JP2021119132A - 化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
発光素子を有する発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置に関する。
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様
は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マ
ター)に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野
としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶
装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる
。
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の材料を含む層(EL層)を挟んだ構成である。この素子の電極
間に電圧を印加することにより、発光性の材料からの発光が得られる。
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
設けた発光素子(例えば、有機EL素子)の場合、一対の電極間に電圧を印加することに
より、陰極から電子が、陽極から正孔(ホール)がそれぞれ発光性のEL層に注入され、
電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合することによって発光性の有機
材料が励起状態となり、励起された発光性の有機材料から発光を得ることができる。
態(T*)があり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光
と呼ばれている。また、発光素子におけるそれらの統計的な生成比率は、S*:T*=1
:3である。そのため、蛍光を発する材料(蛍光材料)を用いた発光素子より、燐光を発
する材料(燐光材料)を用いた発光素子の方が、高い発光効率を得ることが可能となる。
したがって、三重項励起状態のエネルギーを発光に変換することが可能な燐光材料を用い
た発光素子の開発が近年盛んに行われている。
三重項励起エネルギー準位を有する安定な材料の開発が困難であるため、未だ実用化に至
っていない。そのため、青色の発光を呈する発光素子においては、より安定な蛍光材料を
用いた発光素子の開発が行われており、蛍光材料を用いた発光素子の発光効率を高める材
料や寿命を高める材料が探索されている。
、発光材料を励起するために必要なホスト材料や、キャリアを輸送するために必要なキャ
リア輸送材料の性能にも大きく影響を受ける。そのため、発光素子の発光効率や寿命を高
めるために、様々な分子構造を有する材料が提案されている(例えば、特許文献1及び特
許文献2)
を励起するために必要なホスト材料についても、高い励起エネルギーを有することが必要
となる。そのため、発光材料を効率よく励起可能で、安定性の高いホスト材料の開発が求
められている。
(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA
)が挙げられる。CzPAをホスト材料として用いることで、発光効率や駆動寿命に優れ
た特性を有する青色の蛍光発光素子を作製することができる。
を有する表示装置が求められている。そのため、さらに色純度が高く、効率が高い発光を
呈する発光素子が求められている。中でも、高い効率と長い寿命とを有し、深い青色を呈
する発光素子が求められている。なお、これまでに多くの発光素子用の材料が提案されて
いるが、発光効率が高く、寿命が長く、深い青色を呈する発光素子を実現する材料を開発
することは難航している。
、本発明の一態様では、発光効率が高い発光素子を実現可能な新規な化合物を提供するこ
とを課題の一とする。または、本発明の一態様では、消費電力が低減された発光素子を実
現可能な新規な化合物を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、
寿命の優れた発光素子を実現可能な新規な化合物を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様では、新規な発光素子を実現可能な新規な化合物を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な化合物を有する発光素子を提供する
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様では、発光効率が高い発光素子を提供す
ることを課題の一とする。または、本発明の一態様では、青色を呈する発光素子において
、発光効率が高い発光素子を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様で
は、寿命の優れた発光素子を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様で
は、新規な発光装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新
規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な電
子機器を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な照明装置
を提供することを課題の一とする。
ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載
から自ずと明らかであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能であ
る。
ゾール骨格と、アントラセン骨格とを有する新規なジベンゾカルバゾール化合物を合成し
、当該ジベンゾカルバゾール化合物を用いることで、優れた特性を有する発光素子を提供
できることを見出した。
a,i]カルバゾール骨格と、アリール基と、が結合しており、アリール基が、少なくと
もアントラセン骨格を含む炭素数14乃至30のアリール基であるジベンゾカルバゾール
化合物である。
ンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位に、アリール基が結合しており、アリール基が
、少なくともアントラセン骨格を有する炭素数14乃至30のアリール基であるジベンゾ
カルバゾール化合物である。
ンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位と、アントラセン骨格とが、フェニレン基を介
して結合しているジベンゾカルバゾール化合物である。
ンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位と、アントラセン骨格の9位とが、フェニレン
基を介して結合しているジベンゾカルバゾール化合物である。
ンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位と、炭素数20乃至30の置換または無置換の
アントリルフェニル基とが、結合しているジベンゾカルバゾール化合物である。
ンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位と、炭素数20乃至30の置換または無置換の
(9−アントリル)フェニル基とが、結合しているジベンゾカルバゾール化合物である。
である。
6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素
数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、少なくとも
アントラセン骨格を含む炭素数14乃至30の置換または無置換のアリール基を表す。
である。
6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素
数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは、炭素数6乃至
13の置換または無置換のアリーレン基を表し、Yは、置換または無置換のアントリル基
を表す。
い。
である。
至4のアルキル基を表し、R9は、水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6
の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置
換のアリール基のいずれかを表し、R11乃至R22は、それぞれ独立に、水素、炭素数
1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、また
は炭素数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは、炭素数
6乃至13の置換または無置換のアリーレン基を表す。
と好ましい。
。
である。
6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無
置換のアリール基のいずれかを表し、R11乃至R22は、それぞれ独立に、水素、炭素
数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ま
たは炭素数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは、置換
または無置換のフェニレン基を表す。
である。
6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無
置換のアリール基のいずれかを表し、Xは置換または無置換のフェニレン基を表す。
しい。
物である。
である。
6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素
数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、少なくとも
アントラセン骨格を含む炭素数14乃至30の置換または無置換のアリール基を表す。
である。
6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素
数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは、炭素数6乃至
13の置換または無置換のアリーレン基を表し、Yは、置換または無置換のアントリル基
を表す。
い。
である。
至4のアルキル基を表し、R9は、水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6
の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置
換のアリール基のいずれかを表し、R31乃至R42は、それぞれ独立に、水素、炭素数
1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、また
は炭素数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは、炭素数
6乃至13の置換または無置換のアリーレン基を表す。
と好ましい。
。
である。
6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無
置換のアリール基のいずれかを表し、R31乃至R42は、それぞれ独立に、水素、炭素
数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ま
たは炭素数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは、置換
または無置換のフェニレン基を表す。
物である。
至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは
無置換のアリール基のいずれかを表し、Xは置換または無置換のフェニレン基を表す。
しい。
物である。
素子である。
層と、が上記各構成のジベンゾカルバゾール化合物を有する発光素子である。
上記各構成のジベンゾカルバゾール化合物である発光素子である。
ト材料が呈する蛍光が、青色であると好ましい。また、ゲスト材料が、CIE1931色
度座標における色度yが0.01以上0.15以下の発光を呈すると好ましい。
きく0.03未満であると好ましい。
装置である。また、本発明の他の一態様は、上記各構成の発光素子と、駆動回路とを有す
る表示装置である。また、本発明の他の一態様は、上記各構成の発光素子と、センサ、操
作ボタン、スピーカ、及びマイクの少なくとも一とを有する電子機器である。また、本発
明の他の一態様は、上記各構成の発光素子と、筐体またはタッチセンサの少なくとも一と
を有する照明装置である。また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでな
く、発光装置を有する電子機器も範疇に含める。従って、本明細書中における発光装置と
は、画像表示デバイス、もしくは光源(照明装置含む)を指す。また、発光装置にコネク
ター、例えばFPC(Flexible Printed Circuit)、TCP(
Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先
にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On
Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも本発明の一態様
である。
様により、発光効率が高い発光素子を実現可能な新規な化合物を提供することができる。
または、本発明の一態様により、消費電力が低減された発光素子を実現可能な新規な化合
物を提供することができる。または、本発明の一態様により、寿命の優れた発光素子を実
現可能な新規な化合物を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な
発光素子を実現可能な新規な化合物を提供することができる。または、本発明の一態様に
より、新規な化合物を有する発光素子を提供することができる。または、本発明の一態様
により、発光効率が高い発光素子を提供することができる。または、本発明の一態様によ
り、青色を呈する発光素子において、発光効率が高い発光素子を提供することができる。
または、本発明の一態様により、寿命の優れた発光素子を提供することができる。または
、本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一
態様により、新規な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、
新規な電子機器を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な照明装
置を提供することができる。
必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかであり、明細書、図面、請求項などの記載
から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態および実
施例の記載内容に限定して解釈されない。
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第1の」を「第2の」又
は「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載され
ている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合が
ある。
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
項状態のことである。一重項励起状態のうち、最も低いエネルギーを有する励起状態を、
最低励起一重項状態という。また、一重項励起エネルギー準位は、一重項励起状態のエネ
ルギー準位のことである。一重項励起エネルギー準位のうち、最も低い励起エネルギー準
位を、最低励起一重項エネルギー(S1)準位という。なお、本明細書等において、単に
一重項励起状態および一重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、最低励起一
重項状態およびS1準位を表す場合がある。
項状態のことである。三重項励起状態のうち、最も低いエネルギーを有する励起状態を、
最低励起三重項状態という。また、三重項励起エネルギー準位は、三重項励起状態のエネ
ルギー準位のことである。三重項励起エネルギー準位のうち、最も低い励起エネルギー準
位を、最低励起三重項エネルギー(T1)準位という。なお、本明細書等において、単に
三重項励起状態および三重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、最低励起三
重項状態およびT1準位を表す場合がある。
に可視光領域に発光を与える材料である。一方、燐光材料とは、三重項励起状態から基底
状態へ緩和する際に、室温において可視光領域に発光を与える材料である。換言すると燐
光材料とは、三重項励起エネルギーを可視光へ変換可能な材料の一つである。
長領域であり、青色の発光とは、該領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有す
る発光である。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子に好適に用いることができる化合物につ
いて、以下説明する。
,i]カルバゾール骨格と、少なくともアントラセン骨格を有するアリール基が結合して
いるジベンゾカルバゾール化合物である。ジベンゾ[a,g]カルバゾール骨格、ジベン
ゾ[a,i]カルバゾール骨格、及びアントラセン骨格を有するアリール基はキャリア輸
送性に優れることから、当該ジベンゾカルバゾール化合物を発光素子に用いることで、駆
動電圧の小さい発光素子を作製することができる。また、当該ジベンゾカルバゾール化合
物は、バンドギャップが広いことから、当該ジベンゾカルバゾール化合物を発光素子に用
いることで、発光効率の良好な発光素子を作製することができる。また、特に発光効率の
良好な青色を呈する発光素子を作製することができる。また、当該ジベンゾカルバゾール
化合物は、酸化および還元の繰返しに良好な耐性を有することから、当該ジベンゾカルバ
ゾール化合物を発光素子に用いることで、寿命、特に駆動寿命の良好な発光素子を作製す
ることができる。以上のように、本発明の一態様の化合物を発光素子に用いることで、優
れた発光特性を有する高性能な発光素子を作製することができる。
は、比較的低分子量の低分子化合物となるため、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸
着できる)構成となる。また、一般には分子量が低いと成膜後の耐熱性が乏しくなること
が多いが、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、ジベンゾ[a,g]カルバゾール、ジベ
ンゾ[a,i]カルバゾール、及びアントラセン骨格の剛直な骨格の影響により、分子量
が低くても十分な耐熱性を確保できる利点がある。なお、アントラセン骨格と、ジベンゾ
[a,g]カルバゾール骨格またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格との間には、フ
ェニレン基やナフチレン基などのアリーレン基を介して結合することが好ましい。
格は、当該骨格が有する窒素において置換基と結合すると、バンドギャップが広くなるた
め、特に青色などのエネルギーの高い発光を呈する発光素子に好適に用いることができる
。したがって、ジベンゾ[a,g]カルバゾール骨格の7位またはジベンゾ[a,i]カ
ルバゾール骨格の11位において、アリーレン基を介してアントラセン骨格に結合したジ
ベンゾカルバゾール化合物は、青色の発光素子に好適に用いることができる。なお、当該
アリーレン基は、フェニレン基であると安定であり分子量を低くできるため好ましい。
格が、アリーレン基を介してアントラセン骨格の9位に結合することで、当該ジベンゾカ
ルバゾール化合物のキャリア輸送性は優れた輸送性となる。したがって、当該ジベンゾカ
ルバゾール化合物を用いた発光素子は、低い電圧で駆動することができる。なお、当該ア
リーレン基は、フェニレン基であると安定であり分子量を低くできるため好ましい。
[a,i]カルバゾール骨格の11位において、アリーレン基を介してアントラセン骨格
の9位に結合したジベンゾカルバゾール化合物は、バンドギャップが広く、キャリア輸送
性に優れるため、当該ジベンゾカルバゾール化合物を発光素子に用いることで、駆動電圧
が小さく、発光効率の良好な青色の発光素子を作製することができる。なお、当該アリー
レン基は、フェニレン基であると安定であり分子量を低くできるため好ましい。
ール骨格またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格に、アリールアントラセン誘導体が
結合したジベンゾカルバゾール化合物ということもできる。当該ジベンゾカルバゾール化
合物は合成する際、純度良く合成することが容易であることから、不純物による素子劣化
を抑制することが可能である。なお、素子特性の安定性及び駆動寿命の観点から、ジベン
ゾ[a,g]カルバゾール骨格またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格に結合するア
リールアントラセン誘導体の炭素数は20乃至30であることが好ましい。この場合、当
該ジベンゾカルバゾール化合物は、上述したように比較的低温で真空蒸着できるため、蒸
着時の熱分解等の劣化が起こりにくい。また、当該化合物は、駆動寿命だけでなく駆動電
圧にも優れる。これは、当該ジベンゾカルバゾール化合物が、ジベンゾ[a,g]カルバ
ゾール骨格の7位またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位に、アリーレン基
を介してアントラセン骨格が結合した分子構造を有するため、電気化学的な安定性や高い
キャリア輸送性が得られていることにも起因する。なお、当該アリールアントラセン誘導
体は、アントリルフェニル基であると安定であり分子量を低くできるため好ましい。
[a,g]カルバゾール骨格の7位またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位
とが、結合したジベンゾカルバゾール化合物がより好ましい。これは、ジベンゾ[a,g
]カルバゾール骨格の7位またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位に、(9
−アントリル)アリール基が結合したジベンゾカルバゾール化合物がより好ましいという
ことができる。なお、化合物の安定性及び発光素子の安定性の観点から、ジベンゾ[a,
g]カルバゾール骨格の7位またはジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格の11位に結合
する(9−アントリル)アリール基の炭素数は20乃至30であることが好ましい。すな
わち、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、上述した蒸着の容易性、電気化学的安定性、
キャリア輸送性に加え、(9−アントリル)アリール基の骨格の影響によりバンドギャッ
プが広いという特性をも有する。したがって、発光素子における発光層のホスト材料とし
て当該ジベンゾカルバゾール化合物を用い、ゲスト材料として発光材料を発光層に添加す
る構成において有利に働く。その中でも特に、青色発光素子のホスト材料として用いるこ
とが好適である。なお、当該(9−アントリル)アリール基のアリール基がフェニル基で
あると安定であり分子量を低くできるため好ましい。すなわち、当該(9−アントリル)
アリール基としては、(9−アントリル)フェニル基であると好ましい。
ここで、本発明の一態様に係るジベンゾ[a,g]カルバゾール骨格またはジベンゾ[
a,i]カルバゾール骨格を有する化合物について、量子化学計算を用いて、最も安定な
分子構造を導出した。比較として、ジベンゾ[c,g]カルバゾール骨格を有する化合物
についても量子化学計算を行った。計算を行った化合物は、7−フェニル−7H−ジベン
ゾ[a,g]カルバゾール(略称:agDBCz)、11−フェニル−11H−ジベンゾ
[a,i]カルバゾール(略称:aiDBCz)、7−フェニル−7H−ジベンゾ[c,
g]カルバゾール(略称:cgDBCz)である。当該化合物の分子構造を下記に示す。
算した。量子化学計算プログラムとしては、Gaussian09を使用した。計算は、
ハイパフォーマンスコンピュータ(SGI社製、ICE X)を用いて行った。基底関数
としては、6−311G(d,p)を用い、汎関数はB3LYPを用いた。なお、DFT
の全エネルギーは、ポテンシャルエネルギー、電子間静電エネルギー、電子の運動エネル
ギーと複雑な電子間の相互作用を全て含む交換相関エネルギーの和で表される。DFTで
は、電子密度で表現された一電子ポテンシャルの汎関数(関数の関数の意)で交換相関相
互作用を近似しているため、計算は高精度である。
にaiDBCzの結果を、図1(E)(F)にcgDBCzの結果を、それぞれ示す。な
お、図1(A)〜(F)においては、各化合物が有するピロール環がxy平面上に配置さ
れるよう描写しており、図1(A)(C)(E)に、xy平面からみた各化合物の最安定
構造を示し、図1(B)(D)(F)に、yz平面からみた各化合物の最安定構造を示す
。
g]カルバゾール骨格およびジベンゾ[a,i]カルバゾール骨格が、xy平面上に配設
されている。一方、図1(F)に示すように、cgDBCzは、ジベンゾ[c,g]カル
バゾール骨格における1位の水素と12位の水素とが立体障害を有するため、ジベンゾ[
c,g]カルバゾール骨格がxy平面上からz軸方向に歪む結果となっている。
ル骨格は、ジベンゾ[c,g]カルバゾール骨格より分子構造の歪みが小さく、安定な骨
格であると言える。したがって、ジベンゾ[a,g]カルバゾール骨格またはジベンゾ[
a,i]カルバゾール骨格を用いることで、安定なジベンゾカルバゾール化合物を作製す
ることができる。また、該ジベンゾカルバゾール化合物を用いることで、駆動寿命に優れ
た発光素子を実現することができる。
化合物のT1準位を算出するため、各化合物の一重項基底状態及び三重項励起状態におけ
る最安定構造を、密度汎関数法(DFT)を用いて計算した。基底関数としては、6−3
11G(d,p)を用い、汎関数はB3LYPを用いた。さらに、振動準位を計算し、一
重項基底状態と三重項励起状態における最低振動準位間の電子遷移(0−0遷移)に係わ
るエネルギーを計算することで、T1準位を算出した。
準位はそれぞれ、2.44eV、2.60eV、及び2.28eVと算出された。すなわ
ち、agDBCz及びaiDBCzは、cgDBCzより高い三重項励起エネルギーを有
している。したがって、ジベンゾ[a,g]カルバゾール骨格およびジベンゾ[a,i]
カルバゾール骨格は、アントラセン骨格より高い三重項励起エネルギーを有するベンゾ[
a]アントラセン骨格等と組み合わせることが好適である。
上記で示した本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、下記一般式(G1)で
表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
乃至30の置換または無置換のアリール基を表す。当該アリール基が置換基を有する場合
、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12の置換もしくは無置換のアリール基も
置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert
−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロ
アルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリール基
としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げることができ
る。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物において、ジベンゾ[a,g]カ
ルバゾール骨格の7位において、少なくともアントラセン骨格を含むアリール基と結合し
た構成を有するジベンゾカルバゾール化合物は、バンドギャップが広くなるため、特に青
色などエネルギーの高い発光を呈する発光素子に好適に用いることができるため、好まし
い構成である。また、当該ジベンゾカルバゾール化合物はキャリア輸送性に優れるため、
これを用いた発光素子は低い電圧で駆動できるため、好ましい構成である。上記ジベンゾ
カルバゾール化合物は、下記一般式(G2)で表されるジベンゾカルバゾール化合物であ
る。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。また、当該
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の
置換もしくは無置換のアリール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6
のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができ
る。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基
、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。ま
た、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などを具体例とし
て挙げることができる。
する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換も
しくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
ある場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物となるた
め、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物において、ジベンゾ[a,g]カ
ルバゾール骨格が7位においてアリーレン基を介してアントラセン骨格の9位と結合した
構成を有するジベンゾカルバゾール化合物は、キャリア輸送性に優れるため、これを用い
た発光素子は低い電圧で駆動できるため、好ましい構成である。上記ジベンゾカルバゾー
ル化合物は、下記一般式(G3)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。なお、前記
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10のアリール基も置換基と
して選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル
基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、
フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
表す。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙げることが
できる。
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリール基の
いずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘ
キシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、として
は具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は
置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基を選択す
ることができる。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙
げることができる。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
至16である場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物
となるため、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
また、上記一般式(G3)において、R1乃至R8が、すべて水素である場合、合成の
容易さや原料の価格の面でも有利であり、さらに、比較的低分子量の化合物となるため、
真空蒸着に適した構成となり、特に好ましい。当該ジベンゾカルバゾール化合物は、下記
一般式(G4)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。なお、前記
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10のアリール基も置換基と
して選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル
基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、
フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリール基の
いずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘ
キシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、として
は具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は
置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基を選択す
ることができる。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙
げることができる。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
ある場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物となるた
め、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
また、上記一般式(G4)において、R11乃至R22が、すべて水素である場合、合
成の容易さや原料の価格の面でも有利であり、さらに、比較的低分子量の化合物となるた
め、真空蒸着に適した構成となり、特に好ましい。当該ジベンゾカルバゾール化合物は、
下記一般式(G5)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。なお、前記
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10のアリール基も置換基と
して選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル
基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、
フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリール基の
いずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘ
キシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、として
は具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は
置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基を選択す
ることができる。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙
げることができる。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
ある場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物となるた
め、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
子量が低くなるため好ましい。また、合成の容易さや原料の価格の面でも有利である。
また、上記で示した本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、下記一般式(G
6)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
乃至30の置換または無置換のアリール基を表す。当該アリール基が置換基を有する場合
、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12の置換もしくは無置換のアリール基も
置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert
−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロ
アルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリール基
としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げることができ
る。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物において、ジベンゾ[a,i]カ
ルバゾール骨格の11位において、少なくともアントラセン骨格を含むアリール基と結合
した構成を有するジベンゾカルバゾール化合物は、バンドギャップが広くなるため、特に
青色などエネルギーの高い発光を呈する発光素子に好適に用いることができるため、好ま
しい構成である。また、当該ジベンゾカルバゾール化合物はキャリア輸送性に優れるため
、これを用いた発光素子は低い電圧で駆動できるため、好ましい構成である。上記ジベン
ゾカルバゾール化合物は、下記一般式(G7)で表されるジベンゾカルバゾール化合物で
ある。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。また、当該
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の
置換もしくは無置換のアリール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6
のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができ
る。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基
、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。ま
た、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などを具体例とし
て挙げることができる。
する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換も
しくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
ある場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物となるた
め、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物において、ジベンゾ[a,i]カ
ルバゾール骨格が11位においてアリーレン基を介してアントラセン骨格の9位と結合し
た構成を有するジベンゾカルバゾール化合物は、キャリア輸送性に優れるため、これを用
いた発光素子は低い電圧で駆動できるため、好ましい構成である。上記ジベンゾカルバゾ
ール化合物は、下記一般式(G8)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。なお、前記
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10のアリール基も置換基と
して選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル
基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、
フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
表す。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙げることが
できる。
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリール基の
いずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘ
キシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、として
は具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は
置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基を選択す
ることができる。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙
げることができる。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
至16である場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物
となるため、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
また、上記一般式(G8)において、R1乃至R8が、すべて水素である場合、合成の
容易さや原料の価格の面でも有利であり、さらに、比較的低分子量の化合物となるため、
真空蒸着に適した構成となり、特に好ましい。当該ジベンゾカルバゾール化合物は、下記
一般式(G9)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
ン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。なお、前記
アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基
、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10のアリール基も置換基と
して選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル
基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、
フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリール基の
いずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘ
キシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、として
は具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は
置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基を選択す
ることができる。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙
げることができる。
素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至13の置換
もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基
、tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至
6のシクロアルキル基、としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至13の
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを具
体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は置換基を有していてもよ
く、前記置換基は互いに結合して環を形成してもよい。当該置換基としては、炭素数1乃
至6のアルキル基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至12のアリ
ール基も置換基として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6
のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至12のアリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などを具体例として挙げること
ができる。
該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
ある場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物となるた
め、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
また、上記一般式(G9)において、R31乃至R42が、すべて水素である場合、合
成の容易さや原料の価格の面でも有利であり、さらに、比較的低分子量の化合物となるた
め、真空蒸着に適した構成となり、特に好ましい。当該ジベンゾカルバゾール化合物は、
下記一般式(G10)で表されるジベンゾカルバゾール化合物である。
レン基を表す。炭素数6乃至13のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基
、ビフェニレン基、フルオレニレン基などを具体例として挙げることができる。なお、前
記アリーレン基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル
基、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10のアリール基も置換基
として選択することができる。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチ
ル基、n−ヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキ
ル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては
、フェニル基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。
置換のシクロアルキル基、または炭素数6乃至10の置換もしくは無置換のアリール基の
いずれかを表す。炭素数1乃至6のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ヘ
キシル基などを挙げることができる。また、炭素数3乃至6のシクロアルキル基、として
は具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などを挙げることができる。また、炭素数6乃至10のアリール基としては、フェニル
基、ナフチル基などを具体例として挙げることができる。さらに、上述したアリール基は
置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至4のアルキル基を選択す
ることができる。炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基
、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などを挙
げることができる。
当該ジベンゾカルバゾール化合物は、安定であり分子量が低くなるため好ましい。
である場合、当該ジベンゾカルバゾール化合物は、比較的低分子量の低分子化合物となる
ため、真空蒸着に適した(比較的低温で真空蒸着できる)構成となり好ましい。
分子量が低くなるため好ましい。また、合成の容易さや原料の価格の面でも有利である。
一般式(G1)及び一般式(G6)において、Arとして表される少なくともアントラ
セン骨格を含む炭素数14乃至30のアリール基としては、例えば、下記構造式(Ant
−1)乃至(Ant−53)で表される基を適用することができる。なお、Arとしては
、置換基を有していても良く、Arとして用いることのできる基はこれらに限られない。
、例えば、上記構造式(Ant−1)乃至(Ant−16)及び(Ant−42)乃至(
Ant−45)で表される基を適用することができる。なお、Yとしては置換基を有して
いても良く、Yとして用いることのできる基はこれらに限られない。
Xで表されるアリーレン基は、例えば、下記構造式(Ar−1)乃至(Ar−15)で表
される基を適用することができる。なお、Xとしては置換基を有していても良く、Xとし
て用いることのできる基はこれらに限られない。
9)のR31乃至R42、で表される水素、アルキル基またはアリール基は、例えば、下
記構造式(R−1)乃至(R−29)で表される基を適用することができる。なお、アル
キル基またはアリール基は置換基を有していても良く、アルキル基またはアリール基とし
て用いることのできる基はこれらに限られない。
されるアルキル基またはアリール基は、例えば、上記構造式(R−1)乃至(R−19)
で表される基を適用することができる。なお、アルキル基またはアリール基は置換基を有
していても良く、アルキル基またはアリール基として用いることのできる基はこれらに限
られない。
ルキル基は、例えば、上記構造式(R−1)乃至(R−9)で表される基を適用すること
ができる。なお、アルキル基として用いることのできる基はこれらに限られない。
上記一般式(G1)乃至(G10)として表されるジベンゾカルバゾール化合物の具体
的な構造としては、下記構造式(100)乃至(171)で表される化合物などが挙げら
れる。なお、一般式(G1)乃至(G10)として表されるジベンゾカルバゾール化合物
は下記例示に限られない。
いことから、特に青色の発光素子のホスト材料やキャリア輸送材料として好適である。こ
れにより、発光効率の良好な青色発光素子を作製することができる。また、本発明の一態
様のジベンゾカルバゾール化合物は、キャリア輸送性に優れることから、発光素子のホス
ト材料やキャリア輸送材料として好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を
作製することができる。また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、酸化お
よび還元の繰返しに良好な耐性を有することから、該ジベンゾカルバゾール化合物を発光
素子に用いることで、寿命の良好な発光素子を作製することができる。以上のように、本
発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、発光素子に用いるのに好適な材料である
。
、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法を用いて成膜することができる。
用いることができる。
本実施の形態では、一般式(G1)及び(G6)で表されるジベンゾカルバゾール化合
物の合成方法について説明する。ジベンゾカルバゾール化合物の合成方法としては種々の
反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式
(G1)及び(G6)で表されるジベンゾカルバゾール化合物を合成することができる。
なお、本発明の一態様であるジベンゾカルバゾール化合物の合成方法は、以下の合成方法
に限定されない。
一般式(G1)で表されるジベンゾ[a,g]カルバゾール化合物は、下記合成スキー
ム(A−1)のように合成することができる。すなわち、アントラセン誘導体のハロゲン
化物(a1)と、ジベンゾ[a,g]カルバゾール誘導体(a2)とを、塩基存在下で金
属触媒、金属、または金属化合物によりカップリングさせることにより、一般式(G1)
のジベンゾ[a,g]カルバゾール化合物を得ることができる。
数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ま
たは炭素数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、少
なくともアントラセン骨格を含む炭素数14乃至30の置換または無置換のアリール基を
表す。
合、Zはハロゲン又はトリフラート基を表す。ハロゲンとしては、ヨウ素、臭素、または
塩素が好ましい。当該反応では、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)、酢
酸パラジウム(II)等のパラジウム錯体または化合物と、それに配位するトリ(ter
t−ブチル)ホスフィンや、トリ(n−ヘキシル)ホスフィンや、トリシクロヘキシルホ
スフィン等の配位子を用いるパラジウム触媒を利用する。塩基としては、ナトリウム t
ert−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また、
溶媒を使用する場合、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等を用いるこ
とができる。
す。ハロゲンとしては、ヨウ素、臭素、または塩素が好ましい。触媒としては、銅または
銅化合物を用いる。銅化合物を触媒として用いる場合、合成スキーム(A−1)中におけ
る、R23、R24は、それぞれ、ハロゲンやアセチル基等を表し、ハロゲンとしては塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられる。なお、R23がヨウ素であるヨウ化銅(I)、またはR
24がアセチル基である酢酸銅(II)を用いることが好ましい。用いる塩基としては、
炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。また、溶媒は、1,3−ジメチル−3,4,5
,6−テトラヒドロ−2(1H)ピリミジノン(DMPU)、トルエン、キシレン、ベン
ゼン等を用いる。ただし、上記溶媒はこれらに限定されない。ウルマン反応では、反応温
度が100℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、沸点の高いDM
PU、キシレンを用いることが好ましい。また、反応温度は150℃以上のより高い温度
が更に好ましいため、より好ましくはDMPUを用いることとする。
一般式(G6)で表されるジベンゾ[a,i]カルバゾール化合物は、下記合成スキー
ム(B−1)のように合成することができる。すなわち、アントラセン誘導体のハロゲン
化物(a1)と、ジベンゾ[a,i]カルバゾール誘導体(a3)とを、塩基存在下で金
属触媒、金属、または金属化合物によりカップリングさせることにより、一般式(G6)
のジベンゾ[a,i]カルバゾール化合物を得ることができる。
数1乃至6のアルキル基、炭素数3乃至6の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ま
たは炭素数6乃至13の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Arは、少
なくともアントラセン骨格を含む炭素数14乃至30の置換または無置換のアリール基を
表す。
はハロゲンまたはトリフラート基を表す。ハロゲンとしては、ヨウ素、臭素、または塩素
が好ましい。当該反応では、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)、酢酸パ
ラジウム(II)等のパラジウム錯体または化合物と、それに配位するトリ(tert−
ブチル)ホスフィンや、トリ(n−ヘキシル)ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフ
ィン等の配位子を用いるパラジウム触媒を利用する。塩基としては、ナトリウム ter
t−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また、溶媒
を使用する場合、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等を用いることが
できる。
す。ハロゲンとしては、ヨウ素、臭素または塩素が好ましい。触媒としては、銅または銅
化合物を用いる。銅化合物を触媒として用いる場合、合成スキーム(B−1)中における
、R23、R24は、それぞれ、ハロゲンやアセチル基等を表し、ハロゲンとしては塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられる。なお、R23がヨウ素であるヨウ化銅(I)、またはR2
4がアセチル基である酢酸銅(II)を用いることが好ましい。用いる塩基としては、炭
酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。また、溶媒は、1,3−ジメチル−3,4,5,
6−テトラヒドロ−2(1H)ピリミジノン(DMPU)、トルエン、キシレン、ベンゼ
ン等を用いる。但し、上記溶媒はこれらに限定されない。ウルマン反応では、反応温度が
100℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、沸点の高いDMPU
、キシレンを用いることが好ましい。また、反応温度は150℃以上のより高い温度が更
に好ましいため、より好ましくはDMPUを用いることとする。
ことができる。
用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したジベンゾカルバゾール化合物を用いた発光
素子の構成例について、図2(A)(B)及び(C)を用いて以下説明する。
図2(A)は、本発明の一態様の発光素子150の断面模式図である。
に設けられたEL層100を有する。EL層100のいずれかの層に、実施の形態1で説
明したジベンゾカルバゾール化合物が用いられている発光素子である。
孔輸送層112、電子輸送層113、及び電子注入層114等の機能層を有する。
02を陰極として説明するが、発光素子150の構成としては、その限りではない。つま
り、電極101を陰極とし、電極102を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順
番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層111と、正孔輸送層112と、発
光層120と、電子輸送層113と、電子注入層114と、が積層する順番としてもよい
。
、正孔輸送層112、電子輸送層113、及び電子注入層114の中から選ばれた少なく
とも一つを有する構成とすればよい。または、EL層100は、正孔または電子の注入障
壁を低減する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する
、または電極による消光現象を抑制する、ことができる等の機能を有する機能層を有する
構成としてもよい。なお、発光層120、または機能層は、それぞれ単層であっても、複
数の層が積層された構成であってもよい。
B)に示す発光層120は、少なくともホスト材料121と、ゲスト材料122と、を有
する。
ことから、正孔輸送層112または電子輸送層113に好適である。また、該ジベンゾカ
ルバゾール化合物は、キャリア輸送性に優れ、バンドギャップが広いことから、ホスト材
料121として好適である。すなわち、実施の形態1で説明したジベンゾカルバゾール化
合物を発光素子150のホスト材料121、正孔輸送層112、及び電子輸送層113の
少なくとも一に用いることで、駆動電圧の小さい発光素子を作製することができる。また
、該ジベンゾカルバゾール化合物を発光素子150のホスト材料121として用いること
で、発光効率の良好な発光素子を作製することができる。なお、該ジベンゾカルバゾール
化合物は、バンドギャップが広いことから、青色の発光素子のホスト材料やキャリア輸送
材料に好適である。したがって、本実施の形態に例示する構成を用いることにより、発光
効率が良好で、青色の発光を呈する発光素子を作製することができる。また、該ジベンゾ
カルバゾール化合物は、酸化および還元の繰返しに良好な耐性を有することから、駆動寿
命の良好な発光素子を作製することができる。
ことから、特に深い青色を呈する発光素子に好適である。本明細書等において、深い青色
とは、CIE1931色度座標における色度yが0.01以上0.15以下の色である。
次に、図2(A)(B)に示す発光素子として、特に好ましい構成について、図2(C
)を用いて、以下説明する。
明したジベンゾカルバゾール化合物を有する発光素子である。
let−triplet annihilation)によって一重項励起エネルギーに
変換する機能を有すると好ましい。そうすることで、発光層120で生成した三重項励起
エネルギーの一部を、ホスト材料121におけるTTAによって一重項励起エネルギーに
変換し、ゲスト材料122に移動することで、蛍光発光として取り出すことが可能となる
。そのためには、ホスト材料121の一重項励起エネルギーの最も低い準位(S1準位)
は、ゲスト材料122のS1準位より高いことが好ましい。また、ホスト材料121の三
重項励起エネルギーの最も低い準位(T1準位)は、ゲスト材料122のT1準位より低
いことが好ましい。
成されていても良い。また、ゲスト材料122としては、発光性の有機材料を用いればよ
く、該発光性の有機材料としては、蛍光を発することができる材料(以下、蛍光材料とも
いう)であると好適である。以下の説明においては、ゲスト材料122として、蛍光材料
を用いる構成について説明する。なお、ゲスト材料122を蛍光材料として読み替えても
よい。
まず、発光素子150の発光機構について、以下説明を行う。
)間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔(ホール)が、それぞ
れEL層100に注入され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合す
ることによって、励起子が形成される。キャリアの再結合によって生じる励起子のうち、
一重項励起子と三重項励起子の比(以下、励起子生成確率)は、統計的確率により、1:
3となる。したがって、一重項励起子の生成確率は25%である。
ーを有するため、励起子が形成された材料は、励起状態となる。
材料122からの発光が得られる。
(α)直接生成過程
(β)TTA過程
まず、EL層100が有する発光層120においてキャリア(電子または正孔)が再結
合し、一重項励起子が形成される場合を説明する。
料121の励起状態(一重項励起状態または三重項励起状態)が形成される。このとき、
ホスト材料121の励起状態が一重項励起状態であるとき、ホスト材料121のS1準位
から、ゲスト材料122のS1準位へ、一重項励起エネルギーがエネルギー移動し、ゲス
ト材料122の一重項励起状態が形成される。なお、ホスト材料121の励起状態が三重
項励起状態であるときは、後述の(β)TTA過程にて説明する。
ゲスト材料122の励起状態(一重項励起状態または三重項励起状態)が形成される。
2の一重項励起状態から発光が得られる。このとき、高い発光効率を得るためには、ゲス
ト材料122の蛍光量子収率は、高いことが好ましい。具体的には、ゲスト材料122の
蛍光量子収率は、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは
90%以上であるとよい。
材料であるため、ゲスト材料122の三重項励起状態は、熱失活し発光に寄与しない。し
かしながら、ホスト材料121のT1準位が、ゲスト材料122のT1準位より低い場合
、ゲスト材料122の三重項励起エネルギーは、ゲスト材料122のT1準位から、ホス
ト材料121のT1準位へ、エネルギー移動することが可能となる。その場合、後述の(
β)TTA過程によって、三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへの変換が可
能となる。
次に、発光層120におけるキャリアの再結合過程において形成された三重項励起子に
よって、一重項励起子が形成される場合について、説明する。
について説明する。このときのエネルギー準位の相関を表す模式図を図2(C)に示す。
また、図2(C)における表記及び符号は、以下の通りである。なお、ホスト材料121
のT1準位がゲスト材料122のT1準位よりも高くても構わない。
・Host(121):ホスト材料121
・Guest(122):ゲスト材料122(蛍光材料)
・SFH:ホスト材料121のS1準位
・TFH:ホスト材料121のT1準位
・SFG:ゲスト材料122(蛍光材料)のS1準位
・TFG:ゲスト材料122(蛍光材料)のT1準位
1の励起状態が形成される。このとき、生成した励起子が三重項励起子であるとき、生成
した2つの三重項励起子同士が近接することにより、それらの三重項励起エネルギーの一
部が一重項励起エネルギーに変換され、ホスト材料121のS1準位(SFH)のエネル
ギーを有する一重項励起子に変換される反応が生じる場合がある(図2(C) TTA参
照)。これは、以下の一般式(G11)または(G12)で表される。
3H+3H → 3H*+1H (G12)
の三重項励起子(3H)から一重項励起子(1H*)が生成する反応である。また、一般
式(G12)は、ホスト材料121において、スピン量子数の合計が1(原子単位)であ
る2つの三重項励起子(3H)から、電子的または振動的に励起された三重項励起子(3
H*)が生成する反応である。なお、一般式(G11)(G12)中、1Hはホスト材料
121における一重項基底状態を表す。
が1(原子単位)の三重項励起子のペアは、スピン量子数の合計が0のペアと比べて3倍
多く存在する。すなわち、2つの三重項励起子から生成される励起子のうち、新たに生成
される一重項励起子と三重項励起子の比は、統計的確率により、1:3となる。また、発
光層120における三重項励起子の密度が十分に高い場合(例えば、1×10−12cm
−3以上)では、三重項励起子単体の失活を無視し、2つの近接した三重項励起子による
反応のみを考えることができる。
り、一般式(G13)のように、8個の三重項励起子(3H)から、1個の一重項励起子
(1H*)と3個の電子的または振動的に励起された三重項励起子(3H*)が生成する
ことになる。
は、緩和により三重項励起子(3H)となり、その後に再び他の三重項励起子と一般式(
G13)の反応を繰り返す。そのため、一般式(G13)において、三重項励起子(3H
)の全てが一重項励起子(1H*)に変換されるとすると、5個の三重項励起子(3H)
から1個の一重項励起子(1H*)が生成することになる(一般式(G14))。
1H*)と三重項励起子(3H)の統計的な生成比率は、1H*:3H=1:3である。
すなわち、一対の電極から注入されたキャリアの再結合によって一重項励起子が直接生成
する確率は、25%である。
起子と、TTAにより生成した一重項励起子とをあわせることで、一対の電極から注入さ
れたキャリアの再結合により直接生成した20個の励起子(一重項励起子および三重項励
起子の合計)から8個の一重項励起子が生成可能となる(一般式(G15))。すなわち
、TTAによって、一重項励起子生成確率を従来の25%から、最大で40%(=8個/
20個)まで向上させることが可能となる。
起状態においては、ホスト材料121のS1準位(SFH)から、それよりも低いエネル
ギー準位であるゲスト材料122のS1準位(SFG)へ、エネルギー移動が生じる(図
2(C) ルートE1参照)。そして、一重項励起状態となったゲスト材料122が蛍光
発光する。
れる励起状態が三重項励起状態であるとき、ホスト材料121のT1準位(TFH)がゲ
スト材料122のT1準位(TFG)よりも低い場合、TFGの三重項励起エネルギーは
失活することなくTFHにエネルギー移動(図2(C) ルートE2参照)し、TTAに
利用される。
)よりも低い場合においては、ホスト材料121とゲスト材料122との重量比は、ゲス
ト材料122の重量比が低い方が好ましい。具体的には、ホスト材料121が1に対する
ゲスト材料122の重量比としては、0より大きく0.05以下が好ましい。そうするこ
とで、ゲスト材料122でキャリアが再結合する確率を低減させることができる。また、
ホスト材料121のT1準位(TFH)からゲスト材料122のT1準位(TFG)への
エネルギー移動が生じる確率を低減させることができる。
スト材料122の重量比は、0より大きく0.03未満であると好ましい。そうすること
で、より深い青色の発光を得ることができる。
子へと変換されるため、ゲスト材料122からの発光を、効率よく得ることが可能となる
。
効率を向上させることが可能となるが、高い発光効率を得るためには、TTAが生じる確
率(TTA効率ともいう)を高めることが重要である。すなわち、発光素子が呈する発光
のうち、TTAによる遅延蛍光成分の占める割合が高いことが重要である。
項励起状態のエネルギーが高く、三重項励起状態のエネルギーが低いことが好ましい。そ
のような化合物としてホスト材料121は、縮合芳香環骨格を有する事が好ましく、少な
くともアントラセン骨格を有するアリール基を有することが、さらに好ましい。
をホスト材料121として用いる必要がある。すなわち、青色の発光を呈する発光素子に
おいては発光材料またはホスト材料121として用いることができ、且つ、TTAによる
遅延蛍光を示す化合物としては、少なくともアントラセン骨格を有するアリール基を有す
る化合物が好ましい。
、正孔及び電子は、それぞれEL層が有する化合物のHOMO(Highest Occ
upied Molecular Orbital、最高被占軌道ともいう)及びLUM
O(Lowest Unoccupied Molecular Orbital、最低
空軌道ともいう)に注入され、輸送される。
におけるHOMO軌道とLUMO軌道とが同じ領域に分子軌道を有するときには、HOM
O準位とLUMO準位とのエネルギーギャップに相当するエネルギーを有する励起子が生
成される。
にバンドギャップが大きい骨格が好ましい。
好適である。
香族炭化水素であるアントラセンと同程度のS1準位およびT1準位を有する。したがっ
て、ベンゾ[a]アントラセン骨格を有するジベンゾカルバゾール化合物は、高いTTA
効率を示す発光素子に好適である。
に、三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が生じることによる熱活性化遅延
蛍光があり得る。逆項間交差が効率よく生じるためには、S1準位とT1準位とのエネル
ギー差が0.2eV以下であることが好ましい。換言すると、S1準位とT1準位とのエ
ネルギー差が0.2eVより大きいと、逆項間交差が生じにくくなる。したがって、TT
Aが効率よく生じるためには、TTAが生じる化合物において、最低励起一重項エネルギ
ー準位と、最低励起三重項エネルギー準位と、のエネルギー差が0.2eVより大きいこ
とが好ましく、0.5eV以上であるとさらに好ましい。
重項状態へ遷移する際の吸収スペクトルから観測することができる。もしくは、有機化合
物の蛍光発光スペクトルのピーク波長から最低励起一重項エネルギー準位を推定しても良
い。また、最低励起三重項エネルギー準位は、有機化合物が一重項基底状態から最低励起
三重項状態へ遷移する際の吸収スペクトルから観測することができるが、該遷移が禁制で
あることから、観測することが困難な場合がある。その場合には、有機化合物の燐光発光
スペクトルのピーク波長より、最低励起三重項エネルギー準位を推定しても良い。したが
って、有機化合物における、蛍光発光スペクトルのピーク波長と、燐光発光スペクトルの
ピーク波長と、のエネルギー換算値差が0.2eVより大きいと好ましく、0.5eV以
上であるとさらに好ましい。
次に、本発明の一態様に係わる発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
発光層120中では、ホスト材料121が少なくともゲスト材料122より重量比で多
く存在し、ゲスト材料122(蛍光材料)は、ホスト材料121中に分散される。発光層
120において、ホスト材料121に用いることができる材料としては、実施の形態1で
説明したジベンゾカルバゾール化合物が好ましい。なお、発光層120において、ホスト
材料121は、一種の化合物から構成されていても良く、複数の化合物から構成されてい
ても良い。
ラセン誘導体、テトラセン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導
体、ペリレン誘導体、スチルベン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノキ
サジン誘導体、フェノチアジン誘導体などが好ましく、例えば以下の材料を用いることが
できる。
,2’−ビピリジン(略称:PAP2BPy)、5,6−ビス[4’−(10−フェニル
−9−アントリル)ビフェニル−4−イル]−2,2’−ビピリジン(略称:PAPP2
BPy)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス[4−(9−フェニル−9H−フルオ
レン−9−イル)フェニル]ピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6FLPAPrn)
、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス[3−(9−フェニル−9H
−フルオレン−9−イル)フェニル]ピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6mMem
FLPAPrn)、N,N’−ビス[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル
)フェニル]−N,N’−ビス(4−tert−ブチルフェニル)−ピレン−1,6−ジ
アミン(略称:1,6tBu−FLPAPrn)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビ
ス[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]−3,8−ジシクロ
ヘキシルピレン−1,6−ジアミン(略称:ch−1,6FLPAPrn)、N,N’−
ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチル
ベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル
)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA
)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(9,10−ジフェニル−2−アン
トリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9−ジフェニル−N−[4
−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(
略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレ
ン(略称:TBP)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル
−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)、N,N
’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン
)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン](略称:DPA
BPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)
フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPPA)、N−[4−(
9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−N,N’,N’−トリフェニル−
1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N’’,
N’’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン−2,7,1
0,15−テトラアミン(略称:DBC1)、クマリン30、N−(9,10−ジフェニ
ル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:
2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アン
トリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABP
hA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニ
ル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,
1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1
,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、9,10−ビス(1,1’−ビ
フェニル−2−イル)−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−
フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェ
ニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)、クマリン6、クマリン545
T、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)、ルブレン、2,8−ジ−t
ert−ブチル−5,11−ビス(4−tert−ブチルフェニル)−6,12−ジフェ
ニルテトラセン(略称:TBRb)、ナイルレッド、5,12−ビス(1,1’−ビフェ
ニル−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)、2−(2−{2
−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イ
リデン)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、2−{2−メチル−6−[2−(2,
3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニ
ル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCM2)、N,N,
N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(略称
:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4−メ
チルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジアミン(略称:
p−mPhAFD)、2−{2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメ
チル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イ
ル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTI
)、2−{2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3
,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル
]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTB)、2−(2
,6−ビス{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−4H−ピラン−4−
イリデン)プロパンジニトリル(略称:BisDCM)、2−{2,6−ビス[2−(8
−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5
H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}
プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM)、5,10,15,20−テトラフェニ
ルビスベンゾ[5,6]インデノ[1,2,3−cd:1’,2’,3’−lm]ペリレ
ン、などが挙げられる。
有していても良い。
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4−メ
チル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10−
ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(
2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(
略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2
−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[
2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金
属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、
3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1
,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼン
トリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、バ
ソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、9−[
4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]−9H−カ
ルバゾール(略称:CO11)などの複素環化合物、4,4’−ビス[N−(1−ナフチ
ル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)、N,N’−
ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,
4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオ
レン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族ア
ミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘
導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が
挙げられ、具体的には、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、N
,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−
カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニル−9−アント
リル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、4−(9H−カルバゾール−9−イル
)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA
)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N−{4
−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カルバゾー
ル−3−アミン(略称:PCAPBA)、N,9−ジフェニル−N−(9,10−ジフェ
ニル−2−アントリル)−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、6
,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N
’’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン−2,7,10
,15−テトラアミン(略称:DBC1)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル
−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)、3,6−ジ
フェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾ
ール(略称:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラ
セン(略称:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)
、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−Bu
DNA)、9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,
3’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4
’−ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、1,3,5−トリ(1−ピレニル
)ベンゼン(略称:TPB3)などを挙げることができる。また、実施の形態1で説明し
たジベンゾカルバゾール化合物が複数含まれていても良い。また、これら及び公知の物質
の中から、上記ゲスト材料122のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを
有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。
の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層120とする場合、第1
の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料
として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。この場合においても、少なくと
も一つの発光層に実施の形態1で説明したジベンゾカルバゾール化合物が含まれているこ
とが好ましい。
。
正孔注入層111は、一対の電極の一方(電極101または電極102)からのホール
注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フ
タロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物と
しては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物
、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニンや
金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体やフェニ
レンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェンやポリアニリンなどの高分子化合
物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ(エチレンジ
オキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)などがその代表例である。
合材料を有する層を用いることもできる。あるいは、電子受容性を示す材料を含む層と正
孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料間では定常状態、あるいは電
界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す材料としては、キノジメタ
ン誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター
を挙げることができる。具体的には、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−
テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル、2,3,6,7,
10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略
称:HAT−CN)等の電子吸引基(ハロゲン基やシアノ基)を有する化合物である。ま
た、遷移金属酸化物、例えば第4族から第8族金属の酸化物を用いることができる。具体
的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸
化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどである。中でも酸化モリブデンは大気
中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的に
は、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用い
ることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
−ジ(p−トリル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDP
PA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ
]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’−ビス{4−[ビス(3−メチルフェニル)
アミノ]フェニル}−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジ
アミン(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニ
ル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等を挙げることができる。
フェニル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA1
)、3,6−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]−9
−フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA2)、3,6−ビス[N−(4−ジフェニ
ルアミノフェニル)−N−(1−ナフチル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称
:PCzTPN2)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニ
ルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−
(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバ
ゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカ
ルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)
等を挙げることができる。
ニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベン
ゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−
9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェ
ニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−
ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アン
トラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフ
ェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アント
ラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、
2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−
メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、2−tert−ブチル−9,
10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、9,10−ビス[2−(1
−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(
1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフ
チル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−
ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル
、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’
−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−
テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロ
ネン等も用いることができる。このように、1×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度
を有し、炭素数14乃至炭素数42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル
(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]
アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
ニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニル
アミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](
略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス
(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化合物を用いることも
できる。
ル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)やN,N’−
ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,
4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル
)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’−トリス[N−(1−ナフ
チル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:1’−TNATA)、4,4
’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDAT
A)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]
トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’
−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4
−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:
BPAFLP)、4−フェニル−3’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェ
ニルアミン(略称:mBPAFLP)、N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2
−イル)−N−{9,9−ジメチル−2−[N’−フェニル−N’−(9,9−ジメチル
−9H−フルオレン−2−イル)アミノ]−9H−フルオレン−7−イル}フェニルアミ
ン(略称:DFLADFL)、N−(9,9−ジメチル−2−ジフェニルアミノ−9H−
フルオレン−7−イル)ジフェニルアミン(略称:DPNF)、2−[N−(4−ジフェ
ニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:
DPASF)、4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)
トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、4,4’−ジフェニル−4’’−(9−
フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1B
P)、4−(1−ナフチル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)
トリフェニルアミン(略称:PCBANB)、4,4’−ジ(1−ナフチル)−4’’−
(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBN
BB)、4−フェニルジフェニル−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ア
ミン(略称:PCA1BP)、N,N’−ビス(9−フェニルカルバゾール−3−イル)
−N,N’−ジフェニルベンゼン−1,3−ジアミン(略称:PCA2B)、N,N’,
N’’−トリフェニル−N,N’,N’’−トリス(9−フェニルカルバゾール−3−イ
ル)ベンゼン−1,3,5−トリアミン(略称:PCA3B)、N−(4−ビフェニル)
−N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−9−フェニル−9H−カル
バゾール−3−アミン(略称:PCBiF)、N−(1,1’−ビフェニル−4−イル)
−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−9,9−ジ
メチル−9H−フルオレン−2−アミン(略称:PCBBiF)、9,9−ジメチル−N
−フェニル−N−[4−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]フ
ルオレン−2−アミン(略称:PCBAF)、N−フェニル−N−[4−(9−フェニル
−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−ア
ミン(略称:PCBASF)、2−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N
−フェニルアミノ]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:PCASF)、2,7−ビ
ス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]−スピロ−9,9’
−ビフルオレン(略称:DPA2SF)、N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)
フェニル]−N−(4−フェニル)フェニルアニリン(略称:YGA1BP)、N,N’
−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニル−9,9−
ジメチルフルオレン−2,7−ジアミン(略称:YGA2F)などの芳香族アミン化合物
等を用いることができる。また、3−[4−(1−ナフチル)−フェニル]−9−フェニ
ル−9H−カルバゾール(略称:PCPN)、3−[4−(9−フェナントリル)−フェ
ニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPPn)、3,3’−ビス(9
−フェニル−9H−カルバゾール)(略称:PCCP)、1,3−ビス(N−カルバゾリ
ル)ベンゼン(略称:mCP)、3,6−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)−9−フ
ェニルカルバゾール(略称:CzTP)、3,6−ジ(9H−カルバゾール−9−イル)
−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PhCzGI)、2,8−ジ(9H−カル
バゾール−9−イル)−ジベンゾチオフェン(略称:Cz2DBT)、4−{3−[3−
(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]フェニル}ジベンゾフラン(
略称:mmDBFFLBi−II)、4,4’,4’’−(ベンゼン−1,3,5−トリ
イル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:DBF3P−II)、1,3,5−トリ(ジベン
ゾチオフェン−4−イル)−ベンゼン(略称:DBT3P−II)、2,8−ジフェニル
−4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ジベンゾチオフ
ェン(略称:DBTFLP−III)、4−[4−(9−フェニル−9H−フルオレン−
9−イル)フェニル]−6−フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP−IV)
、4−[3−(トリフェニレン−2−イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:mD
BTPTp−II)等のアミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン
化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いるこ
とができる。上述した化合物の中でも、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、お
よび芳香族アミン骨格の少なくとも一を有する化合物は、安定で信頼性が良好であり好ま
しい。また、当該骨格を有する化合物は、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する
。
正孔輸送層112は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層111の材料として例
示した正孔輸送性材料を使用することができる。正孔輸送層112は正孔注入層111に
注入された正孔を発光層120へ輸送する機能を有するため、正孔注入層111のHOM
O(Highest Occupied Molecular Orbital、最高被
占軌道ともいう)準位と同じ、あるいは近いHOMO準位を有することが好ましい。
。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい
。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層
以上積層してもよい。
成する材料として用いても良い。
電子輸送層113は、電子注入層114を経て一対の電極の他方(電極101または電
極102)から注入された電子を発光層120へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料
としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、1×10−6cm2
/Vs以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合
物(電子輸送性を有する材料)としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型
複素芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、キノリン配位子、ベンゾ
キノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オ
キサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン
誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などが挙げられる。なお、正孔より
も電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わな
い。また、電子輸送層113は、単層だけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層し
てもよい。
lq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Al
mq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称
:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略
称:Znq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げら
れる。また、この他ビス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(
略称:ZnPBO)、ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(
略称:ZnBTZ)などのオキサゾール系、またはチアゾール系配位子を有する金属錯体
なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5
−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)
や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ
ール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5−フェニル−1,3,
4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CO11)
、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−
1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、9−[4−(4,5−ジフェニル−4H−
1,2,4−トリアゾール−3−イル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzT
AZ1)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル
−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、2−[3−(ジベンゾチオフェン−
4−イル)フェニル]−1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール(略称:mDBTBI
m−II)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:B
CP)などの複素環化合物や、2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]
ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq−II)、2−[3’−(
ジベンゾチオフェン−4−イル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン(略称:2mDBTBPDBq−II)、2−[3’−(9H−カルバゾール−9−イ
ル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mCzBPDB
q)、2−[4−(3,6−ジフェニル−9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ジ
ベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2CzPDBq−III)、7−[3−(ジベン
ゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:7mDB
TPDBq−II)、及び、6−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジ
ベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:6mDBTPDBq−II)、2−[3−(3,
9’−ビ−9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン
(略称:2mCzCzPDBq)、4,6−ビス[3−(フェナントレン−9−イル)フ
ェニル]ピリミジン(略称:4,6mPnP2Pm)、4,6−ビス[3−(4−ジベン
ゾチエニル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mDBTP2Pm−II)、4,6−
ビス[3−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mC
zP2Pm)などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、2−{4−[3−(N−フェ
ニル−9H−カルバゾール−3−イル)−9H−カルバゾール−9−イル]フェニル}−
4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(略称:PCCzPTzn)などのトリア
ジン骨格を有する複素環化合物や、3,5−ビス[3−(9H−カルバゾール−9−イル
)フェニル]ピリジン(略称:35DCzPPy)、1,3,5−トリ[3−(3−ピリ
ジル)フェニル]ベンゼン(略称:TmPyPB)などのピリジン骨格を有する複素環化
合物、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:
BzOs)などの複素芳香族化合物も用いることができる。上述した複素環化合物の中で
も、トリアジン骨格、ジアジン(ピリミジン、ピラジン、ピリダジン)骨格、およびピリ
ジン骨格の少なくとも一を有する複素環化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。
また、当該骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する
。また、ポリ(2,5−ピリジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9−ジヘキシ
ルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF
−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2
’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)のような高分子化合物を
用いることもできる。ここに述べた物質は、主に1×10−6cm2/Vs以上の電子移
動度を有する物質である。
る。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層と
して用いても構わない。また、電子輸送層113は、単層だけでなく、上記物質からなる
層を二層以上積層してもよい。
けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質
を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバラ
ンスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまう
ことにより発生する問題(例えば素子寿命の低下)の抑制に大きな効果を発揮する。
素、酸化錫、酸化タングステン、酸化タンタル、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム
、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、ケイ酸ジ
ルコニウムのような酸化物、窒化ケイ素のような窒化物、硫化カドミウム、セレン化亜鉛
及び硫化亜鉛等も用いることができる。
電子注入層114は電極102からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進す
る機能を有し、例えば第1族金属、第2族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物
、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電
子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、
第1族金属、第2族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的に
は、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム
酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いること
ができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。ま
た、電子注入層114にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例
えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられ
る。また、電子注入層114に、電子輸送層113で用いることが出来る物質を用いても
良い。
材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発
生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては
、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した
電子輸送層113を構成する物質(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができ
る。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的
には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、ナトリウム
、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。
また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カル
シウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス
塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合
物を用いることもできる。
それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の
方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子
輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物や、高分
子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いてもよい。
量子ドットは、数nmから数十nmサイズの半導体ナノ結晶であり、1×103個から
1×106個程度の原子から構成されている。量子ドットはサイズに依存してエネルギー
シフトするため、同じ物質から構成される量子ドットであっても、サイズによって発光波
長が異なる。そのため、用いる量子ドットのサイズを変更することによって、容易に発光
波長を変更することができる。
ことができる。さらに、量子ドットの理論的な内部量子効率は100%であると言われて
おり、蛍光発光を呈する有機化合物の25%を大きく上回り、燐光発光を呈する有機化合
物と同等となっている。このことから、量子ドットを発光材料として用いることによって
発光効率の高い発光素子を得ることができる。その上、無機材料である量子ドットは、そ
の本質的な安定性にも優れているため、寿命の観点からも好ましい発光素子を得ることが
できる。
数の第14族元素からなる化合物、第4族から第14族に属する元素と第16族元素との
化合物、第2族元素と第16族元素との化合物、第13族元素と第15族元素との化合物
、第13族元素と第17族元素との化合物、第14族元素と第15族元素との化合物、第
11族元素と第17族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類、カルコゲナイドスピネ
ル類、半導体クラスターなどを挙げることができる。
鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化
インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化
ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化
アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化
インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレ
ン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、
硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウ
ム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素
、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バ
リウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、
セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、
硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫
、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸
化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、四酸化三鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モ
リブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコ
ニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレン
と亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと
硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、亜鉛とカドミウムとセレンの化合
物、インジウムとガリウムと砒素の化合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、イ
ンジウムとセレンと硫黄の化合物、銅とインジウムと硫黄の化合物、およびこれらの組合
せなどを挙げることができるが、これらに限定されない。また、組成が任意の比率で表さ
れる、いわゆる合金型量子ドットを用いても良い。例えば、カドミウムとセレンと硫黄の
合金型量子ドットは、元素の含有比率を変化させることで発光波長を変えることができる
ため、青色発光を得るには有効な手段の一つである。
り、そのいずれを用いても良いが、コアを覆ってより広いバンドギャップを持つ別の無機
材料でシェルを形成することによって、ナノ結晶表面に存在する欠陥やダングリングボン
ドの影響を低減することができる。これにより、発光の量子効率が大きく改善するためコ
ア−シェル型やコア−マルチシェル型の量子ドットを用いることが好ましい。シェルの材
料の例としては、硫化亜鉛や酸化亜鉛が挙げられる。
すい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着している又は保護基が設けられてい
ることが好ましい。当該保護剤が付着している又は保護基が設けられていることによって
、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的
安定性を向上させることも可能である。保護剤(又は保護基)としては、例えば、ポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、トリプロピルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等の
トリアルキルホスフィン類、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンn−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル類、トリ(n−ヘキシル)アミン、トリ(n−オクチル)アミン、トリ(n−デシル
)アミン等の第3級アミン類、トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィン
オキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデ
シルホスフィンオキシド等の有機リン化合物、ポリエチレングリコールジラウレート、ポ
リエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類、また、
ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類等の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物
、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類、ジブチルスルフィ
ド等のジアルキルスルフィド類、ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジア
ルキルスルホキシド類、チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物、パルミ
チン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸、アルコール類、ソルビタン脂肪酸エ
ステル類、脂肪酸変性ポリエステル類、3級アミン変性ポリウレタン類、ポリエチレンイ
ミン類等が挙げられる。
長の光が得られるように、そのサイズを適宜調整する。結晶のサイズが小さくなるにつれ
て、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へシフトするため、量子ドッ
トのサイズを変更させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長
領域にわたって、その発光波長を調整することができる。量子ドットのサイズ(直径)は
、0.5nm乃至20nm、好ましくは1nm乃至10nmの範囲のものが通常良く用い
られる。なお、量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、より発光スペクトルが狭線化し
、色純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドットの形状は特に限定されず、
球場、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。なお、棒状の量子ドットである量子
ロッドは、指向性を有する光を呈する機能を有するため、量子ロッドを発光材料として用
いることにより、より外部量子効率が良好な発光素子を得ることができる。
濃度消光を抑制することによって発光効率を高めている。ホスト材料は発光材料以上の一
重項励起エネルギー準位または三重項励起エネルギー準位を有する材料であることが必要
である。特に、青色燐光材料を発光材料に用いる場合においては、それ以上の三重項励起
エネルギー準位を有し、且つ、寿命の観点で優れたホスト材料が必要であり、その開発は
困難を極めている。ここで、量子ドットは、ホスト材料を用いずに量子ドットのみで発光
層を構成しても発光効率を保つことができるため、この点でも寿命という観点から好まし
い発光素子を得ることができる。量子ドットのみで発光層を形成する場合には、量子ドッ
トはコア−シェル構造(コア−マルチシェル構造を含む)であることが好ましい。
m、好ましくは10nm乃至100nmとし、発光層中の量子ドットの含有率は1乃至1
00体積%とする。ただし、量子ドットのみで発光層を形成することが好ましい。なお、
当該量子ドットを発光材料としてホストに分散した発光層を形成する場合は、ホスト材料
に量子ドットを分散させる、またはホスト材料と量子ドットとを適当な液媒体に溶解また
は分散させてウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレード
コート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコ
ート法、ラングミュア・ブロジェット法など)により形成すればよい。燐光性の発光材料
を用いた発光層については、上記ウェットプロセスの他、真空蒸着法も好適に利用するこ
とができる。
キサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲ
ン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族
炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホル
ムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の有機溶媒を用いることがで
きる。
電極101及び電極102は、発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。電極
101及び電極102は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物や積層体な
どを用いて形成することができる。
成されると好ましい。該導電性材料としては、アルミニウム(Al)またはAlを含む合
金等が挙げられる。Alを含む合金としては、AlとL(Lは、チタン(Ti)、ネオジ
ム(Nd)、ニッケル(Ni)、及びランタン(La)の一つまたは複数を表す)とを含
む合金等が挙げられ、例えばAlとTi、またはAlとNiとLaを含む合金等である。
アルミニウムは、抵抗値が低く、光の反射率が高い。また、アルミニウムは、地殻におけ
る存在量が多く、安価であるため、アルミニウムを用いることによる発光素子の作製コス
トを低減することができる。また、銀(Ag)、またはAgとN(Nは、イットリウム(
Y)、Nd、マグネシウム(Mg)、イッテルビウム(Yb)、Al、Ti、ガリウム(
Ga)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、
スズ(Sn)、鉄(Fe)、Ni、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir
)、または金(Au)の一つまたは複数を表す)とを含む合金等を用いても良い。銀を含
む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグ
ネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金、銀とイッテルビウム
を含む合金等が挙げられる。その他、タングステン、クロム(Cr)、モリブデン(Mo
)、銅、チタンなどの遷移金属を用いることができる。
て取り出される。したがって、電極101及び電極102の少なくとも一方は、光を透過
する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視
光の透過率が40%以上100%以下、好ましくは60%以上100%以下であり、かつ
その抵抗率が1×10−2Ω・cm以下の導電性材料が挙げられる。
する導電性材料により形成されても良い。該導電性材料としては、可視光の反射率が20
%以上80%以下、好ましくは40%以上70%以下であり、かつその抵抗率が1×10
−2Ω・cm以下の導電性材料が挙げられる。例えば、導電性を有する金属、合金、導電
性化合物などを1種又は複数種用いて形成することができる。具体的には、例えば、イン
ジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide、以下ITO)、珪素または酸化珪
素を含むインジウム錫酸化物(略称:ITSO)、酸化インジウム−酸化亜鉛(Indi
um Zinc Oxide)、チタンを含有した酸化インジウム−錫酸化物、インジウ
ム−チタン酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの金属
酸化物を用いることができる。また、光を透過する程度(好ましくは、1nm以上30n
m以下の厚さ)の金属薄膜を用いることができる。金属としては、例えば、Ag、または
AgとAl、AgとMg、AgとAu、AgとYbなどの合金等を用いることができる。
を有し、且つ導電性を有する材料であればよく、例えば上記のようなITOに代表される
酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、または有機物を含む有機導電体を含む。有機物を
含む有機導電体としては、例えば、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる
複合材料、有機化合物と電子受容体(アクセプター)とを混合してなる複合材料等が挙げ
られる。また、グラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。また、当該材料の抵抗
率としては、好ましくは1×105Ω・cm以下、さらに好ましくは1×104Ω・cm
以下である。
は双方を形成してもよい。
電極より屈折率の高い材料を形成してもよい。このような材料としては、可視光を透過す
る機能を有する材料であればよく、導電性を有する材料であっても有さない材料であって
もよい。例えば、上記のような酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、有機物が挙げられ
る。有機物としては、例えば、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または電
子注入層に例示した材料が挙げられる。また、無機炭素系材料や光が透過する程度の薄膜
の金属も用いることができる。これら屈折率の高い材料を用いて、数nm乃至数十nmの
層を複数積層させてもよい。
(3.8eV以下)材料を有することが好ましい。例えば、元素周期表の第1族又は第2
族に属する元素(リチウム、ナトリウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、スト
ロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等)、これら元素を含む合金(例えば、
AgとMg、AlとLi)、ユーロピウム(Eu)、Yb等の希土類金属、これら希土類
金属を含む合金、アルミニウム、銀を含む合金等を用いることができる。
0eV以上)材料を用いることが好ましい。
過する機能を有する導電性材料との積層としてもよい。その場合、電極101及び電極1
02は、各発光層からの所望の波長の光を共振させ、所望の波長の光を強めることができ
るように、光学距離を調整する機能を有することができるため好ましい。
、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、CVD法、パルスレー
ザ堆積法、ALD(Atomic Layer Deposition)法等を適宜用い
ることができる。
また、本発明の一態様に係る発光素子は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に
作製すればよい。基板上に作製する順番としては、電極101側から順に積層しても、電
極102側から順に積層しても良い。
、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性
基板とは、曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、
無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程
において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発
光素子、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基
板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラス
チック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する
基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせ
フィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例とし
ては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラス
などがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下
のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナ
フタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリテトラフルオロエチレン
(PTFE)に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の樹
脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニ
ル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、
アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
い。または、基板と発光素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素
子を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いる
ことができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光素子を転載できる。な
お、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造
の構成や、基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
別の基板上に発光素子を配置してもよい。発光素子が転置される基板の一例としては、上
述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、
麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊維(アセテー
ト、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、皮革基板、又はゴム基板な
どがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光素子、耐熱性の高い発光素
子、軽量化された発光素子、または薄型化された発光素子とすることができる。
電気的に接続された電極上に発光素子150を作製してもよい。これにより、FETによ
って発光素子150の駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。
態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定
されない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載さ
れているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様
として、発光素子に適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されな
い。例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子に適
用しなくてもよい。例えば、本発明の一態様では、EL層は、ジベンゾカルバゾール化合
物を有する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によって
は、EL層は、ジベンゾカルバゾール化合物を有さなくても良い。
きる。
本実施の形態においては、実施の形態3に示す発光素子の構成と異なる構成の発光素子
について、図3及び図4を用いて、以下説明を行う。なお、図3及び図4において、図2
(A)に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省
略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な
説明は省略する場合がある。
図3(A)は、発光素子250の断面模式図である。
、複数の発光ユニット(図3(A)においては、発光ユニット106及び発光ユニット1
08)を有する。複数の発光ユニットのうちいずれか一つの発光ユニットは、図2で示す
EL層100と同様な構成を有すると好ましい。つまり、図2で示した発光素子150は
、1つの発光ユニットを有し、発光素子250は、複数の発光ユニットを有すると好まし
い。なお、発光素子250において、電極101が陽極として機能し、電極102が陰極
として機能するとして、以下説明するが、発光素子250の構成としては、逆であっても
構わない。
108とが積層されており、発光ユニット106と発光ユニット108との間には電荷発
生層115が設けられる。なお、発光ユニット106と発光ユニット108は、同じ構成
でも異なる構成でもよい。例えば、発光ユニット106に、図2で示すEL層100を用
いると好ましい。
ニット106は、発光層120の他に、正孔注入層111、正孔輸送層112、電子輸送
層113、及び電子注入層114を有する。また、発光ユニット108は、発光層140
の他に、正孔注入層116、正孔輸送層117、電子輸送層118、及び電子注入層11
9を有する。
れた構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体であるドナー性物質が添加された構成
であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
複合材料には実施の形態3に示す正孔注入層111に用いることができる複合材料を用い
ればよい。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化
水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用
いることができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が1×10−6cm2/Vs
以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物とアクセプター性物質の複合材
料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実
現することができる。なお、発光ユニット108のように、発光ユニットの陽極側の面が
電荷発生層115に接している場合は、電荷発生層115が該発光ユニットの正孔注入層
または正孔輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには正孔注入層または
正孔輸送層を設けない構成であっても良い。
の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機
化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一
の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、
有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、透明導電膜を含む層とを組み合
わせて形成してもよい。
極101と電極102とに電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、
他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図3(A)において、
電極101の電位の方が電極102の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電
荷発生層115は、発光ユニット106に電子を注入し、発光ユニット108に正孔を注
入する。
は、電荷発生層115に対する可視光の透過率が40%以上)を有することが好ましい。
また、電荷発生層115は、一対の電極(電極101及び電極102)よりも低い導電率
であっても機能する。
合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
が、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能
である。発光素子250に示すように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層
で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに
長寿命な発光素子を実現できる。また、消費電力が低い発光素子を実現することができる
。
成を適用することによって、発光効率の高い、発光素子を提供することができる。
を用いることで、発光効率の高い発光素子を提供することができる。
)に示す発光層120と同様の構成とする。すなわち、発光層120は、ホスト材料12
1と、ゲスト材料122とを有する。
材料141と、ゲスト材料142とを有する。また、ホスト材料141は、有機化合物1
41_1と、有機化合物141_2とを有する。なお、ゲスト材料142は、燐光材料と
して、以下説明する。
発光層140の発光機構について、以下説明を行う。
を形成する。
成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸送性を有する化合物であり
、他方が電子輸送性を有する化合物であることが、より好ましい。
142とのエネルギー準位の相関を図3(C)に示す。なお、図3(C)における表記及
び符号は、以下の通りである。
・Host(141_1):有機化合物141_1(ホスト材料)
・Host(141_2):有機化合物141_2(ホスト材料)
・Guest(142):ゲスト材料142(燐光材料)
・SPH1:有機化合物141_1(ホスト材料)のS1準位
・TPH1:有機化合物141_1(ホスト材料)のT1準位
・SPH2:有機化合物141_2(ホスト材料)のS1準位
・TPH2:有機化合物141_2(ホスト材料)のT1準位
・TPG:ゲスト材料142(燐光材料)のT1準位
・SE:励起錯体のS1準位
・TE:励起錯体のT1準位
1準位(SE)とT1準位(TE)は互いに隣接するエネルギー準位となる(図3(C)
ルートE7参照)。
け取ることで速やかに励起錯体を形成する。あるいは、一方が励起状態となると、速やか
に他方と相互作用することで励起錯体を形成する。したがって、発光層140における励
起子のほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体の励起エネルギー準位(SEまたは
TE)は、励起錯体を形成するホスト材料(有機化合物141_1及び有機化合物141
_2)のS1準位(SPH1及びSPH2)より低くなるため、より低い励起エネルギー
でホスト材料141の励起状態を形成することが可能となる。これによって、発光素子の
駆動電圧を下げることができる。
光材料)のT1準位へ移動させて発光が得られる(図3(C) ルートE8、E9参照)
。
きいことが好ましい。そうすることで、生成した励起錯体の一重項励起エネルギーおよび
三重項励起エネルギーを、励起錯体のS1準位(SE)およびT1準位(TE)からゲス
ト材料142のT1準位(TPG)へエネルギー移動することができる。
、励起錯体のT1準位(TE)が、励起錯体を形成する各有機化合物(有機化合物141
_1および有機化合物141_2)のT1準位(TPH1およびTPH2)と同等か、よ
り小さいことが好ましい。これにより、各有機化合物(有機化合物141_1及び有機化
合物141_2)による励起錯体の三重項励起エネルギーのクエンチが生じにくくなり、
効率よく励起錯体からゲスト材料142へエネルギー移動が発生する。
るためには、有機化合物141_1および有機化合物141_2の一方のHOMO準位が
他方のHOMO準位より高く、一方のLUMO準位が他方のLUMO準位より高いことが
好ましい。例えば、有機化合物141_1が正孔輸送性を有し、有機化合物141_2が
電子輸送性を有する場合、有機化合物141_1のHOMO準位が有機化合物141_2
のHOMO準位より高いことが好ましく、有機化合物141_1のLUMO準位が有機化
合物141_2のLUMO準位より高いことが好ましい。あるいは、有機化合物141_
2が正孔輸送性を有し、有機化合物141_1が電子輸送性を有する場合、有機化合物1
41_2のHOMO準位が有機化合物141_1のHOMO準位より高いことが好ましく
、有機化合物141_2のLUMO準位が有機化合物141_1のLUMO準位より高い
ことが好ましい。具体的には、有機化合物141_1のHOMO準位と有機化合物141
_2のHOMO準位とのエネルギー差は、好ましくは0.05eV以上であり、より好ま
しくは0.1eV以上であり、さらに好ましくは0.2eV以上である。また、有機化合
物141_1のLUMO準位と有機化合物141_2のLUMO準位とのエネルギー差は
、好ましくは0.05eV以上であり、より好ましくは0.1eV以上であり、さらに好
ましくは0.2eV以上である。
有する化合物と電子輸送性を有する化合物との組み合わせである場合、その混合比によっ
てキャリアバランスを容易に制御することが可能となる。具体的には、正孔輸送性を有す
る化合物:電子輸送性を有する化合物=1:9から9:1(重量比)の範囲が好ましい。
また、該構成を有することで、容易にキャリアバランスを制御することができることから
、キャリア再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
次に、ホスト材料141と、ゲスト材料142との分子間のエネルギー移動過程の支配
因子について説明する。分子間のエネルギー移動の機構としては、フェルスター機構(双
極子−双極子相互作用)と、デクスター機構(電子交換相互作用)の2つの機構が提唱さ
れている。ここでは、ホスト材料141とゲスト材料142との分子間のエネルギー移動
過程について説明するが、ホスト材料141が励起錯体の場合も同様である。
フェルスター機構では、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要とせず、ホスト
材料141及びゲスト材料142間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起
こる。双極子振動の共鳴現象によってホスト材料141がゲスト材料142にエネルギー
を受け渡し、励起状態のホスト材料141が基底状態になり、基底状態のゲスト材料14
2が励起状態になる。なお、フェルスター機構の速度定数kh*→gを数式(1)に示す
。
化された発光スペクトル(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペ
クトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル)を表し、
εg(ν)は、ゲスト材料142のモル吸光係数を表し、Nは、アボガドロ数を表し、n
は、媒体の屈折率を表し、Rは、ホスト材料141とゲスト材料142の分子間距離を表
し、τは、実測される励起状態の寿命(蛍光寿命や燐光寿命)を表し、cは、光速を表し
、φは、発光量子収率(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光量子収
率、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光量子収率)を表し、K2は
、ホスト材料141とゲスト材料142の遷移双極子モーメントの配向を表す係数(0か
ら4)である。なお、ランダム配向の場合はK2=2/3である。
デクスター機構では、ホスト材料141とゲスト材料142が軌道の重なりを生じる接
触有効距離に近づき、励起状態のホスト材料141の電子と、基底状態のゲスト材料14
2との電子の交換を通じてエネルギー移動が起こる。なお、デクスター機構の速度定数k
h*→gを数式(2)に示す。
であり、νは、振動数を表し、f’h(ν)は、ホスト材料141の規格化された発光ス
ペクトル(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項
励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル)を表し、ε’g(ν)は
、ゲスト材料142の規格化された吸収スペクトルを表し、Lは、実効分子半径を表し、
Rは、ホスト材料141とゲスト材料142の分子間距離を表す。
式(3)で表される。krは、ホスト材料141の発光過程(一重項励起状態からのエネ
ルギー移動を論じる場合は蛍光、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐
光)の速度定数を表し、knは、ホスト材料141の非発光過程(熱失活や項間交差)の
速度定数を表し、τは、実測されるホスト材料141の励起状態の寿命を表す。
度定数kh*→gを大きくし、他の競合する速度定数kr+kn(=1/τ)が相対的に
小さくなれば良いことがわかる。
フェルスター機構によるエネルギー移動においては、エネルギー移動効率φETは、発
光量子収率φ(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じている場合は蛍光量子収率、
三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光量子収率)が高い方が良い。ま
た、ホスト材料141の発光スペクトル(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる
場合は蛍光スペクトル)とゲスト材料142の吸収スペクトル(一重項基底状態から三重
項励起状態への遷移に相当する吸収)との重なりが大きいことが好ましい。さらに、ゲス
ト材料142のモル吸光係数も高い方が好ましい。このことは、ホスト材料141の発光
スペクトルと、ゲスト材料142の最も長波長側に現れる吸収帯とが重なることを意味す
る。
るにはホスト材料141の発光スペクトル(一重項励起状態からのエネルギー移動を論じ
る場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペ
クトル)とゲスト材料142の吸収スペクトル(一重項基底状態から三重項励起状態への
遷移に相当する吸収)との重なりが大きい方が良い。したがって、エネルギー移動効率の
最適化は、ホスト材料141の発光スペクトルと、ゲスト材料142の最も長波長側に現
れる吸収帯とが重なることによって実現される。
からゲスト材料142へのエネルギー移動過程についても、フェルスター機構、及びデク
スター機構の双方の機構によるエネルギー移動が生じる。
エネルギードナーとしての機能を有する励起錯体を形成する組み合わせの有機化合物14
1_1および有機化合物141_2を有する。有機化合物141_1および有機化合物1
41_2が形成する励起錯体は、有機化合物141_1および有機化合物141_2単体
の励起状態より低い励起エネルギーで形成が可能となる。したがって、発光素子の駆動電
圧を低減することができる。
1準位へのエネルギー移動が生じやすくするためには、励起錯体の発光スペクトルと、ゲ
スト材料142の最も長波長側(低エネルギー側)に現れる吸収帯と、が重なると好まし
い。そうすることで、ゲスト材料142の三重項励起状態の生成効率を高めることができ
る。
励起エネルギー準位とが近接しているという特徴を有するため、励起錯体の発光スペクト
ルとゲスト材料142の最も長波長側(低エネルギー側)に現れる吸収帯を重ねることで
、励起錯体の三重項励起エネルギー準位からゲスト材料142の三重項励起エネルギー準
位へのエネルギー移動も生じやすくすることが可能となる。
)からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
ciplex−Triplet Energy Transfer)と呼称する場合があ
る。別言すると、発光層140は、励起錯体からゲスト材料142への励起エネルギーの
供与がある。なお、この場合は必ずしもTEからSEへの逆項間交差効率が高い必要はな
く、SEからの発光量子収率が高い必要もないため、材料を幅広く選択することが可能と
なる。
スト材料が呈する発光色としては、同じであっても異なっていてもよい。発光ユニット1
06と発光ユニット108とで同じ色の発光を呈する機能を有するゲスト材料を有する場
合、発光素子250は少ない電流値で高い発光輝度を呈する発光素子となり好ましい。ま
た、発光ユニット106と発光ユニット108とで互いに異なる色の発光を呈する機能を
有するゲスト材料を有する場合、発光素子250は多色発光を呈する発光素子となり好ま
しい。この場合、発光層120及び発光層140のいずれか一方または双方に発光波長の
異なる複数の発光材料を用いることによって、発光素子250が呈する発光スペクトルは
異なる発光ピークを有する発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有
する発光スペクトルとなる。
を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。特に、演色性の
高い白色発光、あるいは少なくとも赤色と緑色と青色とを有する発光、になるようゲスト
材料を選択することが好適である。
、当該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。すなわち、発光
層120及び発光層140のいずれか一方または双方は、2層以上の複数層でもって構成
することもできる。例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層し
て発光層とする場合、第1の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、
第2の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。この
場合、第1の発光層と第2の発光層とが有する発光材料は、同じ材料であっても異なる材
料であってもよく、同じ色の発光を呈する機能を有する材料であっても、異なる色の発光
を呈する機能を有する材料であってもよい。互いに異なる色の発光を呈する機能を有する
複数の発光材料を有する構成により、三原色や、4色以上の発光色からなる演色性の高い
白色発光を得ることもできる。
る場合、発光層120からの発光が、発光層140からの発光よりも短波長側に発光のピ
ークを有する構成とすることが好ましい。高い三重項励起エネルギー準位を有する材料を
用いた発光素子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長な発光を呈する発光層に実
施の形態1で説明したジベンゾカルバゾール化合物を有する構成を用いることによって、
輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
次に、図3に示す発光素子と異なる構成例について、図4(A)(B)(C)を用いて
、以下説明を行う。
EL層110が挟まれた構造である。なお、発光素子252において、電極101が陽極
として機能し、電極102が陰極として機能するとして、以下説明するが、発光素子25
2の構成としては、逆であっても構わない。
層140と、を有する。また、発光素子252において、EL層110として、発光層の
他に、正孔注入層111、正孔輸送層112、電子輸送層113、及び電子注入層114
が図示されているが、これらの積層構造は一例であり、発光素子252におけるEL層1
10の構成はこれらに限定されない。例えば、EL層110において、上記各層の積層順
を変えてもよい。または、EL層110において、上記各層以外の機能層を設けてもよい
。該機能層としては、例えば、正孔または電子の注入障壁を低減する機能、正孔または電
子の輸送性を向上する機能、正孔または電子の輸送性を阻害する機能、正孔または電子を
発生する機能、を有する構成であってもよい。
22とを有する。また、発光層140は、ホスト材料141と、ゲスト材料142とを有
する。ホスト材料141は、有機化合物141_1と、有機化合物141_2とを有する
。なお、ゲスト材料122が蛍光材料、ゲスト材料142が燐光材料として、以下説明す
る。
発光層120の発光機構としては、図2(B)(C)に示す発光層120と同様の発光
機構である。また、発光層140の発光機構としては、図3(B)(C)に示す発光層1
40と同様の発光機構である。
る場合、発光層120と発光層140との界面において、発光層140の励起錯体から発
光層120のホスト材料121へのエネルギー移動(とくに三重項励起エネルギーのエネ
ルギー移動)が起こったとしても、発光層120にて上記三重項励起エネルギーを発光に
変換することができる。
物141_1及び有機化合物141_2のT1準位よりも低いと好ましい。また、発光層
120において、ホスト材料121のS1準位がゲスト材料122(蛍光材料)のS1準
位よりも高く、且つ、ホスト材料121のT1準位がゲスト材料122(蛍光材料)のT
1準位よりも低いと好ましい。
エネルギー準位の相関を図4(C)に示す。なお、図4(C)における表記及び符号は、
以下の通りである。
・Fluorescence EML(120):発光層120(蛍光発光層)
・Phosphorescence EML(140):発光層140(燐光発光層)
・Host(121):ホスト材料121
・Guest(122):ゲスト材料122(蛍光材料)
・Host(141_1):ホスト材料(有機化合物141_1)
・Guest(142):ゲスト材料142(燐光材料)
・Exciplex:励起錯体(有機化合物141_1及び有機化合物141_2)
・SFH:ホスト材料121のS1準位
・TFH:ホスト材料121のT1準位
・SFG:ゲスト材料122(蛍光材料)のS1準位
・TFG:ゲスト材料122(蛍光材料)のT1準位
・SPH:ホスト材料(有機化合物141_1)のS1準位
・TPH:ホスト材料(有機化合物141_1)のT1準位
・TPG:ゲスト材料142(燐光材料)のT1準位
・SE:励起錯体のS1準位
・TE:励起錯体のT1準位
錯体との間の励起子拡散は生じにくい。また、励起錯体の励起エネルギー準位(SE、T
E)は、発光層140の有機化合物141_1(すなわち、燐光材料のホスト材料)の励
起エネルギー準位(SPH、TPH)よりも低いので、励起錯体から有機化合物141_
1へのエネルギーの拡散も生じない。すなわち、燐光発光層(発光層140)内において
、励起錯体の励起子拡散距離は短いため、燐光発光層(発光層140)の効率を保つこと
が可能となる。また、蛍光発光層(発光層120)と燐光発光層(発光層140)の界面
において、燐光発光層(発光層140)の励起錯体の三重項励起エネルギーの一部が、蛍
光発光層(発光層120)に拡散したとしても、その拡散によって生じた蛍光発光層(発
光層120)の三重項励起エネルギーは、TTAを通じて発光に変換されるため、エネル
ギー損失を低減することが可能となる。
20にTTAを利用することで、エネルギー損失が低減されるため、高い発光効率の発光
素子とすることができる。また、発光素子252に示すように、発光層120と、発光層
140とが互いに接する構成とする場合、上記エネルギー損失が低減されるとともに、E
L層110の層数を低減させることができる。したがって、製造コストの少ない発光素子
とすることができる。
場合、発光層140中で生成する、有機化合物141_1、有機化合物141_2、また
はゲスト材料142(燐光材料)の励起状態から発光層120中のホスト材料121、ま
たはゲスト材料122(蛍光材料)へのデクスター機構によるエネルギー移動(特に三重
項エネルギー移動)を防ぐことができる。したがって、発光層120と発光層140との
間に設ける層は数nm程度の厚さがあればよい。具体的には、1nm以上5nm以下であ
ると、駆動電圧の上昇を抑制することができ好適である。
、正孔輸送性材料と電子輸送性材料の両方が含まれていても良い。単一の材料で構成する
場合、バイポーラー性材料を用いても良い。ここでバイポーラー性材料とは、電子と正孔
の移動度の比が100以下である材料を指す。また、正孔輸送性材料または電子輸送性材
料などを使用しても良い。もしくは、そのうちの少なくとも一つは、発光層140のホス
ト材料(有機化合物141_1または有機化合物141_2)と同一の材料で形成しても
良い。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。さらに
、正孔輸送性材料と電子輸送性材料とで励起錯体を形成しても良く、これによって励起子
の拡散を効果的に防ぐことができる。具体的には、発光層140のホスト材料(有機化合
物141_1または有機化合物141_2)あるいはゲスト材料142(燐光材料)の励
起状態から、発光層120のホスト材料121あるいはゲスト材料122(蛍光材料)へ
のエネルギー移動を防ぐことができる。
が電子輸送層113側として説明したが、本発明の一態様の発光素子としては、これに限
定されず、発光層120が電子輸送層113側、発光層140が正孔輸送層112側であ
っても構わない。
ることが好ましい。このため、発光層120または発光層140において、適度なキャリ
アトラップ性があることが好ましく、発光層140が有するゲスト材料142(燐光材料
)が電子トラップ性を有していることが好ましい。または、発光層120が有するゲスト
材料122(蛍光材料)が正孔トラップ性を有していることが好ましい。
ークを有する構成とすることが好ましい。短波長の発光を呈する燐光材料を用いた発光素
子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長の発光を蛍光発光とすることによって、
輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
発光の素子とすることができる。この場合、発光スペクトルは異なる発光ピークを有する
発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる
。
との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。
複数の発光材料を用いることによって、三原色や、4色以上の発光色からなる演色性の高
い白色発光を得ることもできる。この場合、発光層を層状にさらに分割し、当該分割した
層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。
次に、発光層120、及び発光層140に用いることのできる材料について、以下説明
する。
発光層120中では、ホスト材料121が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料122
(蛍光材料)は、ホスト材料121中に分散される。ホスト材料121のS1準位は、ゲ
スト材料122(蛍光材料)のS1準位よりも高く、ホスト材料121のT1準位は、ゲ
スト材料122(蛍光材料)のT1準位よりも低いことが好ましい。
ることが好ましい。そうすることで、発光効率の高い発光素子を作製することができる。
誘導体、テトラセン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペ
リレン誘導体、スチルベン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノキサジン
誘導体、フェノチアジン誘導体などが好ましい。例えば、先の実施の形態3で例示した材
料を用いることができる。
の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層120とする場合、第1
の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料
として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
も良く、複数の化合物から構成されていても良い。あるいは、発光層120において、ホ
スト材料121およびゲスト材料122以外の材料を有していても良い。
発光層140中では、ホスト材料141が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料142
(燐光材料)は、ホスト材料141中に分散される。発光層140のホスト材料141(
有機化合物141_1及び有機化合物141_2)のT1準位は、ゲスト材料142のT
1準位よりも高いことが好ましい。
ル誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベ
ンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジ
ン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘
導体などが挙げられる。他の例としては、芳香族アミンやカルバゾール誘導体などが挙げ
られる。具体的には、実施の形態3で示した電子輸送性材料および正孔輸送性材料を用い
ることができる。
わせが好ましい。具体的には、実施の形態3で示した電子輸送性材料および正孔輸送性材
料を用いることができる。この場合、有機化合物141_1と有機化合物141_2とで
形成される励起錯体の発光ピークが、ゲスト材料142(燐光材料)の三重項MLCT(
Metal to Ligand Charge Transfer)遷移の吸収帯、よ
り具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように、有機化合物141_1、有機化合
物141_2、およびゲスト材料142(燐光材料)を選択することが好ましい。これに
より、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光材料に替
えて熱活性化遅延蛍光材料を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯は一重項の吸
収帯であることが好ましい。
金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム
系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては4H−トリアゾール
配位子、1H−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン
配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体とし
ては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
−(2−メチルフェニル)−4−(2,6−ジメチルフェニル)−4H−1,2,4−ト
リアゾール−3−イル−κN2]フェニル−κC}イリジウム(III)(略称:Ir(
mpptz−dmp)3)、トリス(5−メチル−3,4−ジフェニル−4H−1,2,
4−トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:Ir(Mptz)3)、トリス[4−
(3−ビフェニル)−5−イソプロピル−3−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾラ
ト]イリジウム(III)(略称:Ir(iPrptz−3b)3)、トリス[3−(5
−ビフェニル)−5−イソプロピル−4−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾラト]
イリジウム(III)(略称:Ir(iPr5btz)3)、のような4H−トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス[3−メチル−1−(2−メチルフェ
ニル)−5−フェニル−1H−1,2,4−トリアゾラト]イリジウム(III)(略称
:Ir(Mptz1−mp)3)、トリス(1−メチル−5−フェニル−3−プロピル−
1H−1,2,4−トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:Ir(Prptz1−
Me)3)のような1H−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、fac
−トリス[1−(2,6−ジイソプロピルフェニル)−2−フェニル−1H−イミダゾー
ル]イリジウム(III)(略称:Ir(iPrpmi)3)、トリス[3−(2,6−
ジメチルフェニル)−7−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナントリジナト]イリジウ
ム(III)(略称:Ir(dmpimpt−Me)3)のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジ
ナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称
:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’
]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5’
−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III
)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6’
−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセト
ナート(略称:FIr(acac))のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導
体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。
−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppm)3)、トリス
(4−t−ブチル−6−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(t
Buppm)3)、(アセチルアセトナト)ビス(6−メチル−4−フェニルピリミジナ
ト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppm)2(acac))、(アセチルアセ
トナト)ビス(6−tert−ブチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III
)(略称:Ir(tBuppm)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[4−
(2−ノルボルニル)−6−フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(略称:Ir
(nbppm)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[5−メチル−6−(2
−メチルフェニル)−4−フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(
mpmppm)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス{4,6−ジメチル−2
−[6−(2,6−ジメチルフェニル)−4−ピリミジニル−κN3]フェニル−κC}
イリジウム(III)(略称:Ir(dmppm−dmp)2(acac))、(アセチ
ルアセトナト)ビス(4,6−ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:
Ir(dppm)2(acac))のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体や、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イ
リジウム(III)(略称:Ir(mppr−Me)2(acac))、(アセチルアセ
トナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(
III)(略称:Ir(mppr−iPr)2(acac))のようなピラジン骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジ
ウム(III)(略称:Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2
’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac)
)、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称
:Ir(bzq)2(acac))、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(I
II)(略称:Ir(bzq)3)、トリス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イ
リジウム(III)(略称:Ir(pq)3)、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C
2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pq)2(acac)
)のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス(2,4−ジフェニル
−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略
称:Ir(dpo)2(acac))、ビス{2−[4’−(パーフルオロフェニル)フ
ェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:
Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,
C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt)2(acac
))など有機金属イリジウム錯体の他、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナント
ロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))のような希土
類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
メタナト)ビス[4,6−ビス(3−メチルフェニル)ピリミジナト]イリジウム(II
I)(略称:Ir(5mdppm)2(dibm))、ビス[4,6−ビス(3−メチル
フェニル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:Ir
(5mdppm)2(dpm))、ビス[4,6−ジ(ナフタレン−1−イル)ピリミジ
ナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:Ir(d1npm)2(
dpm))のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、(アセチルアセ
トナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:I
r(tppr)2(acac))、ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)(ジピ
バロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)2(dpm))、(
アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イ
リジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))のようなピラジン骨格を
有する有機金属イリジウム錯体や、トリス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)
イリジウム(III)(略称:Ir(piq)3)、ビス(1−フェニルイソキノリナト
−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(
acac))のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、2,3,7,
8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II
)(略称:PtOEP)のような白金錯体や、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プ
ロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DB
M)3(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセ
トナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(
Phen))のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を
有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ま
しい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得
られる。
換できる材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、
燐光材料の他に、熱活性化遅延蛍光材料が挙げられる。したがって、燐光材料と記載した
部分に関しては、熱活性化遅延蛍光材料と読み替えても構わない。なお、熱活性化遅延蛍
光材料は、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位のエネルギー差が小さ
く、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換することが
できる機能を有する材料である。そのため、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによ
って一重項励起状態に逆項間交差が可能で、一重項励起状態からの発光(蛍光)を効率よ
く呈することができる。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重
項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が、好ましくは0eV
より大きく0.2eV以下、さらに好ましくは0eVより大きく0.1eV以下であるこ
とが挙げられる。
ーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。ま
た、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、スズ(Sn)、白金(
Pt)、インジウム(In)、もしくはパラジウム(Pd)等を含む金属含有ポルフィリ
ンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ
化スズ錯体(略称:SnF2(Proto IX))、メソポルフィリン−フッ化スズ錯
体(略称:SnF2(Meso IX))、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体(略称
:SnF2(Hemato IX))、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ
化スズ錯体(略称:SnF2(Copro III−4Me))、オクタエチルポルフィ
リン−フッ化スズ錯体(略称:SnF2(OEP))、エチオポルフィリン−フッ化スズ
錯体(略称:SnF2(Etio I))、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体(
略称:PtCl2OEP)等が挙げられる。
香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。具体的に
は、2−(ビフェニル−4−イル)−4,6−ビス(12−フェニルインドロ[2,3−
a]カルバゾール−11−イル)−1,3,5−トリアジン(略称:PIC−TRZ)、
2−{4−[3−(N−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)−9H−カルバゾー
ル−9−イル]フェニル}−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(略称:PC
CzPTzn)、2−[4−(10H−フェノキサジン−10−イル)フェニル]−4,
6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(略称:PXZ−TRZ)、3−[4−(5−
フェニル−5,10−ジヒドロフェナジン−10−イル)フェニル]−4,5−ジフェニ
ル−1,2,4−トリアゾール(略称:PPZ−3TPT)、3−(9,9−ジメチル−
9H−アクリジン−10−イル)−9H−キサンテン−9−オン(略称:ACRXTN)
、ビス[4−(9,9−ジメチル−9,10−ジヒドロアクリジン)フェニル]スルホン
(略称:DMAC−DPS)、10−フェニル−10H,10’H−スピロ[アクリジン
−9,9’−アントラセン]−10’−オン(略称:ACRSA)等が挙げられる。該複
素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子
輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型
複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型
複素芳香環のアクセプター性が共に強く、一重項励起状態の準位と三重項励起状態の準位
の差が小さくなるため、特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シア
ノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。
れぞれ同じでも異なっていても良い。各々から得られる発光が混合されて素子外へ取り出
されるので、例えば両者の発光色が互いに補色の関係にある場合、発光素子は白色の光を
与えることができる。発光素子の信頼性を考慮すると、発光層120に含まれる発光材料
の発光ピーク波長は発光層140に含まれる発光材料のそれよりも短いことが好ましい。
真空蒸着法を含む)、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成すること
ができる。
いることができる。
本実施の形態では、実施の形態3及び実施の形態4に示す構成と異なる構成の発光素子
の例について、図5乃至図8を用いて以下に説明する。
図5(A)(B)は、本発明の一態様の発光素子を示す断面図である。なお、図5(A
)(B)において、図2(A)に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチ
パターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の
符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
を取り出す下面射出(ボトムエミッション)型の発光素子であってもよく、基板200と
反対方向に光を取り出す上面射出(トップエミッション)型の発光素子であってもよい。
なお、本発明の一態様はこれに限定されず、発光素子が呈する光を基板200の上方およ
び下方の双方に取り出す両面射出(デュアルエミッション)型の発光素子であっても良い
。
01は、光を透過する機能を有することが好ましい。また、電極102は、光を反射する
機能を有することが好ましい。あるいは、発光素子260a及び発光素子260bが、ト
ップエミッション型である場合、電極101は、光を反射する機能を有することが好まし
い。また、電極102は、光を透過する機能を有することが好ましい。
とを有する。また、電極101と電極102との間に、発光層123Bと、発光層123
Gと、発光層123Rと、を有する。また、正孔注入層111と、正孔輸送層112と、
電子輸送層113と、電子注入層114と、を有する。
層101a上の導電層101bと、導電層101a下の導電層101cとを有する。すな
わち、発光素子260bは、導電層101aが、導電層101bと、導電層101cとで
挟持された電極101の構成を有する。
成されてもよく、同じ材料で形成されても良い。導電層101bと導電層101cとが、
同じ導電性材料で形成される場合、電極101の形成過程におけるエッチング工程による
パターン形成が容易になるため好ましい。
ずれか一方のみを有する構成としてもよい。
の形態3で示した電極101または電極102と同様の構成および材料を用いることがで
きる。
領域221G、及び領域221R、の間に隔壁145を有する。隔壁145は、絶縁性を
有する。隔壁145は、電極101の端部を覆い、該電極と重畳する開口部を有する。隔
壁145を設けることによって、各領域の基板200上の電極101を、それぞれ島状に
分離することが可能となる。
互いに重なる領域を有していてもよい。あるいは、発光層123Gと、発光層123Rと
は、隔壁145と重畳する領域において、互いに重なる領域を有していてもよい。あるい
は、発光層123Rと、発光層123Bとは、隔壁145と重畳する領域において、互い
に重なる領域を有していてもよい。
る。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例
えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
指し、好ましくは酸素が55原子%以上65原子%以下、窒素が1原子%以上20原子%
以下、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が0.1原子%以上10原子%以
下の範囲で含まれるものをいう。窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも
窒素の含有量が多い膜を指し、好ましくは窒素が55原子%以上65原子%以下、酸素が
1原子%以上20原子%以下、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が0.1
原子%以上10原子%以下の濃度範囲で含まれるものをいう。
る機能を有する発光材料を有することが好ましい。例えば、発光層123Rが赤色を呈す
る機能を有する発光材料を有することで、領域221Rは赤色の発光を呈し、発光層12
3Gが緑色を呈する機能を有する発光材料を有することで、領域221Gは緑色の発光を
呈し、発光層123Bが青色を呈する機能を有する発光材料を有することで、領域221
Bは青色の発光を呈する。このような構成を有する発光素子260aまたは発光素子26
0bを、表示装置の画素に用いることで、フルカラー表示が可能な表示装置を作製するこ
とができる。また、それぞれの発光層の膜厚は、同じであっても良いし、異なっていても
良い。
の発光層は、実施の形態3で示した発光層120の構成を有することが好ましい。そうす
ることで、発光効率の良好な発光素子を作製することができる。
の発光層は、2層以上が積層された構成としても良い。
該発光層を有する発光素子260aまたは発光素子260bを、表示装置の画素に用いる
ことで、発光効率の高い表示装置を作製することができる。すなわち、発光素子260a
または発光素子260bを有する表示装置は、消費電力を低減することができる。
偏光板、反射防止膜等)を設けることで、発光素子260a及び発光素子260bの色純
度を向上させることができる。そのため、発光素子260aまたは発光素子260bを有
する表示装置の色純度を高めることができる。あるいは、発光素子260a及び発光素子
260bの外光反射を低減することができる。そのため、発光素子260aまたは発光素
子260bを有する表示装置のコントラスト比を高めることができる。
態3、及び実施の形態4における発光素子の構成を参酌すればよい。
次に、図5(A)(B)に示す発光素子と異なる構成例について、図6(A)(B)を
用いて、以下説明を行う。
)(B)において、図5(A)(B)に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様の
ハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、
同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
(A)に示す発光素子262aは、基板200と反対の方向に光を取り出す上面射出(ト
ップエミッション)型の発光素子、図6(B)に示す発光素子262bは、基板200側
に光を取り出す下面射出(ボトムエミッション)型の発光素子である。ただし、本発明の
一態様はこれに限定されず、発光素子が呈する光を発光素子が形成される基板200の上
方および下方の双方に取り出す両面射出(デュアルエミッション)型であっても良い。
と、電極103と、電極104とを有する。また、電極101と電極102との間、及び
電極102と電極103との間、及び電極102と電極104との間に、少なくとも発光
層170と、発光層190と、電荷発生層115とを有する。また、正孔注入層111と
、正孔輸送層112と、電子輸送層113と、電子注入層114と、正孔注入層116と
、正孔輸送層117と、電子輸送層118と、電子注入層119と、を有する。
、を有する。また、電極103は、導電層103aと、導電層103a上に接する導電層
103bと、を有する。電極104は、導電層104aと、導電層104a上に接する導
電層104bと、を有する。
101と電極102とで挟持された領域222B、電極102と電極103とで挟持され
た領域222G、及び電極102と電極104とで挟持された領域222R、の間に、隔
壁145を有する。隔壁145は、絶縁性を有する。隔壁145は、電極101、電極1
03、及び電極104の端部を覆い、該電極と重畳する開口部を有する。隔壁145を設
けることによって、各領域の基板200上の該電極を、それぞれ島状に分離することが可
能となる。
加された材料、または電子輸送性材料に電子供与体(ドナー)が添加された材料により、
形成することができる。なお、電荷発生層115の導電率が一対の電極と同程度に高い場
合、電荷発生層115によって発生したキャリアが、隣接する画素に流れて、隣接する画
素が発光してしまう場合がある。したがって、隣接する画素が不正に発光することを抑制
するためには、電荷発生層115は、一対の電極よりも導電率が低い材料で形成されると
好ましい。
領域222Rから呈される光が取り出される方向に、それぞれ光学素子224B、光学素
子224G、及び光学素子224Rを有する基板220を有する。各領域から呈される光
は、各光学素子を介して発光素子外部に射出される。すなわち、領域222Bから呈され
る光は、光学素子224Bを介して射出され、領域222Gから呈される光は、光学素子
224Gを介して射出され、領域222Rから呈される光は、光学素子224Rを介して
射出される。
から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。例えば、光学素子224Bを
介して射出される領域222Bから呈される光は、青色を呈する光となり、光学素子22
4Gを介して射出される領域222Gから呈される光は、緑色を呈する光となり、光学素
子224Rを介して射出される領域222Rから呈される光は、赤色を呈する光となる。
カラーフィルタともいう)、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。ま
た、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当
該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット
を用いる素子であると好適である。量子ドットを用いることにより、表示装置の色再現性
を高めることができる。
を一または複数、重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏光板や反射防
止膜などを設けることができる。円偏光板を、表示装置の発光素子が発する光が取り出さ
れる側に設けると、表示装置の外部から入射した光が、表示装置の内部で反射されて、外
部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、表示装置の表面
で反射される外光を弱めることができる。これにより、表示装置が発する発光を、鮮明に
観察できる。
色(B)を呈する光、緑色(G)を呈する光、赤色(R)を呈する光、として、それぞれ
破線の矢印で模式的に図示している。
ら発せられる光を遮光する機能を有する。なお、遮光層223を設けない構成としても良
い。
しては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層223と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
いて、互いに重なる領域を有していても良い。あるいは、光学素子224Gと、光学素子
224Rとは、遮光層223と重畳する領域において、互いに重なる領域を有していても
良い。あるいは、光学素子224Rと、光学素子224Bとは、遮光層223と重畳する
領域において、互いに重なる領域を有していても良い。
参酌すればよい。
。
発光層170、及び発光層190から射出される光は、一対の電極(例えば、電極10
1と電極102)の間で共振される。また、発光層170及び発光層190は、射出され
る光のうち所望の波長の光が強まる位置に形成される。例えば、電極101の反射領域か
ら発光層170の発光領域までの光学距離と、電極102の反射領域から発光層170の
発光領域までの光学距離と、を調整することにより、発光層170から射出される光のう
ち所望の波長の光を強めることができる。また、電極101の反射領域から発光層190
の発光領域までの光学距離と、電極102の反射領域から発光層190の発光領域までの
光学距離と、を調整することにより、発光層190から射出される光のうち所望の波長の
光を強めることができる。すなわち、複数の発光層(ここでは、発光層170及び発光層
190)を積層する発光素子の場合、発光層170及び発光層190のそれぞれの光学距
離を最適化することが好ましい。
01b、導電層103b、及び導電層104b)の厚さを調整することで、発光層170
及び発光層190から呈される光のうち所望の波長の光を強めることができる。なお、各
領域で正孔注入層111及び正孔輸送層112のうち少なくとも一つ、あるいは電子注入
層119及び電子輸送層118のうち少なくとも一つ、の厚さを異ならせることで、発光
層170及び発光層190から呈される光を強めても良い。
屈折率が、発光層170または発光層190の屈折率よりも小さい場合においては、電極
101が有する導電層101bの膜厚を、電極101と電極102との間の光学距離がm
BλB/2(mBは自然数、λBは領域222Bで強める光の波長を、それぞれ表す)と
なるよう調整する。同様に、電極103が有する導電層103bの膜厚を、電極103と
電極102との間の光学距離がmGλG/2(mGは自然数、λGは領域222Gで強め
る光の波長を、それぞれ表す)となるよう調整する。さらに、電極104が有する導電層
104bの膜厚を、電極104と電極102との間の光学距離がmRλR/2(mRは自
然数、λRは領域222Rで強める光の波長を、それぞれ表す)となるよう調整する。
101乃至電極104の任意の領域を反射領域と仮定することで、発光層170または発
光層190から射出される光を強める光学距離を導出してもよい。また、発光層170お
よび発光層190の発光領域を厳密に決定することは困難な場合、発光層170および発
光層190の任意の領域を発光領域と仮定することで、発光層170および発光層190
から射出される光を強める光学距離を導出してもよい。
整することで、各電極近傍における光の散乱および光の吸収を抑制し、高い光取り出し効
率を実現することができる。
を透過する機能を有することが好ましい。また、導電層101b、導電層103b、導電
層104b、を構成する材料は、互いに同じであっても良いし、異なっていても良い。導
電層101b、導電層103b、及び導電層104bに同じ材料を用いる場合、電極10
1、電極103、電極104の形成過程におけるエッチング工程によるパターン形成が容
易になるため好ましい。また、導電層101b、導電層103b、導電層104bは、そ
れぞれ2層以上の層が積層された構成であっても良い。
層101a、導電層103a、及び導電層104aは、光を反射する機能を有することが
好ましい。また、電極102は、光を透過する機能と、光を反射する機能とを有すること
が好ましい。
層101a、導電層103a、導電層104aは、光を透過する機能と、光を反射する機
能と、を有することが好ましい。また、電極102は、光を反射する機能を有することが
好ましい。
3a、または導電層104a、に同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い
。導電層101a、導電層103a、導電層104a、に同じ材料を用いる場合、発光素
子262a及び発光素子262bの製造コストを低減できる。なお、導電層101a、導
電層103a、導電層104aは、それぞれ2層以上の層が積層された構成であっても良
い。
の少なくとも一方には、実施の形態3及び実施の形態4で示した構成のうち少なくとも一
を有することが好ましい。そうすることで、高い発光効率を示す発光素子を作製すること
ができる。
ように、一方または双方で2層が積層された構成としてもよい。2層の発光層に、第1の
化合物及び第2の化合物という、異なる色を呈する機能を有する2種類の発光材料をそれ
ぞれ用いることで、複数の発光を同時に得ることができる。特に発光層170と、発光層
190と、が呈する発光により、白色となるよう、各発光層に用いる発光材料を選択する
と好ましい。
成としても良く、発光材料を有さない層が含まれていても良い。
有する発光素子262aまたは発光素子262bを、表示装置の画素に用いることで、発
光効率の高い表示装置を作製することができる。すなわち、発光素子262aまたは発光
素子262bを有する表示装置は、消費電力を低減することができる。
260aまたは発光素子260b、あるいは実施の形態3、及び実施の形態4で示した発
光素子の構成を参酌すればよい。
次に、本発明の一態様の発光素子の作製方法について、図7及び図8を用いて以下説明
を行う。なお、ここでは、図6(A)に示す発光素子262aの作製方法について説明す
る。
。
る。
第1のステップは、発光素子の電極(具体的には、電極101を構成する導電層101
a、電極103を構成する導電層103a、及び電極104を構成する導電層104a)
を、基板200上に形成する工程である(図7(A)参照)。
、該導電層を所望の形状に加工することで、導電層101a、導電層103a、及び導電
層104aを形成する。上記光を反射する機能を有する導電層としては、銀とパラジウム
と銅の合金膜(Ag−Pd−Cu膜、またはAPCともいう)を用いる。このように、導
電層101a、導電層103a、及び導電層104aを、同一の導電層を加工する工程を
経て形成することで、製造コストを安くすることができるため好適である。
また、該複数のトランジスタと、導電層101a、導電層103a、及び導電層104a
とを、それぞれ電気的に接続させてもよい。
第2のステップは、電極101を構成する導電層101a上に光を透過する機能を有す
る導電層101bを、電極103を構成する導電層103a上に光を透過する機能を有す
る導電層103bを、電極104を構成する導電層104a上に光を透過する機能を有す
る導電層104bを、形成する工程である(図7(B)参照)
104a、の上にそれぞれ、光を透過する機能を有する導電層101b、103b、及び
104bを形成することで、電極101、電極103、及び電極104を形成する。上記
の導電層101b、103b、及び104bとしては、ITSO膜を用いる。
に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各領域で適したマイクロキャ
ビティ構造となる膜厚で、導電層101b、103b、及び104bを形成することがで
きる。
第3のステップは、発光素子の各電極の端部を覆う隔壁145を形成する工程である(
図7(C)参照)。
が発光素子の陽極として機能する。本実施の形態では、隔壁145として、ポリイミド樹
脂を用いる。
おそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態で
は、スパッタリング法を用いて反射性の導電層を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導
電層にパターンを形成し、その後ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用い
て、該導電層を島状に加工することで、電極101を構成する導電層101a、電極10
3を構成する導電層103a、及び電極104を構成する導電層104a、を形成する。
その後、スパッタリング法を用いて透明性を有する導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用
いて、該透明性を有する導電膜にパターンを形成し、その後ウエットエッチング法を用い
て、該透明導電膜を島状に加工して、電極101、電極103、及び電極104を形成す
る。
第4のステップは、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層190、電子輸送層
113、電子注入層114、及び電荷発生層115を形成する工程である(図8(A)参
照)。
着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異
なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層112としては、正孔
輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈するゲスト材料を蒸着することで形
成することができる。ゲスト材料としては、蛍光または燐光を呈する発光性の有機材料を
用いることができる。また、実施の形態3及び実施の形態4で示した発光層の構成を用い
ることが好ましい。また、発光層190として、2層の構成としてもよい。その場合、2
層の発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を呈する発光材料を有することが好ましい。
きる。また、電子注入層114としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
た材料、または電子輸送性材料に電子供与体(ドナー)が添加された材料を蒸着すること
で形成することができる。
第5のステップは、正孔注入層116、正孔輸送層117、発光層170、電子輸送層
118、電子注入層119、及び電極102を形成する工程である(図8(B)参照)。
より形成することができる。また、正孔輸送層117としては、先に示す正孔輸送層11
2と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈するゲスト材料を蒸着することで形
成することができる。ゲスト材料としては、蛍光または燐光を呈する発光性の有機化合物
を用いることができる。また、実施の形態3及び実施の形態4で示した発光層の構成を用
いることが好ましい。なお、発光層170及び発光層190の少なくとも一方が、実施の
形態1で示したジベンゾカルバゾール化合物を有する構成であると好ましい。また、発光
層170及び発光層190は、互いに異なる発光を呈する機能を有する発光性の有機化合
物を有すると好ましい。
より形成することができる。また、電子注入層119としては、先に示す電子注入層11
4と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
で形成することができる。また、電極102としては、単層構造、または積層構造として
もよい。
B、領域222G、及び領域222Rを有する発光素子が基板200上に形成される。
第6のステップは、基板220上に遮光層223、光学素子224B、光学素子224
G、及び光学素子224Rを形成する工程である(図8(C)参照)。
板220及び遮光層223上に、光学素子224B、光学素子224G、及び光学素子2
24Rを形成する。光学素子224Bとしては、青色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に
形成する。また、光学素子224Gとしては、緑色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形
成する。また、光学素子224Rとしては、赤色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成
する。
第7のステップは、基板200上に形成された発光素子と、基板220上に形成された
遮光層223、光学素子224B、光学素子224G、及び光学素子224Rと、を貼り
合わせ、シール材を用いて封止する工程である(図示しない)。
いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1に記載のジベンゾカルバゾール化合物を有機半導体素
子の一種である縦型トランジスタ(静電誘導トランジスタ:SIT)の活性層として用い
る形態を例示する。
化合物を含む薄膜状の活性層330をソース電極301およびドレイン電極302で挟み
、ゲート電極303が活性層330に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極303は、
ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極301およびド
レイン電極302は、ソース電極−ドレイン電極間の電圧を制御するための手段に電気的
に接続されている。
ス電極−ドレイン電極間に電圧を印加すると、電流が流れる(ON状態となる)。そして
、その状態でゲート電極303に電圧を印加するとゲート電極303周辺に空乏層が発生
し、電流が流れなくなる(OFF状態となる)。以上の機構により、有機半導体素子30
0はトランジスタとして動作する。
えた材料が活性層に求められるが、実施の形態1に記載のジベンゾカルバゾール化合物は
その条件を十分に満たしており、好適に用いることができる。
いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図10乃至図18を用いて説
明する。
図10(A)は表示装置600を示す上面図、図10(B)は図10(A)の一点鎖線
A−B、及び一点鎖線C−Dで切断した断面図である。表示装置600は、駆動回路部(
信号線駆動回路部601、及び走査線駆動回路部603)、並びに画素部602を有する
。なお、信号線駆動回路部601、走査線駆動回路部603、及び画素部602は、発光
素子の発光を制御する機能を有する。
シール材605で囲まれた領域607と、引き回し配線608と、FPC609と、を有
する。
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC609からビデ
オ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFP
C609しか図示されていないが、FPC609にはプリント配線基板(PWB:Pri
nted Wiring Board)が取り付けられていても良い。
のトランジスタ624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。なお、信号線駆動回
路部601または走査線駆動回路部603は、種々のCMOS回路、PMOS回路、また
はNMOS回路を用いることが出来る。また、本実施の形態では、駆動回路部を形成した
ドライバと画素とを同一の表面上に設けた表示装置を示すが、必ずしもその必要はなく、
駆動回路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
ジスタ612と、電流制御用のトランジスタ612のドレインに電気的に接続された下部
電極613と、を有する。なお、下部電極613の端部を覆って隔壁614が形成されて
いる。隔壁614としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
が形成されるようにする。例えば、隔壁614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用
いた場合、隔壁614の上端部のみに曲率半径(0.2μm以上3μm以下)を有する曲
面を持たせることが好ましい。また、隔壁614として、ネガ型の感光性樹脂、またはポ
ジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの
極性についても特に限定はなく、Nチャネル型およびPチャネル型のトランジスタを有す
る構造、及びNチャネル型のトランジスタまたはPチャネル型のトランジスタのいずれか
一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶
性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることが
できる。また、半導体材料としては、14族(ケイ素等)半導体、化合物半導体(酸化物
半導体を含む)、有機半導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、
エネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、さらに好ましくは3eV
以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるた
め好ましい。該酸化物半導体としては、In−Ga酸化物、In−M−Zn酸化物(Mは
、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr
)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、錫(Sn)、ハフニウム(Hf)、またはネ
オジム(Nd)を表す)等が挙げられる。
る。なお、下部電極613は、陽極として機能し、上部電極617は、陰極として機能す
る。
法等の種々の方法によって形成される。また、EL層616を構成する材料としては、低
分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっても良い。
形成される。発光素子618は、実施の形態3乃至実施の形態5の構成を有する発光素子
であると好ましい。なお、画素部に複数の発光素子が形成される場合、実施の形態3乃至
実施の形態5に記載の発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれてい
ても良い。
素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた領域607に発光素
子618が備えられた構造になっている。なお、領域607には、充填材が充填されてお
り、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605に用いるこ
とができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、PVC(
ポリビニルクロライド)系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、
シリコーン系樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)系樹脂、またはEVA(エチレンビニ
ルアセテート)系樹脂を用いることができる。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥剤
を設けると水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
に設けられる。また、封止基板604の下方には、遮光層622が設けられる。光学素子
621及び遮光層622としては、それぞれ、実施の形態5に示す光学素子、及び遮光層
と同様の構成とすればよい。
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しにくい材料であることが望ましい。ま
た、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber
Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリ
エステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
する表示装置を得ることができる。
次に、表示装置の別の一例について、図11(A)(B)及び図12を用いて説明を行
う。なお、図11(A)(B)及び図12は、本発明の一態様の表示装置の断面図である
。
電極1006、1007、1008、第1の層間絶縁膜1020、第2の層間絶縁膜10
21、周辺部1042、画素部1040、駆動回路部1041、発光素子の下部電極10
24R、1024G、1024B、隔壁1025、EL層1028、発光素子の上部電極
1026、封止層1029、封止基板1031、シール材1032などが図示されている
。
緑色の着色層1034G、及び青色の着色層1034B)を透明な基材1033に設けて
いる。また、遮光層1035をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明
な基材1033は、位置合わせし、基板1001に固定する。なお、着色層、及び遮光層
は、オーバーコート層1036で覆われている。また、図11(A)においては、着色層
を透過する光は赤、緑、青となることから、3色の画素で映像を表現することができる。
着色層1034G、青色の着色層1034B)をゲート絶縁膜1003と第1の層間絶縁
膜1020との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板1001と封止
基板1031の間に設けられていても良い。
1034G、青色の着色層1034B)を第1の層間絶縁膜1020と第2の層間絶縁膜
1021との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板1001と封止基
板1031の間に設けられていても良い。
光を取り出す構造(ボトムエミッション型)の表示装置としたが、封止基板1031側に
発光を取り出す構造(トップエミッション型)の表示装置としても良い。
トップエミッション型の表示装置の断面図の一例を図13(A)(B)に示す。図13
(A)(B)は、本発明の一態様の表示装置を説明する断面図であり、図11(A)(B
)及び図12に示す駆動回路部1041、周辺部1042等を省略して例示している。
光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の表示装置
と同様に形成する。その後、電極1022を覆うように、第3の層間絶縁膜1037を形
成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第3の層間絶縁膜1037は第
2の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成することができる。
極であっても構わない。また、図13(A)(B)のようなトップエミッション型の表示
装置である場合、下部電極1024R、1024G、1024Bは光を反射する機能を有
することが好ましい。また、EL層1028上に上部電極1026が設けられる。上部電
極1026は光を反射する機能と、光を透過する機能を有し、下部電極1024R、10
24G、1024Bと、上部電極1026との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、
特定波長における光強度を増加させると好ましい。
R、緑色の着色層1034G、及び青色の着色層1034B)を設けた封止基板1031
で封止を行うことができる。封止基板1031には画素と画素との間に位置するように遮
光層1035を設けても良い。なお、封止基板1031は透光性を有する基板を用いると
好適である。
層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図13(B)に示すように
、緑色の着色層を設けずに、赤色の着色層1034R、及び青色の着色層1034Bを設
けて、赤、緑、青の3色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図13(A)に示す
ように、発光素子と、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を
抑制できるといった効果を奏する。一方で、図13(B)に示すように、発光素子に、緑
色の着色層を設けずに、赤色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合、緑色
の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くできるとい
った効果を奏する。
以上に示す表示装置は、3色(赤色、緑色、青色)の副画素を有する構成を示したが、
4色(赤色、緑色、青色、黄色、あるいは赤色、緑色、青色、白色)の副画素を有する構
成としてもよい。図14乃至図16は、下部電極1024R、1024G、1024B、
及び1024Yを有する表示装置の構成である。図14(A)(B)及び図15は、トラ
ンジスタが形成されている基板1001側に光を取り出す構造(ボトムエミッション型)
の表示装置であり、図16(A)(B)は、封止基板1031側に発光を取り出す構造(
トップエミッション型)の表示装置である。
、着色層1034Y)を透明な基材1033に設ける表示装置の例である。また、図14
(B)は、光学素子(着色層1034R、着色層1034G、着色層1034B)をゲー
ト絶縁膜1003と第1の層間絶縁膜1020との間に形成する表示装置の例である。ま
た、図15は、光学素子(着色層1034R、着色層1034G、着色層1034B、着
色層1034Y)を第1の層間絶縁膜1020と第2の層間絶縁膜1021との間に形成
する表示装置の例である。
1034Bは青色の光を透過する機能を有する。また、着色層1034Yは黄色の光を透
過する機能、あるいは青色、緑色、黄色、赤色の中から選ばれる複数の光を透過する機能
を有する。着色層1034Yが青色、緑色、黄色、赤色の中から選ばれる複数の光を透過
する機能を有するとき、着色層1034Yを透過した光は白色であってもよい。黄色ある
いは白色の発光を呈する発光素子は発光効率が高いため、着色層1034Yを有する表示
装置は、消費電力を低減することができる。
を有する発光素子においても、図13(A)の表示装置と同様に、上部電極1026との
間で、マイクロキャビティ構造を有する構成が好ましい。また、図16(A)の表示装置
では、着色層(赤色の着色層1034R、緑色の着色層1034G、青色の着色層103
4B、及び黄色の着色層1034Y)を設けた封止基板1031で封止を行うことができ
る。
域に発光スペクトルを有する発光となる。黄色は視感度が高い色であるため、黄色の発光
を呈する発光素子は発光効率が高い。すなわち、図16(A)の構成を有する表示装置は
、消費電力を低減することができる。
層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図16(B)に示すように
、黄色の着色層を設けずに、赤色の着色層1034R、緑色の着色層1034G、及び青
色の着色層1034Bを設けて、赤、緑、青、黄の4色、または赤、緑、青、白の4色で
フルカラー表示を行う構成としてもよい。図16(A)に示すように、発光素子と、該発
光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できるといった効果を
奏する。一方で、図16(B)に示すように、発光素子に 、黄色の着色層を設けずに、
赤色の着色層、緑色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合、黄色または白
色の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くできると
いった効果を奏する。
次に、本発明の他の一態様の表示装置について、図17に示す。図17は、図10(A
)の一点鎖線A−B、及び一点鎖線C−Dで切断した断面図である。なお、図17におい
て、図10(B)に示す符号と同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細
な説明は省略する。
5で囲まれた領域607に、封止層607a、封止層607b、封止層607cを有する
。封止層607a、封止層607b、封止層607cのいずれか一つまたは複数には、例
えば、PVC(ポリビニルクロライド)系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)系樹脂、またはEVA
(エチレンビニルアセテート)系樹脂等の樹脂を用いることができる。また、酸化シリコ
ン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アル
ミニウム等の無機材料を用いてもよい。封止層607a、封止層607b、封止層607
cを形成することで、水などの不純物による発光素子618の劣化を抑制することができ
好ましい。なお、封止層607a、封止層607b、封止層607cを形成する場合、シ
ール材605を設けなくてもよい。
であってもよく、4つ以上の封止層が形成されてもよい。封止層を多層にすることで、水
などの不純物が、表示装置600の外部から表示装置内部の発光素子618まで侵入する
のを効果的に防ぐことができるため好ましい。なお、封止層が多層の場合、樹脂と無機材
料とを積層させると好ましい構成である。
また、本実施の形態における構成例1乃至構成例4に示す表示装置は、光学素子を有す
る構成を例示したが、本発明の一態様としては、光学素子を設けなくてもよい。
ップエミッション型)の表示装置である。図18(A)は、発光層1028R、発光層1
028G、発光層1028B、を有する表示装置の例である。また、図18(B)は、発
光層1028R、発光層1028G、発光層1028B、発光層1028Y、を有する表
示装置の例である。
光層1028Bは、青色の発光を呈する機能を有する。また、発光層1028Yは、黄色
の発光を呈する機能、または青色、緑色、赤色の中から選ばれる複数の発光を呈する機能
を有する。発光層1028Yが呈する発光は、白色であってもよい。黄色あるいは白色の
発光を呈する発光素子は発光効率が高いため、発光層1028Yを有する表示装置は、消
費電力を低減することができる。
画素に有するため、光学素子となる着色層を設けなくてもよい。
系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、PVB(ポリビニルブ
チラル)系樹脂、またはEVA(エチレンビニルアセテート)系樹脂等の樹脂を用いるこ
とができる。また、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン
、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機材料を用いてもよい。封止層1029を
形成することで、水などの不純物による発光素子の劣化を抑制することができ好ましい。
が形成されてもよい。封止層を多層にすることで、水などの不純物が、表示装置の外部か
ら表示装置内部まで侵入するのを効果的に防ぐことができるため好ましい。なお、封止層
が多層の場合、樹脂と無機材料とを積層させると好ましい構成である。
ため、封止基板1031には、可撓性を有する基板やフィルムを用いることができる。
組み合わせることが可能である。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置について、図19乃至
図21を用いて説明を行う。
9(B)は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
図19(A)に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域(以下、画素部802と
いう)と、画素部802の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部(
以下、駆動回路部804という)と、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路80
6という)と、端子部807と、を有する。なお、保護回路806は、設けない構成とし
てもよい。
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部804
の一部、または全部が、画素部802と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部804の一部、または全部は、COGやTAB(Tape Automated B
onding)によって、実装することができる。
た複数の表示素子を駆動するための回路(以下、画素回路801という)を有し、駆動回
路部804は、画素を選択する信号(走査信号)を出力する回路(以下、走査線駆動回路
804aという)、画素の表示素子を駆動するための信号(データ信号)を供給するため
の回路(以下、信号線駆動回路804b)などの駆動回路を有する。
端子部807を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、走査線駆動回路804aは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。走査線駆動回路804aは、走査信号が与えられる配線(以
下、走査線GL_1乃至GL_Xという)の電位を制御する機能を有する。なお、走査線
駆動回路804aを複数設け、複数の走査線駆動回路804aにより、走査線GL_1乃
至GL_Xを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路804aは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路80
4aは、別の信号を供給することも可能である。
端子部807を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号(画像信号)が入力される。信号線駆動回路804bは、画像信号を元に画素回路
801に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路804bは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路804bは、データ信号が与え
られる配線(以下、データ線DL_1乃至DL_Yという)の電位を制御する機能を有す
る。または、信号線駆動回路804bは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路804bは、別の信号を供給することも
可能である。
信号線駆動回路804bは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いて信号線駆動回路804bを構成してもよい。
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線DLの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路801のそれぞれは、走査線駆動回路
804aによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、m行n列
目の画素回路801は、走査線GL_m(mはX以下の自然数)を介して走査線駆動回路
804aからパルス信号が入力され、走査線GL_mの電位に応じてデータ線DL_n(
nはY以下の自然数)を介して信号線駆動回路804bからデータ信号が入力される。
01の間の配線である走査線GLに接続される。または、保護回路806は、信号線駆動
回路804bと画素回路801の間の配線であるデータ線DLに接続される。または、保
護回路806は、走査線駆動回路804aと端子部807との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路806は、信号線駆動回路804bと端子部807との間の配
線に接続することができる。なお、端子部807は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
6を接続することにより、ESD(Electro Static Discharge
:静電気放電)などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる
。ただし、保護回路806の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路804a
に保護回路806を接続した構成、または信号線駆動回路804bに保護回路806を接
続した構成とすることもできる。あるいは、端子部807に保護回路806を接続した構
成とすることもできる。
よって駆動回路部804を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、走査線駆動回路804aのみを形成し、別途用意された信号線駆動回路が形成され
た基板(例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板)を実装す
る構成としても良い。
図19(A)に示す複数の画素回路801は、例えば、図19(B)に示す構成とする
ことができる。
2と、発光素子872と、を有する。
配線(データ線DL_n)に電気的に接続される。さらに、トランジスタ852のゲート
電極は、ゲート信号が与えられる配線(走査線GL_m)に電気的に接続される。
_aという)に電気的に接続され、他方は、トランジスタ852のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
気的に接続される。さらに、トランジスタ854のゲート電極は、トランジスタ852の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
され、他方は、トランジスタ854のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
ができる。
えられ、他方には、低電源電位VSSが与えられる。
査線駆動回路804aにより各行の画素回路801を順次選択し、トランジスタ852を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ854の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子872は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
せてもよい。図20(A)(B)及び図21(A)(B)に画素回路の一例を示す。
03_6)と、容量素子304と、発光素子305と、を有する。また、図20(A)に
示す画素回路には、配線301_1乃至301_5、並びに配線302_1及び配線30
2_2が電気的に接続されている。なお、トランジスタ303_1乃至303_6につい
ては、例えばPチャネル型のトランジスタを用いることができる。
_7を追加した構成である。また、図20(B)に示す画素回路には、配線301_6及
び配線301_7が電気的に接続されている。ここで、配線301_5と配線301_6
とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ303_7について
は、例えばPチャネル型のトランジスタを用いることができる。
08_6)と、容量素子304と、発光素子305と、を有する。また、図21(A)に
示す画素回路には、配線306_1乃至306_3、並びに配線307_1乃至307_
3が電気的に接続されている。ここで配線306_1と配線306_3とは、それぞれ電
気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ308_1乃至308_6については
、例えばPチャネル型のトランジスタを用いることができる。
ランジスタ309_2)と、2つの容量素子(容量素子304_1及び容量素子304_
2)と、発光素子305と、を有する。また、図21(B)に示す画素回路には、配線3
11_1乃至配線311_3、配線312_1、及び配線312_2が電気的に接続され
ている。また、図21(B)に示す画素回路の構成とすることで、例えば、電圧入力−電
流駆動方式(CVCC方式ともいう)とすることができる。なお、トランジスタ309_
1及び309_2については、例えばPチャネル型のトランジスタを用いることができる
。
トリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式の
それぞれの方式に適用することができる。
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いるこ
とが出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はT
FD(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
)を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素
子、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
ができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置、及び該表示装
置に入力装置を取り付けた電子機器について、図22乃至図26を用いて説明を行う。
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わ
せたタッチパネル2000について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセン
サを有する場合について説明する。
B)において、明瞭化のため、タッチパネル2000の代表的な構成要素を示す。
2(B)参照)。また、タッチパネル2000は、基板2510、基板2570、及び基
板2590を有する。なお、基板2510、基板2570、及び基板2590はいずれも
可撓性を有する。ただし、基板2510、基板2570、及び基板2590のいずれか一
つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
できる複数の配線2511を有する。複数の配線2511は、基板2510の外周部にま
で引き回され、その一部が端子2519を構成している。端子2519はFPC2509
(1)と電気的に接続する。また、複数の配線2511は、信号線駆動回路2503s(
1)からの信号を複数の画素に供給することができる。
複数の配線2598とを有する。複数の配線2598は、基板2590の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はFPC2509(2)と電気的に接
続される。なお、図22(B)では明瞭化のため、基板2590の裏面側(基板2510
と対向する面側)に設けられるタッチセンサ2595の電極や配線等を実線で示している
。
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
サを適用した構成である。
できる、様々なセンサを適用することができる。
る。電極2591は、複数の配線2598のいずれかと電気的に接続し、電極2592は
複数の配線2598の他のいずれかと電気的に接続する。
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
配置されている。
き、電極2592と配線2594の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ2595を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
る。例えば、複数の電極2591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極2592を、電極2591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する2つの電極2592の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
次に、図23(A)を用いて、表示装置2501の詳細について説明する。図23(A
)は、図22(B)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図に相当する。
子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
て説明するが、表示素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する光の
色が異なるように、発光色が異なる発光素子を適用してもよい。
m−2・day−1以下、好ましくは1×10−6g・m−2・day−1以下である可
撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板2510の熱膨張率と、基
板2570の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率
が1×10−3/K以下、好ましくは5×10−5/K以下、より好ましくは1×10−
5/K以下である材料を好適に用いることができる。
基板2510bと、絶縁層2510a及び可撓性基板2510bを貼り合わせる接着層2
510cと、を有する積層体である。また、基板2570は、発光素子への不純物の拡散
を防ぐ絶縁層2570aと、可撓性基板2570bと、絶縁層2570a及び可撓性基板
2570bを貼り合わせる接着層2570cと、を有する積層体である。
ィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアク
リル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンな
どのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図23(A)に示すように、封止
層2560側に光を取り出す場合は、封止層2560は光学的な接合層を兼ねることがで
きる。
とにより、基板2510、基板2570、封止層2560、及びシール材で囲まれた領域
に発光素子2550Rを有する構成とすることができる。なお、封止層2560として、
不活性気体(窒素やアルゴン等)を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥剤
を設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。あるいは、アクリルやエポキシ等の樹
脂によって充填してもよい。また、上述のシール材としては、例えば、エポキシ系樹脂や
ガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料としては、水分や酸
素を透過しない材料を用いると好適である。
ジュール2580Rを有する。
ができるトランジスタ2502tとを有する。なお、トランジスタ2502tは、画素回
路の一部として機能する。また、発光モジュール2580Rは、発光素子2550Rと、
着色層2567Rとを有する。
を有する。発光素子2550Rとして、例えば、実施の形態3乃至実施の形態5に示す発
光素子を適用することができる。
ける光強度を増加させてもよい。
光素子2550Rと着色層2567Rに接する。
2550Rが発する光の一部は着色層2567Rを透過して、図中に示す矢印の方向の発
光モジュール2580Rの外部に射出される。
遮光層2567BMは、着色層2567Rを囲むように設けられている。
例えば、赤色の波長領域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長領域の光を透過する
カラーフィルタ、青色の波長領域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長領域の光を
透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を
用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法な
どで形成することができる。
ジスタ2502tを覆う。なお、絶縁層2521は、画素回路に起因する凹凸を平坦化す
るための機能を有する。また、絶縁層2521に不純物の拡散を抑制できる機能を付与し
てもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ2502t等の信頼性の低下を
抑制できる。
550Rが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁2528が設けられる。
なお、基板2510と、基板2570との間隔を制御するスペーサを、隔壁2528上に
形成してもよい。
とを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
る。
また、配線2511上には、端子2519が設けられる。また、端子2519には、FP
C2509(1)が電気的に接続される。また、FPC2509(1)は、ビデオ信号、
クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、FPC2
509(1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。
23(A)においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示し
ているが、これに限定されず、例えば、図23(B)に示す、トップゲート型のトランジ
スタを表示装置2501に適用する構成としてもよい。
定はなく、Nチャネル型およびPチャネル型のトランジスタを有する構造、Nチャネル型
のトランジスタまたはPチャネル型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用
いてもよい。また、トランジスタ2502t及び2503tに用いられる半導体膜の結晶
性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることが
できる。また、半導体材料としては、14族の半導体(例えば、ケイ素を有する半導体)
、化合物半導体(酸化物半導体を含む)、有機半導体等を用いることができる。トランジ
スタ2502t及びトランジスタ2503tのいずれか一方または双方に、エネルギーギ
ャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、さらに好ましくは3eV以上の酸化物
半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。
当該酸化物半導体としては、In−Ga酸化物、In−M−Zn酸化物(Mは、Al、G
a、Y、Zr、La、Ce、Sn、Hf、またはNdを表す)等が挙げられる。
次に、図23(C)を用いて、タッチセンサ2595の詳細について説明する。図23
(C)は、図22(B)に示す一点鎖線X3−X4間の断面図に相当する。
2592と、電極2591及び電極2592を覆う絶縁層2593と、隣り合う電極25
91を電気的に接続する配線2594とを有する。
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターン形成技術により、不要な部分を除去して
、電極2591及び電極2592を形成することができる。
どの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化
シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
る電極2591と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線2594に好適に用いることができる。また、電極2591
及び電極2592より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線2594に好
適に用いることができる。
る。また、配線2594は電極2592と交差して設けられている。
一対の電極2591を電気的に接続している。
る必要はなく、0度より大きく90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
、配線2598の一部は、端子として機能する。配線2598としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いること
ができる。
を保護してもよい。
。
onductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotrop
ic Conductive Paste)などを用いることができる。
次に、図24(A)を用いて、タッチパネル2000の詳細について説明する。図24
(A)は、図22(A)に示す一点鎖線X5−X6間の断面図に相当する。
1と、図23(C)で説明したタッチセンサ2595と、を貼り合わせた構成である。
説明した構成の他、接着層2597と、反射防止層2567pと、を有する。
チセンサ2595が表示装置2501に重なるように、基板2590を基板2570に貼
り合わせている。また、接着層2597は、透光性を有すると好ましい。また、接着層2
597としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、
アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いるこ
とができる。
て、例えば円偏光板を用いることができる。
用いて説明する。
ネル2001は、図24(A)に示すタッチパネル2000と、表示装置2501に対す
るタッチセンサ2595の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同
様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル2000の説明を援用する。
示す発光素子2550Rは、トランジスタ2502tが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子2550Rが発する光の一部は、着色層2567Rを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール2580Rの外部に射出される。
。
チセンサ2595を貼り合わせる。
板2570のいずれか一方または双方を通して射出されればよい。
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図25(A)(B)を用いて説明を行
う。
(A)では、パルス電圧出力回路2601、電流検出回路2602を示している。なお、
図25(A)では、パルス電圧が与えられる電極2621をX1−X6として、電流の変
化を検知する電極2622をY1−Y6として、それぞれ6本の配線で例示している。ま
た、図25(A)は、電極2621と、電極2622とが重畳することで形成される容量
2603を示している。なお、電極2621と電極2622とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
である。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量2603を形成する電
極2621と電極2622との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等によ
り容量2603の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または
接触を検出することができる。
での電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
出力波形のタイミングチャートを示す。図25(B)では、1フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行う。また図25(B)では、被検知体を検出しない場合(非タッチ)
と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。なお、図25
(B)では、Y1−Y6の配線で検出される電流値に対応する電圧値の波形を示している
。
Y6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1−X6
の配線の電圧の変化に応じてY1−Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
することができる。
また、図25(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量2603のみを設ける
パッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有する
アクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。アクティブマトリクス型のタッチ
センサに含まれるセンサ回路の一例を図26に示す。
2612と、トランジスタ2613とを有する。
電圧VRESが与えられ、他方が容量2603の一方の電極およびトランジスタ2611
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ2611は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ2612のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧VS
Sが与えられる。トランジスタ2612は、ゲートに信号G1が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線MLと電気的に接続する。容量2603の他方の電極には電圧VS
Sが与えられる。
ジスタ2613をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ2611のゲー
トが接続されるノードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次に、信号G2と
してトランジスタ2613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が
保持される。
ことに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
ードnの電位に応じてトランジスタ2611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ2613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(リ
フレッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
ができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図27乃至図31を用いて説明を行う。
図27に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002と
の間に、FPC8003に接続されたタッチセンサ8004、FPC8005に接続され
た表示装置8006、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有
する。
006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
006に重畳して用いることができる。また、表示装置8006の対向基板(封止基板)
に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示装置8006
の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレー
ム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ8011による電源であってもよい。バッテリ8011は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
加して設けてもよい。
図28(A)乃至図28(G)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、又
は操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの)、マイクロフォン9008、等を有することができる。また、センサ9
007は、脈拍センサや指紋センサ等のように生体情報を測定する機能を有してもよい。
例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(
プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図28(A)乃至図28(G)に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図28(A)乃至図28(G)には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体(外部またはカメラに内蔵
)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
有する表示部9001は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体9000の湾曲面に
沿って表示部9001を組み込むことが可能である。また、表示部9001はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部9001に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末9101は、
スピーカ9003、接続端子9006、センサ9007等を省略して図示しているが、図
28(A)に示す携帯情報端末9100と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末9101は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
3つの操作ボタン9050(操作アイコンまたは単にアイコンともいう)を表示部900
1の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報9051を表示部90
01の他の面に表示することができる。なお、情報9051の一例としては、電子メール
やSNS(ソーシャル・ネットワーキング・サービス)や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやSNSなどの題名、電子メールやSNSなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、電波等の受信信号の強度を示す表示などがある。または、情報9051が
表示されている位置に、情報9051の代わりに、操作ボタン9050などを表示しても
よい。
料を用いることができる。炭素繊維を含む材料としては、炭素繊維強化樹脂複合材(Ca
rbon Fiber Reinforced Plastics:CFRP)が軽量で
あり、且つ、腐食しない利点があるが黒色であり、外観やデザインが限られる。また、C
FRPは強化プラスチックの一種とも言え、強化プラスチックはガラス繊維を用いてもよ
いし、アラミド繊維を用いてもよい。強い衝撃を受けた場合、繊維が樹脂から剥離する恐
れがあるため、合金が好ましい。合金としては、アルミニウム合金やマグネシウム合金が
挙げられるが、中でもジルコニウムと銅とニッケルとチタンを含む非晶質合金(金属ガラ
スとも呼ばれる)が弾性強度の点で優れている。この非晶質合金は、室温においてガラス
遷移領域を有する非晶質合金であり、バルク凝固非晶質合金とも呼ばれ、実質的に非晶質
原子構造を有する合金である。凝固鋳造法により、少なくとも一部の筐体の鋳型内に合金
材料が鋳込まれ、凝固させて一部の筐体をバルク凝固非晶質合金で形成する。非晶質合金
は、ジルコニウム、銅、ニッケル、チタン以外にもベリリウム、シリコン、ニオブ、ボロ
ン、ガリウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、イットリウム、バ
ナジウム、リン、炭素などを含んでもよい。また、非晶質合金は、凝固鋳造法に限定され
ず、真空蒸着法、スパッタ法、電解めっき法、無電解メッキ法などによって形成してもよ
い。また、非晶質合金は、全体として長距離秩序(周期構造)を持たない状態を維持する
のであれば、微結晶またはナノ結晶を含んでもよい。なお、合金とは、単一の固体相構造
を有する完全固溶体合金と、2つ以上の相を有する部分溶体の両方を含むこととする。筐
体9000に非晶質合金を用いることで高い弾性を有する筐体を実現できる。従って、携
帯情報端末9101を落下させても、筐体9000が非晶質合金であれば、衝撃が加えら
れた瞬間には一時的に変形しても元に戻るため、携帯情報端末9101の耐衝撃性を向上
させることができる。
、表示部9001の3面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報9052、
情報9053、情報9054がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末9102の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末9102を収納した状
態で、その表示(ここでは情報9053)を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末9102の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末9102をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
9200は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部9001はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末9200は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末9200は、接続端子9006を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子9006を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子900
6を介さずに無線給電により行ってもよい。
る。また、図28(E)が携帯情報端末9201を展開した状態の斜視図であり、図28
(F)が携帯情報端末9201を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図28(G)が携帯情報端末9201を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末9201は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末92
01が有する表示部9001は、ヒンジ9055によって連結された3つの筐体9000
に支持されている。ヒンジ9055を介して2つの筐体9000間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末9201を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末9201は、曲率半径1mm以上150mm以下で曲
げることができる。
機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、
デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、ゴーグル型
ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再
生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
オンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電
池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜
鉛電池などが挙げられる。
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
、表示部7104、マイク7105、スピーカ7106、操作キー7107、スタイラス
7108等を有する。表示部7103または表示部7104に本発明の一態様に係る発光
装置を用いることで、ユーザーの使用感に優れ、品質の低下が起こりにくい携帯型ゲーム
機を提供することができる。なお、図29(A)に示した携帯型ゲーム機は、2つの表示
部7103と表示部7104とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、
これに限定されない。
操作キー7704、レンズ7705、接続部7706等を有する。操作キー7704およ
びレンズ7705は筐体7701に設けられており、表示部7703は筐体7702に設
けられている。そして、筐体7701と筐体7702とは、接続部7706により接続さ
れており、筐体7701と筐体7702の間の角度は、接続部7706により変更が可能
である。表示部7703における映像を、接続部7706における筐体7701と筐体7
702との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
2、キーボード7123、ポインティングデバイス7124等を有する。なお、表示部7
122は、非常に画素密度が高く高精細とすることができるため、中小型でありながら8
kの表示を行うことができ、非常に鮮明な画像を得ることができる。
03、表示部7204、ケーブル7205等を有している。また装着部7201には、バ
ッテリ7206が内蔵されている。
03は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部7204に表示さ
せることができる。また、本体7203に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動
きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を
入力手段として用いることができる。
。本体7203は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、
使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知す
ることにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部720
1には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使
用者の生体情報を表示部7204に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭
部の動きなどを検出し、表示部7204に表示する映像をその動きに合わせて変化させて
もよい。
示部7302、操作ボタン7303、シャッターボタン7304、結合部7305等を有
する。またカメラ7300には、レンズ7306を取り付けることができる。
等を接続することができる。
ることが可能な構成としたが、レンズ7306と筐体7301が一体となっていてもよい
。
302はタッチセンサを有し、表示部7302を操作することにより撮像することも可能
である。
できる。
している。
。
ファインダー7400をカメラ7300に取り付けることができる。また当該結合部には
電極を有し、当該電極を介してカメラ7300から受信した映像等を表示部7402に表
示させることができる。
7402の表示のオンとオフとを切り替えることができる。
機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ7300の筐体7301に、本発明
の一態様の表示装置、またはタッチセンサを備えるファインダーが内蔵されていてもよい
。
000に表示部9001が組み込まれている。ここでは、スタンド9301により筐体9
000を支持した構成を示している。
イッチや、別体のリモコン操作機9311により行うことができる。または、表示部90
01にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部9001に触れることで操作して
もよい。リモコン操作機9311は、当該リモコン操作機9311から出力する情報を表
示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機9311が備える操作キー又はタッチ
パネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9001に表示される
映像を操作することができる。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
を示す。自動車9700は、車体9701、車輪9702、ダッシュボード9703、ラ
イト9704等を有する。本発明の一態様の表示装置又は発光装置等は、自動車9700
の表示部などに用いることができる。例えば、図30(C)に示す表示部9710乃至表
示部9715に本発明の一態様の表示装置又は発光装置等を設けることができる。
ある。本発明の一態様の表示装置又は発光装置等は、電極や配線を、透光性を有する導電
性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とする
ことができる。表示部9710や表示部9711がシースルー状態であれば、自動車97
00の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置又は
発光装置等を自動車9700のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置
又は発光装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を
用いた有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するト
ランジスタを用いるとよい。
撮像手段からの映像を表示部9712に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を
補完することができる。表示部9713はダッシュボード部分に設けられた表示装置であ
る。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部9713に映し出すことによ
って、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側
に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高める
ことができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和
感なく安全確認を行うことができる。
ている。表示部9721は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けら
れた撮像手段からの映像を表示部9721に映し出すことによって、ドアで遮られた視界
を補完することができる。また、表示部9722は、ハンドルに設けられた表示装置であ
る。表示部9723は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお
、表示装置を座面や背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱
を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。
ードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その
他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目やレイアウト
などは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部
9710乃至表示部9713、表示部9721、表示部9723にも表示することができ
る。また、表示部9710乃至表示部9715、表示部9721乃至表示部9723は照
明装置として用いることも可能である。また、表示部9710乃至表示部9715、表示
部9721乃至表示部9723は加熱装置として用いることも可能である。
511と、軸受部9512と、を有する。また、複数の表示パネル9501は、表示領域
9502と、透光性を有する領域9503と、を有する。
ル9501は、それらの一部が互いに重なるように設けられる。例えば、隣接する2つの
表示パネル9501の透光性を有する領域9503を重ね合わせることができる。複数の
表示パネル9501を用いることで、大画面の表示装置とすることができる。また、使用
状況に応じて、表示パネル9501を巻き取ることが可能であるため、汎用性に優れた表
示装置とすることができる。
1で離間する状態を図示しているが、これに限定されず、例えば、隣接する表示パネル9
501の表示領域9502を隙間なく重ねあわせることで、連続した表示領域9502と
してもよい。
る。ただし、本発明の一態様の発光素子は、表示部を有さない電子機器にも適用すること
ができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有
し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部
の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構
成としてもよい。
ができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について、図32及び
図33を用いて説明する。
す一点鎖線E−F間に相当する断面図を図32(B)に、それぞれ示す。なお、図32(
A)において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
光素子3005と、発光素子3005の外周に設けられた第1の封止領域3007と、第
1の封止領域3007の外周に設けられた第2の封止領域3009と、を有する。
または双方から射出される。図32(A)(B)においては、発光素子3005からの発
光が下方側(基板3001側)に射出される構成について説明する。
1の封止領域3007と、第2の封止領域3009とに、囲まれて配置される二重封止構
造である。二重封止構造とすることで、発光素子3005側に入り込む外部の不純物(例
えば、水、酸素など)を、好適に抑制することができる。ただし、第1の封止領域300
7及び第2の封止領域3009を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第1封止領域3
007のみの構成としてもよい。
、基板3001及び基板3003と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例え
ば、第1の封止領域3007及び第2の封止領域3009の一方または双方は、基板30
01の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
または、第1の封止領域3007及び第2の封止領域3009の一方または双方は、基板
3003の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよ
い。
と、基板220と同様の構成とすればよい。発光素子3005としては、先の実施の形態
に記載の発光素子と同様の構成とすればよい。
スリボン等)を用いればよい。また、第2の封止領域3009としては、樹脂を含む材料
を用いればよい。第1の封止領域3007として、ガラスを含む材料を用いることで、生
産性や封止性を高めることができる。また、第2の封止領域3009として、樹脂を含む
材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第1の封止領域
3007と、第2の封止領域3009とは、これに限定されず、第1の封止領域3007
が樹脂を含む材料で形成され、第2の封止領域3009がガラスを含む材料で形成されて
もよい。
酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸
化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸
化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マ
ンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、
酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス
、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なく
とも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリ
ットと、有機溶媒で希釈した樹脂(バインダとも呼ぶ)とが含まれる。また、ガラスフリ
ットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レー
ザとして、例えば、Nd:YAGレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。ま
た、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
アミド(ナイロン、アラミド等)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、
ポリウレタン、エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンなどのシロキ
サン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板3001との熱膨張率
が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基
板3001にクラックが入るのを抑制することができる。
に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
部に近い側に設けられる。発光装置3000は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪
みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置3000の外周部側、すなわち第2
の封止領域3009に、樹脂を含む材料によって封止し、第2の封止領域3009よりも
内側に設けられる第1の封止領域3007にガラスを含む材料を用いて封止することで、
外力等の歪みが生じても発光装置3000が壊れにくくなる。
07、及び第2の封止領域3009に囲まれた領域には、第1の領域3011が形成され
る。また、基板3001、基板3003、発光素子3005、及び第1の封止領域300
7に囲まれた領域には、第2の領域3013が形成される。
等の不活性ガスが充填されていると好ましい。あるいは、アクリルやエポキシ等の樹脂が
充填されていると好ましい。なお、第1の領域3011及び第2の領域3013としては
、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
装置3000の変形例を示す断面図である。
構成である。それ以外の構成については、図32(B)に示す構成と同じである。
よって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤3018として用い
ることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物(酸化
カルシウムや酸化バリウム等)、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、
シリカゲル等が挙げられる。
C)(D)を用いて説明する。なお、図33(A)(B)(C)(D)は、図32(B)
に示す発光装置3000の変形例を説明する断面図である。
に、第1の封止領域3007とした構成である。また、図33(A)(B)(C)(D)
に示す発光装置は、図32(B)に示す第2の領域3013の代わりに領域3014を有
する。
ン、アラミド等)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、ポリウレタン、
エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンなどのシロキサン結合を有す
る樹脂を含む材料を用いることができる。
ことができる。
に、基板3015を設ける構成である。
を、発光素子3005の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子3005か
らの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図33(B)に示すような凹凸を
有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。
から光を取り出す構造であったのに対し、基板3003側から光を取り出す構造である。
構成は、図33(B)に示す発光装置と同様である。
3015を設けずに、基板3016を設ける構成である。
5の遠い側に位置する第2の凹凸と、を有する。図33(D)に示す構成とすることで、
発光素子3005からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。
による発光素子の劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施の
形態に示す構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することがで
きる。
ができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を様々な照明装置及び電子機器に適用す
る一例について、図34及び図35を用いて説明する。
発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。
例えば、ダッシュボードや、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。
機能端末3500の他方の面の斜視図を示している。多機能端末3500は、筐体350
2に表示部3504、カメラ3506、照明3508等が組み込まれている。本発明の一
態様の発光装置を照明3508に用いることができる。
したがって、LEDに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例え
ば、照明3508とカメラ3506とを組み合わせて用いる場合、照明3508を点灯ま
たは点滅させて、カメラ3506により撮像することができる。照明3508としては、
面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することがで
きる。
G)に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。
速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの)、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末3500の内部に、
ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多
機能端末3500の向き(縦か横か)を判断して、表示部3504の画面表示を自動的に
切り替えるようにすることができる。
504に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部3504に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部35
04に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。
筐体3602の外側に照明3608を有し、筐体3602には、スピーカ3610等が組
み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明3608に用いることができる。
ることで発光することができる。また、筐体3602の内部には、ライト3600からの
発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、1回
または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御す
ることで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明3608の発光と
同時に、スピーカ3610から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよ
い。
に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト3600にデジタルス
チルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。
は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面
を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置8502を形成すること
もできる。本実施の形態で示す発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い
。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の
壁面に大型の照明装置8503を備えても良い。また、照明装置8501、8502、8
503に、タッチセンサを設けて、電源のオンまたはオフを行ってもよい。
照明装置8504とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光素子を用いるこ
とにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
ことができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに
限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
いることができる。
ル化合物の一つである、7−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−7
H−ジベンゾ[a,g]カルバゾール(略称:agDBCzPA、構造式(100))の
合成方法について説明する。
200mL三口フラスコに、3.0g(7.5mmol)の9−(4−ブロモフェニル
)−10−フェニルアントラセンと、2.0g(7.5mol)の7H−ジベンゾ[a,
g]カルバゾールと、1.4g(15mmol)のナトリウム tert−ブトキシドを
入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物に38mLのメシチレンと、0.3
0mLのトリ−tert−ブチルホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)を加えた。この
混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物に43mg(0.
075mol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加えた。この混合
物を窒素気流下、150℃で6時間攪拌した。攪拌後、この混合物を室温まで冷却し、約
20mLの水を加えて攪拌した。攪拌後、この混合物を吸引ろ過して固体を回収した。回
収した固体を約50mLの熱したトルエンに溶解し、この溶液をセライト、酸化アルミニ
ウム、フロリジールを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体をトルエン
で再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を3.5g、収率78%で得た。本反応スキー
ムを以下に示す。
。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しなが
ら、290℃でagDBCzPAを加熱した。昇華精製後、agDBCzPAの淡黄色固
体を3.3g、回収率96%で得た。
7.50−7.67(m,10H)、7.74(d,J=8.5z,1H)、7.74−
7.83(m,3H)、7.84(s,4H)、7.92(t,J=9.0z,3H)、
7.97(d,J=9.0z,1H)、8.10(dd,J1=7.5z,J2=2.5
z,2H)、8.85(d,J=8.5Hz,1H)、9.04(d,J1=8.5Hz
,1H)。
36(A)における7.00ppmから9.50ppmの範囲を拡大して表したチャート
である。これにより、上述の構造式(100)で表される本発明の一態様のジベンゾカル
バゾール化合物であるagDBCzPAが得られたことがわかった。
次に、得られたagDBCzPAを液体クロマトグラフ質量分析(Liquid Ch
romatography Mass Spectrometry,略称:LC/MS分
析)によって分析した。
製Xevo G2 Tof MSを用いて行った。
zation、略称:ESI)によるイオン化を行った。このときのキャピラリー電圧は
3.0kV、サンプルコーン電圧は30Vとし、検出はポジティブモードで行った。さら
に、以上の条件でイオン化された成分を衝突室(コリジョンセル)内でアルゴンガスと衝
突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンを衝突させる際のエネルギー(コリジ
ョンエネルギー)は70eVとした。なお、測定する質量範囲はm/z=100乃至12
00とした。
態様のジベンゾカルバゾール化合物であるagDBCzPAは、主としてm/z=596
付近、m/z=330付近、m/z=266付近にプロダクトイオンが検出されることが
わかった。なお、図37に示す結果は、agDBCzPAに由来する特徴的な結果を示す
データであることから、混合物中に含まれるagDBCzPAを同定する上での重要なデ
ータであるといえる。
[a,g]カルバゾール側に電荷が残るため、m/z=266付近のプロダクトイオンは
、構造式(100)の化合物のジベンゾ[a,g]カルバゾールとフェニレン基のN−C
結合が切れた状態の情報を含んでいると推測されるため、有用である。また、m/z=3
30付近はジフェニルアントラセンを含んだプロダクトイオンと推察でき、本発明の一態
様であるジベンゾカルバゾール化合物、agDBCzPAが、ジベンゾ[a,g]カルバ
ゾールとジフェニルアントラセンを含んでいることを示唆する結果である。
mogravimetry−Differential Thermal Analys
is)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会
社製、TG−DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流
下(流速:200mL/min)条件で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定
)から、agDBCzPAの5%重量減少温度は475℃であった。このことから、ag
DBCzPAの耐熱性が良好であることが示された。
単に「吸収スペクトル」という)、及び発光スペクトルを測定した。
溶液を石英セルに入れて測定し、この吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したト
ルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示す。また、薄膜の吸収スペクト
ルは、agDBCzPAを石英基板上に真空蒸着法にて成膜したサンプルを用い、このサ
ンプルの吸収スペクトルから石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示
す。なお、吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V55
0型)を用いた。
)を用いた。
定結果を図38に、薄膜のagDBCzPAの吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定
結果を図39に示す。
41nm、354nm、372nm、及び396nm付近に吸収極大が見られた。また、
発光のピーク波長は417nm、及び429nmであった。
nm、308nm、345nm、359nm、377nm、及び402nm付近に吸収極
大が見られた。また、発光のピーク波長は433nm、及び447nm(励起波長371
nm)であった。
置(理研計器社製、AC−3)で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の
値に換算した結果、agDBCzPAのHOMO準位は−5.93eVであった。図39
の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた
agDBCzPAの吸収端は2.95eVであった。従って、agDBCzPAの固体状
態の光学的エネルギーギャップは2.95eVと見積もられた。先に得たHOMO準位と
、エネルギーギャップの値から、agDBCzPAのLUMO準位が−2.98eVと見
積もることができる。このように、agDBCzPAは固体状態において2.95eVの
広いエネルギーギャップを有していることがわかった。
クリックボルタンメトリ(CV)測定によって測定した。なお測定には、電気化学アナラ
イザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600Aまたは600C)を用
い、agDBCzPAをN,N−ジメチルホルムアミド(略称:DMF)に溶解させた溶
液を測定した。測定では、参照電極に対する作用電極の電位を適切な範囲で変化させて各
々酸化ピーク電位、還元電位ピーク電位を得た。また、参照電極のレドックスポテンシャ
ルが−4.94eVであることが見積もられているため、この数値と得られたピーク電位
から、agDBCzPAのHOMO準位およびLUMO準位を算出した。
であった。また、CV測定より算出したagDBCzPAのHOMO準位は−5.70e
V、LUMO準位は−2.74eVであった。このことからも、agDBCzPAは、H
OMO準位とLUMO準位とのエネルギー差が大きいことが分かった。
ル化合物の一つである、11−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−
11H−ジベンゾ[a,i]カルバゾール(略称:aiDBCzPA、構造式(136)
)の合成方法について説明する。
200mL三口フラスコに、3.0g(7.5mmol)の9−(4−ブロモフェニル
)−10−フェニルアントラセンと、2.0g(7.5mol)の11H−ジベンゾ[a
,i]カルバゾールと、1.4g(15mmol)のナトリウム tert−ブトキシド
を入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ38mLのメシチレンと、0.
30mLのトリ−tert−ブチルホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)を加えた。こ
の混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ43mg(0
.075mol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加えた。この混
合物を窒素気流下、150℃で6時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで
抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウ
ムにより乾燥し、乾燥後、この混合物を自然濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体
を約30mLのトルエンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘ
キサン:トルエン=4:1)により精製した。精製後に得られた固体をトルエン/ヘキサ
ンで再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を3.8g、収率85%で得た。本反応スキ
ームを以下に示す。
。昇華精製条件は、圧力2.8Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しなが
ら、280℃でaiDBCzPAを加熱した。昇華精製後、aiDBCzPAの淡黄色固
体を2.0g、回収率55%で得た。
7.50−7.61(m,7H)、7.64−7.67(m,2H)、7.70(d,J
=8.5z,2H)、7.80(d,J=8.5Hz,2H)、7.83(d,J1=8
.0Hz,2H)、7.89(d,J1=8.0Hz,2H)、7.99(d,J1=8
.0Hz,2H)、8.03(d,J=8.5z,2H)、8.07(d,J=8.0H
z,2H)、8.35(d,J1=8.5Hz,2H)。
40(A)における7.00ppmから8.50ppmの範囲を拡大して表したチャート
である。これにより、上述の構造式(136)で表される本発明の一態様のジベンゾカル
バゾール化合物であるaiDBCzPAが得られたことがわかった。
次に、得られたaiDBCzPAを液体クロマトグラフ質量分析(Liquid Ch
romatography Mass Spectrometry,略称:LC/MS分
析)によって分析した。
製Xevo G2 Tof MSを用いて行った。
zation、略称:ESI)によるイオン化を行った。このときのキャピラリー電圧は
3.0kV、サンプルコーン電圧は30Vとし、検出はポジティブモードで行った。さら
に、以上の条件でイオン化された成分を衝突室(コリジョンセル)内でアルゴンガスと衝
突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンを衝突させる際のエネルギー(コリジ
ョンエネルギー)は70eVとした。なお、測定する質量範囲はm/z=100乃至12
00とした。
態様のジベンゾカルバゾール化合物であるaiDBCzPAは、主としてm/z=596
付近、m/z=330付近、m/z=266付近にプロダクトイオンが検出されることが
わかった。なお、図41に示す結果は、aiDBCzPAに由来する特徴的な結果を示す
データであることから、混合物中に含まれるaiDBCzPAを同定する上での重要なデ
ータであるといえる。
[a,i]カルバゾール側に電荷が残るため、m/z=266付近のプロダクトイオンは
、構造式(136)の化合物のジベンゾ[a,i]カルバゾールとフェニレン基のN−C
結合が切れた状態の情報を含んでいると推測されるため、有用である。また、m/z=3
30付近はジフェニルアントラセンを含んだプロダクトイオンと推察でき、本発明の一態
様であるジベンゾカルバゾール化合物であるaiDBCzPAが、ジベンゾ[a,i]カ
ルバゾールとジフェニルアントラセンを含んでいることを示唆する結果である。
mogravimetry−Differential Thermal Analys
is)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会
社製、TG−DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流
下(流速:200mL/min)条件で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定
)から、aiDBCzPAの5%重量減少温度は442℃であった。このことから、ai
DBCzPAの耐熱性が良好であることが示された。
単に「吸収スペクトル」という)、及び発光スペクトルを測定した。測定方法は、実施例
1と同様である。
定結果を図42に、薄膜のaiDBCzPAの吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定
結果を図43に示す。
35nm、352nm、375nm、及び396nm付近に吸収極大が見られた。また、
発光のピーク波長は413nm、及び432nmであった。
nm、324nm、335nm、381nm、及び402nm付近に吸収極大が見られた
。また、発光のピーク波長は429nm、及び442nm(励起波長381nm)であっ
た。
置(理研計器社製、AC−3)で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の
値に換算した結果、aiDBCzPAのHOMO準位は−5.91eVであった。図43
の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた
aiDBCzPAの吸収端は2.95eVであった。従って、aiDBCzPAの固体状
態の光学的エネルギーギャップは2.95eVと見積もられた。先に得たHOMO準位と
、エネルギーギャップの値から、aiDBCzPAのLUMO準位が−2.96eVと見
積もることができる。このように、aiDBCzPAは固体状態において2.95eVの
広いエネルギーギャップを有していることがわかった。
クリックボルタンメトリ(CV)測定によって測定した。なお測定方法は、実施例1で示
した方法と同様である。
であった。また、CV測定より算出したaiDBCzPAのHOMO準位は−5.77e
V、LUMO準位は−2.74eVであった。このことからも、aiDBCzPAは、H
OMO準位とLUMO準位とのエネルギー差が大きいことが分かった。
性について、説明する。本実施例で作製した発光素子の断面模式図は、図2(A)を参酌
すれば良い。また、素子構造の詳細を表1に示す。また、使用した化合物の構造と略称を
以下に示す。なお、他の化合物については、先の実施例を参照すればよい。
≪発光素子1の作製≫
基板上に電極101として、ITSO膜を、厚さが70nmになるように形成した。な
お、電極101の電極面積としては、4mm2(2mm×2mm)とした。
フェニル]−9−フェニル−9H−カルバゾール(略称:PCPPn)と、酸化モリブデ
ン(MoO3)とを、重量比(PCPPn:MoO3)が1:0.5になるように、且つ
厚さが10nmになるように共蒸着した。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞ
れ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
なるように蒸着した。
アントリル)フェニル]−7H−ジベンゾ[a,g]カルバゾール(略称:agDBCz
PA)と、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス[3−(9−フェニ
ル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6
mMemFLPAPrn)とを、重量比(agDBCzPA:1,6mMemFLPAP
rn)が1:0.01になるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお
、発光層120において、agDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemFLP
APrnがゲスト材料(蛍光材料)である。
ントロリン(略称:BPhen)とを、厚さがそれぞれ10nmと15nmとになるよう
順次蒸着した。次に、電子輸送層113上に、電子注入層114として、フッ化リチウム
(LiF)を厚さが1nmになるように蒸着した。
0nmになるように形成した。
板を、有機材料を形成した基板に固定することで、発光素子1を封止した。以上の工程に
より発光素子1を得た。
発光素子2は、先に示す発光素子1の作製と、発光層120の形成工程のみ異なり、そ
れ以外の工程は、発光素子1と同様の作製方法とした。
rnとを重量比(agDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)が1:0.03に
なるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお、発光層120において
、agDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemFLPAPrnがゲスト材料(
蛍光材料)である。
発光素子3は、先に示す発光素子1の作製と、発光層120及び電子輸送層113の形
成工程のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子1と同様の作製方法とした。
)フェニル]−11H−ジベンゾ[a,i]カルバゾール(略称:aiDBCzPA)と
、1,6mMemFLPAPrnとを重量比(aiDBCzPA:1,6mMemFLP
APrn)が1:0.01になるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。
なお、発光層120において、aiDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemF
LPAPrnがゲスト材料(蛍光材料)である。
、厚さがそれぞれ10nmと15nmとになるよう順次蒸着した。
発光素子4は、先に示す発光素子3の作製と、発光層120の形成工程のみ異なり、そ
れ以外の工程は、発光素子3と同様の作製方法とした。
rnとを重量比(aiDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)が1:0.03に
なるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお、発光層120において
、aiDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemFLPAPrnがゲスト材料(
蛍光材料)である。
次に、作製した発光素子1乃至発光素子4の発光特性について測定した。輝度およびC
IE色度の測定には色彩輝度計(トプコン社製、BM−5A)を用い、電界発光スペクト
ルの測定にはマルチチャンネル分光器(浜松ホトニクス社製、PMA−11)を用いた。
なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
性を図45に示す。また、外部量子効率−輝度特性を図46に示す。また、発光素子1乃
至発光素子4に2.5mA/cm2の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトルを
図47に示す。
PAPrn)に由来する青色の発光を示した。
材料を発光材料として有する発光素子として、優れた電流効率及び外部量子効率を示した
。また、発光素子1乃至発光素子4の外部量子効率は、いずれも9%を超える優れた値を
示した。
励起子の生成確率は、最大で25%であるため、外部への光取り出し効率を25%とした
場合の外部量子効率は、最大で6.25%となる。発光素子1乃至発光素子4においては
、外部量子効率が6.25%を超える高い値が得られている。これは、発光素子1乃至発
光素子4において、一対の電極から注入されたキャリア(正孔及び電子)の再結合によっ
て生成した一重項励起子に加えて、TTAによって生成した一重項励起子に基づいて、発
光が得られているためである。
光素子1は、発光素子2より高い外部量子効率を示している。また、発光素子3は、色度
yが0.135と発光素子4より色度が深い青色であり、発光素子3は、発光素子4より
高い外部量子効率を示している。
あるため、特に深い青色を呈する発光素子においては、高い発光効率を得ることが難しい
。しかしながら、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物をホスト材料として有す
る発光素子は、深い青色を呈する発光素子で高い効率を示している。したがって、本発明
の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、深い青色を呈する発光素子に好適に用いるこ
とができるといえる。
乃至発光素子4は、消費電力が低い。すなわち、キャリア輸送性の優れた本発明の一態様
のジベンゾカルバゾール化合物をホスト材料及び電子輸送材料として用いることで、低い
電圧で駆動する発光素子を作製することができる。
48に示す。なお、駆動寿命試験は、発光素子1乃至発光素子4の初期輝度が5000c
d/m2になるよう各発光素子の電流密度を設定し、電流密度を一定の条件で発光素子を
連続駆動させた。
有する発光素子として、優れた駆動寿命を示した。さらに、発光素子1は、発光素子2よ
り駆動寿命が良好であり、発光素子3は、発光素子4より駆動寿命が良好な結果であった
。
あるため、特に深い青色を呈する発光素子においては、長い駆動寿命を得ることが難しい
。しかしながら、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物をホスト材料として有す
る発光素子は、深い青色を呈する発光素子で長い駆動寿命を示している。したがって、本
発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、深い青色を呈する発光素子に好適に用い
ることができるといえる。具体的には、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は
、色度yが0.01以上0.15以下の深い青色を呈する発光素子に、好適に用いること
ができる。
して有する発光素子においては、ホスト材料とゲスト材料との重量比は、ゲスト材料の重
量比が低い方が好ましく、具体的には、ホスト材料が1に対するゲスト材料の重量比とし
ては、0より大きく0.03未満が好ましいことが示された。
い青色を呈する発光素子に好適に用いることができる。また、本発明の一態様のジベンゾ
カルバゾール化合物を用いることで、発光効率が高い発光素子を作製することができる。
また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物を用いることで、消費電力の低減さ
れた発光素子を作製することができる。また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化
合物を用いることで、駆動寿命の優れた発光素子を作製することができる。
)の作製例と、該発光素子の特性について、説明する。また、比較として本発明の一態様
の化合物と異なる化合物を有する発光素子(発光素子7及び発光素子8)も作製した。本
実施例で作製した発光素子の断面模式図は、図2(A)を参酌すれば良い。また、素子構
造の詳細を表3に示す。また、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。なお、他の化
合物については、先の実施例を参照すればよい。
≪発光素子5の作製≫
基板上に電極101として、ITSO膜を、厚さが70nmになるように形成した。な
お、電極101の電極面積としては、4mm2(2mm×2mm)とした。
ェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)と、酸
化モリブデン(MoO3)とを、重量比(PCzPA:MoO3)が1:0.5になるよ
うに、且つ厚さが10nmになるように共蒸着した。
なるように蒸着した。
mFLPAPrnとを、重量比(agDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)が
1:0.01になるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお、発光層
120において、agDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemFLPAPrn
がゲスト材料(蛍光材料)である。
とを、厚さがそれぞれ10nmと15nmとになるよう順次蒸着した。次に、電子輸送層
113上に、電子注入層114として、フッ化リチウム(LiF)を厚さが1nmになる
ように蒸着した。
0nmになるように形成した。
板を、有機材料を形成した基板に固定することで、発光素子5を封止した。以上の工程に
より発光素子5を得た。
発光素子6は、先に示す発光素子5の作製と、発光層120及び電子輸送層113の形
成工程のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子5と同様の作製方法とした。
rnとを重量比(aiDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)が1:0.01に
なるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお、発光層120において
、aiDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemFLPAPrnがゲスト材料(
蛍光材料)である。
、厚さがそれぞれ10nmと15nmとになるよう順次蒸着した。
比較として作製した発光素子7は、先に示す発光素子5の作製と、発光層120及び電
子輸送層113の形成工程のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子5と同様の作製方法
とした。
フェニル]−7H−ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgDBCzPA)と、1
,6mMemFLPAPrnとを重量比(cgDBCzPA:1,6mMemFLPAP
rn)が1:0.03になるように、且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお
、発光層120において、cgDBCzPAがホスト材料であり、1,6mMemFLP
APrnがゲスト材料(蛍光材料)である。
、厚さがそれぞれ10nmと15nmとになるよう順次蒸着した。
比較として作製した発光素子8は、先に示す発光素子5の作製と、発光層120及び電
子輸送層113の形成工程のみ異なり、それ以外の工程は、発光素子5と同様の作製方法
とした。
フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)と、1,6mMemFLPAPrn
とを重量比(CzPA:1,6mMemFLPAPrn)が1:0.04になるように、
且つ厚さが25nmになるように共蒸着した。なお、発光層120において、CzPAが
ホスト材料であり、1,6mMemFLPAPrnがゲスト材料(蛍光材料)である。
それぞれ10nmと15nmとになるよう順次蒸着した。
次に、作製した発光素子5乃至発光素子8の発光特性について測定した。なお、測定方
法は実施例3と同様であり、室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。発光素子5乃至
発光素子8の電流効率−輝度特性を図49に示す。また、輝度−電圧特性を図50に示す
。また、外部量子効率−輝度特性を図51に示す。また、発光素子5乃至発光素子8に2
.5mA/cm2の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図52に示す。
PAPrn)に由来する青色の発光を示した。
材料を発光材料として有する発光素子として、優れた電流効率及び外部量子効率を示した
。
示しながら、高い電流効率及び外部量子効率を示した。すなわち、本発明の一態様のジベ
ンゾカルバゾール化合物をホスト材料として有する発光素子は、深い青色を呈する発光素
子に好適に用いることができるといえる。
及び発光素子6は、消費電力が低い。すなわち、キャリア輸送性の優れた本発明の一態様
のジベンゾカルバゾール化合物をホスト材料及び電子輸送材料として用いることで、低い
電圧で駆動する発光素子を作製することができる。
53に示す。なお、駆動寿命試験は、発光素子7の初期輝度が5000cd/m2になる
よう発光素子5乃至発光素子8の電流密度を44.87mA/cm2に設定し、電流密度
を一定の条件で発光素子を連続駆動させた。
有する発光素子として、優れた駆動寿命を示した。さらに、発光素子5は、発光素子7及
び発光素子8より深い青色を呈する発光素子であるのにかかわらず、発光素子7と同等で
、発光素子8より優れた駆動寿命を示した。また、発光素子6は、発光素子8より深い青
色を呈する発光素子であるのにかかわらず、発光素子8より優れた駆動寿命を示した。
あるため、特に深い青色を呈する発光素子においては、高い駆動寿命を得ることが難しい
。しかしながら、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物をホスト材料として有す
る発光素子は、深い青色を呈する発光素子で長い駆動寿命を示している。したがって、本
発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は、深い青色を呈する発光素子に好適に用い
ることができるといえる。具体的には、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物は
、色度yが0.01以上0.15以下の深い青色を呈する発光素子に、好適に用いること
ができる。
い青色を呈する発光素子に好適に用いることができる。また、本発明の一態様のジベンゾ
カルバゾール化合物を用いることで、発光効率が高い発光素子を作製することができる。
また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化合物を用いることで、消費電力の低減さ
れた発光素子を作製することができる。また、本発明の一態様のジベンゾカルバゾール化
合物を用いることで、駆動寿命の優れた発光素子を作製することができる。
101 電極
101a 導電層
101b 導電層
101c 導電層
102 電極
103 電極
103a 導電層
103b 導電層
104 電極
104a 導電層
104b 導電層
106 発光ユニット
108 発光ユニット
110 EL層
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 電子輸送層
114 電子注入層
115 電荷発生層
116 正孔注入層
117 正孔輸送層
118 電子輸送層
119 電子注入層
120 発光層
121 ホスト材料
122 ゲスト材料
123B 発光層
123G 発光層
123R 発光層
140 発光層
141 ホスト材料
141_1 有機化合物
141_2 有機化合物
142 ゲスト材料
145 隔壁
150 発光素子
170 発光層
180 発光層
190 発光層
190a 発光層
190b 発光層
200 基板
220 基板
221B 領域
221G 領域
221R 領域
222B 領域
222G 領域
222R 領域
223 遮光層
224B 光学素子
224G 光学素子
224R 光学素子
250 発光素子
252 発光素子
260a 発光素子
260b 発光素子
262a 発光素子
262b 発光素子
300 有機半導体素子
301 ソース電極
301_1 配線
301_5 配線
301_6 配線
301_7 配線
302 ドレイン電極
302_1 配線
302_2 配線
303 ゲート電極
303_1 トランジスタ
303_6 トランジスタ
303_7 トランジスタ
304 容量素子
304_1 容量素子
304_2 容量素子
305 発光素子
306_1 配線
306_3 配線
307_1 配線
307_3 配線
308_1 トランジスタ
308_6 トランジスタ
309_1 トランジスタ
309_2 トランジスタ
311_1 配線
311_3 配線
312_1 配線
312_2 配線
330 活性層
600 表示装置
601 信号線駆動回路部
602 画素部
603 走査線駆動回路部
604 封止基板
605 シール材
607 領域
607a 封止層
607b 封止層
607c 封止層
608 配線
609 FPC
610 素子基板
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 下部電極
614 隔壁
616 EL層
617 上部電極
618 発光素子
621 光学素子
622 遮光層
623 トランジスタ
624 トランジスタ
801 画素回路
802 画素部
804 駆動回路部
804a 走査線駆動回路
804b 信号線駆動回路
806 保護回路
807 端子部
852 トランジスタ
854 トランジスタ
862 容量素子
872 発光素子
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 層間絶縁膜
1021 層間絶縁膜
1022 電極
1024B 下部電極
1024G 下部電極
1024R 下部電極
1024Y 下部電極
1025 隔壁
1026 上部電極
1028 EL層
1028B 発光層
1028G 発光層
1028R 発光層
1028Y 発光層
1029 封止層
1031 封止基板
1032 シール材
1033 基材
1034B 着色層
1034G 着色層
1034R 着色層
1034Y 着色層
1035 遮光層
1036 オーバーコート層
1037 層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
2000 タッチパネル
2001 タッチパネル
2501 表示装置
2502R 画素
2502t トランジスタ
2503c 容量素子
2503g 走査線駆動回路
2503s 信号線駆動回路
2503t トランジスタ
2509 FPC
2510 基板
2510a 絶縁層
2510b 可撓性基板
2510c 接着層
2511 配線
2519 端子
2521 絶縁層
2528 隔壁
2550R 発光素子
2560 封止層
2567BM 遮光層
2567p 反射防止層
2567R 着色層
2570 基板
2570a 絶縁層
2570b 可撓性基板
2570c 接着層
2580R 発光モジュール
2590 基板
2591 電極
2592 電極
2593 絶縁層
2594 配線
2595 タッチセンサ
2597 接着層
2598 配線
2599 接続層
2601 パルス電圧出力回路
2602 電流検出回路
2603 容量
2611 トランジスタ
2612 トランジスタ
2613 トランジスタ
2621 電極
2622 電極
3000 発光装置
3001 基板
3003 基板
3005 発光素子
3007 封止領域
3009 封止領域
3011 領域
3013 領域
3014 領域
3015 基板
3016 基板
3018 乾燥剤
3500 多機能端末
3502 筐体
3504 表示部
3506 カメラ
3508 照明
3600 ライト
3602 筐体
3608 照明
3610 スピーカ
7101 筐体
7102 筐体
7103 表示部
7104 表示部
7105 マイク
7106 スピーカ
7107 操作キー
7108 スタイラス
7121 筐体
7122 表示部
7123 キーボード
7124 ポインティングデバイス
7200 ヘッドマウントディスプレイ
7201 装着部
7202 レンズ
7203 本体
7204 表示部
7205 ケーブル
7206 バッテリ
7300 カメラ
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 シャッターボタン
7305 結合部
7306 レンズ
7400 ファインダー
7401 筐体
7402 表示部
7403 ボタン
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチセンサ
8005 FPC
8006 表示装置
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
8501 照明装置
8502 照明装置
8503 照明装置
8504 照明装置
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 携帯情報端末
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
9300 テレビジョン装置
9301 スタンド
9311 リモコン操作機
9500 表示装置
9501 表示パネル
9502 表示領域
9503 領域
9511 軸部
9512 軸受部
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JP2000286056A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子 |
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JPS62147463A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
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