JP2021144984A - 製造方法、製造装置、治具アセンブリ、半導体モジュールおよび車両 - Google Patents
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Abstract
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1]特開2008−177307号公報
Claims (22)
- 半導体アセンブリを有する半導体モジュールを製造するための製造方法であって、
弾性部材と両端に開口が形成された筒状部材とを有する治具アセンブリを前記半導体アセンブリに被せることによって、前記半導体アセンブリと外部の装置とを接続するために前記半導体アセンブリの上方に配置された端子の溶接領域が、平面視において前記筒状部材の一端の前記開口内に収まるように前記筒状部材を位置決めする段階と、
前記弾性部材の弾性力により、前記筒状部材の前記一端を前記端子のおもて面に密着させ、且つ、前記端子の裏面を前記半導体アセンブリの被溶接部に当接させる段階と、
前記筒状部材の他端の側から前記筒状部材の内側を通じて前記端子の前記溶接領域にレーザを照射することによって、前記端子の前記溶接領域を前記半導体アセンブリの前記被溶接部に溶接する段階と
を備える製造方法。 - 前記当接させる段階は、前記筒状部材の前記一端における前記開口の全周に亘って前記一端を前記端子の前記おもて面に密着させることによって、前記端子の前記溶接領域周りの空間と前記半導体アセンブリ周りの空間とを隔離する段階を更に含む、
請求項1に記載の製造方法。 - 前記半導体モジュールは、前記半導体アセンブリが実装された冷却装置を更に有し、
前記治具アセンブリは、前記冷却装置と共に前記半導体アセンブリを包囲するためのカバー部材を更に有し、
前記筒状部材は、前記カバー部材との間に前記弾性部材を挟んだ状態で、前記カバー部材に形成された貫通孔内に遊嵌しており、
前記当接させる段階は、前記カバー部材の前記貫通孔内で前記筒状部材を前記カバー部材に対して相対移動させることによって、前記弾性部材を圧縮させる段階を含む、
請求項1または2に記載の製造方法。 - 前記当接させる段階は、前記カバー部材との間に前記弾性部材を挟むように前記筒状部材が前記貫通孔内に遊嵌した状態の前記カバー部材によって、前記カバー部材と前記冷却装置との間の空間を密閉することによって、前記端子の前記溶接領域周りの空間と前記半導体アセンブリ周りの空間とを遮断する段階を更に含む、
請求項3に記載の製造方法。 - 前記当接させる段階は、前記カバー部材および前記冷却装置が有する位置ずれ防止手段によって、前記筒状部材の前記一端が前記端子の前記おもて面に密着した状態で位置ずれすることを防止する段階を含む、
請求項3または4に記載の製造方法。 - 前記防止する段階は、前記冷却装置における前記半導体アセンブリが実装されている側の面に前記カバー部材の端面を当接させ、前記カバー部材および前記冷却装置の互いの当接面内に形成された、互いに相補的な形状を有する凸部および凹部を嵌合させることによって、前記筒状部材の前記一端が前記端子の前記おもて面に密着した状態で位置ずれすることを防止する段階を含む、
請求項5に記載の製造方法。 - 前記端子の前記溶接領域には、レーザを照射するための視覚的な目印となる凹状の刻印が形成されており、
前記溶接する段階は、撮像手段によって前記溶接領域を撮像し、前記端子の前記溶接領域内でレーザの照射を開始しようとする開始位置が、前記刻印の位置と関連する予め定められた位置からずれている場合には、レーザ照射手段と、前記治具アセンブリを被せた前記半導体モジュールとの何れか一方を相対移動させて、前記開始位置が前記予め定められた位置になるよう補正する段階を含む、
請求項1から6のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記刻印は、前記端子の前記おもて面に対して角度を有する傾斜面を含み、
前記補正する段階は、前記撮像手段によって撮像した前記端子の前記溶接領域の画像内で、前記刻印と、前記端子の前記おもて面における前記刻印の周囲の領域とのコントラストによって前記刻印の位置を認識する段階を含む、
請求項7に記載の製造方法。 - 前記刻印は、前記端子の前記おもて面に直交する平面内における頂点の内角が60°以上120°以下で、前記刻印の周囲の領域と同一面内に位置する仮想的な底面の直径が0.3mm以上2.0mm以下の円錐形状であって、表面を鏡面仕上げされている、
請求項8に記載の製造方法。 - 前記刻印は、前記端子の前記溶接領域内でレーザの照射を開始すべき位置である始点、および、前記端子の前記溶接領域内でレーザの照射を終了または停止すべき位置である終点のそれぞれに形成されており、
前記溶接する段階は、前記撮像手段によって撮像した前記溶接領域の画像内で前記始点および前記終点の位置を認識し、前記端子の前記溶接領域内で前記始点から前記終点に向けてレーザを走査する段階を更に含む、
請求項7から9のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記半導体アセンブリの上方には、前記端子が複数配置され、
前記治具アセンブリは、前記筒状部材と前記弾性部材との組を複数有し、
前記位置決めする段階は、複数の前記端子のそれぞれの前記溶接領域が複数の前記筒状部材のそれぞれの一端の前記開口内に収まるように前記複数の筒状部材をまとめて位置決めする段階を含み、
前記当接させる段階は、複数の前記弾性部材のそれぞれの弾性力により、前記複数の筒状部材のそれぞれの前記一端を前記複数の端子のそれぞれの前記おもて面に密着させ、且つ、前記複数の端子のそれぞれの前記裏面を複数の前記被溶接部のそれぞれに一斉に当接させる段階を含む、
請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記半導体モジュールは、複数の前記半導体アセンブリを有し、
前記治具アセンブリは、前記複数の半導体アセンブリのそれぞれに対応する、前記筒状部材と前記弾性部材との組を有し、
前記位置決めする段階は、前記複数の半導体アセンブリにおいて、複数の前記端子のそれぞれの前記溶接領域が複数の前記筒状部材のそれぞれの一端の前記開口内に収まるように前記複数の筒状部材をまとめて位置決めする段階を含み、
前記当接させる段階は、前記複数の半導体アセンブリにおいて、複数の前記弾性部材のそれぞれの弾性力により、前記複数の筒状部材のそれぞれの前記一端を前記複数の端子のそれぞれの前記おもて面に密着させ、且つ、前記複数の端子のそれぞれの前記裏面を複数の前記被溶接部のそれぞれに一斉に当接させる段階を含む、
請求項1から11のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記端子は、銅を含む金属部材の外表面全体にニッケルめっきが施されており、
前記溶接する段階は、前記金属部材に比べて前記ニッケルめっきがより吸収し易い波長のレーザによって前記端子の前記溶接領域にレーザを照射する段階を含む、
請求項1から12のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記半導体アセンブリの前記被溶接部は、銅を含む金属部材が露出している、
請求項13に記載の製造方法。 - 前記筒状部材の前記内側は、銅を含む金属部材が露出している、
請求項13または14に記載の製造方法。 - 半導体アセンブリを有する半導体モジュールを製造するための製造装置であって、
弾性部材と両端に開口が形成された筒状部材とを有する治具アセンブリと、
前記治具アセンブリを前記半導体アセンブリに被せることによって、前記半導体アセンブリと外部の装置とを接続するために前記半導体アセンブリの上方に配置された端子の溶接領域が、平面視において前記筒状部材の一端の前記開口内に収まるように前記筒状部材を位置決めする手段と、
前記弾性部材の弾性力により、前記筒状部材の前記一端を前記端子のおもて面に密着させ、且つ、前記端子の裏面を前記半導体アセンブリの被溶接部に当接させる手段と、
前記筒状部材の他端の側から前記筒状部材の内側を通じて前記端子の前記溶接領域にレーザを照射することによって、前記端子の前記溶接領域を前記半導体アセンブリの前記被溶接部に溶接する手段と
を備える製造装置。 - 半導体アセンブリを有する半導体モジュールを製造するために用いられる治具アセンブリであって、
前記半導体アセンブリに被せられるカバー部材と、
弾性部材と、
両端に開口が形成され、前記カバー部材との間に前記弾性部材を挟んだ状態で、前記カバー部材に形成された貫通孔内に遊嵌している筒状部材と
を備え、
前記治具アセンブリが前記半導体アセンブリに被せられた場合に、前記半導体アセンブリと外部の装置とを接続するために前記半導体アセンブリの上方に配置された端子の溶接領域が、平面視において前記筒状部材の一端の前記開口内に収まるように前記筒状部材が位置決めされることが可能であり、
前記筒状部材の前記一端が前記端子のおもて面を押圧した場合に、前記カバー部材の前記貫通孔内で前記筒状部材が前記カバー部材に対して相対移動することによって圧縮された前記弾性部材の弾性力により、前記筒状部材の前記一端を前記端子の前記おもて面に密着させ、且つ、前記端子の裏面を前記半導体アセンブリの被溶接部に当接させることが可能であり、
前記筒状部材の他端の側から前記筒状部材の内側を通じて前記端子の前記溶接領域にレーザを照射した場合に、前記端子の前記溶接領域を前記半導体アセンブリの前記被溶接部に溶接することが可能である、
治具アセンブリ。 - 回路基板、および、前記回路基板上に設置された通電兼放熱用のブロックを有する半導体アセンブリと、
前記半導体アセンブリと外部の装置とを接続するために前記半導体アセンブリの前記ブロックの上方に配置され、レーザを照射される溶接領域を含む、端子と、
を備え、
平面視において、前記ブロックの輪郭の少なくとも一部は、前記端子の輪郭よりも内側に位置する、
半導体モジュール。 - 前記端子は、前記半導体アセンブリと前記外部の装置とが接続された場合に前記溶接領域よりも前記外部の装置の側に位置するネック部分を含み、
前記端子の延伸方向と交差する幅方向において、前記ネック部分における前記端子の幅は前記溶接領域周りにおける前記端子の幅よりも狭く形成されている、
請求項18に記載の半導体モジュール。 - 平面視において、前記ブロックの輪郭の一部は、前記端子の前記輪郭よりも外側に位置する、
請求項18または19に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体アセンブリは、前記回路基板上に設置された半導体チップと回路パターンとを接続する導電接続部材を更に有し、
前記回路基板上に設置された前記ブロックの高さは、前記端子と前記半導体チップとの間に長い沿面距離を確保すべく、前記導電接続部材の高さよりも高い、
請求項18から20のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 請求項18から21のいずれか一項に記載の半導体モジュールを備える車両。
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