置され、巻出ロール２１から巻き出された片面基板１１ｃが、フリーロール２２、張力測定ロール２３、および、フリーロール２４を経由して成膜室３０へ搬出されるように構成されている。なお、片面基板１１ｃの巻出張力は、張力測定ロール２３で測定され、巻出ロール２１にフィードバック制御されるように構成されている。

成膜室３０内には、スパッタリングカソード３２、３３、３４、３５が配置されている。スパッタリングカソード３２、３３は、ニッケルクロム合金層１４用であり、スパッタリングカソード３４、３５は、下地銅層１５用である。成膜室３０では、巻出室２０から搬入された片面基板１１ｃの片面に下地金属層１２が形成されると共に、モータ駆動ロール３６、張力測定ロール３８、キャンロール３１、張力測定ロール３９、および、モータ駆動ロール３７を経由して巻取室４０へ搬出されるように構成されている。また、キャンロール３１上流のフィルム張力（搬入張力）は、張力測定ロール３８で測定され、モータ駆動ロール３６にフィードバック制御されるように構成され、キャンロール３１下流のフィルム張力（搬出張力）は、張力測定ロール３９で測定され、モータ駆動ロール３７にフィードバック制御されるように構成されている。

巻取室４０内には、巻取ロール４１および金属箔巻出ロール４２が配置され、成膜室３０から搬入された第１基板１１ａが、金属箔巻出ロール４２から巻き出される金属箔１６を、フリーロール４７を経由して第１基板１１ａの層間に挟み込みながら、フリーロール４４、張力測定ロール４５、および、フリーロール４６を経由して巻取ロール４１に巻き取られるように構成されている。なお、第１基板１１ａの巻取張力は、張力測定ロール４５で測定され、巻取ロール４１にフィードバック制御されるように構成されている。このように、巻出室２０、成膜室３０を通過し、下地金属層１２が形成された第１基板１１ａは、この第１基板１１ａに重畳するように、金属箔１６を挟み込みながら巻取室４０の巻取ロール４１に巻き取られるようになっている。

金属箔１６の材料は、銅、アルミニウム、またはこれらの合金が好ましい。金属箔１６は、表面が大気に接触したものであることが好ましい。表面が大気に接触すると、表面が僅かに酸化する。この酸化した層があることにより、真空中でスパッタリングにより形成された下地金属層１２と固着することが防止され、ブロッキング現象を防止できるからである。

また、金属箔１６は、下地金属層１２の最表面側の金属層、すなわち下地銅層１５と同じ成分であることが好ましい。金属箔１６が、下地金属層１２の最表面側の金属層と同じ成分であることにより、異なる成分である場合は両金属層間に電位差が生じることがあるところ、電位差が生じることがない。

なお、図１においては、真空成膜装置１９を説明するための最低限のロールしか記載していないが、図示していないロールも存在する。また、巻出室２０、成膜室３０、および、巻取室４０を構成する各真空室は排気設備を備え、特に、成膜室３０ではスパッタリング成膜のため到達圧力１０^-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガス導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素等のガスが添加される。各真空室の形状および材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく、種々のものを使用することができる。各真空室内を減圧してその状態を維持するため、図示しないドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置が設けられている。

両面に下地金属層１２が形成された下地金属層形成工程の後段階で、第１基板１１ａをロールに巻き付ける際に、第１基板１１ａに金属箔１６を重ね合わせて巻き付ける。金属箔１６にはベースフィルム１１に影響を与える水分を含まないことから、保管期間による寸法変化率のばらつきが少なくなる。

（銅導体層形成工程）
本実施形態に係る製造方法では、銅導体層形成工程において、第１基板の両面に湿式めっきにより銅導体層１３を形成し、第２基板を製造する。すなわち本実施形態における第２基板は、第１基板の両面に、銅導体層１３のみが形成された状態の基盤である。

銅導体層１３は、下地金属層１２の表面に直接形成されている。本実施形態に係る製造方法で製造されたフレキシブル基板１０が、セミアディティブ法によりフレキシブル配線基板となる場合は、銅導体層１３の厚さは２μｍ前後である。これはフレキシブル基板１０のハンドリング性が良好になるからである。また、本実施形態に係る製造方法で製造されたフレキシブル基板１０が、サブトラクティブ法によりフレキシブル配線基板となる場合は、銅導体層１３の厚さは８μｍ前後である。なおフレキシブル基板１０は、これらの厚さに限定されない。本実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法で実施される湿式めっきは、公知の電気めっきである。

＜第２実施形態＞
第１実施形態に係るフレキシブル基板１０の製造方法と第２実施形態との相違点は、下地金属層形成工程に関する点のみであり、特に使用される真空成膜装置１９の構成が異なっているので、この点について説明する。他の点は第１実施形態と同じである。図３には、本発明の第２実施形態に係るフレキシブル基板１０の製造方法で使用される真空成膜装置１９の概略の構成図を示す。図１と同様図３では、モータで駆動するロールはＭ（モータ）、張力測定ロールはＴＰ（テンションピックアップ）、フリーロールはＦ（フリー）の記号を付している。

第２実施形態で使用される真空成膜装置１９は、巻出室２０、第１成膜室５０、搬送室６０、第２成膜室７０および、巻取室４０を含んで構成されている。本実施形態で使用される真空成膜装置１９は、例えば巻出室２０と第１成膜室５０との間に、巻き出された基板を乾燥させる乾燥室、またはプラズマ照射またはイオンビーム照射を行ってフィルムと金属膜の密着力を向上させる表面処理室が組み込まれる場合もある。

巻出室２０には、ベースフィルム１１を巻回した巻出ロール２１が配置され、巻出ロール２１から巻き出されたベースフィルムが、フリーロール２２、張力測定ロール２３、および、フリーロール２４を経由して成膜室３０へ搬出されるように構成されている。なお、ベースフィルム１１の巻出張力は、張力測定ロール２３で測定され、巻出ロール２１にフィードバック制御されるように構成されている。

第１成膜室５０内には、スパッタリングカソード５２、５３、５４、５５が配置されている。スパッタリングカソード５２、５３は、ニッケルクロム合金層１４用であり、スパッタリングカソード５４、５５は、下地銅層１５用である。第１成膜室５０では、巻出室２０から搬入されたベースフィルム１１の片面に下地金属層１２が形成されると共に、モータ駆動ロール５６、張力測定ロール５８、キャンロール５１、張力測定ロール５９、および、モータ駆動ロール５７を経由して搬送室６０へ搬出されるように構成されている。すなわち、第１成膜室５０では、ベースフィルム１１の片面に下地金属層１２が形成され、片面基板１１ｃが製造される。また、キャンロール５１上流のフィルム張力（搬入張力）は、張力測定ロール５８で測定され、モータ駆動ロール５６にフィードバック制御されるように構成され、キャンロール５１下流のフィルム張力（搬出張力）は、張力測定ロール５９で測定され、モータ駆動ロール５７にフィードバック制御されるように構成されている。

搬送室６０にはフリーロール６１、６２、６３が配置され、第１成膜室５０から搬入された片面基板１１ｃがフリーロール６１、６２、６３を経由して第２成膜室７０へ搬出されるように構成されている。なお、片面基板１１ｃが搬送室６０を経由することで、次工程の第２成膜室７０内において、両面に下地金属層が形成された第１基板が形成される。

第２成膜室７０内には、２つ目の成膜手段としてのスパッタリングカソード７２、７３、７４、７５が配置されている。スパッタリングカソード７２、７３は、ニッケルクロム合金層１４用であり、スパッタリングカソード７４、７５は、下地銅層１５用である。搬送室６０から搬入された片面基板１１ｃのもう一方の面、すなわち下地金属層１２が形成されていない面に下地金属層１２が形成されると共に、モータ駆動ロール７６、張力測定ロール７８、第二冷却キャンロール７１、張力測定ロール７９、および、モータ駆動ロール７７を経由して巻取室４０へ搬出されるように構成されている。すなわち、第２成膜室７０では、他方の面に下地金属層を形成し、両面に下地金属層１２が形成された第１基板１１ａが製造される。また、第二冷却キャンロール７１上流のフィルム張力（搬入張力）は、張力測定ロール７８で測定され、モータ駆動ロール７６にフィードバック制御されるように構成され、第二冷却キャンロール７１下流のフィルム張力（搬出張力）は、張力測定ロール７９で測定され、モータ駆動ロール７７にフィードバック制御されるように構成されている。

巻取室４０内には、巻取ロール４１および金属箔巻出ロール４２が配置され、第２成膜室７０から搬入された第１基板１１ａが、金属箔巻出ロール４２から巻き出される金属箔１６を、フリーロール４７を経由して第１基板１１ａの層間に挟み込みながら、フリーロール４４、張力測定ロール４５、および、フリーロール４６を経由して巻取ロール４１に巻き取られるように構成されている。なお、第１基板１１ａの巻取張力は、張力測定ロール４５で測定され、巻取ロール４１にフィードバック制御されるように構成されている。このように、巻出室２０、第１成膜室５０、搬送室６０、第２成膜室を通過し、下地金属層１２が形成された第１基板１１ａは、片面基板１１ｃがロールに巻き付けられることなく、この第１基板１１ａに重畳するように、金属箔１６を挟み込みながら巻取室４０の巻取ロール４１に巻き取られるようになっている。

（実施例）
以下、本発明の実施例と比較例を示して説明する。なお、本発明に係るフレキシブル基板の製造方法は、以下の実施例になんら限定されるものではない。

（実施例１）
ベースフィルム１１として、厚さ３４μｍ、幅５７０ｍｍのポリイミドフィルム（宇部興産製、ユーピレックス）が用意された。このベースフィルム１１の一方の面にスパッタリング法により厚さ０．０５μｍのニッケルクロム合金層１４を形成した。このニッケルクロム合金層１４における、ニッケルとクロムの割合は４：１である。さらにこのニッケルクロム合金層１４に重畳するように、スパッタリング法により厚さ０．２μｍの下地銅層１５を形成した。ここで、ニッケルクロム合金層１４と下地銅層１５とは、下地金属層１２を形成する。これにより片面基板１１ｃが製造された。この片面基板１１ｃを、直径６インチのロールに巻き取った。

次に上記の片面基板１１ｃの他方の面、すなわち下地金属層１２が存在しない面に、同じ構成、同じ材料、同じ厚さの下地金属層１２を形成し、第１基板１１ａを製造した。そして第１基板１１ａの製造の後、この第１基板１１ａを厚さ１２μｍの銅箔と重ね合わせて直径６インチのロールに巻き取った。

上記の第１基板１１ａを、ロール状のままクリーンルーム内（室温２５℃、湿度５５％）に、１〜２２日にわたって保管し、数日ごとにいくつかのサンプルをピックアップし、そのサンプルに電気めっき法により銅導体層１３を両面に形成し、第２基板を製造した。

得られた第２基板のサンプルを縦（長手方向）１７０ｍｍ、横（幅方向）１７０ｍｍのサイズにカットし、各サンプルの４つ角に直径１ｍｍの穴を、縦横の間隔がそれぞれ１５０ｍｍとなる部分に設けた。そしてこれらの穴の幅方向の間隔を、光学式測長機を用いて測定し、測定値Ａを得た。

次に上記のサンプルを４０％塩化第二鉄溶液に浸漬し、サンプルの両面の銅導体層１３、下地銅層１５、ニッケルクロム合金層１４を溶解して除去した後、温度１５０℃で３０分間加熱し、その後湿度５０％温度２３℃の環境に２４時間保管した後、測定値Ａの測定と同じ方法で、穴の幅方向の間隔を測定し、測定値Ｂを得た。

以下の数２で定義されるＤＳ値をそれぞれ計算した。計算結果を図４に示す。

（数２）
ＤＳ値＝（測定値Ｂ−測定値Ａ）／測定値Ａ×１００

（比較例１）
第１基板１１ａに重ね合わせるものを、厚さ１５μｍのＰＥＴフィルムとした以外は、実施例１と同じである。比較例１で計算されＴがＤＳ値の計算結果を図４に示す。

（実施例１および比較例１の計算結果）
図４に示すように、第１基板１１ａに銅箔を重ね合わせたものは、保管日数に限らず、ＤＳ値の変化割合が０．０５〜０．０６％であり、寸法変化率のばらつきの小さいフレキシブル基板１０が製造されていることがわかる。これに対し、第１基板１１ａにＰＥＴフィルムを重ね合わせたものは、保管日数が経過するとＤＳ値が小さくなり、寸法変化率のばらつきが大きいことがわかる。

１０フレキシブル基板
１１ベースフィルム
１１ａ第１基板
１１ｂ第２基板
１１ｃ片面基板
１２下地金属層
１３銅導体層
１６金属箔

Claims

次の工程（１）、（２）；
（１）下地金属層形成工程：ベースフィルムの両面に下地金属層を形成し第１基板を製造する工程、
（２）銅導体層形成工程：前記第１基板の下地金属層に重畳して湿式めっき法により銅導体層を形成し、第２基板を製造する工程、
を包含し、前記下地金属層形成工程の後段階であり、かつ前記銅導体層形成工程の前段階において、前記第１基板をロールに巻き付ける際に、前記第１基板に金属箔を重ね合わせて巻き付ける、
ことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
前記下地金属層形成工程は、
前記ベースフィルムの一方の面に前記下地金属層を形成し、片面基板を製造した後、
該片面基板をロールに巻き付けることなく、他方の面に前記下地金属層を形成し前記第１基板を製造する、
ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
前記下地金属層の最表面側の金属層は、銅が９９．９９％以上である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブル基板の製造方法。
前記金属箔は、前記下地金属層の最表面側の金属層と同じ成分である、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のフレキシブル基板の製造方法。