JP2021141269A - シリコン部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、それらを製造するためのウェーハボート、サセプタ、ダミーウエハ、フォーカスリング等のシリコン部材の製造においても、シリコン表面に形成される自然酸化膜が汚染の1つであると考えられ、シリコン部材の外観不良やパーティクル発生、抵抗値のばらつきなどを防ぐために除去することが望まれている。
シリコン部材の自然酸化膜の除去については、シリコンウェーハに対する自然酸化膜除去の技術が転用できると考えられる。
しかしながら、例えば半導体製造装置用のシリコン部材(部品)の場合、洗浄、乾燥を終えて出荷され、装置に導入されるまでの間、全く酸素に触れないようにすることは困難で、継続的な自然酸化膜の再付着防止が望まれる。
このような事情のもと本願発明者は、シリコン部材に付着する自然酸化膜を除去した後、シリコン部材の表面に容易に除去できるタングステン薄膜を形成することで自然酸化膜の再付着を防止し、且つパーティクルの付着を抑制できることを知見し本発明をするに至った。
このようにシリコン部材においてシリコン基材の表面を厚さが単原子(モノレイヤー)乃至2原子層程度のタングステン薄膜で覆うことにより、継続的に自然酸化膜の再付着を防止することができる。また、前記タングステン薄膜が形成されていることにより、自然酸化膜が形成されないので、従来のようにエッチング時にエッチングレートが高いシリコン基材が取り除かれ、エッチングレートの低い自然酸化膜が残存し、それがさらにシリコン部材がエッチングされたときに自然酸化膜が突然離脱しパーティクルになってしまう現象を防ぐことができ、その結果、パーティクルの付着を抑制することができる。
尚、このシリコン部材を部品として使用する際には、シーズニング処理を行うことにより前記タングステン薄膜を容易に除去することができる。
尚、前記自然酸化膜を除去したシリコン基材の表面をタングステン薄膜で被覆する工程において、厚さが単原子の層乃至2原子の層となるよう前記タングステン薄膜を形成することが望ましい。
また、前記シリコン基材の表面から自然酸化膜を除去する工程の後であって、前記シリコン基材の表面をタングステン薄膜で被覆する工程の前に、前記シリコン基材を炭酸水により洗浄する工程を含むことが望ましい。
このような方法により、前記のようにシリコン基材の表面をタングステン薄膜で被覆したシリコン部材を得ることができ、前記したシリコン部材の効果を得ることができる。
本発明にかかるシリコン部材は、例えば、半導体製造用のウェーハボート、サセプタ、
ダミーウエハ、フォーカスリング等のシリコン部材であり、特にフォーカスリングにおいて本発明を適用することが好ましい。
そして、シリコン部材1は、図1に示すように、シリコン基材1Aの表面にタングステン膜2が成膜されて形成されている(タングステン薄膜2がシリコン基材1Aの表面を被覆している)。このタングステン薄膜2の厚さtは、単原子の層(モノレイヤーと呼ぶ)乃至2原子の層の厚さであり、サブモノレイヤーも含む。
即ち、シリコン基材1Aがタングステン薄膜2で覆われるため、自然酸化膜の再付着を防止することができ、シリコン基材1Aを覆う薄膜をタングステン薄膜としたのは、プラズマによる除去が用意であり、通常デバイスの作製に用いられている元素であるためである。
尚、シリコン部材1を部品として使用する際、表面に形成されたタングステン膜2はシーズニング(プラズマを用いたドライクリーニング)により容易に除去することができる。
先ず、シリコン基材1Aを製造した後、図2に示すようなシリコン基材1Aの表面に形成された自然酸化膜3の除去を行う(図3のステップS1)。具体的には、常温または加温したフッ酸溶液(希フッ酸溶液、バッファードフッ酸等)を用いたエッチング液に、自然酸化膜3が形成されたシリコン基材1Aを30秒から10分間程度、浸漬する。これにより自然酸化膜がシリコン基材1Aから除去される。
このアルカリ洗浄により有機物およびパーティクルの除去ができる。
また、前記アルカリ洗浄に用いる薬液としては、有機アミン系等の薬液、例えば第四級アンモニウムヒドロキシド、水酸化アンモニウム、アンモニア、コリン等のいずれか一種または二種以上と、過酸化水素水、水からなるものとする。
これにより、酸性化した水(炭酸水)は比抵抗が下がり、洗浄処理における静電気の発生が抑制されるため、パーティクルの付着を防止することができる。
また、有機アミン系等の薬液と純水との反応によって生じるアルカリ性物質の生成も抑制することができる。さらには、アルカリ洗浄後の中和が行われるため、フッ酸等の危険な酸溶液を用いた洗浄を実施する必要がなくなる。なお、炭酸水には、pHが3.8〜6程度、比抵抗が0.02〜2.0MΩ・cm程度のものを用いることができる。
続いて、アルコール類を用いたポスト処理を30秒〜10分間程度行い、シリコン基材1Aの表面に付着している水分を除去する(図3のステップS6)。前記アルコール類としては、エタノール、メタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、バイオエタノール系洗浄剤などが挙げられる。ここで、アルコール類がシリコン基材1Aの表面を覆うように残るが、アルコール自体は酸化能力が極めて低く、逆に還元性の雰囲気を形成しやすいため、シリコン基材1Aの表面を酸化から保護する役割を果たすことになる。
これにより、脱離しやすいアルコールよりも強固にシリコン表面を保護し、且つ自然酸化膜の再付着を継続的に防止することができる。
また、このシリコン部材1を使用する際には、シーズニング処理を行うことにより前記タングステン薄膜2を容易に除去することができる。
本実施例では、形成したシリコン部材の自然酸化膜の再形成防止効果及びパーティクル発生防止効果等を検証した。
実施例1では、フッ酸溶液に自然酸化膜の付着したシリコン基材を10分間浸漬し、自然酸化膜をエッチングして除去した。
次いで、自然酸化膜を除去したシリコン基材を50℃の脱酸素超純水に10分間浸漬し洗浄した。
続いて、シリコン基材を30℃の有機アミン系薬液に10分間浸漬しアルカリ洗浄を行った。アルカリ洗浄に用いた薬液としては、第四級アンモニウムヒドロキシドを用いた。
次にシリコン基材を脱酸素超純水に二酸化炭素を溶解した炭酸水(pH5、比抵抗1MΩ・cm)に10分間浸漬して洗浄し、さらに炭酸水を中和するため、50℃の脱酸素超純水による洗浄を3分間行った。
次にアルコール類としてエタノールを用いてポスト処理を行い、シリコン基材の表面から水分を除去し、乾燥させた。
これまでの処理はチャンバ内において不活性ガスを流し不活性ガス雰囲気下で実施した。
また、前記真空チャンバ内においてヘキサカルボニルタングステンのガスを300℃で熱分解させることによりシリコン表面にCVD成膜処理を行った。尚、このCVD処理において、キャリアガスとしてArを用い、ガス流量が20scc/min、プロセス圧力が50Paとし、50秒の処理を行った。
これによりシリコン基材上にモノレイヤー乃至サブモノレイヤーの厚さのタングステン薄膜が形成されたシリコン部材が得られた。
前記エッチング装置において、圧力を2.5〜2.7Pa、CF4流量を20scc/min、Ar流量を100scc/min、上部電極パワーを100W、下部電極パワーを600Wとして、サンプル片に対し90分間のプラズマ処理を実施した。
その後、サンプル直近のウェーハ上の1.5mm平方範囲のパーティクル数をカウントした。
その結果、パーティクル数は10個前後であった。
実施例2では、実施例1の一連の処理のうち、炭酸水による洗浄を行わずにシリコン基材の表面にタングステン薄膜を形成した。
その他の条件は実施例1と同じである。
実施例2においてもシーズニングによりタングステン薄膜を除去し、サンプル直近のウェーハ上の1.5mm平方範囲のパーティクル数をカウントした。
その結果、パーティクル数は60個前後であった。これは、洗浄による静電気が除去されずに残ったために実施例1の場合よりもパーティクルが多く付着したものと考察された。
比較例1では、自然酸化膜が形成されたシリコン基材から自然酸化膜のエッチング後に、超純水、有機アミン系薬液(アルカリ洗浄)、超純水、希フッ酸(アルカリ洗浄の中和)、超純水の順に洗浄を行った。
その後、シリコン基材(シリコン部材)の水分を不活性ガスでエアブローし、さらに大気解放された60℃のオーブン内で加熱し除去した。
前記サンプル片を6インチSiウェーハ上に設置し、シーズニングにより自然酸化膜を除去するため、エッチング装置内に配置した。
前記エッチング装置において、圧力を2.5〜2.7Pa、CF4流量を20scc/min、Ar流量を100scc/min、上部電極パワーを100W、下部電極パワーを600Wとして、サンプル片に対し90分間のプラズマ処理を実施した。
その結果、パーティクル数は100個前後と多い結果であった。これは、洗浄処理において静電気が除去されずに残ったためと、実施例1、2のようにタングステン薄膜が形成されていないため、Si表面に酸化膜が形成された状態であるためと考えられた。
比較例2では、実施例1の一連の処理のうち、タングステン薄膜の形成を行わずにシリコン部材を製造した。
その他の条件は実施例1と同じである。
比較例2においてもシーズニングによりタングステン薄膜を除去し、サンプル直近の1.5mm平方範囲のパーティクル数をカウントした。
1A シリコン基材
2 タングステン薄膜
3 自然酸化膜
Claims (4)
- シリコン基材と、
前記シリコン基材の表面を被覆するタングステン薄膜と、
を有し、
前記タングステン薄膜の厚さは、単原子の層乃至2原子の層の厚さであることを特徴とするシリコン部材。 - シリコン部材の製造方法であって、
シリコン基材の表面を覆う自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜を除去したシリコン基材の表面をタングステン薄膜で被覆する工程と、
を含むことを特徴とするシリコン部材の製造方法。 - 前記自然酸化膜を除去したシリコン基材の表面をタングステン薄膜で被覆する工程において、
厚さが単原子の層乃至2原子の層となるよう前記タングステン薄膜を形成することを特徴とする請求項2に記載されたシリコン部材の製造方法。 - 前記シリコン基材の表面から自然酸化膜を除去する工程の後であって、
前記シリコン基材の表面をタングステン薄膜で被覆する工程の前に、
前記シリコン基材を炭酸水により洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項2または請求項3に記載されたシリコン部材の製造方法。
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