JP2021123687A - Cured body, b-stage film, and multilayer printed wiring board - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 131
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 12
- -1 ester compound Chemical class 0.000 claims description 89
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 86
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 51
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 51
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 27
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 170
- 239000000047 product Substances 0.000 description 144
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 75
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 15
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 15
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 14
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 206010042674 Swelling Diseases 0.000 description 13
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 13
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 13
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 13
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 11
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 8
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IPJGAEWUPXWFPL-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC(N2C(C=CC2=O)=O)=C1 IPJGAEWUPXWFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 3
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- 150000003923 2,5-pyrrolediones Chemical class 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- LDCQBHLZLZUAAF-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanediol Chemical compound OC(O)C1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 LDCQBHLZLZUAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLOKJRIVRGCVIM-UHFFFAOYSA-N 1-[(4-methylsulfanylphenyl)methyl]piperazine Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1CN1CCNCC1 QLOKJRIVRGCVIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZRQJPJABAXNCV-UHFFFAOYSA-O 2-(2-phenyl-1h-imidazol-1-ium-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CC(C)[NH+]1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 LZRQJPJABAXNCV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- PJGMVHVKKXYDAI-UHFFFAOYSA-O 2-(2-undecyl-1h-imidazol-1-ium-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=C[NH+]1C(C)C#N PJGMVHVKKXYDAI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OQTIKANCBNPBKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-undecyl-1h-imidazol-5-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC(C(C)C#N)=CN1 OQTIKANCBNPBKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXSNXUCNBZLVFM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound CC1=NC=CN1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 QXSNXUCNBZLVFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoylsilicon Chemical compound CC(=C)C([Si])=O ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVVRCYWZTJLJSG-UHFFFAOYSA-N 4-dimethylaminophenol Chemical compound CN(C)C1=CC=C(O)C=C1 JVVRCYWZTJLJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-dimethylaminopyridine Substances CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJNLUNBGDFUULX-UHFFFAOYSA-N 4-n,4-n'-dimethyl-3h-pyridine-4,4-diamine Chemical compound CNC1(NC)CC=NC=C1 QJNLUNBGDFUULX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001641958 Desmia Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 101001083967 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 60S ribosomal protein L37-A Proteins 0.000 description 1
- 101001083959 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 60S ribosomal protein L37-B Proteins 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLBRROYTTDFLDX-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1CCCC(CN)C1 QLBRROYTTDFLDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPRMFUAMSRXGDE-UHFFFAOYSA-N ac1o530g Chemical compound NCCN.NCCN DPRMFUAMSRXGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical class C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWGVVJVYSANRY-UHFFFAOYSA-N cobalt(3+) Chemical compound [Co+3] JAWGVVJVYSANRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Chemical class 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Chemical class 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical class [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- QQOWHRYOXYEMTL-UHFFFAOYSA-N triazin-4-amine Chemical group N=C1C=CN=NN1 QQOWHRYOXYEMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical class C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Chemical class 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
本発明は、樹脂材料の硬化体及びBステージフィルムに関する。また、本発明は、上記硬化体を用いた多層プリント配線板に関する。 The present invention relates to a cured product of a resin material and a B stage film. The present invention also relates to a multilayer printed wiring board using the cured product.
従来、半導体装置、積層板及びプリント配線板等の電子部品を得るために、様々な樹脂材料が用いられている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂材料が用いられている。上記絶縁層の表面には、一般に金属である配線が積層される。また、上記絶縁層を形成するために、上記樹脂材料がフィルム化された樹脂フィルムが用いられることがある。上記樹脂材料及び上記樹脂フィルムは、ビルドアップフィルムを含む多層プリント配線板用の絶縁材料等として用いられている。 Conventionally, various resin materials have been used to obtain electronic components such as semiconductor devices, laminated boards and printed wiring boards. For example, in a multilayer printed wiring board, a resin material is used to form an insulating layer for insulating the internal layers and to form an insulating layer located on a surface layer portion. Wiring, which is generally a metal, is laminated on the surface of the insulating layer. Further, in order to form the insulating layer, a resin film obtained by forming the resin material into a film may be used. The resin material and the resin film are used as an insulating material for a multilayer printed wiring board including a build-up film.
下記の特許文献1には、マレイミド基と、少なくとも2つのイミド結合を有する2価の基及び飽和又は不飽和の2価の炭化水素基とを有する化合物を含有する樹脂組成物が開示されている。特許文献1には、この樹脂組成物の硬化物を、多層プリント配線板等の絶縁層として用いることができることが記載されている。 Patent Document 1 below discloses a resin composition containing a compound having a maleimide group, a divalent group having at least two imide bonds, and a saturated or unsaturated divalent hydrocarbon group. .. Patent Document 1 describes that a cured product of this resin composition can be used as an insulating layer for a multilayer printed wiring board or the like.
下記の特許文献2には、(A)エポキシ樹脂、(B)活性エステル化合物、(C)カルボジイミド化合物、(D)熱可塑性樹脂及び(E)無機充填材を含み、(E)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、40質量%以上である樹脂組成物が開示されている。 Patent Document 2 below includes (A) epoxy resin, (B) active ester compound, (C) carbodiimide compound, (D) thermoplastic resin, and (E) inorganic filler, and contains (E) component. However, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass, a resin composition having a non-volatile component of 40% by mass or more is disclosed.
多層プリント配線板の製造時には、樹脂材料を加熱して硬化することにより、絶縁層が形成される。また、多層プリント配線板の製造時には、ビアホールが形成される。 When manufacturing a multilayer printed wiring board, an insulating layer is formed by heating and curing the resin material. Further, a via hole is formed at the time of manufacturing the multilayer printed wiring board.
特許文献1,2に記載のような従来の樹脂材料では、ビアホール形成時にレーザー等の熱によって樹脂材料が劣化し、形成したビアホール周辺においてサイドローブが比較的大きく生じることがある。 In the conventional resin material as described in Patent Documents 1 and 2, the resin material is deteriorated by the heat of a laser or the like at the time of forming the via hole, and the side lobe may be relatively large around the formed via hole.
また、特許文献1,2に記載のような従来の樹脂材料では、絶縁層の柔軟性が小さく、絶縁層が高温に晒された場合に、ビアホール周辺において、絶縁層にひび又は割れが生じやすい。 Further, in the conventional resin materials as described in Patent Documents 1 and 2, the flexibility of the insulating layer is small, and when the insulating layer is exposed to a high temperature, the insulating layer is liable to crack or crack around the via hole. ..
本発明の目的は、サイドローブを小さくすることができ、かつビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れを抑えることができる樹脂材料の硬化体及びBステージフィルムを提供することである。また、本発明は、上記硬化体を用いた多層プリント配線板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a cured product of a resin material and a B-stage film capable of reducing side lobes and suppressing cracks or cracks in an insulating layer around a via hole. The present invention also provides a multilayer printed wiring board using the cured product.
本発明の広い局面によれば、樹脂材料の硬化体であって、絶縁材料として用いられる硬化体であり、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離し、かつ、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離したときに、前記170℃でのハード成分の含有量と前記170℃でのミドル成分の含有量と前記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、前記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下であり、前記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、前記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である、硬化体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, it is a cured product of a resin material, which is a cured product used as an insulating material, and is said to be a cured product based on a free induction decay curve at 30 ° C. obtained by using pulse NMR. The components contained in the above are separated into three components in ascending order of spin-spin relaxation time: a hard component at 30 ° C., a middle component at 30 ° C., and a soft component at 30 ° C., and obtained by using pulse NMR. Based on the free induction decay curve at 170 ° C., the components contained in the cured product are arranged in ascending order of spin-spin relaxation time: hard component at 170 ° C., middle component at 170 ° C., and soft at 170 ° C. When separated into the three components, the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C. are 100% in total. The content of the hard component at 170 ° C. is 40% or more and 80% or less, and the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is A cured product of 1.5 or less is provided.
本発明に係る硬化体のある特定の局面では、前記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間が、0.016ミリ秒以下である。 In certain aspects of the cured product according to the present invention, the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. is 0.016 ms or less.
本発明に係る硬化体のある特定の局面では、前記30℃でのハード成分の含有量と前記30℃でのミドル成分の含有量と前記30℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、前記30℃でのハード成分の含有量が70%以上90%以下である。 In a specific aspect of the cured product according to the present invention, a total of 100% of the content of the hard component at 30 ° C., the content of the middle component at 30 ° C., and the content of the soft component at 30 ° C. Among them, the content of the hard component at 30 ° C. is 70% or more and 90% or less.
本発明に係る硬化体のある特定の局面では、前記樹脂材料が、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。 In certain aspects of the cured product according to the present invention, the resin material comprises a thermosetting compound and an inorganic filler.
本発明に係る硬化体のある特定の局面では、前記樹脂材料が、熱硬化性化合物と、硬化剤とを含み、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含み、前記硬化剤が、活性エステル化合物を含む。 In a specific aspect of the cured product according to the present invention, the resin material contains a thermosetting compound and a curing agent, the thermosetting compound contains an epoxy compound, and the curing agent is an active ester compound. including.
本発明の広い局面によれば、Bステージフィルムであって、絶縁材料として用いられるBステージフィルムであり、Bステージフィルムを、130℃で30分間、170℃で30分間、200℃で1時間、この順に加熱してBステージフィルムの硬化体を得て、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離し、かつ、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離したときに、前記170℃でのハード成分の含有量と前記170℃でのミドル成分の含有量と前記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、前記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下であり、前記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、前記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である、Bステージフィルムが提供される。 According to a broad aspect of the present invention, which is a B-stage film, which is a B-stage film used as an insulating material, the B-stage film is prepared at 130 ° C. for 30 minutes, 170 ° C. for 30 minutes, and 200 ° C. for 1 hour. A cured product of the B stage film is obtained by heating in this order, and the components contained in the cured product have a short spin-spin relaxation time based on the free induction decay curve at 30 ° C. obtained by pulse NMR. In order, it is separated into three components, a hard component at 30 ° C., a middle component at 30 ° C., and a soft component at 30 ° C., and based on a free induction decay curve at 170 ° C. obtained by pulse NMR. When the components contained in the cured product are separated into three components, a hard component at 170 ° C., a middle component at 170 ° C., and a soft component at 170 ° C., in ascending order of spin-spin relaxation time, the 170 ° C. Of the total 100% of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C., the content of the hard component at 170 ° C. is 40% or more. A B-stage film is provided in which the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less, which is 80% or less. NS.
本発明に係るBステージフィルムのある特定の局面では、前記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間が、0.016ミリ秒以下である。 In a particular aspect of the B-stage film according to the present invention, the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. is 0.016 ms or less.
本発明に係るBステージフィルムのある特定の局面では、前記30℃でのハード成分の含有量と前記30℃でのミドル成分の含有量と前記30℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、前記30℃でのハード成分の含有量が70%以上90%以下である。 In a specific aspect of the B-stage film according to the present invention, a total of 100 of the content of the hard component at 30 ° C., the content of the middle component at 30 ° C., and the content of the soft component at 30 ° C. The content of the hard component at 30 ° C. is 70% or more and 90% or less.
本発明に係るBステージフィルムは、多層プリント配線板において、絶縁層を形成するために好適に用いられる。 The B stage film according to the present invention is suitably used for forming an insulating layer in a multilayer printed wiring board.
本発明の広い局面によれば、回路基板と、前記回路基板の表面上に配置された複数の絶縁層と、複数の前記絶縁層間に配置された金属層とを備え、複数の前記絶縁層の内の少なくとも1層の前記絶縁層の材料が、上述した硬化体である、多層プリント配線板が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a circuit board, a plurality of insulating layers arranged on the surface of the circuit board, and a metal layer arranged between the plurality of insulating layers are provided, and the plurality of insulating layers are provided. A multilayer printed wiring board is provided in which the material of at least one of the insulating layers is the cured product described above.
本発明に係る硬化体は、樹脂材料の硬化体であって、絶縁材料として用いられる硬化体である。本発明では、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明では、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明に係る硬化体では、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下である。本発明に係る硬化体では、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である。本発明に係る硬化体では、上記の構成が備えられているので、サイドローブを小さくすることができ、かつビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れを抑えることができる。 The cured product according to the present invention is a cured product made of a resin material and is a cured product used as an insulating material. In the present invention, based on the free induction decay curve at 30 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 30 ° C. and 30 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 30 ° C and a soft component at 30 ° C. In the present invention, based on the free induction decay curve at 170 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 170 ° C. and 170 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 170 ° C and a soft component at 170 ° C. In the cured product according to the present invention, 170 ° C. is out of a total of 100% of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C. The content of the hard component in the above is 40% or more and 80% or less. In the cured product according to the present invention, the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less. Since the cured product according to the present invention has the above-mentioned structure, the side lobes can be made small, and cracks or cracks in the insulating layer around the via holes can be suppressed.
本発明に係るBステージフィルムは、絶縁材料として用いられるBステージフィルムである。本発明では、Bステージフィルムを、130℃で30分間、170℃で30分間、200℃で1時間、この順に加熱してBステージフィルムの硬化体を得る。本発明では、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明では、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明に係るBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下である。本発明に係るBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である。本発明に係るBステージフィルムでは、上記の構成が備えられているので、サイドローブを小さくすることができ、かつビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れを抑えることができる。 The B-stage film according to the present invention is a B-stage film used as an insulating material. In the present invention, the B stage film is heated at 130 ° C. for 30 minutes, 170 ° C. for 30 minutes, and 200 ° C. for 1 hour in this order to obtain a cured product of the B stage film. In the present invention, based on the free induction decay curve at 30 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 30 ° C. and 30 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 30 ° C and a soft component at 30 ° C. In the present invention, based on the free induction decay curve at 170 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 170 ° C. and 170 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 170 ° C and a soft component at 170 ° C. In the B stage film according to the present invention, 170 out of a total of 100% of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C. The content of the hard component at ° C. is 40% or more and 80% or less. In the B-stage film according to the present invention, the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less. Since the B stage film according to the present invention has the above-mentioned structure, the side lobes can be made small, and cracks or cracks in the insulating layer around the via holes can be suppressed.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明に係る硬化体は、樹脂材料の硬化体であって、絶縁材料として用いられる硬化体である。 The cured product according to the present invention is a cured product made of a resin material and is a cured product used as an insulating material.
本発明では、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明では、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明に係る硬化体では、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下である。本発明に係る硬化体では、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である。 In the present invention, based on the free induction decay curve at 30 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 30 ° C. and 30 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 30 ° C and a soft component at 30 ° C. In the present invention, based on the free induction decay curve at 170 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 170 ° C. and 170 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 170 ° C and a soft component at 170 ° C. In the cured product according to the present invention, 170 ° C. is out of a total of 100% of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C. The content of the hard component in the above is 40% or more and 80% or less. In the cured product according to the present invention, the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less.
本発明に係るBステージフィルムは、絶縁材料として用いられるBステージフィルムである。 The B-stage film according to the present invention is a B-stage film used as an insulating material.
本発明では、Bステージフィルムを、130℃で30分間、170℃で30分間、200℃で1時間、この順に加熱してBステージフィルムの硬化体を得る。本発明では、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明では、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、上記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離する。本発明に係るBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下である。本発明に係るBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である。 In the present invention, the B stage film is heated at 130 ° C. for 30 minutes, 170 ° C. for 30 minutes, and 200 ° C. for 1 hour in this order to obtain a cured product of the B stage film. In the present invention, based on the free induction decay curve at 30 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 30 ° C. and 30 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 30 ° C and a soft component at 30 ° C. In the present invention, based on the free induction decay curve at 170 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 170 ° C. and 170 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. It is separated into three components, a middle component at 170 ° C and a soft component at 170 ° C. In the B stage film according to the present invention, 170 out of a total of 100% of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C. The content of the hard component at ° C. is 40% or more and 80% or less. In the B-stage film according to the present invention, the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記の構成が備えられているので、サイドローブを小さくすることができ、かつビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れを抑えることができる。また、本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、ビアホール周辺以外の領域の絶縁層のひび又は割れも抑えることができる。さらに、本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、該硬化体及び該Bステージフィルムが無機充填材を含む場合であっても、ビアホール形成時に該無機充填材が脱落しにくい。そのため、本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、冷熱サイクル試験において、接続信頼性を高めることができる。 Since the cured product and the B stage film according to the present invention have the above-mentioned structure, the side lobes can be made small, and cracks or cracks in the insulating layer around the via holes can be suppressed. Further, in the cured product and the B stage film according to the present invention, cracks or cracks in the insulating layer in a region other than the vicinity of the via hole can be suppressed. Further, in the cured product and the B stage film according to the present invention, even when the cured product and the B stage film contain an inorganic filler, the inorganic filler is unlikely to fall off during via hole formation. Therefore, in the cured product and the B stage film according to the present invention, the connection reliability can be improved in the thermal cycle test.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記170℃でのハード成分の含有量は、40%以上80%以下である。本発明では、上記170℃でのハード成分の含有量が40%以上であるので、例えば、熱硬化性化合物と無機充填材とを良好に相互作用させることができ、その結果、サイドローブを小さくすることができ、また、ビアホール形成時の無機充填材の脱落を防ぐことができる。また、本発明では、上記170℃でのハード成分の含有量が80%以下であるので、硬化体の応力緩和を適度にすることができ、その結果、ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れを抑えることができる。なお、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計は、170℃での硬化体の成分全体の含有量である。 In the cured product and B stage film according to the present invention, the total content of the hard component at 170 ° C., the middle component content at 170 ° C., and the soft component content at 170 ° C. is 100%. The content of the hard component at 170 ° C. is 40% or more and 80% or less. In the present invention, since the content of the hard component at 170 ° C. is 40% or more, for example, the thermosetting compound and the inorganic filler can be satisfactorily interacted with each other, and as a result, the side lobes can be reduced. In addition, it is possible to prevent the inorganic filler from falling off during the formation of the via hole. Further, in the present invention, since the content of the hard component at 170 ° C. is 80% or less, the stress relaxation of the cured product can be made appropriate, and as a result, the insulating layer around the via hole is cracked or cracked. It can be suppressed. The total of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C. is the total content of the cured product at 170 ° C. The quantity.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分の含有量と上記170℃でのミドル成分の含有量と上記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記170℃でのハード成分の含有量は、好ましくは45%以上、より好ましくは50%以上、さらに好ましくは55%以上、好ましくは75%以下である。上記170℃でのハード成分の含有量が上記下限以上であると、サイドローブをより一層小さくすることができ、また、ビアホール形成時の無機充填材の脱落をより一層効果的に防ぐことができる。上記170℃でのハード成分の含有量が上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れをより一層効果的に抑えることができる。 In the cured product and B stage film according to the present invention, the total content of the hard component at 170 ° C., the middle component content at 170 ° C., and the soft component content at 170 ° C. is 100%. The content of the hard component at 170 ° C. is preferably 45% or more, more preferably 50% or more, still more preferably 55% or more, preferably 75% or less. When the content of the hard component at 170 ° C. is equal to or higher than the above lower limit, the side lobes can be further reduced, and the inorganic filler can be more effectively prevented from falling off during the formation of via holes. .. When the content of the hard component at 170 ° C. is not more than the above upper limit, cracks or cracks in the insulating layer around the via hole can be suppressed more effectively.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記30℃でのハード成分の含有量と上記30℃でのミドル成分の含有量と上記30℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記30℃でのハード成分の含有量は、好ましくは70%以上、より好ましくは75%以上、更に好ましくは80%以上である。本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記30℃でのハード成分の含有量と上記30℃でのミドル成分の含有量と上記30℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、上記30℃でのハード成分の含有量は、好ましくは90%以下、より好ましくは88%以下、更に好ましくは85%以下である。上記30℃でのハード成分の含有量が上記下限以上であると、サイドローブをより一層小さくすることができ、また、ビアホール形成時の無機充填材の脱落をより一層効果的に防ぐことができる。上記30℃でのハード成分の含有量が上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れをより一層効果的に抑えることができる。なお、上記30℃でのハード成分の含有量と上記30℃でのミドル成分の含有量と上記30℃でのソフト成分の含有量との合計は、30℃での硬化体の成分全体の含有量である。 In the cured product and B stage film according to the present invention, the total content of the hard component at 30 ° C., the middle component content at 30 ° C., and the soft component content at 30 ° C. is 100%. The content of the hard component at 30 ° C. is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, still more preferably 80% or more. In the cured product and B stage film according to the present invention, the total content of the hard component at 30 ° C., the middle component content at 30 ° C., and the soft component content at 30 ° C. is 100%. The content of the hard component at 30 ° C. is preferably 90% or less, more preferably 88% or less, still more preferably 85% or less. When the content of the hard component at 30 ° C. is equal to or higher than the above lower limit, the side lobes can be further reduced, and the inorganic filler can be more effectively prevented from falling off during the formation of via holes. .. When the content of the hard component at 30 ° C. is not more than the above upper limit, cracks or cracks in the insulating layer around the via hole can be suppressed more effectively. The total of the content of the hard component at 30 ° C., the content of the middle component at 30 ° C., and the content of the soft component at 30 ° C. is the total content of the cured product at 30 ° C. The quantity.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比(170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間/30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間)は1.5以下である。本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間と、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間とは、比較的近い。そのため、例えば、硬化体が高温に晒された場合であっても、該硬化体の伸縮が小さく、その結果、ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れを抑えることができる。 In the cured product and B-stage film according to the present invention, the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. (of the hard component at 170 ° C.). Spin-spin relaxation time / spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C.) is 1.5 or less. In the cured product and B-stage film according to the present invention, the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. and the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. are relatively close. Therefore, for example, even when the cured product is exposed to a high temperature, the expansion and contraction of the cured product is small, and as a result, cracks or cracks in the insulating layer around the via hole can be suppressed.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比(170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間/30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間)は、好ましくは1以上、より好ましくは1.05以上である。本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記比(170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間/30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間)は、好ましくは1.25以下、より好ましくは1.2以下である。上記比(170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間/30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間)が上記下限以上及び上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑えることができる。 In the cured product and B-stage film according to the present invention, the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. (of the hard component at 170 ° C.). The spin-spin relaxation time / spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C.) is preferably 1 or more, more preferably 1.05 or more. In the cured product and the B-stage film according to the present invention, the above ratio (spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C./spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C.) is preferably 1.25 or less. More preferably, it is 1.2 or less. When the above ratio (spin-spin relaxation time of hard component at 170 ° C./spin-spin relaxation time of hard component at 30 ° C.) is equal to or more than the above lower limit and below the above upper limit, the insulating layer around the via hole is cracked or cracked. Can be suppressed even more effectively.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間は、好ましくは0.01ミリ秒以上、より好ましくは0.012ミリ秒以上、好ましくは0.016ミリ秒以下、より好ましくは0.015ミリ秒以下、更に好ましくは0.014ミリ秒以下である。上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、サイドローブをより一層小さくすることができる。 In the cured product and B-stage film according to the present invention, the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. is preferably 0.01 ms or more, more preferably 0.012 ms or more, preferably 0. It is 016 ms or less, more preferably 0.015 ms or less, still more preferably 0.014 ms or less. When the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the side lobe can be further reduced.
本発明に係る硬化体及びBステージフィルムでは、上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間は、好ましくは0.01ミリ秒以上、より好ましくは0.011ミリ秒以上、好ましくは0.014ミリ秒以下、より好ましくは0.013ミリ秒以下である。上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、サイドローブをより一層小さくすることができる。 In the cured product and B-stage film according to the present invention, the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is preferably 0.01 ms or more, more preferably 0.011 ms or more, preferably 0. It is 014 ms or less, more preferably 0.013 ms or less. When the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the side lobe can be further reduced.
上記30℃でのハード成分、ミドル成分及びソフト成分の含有量、上記170℃でのハード成分、ミドル成分及びソフト成分の含有量、並びに上記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間及び上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間は、具体的には、実施例に記載の方法で求められる。 The contents of the hard component, the middle component and the soft component at 30 ° C., the contents of the hard component, the middle component and the soft component at 170 ° C., and the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. and the above. The spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is specifically determined by the method described in Examples.
上記170℃でのハード成分及び上記30℃でのハード成分の含有量、上記比(170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間/30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間)、上記170℃でのハード成分及び上記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間を、上記の好ましい範囲に制御する方法としては以下の方法が挙げられる。(1)柔軟成分を相分離させることにより、上記170℃でのハード成分の含有量を増やすことができる。(2)予備硬化時に硬化体内の残留溶剤の極性を低下させることにより、上記170℃でのハード成分の含有量が多くなり、緩和時間を十分に短くすることができる。(3)液状の熱硬化性化合物とシランカップリング剤処理された無機充填材とを予め攪拌して熱硬化性化合物を無機充填材の表面に十分になじませたのち、他の成分を添加することにより、熱硬化性化合物と無機充填材の表面とが強固に相互作用する。これにより、上記170℃でのハード成分の含有量が多くなり、緩和時間を十分に短くすることができる。 The contents of the hard component at 170 ° C. and the hard component at 30 ° C., the ratio (spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C./spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C.), the above. Examples of the method for controlling the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. and the hard component at 30 ° C. within the above-mentioned preferable range include the following methods. (1) By phase-separating the soft component, the content of the hard component at 170 ° C. can be increased. (2) By reducing the polarity of the residual solvent in the cured body during pre-curing, the content of the hard component at 170 ° C. is increased, and the relaxation time can be sufficiently shortened. (3) The liquid thermosetting compound and the inorganic filler treated with the silane coupling agent are stirred in advance so that the thermosetting compound is sufficiently blended on the surface of the inorganic filler, and then other components are added. As a result, the thermosetting compound and the surface of the inorganic filler interact strongly. As a result, the content of the hard component at 170 ° C. is increased, and the relaxation time can be sufficiently shortened.
以下、本発明に係る硬化体及び該硬化体を得るための樹脂材料に用いられる各成分の詳細、並びに本発明に係る硬化体の用途などを説明する。また、以下、本発明に係るBステージフィルムに用いられる各成分の詳細及び本発明に係るBステージフィルムの用途などを説明する。なお、Bステージフィルムは、樹脂材料である。 Hereinafter, the details of the cured product according to the present invention and each component used in the resin material for obtaining the cured product, the use of the cured product according to the present invention, and the like will be described. In addition, the details of each component used in the B-stage film according to the present invention, the use of the B-stage film according to the present invention, and the like will be described below. The B stage film is a resin material.
[熱硬化性化合物]
上記樹脂材料は、熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記硬化体は、上記樹脂材料の熱硬化物であることが好ましい。上記熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物、マレイミド化合物、スチレン化合物、フェノキシ化合物、オキセタン化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting compound]
The resin material preferably contains a thermosetting compound. The cured product is preferably a thermosetting product of the resin material. Examples of the thermosetting compound include epoxy compounds, maleimide compounds, styrene compounds, phenoxy compounds, oxetane compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, and silicone compounds. Can be mentioned. Only one type of the thermosetting compound may be used, or two or more types may be used in combination.
硬化体の熱寸法安定性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、上記エポキシ化合物又は上記マレイミド化合物を含むこと好ましく、上記エポキシ化合物を含むことがより好ましい。 From the viewpoint of further enhancing the thermal dimensional stability of the cured product, the thermosetting compound preferably contains the epoxy compound or the maleimide compound, and more preferably contains the epoxy compound.
<エポキシ化合物>
上記エポキシ化合物として、従来公知のエポキシ化合物を用いることができる。上記エポキシ化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
<Epoxy compound>
As the epoxy compound, a conventionally known epoxy compound can be used. Only one type of the epoxy compound may be used, or two or more types may be used in combination.
上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。 Examples of the epoxy compound include bisphenol A type epoxy compound, bisphenol F type epoxy compound, bisphenol S type epoxy compound, phenol novolac type epoxy compound, biphenyl type epoxy compound, biphenyl novolac type epoxy compound, biphenol type epoxy compound, and naphthalene type epoxy compound. , Fluorene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, epoxy compound with adamantan skeleton, epoxy compound with tricyclodecane skeleton, naphthylene ether type Examples thereof include an epoxy compound and an epoxy compound having a triazine nucleus as a skeleton.
上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、ナフタレン骨格又はフェニル骨格を有するエポキシ化合物を含むことがより好ましく、芳香族骨格を有するエポキシ化合物であることが更に好ましく、ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物であることが特に好ましい。この場合には、誘電正接をより一層低くし、かつ耐熱性、難燃性及び熱寸法安定性を高めることができる。 The epoxy compound preferably contains an epoxy compound having an aromatic skeleton, more preferably contains an epoxy compound having a naphthalene skeleton or a phenyl skeleton, further preferably an epoxy compound having an aromatic skeleton, and a naphthalene skeleton. It is particularly preferable that it is an epoxy compound having. In this case, the dielectric loss tangent can be further lowered, and heat resistance, flame retardancy, and thermal dimensional stability can be improved.
誘電正接をより一層低くし、かつ熱線膨張係数(CTE)を良好にする観点からは、上記エポキシ化合物は、25℃で液状のエポキシ化合物と、25℃で固形のエポキシ化合物とを含むことが好ましい。 From the viewpoint of further lowering the dielectric loss tangent and improving the coefficient of linear thermal expansion (CTE), the epoxy compound preferably contains an epoxy compound that is liquid at 25 ° C. and an epoxy compound that is solid at 25 ° C. ..
上記25℃で液状のエポキシ化合物の25℃での粘度は、1000mPa・s以下であることが好ましく、500mPa・s以下であることがより好ましい。 The viscosity of the epoxy compound liquid at 25 ° C. at 25 ° C. is preferably 1000 mPa · s or less, and more preferably 500 mPa · s or less.
上記エポキシ化合物の粘度を測定する際には、例えば動的粘弾性測定装置(レオロジカ・インスツルメンツ社製「VAR−100」)等が用いられる。 When measuring the viscosity of the epoxy compound, for example, a dynamic viscoelasticity measuring device (“VAR-100” manufactured by Leologica Instruments) or the like is used.
上記エポキシ化合物の分子量は1000以下であることがより好ましい。この場合には、樹脂材料中の溶剤を除く成分100重量%、無機充填材の含有量が50重量%以上であっても、絶縁層の形成時に流動性が高い樹脂材料が得られる。このため、樹脂材料の未硬化物又はBステージ化物を回路基板上にラミネートした場合に、無機充填材を均一に存在させることができる。 The molecular weight of the epoxy compound is more preferably 1000 or less. In this case, even if the component excluding the solvent in the resin material is 100% by weight and the content of the inorganic filler is 50% by weight or more, a resin material having high fluidity at the time of forming the insulating layer can be obtained. Therefore, when the uncured resin material or the B-staged product is laminated on the circuit board, the inorganic filler can be uniformly present.
上記エポキシ化合物の分子量は、上記エポキシ化合物が重合体ではない場合、及び上記エポキシ化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記エポキシ化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。 The molecular weight of the epoxy compound means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the epoxy compound is not a polymer and the structural formula of the epoxy compound can be specified. When the epoxy compound is a polymer, it means the weight average molecular weight.
絶縁層と金属層との接着強度をより一層高める観点からは、樹脂材料中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは25重量%以上、好ましくは60重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。 From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer, the content of the epoxy compound is preferably 5% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, based on 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin material. It is preferably 25% by weight or more, preferably 60% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less.
<マレイミド化合物>
上記マレイミド化合物として、従来公知のマレイミド化合物を用いることができる。上記マレイミド化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
<Maleimide compound>
As the maleimide compound, a conventionally known maleimide compound can be used. Only one type of the maleimide compound may be used, or two or more types may be used in combination.
上記マレイミド化合物は、ビスマレイミド化合物であってもよい。 The maleimide compound may be a bismaleimide compound.
上記マレイミド化合物としては、N−フェニルマレイミド及びN−アルキルビスマレイミド等が挙げられる。 Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide and N-alkylbismaleimide.
上記マレイミド化合物は、芳香族環を有していてもよく、有していなくてもよい。上記マレイミド化合物は、芳香族環を有することが好ましい。 The maleimide compound may or may not have an aromatic ring. The maleimide compound preferably has an aromatic ring.
上記マレイミド化合物では、マレイミド骨格における窒素原子と、芳香族環とが結合していることが好ましい。 In the maleimide compound, it is preferable that the nitrogen atom in the maleimide skeleton and the aromatic ring are bonded.
熱寸法安定性をより一層高める観点からは、樹脂材料中の溶剤を除く成分100重量%中、上記マレイミド化合物の含有量は、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、好ましくは15重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。 From the viewpoint of further enhancing the thermal dimensional stability, the content of the maleimide compound is preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, based on 100% by weight of the components excluding the solvent in the resin material. It is preferably 15% by weight or less, more preferably 10% by weight or less.
上記樹脂材料中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記マレイミド化合物の含有量は、好ましくは2.5重量%以上、より好ましくは5重量%以上、更に好ましくは7.5重量%以上、好ましくは50重量%以下、より好ましくは35重量%以下である。上記マレイミド化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の熱寸法安定性をより一層高めることができる。 The content of the maleimide compound in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin material is preferably 2.5% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, still more preferably 7.5% by weight. % Or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 35% by weight or less. When the content of the maleimide compound is at least the above lower limit and at least the above upper limit, the thermal dimensional stability of the cured product can be further enhanced.
本発明の効果を効果的に発揮する観点からは、上記マレイミド化合物の分子量は、好ましくは500以上、より好ましくは1000以上、好ましくは30000未満、より好ましくは20000未満である。 From the viewpoint of effectively exerting the effects of the present invention, the molecular weight of the maleimide compound is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, preferably less than 30,000, and more preferably less than 20,000.
上記マレイミド化合物の分子量は、上記マレイミド化合物が重合体ではない場合、及び上記マレイミド化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記マレイミド化合物の分子量は、上記マレイミド化合物が重合体である場合は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。 The molecular weight of the maleimide compound means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the maleimide compound is not a polymer and when the structural formula of the maleimide compound can be specified. The molecular weight of the maleimide compound indicates the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) when the maleimide compound is a polymer.
上記マレイミド化合物の市販品としては、例えば、大和化成工業社製「BMI−4000」及び「BMI−5100」、並びにDesigner Molecules Inc.社製「BMI−3000」及び「BMI−1500」等が挙げられる。 Examples of commercially available maleimide compounds include "BMI-4000" and "BMI-5100" manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd., and Designer Molecules Inc. Examples thereof include "BMI-3000" and "BMI-1500" manufactured by the same company.
[無機充填材]
上記樹脂材料は、無機充填材を含むことが好ましい。無機充填材の使用により、誘電正接をより一層低くすることができ、また、熱寸法安定性をより一層高めることができる。上記無機充填材は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Inorganic filler]
The resin material preferably contains an inorganic filler. By using the inorganic filler, the dielectric loss tangent can be further lowered, and the thermal dimensional stability can be further improved. Only one kind of the above-mentioned inorganic filler may be used, or two or more kinds may be used in combination.
上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素等が挙げられる。 Examples of the inorganic filler include silica, talcite, clay, mica, hydrotalcite, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and boron nitride.
絶縁層の表面の表面粗さを小さくし、絶縁層と金属層との接着強度をより一層高くし、かつ絶縁層の表面により一層微細な配線を形成し、かつ絶縁層により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、絶縁層の熱膨張率がより一層低くなり、かつ絶縁層の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は球状であることが好ましい。 The surface roughness of the surface of the insulating layer is reduced, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased, finer wiring is formed on the surface of the insulating layer, and the insulating reliability is better than that of the insulating layer. From the viewpoint of imparting, the inorganic filler is preferably silica or alumina, more preferably silica, and even more preferably molten silica. By using silica, the coefficient of thermal expansion of the insulating layer is further lowered, the surface roughness of the surface of the insulating layer is effectively reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is effectively increased. The shape of silica is preferably spherical.
硬化環境によらず、樹脂の硬化を進め、硬化物のガラス転移温度を効果的に高くし、硬化物の熱線膨張係数を効果的に小さくする観点からは、上記無機充填材は球状シリカであることが好ましい。 The inorganic filler is spherical silica from the viewpoint of advancing the curing of the resin regardless of the curing environment, effectively increasing the glass transition temperature of the cured product, and effectively reducing the coefficient of linear thermal expansion of the cured product. Is preferable.
上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは10nm以上、より好ましくは50nm以上、更に好ましくは100nm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下、更に好ましくは1μm以下、特に好ましくは0.5μm以下である。上記無機充填材の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。 The average particle size of the inorganic filler is preferably 10 nm or more, more preferably 50 nm or more, further preferably 100 nm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less, still more preferably 1 μm or less, and particularly preferably 0.5 μm. It is as follows. When the average particle size of the inorganic filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased.
上記無機充填材の平均粒径として、50%となるメディアン径(d50)の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定可能である。 As the average particle size of the inorganic filler, a value of median diameter (d50) of 50% is adopted. The average particle size can be measured using a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device.
上記無機充填材は、球状であることが好ましく、球状シリカであることがより好ましい。この場合には、絶縁層の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、更に絶縁層と金属層との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材が球状である場合には、上記無機充填材のアスペクト比は、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下である。 The inorganic filler is preferably spherical, more preferably spherical silica. In this case, the surface roughness of the surface of the insulating layer is effectively reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is effectively increased. When the inorganic filler is spherical, the aspect ratio of the inorganic filler is preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less.
上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤による表面処理物であることがより好ましく、シランカップリング剤による表面処理物であることが更に好ましい。これにより、粗化硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなり、かつ硬化物の表面により一層微細な配線が形成され、かつより一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性を硬化物に付与することができる。 The inorganic filler is preferably surface-treated, more preferably a surface-treated product with a coupling agent, and even more preferably a surface-treated product with a silane coupling agent. As a result, the surface roughness of the surface of the roughened and cured product is further reduced, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased, and finer wiring is formed on the surface of the cured product, and more. Even better inter-wiring insulation reliability and interlayer insulation reliability can be imparted to the cured product.
上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン、及びエポキシシラン等が挙げられる。 Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and the like. Examples of the silane coupling agent include methacrylsilane, acrylicsilane, aminosilane, imidazolesilane, vinylsilane, and epoxysilane.
樹脂材料中の溶剤を除く成分100重量%中、上記無機充填材の含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは60重量%以上、最も好ましくは70重量%以上である。上記樹脂材料中の溶剤を除く成分100重量%中、上記無機充填材の含有量は、好ましくは90重量%以下、より好ましくは85重量%以下、更に好ましくは83重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなり、かつ硬化物の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、この無機充填材量であれば、硬化物の熱膨張率を低くすることと同時に、スミア除去性を良好にすることも可能である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上であると、誘電正接が効果的に低くなる。また、本発明では、無機充填材の近傍に存在する樹脂量が、無機充填材の表面積の増大とともに増加するので、室温及び高温のハード成分を一層増加させることが可能となる場合もある。 The content of the inorganic filler in 100% by weight of the component excluding the solvent in the resin material is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and particularly preferably 60% by weight. % Or more, most preferably 70% by weight or more. The content of the inorganic filler in 100% by weight of the component excluding the solvent in the resin material is preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, still more preferably 83% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight. It is less than% by weight. When the content of the inorganic filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the surface roughness of the surface of the cured product is further reduced, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased, and the cured product is cured. Finer wiring is formed by the surface of the object. Further, with this amount of the inorganic filler, it is possible to reduce the coefficient of thermal expansion of the cured product and at the same time to improve the smear removability. When the content of the inorganic filler is at least the above lower limit, the dielectric loss tangent is effectively lowered. Further, in the present invention, since the amount of resin existing in the vicinity of the inorganic filler increases as the surface area of the inorganic filler increases, it may be possible to further increase the hard components at room temperature and high temperature.
[硬化剤]
上記樹脂材料は、硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤として、従来公知の硬化剤を使用可能である。上記硬化剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing agent]
The resin material preferably contains a curing agent. The curing agent is not particularly limited. Conventionally known curing agents can be used as the curing agent. Only one kind of the above-mentioned curing agent may be used, or two or more kinds may be used in combination.
上記硬化剤としては、シアネートエステル化合物(シアネートエステル硬化剤)、アミン化合物(アミン硬化剤)、チオール化合物(チオール硬化剤)、ホスフィン化合物、ジシアンジアミド、フェノール化合物(フェノール硬化剤)、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物(カルボジイミド硬化剤)、及びベンゾオキサジン化合物(ベンゾオキサジン硬化剤)等が挙げられる。上記硬化剤は、上記エポキシ化合物のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。 Examples of the curing agent include cyanate ester compound (cyanate ester curing agent), amine compound (amine curing agent), thiol compound (thiol curing agent), phosphine compound, dicyandiamide, phenol compound (phenol curing agent), acid anhydride, and activity. Examples thereof include an ester compound, a carbodiimide compound (carbodiimide curing agent), and a benzoxazine compound (benzoxazine curing agent). The curing agent preferably has a functional group capable of reacting with the epoxy group of the epoxy compound.
誘電正接を低くし、かつ熱寸法安定性を高める観点から、上記硬化剤は、フェノール化合物、シアネートエステル化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分を含むことが好ましい。すなわち、上記樹脂材料は、フェノール化合物、シアネートエステル化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分を含む硬化剤を含むことが好ましい。 From the viewpoint of lowering the dielectric adjacency and increasing the thermal dimensional stability, the curing agent is at least one of a phenol compound, a cyanate ester compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound. It preferably contains an ingredient. That is, the resin material preferably contains a curing agent containing at least one component of a phenol compound, a cyanate ester compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound.
本明細書において、「フェノール化合物、シアネートエステル化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分」を「成分X」と記載することがある。 In the present specification, "at least one component of a phenol compound, a cyanate ester compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound" may be referred to as "component X".
したがって、上記樹脂材料は、成分Xを含む硬化剤を含むことが好ましい。上記樹脂材料は、活性エステル化合物又はフェノール化合物を含む硬化剤を含むことがより好ましく、活性エステル化合物を含む硬化剤を含むことが更に好ましい。上記硬化剤は、成分Xを含むことが好ましく、活性エステル化合物又はフェノール化合物を含むことがより好ましく、活性エステル化合物を含むことが更に好ましい。上記成分Xは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Therefore, the resin material preferably contains a curing agent containing the component X. The resin material more preferably contains a curing agent containing an active ester compound or a phenol compound, and further preferably contains a curing agent containing an active ester compound. The curing agent preferably contains the component X, more preferably contains an active ester compound or a phenol compound, and further preferably contains an active ester compound. As the component X, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。 Examples of the phenol compound include novolak-type phenol, biphenol-type phenol, naphthalene-type phenol, dicyclopentadiene-type phenol, aralkyl-type phenol, and dicyclopentadiene-type phenol.
上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール(DIC社製「TD−2091」)、ビフェニルノボラック型フェノール(明和化成社製「MEH−7851」)、アラルキル型フェノール化合物(明和化成社製「MEH−7800」)、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール(DIC社製「LA1356」及び「LA3018−50P」)等が挙げられる。 Commercially available products of the above phenol compounds include novolak-type phenol (“TD-2091” manufactured by DIC), biphenyl novolac-type phenol (“MEH-7851” manufactured by Meiwakasei Co., Ltd.), and aralkyl-type phenol compound (“MEH” manufactured by Meiwakasei Co., Ltd.). -7800 "), and phenols having an aminotriazine skeleton ("LA1356" and "LA3018-50P" manufactured by DIC) and the like can be mentioned.
上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールF型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。 Examples of the cyanate ester compound include a novolak type cyanate ester resin, a bisphenol type cyanate ester resin, and a prepolymer in which these are partially triquantized. Examples of the novolak type cyanate ester resin include phenol novolac type cyanate ester resin and alkylphenol type cyanate ester resin. Examples of the bisphenol type cyanate ester resin include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, and tetramethyl bisphenol F type cyanate ester resin.
上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT−30」及び「PT−60」)、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA−230S」、「BA−3000S」、「BTP−1000S」及び「BTP−6020S」)等が挙げられる。 Commercially available products of the above cyanate ester compounds include a phenol novolac type cyanate ester resin (“PT-30” and “PT-60” manufactured by Lonza Japan Co., Ltd.) and a prepolymer in which a bisphenol type cyanate ester resin is triquantized (Lonza Japan). Examples thereof include "BA-230S", "BA-3000S", "BTP-1000S" and "BTP-6020S") manufactured by the same company.
上記酸無水物としては、テトラヒドロフタル酸無水物、及びアルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体等が挙げられる。 Examples of the acid anhydride include tetrahydrophthalic anhydride, alkylstyrene-maleic anhydride copolymer and the like.
上記酸無水物の市販品としては、新日本理化社製「リカシッド TDA−100」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the acid anhydride include "Recasid TDA-100" manufactured by Shin Nihon Rika Co., Ltd.
上記活性エステル化合物とは、構造体中にエステル結合を少なくとも1つ含み、かつ、エステル結合の両側に芳香族環が結合している化合物をいう。活性エステル化合物は、例えばカルボン酸化合物又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物又はチオール化合物との縮合反応によって得られる。活性エステル化合物の例としては、下記式(1)で表される化合物が挙げられる。 The active ester compound refers to a compound containing at least one ester bond in the structure and having aromatic rings bonded to both sides of the ester bond. The active ester compound is obtained, for example, by a condensation reaction of a carboxylic acid compound or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound or a thiol compound. Examples of the active ester compound include a compound represented by the following formula (1).
上記式(1)中、X1は、脂肪族鎖を含む基、脂肪族環を含む基又は芳香族環を含む基を表し、X2は、芳香族環を含む基を表す。上記芳香族環を含む基の好ましい例としては、置換基を有していてもよいベンゼン環、及び置換基を有していてもよいナフタレン環等が挙げられる。上記置換基としては、炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基の炭素数は、好ましくは12以下、より好ましくは6以下、更に好ましくは4以下である。 In the above formula (1), X1 represents a group containing an aliphatic chain, a group containing an aliphatic ring or a group containing an aromatic ring, and X2 represents a group containing an aromatic ring. Preferred examples of the group containing an aromatic ring include a benzene ring which may have a substituent and a naphthalene ring which may have a substituent. Examples of the substituent include a hydrocarbon group. The hydrocarbon group has preferably 12 or less carbon atoms, more preferably 6 or less carbon atoms, and even more preferably 4 or less carbon atoms.
X1及びX2の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいベンゼン環との組み合わせ、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。さらに、X1及びX2の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいナフタレン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。 The combination of X1 and X2 includes a combination of a benzene ring which may have a substituent and a benzene ring which may have a substituent, a benzene ring which may have a substituent, and a substitution. Examples thereof include a combination with a naphthalene ring which may have a group. Further, examples of the combination of X1 and X2 include a combination of a naphthalene ring which may have a substituent and a naphthalene ring which may have a substituent.
上記活性エステル化合物は特に限定されない。熱寸法安定性及び難燃性をより一層高める観点からは、上記活性エステル化合物は、2個以上の芳香族骨格を有する活性エステル化合物であることが好ましい。誘電正接を低くし、かつ熱寸法安定性を高める観点から、上記活性エステル化合物は、主鎖の骨格中にナフタレン環を有することがより好ましい。 The active ester compound is not particularly limited. From the viewpoint of further enhancing thermal dimensional stability and flame retardancy, the active ester compound is preferably an active ester compound having two or more aromatic skeletons. From the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent and increasing the thermal dimensional stability, it is more preferable that the active ester compound has a naphthalene ring in the skeleton of the main chain.
上記活性エステル化合物の市販品としては、DIC社製「HPC−8000−65T」、「EXB9416−70BK」、「EXB8100−65T」、及び「HPC−8150−60T」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the active ester compound include "HPC-8000-65T", "EXB9416-70BK", "EXB8100-65T", and "HPC-8150-60T" manufactured by DIC Corporation.
上記カルボジイミド化合物は、下記式(2)で表される構造単位を有する化合物である。下記式(2)において、右端部及び左端部は、他の基との結合部位である。上記カルボジイミド化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The carbodiimide compound is a compound having a structural unit represented by the following formula (2). In the following formula (2), the right end and the left end are binding sites for other groups. Only one kind of the above-mentioned carbodiimide compound may be used, or two or more kinds may be used in combination.
上記式(2)中、Xは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、シクロアルキレン基に置換基が結合した基、アリーレン基、又はアリーレン基に置換基が結合した基を表し、pは1〜5の整数を表す。Xが複数存在する場合、複数のXは同一であってもよく、異なっていてもよい。 In the above formula (2), X is an alkylene group, a group in which a substituent is bonded to an alkylene group, a cycloalkylene group, a group in which a substituent is bonded to a cycloalkylene group, an arylene group, or a substituent bonded to an arylene group. It represents a group and p represents an integer of 1-5. When a plurality of X's exist, the plurality of X's may be the same or different.
好適な一つの形態において、少なくとも1つのXは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、又はシクロアルキレン基に置換基が結合した基である。 In one preferred form, at least one X is an alkylene group, a group with a substituent attached to an alkylene group, a cycloalkylene group, or a group with a substituent attached to a cycloalkylene group.
上記カルボジイミド化合物の市販品としては、日清紡ケミカル社製「カルボジライト V−02B」、「カルボジライト V−03」、「カルボジライト V−04K」、「カルボジライト V−07」、「カルボジライト V−09」、「カルボジライト 10M−SP」、及び「カルボジライト 10M−SP(改)」、並びに、ラインケミー社製「スタバクゾールP」、「スタバクゾールP400」、及び「ハイカジル510」等が挙げられる。 Commercially available products of the above carbodiimide compounds include "carbodilite V-02B", "carbodilite V-03", "carbodilite V-04K", "carbodilite V-07", "carbodilite V-09", and "carbodilite" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Examples thereof include "10M-SP" and "carbodilite 10M-SP (revised)", and "Stavaxol P", "Stavaxol P400" and "Hikazil 510" manufactured by Rheinchemy.
上記ベンゾオキサジン化合物としては、P−d型ベンゾオキサジン、及びF−a型ベンゾオキサジン等が挙げられる。 Examples of the benzoxazine compound include Pd-type benzoxazine and Fa-type benzoxazine.
上記ベンゾオキサジン化合物の市販品としては、四国化成工業社製「P−d型」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the benzoxazine compound include "Pd type" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation.
上記エポキシ化合物100重量部に対して、上記成分Xの含有量は、好ましくは70重量部以上、より好ましくは85重量部以上、好ましくは150重量部以下、より好ましくは120重量部以下である。上記成分Xの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高め、残存未反応成分の揮発をより一層抑制できる。 The content of the component X is preferably 70 parts by weight or more, more preferably 85 parts by weight or more, preferably 150 parts by weight or less, and more preferably 120 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound. When the content of the component X is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability is further improved, the thermal dimensional stability is further enhanced, and the volatilization of the residual unreacted component can be further suppressed.
上記樹脂材料中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記エポキシ化合物と上記成分Xとの合計の含有量は、好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下である。上記エポキシ化合物と上記成分Xとの合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高めることができる。 The total content of the epoxy compound and the component X in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin material is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, preferably 60% by weight or more. It is 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less. When the total content of the epoxy compound and the component X is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability is further improved and the thermal dimensional stability can be further improved.
[硬化促進剤]
上記樹脂材料は、硬化促進剤を含むことが好ましい。上記硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。樹脂材料を速やかに硬化させることで、硬化物における架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。上記硬化促進剤は特に限定されず、従来公知の硬化促進剤を使用可能である。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing accelerator]
The resin material preferably contains a curing accelerator. By using the above-mentioned curing accelerator, the curing rate becomes even faster. By rapidly curing the resin material, the crosslinked structure in the cured product becomes uniform, the number of unreacted functional groups decreases, and as a result, the crosslinked density increases. The curing accelerator is not particularly limited, and conventionally known curing accelerators can be used. Only one type of the curing accelerator may be used, or two or more types may be used in combination.
上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物等のアニオン性硬化促進剤、アミン化合物等のカチオン性硬化促進剤、リン化合物及び有機金属化合物等のアニオン性及びカチオン性硬化促進剤以外の硬化促進剤、並びに過酸化物等のラジカル性硬化促進剤等が挙げられる。 Examples of the curing accelerator include anionic curing accelerators such as imidazole compounds, cationic curing accelerators such as amine compounds, and curing accelerators other than anionic and cationic curing accelerators such as phosphorus compounds and organic metal compounds. , And radical curing accelerators such as peroxides.
上記イミダゾール化合物としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。 Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-. 2-Methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimerite, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimerite, 2,4-diamino-6- [2' -Methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s -Triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole And so on.
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン及び4,4−ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。 Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine and the like.
上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン化合物等が挙げられる。 Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine compounds.
上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)及びトリスアセチルアセトナートコバルト(III)等が挙げられる。 Examples of the organic metal compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II) and trisacetylacetonate cobalt (III).
上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。樹脂材料中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中及び上記硬化体中の上記無機充填材を除く成分100重量%中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.05重量%以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは3重量%以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂材料が効率的に硬化する。上記硬化促進剤の含有量がより好ましい範囲であれば、樹脂材料の保存安定性がより一層高くなり、かつより一層良好な硬化体が得られる。 The content of the curing accelerator is not particularly limited. The content of the curing accelerator is preferably 0.01% by weight or more in 100% by weight of the component excluding the inorganic filler and the solvent in the resin material and in 100% by weight of the component excluding the inorganic filler in the cured product. , More preferably 0.05% by weight or more, preferably 5% by weight or less, and more preferably 3% by weight or less. When the content of the curing accelerator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the resin material is efficiently cured. When the content of the curing accelerator is in a more preferable range, the storage stability of the resin material is further increased, and a more favorable cured product can be obtained.
[熱可塑性樹脂]
上記樹脂材料は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。上記熱可塑性樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂及びフェノキシ樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermoplastic resin]
The resin material preferably contains a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include polyvinyl acetal resin, polyimide resin, and phenoxy resin. Only one type of the above-mentioned thermoplastic resin may be used, or two or more types may be used in combination.
硬化環境によらず、誘電正接を効果的に低くし、かつ、金属配線の密着性を効果的に高める観点からは、上記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂であることが好ましい。フェノキシ樹脂の使用により、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性の悪化及び無機充填材の不均一化が抑えられる。また、フェノキシ樹脂の使用により、溶融粘度を調整可能であるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で、意図しない領域に樹脂材料又はBステージ化物が濡れ拡がり難くなる。 The thermoplastic resin is preferably a phenoxy resin from the viewpoint of effectively lowering the dielectric loss tangent and effectively improving the adhesion of the metal wiring regardless of the curing environment. By using the phenoxy resin, deterioration of embedding property in holes or irregularities of the circuit board of the resin film and non-uniformity of the inorganic filler can be suppressed. Further, by using the phenoxy resin, the melt viscosity can be adjusted, so that the dispersibility of the inorganic filler is improved, and the resin material or the B-staged product is less likely to wet and spread in an unintended region during the curing process.
上記樹脂材料に含まれているフェノキシ樹脂は特に限定されない。上記フェノキシ樹脂として、従来公知のフェノキシ樹脂を使用可能である。上記フェノキシ樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The phenoxy resin contained in the resin material is not particularly limited. As the phenoxy resin, a conventionally known phenoxy resin can be used. Only one type of the phenoxy resin may be used, or two or more types may be used in combination.
上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型の骨格、ビスフェノールF型の骨格、ビスフェノールS型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、ナフタレン骨格及びイミド骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。 Examples of the phenoxy resin include phenoxy resins having skeletons such as bisphenol A type skeleton, bisphenol F type skeleton, bisphenol S type skeleton, biphenyl skeleton, novolak skeleton, naphthalene skeleton and imide skeleton.
上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵住金化学社製の「YP50」、「YP55」及び「YP70」、並びに三菱化学社製の「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及び「YX8100BH30」等が挙げられる。 Examples of commercially available phenoxy resins include "YP50", "YP55" and "YP70" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, and "1256B40", "4250", "4256H40" and "4256H40" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 4275 ”,“ YX6954BH30 ”,“ YX8100BH30 ”and the like.
保存安定性により一層優れた樹脂材料を得る観点からは、上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは5000以上、より好ましくは10000以上、好ましくは100000以下、より好ましくは50000以下である。 From the viewpoint of obtaining a resin material having more excellent storage stability, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 5,000 or more, more preferably 10,000 or more, preferably 100,000 or less, and more preferably 50,000 or less.
上記熱可塑性樹脂の上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。 The weight average molecular weight of the thermoplastic resin indicates the polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC).
上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の含有量は特に限定されない。樹脂材料中の上記無機充填材を除く成分100重量%中、上記熱可塑性樹脂の含有量(上記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量)は好ましくは1重量%以上、より好ましくは5重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは15重量%以下である。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂材料の回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性が良好になる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、樹脂フィルムの形成がより一層容易になり、より一層良好な絶縁層が得られる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の熱膨張率がより一層低くなる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、絶縁層と金属層との接着強度がより一層高くなる。 The contents of the thermoplastic resin and the phenoxy resin are not particularly limited. The content of the thermoplastic resin (content of the phenoxy resin when the thermoplastic resin is a phenoxy resin) is preferably 1% by weight or more in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler in the resin material. It is more preferably 5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 15% by weight or less. When the content of the thermoplastic resin is at least the above lower limit and at least the above upper limit, the embedding property of the resin material in the holes or irregularities of the circuit board is improved. When the content of the thermoplastic resin is at least the above lower limit, the formation of the resin film becomes easier and a better insulating layer can be obtained. When the content of the thermoplastic resin is not more than the above upper limit, the coefficient of thermal expansion of the cured product becomes even lower. When the content of the thermoplastic resin is not more than the above upper limit, the surface roughness of the surface of the cured product is further reduced, and the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is further increased.
[溶剤]
上記樹脂材料は、溶剤を含まないか又は含む。上記溶剤の使用により、樹脂材料の粘度を好適な範囲に制御でき、樹脂材料の塗工性を高めることができる。また、上記溶剤は、上記無機充填材を含むスラリーを得るために用いられてもよい。上記溶剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[solvent]
The resin material does not contain or contains a solvent. By using the above solvent, the viscosity of the resin material can be controlled in a suitable range, and the coatability of the resin material can be improved. Further, the solvent may be used to obtain a slurry containing the inorganic filler. Only one type of the solvent may be used, or two or more types may be used in combination.
上記溶剤としては、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノール、2−プロパノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、2−アセトキシ−1−メトキシプロパン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、N,N−ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、N−メチル−ピロリドン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン及び混合物であるナフサ等が挙げられる。 Examples of the solvent include acetone, methanol, ethanol, butanol, 2-propanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 1-methoxy-2-propanol, 2-acetoxy-1-methoxypropane, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, and the like. Examples thereof include N, N-dimethylformamide, methyl isobutyl ketone, N-methyl-pyrrolidone, n-hexane, cyclohexane, cyclohexanone and naphtha as a mixture.
上記溶剤の多くは、上記樹脂組成物をフィルム状に成形するときに、除去されることが好ましい。従って、上記溶剤の沸点は、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。上記樹脂組成物における上記溶剤の含有量は特に限定されない。上記樹脂組成物の塗工性などを考慮して、上記溶剤の含有量は適宜変更可能である。 Most of the solvent is preferably removed when the resin composition is formed into a film. Therefore, the boiling point of the solvent is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The content of the solvent in the resin composition is not particularly limited. The content of the solvent can be appropriately changed in consideration of the coatability of the resin composition and the like.
[他の成分]
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記樹脂材料には、レベリング剤、難燃剤、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤、及び揺変性付与剤等を添加してもよい。
[Other ingredients]
For the purpose of improving impact resistance, heat resistance, resin compatibility, workability, etc., the above resin materials include leveling agents, flame retardants, coupling agents, colorants, antioxidants, ultraviolet deterioration inhibitors, and defoamers. Foaming agents, thickeners, rocking denaturing agents and the like may be added.
上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、ビニルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。 Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and the like. Examples of the silane coupling agent include vinylsilane, aminosilane, imidazolesilane, and epoxysilane.
(樹脂フィルム及び積層フィルム)
上述した樹脂材料をフィルム状に成形することにより樹脂フィルム(Bステージ化物/Bステージフィルム)が得られる。上記樹脂材料は、樹脂フィルムであることが好ましい。樹脂フィルムは、Bステージフィルムであることが好ましい。上記樹脂フィルムを硬化させることによって、フィルム状の上記硬化体を得ることができる。上記硬化体は、フィルム状であることが好ましい。
(Resin film and laminated film)
A resin film (B-staged product / B-stage film) can be obtained by molding the above-mentioned resin material into a film. The resin material is preferably a resin film. The resin film is preferably a B stage film. By curing the resin film, a film-like cured product can be obtained. The cured product is preferably in the form of a film.
樹脂組成物をフィルム状に成形して、樹脂フィルムを得る方法としては、以下の方法が挙げられる。押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Tダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法。溶剤を含む樹脂組成物をキャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法。従来公知のその他のフィルム成形法。薄型化に対応可能であることから、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。 Examples of the method for obtaining a resin film by molding the resin composition into a film form include the following methods. An extrusion molding method in which a resin composition is melt-kneaded using an extruder, extruded, and then molded into a film by a T-die, a circular die, or the like. A casting molding method in which a resin composition containing a solvent is cast and molded into a film. Other conventionally known film forming methods. An extrusion molding method or a casting molding method is preferable because it can be made thinner. The film includes a sheet.
樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば50℃〜150℃で1分間〜10分間加熱乾燥させることにより、Bステージフィルムである樹脂フィルムを得ることができる。 A resin film, which is a B-stage film, can be obtained by molding the resin composition into a film and heating and drying it at 50 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 10 minutes to the extent that curing by heat does not proceed too much. can.
上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂材料をBステージフィルムと称する。上記Bステージフィルムは、半硬化状態にある。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。 The film-like resin material that can be obtained by the drying step as described above is referred to as a B stage film. The B stage film is in a semi-cured state. The semi-cured product is not completely cured and can be further cured.
上記樹脂フィルムは、プリプレグでなくてもよい。上記樹脂フィルムがプリプレグではない場合には、ガラスクロス等に沿ってマイグレーションが生じなくなる。また、樹脂フィルムをラミネート又はプレキュアする際に、表面にガラスクロスに起因する凹凸が生じなくなる。上記樹脂フィルムは、金属箔又は基材と、該金属箔又は基材の表面に積層された樹脂フィルムとを備える積層フィルムの形態で用いることができる。上記金属箔は銅箔であることが好ましい。 The resin film does not have to be a prepreg. When the resin film is not a prepreg, migration does not occur along the glass cloth or the like. Further, when the resin film is laminated or pre-cured, unevenness due to the glass cloth does not occur on the surface. The resin film can be used in the form of a laminated film including a metal foil or a base material and a resin film laminated on the surface of the metal foil or the base material. The metal foil is preferably a copper foil.
上記積層フィルムは、基材フィルムと、該基材フィルムの第1の表面上に積層された上記樹脂フィルムとを有する。上記樹脂フィルムの該基材フィルムとは反対側の表面上には、保護フィルムが積層されていてもよい。 The laminated film has a base film and the resin film laminated on the first surface of the base film. A protective film may be laminated on the surface of the resin film opposite to the base film.
上記積層フィルムの上記基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルム等のオレフィン樹脂フィルム、及びポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理されていてもよい。 Examples of the base film of the laminated film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film, olefin resin films such as polyethylene film and polypropylene film, and polyimide resin films. The surface of the base material may be subjected to a mold release treatment, if necessary.
樹脂フィルムの硬化度をより一層均一に制御する観点からは、上記樹脂フィルムの厚さは、好ましくは5μm以上であり、好ましくは200μm以下である。上記樹脂フィルムを回路の絶縁層として用いる場合、上記樹脂フィルムにより形成された絶縁層の厚さは、回路を形成する導体層(金属層)の厚さ以上であることが好ましい。上記絶縁層の厚さは、好ましくは5μm以上であり、好ましくは200μm以下である。 From the viewpoint of controlling the degree of curing of the resin film more uniformly, the thickness of the resin film is preferably 5 μm or more, preferably 200 μm or less. When the resin film is used as the insulating layer of the circuit, the thickness of the insulating layer formed by the resin film is preferably equal to or larger than the thickness of the conductor layer (metal layer) forming the circuit. The thickness of the insulating layer is preferably 5 μm or more, and preferably 200 μm or less.
(半導体装置、プリント配線板、銅張積層板及び多層プリント配線板)
上記硬化体及び上記Bステージフィルムは、絶縁材料として用いられる。上記硬化体及び上記Bステージフィルムは、半導体装置、積層板及びプリント配線板等の電子部品における絶縁材料として好適に用いられる。
(Semiconductor devices, printed wiring boards, copper-clad laminates and multilayer printed wiring boards)
The cured product and the B stage film are used as an insulating material. The cured product and the B stage film are suitably used as an insulating material in electronic components such as semiconductor devices, laminated boards and printed wiring boards.
上記樹脂材料、上記Bステージフィルム及び上記硬化体は、プリント配線板において絶縁層を形成するために好適に用いられる。 The resin material, the B stage film, and the cured product are suitably used for forming an insulating layer in a printed wiring board.
上記プリント配線板は、例えば、上記樹脂材料を加熱加圧成形することにより得られる。 The printed wiring board can be obtained, for example, by heat-press molding the resin material.
上記樹脂フィルムに対して、片面又は両面に金属箔を積層できる。上記樹脂フィルムと金属箔とを積層する方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、平行平板プレス機又はロールラミネーター等の装置を用いて、加熱しながら又は加熱せずに加圧しながら、上記樹脂フィルムを金属箔に積層可能である。 A metal foil can be laminated on one side or both sides of the resin film. The method of laminating the resin film and the metal foil is not particularly limited, and a known method can be used. For example, the resin film can be laminated on a metal foil while being pressurized or not heated by using an apparatus such as a parallel flat plate press or a roll laminator.
上記樹脂材料、上記Bステージフィルム及び上記硬化体は、銅張積層板を得るために好適に用いられる。上記銅張積層板の一例として、銅箔と、該銅箔の一方の表面に積層された樹脂フィルムとを備える銅張積層板が挙げられる。 The resin material, the B stage film, and the cured product are suitably used for obtaining a copper-clad laminate. An example of the copper-clad laminate is a copper-clad laminate comprising a copper foil and a resin film laminated on one surface of the copper foil.
上記銅張積層板の上記銅箔の厚さは特に限定されない。上記銅箔の厚さは、1μm〜50μmの範囲内であることが好ましい。また、上記樹脂材料の硬化物と銅箔との接着強度を高めるために、上記銅箔は微細な凹凸を表面に有することが好ましい。凹凸の形成方法は特に限定されない。上記凹凸の形成方法としては、公知の薬液を用いた処理による形成方法等が挙げられる。 The thickness of the copper foil of the copper-clad laminate is not particularly limited. The thickness of the copper foil is preferably in the range of 1 μm to 50 μm. Further, in order to increase the adhesive strength between the cured product of the resin material and the copper foil, it is preferable that the copper foil has fine irregularities on the surface. The method of forming the unevenness is not particularly limited. Examples of the method for forming the unevenness include a method for forming the unevenness by a treatment using a known chemical solution.
上記樹脂材料、上記Bステージフィルム及び上記硬化体は、多層基板を得るために好適に用いられる。 The resin material, the B stage film, and the cured product are suitably used for obtaining a multilayer substrate.
上記多層基板の一例として、回路基板と、該回路基板上に積層された絶縁層とを備える多層基板が挙げられる。この多層基板の絶縁層の材料が、上述した硬化体である。また、多層基板の絶縁層が、積層フィルムを用いて、上記積層フィルムの上記樹脂フィルムにより形成されていてもよい。上記絶縁層は、回路基板の回路が設けられた表面上に積層されていることが好ましい。上記絶縁層の一部は、上記回路間に埋め込まれていることが好ましい。 An example of the multilayer board is a multilayer board including a circuit board and an insulating layer laminated on the circuit board. The material of the insulating layer of this multilayer substrate is the cured product described above. Further, the insulating layer of the multilayer substrate may be formed of the resin film of the laminated film by using the laminated film. The insulating layer is preferably laminated on the surface of the circuit board on which the circuit is provided. It is preferable that a part of the insulating layer is embedded between the circuits.
上記多層基板では、上記絶縁層の上記回路基板が積層された表面とは反対側の表面が粗化処理されていることが好ましい。 In the multilayer board, it is preferable that the surface of the insulating layer opposite to the surface on which the circuit board is laminated is roughened.
粗化処理方法は、従来公知の粗化処理方法を用いることができ、特に限定されない。上記絶縁層の表面は、粗化処理の前に膨潤処理されていてもよい。 As the roughening treatment method, a conventionally known roughening treatment method can be used and is not particularly limited. The surface of the insulating layer may be swelled before the roughening treatment.
また、上記多層基板は、上記絶縁層の粗化処理された表面に積層された銅めっき層をさらに備えることが好ましい。 Further, it is preferable that the multilayer substrate further includes a copper plating layer laminated on the roughened surface of the insulating layer.
また、上記多層基板の他の例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された絶縁層と、該絶縁層の上記回路基板が積層された表面とは反対側の表面に積層された銅箔とを備える多層基板が挙げられる。この多層基板の絶縁層の材料が、上述した硬化体である。上記絶縁層が、銅箔と該銅箔の一方の表面に積層された樹脂フィルムとを備える銅張積層板を用いて、上記樹脂フィルムを硬化させることにより形成されていることが好ましい。さらに、上記銅箔はエッチング処理されており、銅回路であることが好ましい。 Further, as another example of the multilayer board, the circuit board, the insulating layer laminated on the surface of the circuit board, and the insulating layer are laminated on the surface opposite to the surface on which the circuit board is laminated. Examples thereof include a multilayer substrate provided with a copper foil. The material of the insulating layer of this multilayer substrate is the cured product described above. It is preferable that the insulating layer is formed by curing the resin film using a copper-clad laminate having a copper foil and a resin film laminated on one surface of the copper foil. Further, the copper foil is etched and preferably a copper circuit.
上記多層基板の他の例として、回路基板と、該回路基板の表面上に積層された複数の絶縁層とを備える多層基板が挙げられる。上記回路基板上に配置された上記複数層の絶縁層の内の少なくとも1層が、上記樹脂材料を用いて形成される。この多層基板の絶縁層の材料が、上述した硬化体である。上記多層基板は、上記樹脂フィルムを用いて形成されている上記絶縁層の少なくとも一方の表面に積層されている回路をさらに備えることが好ましい。 As another example of the multilayer board, there is a multilayer board including a circuit board and a plurality of insulating layers laminated on the surface of the circuit board. At least one of the plurality of insulating layers arranged on the circuit board is formed by using the resin material. The material of the insulating layer of this multilayer substrate is the cured product described above. It is preferable that the multilayer substrate further includes a circuit laminated on at least one surface of the insulating layer formed by using the resin film.
上記樹脂材料、上記Bステージフィルム及び上記硬化体は、多層プリント配線板において、絶縁層を形成するために好適に用いられる。 The resin material, the B stage film, and the cured product are suitably used for forming an insulating layer in a multilayer printed wiring board.
上記多層プリント配線板は、例えば、回路基板と、上記回路基板の表面上に配置された複数の絶縁層と、複数の上記絶縁層間に配置された金属層とを備える。上記絶縁層の内の少なくとも1層の絶縁層の材料が、上述した硬化体である。 The multilayer printed wiring board includes, for example, a circuit board, a plurality of insulating layers arranged on the surface of the circuit board, and a metal layer arranged between the plurality of insulating layers. The material of at least one of the insulating layers is the cured product described above.
図1は、本発明の一実施形態に係る硬化体を用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer printed wiring board using a cured product according to an embodiment of the present invention.
図1に示す多層プリント配線板11では、回路基板12の上面12aに、複数層の絶縁層13〜16が積層されている。絶縁層13〜16は、硬化物層である。回路基板12の上面12aの一部の領域には、金属層17が形成されている。複数層の絶縁層13〜16のうち、回路基板12側とは反対の外側の表面に位置する絶縁層16以外の絶縁層13〜15には、上面の一部の領域に金属層17が形成されている。金属層17は回路である。回路基板12と絶縁層13の間、及び積層された絶縁層13〜16の各層間に、金属層17がそれぞれ配置されている。下方の金属層17と上方の金属層17とは、図示しないビアホール接続及びスルーホール接続の内の少なくとも一方により互いに接続されている。
In the multilayer printed
多層プリント配線板11では、絶縁層13〜16が、上記硬化体により形成されている。多層プリント配線板11では、絶縁層13〜16の材料が、上記硬化体である。本実施形態では、絶縁層13〜16の表面が粗化処理されているので、絶縁層13〜16の表面に図示しない微細な孔が形成されている。また、微細な孔の内部に金属層17が至っている。また、多層プリント配線板11では、金属層17の幅方向寸法(L)と、金属層17が形成されていない部分の幅方向寸法(S)とを小さくすることができる。また、多層プリント配線板11では、図示しないビアホール接続及びスルーホール接続で接続されていない上方の金属層と下方の金属層との間に、良好な絶縁信頼性が付与されている。
In the multilayer printed
(粗化処理及び膨潤処理)
上記樹脂材料は、粗化処理又はデスミア処理される硬化体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化体には、更に硬化が可能な予備硬化体も含まれる。海島構造を容易に形成させる観点からは、上記硬化体は、更に硬化が可能な予備硬化体であることが好ましい。また、上記予備硬化体を得るために、樹脂材料を硬化させる際の硬化温度は、120℃以上、180℃以下であることが好ましい。
(Roughening treatment and swelling treatment)
The resin material is preferably used to obtain a cured product to be roughened or desmeared. The cured product also includes a pre-cured product that can be further cured. From the viewpoint of easily forming the sea-island structure, the cured product is preferably a pre-cured product that can be further cured. Further, in order to obtain the pre-cured product, the curing temperature when curing the resin material is preferably 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower.
上記樹脂材料を予備硬化させることにより得られた硬化体の表面に微細な凹凸を形成するために、硬化体は粗化処理されることが好ましい。粗化処理の前に、硬化体は膨潤処理されることが好ましい。硬化体は、予備硬化の後、かつ粗化処理される前に、膨潤処理されており、さらに粗化処理の後に硬化されていることが好ましい。ただし、硬化体は、必ずしも膨潤処理されなくてもよい。 In order to form fine irregularities on the surface of the cured product obtained by pre-curing the resin material, the cured product is preferably roughened. Prior to the roughening treatment, the cured product is preferably swelled. It is preferable that the cured product is swelled and further cured after the roughening treatment after the pre-curing and before the roughening treatment. However, the cured product does not necessarily have to be swelled.
上記膨潤処理の方法としては、例えば、エチレングリコールなどを主成分とする化合物の水溶液又は有機溶媒分散溶液などにより、硬化体を処理する方法等が用いられる。膨潤処理に用いる膨潤液は、一般にpH調整剤などとして、アルカリを含む。膨潤液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。具体的には、例えば、上記膨潤処理は、40重量%エチレングリコール水溶液等を用いて、処理温度30℃〜85℃で1分間〜30分間、硬化体を処理することにより行なわれる。上記膨潤処理の温度は50℃〜85℃の範囲内であることが好ましい。上記膨潤処理の温度が低すぎると、膨潤処理に長時間を要し、更に硬化体と金属層との接着強度が低くなる傾向がある。 As the method of the swelling treatment, for example, a method of treating the cured product with an aqueous solution of a compound containing ethylene glycol or the like as a main component, an organic solvent dispersion solution, or the like is used. The swelling liquid used for the swelling treatment generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The swelling liquid preferably contains sodium hydroxide. Specifically, for example, the swelling treatment is carried out by treating the cured product at a treatment temperature of 30 ° C. to 85 ° C. for 1 minute to 30 minutes using a 40 wt% ethylene glycol aqueous solution or the like. The temperature of the swelling treatment is preferably in the range of 50 ° C. to 85 ° C. If the temperature of the swelling treatment is too low, the swelling treatment takes a long time, and the adhesive strength between the cured product and the metal layer tends to be low.
上記粗化処理には、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。粗化処理に用いられる粗化液は、一般にpH調整剤などとしてアルカリを含む。粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。 For the roughening treatment, for example, a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound or a persulfate compound is used. These chemical oxidizing agents are used as an aqueous solution or an organic solvent dispersion solution after water or an organic solvent is added. The roughening liquid used for the roughening treatment generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The roughening liquid preferably contains sodium hydroxide.
上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。 Examples of the manganese compound include potassium permanganate and sodium permanganate. Examples of the chromium compound include potassium dichromate and anhydrous potassium chromate. Examples of the persulfate compound include sodium persulfate, potassium persulfate, ammonium persulfate and the like.
硬化体の表面の算術平均粗さRaは好ましくは10nm以上であり、好ましくは300nm未満、より好ましくは200nm未満、更に好ましくは150nm未満である。この場合には、絶縁層と金属層との接着強度が高くなり、更に絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、導体損失を抑えることができ、信号損失を低く抑えることができる。上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:1994に準拠して測定される。 The arithmetic mean roughness Ra of the surface of the cured product is preferably 10 nm or more, preferably less than 300 nm, more preferably less than 200 nm, and further preferably less than 150 nm. In this case, the adhesive strength between the insulating layer and the metal layer is increased, and the surface of the insulating layer forms finer wiring. Further, the conductor loss can be suppressed, and the signal loss can be suppressed low. The arithmetic mean roughness Ra is measured according to JIS B0601: 1994.
(デスミア処理)
上記樹脂材料を予備硬化させることにより得られた硬化体に、貫通孔が形成されることがある。上記多層基板などでは、貫通孔として、ビア又はスルーホール等が形成される。例えば、ビアは、CO2レーザー等のレーザーの照射により形成できる。ビアの直径は特に限定されないが、60μm〜80μm程度である。上記貫通孔の形成により、ビア内の底部には、硬化体に含まれている樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアが形成されることが多い。
(Desmia processing)
Through holes may be formed in the cured product obtained by pre-curing the resin material. Vias, through holes, and the like are formed as through holes in the multilayer substrate and the like. For example, vias can be formed by irradiation with a laser such as a CO 2 laser. The diameter of the via is not particularly limited, but is about 60 μm to 80 μm. Due to the formation of the through holes, smear, which is a residue of the resin derived from the resin component contained in the cured product, is often formed at the bottom of the via.
上記スミアを除去するために、硬化体の表面は、デスミア処理されることが好ましい。デスミア処理が粗化処理を兼ねることもある。 In order to remove the smear, the surface of the cured product is preferably desmear-treated. The desmear treatment may also serve as the roughening treatment.
上記デスミア処理には、上記粗化処理と同様に、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。デスミア処理に用いられるデスミア処理液は、一般にアルカリを含む。デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。 In the desmear treatment, for example, a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound or a persulfate compound is used in the same manner as in the roughening treatment. These chemical oxidizing agents are used as an aqueous solution or an organic solvent dispersion solution after water or an organic solvent is added. The desmear treatment liquid used for the desmear treatment generally contains an alkali. The desmear treatment liquid preferably contains sodium hydroxide.
上記樹脂材料の使用により、デスミア処理された絶縁層の表面の表面粗さが十分に小さくなる。 By using the above resin material, the surface roughness of the surface of the desmear-treated insulating layer is sufficiently reduced.
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。なお、表に記載の各成分の含有量は、溶剤を除き、固形分の重量部である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples. The content of each component shown in the table is the part by weight of the solid content excluding the solvent.
以下の材料を用意した。 The following materials were prepared.
(熱硬化性化合物)
エポキシ化合物:
ビフェニル型エポキシ化合物(日本化薬社製「NC−3000」)
ナフトールアラルキル型エポキシ化合物(新日鐵住金化学社製「TX−1507B」) レゾルシノールジグリシジルエステル(ナガセケムテックス社製「EX−201」)
ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物(アデカ社製「EP4088S」)
(Thermosetting compound)
Epoxy compound:
Biphenyl type epoxy compound ("NC-3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Naphthol aralkyl type epoxy compound ("TX-1507B" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation) Resorcinol diglycidyl ester ("EX-201" manufactured by Nagase ChemteX Corporation)
Dicyclopentadiene type epoxy compound ("EP4088S" manufactured by ADEKA CORPORATION)
マレイミド化合物:
N−アルキルビスマレイミド化合物1(Designer Molecules Inc.社製「BMI−3000」)
N−アルキルビスマレイミド化合物2(Designer Molecules Inc.社製「BMI−1500」)
Maleimide compound:
N-alkylbismaleimide compound 1 (“BMI-3000” manufactured by Designer Moleculars Inc.)
N-alkylbismaleimide compound 2 (“BMI-1500” manufactured by Designer Moleculars Inc.)
(無機充填材)
シリカフィラー(アドマテックス社製「C4」、粉体、平均粒径1.0μm、アミノシラン処理)
シリカ含有スラリー(シリカ75重量%:アドマテックス社製「SC4050−HOA」、平均粒径1.0μm、アミノシラン処理、シクロヘキサノン25重量%)
(Inorganic filler)
Silica filler ("C4" manufactured by Admatex, powder, average particle size 1.0 μm, aminosilane treatment)
Silica-containing slurry (silica 75% by weight: "SC4050-HOA" manufactured by Admatex, average particle size 1.0 μm, aminosilane treatment, cyclohexanone 25% by weight)
(硬化剤)
成分X:
フェノール化合物含有液(DIC社製「LA−1356」、固形分60重量%)
活性エステル化合物1含有液(DIC社製「EXB−8」、固形分100重量%)
活性エステル化合物2含有液(DIC社製「HPC8150−62T」、固形分62重量%)
(Hardener)
Ingredient X:
Phenol compound-containing liquid ("LA-1356" manufactured by DIC Corporation, solid content 60% by weight)
Liquid containing 1 active ester compound ("EXB-8" manufactured by DIC Corporation, solid content 100% by weight)
Active ester compound 2 containing liquid ("HPC8150-62T" manufactured by DIC Corporation, solid content 62% by weight)
(硬化促進剤)
ジメチルアミノピリジン(和光純薬工業社製「DMAP」)
2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製「2P4MZ」、アニオン性硬化促進剤)
(Curing accelerator)
Dimethylaminopyridine ("DMAP" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
2-Phenyl-4-methylimidazole ("2P4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, anionic curing accelerator)
(熱可塑性樹脂)
フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX6954BH30」)
ポリイミド化合物(ポリイミド樹脂):
テトラカルボン酸二無水物とダイマージアミンとの反応物であるポリイミド化合物含有溶液(不揮発分26.8重量%)を以下の合成例1に従って合成した。
(Thermoplastic resin)
Phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
Polyimide compound (polyimide resin):
A polyimide compound-containing solution (nonvolatile content 26.8% by weight), which is a reaction product of tetracarboxylic dianhydride and dimerdiamine, was synthesized according to the following Synthesis Example 1.
(合成例1)
撹拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応容器に、テトラカルボン酸二無水物(SABICジャパン合同会社製「BisDA−1000」)300.0gと、シクロヘキサノン665.5gとを入れ、反応容器中の溶液を60℃まで加熱した。次いで、反応容器中に、ダイマージアミン(クローダジャパン社製「PRIAMINE1075」)89.0gと、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン(三菱ガス化学社製)54.7gとを滴下した。次いで、反応容器中に、メチルシクロヘキサン121.0gと、エチレングリコールジメチルエーテル423.5gとを添加し、140℃で10時間かけてイミド化反応を行った。このようにして、ポリイミド化合物含有溶液(不揮発分26.8重量%)を得た。得られたポリイミド化合物の分子量(重量平均分子量)は20000であった。なお、酸成分/アミン成分のモル比は1.04であった。
(Synthesis Example 1)
300.0 g of tetracarboxylic acid dianhydride (“BizDA-1000” manufactured by SABIC Japan LLC) and 665.5 g of cyclohexanone were placed in a reaction vessel equipped with a stirrer, a water divider, a thermometer and a nitrogen gas introduction tube. And the solution in the reaction vessel was heated to 60 ° C. Next, 89.0 g of dimer diamine (“PRIAMINE 1075” manufactured by Croda Japan) and 54.7 g of 1,3-bisaminomethylcyclohexane (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) were added dropwise to the reaction vessel. Next, 121.0 g of methylcyclohexane and 423.5 g of ethylene glycol dimethyl ether were added to the reaction vessel, and an imidization reaction was carried out at 140 ° C. for 10 hours. In this way, a polyimide compound-containing solution (nonvolatile content 26.8% by weight) was obtained. The molecular weight (weight average molecular weight) of the obtained polyimide compound was 20000. The molar ratio of the acid component / amine component was 1.04.
合成例1で合成したポリイミド化合物の分子量は、以下のようにして求めた。 The molecular weight of the polyimide compound synthesized in Synthesis Example 1 was determined as follows.
GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)測定:
島津製作所社製高速液体クロマトグラフシステムを使用し、テトラヒドロフラン(THF)を展開媒として、カラム温度40℃、流速1.0ml/分で測定を行った。検出器として「SPD−10A」を用い、カラムはShodex社製「KF−804L」(排除限界分子量400,000)を2本直列につないで使用した。標準ポリスチレンとして、東ソー社製「TSKスタンダードポリスチレン」を用い、重量平均分子量Mw=354,000、189,000、98,900、37,200、17,100、9,830、5,870、2,500、1,050、500の物質を使用して較正曲線を作成し、分子量の計算を行った。
GPC (Gel Permeation Chromatography) Measurement:
A high performance liquid chromatograph system manufactured by Shimadzu Corporation was used, and measurement was carried out using tetrahydrofuran (THF) as a developing medium at a column temperature of 40 ° C. and a flow velocity of 1.0 ml / min. "SPD-10A" was used as a detector, and two columns of "KF-804L" (exclusion limit molecular weight: 400,000) manufactured by Shodex were connected in series. "TSK standard polystyrene" manufactured by Tosoh Corporation is used as the standard polystyrene, and the weight average molecular weight Mw = 354,000, 189,000, 98,900, 37,200, 17,100, 9,830, 5,870, 2, Calibration curves were made using 500, 1,050, and 500 materials and the molecular weight was calculated.
(溶剤)
メチルエチルケトン
アニソール
シクロヘキサノン
ナフサ(JXTGエネルギー社製「T−sol 150」)
(solvent)
Methyl ethyl ketone Anisole Cyclohexanone naphtha ("T-sol 150" manufactured by JXTG Energy Co., Ltd.)
(実施例1)
樹脂フィルムの作製:
下記の表1に示す成分のうち、N−アルキルビスマレイミド化合物1(Designer Molecules Inc.社製「BMI−3000」)を除く成分を下記の表1に示す配合量(溶剤を除き単位は固形分重量部、溶剤は溶剤の重量部)で配合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌した。次いで、この溶液に、N−アルキルビスマレイミド化合物1を添加して攪拌し、樹脂材料を得た。
(Example 1)
Preparation of resin film:
Of the components shown in Table 1 below, the components excluding the N-alkylbismaleimide compound 1 (“BMI-3000” manufactured by Designer Moleculars Inc.) are blended in the amounts shown in Table 1 below (units are solids excluding solvents). By weight, the solvent was mixed by weight of the solvent), and the mixture was stirred at room temperature until a uniform solution was obtained. Next, N-alkylbismaleimide compound 1 was added to this solution and stirred to obtain a resin material.
アプリケーターを用いて、離型処理されたPETフィルム(東レ社製「XG284」、厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂材料を塗工した後、ギヤオーブン内で75℃から100℃まで毎分5℃で昇温し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが40μmである樹脂フィルム(Bステージフィルム)が積層されている積層フィルム(PETフィルムと樹脂フィルムとの積層フィルム)を得た。 After applying the obtained resin material on the release-treated surface of the release-treated PET film (Toray Industries, Inc. "XG284", thickness 25 μm) using an applicator, the temperature is 75 ° C to 100 ° C in a gear oven. The temperature was raised to 5 ° C. per minute to volatilize the solvent. In this way, a laminated film (laminated film of PET film and resin film) in which a resin film (B stage film) having a thickness of 40 μm is laminated on the PET film was obtained.
(実施例2)
樹脂フィルムの作製:
下記の表1に示す成分のうち、レゾルシノールジグリシジルエステル(ナガセケムテックス社製「EX−201」)とシリカフィラーとを瓶にとり、あわとり練太郎で15分攪拌した後、25℃で24時間養生させた。次いで、シクロヘキサノンを瓶に添加し、攪拌したのち、残りの成分を入れて攪拌することで樹脂材料を得た。
(Example 2)
Preparation of resin film:
Of the components shown in Table 1 below, resorcinol diglycidyl ester (“EX-201” manufactured by Nagase ChemteX Corporation) and silica filler are placed in a bottle, stirred with Awatori Rentaro for 15 minutes, and then at 25 ° C. for 24 hours. It was cured. Next, cyclohexanone was added to the bottle and stirred, and then the remaining components were added and stirred to obtain a resin material.
アプリケーターを用いて、離型処理されたPETフィルム(東レ社製「XG284」、厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂材料を塗工した後、ギヤオーブン内で100℃で2分30秒間加熱し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが40μmである樹脂フィルム(Bステージフィルム)が積層されている積層フィルム(PETフィルムと樹脂フィルムとの積層フィルム)を得た。 After applying the obtained resin material on the release-treated surface of the release-treated PET film (Toray Industries, Inc. "XG284", thickness 25 μm) using an applicator, it is placed in a gear oven at 100 ° C. for 2 minutes. The solvent was volatilized by heating for 30 seconds. In this way, a laminated film (laminated film of PET film and resin film) in which a resin film (B stage film) having a thickness of 40 μm is laminated on the PET film was obtained.
(実施例3)
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量(単位は固形分重量部)で配合したこと以外は実施例2と同様にして積層フィルムを作製した。
(Example 3)
A laminated film was produced in the same manner as in Example 2 except that the components shown in Table 1 below were blended in the blending amount (unit: parts by weight of solid content) shown in Table 1 below.
(比較例1)
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量(単位は固形分重量部)で配合したこと以外は実施例2と同様にして積層フィルムを作製した。
(Comparative Example 1)
A laminated film was produced in the same manner as in Example 2 except that the components shown in Table 1 below were blended in the blending amount (unit: parts by weight of solid content) shown in Table 1 below.
実施例1〜3及び比較例1で得られた積層フィルムを用いて、以下のようにして、硬化体及び評価基板を作製した。 Using the laminated films obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, a cured product and an evaluation substrate were prepared as follows.
<硬化体の作製>
得られた積層フィルムを、130℃で30分間、次いで170℃で30分間加熱して予備硬化させた後、200℃で1時間加熱することにより、樹脂フィルムが硬化した硬化体を作製した。
<Preparation of cured product>
The obtained laminated film was pre-cured by heating at 130 ° C. for 30 minutes and then at 170 ° C. for 30 minutes, and then heated at 200 ° C. for 1 hour to prepare a cured resin film.
<評価基板の作製>
評価基板(銅張積層板と6層の絶縁−配線回路複合層とを備える評価基板)を下記に従い作製した。なお、評価基板において、各層に形成されたビアホールは連なっている。すなわち、評価基板は、多段スタックビアを有する評価基板である。
<Preparation of evaluation board>
An evaluation board (an evaluation board including a copper-clad laminate and a six-layer insulation-wiring circuit composite layer) was produced according to the following. In the evaluation substrate, the via holes formed in each layer are continuous. That is, the evaluation board is an evaluation board having a multi-stage stack via.
1層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a1)ラミネート工程:
両面銅張積層板(CCL基板)(各面の銅箔の厚み18μm、基板の厚み0.7mm、基板サイズ100mm×100mm、日立化成社製「MCL−E679FG」)を用意した。この両面銅張積層板の銅箔面の両面をメック社製「Cz8101」に浸漬して、銅箔の表面を粗化処理した。粗化処理された銅張積層板の両面に、名機製作所社製「バッチ式真空ラミネーターMVLP−500/600−IIA」を用いて、積層フィルムの樹脂フィルム(Bステージフィルム)側を銅張積層板上に重ねてラミネートした。ラミネートの条件は、30秒減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃及び圧力0.4MPaでプレスする条件とした。PETフィルムを剥がした後130℃で60分間加熱し、樹脂フィルムを半硬化(予備硬化)させた。このようにして、CCL基板に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(1)を得た。
Formation of first layer of insulation-wiring circuit composite layer:
(A1) Laminating process:
A double-sided copper-clad laminate (CCL substrate) (copper foil thickness of 18 μm on each surface, substrate thickness of 0.7 mm, substrate size of 100 mm × 100 mm, “MCL-E679FG” manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) was prepared. Both sides of the copper foil surface of this double-sided copper-clad laminate were immersed in "Cz8101" manufactured by MEC to roughen the surface of the copper foil. The resin film (B stage film) side of the laminated film is copper-clad laminated on both sides of the roughened copper-clad laminate using "Batch type vacuum laminator MVLP-500 / 600-IIA" manufactured by Meiki Co., Ltd. It was laminated on a board. The laminating conditions were such that the pressure was reduced for 30 seconds to reduce the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then the pressure was pressed at 100 ° C. and a pressure of 0.4 MPa for 30 seconds. After peeling off the PET film, the resin film was semi-cured (pre-cured) by heating at 130 ° C. for 60 minutes. In this way, a laminated body (1) in which a semi-cured product of a resin film was laminated on a CCL substrate was obtained.
(b1)ビアホール形成工程:
CO2レーザー加工機(ビアメカニクス社製「LC−4KF212」)を用いて、バーストモード、エネルギー0.4mJ、パルス27μsec、3ショットの条件で、直径約60μmのビアホールを形成した。
(B1) Via hole forming step:
Using a CO 2 laser machine (“LC-4KF212” manufactured by Via Mechanics, Ltd.), a via hole having a diameter of about 60 μm was formed under the conditions of burst mode, energy of 0.4 mJ, pulse of 27 μsec, and 3 shots.
(c1)デスミア処理及び粗化処理:
(c1−1)膨潤処理:
60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントP」)に、得られた積層体(1)を入れて、10分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。
(C1) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1-1) Swelling treatment:
The obtained laminate (1) was placed in a swelling solution at 60 ° C. (“Swelling Dip Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) and shaken for 10 minutes. Then, it was washed with pure water.
(c1−2)過マンガン酸塩処理(粗化処理及びデスミア処理):
80℃の過マンガン酸カリウム(アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトCP」)粗化水溶液に、膨潤処理後の積層体(1)を入れて、30分間揺動させた。次に、25℃の洗浄液(アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントP」)を用いて2分間処理した後、純水で洗浄を行い、粗化処理後の積層体(1)を得た。
(C1-2) Permanganate treatment (roughening treatment and desmear treatment):
The swelling-treated laminate (1) was placed in a crude aqueous solution of potassium permanganate (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan) at 80 ° C. and shaken for 30 minutes. Next, the mixture was treated with a cleaning solution at 25 ° C. (“Reduction Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 2 minutes and then washed with pure water to obtain a laminated body (1) after roughening treatment.
(c1−3)表面粗さの測定:
粗化処理後の積層体(1)(粗化処理された硬化物)の表面を、非接触3次元表面形状測定装置(Bruker社製「Contour GT−K」)を用いて、95.6μm×71.7μmの測定領域で算術平均粗さRaを測定した。なお、上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:1994に準拠して測定した。粗化処理された硬化物の表面の表面粗さが200nm以下であることを確認した。
(C1-3) Measurement of surface roughness:
The surface of the laminated body (1) (roughened cured product) after the roughening treatment was 95.6 μm × using a non-contact three-dimensional surface shape measuring device (“Contour GT-K” manufactured by Bruker). The arithmetic mean roughness Ra was measured in a measurement area of 71.7 μm. The arithmetic mean roughness Ra was measured in accordance with JIS B0601: 1994. It was confirmed that the surface roughness of the surface of the roughened cured product was 200 nm or less.
(d1)無電解めっき処理:
粗化処理後の積層体(1)の硬化物の表面を、60℃のアルカリクリーナ(アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント902」)で5分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化物を25℃のプリディップ液(アトテックジャパン社製「プリディップネオガントB」)で2分間処理した。その後、上記硬化物を40℃のアクチベーター液(アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント834」)で5分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、30℃の還元液(アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントWA」)により、硬化物を5分間処理した。
(D1) Electroless plating treatment:
The surface of the cured product of the laminated body (1) after the roughening treatment was treated with an alkaline cleaner at 60 ° C. (“Cleaner Securigant 902” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes, and degreased and washed. After washing, the cured product was treated with a predip solution (“Predip Neogant B” manufactured by Atotech Japan) at 25 ° C. for 2 minutes. Then, the cured product was treated with an activator solution at 40 ° C. (“Activator Neogant 834” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes, and a palladium catalyst was attached. Next, the cured product was treated with a reducing solution at 30 ° C. (“Reducer Neogant WA” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes.
次に、上記硬化物を化学銅液(アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、「カッパープリントガントMSK」、「スタビライザープリントガントMSK」、及び「リデューサーCu」)に入れ、無電解めっきをめっき厚さが0.5μm程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、120℃の温度で30分間アニール処理した。なお、無電解めっきの工程までの全ての工程は、ビーカースケールで処理液を2Lとし、硬化物を揺動させながら実施した。 Next, the cured product was placed in a chemical copper solution (Atotech Japan's "Basic Print Gantt MSK-DK", "Copper Print Gantt MSK", "Stabilizer Print Gantt MSK", and "Reducer Cu") and electroless plated. Was carried out until the plating thickness became about 0.5 μm. After electroless plating, annealing treatment was performed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes in order to remove residual hydrogen gas. All the steps up to the electroless plating step were carried out with a beaker scale containing 2 L of the treatment liquid and shaking the cured product.
(e1)レジスト形成:
ドライフィルムレジスト(日立化成社製「RY5125」)を、ホットロールラミネーターを用いて貼り付けた。ラミネート条件は、温度100℃、圧力0.4MPa及びラミネート速度1.5m/分とする条件とし、その後、15分ホールドした。次いで、85mJ/cm2で露光した後、1wt%の炭酸ナトリウム水溶液を27℃で、スプレー圧1.2MPa、30秒間スプレー処理して現像を行った。
(E1) Resist formation:
A dry film resist (“RY5125” manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) was attached using a hot roll laminator. The laminating conditions were a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.4 MPa, and a laminating speed of 1.5 m / min, and then held for 15 minutes. Then, after exposure at 85 mJ / cm 2 , a 1 wt% sodium carbonate aqueous solution was spray-treated at 27 ° C. at a spray pressure of 1.2 MPa for 30 seconds for development.
(f1)電解めっき処理:
次に、無電解めっき処理された硬化物に、電解めっきをめっき厚さが25μmとなるまで実施した。電解銅めっきとして硫酸銅溶液(和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」)を用いて、0.6A/cm2の電流を流しめっき厚さが25μm程度となるまで電解めっきを実施した。
(F1) Electroplating treatment:
Next, the cured product subjected to the electroless plating treatment was subjected to electrolytic plating until the plating thickness became 25 μm. Copper sulfate solution for electrolytic copper plating ("Copper sulfate pentahydrate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "Sulfate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "Basic leveler capallaside HL" manufactured by Atotech Japan, "Basic leveler capallaside HL" manufactured by Atotech Japan. Using the corrective agent Capalacid GS ”), electrolytic plating was carried out by passing a current of 0.6 A / cm 2 until the plating thickness became about 25 μm.
(g1)DFR剥離及びエッチング処理:
3wt%の水酸化ナトリウム水溶液を用いてスプレー処理することによりドライフィルムレジスト(DFR)を剥離した。次いで、過水硫酸系の酸性エッチング液(JCU社製「SACプロセス」)にてクイックエッチングを行った。
(G1) DFR peeling and etching treatment:
The dry film resist (DFR) was peeled off by spray treatment with a 3 wt% sodium hydroxide aqueous solution. Next, quick etching was performed with a hydrogen peroxide-based acidic etching solution (“SAC process” manufactured by JCU).
(h1)本硬化工程:
ピーク温度Tに対し、190℃で1.5時間加熱した。
(H1) Main curing step:
It was heated at 190 ° C. for 1.5 hours with respect to the peak temperature T.
このようにして、銅張積層板上に1層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。 In this way, the first insulating-wiring circuit composite layer was formed on the copper-clad laminate.
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a2)ラミネート工程:
(a1)ラミネート工程で実施した粗化処理条件と同様にして、1層目の配線回路層の粗化処理を行った。その後、(a1)ラミネート工程で実施したラミネート条件で、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、積層フィルムの樹脂フィルム(Bステージフィルム)側をラミネートした。その後、PETフィルムを剥がした後130℃で60分間加熱して樹脂フィルムを半硬化させた。このようにして、1層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(2)を得た。
Formation of second insulation-wiring circuit composite layer:
(A2) Laminating process:
(A1) The roughening treatment of the first wiring circuit layer was performed in the same manner as the roughening treatment conditions carried out in the laminating step. Then, the resin film (B stage film) side of the laminated film was laminated on the first layer of the insulating-wiring circuit composite layer under the laminating conditions carried out in the laminating step (a1). Then, after peeling off the PET film, the resin film was semi-cured by heating at 130 ° C. for 60 minutes. In this way, a laminate (2) in which a semi-cured resin film was laminated on the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer was obtained.
(b2)ビアホール形成工程:
(b1)ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体(1)を積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
(B2) Via hole forming step:
(B1) A via hole was formed in the same manner as in the step carried out in the via hole forming step, except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (2).
(c2)デスミア処理及び粗化処理:
(c1)デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体(1)を積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体(2)を得た。
(C2) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1) The steps carried out in the desmear treatment and the roughening treatment were carried out in the same manner except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (2), and the laminated body (2) after the roughening treatment was obtained.
(d2)無電解めっき処理:
(d1)無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体(1)を粗化処理後の積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
(D2) Electroless plating treatment:
(D1) The electroless plating treatment was performed in the same manner except that the step performed in the electroless plating treatment was changed from the laminated body (1) after the roughening treatment to the laminated body (2) after the roughening treatment. rice field.
(f2)電解めっき処理:
(d2)無電解めっき処理を行った後、(f1)電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
(F2) Electroplating treatment:
After the (d2) electroless plating treatment, the electroless plating treatment was performed in the same manner as in the (f1) electrolytic plating treatment.
(h2)本硬化工程:
(h1)本硬化工程と同様にして、190℃で1.5時間加熱した。
(H2) Main curing step:
(H1) In the same manner as in the main curing step, the mixture was heated at 190 ° C. for 1.5 hours.
このようにして、1層目の絶縁−配線回路複合層上に2層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。 In this way, the second layer of the insulation-wiring circuit composite layer was formed on the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer.
3層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、2層目の絶縁−配線回路複合層上に3層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of third insulation-wiring circuit composite layer:
A third layer of insulation-wiring circuit composite layer was formed on the second layer of insulation-wiring circuit composite layer in the same manner as in the process performed in the formation of the second layer of insulation-wiring circuit composite layer.
4層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、3層目の絶縁−配線回路複合層上に4層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of 4th insulation-wiring circuit composite layer:
A fourth layer of insulation-wiring circuit composite layer was formed on the third layer of insulation-wiring circuit composite layer in the same manner as in the process performed in the formation of the second layer of insulation-wiring circuit composite layer.
5層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a5)ラミネート工程:
(a2)ラミネート工程で実施した工程と同様にして、4層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(5)を得た。
Formation of 5th insulation-wiring circuit composite layer:
(A5) Laminating process:
(A2) In the same manner as in the step carried out in the laminating step, a laminated body (5) in which a semi-cured product of the resin film was laminated on the fourth layer of the insulating-wiring circuit composite layer was obtained.
(b5)ビアホール形成工程:
(b1)ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体(1)を積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
(B5) Via hole forming step:
(B1) A via hole was formed in the same manner as in the step carried out in the via hole forming step, except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (5).
(c5)デスミア処理及び粗化処理:
(c1)デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体(1)を積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体(5)を得た。
(C5) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1) The steps carried out in the desmear treatment and the roughening treatment were carried out in the same manner except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (5), and the laminated body (5) after the roughening treatment was obtained.
(d5)無電解めっき処理:
(d1)無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体(1)を粗化処理後の積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
(D5) Electroless plating treatment:
(D1) The electroless plating treatment was performed in the same manner except that the step performed in the electroless plating treatment was changed from the laminated body (1) after the roughening treatment to the laminated body (5) after the roughening treatment. rice field.
(e5)レジスト形成:
(e1)レジスト形成で実施した工程と同様にして、現像を行った。
(E5) Resist formation:
(E1) Development was carried out in the same manner as in the process carried out in resist formation.
(f5)電解めっき処理:
ドライフィルムレジストのパターンが形成された後、(f1)電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
(F5) Electroplating:
After the pattern of the dry film resist was formed, the electroless plating treatment was performed in the same manner as in the (f1) electrolytic plating treatment.
(g5)DFR剥離及びエッチング処理:
(g1)DFR剥離及びエッチング処理で実施した工程と同様にして、DFR剥離及びエッチング処理を行った。
(G5) DFR peeling and etching treatment:
(G1) The DFR peeling and etching treatments were carried out in the same manner as in the steps carried out in the DFR peeling and etching treatments.
(h5)本硬化工程:
(h1)本硬化工程と同様にして、190℃で1.5時間加熱した。
(H5) Main curing step:
(H1) In the same manner as in the main curing step, the mixture was heated at 190 ° C. for 1.5 hours.
このようにして、4層目の絶縁−配線回路複合層上に5層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。 In this way, the fifth layer of the insulation-wiring circuit composite layer was formed on the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer.
6層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、5層目の絶縁−配線回路複合層上に6層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of 6th insulation-wiring circuit composite layer:
A sixth layer of insulation-wiring circuit composite layer was formed on the fifth layer of insulation-wiring circuit composite layer in the same manner as in the process performed in the formation of the second layer of insulation-wiring circuit composite layer.
このようにして、銅張積層板上に1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成された評価基板を作製した。得られた評価基板では、1層目〜6層目の配線回路層のうち、1層目及び5層目の配線回路層のみがパターンを有している。 In this way, an evaluation substrate in which the first to sixth layers of the insulation-wiring circuit composite layer were formed on the copper-clad laminate was produced. In the obtained evaluation substrate, among the wiring circuit layers of the first to sixth layers, only the first and fifth wiring circuit layers have a pattern.
(評価)
(1)パルスNMRによる測定
得られた硬化体を、長さ2cmに裁断し、直径10mmのガラス製のサンプル管(BRUKER社製、品番1824511、長さ180mm、フラットボトム)に導入した。サンプル管をパルスNMR装置(BRUKER社製「the minispec mq20」)に設置し、30℃(10分保持)、70℃(10分保持)、100℃(10分保持)、150℃(10分保持)、170℃(10分保持)と段階的に昇温させた。
(evaluation)
(1) Measurement by Pulse NMR The obtained cured product was cut into a length of 2 cm and introduced into a glass sample tube (manufactured by Bruker, product number 1824511, length 180 mm, flat bottom) having a diameter of 10 mm. The sample tube was installed in a pulse NMR device (“the minispec mq20” manufactured by BRUKER), and 30 ° C. (10 minutes holding), 70 ° C. (10 minutes holding), 100 ° C. (10 minutes holding), 150 ° C. (10 minutes holding). ), 170 ° C. (held for 10 minutes) and the temperature was raised stepwise.
30℃及び170℃において、以下の条件でSolid Echo法での測定を行い、1Hのスピン−スピン緩和の自由誘導減衰曲線を得た。 In 30 ° C. and 170 ° C., was measured in Solid Echo under the following conditions, the spin of 1 H - to give the free induction decay curve of spin relaxation.
<Solid Echo法>
Scans:128times
Recycle Delay:1sec
Acquisition scale:1.0ms
<Solid Echo method>
Scans: 128times
Recycle Delay: 1sec
Acquisition scale: 1.0ms
得られた1Hのスピン−スピン緩和の自由誘導減衰曲線を、ハード成分、ミドル成分、ソフト成分の3成分に由来する3つの曲線に波形分離した。波形分離は、ガウシアン型とエクスポーネンシャル型との両方を用いて、フィッティングさせることで行った。それぞれの測定で得られた3成分に由来する曲線から、各成分の比率を求めた。 The obtained 1 H spin - the free induction decay curve of spin relaxation, and waveform separation into three curves derived from hard components, middle components, the three components of the soft component. Waveform separation was performed by fitting using both Gaussian type and exponential type. The ratio of each component was determined from the curves derived from the three components obtained in each measurement.
なお、BRUKER社製の解析ソフトウェア「TD−NMRA(Version 4.3 Rev 0.8)」を用い、製品マニュアルに従って、ハード成分はガウシアン型、ミドル成分及びソフト成分はエクスポーネンシャル型でフィッティングを行った。また、解析には緩和曲線の0.6msecまでのポイントを用いてフィッティングを行い、各成分の成分量、緩和時間を求めた。 Using the analysis software "TD-NMRA (Version 4.3 Rev 0.8)" manufactured by BRUKER, the hard component is Gaussian type and the middle component and soft component are exponential type according to the product manual. rice field. In the analysis, fitting was performed using points up to 0.6 msec of the relaxation curve, and the amount of each component and the relaxation time were obtained.
なお、下記式(X)を用いてフィッティングを行った。 The fitting was performed using the following formula (X).
Y=A1*exp(−1/w1*(t/T2A)^w1)+B1*exp(−1/w2*(t/T2B)^w2)+C1*exp(−1/w3*(t/T2C)^w3)・・・式(X) Y = A1 * exp (-1 / w1 * (t / T2A) ^ w1) + B1 * exp (-1 / w2 * (t / T2B) ^ w2) + C1 * exp (-1 / w3 * (t / T2C)) ^ W3) ・ ・ ・ Equation (X)
上記式(X)中、w1、w2、w3はワイブル係数であり、w1は2、w2及びw3は1である。上記式(X)中、A1はハード成分の含有量であり、B1はミドル成分の含有量であり、C1はソフト成分の含有量であり、T2Aはハード成分の緩和時間であり、T2Bはミドル成分の緩和時間であり、T2Cはソフト成分の緩和時間である。上記式(X)中、tは時間である。 In the above formula (X), w1, w2, and w3 are Weibull coefficients, w1 is 2, and w2 and w3 are 1. In the above formula (X), A1 is the content of the hard component, B1 is the content of the middle component, C1 is the content of the soft component, T2A is the relaxation time of the hard component, and T2B is the middle component. It is the relaxation time of the component, and T2C is the relaxation time of the soft component. In the above formula (X), t is time.
得られた硬化体を用いて上記のパルスNMR測定及び上記の解析を行うことにより、以下を求めた。 The following was determined by performing the above pulse NMR measurement and the above analysis using the obtained cured product.
30℃でのハード成分の含有量と30℃でのミドル成分の含有量と30℃でのソフト成分の含有量との合計100%中の30℃でのハード成分の含有量(%)
170℃でのハード成分の含有量と170℃でのミドル成分の含有量と170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中の170℃でのハード成分の含有量(%)
30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間(ミリ秒)
170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間(ミリ秒)
比(170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間/30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間)
The content of the hard component at 30 ° C (%) in the total of 100% of the content of the hard component at 30 ° C, the content of the middle component at 30 ° C, and the content of the soft component at 30 ° C.
The content of the hard component at 170 ° C (%) in the total of 100% of the content of the hard component at 170 ° C, the content of the middle component at 170 ° C, and the content of the soft component at 170 ° C.
Hard component spin-spin relaxation time at 30 ° C (milliseconds)
Spin-spin relaxation time of hard components at 170 ° C (milliseconds)
Ratio (hard component spin-spin relaxation time at 170 ° C / hard component spin-spin relaxation time at 30 ° C)
(2)ビアホール形成時の無機充填材の脱落
「評価基板の作製」でのビアホール形成工程において、ビアホール形成時の無機充填材の脱落を以下の基準で評価した。
(2) Dropping of Inorganic Filler During Via Hole Formation In the via hole forming step in "Preparation of Evaluation Substrate", the dropout of the inorganic filler during via hole formation was evaluated according to the following criteria.
[ビアホール形成時の無機充填材の脱落の判定基準]
○○:ビア底における無機充填材数が3個以下
○:ビア底における無機充填材数が4個以上10個以下
×:ビア底における無機充填材数が10個を超える
[Criteria for dropping inorganic filler during via hole formation]
○ ○: The number of inorganic fillers at the bottom of the via is 3 or less ○: The number of inorganic fillers at the bottom of the via is 4 or more and 10 or less ×: The number of inorganic fillers at the bottom of the via exceeds 10
(3)サイドローブ
得られた評価基板のビアホール周辺を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察し、ビアホール周辺のサイドローブ長を測定した。
(3) Side lobe The area around the via hole of the obtained evaluation substrate was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the length of the side lobe around the via hole was measured.
[サイドローブの判定基準]
○○:最大サイドローブ長が15μm未満
○:最大サイドローブ長が15μm以上30μm未満
×:最大サイドローブ長が30μm以上
[Criteria for side lobes]
○ ○: Maximum side lobe length is less than 15 μm ○: Maximum side lobe length is 15 μm or more and less than 30 μm ×: Maximum side lobe length is 30 μm or more
(4)絶縁層のひび又は割れ
得られた評価基板において、以下の2条件で液漕冷熱衝撃試験(冷熱サイクル試験)を行った。
(4) Cracks or cracks in the insulating layer The obtained evaluation substrate was subjected to a liquid tank thermal shock test (cold heat cycle test) under the following two conditions.
試験条件1:−55℃〜125℃、各5分、1000サイクル
試験条件2:−65℃〜150℃、各5分、1000サイクル
Test condition 1: -55 ° C to 125 ° C, 5 minutes each, 1000 cycles Test condition 2: -65 ° C to 150 ° C, 5 minutes each, 1000 cycles
液漕冷熱衝撃試験を行った評価基板において、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、ビアホール周辺の絶縁層を観察した。また、ビアホール周辺以外の領域の絶縁層及び配線回路層も観察した。 The insulating layer around the via hole was observed using a scanning electron microscope (SEM) on the evaluation substrate subjected to the liquid tank thermal shock test. In addition, the insulating layer and the wiring circuit layer in the region other than the area around the via hole were also observed.
[絶縁層のひび又はわれ(ビアホール周辺)の判定基準]
○:ビアホール周辺の絶縁層にひび又は割れの発生がない
×:ビアホール周辺の絶縁層にひび又は割れの発生がある
[Criteria for cracks or cracks in the insulating layer (around the via hole)]
◯: No cracks or cracks in the insulating layer around the via hole ×: Cracks or cracks in the insulating layer around the via hole
[絶縁層のひび又は割れ(ビアホール周辺以外)の判定基準]
○:ビアホール周辺以外の領域の絶縁層にひび又は割れの発生がない
×:ビアホール周辺以外の領域の絶縁層にひび又は割れの発生がある
[Criteria for determining cracks or cracks in the insulating layer (other than around the via hole)]
◯: No cracks or cracks occur in the insulating layer in the area other than the area around the via hole ×: Cracks or cracks occur in the insulating layer in the area other than the area around the via hole
また、実施例で得られた評価基板では、配線回路層のひび又は割れは観察されなかった。 In addition, no cracks or cracks in the wiring circuit layer were observed in the evaluation substrate obtained in the examples.
組成及び結果を下記の表1に示す。 The composition and results are shown in Table 1 below.
11…多層プリント配線板
12…回路基板
12a…上面
13〜16…絶縁層
17…金属層
11 ... Multi-layer printed
Claims (10)
絶縁材料として用いられる硬化体であり、
パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離し、かつ、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離したときに、
前記170℃でのハード成分の含有量と前記170℃でのミドル成分の含有量と前記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、前記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下であり、
前記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、前記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である、硬化体。 It is a cured product of resin material.
It is a cured product used as an insulating material.
Based on the free induction decay curve at 30 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are divided into hard components at 30 ° C. and middle components at 30 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. , The components contained in the cured product, based on the free induction decay curve at 170 ° C. obtained by separating into three components of the soft component at 30 ° C. and using pulse NMR, with respect to the spin-spin relaxation time. When separated into three components, in ascending order, a hard component at 170 ° C, a middle component at 170 ° C, and a soft component at 170 ° C,
The content of the hard component at 170 ° C. is 100% of the total of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C. 40% or more and 80% or less,
A cured product in which the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less.
前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含み、
前記硬化剤が、活性エステル化合物を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の硬化体。 The resin material contains a thermosetting compound and a curing agent.
The thermosetting compound contains an epoxy compound and contains
The cured product according to any one of claims 1 to 3, wherein the curing agent contains an active ester compound.
絶縁材料として用いられるBステージフィルムであり、
Bステージフィルムを、130℃で30分間、170℃で30分間、200℃で1時間、この順に加熱してBステージフィルムの硬化体を得て、パルスNMRを用いて得られる30℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、30℃でのハード成分、30℃でのミドル成分、30℃でのソフト成分の3成分に分離し、かつ、パルスNMRを用いて得られる170℃での自由誘導減衰曲線に基づいて、前記硬化体に含まれる成分を、スピン−スピン緩和時間の短い順に、170℃でのハード成分、170℃でのミドル成分、170℃でのソフト成分の3成分に分離したときに、
前記170℃でのハード成分の含有量と前記170℃でのミドル成分の含有量と前記170℃でのソフト成分の含有量との合計100%中、前記170℃でのハード成分の含有量が40%以上80%以下であり、
前記170℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間の、前記30℃でのハード成分のスピン−スピン緩和時間に対する比が1.5以下である、Bステージフィルム。 B stage film
B stage film used as an insulating material
The B stage film is heated at 130 ° C. for 30 minutes, 170 ° C. for 30 minutes, and 200 ° C. for 1 hour in this order to obtain a cured product of the B stage film, which is freely obtained at 30 ° C. by pulse NMR. Based on the induction decay curve, the components contained in the cured product are separated into three components in ascending order of spin-spin relaxation time: a hard component at 30 ° C., a middle component at 30 ° C., and a soft component at 30 ° C. In addition, based on the free induction decay curve at 170 ° C. obtained by pulse NMR, the components contained in the cured product are subjected to the hard components at 170 ° C. and 170 ° C. in ascending order of spin-spin relaxation time. When separated into three components, a middle component at 170 ° C and a soft component at 170 ° C,
The content of the hard component at 170 ° C. is 100% of the total of the content of the hard component at 170 ° C., the content of the middle component at 170 ° C., and the content of the soft component at 170 ° C. 40% or more and 80% or less,
A B-stage film in which the ratio of the spin-spin relaxation time of the hard component at 170 ° C. to the spin-spin relaxation time of the hard component at 30 ° C. is 1.5 or less.
前記回路基板の表面上に配置された複数の絶縁層と、
複数の前記絶縁層間に配置された金属層とを備え、
複数の前記絶縁層の内の少なくとも1層の前記絶縁層の材料が、請求項1〜5のいずれか1項に記載の硬化体である、多層プリント配線板。 Circuit board and
A plurality of insulating layers arranged on the surface of the circuit board,
With a plurality of metal layers arranged between the insulating layers,
A multilayer printed wiring board in which the material of at least one of the insulating layers is the cured product according to any one of claims 1 to 5.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020019924A JP7112438B2 (en) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | Cured body, B stage film and multilayer printed wiring board |
JP2022117049A JP2022163079A (en) | 2020-02-07 | 2022-07-22 | Cured body, b-stage film, and multilayer printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022117049A Division JP2022163079A (en) | 2020-02-07 | 2022-07-22 | Cured body, b-stage film, and multilayer printed wiring board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021123687A true JP2021123687A (en) | 2021-08-30 |
JP7112438B2 JP7112438B2 (en) | 2022-08-03 |
Family
ID=77458322
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020019924A Active JP7112438B2 (en) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | Cured body, B stage film and multilayer printed wiring board |
JP2022117049A Pending JP2022163079A (en) | 2020-02-07 | 2022-07-22 | Cured body, b-stage film, and multilayer printed wiring board |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022117049A Pending JP2022163079A (en) | 2020-02-07 | 2022-07-22 | Cured body, b-stage film, and multilayer printed wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7112438B2 (en) |
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Date | Code | Title | Description |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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